TWI592431B - Optical member, method of manufacturing the same, and article provided with the optical member - Google Patents

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TWI592431B
TWI592431B TW102102632A TW102102632A TWI592431B TW I592431 B TWI592431 B TW I592431B TW 102102632 A TW102102632 A TW 102102632A TW 102102632 A TW102102632 A TW 102102632A TW I592431 B TWI592431 B TW I592431B
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ethylene
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Daisuke Taguchi
Masakazu Ataku
Kazuo Hamazaki
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Asahi Glass Co Ltd
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Description

光學構件、其製造方法及備有該光學構件之物品 發明領域
本發明係有關於一種光學構件、其製造方法及備有該光學構件之物品。
發明背景
有時電子零件、電子機器等會備有光學構件(光學薄膜、光學透鏡、發光二極體之密封材等)。
自下述(i)理由等，有時會要求對該光學構件使用樹脂材料：(i)伴隨著電子零件、電子機器等的小型化、高積體化及高性能化等，亦要求光學構件需小型化。從易將光學構件加工為小型一點看來，作為該光學構件之材料以樹脂材料為宜。
又，自下述(ii)、(iii)理由等，針對該光學構件有時會要求耐熱性及耐光性：(ii)有時會藉由焊料回流法將光學構件安裝至電路基板。在焊料回流法中，從針對環境問題之應對看來，以使用無鉛焊料為宜。所以，針對光學構件係要求即便在無鉛焊料之回流溫度(約260℃)下仍舊不會熔融且可維持形狀的 耐熱性；(iii)伴隨著發光二極體之高輝度化，針對密封材係要求耐熱性及耐光性。
作為耐熱性及耐光性優異之樹脂材料，周知有乙烯/四氟乙烯共聚物(以下表記為ETFE)。但，由於通常的ETFE結晶性高，因此透明性低，不適於作光學構件用樹脂材料。
作為透明性業經改善的ETFE，有提議下述ETFE：一種ETFE，係由以四氟乙烯(以下表記為TFE)為主體之單元(A)、以乙烯(以下表記為E)為主體之單元(B)及以CH2=CHCnF2n+1(惟，n係2~10之整數)為主體之單元(C)所構成，且單元(A)與單元(B)之莫耳比((A)/(B))為50/50~60/40，單元(C)含量為2~7莫耳%(專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利第3424270號公報
發明概要
作為光學構件之樹脂材料，透明性愈高愈佳。故而要求透明性比專利文獻1記載之ETFE更高的ETFE。
本發明提供一種與習知ETFE所構成的成形體相較下，透明性、耐熱性優異且耐光性良好的光學構件、其 製造方法及備有該光學構件之物品。
本發明之光學構件特徵在於其係由含有下述ETFE之交聯物的成形體所構成：
(ETFE)
該ETFE具有以TFE為主體之單元(A)、以E為主體之單元(B)及以CH2=CHCnF2n+1(惟，n係2~10之整數)為主體之單元(C)，前述單元(A)與前述單元(B)之莫耳比((A)/(B))為50/50~66/34，前述單元(C)與前述單元(A)及前述單元(B)合計之莫耳比((C)/{(A)+(B)})為4.0/100~10/100。
前述(C)/{(A)+(B)}以4.0/100~7.5/100為佳。
本發明之光學構件在波長400nm下，在厚度220μm之光學構件中光線穿透率在90.0%以上為佳。
本發明之光學構件在280℃下加熱5分鐘時，在厚度500μm之光學構件中，縱向及橫向之收縮率皆在5%以內為佳。
本發明之光學構件之製造方法係製造本發明之光學構件者，其特徵在於係對含有前述ETFE之樹脂材料的成形體照射放射線，藉此使前述ETFE交聯。
本發明之光學構件之製造方法中，放射線之劑量以1~10Mrad為佳。
本發明之光學構件之製造方法中，放射線以電子束為佳。
本發明之物品的特徵在於其係備有本發明之光學構件 者。
本發明之光學構件與習知ETFE所構成的成形體相較下，透明性、耐熱性優異且耐光性良好。
依據本發明之光學構件之製造方法，可製造與習知ETFE相較下，透明性業經改善且耐熱性、耐光性優異的光學構件。
本發明之物品係備有與習知ETFE相較下透明性業經改善且耐熱性、耐光性優異的光學構件者。
用以實施發明之形態
本說明書中之「單元」係表示單體藉由聚合所形成且源自該單體的重複單元。單元可為藉由聚合而直接形成之單元，亦可為藉由處理聚合物而使該單元之一部分轉換成其他結構之單元。
又，本說明書中之「單體」係表示具有聚合性不飽和基之化合物。
又，本說明書中之「(甲基)丙烯酸酯」係表示丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。
又，本發明中之「放射線」係表示γ線、電子束、X射線等電離性放射線。
<光學構件>
本發明之光學構件係由含有特定ETFE之交聯物的成形體所構成。ETFE之交聯物係藉由對ETFE照射放射線，使ETFE交聯而形成者。
(ETFE)
本發明之ETFE具有以TFE為主體之單元(A)、以E為主體之單元(B)及以CH2=CHCnF2n+1(惟，n係2~10之整數)為主體之單元(C)。
單元(A)與單元(B)之莫耳比((A)/(B))為50/50~66/34，且以53/47~65/35為佳，56/44~60/40較佳。(A)/(B)只要在該範圍內，透明性、耐熱性、耐光性、耐候性、耐藥性、氣體阻隔性、燃料阻隔、機械強度及成形性等的平衡即佳。
單元(C)與單元(A)及單元(B)合計之莫耳比((C)/{(A)+(B)})為4.0/100~10/100，且以4.0/100~7.5/100為佳，4.5/100~7.5/100較佳，4.6/100~7.5/100更佳。(C)/{(A)+(B)}只要在4.0/100以上，透明性即高。(C)/{(A)+(B)}只要在10/100以下，ETFE之製造即容易。
CH2=CHCnF2n+1中之n係2~10之整數，且以2~8為佳，2~6較佳。只要n在2以上，製得之ETFE的耐應力裂解等之物性即佳。只要n在10以下，即容易製造CH2=CHCnF2n+1且聚合性佳。
作為CH2=CHCnF2n+1之具體例，可舉如CH2=CH(CF2)2F、CH2=CH(CF2)3F、CH2=CH(CF2)4F、CH2=CH(CF2)5F、CH2=CH(CF2)6F、CH2=CH(CF2)7F、 CH2=CH(CF2)8F、CH2=CH(CF2)9F及CH2=CH(CF2)10F等。
作為CH2=CHCnF2n+1，從聚合性優異且ETFE之物性佳之觀點看來，以CH2=CH(CF2)2F、CH2=CH(CF2)3F、CH2=CH(CF2)4F、CH2=CH(CF2)5F、CH2=CH(CF2)6F、CH2=CH(CF2)7F、或CH2=CH(CF2)8F為佳，且以CH2=CH(CF2)2F、CH2=CH(CF2)3F、CH2=CH(CF2)4F、CH2=CH(CF2)5F或CH2=CH(CF2)6F較佳。
CH2=CHCnF2n+1可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
本發明之ETFE除單元(A)、單元(B)及單元(C)以外，亦可含有以其他單體為主體之單元(D)。
作為其他單體，可舉如：烴系烯烴(丙烯、丁烯等)、於不飽和基具有氫原子之氟烯烴(偏二氟乙烯、氟化乙烯、三氟乙烯等)、於不飽和基不具氫原子之氟烯烴(六氟丙烯、氯三氟乙烯等。惟，TFE除外)、全氟(烷基乙烯基醚)(全氟(丙基乙烯基醚)等)、乙烯基醚(烷基乙烯基醚、(氟烷基)乙烯基醚、環氧丙基乙烯基醚、羥丁基乙烯基醚、甲基乙烯氧基丁基碳酸酯等)、乙烯酯(乙酸乙烯酯、乙酸氯乙烯酯、丁酸乙烯酯、三甲基乙酸乙烯酯、安息香酸乙烯酯、巴豆酸乙烯酯等)、(甲基)丙烯酸酯((聚氟烷基)丙烯酸酯、(聚氟烷基)甲基丙烯酸酯等)及酸酐(順丁烯二酸酐、伊康酸酐、甲基順丁烯二酸酐、5-降莰烯-2,3-二羧酸酐等)等。
其他單體可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
本發明之ETFE具有單元(D)時，單元(D)之比例在ETFE中之總單元(100莫耳%)中佔0.01~20莫耳%為佳，0.01~10 莫耳%較佳，0.05~5莫耳%更佳，且以0.1~3莫耳%尤佳。
作為本發明之ETFE，從耐熱性等物性佳且容易製造之觀點看來，以僅由單元(A)、單元(B)及單元(C)所構成之ETFE為佳。
本發明之ETFE的容量流速(以下表記為Q值)以1~1000mm3/秒為佳，以5~500mm3/秒較佳，且以5~200mm3/秒更佳。Q值係表示ETFE之熔融流動性的指標，為分子量的指標。Q值愈大，分子量即愈低；愈小，即表示分子量愈高。本發明之ETFE的Q值係使用島津製作所公司製之流動特性評估裝置，在溫度：297℃、荷重：7kg下擠壓至直徑：2.1mm、長度：8mm之小孔中時的ETFE之擠壓速度。
(ETFE之製造方法)
ETFE可藉由例如日本特開2004-238405號公報中記載之方法等製造。ETFE之製造方法不限於該方法。
在ETFE之製造方法中，可利用使用一般的自由基聚合引發劑之聚合法。作為聚合法，可舉如塊狀聚合法、使用有機溶媒(氟化烴、氯化烴、氟氯化烴、醇、烴等)的溶液聚合法、使用水性介質及因應需求而使用適當有機溶媒的懸浮聚合法以及使用水性介質及乳化劑的乳化聚合法。從不會於ETFE中殘留乳化劑等雜質一點看來，以溶液聚合法或懸浮聚合法為佳。
作為自由基聚合引發劑，從聚合溫度之觀點看來，以半衰期10小時之溫度在0℃~100℃者為佳，且以20 ~90℃者較佳。
作為自由基聚合引發劑之具體例，可舉如偶氮化合物(偶氮雙異丁腈等)、非氟系二醯基過氧化物(異丁醯基過氧化物、二辛醯基過氧化物、二苯甲醯基過氧化物、二月桂醯基過氧化物等)、過氧二碳酸酯(過氧二碳酸二異丙酯等)、過氧化酯(過氧三甲基乙酸三級丁酯、過氧異丁酸三級丁酯、過氧乙酸三級丁酯等)、含氟二醯基過氧化物(以(Z(CF2)pCOO)2(惟，Z係氫原子、氟原子或氯原子，p係1~10之整數)表示之化合物等)及無機過氧化物(過硫酸鉀、過硫酸鈉、過硫酸銨等)等。
在溶液聚合法中，為了控制ETFE的容量流速，宜使用鏈轉移劑。作為鏈轉移劑，可舉如醇(甲醇、乙醇等)、氯氟化烴化合物(1,3-二氯-1,1,2,2,3-五氟丙烷、3,3-二氯-1,1,1,2,2-五氟丙烷、1,1-二氯-1-氟乙烷等)及烴化合物(戊烷、己烷、環戊烷、環己烷等)等。又，為了將與基材(聚醯胺等)之接著性優異的官能基導入至ETFE末端，亦可使用具有官能基(酯基、碳酸酯基、羥基、羧基、氟化羰基等)的鏈轉移劑。作為該鏈轉移劑，可舉如乙酸、乙酸甲酯、乙二醇、丙二醇等。
聚合溫度以0℃~100℃為佳，且以20~90℃較佳。
聚合壓力以0.1~10MPa為佳，且以0.5~3MPa較佳。
聚合時間以1~30小時為佳，2~20小時較佳，且以2~10小時更佳。而，已確認一旦放入過多的自由基聚合引發 劑，則ETFE中殘存的自由基聚合引發劑會在加熱成形時發泡，故必須將聚合時間設在不會發泡之範圍。
(其他成分)
從熱穩定性優異一點看來，本發明之光學構件亦可含有熱穩定劑。作為熱穩定劑，以選自於由銅化合物、錫化合物、鐵化合物、鉛化合物、鈦化合物及鋁化合物所構成群組中之1種以上為佳。就具體例而言，可舉如氧化銅、碘化銅、氧化鋁、硫酸錫、硫酸鍺、鹽基性硫酸鉛、亞硫酸錫、磷酸鋇、焦磷酸錫等，且以氧化銅或碘化銅為佳。熱穩定劑之含量在光學構件中以1×10-8~5質量%為佳，以1×10-7~2質量%較佳，且以5×10-7~1質量%更佳。
本發明之光學構件亦可因應用途、目的而含有其他摻混劑。作為其他摻混劑，可舉如各種添加劑、填料及其他合成樹脂等。熱穩定劑及其他摻混劑之合計含量在80質量%以下為佳，在50質量%以下較佳，且在20質量%以下更佳。
(透明性)
本發明之光學構件在波長400nm下，在厚度220μm中光線穿透率在90.0%以上為佳，在90.5%以上較佳，且在90.9%以上更佳。
光線穿透率係以如下述方法測定。
在熔點+50℃±20℃之範圍(例如，當熔點250℃時為280℃~320℃)下，將含有ETFE之樹脂材料壓製成形而製得厚度220μm之ETFE薄膜。對該ETFE薄膜照射放射線而製得試 樣。就該試樣使用分光光度計測定波長400nm下之光線穿透率。
(耐熱性)
本發明之光學構件在280℃下加熱5分鐘時，縱向及橫向之收縮率皆在5%以內為佳，在3%以內較佳，且在2%以內更佳。
收縮率係將ETFE壓製成形而製出厚度500μm的薄膜切出50mm×50mm，並在280℃下加熱5分鐘後進行測定。
(耐光性)
通常係使用日照氣候測量計(須賀試驗機)，評估黑板溫度在63℃下照射100小時後的透明性，確認透明性沒有變化。
(光學構件之製造方法)
本發明之光學構件係藉由對含有特定ETFE之樹脂材料的成形體照射放射線，使該ETFE交聯而製造。
樹脂材料除ETFE以外，亦可含有前述熱穩定劑及其他摻混劑。
成形體係藉由將樹脂材料成形而製得。作為成形法，可舉如公知的成形法(擠壓成形法、射出成形法、壓製成形法等)。
ETFE之交聯條件可因應成形體的形狀、厚度等適宜設定。
光學構件係藉由對前述成形體照射γ線、電子束、X射線等的電離性放射線而製得。由於交聯條件亦依成形體 的形狀、厚度等而定，故無法一言以蔽之，而作為放射線從設備之觀點而論以電子束為佳。
電子束之照射係在低於氟樹脂熔點之溫度環境下且理想係在玻璃轉移點以下之溫度環境下進行至少1次以上，及在氟樹脂熔點以上之溫度環境下進行至少1次以上。在低於氟樹脂熔點之溫度環境下照射電子束並施行交聯，藉此即便在進行第2次照射時將成形體加熱至氟樹脂熔點以上，仍不見熔融或變形，可維持成形體之形狀。如此一來，交聯物即指氟樹脂之Q值為0mm3/秒且已喪失熔融成形性者。
放射線之劑量通常為1~20Mrad，且以3~10Mrad為佳。
(作用效果)
由於在以上所說明之本發明之光學構件係由含有以特定比例含有以CH2=CHCnF2n+1(惟，n係2~10之整數)為主體之單元(C)的ETFE之交聯物的成形體所構成，故與習知ETFE所構成之未交聯的成形體相較下，透明性較佳。自習知便知曉藉由增加ETFE中之單元(C)的比例可改善成形體的透明性，而在本發明中係對單元(C)比例較多的ETFE照射放射線，使ETFE交聯，藉此進一步改善成形體的透明性。
又，由於在以上所說明之本發明之光學構件係由含有ETFE之交聯物的成形體所構成，故與習知ETFE所構成之未交聯的成形體相較下，耐熱性較佳。
又，由於在以上所說明之本發明之光學構件係使用原本耐光性即佳的ETFE，因此耐光性良好。
本發明之光學構件可維持習知ETFE的耐光性、耐候性、耐藥性、氣體阻隔性等特性，同時又具有可適用於光學構件的高透明性。
又，本發明之光學構件具有可適用於使用無鉛焊料之焊料回流的高耐熱性。
<備有光學構件之物品>
本發明之物品係備有本發明之光學構件者。
作為本發明之物品，可舉如將本發明之光學構件安裝作為光學薄膜(導光板、光擴散片、聚光片等)、光學透鏡(拾取透鏡、相機透鏡、微陣列透鏡、投影機透鏡、菲涅耳透鏡等)等的電子機器(携帶型電話機、筆記型電腦、數位相機、液晶電視等)、及備有本發明之光學構件作為密封材的發光二極體等。
實施例
以下將列舉實施例來具體說明本發明，惟本發明不受該等例限定。
例1~7係實施例，例8~13係比較例。
(各單元之比例)
ETFE中之各單元比例係由總氟量測定及熔融19F-NMR測定之結果算出。
(熔點)
ETFE之熔點係由使用示差掃描熱量計(SII公司製、EXSTAR DSC7020)，在10℃/分下將ETFE加熱時的吸熱峰值而求得。
(Q值)
令使用島津製作所公司製之流動特性評估裝置在溫度：297℃、荷重：7kg下擠壓至直徑：2.1mm、長度：8mm之小孔中時的ETFE之擠壓速度(mm3/秒)為Q值。
(ETFE交聯前的光線穿透率)
將ETFE在熔點+50℃±20℃之範圍下壓製成形，而製得厚度220μm的ETFE薄膜。就該ETFE薄膜，使用島津製作所公司製UV-3600測定波長400nm下的光線穿透率。
(ETFE交聯後的光線穿透率)
將ETFE在熔點+50℃±20℃之範圍下壓製成形，而製得厚度220μm的ETFE薄膜。對該ETFE薄膜照射放射線而製得試樣。就該試樣使用島津製作所公司製UV-3600測定波長400nm下的光線穿透率。
(耐熱性)
收縮率係將進行壓製成形而製出厚度500μm之薄膜切出50mm×50mm，在280℃下加熱5分鐘後進行測定。將縱向及橫向之收縮率皆在5%以內的情況評估為○(良)，而將縱向及橫向之收縮率其中一方或兩方超過5%的情況評估為×(不良)。
[例1]
於經真空脫氣之94L不鏽鋼製高壓釜饋入1-氫十三氟己烷87.3kg、1,3-二氯-1,1,2,2,3-五氟丙烷(旭硝子公司製、AK225cb。以下表記為AK225cb)4.21kg及2.13kg之CH2=CH(CF2)4F，一邊攪拌一邊升溫至66℃，並將 TFE/E=89/11(莫耳比)之混合氣體導入直到成為1.5MPaG，並饋入50質量%過氧三甲基乙酸三級丁酯之AK225cb溶液60.4g，開始聚合。聚合中係以壓力為1.5MPaG的方式連續添加TFE/E=60/40(莫耳比)之混合氣體及相對於該混合氣體相當於7.0莫耳%之量的CH2=CH(CF2)4F，並饋入TFE/E混合氣體7.19kg後將高壓釜冷卻，將殘餘氣體排氣，使聚合結束。聚合所需時間為333分。
將製得之ETFE漿料移往220L之造粒槽，加入77L的水，一邊攪拌一邊加熱，將聚合溶媒及殘餘單體除去而製得7.2kg之ETFE1。ETFE1中之各單元比例係單元(A)/單元(B)/單元(C)=54.5/39.0/6.5(莫耳比)。(A)/(B)、(C)/{(A)+(B)}、熔點、Q值顯示於表1。
將ETFE1在250℃下壓製成形，而製得厚度220μm的ETFE薄膜。對該ETFE薄膜以劑量為5Mrad的方式照射放射線(電子束)，製得試樣。該試樣在波長400nm下之光線穿透率顯示於表1。又，針對該試樣評估在280℃下之耐熱性的結果，未見變形。耐光性亦無問題。
[例2]
將內容積1.3L之附攪拌機之聚合槽脫氣，饋入1-氫十三氟己烷1198.2g、104.2g之AK225cb及32.8g之CH2=CH(CF2)4F，並壓入182.7g之TFE、6.3g之E，將聚合槽內升溫至66℃，且作為自由基聚合引發劑饋入2.5質量%過氧三甲基乙酸三級丁酯之1-氫十三氟己烷溶液15.4mL，開始聚合。聚合中係以壓力為一定的方式連續饋入 TFE/E=60/40(莫耳比)之混合氣體，並連續饋入CH2=CH(CF2)4F使相對於該混合氣體成為5.0莫耳%。聚合開始239分後，在饋入混合氣體100g之時間點將聚合槽內降溫至室溫並同時排氣至常壓為止。
將製得之ETFE漿料以玻璃濾器抽吸過濾，並在150℃下乾燥15小時，藉此製得107g之ETFE2。ETFE2中之各單元比例係單元(A)/單元(B)/單元(C)=53.0/41.4/5.6(莫耳比)。(A)/(B)、(C)/{(A)+(B)}、熔點、Q值顯示於表1。
將ETFE2在270℃下壓製成形，而製得厚度220μm的ETFE薄膜。對該ETFE薄膜以劑量為5Mrad的方式照射放射線(電子束)而製得試樣。該試樣在波長400nm下之光線穿透率顯示於表1。又，針對該試樣評估在280℃下之耐熱性的結果，未見變形。耐光性亦無問題。
[例3]
將內容積1.3L之附攪拌機之聚合槽脫氣，饋入1-氫十三氟己烷1156.5g、142.9g之AK225cb及22.7g之CH2=CH(CF2)4F，並壓入187.6g之TFE及6.5g之E，將聚合槽內升溫至66℃，且作為自由基聚合引發劑饋入2.5質量%過氧三甲基乙酸三級丁酯之1-氫十三氟己烷溶液10.6mL，開始聚合。聚合中係以壓力為一定的方式連續饋入TFE/E=60/40(莫耳比)之混合氣體，並連續饋入CH2=CH(CF2)4F使相對於該混合氣體成為4.0莫耳%。聚合開始196分後，在饋入混合氣體100g之時間點將聚合槽內降溫至室溫並同時排氣至常壓為止。
將製得之ETFE漿料以玻璃濾器抽吸過濾，並在150℃下乾燥15小時，藉此製得96g之ETFE3。ETFE3中之各單元比例係單元(A)/單元(B)/單元(C)=54.3/41.3/4.4(莫耳比)。(A)/(B)、(C)/{(A)+(B)}、熔點、Q值顯示於表1。
將ETFE3在270℃下壓製成形，而製得厚度220μm的ETFE薄膜。對該ETFE薄膜以劑量為5Mrad的方式照射放射線(電子束)而製得試樣。該試樣在波長400nm下之光線穿透率顯示於表1。又，針對該試樣評估在280℃下之耐熱性的結果，未見變形。耐光性亦無問題。
[例4]
將內容積1.3L之附攪拌機之聚合槽脫氣，饋入1-氫十三氟己烷1179.4g、167.4g之AK225cb及15.5g之CH2=CH(CF2)2F，壓入187.6g之TFE及6.5g之E，將聚合槽內升溫至66℃，且作為自由基聚合引發劑饋入2.5質量%過氧三甲基乙酸三級丁酯之1-氫十三氟己烷溶液10.6mL，開始聚合。聚合中係以壓力為一定的方式連續饋入TFE/E=60/40(莫耳比)之混合氣體，並連續饋入CH2=CH(CF2)2F使相對於該混合氣體成為4.0莫耳%。聚合開始200分後，在饋入混合氣體100g之時間點將聚合槽內降溫至室溫並同時排氣至常壓為止。
將製得之ETFE漿料以玻璃濾器抽吸過濾，並在150℃下乾燥15小時，藉此製得98g之ETFE4。ETFE4中之各單元比例係單元(A)/單元(B)/單元(C)=54.2/41.3/4.5(莫耳比)。(A)/(B)、(C)/{(A)+(B)}、熔點、Q值顯示於表1。
將ETFE4在270℃下壓製成形，而製得厚度220μm的ETFE薄膜。對該ETFE薄膜以劑量為5Mrad的方式照射放射線(電子束)而製得試樣。該試樣在波長400nm下之光線穿透率顯示於表1。又，針對該試樣評估在280℃下之耐熱性的結果，未見變形。耐光性亦無問題。
[例5]
將內容積1.3L之附攪拌機之聚合槽脫氣，饋入1-氫十三氟己烷1194.5g、153.4g之AK225cb及33.0g之CH2=CH(CF2)6F，並壓入187.6g之TFE及6.5g之E，將聚合槽內升溫至66℃，且作為自由基聚合引發劑饋入2.5質量%過氧三甲基乙酸三級丁酯之1-氫十三氟己烷溶液10.6mL，開始聚合。聚合中係以壓力為一定的方式連續饋入TFE/E=60/40(莫耳比)之混合氣體，並連續饋入CH2=CH(CF2)6F使相對於該混合氣體成為4.0莫耳%。聚合開始193分後，在饋入混合氣體100g之時間點將聚合槽內降溫至室溫並同時排氣至常壓為止。
將製得之ETFE漿料以玻璃濾器抽吸過濾，並在150℃下乾燥15小時，藉此製得99g之ETFE5。ETFE5中之各單元比例係單元(A)/單元(B)/單元(C)=54.4/41.3/4.3(莫耳比)。(A)/(B)、(C)/{(A)+(B)}、熔點、Q值顯示於表1。
將ETFE5在270℃下壓製成形，而製得厚度220μm的ETFE薄膜。對該ETFE薄膜以劑量為5Mrad的方式照射放射線(電子束)而製得試樣。該試樣在波長400nm下之光線穿透率顯示於表1。又，針對該試樣評估在280℃下之 耐熱性的結果，未見變形。耐光性亦無問題。
[例6]
將內容積1.3L之附攪拌機之聚合槽脫氣，饋入1-氫十三氟己烷1128.8g、168.7g之AK225cb及20.2g之CH2=CH(CF2)4F，並壓入187.6g之TFE及6.5g之E，將聚合槽內升溫至66℃，且作為自由基聚合引發劑饋入2.5質量%過氧三甲基乙酸三級丁酯之1-氫十三氟己烷溶液10.6mL，開始聚合。聚合中係以壓力為一定的方式連續饋入TFE/E=60/40(莫耳比)之混合氣體，並連續饋入CH2=CH(CF2)4F使相對於該混合氣體成為4.0莫耳%。聚合開始175分後，在饋入混合氣體100g之時間點將聚合槽內降溫至室溫並同時排氣至常壓為止。
將製得之ETFE漿料以玻璃濾器抽吸過濾，並在150℃下乾燥15小時，藉此製得98g之ETFE6。ETFE6中之各單元比例係單元(A)/單元(B)/單元(C)=56.4/39.6/4.0(莫耳比)。(A)/(B)、(C)/{(A)+(B)}、熔點、Q值顯示於表1。
將ETFE6在270℃下壓製成形，而製得厚度220μm的ETFE薄膜。對該ETFE薄膜以劑量為5Mrad的方式照射放射線(電子束)而製得試樣。該試樣在波長400nm下之光線穿透率顯示於表1。又，針對該試樣評估在280℃下之耐熱性的結果，未見變形。耐光性亦無問題。
[例7]
將內容積1.3L之附攪拌機之聚合槽脫氣，饋入1-氫十三氟己烷1217.0g、甲醇12.3g及24.5g之CH2=CH(CF2)4F，並壓 入209.1g之TFE及7.4g之E，將聚合槽內升溫至35℃，且作為自由基聚合引發劑饋入30質量%過氧二碳酸二異丙酯之1-氫十三氟己烷溶液30.8mL，開始聚合。聚合中係以壓力為一定的方式連續饋入TFE/E=60/40(莫耳比)之混合氣體，並連續饋入CH2=CH(CF2)4F使相對於該混合氣體成為4.0莫耳%。聚合開始187分後，在饋入混合氣體100g之時間點將聚合槽內降溫至室溫並同時排氣至常壓為止。
將製得之ETFE漿料以玻璃濾器抽吸過濾，並在150℃下乾燥15小時，藉此製得93.8g之ETFE7。ETFE7中之各單元比例係單元(A)/單元(B)/單元(C)=54.3/41.6/4.1(莫耳比)。(A)/(B)、(C)/{(A)+(B)}、熔點、Q值顯示於表1。
將ETFE7在270℃下壓製成形，而製得厚度220μm的ETFE薄膜。對該ETFE薄膜以劑量為5Mrad的方式照射放射線(電子束)而製得試樣。該試樣在波長400nm下之光線穿透率顯示於表1。又，針對該試樣評估在280℃下之耐熱性的結果，未見變形。耐光性亦無問題。
[例8]
例1之未交聯ETFE薄膜的光線穿透率顯示於表2。又，針對該薄膜評估在280℃下之耐熱性的結果，有熔融。
[例9]
例4之未交聯ETFE薄膜的光線穿透率顯示於表2。又，針對該薄膜評估在280℃下之耐熱性的結果，有熔融。
[例10]
例5之未交聯ETFE薄膜的光線穿透率顯示於表2。又， 針對該薄膜評估在280℃下之耐熱性的結果，有熔融。
[例11]
例7之未交聯ETFE薄膜的光線穿透率顯示於表2。又，針對該薄膜評估在280℃下之耐熱性的結果，有熔融。
[例12]
將內容積1.3L之附攪拌機之聚合槽脫氣，饋入1-氫十三氟己烷1274.3g、甲醇23.4g及8.1g之CH2=CH(CF2)4F，並壓入183.5g之TFE及11.0g之E，將聚合槽內升溫至35℃，且作為自由基聚合引發劑饋入15質量%過氧二碳酸二異丙酯之1-氫十三氟己烷溶液15.4mL，開始聚合。聚合中係以壓力為一定的方式連續饋入TFE/E=54/46(莫耳比)之混合氣體，並連續饋入CH2=CH(CF2)4F使相對於該混合氣體成為1.4莫耳%。聚合開始300分後，在饋入混合氣體90g之時間點將聚合槽內降溫至室溫並同時排氣至常壓為止。
將製得之ETFE漿料以玻璃濾器抽吸過濾，並在150℃下乾燥15小時，藉此製得95.8g之ETFE8。ETFE8中之各單元比例係單元(A)/單元(B)/單元(C)=52.2/46.3/1.5(莫耳比)。(A)/(B)、(C)/{(A)+(B)}、熔點、Q值顯示於表2。
將ETFE8在310℃下壓製成形，而製得厚度220μm的ETFE薄膜。薄膜之光線穿透率顯示於表2。又，針對該薄膜評估在280℃下之耐熱性的結果，有熔融。
[例13]
對例12之ETFE薄膜以劑量為5Mrad的方式照射放射線(電子束)而製得試樣。該試樣在波長400nm下之光線穿透率 顯示於表2。又，針對該試樣評估在280℃下之耐熱性的結果，未見變形。
產業上之可利用性
本發明之光學構件從透明性佳一點看來，適合使用於光學薄膜、光學透鏡及發光二極體之密封材等。本發明之光學構件透明性佳且耐熱性亦佳，由此看來可適用於利用使用無鉛焊料之焊料回流法而安裝至電路基板等的用途等。
而，在此係引用已於2012年1月30日提出申請之 日本專利申請案2012-016477號之說明書、申請專利範圍及摘要的全部內容，並納入作為本發明說明書之揭示。

Claims (7)

  1. 一種光學構件，其特徵在於係由含有下述乙烯/四氟乙烯共聚物之交聯物的成形體所構成：(乙烯/四氟乙烯共聚物)該乙烯/四氟乙烯共聚物具有以四氟乙烯為主體之單元(A)、以乙烯為主體之單元(B)及以CH2=CHCnF2n+1(惟，n為2~10之整數)為主體之單元(C)，前述單元(A)與前述單元(B)之莫耳比((A)/(B))為50/50~66/34，前述單元(C)與前述單元(A)及前述單元(B)合計之莫耳比((C)/{(A)+(B)})為4.0/100~10/100；其在波長400nm下，在厚度220μm之光學構件中之光線穿透率為90.0%以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之光學構件，其中前述(C)/{(A)+(B)}為4.0/100~7.5/100。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之光學構件，其在280℃下加熱5分鐘時，在厚度500μm之光學構件中，縱向及橫向之收縮率皆在5%以內。
  4. 一種光學構件之製造方法，係製造如申請專利範圍第1至3項中任一項之光學構件者，該製造方法係對含有前述乙烯/四氟乙烯共聚物之樹脂材料的成形體照射放射線，藉此使前述乙烯/四氟乙烯共聚物交聯。
  5. 如申請專利範圍第4項之製造方法，其中放射線之劑量為1~10Mrad。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之製造方法，其中放射線為電子束。
  7. 一種物品，備有如申請專利範圍第1至3項中任一項之光學構件。
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