CN101506961A - 半导体树脂模塑用脱模膜 - Google Patents

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Abstract

本发明提供气体透过性低、由模塑树脂导致的模具污染少、具有高脱模性的半导体树脂模塑用脱模膜。该脱模膜是一种气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜，至少具有脱模性优良的脱模层(I)和支持该脱模层(I)的塑料支持层(II)，该脱模膜的特征在于，所述塑料支持层(II)在170℃下拉伸200％时的拉伸强度为1MPa～50MPa，且该脱模膜在170℃下的二甲苯气体透过性为5×10－15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下。脱模层(I)较好的是由乙烯/四氟乙烯系共聚物等氟树脂形成，塑料支持层(II)较好的是由乙烯/乙烯醇共聚物形成。

Description

半导体树脂模塑用脱模膜
技术领域
本发明涉及半导体树脂模塑(mold)用脱模膜，特别涉及模具随动性特别优良且可降低模具污染的半导体树脂模塑用脱模膜。
背景技术
通常，为了将半导体元件(芯片)从外部环境(外界气体、污染物质、光、磁、高频波、冲击等)中保护、隔离起来，用树脂(模塑树脂)将其密封，以将芯片收容于内部的半导体封装的形态安装于基板。具有代表性的是通过传递成形而形成的半导体封装，所述传递成形是指将环氧树脂等热固性树脂(模塑树脂)加热熔融后，移送并填充至安装有半导体芯片的模具内，使其固化的成形。模塑树脂中，在添加固化剂、固化促进剂、填充剂等的同时，为确保成形后的半导体封装的从模具中顺畅的脱模性，还添加有脱模剂。
另一方面，随着人们对半导体封装的大幅度的生产性提高的需求，存在模塑树脂附着在模具上、需要频繁地清洗污染的模具的问题。此外，对于可应对大型半导体封装的成形的低收缩性模塑树脂，存在即使添加脱模剂也无法获得足够的脱模性的问题。因此，开发了使用树脂模塑用脱模膜(以下也简称为“脱模膜”)的技术，并取得了一定的成果(例如参照专利文献1～3等)，该技术是在用脱模膜被覆模具的树脂成形部(模腔面)的状态下将模塑树脂注入模具内，藉此在不使模塑树脂与模具的模腔面直接接触的情况下形成半导体封装。
然而，最近从应对环境问题的角度出发，半导体元件的封装中使用的模塑树脂正逐渐变为非卤化模塑树脂。此外，为了应对半导体的细间距(fine pitch)化、薄型化、叠层芯片封装化及适用于LED用途等，模塑树脂的低粘度化和液态树脂化更进了一层。因此，半导体元件的树脂模塑工序中，来源于高温环境下的熔融模塑树脂的气体和低粘度物质的产生量增大，并透过上述树脂模塑用脱模膜，因此气体和低粘度物质与高温的模具接触，模具污染变得严重。
此外，脱模膜在模具内表面的被覆是利用真空使该脱模膜吸附支持于模具内表面来进行的，但是脱模膜中的低聚物等挥发性成分可能会迁移至上述被吸附的模具侧，引起模具污染。
即使是在如上所述使用脱模膜的情况下，安装有膜的一侧的模具也容易被污染，此外，一旦发生了污染，就会产生为了模具的清洗而不得不停止半导体的模塑工序、使半导体的生产效率下降的问题。
另外，从该角度来看，上述专利文献1～2中记载了为减少透过的污染物质，在脱模膜的一面(与模具表面接触的面)形成金属或金属氧化物的蒸镀层的技术方案。然而，该金属蒸镀层等是通过直接与模具表面物理性地接触来使用的，金属粉末等易从膜表面或膜的切面剥离，其在半导体树脂模塑工序中的使用受到限制。
此外，专利文献1～2中，用二氧化碳气体的透过率来规定脱模膜的气体透过性，但其作为评价来源于模塑树脂等的低粘度物质等的透过性的指标并不妥当。
另外，虽然脱模膜被要求与模塑树脂间具有与以往相比更高的脱模性，但对于上述脱模膜，未就在模塑后的树脂表面产生脱模膜的脱模层的残渣的问题作任何考虑，且存在脱模性不足的问题。
此外，使用凹凸较大的形状的模具时，在进行树脂模塑前使脱模膜真空吸附于模具，所以该脱模膜被要求具有模具随动性，模具随动性是指可跟随模具的该凹凸充分延伸至与之对应的周长。
专利文献1：日本专利特开2002-361643号公报(权利要求书(权利要求1～权利要求3)，〔0002〕～〔0028〕)
专利文献2：日本专利特开2004-79566号公报(权利要求书(权利要求1～权利要求3)〔0002〕～〔0015〕)
专利文献3：日本专利特开2001-250838号公报(权利要求书(权利要求1～6)〔0002〕～〔0032〕)
发明的揭示
本发明的目的是提供基于上述背景被强烈要求开发的、与以往相比气体透过性足够低、由模塑树脂导致的模具污染少的半导体树脂模塑用脱模膜。
此外，本发明的目的是利用与作为模具污染物质的来源于树脂等的低粘度物质更实际地对应的气体透过率来规定有效地抑制该模具污染的脱模膜所必需的气体透过性。
本发明的目的还包括提供与模塑树脂间具有更高的脱模性的半导体树脂模塑用脱模膜。
本发明提供下述结构的半导体树脂模塑用脱模膜。
〔1〕一种气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜，该脱模膜至少具有脱模性优良的脱模层(I)和支持该脱模层(I)的塑料支持层(II)，该脱模膜的特征在于，所述塑料支持层(II)在170℃下拉伸200％时的拉伸强度为1MPa～50MPa，且该脱模膜在170℃下的二甲苯气体透过性为5×10- 15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下。
〔2〕上述〔1〕记载的半导体树脂模塑用脱模膜中，所述脱模层(I)由氟树脂形成。
〔3〕上述〔2〕记载的半导体树脂模塑用脱模膜中，所述氟树脂为乙烯/四氟乙烯系共聚物。
〔4〕上述〔1〕～〔3〕中任一项记载的半导体树脂模塑用脱模膜中，所述塑料支持层(II)由乙烯/乙烯醇共聚物形成。
〔5〕上述〔1〕～〔4〕中任一项记载的半导体树脂模塑用脱模膜中，脱模层(I)的厚度为3～75μm，塑料支持层(II)的厚度为1～700μm。
〔6〕上述〔1〕～〔4〕中任一项记载的半导体树脂模塑用脱模膜中，所述脱模层(I)的厚度为6～30μm，塑料支持层(II)的厚度为6～200μm。
〔7〕上述〔1〕～〔4〕中任一项记载的半导体树脂模塑用脱模膜中，所述脱模层(I)的厚度为6～30μm，塑料支持层(II)的厚度为10～100μm。
〔8〕上述〔1〕～〔7〕中任一项记载的半导体树脂模塑用脱模膜中，所述脱模膜的至少一面被抛光加工。
〔9〕上述〔8〕记载的半导体树脂模塑用脱模膜中，所述被抛光加工的面的表面的算术表面粗糙度为0.01～3.5μm。
〔10〕上述〔8〕记载的半导体树脂模塑用脱模膜中，所述被抛光加工的面的表面的算术表面粗糙度为0.15～2.5μm。
〔11〕上述〔1〕～〔8〕中任一项记载的半导体树脂模塑用脱模膜中，所述脱模层(I)和所述塑料支持层(II)之间具有粘接层，且脱模层(I)的被粘接的一侧的表面进行过表面处理。
利用本发明，可提供与以往相比气体透过性足够低、由模塑树脂导致的模具污染少的半导体树脂模塑用脱模膜。此外，本发明中，利用与作为模具污染物质的来源于树脂等的低粘度物质更实际地对应的气体透过率来规定有效地抑制该模具污染的脱模膜所必需的气体透过性。利用本发明，还可提供与模塑树脂间具有更高的脱模性的脱模膜。此外，本发明的脱模膜的模具随动性优良。
所以，通过使用本发明的脱模膜，半导体的树脂模塑工序中的模具污染少，可充分地减少模具清洗次数，因此能使半导体元件的树脂模塑工序的生产效率获得相当程度的提高。
对附图的简单说明
图1是表示本发明的半导体树脂模塑用脱模膜的基本的层结构的说明图。
图2是构成本发明的半导体树脂模塑用脱模膜时的说明图。
图3是表示本发明的半导体树脂模塑用脱模膜的其它层结构的说明图。
符号说明
1：半导体树脂模塑用脱模膜
I：脱模层
II：塑料支持层
a：脱模层的与塑料支持层粘接的面
实施发明的最佳方式
下面，详细说明本发明。
本发明的半导体树脂模塑用脱模膜1基本上如图1所示，其特征在于，至少由脱模性优良的脱模层(I)和支持该脱模层(I)的塑料支持层(II)构成。
(脱模层(I))
本发明的脱模膜1中的脱模层(I)是朝向半导体元件的被密封面配置、与注入模具内的模塑树脂接触的层，是赋予对固化后的模塑树脂的足够的脱模性的层。
作为形成脱模层的树脂，只要是具有对环氧树脂等模塑树脂的脱模性的树脂即可，无特别限制，但特好的是由脱模性优良的氟树脂形成。
作为氟树脂，可例举乙烯/四氟乙烯系共聚物(下面称为“ETFE”)、三氟氯乙烯系树脂(下面称为“CTFE”)、聚四氟乙烯(下面称为“PTFE”)、偏氟乙烯系树脂(下面称为“VdF”)、氟乙烯系树脂(下面称为“VF”)、四氟乙烯/六氟丙烯系共聚物(下面称为“FEP”)、四氟乙烯/全氟(丙基乙烯基醚)系共聚物(下面称为“PFA”)、四氟乙烯/偏氟乙烯共聚物以及这些树脂的复合物等。优选ETFE、PTFE、FEP及PFA，更优选ETFE。ETFE中的乙烯/四氟乙烯的共聚摩尔比较好为70/30～30/70，更好为60/40～35/65，最好为55/45～40/60。
此外，在不影响赋予脱模性这一本质特性的范围内，ETFE可含有基于一种以上的其它单体的重复单元。
作为其它单体，可例举丙烯、丁烯等α—烯烃类，以CH2＝CX(CF2)nY(这里，X及Y独立地是氢或氟原子，n为1～8的整数)表示的化合物，偏氟乙烯、氟乙烯、二氟乙烯(DFE)、三氟乙烯(TFE)、五氟丙烯(PFP)、六氟异丁烯(HFIB)等不饱和基团中含有氢原子的氟代链烯烃，六氟丙烯(HFP)、三氟氯乙烯(CTFE)、全氟(甲基乙烯基醚)(PMVE)、全氟(乙基乙烯基醚)(PEVE)、全氟(丙基乙烯基醚)(PPVE)、全氟(丁基乙烯基醚)(PBVE)、其它全氟(烷基乙烯基醚)(PAVE)等不饱和基团中不含有氢原子的氟代链烯烃(这里，TFE除外)等。可使用一种或两种以上的这些其它单体。
基于其它单体的重复单元的含量相对于聚合单元的总摩尔数较好为0.01～30摩尔％，更好为0.05～15摩尔％，最好为0.1～10摩尔％。
本发明的脱模膜1中，如图1所示，脱模层的厚度是足以赋予脱模性的厚度即可。该厚度通常为3～75μm，较好为6～30μm。
此外，在将脱模层(I)与支持层(II)层叠形成该脱模膜1时，为了提高如图2所示与支持层(II)相对、与该支持层层叠·粘接的一侧的脱模层(I)的表面a的粘接性，较好的是按常规方法进行表面处理。作为表面处理法，可使用其自身公知的空气中的电晕放电处理、有机化合物存在下的电晕放电处理、有机化合物存在下的等离子体放电处理、由惰性气体、聚合性不饱和化合物气体及烃氧化物气体组成的混合气体中的放电处理等，特优选空气中的电晕放电处理。
(塑料支持层(II))
本发明的脱模膜中的塑料支持层(II)从其功能来说，一方面是与脱模层(I)层叠、支持它、赋予脱模膜必要的刚性和强度等机械特性的层，但同时也是赋予该脱模膜以仅靠脱模层(I)无法获得的足够的气体屏蔽性的层。
以往，在专利文献1～2等中，为减少透过的污染物质，进行了在脱模膜的一面形成金属或金属氧化物的蒸镀层的操作。然而，如上所述，由该金属蒸镀层构成的气体屏蔽层通过直接与模具表面物理性地接触来使用，因此具有金属粉末等容易从膜表面或膜的切面剥离、其在半导体树脂模塑工序中的使用受到限制的问题。
与此相对，本发明中，无需该金属蒸镀层，将由具有特定机械特性的特定的树脂层构成的塑料支持层(II)直接与脱模层层叠使用，藉此赋予脱模膜以所要的机械强度及气体屏蔽性。这是利用了本发明者的新发现，即：令人意外的是，塑料支持层(II)自身具有相当好的气体屏蔽性这一结果。
本发明的脱模膜1中，该塑料支持层(II)在170℃下拉伸200％时的拉伸强度为1MPa～50MPa，较好为2MPa～30MPa。
如果塑料支持层的强度与所述值相比过大，则该脱模膜的拉伸不充分。因此，在使用凹凸较大的形状的模具的情况下，当利用真空吸附将脱模膜配置于模具时，被真空吸附的脱模膜与模具之间易产生间隙，成为脱模膜断裂和树脂泄漏的主要原因，因此不佳。
此外，如果塑料支持层的强度与所述值相比过小，则会因为该支持层的厚度、也因为被加压射出至模具内的模塑树脂的压力等而导致该塑料支持层的树脂的加压流动化，丧失其作为支持层的功能。甚至还会成为支持层的树脂渗出至脱模膜外而污染装置的主要原因。
如上所述，塑料支持层(II)保持上述规定范围内的拉伸强度，藉此，该脱模膜即使在高温下也具有合适的柔软度，对凹凸较大的形状的模具的模具随动性优良。
作为形成该塑料支持层的树脂，只要是具有如上所述的机械特性的树脂即可，无特别限制，作为可使用的树脂，例如可例举抑制了结晶化的聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯树脂，6—尼龙、6，6—尼龙、12—尼龙等聚酰胺，聚丙烯等聚烯烃，丙烯酸树脂、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺、偏氯乙烯、乙烯/乙烯醇共聚物等。其中，优选抑制了结晶化的聚对苯二甲酸乙二醇酯及乙烯/乙烯醇共聚物。乙烯/乙烯醇共聚物中的乙烯/乙烯醇的共聚摩尔比较好为80/20～50/50。
特别是在像凹凸较大的形状的模具等对脱模膜特别要求模具随动性时，作为该塑料支持层，更好的是由乙烯/乙烯醇共聚物构成。
构成支持层(II)的塑料膜或塑料片的厚度无特别限制，但通常为1～700μm，较好为6～200μm，更好为10～100μm左右。
如上所述，本发明的脱模膜1中规定：至少赋予脱模膜1刚性的塑料支持层(II)在170℃下拉伸200％时的拉伸强度(下面有时简称为“拉伸强度”)基本上为1MPa～50MPa。此外，关于脱模层(I)的拉伸强度，在其与塑料支持层(II)的关系方面，较好的是如下所述相异地选择。
即，在将脱模膜1用于凹凸较大的形状的模具的情况下，在进行树脂密封前使该脱模膜真空吸附于模具时，在特别要求该脱模膜具有可跟随模具的该凹凸充分延伸至与之对应的周长的模具随动性的情况下，较好的是选择与脱模层(I)相比更为柔软的塑料支持层(II)。另一方面，在要求该脱模膜能抑制拉伸、减少膜的褶皱的情况下，可选择与脱模层(I)相比更为坚硬的塑料支持层(II)。
此外，本发明中，作为塑料支持层(II)，更好的是选择例如上述形成塑料支持层的树脂中、特别是与形成脱模层(I)的树脂相比具有更为优良的高温气体屏蔽性的树脂，这是因为，由此形成的脱模膜1与单层(仅有脱模层的)脱模膜相比，在相同厚度下具有更优良的高温气体屏蔽性。
(二甲苯气体透过性)
本发明的脱模膜是170℃下的二甲苯气体透过性为5×10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下的气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜。
本来，脱模膜的气体透过性较好的是作为该膜对来源于作为模塑树脂的环氧树脂等的低粘度物质的透过性来进行评价。以往，如上述专利文献1～2所述，通过二氧化碳气体的膜透过性来进行评价，但是该低粘度物质与二氧化碳气体作为化学物质有很大的差异，相关性不充分。本发明者发现，与此相对，通过选择二甲苯蒸气(气体)作为样本化合物，在170℃下的该二甲苯气体的膜透过性与来源于环氧树脂等的物质的气体透过性有较好的关联性。即，发现二甲苯气体的透过系数是对由环氧树脂等半导体树脂模塑树脂产生的有机物的屏蔽性的良好指标，该值越小表示半导体树脂模塑工序中的模具污染越少。
并且发现，本发明中，通过将脱模膜的该二甲苯气体透过性设为特定的值，具体地说，通过将170℃下二甲苯气体的透过性设为5×10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下的值，模具的污染性可减少到十分满意的程度。更好的是将脱模膜的二甲苯气体透过性设为4×10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下的值。
本发明中，脱模膜的气体透过性的测定方法如后面的实施例所述，用透过率测定膜(试样膜)将上部容器和下部容器的连通口(开口面)封闭，将二甲苯气体导入温度保持于170℃的上部容器，使二甲苯气体通过该试样膜向保持真空的下部容器透过，测定透过的该二甲苯气体的浓度(压力)随时间的变化，从该定常状态下的压力变化算出170℃环境下的二甲苯气体透过系数。
(脱模膜的层结构)
本发明的脱模膜的基本结构是图1所示的氟树脂层等脱模层(I)/塑料支持层(II)的结构，但也可以是图3所示的氟树脂层等脱模层(I)/塑料支持层(II)/氟树脂层等脱模层(I)的结构的膜。此时，在塑料支持层(II)的两面形成有脱模层(I)，因此无需区分脱模膜的表面和背面，可更容易地进行将该脱模膜配置于模具时的操作。
在任一种层结构中，氟树脂层等脱模层(I)与塑料支持层(III)之间均可具有粘接层。在设置粘接层的情况下，较好的是如上所述，脱模层(I)的被粘接的一侧的表面被实施过表面处理。作为粘接剂，例如可以是异氰酸酯系、聚氨酯系、聚酯系等的任一种。该粘接层的厚度较好的是在0.1～5μm的范围内，更好的是在0.2～2μm的范围内。
(各层厚度)
如果要对本发明的气体屏蔽性脱模膜的各层的厚度进行总体描述，则各层的厚度为：脱模层(I)的厚度通常为3～75μm，较好为6～30μm；塑料支持层(II)的厚度通常为1～300μm，较好为6～200μm，更好为10～100μm。
(抛光面形成)
可对本发明的脱模膜中作为表面层的氟树脂层等及塑料支持层进行抛光加工。进行抛光加工时的表面层的表面的算术表面粗糙度较好的是在0.01～3.5μm的范围内，更好的是在0.15～2.5μm的范围内。如果表面粗糙度在该范围内，则可防止成形品的外观缺陷，使原材料利用率提高，并且使标记于成形品上的批号的视觉辨认度提高的效果也优良。如果表面层经过抛光加工，则脱模膜被真空吸附于模具时，脱模膜与模具间的空气容易去除，所以模具吸附性提高。
(模塑)
本发明的半导体模塑用脱模膜自身在半导体元件的树脂模塑工序中可与以往的脱模膜同样地使用。即，在成形模具内的指定位置设置要模塑的半导体元件和本发明的脱模膜，合模后进行真空吸引，使该脱模膜吸附于模具表面，在半导体元件与被覆模具表面的半导体树脂模塑用脱模膜之间对模塑树脂进行传递成形即可。固化后的模塑树脂与本发明的脱模膜可容易地脱模。
实施例
下面，例举实施例对本发明作具体说明，但本发明的技术范围不限定于此。另外，本发明中的二甲苯气体的透过系数是如下所述测定的值。
〔二甲苯气体透过系数(kmol·m/(s·m2·kPa))的测定方法〕
以JIS K 7126—1987为基准用差压法进行测定。这里，试验温度为170℃，试样气体为二甲苯气体，高压侧压力为5kPa，试样膜的透过面直径为50mm。
将二甲苯气体导入温度保持于170℃的上部容器，介以透过率测定膜(试样膜)使二甲苯气体向保持真空的下部容器透过，测定透过的该二甲苯气体的浓度(压力)随时间的变化，从该定常状态下的压力变化算出170℃环境下的二甲苯气体透过系数。
〔实施例1)
(1)使用厚12μm的ETFE膜(旭硝子株式会社制，商品名：Fluon ETFE膜)作为脱模层(I)。另外，为提高粘接性，对该ETFE膜的一面(与支持层相对的面(粘接面))以40W·min/m2的放电量进行电晕放电处理。
此外，准备12μm的乙烯/乙烯醇共聚物(可乐丽(Kuraray)株式会社制，商品名：eval EF—F)的膜作为塑料支持层(II)。该塑料支持层(II)在170℃下拉伸200％时的拉伸强度为5MPa。
(2)在上述塑料支持层(II)的两面以换算成干膜厚度为0.4μm的厚度涂布聚酯系粘接剂(旭硝子株式会社制，商品名：AG—9014A)，使其干燥，如图2所示分别与相对的脱模层(I)进行干式层压，得到图3所示的层结构((I)/(II)/(I))的脱模膜(下面称为“脱模膜1”)。
(3)对所得脱模膜1，通过上述方法测定170℃环境下的二甲苯气体透过系数。结果为2×10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))。此外，脱模膜1在170℃下拉伸200％时的拉伸强度的测定结果一并示于表1。
(4)如下所述测定以上获得的脱模膜1与模塑用环氧树脂间的脱模性。即，将裁成“口”字形状的厚0.1mm的A1作为框架(间隔物)设置在脱模膜1与KAPTON膜(聚酰亚胺膜，杜邦公司商标)(对照膜)之间，将半导体用模塑用环氧树脂注入该A1框架内。用175℃环境下的平板压机加压，通过该模塑用环氧树脂将脱模膜1与KAPTON膜粘接。(另外，以脱模膜1的层结构中的该脱模层(I)与环氧树脂相接的形式配置。)将该粘接有半导体用模塑用树脂的脱模膜1切割成宽25mm的长方形，一边剥离其端部，一边进行其与半导体模塑树脂的180°剥离试验，结果该剥离强度为0(N/m)。结果如表1所示。
(5)将未模塑的基板安装于175℃环境下的传递成形的下模具，将脱模膜1真空吸附于上模具后，闭合上下模具，将半导体模塑用环氧树脂在7MPa、90sec.的条件下进行传递成形。在上述条件下反复进行模注射，通过目测检测模具的污染，结果，重复了2,000次时完全未观察到模具污染。进一步重复超过2,000次，结果发生了微弱的模具污染。
(6)将具有凹部的模具保持于170℃，使脱模膜1真空吸附于该模具凹部，结果该脱模膜与模具之间几乎没有间隙，可知该脱模膜1的模具随动性非常优良。
〔实施例2〕
(1)除使用25μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(帝人杜邦薄膜株式会社制，商品名：Teflex FT3)作为塑料支持层(II)以外，与实施例1同样地操作，得到脱模膜(下面称为“脱模膜2”)。
该塑料支持层(II)在170℃下拉伸200％时的拉伸强度为25MPa。
(2)对脱模膜2，与实施例同样地测定170℃环境下的二甲苯气体透过系数，此外，测定在170℃环境下拉伸200％时的拉伸强度。还通过180°剥离试验测定剥离强度。
该脱模膜2的二甲苯气体透过系数为3×10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))，在170℃下拉伸200％时的拉伸强度为15MPa。
此外，通过180°剥离试验测得的剥离强度为0(N/m)。结果如表1所示。
(3)还与实施例1同样地用脱模膜2反复进行模注射，结果，重复了2000次时完全未观察到模具污染。进一步重复超过2,000次，结果发生了微弱的模具污染。
〔比较例1〕
(1)将厚50μm的单体ETFE膜(旭硝子株式会社制，商品名：Fluon ETFE)直接作为脱模膜样品(下面称为“脱模膜3”)用于试验。
测定该ETFE膜在170℃下拉伸200％时的拉伸强度，结果为5MPa。
(2)除使用该脱模膜3替代上述脱模膜1以外，与实施例1同样地测定170℃环境下的二甲苯气体透过系数，此外，与实施例1同样地进行180°剥离试验。结果如表1所示。
(3)还与实施例1同样地使用脱模膜3反复进行模注射，结果，在不到2,000次时模具污染就很明显。
[表1]
 
脱模膜 二甲苯气体透过系数(kmol·m/(s·m2·kPa)) 在170℃环境下拉伸200％时的拉伸强度(MPa) 180°剥离试验(N/cm)
实施例1 脱模膜1 2×10-15 5 0
实施例2 脱模膜2 3×10-15 15 0
比较例1 脱模膜3 1×10-14 5 0
由汇总于表1的实施例1、2及比较例1的结果可知，本发明的脱模膜1及2不仅如其180°剥离试验(N/cm)所示，是与半导体模塑用环氧树脂间的脱模性极其优良的脱模膜，而且其二甲苯气体透过系数为2×10-15(kmo1·m/(s·m2·kPa))和3×10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))，小于本发明规定的值。因此，在使用该脱模膜1及2的传递成形试验中，在重复了2000次时完全未观察到模具污染，进一步重复了超过2,000次时，发生了微弱的模具污染，模具污染被充分地抑制。
与此相对，将ETFE膜自身用作脱模膜3时，虽然脱模性优良，但是其二甲苯气体透过系数为1×10-14(kmol·m/(s·m2·kPa))，比本发明规定的值差，担心环氧树脂成分通过该膜向模具透过。和预想的一样，在使用该脱模膜3的传递成形试验中，不到2,000次时模具污染就很明显。
产业上利用的可能性
本发明可提供与以往相比气体透过性足够低、由模塑树脂导致的模具污染少的脱模膜，此外，本发明可提供与模塑树脂间具有更高的脱模性的脱模膜。另外，本发明的脱模膜不形成金属蒸镀层，所以不存在金属粉末等从膜两端剥离的问题。
因此，通过使用本发明的半导体树脂模塑用脱模膜，半导体的树脂模塑工序中模具的污染非常少，可大幅减少模具清洗次数，能提高半导体元件的树脂模塑的生产效率，因此其产业上利用的可能性极大。
本发明的半导体树脂模塑用脱模膜特别适用于半导体树脂模塑用途，但除此之外，也可用于各种对脱模性有所要求的用途。
这里引用2006年8月18日提出申请的日本专利申请2006-223565号的说明书、权利要求书、附图以及摘要的全部内容作为本发明的说明书的揭示。

Claims (11)

1.一种气体屏蔽性半导体树脂模塑用脱模膜，该脱模膜至少具有脱模性优良的脱模层(I)和支持该脱模层(I)的塑料支持层(II)，其特征在于，所述塑料支持层(II)在170℃下拉伸200％时的拉伸强度为1MPa～50MPa，且该脱模膜在170℃下的二甲苯气体透过性为5×10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下。
2.如权利要求1所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，所述脱模层(I)由氟树脂形成。
3.如权利要求2所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，所述氟树脂为乙烯/四氟乙烯系共聚物。
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，所述塑料支持层(II)由乙烯/乙烯醇共聚物形成。
5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，脱模层(I)的厚度为3～75μm，塑料支持层(II)的厚度为1～700μm。
6.如权利要求1～4中任一项所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，所述脱模层(I)的厚度为6～30μm，塑料支持层(II)的厚度为6～200μm。
7.如权利要求1～4中任一项所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，所述脱模层(I)的厚度为6～30μm，塑料支持层(II)的厚度为10～100μm。
8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，所述膜的至少一面经过抛光加工。
9.如权利要求8所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，所述经过抛光加工的面的表面的算术表面粗糙度为0.01～3.5μm。
10.如权利要求8所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，所述经过抛光加工的面的表面的算术表面粗糙度为0.15～2.5μm。
11.如权利要求1～8中任一项所述的半导体树脂模塑用脱模膜，其特征在于，所述脱模层(I)和所述塑料支持层(II)之间具有粘接层，且脱模层(I)的被粘接的一侧的表面进行过表面处理。
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