JP3750326B2 - 絶縁電線及びホース - Google Patents
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Description
【０００１】
本発明は、ふっ素樹脂からなる高いカットスルー抵抗を有する絶縁電線及びホースに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ふっ素樹脂は、耐薬品性、耐磨耗性、耐摩擦性及び耐荷重性に優れた特徴を有しているが、ふっ素樹脂で高いカットスルー抵抗を実現することは困難である。ふっ素樹脂のカットスルー抵抗性を改善する方法として、ふっ素樹脂にカーボン繊維や硝子繊維等の充填剤を加える方法をあげることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ふっ素樹脂にカーボン繊維や硝子繊維等の充填剤を加えた場合、ふっ素樹脂が本来有する優れた耐薬品性や電気特性を低下させることになる。特に、電線等の絶縁材料用途において充填剤を加えると誘電率が著しく悪化する。また、充填剤の摩損がその接触系を汚染するという問題がある。
【０００４】
従って、本発明の目的は、優れたカットスルー抵抗性を有し、しかも、ふっ素樹脂本来の良好な耐薬品性、電気特性を有する絶縁電線及びホースを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の目的を達成するため、ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が３２５℃以下の改質ふっ素樹脂からなる被覆層、又は前記改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂とを前記改質ふっ素樹脂の含有量が３０重量％以上となるように混合した混合樹脂からなる被覆層を導体外周に有し、該被覆層の２００℃でのカットスルー抵抗が１０Ｎ以上であることを特徴とする絶縁電線を提供するものである。
また、本発明は、ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が３０５℃以下の改質ふっ素樹脂からなる被覆層、又は前記改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂との混合樹脂からなる被覆層を導体外周に有し、該被覆層の２００℃でのカットスルー抵抗が１５Ｎ以上であることを特徴とする絶縁電線を提供するものである。
更に、本発明は、ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が２７５℃以下の改質ふっ素樹脂からなる被覆層、又は前記改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂との混合樹脂からなる被覆層を導体外周に有し、該被覆層の２００℃でのカットスルー抵抗が８Ｎ以上であることを特徴とする絶縁電線を提供するものである。
【０００６】
また、本発明は、ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が３２５℃以下の改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂とを前記改質ふっ素樹脂の含有量が３０重量％以上となるように混合した混合樹脂からなる層を有し、該層の２００℃でのカットスルー抵抗が１０Ｎ以上であることを特徴とするホースを提供するものである。
また、本発明は、ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が３０５℃以下の改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂とを前記改質ふっ素樹脂の含有量が６０重量％以上となるように混合した混合樹脂からなる層を有し、該層の２００℃でのカットスルー抵抗が１５Ｎ以上であることを特徴とするホースを提供するものである。
更に、本発明は、ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が２７５℃以下の改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂とを前記改質ふっ素樹脂の含有量が６０重量％以上となるように混合した混合樹脂からなる層を有し、層の２００℃でのカットスルー抵抗が８Ｎ以上であることを特徴とするホースを提供するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明に使用されるふっ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン系重合体（以下ＰＴＦＥという）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）系共重合体（以下ＰＦＡという）、あるいはテトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン系共重合体（以下ＦＥＰという）が挙げられる。
【０００９】
上記ＰＴＦＥの中には、パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）、ヘキサフルオロプロピレン、（パーフルオロアルキル）エチレン、あるいはクロロトリフルオロエチレン等の共重合性モノマーに基づく重合単位を１モル％以下含有するものも含まれる。また、上記共重合体形式のふっ素樹脂の場合、その分子構造の中に少量の第３成分を含むことは有り得る。
【００１０】
本発明においては、改質ふっ素樹脂の物性を融点が３２５℃以下と規定しているが、融点が上記値を越えると、十分なカットスルー抵抗を得ることができないためである。なお、ふっ素樹脂がＰＦＡのときは、融点が３０５℃以下であり、ＦＥＰのときは融点が２７５℃以下である。
【００１１】
本発明の改質ふっ素樹脂は、ふっ素樹脂に酸素濃度１０-3mol/ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射することにより製造することができる。この場合、改質ふっ素樹脂は、シート、ブロック又はその他の形状のふっ素樹脂成形体に電離性放射線を照射した後機械的に粉砕したものであってもよく、又、ふっ素樹脂粉体に電離性放射線を照射し、必要に応じ照射後機械的に粉砕したものであってもよい。いずれの場合にも、照射後の粉体粒径は成形性、加工性、他樹脂への添加性等を考慮すると、１mm以下であることが好ましい。又、単独のふっ素樹脂に対して電離性放射線を照射してもよく、２種又は２種以上のふっ素樹脂混合物に電離性放射線を照射してもよい。
【００１２】
ふっ素樹脂を改質するときの電離性放射線の照射は、酸素濃度１０-3mol/ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で行い、また、その照射線量は１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲内が望ましい。更に、カットスルー抵抗特性を改善する観点からすると、好ましい照射線量は１０ｋＧｙ〜５００ｋＧｙの範囲が望ましい。本発明においては、電離性放射線としては、γ線、電子線、Ｘ線、中性子線、あるいは高エネルギーイオン等が使用される。
【００１３】
また、電離性放射線の照射を行うに際しては、ふっ素樹脂をその結晶融点以上に加熱しておくことが望ましい。すなわち、例えばふっ素樹脂としてＰＴＦＥを使用する場合には、この材料の結晶融点である３２７℃よりも高い温度にふっ素樹脂を加熱した状態で電離性放射線を照射することが望ましく、あるいはまた、ＰＦＡやＦＥＰを適用する場合には、前者が３１０℃、後者が２７５℃に特定される結晶融点よりも高い温度に加熱して、放射線を照射することが望ましい。ふっ素樹脂をその結晶融点以上に加熱することは、ふっ素樹脂を構成する主鎖の分子運動を活発化させることになり、その結果、分子間の架橋反応を効率良く促進させることが可能となる。但し、過度の加熱は、逆に分子主鎖の切断と分解を招くようになるので、このような解重合現象の発生を抑制する意味合いから、加熱温度はふっ素樹脂の結晶融点よりも１０〜３０℃高い範囲内に抑えるべきである。また、粉体を照射する場合、加熱温度を融点以上に上げることから、その上昇とともに、流動性が増し、照射後に粉砕することが困難になることから、加熱温度はふっ素樹脂の結晶融点より１０〜３０℃高い範囲内に抑えるべきである。
【００１５】
本発明の改質ふっ素樹脂を得るためのより具体的方法としては、ＰＴＦＥ系のふっ素樹脂の場合は、所定形状に予備成形品を製造し、これを焼成した後電離性放射線を照射する方法が多くの場合に採用されるが、予め電離性放射線を照射したふっ素樹脂粉末と未照射のふっ素樹脂粉末を混合し、成形後焼成する方法も採用可能である。後者の場合、電離性放射線を照射したふっ素樹脂粉末の混合量が３０重量％を越えるときは、焼成後の冷却時に加圧する（ホットコイニング）ことが好ましく、本発明の高カットスルー抵抗製品を実現するためには、電離性放射線を照射したふっ素樹脂粉末の混合量は、大凡６０〜９０重量％が適切である。
【００１６】
本発明においては、成形体の肉厚によって電離性放射線の照射条件が適宜選択されるが、一般に、肉厚２０mm以下の場合にはγ線照射、電子線照射のいずれも実質的に採用可能であり、肉厚２０mm以上、特に３０mmを越えるときは、γ線もしくは電子線を線源とする二次放射線のＸ線が実効的である。更に、大型肉厚品の場合、表層から傾斜的に電子線照射線量で処理する方法も採用できる。この場合、前記した全ての電離性放射線を採用できるが、工業的にはγ線、電子線が実際的である。
【００１７】
ＰＦＡ、ＦＥＰ等の熱溶融系ふっ素樹脂の場合は通常、射出成形で成形体を得るが、本発明の高カットスルー抵抗製品は、係る成形体の表面加熱、表層の電離性放射線処理技術が実際的に応用され得られるものである。表層の電子線照射処理厚みは成形体の肉厚と相関するが、一般的に２０mm以下の場合は１０mm程度、２０mm以上の場合は肉厚の約１／３程度が適当である。熱溶融系ふっ素樹脂の場合も予め原料粉末（３mmφ以下の不定形、球形、粉末状、ビーズ状、ペレット状等）に所定の条件下で電離性放射線を照射したものが、未照射の原料粉末に６０〜９０重量％含まれるように混合し、融点以上で加圧成形する方法も適宜採用できる。この方法は、実際的には経済的な理由から肉厚が大で多品種少量製品に適するものと考えられる。
【００１８】
前記の各種方法で得られた成形体は、加熱された状態でのサイジング（寸法矯正）あるいはエージング（樹脂融点よりも１０℃程度低い温度）後の機械加工により寸法精度を向上させ、最終製品となる。
【００１９】
【実施例】
［実施例１〜４］
ＰＴＦＥファインパウダー（ダイキン製、商品名：ポリフロンＦ１０４）を用い、助剤としてスーパーＶＭ＆Ｐナフサ（シェル化学）を２０重量％加え、常温でペースト押出しを行い、２６ＡＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５mmで押出し被覆し、２５０℃で乾燥後、３８０℃で焼成して絶縁電線を作製した。この絶縁電線に、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、３４０℃の加熱温度のもとで電子線を照射線量２０ｋＧｙ（実施例１）、５０ｋＧｙ（実施例２）、１００ｋＧｙ（実施例３）、２００ｋＧｙ（実施例４）照射し、改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製した。
【００２０】
［比較例１］
実施例１〜４において、電子線未照射の絶縁電線を比較例１とした。
【００２１】
［実施例５、６］
実施例１〜４において、銅線のない状態でチューブ押出を行い、内径０．４８mmφ、外径１．５mmφのチューブを作製し、このチューブに実施例１〜４と同様の条件でもって電子線を照射線量１００ｋＧｙ（実施例５）、２００ｋＧｙ（実施例６）照射し、改質ふっ素樹脂チューブを作製した。
【００２２】
［実施例７〜９］
ＰＦＡペレット（デュポン製、テフロン３５０Ｊ）を用い、Ｌ／Ｄ＝２０／１、圧縮比＝３：１、１／２ターン急圧縮タイプのスクリューを用い、３６０℃で押出成形を行い、２６ＡＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５mmで押出し被覆して絶縁電線を作製した。この絶縁電線に、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、３２０℃の加熱温度のもとで電子線を照射線量５０ｋＧｙ（実施例７）、１００ｋＧｙ（実施例８）及び３００ｋＧｙ（実施例９）照射し、改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製した。
【００２３】
［比較例２］
実施例７〜９において、電子線未照射の絶縁電線を比較例２とした。
【００２４】
［実施例１０〜１２］
ＦＥＰペレット（デュポン製、テフロンＦＥＰ１００）を用い、Ｌ／Ｄ＝２０／１、圧縮比＝３：１、１／２ターン急圧縮タイプのスクリューを用い、３５０℃で押出成形を行い、２６ＡＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５mmで押出し被覆して絶縁電線を作製した。この絶縁電線に、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、２８０℃の加熱温度のもとで電子線を照射線量５０ｋＧｙ（実施例１０）、１００ｋＧｙ（実施例１１）及び３００ｋＧｙ（実施例１２）照射し、改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製した。
【００２５】
［比較例３］
実施例１０〜１２において、電子線未照射の絶縁電線を比較例３とした。
【００２６】
［実施例１３］
実施例１〜４で使用したと同じＰＴＦＥファインパウダーに対し、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、３４０℃の加熱温度のもとで電子線を照射線量１００ｋＧｙ照射した後、約２０μｍの平均粒径になるまでジェットミルで粉砕し、次いで３００℃で１２時間熱処理し、高揮発成分（約０．１重量％）を除去することにより改質ふっ素樹脂粉体を得た。この改質ふっ素樹脂粉体を未照射のふっ素樹脂粉体（上記と同じＰＴＦＥファインパウダ）中に６０重量％含まれるよう混合してふっ素樹脂混合粉体を調整し、混合粉体８０重量部に助剤としてスーパーＶＭ＆Ｐナフサ（シェル化学）を２０重量％加え、常温でペースト押出しを行い、２６ＡＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５mmで押出し被覆し、２５０℃で乾燥後、３８０℃で焼成して改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製した。
【００２７】
［実施例１４］
実施例７〜９で使用したと同じＰＦＡペレットに対して、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、３２０℃の加熱温度のもとで電子線を照射線量５０ｋＧｙ照射した後、摩砕式粉砕機で粉砕し、平均粒径約５０μｍの改質ふっ素樹脂粉砕物を得た。この改質ふっ素樹脂粉砕物を未照射のＰＦＡペレット（上記と同じＰＦＡ）中に５０重量％含まれるように混合して混合ペレットを得た。この混合ペレットをＬ／Ｄ＝２０／１、圧縮比＝３：１、１／２ターン急圧縮タイプのスクリューを用い、３６０℃で押出成形を行い、２６ＡＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５mmで押出し被覆して改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製した。
【００２８】
［比較例４］
実施例７〜９で使用したＰＦＡペレット（未照射）を実施例１４と同様にして粉砕し、実施例７〜９と同様にして絶縁電線（未照射）を作製した。
【００２９】
［比較例５、６］
実施例１〜４の絶縁電線（未照射）に対して、空気中で３４０℃の加熱温度のもとで電子線を照射線量５０ｋＧｙ（比較例５）及び１００ｋＧｙ（比較例６）照射した絶縁電線を作製した。
【００３０】
［比較例７、８］
実施例１〜４の絶縁電線（未照射）に対して、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、室温（２４℃）のもとで電子線を照射線量５０ｋＧｙ（比較例７）及び１００ｋＧｙ（比較例８）照射した絶縁電線を作製した。
【００３１】
［実施例１５〜１７］
ＰＴＦＥファインパウダー（デュポン製、テフロン６Ｊ）に助剤としてスーパーＶＭ＆Ｐナフサ（シェル化学）を２０重量％加え、常温でペースト押出しを行い、２６ＡＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５mmで押出し被覆し、２５０℃で乾燥後、３８０℃で焼成して絶縁電線を作製した。この絶縁電線に、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、３４０℃の加熱温度のもとで電子線を照射線量５０ｋＧｙ（実施例１５）、５０ＫＧｙ（実施例１６）、２００ｋＧｙ（実施例１７）及び２００ｋＧｙ（実施例１８）を照射し、改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製した。
【００３２】
［比較例９］
実施例１５〜１７において、電子線未照射の絶縁電線を比較例９とした。
【００３３】
実施例１〜１７及び比較例１〜９の絶縁電線及びチューブについて融点およびカットスルー抵抗を測定した結果を表１に示した。なお、カットスル―抵抗の測定方法は、図１に示すように、絶縁電線１またはチューブ（チューブの場合には０．４８mmφの軟銅線を挿入）の下部に断面三角形状の金属２を配置した状態で上部から荷重３をかけ、導体と下部の金属２が通電したときの荷重値を抵抗値（Ｎ）とした。なお、ここでの測定は温度２００℃で行った。
【００３４】
また、ふっ素樹脂の融点の測定は、示差走査熱量計（パーキンエルマー社製ＤＳＣ７）を用いて行い、試料約１０mgをサンプリングし、５０〜３６０℃の間で１０℃／min の昇・降温スピードにより昇温、降温を２サイクル繰り返し、２回目の昇温時のＤＳＣ曲線の吸熱ピーク温度を融点とした。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【発明の効果】
以上説明してきた本発明によれば、実施例と比較例との対比からも明らかなように、カットスルー抵抗が大幅に向上したふっ素樹脂絶縁電線及びふっ素樹脂パイプ等の成形体を実現することが可能となり、このことは、ふっ素樹脂の応用範囲を広げる上で大きく貢献するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】カットスルー抵抗の測定方法の説明図である。
【符号の説明】
１ 絶縁電線（チューブ）
２ 金属
３ 荷重
本発明は、ふっ素樹脂からなる高いカットスルー抵抗を有する絶縁電線及びホースに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ふっ素樹脂は、耐薬品性、耐磨耗性、耐摩擦性及び耐荷重性に優れた特徴を有しているが、ふっ素樹脂で高いカットスルー抵抗を実現することは困難である。ふっ素樹脂のカットスルー抵抗性を改善する方法として、ふっ素樹脂にカーボン繊維や硝子繊維等の充填剤を加える方法をあげることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ふっ素樹脂にカーボン繊維や硝子繊維等の充填剤を加えた場合、ふっ素樹脂が本来有する優れた耐薬品性や電気特性を低下させることになる。特に、電線等の絶縁材料用途において充填剤を加えると誘電率が著しく悪化する。また、充填剤の摩損がその接触系を汚染するという問題がある。
【０００４】
従って、本発明の目的は、優れたカットスルー抵抗性を有し、しかも、ふっ素樹脂本来の良好な耐薬品性、電気特性を有する絶縁電線及びホースを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の目的を達成するため、ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が３２５℃以下の改質ふっ素樹脂からなる被覆層、又は前記改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂とを前記改質ふっ素樹脂の含有量が３０重量％以上となるように混合した混合樹脂からなる被覆層を導体外周に有し、該被覆層の２００℃でのカットスルー抵抗が１０Ｎ以上であることを特徴とする絶縁電線を提供するものである。
また、本発明は、ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が３０５℃以下の改質ふっ素樹脂からなる被覆層、又は前記改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂との混合樹脂からなる被覆層を導体外周に有し、該被覆層の２００℃でのカットスルー抵抗が１５Ｎ以上であることを特徴とする絶縁電線を提供するものである。
更に、本発明は、ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が２７５℃以下の改質ふっ素樹脂からなる被覆層、又は前記改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂との混合樹脂からなる被覆層を導体外周に有し、該被覆層の２００℃でのカットスルー抵抗が８Ｎ以上であることを特徴とする絶縁電線を提供するものである。
【０００６】
また、本発明は、ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が３２５℃以下の改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂とを前記改質ふっ素樹脂の含有量が３０重量％以上となるように混合した混合樹脂からなる層を有し、該層の２００℃でのカットスルー抵抗が１０Ｎ以上であることを特徴とするホースを提供するものである。
また、本発明は、ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が３０５℃以下の改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂とを前記改質ふっ素樹脂の含有量が６０重量％以上となるように混合した混合樹脂からなる層を有し、該層の２００℃でのカットスルー抵抗が１５Ｎ以上であることを特徴とするホースを提供するものである。
更に、本発明は、ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が２７５℃以下の改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂とを前記改質ふっ素樹脂の含有量が６０重量％以上となるように混合した混合樹脂からなる層を有し、層の２００℃でのカットスルー抵抗が８Ｎ以上であることを特徴とするホースを提供するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明に使用されるふっ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン系重合体（以下ＰＴＦＥという）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）系共重合体（以下ＰＦＡという）、あるいはテトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン系共重合体（以下ＦＥＰという）が挙げられる。
【０００９】
上記ＰＴＦＥの中には、パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）、ヘキサフルオロプロピレン、（パーフルオロアルキル）エチレン、あるいはクロロトリフルオロエチレン等の共重合性モノマーに基づく重合単位を１モル％以下含有するものも含まれる。また、上記共重合体形式のふっ素樹脂の場合、その分子構造の中に少量の第３成分を含むことは有り得る。
【００１０】
本発明においては、改質ふっ素樹脂の物性を融点が３２５℃以下と規定しているが、融点が上記値を越えると、十分なカットスルー抵抗を得ることができないためである。なお、ふっ素樹脂がＰＦＡのときは、融点が３０５℃以下であり、ＦＥＰのときは融点が２７５℃以下である。
【００１１】
本発明の改質ふっ素樹脂は、ふっ素樹脂に酸素濃度１０-3mol/ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射することにより製造することができる。この場合、改質ふっ素樹脂は、シート、ブロック又はその他の形状のふっ素樹脂成形体に電離性放射線を照射した後機械的に粉砕したものであってもよく、又、ふっ素樹脂粉体に電離性放射線を照射し、必要に応じ照射後機械的に粉砕したものであってもよい。いずれの場合にも、照射後の粉体粒径は成形性、加工性、他樹脂への添加性等を考慮すると、１mm以下であることが好ましい。又、単独のふっ素樹脂に対して電離性放射線を照射してもよく、２種又は２種以上のふっ素樹脂混合物に電離性放射線を照射してもよい。
【００１２】
ふっ素樹脂を改質するときの電離性放射線の照射は、酸素濃度１０-3mol/ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で行い、また、その照射線量は１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲内が望ましい。更に、カットスルー抵抗特性を改善する観点からすると、好ましい照射線量は１０ｋＧｙ〜５００ｋＧｙの範囲が望ましい。本発明においては、電離性放射線としては、γ線、電子線、Ｘ線、中性子線、あるいは高エネルギーイオン等が使用される。
【００１３】
また、電離性放射線の照射を行うに際しては、ふっ素樹脂をその結晶融点以上に加熱しておくことが望ましい。すなわち、例えばふっ素樹脂としてＰＴＦＥを使用する場合には、この材料の結晶融点である３２７℃よりも高い温度にふっ素樹脂を加熱した状態で電離性放射線を照射することが望ましく、あるいはまた、ＰＦＡやＦＥＰを適用する場合には、前者が３１０℃、後者が２７５℃に特定される結晶融点よりも高い温度に加熱して、放射線を照射することが望ましい。ふっ素樹脂をその結晶融点以上に加熱することは、ふっ素樹脂を構成する主鎖の分子運動を活発化させることになり、その結果、分子間の架橋反応を効率良く促進させることが可能となる。但し、過度の加熱は、逆に分子主鎖の切断と分解を招くようになるので、このような解重合現象の発生を抑制する意味合いから、加熱温度はふっ素樹脂の結晶融点よりも１０〜３０℃高い範囲内に抑えるべきである。また、粉体を照射する場合、加熱温度を融点以上に上げることから、その上昇とともに、流動性が増し、照射後に粉砕することが困難になることから、加熱温度はふっ素樹脂の結晶融点より１０〜３０℃高い範囲内に抑えるべきである。
【００１５】
本発明の改質ふっ素樹脂を得るためのより具体的方法としては、ＰＴＦＥ系のふっ素樹脂の場合は、所定形状に予備成形品を製造し、これを焼成した後電離性放射線を照射する方法が多くの場合に採用されるが、予め電離性放射線を照射したふっ素樹脂粉末と未照射のふっ素樹脂粉末を混合し、成形後焼成する方法も採用可能である。後者の場合、電離性放射線を照射したふっ素樹脂粉末の混合量が３０重量％を越えるときは、焼成後の冷却時に加圧する（ホットコイニング）ことが好ましく、本発明の高カットスルー抵抗製品を実現するためには、電離性放射線を照射したふっ素樹脂粉末の混合量は、大凡６０〜９０重量％が適切である。
【００１６】
本発明においては、成形体の肉厚によって電離性放射線の照射条件が適宜選択されるが、一般に、肉厚２０mm以下の場合にはγ線照射、電子線照射のいずれも実質的に採用可能であり、肉厚２０mm以上、特に３０mmを越えるときは、γ線もしくは電子線を線源とする二次放射線のＸ線が実効的である。更に、大型肉厚品の場合、表層から傾斜的に電子線照射線量で処理する方法も採用できる。この場合、前記した全ての電離性放射線を採用できるが、工業的にはγ線、電子線が実際的である。
【００１７】
ＰＦＡ、ＦＥＰ等の熱溶融系ふっ素樹脂の場合は通常、射出成形で成形体を得るが、本発明の高カットスルー抵抗製品は、係る成形体の表面加熱、表層の電離性放射線処理技術が実際的に応用され得られるものである。表層の電子線照射処理厚みは成形体の肉厚と相関するが、一般的に２０mm以下の場合は１０mm程度、２０mm以上の場合は肉厚の約１／３程度が適当である。熱溶融系ふっ素樹脂の場合も予め原料粉末（３mmφ以下の不定形、球形、粉末状、ビーズ状、ペレット状等）に所定の条件下で電離性放射線を照射したものが、未照射の原料粉末に６０〜９０重量％含まれるように混合し、融点以上で加圧成形する方法も適宜採用できる。この方法は、実際的には経済的な理由から肉厚が大で多品種少量製品に適するものと考えられる。
【００１８】
前記の各種方法で得られた成形体は、加熱された状態でのサイジング（寸法矯正）あるいはエージング（樹脂融点よりも１０℃程度低い温度）後の機械加工により寸法精度を向上させ、最終製品となる。
【００１９】
【実施例】
［実施例１〜４］
ＰＴＦＥファインパウダー（ダイキン製、商品名：ポリフロンＦ１０４）を用い、助剤としてスーパーＶＭ＆Ｐナフサ（シェル化学）を２０重量％加え、常温でペースト押出しを行い、２６ＡＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５mmで押出し被覆し、２５０℃で乾燥後、３８０℃で焼成して絶縁電線を作製した。この絶縁電線に、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、３４０℃の加熱温度のもとで電子線を照射線量２０ｋＧｙ（実施例１）、５０ｋＧｙ（実施例２）、１００ｋＧｙ（実施例３）、２００ｋＧｙ（実施例４）照射し、改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製した。
【００２０】
［比較例１］
実施例１〜４において、電子線未照射の絶縁電線を比較例１とした。
【００２１】
［実施例５、６］
実施例１〜４において、銅線のない状態でチューブ押出を行い、内径０．４８mmφ、外径１．５mmφのチューブを作製し、このチューブに実施例１〜４と同様の条件でもって電子線を照射線量１００ｋＧｙ（実施例５）、２００ｋＧｙ（実施例６）照射し、改質ふっ素樹脂チューブを作製した。
【００２２】
［実施例７〜９］
ＰＦＡペレット（デュポン製、テフロン３５０Ｊ）を用い、Ｌ／Ｄ＝２０／１、圧縮比＝３：１、１／２ターン急圧縮タイプのスクリューを用い、３６０℃で押出成形を行い、２６ＡＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５mmで押出し被覆して絶縁電線を作製した。この絶縁電線に、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、３２０℃の加熱温度のもとで電子線を照射線量５０ｋＧｙ（実施例７）、１００ｋＧｙ（実施例８）及び３００ｋＧｙ（実施例９）照射し、改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製した。
【００２３】
［比較例２］
実施例７〜９において、電子線未照射の絶縁電線を比較例２とした。
【００２４】
［実施例１０〜１２］
ＦＥＰペレット（デュポン製、テフロンＦＥＰ１００）を用い、Ｌ／Ｄ＝２０／１、圧縮比＝３：１、１／２ターン急圧縮タイプのスクリューを用い、３５０℃で押出成形を行い、２６ＡＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５mmで押出し被覆して絶縁電線を作製した。この絶縁電線に、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、２８０℃の加熱温度のもとで電子線を照射線量５０ｋＧｙ（実施例１０）、１００ｋＧｙ（実施例１１）及び３００ｋＧｙ（実施例１２）照射し、改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製した。
【００２５】
［比較例３］
実施例１０〜１２において、電子線未照射の絶縁電線を比較例３とした。
【００２６】
［実施例１３］
実施例１〜４で使用したと同じＰＴＦＥファインパウダーに対し、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、３４０℃の加熱温度のもとで電子線を照射線量１００ｋＧｙ照射した後、約２０μｍの平均粒径になるまでジェットミルで粉砕し、次いで３００℃で１２時間熱処理し、高揮発成分（約０．１重量％）を除去することにより改質ふっ素樹脂粉体を得た。この改質ふっ素樹脂粉体を未照射のふっ素樹脂粉体（上記と同じＰＴＦＥファインパウダ）中に６０重量％含まれるよう混合してふっ素樹脂混合粉体を調整し、混合粉体８０重量部に助剤としてスーパーＶＭ＆Ｐナフサ（シェル化学）を２０重量％加え、常温でペースト押出しを行い、２６ＡＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５mmで押出し被覆し、２５０℃で乾燥後、３８０℃で焼成して改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製した。
【００２７】
［実施例１４］
実施例７〜９で使用したと同じＰＦＡペレットに対して、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、３２０℃の加熱温度のもとで電子線を照射線量５０ｋＧｙ照射した後、摩砕式粉砕機で粉砕し、平均粒径約５０μｍの改質ふっ素樹脂粉砕物を得た。この改質ふっ素樹脂粉砕物を未照射のＰＦＡペレット（上記と同じＰＦＡ）中に５０重量％含まれるように混合して混合ペレットを得た。この混合ペレットをＬ／Ｄ＝２０／１、圧縮比＝３：１、１／２ターン急圧縮タイプのスクリューを用い、３６０℃で押出成形を行い、２６ＡＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５mmで押出し被覆して改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製した。
【００２８】
［比較例４］
実施例７〜９で使用したＰＦＡペレット（未照射）を実施例１４と同様にして粉砕し、実施例７〜９と同様にして絶縁電線（未照射）を作製した。
【００２９】
［比較例５、６］
実施例１〜４の絶縁電線（未照射）に対して、空気中で３４０℃の加熱温度のもとで電子線を照射線量５０ｋＧｙ（比較例５）及び１００ｋＧｙ（比較例６）照射した絶縁電線を作製した。
【００３０】
［比較例７、８］
実施例１〜４の絶縁電線（未照射）に対して、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、室温（２４℃）のもとで電子線を照射線量５０ｋＧｙ（比較例７）及び１００ｋＧｙ（比較例８）照射した絶縁電線を作製した。
【００３１】
［実施例１５〜１７］
ＰＴＦＥファインパウダー（デュポン製、テフロン６Ｊ）に助剤としてスーパーＶＭ＆Ｐナフサ（シェル化学）を２０重量％加え、常温でペースト押出しを行い、２６ＡＷＧ銀めっき軟銅線（外径０．４８mmφ）上に厚さ０．５mmで押出し被覆し、２５０℃で乾燥後、３８０℃で焼成して絶縁電線を作製した。この絶縁電線に、酸素濃度１０-5mol/ｇ、窒素雰囲気下、３４０℃の加熱温度のもとで電子線を照射線量５０ｋＧｙ（実施例１５）、５０ＫＧｙ（実施例１６）、２００ｋＧｙ（実施例１７）及び２００ｋＧｙ（実施例１８）を照射し、改質ふっ素樹脂絶縁電線を作製した。
【００３２】
［比較例９］
実施例１５〜１７において、電子線未照射の絶縁電線を比較例９とした。
【００３３】
実施例１〜１７及び比較例１〜９の絶縁電線及びチューブについて融点およびカットスルー抵抗を測定した結果を表１に示した。なお、カットスル―抵抗の測定方法は、図１に示すように、絶縁電線１またはチューブ（チューブの場合には０．４８mmφの軟銅線を挿入）の下部に断面三角形状の金属２を配置した状態で上部から荷重３をかけ、導体と下部の金属２が通電したときの荷重値を抵抗値（Ｎ）とした。なお、ここでの測定は温度２００℃で行った。
【００３４】
また、ふっ素樹脂の融点の測定は、示差走査熱量計（パーキンエルマー社製ＤＳＣ７）を用いて行い、試料約１０mgをサンプリングし、５０〜３６０℃の間で１０℃／min の昇・降温スピードにより昇温、降温を２サイクル繰り返し、２回目の昇温時のＤＳＣ曲線の吸熱ピーク温度を融点とした。
【００３５】
【表１】
【発明の効果】
以上説明してきた本発明によれば、実施例と比較例との対比からも明らかなように、カットスルー抵抗が大幅に向上したふっ素樹脂絶縁電線及びふっ素樹脂パイプ等の成形体を実現することが可能となり、このことは、ふっ素樹脂の応用範囲を広げる上で大きく貢献するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】カットスルー抵抗の測定方法の説明図である。
【符号の説明】
１ 絶縁電線（チューブ）
２ 金属
３ 荷重
Claims (6)
- ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が３２５℃以下の改質ふっ素樹脂からなる被覆層、
又は前記改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂とを前記改質ふっ素樹脂の含有量が３０重量％以上となるように混合した混合樹脂からなる被覆層を導体外周に有し、
該被覆層の２００℃でのカットスルー抵抗が１０Ｎ以上であることを特徴とする絶縁電線。 - ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が３０５℃以下の改質ふっ素樹脂からなる被覆層、
又は前記改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂との混合樹脂からなる被覆層を導体外周に有し、
該被覆層の２００℃でのカットスルー抵抗が１５Ｎ以上であることを特徴とする絶縁電線。 - ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が２７５℃以下の改質ふっ素樹脂からなる被覆層、
又は前記改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂との混合樹脂からなる被覆層を導体外周に有し、
該被覆層の２００℃でのカットスルー抵抗が８Ｎ以上であることを特徴とする絶縁電線。 - ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が３２５℃以下の改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂とを前記改質ふっ素樹脂の含有量が３０重量％以上となるように混合した混合樹脂からなる層を有し、
該層の２００℃でのカットスルー抵抗が１０Ｎ以上であることを特徴とするホース。 - ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が３０５℃以下の改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂とを前記改質ふっ素樹脂の含有量が６０重量％以上となるように混合した混合樹脂からなる層を有し、
該層の２００℃でのカットスルー抵抗が１５Ｎ以上であることを特徴とするホース。 - ふっ素樹脂に酸素濃度１０ -3 mol/ ｇ以下の不活性ガス雰囲気下で、且つその融点以上に加熱された状態で電離性放射線を照射線量１ｋＧｙ〜１０ＭＧｙの範囲で照射して形成した、融点が２７５℃以下の改質ふっ素樹脂と未改質ふっ素樹脂とを前記改質ふっ素樹脂の含有量が６０重量％以上となるように混合した混合樹脂からなる層を有し、
該層の２００℃でのカットスルー抵抗が８Ｎ以上であることを特徴とするホース。
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