TW201313794A - 預浸體，積層板，印刷佈線基板，半導體封裝及半導體裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明為一種預浸體，係於在50℃以上且150℃以下之範圍下的線膨脹係數為0ppm/℃以下之有機纖維基材(101)中，浸含含有熱硬化性樹脂之樹脂組成物而成的預浸體(100)。有機纖維基材(101)係在藉由熱重量測定裝置，依序進行下述步驟時，由B-A所算出之值為0.30%以下：(A)將有機纖維基材(101)於110℃保持1小時而測定重量減少率A的預備乾燥步驟；與(B)將有機纖維基材(101)由25℃依10℃/分鐘進行升溫至300℃並測定重量減少率B的測定步驟。

Description

預浸體，積層板，印刷佈線基板，半導體封裝及半導體裝置
本發明係關於預浸體、積層板、印刷佈線基板、半導體封裝及半導體裝置。
近年來，隨著電子機器之高機能化及輕薄短小化的要求，電子零件之高密度集成化、進而高密度安裝化等正進展著，而此等電子機器所使用之半導體裝置的小型化急速進行中。
因此，安裝包括半導體元件在內之電子零件的印刷佈線基板亦有薄型化的傾向，印刷佈線基板中所使用之內層核基板(以下亦簡稱為積層板)以厚度約0.8mm者為主流。
再者，最近將使用了0.4mm以下之核基板的半導體封裝彼此積層的疊層封裝(package on package，以下稱為POP)搭載於行動機器(例如行動電話、智慧型手機、平板型PC等)。
專利文獻1：日本專利特開2006-203142號公報
如此，半導體裝置的小型化進行時，習知負責半導體裝置之大部分剛性的半導體元件、密封材的厚度變得極薄，使半導體裝置的曲翹容易發生。又，由於作為構成構材之核基板的佔有比例變大，故核基板之物性/行為將對半導體裝置之 曲翹造成極大影響。
另一方面，由地球環境保護的觀點而言，隨著焊錫的無鉛化，在對印刷佈線基板搭載焊球時、或對母板安裝半導體封裝時所進行之迴焊步驟中，最高溫度變得非常高。一般常使用之無鉛焊錫的熔點為約210度，故迴焊步驟中之最高溫度為超過260度的程度。
因此，POP上下的半導體封裝中，由於半導體元件與半導體元件所搭載之印刷佈線基板間的熱膨脹差非常大，故有大幅曲翹的情形。
作為解決此種問題的手段，有例如以下文獻記載的手段。
專利文獻1(日本專利特開2006-203142號公報)中記載有藉由使用由熱膨脹率具有負值之有機纖維所構成的織布作為預浸體的基材，則可使半導體封裝用多層印刷佈線板的熱膨脹率接近矽晶片的熱膨脹率，而可提升安裝了矽晶片時的連接可靠性。
然而，若如專利文獻1般，使用顯示負之熱膨脹的有機纖維基材作為預浸體所使用之纖維基材，則所得之積層板之玻璃轉移溫度將較由使用材料所預想之值更低，其結果，有積層板之彈性係數降低的情形。彈性係數降低後，結果所得積層板的剛性變得不足，而在迴焊步驟之加熱時，有印刷佈線基板膨脹、或佈線層自基板剝離的情形。亦即，所得積層板的焊錫耐熱性差劣。又，積層板之剛性降低之結果，迴焊等 之加熱時的曲翹抑制效果亦未能充分滿足。
因此，本發明之課題在於提供一種預浸體，係可得到焊錫耐熱性優越、且抑制了在迴焊等加熱時所產生之曲翹的薄型印刷佈線基板用之積層板。
本發明者等人針對使用含有有機纖維基材之預浸體時，積層板之玻璃轉移溫度降低的要因進行潛心研究。其結果發現，藉由使用含有滿足以下條件之有機纖維基材的預浸體，則可抑制積層板之玻璃轉移溫度的降低，結果可得到保持高彈性係數的積層板，遂完成本發明。
亦即，根據本發明，提供一種預浸體，係於在50℃以上且150℃以下之範圍下的線膨脹係數為0ppm/℃以下之有機纖維基材中浸含含有熱硬化性樹脂之樹脂組成物而成者；上述有機纖維基材係在藉由熱重量測定裝置，依序進行下述步驟時，由B-A所算出之值為0.30%以下；(A)將上述有機纖維基材於110℃保持1小時而測定重量減少率A的預備乾燥步驟；(B)將上述有機纖維基材由25℃依10℃/分鐘進行升溫至300℃並測定重量減少率B的測定步驟。
根據此發明，藉由使用含有滿足上述條件之有機纖維基材的預浸體，則可在保持高彈性係數之下，使積層板之線膨脹係數降低。因此，可一邊提升積層板之焊錫耐熱性，一邊抑 制在迴焊等加熱時所產生之積層板之單體曲翹。
再者，根據本發明，提供一種積層板，係含有上述預浸體的硬化體。
進而，根據本發明，提供一種印刷佈線基板，係將上述積層板進行電路加工而成。
再者，根據本發明，提供一種半導體封裝，係於上述印刷佈線基板搭載有半導體元件。
進而，根據本發明，提供一種半導體裝置，係含有上述半導體封裝。
另外，根據本發明，提供一種預浸體之製造方法，係包括下述步驟：準備在50℃以上且150℃以下之範圍下的線膨脹係數為0ppm/℃以下的有機纖維基材的步驟；針對上述有機纖維基材，將由藉由熱重量測定裝置，將上述有機纖維基材於110℃保持1小時所測定之重量減少率A、與將上述有機纖維基材由25℃依10℃/分鐘進行升溫至300℃所測定之重量減少率B所算出的B-A，調整為0.30%以下的步驟；使含有熱硬化性樹脂之樹脂組成物浸含於上述有機纖維基材中，並使上述樹脂組成物半硬化的步驟。
根據本發明，可提供一種預浸體，係可得到焊錫耐熱性優 越、且抑制了在迴焊時等加熱時所產生之曲翹的薄型印刷佈線基板用之積層板。
上述目的及其他目的、特徵及優點，係藉以下所述之較佳實施形態、及隨附的以下圖式進一步闡明。
以下，針對本發明之實施形態，使用圖式進行說明。又，所有圖式中，對相同之構成要件加註共通符號，並適當省略其說明。又，圖為概略圖，與實際之尺寸比率未必一致。
(預浸體)
首先，針對本實施形態之預浸體100的構成進行說明。圖1為表示本實施形態之預浸體100之構成一例的剖面圖。預浸體100係具備有機纖維基材101與樹脂層103，於有機纖維基材101中浸含含有熱硬化性樹脂之樹脂組成物而獲得。
有機纖維基材101係在50℃以上且150℃以下之範圍下的線膨脹係數為0ppm/℃以下。又，本實施形態之線膨脹係數係在未特別限制之下，表示在50℃以上且150℃以下之區域的線膨脹係數的平均值。
另外，有機纖維基材101係在藉由熱重量測定裝置，依序進行(A)將有機纖維基材101於110℃保持1小時而測定重量減少率A的預備乾燥步驟、與(B)將有機纖維基材101由25℃依10℃/分鐘進行升溫至300℃並測定重量減少率B的測定步驟時，由B-A所算出之值限定為0.30%以下、較佳 0.25%以下、再更佳0.20%以下。
若使用含有滿足上述條件之有機纖維基材101的預浸體100，則可抑制所得積層板之玻璃轉移溫度的降低。因此，可在保持高彈性係數之下，使積層板之線膨脹係數降低，其結果可抑制積層板之單體曲翹。
若使用含有習知之有機纖維基材的預浸體，則所得之積層板之玻璃轉移溫度較由所使用之材料所預想之值更低的理由雖未闡明，但本發明者等人推測如下。
有機纖維基材中，在其製造過程中所使用的溶媒或單體、寡聚物、添加劑等之低分子量成分仍有微量殘存。
此等殘存成分係在積層板之製造過程中進入至熱硬化性樹脂的間隙，使熱硬化性樹脂的構造改變，因此使積層板之構成材料之熱硬化性樹脂的玻璃轉移溫度降低。其結果，可推測積層板之玻璃轉移溫度變得較由所使用之材料所預想之值更低。
本發明者等人根據上述推測進行了潛心研究，結果發現，藉由使用在藉由熱重量測定裝置，依序進行(A)於110℃保持1小時而測定重量減少率A的預備乾燥步驟、與(B)藉熱重量測定裝置由25℃依10℃/分鐘進行升溫至300℃並測定重量減少率B的測定步驟時，由B-A所算出之值為特定量以下的有機纖維基材101，則可得到將玻璃轉移溫度保持為較高的積層板。
本實施形態所限定之有機纖維基材101，由於上述般之低分子量成分較少，故若使用本實施形態之有機纖維基材101，則可抑制積層板之製造過程中之上述構造變化。
因此，含有本實施形態之有機纖維基材101的預浸體可將玻璃轉移溫度保持為較高。
接著，針對構成預浸體100之材料進行詳細說明。
本實施形態之預浸體100，係具備：使一種或2種以上之樹脂組成物浸含於有機纖維基材101中，其後使其半硬化而得之有機纖維基材101；與樹脂層103；的片狀材料。此種構造之片狀材料，係介電特性、高溫多濕下之機械性、電氣連接可靠性等各種特性優越，適合印刷佈線基板用之積層板的製造，而較佳。
(有機纖維基材)
本實施形態之有機纖維基材101在藉由熱重量測定裝置，依序進行(A)將有機纖維基材101於110℃保持1小時而測定重量減少率A的預備乾燥步驟、與(B)將有機纖維基材101由25℃依10℃/分鐘進行升溫至300℃並測定重量減少率B的測定步驟時，由B-A所算出之值為0.30%以下、較佳0.25%以下、更佳0.20%以下。
尚且，上述依序進行係指在進行(A)預備乾燥步驟後，不使有機纖維基材101接觸大氣，而直接依原本狀態進行(B)測定步驟。
另外，重量減少率A及B係由有機纖維基材101的減少率，藉下式(1)及(2)所算出。於此，將(A)預備乾燥步驟前之有機纖維基材101之重量設為W，將(A)預備乾燥步驟中之重量減少量設為a，將(B)測定步驟中之重量減少量設為b。
A[%]=100×a/W (1)
B[%]=100×b/(W-a) (2)
若進行上述(A)預備乾燥步驟，可將附著於有機纖維基材101的水分去除至3000~4000ppm左右。因此，藉由在依(A)預備乾燥步驟去除附著於有機纖維基材101之水分後再進行(B)測定步驟，則排除水分影響而可正確地測定附著於有機纖維基材101之上述低分子量成分的量。
另外，由於由上述B-A算出之值越低越佳，故其下限值並無特別限定，可例如設為0.01%以上。
若使用滿足此種條件的有機纖維基材101，則可抑制所得之積層板的玻璃轉移溫度的降低。因此，可在將彈性係數保持為較高之下，使積層板之玻璃轉移溫度降低，其結果，可使積層板之焊錫耐熱性提升，並可抑制積層板之單體曲翹。
另外，本實施形態之有機纖維基材101，在50℃以上且150℃以下之範圍下的線膨脹係數為0ppm/℃以下、較佳-3ppm/℃以下、更佳-5ppm/℃以下。藉由使用具有此種線膨脹係數的有機纖維基材101，則可更加抑制本實施形態之積層板的曲翹。
再者，構成本實施形態所使用之有機纖維基材101之有機纖維，其楊氏率較佳為70GPa以上、更佳100GPa以上、再更佳120GPa以上。藉由使用具有此種楊氏率的有機纖維，則可有效抑制例如半導體安裝時之由迴焊熱所造成的佈線板變形，故可更加提升電子零件的連接可靠性。又，關於構成本實施形態所使用之有機纖維基材101之有機纖維的楊氏率上限，並無特別限定，可設為400GPa以下。
另外，構成本實施形態所使用之有機纖維基材101的有機纖維，其1GHz下的介電係數較佳為2.5以上且4.5以下，更佳為2.5以上且3.5以下，特佳為2.5以上且3.0以下。藉由使用由具有此種介電係數之有機纖維所構成的有機纖維基材101，則可更加減低積層板的介電係數，故利用了高速信號的半導體裝置中可適合使用該積層板。
作為構成本實施形態之有機纖維基材的有機纖維，可舉例如聚對伸苯基苯并雙唑樹脂、聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、全芳香族聚醯胺(芳醯胺)樹脂等之聚醯胺系樹脂，聚酯樹脂、芳香族聚酯樹脂、全芳香族聚酯樹脂等之聚酯系樹脂，聚醯亞胺苯并唑樹脂、聚醯亞胺樹脂等之聚醯亞胺系樹脂，氟樹脂等之樹脂所構成的纖維。作為構成有機纖維的樹脂，可單獨使用此等中之1種，亦可併用2種以上。
此等之中，特佳係由選自聚對伸苯基苯并雙唑樹脂、芳香族聚酯樹脂、全芳香族聚醯胺樹脂、及聚醯亞胺苯并唑 樹脂之至少1種以上耐熱性樹脂所構成的有機纖維。藉由使用此等有機纖維，可使預浸體100之線膨脹係數或介電係數更小，並可使楊氏率更增大。
本實施形態之有機纖維基材101之形態，可舉例如織布基材，具體而言有如使用上述有機纖維所構成的有機纖維布、有機纖維不織布等。此等之中，由強度、線膨脹係數之觀點而言，較佳為有機纖維布。又，藉由使用有機纖維布，則可使預浸體100之線膨脹係數更小，並可使楊氏率更增大。
有機纖維基材101之厚度並無特別限定，較佳為10μm以上且150μm以下，更佳為20μm以上且120μm以下，特佳為30μm以上且100μm以下。藉由使用具有此種厚度的有機纖維基材101，則可使預浸體100製造時之操作性更加提升，特別可使積層板之曲翹減低效果提升。
由上述B-A所算出之值為0.3%以下的有機纖維基材101，可例如藉由對上述有機纖維基材101進行退火處理而獲得。
退火溫度並無特別限定，較佳為120℃以上且350℃以下，更佳為150℃以上且300℃以下。若退火溫度為上述範圍，則可更加抑制所得積層板之玻璃轉移溫度的降低。
另外，退火時間並無特別限定，較佳為30分鐘以上且6小時以下，更佳為45分鐘以上且4小時以下。退火時間若為上述範圍，則可更加抑制所得積層板的玻璃轉移溫度之降 低。
退火處理較佳為於例如氮或氬等之惰性氣體環境下進行。藉由於惰性氣體環境下進行，則可抑制有機纖維基材101的氧化。
作為上述退火處理之方法，並無特別限定，例如可使用熱風乾燥裝置、紅外線加熱裝置、加熱輥裝置、平板狀之加熱盤壓製裝置等而實施。
(樹脂組成物)
另外，作為浸含於有機纖維基材101中之樹脂組成物，並無特別限定，較佳係具有低線膨脹率及高彈性係數，熱衝擊性之可靠性優越者。上述樹脂組成物係含有熱硬化性樹脂。
(熱硬化性樹脂)
作為熱硬化性樹脂並無特別限定，較佳係具有低線膨脹率及高彈性係數，熱衝擊性之可靠性優越者。
另外，熱硬化性樹脂之由動態黏彈性測定所得之頻率1Hz下之玻璃轉移溫度，較佳為160℃以上、更佳200℃以上。藉由使用具有此種玻璃轉移溫度的樹脂組成物，則可得到更加提升無鉛焊錫之迴焊耐熱性的效果。又，樹脂組成物之由動態黏彈性測定所得之頻率1Hz下之玻璃轉移溫度的上限，並無特別限定，可設為350℃以下。
作為具體之熱硬化性樹脂，可舉例如苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂等之酚醛清漆型 酚樹脂，未改質之可溶酚醛酚樹脂、經桐油、亞麻仁油、胡桃油等改質之油改質可溶酚醛酚樹脂等之可溶酚醛型酚樹脂等之酚樹脂，雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂等之雙酚型環氧樹脂，苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等之酚醛清漆型環氧樹脂，聯苯型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、芳基伸烷基型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、苯氧基型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、降烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、茀型環氧樹脂等之環氧樹脂，脲(尿素)樹脂、三聚氰胺樹脂等之具有三環的樹脂，不飽和聚酯樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、二烯丙基酞酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、具有苯并環之樹脂、氰酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、苯并環丁烯樹脂等。
可單獨使用此等中之1種，亦可併用具有不同重量平均分子量的2種以上，或可併用1種或2種以上與此等的預聚物。
此等之中，特佳為氰酸酯樹脂(包括氰酸酯樹脂之預聚物)。藉由使用氰酸酯樹脂，可減小積層板的線膨脹係數。再者，藉由使用氰酸酯樹脂，可提升積層板之電氣特性(低介電係數、低耗損正切)、機械強度等。
氰酸酯樹脂可使用例如使鹵化氰化合物與酚類反應者，或 視需要藉加熱等方法經預聚合物化者等。具體可舉例如酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型異氰酸樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等之雙酚型氰酸酯樹脂、萘酚芳烷基型之多價萘酚類與鹵化氰間之反應所得的氰酸酯樹脂、二環戊二烯型氰酸酯樹脂、聯苯烷基型氰酸酯樹脂等。此等之中，較佳為酚醛清漆型氰酸酯樹脂。藉由使用酚醛清漆型氰酸酯樹脂，則使樹脂層103之交聯密度增加，提升積層板的耐熱性。因此，可提升積層板的難燃性。
作為其理由，可舉例如酚醛清漆型氰酸酯樹脂係於硬化反應後形成三環。再者，認為酚醛清漆型氰酸酯樹脂於其構造上，苯環的比例較高，容易碳化所致。再者，即使在將積層板之厚度設為0.6mm以下的情況，含有使酚醛清漆型氰酸酯樹脂硬化而製作的樹脂層103的積層板仍具有優越的剛性。尤其是由於此種積層板在加熱時的剛性優越，故半導體元件安裝時的可靠性亦優越。
作為酚醛清漆型氰酸酯樹脂，可使用例如下述一般式(I)所示者。
一般式(I)所示之酚醛清漆型氰酸酯樹脂的平均重複單位 n為任意整數。n之下限並無特別限定，較佳為1以上、特佳2以上。若n為上述下限值以上，則酚醛清漆型氰酸酯樹脂的耐熱性提升，可抑制加熱時低量體的脫離、揮發。又，n之上限並無特別限定，較佳為10以下、更佳7以下。若n為上述上限值以下，則可抑制溶融黏度變高的情形，並可抑制樹脂層103的成形性降低。
另外，作為氰酸酯樹脂，亦適合使用下述一般式(II)所示之萘酚型氰酸酯樹脂。下述一般式(II)所示之萘酚型氰酸酯樹脂，係例如使藉由α-萘酚或β-萘酚等之萘酚類與對茬二醇、α,α’-二甲氧基對茬、1,4-二(2-羥基-2-丙基)苯等的反應而得之萘酚芳烷基樹脂與氰酸進行縮合而得者。一般式(II)之n較佳為10以下。在n為10以下時，樹脂黏度不變高，對纖維基材之浸含性良好，而有使作為積層板之性能不降低的傾向。又，有於合成時不易發生分子內聚合，水洗時之分液性提升，可防止產量降低的傾向。
(式中，R表示氫原子或甲基，n表示1以上的整數。)
另外，作為氰酸酯樹脂，亦適合使用下述一般式(III)所示之二環戊二烯型氰酸酯樹脂。下述一般式(III)所示之二環戊二烯型氰酸酯樹脂，較佳係下述一般式(III)之n為0以上且 8以下。在n為8以下時，樹脂黏度不變高，樹脂組成物對纖維基材之浸含性良好，可防止作為積層板的性能降低。又，藉由使用二環戊二烯型氰酸酯樹脂，則可提升積層板之低吸濕性及耐藥品性。
(n表示0以上且8以下之整數。)
氰酸酯樹脂的重量平均分子量(Mw)下限並無特別限定，較佳為Mw500以上、更佳Mw600以上。若Mw為上述下限值以上，則在製作樹脂層103時可抑制黏性產生，可抑制樹脂層103彼此接觸時互相附著、或產生樹脂轉印的情形。又，Mw上限並無特別限定，較佳係Mw4,500以下、更佳3,000以下。又，若Mw為上述上限值以下，則可抑制反應變快，在作成印刷佈線基板時，可抑制成形不良發生、或層間剝離強度降低的情形。
氰酸酯樹脂等之Mw可例如藉由GPC(凝膠滲透層析法，標準物質：聚苯乙烯換算)進行測定。
另外，雖無特別限定，氰酸酯樹脂可單獨使用1種，亦可併用具有相異Mw之2種以上，或可將1種或2種以上與其等之預聚物併用。
樹脂組成物中所含之熱硬化性樹脂的含量，可配合其目的 而適當調整，並無特別限定，以樹脂組成物整體為基礎，較佳為5質量%以上且90質量%以下，更佳10質量%以上且80質量%以下，特佳20質量%以上且50質量%以下。若熱硬化性樹脂之含量為上述下限值以上，則樹脂組成物之操作性提升、容易形成樹脂層103。若熱硬化性樹脂之含量為上述上限值以下，則有樹脂層103之強度或難燃性提升，或樹脂層103之線膨脹係數降低而積層板之曲翹減低效果提升的情形。
作為熱硬化性樹脂，除了使用氰酸酯樹脂(尤其是酚醛清漆型氰酸酯樹脂、萘酚型氰酸酯樹脂、二環戊二烯型氰酸酯樹脂)以外，亦可使用或併用環氧樹脂(實質上不含鹵原子)。作為環氧樹脂，可舉例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂等之雙酚型環氧樹脂，苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等之酚醛清漆型環氧樹脂，聯苯型環氧樹脂、茬型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂等之芳基伸烷基型環氧樹脂，萘酚型環氧樹脂、萘二醇型環氧樹脂、2官能至4官能環氧基型萘樹脂、萘醚型環氧樹脂、雙萘基型環氧樹脂、萘芳烷基型環氧樹脂等之萘型環氧樹脂，蒽型環氧樹脂、苯氧基型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、降烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、茀型環氧樹脂等。
作為環氧樹脂，可單獨使用此等中之1種，亦可併用具有不同重量平均分子量的2種以上，亦可將此等中之1種或2種以上、與其等之預聚物併用。
此等環氧樹脂中，特佳係芳基伸烷基型環氧樹脂。藉此，可進一步提升吸濕焊錫耐熱性及難燃性。
所謂芳基伸烷基型環氧樹脂，係指於重複單位中具有一個以上芳基伸烷基的環氧樹脂。可舉例如茬型環氧樹脂、聯苯二亞甲基型環氧樹脂等。此等之中，較佳為聯苯二亞甲基型環氧樹脂。聯苯二亞甲基型環氧樹脂可由例如下述一般式(IV)所示。
由上述一般式(IV)所示之聯苯二亞甲基型環氧樹脂的平均重複單位n為任意整數。n之下限並無特別限定，較佳為1以上、特佳2以上。若n為上述下限值以上，則可抑制聯苯二亞甲基型環氧樹脂的結晶化，提升對通用溶媒之溶解性，故操作容易。n之上限並無特別限定，較佳為10以下、更佳5以下。若n為上述上限值以下，則可提升樹脂之流動性，抑制成形不良等之發生。
作為上述以外之環氧樹脂，較佳係具有縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂。藉此，可進一步提升積層板之耐 熱性、低熱膨脹性。
具有縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂，有如萘、蒽、菲、稠四苯、、芘、聯三伸苯及苯并蒽(tetraphene)、其他具有縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂。具有縮合環芳香族烴構造之酚醛清漆型環氧樹脂，由於可使複數芳香環規則性地配列，故低熱膨脹性優越。又，由於玻璃轉移溫度亦較高，故耐熱性優越。再者，由於重複構造之分子量較大，故難燃性較習知之酚醛清漆型環氧樹脂樹脂優越，藉由與氰酸酯樹脂組合，則可改善氰酸酯樹脂之脆弱性的弱點。因此，藉由併用氰酸酯樹脂，則因積層板之玻璃轉移溫度進一步變高，故無鉛對應的安裝可靠性提升。
具有縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂，係由苯酚類化合物與甲醛類化合物及縮合環芳香族烴化合物所合成之酚醛清漆型苯酚樹脂經環氧化而成者。
苯酚類化合物並無特別限定，可舉例如苯酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚等之甲酚類，2,3-二甲酚、2,4-二甲酚、2,5-二甲酚、2,6-二甲酚、3,4-二甲酚、3,5-二甲酚等之二甲酚類，2,3,5-三甲基酚等之三甲基酚類，鄰乙基酚、間乙基酚、對乙基酚等之乙基酚類，異丙基酚、丁基酚、第三丁基酚等之烷基酚類，鄰苯基酚、間苯基酚、對苯基酚、鄰苯二酚、1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,7-二羥基萘等之萘二醇類，間苯二酚、鄰苯二酚、氫醌、五倍子酚、1,3,5-苯三酚等之多 價酚類，烷基間苯二酚、烷基鄰苯二酚、烷基氫醌等之烷基多價酚類。此等之中，由成本面及對分解反應造成之效果而言，較佳為苯酚。
醛類化合物並無特別限定，可舉例如甲醛、聚甲醛、三 、乙醛、丙醛、聚氧亞甲基、三氯乙醛、六亞甲基四胺、糠醛、乙二醛、正丁基醛、己醛、烯丙基醛、苯醛、丁烯醛、丙烯醛、四氧基亞甲基、苯基乙醛、鄰甲苯甲醛、水楊醛、二羥基苯醛、三羥基苯醛、4-羥基-3-甲氧基醛聚甲醛等。
縮合環芳香族烴化合物並無特別限定，可舉例如甲氧基萘、丁氧基萘等之萘衍生物，甲氧基蒽等之蒽衍生物，甲氧基菲等之菲衍生物，其他稠四苯衍生物、衍生物、芘衍生物、聯三伸苯衍生物及苯并蒽衍生物等。
具有縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂，並無特別限定，可舉例如甲氧基萘改質鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、丁氧基萘改質甲基(對)甲酚酚醛清漆環氧樹脂及甲氧基萘改質酚醛清漆環氧樹脂等。此等之中，較佳係具有下述式(V)所示之縮合環芳香族烴構造的酚醛清漆型環氧樹脂。
(式中，Ar為縮合環芳香族烴基，R彼此可為相同或相異， 為選自氫原子、碳數1以上且10以下之烴基、鹵元素、苯基、苄基等之芳香基及含有環氧丙基醚之有機基的基，n、p及q為1以上之整數，p、q之值可於每重複單位中為相同或相異。)
(式(V)中之Ar係式(VI)中之(Ar1)~(Ar4)所示的構造，式(VI)中之R彼此可為相同或相異，為選自氫原子、碳數1以上且10以下之烴基、鹵元素、苯基、苄基等之芳香基及含有環氧丙基醚之有機基的基。)
再者，作為上述以外之環氧樹脂，較佳係萘酚型環氧樹脂、萘二醇型環氧樹脂、2官能至4官能環氧基型萘樹脂、萘醚型環氧樹脂等之萘型環氧樹脂。藉此，可進一步提升積層板之耐熱性、低熱膨脹性。
又，由於萘環之π-π重疊效果較苯環高，故尤其是低熱膨脹性、低熱收縮性優越。再者，由於多環構造，故剛直效果高，由於玻璃轉移溫度特別高，故迴焊前後之熱收縮變化較小。
萘酚型環氧樹脂可由例如下述一般式(VII-1)所示；萘二醇型環氧樹脂可由例如下述式(VII-2)所表示；2官能至4官能 環氧基型萘樹脂，可由例如下述式(VII-3)(VII-4)(VII-5)所示；萘醚型環氧樹脂可由例如下述一般式(VII-6)所示。
(n表示平均1以上且6以下的數，R表示環氧丙基或碳數1以上且10以下的烴基。)
[化10] (式中，R1表示氫原子或甲基，R2分別獨立表示氫原子、碳原子數1~4之烷基、芳烷基、萘基或含有環氧丙基醚基的萘基。o及m分別為0~2之整數，且o或m之任一者為1以上。)
環氧樹脂之含量下限並無特別限定，於樹脂組成物整體中，較佳為1質量%以上、更佳2質量%以上。若含量為上述下限值以上，則提升氰酸酯樹脂的反應性，可提升所得製品的耐濕性。環氧樹脂之含量上限並無特別限定，較佳為55質量%以下、更佳40質量%以下。若含量為上述上限值以下，則可更加提升積層板之耐熱性。
環氧樹脂的重量平均分子量(Mw)下限並無特別限定，較佳為Mw500以上、更佳Mw800以上。若Mw為上述下限值以上，則在樹脂層103可抑制黏性產生。Mw上限並無特別限定，較佳係Mw20,000以下、更佳Mw15,000以下。若Mw為上述上限值以下，則可於預浸體製作時提升樹脂組成物對纖維基材的浸含性，得到更均勻的製品。環氧樹脂之Mw可藉由例如GPC進行測定。
在使用氰酸酯樹脂(尤其是酚醛清漆型氰酸酯樹脂、萘酚型氰酸酯樹脂、二環戊二烯型氰酸酯樹脂)或環氧樹脂(芳基 伸烷基型環氧樹脂、尤其是聯苯二亞甲基型環氧樹脂、具有縮合環芳香族烴構造之酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂)作為熱硬化性樹脂時，較佳係進一步使用酚樹脂。
作為酚樹脂，可舉例如酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂、芳基伸烷基型酚樹脂等。作為酚樹脂，可單獨使用此等中之1種，亦可併用具有不同重量平均分子量的2種以上，或可將1種或2種以上與其等之預聚物併用。此等之中，特佳為芳基伸烷基型酚樹脂。藉此，可進一步提升積層板之吸濕焊錫耐熱性。
作為芳基伸烷基型酚樹脂，可舉例如茬型酚樹脂、聯苯二亞甲基型酚樹脂等。聯苯二亞甲基型酚樹脂可由例如下述一般式(VIII)所示。
由上述一般式(VIII)所示之聯苯二亞甲基型酚樹脂的重複單位n為任意整數。n之下限並無特別限定，較佳為1以上、特佳2以上。若n為上述下限值以上，則可更加提升積層板之耐熱性。又，重複單位n之上限並無特別限定，較佳為12以下、特佳8以下。又，若n為上述上限值以下，則提升與其他樹脂間的相溶性，可提升樹脂組成物的作業性。
藉由上述氰酸酯樹脂(尤其是酚醛清漆型氰酸酯樹脂、萘 酚型氰酸酯樹脂、二環戊二烯型氰酸酯樹脂)或環氧樹脂(芳基伸烷基型環氧樹脂、尤其是聯苯二亞甲基型環氧樹脂、具有縮合環芳香族烴構造之酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂)與芳基伸烷基型酚樹脂的組合，可控制樹脂層103之交聯密度，而容易控制樹脂組成物的反應性。
酚樹脂之含量下限並無特別限定，於樹脂組成物整體中，較佳為1質量%以上、更佳5質量%以上。若酚樹脂含量為上述下限值以上，則可提升積層板之耐熱性。又，酚樹脂之含量上限並無特別限定，於樹脂組成物整體中較佳為55質量%以下、更佳40質量%以下。若酚樹脂含量為上述上限值以下，則可更加提升積層板之低熱膨脹特性。
酚樹脂的重量平均分子量(Mw)下限並無特別限定，較佳為Mw400以上、更佳Mw500以上。若Mw為上述下限值以上，則在樹脂層103可抑制黏性產生。又，酚樹脂之Mw上限並無特別限定，較佳係Mw18,000以下、更佳Mw15,000以下。若Mw為上述上限值以下，則可於預浸體製作時提升樹脂組成物對纖維基材的浸含性，得到更均勻的製品。酚樹脂之Mw可藉由例如GPC進行測定。
再者，在使用氰酸酯樹脂(尤其是酚醛清漆型氰酸酯樹脂、萘酚型氰酸酯樹脂、二環戊二烯型氰酸酯樹脂)與酚樹脂(芳基伸烷基型酚樹脂、尤其是聯苯二亞甲基型酚樹脂)與環氧樹脂(芳基伸烷基型環氧樹脂、尤其是聯苯二亞甲基型 環氧樹脂、具有縮合環芳香族烴構造之酚醛清漆型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂)之組合而製作基板(尤其是印刷佈線基板)的情況，可得到特別優越的尺寸安定性。
另外，樹脂組成物較佳係含有無機填充材。藉此，即使積層板經薄型化，仍可賦予更優越的機械強度。再者，可進一步提升積層板的低熱膨脹化。
作為無機填充材可舉例如滑石、燒成黏土、未燒成黏土、雲母、玻璃等之矽酸鹽，氧化鈦、氧化鋁、水鋁石、二氧化矽、熔融二氧化矽等之氧化物，碳酸鈣、碳酸鎂、水滑石等之碳酸鹽，氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣等之氫氧化物，硫酸鋇、硫酸鈣、亞硫酸鈣等之硫酸鹽或亞硫酸鹽，硼酸鋅、甲基硼酸鋇、硼酸鋁、硼酸鈣、硼酸鈉等之硼酸鹽，氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氮化碳等之氮化物，鈦酸鍶、鈦酸鋇等之鈦酸鹽等。
作為無機填充材，可單獨使用此等中之1種，亦可併用2種以上。此等之中，較佳為二氧化矽，由低熱膨脹性優越的觀點而言，特佳為熔融二氧化矽(尤其是球狀熔融二氧化矽)。熔融二氧化矽之形狀有破碎狀及球狀。為了確保對纖維基材的浸含性，可採用使用用於降低樹脂組成物之熔融黏度的球狀二氧化矽等配合其目的之使用方法。
無機填充材之平均粒徑之下限並無特別限定，較佳為0.01μm以上、更佳0.1μm以上。若無機填充材之粒徑為上 述下限值以上，則可抑制清漆黏度變高，提升預浸體製作時之作業性。又，平均粒徑之上限並無特別限定，較佳為5.0μm以下、更佳2.0μm以下。若填充材之粒徑為上述上限值以下，則可抑制清漆中填充材的沉降等現象，可得到更均勻的樹脂層103。又，在內層基板之導體電路之L/S小於20/20μm時，可抑制對佈線間之絕緣性造成影響的情形。
無機填充材之平均粒徑例如可使用雷射繞射式粒度分佈測定裝置(HORIBA製，LA-500)，依體積基準測定粒子之粒度分佈，以其中徑(D50)作為平均粒徑。
另外，無機填充材並無特別限定，可使用平均粒徑為單分散的無機填充材，亦可使用平均粒徑為多分散的無機填充材。進而亦可併用平均粒徑為單分散及/或多分散之無機填充材的1種或2種以上。
另外，本實施形態之樹脂材料中，較佳係含有藉雷射繞射散射式粒度分佈測定法所得之體積基準粒度分佈下的中徑d50為100nm以下的奈米二氧化矽(尤其是球狀奈米二氧化矽)。上述奈米二氧化矽由於可存在於粒徑較大之無機填充材之間隙或纖維基材之股線中，故藉由含有奈米二氧化矽，則可更加提升無機填充材的填充性。
無機填充材之含量並無特別限定，較佳係於樹脂組成物整體中為20質量%以上且80質量%以下，更佳30質量%以上且75質量%以下。若含量為上述範圍內，則可使積層板更 加地低熱膨脹、低吸水。
另外，本實施形態中所使用之樹脂組成物，亦可調配橡膠成分，例如，可使用橡膠粒子。作為橡膠粒子之較佳例，可舉例如核殼型橡膠粒子、交聯丙烯腈丁二烯橡膠粒子、交聯苯乙烯丁二烯橡膠粒子、丙烯酸系橡膠粒子、聚矽氧粒子等。
核殼型橡膠粒子係具有核層與殼層的橡膠粒子，可舉例如：外層之殼層為由玻璃狀聚合物所構成，內層之核層為由橡膠狀聚合物所構成的2層構造；或外層之殼層為由玻璃狀聚合物所構成，中間層為由橡膠狀聚合物所構成，核層為由玻璃狀聚合物所構成的3層構造者等。玻璃狀聚合物層係例如由甲基丙烯酸甲酯之聚合物等所構成，橡膠狀聚合物層係例如由丙烯酸丁酯聚合物(丁基橡膠)等所構成。作為核殼型橡膠粒子之具體例，可舉例如Stafiloid AC3832、AC3816N(商品名Ganz化成公司製)，METABLEN KW-4426(商品名，三菱螺縈公司製)。作為交聯丙烯腈丁二烯橡膠(NBR)粒子的具體例，可舉例如XER-91(平均粒徑0.5μm，JSR公司製)等。
作為交聯苯乙烯丁二烯橡膠(SBR)粒子的具體例，可舉例如XSK-500(平均粒徑0.5μm，JSR公司製)等。作為丙烯酸系橡膠粒子之具體例，可舉例如METABLEN W300A(平均粒徑0.1μm)、W450A(平均粒徑0.2μm)(三菱嫘縈公司製)等。
聚矽氧粒子若為由有機聚矽氧烷所形成之橡膠彈性微粒 子，則無特別限定，可舉例如由聚矽氧橡膠(有機聚矽氧烷交聯彈性體)本身所構成的微粒子，以及將由二維交聯主體之聚矽氧所構成之核部藉三維交聯型主體之聚矽氧所被覆的核殼構造粒子等。作為聚矽氧橡膠微粒子，可使用KMP-605、KMP-600、KMP-597、KMP-594(信越化學公司製)、TORAYFIL E-500、TORAYFIL E-600(東麗‧道康寧公司製)等之市售物。
橡膠粒子之含量並無特別限定，與上述無機填充材組合，以樹脂組成物整體為基準，較佳為20質量%以上且80質量%以下，更佳30質量%以上且75質量%以下。若含量為上述範圍內，則可使積層板更加低吸水。
此外，視需要亦可於樹脂組成物中適當調配偶合劑、硬化促進劑、硬化劑、熱可塑性樹脂、有機填充材等之添加劑。本實施形態所使用之樹脂組成物，可適合依將上述成分藉有機溶劑等予以溶解及/或分散的液狀形態進行使用。
藉由偶合劑之使用，可使熱硬化性樹脂與無機填充材間之界面的濕潤性提升，而使樹脂組成物對纖維基材均勻地定著。因此，藉由使用偶合劑，可改良積層板之耐熱性、尤其是吸濕後之焊錫耐熱性。
作為偶合劑，只要為一般使用作為偶合劑者均可使用，具體而言，較佳係使用從環氧基矽烷偶合劑、陽離子性矽烷偶合劑、胺基矽烷偶合劑、鈦酸酯系偶合劑、及聚矽氧油型偶 合劑中選擇之1種以上偶合劑。藉此，可提高熱硬化性樹脂與無機填充材之界面間的濕潤性，結果可更加提升積層板的耐熱性。
偶合劑之含量下限，由於依存於無機填充材之比表面積，故並無特別限定，相對於無機填充材100質量份，較佳為0.05質量份以上、更佳0.1質量份以上。若偶合劑之含量為上述下限值以上，則由於可充分被覆無機填充材，故可進一步提升熱硬化性樹脂與無機填充材之界面間的濕潤性，其結果可更加提升積層板的耐熱性。又，偶合劑之含量上限並無特別限定，較佳為3質量份以下、更佳2質量份以下。偶合劑之含量若為上述上限值以下，則可抑制偶合劑對熱硬化性樹脂之反應造成的影響，可抑制所得積層板之彎曲強度等的降低。
作為硬化促進劑可使用公知物。可舉例如萘酸鋅、萘酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、雙乙醯基丙酮鈷(II)、三乙醯基丙酮鈷(III)等之有機金屬鹽，三乙基胺、三丁基胺、二吖雙環[2,2,2]辛烷等之3級胺類，2-苯基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-乙基咪唑、2-苯基-4-乙基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基咪唑等之咪唑類，苯酚、雙酚A、壬基酚等之酚化合物，醋酸、苯甲酸、水楊酸、對甲苯磺酸等之有機酸，鎓鹽化合物，或其等之混合物。作為硬化促進劑，亦包括此等之中的衍生物，可單獨使用1種，亦可包括其等之 衍生物而併用2種以上。
作為鎓鹽化合物並無特別限定，例如可使用下述一般式(IX)所示之鎓鹽化合物。
(式中，P為磷原子。R1、R2、R3及R4分別表示具有取代或無取代之芳香環或雜環的有機基、或取代或無取代的脂肪族基，彼此可為相同或相異。A-為於分子內具有至少1個以上之可釋出至分子外之質子的n(n≧1)價質子供給體的陰離子或其錯陰離子。)
硬化促進劑之含量下限並無特別限定，較佳為樹脂材料整體之0.005質量%以上、特佳0.008質量%以上。若含量為上述下限值以上，則可充分發揮促進硬化的效果。硬化促進劑之含量上限並無特別限定，較佳為樹脂材料整體之5質量%以下、更佳2質量%以下。若含量為上述上限值以下，則可更加提升預浸體之保存性。
樹脂組成物中，亦可併用苯氧基樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚苯醚樹脂、聚醚碸樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂等之熱可塑性樹脂，苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯共聚物等之聚苯乙烯系熱可塑性彈性體，聚烯烴系熱可塑性彈性體、聚醯胺系彈性體、聚 酯系彈性體等之熱可塑性彈性體、聚丁二烯、環氧基改質聚丁二烯、丙烯酸系改質聚丁二烯、甲基丙烯酸系改質聚丁二烯等之二烯系彈性體。
作為苯氧基樹脂，可舉例如具有雙酚骨架的苯氧基樹脂、具有萘骨架的苯氧基樹脂、具有蒽骨架之苯氧基樹脂、具有聯苯骨架的苯氧基樹脂等。又，亦可使用具有複數種之此等骨架之構造的苯氧基樹脂。
此等之中，於苯氧基樹脂，較佳係使用具有聯苯骨架及雙酚S骨架的苯氧基樹脂。藉此，由於聯苯骨架所具有之剛直性，而可提高苯氧基樹脂之玻璃轉移溫度，同時因雙酚S骨架之存在，而可提升苯氧基樹脂與金屬間的密黏性。其結果，可達到積層板之耐熱性的提升，並在製造印刷佈線基板時，可提升佈線層對積層板的密黏性。又，於苯氧基樹脂中，較佳亦使用具有雙酚A骨架及雙酚F骨架的苯氧基樹脂。藉此，在製造印刷佈線基板時，可更加提升佈線層對積層板的密黏性。
另外，較佳係使用具有下述一般式(X)所示雙酚苯乙酮構造的苯氧基樹脂。
(式中，R1可為相同或相異，為選自氫原子、碳數1以上且10以下之烴基或鹵元素的基。R2為選自氫原子、碳數1以上且10以下之烴基或鹵元素的基。R3為氫原子或碳數1以上且10以下的烴基，m為0以上且5以下的整數。)
含有雙酚苯乙酮構造之苯氧基樹脂由於具有高體積構造，故溶劑溶解性或與所調配之熱硬化性樹脂成分間之相溶性優越。又，若含有含雙酚苯乙酮構造之苯氧基樹脂，則由於可形成低粗度且具有均勻粗面之樹脂層103，故可更加提升積層板之細微佈線形成性。
具有雙酚苯乙酮構造之苯氧基樹脂，可依使環氧樹脂與酚樹脂藉觸媒進行高分子量化的方法等公知方法進行合成。
具有雙酚苯乙酮構造之苯氧基樹脂，亦可含有一般式(X)之雙酚苯乙酮構造以外的構造，其構造並無特別限定，可舉例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、聯苯型、苯酚酚醛清漆型、甲酚酚醛清漆型之構造等。此等之中，含有聯苯型構造者由於可更加提升積層板之玻璃轉移溫度，故較佳。
含有雙酚苯乙酮構造之苯氧基樹脂中之一般式(X)之雙酚苯乙酮構造的含量並無特別限定，較佳為5莫耳%以上且95莫耳%以下，更佳為10莫耳%以上且85莫耳%以下，再更佳為15莫耳%以上且75莫耳%以下。若含量為上述下限值以上，則可充分發揮使積層板之耐熱性及印刷佈線基板之耐濕可靠性提升的效果。又，若含量為上述上限值以下，則可 提升苯氧基樹脂之溶劑溶解性。
苯氧基樹脂之重量平均分子量(Mw)並無特別限定，較佳為Mw5,000以上且100,000以下，更佳10,000以上且70,000以下，特佳為20,000以上且50,000以下。若Mw為上述上限值以下，則可提升與其他樹脂間之相溶性或對溶劑的溶解性。若為上述下限值以上，則可提升製膜性，抑制在用於製造印刷佈線基板時發生不良情況的情形。
苯氧基樹脂之含量並無特別限定，較佳為除了填充材以外之樹脂材料的0.5質量%以上且40質量%以下，特佳1質量%以上且20質量%以下。若含量為上述下限值以上，則可抑制樹脂層103之機械強度降低、或與導體電路間之鍍覆密黏性之降低。若為上述上限值以下，則可抑制樹脂基板100之熱膨脹率增加，並可使耐熱性降低。
再者，樹脂組成物中，視需要亦可添加顏料、染料、消泡劑、均平劑、紫外線吸收劑、發泡劑、抗氧化劑、難燃劑、離子捕捉劑等之上述成分以外的添加物。
作為顏料，可舉例如高嶺土、合成氧化鐵紅、鎘黃、鎳鈦黃、鍶黃、含水氧化鉻、氧化鉻、鋁酸鈷、合成群青藍等之無機顏料，酞青等之多環顏料、偶氮顏料等。
作為染料，可舉例如異吲哚啉酮、異吲哚啉、喹啉黃、二苯并吡喃、二酮吡咯并吡咯、芘、芘酮(perinone)、蒽醌、靛藍、、喹吖酮、苯并咪唑酮、紫蒽酮、酞青、偶氮甲 鹼(azomethine)等。
(預浸體之製造方法)
本實施形態之預浸體100係使一種或二種以上之上述樹脂組成物浸含於上述本實施形態之有機纖維基材101中，其後，使其半硬化而獲得。此種構造之片狀材料係介電特性、高溫多濕下之機械性、電性連接可靠性等之各種特性優越，適合於製造印刷佈線基板用的積層板，而為較佳。
本實施形態之預浸體100可例如藉以下步驟進行製作。
(1)準備在50℃以上且150℃以下之範圍下的線膨脹係數為0ppm/℃以下的有機纖維基材101的步驟
(2)針對有機纖維基材101，將B-A調整為0.30%以下的步驟
(3)使含有熱硬化性樹脂之樹脂組成物浸含於有機纖維基材101中，使所浸含之樹脂組成物半硬化的步驟
於此，A及B可依與上述重量減少量A及B相同的步驟算出。
針對有機纖維基材101，將B-A調整為0.30%以下的方法並無特別限定，可舉例如對上述有機纖維基材101進行退火處理的方法。
使本實施形態所使用之樹脂組成物浸含於有機纖維基材101的方法，並無特別限定，可舉例如將樹脂組成物溶解於溶劑中而調製樹脂清漆，將有機纖維基材101浸漬於樹脂清 漆中的方法；藉各種塗佈器將樹脂清漆塗佈於有機纖維基材101的方法；藉噴霧器將樹脂清漆吹附至有機纖維基材101的方法；將具有支撐基材之樹脂層層合至有機纖維基材101的方法等。
尤其在有機纖維基材101厚度為0.15mm以下的情況，較佳係將具有支撐基材之樹脂層層合至有機纖維基材101的方法。藉此，可自由地調節樹脂組成物相對於有機纖維基材101的浸含量，進一步提升預浸體100的成形性。又，在層合薄膜狀之樹脂層的情況，更佳係使用真空之層合裝置等。
(積層板)
接著，說明本實施形態之積層板的構成。本實施形態之積層板係含有將上述預浸體100硬化而獲得的預浸體之硬化體。
為了更有效地獲得本實施形態中之積層板的曲翹防止效果，雖無特別限定，但積層板之由動態黏彈性測定所得之頻率1Hz下之玻璃轉移溫度，較佳為180℃以上、更佳200℃以上、再更佳230℃以上，特佳250℃以上。關於上限值，由於越高越佳，故無特別限定，例如可設為350℃以下。
本實施形態之積層板中，若由動態黏彈性測定所得之玻璃轉移溫度滿足上述範圍，則積層板之剛性變高，可更加減低安裝時之積層板曲翹。
另外，為了更有效地獲得積層板之曲翹防止效果，雖無特 別限定，但積層板於250℃由動態黏彈性測定所測得之貯藏彈性係數E’較佳為5GPa以上、更佳10GPa以上、特佳15GPa以上。關於上限值，由於越高越佳，故無特別限定，可例如設為50GPa以下。
本實施形態中之積層板若於250℃之貯藏彈性係數E’滿足上述範圍，則積層板之剛性提高、可進一步減低安裝時之積層板曲翹。
本實施形態之積層板的厚度較佳為0.01mm以上且0.6mm以下。更佳0.02mm以上且0.4mm以下，特佳0.04mm以上且0.3mm以下。若積層板之厚度為上述範圍內，則機械強度及生產性之平衡特別優良，可得到適合薄型印刷佈線基板的積層板。
本實施形態之積層板的面方向於50℃以上且150℃以下範圍內的線膨脹係數，較佳為-10ppm/℃以上且5ppm/℃以下，更佳-8ppm/℃以上且4ppm/℃以下，特佳-5ppm/℃以上且3ppm/℃以下。若積層板之線膨脹係數為上述範圍內，則可更有效地獲得形成有佈線圖案之印刷佈線基板、搭載有半導體元件之半導體封裝200的曲翹抑制或溫度循環可靠性的提升。再者，可更有效地獲得二次安裝有半導體封裝200時之與母板間之溫度循環可靠性的提升。
另外，本實施形態之積層板雖無特別限定，但可為將含有無機纖維基材之預浸體、含有上述有機纖維基材101之預浸 體100、含有無機纖維基材之預浸體依序積層而獲得的積層板。
藉由將無機纖維基材配置於積層板的外側，則可補強有機纖維基材101之彎曲彈性係數，進一步提高積層板之剛性，可進一步減低積層板的單體曲翹。
(無機纖維基材)
作為無機纖維基材並無特別限定，可舉例如玻璃纖維、玻璃不織布等之玻璃纖維基材，碳布、碳纖維織物等之碳纖維基材，石綿等之人造礦物基材等。此等之中，由強度、吸水淬等觀點而言，較佳為玻璃纖維基材。又，藉由使用玻璃纖維基材，則可進而減小積層板的熱膨脹係數。
本實施形態所使用之玻璃纖維基材，基重(每1 m2之纖維基材重量)較佳為4g/m2以上且150g/m2以下，更佳8g/m2以上且110g/m2以下，再更佳12g/m2以上且60g/m2以下。
若基重為上述上限值以下，則提升玻璃纖維基材中之樹脂組成物的浸含性，可抑制股線空洞或絕緣可靠性之降低的發生。又，可使由二氧化碳、UV、準分子等之雷射所進行的通孔形成變得容易。又，若基重為上述下限值以上，則可提升玻璃纖維基材或預浸體強度。其結果，可提升操作性、預浸體之製造變得容易、或可抑制積層板曲翹之減低效果的降低。
上述玻璃纖維基材中，較佳係線膨脹係數為6ppm/℃以下 之玻璃纖維基材，更佳為3.5ppm/℃以下之玻璃纖維基材。藉由使用具有此種線膨脹係數之玻璃纖維基材，則可進一步抑制本實施形態之積層板的曲翹。
另外，本實施形態所使用之玻璃纖維基材，楊氏率較佳為60GPa以上且100GPa以下，更佳65GPa以上且92GPa以下，特佳86GPa以上且92GPa以下。藉由使用具有此種楊氏率的玻璃纖維基材，則例如可有效抑制半導體安裝時之因迴焊熱所造成的印刷佈線基板變形，故可提升電子零件之連接可靠性。
另外，本實施形態所使用之玻璃纖維基材，較佳係1MHz下之介電係數為3.8以上且7.0以下，更佳3.8以上且6.8以下，特佳3.8以上且5.5以下。藉由使用具有此種介電係數的玻璃纖維基材，則可進一步減低積層板之介電係數，故可將該積層板適當使用於利用了高速信號的半導體封裝中。
作為具有上述線膨脹係數、楊氏率及介電係數的玻璃纖維基材，可適當使用例如含有由T玻璃、S玻璃、E玻璃、NE玻璃及石英玻璃所構成群中選出之至少一種的玻璃纖維基材。
玻璃纖維基材之厚度並無特別限定，較佳為5μm以上且100μm以下，更佳10μm以上且60μm以下，再更佳12μm以上且35μm以下。藉由使用具有此種厚度的玻璃纖維基材，則可進一步提升預浸體製造時之操作性，又，可提升積 層板之曲翹減低效果。
若玻璃纖維基材之厚度為上述上限值以下，則可提升纖維基材中之樹脂材料的浸含性，並可抑制股線空洞或絕緣可靠性之降低的發生。又，可使由二氧化碳、UV、準分子等之雷射所進行的通孔形成變得容易。又，若玻璃纖維基材之厚度為上述下限值以上，則可提升玻璃纖維基材或預浸體之強度。其結果，可提升操作性、預浸體之製作變得容易，可抑制積層板之曲翹減低效果的降低。
另外，玻璃纖維基材之使用片數並不限於一片，亦可將較薄之纖維基材複數片重疊而使用。又，在將纖維基材複數片重疊而使用的情況，其合計厚度只要滿足上述範圍即可。
含有無機纖維基材之預浸體的構成材料或製造方法，可採用根據上述含有有機纖維基材101之預浸體100的構成材料或製造方法。
(積層板之製造方法)
接著，說明使用上述所得之預浸體100的積層板之製造方法。使用預浸體100之積層板的製造方法並無特別限定，例如可為下述。
由所得之預浸體剝離支撐基材後，於預浸體之外側的上下兩面或單面上重疊金屬箔，使用層合裝置或貝克裝置於高真空條件下將其等接合，或直接於預浸體外側之上下兩面或單面上重疊金屬箔。
接著，將於預浸體重疊有金屬箔者藉真空壓製機進行加熱、加壓，或藉乾燥機進行加熱，可得到積層板。
金屬箔之厚度為例如0.5μm以上且18μm以下。較佳為1μm以上且12μm以下。若金屬箔之厚度為上述範圍內，則可形成細微圖案，可使積層板更加薄型化。
作為構成金屬箔之金屬，可使用例如銅及銅系合金、鋁及鋁系合金、銀及銀系合金、金及金系合金、鋅及鋅系合金、鎳及鎳系合金、錫及錫系合金、鐵及鐵系合金、鐵鎳鈷合金(Kovar，商標名)、42合金、恆範鋼或超恆範鋼等之Fe-Ni系合金、W或Mo等。又，亦可使用具載體之電解銅箔等。
作為上述加熱處理的方法，並無特別限定，例如可使用熱風乾燥裝置、紅外線加熱裝置、加熱輥裝置、平板狀之熱盤壓製裝置等而實施。在使用熱風乾燥裝置或紅外線加熱裝置時，可不對上述經接合物實質作用壓力而實施。又，在使用加熱輥裝置或平板狀之熱盤壓製裝置時，可藉由對上述經接合物作用既定壓力而實施。
進行加熱處理時之溫度並無特別限定，較佳係設為所使用之樹脂熔融、且樹脂之硬化反應不急速進行的溫度區域。作為樹脂熔融之溫度，較佳為120℃以上、更佳150℃以上。又，作為樹脂之硬化反應不急速進行的溫度，較佳為250℃以下、更佳230℃以下。
另外，加熱處理之時間係因所使用之樹脂種類等而異，故 無特別限定，可設為例如30分鐘以上且180分鐘以下。
另外，加壓之壓力並無特別限定，例如為0.2MPa以上且5MPa以下、更佳2MPa以上且4MPa以下。
另外，亦可取代金屬箔，於本實施形態之積層板之至少一面上積層薄膜。作為薄膜，可舉例如聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醯亞胺、氟系樹脂等。
(印刷佈線基板及半導體封裝)
接著，說明本實施形態之印刷佈線基板及半導體封裝200。
積層板213可使用於圖2所示之半導體封裝200中。作為印刷佈線基板及半導體封裝200的製造方法，有如以下方法。
於積層板213形成層間連接用之通孔215，藉減成法、半加成法等製作佈線層。其後，視需要積層增建層(build-up layer)(圖2中未圖示)，藉加成法重複層間連接及電路形成之步驟。然後，視需要積層抗焊層201，依上述方法形成電路，藉此可得到印刷佈線基板。於此，一部分或全部之增建層及抗焊層201可含有纖維基材，亦可不含有。
接著，於抗焊層201整面上塗佈光阻劑後，去除光阻之一部分使抗焊層201之一部分露出。又，抗焊層201亦可使用具有光阻機能的阻劑。此時，可省略光阻劑的塗佈步驟。接 著，去除所露出之抗焊層201，形成開口部209。
接著，藉由進行迴焊處理，將半導體元件203經由焊錫凸塊207固黏於屬於佈線圖案一部分之連接端子205上。其後，將半導體元件203、焊錫凸塊207等藉密封材211予以密封，可得到圖2所示之半導體封裝200。
(半導體裝置)
接著，說明本實施形態之半導體裝置300。
半導體封裝200可用於圖3所示之半導體裝置300中。作為半導體裝置300之製造方法並無特別限定，有如以下方法。
首先，對所得之半導體封裝200的抗焊層201的開口部209供給焊錫膏，藉由進行迴焊處理而形成焊錫凸塊301。又，焊錫凸塊301亦可藉由將預先製作之焊錫球安裝至開口部209而形成。
接著，藉由將安裝基板303之連接端子305與焊錫凸塊301接合，而將半導體封裝200安裝至安裝基板303上，則可得到圖3所示之半導體裝置300。
如上述說明般，藉由本實施形態，可提供焊錫耐熱性優越，且抑制了迴焊等加熱時所產生之曲翹的積層板213用預浸體100。尤其是在使用了預浸體100之積層板213厚度較薄的情況，仍可有效抑制曲翹發生。而且，使用了積層板213之印刷佈線基板，係焊錫耐熱性、曲翹、尺寸安定性等 之機械特性、成形性優越。因此，本實施形態之積層板213可適合使用於要求高密要化、高多層化之印刷佈線基板等要求可靠性的用途。
另外，本實施形態之積層板213，係於上述電路加工及其後之各製程中減低曲翹發生。因此，半導體封裝200不易發生曲翹及裂痕，可予以薄型化。因此，含有半導體封裝200之半導體裝置300可提升連接可靠性。
以上雖敘述了本發明實施形態，但此等僅為本發明例示，亦可採用上述以外之各種構成。例如，本實施形態中，雖例示了預浸體為1層的情況，但亦可使用將預浸體積層2層以上者而製作積層板。
另外，亦可採用於本實施形態之積層板進一步積層了增建層的構成。
(實施例)
以下藉由實施例及比較例說明本發明，但本發明並不限定於此。又，實施例中，在未特別限定之下，份係表示質量份。又，個別的厚度係以平均膜厚表示。
實施例及比較例中，係使用以下原料。
環氧樹脂A：甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(DIC公司製，HP-5000)
環氧樹脂B：萘醚型環氧樹脂(DIC公司製，HP-6000)
氰酸酯樹脂：酚醛清漆型氰酸酯樹脂(Lonza Japan公司 製，Primaset PT-30)
酚樹脂：萘酚芳烷基型酚樹脂(東都化成公司製，SN-485)
填充材A：球狀熔融二氧化矽(Admatechs公司製，SO-32R，平均粒徑1μm)
填充材B：球狀熔融二氧化矽(Tokuyama公司製，NSS-5N，平均粒徑75nm)
偶合劑A：γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(GE東芝聚矽氧公司製，A187)
硬化觸媒：相當於上述一般式(IX)之鎓鹽化合物的磷系觸媒(住友電木公司製，C05-MB)
有機纖維基材AI：聚對伸苯基苯并雙唑樹脂纖維織布(旭化成E-materials公司製，054Z-HM，STYLE054Z，纖絲徑：12μm，纖絲數：33根/束，縱55根/25mm、橫55根/25mm，基重：23.8g/m2，表面處理：矽烷偶合劑處理，線膨脹係數(25~150℃)：-6ppm/℃，楊氏率270GPa，纖維基材之厚度43μm，介電係數：3.0(0.1GHz))
有機纖維基材AII：聚對伸苯基苯并雙唑樹脂纖維織布(旭化成E-materials公司製，116Z-HM，STYLE116Z，纖絲徑：12μm，纖絲數：66根/束，縱49根/25mm、橫49根/25mm，基重：43.3g/m2，通氣度：20.8cm3/cm2/sec，表面處理：矽烷偶合劑處理，線膨脹係數(25~150℃)：-6ppm/℃，楊氏率270GPa，纖維基材之厚度65μm，介電係數：3.0(0.1GHz))
有機纖維基材AIII：聚對伸苯基苯并雙唑樹脂纖維織布(旭化成E-materials公司製，273Z-HM，STYLE273Z，纖絲徑：12μm，纖絲數：132根/束，縱41根/25mm、橫41根/25mm，基重：90.3g/m2，表面處理：矽烷偶合劑處理，線膨脹係數(25~150℃)：-6ppm/℃，楊氏率270GPa，纖維基材之厚度126μm，介電係數：3.0(0.1GHz))
有機纖維基材B：聚對伸苯基苯并雙唑樹脂纖維織布(旭化成E-materials公司製，116Z-AS，STYLE116Z，纖絲徑：12μm，纖絲數：66根/束，縱49根/25mm、橫49根/25mm，基重：43.3g/m2，通氣度：20.8cm3/cm2/sec，表面處理：矽烷偶合劑處理，線膨脹係數(25~150℃)：-6ppm/℃，楊氏率180GPa，纖維基材之厚度65μm，介電係數：3.0(0.1GHz))
有機纖維基材C：芳醯胺樹脂纖維織布(旭化成E-materials公司製，086T，STYLE086T，纖絲徑：12μm，纖絲數：48根/束，縱55根/25mm、橫55根/25mm，基重：34.7g/m2，通氣度：25cm3/cm2/sec，表面處理：矽烷偶合劑處理，線膨脹係數(25~150℃)：-6ppm/℃，楊氏率73GPa，纖維基材之厚度60μm，介電係數：3.6(1GHz))
(實施例1)
使用以下順序，製作本實施形態之積層板。
1-1.樹脂組成物之清漆A的調製
將作為環氧樹脂A之甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(DIC公司 製，HP-5000)13.7質量份、作為氰酸酯樹脂之酚醛清漆型氰酸酯樹脂(Lonza Japan公司製，Primaset PT-30)13.7質量份溶解、分散於甲基乙基酮。進而，添加作為填充材A之球狀熔融二氧化矽(Admatechs公司製，SO-32R，平均粒徑1μm)64.7質量份、作為填充劑B之球狀熔融二氧化矽(Tokuyama公司製，NSS-5N，平均粒徑75nm)7.0質量份、與作為偶合劑之γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(GE東芝聚矽氧公司製，A187)0.4質量份、作為硬化觸媒之鎓鹽化合物之磷系觸媒(住友電木公司製，C05-MB)0.5質量份，使用高速攪拌裝置攪拌30分鐘，調整成不揮發份70質量%，調製樹脂組成物之清漆(樹脂清漆A)。
2-1.有機纖維基材AI之退火處理
將有機纖維基材配置於下述裝置內，依下述條件進行退火處理。
裝置：無塵爐(光洋Thermo System公司製，CLO-21-CDH-S)
環境：氮環境
溫度：250℃
時間：1小時
2-2.有機纖維基材之熱重量分析
於此，使用示差熱熱重量同時測定裝置(精工裝備公司製，TG/DTA6200型)，針對經上述退火處理之有機纖維基 材AI，依序進行下述2個步驟，由下式(1)~(2)分別算出重量減少率A、B。又，算出所得之重量減少率的差(B-A)。
預備乾燥步驟：於乾燥氮氣流下，測定於110℃保持了1小時時之重量減少量a。
測定步驟：於乾燥氮氣流下，測定依升溫速度10℃/分鐘之條件由25℃升溫至300℃時的重量減少量b。
A[%]=100×a/W (1)
B[%]=100×b/(W-a) (2)
於此，將(A)預備乾燥步驟前之有機纖維基材的重量設為W，將(A)預備乾燥步驟中之重量減少量設為a，將(B)測定步驟中之重量減少量設為b。
3.預浸體之製造
於經退火處理之有機纖維基材AI中浸含所得之樹脂清漆A，於150℃之加熱爐中乾燥2分鐘，得到預浸體。此時，有機纖維基材層之厚度為43μm，於該有機纖維基材層之兩面設置相同厚度(3.5μm)的樹脂層，厚度為50μm。
4.積層板之製造
於所得之預浸體的兩面配置厚12μm的銅箔(古河電工公司製，GST-12)，依220℃、3MPa進行加熱加壓成形2小時，而得到積層板。所得積層板之絕緣層的厚度為50μm。
5.印刷佈線板之製造
於上述所得之積層板的兩面形成電路圖案(殘銅率70%， L/S=50/50μm)。接著，於電路表面形成抗焊層(太陽油墨公司製，PSR800/AUS410)，使與半導體元件之連接端子部藉曝光/顯影而開口露出。接著，於開口部之連接端子上，形成無電解鍍鎳、無電解鍍金及鍍焊錫。將所得基板切斷成14mm×14mm尺寸，得到半導體封裝用之印刷佈線板。
6.半導體封裝之製造
於半導體封裝用之印刷佈線板上，將具有焊錫凸塊之半導體元件(TEG晶片，尺寸8mm×8mm，厚100μm)，藉由倒裝晶片接合裝置，依加熱壓黏予以搭載。接著，藉IR迴焊爐將焊錫凸塊進行熔融接合後，填充液狀密封樹脂(住友電木公司製，CRP-X4120B3)，使該液狀密封樹脂硬化而得到半導體封裝(以下亦稱為PKG)。又，液狀密封樹脂係依溫度150℃、120分鐘之條件被硬化。又，半導體元件之焊錫凸塊係使用由Sn/Ag/Cu組成的無鉛焊錫所形成者。
(實施例2~5，比較例1~4)
實施例2~5及比較例1~4中，除了將有機纖維基材之種類、退火處理之有無、絕緣層之厚度如表1及表2般改變以外，其餘依與實施例1同樣的方法，製造積層板、印刷佈線基板及半導體封裝。
(實施例6)
實施例6中，除了將樹脂清漆種類改變為下述之樹脂清漆B，並將有機纖維基材之種類、退火處理之有無、絕緣層之 厚度如表2般改變以外，其餘依與實施例1相同的方法，製造積層板、印刷佈線基板及半導體封裝。
(樹脂組成物之清漆B的調製)
將作為環氧樹脂B之萘醚型環氧樹脂(DIC公司製，HP-6000)10.8重量份、作為氰酸酯樹脂之酚醛清漆型氰酸酯樹脂(Lonza Japan公司製，Primaset PT-30)14.0重量份、作為酚樹脂之萘酚芳烷基型酚樹脂(東都化成公司製，SN-485)5.0重量份溶解、分散於甲基乙基酮。進而，添加作為填充材A之球狀熔融二氧化矽(Admatechs公司製，SO-32R，平均粒徑1μm)65.0重量份、作為填充材B之球狀熔融二氧化矽(Tokuyama公司製，NSS-5N，平均粒徑75nm)5.0重量份、與作為偶合劑之γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(GE東芝聚矽氧公司製，A187)0.2重量份，使用高速攪拌裝置攪拌30分鐘，調整成不揮發份50重量%，調製樹脂組成物之清漆(樹脂清漆B)。
針對由實施例及比較例所得之積層板及半導體封裝，進行下述各評估。各評估示於以下。又，將所得結果示於表1及表2。
(1)貯藏彈性係數及玻璃轉移溫度之測定
貯藏彈性係數及玻璃轉移溫度的測定，係依動態黏彈性測定(DMA)進行。
由所得之積層板切出8mm×40mm之試驗片，使用TA裝 置製DMA2980依升溫速度5℃/分鐘、頻率1Hz進行，算出於250℃之貯藏彈性係數。又，玻璃轉移溫度係設為於1Hz下tanδ顯示最大值的溫度。
(2)線膨脹係數
將實施例及比較例所製作之積層板切出4mm×15mm之試驗片，使用TMA(TA裝置公司製，Q400)依10℃/分鐘之拉張條件升溫至0℃~300℃，測定於50~150℃之面方向的線膨脹係數。
(3)焊錫耐熱性
將50mmx50mm正方之樣本的單面一半以外的所有銅箔蝕刻去除，使用壓力鍋試驗機(Espec公司製)，依121℃、2大氣壓進行處理2小時。接著，於260℃之焊錫槽中浸漬60秒，以目視觀察外觀變化有無異常。
(○：無異常，×：發生膨脹、剝離)
(4)PKG之曲翹(室溫、及由室溫至260℃的變化量)
PKG之曲翹量(半導體封裝的曲翹)，係將晶片面置於可進行加熱冷卻的腔室上，於25℃與260℃之環境下，測定由BGA面起基板(尺寸：14mm×14mm)上之13mm×13mm部分於室溫(25℃)下的曲翹量，及25℃至260℃為止的曲翹量。又，樣本係使用由上述實施例及比較例所製作的半導體封裝。
由表1及表2可知，相較於比較例1~4之積層板，實施例1~6之積層板的玻璃轉移溫度及彈性係數可於保持為較高之下，使積層板之熱膨脹率降低。其結果，相較於比較例1~4之積層板，實施例1~6之積層板的焊錫耐熱性優越。又，相較於比較例1~4之半導體封裝，實施例1~6之半導體封裝抑制了曲翹。
本發明亦可為以下態樣。
[1]一種預浸體，係於在50℃至150℃為止的線膨脹係數為0ppm/℃以下之有機纖維基材中浸含熱硬化性樹脂而成者；上述有機纖維基材係在藉由熱重量測定裝置，依序進行下述步驟時，由B-A所算出之值為未滿0.3%；(A)將該有機纖維基材於110℃保持1小時而測定重量減少率A的預備乾燥步驟；(B)將該有機纖維基材由25℃依10℃/分鐘進行升溫至300℃並測定重量減少率B的測定步驟。
[2]如上述[1]記載之預浸體，其中，上述有機纖維基材係由選自聚對伸苯基苯并雙唑樹脂、芳香族聚酯樹脂、全芳香族聚醯胺及聚醯亞胺苯并唑之至少1種以上的耐熱性樹脂所構成。
[3]如上述[1]或[2]記載之預浸體，其中，構成上述有機纖維基材之有機纖維的楊氏率為70GPa以上且400GPa以下。
[4]如上述[1]至[3]中任一項記載之預浸體，其中，構成上述有機纖維基材之有機纖維於1GHz下的介電係數為2.5以上且4.5以下。
[5]一種積層板，其含有上述[1]至[4]中任一項記載之預浸體的硬化體。
[6]如上述[5]之積層板，其中，該積層板之由動態黏彈性測定所測得之頻率1Hz下的玻璃轉移溫度為180℃以上且350℃以下。
[7]如上述[5]或[6]記載之積層板，其中，上述積層板之面方向之50℃至150℃的線膨脹係數為-10ppm/℃以上且5ppm/℃以下。
[8]如上述[5]至[7]中任一項記載之積層板，其中，該積層板於250℃由動態黏彈性測定所測定之貯藏彈性係數為5GPa以上且50GPa以下。
[9]一種半導體封裝，係於含有上述[5]至[8]中任一項記載之積層板的電路基板上搭載有半導體元件。
[10]一種半導體裝置，係含有上述[9]記載之半導體封裝。
本申請案係主張以2011年8月9日所申請之日本專利申請案特願2011-173872號為基礎的優先權，將其所有揭示內容引用於此。
100‧‧‧預浸體
101‧‧‧有機纖維基材
103‧‧‧樹脂層
200‧‧‧半導體封裝
201‧‧‧抗焊層
203‧‧‧半導體元件
205‧‧‧連接端子
207‧‧‧焊錫凸塊
209‧‧‧開口部
211‧‧‧密封材
213‧‧‧積層板
215‧‧‧通孔
300‧‧‧半導體裝置
301‧‧‧焊錫凸塊
303‧‧‧安裝基板
305‧‧‧連接端子
圖1為表示本實施形態之預浸體之構成一例的剖面圖。
圖2為表示本實施形態之半導體封裝之構成一例的剖面圖。
圖3為表示本實施形態之半導體裝置之構成一例的剖面圖。
100‧‧‧預浸體
101‧‧‧有機纖維基材
103‧‧‧樹脂層

Claims (15)

  1. 一種預浸體，係於在50℃以上且150℃以下之範圍下的線膨脹係數為0ppm/℃以下之有機纖維基材中浸含含有熱硬化性樹脂之樹脂組成物而成者；上述有機纖維基材係在藉由熱重量測定裝置，依序進行下述步驟時，由B-A所算出之值為0.30%以下；(A)將上述有機纖維基材於110℃保持1小時而測定重量減少率A的預備乾燥步驟；(B)將上述有機纖維基材由25℃依10℃/分鐘進行升溫至300℃並測定重量減少率B的測定步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之預浸體，其中，構成上述有機纖維基材之有機纖維，係由選自聚對伸苯基苯并雙唑樹脂、芳香族聚酯樹脂、全芳香族聚醯胺樹脂及聚醯亞胺苯并唑樹脂所組成群之至少1種以上的耐熱性樹脂所構成。
  3. 如申請專利範圍第1項之預浸體，其中，上述有機纖維基材為織布基材。
  4. 如申請專利範圍第1項之預浸體，其中，構成上述有機纖維基材之有機纖維的楊氏率為70GPa以上且400GPa以下。
  5. 如申請專利範圍第1項之預浸體，其中，構成上述有機纖維基材之有機纖維於1GHz下的介電係數為2.5以上且4.5 以下。
  6. 一種積層板，其含有申請專利範圍第1至5項中任一項之預浸體的硬化體。
  7. 一種積層板，其係於申請專利範圍第1至5項中任一項之預浸體之硬化體的至少一面上積層有金屬箔。
  8. 如申請專利範圍第6項之積層板，其中，該積層板之由動態黏彈性測定所測得之頻率1Hz下的玻璃轉移溫度為180℃以上且350℃以下。
  9. 如申請專利範圍第6項之積層板，其中，上述積層板之面方向之50℃以上且150℃以下之範圍下的線膨脹係數為-10ppm/℃以上且5ppm/℃以下。
  10. 如申請專利範圍第6項之積層板，其中，該積層板於250℃由動態黏彈性測定所測定之貯藏彈性係數為5GPa以上且50GPa以下。
  11. 一種印刷佈線基板，係將申請專利範圍第6項之積層板進行電路加工而成。
  12. 一種半導體封裝，係於申請專利範圍第11項之印刷佈線基板搭載有半導體元件。
  13. 一種半導體裝置，係含有申請專利範圍第12項之半導體封裝。
  14. 一種預浸體之製造方法，係包括下述步驟：準備在50℃以上且150℃以下之範圍下的線膨脹係數為 0ppm/℃以下的有機纖維基材的步驟；針對上述有機纖維基材，將由藉由熱重量測定裝置，將上述有機纖維基材於110℃保持1小時所測定之重量減少率A、與將上述有機纖維基材由25℃依10℃/分鐘進行升溫至300℃所測定之重量減少率B所算出的B-A，調整為0.30%以下的步驟；使含有熱硬化性樹脂之樹脂組成物浸含於上述有機纖維基材中，並使上述樹脂組成物半硬化的步驟。
  15. 如申請專利範圍第14項之預浸體之製造方法，其中，藉由對上述有機纖維基材進行退火處理，將上述有機纖維基材之B-A調整為0.30%以下。
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