TW201528449A - 脫模膜、及半導體封裝件之製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種脫模膜及使用該脫模膜的半導體封裝件之製造方法，該脫模膜係即便厚度薄仍難以在使其密著於模具之模槽面之際發生皺痕及針孔者，且其難以在分割步驟中產生缺口或破裂，並且可形成與印墨層之密著性佳的樹脂密封部。 一種脫模膜，係在半導體封裝件之製造方法中配置於模具之模槽面者，該半導體封裝件之製造方法係將半導體元件配置於模具內並以硬化性樹脂密封而形成樹脂密封部；該脫模膜之特徵在於：該脫模膜具有於前述樹脂密封部形成時與前述硬化性樹脂相接之第1面及與前述模槽面相接之第2面；並且，前述第1面及前述第2面之至少一面上形成有凹凸，前述形成有凹凸之面的算術平均粗度(Ra)為1.3~2.5μm，峰值計數(RPc)為80~200。

Description

脫模膜、及半導體封裝件之製造方法 發明領域
本發明係有關於一種在半導體封裝件之製造方法中配置於模具之模槽面的脫模膜及使用該脫模膜的半導體封裝件之製造方法，該半導體封裝件之製造方法係將半導體元件配置於模具內並以硬化性樹脂密封而形成樹脂密封部。
發明背景
半導體封裝件具有用以保護半導體元件的樹脂密封部。於樹脂密封部之形成(半導體元件之密封)可使用環氧樹脂等熱硬化性樹脂等硬化性樹脂。
就半導體封裝件之製造方法而言，例如悉知有含有利用所謂的壓縮成形法或轉注成形法之密封步驟的方法，即，將已安裝有半導體元件之基板配置成使該半導體元件位於模具之模槽內的預定位置上，並將硬化性樹脂充填於模槽內而形成樹脂密封部。在該方法中，通常為了防止樹脂密封部與模具固著，會於模具之模槽面配置脫模膜。
就半導體封裝件之製造方法之一來說，有例如專利文獻1經由下述步驟之方法：整批密封步驟，係於基板安 裝多數個半導體元件，並以硬化性樹脂將該等半導體元件整批予以密封而獲得整批密封體之步驟，該整批密封體具有基板、多數個半導體元件及樹脂密封部；及分割步驟，係將整批密封體之樹脂密封部及基板切斷並單片化以使多數個半導體元件分離而獲得多數個半導體封裝件的步驟。該方法優於生產性，因此備受廣泛使用。
在半導體元件之密封步驟中，為了防止硬化性樹脂與模具固著，可於模具之模槽面配置脫模膜。尤其在將多數個半導體元件整批予以密封的情況下，與以1個模槽密封1個半導體元件的情況相比有模槽大型化、複雜化而難以使樹脂密封部脫模之傾向，因此多使用脫模膜。
密封時，脫模膜係藉由真空吸引沿著模具之模槽面被拉伸而成為密著於模槽面之狀態。此時，在被拉伸途中脫模膜係在無法完全排除空氣的狀態下密著於模槽面，可能於脫模膜與模槽面間局部形成空氣氣囊而在其部分於脫模膜產生皺痕。一旦於脫模膜存有皺痕，脫模膜表面之皺痕形狀便會被轉印至樹脂密封部表面而成為外觀不良，降低成品率。
針對此種問題，曾提議使脫模膜之至少一面的表面粗度Rz在3.0μm以上(專利文獻2)。認為藉由將脫模膜安裝於模具並令表面粗度Rz在3.0μm以上之面與模具側相接，可防止皺痕之發生。
又，在半導體封裝件之製造中，通常為了於所形成之樹脂密封部表面顯示製品編號、廠商等資訊，會藉由
使用印墨之印刷來形成印墨層。
樹脂密封部與印墨層之密著性一低，隨時間經過便會發生印墨層自樹脂密封部之剝離。
為了提高樹脂密封部與印墨層之密著性，曾提議使用一脫模膜，其與樹脂相接之表面形成有凹凸以增加表面粗度，並且，將其配置於模具並使該凹凸朝向硬化性樹脂側而形成樹脂密封部(例如專利文獻3)。在此情況下，便可將脫模膜與樹脂相接之表面的凹凸轉印至樹脂密封部表面。藉由該凹凸之存在，可提升印墨層相對於樹脂密封部的密著性。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2006-237187號公報
專利文獻2：日本專利特開2002-359259號公報
專利文獻3：日本專利第3970464號公報
發明概要
近年，晶圓級封裝件等大型封裝件增加且模具與脫模膜之接觸面積逐漸增加。隨之而來地，使脫模膜密著於模具之模槽面時容易發生皺痕。
已有認為只要增加脫模膜與模具之模槽面相接之面的表面粗度便不容易發生皺痕。但，藉由本發明人等之研討，若僅單純增加與模具之模槽面相接之面的表面粗度，會有 容易於脫模膜發生針孔的問題。例如，在具有角之模槽的情況下，在角的部分大幅拉伸脫模膜便容易發生針孔。一旦於脫模膜產生針孔，硬化性樹脂便會從該部分漏溢而附著於模具之模槽面。附著於模具之硬化性樹脂會在其後密封其他半導體元件之際引發樹脂密封部的外觀不良。為了防止此現象，則需要模具之洗淨等，進而降低半導體封裝件的生產性。
又已有認為只要將與模具之模槽面相接之面的表面粗度增大並同時加厚脫模膜之厚度，便難以發生皺痕以及針孔。但，一旦加厚脫模膜之厚度，對於模具之模槽形狀的追隨性便降低。追隨性一低，便無法正確地於樹脂密封部反映出模槽之形狀而成為不良品，降低成品率。又，原料成本亦會增加，經濟上並非理想。
又已有認為若於樹脂密封部表面形成印墨層之情況下使用與樹脂相接之表面形成有凹凸而增大表面粗度的脫模膜，表面粗度愈大，愈可提升印墨層相對於樹脂密封部的密著性。
但，經由本發明人等之研討明白到，在經由整批密封步驟及分割步驟製造半導體封裝件的情況下，與使用表面平滑的脫模膜之情況相比，若使用與樹脂相接之表面具有凹凸的脫模膜，在分割步驟中於切斷樹脂密封部及基板之際較容易產生樹脂密封部之缺口及破裂。為了提升印墨層相對於樹脂密封部之密著性而愈是增大脫模膜之表面粗度，樹脂密封部之缺口及破裂會愈顯著。
本發明目的在於提供一種即使厚度薄仍難以於密著於模具之模槽面之際發生皺痕及針孔的脫模膜、及使用該脫模膜的半導體封裝件之製造方法。
又，本發明目的在於提供一種脫模膜及使用該脫模膜的半導體封裝件之製造方法，該脫模膜可形成一樹脂密封部，於樹脂密封部表面形成印墨層時難以在分割步驟中產生缺口及破裂，且其與印墨層之密著性優異。
本發明提供一種具有以下[1]~[13]之構成的脫模膜、及半導體封裝件之製造方法。
[1]一種脫模膜，係在半導體封裝件之製造方法中配置於模具之模槽面者，該半導體封裝件之製造方法係將半導體元件配置於模具內並以硬化性樹脂密封而形成樹脂密封部；其特徵在於：該脫模膜具有於前述樹脂密封部形成時與前述硬化性樹脂相接之第1面及與前述模槽面相接之第2面；並且，前述第1面及前述第2面之至少一面上形成有凹凸，前述形成有凹凸之面的算術平均粗度(Ra)為1.3~2.5μm，峰值計數(RPc)為80~200。
[2]如[1]之脫模膜，其中前述脫模膜之厚度為16~75μm。
[3]如[1]之脫模膜，其係於前述第2面形成有凹凸，且脫模膜之厚度為40~75μm。
[4]如[1]~[3]中任一項之脫模膜，其中前述算術平均粗 度(Ra)為1.6~1.9μm。
[5]如[1]~[4]中任一項之脫模膜，其中前述峰值計數(RPc)為100~130。
[6]如[1]~[5]中任一項之脫模膜，其係由氟樹脂所構成。
[7]如[6]之脫模膜，其中前述氟樹脂為乙烯/四氟乙烯共聚物。
[8]如[7]之脫模膜，其中前述乙烯/四氟乙烯共聚物係由以四氟乙烯為主體之單元、以乙烯為主體之單元、以及以四氟乙烯及乙烯以外的第3單體為主體之單元所構成；前述乙烯/四氟乙烯共聚物中，以四氟乙烯為主體之單元與以乙烯為主體之單元的莫耳比(TFE/E)為80/20~40/60。
[9]如[8]之脫模膜，其中相對於前述乙烯/四氟乙烯共聚物中總單元之合計，以前述第3單體為主體之單元的比率為0.01~20莫耳%。
[10]如[9]之脫模膜，其中前述第3單體為(全氟丁基)乙烯，且相對於前述乙烯/四氟乙烯共聚物中總單元之合計，以前述(全氟丁基)乙烯為主體之單元的比率為0.5~4.0莫耳%。
[11]如[7]~[10]中任一項之脫模膜，其中前述乙烯/四氟乙烯共聚物依據ASTM D3159所測定之MFR為2~40g/10分。
[12]一種半導體封裝件之製造方法，該半導體封 裝件具有半導體元件及由硬化性樹脂形成並用以密封前述半導體元件之樹脂密封部；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：於模具之將與前述硬化性樹脂相接之模槽面上，配置如[1]~[11]中任一項之脫模膜，該脫模膜至少於第2面形成有前述凹凸，且令前述第1面朝向模槽內之空間的步驟；將已安裝有半導體元件之基板配置於前述模槽內，並以硬化性樹脂密封該半導體元件，使該硬化性樹脂在與前述脫模膜相接之狀態下硬化，形成樹脂密封部以獲得密封體的步驟，該密封體具有基板、安裝於前述基板上之半導體元件及用以密封前述半導體元件之樹脂密封部；及將前述密封體自前述模具脫模的步驟。
[13]一種半導體封裝件之製造方法，該半導體封裝件具有半導體元件、由硬化性樹脂形成並用以密封前述半導體元件之樹脂密封部、及形成於前述樹脂密封部表面之印墨層；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：於模具之將與前述硬化性樹脂相接之模槽面上配置如[1]~[11]中任一項之脫模膜，該脫模膜至少於第1面形成有前述凹凸，且使前述第1面朝向模槽內之空間的步驟；將已安裝有多數個半導體元件之基板配置於前述模槽內，並以硬化性樹脂將該多數個半導體元件整批予以密封，使該硬化性樹脂在與前述脫模膜相接之狀態下硬化而形成樹脂密封部，藉此獲得整批密封體的步驟，該整批密封體具有基板、安裝於前述基板上的多數個半導體元件及 用以將前述多數個半導體元件整批予以密封的樹脂密封部；將前述整批密封體之前述基板及前述樹脂密封部切斷以使前述多數個半導體元件分離，藉此獲得單片化密封體的步驟，該單片化密封體具有基板、安裝於前述基板上之至少1個半導體元件及用以密封前述半導體元件之樹脂密封部；及在前述整批密封體或單片化密封體之樹脂密封部中曾與前述脫模膜相接之面上使用印墨而形成印墨層的步驟。
本發明之脫模膜在以硬化性樹脂密封半導體元件而形成樹脂密封部的密封步驟中，在使該脫模膜密著於模具之模槽面之際難以發生皺痕及針孔。又，若使厚度為40~75μm，尤其可優化其對於模具的追隨性。所以，藉由本發明之脫模膜，難以在密封步驟中發生樹脂密封部之外觀不良或硬化性樹脂對模具的附著，而可提升半導體封裝件的生產性。
在本發明之半導體封裝件之製造方法中，在以硬化性樹脂密封半導體元件而形成樹脂密封部的密封步驟中，在使脫模膜密著於模具之模槽面之際難以發生皺痕及針孔。又，若使脫模膜之厚度為40~75μm，尤其可優化其對於模具之追隨性。所以，難以在密封步驟中發生樹脂密封部之外觀不良或硬化性樹脂對模具的附著。因此，藉由本發明之半導體封裝件之製造方法，可以良好的生產性製造半導 體封裝件。
又，藉由使用印墨之印刷於所形成之樹脂密封部表面上形成印墨層時，可形成難以在分割步驟中發生缺口或破裂且與印墨層之密著性佳的樹脂密封部。
此外，在本發明之半導體封裝件之製造方法中，可在分割步驟中抑制樹脂密封部之缺口或破裂生成。又，可於該樹脂密封部以良好的密著性形成印墨層。所以，藉由本發明之半導體封裝件之製造方法，可製造於樹脂密封部無缺口或破裂且印墨層難以剝離的半導體封裝件。
1‧‧‧半導體封裝件
1A‧‧‧整批密封體
10‧‧‧基板
12‧‧‧半導體晶片(半導體元件)
14‧‧‧樹脂密封部
14a‧‧‧樹脂密封部14之上面
16‧‧‧印墨層
18‧‧‧搭接線
19‧‧‧硬化物
20‧‧‧固定上模
22‧‧‧模槽底面構件
24‧‧‧可動下模
26‧‧‧模槽
30‧‧‧脫模膜
40‧‧‧硬化性樹脂
50‧‧‧上模
52‧‧‧下模
54‧‧‧模槽
56‧‧‧模槽面
58‧‧‧基板設置部
60‧‧‧樹脂導入部
62‧‧‧樹脂配置部
64‧‧‧柱塞
70‧‧‧框材
72‧‧‧夾具
72A‧‧‧上部構件
72B‧‧‧下部構件
74‧‧‧砝碼
76‧‧‧加熱板
78‧‧‧剛模
80、82‧‧‧網狀物
84‧‧‧排氣口
86‧‧‧貫通孔
90‧‧‧固定下模
92‧‧‧可動橫模
L1、L2、L3‧‧‧配管
S‧‧‧空間
圖1係顯示藉由本發明之半導體封裝件之製造方法製造之半導體封裝件一例的概略截面圖。
圖2係以示意方式說明本發明之半導體封裝件之製造方法之第1實施形態中之步驟(α3)的截面圖。
圖3係以示意方式說明本發明之半導體封裝件之製造方法之第1實施形態中之步驟(α4)的截面圖。
圖4係以示意方式說明本發明之半導體封裝件之製造方法之第1實施形態中之步驟(α4)的截面圖。
圖5係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法中使用於第2實施形態之模具一例的截面圖。
圖6係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法之第2實施形態中之步驟(β1)的截面圖。
圖7係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法之第2實施形態中之步驟(β2)的截面圖。
圖8係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法之第2實施形態中之步驟(β3)的截面圖。
圖9係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法之第2實施形態中之步驟(β4)的截面圖。
圖10係顯示本發明之半導體封裝件之製造方法之第2實施形態中之步驟(β5)的截面圖。
圖11係說明[實施例]中針孔開口難度之評估方法的圖。
圖12(a)~(c)係說明[實施例]中皺痕發生難度之評估方法的圖。
用以實施發明之形態
本說明書中之「脫模膜」係在半導體封裝件之製造方法中配置於模具之模槽面者，該半導體封裝件之製造方法係將半導體元件配置於模具內並以硬化性樹脂密封而形成樹脂密封部。例如一薄膜，其係於形成半導體封裝件之樹脂密封部之際，將該薄膜配置成覆蓋具有形狀與該樹脂密封部形狀相對應之模槽的模具之模槽面，使其位於所形成之樹脂密封部與模槽面之間，藉此提高所得半導體封裝件從模具的脫模性。
樹脂中之「單元」表示構成該樹脂之構成單元(單體單元)。
「氟樹脂」表示結構中含有氟原子之樹脂。
本說明書中之「算術平均粗度(Ra)」係依據JIS B0601：2013(ISO4287：1997,Amd.1：2009)進行測定之算 術平均粗度。求算Ra之際使用於粗度曲線的基準長度lr(截止值λc)係設為0.8mm。
本說明書中之「峰值計數(RPc)」係依據JIS B0601：2013(ISO4287：1997,Amd.1：2009)進行測定並以粗度曲線為基準的峰值計數，可以下述式(I)定義。
RPc=L/RSm…(I)
式(I)中，L表示基準長度，為10mm。
RSm表示粗度曲線要素的平均長度，係依據JIS B0601：2013(ISO4287：1997,Amd.1：2009)進行測定。
本說明書中之脫模膜的厚度係依據ISO 4591：1992(JIS K7130：1999之B1法，從塑膠薄膜或薄片所採取之試料利用質量法的厚度測定方法)進行測定之值。
脫模膜在180℃下之拉伸彈性係數係以依據JIS K7127：1999(ISO527-3：1995)之方法進行測定。具體上係針對將脫模膜切成短籤形狀(試驗片型號5)的試驗薄片，在薄片溫度：180℃、拉伸速度：1mm/分之條件下進行拉伸試驗而測定。
[脫模膜]
本發明之脫模膜係配置於模具(該模具係以硬化性樹脂密封半導體元件而形成樹脂密封部)之模槽面者，具有於前述樹脂密封部形成時與前述硬化性樹脂相接之第1面及與前述模槽面相接之第2面。
即，本發明之脫模膜係將第1面配置成朝向前述模具之模槽內之空間，並於樹脂密封部形成時與硬化性樹脂接 觸。又，此時，第2面係密著於模具之模槽面。所以，在該狀態下使硬化性樹脂硬化，可形成形狀與模具之模槽形狀相對應的樹脂密封部。
(形成有特定凹凸之面)
本發明之脫模膜於第1面及前述第2面之至少一面上形成有特定凹凸。形成有特定凹凸之面係指Ra為1.3~2.5μm且RPc為80~200之面。
形成有特定凹凸之面的形狀可為多數個凸部及/或凹部呈無規分布之形狀，或可為多數個凸部及/或凹部呈規則配列之形狀。又，多數個凸部及/或凹部的形狀及大小可相同亦可互異。
就凸部而言，可舉如延伸於脫模膜表面之長條的凸條、及散在脫模膜表面之突起等。又，在平面上形成有凹部的情況下，凸部亦可為未形成有凹部的部分。
就凹部而言，可舉如延伸於脫模膜表面的長條溝、散在脫模膜表面之孔等。又，在平面上形成有凸部的情況下，凹部亦可為未形成有凸部的部分。
以凸條或溝之形狀來說，可舉如直線、曲線、折曲形狀等。在形成有特定凹凸之面上，多數個凸條或溝可平行存在亦可構成條紋狀。凸條或溝之與長邊方向呈正交之方向的截面形狀可舉如三角形(V字形)等多角形、半圓形等。
突起或孔之形狀可舉如三角錐形、四角錐形、六角錐形等多角錐形、圓錐形、半球形、多面體形及其他各種不定形狀等。
本發明之脫模膜中形成有特定凹凸之面的Ra為1.3~2.5μm，RPc為80~200。Ra以1.5~2.1μm為佳，1.6~1.9μm尤佳。RPc以90~150為佳，100~130尤佳。
在形成有特定凹凸之面為第2面即與模槽面相接之面的情況下，若Ra在1.3μm以上且RPc在80以上，使脫模膜追隨吸附於模具之模槽面之際，脫模膜可在模槽面上良好地滑行且難以發生皺痕。在Ra低於1.3μm或RPc低於80之情況，亦即凹凸之大小過小或存在於一定距離內的凹凸的數量過少的情況下，脫模膜容易有皺痕。
藉由使Ra在2.5μm以下且RPc在200以下，使脫模膜追隨於模具之際，難以於脫模膜產生針孔且難以發生硬化性樹脂的漏溢。在Ra超過2.5μm或RPc超過200的情況，亦即凹凸之大小過大或存在於一定距離內之凹凸的數量過多的情況下，容易於脫模膜產生針孔。
在形成有特定凹凸之面為第1面即與硬化性樹脂相接之面的情況下，藉由使Ra在2.5μm以下且RPc在200以下，可抑制將該樹脂密封部單片化(分割)時的缺口及破裂之發生。在Ra超過2.5μm或RPc超過200之情況，亦即凹凸之大小過大或存在於一定距離內之凹凸的數量過多的情況下，容易發生缺口或破裂。
藉由使Ra在1.3μm以上且RPc在80以上，可提升使用該脫模膜形成之樹脂密封部表面與形成於該表面之印墨層的密著性。
在Ra低於1.3μm或RPc低於80之情況，亦即凹凸之大小 過小或存在於一定距離內之凹凸的數量過少的情況下，印墨層之密著性有不夠充分之虞。
又，形成有特定凹凸之面為第1面時，只要Ra在1.3μm以上且RPc在80以上，便可抑制剝離帶電。於半導體封裝件之製造上多將脫模膜從輥件旋出使用，藉由此時的剝離，脫模膜可能會帶電。尤其在脫模膜為氟樹脂的情況下，更容易產生此帶電。脫模膜一旦帶電，便容易有異物附著於脫模膜。一旦於脫模膜附著有異物，異物之形狀便會轉印至樹脂密封部表面而有外觀惡化之虞。脫模膜表面上只要有Ra在1.3μm以上且RPc在80以上之凹凸，於密封步驟後將脫模膜與樹脂密封部(硬化性樹脂之硬化物)剝離之際可減低脫模膜與樹脂密封部的表觀接觸面積，因此可減低剝離帶電。即，可減低於脫模膜剝離時藉由放電對半導體元件所造成的損傷。若使用成形收縮率大的環氧樹脂作為硬化性樹脂，則該效果特別顯著。
本發明之脫模膜可以第1面及第2面中任一面作為上述形成有特定凹凸之面。在此情況下，各面具有上述作用效果，即便樹脂密封部表面上未形成印墨層，仍可抑制剝離帶電，可製成少有皺痕或針孔發生之虞的脫模膜。
本發明之脫模膜較理想係第1面及第2面中任一面為上述形成有特定凹凸之面，而另一面為形成有上述特定凹凸以外之凹凸的面或為平滑面。以另一面來說，與上述形成有特定凹凸之面相較下，以實質上為平滑面為佳。
就實質上為平滑面來說，以Ra為0.01~0.5μm之面為佳。 較理想的Ra為0.05~0.3μm。此外，其面之RPc低於80為佳，且以10~60較佳。
(厚度)
本發明之脫模膜之厚度以16~75μm為佳，僅第1面具有特定凹凸之情況下以25~50μm尤佳。又，僅第2面具有特定凹凸之情況下則以40~75μm較佳，45~70μm更佳，50~60μm尤佳。厚度只要在前述範圍之下限值以上，便容易操作脫模膜，且在將脫模膜一邊拉伸並一邊配置成覆蓋模具之模槽時難以發生皺痕。厚度只要在前述範圍之上限值以下，脫模膜便可輕易地變形，進而提升其對於模具之模槽形狀的追隨性，因此脫模膜可緊密地密著於模槽面，可穩定形成高品質的樹脂密封部。
本發明之脫模膜的厚度在模具之模槽愈大時，在前述範圍內愈薄愈佳。又，愈為具有多數模槽之複雜的模具，在前述範圍內愈薄愈佳。
(脫模膜之物性)
拉伸彈性係數：
本發明之脫模膜在180℃下(即一般成形時之模具溫度下)的拉伸彈性係數以10~100MPa為佳，25~50MPa尤佳。
180℃下的拉伸彈性係數只要在前述範圍之上限值以下，於半導體元件密封時脫模膜即可完全追隨模具，因此模具形狀可轉印達樹脂密封部之角部。其結果，可使用整批密封的封裝件達及端部，提升成品率。前述拉伸彈性係數一旦超過100MPa，在真空下使脫模膜追隨模具之際，脫 模膜對於模具的追隨性不佳，因此在轉注成形中於合模時未完全追隨於半導體晶片的薄膜有破損之虞。在壓縮成形中模具之追隨性同樣不佳，因此將硬化性樹脂灑佈於薄膜上之際有從模具溢出之虞。
180℃下的拉伸彈性係數只要在前述範圍之下限值以上，使脫模膜一邊拉伸並一邊配置成覆蓋模具之模槽之際脫模膜不會過軟，因此可對脫模膜施予均勻的張力而難以發生皺痕。其結果，可抑制脫模膜之皺痕轉印至樹脂密封部表面所造成的樹脂密封部表面之外觀不良。
脫模膜之拉伸彈性係數可藉由調整脫模膜用樹脂之結晶度而調整。具體而言，脫模膜用樹脂之結晶度愈低，脫模膜之拉伸彈性係數愈低。脫模膜用樹脂之結晶度，例如在乙烯/四氟乙烯共聚物之情況下，可藉由調整以四氟乙烯及乙烯以外的其他單體為主體之單元的種類或比率來調整。
剝離力：
本發明之脫模膜以第1面側之剝離力的最大值在0.8N/25mm以下為佳，在0.5N/25mm以下尤佳。剝離力的最大值只要在前述範圍之上限值以下，生產時更容易與樹脂密封部(硬化性樹脂之硬化物)剝離，難以發生脫模膜與樹脂密封部無法良好分離而使裝置停止的情況，而有優異的連續生產性。
本發明中之「剝離力」係表示依照JIS K6854-2：1999(ISO 8510-2：1990)，以下述(a)~(f)之順序進行測定之 值。
(a)將環氧樹脂適量配置於脫模膜與配置於脫模膜之第1面側的鋁板之間。
(b)在180℃、10MPa下將夾有環氧樹脂之脫模膜及鋁板壓製5分鐘，使環氧樹脂硬化。
(c)將脫模膜、已硬化之環氧樹脂及鋁板的積層體切斷成25mm寬並製作5個試驗片。又，積層體中之環氧樹脂的厚度為100μm。
(d)針對試驗片，使用拉伸試驗機在100mm/分之速度下測定常溫下的180度剝離力。
(e)求算力(N)-夾持移動距離曲線中夾持移動距離從25mm至125mm之剝離力的平均值(單元為N/25mm)。
(f)求出5個試驗片之剝離力的平均值之算術平均。
(脫模膜用樹脂)
針對脫模膜係要求脫模性、成形時得以承受模具溫度(典型上為150~180℃)的耐熱性、及得以承受硬化性樹脂之流動及加壓力的強度。
就本發明之脫模膜而言，從脫模性、耐熱性、強度、高溫下之伸展的觀點看來，以由選自於由聚烯烴及氟樹脂所構成群組中之1種以上樹脂所構成之薄膜為佳，且由氟樹脂所構成之薄膜尤佳。
本發明之脫模膜可為併用氟樹脂及非氟樹脂之薄膜，亦可為摻混有無機系添加劑、有機系添加劑等之薄膜。
本發明之脫模膜可為1層薄膜，亦可為2層以上之積層 薄膜。從製造成本的觀點看來以1層薄膜為佳。
本發明之脫模膜以由1層氟樹脂所構成之薄膜尤佳。
就聚烯烴而言，從脫模性及模具追隨性的觀點看來，以聚甲基戊烯為佳。聚烯烴可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就氟樹脂而言，可舉如乙烯/四氟乙烯共聚物(以下亦稱ETFE)、聚四氟乙烯、全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物等。其等中，從在高溫下的伸展大之觀點看來，以ETFE尤佳。氟樹脂可單獨使用1種亦可將2種以上併用。又，ETFE可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
ETFE係具有以四氟乙烯(以下亦稱TFE)為主體之單元、以及以乙烯(以下亦稱E)為主體之單元的共聚物。
就ETFE而言，以具有以第3單體(TFE及E以外的其他單體)為主體之單元為佳。藉由以第3單體為主體之單元的種類及含量，可輕易調整脫模膜用樹脂之結晶度，即脫模膜的拉伸彈性係數。又，藉由具有以第3單體(尤其是具有氟原子之單體)為主體之單元，可提升在高溫(尤其在180℃前後)下的拉伸強伸度。
就第3單體而言，可舉如具有氟原子之單體及不具氟原子之單體。
就具有氟原子之單體的具體例來說，可舉如下述單體(a1)~(a5)。
單體(a1)：碳數3以下之氟烯烴類。
單體(a2)：以X(CF2)nCY=CH2(惟，X、Y各自獨立為氫 原子或氟原子，n為2~8之整數)表示之全氟烷基乙烯。
單體(a3)：氟乙烯基醚類。
單體(a4)：含官能基之氟乙烯基醚類。
單體(a5)：具有脂肪族環結構之含氟單體。
就單體(a1)而言，可舉如氟乙烯類(三氟乙烯、二氟亞乙烯、氟乙烯、氯三氟乙烯等)、氟丙烯類(六氟丙烯(以下亦稱HFP)、2-氫五氟丙烯等)等。
就單體(a2)而言，以n為2~6之單體為佳，且以n為2~4之單體較佳。又，以X為氟原子且Y為氫原子之單體即(全氟烷基)乙烯尤佳。
作為單體(a2)之具體例，可舉如下述。
CF3CF2CH=CH2、CF3CF2CF2CF2CH=CH2((全氟丁基)乙烯。以下亦稱PFBE)、CF3CF2CF2CF2CF=CH2、CF2HCF2CF2CF=CH2、CF2HCF2CF2CF2CF=CH2等。
就單體(a3)，可舉如下述者。又，下述中二烯之單體係得以進行環化聚合之單體。
CF2=CFOCF3、CF2=CFOCF2CF3、CF2=CF(CF2)2CF3(全氟(丙基乙烯基醚)。以下亦稱PPVE)、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3、 CF2=CFO(CF2)3O(CF2)2CF3、CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)2(CF2)2CF3、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3、CF2=CFOCF2CF=CF2、CF2=CFO(CF2)2CF=CF2等。
就單體(a4)，可舉如下述者。
CF2=CFO(CF2)3CO2CH3、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)3CO2CH3、CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2SO2F等。
就單體(a5)，可舉如全氟(2,2-二甲基-1,3-二呃)、2,2,4-三氟-5-三氟甲氧基-1,3-二呃、全氟(2-亞甲基-4-甲基-1,3-二)等。
作為不具氟原子之單體的具體例，可舉如下述單體(b1)~(b4)。
單體(b1)：烯烴類。
單體(b2)：乙烯酯類。
單體(b3)：乙烯基醚類。
單體(b4)：不飽和酸酐。
就單體(b1)，可舉如丙烯、異丁烯等。
就單體(b2)，可舉如乙酸乙烯酯等。
就單體(b3)，可舉如乙基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、環己基乙烯基醚、羥丁基乙烯基醚等。
就單體(b4)，可舉如馬來酸酐、伊康酸酐、檸康酸酐、納迪克酸酐(himic anhydride，5-降冰片烯-2,3-二羧酸酐)等。
第3單體可單獨使用1種亦可將2種以上併用。
就第3單體來說，從容易進行結晶度之調整即拉伸彈性係數之調整的觀點，以及藉由具有以第3單體(尤其是具有氟原子之單體)為主體之單元可提升高溫(尤其在180℃前後)下之拉伸強伸度的觀點看來，以單體(a2)、HFP、PPVE、乙酸乙烯酯為佳，以HFP、PPVE、CF3CF2CH=CH2、PFBE較佳，且以PFBE尤佳。
即，就ETFE來說以具有以TFE為主體之單元、以E為主體之單元、以及以PFBE為主體之單元的共聚物尤佳。
在ETFE中，以TFE為主體之單元及以E為主體之單元的莫耳比(TFE/E)在80/20~40/60為佳，在70/30~45/55較佳，在65/35~50/50尤佳。TFE/E只要在前述範圍內，ETFE之耐熱性及機械物性即佳。
相對於構成ETFE之總單元的合計(100莫耳%)，ETFE中以第3單體為主體之單元的比率以佔0.01~20莫耳%為佳，0.10~15莫耳%較佳，0.20~10莫耳%尤佳。以第3單體為主體之單元的比率只要在前述範圍內，ETFE之耐熱性及機械物性即佳。
以第3單體為主體之單元含有以PFBE為主體之單元時，相對於構成ETFE之總單元的合計(100莫耳%)，以PFBE為主體之單元的比率以佔0.5~4.0莫耳%為佳，0.7~3.6莫耳%較佳，1.0~3.6莫耳%尤佳。以PFBE為主體之單元的比率只要在前述範圍內，即可將脫模膜在180℃下的拉伸彈性係數調整於前述範圍內。又，可提升高溫(尤其在180 ℃前後)下的拉伸強伸度。
ETFE之熔融流量(MFR)以2~40g/10分為佳，5~30g/10分較佳，10~20g/10分尤佳。ETFE之MFR只要在前述範圍內，即可提升ETFE之成形性並可提升脫模膜的機械特性。
ETFE之MFR係依據ASTM D3159，在荷重49N、297℃下進行測定之值。
(脫模膜之製造方法)
就本發明之脫模膜之製造方法並無特別限定，可利用公知製造方法。可舉如，以熱加工於樹脂薄膜表面上轉印模型之凹凸的方法，從生產性觀點看來以下述方法(i)、(ii)等為佳，方法(ii)尤佳。
(i)使樹脂薄膜通過2支輥件之間，於樹脂薄膜之將形成凹凸之面(即成為脫模膜形成有凹凸之面的面)上連續轉印形成於輥件表面之凹凸的方法。
(ii)使從擠壓機之塑模擠出的樹脂通過2支輥件之間，將該樹脂成形為薄膜狀的同時，於該薄膜狀樹脂之將形成凹凸之面(即成為脫模膜形成有凹凸之面的面)上連續轉印形成於輥件表面之凹凸的方法。
在方法(i)、(ii)中，藉由使用輥狀之模，可連續加工，進而可顯著提升具有凹凸之脫模膜的生產性。又，與此同時，因為是形成為捲狀物之脫模膜，所以於半導體封裝件之製造上可使用具有通用之脫模膜之旋出機構及捲取機構的壓縮成形裝置或轉注成形裝置。
又，2支輥件中使1支為表面具有凹凸之輥件(以下亦稱成型輥)，使另一輥件為不具凹凸之輥件，藉此可製造單面具有凹凸之脫模膜。藉由使2支輥件均為成型輥，則可製造兩面具有凹凸之脫模膜。又，2支輥件中之一者通常具有加壓樹脂薄膜的功能，稱為抵壓輥。使用表面不具凹凸之輥件時，不具凹凸之輥件通常為冷卻輥，而在2支輥件均為成型輥時，則將其中一方作為冷卻輥。又，表面不具凹凸之輥件亦表示具有可形成實質上平滑面之表面的輥件。
方法(i)：
就樹脂薄膜，可使用市售產品，亦可使用藉由公知的製造方法所製造者。例如，可使用脫模膜用樹脂，藉由利用具備T型模的擠壓機之熔融成形等來製造樹脂薄膜，該T型模具有預定的模唇寬。
2支輥件之表面溫度及線壓依脫模膜之材料及厚度而異，並以同時滿足以下3項條件為佳。又，以下，Tg係表示將成形之樹脂的玻璃轉移溫度，Tm係表示將成形之樹脂的熔點。
．輥件表面溫度：Tg+30℃~Tm-20℃。
．2支輥件間線壓：20~300N/cm。
．拉伸彈性係數(MPa)/線壓(N/cm)之值：0.005~0.02。
又，拉伸彈性係數係脫模膜之材料在2支輥件之表面溫度下的拉伸彈性係數。
只要滿足以上3項條件，即便樹脂材料為低彈性係數，仍可保持橡膠狀彈性，且在2支輥件間予以加壓之際，整體 的厚度仍不會大幅改變，容易僅於表面形成凹凸。
又，加工速度以0.2~100m/分為佳。
方法(ii)：
使從塑模之狹縫擠出的樹脂沿著設定在樹脂之熔點以下的成型輥捲收，藉此可固定形狀且同時可以下述項目來決定厚度：已以擠壓機之螺旋旋轉數予以調整的擠壓量、塑模之狹縫寬、及已以成型輥之旋轉數予以調整的捲收速度。
2支輥件間之加壓力與樹脂在被塑模擠出瞬後之溫度下的熔融黏度之關係宜滿足以下條件。
熔融黏度(Pa．s)/加壓力(N/cm)之值：2~50
又，在此，熔融黏度係指依照JIS K7199：1999(ISO11443：1995)使用毛細管模(capillary die；內徑1mm、長度10mm)於流過一定體積流量之際，在表觀剪切速度γap為10/秒時測定下式(II)所示之表觀熔融黏度ηap之值。又，屆時的溫度與方法(ii)中被塑模擠出並接觸至輥件瞬前的樹脂溫度相等。
表觀熔融黏度ηap(Pa．s)=表觀剪切應力τap(Pa)/表觀剪切速度γap(1/秒)…(II)
表觀剪切應力τap=pD/4L
p：試驗壓力(Pa)
D：毛細管內徑(mm)
L：毛細管長度(mm)
表觀剪切速度γap=32Q/π D3
Q：體積流量(mm3/秒)
上述熔融黏度/加壓力之值若大於50，輥件凸凹的轉印率便會急遽降低，即便使用表面粗度大的輥件，仍難以賦予Ra。一旦小於2，則會過度壓碎已熔融的樹脂，而容易在粗度最粗的部分發生薄膜開孔等問題。
2支輥件間之加壓力以10N/cm~150N/cm為佳。只要在10N/cm以上，便難以在2支輥件間發生滑移。只要在150N/cm以下，便可防止輥件之崩壞所造成的「坍陷」。
輥件表面溫度以Tg+30℃~Tg+80℃為佳。在本方法中，輥件的表面溫度係藉由從熔融樹脂賦予之熱量而提高，因此在一般的成形狀態下多滿足上述條件。
加工速度以與方法(i)相同之範圍為佳。
成型輥：
就成型輥而言，可舉如橡膠皮輥、樹脂皮輥、包紙輥、金屬輥、陶瓷輥、樹脂輥等。金屬製成型輥表面為了增加硬度，亦可施行陶瓷塗佈、陶瓷燒結、陶瓷蒸鍍、超硬金屬熔射、電鍍、滲碳、氮化等表面改質。
其等中，以可抑制減低對另一輥件之負擔的觀點、及容易以混入之粒子量調整RPc的觀點看來，以橡膠皮輥為佳。
成型輥表面的凹凸為已將脫模膜之特定凹凸予以反轉的形狀，且與形成於半導體封裝件之樹脂密封部表面上的凹凸為相同形狀。
於成型輥表面上形成凹凸之方法可舉如切削、蝕刻等 方法。
又，在橡膠皮輥的情況下，藉由於捲於表面之橡膠薄片摻混粒子，可獲得表面具有凹凸之成型輥。在此情況下，藉由摻混於橡膠薄片之粒子大小，可調整粗度之深度方向即Ra。又，藉由粒子之摻混量即摻混密度，可調整粗度中之峰值數量即RPc。在樹脂皮輥的情況下，亦可以同樣的方法來調整Ra或RPc。
成型輥之Ra以1.6~4.2為佳。又，成型輥之RPc以80~240為佳。雖依樹脂之黏度或加壓條件而定，但在方法(1)或方法(2)中滿足上述之成形條件時，一般而言輥件之Ra對於樹脂的轉印率為60~80%左右。又，輥件之RPc對於樹脂的轉印率為80~100%。
滿足前述製造條件時，輥件之Ra及RPc的轉印率便可輕易地滿足前述範圍。
在橡膠皮輥的情況下，作為橡膠輥之橡膠成分，可使用聚矽氧橡膠、交聯異戊二烯橡膠、交聯丁烯．異戊二烯共聚物橡膠等。就無機微細粒子來說，可舉如二氧化矽、沸石、燒成黏土、蛭石、滑石、雲母、氧化鋁。粒子之平均粒徑以1~100μm為佳。又，摻混量以5~80重量份為佳。藉由粒子之平均粒徑可控制Ra，藉由摻混量則可控制RPc。
冷卻輥：
就冷卻輥而言，可舉如與成型輥同樣者。惟，冷卻輥之表面可為平滑或可形成有凹凸。
冷卻輥表面為平滑時，可獲得單面呈平滑的脫模膜；於冷卻輥表面形成有反轉特定凹凸之形狀的凹凸時，則可獲得兩面具有特定凹凸的脫模膜。
使用氟樹脂作為脫模膜之材料時，由於氟樹脂之熱加工溫度較高，因此作為輥件之材料以耐熱性高的材料為佳。輥件材料之耐熱溫度在150℃以上為佳。因此，就冷卻輥之材料而言，從耐熱性、耐久性的觀點看來以金屬、陶瓷、聚矽氧橡膠、聚芳醯胺紙為佳。為了增加硬度，金屬製冷卻輥表面亦可施行陶瓷塗佈、陶瓷燒結、陶瓷蒸鍍、超硬金屬熔射、電鍍、滲碳、氮化等表面改質。
在方法(i)、(ii)中，除了輥件表面的凹凸以外，亦可藉由調整加工速度、脫模膜用樹脂之MFR、輥件之擠壓、及塑模與輥件之距離等來調整Ra及RPc。
例如，在使用相同成型輥的情況下，加工速度愈快速，Ra及RPc愈有增大之傾向。但，在使用上述記載之製造條件及上述記載輥件時，最容易製造Ra為1.3~2.5且RPc為80~200的薄膜。
(作用效果)
於以硬化性樹脂密封半導體封裝件之半導體元件而形成樹脂密封部的模具之模槽內，將本發明之脫模膜配置成具有滿足特定Ra及RPc之凹凸之面與模槽面相接時(即，具有滿足特定Ra及RPc之凹凸之面為第2面時)，本發明之脫模膜係藉由真空吸引沿著模槽面被拉伸密著於模槽面，而成為追隨模具之形狀。
本發明之脫模膜之第2面為具有特定凹凸之面時，脫模膜之厚度以40~75μm為佳。藉由使厚度在75μm以下，本發明之脫模膜可輕易地變形而優化其對於模具之模槽形狀的追隨性。又，藉由使厚度在40μm以上，本發明之脫模膜具有某程度的彈性。
又，使第2面之Ra在1.3μm以上且RPc在80以上，於上述真空吸引之際可使脫模膜於模槽面上良好地滑動，且難以在脫模膜與模槽面之間生成空氣排除後所餘空間。因此，使脫模膜追隨模具之際難以發生皺痕。又，使Ra在2.5μm以下且RPc在200以下，使脫模膜追隨模具之際難以於脫模膜產生針孔，進而難以發生硬化性樹脂之漏溢。
此外，本發明之脫模膜藉由具有形成有凹凸之第2面以滿足特定之Ra及RPc，將其從捲狀物之狀態拉出時便不易發生藉由脫模膜間之剝離所造成的帶電。所以，使用從捲狀物之狀態拉出的脫模膜來製造半導體封裝件時，難以於脫模膜附著異物，進而難以發生藉由該異物而造成半導體封裝件的外觀惡化。
所以，藉由本發明之脫模膜，在半導體元件之密封步驟中可減低樹脂密封部的外觀不良。又，可減低硬化性樹脂對於模具之附著及用以除去已附著之硬化性樹脂之洗淨步驟等的頻率。所以，可提升半導體封裝件的生產性。
又，將本發明之脫模膜配置於模具之模槽面以使具有特定凹凸之面與硬化性樹脂相接時(即，具有滿足特定之Ra及RPc之凹凸之面為第1面時)，可將脫模膜表面之凹凸 正確地轉印於樹脂密封部表面。
藉由轉印而於表面形成有凹凸的樹脂密封部於分割時難以產生缺口及破裂。又，該表面與印墨層的密著性佳。
又，密封步驟後將脫模膜與樹脂密封部(硬化性樹脂之硬化物)剝離時，由於脫模膜與樹脂密封部之表觀接觸面積減少，因此可減低剝離帶電。即，可減低脫模膜剝離時之放電對半導體元件所造成的損傷。在使用成形收縮率大的環氧樹脂時，該效果特別顯著。因此，藉由使用本發明之脫模膜，可製造一種於樹脂密封部無缺口及破裂且已形成於樹脂密封部表面之印墨層難以剝離的半導體封裝件。又，屆時的製造穩定性亦佳。
[半導體封裝件]
使用本發明之脫模膜藉由後述本發明之半導體封裝件之製造方法而製造的半導體封裝件只要是經由整批密封及分割而製造者即可，可舉如密封方式為MAP(Molded Array Packaging：模製陣列封裝)方式或WL(Wafer Level packaging：晶圓級封裝)方式之半導體封裝件等。
就半導體封裝件之形狀來說，可舉如BGA(Ball Grid Array：球柵陣列)、QFN(Quad Flat Non-leaded package：四面扁平無引線封裝)、SON(Small Outline Non-leaded package：小型無引線封裝)等。
圖1係顯示半導體封裝件一例的概略截面圖。該例之半導體封裝件1係所謂的MAP-BGA形狀之半導體封裝件。
半導體封裝件1具有基板10、安裝於基板10上之半導體晶片(半導體元件)12、用以密封半導體晶片12之樹脂密封部14及形成於樹脂密封部14之上面14a的印墨層16。
半導體晶片12具有表面電極(未圖示)，基板10具有與半導體晶片12之表面電極相對應的基板電極(未圖示)，且表面電極及基板電極係藉由搭接線18而電連接。
於樹脂密封部14之上面14a正確地轉印有本發明之脫模膜之第1面的凹凸等，且在本發明之脫模膜的第1面為具有特定凹凸之面時，上面14a之Ra為1.3~2.5μm且RPc為80~200。
樹脂密封部14之厚度(從基板10之半導體晶片12設置面起至樹脂密封部14之上面14a間的最短距離)並無特別限定，在「半導體晶片12之厚度」以上且在「半導體晶片12之厚度+1mm」以下為佳，在「半導體晶片12之厚度」以上且在「半導體晶片12之厚度+0.5mm」以下尤佳。
經由本發明人等之研討，分割時愈是使半導體封裝件1薄型化，愈容易產生樹脂密封部之缺口及破裂，而樹脂密封部14之厚度愈薄愈可抑制分割時之缺口及破裂的本發明即具極高的有用性。
[半導體封裝件之製造方法]
本發明之半導體封裝件之製造方法係下述製造方法(1)及製造方法(2)。
本發明之半導體封裝件之製造方法(1)：一種半導體封裝件之製造方法，該半導體封裝件具有 半導體元件及由硬化性樹脂形成並用以密封前述半導體元件之樹脂密封部；該製造方法之特徵在於：於模具之將與前述硬化性樹脂相接之模槽面上，配置前述本發明之脫模膜，該脫模膜至少於第2面形成有前述凹凸，且令前述第1面朝向模槽內之空間的步驟；將已安裝有半導體元件之基板配置於前述模槽內，並以硬化性樹脂密封該半導體元件，使該硬化性樹脂在與前述脫模膜相接之狀態下硬化，形成樹脂密封部以獲得密封體的步驟，該密封體具有基板、安裝於前述基板上之半導體元件及用以密封前述半導體元件之樹脂密封部；及將前述密封體自前述模具脫模的步驟。
本發明之半導體封裝件之製造方法(2)：一種半導體封裝件之製造方法，該半導體封裝件具有半導體元件、由硬化性樹脂形成並用以密封前述半導體元件之樹脂密封部、及形成於前述樹脂密封部表面之印墨層；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：於模具之將與前述硬化性樹脂相接之模槽面上配置前述本發明之脫模膜，該脫模膜至少於第1面形成有前述凹凸，且令前述第1面朝向模槽內之空間的步驟；將已安裝有多數個半導體元件之基板配置於前述模槽內，並以硬化性樹脂將該多數個半導體元件整批予以密封，使該硬化性樹脂在與前述脫模膜相接之狀態下硬化而形成樹脂密封部，藉此獲得整批密封體的步驟，該整批密封體具有基板、安裝於前述基板上之多數個半導體元件及用以 將前述多數個半導體元件整批予以密封的樹脂密封部；將前述整批密封體之前述基板及前述樹脂密封部切斷以使前述多數個半導體元件分離，藉此獲得單片化密封體的步驟，該單片化密封體具有基板、安裝於前述基板上之至少1個半導體元件及用以密封前述半導體元件之樹脂密封部；及在前述整批密封體或單片化密封體之樹脂密封部中曾與前述脫模膜相接之面上使用印墨而形成印墨層的步驟。
本發明之半導體封裝件之製造方法除了使用本發明之脫模膜以外，可採用公知的製造方法。
例如，就樹脂密封部之形成方法可舉如壓縮成形法或轉注成形法，此時使用的裝置則可使用公知的壓縮成形裝置或轉注成形裝置。製造條件亦以採用與公知之半導體封裝件之製造方法中之條件相同的條件即可。
就本發明之半導體封裝件之製造方法而言，依照樹脂密封部之形成方法可舉如下述方法(α)及方法(β)2種。
方法(α)係以壓縮成形法形成樹脂密封部之方法，方法(β)係以轉注成形法形成樹脂密封部之方法。
方法(α)：係具有下述步驟(α1)~(α7)之方法。
(α1)將本發明之脫模膜配置成脫模膜覆蓋模具之模槽且使脫模膜之第1面朝向模槽內之空間的步驟。
(α2)將脫模膜真空吸引至模具之模槽面側的步驟。
(α3)將硬化性樹脂充填於模槽內的步驟。
(α4)將已安裝有多數個半導體元件之基板配置於模槽 內的預定位置上，並以硬化性樹脂將多數個半導體元件整批予以密封而形成樹脂密封部，藉此獲得整批密封體的步驟，該整批密封體具有基板、安裝於前述基板上之多數個半導體元件及將前述多數個半導體元件整批予以密封之樹脂密封部。
(α5)從模具內取出整批密封體的步驟。
(α6)將前述整批密封體之前述基板及前述樹脂密封部切斷以使前述多數個半導體元件分離，藉此獲得單片化密封體的步驟，該單片化密封體具有基板、安裝於前述基板上之至少1個半導體元件及用以密封前述半導體元件之樹脂密封部。
(α7)於單片化密封體之樹脂密封部中曾與前述脫模膜相接之面上使用印墨形成印墨層而獲得半導體封裝件的步驟。
方法(β)：係具有下述步驟(β1)~(β7)之方法。
(β1)將本發明之脫模膜配置成脫模膜覆蓋模具之模槽且使脫模膜之第1面朝向模槽內之空間的步驟。
(β2)將脫模膜真空吸引至模具之模槽面側的步驟。
(β3)將已安裝有多數個半導體元件之基板配置於模槽內之預定位置上的步驟。
(β4)將硬化性樹脂充填於模槽內，並以該硬化性樹脂將多數個半導體元件整批予以密封而形成樹脂密封部，藉此獲得整批密封體的步驟，該整批密封體具有基板、安裝於前述基板上之多數個半導體元件及將前述多數個半導體元 件整批予以密封之樹脂密封部。
(β5)從模具內取出整批密封體的步驟。
(β6)將前述整批密封體之前述基板及前述樹脂密封部切斷以使前述多數個半導體元件分離，藉此獲得單片化密封體的步驟，該單片化密封體具有基板、安裝於前述基板上之至少1個半導體元件及用以密封前述半導體元件之樹脂密封部。
(β7)於單片化密封體之樹脂密封部中曾與前述脫模膜相接之面上使用印墨形成印墨層而獲得半導體封裝件的步驟。
(第1實施形態)
就半導體封裝件之製造方法的一實施形態，針對藉由方法(α)來製造圖1所示半導體封裝件1之情況加以詳細說明。
模具：
就第1實施形態中之模具，可使用公知作為用於壓縮成形法之模具。例如，可舉如圖2所示模具，其具有固定上模20、模槽底面構件22、及配置於模槽底面構件22周緣之框狀可動下模24。
於固定上模20形成有真空通氣孔(省略圖示)，其係用以吸引基板10及固定上模20間之空氣而將基板10吸附於固定上模20。又，於模槽底面構件22形成有真空通氣孔(省略圖示)，其係用以吸引脫模膜30及模槽底面構件22間之空氣而將脫模膜30吸附於模槽底面構件22。
在該模具中，藉由模槽底面構件22之上面及可動下模24之內側側面形成形狀與將在步驟(α4)中形成之樹脂密封部14之形狀相對應的模槽26。
以下，模槽底面構件22之上面及可動下模24之內側側面亦總稱為模槽面。
步驟(α1)：
將脫模膜30配置於可動下模24上以使其覆蓋模槽底面構件22之上面。此時，脫模膜30係將第1面朝向上側(與模槽底面構件22方向為相反方向)配置。
脫模膜30係從捲出輥(省略圖示)送出並由捲取輥(省略圖示)捲取。脫模膜30可藉由捲出輥及捲取輥而被拉伸，因此可在拉伸之狀態下配置於可動下模24上。
步驟(α2)：
另外，透過模槽底面構件22之真空通氣孔(省略圖示)進行真空吸引以減壓模槽底面構件22之上面與脫模膜30間之空間，並將脫模膜30拉伸使其變形而真空吸附於模槽底面構件22之上面。再將配置於模槽底面構件22周緣的框狀可動下模24壓緊，從各個方向拉緊脫模膜30使其成緊繃狀態。
又，依照脫模膜30在高溫環境下的強度、厚度、以及藉由模槽底面構件22之上面及可動下模24之內側側面所形成的凹部形狀，脫模膜30未必會密著於模槽面。在步驟(α2)之真空吸附階段中，如圖2所示可於脫模膜30及模槽面之間殘留有少許的空隙。
步驟(α3)：
如圖2所示，硬化性樹脂40係藉由灑施器(省略圖示)而適量充填於模槽26內之脫模膜30上。
又，另外透過固定上模20之真空通氣孔(省略圖示)進行真空吸引，使安裝有多數個半導體晶片12之基板10真空吸附於固定上模20之下面。
就硬化性樹脂40而言，可使用在半導體封裝件之製造中所使用之各種硬化性樹脂。以環氧樹脂、聚矽氧樹脂等熱硬化性樹脂為佳，環氧樹脂尤佳。
就環氧樹脂來說，可舉如住友Bakelite公司製SUMIKON EME G770H type F ver.GR、及Nagase ChemteX公司製T693/R4719-SP10等。
就聚矽氧樹脂之市售品，則可舉如信越化學工業公司製LPS-3412AJ、LPS-3412B等。
在本發明中，尤其從可抑制剝離帶電的觀點看來，硬化性樹脂40以成形收縮率大的樹脂為佳。
通常在欲正確形成期望形狀之樹脂密封部的觀點下，硬化性樹脂的成形收縮率大並不適宜。但依據本發明人等之研討，成形收縮率一大，於硬化時硬化性樹脂便會收縮而減少脫模膜之凸凹部中之表觀接觸面積。與脫模膜之接觸面積一少，將脫模膜從樹脂密封部(硬化性樹脂之硬化物)剝離之際即可抑制剝離所致之脫模膜的帶電，進而難以藉由脫模膜之放電而損傷半導體元件。
硬化性樹脂40之成形收縮率以0.05~0.15%為佳，以0.1 ~0.13%尤佳。成形收縮率在前述範圍之下限值以上時，脫模膜之凸凹與樹脂密封部的表觀接觸面積即可充分降低，進而可防止剝離帶電。成形收縮率在前述範圍之上限值以下時，半導體封裝件之翹曲小，適於實用。
硬化性樹脂40之成形收縮率係依據JIS K6911-1995 5.7，在溫度180℃、壓力7MPa、時間5分之成形條件下予以轉注成形時所測定之值。即，使用預定形狀的模具，在前述成形條件下成形硬化性樹脂40。成形後，從模具取出成形品並在大氣中放冷。放冷係在23±2℃以內且相對濕度50±5%以內之環境下靜置24±1小時而進行。模具之尺寸與放冷後成形品之尺寸的差為成形收縮，成形收縮相對於模具尺寸的百分率即為成形收縮率。
於硬化性樹脂40亦可含有碳黑、熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、氧化鋁、氮化矽、氮化鋁等。
又，在此雖顯示充填固體物作為硬化性樹脂40之例，但本發明不受此限，亦可充填液狀的硬化性樹脂。
步驟(α4)：
如圖3所示，在已於模槽26內之脫模膜30上充填有硬化性樹脂40之狀態下，使模槽底面構件22及可動下模24上升與固定上模20合模。
接著如圖4所示，僅使模槽底面構件22上升並同時加熱模具使硬化性樹脂40硬化而形成用以密封半導體晶片12的樹脂密封部14。
在步驟(α4)中，藉由使模槽底面構件22上升時的壓力， 將已充填於模槽26內之硬化性樹脂40進一步壓入模槽面。藉此使脫模膜30拉伸變形而密著於模槽面。所以，可形成形狀與模槽26形狀相對應的樹脂密封部14。此時，於脫模膜30之第1面形成有凹凸時，該第1面之凹凸便會轉印至樹脂密封部14中曾與脫模膜30之第1面相接之面。
模具之加熱溫度即硬化性樹脂40之加熱溫度以100~185℃為佳，150~180℃尤佳。加熱溫度只要在前述範圍之下限值以上，半導體封裝件1之生產性即佳。加熱溫度只要在前述範圍之上限值以下，便可抑制硬化性樹脂40之劣化。
從抑制硬化性樹脂40之熱膨脹率造成樹脂密封部14之形狀變化的觀點看來，在尤其力求保護半導體封裝件1的情況下，在前述範圍內宜以盡可能低的溫度來加熱。
步驟(α5)：
將固定上模20、模槽底面構件22及可動下模24開模，取出整批密封體。
將整批密封體脫模的同時，將脫模膜30使用完畢的部分送至捲取輥(省略圖示)，並將脫模膜30未使用的部分從捲出輥(省略圖示)送出。
從捲出輥朝捲取輥搬送時，脫模膜30之厚度在16μm以上為佳。厚度低於16μm時，於脫模膜30搬送時容易發生皺痕。一旦於脫模膜30發生皺痕，便有皺痕轉印至樹脂密封部14而成為不良製品之虞。厚度只要在16μm以上，便可對脫模膜30充分賦予張力，藉此可抑制皺痕之發生。
步驟(α6)：
將從模具內取出之整批密封體的基板10及樹脂密封部14切斷以使多數個半導體晶片12分離(單片化)而獲得單片化密封體，該單片化密封體具有基板10、至少1個半導體晶片12及用以密封半導體晶片12之樹脂密封部。
單片化可藉由公知方法進行，可舉如切割法。切割法係一邊使切割刀並一邊將對象物切斷之方法。就切割刀而言，典型上係使用於圓盤外周燒結有鑽石粉的旋轉刃(鑽石切刀)。利用切割法之單片化例如可藉由將切斷對象物之整批密封體藉由夾具固定於處理台上，在切斷對象物之切斷區域與前述夾具之間有插入切割刀之空間的狀態下使前述切割刀行進之方法來進行。
在步驟(α6)中，如前述於切斷整批密封體之步驟(切斷步驟)後可含有異物除去步驟，其係從噴嘴朝向前述切斷對象物供給液體並同時使前述處理台移動，該噴嘴係配置在遠離覆蓋前述切割刀之外殼的位置上。
步驟(α7)：
為了於步驟(α6)中所得單片化密封體之樹脂密封部14的上面(曾與脫模膜30之第1面相接之面)14a顯示任意的資訊，係塗佈印墨形成印墨層16而獲得半導體封裝件1。
藉由印墨層16顯示之資訊並無特別限定，可舉如與序號、製造廠商相關之資訊及零件類別等。
印墨之塗佈方法並無特別限定，例如可適用噴墨法、網版印刷、從橡膠版之轉印等各種印刷法。
就印墨而言並無特別限定，可從公知之印墨中適宜選擇。
以印墨層16之形成方法來說，在硬化速度快速且在封裝件上之滲入少，又因不吹熱風而少有封裝件位移等的觀點下，以使用光硬化型印墨並藉由噴墨法使該印墨附著於樹脂密封部14之上面14a，藉由光照射使該印墨硬化之方法為佳。
就光硬化型印墨而言，典型上可使用含有聚合性化合物(單體、寡聚物等)者。於印墨中可因應需求添加顏料、染料等色材、液體介質(溶劑或分散媒)、聚合抑制劑、光聚合引發劑及其他各種添加劑等。就其他添加劑而言，可舉如滑劑、聚合促進劑、滲透促進劑、濕潤劑(保濕劑)、固定劑、防霉劑、防腐劑、抗氧化劑、放射線吸收劑、螫合劑、pH調整劑、增黏劑等。
就將光硬化型印墨硬化之光來說，可舉如紫外線、可見光線、紅外線、電子射線、放射線等。
以紫外線之光源來說，可舉如殺菌燈、紫外線用螢光燈、碳弧、氙燈、複製用高壓水銀燈、中壓或高壓水銀燈、超高壓水銀燈、無電極燈、金屬鹵素燈、紫外線發光二極體、紫外線雷射二極體、自然光等。
光照射可在常壓下進行亦可在減壓下進行。又，可在空氣中進行亦可在氮氣體環境、二氧化碳氣體環境等非活性氣體環境下進行。
又，在本實施形態中係顯示依序於步驟(α5)後進 行步驟(α6)、步驟(α7)之例，惟亦可以相反順序進行步驟(α6)、步驟(α7)。即，可於已從模具取出之整批密封體之樹脂密封部中曾與前述脫模膜相接之面上使用印墨形成印墨層後，切斷整批密封體之前述基板及前述樹脂密封部。
(第2實施形態)
就半導體封裝件之製造方法的其他實施形態，針對藉由方法(β)來製造圖1所示半導體封裝件1之情況詳細說明。
模具：
就第2實施形態之模具可使用公知作為使用於轉注成形法之模具。可舉如圖5所示之具有上模50及下模52之模具。於上模50形成有形狀與將在步驟(β4)中形成之樹脂密封部14形狀相對應的模槽54、及將硬化性樹脂40導至模槽54的凹狀樹脂導入部60。於下模52形成有用以設置搭載有半導體晶片12之基板10的基板設置部58、及用以配置硬化性樹脂40之樹脂配置部62。又，於樹脂配置部62內設置有用以將硬化性樹脂40擠壓至上模50之樹脂導入部60的柱塞64。
步驟(β1)：
如圖6所示，將脫模膜30配置成覆蓋上模50之模槽54。脫模膜30以配置成覆蓋模槽54及樹脂導入部60整體為佳。脫模膜30係藉由捲出輥(省略圖示)及捲取輥(省略圖示)而被拉伸，因此可在被拉伸的狀態下將其配置成覆蓋上模50之模槽54。
步驟(β2)：
如圖7所示，透過形成於上模50之模槽54外部的溝(省略圖示)進行真空吸引以減壓脫模膜30與模槽面56間之空間、及脫模膜30與樹脂導入部60之內壁間之空間，使脫模膜30拉伸變形而真空吸附於上模50之模槽面56。
又，依脫模膜30在高溫環境下的強度、厚度、及模槽54之形狀，脫模膜30未必會密著於模槽面56。如圖7所示，在步驟(β2)之真空吸附階段中，於脫模膜30與模槽面56之間會殘留有少許的空隙。
步驟(β3)：
如圖8所示，將已安裝有多數個半導體晶片12之基板10設置於基板設置部58，並使上模50及下模52合模而將多數個半導體晶片12配置於模槽54內之預定位置上。又，預先於樹脂配置部62之柱塞64上配置硬化性樹脂40。
就硬化性樹脂40來說，可舉如與方法(α)中所列舉之硬化性樹脂40相同者。
步驟(β4)：
如圖9所示，將下模52之柱塞64上推並透過樹脂導入部60將硬化性樹脂40充填至模槽54內。接著將模具加熱使硬化性樹脂40硬化而形成用以密封多數個半導體晶片12之樹脂密封部14。
在步驟(β4)中，係藉由將硬化性樹脂40充填至模槽54內，以樹脂壓力將脫模膜30進一步壓入模槽面56側並將之拉伸變形而密著於模槽面56。所以，可形成形狀與模槽54形狀相對應的樹脂密封部14。
使硬化性樹脂40硬化時的模具加熱溫度即硬化性樹脂40的加熱溫度宜與方法(α)中之溫度範圍為相同範圍。
硬化性樹脂40充填時的樹脂壓力以2~30MPa為佳，且以3~10MPa尤佳。樹脂壓力只要在前述範圍之下限值以上，便難以發生硬化性樹脂40充填不足等缺點。樹脂壓力只要在前述範圍之上限值以下，便容易獲得品質優異的半導體封裝件1。硬化性樹脂40之樹脂壓力可藉由柱塞64調整。
步驟(β5)：
如圖10所示，從模具取出整批密封體1A。此時，在樹脂導入部60內硬化性樹脂40硬化而成的硬化物19係在附著於整批密封體1A之樹脂密封部14的狀態下與整批密封體1A一起從模具取出。所以，將所取出之附著於整批密封體1A的硬化物19切除即可獲得整批密封體1A。
步驟(β6)：
將步驟(β5)中所得之整批密封體1A之基板10及樹脂密封部14切斷以使半導體晶片12分離(單片化)而獲得單片化密封體，該單片化密封體具有基板10、至少1個半導體晶片12及用以密封半導體晶片12之樹脂密封部。
步驟(β6)可以與步驟(α6)同樣的方式進行。
步驟(β7)：
為了於所得單片化密封體之樹脂密封部14之上面(曾與脫模膜30之第1面相接之面)14a顯示任意的資訊，塗佈印墨形成印墨層16而獲得半導體封裝件1。
步驟(β7)可以與步驟(α7)同樣的方式進行。
又，在本實施形態中係顯示於步驟(β5)後依序進行步驟(β6)、步驟(β7)之例，惟亦可以相反順序進行步驟(β6)、步驟(β7)。即，亦可於已從模具取出之整批密封體之樹脂密封部中曾與前述脫模膜相接之面上使用印墨形成印墨層後，將整批密封體之前述基板及前述樹脂密封部切斷。
以上係針對本發明之半導體封裝件之製造方法顯示第1~第2實施形態加以說明，惟本發明不受上述實施形態限定。上述實施形態中之各構成及該等組合等僅為一例，可在不脫離本發明主旨之範圍內進行構成之附加、省略、置換及其他變更。
例如，可製造之半導體封裝件不限於半導體封裝件1。例如，可為半導體晶片或其他零件從密封部露出並直接與脫模膜相接。或可密封部未呈平坦而有段差。
從脫模膜剝離樹脂密封部的時序不限於從模具取出樹脂密封部時，亦可從模具將脫模膜與樹脂密封部一起取出後從樹脂密封部剝離脫模膜。
將整批密封之多數個半導體晶片12彼此間的距離可為均等亦可為不均等。從可使密封為均質且對多數個半導體晶片12彼此均等地賦予負荷(即負荷最小)的觀點看來，以使多數個半導體晶片12彼此間的距離均等為佳。
又，藉由本發明之半導體封裝件之製造方法製造之半導體封裝件不限於半導體封裝件1。例如可為半導體晶片或其他零件從密封部露出並直接與脫模膜相接。或可密 封部未呈平坦而有段差。
依照欲製造之半導體封裝件，亦可未進行第1實施形態中之步驟(α6)~(α7)及第2實施形態中之步驟(β6)~(β7)。
例如，樹脂密封部之形狀不限於如圖1所示之截面略矩形。密封於樹脂密封部之半導體元件可為1個或可為多數個。印墨層亦非必須。
製造發光二極體作為半導體封裝件時，樹脂密封部亦可作為透鏡部發揮功能，因此一般不會於樹脂密封部表面形成印墨層。在透鏡部的情況下，樹脂密封部之形狀可採用略半球型、砲彈型、菲涅耳透鏡型、半柱型、略半球透鏡陣列型等各種透鏡形狀。
實施例
以下，顯示實施例來詳細說明本發明。惟，本發明不受以下記載限定。
後述之例1~29中，例1~9及例18~23為實施例，例10~15、17及例24~29為比較例。例16為參考例。
各例中所使用之材料及評估方法顯示於下。
[使用材料]
ETFE(1)：後述製造例1中所得四氟乙烯/乙烯/PFBE=52.7/45.9/1.4(莫耳比)之ETFE(MFR：12.0g/10分、熔點：262℃)。
ETFE(2)：後述製造例2中所得四氟乙烯/乙烯/PFBE=52.7/46.5/0.8(莫耳比)之ETFE(MFR10.1g/10分、熔點：268℃)。
ETFE(3)：後述製造例3中所得四氟乙烯/乙烯/PFBE=52.7/45.8/1.5(莫耳比)之ETFE(MFR：5.4g/10分、熔點：261℃)。
又，ETFE(1)~(3)之MFR均係依照ASTM D3159在荷重49N、測定溫度297℃下所測定之值。
<製造例1：ETFE(1)之製造>
將內容積1.3L之附攪拌機之聚合槽脫氣後，饋入1-氫十三氟己烷881.9g、1,3-二氯-1,1,2,2,3-五氟丙烷(商品名「AK225cb」旭硝子公司製；以下稱為AK225cb)335.5g、CH2=CHCF2CF2CF2CF3(PFBE)7.0g並壓入TFE 165.2g、乙烯(以下稱為E)9.8g，將聚合槽內升溫至66℃後饋入作為聚合引發劑溶液的過氧三甲基乙酸三級丁酯(以下稱為PBPV)1質量%之AK225cb溶液7.7mL，以使聚合開始。
聚合中為了使壓力恆定而連續饋入了TFE/E=54/46莫耳比的單體混合氣體。又，配合單體混合氣體之饋入，連續饋入相對於TFE與E之合計莫耳數為相當於1.4莫耳%之量的PFBE。從聚合引發開始2.9小時後，在饋入單體混合氣體100g之時間點將聚合槽內溫降溫至室溫並且將聚合槽之壓力釋放至常壓。
以玻璃濾器吸引過濾漿料，回收固體成分並在150℃下乾燥15小時而獲得ETFE(1)107g。
<製造例2：ETFE(2)之製造>
分別將開始聚合前饋入之PFBE之量從7.0g變更成3.9g、將PBPV 1質量%之AK225cb溶液量從7.7mL變更成 5.8mL，並將聚合中連續饋入之PFBE量從相對於TFE與E之合計莫耳數為1.4莫耳%變更成0.8莫耳%，除此以外以與製造例1同樣的方法獲得ETFE(2)105g。
<製造例3：ETFE(3)之製造>
分別將開始聚合前饋入之1-氫十三氟己烷之量從881.9gg變更成954.9g、將AK225cb之量從335.5g變更成267.8g、將PFBE之量從7.0g變更成7.1g、將TFE之量從165.2g變更成158.5g、將E之量從9.8g變更成9.4g，並將聚合中連續饋入之PFBE量從(相對於TFE與E之合計莫耳數)1.4莫耳%變更成1.5莫耳%，除此以外以與製造例1同樣的方法獲得ETFE(3)102g。
<抵壓輥>
抵壓輥係使用成型輥。
全部使用蕭氏D硬度50且含二氧化矽之聚矽氧橡膠皮輥。
成型輥1~8之組成、Ra、及RPc顯示於表1。
<冷卻輥>
使用成型輥1~8中任一者或金屬鏡面輥(材質：SUS304 Ra：0.25、RPc：55)。
[例1]
將ETFE(1)藉由已將模唇調整成厚度成為50μm之擠壓機以塑模擠壓後，調整溫度使被輥件捲收瞬前的樹脂溫度成為300℃以進行熔融擠壓，並將之捲收於成型輥及金屬鏡面之冷卻輥間。將參數調整如下述而獲得單面為Ra：1.7μm、RPc：100的脫模膜(ETFE薄膜)。藉由冷卻輥形成之面的Ra為0.2μm且RPc為50。
製造條件
輥件：成型輥1/金屬鏡面輥
輥間加壓力：50N/cm
300℃下之熔融黏度：1,000Pa．s
300℃下之熔融黏度/輥間加壓力：20
[例2~29]
作為ETFE係使用表2~5中所示者，並調整成型輥、製膜速度、輥間加壓力使厚度、單面之Ra、RPc成為如表2~5所示之值，除此以外以與例1同樣的方式獲得脫模膜(ETFE薄膜)。又，Ra為0.2μm且RPc為50之面係藉由冷卻輥所形成之面。
[評估方法]
(MFR)
依照ASTM D3159，在荷重49N、297℃下進行測定。
(熔點)
使用掃描型示差熱分析器(SII NANOTECHNOLOGY公司製、DSC220CU)，從在空氣氣體環境下以10℃/分下將 ETFE加熱至300℃時的吸熱峰值求算。
(樹脂溫度)
於被塑模擠壓並由2支輥件捲收瞬前之位置上設置樹脂溫度感應器GRMT(Danisco公司製)，使其直接接觸於溫度計來測定熔融樹脂之溫度。
(熔融黏度)
使用Capillograph 1D(東洋精機公司製)進行測定。測定溫度係設為以上述方法所測定之樹脂溫度，並使用爐體徑為9.55mm且毛細管為內徑1mm、長度10mm之物。調整活塞速度以使剪切速度為10/秒並求出此時的表觀黏度。
(薄膜厚度之測定)
依照ISO4591：1992(JIS K7130：1999之B1法)進行測定。
(薄膜之拉伸彈性係數測定)
以依照JIS K7127：1999(ISO 527-3：1995)之方法測定180℃下的拉伸彈性係數。
(Ra)
Ra係依照JIS B0601：2013(ISO4287：1997,Amd.1：2009)進行測定。基準長度(截止值λc)係設為0.8mm。測定時係使用SURFCOM 480A(東京精密公司製)，針對薄膜製造時與流動方向呈正交之方向上3處及呈平行之方向上3處合計6處來求算Ra，並以該等之平均值作為該表面之Ra。
(RPc)
RPc係依照JIS B0601：2013(ISO4287：1997,Amd.1：2009)進行測定。基準長度設為10mm。測定時係使用 SURFCOM 480A(東京精密公司製)，針對薄膜製造時與流動方向呈正交之方向上3處及呈平行之方向上3處合計6處來求算RPc，並以該等之平均值作為該表面之RPc。
(針孔開口難度之評估)
參照圖11來說明本評估方法。
使用於本評估之裝置具備中央具有11mm×11mm正方形之孔的不鏽鋼製框材(厚度3mm)70、內部具有可收納框材70之空間S的夾具72、配置於夾具72上方的砝碼74、及配置於夾具72下方的加熱板76。
夾具72具備上部構件72A及下部構件72B。將脫模膜30夾於上部構件72A與下部構件72B之間並載置砝碼74藉以固定脫模膜30，同時使其成為形成氣密的空間S之規格。此時，框材70係在孔中收納有不鏽鋼製剛模(10.5mm×10.5mm)78及不鏽鋼製網狀物(10.5mm×10.5mm)80的狀態下，被收納於夾具72內之上部構件72A側而與脫模膜30相接。
於上部構件72A之上表面形成有排氣口84，並於排氣口84之空間S側的開口面配置有不鏽鋼製網狀物(10.5mm×10.5mm)82。又，於與砝碼74之排氣口84相對應之位置上形成有貫通孔86，而配管L1則係透過貫通孔86與排氣口84相連接。於配管L1連接有真空泵(省略圖示)，可藉由使真空泵驅動而將夾具72內之空間S減壓。於下部構件72B連接有配管L2，藉由配管L2可對夾具72內之空間S供給壓縮空氣。
在該裝置中，藉由將網狀物80置入框材70之孔中，可 以真空泵排除脫模膜30與剛模78間之空氣。又，藉由改變置入框材70之孔中的剛模78之厚度，可改變追隨深度。追隨深度係表示框材70之下面(脫模膜30接觸之面)與剛模78之下面(脫模膜30側之面)間的距離。
在評估中，首先使脫模膜30密著於框材70並固定於夾具72。此時，脫模膜30係配置成第2面朝向上側(框材側)。接著以加熱板76將夾具72整體加熱至180℃後，使真空泵驅動排除剛模78與脫模膜30間之空氣。再從配管L2對空間S內供給壓縮空氣(0.5MPa)，使脫模膜30追隨框材70及剛模78。其狀態維持3分鐘並檢查真空泵之真空度後，停止真空泵之驅動及壓縮空氣之供給並快速取出脫模膜30。針對取出之脫模膜30以目測確認針孔之有無。
一邊藉由改變剛模78之厚度以0.1mm間隔階段性的加深追隨深度並一邊重複上述一連串操作直至於脫模膜30有針孔開口，來求得未有針孔開口之最大追隨深度(mm)。最大追隨深度愈深表示愈難有針孔開口。
(皺痕發生難度之評估)
參照圖12來說明本評估方法。
在本評估中所使用之模具具有金屬製固定下模(20mm×20mm)90及配置於固定下模90周緣之金屬製的框狀可動橫模92。在該模具中，可藉由使可動橫模92上下移動來改變固定下模90與可動橫模92之段差。又，該段差係表示固定下模90之上面與可動橫模92之上面間的距離。
可動橫模92係採取夾取固定脫模膜30之規格。
於固定下模90形成有排氣口(省略圖示)，於該排氣口則連接有配管L3。於該配管L3連接有真空泵(省略圖示)，藉由使真空泵驅動以吸引脫模膜30與固定下模90間之空氣，可使脫模膜30吸附於固定下模90。固定下模90之上面(脫模膜30接觸之面)業經鏡面加工(#800)。
在評估中，首先如圖12(a)所示，將脫模膜30配置固定於可動橫模92上。此時，脫模膜30係配置成使第2面朝向下側(固定下模90方向)。該時間點之固定下模90與可動橫模92的段差係設為1mm。
接下來，將包含固定下模90之模具整體配置於加熱板(省略圖示)上並加熱至180℃。如圖12(b)所示，在此狀態下使真空泵驅動，透過配管L3排除固定下模90之上面與脫模膜30間之空氣，以將脫模膜30真空吸附於固定下模90之上面。
接著如圖12(c)所示，在已加熱至180℃之狀態下使可動橫模92下降，使固定下模90與可動橫模92之段差成為0.3mm(脫模膜30剩餘之方向)。此時於固定下模90之上面以目測觀察是否有於脫模膜30產生皺痕或空氣排除後所餘空間(空隙)。從其結果，以下述評估基準來評估皺痕的發生難度。
<評估基準>
○(良好)：未於脫模膜觀察到皺痕或空氣排除後所餘空間。
×(不可)：於脫模膜觀察到皺痕或空氣排除後所餘空間。
針對例1~17中所得脫模膜，將以其成型輥所形成之面作為第2面並將以抵壓輥所形成之面作為第1面使用來進行上述評估，而評估出針孔之開口難度(最大追隨深度)及皺痕之發生難度。結果顯示於表2、3。
[表2]
如上述結果所示，在厚度為40~75μm且第2面之Ra為1.3~2.5μm、RPc為80~200之例1~9的脫模膜係最大追隨深度在0.6mm以上且於追隨模具時難以有針孔開口者。又，該等脫模膜於追隨模具時難以發生皺痕。
另一方面，Ra超過2.5μm之例10的脫模膜及第2面之RPc超過200之例12、14、15的脫模膜係於追隨模具時容易有針孔開口者。
Ra低於1.3μm之例11、17的脫模膜及RPc低於80之例13的脫模膜係於追隨模具時容易發生皺痕者。又，在第2面具有凹凸之脫模膜中，在薄膜很薄的情況下於追隨模具時容易發生皺痕(例16)。
(評估試樣之製作)
於15cm×15cm的正方形金屬板(厚度3mm)上載置大小15cm×15cm的正方形聚醯亞胺薄膜(商品名：Upilex 125S、宇部興產股份有限公司製、厚度125μm)。於該聚醯亞胺上作為分隔件另外載置15cm×15cm之正方形且於中央開有一10cm×8cm之長方形孔的聚醯亞胺薄膜(厚度3mm)。於其孔之中心附近載置2g半導體密封用環氧顆粒樹脂(商品名：SUMIKON EME G770H type F ver.GR、住友Bakelite公司製、成形收縮率1.0%)。更於其上載置15cm×15cm的正方形脫模膜並使第1面朝向下側(環氧樹脂側)，最後於其上載置15cm×15cm的正方形金屬板(厚度3mm)，製成積層試樣。
將該積層試樣放入已在180℃下加熱之壓製機(50t壓製機、壓製面積45cm×50cm)，在100kg/cm2之壓力下壓製5分 鐘。
壓製後，除去分隔件、脫模膜、及脫模膜側之金屬板。藉此獲得由金屬板及環氧樹脂板積層而成的評估試樣。
(印墨密著性之評估)
將紫外線(UV)硬化型印墨(產品型號：4466、Markem Imaje公司製)以乙酸乙酯稀釋3倍。將已稀釋之印墨使用棒塗機#3塗佈於評估試樣之環氧樹脂面(評估試樣製作時曾與脫模膜之第1面接觸之面)。塗佈量設為1g/m2。塗佈後，將評估試樣放入100℃之熱風烘箱乾燥3分鐘。
將塗佈上述印墨且已乾燥之評估試樣於UV照射裝置中在10秒鐘、3kW之條件下照射UV，使印墨硬化而形成印墨層。
依據ISO2409(JIS K5600-5-6-2009)評估所形成之印墨層相對於環氧樹脂面的密著性。從其結果，以下述基準來評估印墨密著性。◎及○係實用上可允許之評估基準。
◎(優良)：任一方格之網目均未剝離。
○(良好)：於一部分方格發現剝離。
△(不良)：於50%以上之方格發現剝離。
×(不可)：全面發現剝離。
(分割時之缺口、破裂的評估)
從評估試樣除去金屬板並將剩餘的環氧樹脂板以切割刀(直徑Φ 5cm、厚0.1mm之鑽石切刀)切斷，水洗截面。其後在光學顯微鏡(倍率100倍)下觀察截面，以下述基準評估分割時之缺口、破裂的生成難度。
○(良好)：截面沒有缺口或破裂。
×(不可)：截面有缺口或破裂。
使用與例1~6中所使用之脫模膜為相同的脫模膜，將以其成型輥所形成之面作為第1面並將以抵壓輥所形成之面作為第2面使用而製作出上述評估試樣，並評估印墨密著性、及分割時之缺口、破裂(例18~23)。結果顯示於表4。
使用例10~16中所使用之脫模膜中皺痕發生難度之評估為○(良好)的脫模膜(例10、12、14、15)，將以其成型輥所形成之面作為第1面並將以抵壓輥所形成之面作為第2面使用而製作出上述評估試樣，並評估印墨密著性、及分割時之缺口、破裂(例24、26、28、29)。又，使用與其等不同的脫模膜，同樣地製作出上述評估試樣，並評估印墨密著性、及分割時之缺口、破裂(例25、27)。該等結果顯示於表5。
[表5]
如上述結果所示，使用第1面之Ra為1.3~2.5μm且RPc為80~200之例18~23的脫模膜所形成的環氧樹脂板係印墨密著性佳且分割時難以生成缺口或破裂者。
另一方面，使用Ra超過2.5μm之例24的脫模膜所形成的環氧樹脂板係分割時容易生成缺口或破裂者。
使用Ra低於1.3μm之例25的脫模膜所形成的環氧樹脂板則印墨密著性不夠充分。
使用RPc超過200之例26、28、29的脫模膜所形成的環氧樹脂板係分割時容易生成缺口或破裂者。
使用RPc低於80之例27的脫模膜所形成的環氧樹脂板則印墨密著性不夠充分。
產業上之可利用性
本發明之脫模膜在以硬化性樹脂密封半導體元件時，脫模性佳，且難以發生脫模膜造成樹脂密封部之外觀不良或硬化性樹脂附著於模具，又，可形成與印墨層之密著性優異的樹脂密封部。使用本發明之脫模膜可製造積成有電晶體、二極體等半導體元件之積體電路等的半導體 封裝件。
又，在此係引用已於2013年11月7日提出申請之日本專利申請案2013-231366號及日本專利申請案2013-231367號之說明書、申請專利範圍、圖式及摘要的全部內容並納入作為本發明說明書之揭示。

Claims (13)

  1. 一種脫模膜，係在半導體封裝件之製造方法中配置於模具之模槽面者，該半導體封裝件之製造方法係將半導體元件配置於模具內並以硬化性樹脂密封而形成樹脂密封部；其特徵在於：該脫模膜具有於前述樹脂密封部形成時與前述硬化性樹脂相接之第1面及與前述模槽面相接之第2面；並且，前述第1面及前述第2面之至少一面上形成有凹凸，前述形成有凹凸之面的算術平均粗度(Ra)為1.3~2.5μm，峰值計數(RPc)為80~200。
  2. 如請求項1之脫模膜，其中前述脫模膜之厚度為16~75μm。
  3. 如請求項1之脫模膜，其係於前述第2面形成有凹凸，且脫模膜之厚度為40~75μm。
  4. 如請求項1至3中任一項之脫模膜，其中前述算術平均粗度(Ra)為1.6~1.9μm。
  5. 如請求項1至4中任一項之脫模膜，其中前述峰值計數(RPc)為100~130。
  6. 如請求項1至5中任一項之脫模膜，其係由氟樹脂所構成。
  7. 如請求項6之脫模膜，其中前述氟樹脂為乙烯/四氟乙烯共聚物。
  8. 如請求項7之脫模膜，其中前述乙烯/四氟乙烯共聚物係 由以四氟乙烯為主體之單元、以乙烯為主體之單元、以及以四氟乙烯及乙烯以外的第3單體為主體之單元所構成；前述乙烯/四氟乙烯共聚物中，以四氟乙烯為主體之單元與以乙烯為主體之單元的莫耳比(TFE/E)為80/20~40/60。
  9. 如請求項8之脫模膜，其中相對於前述乙烯/四氟乙烯共聚物中總單元之合計，以前述第3單體為主體之單元的比率為0.01~20莫耳%。
  10. 如請求項9之脫模膜，其中前述第3單體為(全氟丁基)乙烯，且相對於前述乙烯/四氟乙烯共聚物中總單元之合計，以前述(全氟丁基)乙烯為主體之單元的比率為0.5~4.0莫耳%。
  11. 如請求項7至10中任一項之脫模膜，其中前述乙烯/四氟乙烯共聚物依據ASTM D3159所測定之MFR為2~40g/10分。
  12. 一種半導體封裝件之製造方法，該半導體封裝件具有半導體元件及由硬化性樹脂形成並用以密封前述半導體元件之樹脂密封部；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：於模具之將與前述硬化性樹脂相接之模槽面上，配置如請求項1至11中任一項之脫模膜，該脫模膜至少於第2面形成有前述凹凸，且令前述第1面朝向模槽內之空間的步驟； 將已安裝有半導體元件之基板配置於前述模槽內，並以硬化性樹脂密封該半導體元件，使該硬化性樹脂在與前述脫模膜相接之狀態下硬化，形成樹脂密封部以獲得密封體的步驟，該密封體具有基板、安裝於前述基板上之半導體元件及用以密封前述半導體元件之樹脂密封部；及將前述密封體自前述模具脫模的步驟。
  13. 一種半導體封裝件之製造方法，該半導體封裝件具有半導體元件、由硬化性樹脂形成並用以密封前述半導體元件之樹脂密封部、及形成於前述樹脂密封部表面之印墨層；該製造方法之特徵在於具有下述步驟：於模具之將與前述硬化性樹脂相接之模槽面上配置如請求項1至11中任一項之脫模膜，該脫模膜至少於第1面形成有前述凹凸，且使前述第1面朝向模槽內之空間的步驟；將已安裝有多數個半導體元件之基板配置於前述模槽內，並以硬化性樹脂將該等多數個半導體元件整批予以密封，使該硬化性樹脂在與前述脫模膜相接之狀態下硬化而形成樹脂密封部，藉此獲得整批密封體的步驟，該整批密封體具有基板、安裝於前述基板上的多數個半導體元件及用以將前述多數個半導體元件整批予以密封的樹脂密封部；將前述整批密封體之前述基板及前述樹脂密封部切斷以使前述多數個半導體元件分離，藉此獲得單片化 密封體的步驟，該單片化密封體具有基板、安裝於前述基板上之至少1個半導體元件及用以密封前述半導體元件之樹脂密封部；及於前述整批密封體或單片化密封體之樹脂密封部中曾與前述脫模膜相接之面上使用印墨而形成印墨層的步驟。
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