TW201623430A - 密封薄膜用樹脂組成物、密封薄膜、附有支撐體的密封薄膜、及電子裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的密封薄膜用樹脂組成物，其包含液態環氧 樹脂、氰酸酯樹脂及有機金屬鹽。本發明的電子裝置，其具備電子零件或電子器件，該電子零件或該電子器件被密封或埋設在本發明的密封薄膜中。

Description

密封薄膜用樹脂組成物、密封薄膜、附有支撐體的密封薄 膜、及電子裝置
本發明關於以下發明：密封薄膜用樹脂組成物、密封薄膜、附有支撐體的密封薄膜、及使用該等而成的電子裝置；其中，該密封薄膜用樹脂組成物、該密封薄膜、及該附有支撐體的密封薄膜的目的是應用於半導體晶片的密封或構裝有電子零件之基板的埋設等。
半導體晶片等半導體元件的密封，通常是使用固形或液態的樹脂組成物(密封材料)，利用模製成形來實行。近年來，為了更簡便地將半導體元件密封，而提案有下述技術：將搭載於基板上的複數個半導體元件，使用薄膜狀樹脂組成物同時地進行樹脂密封(專利文獻1)。
[先前技術文獻] (專利文獻)
日本特開2004-327623號公報
將半導體元件密封之薄膜狀樹脂組成物，例如，能夠利用下述方法製造：將包含有機溶劑之樹脂清漆塗佈在支撐體上，然後進行乾燥。在如此製造出來的薄膜狀樹脂組成物中，會因為有機溶劑一定程度地殘留而賦予其在半硬化狀態的處理性。
然而，若薄膜的膜厚增加，包含於樹脂清漆中的揮發成分(主要是有機溶劑)會因為難以揮發，而有無法充分地降低揮發成分的問題點。當無法充分降低揮發成分時，在將半導體元件等密封並將薄膜狀樹脂組成物進行熱硬化時，會容易發生孔洞等不良。從而，對於將半導體元件等密封之薄膜狀樹脂組成物，要求有充分地使揮發成分降低，並且處理性良好的特性。另一方面，對於將半導體元件等密封之薄膜狀樹脂組成物，從耐熱性和可靠性的觀點來看，要求其硬化後的樹脂具有充分高的玻璃轉移溫度的特性。
本發明有鑑於上述情況，其目的在於提供以下發明：密封薄膜用樹脂組成物、密封薄膜、附有支撐體的密封薄膜、及使用該等而成的電子裝置；其中，該密封薄膜用樹脂組成物，即便降低揮發成分亦能夠形成處理性良好的密封薄膜，並且能夠形成具有充分高的玻璃轉移溫度的硬化物。
為了解決上述問題，本發明人進行研究後的結果，發現下述事實：包含液態環氧樹脂、氰酸酯樹脂及有 機金屬鹽的密封薄膜用樹脂組成物，即便降低揮發成分處理性亦良好，並且能夠形成具有充分高的玻璃轉移溫度的硬化物；基於此技術思想，進而完成本發明。
亦即，本發明提供一種密封薄膜用樹脂組成物，其包含液態環氧樹脂(A)、氰酸酯樹脂(B)及有機金屬鹽(C)。
根據本發明的密封薄膜用樹脂組成物，能夠獲得一種密封薄膜，即便降低其揮發成分處理性亦良好，並且能夠形成具有充分高的玻璃轉移溫度的硬化物。
本發明的密封薄膜用樹脂組成物，其中，能夠進一步包含上述液態環氧樹脂以外之環氧樹脂(D)。
本發明的密封薄膜用樹脂組成物，其中，能夠進一步包含酚類化合物(E)。
本發明的密封薄膜用樹脂組成物，其中，能夠進一步包含無機填充材料(F)。
本發明又提供一種密封薄膜，其使用上述本發明中的密封薄膜用樹脂組成物而成。
本發明的密封薄膜的厚度，能夠設為30~250μm。
本發明又提供一種附有支撐體的密封薄膜，其在上述本發明中的密封薄膜的至少其中一面上設置支撐體而成。
本發明又提供一種電子裝置，其具備電子零件或電子器件，該電子零件或該電子器件被密封或埋設在密 封薄膜中，該密封薄膜是上述本發明中的密封薄膜、或上述本發明中的附有支撐體的密封薄膜。
本發明又提供一種密封薄膜，其用以密封或埋設已設置在基板上的一個或複數個電子零件或電子器件，其中，該密封薄膜包含液態環氧樹脂(A)、氰酸酯樹脂(B)及有機金屬鹽(C)。
上述密封薄膜，能夠進一步包含液態環氧樹脂以外之環氧樹脂(D)。
上述密封薄膜，能夠進一步包含酚類化合物(E)。
上述密封薄膜，能夠進一步包含無機填充材料(F)。
上述密封薄膜的厚度，能夠設為30~250μm。
本發明又提供一種密封薄膜，其將上述密封薄膜積層複數片而成。
上述密封薄膜，能夠用於0.2~1.5MPa的加壓條件下進行密封或埋設。
本發明又提供一種附有支撐體的密封薄膜，其在上述密封薄膜的至少其中一面上設置支撐體而成。
本發明又提供一種電子裝置，其具備有電子零件或電子器件，其中，該電子零件或該電子器件被密封或埋設在密封薄膜中，該密封薄膜是上述密封薄膜、或上述附有支撐體的密封薄膜。
本發明又提供一種電子裝置的製造方法，該製造方法具備下述步驟：藉由在加熱下將密封薄膜按壓在已設置在基板上的一個或複數個電子零件或電子器件上，來將前述電子零件或前述電子器件密封或埋設，該密封薄膜是上述密封薄膜或上述附有支撐體的密封薄膜。
在電子裝置的製造方法中，能夠以0.2~1.5MPa來按壓上述密封薄膜。
根據本發明，能夠提供以下發明：密封薄膜用樹脂組成物、密封薄膜、附有支撐體的密封薄膜、及使用該等而成的電子裝置；其中，該密封薄膜用樹脂組成物即便降低揮發成分亦能夠形成處理性良好的密封薄膜，並且能夠形成具有充分高的玻璃轉移溫度的硬化物。
所有符號為單一段落號
1‧‧‧支撐體
2‧‧‧密封薄膜
2a‧‧‧硬化物(密封部)
10‧‧‧附有支撐體的密封薄膜
20‧‧‧半導體元件
30‧‧‧基板
40‧‧‧暫時固定材料
50、52‧‧‧絕緣層
54‧‧‧線路
56‧‧‧焊球
60‧‧‧晶圓切割機
100‧‧‧密封成形物
200‧‧‧半導體裝置(電子裝置)
第1圖是用以說明半導體裝置之製造方法之一實施形態的概略剖面圖。
第2圖是用以說明半導體裝置之製造方法之一實施形態的概略剖面圖。
以下，詳細說明本發明的實施形態。
本實施形態的密封薄膜用樹脂組成物，其包含：液態環氧樹脂(A)(以下，有時稱為成分(A))、氰酸 酯樹脂(B)(以下，有時稱為成分(B))及有機金屬鹽(C)(以下，有時稱為成分(C))。
根據本實施形態的密封薄膜用樹脂組成物，能夠獲得一種密封薄膜，即便降低其揮發成分處理性亦良好，並且能夠形成具有充分高的玻璃轉移溫度之硬化物。
有關本實施形態的密封薄膜用樹脂組成物能夠充分降低揮發成分的理由，並未完全清楚，但推測如以下。當在支撐體塗佈並乾燥樹脂清漆來製造密封薄膜時，未設有支撐體側的樹脂組成物，相較於設有支撐體側的樹脂組成物，較容易進行乾燥。因此認為：未設有支撐體側的樹脂組成物會進行乾燥，而設有支撐體側的樹脂組成物中的揮發成分(主要是有機溶劑)的揮發則會被妨礙。並且認為：在本實施形態的密封薄膜用樹脂組成物中，利用調配液態環氧樹脂(A)，能夠抑制未設有支撐體側的樹脂組成物的過度乾燥，並且能夠使設有支撐體側的樹脂組成物的揮發成分充分地揮發。
再者，在本說明書中，所謂的密封薄膜，是意指一種薄膜狀樹脂組成物，其可使用來用於密封或埋設表面聲波濾波器(SAW(Surface Acoustic Wave)filter)等電子零件或半導體元件等電子器件。
作為成分(A)的液態環氧樹脂，只要是在25℃中呈現液態者並無特別限定，可列舉例如：雙酚A系、雙酚F系、聯苯系、酚醛清漆系、二環戊二烯系、多官能酚系、萘系、芳烷改質系、脂環式系及醇系等環氧丙基醚、 環氧丙基胺系、以及環氧丙基酯系樹脂等。這些環氧樹脂，能夠使用單獨一種或組合兩種以上來使用。上述之中，從賦予處理性的觀點來看，較佳是雙酚F型環氧樹脂。
在本說明書中，所謂的在25℃中呈現液態的環氧樹脂，是意指利用E型黏度計測定出的在25℃中的黏度是400Pa‧s以下。
密封薄膜用樹脂組成物中的成分(A)的調配量，從賦予密封薄膜良好的處理性的觀點來看，以形成硬化物的成分總量為基準計，較佳是10~80質量%，更佳是15~75質量%，特別較佳是20~70質量%。
作為成分(B)的氰酸酯樹脂，只要是1分子中具有至少兩個氰氧基的化合物則無特別限定，可列舉例如：苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、雙酚F型氰酸酯樹脂、及四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等。這些氰酸酯樹脂，能夠使用單獨一種或組合兩種以上來使用。上述之中，從介電特性、耐熱性、難燃性、低熱膨脹性及價廉的觀點來看，較佳是雙酚A型氰酸酯樹脂、苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂。
作為氰酸酯樹脂的市售品，可列舉：雙酚A型氰酸酯樹脂(Lonza Japan股份有限公司製造；商品名Primaset BADCy)、苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂(Lonza Japan股份有限公司製造；商品名Primaset PT-30)。
成分(B)的調配量，相對於成分(A)100質量份，較佳是25~400質量份，更佳是50~250質量份，特別較佳是60~150質量份。利用將成分(B)的調配量設為25質量份以上，而具有提升樹脂組成物的耐熱性、難燃性、耐化學藥品性的傾向，利用設為400質量份以下而變得容易確保耐溼性。
作為成分(C)的有機金屬鹽，可列舉例如：環烷酸鋅、環烷酸錳、環烷酸銅、環烷酸鈷、辛酸錫、及辛酸鈷等。這些有機金屬鹽，能夠使用單獨一種或組合兩種以上來使用。上述之中，從硬化性、溶劑溶解性的觀點來看，較佳是環烷酸鋅、環烷酸銅，特別較佳是環烷酸鋅。
成分(C)的調配量，相對於成分(A)及成分(B)的總和100質量份，較佳是0.0001~0.008質量份，更佳是0.00015~0.007質量份，特別較佳是0.0002~0.006質量份。若成分(C)的調配量是0.0001質量份以上，會有促進硬化反應並且提升密封薄膜生產性的效率的傾向，若是0.008質量份以下，而能夠對薄膜製作時的乾燥條件保有容許度(tolerance)。
在本實施形態的密封薄膜用樹脂組成物中，可以併用上述液態環氧樹脂(A)以外之環氧樹脂(D)(以下，有時稱為成分(D))。
作為成分(D)的環氧樹脂，可列舉例如：雙酚A系、雙酚F系、聯苯系、酚醛清漆系、二環戊二烯系、多官能酚系、萘系、芳烷改質系、脂環式系及醇系等環氧 丙基醚、環氧丙基胺系、以及環氧丙基酯系等。這些環氧樹脂，能夠使用單獨一種或組合兩種以上來使用。上述之中，從高剛性、介電特性、耐熱性、難燃性、耐溼性、及低熱膨脹性的觀點，以及在室溫是固形所以在製造半硬化薄膜時黏性較少而容易處理的觀點來看，較佳是萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂。又，從對有機溶劑的溶解性的觀點來看，更佳是萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萘酚芳烷甲酚共聚型環氧樹脂、聯苯芳烷型環氧樹脂。
液態環氧樹脂(A)以外之環氧樹脂(D)，能夠使用利用E型黏度計測定出的在25℃中的黏度超過400Pa‧s者。
當併用液態環氧樹脂(A)與環氧樹脂(D)時，液態環氧樹脂(A)的調配量，從賦予密封薄膜在半硬化狀態下的處理性的觀點來看，在將總環氧樹脂設為100質量份時，較佳是成為30~90質量份，更佳是成為40~80質量份。又，環氧樹脂(D)的調配量，因為會對密封薄膜的黏性的抑制有所影響，在將總環氧樹脂設為100質量份時，較佳是成為10~70質量份，更佳是成為20~60質量份。
本實施形態的密封薄膜用樹脂組成物，可以包含酚類化合物(E)(以下，有時稱為成分(E))。
作為成分(E)的酚類化合物，並無特別限定，較佳是包含一元酚化合物。作為一元酚化合物，可列舉例 如：對(α-異丙苯基)酚、單(α-甲基苯甲基)酚、二(α-甲基苯甲基)酚、三(α-甲基苯甲基)酚、對三級丁基酚、2,4-二(三級丁基)酚、2,6-二(三級丁基)酚、對三級戊基酚及對三級辛基酚等。這些酚類化合物，能夠使用單獨一種或組合兩種以上來使用。
成分(E)的調配量，以酚類化合物(E)相對於1當量的氰酸酯樹脂(B)的氰氧基之酚性氫氧基比(羥基/氰氧基當量比)計，較佳是設為0.025~0.30，更佳是設為0.025~0.25，特別較佳是設為0.025~0.20。
本實施形態的密封薄膜用樹脂組成物，可以包含無機填充材料(F)(以下，有時稱為成分(F))。
作為成分(F)的無機填充材料，並無特別限定，可列舉例如：二氧化矽、氧化鋁、滑石、雲母、高嶺土、氫氧化鋁、水鋁石、氫氧化鎂、硼酸鋅、錫酸鋅、氧化鋅、氧化鈦、氮化硼、碳酸鈣、硫酸鋇、硼酸鋁、及鈦酸鉀等。這些無機填充材料，能夠使用單獨一種或組合兩種以上來使用。
上述之中，從介電特性、耐熱性、低熱膨脹性的觀點來看，特別較佳是二氧化矽。作為二氧化矽，可列舉例如：利用溼式法所製造而含水率高的沉澱二氧化矽、及利用乾式法所製造而幾乎不包含結合水等的乾式法二氧化矽。作為乾式法二氧化矽，進一步由於不同的製造方法可列舉：破碎二氧化矽、發煙二氧化矽、球狀二氧化矽。其中，從低熱膨脹性及填充至樹脂時的高流動性來看，較 佳是球狀二氧化矽。作為球狀二氧化矽，可列舉溶融球狀二氧化矽及爆燃球狀二氧化矽等。
當作為成分(F)使用球狀二氧化矽時，其平均粒徑較佳是0.1~10μm，更佳是0.3~8μm，進一步較佳是0.3~2μm，特別較佳是0.3~0.8μm。利用將球狀二氧化矽的平均粒徑設為0.1μm以上，能夠良好地保持高填充至樹脂時的流動性，利用設為10μm以下，可降低粗大粒子的混入機率而抑制粗大粒子造成的不良的發生。此處，所謂的平均粒徑，是將粒子的總體積設為100%而藉由粒徑求得累積次數分布曲線時，相當於體積50%之點的粒徑，並且平均粒徑能夠以使用雷射繞射散射法的粒度分布裝置等來測定。
在本實施形態中，利用組合不同粒徑的二氧化矽來進行填充，會變得可以進一步填充化，並且變得可以一邊維持流動性一邊提升填充率。
無機填充材料，較佳是預先利用矽烷偶合劑進行表面處理而成的無機填充材料。其中，更佳是利用胺基矽烷系偶合劑、環氧基矽烷系偶合劑及巰基矽烷系偶合劑中至少一種的矽烷偶合劑進行表面處理者，特別較佳是利用胺基矽烷系偶合劑及環氧基矽烷系偶合劑中至少一種的矽烷偶合劑進行表面處理者。
成分(F)的調配量，當將形成密封薄膜用樹脂組成物中的成分總量設為100質量份時(例如，當樹脂組成物包含成分(A)~(E)時，將固形分換算的成分(A)~ (E)的總合設為100質量份時)，較佳是10~300質量份，更佳是50~250質量份。利用將無機填充劑(F)的調配量設在上述範圍內，能夠良好地保持樹脂組成物的成形性與低熱膨脹性。
本實施形態的密封薄膜用樹脂組成物中，為了使樹脂組成物中的無機填充材料(F)的分散性提升，能夠適當添加以下偶合劑，如：環氧基矽烷系、巰基矽烷系、胺基矽烷系、乙烯基矽烷系、苯乙烯基矽烷系、甲基丙烯氧基矽烷系、丙烯氧基矽烷系、鈦酸酯系、矽氧低聚物等。
又，本實施形態中的密封薄膜用樹脂組成物中，在不損害本發明的效果的範圍，能夠調配上述以外之添加劑。作為如此的添加劑，能夠列舉例如：流動調整劑、顏料、脫模劑等。
本實施形態的密封薄膜，是使用本實施形態中的密封薄膜用樹脂組成物而成。
本實施形態的密封薄膜，例如，能夠使用樹脂清漆來製造，該樹脂清漆是在有機溶劑中溶解或分散上述的成分(A)~(C)、依據需要的成分(D)~(F)及其他成分而成。
樹脂清漆，能夠藉由將成分(A)~(C)、依據需要的成分(D)~(F)及其他的成分與有機溶劑進行調配來製造。
作為製造樹脂清漆時使用的有機溶劑，並無特別限制，而可列舉例如：乙醇、丙醇、丁醇、甲基賽路蘇、 丁基賽路蘇、丙二醇單甲醚等醇系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶劑；乙酸乙酯、γ-丁內酯等酯系溶劑；四氫呋喃等醚系溶劑；甲苯、二甲苯、對稱三甲苯等芳香族系溶劑；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等含氮溶劑；二甲基亞碸等含硫溶劑等。這些有機溶劑，能夠使用一種或組合兩種以上來使用。上述之中，從揮發性高而在製作薄膜時殘留溶劑不易殘留的觀點來看，較佳是環己酮、丙二醇單甲基醚、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、甲苯；更佳是甲基乙基酮、甲基異丁基酮、甲苯。
製造樹脂清漆時的有機溶劑的調配量，當將成分(A)~(C)、依據需要所調配的成分(D)~(F)的總和設為100質量份時，較佳是8~50質量份，更佳是9~40質量份，特別較佳是10~25質量份。利用將有機溶劑的調配量設為8質量份以上，可容易確保樹脂清漆的流動性，而設為50質量份以下，則能夠減少薄膜化中必須揮發的溶劑量。
將以如此方式製造而成的樹脂清漆，塗佈在支撐體的其中一面或兩面之後，使其進行加熱乾燥，便能夠獲得密封薄膜。
作為使用的支撐體，並無特別限定，可列舉例如：聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚氯化乙烯薄膜等聚烯烴薄膜；聚對苯二甲酸乙二酯薄膜等聚酯薄膜；聚碳酸酯薄膜；乙酸纖維素薄膜；四氟乙烯薄膜；以及銅箔及鋁箔等 金屬箔等。其中，從價格或耐熱性的觀點來看，較佳是使用聚酯薄膜。
支撐體的厚度，亦無特別限定，例如：較佳是10~200μm，更佳是20~150μm。
作為在支撐體的其中一面或兩面塗佈樹脂清漆的方法，並無特別限定，而能夠使用例如：刮刀塗佈機(comma coater)、刮棒塗佈機(bar coater)、接觸輥塗機(kiss-roll coater)、輥塗機、凹版塗佈機、模具塗佈機等塗佈裝置。
作為使塗佈於支撐體的樹脂清漆加熱乾燥的方法，並無特別限定，可列舉例如熱風吹拂等方法。例如：利用使其在100~140℃進行乾燥5~20分鐘，便能夠獲得密封薄膜。
本實施形態的密封薄膜的厚度較佳是30~250μm。又，能夠積層複數片本實施形態的密封薄膜，來製造密封薄膜，此時，例如能夠製造超過250μm的密封薄膜。
密封薄膜中的揮發成分(主要是有機溶劑)的含量，以密封薄膜的總質量為基準計，較佳是0.2~1.6質量%，更佳是0.3~1質量%。藉由設定為如此的範圍，能夠防止薄膜破裂等缺陷，而可獲得良好的處理性。又，在熱硬化時能夠防止伴隨揮發成分揮發而生的孔洞等缺陷。
本實施形態的附有支撐體的密封薄膜，是在本實施形態的密封薄膜的至少其中一面上設置支撐體而成。作為支撐體，能夠使用製造前述密封薄膜時所使用的支撐體。
本實施形態的電子裝置，是具備電子零件或電子器件者，該電子零件或該電子器件被密封或埋設在本實施形態的密封薄膜中。本實施形態中的密封薄膜，能夠用於電子零件或電子器件的密封或埋設等。作為電子零件，可列舉例如：表面聲波濾波器等濾波器；探測器等被動元件(passive components)。作為電子器件，可列舉例如：半導體元件、積體電路等。再者，本實施形態中的密封薄膜，能夠使用在上述以外之被密封體的埋設或密封。所謂的「埋設」，是意指對空隙、段差等供給密封材料。所謂的「密封」，是意指以使被密封體不接觸大氣的方式來利用密封材料進行密封。藉由密封薄膜來進行的電子零件或電子器件的密封或埋設，亦能夠使用本實施形態之附有支撐體的密封薄膜。
說明有關使用密封薄膜的電子裝置之製造方法，該密封薄膜是本實施形態中的密封薄膜或附有支撐體的密封薄膜。本實施形態中的方法，具備下述步驟：藉由在加熱下將密封薄膜按壓在已設置在基板上的一個或複數個電子零件或電子器件，來將電子零件或電子器件密封或埋設，該密封薄膜是上述密封薄膜或上述附有支撐體的 密封薄膜。作為電子零件及電子器件，可列舉上述的電子零件或電子器件。作為電子裝置，可列舉半導體裝置等。
第1圖及第2圖，是用以說明半導體裝置的製造方法之一實施形態的概略剖面圖。本實施形態中的方法，具備下述步驟：使附有支撐體的密封薄膜10與被埋設對象也就是半導體元件20相對向，藉由在加熱下將密封薄膜2按壓在半導體元件20，將半導體元件20密封或埋設在密封薄膜2中的步驟(第1圖(a)及(b))；及，使密封或埋設有半導體元件的密封薄膜硬化的步驟(第1圖(c))；該半導體元件20是被排列在具有暫時固定材料40的基板30上，該附有支撐體的密封薄膜10具備支撐體1及設置在支撐體1上的密封薄膜2。在本實施形態中，可藉由疊層法來獲得密封成形物，其是在密封薄膜熱硬化而成的硬化物2a中密封或埋設有半導體元件20而成，但亦可藉由模製成形來獲得密封成形物。
作為使用的疊層機，並無特別限定，可列舉例如：輥式、氣囊(balloon)式等的疊層機。其中，從埋設性的觀點來看，較佳是可以真空加壓的氣囊式。
疊層溫度，通常是在薄膜狀的支撐體的軟化點以下來實行。進一步，較佳是密封用薄膜的最低熔融黏度附近。疊層溫度，並無特別限制，較佳是60~140℃，更佳是70~130℃，特別較佳是80~120℃。疊層時的壓力會因欲密封或埋設的半導體元件等電子器件或電子零件的大小、密集度而改變，較佳是在0.2MPa~ 1.5MPa的範圍來實行，更佳是在0.3MPa~1.0MPa的範圍來實行。疊層時間亦無特別限定，較佳是20秒~600秒，更佳是30秒~300秒，特別較佳是40秒~120秒。
硬化例如能夠在大氣下或惰性氣體下實行。作為硬化溫度，並無特別限定，較佳是80℃~280℃，更佳是100℃~240℃，特別較佳是120℃~200℃。只要硬化溫度是80℃以上，密封薄膜的硬化便可以充分進行，並且能夠抑制缺陷的產生。硬化溫度是280℃以下時，能夠抑制對其他材料的熱損傷的發生。硬化時間亦無特別限定，較佳是30分鐘~600分鐘，更佳是45分鐘~300分鐘，特別較佳是60分鐘~240分鐘。只要硬化時間在這些範圍，密封薄膜的硬化便可以充分地進行，並且可獲得良好的生產效率。又，可以組合複數種硬化條件。
本實施形態，能夠經過以下各步驟來獲得半導體裝置，如：絕緣層形成、線路圖案形成、焊球安裝(ball mount)、及切割等各步驟。
首先，在從基板30剝離後的密封成形物100的露出半導體元件20之側，設置再形成線路材料用的絕緣層50(第2圖(a)和(b))。接下來，對絕緣層50實行線路圖案形成後，實行焊球安裝，而形成絕緣層52、線路54、及焊球56。
接下來，藉由晶圓切割機60，將密封成形物單片化，而獲得半導體裝置200。
如上述實施形態中的半導體裝置之製造方法所示，本實施形態中的密封薄膜，適合作為用於密封或埋設已設置在基板上的一個或複數個電子零件或電子器件所使用的密封薄膜。
上述密封薄膜，適合用於在0.2~1.5MPa的加壓條件下進行密封或埋設中所使用的密封薄膜。
本實施形態中，能夠設為附有支撐體的密封薄膜，其在上述密封薄膜的至少一面上設置支撐體而成。作為支撐體，能夠使用前述製造密封薄膜時所使用的支撐體。
本發明又能夠提供一種使用上述有機金屬鹽來降低密封薄膜的黏性的方法。亦即，藉由在密封薄膜中調配上述有機金屬鹽，而能夠降低乾燥後的密封薄膜表面的黏性，並且能夠使處理性提升。作為調配在密封薄膜中的上述有機金屬鹽以外之成分，能夠使用上述之各成分中的至少一種。
[實施例]
以下，藉由實施例進一步詳細說明本發明，但本發明並未限定於該等實施例。
〈附有支撐體的密封薄膜的製作〉
使表示於表1的各成分的特定量溶解並分散於甲基異丁基酮中，調製成固形分80質量%的樹脂清漆。將經調製的樹脂清漆塗佈在聚對苯二甲酸乙二酯薄膜的其中一面上，在乾燥爐中以100~140℃加熱乾燥10分鐘，製作 成半硬化狀態之附有支撐體的密封薄膜(密封薄膜的厚度：100μm)。
作為表中的調配成分使用以下成分。
(1)液態環氧樹脂
JER806：雙酚F型環氧樹脂(三菱化學股份有限公司製造，商品名：JER806，在25℃中的黏度是400Pa‧s以下)
(2)氰酸酯樹脂
PT-30：苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂(Lonza Japan股份有限公司製造，商品名：Primaset PT-30)
(3)有機金屬鹽
環烷酸鋅：環烷酸鋅8質量%礦油精溶液(和光純藥工業股份有限公司製造，商品名)
(4)固形環氧樹脂
NC-7000L：萘酚芳烷甲酚共聚型環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製造，商品名：NC-7000L，在25℃中的黏度超過400Pa‧s)
NC-3000H：聯苯芳烷型酚醛清漆環氧樹脂(日本化藥股份有限公司製造，商品名：NC-3000H，在25℃中的黏度超過400Pa‧s)
(5)酚類化合物
對(α-異丙苯基)酚：對-(α-異丙苯基)酚(東京化成工業股份有限公司製造，商品名)
(6)無機填充材料
球狀二氧化矽：球狀二氧化矽，平均粒徑0.5μm(Admatechs股份有限公司製造，商品名：SC-2500-SXJ，胺基矽烷系偶合劑處理)
(7)流動調整劑
BYK-310：聚酯改質聚二甲基矽氧烷(BYK公司製造，商品名：BYK-310)
〈評價方法〉
(1)附有支撐體的密封薄膜的揮發成分的定量
將所獲得的附有支撐體的密封薄膜切割成5cm見方，使其在180℃乾燥1小時，藉由求出乾燥前與乾燥後的質量變化，依照下述公式，求出密封薄膜的總質量基準中的揮發成分的含量。該結果表示於表1。
揮發成分的含量(質量%)=[(乾燥前質量-乾燥後質量)/(乾燥前質量-支撐體的質量)]×100
(2)密封用薄膜的薄膜處理性
所獲得的附有支撐體的密封薄膜的薄膜處理性，是使用彎曲試驗機(JIS型式樣1，圓筒型心軸法)利用以下的順序來進行評價。
作為試驗機，準備YOSHIMITSU精機股份有限公司製造的彎曲試驗機(JIS型式樣1，圓筒型心軸法，直徑2mm)。將切割成5cm見方之附有支撐體的密封薄膜設為試驗片，將支撐體抵著彎曲試驗機，來評價 試驗片彎曲180°時是否發生龜裂。該結果表示於表1。
(3)樹脂硬化物的玻璃轉移溫度(Tg)
削取利用實施例1~4及比較例1~3所獲得之附有支撐體的密封薄膜的密封薄膜部分，特定量地放入鐵氟龍(註冊商標)的塑模，以兩面與銅箔的光澤面相接的的方式來配置，利用240℃、2MPa、60分鐘的加壓條件來進行加熱加壓成形。成形後，剝除銅箔，製作成樹脂組成物的硬化物的板(厚度：1mm)。
藉由動態黏彈性測定裝置(UBM股份有限公司製造，Rheogel-E4000)來測定所獲得的硬化物的板的tan δ(拉伸模式，頻率10赫茲(Hz)，升溫速度5℃/分鐘)。將該tan δ的最大值設為玻璃轉移溫度。該結果表示於表1。
實施例1~4的密封薄膜，確認了以下結果：即便薄膜中的揮發成分的含量是0.8質量%以下亦顯示良好的耐彎曲性，並且可以製作成處理性及外觀良好的100μm厚的薄膜。
另一方面，不包含液態環氧樹脂(A)的比較例1的密封薄膜，利用在100℃進行乾燥，雖然薄膜的處理性及外觀良好，但因為薄膜中的揮發成分的含量是2.29質量%而在硬化時會有發生孔洞的疑慮。在110℃進行乾燥的比較例2中，薄膜中的揮發成分的含量變成1.52質量%，不僅處理性惡化，並且在使用心軸試驗器的耐彎曲試驗中發生了龜裂。不包含有機金屬鹽(C)的比較例3的密封薄膜，即便在140℃進行乾燥亦會在薄膜上殘留黏性，並且處理性惡化。
實施例1的密封薄膜，其硬化物的玻璃轉移溫度(Tg)是230℃以上。又，併用了固形環氧樹脂的實施例2~4的密封薄膜，其硬化物的Tg是270℃以上。因為一般性的有機材料在超過Tg的溫度範圍中會大幅損失物性，故根據能夠形成具有高Tg的硬化物之本發明中的密封薄膜用樹脂組成物，能夠獲得良好的耐熱性、可靠性。
藉由以上，已知根據本發明能夠提供以下發明：密封薄膜用樹脂組成物、密封薄膜及附有支撐體的密封薄膜，該密封薄膜用樹脂組成物即便降低揮發成分處理性亦良好，並且能夠形成具有充分高的玻璃轉移溫度的硬化物。
[產業上的可利用性]
根據本發明，能夠提供以下發明：密封薄膜用樹脂組成物、密封薄膜、附有支撐體的密封薄膜、及使用上述發明的電子裝置；該密封薄膜用樹脂組成物即便降低揮發成分亦能夠形成處理性良好的密封薄膜，並且能夠形成具有充分高的玻璃轉移溫度的硬化物。
1‧‧‧支撐體
2‧‧‧密封薄膜
2a‧‧‧硬化物(密封部)
10‧‧‧附有支撐體的密封薄膜
20‧‧‧半導體元件
30‧‧‧基板
40‧‧‧暫時固定材料

Claims (19)

  1. 一種密封薄膜用樹脂組成物，其包含液態環氧樹脂(A)、氰酸酯樹脂(B)及有機金屬鹽(C)。
  2. 如請求項1所述之密封薄膜用樹脂組成物，其中，進一步包含前述液態環氧樹脂以外之環氧樹脂(D)。
  3. 如請求項1或2所述之密封薄膜用樹脂組成物，其中，進一步包含酚類化合物(E)。
  4. 如請求項1~3中任一項所述之密封薄膜用樹脂組成物，其中，進一步包含無機填充材料(F)。
  5. 一種密封薄膜，其使用如請求項1~4中任一項所述之密封薄膜用樹脂組成物而成。
  6. 如請求項5所述之密封薄膜，其中，其厚度是30~250μm。
  7. 一種附有支撐體的密封薄膜，其在如請求項5或6所述之密封薄膜的至少其中一面上設置支撐體而成。
  8. 一種電子裝置，其具備電子零件或電子器件，該電子零件或該電子器件被密封或埋設在密封薄膜中，該密封薄膜是如請求項5或6所述之密封薄膜、或如請求項7所述之附有支撐體的密封薄膜。
  9. 一種密封薄膜，其用以密封或埋設已設置在基板上的一個或複數個電子零件或電子器件， 其中，前述密封薄膜，包含液態環氧樹脂(A)、氰酸酯樹脂(B)及有機金屬鹽(C)。
  10. 如請求項9所述之密封薄膜，其中，進一步包含前述液態環氧樹脂以外之環氧樹脂(D)。
  11. 如請求項9或10所述之密封薄膜，其中，進一步包含酚類化合物(E)。
  12. 如請求項9~11中任一項所述之密封薄膜，其中，進一步包含無機填充材料(F)。
  13. 如請求項9~12中任一項所述之密封薄膜，其中，其厚度是30~250μm。
  14. 一種密封薄膜，其將如請求項9~13中任一項所述之密封薄膜積層複數片而成。
  15. 如請求項9~14中任一項所述之密封薄膜，其用於在0.2~1.5MPa的加壓條件下進行密封或埋設。
  16. 一種附有支撐體的密封薄膜，其在如請求項9~15中任一項所述之密封薄膜的至少其中一面上設置支撐體而成。
  17. 一種電子裝置，其具備電子零件或電子器件，該電子零件或電子器件被密封或埋設在密封薄膜中，該密封薄膜是如請求項9~15中任一項所述之密封薄膜、或如請求項16所述之附有支撐體的密封薄膜。
  18. 一種電子裝置的製造方法，其具備下述步驟：藉由在加熱下將密封薄膜按壓在已設置在基板上的一個或複數個電子零件或電子器件上，來將前述電子零件或前述電子器件密封或埋設，該密封薄膜是如請求項9~15中任一項所述之密封薄膜、或如請求項16所述之附有支撐體的密封薄膜。
  19. 如請求項18所述之電子裝置的製造方法，其中，其以0.2~1.5MPa來按壓前述密封薄膜。
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