KR20150103337A - 이형 필름, 및 반도체 패키지의 제조 방법 - Google Patents

이형 필름, 및 반도체 패키지의 제조 방법 Download PDF

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KR20150103337A
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Abstract

두께가 얇아도, 금형의 캐비티면에 밀착시킬 때에 주름 및 핀홀이 잘 발생하지 않는 이형 필름, 싱귤레이션 공정에서 결락이나 균열이 잘 발생하지 않고, 또한 잉크층과의 밀착성이 우수한 수지 봉지부를 형성할 수 있는 이형 필름, 및 그 이형 필름을 사용한 반도체 패키지의 제조 방법의 제공. 반도체 소자를 금형 내에 배치하고, 경화성 수지로 봉지하여 수지 봉지부를 형성하는 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서 금형의 캐비티면에 배치되는, 이형 필름으로서, 상기 수지 봉지부의 형성시에 상기 경화성 수지와 접하는 제 1 면과, 상기 캐비티면과 접하는 제 2 면을 갖고, 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면의 적어도 일방의 면에 요철이 형성되어 있고, 상기 요철이 형성되어 있는 면의 산술 평균 거칠기 (Ra) 가 1.3 ∼ 2.5 ㎛, 피크 카운트 (RPc) 가 80 ∼ 200 인 것을 특징으로 하는 이형 필름.

Description

이형 필름, 및 반도체 패키지의 제조 방법{MOLD RELEASE FILM AND SEMICONDUCTOR PACKAGE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 반도체 소자를 금형 내에 배치하고, 경화성 수지로 봉지하여 수지 봉지부를 형성하는 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서, 금형의 캐비티면에 배치되는 이형 필름, 및 그 이형 필름을 사용한 반도체 패키지의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 패키지는, 반도체 소자를 보호하는 수지 봉지부를 갖는다. 수지 봉지부의 형성 (반도체 소자의 봉지) 에는, 에폭시 수지 등의 열경화성 수지 등의 경화성 수지가 사용된다.
반도체 패키지의 제조 방법으로는, 예를 들어, 반도체 소자가 실장된 기판을, 그 반도체 소자가 금형의 캐비티 내의 소정의 장소에 위치하도록 배치하고, 캐비티 내에 경화성 수지를 충전하여 수지 봉지부를 형성하는, 이른바 압축 성형법 또는 트랜스퍼 성형법에 의한 봉지 공정을 포함하는 방법이 알려져 있다. 그 방법에 있어서는, 통상적으로, 수지 봉지부와 금형의 고착을 방지하기 위해서, 금형의 캐비티면에 이형 필름이 배치된다.
반도체 패키지의 제조 방법의 하나로서, 기판에 복수의 반도체 소자를 실장하고, 그들 반도체 소자를 경화성 수지로 일괄 봉지하여, 기판과 복수의 반도체 소자와 수지 봉지부를 갖는 일괄 봉지체를 얻는 공정 (일괄 봉지 공정) 과, 복수의 반도체 소자가 분리되도록 일괄 봉지체의 수지 봉지부 및 기판을 절단, 개편화하여 복수의 반도체 패키지를 얻는 공정 (싱귤레이션 공정) 을 거치는 방법이 있다 (예를 들어 특허문헌 1). 이 방법은, 생산성이 우수한 점에서 널리 사용되고 있다.
반도체 소자의 봉지 공정에서는, 경화성 수지와 금형의 고착을 방지하기 위해서, 금형의 캐비티면에 이형 필름을 배치하는 경우가 있다. 특히 복수의 반도체 소자를 일괄 봉지하는 경우, 1 개의 반도체 소자를 1 개의 캐비티로 봉지하는 경우에 비하여 캐비티가 대형화, 복잡화하여 수지 봉지부가 잘 이형되지 않게 되는 경향이 있기 때문에, 이형 필름을 사용하는 경우가 많다.
봉지시, 이형 필름은, 진공 흡인에 의해 금형의 캐비티면을 따라 연장되어, 캐비티면에 밀착한 상태가 된다. 이 때, 연장되는 도중에 공기가 완전하게 빠지지 않은 상태에서 이형 필름이 캐비티면에 밀착하여, 이형 필름과 캐비티면 사이에 부분적으로 공기 고임이 형성되고, 그 부분에서 이형 필름에 주름이 발생하는 경우가 있다. 이형 필름에 주름이 있으면, 수지 봉지부의 표면에 이형 필름 표면의 주름의 형상이 전사되어 외관 불량이 되어, 수율이 저하한다.
이와 같은 문제에 대하여, 이형 필름의 적어도 일방의 면의 표면 거칠기 Rz 를 3.0 ㎛ 이상으로 하는 것이 제안되어 있다 (특허문헌 2). 표면 거칠기 Rz 가 3.0 ㎛ 이상인 면이 금형측에 접하도록 이형 필름을 금형에 장착함으로써, 주름의 발생을 방지할 수 있는 것으로 여겨지고 있다.
또한, 반도체 패키지의 제조에 있어서는, 통상적으로, 형성한 수지 봉지부의 표면에, 제품 번호, 메이커 등의 정보를 표시하기 위해서, 잉크를 사용한 인쇄에 의해 잉크층을 형성하는 것이 실시된다.
수지 봉지부와 잉크층의 밀착성이 낮으면, 시간 경과적으로 수지 봉지부로부터의 잉크층의 박리가 발생한다.
수지 봉지부와 잉크층의 밀착성을 높이기 위해서, 수지에 접하는 표면에 요철을 형성하여 표면 거칠기를 크게 한 이형 필름을 사용하고, 그 요철이 경화성 수지측을 향하도록 금형에 배치하여 수지 봉지부를 형성하는 것이 제안되어 있다 (예를 들어 특허문헌 3). 이 경우, 이형 필름의 수지에 접하는 표면의 요철이 수지 봉지부의 표면에 전사된다. 그 요철이 존재함으로써, 수지 봉지부에 대한 잉크층의 밀착성이 향상된다.
일본 공개특허공보 2006-237187호 일본 공개특허공보 2002-359259호 일본 특허 제3970464호
최근, 웨이퍼 레벨 패키지 등의 대형 패키지가 증가하여, 금형과 이형 필름의 접촉 면적이 증가하고 있다. 그에 수반하여, 이형 필름을 금형의 캐비티면에 밀착시킬 때에 주름이 발생하기 쉬워지고 있다.
이형 필름의 금형의 캐비티면과 접하는 면의 표면 거칠기를 크게 하면 주름은 잘 발생하지 않게 되는 것으로 생각된다. 그러나, 본 발명자들의 검토에 의하면, 금형의 캐비티면과 접하는 면의 표면 거칠기를 단순하게 크게 하면, 이형 필름에 핀홀이 발생하기 쉬워지는 문제가 있다. 예를 들어 모서리가 있는 캐비티의 경우, 모서리 부분에서 이형 필름이 크게 연장되어, 핀홀이 발생하기 쉽다. 이형 필름에 핀홀이 생기면, 그 부분으로부터 경화성 수지가 누출되어 금형의 캐비티면에 부착한다. 금형에 부착한 경화성 수지는, 그 후, 다른 반도체 소자를 봉지할 때에 수지 봉지부의 외관 불량을 일으킨다. 이것을 방지하기 위해서 금형의 세정 등이 필요해져, 반도체 패키지의 생산성이 저하한다.
금형의 캐비티면과 접하는 면의 표면 거칠기를 크게 함과 함께 이형 필름의 두께를 두껍게 하면, 주름, 핀홀 모두 잘 발생하지 않게 되는 것으로 생각된다. 그러나 이형 필름의 두께가 두꺼워지면, 금형의 캐비티의 형상에 대한 추종성이 저하한다. 추종성이 낮으면 캐비티의 형상이 정확하게 수지 봉지부에 반영되지 않고, 불량품이 되어 수율이 저하한다. 또한, 원료 비용도 증가하여, 경제적으로 바람직하지 않다.
또한, 수지 봉지부의 표면에 잉크층을 형성하는 경우, 수지와 접하는 표면에 요철을 형성하여 표면 거칠기를 크게 한 이형 필름을 사용하면, 표면 거칠기가 클수록, 수지 봉지부에 대한 잉크층의 밀착성이 향상되는 것으로 생각된다.
그러나, 본 발명자들의 검토에 의하면, 일괄 봉지 공정과 싱귤레이션 공정을 거쳐 반도체 패키지를 제조하는 경우에, 수지와 접하는 표면에 요철이 있는 이형 필름을 사용하면, 표면이 평활한 이형 필름을 사용하는 경우에 비하여, 싱귤레이션 공정에서 수지 봉지부 및 기판을 절단할 때에 수지 봉지부의 결락이나 균열이 발생하기 쉬운 것이 판명되었다. 수지 봉지부에 대한 잉크층의 밀착성을 향상시키기 위하여 이형 필름의 표면 거칠기를 크게 할수록, 수지 봉지부의 결락이나 균열은 현저해진다.
본 발명은, 두께가 얇아도, 금형의 캐비티면에 밀착시킬 때에 주름 및 핀홀이 잘 발생하지 않는 이형 필름, 및 그 이형 필름을 사용한 반도체 패키지의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 또한, 수지 봉지부의 표면에 잉크층을 형성하는 경우에 싱귤레이션 공정에서 결락이나 균열이 잘 발생하지 않고, 또한 잉크층과의 밀착성이 우수한 수지 봉지부를 형성할 수 있는 이형 필름, 및 그 이형 필름을 사용한 반도체 패키지의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 이하의 [1] ∼ [13] 의 구성을 갖는 이형 필름, 및 반도체 패키지의 제조 방법을 제공한다.
[1] 반도체 소자를 금형 내에 배치하고, 경화성 수지로 봉지하여 수지 봉지부를 형성하는 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서 금형의 캐비티면에 배치되는, 이형 필름으로서,
상기 수지 봉지부의 형성시에 상기 경화성 수지와 접하는 제 1 면과, 상기 캐비티면과 접하는 제 2 면을 갖고,
상기 제 1 면 및 상기 제 2 면의 적어도 일방의 면에 요철이 형성되어 있고, 상기 요철이 형성되어 있는 면의 산술 평균 거칠기 (Ra) 가 1.3 ∼ 2.5 ㎛, 피크 카운트 (RPc) 가 80 ∼ 200 인 것을 특징으로 하는 이형 필름.
[2] 상기 이형 필름의 두께가 16 ∼ 75 ㎛ 인, [1] 의 이형 필름.
[3] 상기 제 2 면에 요철이 형성되어 있고, 이형 필름의 두께가 40 ∼ 75 ㎛ 인, [1] 의 이형 필름.
[4] 상기 산술 평균 거칠기 (Ra) 가 1.6 ∼ 1.9 ㎛ 인, [1] ∼ [3] 의 어느 하나의 이형 필름.
[5] 상기 피크 카운트 (RPc) 가 100 ∼ 130 인, [1] ∼ [4] 의 어느 하나의 이형 필름.
[6] 불소 수지로 이루어지는, [1] ∼ [5] 의 어느 하나의 이형 필름.
[7] 상기 불소 수지가, 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체인, [6] 의 이형 필름.
[8] 상기 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체가, 테트라플루오로에틸렌에 기초하는 단위와, 에틸렌에 기초하는 단위와, 테트라플루오로에틸렌 및 에틸렌 이외의 제 3 모노머에 기초하는 단위로 이루어지고,
상기 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체 중의 테트라플루오로에틸렌에 기초하는 단위와 에틸렌에 기초하는 단위의 몰비 (TFE/E) 가 80/20 ∼ 40/60 인, [7] 의 이형 필름.
[9] 상기 제 3 모노머에 기초하는 단위의 비율이, 상기 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체에 있어서의 전체 단위의 합계에 대하여 0.01 ∼ 20 몰％ 인, [8] 의 이형 필름.
[10] 상기 제 3 모노머가 (퍼플루오로부틸)에틸렌이고, 상기 (퍼플루오로부틸)에틸렌에 기초하는 단위의 비율이, 상기 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체에 있어서의 전체 단위의 합계에 대하여 0.5 ∼ 4.0 몰％ 인, [9] 의 이형 필름.
[11] 상기 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체의 ASTM D3159 에 준거하여 측정되는 MFR 이, 2 ∼ 40 g/10 분인, [7] ∼ [10] 의 어느 하나의 이형 필름.
[12] 반도체 소자와, 경화성 수지로부터 형성되고, 상기 반도체 소자를 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 반도체 패키지의 제조 방법으로서,
금형의 상기 경화성 수지가 접하는 캐비티면에, [1] ∼ [11] 의 어느 하나의 이형 필름이고 또한 적어도 제 2 면에 상기 요철이 형성되어 있는 이형 필름을, 상기 제 1 면이 캐비티 내의 공간을 향하도록 배치하는 공정과,
상기 캐비티 내에, 반도체 소자가 실장된 기판을 배치하고, 그 반도체 소자를 경화성 수지로 봉지하고, 그 경화성 수지를 상기 이형 필름에 접한 상태로 경화시켜 수지 봉지부를 형성함으로써, 기판과 상기 기판 상에 실장된 반도체 소자와 상기 반도체 소자를 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 봉지체를 얻는 공정과,
상기 봉지체를 상기 금형으로부터 이형하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.
[13] 반도체 소자와, 경화성 수지로부터 형성되고, 상기 반도체 소자를 봉지하는 수지 봉지부와, 상기 수지 봉지부의 표면에 형성된 잉크층을 갖는 반도체 패키지의 제조 방법으로서,
금형의 상기 경화성 수지가 접하는 캐비티면에, [1] ∼ [11] 의 어느 하나의 이형 필름이고 또한 적어도 제 1 면에 상기 요철이 형성되어 있는 이형 필름을, 상기 제 1 면이 캐비티 내의 공간을 향하도록 배치하는 공정과,
상기 캐비티 내에, 복수의 반도체 소자가 실장된 기판을 배치하고, 그 복수의 반도체 소자를 경화성 수지로 일괄 봉지하고, 그 경화성 수지를 상기 이형 필름에 접한 상태로 경화시켜 수지 봉지부를 형성함으로써, 기판과 상기 기판 상에 실장된 복수의 반도체 소자와 상기 복수의 반도체 소자를 일괄 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 일괄 봉지체를 얻는 공정과,
상기 복수의 반도체 소자가 분리되도록, 상기 일괄 봉지체의 상기 기판 및 상기 수지 봉지부를 절단함으로써, 기판과 상기 기판 상에 실장된 적어도 1 개의 반도체 소자와 상기 반도체 소자를 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 개편화 봉지체를 얻는 공정과,
상기 일괄 봉지체 또는 개편화 봉지체의 수지 봉지부의, 상기 이형 필름에 접하고 있던 면에, 잉크를 이용하여 잉크층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.
본 발명의 이형 필름은, 반도체 소자를 경화성 수지로 봉지하여 수지 봉지부를 형성하는 봉지 공정에 있어서, 당해 이형 필름을 금형의 캐비티면에 밀착시킬 때에, 주름 및 핀홀이 잘 발생하지 않는다. 또한, 두께가 40 ∼ 75 ㎛ 가 되면, 특히 금형에 대한 추종성이 우수한 것이 된다. 그 때문에, 본 발명의 이형 필름에 의하면, 봉지 공정에서 수지 봉지부의 외관 불량이나 금형에 대한 경화성 수지의 부착이 잘 발생하지 않아, 반도체 패키지의 생산성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서는, 반도체 소자를 경화성 수지로 봉지하여 수지 봉지부를 형성하는 봉지 공정에 있어서, 이형 필름을 금형의 캐비티면에 밀착시킬 때에, 주름 및 핀홀이 잘 발생하지 않는다. 또한, 이형 필름의 두께가 40 ∼ 75 ㎛ 가 되면, 특히 금형에 대한 추종성이 우수하다. 그 때문에, 봉지 공정에서 수지 봉지부의 외관 불량이나 금형에 대한 경화성 수지의 부착이 잘 발생하지 않는다. 따라서, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 의하면, 양호한 생산성으로 반도체 패키지를 제조할 수 있다.
또한, 형성한 수지 봉지부의 표면에, 잉크를 사용한 인쇄에 의해 잉크층을 형성하는 경우, 싱귤레이션 공정에서 결락이나 균열이 잘 발생하지 않고, 또한 잉크층과의 밀착성이 우수한 수지 봉지부를 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서는, 싱귤레이션 공정에서 수지 봉지부의 결락이나 균열이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 그 수지 봉지부에 양호한 밀착성으로 잉크층을 형성할 수 있다. 그 때문에, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 의하면, 수지 봉지부에 결락이나 균열이 없고, 잉크층이 잘 박리되지 않는 반도체 패키지를 제조할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 의해 제조하는 반도체 패키지의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2 는 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 제 1 실시형태에 있어서의 공정 (α3) 을 모식적으로 설명하는 단면도이다.
도 3 은 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 제 1 실시형태에 있어서의 공정 (α4) 를 모식적으로 설명하는 단면도이다.
도 4 는 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 제 1 실시형태에 있어서의 공정 (α4) 를 모식적으로 설명하는 단면도이다.
도 5 는 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 제 2 실시형태에 사용하는 금형의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 6 은 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 제 2 실시형태에 있어서의 공정 (β1) 을 나타내는 단면도이다.
도 7 은 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 제 2 실시형태에 있어서의 공정 (β2) 를 나타내는 단면도이다.
도 8 은 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 제 2 실시형태에 있어서의 공정 (β3) 을 나타내는 단면도이다.
도 9 는 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 제 2 실시형태에 있어서의 공정 (β4) 를 나타내는 단면도이다.
도 10 은 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법의 제 2 실시형태에 있어서의 공정 (β5) 를 나타내는 단면도이다.
도 11 은 [실시예] 에 있어서의 핀홀의 뚫기 어려움의 평가 방법을 설명하는 도면이다.
도 12 는 [실시예] 에 있어서의 주름의 발생하기 어려움의 평가 방법을 설명하는 도면이다.
본 명세서에 있어서의 「이형 필름」 은, 반도체 소자를 금형 내에 배치하고, 경화성 수지로 봉지하여 수지 봉지부를 형성하는 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서, 금형의 캐비티면에 배치되는 이형 필름이다. 예를 들어, 반도체 패키지의 수지 봉지부를 형성할 때에, 그 수지 봉지부의 형상에 대응하는 형상의 캐비티를 갖는 금형의 캐비티면을 덮도록 배치되고, 형성한 수지 봉지부와 캐비티면 사이에 위치됨으로써, 얻어진 반도체 패키지의 금형으로부터의 이형성을 높이는 필름이다.
수지에 있어서의 「단위」 는, 당해 수지를 구성하는 구성 단위 (모노머 단위) 를 나타낸다.
「불소 수지」 란, 구조 중에 불소 원자를 포함하는 수지를 나타낸다.
본 명세서에 있어서의 「산술 평균 거칠기 (Ra)」 는, JIS B0601 : 2013 (ISO4287 : 1997, Amd.1 : 2009) 에 기초하여 측정되는 산술 평균 거칠기이다. Ra 를 구할 때의, 거칠기 곡선용의 기준 길이 lr (컷오프치 λc) 은 0.8 ㎜ 로 하였다.
본 명세서에 있어서의 「피크 카운트 (RPc)」 는, JIS B0601 : 2013 (ISO4287 : 1997, Amd.1 : 2009) 에 기초하여 측정되는, 거칠기 곡선에 기초하는 피크 카운트수이고, 이하의 식 (I) 로 정의된다.
RPc = L/RSm···(I)
식 (I) 중, L 은 기준 길이를 나타내고, 10 ㎜ 이다.
RSm 은, 거칠기 곡선 요소의 평균 길이를 나타내고, JIS B0601 : 2013 (ISO4287 : 1997, Amd.1 : 2009) 에 기초하여 측정된다.
본 명세서에 있어서의 이형 필름의 두께는, ISO4591 : 1992 (JIS K7130 : 1999 의 B1 법, 플라스틱 필름 또는 시트로부터 취한 시료의 질량법에 의한 두께의 측정 방법) 에 준거하여 측정되는 값이다.
이형 필름의 180 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률은, JIS K7127 : 1999 (ISO 527-3 : 1995) 에 준거한 방법으로 측정된다. 구체적으로는, 이형 필름을 단책 형상 (시험편 타입 5) 으로 잘라낸 시험 시트에 대하여, 시트 온도 : 180 ℃, 인장 속도 : 1 ㎜/분의 조건으로 인장 시험을 실시하는 것에 의해 측정된다.
[이형 필름]
본 발명의 이형 필름은, 반도체 소자를 경화성 수지로 봉지하여 수지 봉지부를 형성하는 금형의 캐비티면에 배치되는 이형 필름으로서, 상기 수지 봉지부의 형성시에 상기 경화성 수지와 접하는 제 1 면과, 상기 캐비티면과 접하는 제 2 면을 갖는다.
즉, 본 발명의 이형 필름은, 제 1 면을 상기 금형의 캐비티 내의 공간을 향하여 배치되고, 수지 봉지부의 형성시에 경화성 수지와 접촉한다. 또한, 이 때, 제 2 면은 금형의 캐비티면에 밀착한다. 그 때문에, 이 상태로 경화성 수지를 경화시킴으로써, 금형의 캐비티의 형상에 대응한 형상의 수지 봉지부가 형성된다.
(특정한 요철이 형성되어 있는 면)
본 발명의 이형 필름의 제 1 면 및 상기 제 2 면의 적어도 일방의 면에는 특정한 요철이 형성되어 있다. 특정한 요철이 형성되어 있는 면이란 Ra 가 1.3 ∼ 2.5 ㎛ 이고 또한 RPc 가 80 ∼ 200 인 면을 말한다.
특정한 요철이 형성되어 있는 면의 형상은, 복수의 볼록부 및/또는 오목부가 랜덤으로 분포한 형상이어도 되고, 복수의 볼록부 및/또는 오목부가 규칙적으로 배열된 형상이어도 된다. 또한, 복수의 볼록부 및/또는 오목부의 형상이나 크기는, 동일해도 되고 상이해도 된다.
볼록부로는, 이형 필름의 표면에 연장되는 장척의 철(凸)조, 이형 필름의 표면에 점재하는 돌기 등을 들 수 있다. 또한, 평면 상에 오목부가 형성되어 있는 경우, 볼록부는 오목부가 형성되어 있지 않은 부분이어도 된다.
오목부로는, 이형 필름의 표면에 연장되는 장척의 홈, 이형 필름의 표면에 점재하는 구멍 등을 들 수 있다. 또한, 평면 상에 볼록부가 형성되어 있는 경우, 오목부는 볼록부가 형성되어 있지 않은 부분이어도 된다.
철조 또는 홈의 형상으로는, 직선, 곡선, 절곡 형상 등을 들 수 있다. 특정한 요철이 형성되어 있는 면에 있어서는, 복수의 철조 또는 홈이 평행하게 존재해 호상 (縞狀) 을 이루고 있어도 된다. 철조 또는 홈의, 길이 방향에 직교하는 방향의 단면 형상으로는, 삼각형 (V 자형) 등의 다각형, 반원형 등을 들 수 있다.
돌기 또는 구멍의 형상으로는, 삼각추형, 사각추형, 육각추형 등의 다각추형, 원추형, 반구형, 다면체형, 그 외 각종 부정형 등을 들 수 있다.
본 발명의 이형 필름의 특정한 요철이 형성되어 있는 면의 Ra 는 1.3 ∼ 2.5 ㎛ 이고, RPc 는 80 ∼ 200 이다. Ra 는, 1.5 ∼ 2.1 ㎛ 가 바람직하고, 1.6 ∼ 1.9 ㎛ 가 특히 바람직하다. RPc 는, 90 ∼ 150 이 바람직하고, 100 ∼ 130 이 특히 바람직하다.
특정한 요철이 형성되어 있는 면이 제 2 면, 즉 캐비티면과 접하는 면인 경우, Ra 가 1.3 ㎛ 이상, 또한 RPc 가 80 이상임으로써, 이형 필름을 금형의 캐비티면에 추종시켜 흡착시킬 때에, 이형 필름이 캐비티면을 양호하게 미끄러져, 주름이 잘 발생하지 않는다. Ra 가 1.3 ㎛ 미만이거나, 또는 RPc 가 80 미만인 경우, 요컨대 요철의 크기가 지나치게 작거나, 일정 거리 내에 존재하는 요철의 수가 지나치게 적은 경우, 이형 필름이 주름지기 쉽다.
Ra 가 2.5 ㎛ 이하, 또한 RPc 가 200 이하임으로써, 이형 필름을 금형에 추종시킬 때에, 이형 필름에 핀홀이 잘 발생하지 않고, 경화성 수지의 누출이 잘 발생하지 않는다. Ra 가 2.5 ㎛ 초과이거나, 또는 RPc 가 200 초과인 경우, 요컨대 요철의 크기가 지나치게 크거나, 일정 거리 내에 존재하는 요철의 수가 지나치게 많은 경우, 이형 필름에 핀홀이 발생하기 쉽다.
특정한 요철이 형성되어 있는 면이 제 1 면, 즉 경화성 수지와 접하는 면인 경우, Ra 가 2.5 ㎛ 이하, 또한 RPc 가 200 이하임으로써, 그 수지 봉지부를 개편화 (싱귤레이션) 할 때의 결락이나 균열의 발생을 억제할 수 있다. Ra 가 2.5 ㎛ 초과이거나, 또는 RPc 가 200 초과인 경우, 요컨대 요철의 크기가 지나치게 크거나, 일정 거리 내에 존재하는 요철의 수가 지나치게 많은 경우, 결락이나 균열이 발생하기 쉬워진다.
Ra 가 1.3 ㎛ 이상, 또한 RPc 가 80 이상임으로써, 당해 이형 필름을 이용하여 형성되는 수지 봉지부의 표면과, 그 표면에 형성되는 잉크층의 밀착성이 향상된다.
Ra 가 1.3 ㎛ 미만이거나, 또는 RPc 가 80 미만인 경우, 요컨대 요철의 크기가 지나치게 작거나, 일정 거리 내에 존재하는 요철의 수가 지나치게 적은 경우, 잉크층의 밀착성이 불충분해질 우려가 있다.
또한, 특정한 요철이 형성되어 있는 면이 제 1 면인 경우, Ra 가 1.3 ㎛ 이상, 또한 RPc 가 80 이상이면, 박리 대전을 억제할 수 있다. 반도체 패키지의 제조에 있어서는, 이형 필름을 롤로부터 조출하여 사용하는 경우가 많고, 이 때의 박리에 의해 이형 필름이 대전되는 경우가 있다. 특히 이형 필름이 불소 수지인 경우, 이 대전이 발생하기 쉽다. 이형 필름이 대전되어 있으면 이형 필름에 이물질이 부착하기 쉽다. 이형 필름에 이물질이 부착되어 있으면 수지 봉지부의 표면에 이물질의 형상이 전사되어, 외관이 악화될 우려가 있다. 이형 필름의 표면에 Ra 가 1.3 ㎛ 이상, 또한 RPc 가 80 이상이 되는 요철이 있으면, 봉지 공정 후, 이형 필름과 수지 봉지부 (경화성 수지의 경화물) 를 박리할 때에, 이형 필름과 수지 봉지부의 겉보기의 접촉 면적이 줄어들기 때문에, 박리 대전을 저감시킬 수 있다. 즉, 이형 필름 박리시의 방전에 의한 반도체 소자에 대한 손상을 저감시킬 수 있다. 이 효과는, 경화성 수지로서 성형 수축률이 큰 에폭시 수지를 사용하면 특히 현저하다.
본 발명의 이형 필름은, 제 1 면과 제 2 면 모두 상기 특정한 요철이 형성되어 있는 면이어도 된다. 이 경우, 각각의 면은 상기 작용 효과를 갖고, 비록 수지 봉지부의 표면에 잉크층을 형성하지 않는 경우라 해도 박리 대전이 억제되어, 주름이나 핀홀의 발생의 우려가 적은 이형 필름이 된다.
본 발명의 이형 필름은, 보다 바람직하게는, 제 1 면과 제 2 면 중 어느 것이 상기 특정한 요철이 형성되어 있는 면이고, 타방의 면이 상기 특정한 요철 이외의 요철이 형성되어 있는 면이거나 또는 평활한 면이다. 타방의 면으로는, 상기 특정한 요철이 형성되어 있는 면과 비교하여 실질적으로 평활한 면인 것이 바람직하다.
실질적으로 평활한 면으로는, Ra 가 0.01 ∼ 0.5 ㎛ 인 면이 바람직하다. 보다 바람직한 Ra 는, 0.05 ∼ 0.3 ㎛ 이다. 또한, 그 면의 RPc 는 80 미만인 것이 바람직하고, 10 ∼ 60 인 것이 보다 바람직하다.
(두께)
본 발명의 이형 필름의 두께는, 16 ∼ 75 ㎛ 가 바람직하고, 제 1 면에만 특정한 요철을 갖는 경우에는 25 ∼ 50 ㎛ 가 특히 바람직하다. 또한, 제 2 면에만 특정한 요철을 갖는 경우에는 40 ∼ 75 ㎛ 가 보다 바람직하고, 45 ∼ 70 ㎛ 가 더욱 바람직하고, 50 ∼ 60 ㎛ 가 특히 바람직하다. 두께가 상기 범위의 하한치 이상이면, 이형 필름의 취급이 용이하고, 이형 필름을 인장하면서 금형의 캐비티를 덮도록 배치할 때에, 주름이 잘 발생하지 않는다. 두께가 상기 범위의 상한치 이하이면, 이형 필름을 용이하게 변형할 수 있고, 금형의 캐비티의 형상에 대한 추종성이 향상되기 때문에, 이형 필름이 견고하게 캐비티면에 밀착할 수 있어, 고품질의 수지 봉지부를 안정적으로 형성할 수 있다.
본 발명의 이형 필름의 두께는, 금형의 캐비티가 클수록, 상기 범위 내에 있어서 얇은 것이 바람직하다. 또한, 다수의 캐비티를 갖는 복잡한 금형일수록, 상기 범위 내에 있어서 얇은 것이 바람직하다.
(이형 필름의 물성)
인장 탄성률 :
본 발명의 이형 필름의 180 ℃, 즉 통상적인 성형시의 금형의 온도에 있어서의 인장 탄성률은, 10 ∼ 100 ㎫ 인 것이 바람직하고, 25 ∼ 50 ㎫ 가 특히 바람직하다.
180 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률이 상기 범위의 상한치 이하이면, 반도체 소자의 봉지시에, 이형 필름이 완전하게 금형에 추종하기 때문에, 수지 봉지부의 모서리부까지 금형 형상이 전사된다. 그 결과, 일괄 봉지한 패키지를 끝단까지 사용할 수 있어, 수율을 향상시킨다. 상기 인장 탄성률이 100 ㎫ 를 초과하면, 이형 필름을 진공에서 금형에 추종시킬 때에, 이형 필름의 금형에 대한 추종성이 양호하지 않기 때문에, 트랜스퍼 성형에서는 형체 (型締) 시에 반도체 칩이 완전히 추종하지 않은 필름에 닿아 파손될 우려가 있다. 압축 성형에서는 마찬가지로 금형의 추종성이 양호하지 않기 때문에, 필름 상에 경화성 수지를 뿌렸을 때에 금형으로부터 넘칠 우려가 있다.
180 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률이 상기 범위의 하한치 이상이면, 이형 필름을 인장하면서 금형의 캐비티를 덮도록 배치할 때에, 이형 필름이 지나치게 부드럽지 않기 때문에, 이형 필름에 장력이 균일하게 가해져, 주름이 잘 발생하지 않는다. 그 결과, 이형 필름의 주름이 수지 봉지부의 표면에 전사되는 것에 의한, 수지 봉지부의 표면의 외관 불량이 억제된다.
이형 필름의 인장 탄성률은, 이형 필름용 수지의 결정화도를 조정함으로써 조정할 수 있다. 구체적으로는, 이형 필름용 수지의 결정화도가 낮을 수록, 이형 필름의 인장 탄성률은 낮아진다. 이형 필름용 수지의 결정화도는, 예를 들어, 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체의 경우, 테트라플루오로에틸렌 및 에틸렌 이외의 다른 모노머에 기초하는 단위의 종류나 비율을 조정함으로써 조정할 수 있다.
박리력 :
본 발명의 이형 필름은, 제 1 면측에 있어서의 박리력의 최대치가, 0.8 N/25 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 0.5 N/25 ㎜ 이하가 특히 바람직하다. 박리력의 최대치가 상기 범위의 상한치 이하이면, 생산시, 수지 봉지부 (경화성 수지의 경화물) 와의 박리가 보다 더욱 용이해진다. 이형 필름과 수지 봉지부가 잘 떨어지지 않아 장치가 멈추는 것과 같은 경우가 잘 발생하지 않게 되어, 연속 생산성이 우수하다.
본 발명에 있어서의 「박리력」 은, JIS K6854-2 : 1999 (ISO 8510-2 : 1990) 에 준거하여, 이하의 (a) ∼ (f) 의 순서로 측정되는 값을 나타내는 것으로 한다.
(a) 이형 필름과, 이형 필름의 제 1 면측에 배치된 알루미늄판 사이에 에폭시 수지를 적당량 배치한다.
(b) 에폭시 수지를 사이에 둔 이형 필름과 알루미늄판을 180 ℃, 10 ㎫ 로 5 분간 프레스하여, 에폭시 수지를 경화시킨다.
(c) 이형 필름과 경화한 에폭시 수지와 알루미늄판의 적층체를 25 ㎜ 폭으로 절단하여, 5 개의 시험편을 제작한다. 또한, 적층체에 있어서의 에폭시 수지의 두께는 100 ㎛ 이다.
(d) 시험편에 대하여, 상온에 있어서의 180 도 박리력을, 인장 시험기를 이용하여 100 ㎜/분의 속도로 측정한다.
(e) 힘 (N)-파지 (把持) 이동 거리 곡선에 있어서의, 파지 이동 거리 25 ㎜ 에서 125 ㎜ 까지의 박리력의 평균치 (단위는 N/25 ㎜) 를 구한다.
(f) 5 개의 시험편의 박리력의 평균치의 산술 평균을 구한다.
(이형 필름용 수지)
이형 필름에는, 이형성, 성형시의 금형의 온도 (전형적으로는 150 ∼ 180 ℃) 에 견딜 수 있는 내열성, 경화성 수지의 유동이나 가압력에 견딜 수 있는 강도가 요구된다.
본 발명의 이형 필름으로는, 이형성, 내열성, 강도, 고온에 있어서의 신장의 점에서, 폴리올레핀 및 불소 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 수지로 이루어지는 필름이 바람직하고, 불소 수지로 이루어지는 필름이 특히 바람직하다.
본 발명의 이형 필름은, 불소 수지와 비불소 수지를 병용한 필름이어도 되고, 무기계 첨가제, 유기계 첨가제 등이 배합된 필름이어도 된다.
본 발명의 이형 필름은, 1 층의 필름이어도 되고, 2 층 이상의 적층 필름이어도 된다. 제조 비용의 점에서는, 1 층의 필름이 바람직하다.
본 발명의 이형 필름은, 1 층의 불소 수지로 이루어지는 필름인 것이 특히 바람직하다.
폴리올레핀으로는, 이형성 및 금형 추종성의 점에서, 폴리메틸펜텐이 바람직하다. 폴리올레핀은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
불소 수지로는, 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체 (이하, ETFE 라고도 한다), 폴리테트라플루오로에틸렌, 퍼플루오로(알킬비닐에테르)/테트라플루오로에틸렌 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 중에서는, 고온에서의 신장이 큰 점에서, ETFE 가 특히 바람직하다. 불소 수지는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 또한, ETFE 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
ETFE 는, 테트라플루오로에틸렌 (이하, TFE 라고도 한다) 에 기초하는 단위와 에틸렌 (이하, E 라고도 한다) 에 기초하는 단위를 갖는 공중합체이다.
ETFE 로는, 제 3 모노머 (TFE 및 E 이외의 다른 모노머) 에 기초하는 단위를 갖는 것이 바람직하다. 제 3 모노머에 기초하는 단위의 종류나 함유량에 의해 이형 필름용 수지의 결정화도, 즉 이형 필름의 인장 탄성률을 조정하기 쉽다. 또한, 제 3 모노머 (특히 불소 원자를 갖는 모노머) 에 기초하는 단위를 가짐으로써, 고온 (특히 180 ℃ 전후) 에 있어서의 인장 강신도가 향상된다.
제 3 모노머로는, 불소 원자를 갖는 모노머와 불소 원자를 갖지 않는 모노머를 들 수 있다.
불소 원자를 갖는 모노머의 구체예로는, 하기의 모노머 (a1) ∼ (a5) 를 들 수 있다.
모노머 (a1) : 탄소수 3 이하의 플루오로올레핀류.
모노머 (a2) : X(CF2)nCY=CH2 (단, X, Y 는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 불소 원자이고, n 은 2 ∼ 8 의 정수이다) 로 나타내는 퍼플루오로알킬에틸렌.
모노머 (a3) : 플루오로비닐에테르류.
모노머 (a4) : 관능기 함유 플루오로비닐에테르류.
모노머 (a5) : 지방족 고리 구조를 갖는 함불소 모노머.
모노머 (a1) 로는, 플루오로에틸렌류 (트리플루오로에틸렌, 불화비닐리덴, 불화비닐, 클로로트리플루오로에틸렌 등), 플루오로프로필렌류 (헥사플루오로프로필렌 (이하, HFP 라고도 한다), 2-하이드로펜타플루오로프로필렌 등) 등을 들 수 있다.
모노머 (a2) 로는, n 이 2 ∼ 6 인 모노머가 바람직하고, n 이 2 ∼ 4 인 모노머가 보다 바람직하다. 또한, X 가 불소 원자, Y 가 수소 원자인 모노머, 즉 (퍼플루오로알킬)에틸렌이 특히 바람직하다.
모노머 (a2) 의 구체예로는, 하기의 것을 들 수 있다.
CF3CF2CH=CH2,
CF3CF2CF2CF2CH=CH2 ((퍼플루오로부틸)에틸렌. 이하, PFBE 라고도 한다),
CF3CF2CF2CF2CF=CH2,
CF2HCF2CF2CF=CH2,
CF2HCF2CF2CF2CF=CH2 등.
모노머 (a3) 으로는, 하기의 것을 들 수 있다. 또한, 하기 중 디엔인 모노머는 고리화 중합할 수 있는 모노머이다.
CF2=CFOCF3,
CF2=CFOCF2CF3,
CF2=CF(CF2)2CF3 (퍼플루오로(프로필비닐에테르). 이하, PPVE 라고도 한다),
CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3,
CF2=CFO(CF2)3O(CF2)2CF3,
CF2=CFO(CF2CF(CF3)O)2(CF2)2CF3,
CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3,
CF2=CFOCF2CF=CF2,
CF2=CFO(CF2)2CF=CF2 등.
모노머 (a4) 로는, 하기의 것을 들 수 있다.
CF2=CFO(CF2)3CO2CH3,
CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)3CO2CH3,
CF2=CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2SO2F 등.
모노머 (a5) 로는, 퍼플루오로(2,2-디메틸-1,3-디옥솔), 2,2,4-트리플루오로-5-트리플루오로메톡시-1,3-디옥솔, 퍼플루오로(2-메틸렌-4-메틸-1,3-디옥소란) 등을 들 수 있다.
불소 원자를 갖지 않는 모노머의 구체예로는, 하기의 모노머 (b1) ∼ (b4) 를 들 수 있다.
모노머 (b1) : 올레핀류.
모노머 (b2) : 비닐에스테르류.
모노머 (b3) : 비닐에테르류.
모노머 (b4) : 불포화 산무수물.
모노머 (b1) 로는, 프로필렌, 이소부텐 등을 들 수 있다.
모노머 (b2) 로는, 아세트산비닐 등을 들 수 있다.
모노머 (b3) 으로는, 에틸비닐에테르, 부틸비닐에테르, 시클로헥실비닐에테르, 하이드록시부틸비닐에테르 등을 들 수 있다.
모노머 (b4) 로는, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산, 무수 하이믹산(5-노르보르넨-2,3-디카르복실산 무수물) 등을 들 수 있다.
제 3 모노머는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
제 3 모노머로는, 결정화도의 조정, 즉 인장 탄성률의 조정이 쉬운 점, 제 3 모노머 (특히 불소 원자를 갖는 모노머) 에 기초하는 단위를 가짐으로써 고온 (특히 180 ℃ 전후) 에 있어서의 인장 강신도가 향상되는 점에서, 모노머 (a2), HFP, PPVE, 아세트산비닐이 바람직하고, HFP, PPVE, CF3CF2CH=CH2, PFBE 가 보다 바람직하고, PFBE 가 특히 바람직하다.
즉, ETFE 로는, TFE 에 기초하는 단위와 E 에 기초하는 단위와 PFBE 에 기초하는 단위를 갖는 공중합체가 특히 바람직하다.
ETFE 에 있어서, TFE 에 기초하는 단위와 E 에 기초하는 단위의 몰비 (TFE/E) 는, 80/20 ∼ 40/60 이 바람직하고, 70/30 ∼ 45/55 가 보다 바람직하고, 65/35 ∼ 50/50 이 특히 바람직하다. TFE/E 가 상기 범위 내이면, ETFE 의 내열성 및 기계적 물성이 우수하다.
ETFE 중의 제 3 모노머에 기초하는 단위의 비율은, ETFE 를 구성하는 전체 단위의 합계 (100 몰％) 에 대하여 0.01 ∼ 20 몰％ 가 바람직하고, 0.10 ∼ 15 몰％ 가 보다 바람직하고, 0.20 ∼ 10 몰％ 가 특히 바람직하다. 제 3 모노머에 기초하는 단위의 비율이 상기 범위 내이면, ETFE 의 내열성 및 기계적 물성이 우수하다.
제 3 모노머에 기초하는 단위가 PFBE 에 기초하는 단위를 포함하는 경우, PFBE 에 기초하는 단위의 비율은, ETFE 를 구성하는 전체 단위의 합계 (100 몰％) 에 대하여 0.5 ∼ 4.0 몰％ 가 바람직하고, 0.7 ∼ 3.6 몰％ 가 보다 바람직하고, 1.0 ∼ 3.6 몰％ 가 특히 바람직하다. PFBE 에 기초하는 단위의 비율이 상기 범위 내이면, 이형 필름의 180 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률을 상기 범위 내로 조정할 수 있다. 또한, 고온 (특히 180 ℃ 전후) 에 있어서의 인장 강신도가 향상된다.
ETFE 의 용융 유량 (MFR) 은, 2 ∼ 40 g/10 분이 바람직하고, 5 ∼ 30 g/10 분이 보다 바람직하고, 10 ∼ 20 g/10 분이 특히 바람직하다. ETFE 의 MFR 이 상기 범위 내이면, ETFE 의 성형성이 향상되고, 이형 필름의 기계 특성이 향상된다.
ETFE 의 MFR 은, ASTM D3159 에 준거하여, 하중 49 N, 297 ℃ 에서 측정되는 값이다.
(이형 필름의 제조 방법)
본 발명의 이형 필름의 제조 방법으로는, 특별히 한정되지 않고, 공지된 제조 방법을 이용할 수 있다. 예를 들어 열 가공으로 수지 필름의 표면에 원형의 요철을 전사하는 방법을 들 수 있고, 생산성의 점에서, 하기의 방법 (i), (ii) 등이 바람직하고, 방법 (ii) 가 특히 바람직하다.
(i) 수지 필름을 2 개의 롤 사이에 통과시키고, 수지 필름의 요철이 형성되는 면 (이형 필름의 요철이 형성되어 있는 면이 되는 면) 에 롤의 표면에 형성된 요철을 연속적으로 전사하는 방법.
(ii) 압출기의 다이스로부터 압출된 수지를 2 개의 롤 사이에 통과시키고, 그 수지를 필름상으로 성형함과 동시에, 그 필름상의 수지의 요철이 형성되는 면 (이형 필름의 요철이 형성되어 있는 면이 되는 면) 에 롤의 표면에 형성된 요철을 연속적으로 전사하는 방법.
방법 (i), (ii) 에서는, 롤상의 형태를 사용하는 것에 의해, 연속한 가공이 가능해져, 요철을 갖는 이형 필름의 생산성이 현저하게 향상된다. 또한, 이와 동시에, 권물 (卷物) 의 이형 필름이 되는 점에서, 반도체 패키지의 제조에, 범용의 이형 필름의 조출 기구 및 권취 기구를 갖는 압축 성형 장치 또는 트랜스퍼 성형 장치를 사용할 수 있다.
또한, 2 개의 롤 중 1 개를 표면에 요철을 갖는 롤 (이하, 형롤이라고도 한다) 로 하고, 타방의 롤을 요철을 가지지 않는 롤로 함으로써, 편면에 요철을 갖는 이형 필름이 제조된다. 2 개의 롤을 모두 형롤로 함으로써, 양면에 요철을 갖는 이형 필름이 제조된다. 또한, 2 개의 롤 중 일방은, 통상적으로 수지 필름을 가압하는 기능을 가져, 가압 롤이라고 불리고 있다. 표면에 요철을 가지지 않는 롤이 사용되는 경우, 요철을 가지지 않는 롤이 통상적으로 냉각 롤이 되고, 2 개의 롤이 모두 형롤인 경우에는, 그 중의 일방이 냉각 롤이 된다. 또한, 표면에 요철을 가지지 않는 롤이란, 실질적으로 평활한 면을 형성할 수 있는 표면을 갖는 롤도 의미한다.
방법 (i) :
수지 필름으로는, 시판되는 것을 사용해도 되고, 공지된 제조 방법에 의해 제조한 것을 사용해도 된다. 예를 들어, 이형 필름용 수지를 이용하여, 소정의 립폭을 갖는 T 다이를 구비하는 압출기에 의한 용융 성형 등에 의해 수지 필름을 제조할 수 있다.
2 개의 롤의 표면 온도, 선압은, 이형 필름의 재료 및 두께에 따라 상이하지만, 이하의 3 개의 조건을 동시에 만족하는 것이 바람직하다. 또한, 이하, Tg 는 성형하는 수지의 유리 전이 온도를 말하며, Tm 은 성형하는 수지의 융점을 말한다.
· 롤 표면 온도 : Tg ＋ 30 ℃ ∼ Tm - 20 ℃.
· 2 개의 롤간 선압 : 20 ∼ 300 N/㎝.
· 인장 탄성률 (㎫)/선압 (N/㎝) 의 값 : 0.005 ∼ 0.02.
또한, 인장 탄성률은, 이형 필름의 재료의, 2 개의 롤의 표면 온도에 있어서의 인장 탄성률을 말한다.
이상의 3 개의 조건을 만족하면, 수지 재료는 저탄성률이면서, 고무상 탄성을 유지하고 있고, 2 개의 롤 사이에서 가압했을 때에, 전체의 두께를 크게 바꾸지 않고, 표면에만 요철을 형성하기 쉽다.
또한, 가공 속도는, 0.2 ∼ 100 m/분이 바람직하다.
방법 (ii) :
다이스의 슬릿으로부터 압출된 수지는, 수지의 융점 이하로 설정한 형롤에 따라 인취 (引取) 됨으로써, 형상이 고정됨과 동시에, 압출기의 스크루의 회전수로 조정된 압출량과, 다이스의 슬릿폭과, 형롤의 회전수로 조정된 인취 속도로 두께가 결정된다.
2 개의 롤 사이의 가압력 및 다이스로부터 압출된 직후의 온도에 있어서의 수지의 용융 점도의 관계는 이하의 조건을 만족하는 것이 바람직하다.
용융 점도 (㎩·s)/가압력 (N/㎝) 의 값 : 2 ∼ 50
또한, 여기서 용융 점도란, JIS K7199 : 1999 (ISO11443 : 1995) 에 준거하여, 캐필러리 다이 (내경 1 ㎜, 길이 10 ㎜) 를 이용하여 일정 체적 유량을 흘렸을 때의, 겉보기의 전단 속도 γap 가 10/초일 때의, 하기 식 (II) 로 나타내는 겉보기의 용융 점도 ηap 의 측정한 값이다. 또한, 그 때의 온도는, 방법 (ii) 에 있어서, 다이스로부터 압출되고, 롤에 접촉하기 직전의 수지의 온도와 동등하다.
겉보기의 용융 점도 ηap (㎩·s) = 겉보기의 전단 응력 τap (㎩)/겉보기의 전단 속도 γap (1/초)···(II)
겉보기의 전단 응력 τap = pD/4L
p : 시험 압력 (㎩)
D : 캐필러리 내경 (㎜)
L : 캐필러리 길이 (㎜)
겉보기의 전단 속도 γap = 32Q/πD3
Q : 체적 유량 (㎣/초)
상기 용융 점도/가압력의 값이 50 보다 크면, 롤의 요철의 전사율이 급격하게 떨어져, 표면 거칠기가 큰 롤을 사용해도 Ra 가 잘 발생하지 않는다. 2 보다 작으면 필요 이상으로 용융된 수지를 지나치게 찌그러트려, 가장 거칠기가 거친 부분에서, 필름에 구멍이 뚫리는 등의 문제가 발생하기 쉽다.
2 개의 롤 사이의 가압력은 10 N/㎝ ∼ 150 N/㎝ 가 바람직하다. 10 N/㎝ 이상이면, 2 개의 롤 사이에서 슬립이 잘 발생하지 않는다. 150 N/㎝ 이하이면, 롤의 찌그러짐에 의한 「주저 앉음」 을 막을 수 있다.
롤 표면 온도는, Tg ＋ 30 ℃ ∼ Tg ＋ 80 ℃ 가 바람직하다. 본 방법에 있어서는, 롤의 표면 온도는 용융 수지로부터 부여되는 열량에 의해 높아지기 때문에, 통상적인 성형 상태에서는 상기 조건을 만족하는 경우가 많다.
가공 속도는, 방법 (i) 과 동일한 범위가 바람직하다.
형롤 :
형롤로는, 고무 권롤, 수지 권롤, 종이 권롤, 금속 롤, 세라믹 롤, 수지 롤 등을 들 수 있다. 금속제의 형롤의 표면은, 경도를 증가시키기 위해서, 세라믹 코팅, 세라믹 소결, 세라믹 증착, 초경 금속 용사, 도금, 침탄, 질화 등의 표면 개질이 실시되어 있어도 된다.
이들 중에서는, 타방의 롤에 대한 부담을 낮게 억제하는 점, 및 혼입하는 입자의 양으로 RPc 를 조정하기 쉬운 점에서, 고무 권롤이 바람직하다.
형롤의 표면의 요철은, 이형 필름의 특정한 요철을 반전한 형상이고, 반도체 패키지의 수지 봉지부의 표면에 형성되는 요철과 동일한 형상이다.
형롤의 표면에 요철을 형성하는 방법으로는, 절삭, 에칭 등의 방법을 들 수 있다.
또한, 고무 권롤의 경우, 표면에 감기는 고무 시트에 입자를 배합함으로써, 표면에 요철을 갖는 형롤을 얻을 수 있다. 이 경우, 고무 시트에 배합하는 입자의 크기에 따라, 거칠기의 깊이 방향, 즉 Ra 를 조정할 수 있다. 또한, 입자의 배합량, 즉 배합 밀도에 의해 거칠기 중, 피크의 수, 즉 RPc 를 조정할 수 있다. 수지 권롤의 경우에도 동일한 방법으로 Ra 나 RPc 를 조정할 수 있다.
형롤의 Ra 는 1.6 ∼ 4.2 인 것이 바람직하다. 또한, 형롤의 RPc 는 80 ∼ 240 인 것이 바람직하다. 수지의 점도나 가압 조건에 따라 다르기도 하지만, 방법 (1), 혹은 방법 (2) 에서 상기 서술한 성형 조건을 만족하는 경우, 일반적으로 롤의 Ra 의, 수지에 대한 전사율은 60 ∼ 80 ％ 정도이다. 또한, 롤의 RPc 의 수지에 대한 전사율은 80 ∼ 100 ％ 이다.
상기한 제조 조건을 만족할 때, 롤의 Ra 와 RPc 의 전사율은 상기의 범위를 만족하기 쉽다.
고무 권롤의 경우, 고무 롤의 고무 성분으로는, 실리콘 고무, 가교 이소프렌 고무, 가교 부틸렌·이소프렌 공중합체 고무 등이 사용된다. 무기 미세 입자로는, 실리카, 제올라이트, 소성 클레이, 버미큘라이트, 탤크, 마이카, 알루미나를 들 수 있다. 입자의 평균 입경은, 1 ∼ 100 ㎛ 가 바람직하다. 또한, 배합량은 5 ∼ 80 중량부가 바람직하다. 입자의 평균 입경에 의해 Ra 를, 배합량에 의해 RPc 를 제어할 수 있다.
냉각 롤 :
냉각 롤로는, 형롤과 동일한 것을 들 수 있다. 단, 냉각 롤의 표면은 평활해도 되고, 요철이 형성되어 있어도 된다.
냉각 롤의 표면이 평활한 경우에는, 편면이 평활한 이형 필름이 얻어지고, 냉각 롤의 표면에 특정한 요철을 반전한 형상의 요철이 형성되어 있는 경우에는, 양면에 특정한 요철을 갖는 이형 필름이 얻어진다.
이형 필름의 재료로서 불소 수지를 사용하는 경우에는 불소 수지의 열 가공 온도가 비교적 높은 점에서, 롤의 재료로는 내열성이 높은 재료가 바람직하다. 롤 재료의 내열 온도는, 150 ℃ 이상이 바람직하다. 따라서, 냉각 롤의 재료로는, 내열성, 내구성의 점에서, 금속, 세라믹, 실리콘 고무, 아라미드지가 바람직하다. 금속제의 냉각 롤의 표면은, 경도를 증가시키기 위해서, 세라믹 코팅, 세라믹 소결, 세라믹 증착, 초경 금속 용사, 도금, 침탄, 질화 등의 표면 개질이 실시되어 있어도 된다.
방법 (i), (ii) 에서는, 롤의 표면의 요철 외에, 가공 속도, 이형 필름용 수지의 MFR, 롤의 압압, 다이스와 롤의 거리 등을 조정함으로써, Ra 나 RPc 를 조정할 수 있다.
예를 들어 동일한 형롤을 사용한 경우, 가공 속도가 빠를수록, Ra 나 RPc 가 커지는 경향이 있다. 그러나, 상기 기재된 제조 조건과 상기 기재된 롤을 사용한 경우, Ra 1.3 ∼ 2.5, RPc 80 ∼ 200 의 필름을 가장 제조하기 쉽다.
(작용 효과)
본 발명의 이형 필름이 반도체 패키지의 반도체 소자를 경화성 수지로 봉지하여 수지 봉지부를 형성하는 금형의 캐비티 내에, 특정한 Ra 및 RPc 를 만족하는 요철을 갖는 면이 캐비티면과 접하도록 배치된 경우 (즉, 특정한 Ra 및 RPc 를 만족하는 요철을 갖는 면이 제 2 면인 경우), 본 발명의 이형 필름은 진공 흡인에 의해 캐비티면을 따라 연장되어, 캐비티면에 밀착하고, 금형에 추종한 형상이 된다.
본 발명의 이형 필름의 제 2 면이 특정한 요철을 갖는 면인 경우, 이형 필름의 두께는 40 ∼ 75 ㎛ 인 것이 바람직하다. 본 발명의 이형 필름은, 두께가 75 ㎛ 이하임으로써, 용이하게 변형할 수 있고, 금형의 캐비티의 형상에 대한 추종성이 우수하다. 또한, 본 발명의 이형 필름은, 두께가 40 ㎛ 이상임으로써, 어느 정도의 탄성을 갖는다.
또한, 제 2 면의 Ra 가 1.3 ㎛ 이상, 또한 RPc 가 80 이상임으로써, 상기의 진공 흡인시, 이형 필름이 캐비티면을 양호하게 미끄러져, 이형 필름과 캐비티면 사이에 공기가 빠진 나머지가 잘 발생하지 않는다. 그 때문에, 이형 필름을 금형에 추종시킬 때에 주름이 잘 발생하지 않는다. 또한, Ra 가 2.5 ㎛ 이하, 또한 RPc 가 200 이하임으로써, 이형 필름을 금형에 추종시킬 때에, 이형 필름에 핀홀이 잘 발생하지 않아, 경화성 수지의 누출이 잘 발생하지 않는다.
또한, 본 발명의 이형 필름은, 특정한 Ra 및 RPc 를 만족하도록 요철이 형성된 제 2 면을 가지고 있음으로써, 권물의 상태로부터 인출했을 때에, 이형 필름 사이의 박리에 의한 대전이 잘 발생하지 않는다. 그 때문에, 권물의 상태로부터 인출한 이형 필름을 이용하여 반도체 패키지를 제조할 때에, 이형 필름에 이물질이 잘 부착하지 않고, 그 이물질에 의한 반도체 패키지의 외관의 악화가 잘 발생하지 않는다.
그 때문에, 본 발명의 이형 필름에 의하면, 반도체 소자의 봉지 공정에서 수지 봉지부의 외관 불량을 저감시킬 수 있다. 또한, 금형에 대한 경화성 수지의 부착이나, 부착한 경화성 수지를 제거하기 위한 세정 공정 등의 빈도를 저감시킬 수 있다. 그 때문에, 반도체 패키지의 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 이형 필름을 특정한 요철을 갖는 면이 경화성 수지와 접하도록 금형의 캐비티면에 배치한 경우 (즉, 특정한 Ra 및 RPc 를 만족하는 요철을 갖는 면이 제 1 면인 경우), 수지 봉지부의 표면에, 이형 필름 표면의 요철이 정확하게 전사된다.
전사에 의해 표면에 요철이 형성된 수지 봉지부는, 싱귤레이션시에 결락이나 균열이 잘 발생하지 않는다. 또한, 그 표면은, 잉크층과의 밀착성이 우수하다.
또한, 봉지 공정 후, 이형 필름과 수지 봉지부 (경화성 수지의 경화물) 를 박리할 때에, 이형 필름과 수지 봉지부의 겉보기의 접촉 면적이 감소하기 때문에, 박리 대전을 저감시킬 수 있다. 즉, 이형 필름 박리시의 방전에 의한 반도체 소자에 대한 손상을 저감시킬 수 있다. 이 효과는, 성형 수축률이 큰 에폭시 수지를 사용하면 특히 현저하다. 따라서, 본 발명의 이형 필름을 사용함으로써, 수지 봉지부에 결락이나 균열이 없고, 수지 봉지부 표면에 형성한 잉크층이 잘 박리되지 않는 반도체 패키지를 제조할 수 있다. 또한, 그 때의 제조 안정성도 우수하다.
[반도체 패키지]
본 발명의 이형 필름을 이용하여, 후술하는 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 의해 제조되는 반도체 패키지는, 일괄 봉지 및 싱귤레이션을 거쳐 제조되는 것이면 되고, 예를 들어, 봉지 방식이 MAP (Moldied Array ㎩ckaging) 방식, 또는 WL (Wafer Lebel packaging) 방식인 반도체 패키지 등을 들 수 있다.
반도체 패키지의 형상으로는, BGA (Ball Grid Array), QFN (Quad Flat Non-leaded package), SON (Small Outline Non-leaded package) 등을 들 수 있다.
도 1 은, 반도체 패키지의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 이 예의 반도체 패키지 (1) 는, 이른바 MAP-BGA 형상의 반도체 패키지이다.
반도체 패키지 (1) 는, 기판 (10) 과, 기판 (10) 상에 실장된 반도체 칩 (반도체 소자) (12) 과, 반도체 칩 (12) 을 봉지하는 수지 봉지부 (14) 와, 수지 봉지부 (14) 의 상면 (14a) 에 형성된 잉크층 (16) 을 갖는다.
반도체 칩 (12) 은, 표면 전극 (도시하지 않음) 을 갖고, 기판 (10) 은, 반도체 칩 (12) 의 표면 전극에 대응하는 기판 전극 (도시하지 않음) 을 갖고, 표면 전극과 기판 전극은 본딩 와이어 (18) 에 의해 전기적으로 접속되어 있다.
수지 봉지부 (14) 의 상면 (14a) 에는, 본 발명의 이형 필름의 제 1 면의 요철 등이 정확하게 전사되어 있고, 본 발명의 이형 필름의 제 1 면이 특정한 요철을 갖는 면인 경우, 상면 (14a) 의 Ra 는 1.3 ∼ 2.5 ㎛, RPc 는 80 ∼ 200 이다.
수지 봉지부 (14) 의 두께 (기판 (10) 의 반도체 칩 (12) 설치면으로부터 수지 봉지부 (14) 의 상면 (14a) 까지의 최단 거리) 는, 특별히 한정되지 않지만, 「반도체 칩 (12) 의 두께」 이상 「반도체 칩 (12) 의 두께 ＋ 1 ㎜」 이하가 바람직하고, 「반도체 칩 (12) 의 두께」 이상 「반도체 칩 (12) 의 두께 ＋ 0.5 ㎜」 이하가 특히 바람직하다.
본 발명자들의 검토에 의하면, 싱귤레이션시에 수지 봉지부의 결락이나 균열은, 반도체 패키지 (1) 가 박형화될 수록 발생하기 쉬워, 수지 봉지부 (14) 의 두께가 얇을 수록, 싱귤레이션시의 결락이나 균열을 억제할 수 있는 본 발명의 유용성이 높다.
[반도체 패키지의 제조 방법]
본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법은, 하기의 제조 방법 (1) 과 제조 방법 (2) 이다.
본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법 (1) :
반도체 소자와, 경화성 수지로부터 형성되고, 상기 반도체 소자를 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 반도체 패키지의 제조 방법으로서,
금형의 상기 경화성 수지가 접하는 캐비티면에, 전술한 본 발명의 이형 필름이고 또한 적어도 제 2 면에 상기 요철이 형성되어 있는 이형 필름을, 상기 제 1 면이 캐비티 내의 공간을 향하도록 배치하는 공정과,
상기 캐비티 내에, 반도체 소자가 실장된 기판을 배치하고, 그 반도체 소자를 경화성 수지로 봉지하고, 그 경화성 수지를 상기 이형 필름에 접한 상태로 경화시켜 수지 봉지부를 형성함으로써, 기판과 상기 기판 상에 실장된 반도체 소자와 상기 반도체 소자를 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 봉지체를 얻는 공정과,
상기 봉지체를 상기 금형으로부터 이형하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.
본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법 (2) :
반도체 소자와, 경화성 수지로부터 형성되고, 상기 반도체 소자를 봉지하는 수지 봉지부와, 상기 수지 봉지부의 표면에 형성된 잉크층을 갖는 반도체 패키지의 제조 방법으로서,
금형의 상기 경화성 수지가 접하는 캐비티면에, 전술한 본 발명의 이형 필름이고 또한 적어도 제 1 면에 상기 요철이 형성되어 있는 이형 필름을, 상기 제 1 면이 캐비티 내의 공간을 향하도록 배치하는 공정과,
상기 캐비티 내에, 복수의 반도체 소자가 실장된 기판을 배치하고, 그 복수의 반도체 소자를 경화성 수지로 일괄 봉지하고, 그 경화성 수지를 상기 이형 필름에 접한 상태로 경화시켜 수지 봉지부를 형성함으로써, 기판과 상기 기판 상에 실장된 복수의 반도체 소자와 상기 복수의 반도체 소자를 일괄 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 일괄 봉지체를 얻는 공정과,
상기 복수의 반도체 소자가 분리되도록, 상기 일괄 봉지체의 상기 기판 및 상기 수지 봉지부를 절단함으로써, 기판과 상기 기판 상에 실장된 적어도 1 개의 반도체 소자와 상기 반도체 소자를 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 개편화 봉지체를 얻는 공정과,
상기 일괄 봉지체 또는 개편화 봉지체의 수지 봉지부의, 상기 이형 필름에 접하고 있던 면에, 잉크를 이용하여 잉크층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.
본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법은, 본 발명의 이형 필름을 사용하는 것 이외에는, 공지된 제조 방법을 채용할 수 있다.
예를 들어 수지 봉지부의 형성 방법으로는, 압축 성형법 또는 트랜스퍼 성형법을 들 수 있고, 이 때에 사용하는 장치로는, 공지된 압축 성형 장치 또는 트랜스퍼 성형 장치를 사용할 수 있다. 제조 조건도, 공지된 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서의 조건과 동일한 조건으로 하면 된다.
본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법으로는, 수지 봉지부의 형성 방법에 따라, 하기의 방법 (α) 와 방법 (β) 의 2 종류를 들 수 있다.
방법 (α) 는, 압축 성형법으로 수지 봉지부를 형성하는 방법이고, 방법 (β) 는, 트랜스퍼 성형법으로 수지 봉지부를 형성하는 방법이다.
방법 (α) : 하기의 공정 (α1) ∼ (α7) 을 갖는 방법.
(α1) 본 발명의 이형 필름을, 이형 필름이 금형의 캐비티를 덮고 또한 이형 필름의 제 1 면이 캐비티 내의 공간을 향하도록 배치하는 공정.
(α2) 이형 필름을 금형의 캐비티면의 측으로 진공 흡인하는 공정.
(α3) 캐비티 내에 경화성 수지를 충전하는 공정.
(α4) 복수의 반도체 소자가 실장된 기판을 캐비티 내의 소정의 위치에 배치하고, 경화성 수지에 의해 복수의 반도체 소자를 일괄 봉지하여 수지 봉지부를 형성함으로써, 기판과 상기 기판 상에 실장된 복수의 반도체 소자와 상기 복수의 반도체 소자를 일괄 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 일괄 봉지체를 얻는 공정.
(α5) 금형 내로부터 일괄 봉지체를 취출하는 공정.
(α6) 상기 복수의 반도체 소자가 분리되도록, 상기 일괄 봉지체의 상기 기판 및 상기 수지 봉지부를 절단함으로써, 기판과 상기 기판 상에 실장된 적어도 1 개의 반도체 소자와 상기 반도체 소자를 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 개편화 봉지체를 얻는 공정.
(α7) 개편화 봉지체의 수지 봉지부의, 상기 이형 필름에 접하고 있던 면에, 잉크를 이용하여 잉크층을 형성하고, 반도체 패키지를 얻는 공정.
방법 (β) : 하기의 공정 (β1) ∼ (β7) 을 갖는 방법.
(β1) 본 발명의 이형 필름을, 이형 필름이 금형의 캐비티를 덮고 또한 이형 필름의 제 1 면이 캐비티 내의 공간을 향하도록 배치하는 공정.
(β2) 이형 필름을 금형의 캐비티면의 측으로 진공 흡인하는 공정.
(β3) 복수의 반도체 소자가 실장된 기판을 캐비티 내의 소정의 위치에 배치하는 공정.
(β4) 캐비티 내에 경화성 수지를 충전하고, 그 경화성 수지에 의해 복수의 반도체 소자를 일괄 봉지하여 수지 봉지부를 형성함으로써, 기판과 상기 기판 상에 실장된 복수의 반도체 소자와 상기 복수의 반도체 소자를 일괄 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 일괄 봉지체를 얻는 공정.
(β5) 금형 내로부터 일괄 봉지체를 취출하는 공정.
(β6) 상기 복수의 반도체 소자가 분리되도록, 상기 일괄 봉지체의 상기 기판 및 상기 수지 봉지부를 절단함으로써, 기판과 상기 기판 상에 실장된 적어도 1 개의 반도체 소자와 상기 반도체 소자를 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 개편화 봉지체를 얻는 공정.
(β7) 개편화 봉지체의 수지 봉지부의, 상기 이형 필름에 접하고 있던 면에, 잉크를 이용하여 잉크층을 형성하고, 반도체 패키지를 얻는 공정.
(제 1 실시형태)
반도체 패키지의 제조 방법의 일 실시형태로서, 도 1 에 나타낸 반도체 패키지 (1) 를 방법 (α) 에 의해 제조하는 경우에 대하여 상세하게 설명한다.
금형 :
제 1 실시형태에 있어서의 금형으로는, 압축 성형법에 사용하는 금형으로서 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 고정 상형 (20) 과 캐비티 저면 부재 (22) 와 캐비티 저면 부재 (22) 의 둘레가장자리에 배치된 프레임상의 가동 하형 (24) 을 갖는 금형을 들 수 있다.
고정 상형 (20) 에는, 기판 (10) 과 고정 상형 (20) 사이의 공기를 흡인하는 것에 의해 기판 (10) 을 고정 상형 (20) 에 흡착하기 위한 진공 벤트 (도시 생략) 가 형성되어 있다. 또한, 캐비티 저면 부재 (22) 에는, 이형 필름 (30) 과 캐비티 저면 부재 (22) 사이의 공기를 흡인하는 것에 의해 이형 필름 (30) 을 캐비티 저면 부재 (22) 에 흡착하기 위한 진공 벤트 (도시 생략) 가 형성되어 있다.
이 금형에 있어서는, 캐비티 저면 부재 (22) 의 상면 및 가동 하형 (24) 의 내측 측면에 의해, 공정 (α4) 에서 형성하는 수지 봉지부 (14) 의 형상에 대응하는 형상의 캐비티 (26) 가 형성된다.
이하, 캐비티 저면 부재 (22) 의 상면 및 가동 하형 (24) 의 내측 측면을 총칭하여 캐비티면이라고도 한다.
공정 (α1) :
가동 하형 (24) 상에, 캐비티 저면 부재 (22) 의 상면을 덮도록 이형 필름 (30) 을 배치한다. 이 때 이형 필름 (30) 은, 제 1 면을 상측 (캐비티 저면 부재 (22) 방향과는 반대 방향) 을 향하여 배치된다.
이형 필름 (30) 은, 권출 롤 (도시 생략) 로부터 보내져, 권취 롤 (도시 생략) 로 권취된다. 이형 필름 (30) 은, 권출 롤 및 권취 롤에 의해 인장되기 때문에, 연장된 상태에서, 가동 하형 (24) 상에 배치된다.
공정 (α2) :
별도로, 캐비티 저면 부재 (22) 의 진공 벤트 (도시 생략) 를 통해서 진공 흡인하여, 캐비티 저면 부재 (22) 의 상면과 이형 필름 (30) 사이의 공간을 감압하고, 이형 필름 (30) 을 연장하여 변형시켜, 캐비티 저면 부재 (22) 의 상면에 진공 흡착시킨다. 또한, 캐비티 저면 부재 (22) 의 둘레가장자리에 배치된 프레임상의 가동 하형 (24) 을 조여, 이형 필름 (30) 을 전체 방향으로부터 인장하여, 긴장 상태로 한다.
또한, 고온 환경하에서의 이형 필름 (30) 의 강도, 두께, 캐비티 저면 부재 (22) 의 상면과 가동 하형 (24) 의 내측 측면에 의해 형성된 오목부의 형상에 의해, 이형 필름 (30) 은, 캐비티면에 밀착된다고는 한정되지 않는다. 공정 (α2) 의 진공 흡착의 단계에서는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 이형 필름 (30) 과 캐비티면 사이에 공극이 조금 남아 있어도 된다.
공정 (α3) :
도 2 에 나타내는 바와 같이, 경화성 수지 (40) 를, 어플리케이터 (도시 생략) 에 의해, 캐비티 (26) 내의 이형 필름 (30) 상에 적당량 충전한다.
또한, 별도로, 고정 상형 (20) 의 진공 벤트 (도시 생략) 를 통해서 진공 흡인하여, 고정 상형 (20) 의 하면에, 복수의 반도체 칩 (12) 이 실장된 기판 (10) 을 진공 흡착시킨다.
경화성 수지 (40) 로는, 반도체 패키지의 제조에 이용되고 있는 각종 경화성 수지를 이용해도 된다. 에폭시 수지, 실리콘 수지 등의 열경화성 수지가 바람직하고, 에폭시 수지가 특히 바람직하다.
에폭시 수지로는, 예를 들어 스미토모 베이크라이트사 제조의 스미콘 EME G770H type F ver. GR, 나가세 켐텍스사 제조의 T693/R4719-SP10 등을 들 수 있다.
실리콘 수지의 시판품으로는, 신에츠 화학 공업사 제조의 LPS-3412AJ, LPS-3412B 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, 특히, 박리 대전을 억제할 수 있는 점에서, 경화성 수지 (40) 가, 성형 수축률이 큰 수지인 것이 바람직하다.
경화성 수지의 성형 수축률이 큰 것은, 통상적으로, 원하는 형상의 수지 봉지부를 정확하게 형성하는 점에서는 바람직하지 않다. 그러나 본 발명자들의 검토에 의하면, 성형 수축률이 크면, 경화시에 경화성 수지가 수축하고, 이형 필름의 요철부에 있어서, 겉보기의 접촉 면적이 적어진다. 이형 필름과의 접촉 면적이 적으면, 수지 봉지부 (경화성 수지의 경화물) 로부터 이형 필름을 박리할 때에, 박리에 의한 이형 필름의 대전을 억제할 수 있고, 이형 필름으로부터의 방전에 의한 반도체 소자의 손상이 잘 발생하지 않는다.
경화성 수지 (40) 의 성형 수축률은, 0.05 ∼ 0.15 ％ 가 바람직하고, 0.1 ∼ 0.13 ％ 가 특히 바람직하다. 성형 수축률이 상기 범위의 하한치 이상에서는, 이형 필름의 요철과 수지 봉지부의 겉보기의 접촉 면적이 충분히 낮아지고, 박리 대전을 방지할 수 있다. 성형 수축률이 상기 범위의 상한치 이하에서는, 반도체 패키지의 휨이 작고, 실용에 적합하다.
경화성 수지 (40) 의 성형 수축률은, JIS K6911-1995 5.7 에 준거하여, 온도 180 ℃, 압력 7 ㎫, 시간 5 분의 성형 조건으로 트랜스퍼 성형했을 때에 측정되는 값이다. 즉, 소정 형상의 금형을 이용하여, 상기의 성형 조건으로 경화성 수지 (40) 를 성형한다. 성형 후, 성형품을 금형으로부터 취출하고, 대기 중에서 방랭한다. 방랭은, 23 ± 2 ℃ 이내, 상대 습도 50 ± 5 ％ 이내의 환경하에 24 ± 1 시간 정치 (靜置) 함으로써 실시한다. 금형의 치수와 방랭 후의 성형품의 치수의 차가 성형 수축이고, 금형의 치수에 대한 성형 수축의 백분율이 성형 수축률이다.
경화성 수지 (40) 에는, 카본 블랙, 용융 실리카, 결정 실리카, 알루미나, 질화규소, 질화알루미늄 등이 포함되어도 된다.
또한, 여기서는, 경화성 수지 (40) 로서 고체의 것을 충전하는 예를 나타냈지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 액상의 경화성 수지를 충전해도 된다.
공정 (α4) :
도 3 에 나타내는 바와 같이, 캐비티 (26) 내의 이형 필름 (30) 상에 경화성 수지 (40) 를 충전한 상태에서, 캐비티 저면 부재 (22) 및 가동 하형 (24) 을 상승시켜, 고정 상형 (20) 과 형체한다.
이어서, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 캐비티 저면 부재 (22) 만 상승시킴과 함께 금형을 가열하여 경화성 수지 (40) 를 경화시켜, 반도체 칩 (12) 을 봉지하는 수지 봉지부 (14) 를 형성한다.
공정 (α4) 에 있어서는, 캐비티 저면 부재 (22) 를 상승시켰을 때의 압력에 의해, 캐비티 (26) 내에 충전된 경화성 수지 (40) 가 더욱 캐비티면에 압입된다. 이로써 이형 필름 (30) 이 연장되어 변형되고, 캐비티면에 밀착한다. 그 때문에, 캐비티 (26) 의 형상에 대응한 형상의 수지 봉지부 (14) 가 형성된다. 이 때, 이형 필름 (30) 의 제 1 면에 요철이 형성되어 있는 경우에는, 수지 봉지부 (14) 의, 이형 필름 (30) 의 제 1 면과 접하고 있던 면에, 그 제 1 면의 요철이 전사된다.
금형의 가열 온도, 즉 경화성 수지 (40) 의 가열 온도는, 100 ∼ 185 ℃ 가 바람직하고, 150 ∼ 180 ℃ 가 특히 바람직하다. 가열 온도가 상기 범위의 하한치 이상이면, 반도체 패키지 (1) 의 생산성이 우수하다. 가열 온도가 상기 범위의 상한치 이하이면, 경화성 수지 (40) 의 열화가 억제된다.
경화성 수지 (40) 의 열팽창률에서 기인하는 수지 봉지부 (14) 의 형상 변화를 억제하는 점에서, 반도체 패키지 (1) 의 보호가 특별히 요구되는 경우에는, 상기 범위 내에 있어서 가능한 한 낮은 온도에서 가열하는 것이 바람직하다.
공정 (α5) :
고정 상형 (20) 과 캐비티 저면 부재 (22) 와 가동 하형 (24) 을 형개 (型開) 하고, 일괄 봉지체를 취출한다.
일괄 봉지체를 이형함과 동시에, 이형 필름 (30) 의 사용이 끝난 부분을 권취 롤 (도시 생략) 에 보내고, 이형 필름 (30) 의 미사용 부분을 권출 롤 (도시 생략) 로부터 송출한다.
권출 롤로부터 권취 롤에 반송할 때의 이형 필름 (30) 의 두께는 16 ㎛ 이상이 바람직하다. 두께가 16 ㎛ 미만에서는, 이형 필름 (30) 의 반송시에 주름이 발생하기 쉽다. 이형 필름 (30) 에 주름이 발생하면, 주름이 수지 봉지부 (14) 에 전사되어 제품 불량이 될 우려가 있다. 두께가 16 ㎛ 이상이면, 이형 필름 (30) 에 장력을 충분히 가함으로써, 주름의 발생을 억제할 수 있다.
공정 (α6) :
금형 내로부터 취출한 일괄 봉지체의 기판 (10) 및 수지 봉지부 (14) 를, 복수의 반도체 칩 (12) 이 분리되도록 절단 (개편화) 하여, 기판 (10) 과 적어도 1 개의 반도체 칩 (12) 과 반도체 칩 (12) 을 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 개편화 봉지체를 얻는다.
개편화는, 공지된 방법에 의해 실시할 수 있고, 예를 들어 다이싱법을 들 수 있다. 다이싱법은, 다이싱 블레이드를 회전시키면서 대상물을 절단하는 방법이다. 다이싱 블레이드로는, 전형적으로는, 다이아몬드 가루를 원반의 외주에 소결한 회전칼 (다이아몬드 커터) 이 사용된다. 다이싱법에 의한 개편화는, 예를 들어, 절단 대상물인 일괄 봉지체를, 지그를 개재하여 처리대 상에 고정시키고, 절단 대상물의 절단 영역과 상기 지그 사이에 다이싱 블레이드를 삽입하는 공간이 있는 상태에서 상기 다이싱 블레이드를 주행시키는 방법에 의해 실시할 수 있다.
공정 (α6) 에 있어서는, 상기와 같이 일괄 봉지체를 절단하는 공정 (절단 공정) 후, 상기 다이싱 블레이드를 덮는 케이스로부터 떨어진 위치에 배치되는 노즐로부터 상기 절단 대상물을 향하여 액체를 공급하면서 상기 처리대를 이동시키는 이물질 제거 공정이 포함되어도 된다.
공정 (α7) :
공정 (α6) 에서 얻어진 개편화 봉지체의 수지 봉지부 (14) 의 상면 (이형 필름 (30) 의 제 1 면과 접하고 있던 면) (14a) 에, 임의의 정보를 표시하기 위해서, 잉크를 도포하고, 잉크층 (16) 을 형성하여 반도체 패키지 (1) 를 얻는다.
잉크층 (16) 에 의해 표시되는 정보로는, 특별히 한정되지 않고, 시리얼 넘버, 제조 메이커에 관한 정보, 부품의 종별 등을 들 수 있다.
잉크의 도포 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 잉크젯법, 스크린 인쇄, 고무판으로부터의 전사 등의 각종 인쇄법을 적용할 수 있다.
잉크로는, 특별히 한정되지 않고, 공지된 잉크 중에서 적절히 선택할 수 있다.
잉크층 (16) 의 형성 방법으로는, 경화 속도가 빨라 패키지 상에서의 스며듦이 적고, 또한 열풍을 맞히지 않기 때문에 패키지의 위치 어긋남이 적다는 등의 점에서, 광 경화형의 잉크를 사용하고, 그 잉크를 잉크젯법에 의해 수지 봉지부 (14) 의 상면 (14a) 에 부착시켜, 그 잉크를 광의 조사에 의해 경화시키는 방법이 바람직하다.
광 경화형의 잉크로는, 전형적으로는, 중합성 화합물 (모노머, 올리고머 등) 을 포함하는 것이 사용된다. 잉크에는, 필요에 따라, 안료, 염료 등의 색재, 액체 매체 (용매 또는 분산매), 중합 금지제, 광 중합 개시제, 그 외 각종 첨가제 등이 첨가된다. 그 밖의 첨가제로는, 예를 들어, 슬립제, 중합 촉진제, 침투 촉진제, 습윤제 (보습제), 정착제, 방미제, 방부제, 산화 방지제, 방사선 흡수제, 킬레이트제, pH 조정제, 증점제 등을 들 수 있다.
광 경화형의 잉크를 경화시키는 광으로는, 자외선, 가시광선, 적외선, 전자선, 방사선 등을 들 수 있다.
자외선의 광원으로는, 살균등, 자외선용 형광등, 카본 아크, 크세논 램프, 복사용 고압 수은등, 중압 또는 고압 수은등, 초고압 수은등, 무전극 램프, 메탈 할라이드 램프, 자외선 발광 다이오드, 자외선 레이저 다이오드, 자연광 등을 들 수 있다.
광의 조사는, 상압하에서 실시해도 되고, 감압하에서 실시해도 된다. 또한, 공기 중에서 실시해도 되고, 질소 분위기, 이산화탄소 분위기 등의 불활성 가스 분위기에서 실시해도 된다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 공정 (α5) 후, 공정 (α6), 공정 (α7) 을 이 순서로 실시하는 예를 나타냈지만, 공정 (α6), 공정 (α7) 을 반대의 순서로 실시해도 된다. 즉, 금형으로부터 취출한 일괄 봉지체의 수지 봉지부의, 상기 이형 필름에 접하고 있던 면에, 잉크를 이용하여 잉크층을 형성하고, 그 후, 일괄 봉지체의 상기 기판 및 상기 수지 봉지부를 절단해도 된다.
(제 2 실시형태)
반도체 패키지의 제조 방법의 다른 실시형태로서, 도 1 에 나타낸 반도체 패키지 (1) 를 방법 (β) 에 의해 제조하는 경우에 대하여 상세하게 설명한다.
금형 :
제 2 실시형태에 있어서의 금형으로는, 트랜스퍼 성형법에 사용하는 금형으로서 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 상형 (50) 과 하형 (52) 을 갖는 금형을 들 수 있다. 상형 (50) 에는, 공정 (β4) 에서 형성하는 수지 봉지부 (14) 의 형상에 대응하는 형상의 캐비티 (54) 와, 캐비티 (54) 에 경화성 수지 (40) 를 유도하는 오목형의 수지 도입부 (60) 가 형성되어 있다. 하형 (52) 에는, 반도체 칩 (12) 을 탑재한 기판 (10) 을 설치하는 기판 설치부 (58) 와, 경화성 수지 (40) 를 배치하는 수지 배치부 (62) 가 형성되어 있다. 또한, 수지 배치부 (62) 내에는, 경화성 수지 (40) 를 상형 (50) 의 수지 도입부 (60) 로 압출하는 플런저 (64) 가 설치되어 있다.
공정 (β1) :
도 6 에 나타내는 바와 같이, 상형 (50) 의 캐비티 (54) 를 덮도록 이형 필름 (30) 을 배치한다. 이형 필름 (30) 은, 캐비티 (54) 및 수지 도입부 (60) 의 전체를 덮도록 배치하는 것이 바람직하다. 이형 필름 (30) 은, 권출 롤 (도시 생략) 및 권취 롤 (도시 생략) 에 의해 인장되기 때문에, 연장된 상태에서 상형 (50) 의 캐비티 (54) 를 덮도록 배치된다.
공정 (β2) :
도 7 에 나타내는 바와 같이, 상형 (50) 의 캐비티 (54) 의 외부에 형성한 홈 (도시 생략) 을 통해서 진공 흡인하여, 이형 필름 (30) 과 캐비티면 (56) 사이의 공간, 및 이형 필름 (30) 과 수지 도입부 (60) 의 내벽 사이의 공간을 감압하고, 이형 필름 (30) 을 연장하여 변형시켜, 상형 (50) 의 캐비티면 (56) 에 진공 흡착시킨다.
또한, 고온 환경하에서의 이형 필름 (30) 의 강도, 두께, 또한 캐비티 (54) 의 형상에 따라, 이형 필름 (30) 은, 캐비티면 (56) 에 밀착된다고는 한정되지 않는다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 공정 (β2) 의 진공 흡착의 단계에서는, 이형 필름 (30) 과 캐비티면 (56) 사이에는, 공극이 조금 남는다.
공정 (β3) :
도 8 에 나타내는 바와 같이, 복수의 반도체 칩 (12) 을 실장한 기판 (10) 을, 기판 설치부 (58) 에 설치하여 상형 (50) 과 하형 (52) 을 형체하고, 복수의 반도체 칩 (12) 을 캐비티 (54) 내의 소정의 위치에 배치한다. 또한, 수지 배치부 (62) 의 플런저 (64) 상에는, 경화성 수지 (40) 를 미리 배치해 둔다.
경화성 수지 (40) 로는, 방법 (α) 에서 예시한 경화성 수지 (40) 와 동일한 것을 들 수 있다.
공정 (β4) :
도 9 에 나타내는 바와 같이, 하형 (52) 의 플런저 (64) 를 밀어 올려, 수지 도입부 (60) 를 통해서 캐비티 (54) 내에 경화성 수지 (40) 를 충전한다. 이어서, 금형을 가열하고, 경화성 수지 (40) 를 경화시켜, 복수의 반도체 칩 (12) 을 봉지하는 수지 봉지부 (14) 를 형성한다.
공정 (β4) 에 있어서는, 캐비티 (54) 내에 경화성 수지 (40) 가 충전됨으로써, 수지 압력에 의해 이형 필름 (30) 이 더욱 캐비티면 (56) 측에 압입되고, 연장되어 변형함으로써 캐비티면 (56) 에 밀착한다. 그 때문에, 캐비티 (54) 의 형상에 대응한 형상의 수지 봉지부 (14) 가 형성된다.
경화성 수지 (40) 를 경화시킬 때의 금형의 가열 온도, 즉 경화성 수지 (40) 의 가열 온도는, 방법 (α) 에 있어서의 온도 범위와 동일한 범위로 하는 것이 바람직하다.
경화성 수지 (40) 의 충전시의 수지압은, 2 ∼ 30 ㎫ 가 바람직하고, 3 ∼ 10 ㎫ 가 특히 바람직하다. 수지압이 상기 범위의 하한치 이상이면, 경화성 수지 (40) 의 충전 부족 등의 결점이 잘 발생하지 않는다. 수지압이 상기 범위의 상한치 이하이면, 우수한 품질의 반도체 패키지 (1) 가 얻어지기 쉽다. 경화성 수지 (40) 의 수지압은, 플런저 (64) 에 의해 조정할 수 있다.
공정 (β5) :
도 10 에 나타내는 바와 같이, 일괄 봉지체 (1A) 를 금형으로부터 취출한다. 이 때, 수지 도입부 (60) 내에서 경화성 수지 (40) 가 경화된 경화물 (19) 이, 일괄 봉지체 (1A) 의 수지 봉지부 (14) 에 부착한 상태로 일괄 봉지체 (1A) 와 함께 금형으로부터 취출된다. 그 때문에, 취출된 일괄 봉지체 (1A) 에 부착되어 있는 경화물 (19) 을 절제하여, 일괄 봉지체 (1A) 를 얻는다.
공정 (β6) :
공정 (β5) 에서 얻어진 일괄 봉지체 (1A) 의 기판 (10) 및 수지 봉지부 (14) 를, 반도체 칩 (12) 이 분리되도록 절단 (개편화) 하여, 기판 (10) 과 적어도 1 개의 반도체 칩 (12) 과 반도체 칩 (12) 을 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 개편화 봉지체를 얻는다.
공정 (β6) 은, 공정 (α6) 과 동일하게 하여 실시할 수 있다.
공정 (β7) :
얻어진 개편화 봉지체의 수지 봉지부 (14) 의 상면 (이형 필름 (30) 의 제 1 면과 접하고 있던 면) (14a) 에, 임의의 정보를 표시하기 위해서, 잉크를 도포하고, 잉크층 (16) 을 형성하여 반도체 패키지 (1) 를 얻는다.
공정 (β7) 은, 공정 (α7) 과 동일하게 하여 실시할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 공정 (β5) 후, 공정 (β6), 공정 (β7) 을 이 순서로 실시하는 예를 나타냈지만, 공정 (β6), 공정 (β7) 을 반대의 순서로 실시해도 된다. 즉, 금형으로부터 취출한 일괄 봉지체의 수지 봉지부의, 상기 이형 필름에 접하고 있던 면에, 잉크를 이용하여 잉크층을 형성하고, 그 후, 일괄 봉지체의 상기 기판 및 상기 수지 봉지부를 절단해도 된다.
이상, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 대하여, 제 1 ∼ 제 2 실시형태를 나타내어 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않는다. 상기 실시형태에 있어서의 각 구성 및 그들의 조합 등은 일례이고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서, 구성의 부가, 생략, 치환, 및 그 밖의 변경이 가능하다.
예를 들어, 제조하는 반도체 패키지는, 반도체 패키지 (1) 에 한정되지 않는다. 예를 들어 반도체 칩이나, 그 외 부품이 봉지부로부터 노출되어 있고, 이형 필름에 직접 접하고 있어도 된다. 혹은 봉지부는 평평하지 않고, 단차가 있어도 된다.
이형 필름으로부터 수지 봉지부를 박리하는 타이밍은, 금형으로부터 수지 봉지부를 취출할 때에 한정되지 않고, 금형으로부터 이형 필름과 함께 수지 봉지부를 취출하고, 그 후, 수지 봉지부로부터 이형 필름을 박리해도 된다.
일괄 봉지하는 복수의 반도체 칩 (12) 각각의 사이의 거리는 균일해도 되고 균일하지 않아도 된다. 봉지를 균질로 할 수 있고, 복수의 반도체 칩 (12) 각각에 균일하게 부하가 가해지는 (즉 부하가 가장 작아지는) 점에서, 복수의 반도체 칩 (12) 각각의 사이의 거리를 균일하게 하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 의해 제조하는 반도체 패키지는, 반도체 패키지 (1) 에 한정되지 않는다. 예를 들어 반도체 칩이나, 그 외 부품이 봉지부로부터 노출되어 있고, 이형 필름에 직접 접하고 있어도 된다. 혹은 봉지부는 평평하지 않고, 단차가 있어도 된다.
제조하는 반도체 패키지에 따라서는, 제 1 실시형태에 있어서의 공정 (α6) ∼ (α7), 제 2 실시형태에 있어서의 공정 (β6) ∼ (β7) 은 실시하지 않아도 된다.
예를 들어 수지 봉지부의 형상은, 도 1 에 나타내는 바와 같은 단면 대략 사각형의 것에 한정되지 않는다. 수지 봉지부에 봉지되는 반도체 소자는 1 개여도 되고 복수여도 된다. 잉크층은 필수는 아니다.
반도체 패키지로서 발광 다이오드를 제조하는 경우, 수지 봉지부는 렌즈부로서도 기능하기 때문에, 통상적으로, 수지 봉지부의 표면에는 잉크층은 형성되지 않는다. 렌즈부인 경우, 수지 봉지부의 형상은, 대략 반구형, 포탄형, 프레넬 렌즈형, 어묵형, 대략 반구 렌즈 어레이형 등의 각종 렌즈 형상을 채용할 수 있다.
실시예
이하, 실시예를 나타내어 본 발명을 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 기재에 의해서는 한정되지 않는다.
후술하는 예 1 ∼ 29 중, 예 1 ∼ 9 및 예 18 ∼ 23 은 실시예이고, 예 10 ∼ 15, 17 및 예 24 ∼ 29 는 비교예이다. 예 16 은 참고예이다.
각 예에서 사용한 재료 및 평가 방법을 이하에 나타낸다.
[사용 재료]
ETFE (1) : 후술하는 제조예 1 에서 얻은, 테트라플로로에틸렌/에틸렌/PFBE = 52.7/45.9/1.4 (몰비) 인 ETFE (MFR : 12.0 g/10 분, 융점 : 262 ℃).
ETFE (2) : 후술하는 제조예 2 에서 얻은, 테트라플로로에틸렌/에틸렌/PFBE = 52.7/46.5/0.8 (몰비) 인 ETFE (MFR : 10.1 g/10 분, 융점 : 268 ℃).
ETFE (3) : 후술하는 제조예 3 에서 얻은, 테트라플로로에틸렌/에틸렌/PFBE = 52.7/45.8/1.5 (몰비) 인 ETFE (MFR : 5.4 g/10 분, 융점 : 261 ℃).
또한, ETFE (1) ∼ (3) 의 MFR 은 모두, ASTM D3159 에 준거하여, 하중 49 N, 측정 온도 297 ℃ 에서 측정한 값이다.
＜제조예 1 : ETFE (1) 의 제조＞
내용적이 1.3 ℓ 인 교반기가 부착된 중합조를 탈기하여, 1-하이드로트리데카플루오로헥산의 881.9 g, 1,3-디클로로-1,1,2,2,3-펜타플루오로프로판 (상품명 「AK225cb」 아사히 가라스사 제조. 이하, AK225cb 라고 한다) 의 335.5 g, CH2=CHCF2CF2CF2CF3 (PFBE) 의 7.0 g 을 주입하고, TFE 의 165.2 g, 에틸렌 (이하, E 라고 한다) 의 9.8 g 을 압입하고, 중합조 내를 66 ℃ 로 승온하고, 중합 개시제 용액으로서 터셔리 부틸퍼옥시피발레이트 (이하, PBPV 라고 한다) 의 1 질량％ 의 AK225cb 용액의 7.7 ㎖ 를 주입하고, 중합을 개시시켰다.
중합 중 압력이 일정해지도록 TFE/E = 54/46 의 몰비의 모노머 혼합 가스를 연속적으로 주입하였다. 또한, 모노머 혼합 가스의 주입에 맞추어, TFE 와 E 의 합계 몰수에 대하여 1.4 몰％ 에 상당하는 양의 PFBE 를 연속적으로 주입하였다. 중합 개시로부터 2.9 시간 후, 모노머 혼합 가스의 100 g 을 주입한 시점에서, 중합조 내온을 실온까지 강온함과 함께 중합조의 압력을 상압까지 퍼지하였다.
슬러리를 유리 필터로 흡인 여과하고, 고형분을 회수하여 150 ℃ 에서 15 시간 건조시킴으로써, ETFE (1) 의 107 g 을 얻었다.
＜제조예 2 : ETFE (2) 의 제조＞
중합을 개시시키기 전에 주입하는 PFBE 의 양을 7.0 g 에서 3.9 g 으로, PBPV 의 1 질량％ 의 AK225cb 용액의 양을 7.7 ㎖ 에서 5.8 ㎖ 로 각각 변경하고, 중합 중에 연속적으로 주입하는 PFBE 의 양을, TFE 와 E 의 합계 몰수에 대하여 1.4 몰％ 에서 0.8 몰％ 로 변경한 것 이외에는 제조예 1 과 동일하게 하여, ETFE (2) 의 105 g 을 얻었다.
＜제조예 3 : ETFE (3) 의 제조＞
중합을 개시시키기 전에 주입하는 1-하이드로트리데카플루오로헥산의 양을 881.9 g 에서 954.9 g 으로, AK225cb 의 양을 335.5 g 에서 267.8 g 으로, PFBE 의 양을 7.0 g 에서 7.1 g 으로, TFE 의 양을 165.2 g 에서 158.5 g 으로, E 의 양을 9.8 g 에서 9.4 g 으로 각각 변경하고, 중합 중에 연속적으로 주입하는 PFBE 의 양을 (TFE 와 E 의 합계 몰수에 대하여) 1.4 몰％ 에서 1.5 몰％ 로 변경한 것 이외에는 제조예 1 과 동일하게 하여, ETFE (3) 의 102 g 을 얻었다.
＜가압 롤＞
가압 롤은 형롤을 사용하였다.
모두, 쇼어 D 경도 50, 실리카 함유의 실리콘 고무 권롤을 사용하였다.
형롤 1 ∼ 8 의 조성, Ra, RPc 를 표 1 에 나타낸다.
Figure pct00001
＜냉각 롤＞
형롤 1 ∼ 8 중 어느 것, 또는 금속 경면 롤 (재질 : SUS304 Ra : 0.25, RPc : 55) 을 사용하였다.
[예 1]
ETFE (1) 을, 두께가 50 ㎛ 가 되도록 립을 조정한 압출기에 의해, 다이스로부터 압출하고, 롤에 인취되기 직전의 수지 온도가 300 ℃ 가 되도록 온도를 조정하여 용융 압출하고, 형롤과 금속 경면의 냉각 롤 사이에 인취하였다. 파라미터를 하기와 같이 조정하여 편면이 Ra : 1.7 ㎛, RPc : 100 이 되는 것과 같은 이형 필름 (ETFE 필름) 을 얻었다. 냉각 롤에 의해 형성되는 면의 Ra 는 0.2 ㎛, RPc 는 50 으로 하였다.
제조 조건
롤 : 형롤 1/금속 경면 롤
롤간 가압력 : 50 N/㎝
300 ℃ 에 있어서의 용융 점도 : 1,000 ㎩·s
300 ℃ 에 있어서의 용융 점도/롤간 가압력 : 20
[예 2 ∼ 29]
ETFE 로서 표 2 ∼ 5 에 나타내는 것을 사용하고, 두께, 편면의 Ra, RPc 가 표 2 ∼ 5 에 나타내는 값이 되도록 형롤, 제막 속도, 롤간 가압력을 조정한 것 이외에는 예 1 과 동일하게 하여 이형 필름 (ETFE 필름) 을 얻었다. 또한, Ra 가 0.2 ㎛, RPc 가 50 인 면은 냉각 롤에 의해 형성된 면이다.
[평가 방법]
(MFR)
ASTM D3159 에 준거하여, 하중 49 N, 297 ℃ 에서 측정하였다.
(융점)
주사형 시차 열 분석기 (SII 나노테크놀로지즈사 제조, DSC220CU) 를 이용하여, ETFE 를 공기 분위기하에서 300 ℃ 까지 10 ℃/분으로 가열했을 때의 흡열 피크로부터 구하였다.
(수지 온도)
다이스로부터 압출되고, 2 개의 롤에 인취되기 직전의 위치에, 수지 온도 센서 GRMT (다니스코사 제조) 를 설치하고, 용융 수지의 온도를 직접 온도계에 접촉시켜 측정하였다.
(용융 점도)
캐필로 그래프 1D (도요 정기사 제조) 를 사용하여 측정하였다. 측정 온도는 상기의 방법에 의해 측정한 수지 온도로 하고, 로체 직경은 9.55 ㎜, 캐필러리는 내경 1 ㎜, 길이 10 ㎜ 의 것을 사용하였다. 전단 속도가 10/초가 되도록 피스톤 스피드를 조정하고, 그 때의 겉보기의 점도를 구하였다.
(필름의 두께의 측정)
ISO4591 : 1992 (JIS K7130 : 1999 의 B1 법) 에 준거하여 측정하였다.
(필름의 인장 탄성률의 측정)
JIS K7127 : 1999 (ISO 527-3 : 1995) 에 준거한 방법으로 180 ℃ 에 있어서의 인장 탄성률을 측정하였다.
(Ra)
Ra 는, JIS B0601 : 2013 (ISO4287 : 1997, Amd.1 : 2009) 에 기초하여 측정하였다. 기준 길이 (컷오프치 λc) 는 0.8 ㎜ 로 하였다. 측정에 있어서는, SURFCOM 480A (토쿄 정밀사 제조) 를 이용하여, 필름의 제조시의 흐름 방향에 대해 직교하는 방향에 대하여 3 지점, 및 평행한 방향에 대하여 3 지점의 합계 6 지점에 대하여 Ra 를 구하고, 그들의 평균치를 당해 표면의 Ra 로 하였다.
(RPc)
RPc 는, JIS B0601 : 2013 (ISO4287 : 1997, Amd.1 : 2009) 에 기초하여 측정하였다. 기준 길이는 10 ㎜ 로 하였다. 측정에 있어서는, SURFCOM 480A (토쿄 정밀사 제조) 를 이용하여, 필름의 제조시의 흐름 방향에 대해 직교하는 방향에 대하여 3 지점, 및 평행한 방향에 대하여 3 지점의 합계 6 지점에 대하여 RPc 를 구하고, 그들의 평균치를 당해 표면의 RPc 로 하였다.
(핀홀의 뚫기 어려움의 평가)
도 11 을 참조하여 본 평가 방법을 설명한다.
본 평가에 사용한 장치는, 중앙에 11 ㎜ × 11 ㎜ 의 정방형의 구멍이 있는 스테인리스제의 프레임재 (두께 3 ㎜) (70) 와, 내부에 프레임재 (70) 를 수용 가능한 공간 (S) 을 갖는 지그 (72) 와, 지그 (72) 상에 배치된 추 (74) 와, 지그 (72) 아래에 배치된 핫 플레이트 (76) 를 구비한다.
지그 (72) 는, 상부 부재 (72A) 와 하부 부재 (72B) 를 구비한다. 상부 부재 (72A) 와 하부 부재 (72B) 사이에 이형 필름 (30) 을 끼우고, 추 (74) 를 올림으로써, 이형 필름 (30) 이 고정됨과 함께, 기밀한 공간 (S) 이 형성되는 사양이 되어 있다. 이 때 프레임재 (70) 는, 구멍 안에 스테인리스제의 팽이 (10.5 ㎜ × 10.5 ㎜) (78) 및 스테인리스제의 메시 (10.5 ㎜ × 10.5 ㎜) (80) 가 수용된 상태에서, 지그 (72) 내의 상부 부재 (72A) 측에 수용되어, 이형 필름 (30) 과 접한다.
상부 부재 (72A) 의 윗면에는 배기구 (84) 가 형성되고, 배기구 (84) 의 공간 (S) 측의 개구면에는 스테인리스제의 메시 (10.5 ㎜ × 10.5 ㎜) (82) 가 배치되어 있다. 또한, 추 (74) 의 배기구 (84) 에 대응한 위치에는 관통공 (86) 이 형성되어 있고, 관통공 (86) 을 통과하여 배관 (L1) 이 배기구 (84) 에 접속되어 있다. 배관 (L1) 에는 진공 펌프 (도시 생략) 가 접속되어 있고, 진공 펌프를 작동시키는 것에 의해 지그 (72) 내의 공간 (S) 을 감압할 수 있게 되어 있다. 하부 부재 (72B) 에는 배관 (L2) 이 접속되어 있고, 배관 (L2) 을 통해 지그 (72) 내의 공간 (S) 에 압축 공기를 공급할 수 있게 되어 있다.
이 장치에 있어서는, 프레임재 (70) 의 구멍 안에 메시 (80) 를 넣음으로써 이형 필름 (30) 과 팽이 (78) 사이의 공기를 진공 펌프로 빼도록 되어 있다. 또한, 프레임재 (70) 의 구멍 안에 넣는 팽이 (78) 의 두께를 바꿈으로써, 추종 깊이를 바꿀 수 있게 되어 있다. 추종 깊이는, 프레임재 (70) 의 하면 (이형 필름 (30) 이 접촉하는 면) 과 팽이 (78) 의 하면 (이형 필름 (30) 측의 면) 사이의 거리를 나타낸다.
평가에 있어서는, 먼저, 이형 필름 (30) 을 프레임재 (70) 에 밀착시켜 지그 (72) 에 고정시켰다. 이 때 이형 필름 (30) 은, 제 2 면을 상측 (프레임재측) 을 향하여 배치하였다. 다음으로, 핫 플레이트 (76) 에서 지그 (72) 전체를 180 ℃ 까지 가열한 후, 진공 펌프를 작동시켜 팽이 (78) 와 이형 필름 (30) 사이의 공기를 빼냈다. 또한 배관 (L2) 으로부터 압축 공기 (0.5 ㎫) 를 공간 (S) 내에 공급하여, 이형 필름 (30) 을 프레임재 (70) 와 팽이 (78) 에 추종시켰다. 그 상태를 3 분간 유지하고, 진공 펌프의 진공도를 체크한 후에 진공 펌프의 작동 및 압축 공기의 공급을 정지하고, 신속하게 이형 필름 (30) 을 취출하였다. 취출한 이형 필름 (30) 에 대하여, 핀홀의 유무를 육안으로 확인하였다.
상기의 일련의 조작을, 팽이 (78) 의 두께를 바꿈으로써 0.1 ㎜ 간격으로 추종 깊이를 단계적으로 깊게 하면서, 이형 필름 (30) 에 핀홀이 뚫릴 때까지 반복하여, 핀홀이 뚫리지 않는 최대 추종 깊이 (㎜) 를 구하였다. 최대 추종 깊이가 깊을 수록, 핀홀이 잘 뚫리지 않는 것을 나타낸다.
(주름의 발생하기 어려움의 평가)
도 12 를 참조하여 본 평가 방법을 설명한다.
본 평가에서 사용한 금형은, 금속제의 고정 하형 (20 ㎜ × 20 ㎜) (90) 과, 고정 하형 (90) 의 둘레가장자리에 배치된 금속제의 프레임상의 가동 횡형 (92) 을 갖는다. 이 금형에 있어서는, 가동 횡형 (92) 을 상하로 이동시킴으로써, 고정 하형 (90) 과 가동 횡형 (92) 의 단차를 변경할 수 있게 되어 있다. 또한, 그 단차는, 고정 하형 (90) 의 상면과 가동 횡형 (92) 의 상면 사이의 거리를 나타낸다.
가동 횡형 (92) 은, 이형 필름 (30) 을 끼워 넣어 고정시키는 사양으로 되어 있다.
고정 하형 (90) 에는, 배기구 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 그 배기구에는 배관 (L3) 이 접속되어 있다. 이 배관 (L3) 에는 진공 펌프 (도시 생략) 가 접속되어 있고, 진공 펌프를 작동시키는 것에 의해, 이형 필름 (30) 과 고정 하형 (90) 사이의 공기를 흡인하여, 이형 필름 (30) 을 고정 하형 (90) 에 흡착할 수 있게 되어 있다. 고정 하형 (90) 의 상면 (이형 필름 (30) 이 접하는 면) 은 경면 가공 (＃800) 되어 있다.
평가에 있어서는, 먼저, 도 12(a) 에 나타내는 바와 같이, 가동 횡형 (92) 상에 이형 필름 (30) 을 배치하고, 고정시켰다. 이 때 이형 필름 (30) 은, 제 2 면을 하측 (고정 하형 (90) 방향) 을 향하여 배치하였다. 이 시점의 고정 하형 (90) 과 가동 횡형 (92) 의 단차는 1 ㎜ 로 하였다.
다음으로, 고정 하형 (90) 을 포함한 금형 전체를, 핫 플레이트 (도시 생략) 상에 배치하고, 180 ℃ 로 가열하였다. 이 상태에서, 도 12(b) 에 나타내는 바와 같이, 진공 펌프를 작동시켜, 배관 (L3) 을 통해 고정 하형 (90) 의 상면과 이형 필름 (30) 사이의 공기를 빼내어, 이형 필름 (30) 을 고정 하형 (90) 의 상면에 진공 흡착시켰다.
계속해서 180 ℃ 로 가열한 상태에서, 도 12(c) 에 나타내는 바와 같이, 가동 횡형 (92) 을 하강시켜, 고정 하형 (90) 과 가동 횡형 (92) 의 단차를 0.3 ㎜ 로 하였다 (이형 필름 (30) 이 남는 방향). 이 때에 고정 하형 (90) 의 상면에서 이형 필름 (30) 에 주름이나 공기가 빠진 나머지 (보이드) 가 발생하는지 여부를 육안으로 관찰하였다. 그 결과로부터, 하기의 평가 기준으로, 주름의 발생하기 어려움을 평가하였다.
＜평가 기준＞
○ (양호) : 이형 필름에 주름이나 공기가 빠진 나머지를 볼 수 없다.
× (불가) : 이형 필름에 주름이나 공기가 빠진 나머지를 볼 수 있다.
예 1 ∼ 17 에서 얻은 이형 필름에 대하여, 그 형롤에 의해 형성된 면을 제 2 면, 가압 롤에 의해 형성된 면을 제 1 면으로서 사용하여 상기 평가를 실시하고, 핀홀의 뚫기 어려움 (최대 추종 깊이), 주름의 발생하기 어려움을 평가하였다. 결과를 표 2, 3 에 나타낸다.
Figure pct00002
Figure pct00003
상기 결과에 나타내는 바와 같이, 두께가 40 ∼ 75 ㎛ 이고, 제 2 면의 Ra 가 1.3 ∼ 2.5 ㎛, RPc 가 80 ∼ 200 인 예 1 ∼ 9 의 이형 필름은, 최대 추종 깊이가 0.6 ㎜ 이상이고, 금형에 대한 추종시에 핀홀이 잘 뚫리지 않는 것이었다. 또한, 이들 이형 필름은, 금형에 대한 추종시에 주름이 잘 발생하지 않는 것이었다.
한편, Ra 가 2.5 ㎛ 초과인 예 10 의 이형 필름, 제 2 면의 RPc 가 200 초과인 예 12, 14, 15 의 이형 필름은, 금형에 대한 추종시에 핀홀이 뚫리기 쉬운 것이었다.
Ra 가 1.3 ㎛ 미만인 예 11, 17 의 이형 필름, RPc 가 80 미만인 예 13 의 이형 필름은, 금형에 대한 추종시에 주름이 발생하기 쉬운 것이었다. 또한, 제 2 면에 요철을 갖는 이형 필름에서는, 필름이 얇은 경우에는 금형에 대한 추종시에 주름이 발생하기 쉬웠다 (예 16).
(평가 샘플의 제작)
15 ㎝ × 15 ㎝ 의 정방형상의 금속판 (두께 3 ㎜) 상에, 크기 15 ㎝ × 15 ㎝ 의 정방형상의 폴리이미드 필름 (상품명 : 유피렉스 125S, 우베 흥산 주식회사 제조, 두께 125 ㎛) 을 올렸다. 그 폴리이미드 상에 추가로, 스페이서로서, 15 ㎝ × 15 ㎝ 의 정방형상이고, 중앙에 10 ㎝ × 8 ㎝ 의 장방형상의 구멍이 뚫린 폴리이미드 필름 (두께 3 ㎜) 을 올렸다. 그 구멍의 중심 부근에 반도체 봉지용 에폭시 과립 수지 (상품명 : 스미콘 EME G770H type F ver. GR, 스미토모 베이크라이트사 제조, 성형 수축률 1.0 ％) 를 2 g 올렸다. 추가로 그 위에, 15 ㎝ × 15 ㎝ 의 정방형상의 이형 필름을, 제 1 면을 하측 (에폭시 수지측) 을 향하여 올리고, 마지막으로 그 위에 15 ㎝ × 15 ㎝ 의 정방형상의 금속판 (두께 3 ㎜) 을 올려 적층 샘플로 하였다.
그 적층 샘플을, 180 ℃ 에서 가열한 프레스기 (50 t 프레스기, 프레스 면적 45 ㎝ × 50 ㎝) 에 넣고, 100 ㎏/㎠ 의 압력으로 5 분간 프레스하였다.
프레스 후, 스페이서, 이형 필름, 및 이형 필름측의 금속판을 제거하였다. 이로써, 금속판과 에폭시 수지판이 적층하여 이루어지는 평가 샘플을 얻었다.
(잉크 밀착성의 평가)
자외선 (UV) 경화형 잉크 (품번 : 4466, 마켐·이마지사 제조) 를 아세트산에틸로 3 배로 희석하였다. 희석한 잉크를 평가 샘플의 에폭시 수지면 (평가 샘플 제작시에 이형 필름의 제 1 면과 접촉하고 있던 면) 에 바코터 ＃3 을 사용하여 도포하였다. 도포량은 1 g/㎡ 로 하였다. 도포 후, 평가 샘플을 100 ℃ 의 열풍 오븐에 넣고, 3 분간, 건조시켰다.
상기 서술한 잉크를 도포하여 건조시킨 평가 샘플을, UV 조사 장치에 10 초간, 3 ㎾ 의 조건으로 UV 를 조사하고, 잉크를 경화시켜 잉크층을 형성하였다.
형성한 잉크층의 에폭시 수지면에 대한 밀착성을, ISO2409 (JIS K5600-5-6-2009) 에 기초하여 평가하였다. 그 결과로부터, 이하의 기준으로 잉크 밀착성을 평가하였다. ◎ 및 ○ 가 실용상 허용할 수 있는 평가 기준이다.
◎ (우량) : 어느 격자의 눈에도 박리가 없다.
○ (양호) : 격자의 일부에 박리가 확인된다.
△ (불량) : 격자의 50 ％ 이상에서 박리가 확인된다.
× (불가) : 전체면에 박리가 확인된다.
(싱귤레이션시의 결락, 균열의 평가)
평가 샘플로부터 금속판을 제거하고, 남은 에폭시 수지판을, 다이싱 블레이드 (직경 Φ5 ㎝, 두께 0.1 ㎜ 의 다이아몬드 커터) 로 절단하고, 단면을 수세하였다. 그 후, 단면을 광학 현미경 (배율 100 배) 으로 관찰하고, 하기의 기준으로, 싱귤레이션시의 결락, 균열의 발생하기 어려움을 평가하였다.
○ (양호) : 단면에 결락이나 균열이 없다.
× (불가) : 단면에 결락이나 균열이 있다.
예 1 ∼ 6 에서 사용한 이형 필름과 동일한 이형 필름을 이용하여, 그 형롤에 의해 형성된 면을 제 1 면, 가압 롤에 의해 형성된 면을 제 2 면으로서 사용하여 상기 평가 샘플을 제작하고, 잉크 밀착성, 및 싱귤레이션시의 결락, 균열을 평가하였다 (예 18 ∼ 23). 결과를 표 4 에 나타낸다.
Figure pct00004
예 10 ∼ 16 에서 사용한 이형 필름 중 주름의 발생하기 어려움의 평가가 ○ (양호) 였던 이형 필름 (예 10, 12, 14, 15) 을 이용하여, 그 형롤에 의해 형성된 면을 제 1 면, 가압 롤에 의해 형성된 면을 제 2 면으로서 사용하여 상기 평가 샘플을 제작하고, 잉크 밀착성, 및 싱귤레이션시의 결락, 균열을 평가하였다 (예 24, 26, 28, 29). 또한, 이들과는 다른 이형 필름을 이용하여, 동일하게 상기 평가 샘플을 제작하고, 잉크 밀착성, 및 싱귤레이션시의 결락, 균열을 평가하였다 (예 25, 27). 이들 결과를 표 5 에 나타낸다.
Figure pct00005
상기 결과에 나타내는 바와 같이, 제 1 면의 Ra 가 1.3 ∼ 2.5 ㎛, RPc 가 80 ∼ 200 인 예 18 ∼ 23 의 이형 필름을 이용하여 형성된 에폭시 수지판은, 잉크 밀착성이 우수하고, 또한 싱귤레이션시에 결락이나 균열이 잘 발생하지 않는 것이었다.
한편, Ra 가 2.5 ㎛ 초과인 예 24 의 이형 필름을 이용하여 형성된 에폭시 수지판은, 싱귤레이션시에 결락이나 균열이 발생하기 쉬운 것이었다.
Ra 가 1.3 ㎛ 미만인 예 25 의 이형 필름을 이용하여 형성된 에폭시 수지판은, 잉크 밀착성이 불충분하였다.
RPc 가 200 초과인 예 26, 28, 29 의 이형 필름을 이용하여 형성된 에폭시 수지판은, 싱귤레이션시에 결락이나 균열이 발생하기 쉬운 것이었다.
RPc 가 80 미만인 예 27 의 이형 필름을 이용하여 형성된 에폭시 수지판은, 잉크 밀착성이 불충분하였다.
산업상 이용가능성
본 발명의 이형 필름은, 반도체 소자를 경화성 수지로 봉지할 때에, 이형성이 우수하고, 또한 이형 필름에 의한 수지 봉지부의 외관 불량이나 금형에 대한 경화성 수지의 부착이 잘 발생하지 않게 할 수 있고, 또한, 잉크층과의 밀착성이 우수한 수지 봉지부를 형성할 수도 있다. 본 발명의 이형 필름을 이용하여, 트랜지스터, 다이오드 등의 반도체 소자를 집적한 집적 회로 등의 반도체 패키지를 제조할 수 있다.
또한, 2013년 11월 7일에 출원된 일본 특허 출원 2013-231366호 및 일본 특허 출원 2013-231367호의 명세서, 특허청구범위, 도면 및 요약서의 전체 내용을 여기에 인용하고, 본 발명의 명세서의 개시로서 받아들이는 것이다.
1 ; 반도체 패키지
10 ; 기판
12 ; 반도체 칩 (반도체 소자)
14 ; 수지 봉지부
14a ; 수지 봉지부 (14) 의 상면
16 ; 잉크층
18 ; 본딩 와이어
19 ; 경화물
20 ; 고정 상형
22 ; 캐비티 저면 부재
24 ; 가동 하형
26 ; 캐비티
30 ; 이형 필름
40 ; 경화성 수지
50 ; 상형
52 ; 하형
54 ; 캐비티
56 ; 캐비티면
58 ; 기판 설치부
60 ; 수지 도입부
62 ; 수지 배치부
64 ; 플런저
70 ; 프레임재
72 ; 지그
72A ; 상부 부재
72B ; 하부 부재
74 ; 추
76 ; 핫 플레이트
78 ; 팽이
80 ; 메시
82 ; 메시
84 ; 배기구
86 ; 관통공
L1 ; 배관
L2 ; 배관
S ; 공간
90 ; 금속제의 고정 하형
92 ; 금속제의 프레임상의 가동 횡형

Claims (13)

  1. 반도체 소자를 금형 내에 배치하고, 경화성 수지로 봉지하여 수지 봉지부를 형성하는 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서 금형의 캐비티면에 배치되는 이형 필름으로서,
    상기 수지 봉지부의 형성시에 상기 경화성 수지와 접하는 제 1 면과, 상기 캐비티면과 접하는 제 2 면을 갖고,
    상기 제 1 면 및 상기 제 2 면의 적어도 일방의 면에 요철이 형성되어 있고, 상기 요철이 형성되어 있는 면의 산술 평균 거칠기 (Ra) 가 1.3 ∼ 2.5 ㎛, 피크 카운트 (RPc) 가 80 ∼ 200 인 것을 특징으로 하는 이형 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 이형 필름의 두께가 16 ∼ 75 ㎛ 인, 이형 필름.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 면에 요철이 형성되어 있고, 이형 필름의 두께가 40 ∼ 75 ㎛ 인, 이형 필름.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 산술 평균 거칠기 (Ra) 가 1.6 ∼ 1.9 ㎛ 인, 이형 필름.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 피크 카운트 (RPc) 가 100 ∼ 130 인, 이형 필름.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    불소 수지로 이루어지는, 이형 필름.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 불소 수지가, 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체인, 이형 필름.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체가, 테트라플루오로에틸렌에 기초하는 단위와, 에틸렌에 기초하는 단위와, 테트라플루오로에틸렌 및 에틸렌 이외의 제 3 모노머에 기초하는 단위로 이루어지고,
    상기 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체 중의 테트라플루오로에틸렌에 기초하는 단위와 에틸렌에 기초하는 단위의 몰비 (TFE/E) 가 80/20 ∼ 40/60 인, 이형 필름.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 3 모노머에 기초하는 단위의 비율이, 상기 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체에 있어서의 전체 단위의 합계에 대하여 0.01 ∼ 20 몰％ 인, 이형 필름.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 3 모노머가 (퍼플루오로부틸)에틸렌이고, 상기 (퍼플루오로부틸)에틸렌에 기초하는 단위의 비율이, 상기 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체에 있어서의 전체 단위의 합계에 대하여 0.5 ∼ 4.0 몰％ 인, 이형 필름.
  11. 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 에틸렌/테트라플루오로에틸렌 공중합체의 ASTM D3159 에 준거하여 측정되는 MFR 이, 2 ∼ 40 g/10 분인, 이형 필름.
  12. 반도체 소자와, 경화성 수지로부터 형성되고, 상기 반도체 소자를 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 반도체 패키지의 제조 방법으로서,
    금형의 상기 경화성 수지가 접하는 캐비티면에, 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 이형 필름이고 또한 적어도 제 2 면에 상기 요철이 형성되어 있는 이형 필름을, 상기 제 1 면이 캐비티 내의 공간을 향하도록 배치하는 공정과,
    상기 캐비티 내에, 반도체 소자가 실장된 기판을 배치하고, 그 반도체 소자를 경화성 수지로 봉지하고, 그 경화성 수지를 상기 이형 필름에 접한 상태로 경화시켜 수지 봉지부를 형성함으로써, 기판과 상기 기판 상에 실장된 반도체 소자와 상기 반도체 소자를 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 봉지체를 얻는 공정과,
    상기 봉지체를 상기 금형으로부터 이형하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.
  13. 반도체 소자와, 경화성 수지로부터 형성되고, 상기 반도체 소자를 봉지하는 수지 봉지부와, 상기 수지 봉지부의 표면에 형성된 잉크층을 갖는 반도체 패키지의 제조 방법으로서,
    금형의 상기 경화성 수지가 접하는 캐비티면에, 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 이형 필름이고 또한 적어도 제 1 면에 상기 요철이 형성되어 있는 이형 필름을, 상기 제 1 면이 캐비티 내의 공간을 향하도록 배치하는 공정과,
    상기 캐비티 내에, 복수의 반도체 소자가 실장된 기판을 배치하고, 그 복수의 반도체 소자를 경화성 수지로 일괄 봉지하고, 그 경화성 수지를 상기 이형 필름에 접한 상태로 경화시켜 수지 봉지부를 형성함으로써, 기판과 상기 기판 상에 실장된 복수의 반도체 소자와 상기 복수의 반도체 소자를 일괄 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 일괄 봉지체를 얻는 공정과,
    상기 복수의 반도체 소자가 분리되도록, 상기 일괄 봉지체의 상기 기판 및 상기 수지 봉지부를 절단함으로써, 기판과 상기 기판 상에 실장된 적어도 1 개의 반도체 소자와 상기 반도체 소자를 봉지하는 수지 봉지부를 갖는 개편화 봉지체를 얻는 공정과,
    상기 일괄 봉지체 또는 개편화 봉지체의 수지 봉지부의, 상기 이형 필름에 접하고 있던 면에, 잉크를 이용하여 잉크층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.
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