TW201808622A - 熱硬化性樹脂組成物、附載體樹脂膜、預浸體、覆金屬積層板、樹脂基板、印刷配線基板及半導體裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的熱硬化性樹脂組成物，其用於形成印刷配線基板中之絕緣層，並含有：含有具有不飽和雙鍵之基團之特定的苯并
Figure TW201808622A_A0001
化合物；含有順丁烯二醯亞胺化合物、環氧樹脂及氰酸酯樹脂中的至少一種之熱硬化性樹脂；及無機填充材。並且，苯并

Description

熱硬化性樹脂組成物、附載體樹脂膜、預浸體、覆金屬積層板、樹脂基板、印刷配線基板及半導體裝置
本發明係關於一種熱硬化性樹脂組成物、附載體樹脂膜、預浸體、覆金屬積層板、樹脂基板、印刷配線基板及半導體裝置。
在目前為止的密封用樹脂組成物中，從耐熱性的觀點考慮進行了各種各樣的開發。作為該種技術，例如可以舉出專利文獻1中所記載之密封用樹脂組成物。該文獻中記載有如下內容：藉由使用雙順丁烯二醯亞胺化合物和Pd型苯并作為密封用樹脂組成物，能夠提高耐熱性(專利文獻1的0040段、實施例)。
專利文獻1：日本特開2012-97207號公報
然而，在近年的半導體封裝的製造程序中，大面積化越來越發展。基於這樣的開發環境，本發明人進行研究之結果，判明了在上述文獻中所記載之密封用樹脂組成物的硬化物中，在製造程序中之印刷配線基板的翹曲方面有改善的餘地。
本發明人關於用於形成印刷配線基板中之絕緣層之熱硬化 性樹脂組成物進一步進行研究，並著眼於與苯并化合物的官能基相應之反應的多樣性。基於該種著眼點進行了研究之結果，判明了藉由使用含有具有不飽和雙鍵之基團作為官能基之苯并化合物，能夠提高熱硬化性樹脂組成物的硬化特性。
基於該種見解，進行了深入研究之結果，判明了藉由將含有具有不飽和雙鍵之基團之苯并化合物和含有順丁烯二醯亞胺化合物、環氧樹脂及氰酸酯樹脂中的至少一種之熱硬化性樹脂併用，能夠減小所獲得之硬化物的線膨脹係數。並且，發現藉由減小所獲得之硬化物的線膨脹係數，能夠抑制製造程序中之印刷配線基板的翹曲，並完成了本發明。
依本發明，提供一種熱硬化性樹脂組成物，其用於形成印刷配線基板中之絕緣層，並含有：含有具有不飽和雙鍵之基團之後述之通式(B-1)或(B-2)所表示之苯并化合物；及含有順丁烯二醯亞胺化合物、環氧樹脂及氰酸酯樹脂中的至少一種之熱硬化性樹脂；及無機填充材。
並且，依本發明，提供一種附載體樹脂膜，其具備：載體基材；及由上述熱硬化性樹脂組成物形成之樹脂膜，其設置於前述載體基材上。
並且，依本發明，提供一種預浸體，其係將上述熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材中而成。
並且，依本發明，提供一種覆金屬積層板，其具備：上述預浸體的硬化物；及金屬層，其配置於該硬化物的至少一面。
並且，依本發明，提供一種樹脂基板，其具備由上述熱硬化性樹脂組成物的硬化物構成之絕緣層。
並且，依本發明，提供一種印刷配線基板，其具備：上述覆金屬積層板或上述樹脂基板；及電路層，其形成於上述覆金屬積層板或上述樹脂基板的表面。
並且，依本發明，提供一種半導體裝置，其具備：上述印刷配線基板；及半導體元件，其搭載於前述印刷配線基板的電路層上，或者內置於前述印刷配線基板。
依本發明，提供一種能夠獲得低翹曲性優異之絕緣層之熱硬化性樹脂組成物、使用了該熱硬化性樹脂組成物之附載體樹脂膜、預浸體、覆金屬積層板、樹脂基板、印刷配線基板及半導體裝置。
10‧‧‧樹脂膜
12‧‧‧載體基材
100‧‧‧附載體樹脂膜
105‧‧‧金屬箔
300‧‧‧印刷配線基板
301‧‧‧絕緣層(芯層)
303‧‧‧金屬層
305‧‧‧絕緣層(增建層)
307‧‧‧通孔
308‧‧‧無電鍍金屬鍍覆膜
309‧‧‧電解金屬鍍覆層
400‧‧‧半導體裝置
401‧‧‧絕緣層(阻焊層)
407‧‧‧半導體元件
410‧‧‧焊錫凸塊
413‧‧‧密封材料層
500‧‧‧印刷配線基板
510‧‧‧支持基板
520‧‧‧載體箔
530‧‧‧金屬箔
540‧‧‧增建層(絕緣層)
542‧‧‧金屬層
550‧‧‧增建層(絕緣層)
552‧‧‧金屬層
560‧‧‧阻焊層(絕緣層)
562‧‧‧金屬層
600‧‧‧印刷配線基板
610‧‧‧無芯樹脂基板
612‧‧‧絕緣層(層間絕緣層)
614‧‧‧金屬層(柱)
616‧‧‧通路配線
618‧‧‧金屬層(柱)
620‧‧‧半導體元件
630‧‧‧阻焊層(絕緣層)
632‧‧‧阻焊層(絕緣層)
640‧‧‧金屬層(電極墊)
650‧‧‧金屬層
652‧‧‧第1金屬層(鍍覆層)
654‧‧‧第2金屬層(無電鍍鍍覆層)
700‧‧‧印刷配線基板
710‧‧‧無芯樹脂基板
712‧‧‧絕緣層(層間絕緣層)
714‧‧‧金屬層(柱)
716‧‧‧通路配線
718‧‧‧金屬層(柱)
720‧‧‧半導體元件
730‧‧‧阻焊層(絕緣層)
732‧‧‧阻焊層(絕緣層)
740‧‧‧金屬層(電極墊)
圖1係表示本實施形態中之附載體樹脂膜的構成的一例之剖面圖。
圖2(a)及圖2(b)係表示本實施形態中之印刷配線基板的構成的一例之剖面圖。
圖3(a)及圖3(b)係表示本實施形態中之半導體裝置的構成的一例之剖面圖。
圖4(a)~圖4(c)係表示本實施形態中之印刷配線基板的製造程序 的一例之製程剖面圖。
圖5係表示本實施形態中之印刷配線基板的構成的一例之剖面圖。
圖6係表示本實施形態中之印刷配線基板的構成的一例之剖面圖。
以下，使用圖式對本發明的實施形態進行說明。另外，在所有圖式中，對同樣的構成要件標註同樣的符號，並適當省略說明。
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物含有：含有具有不飽和雙鍵之基團之下述通式(B-1)或(B-2)所表示之苯并化合物；含有順丁烯二醯亞胺化合物、環氧樹脂及氰酸酯樹脂中的至少一種之熱硬化性樹脂；及無機填充材。
(上述通式(B-1)中，a分別獨立地表示1以上且3以下的整數，p表示1以上且4以下的整數。R1、R2分別獨立地表示氫原子、低級烷基、烯基、環烷基、芳基、芳烷基(aralkyl group)、或1~4價的有機基，R1及R2中的至少一者為具有碳數3~14的烯基之基團(其中，當p為2以上且4以下的整數時，R2可以相同或不同)。Z表示1~4價的有機基。)
(上述通式(B-2)中，b分別獨立地表示1以上且4以下的整數，q表示1以上且4以下的整數。R3分別獨立地表示氫原子、低級烷基、烯基、環烷基、芳基、芳烷基、或1~4價的有機基，X1表示1~4價的有機基，R3及X1中的至少一者為具有碳數3~14的烯基之基團。)
該種熱硬化性樹脂組成物用於形成印刷配線基板中之絕緣層。
本發明人關於用於形成印刷配線基板中之絕緣層之熱硬化性樹脂組成物進一步進行研究，並著眼於與苯并化合物的官能基相應之反應的多樣性。
基於該種著眼點進行了研究之結果，判明了藉由使用含有具有不飽和雙鍵之基團作為官能基之苯并化合物，能夠提高熱硬化性樹脂組成物的硬化特性。在本實施形態中，作為具有不飽和雙鍵之基團，例如為碳數3~14的烯基，烯丙基為較佳。
基於該種見解，進行深入研究之結果，判明了藉由將含有具有不飽和雙鍵之基團之上述通式(B-1)或(B-2)所表示之苯并化合物和含有順丁烯二醯亞胺化合物、環氧樹脂及氰酸酯樹脂中的至少一種之熱硬化性樹脂併用，能夠減小所獲得之硬化物的線膨脹係數。因此，發現 能夠抑制製造程序中之印刷配線基板的翹曲，並完成了本發明。
詳細機制雖然不明確，但認為藉由含有具有不飽和雙鍵之基團之苯并化合物的開環聚合、順丁烯二醯亞胺化合物等對熱硬化性樹脂之催化作用或與熱硬化性樹脂之交聯反應等各種各樣的反應機構，能夠提高熱硬化性樹脂組成物的硬化特性。
並且，依本實施形態，由於能夠提高熱硬化性樹脂組成物的硬化特性，因此能夠減小所獲得之硬化物的線膨脹係數。並且，該種熱硬化性樹脂組成物具有低溫硬化優異之硬化特性。藉由使用由本實施形態的熱硬化性樹脂組成物形成之樹脂膜的硬化物，能夠將製造程序中之硬化溫度設定為較低，因此能夠有效地減少印刷配線基板的翹曲。
並且，依本實施形態，藉由熱硬化性樹脂組成物中的各種各樣的反應，能夠提高交聯密度。因此，能夠提高所獲得之硬化物的耐熱性。亦即，本實施形態的熱硬化性樹脂組成物的硬化物的結構，其耐熱分解性優異。
如此，藉由將本實施形態的樹脂膜的硬化物利用於印刷配線基板的絕緣層，能夠減小絕緣層的線膨脹係數，並且能夠將硬化溫度設定為較低的值。因此，在製造大面積的面板尺寸封裝之面板級程序(panel level process)中，能夠抑制面板的翹曲。
本實施形態中，印刷配線基板中之絕緣層能夠用於芯層、增建層(build-up layer)(層間絕緣層)、阻焊層(solder resist layer)等構成印刷配線基板之絕緣性構件中。作為上述印刷配線基板，可以舉出具有芯層、增建層(層間絕緣層)、阻焊層之印刷配線基板、不具有芯層之印刷配線基 板、用於面板封裝程序(PLP)之無芯基板、MIS(Molded Interconnect Substrate：模封基板)基板等。
由本實施形態的熱硬化性樹脂組成物形成之樹脂膜的硬化物用於上述絕緣層。該硬化物亦能夠用於例如不具有芯層之印刷配線基板中之增建層或阻焊層、用於PLP中之無芯基板的層間絕緣層或阻焊層、MIS基板的層間絕緣層或阻焊層等。如此，在用於統括製作複數個半導體封裝之大面積的印刷配線基板中，本實施形態的樹脂膜的硬化物亦能夠較佳地用於構成該印刷配線基板之層間絕緣層或阻焊層。
並且，作為本實施形態的熱硬化性樹脂組成物的利用形態並沒有特別限定，例如可以舉出由上述熱硬化性樹脂組成物形成之樹脂膜、在載體基材上設置有上述樹脂膜之附載體樹脂膜、將上述熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材中而成之預浸體、在上述預浸體的硬化物的至少一面配置有金屬層之覆金屬積層板、具備由上述熱硬化性樹脂組成物的硬化物構成之絕緣層之樹脂基板、在上述覆金屬積層板或上述樹脂基板的表面形成有電路層之印刷配線基板等。
接著，對本實施形態的熱硬化性樹脂組成物的各成分進行說明。
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物例如含有熱硬化性樹脂、苯并化合物及無機填充材。
(熱硬化性樹脂)
作為熱硬化性樹脂，例如能夠含有順丁烯二醯亞胺化合物、環氧樹脂及氰酸酯樹脂中的至少一種。該等既可以單獨使用，亦可以將2種以上組 合使用。
(順丁烯二醯亞胺化合物)
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物能夠含有順丁烯二醯亞胺化合物。
本實施形態中，順丁烯二醯亞胺化合物的順丁烯二醯亞胺基具有5員環的平面結構。並且，順丁烯二醯亞胺基的雙鍵在分子間容易相互作用且極性較高。因此，與具有順丁烯二醯亞胺基、苯環、其他平面結構之化合物等顯示較強的分子間相互作用，能夠抑制分子運動。因此，熱硬化性樹脂組成物藉由含有順丁烯二醯亞胺化合物，能夠減小所獲得之絕緣層的線膨脹係數，並能夠提高玻璃轉移溫度，進而能夠提高耐熱性。
作為上述順丁烯二醯亞胺化合物，係在分子內具有至少2個順丁烯二醯亞胺基之順丁烯二醯亞胺化合物為較佳。
作為在分子內具有至少2個順丁烯二醯亞胺基之順丁烯二醯亞胺化合物，例如可以舉出4,4'-二苯基甲烷雙順丁烯二醯亞胺、間伸苯基雙順丁烯二醯亞胺、對伸苯基雙順丁烯二醯亞胺、2,2-雙[4-(4-順丁烯二醯亞胺苯氧基)苯基]丙烷、雙-(3-乙基-5-甲基-4-順丁烯二醯亞胺苯基)甲烷、4-甲基-1,3-伸苯基雙順丁烯二醯亞胺、N,N'-伸乙基二順丁烯二醯亞胺、N,N'-六亞甲基二順丁烯二醯亞胺、雙(4-順丁烯二醯亞胺苯基)醚、雙(4-順丁烯二醯亞胺苯基)碸、3,3-二甲基-5,5-二乙基-4,4-二苯基甲烷雙順丁烯二醯亞胺、雙酚A二苯基醚雙順丁烯二醯亞胺等在分子內具有2個順丁烯二醯亞胺基之化合物、聚苯基甲烷順丁烯二醯亞胺等在分子內具有3個以上的順丁烯二醯亞胺基之化合物等。
既能夠單獨使用該等之中的1種，亦能夠併用2種以上。在該等順丁 烯二醯亞胺化合物中，從低吸水率的觀點等考慮，4,4'-二苯基甲烷雙順丁烯二醯亞胺、2,2-雙[4-(4-順丁烯二醯亞胺苯氧基)苯基]丙烷、雙-(3-乙基-5-甲基-4-順丁烯二醯亞胺苯基)甲烷、聚苯基甲烷順丁烯二醯亞胺、雙酚A二苯基醚雙順丁烯二醯亞胺為較佳。
並且，作為順丁烯二醯亞胺化合物，含有由下述式(1)表示之順丁烯二醯亞胺化合物為較佳。
(上述式(1)中，n1為0以上且10以下的整數，X1分別獨立地表示碳數1以上且10以下的伸烷基(alkylene group)、下述式(1a)所表示之基團、式“-SO2-”所表示之基團、“-CO-”所表示之基團、氧原子或單鍵，R1分別獨立地為碳數1以上且6以下的烴基，a分別獨立地為0以上且4以下的整數，b分別獨立地為0以上且3以下的整數)
(上述式(1a)中，Y為具有芳香族環之碳數6以上且30以下的烴基，n2為0以上的整數)
作為X1中之1以上且10以下的伸烷基並沒有特別限定，但 直鏈狀或支鏈狀的伸烷基為較佳。
作為該直鏈狀的伸烷基，具體而言，可以舉出亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、伸癸基、三亞甲基、四亞甲基、五亞甲基、六亞甲基等。
並且，作為支鏈狀的伸烷基，具體而言，可以舉出-C(CH3)2-(伸異丙基)、-CH(CH3)-、-CH(CH2CH3)-、-C(CH3)(CH2CH3)-、-C(CH3)(CH2CH2CH3)-、-C(CH2CH3)2-等烷基亞甲基；-CH(CH3)CH2-、-CH(CH3)CH(CH3)-、-C(CH3)2CH2-、-CH(CH2CH3)CH3-、-C(CH2CH3)2-CH2-等烷基伸乙基等。
另外，X1中之伸烷基的碳數只要係1以上且10以下即可，但1以上且7以下為較佳，1以上且3以下為更佳。具體而言，作為具有該種碳數之伸烷基，例如可以舉出亞甲基、伸乙基、伸丙基、伸異丙基。
並且，R1分別獨立地為碳數1以上且6以下的烴基，但碳數1或2的烴基，具體而言，甲基或乙基為較佳。
另外，a為0以上且4以下的整數，0以上且2以下的整數為較佳，0為更佳。並且，b為0以上且3以下的整數，0或1為較佳，0為更佳。
並且，n1為0以上且10以下的整數，0以上且6以下的整數為較佳，0以上且4以下的整數為更佳，0以上且3以下的整數為特佳。並且，順丁烯二醯亞胺化合物至少含有上述式(1)中n1為1以上的化合物為更佳。藉此，由熱硬化性樹脂組成物獲得之絕緣層發揮更優異之耐熱性。
另外，上述式(1a)中，Y為具有芳香族環之碳數6以上且30以下的 烴基，n2為0以上的整數。
該具有芳香族環之碳數6以上且30以下的烴基可以僅為芳香族環，亦可以具有除芳香族環以外的烴基。Y所具有之芳香族環既可以為1個，亦可以為2個以上，當為2個以上時，該等芳香族環可以相同，亦可以不同。並且，上述芳香族環可以是單環結構及多環結構中的任一種。
具體而言，作為具有芳香族環之碳數6以上且30以下的烴基，例如可以舉出從苯、聯苯、萘、蒽、茀、菲、二環戊二烯并苯(indacene)、聯三苯(terphenyl)、苊(acenaphthylene)、萉等具有芳香族性之化合物的核中除去2個氫原子而成之2價的基團。
並且，該等芳香族烴基可以具有取代基。在此，芳香族烴基具有取代基係指構成芳香族烴基之氫原子的一部分或全部被取代基取代。作為取代基，例如可以舉出烷基。
作為該取代基之烷基係鏈狀的烷基為較佳。並且，其碳數係1以上且10以下為較佳，1以上且6以下為更佳，1以上4以下為特佳。具體而言，可以舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、三級丁基、二級丁基等。
該種基團Y具有從苯或萘中除去2個氫原子而成之基團為較佳，作為上述式(1a)所表示之基團，下述式(1a-1)、(1a-2)中的任一個所表示之基團為較佳。藉此，由熱硬化性樹脂組成物獲得之絕緣層發揮更優異之耐熱性。
上述式(1a-1)、(1a-2)中，R4分別獨立地為碳數1以上且6以下的烴基。e分別獨立地為0以上且4以下的整數，0為較佳。
另外，在上述式(1a)所表示之基團中，n2為0以上的整數即可，0以上且5以下的整數為較佳，1以上且3以下的整數為更佳，1或2為特佳。
依據以上內容，由上述式(1)表示之順丁烯二醯亞胺化合物中，X1為碳數1以上且3以下的直鏈狀或支鏈狀的伸烷基，R1為碳數1或2的烴基，a為0以上且2以下的整數，b為0或1，n1為1以上且4以下的整數為較佳。或者，X1為上述式(1a-1)、(1a-2)中的任一個所表示之基團，e為0為較佳。藉此，由熱硬化性樹脂組成物獲得之絕緣層發揮更優異之低熱收縮性及耐藥品性。
作為由上述式(1)表示之順丁烯二醯亞胺化合物的較佳的具體例，例如可以特佳地使用由下述式(1-1)表示之順丁烯二醯亞胺化合物。
並且，順丁烯二醯亞胺化合物可以含有與由上述(1)式表示之順丁烯二醯亞胺化合物不同種類的順丁烯二醯亞胺化合物。
作為該種順丁烯二醯亞胺化合物，可以舉出1,6'-雙順丁烯二醯亞胺-(2,2,4-三甲基)己烷、六亞甲基二胺雙順丁烯二醯亞胺、N,N'-1,2-伸乙基雙順丁烯二醯亞胺、N,N'-1,3-伸丙基雙順丁烯二醯亞胺、N,N'-1,4-四亞甲基雙順丁烯二醯亞胺等脂肪族順丁烯二醯亞胺化合物；醯亞胺擴張型雙順丁烯二醯亞胺等。在該等之中，1,6'-雙順丁烯二醯亞胺-(2,2,4-三甲基)己烷、醯亞胺擴張型雙順丁烯二醯亞胺為特佳。順丁烯二醯亞胺化合物既可以單獨使用，亦可以併用兩種以上。
作為醯亞胺擴張型雙順丁烯二醯亞胺，例如可以舉出由以下的式(a1)表示之順丁烯二醯亞胺化合物、由以下的式(a2)表示之順丁烯二醯亞胺化合物、由以下的式(a3)表示之順丁烯二醯亞胺化合物等。作為由式(a1)表示之順丁烯二醯亞胺化合物的具體例，可以舉出BMI-1500(Designer Molecules Inc.製，分子量1500)等。作為由式(a2)表示之順丁烯二醯亞胺化合物的具體例，可以舉出BMI-1700(Designer Molecules Inc.製，分子量1700)、BMI-1400(Designer Molecules Inc.製，分子量1400)等。作為由式(a3)表示之順丁烯二醯亞胺化合物的具體例，可以舉出BMI-3000(Designer Molecules Inc.製，分子量3000)等。
上述式(a1)中，n表示1以上且10以下的整數。
上述式(a2)中，n表示1以上且10以下的整數。
上述式(a3)中，n表示1以上且10以下的整數。
上述順丁烯二醯亞胺化合物的重量平均分子量(Mw)的下限值並沒有特別限定，但Mw400以上為較佳，Mw800以上為特佳。若Mw 為上述下限值以上，則能夠抑制絕緣層中產生膠黏性(tackiness)。Mw的上限值並沒有特別限定，但Mw4000以下為較佳，Mw2500以下為更佳。若Mw為上述上限值以下，則製作絕緣層時，處理性得到提高，容易形成絕緣層。順丁烯二醯亞胺化合物的Mw例如能夠利用GPC(凝膠滲透層析術，標準物質：聚苯乙烯換算)進行測定。
並且，作為順丁烯二醯亞胺化合物，亦能夠使用順丁烯二醯亞胺化合物與胺化合物的反應物。作為胺化合物，能夠使用選自芳香族二胺化合物及單胺化合物中之至少1種。
作為芳香族二胺化合物，例如可以舉出鄰聯大茴香胺(o-dianisidine)、鄰聯甲苯胺(o-tolidine)、3,3'-二羥基-4,4'-二胺基聯苯、4,4'-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、間伸苯基二胺、對伸苯基二胺、鄰二甲苯二胺、4,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯基丙烷、4,4'-二胺基二苯基醚、4,4'-二胺基二苯基碸、3,3'-二胺基二苯基碸、1,5-二胺基萘、4,4'-(對伸苯基二亞異丙基)二苯胺、2,2-[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、4,4'-二胺基-3,3'-二甲基-二苯基甲烷、雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)碸等。
作為單胺化合物，例如可以舉出鄰胺基苯酚、間胺基苯酚、對胺基苯酚、鄰胺基安息香酸、間胺基安息香酸、對胺基安息香酸、鄰胺基苯磺酸、間胺基苯磺酸、對胺基苯磺酸、3,5-二羥基苯胺、3,5-二羧基苯胺、鄰苯胺、間苯胺、對苯胺、鄰甲基苯胺、間甲基苯胺、對甲基苯胺、鄰乙基苯胺、間乙基苯胺、對乙基苯胺、鄰乙烯基苯胺、間乙烯基苯胺、對乙烯基苯胺、鄰烯丙基苯胺、間烯丙基苯胺、對烯丙基苯胺等。
就順丁烯二醯亞胺化合物與胺化合物的反應而言，能夠在有機溶劑中進行反應。反應溫度例如為70~200℃，反應時間例如為0.1~10小時。
本實施形態中，熱硬化性樹脂組成物中所含之順丁烯二醯亞胺化合物的含量並沒有特別限定，但將熱硬化性樹脂組成物的總固體成分(亦即除溶劑以外之成分)設為100重量%時，1.0重量%以上且25.0重量%以下為較佳，3.0重量%以上且20.0重量%以下為更佳。若順丁烯二醯亞胺化合物的含量在上述範圍內，則能夠進一步提高所獲得之絕緣層的低熱收縮性及耐藥品性的平衡。
(環氧樹脂)
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物能夠含有環氧樹脂。
本實施形態中，作為上述環氧樹脂，例如可以舉出雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂(4,4'-(1,3-伸苯基二亞異丙基)雙酚型環氧樹脂)、雙酚P型環氧樹脂(4,4'-(1,4-伸苯基二亞異丙基)雙酚型環氧樹脂)、雙酚Z型環氧樹脂(4,4'-環亞己基雙酚型環氧樹脂)等雙酚型環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、四酚基乙烷型酚醛清漆型環氧樹脂、具有縮合環芳香族烴結構之酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂；聯苯型環氧樹脂；伸若基(xylylene)型環氧樹脂、聯苯基芳烷基型環氧樹脂等芳烷基型環氧樹脂；伸萘基醚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘二酚型環氧樹脂、2官能至4官能萘型環氧樹脂、聯萘型環氧樹脂、萘芳烷基型環氧樹脂等萘型環氧樹脂；蒽型環氧樹脂；苯氧基型環氧樹脂；二環戊二烯型環氧 樹脂；降莰烯型環氧樹脂；金剛烷型環氧樹脂；茀型環氧樹脂等。
作為環氧樹脂，可以單獨使用該等之中的1種，亦可以併用2種以上，亦可以將1種或2種以上與該等的預聚物併用。
在環氧樹脂之中，從能夠進一步提高所獲得之印刷配線基板的耐熱性及絕緣可靠性之觀點考慮，雙酚型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、芳烷基型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂中的至少一種或兩種以上為較佳，芳烷基型環氧樹脂、具有縮合環芳香族烴結構之酚醛清漆型環氧樹脂及萘型環氧樹脂中的至少一種或兩種以上為更佳。
作為雙酚A型環氧樹脂，能夠使用Mitsubishi Chemical Co.,Ltd.製的“EPIKOTE 828EL”及“YL980”等。作為雙酚F型環氧樹脂，能夠使用Mitsubishi Chemical Co.,Ltd.製的“jER806H”及“YL983U”、DIC Corporation製的“EPICLON 830S”等。作為2官能萘型環氧樹脂，能夠使用DIC Corporation製的“HP4032”、“HP4032D”及“HP4032SS”等。作為4官能萘型環氧樹脂，能夠使用DIC Corporation製的“HP4700”及“HP4710”等。作為萘酚型環氧樹脂，能夠使用NIPPON STEEL CHEMICAL CO.,LTD.製的“ESN-475V”、Nippon Kayaku Co.,Ltd.製的“NC7000L”等。作為芳烷基型環氧樹脂，能夠使用Nippon Kayaku Co.,Ltd.製的“NC3000”、“NC3000H”、“NC3000L”、“NC3000S”、“NC3000S-H”、“NC3100”、NIPPON STEEL CHEMICAL CO.,LTD.製的“ESN-170”及“ESN-480”等。作為聯苯型環氧樹脂，能夠使用Mitsubishi Chemical Co.,Ltd.製的“YX4000”、“YX4000H”、“YX4000HK”及“YL6121”等。作為蒽型環氧樹脂，能夠 使用Mitsubishi Chemical Co.,Ltd.製的“YX8800”等。作為伸萘基醚型環氧樹脂，能夠使用DIC Corporation製的“HP6000”、“EXA-7310”、“EXA-7311”、“EXA-7311L”及“EXA7311-G3”等。
在該等環氧樹脂之中，芳烷基型環氧樹脂為特佳。藉由使用芳烷基型環氧樹脂，能夠進一步提高樹脂膜的硬化物的吸濕焊錫耐熱性及阻燃性。
芳烷基型環氧樹脂例如由下述通式(1)表示。
(上述通式(1)中，A及B表示苯環、聯苯結構及萘結構等芳香族環。並且，A及B的芳香族環的氫可以被取代。作為取代基，例如可以舉出甲基、乙基、丙基、苯基等。n表示重複單元，例如為1~10的整數。)
作為芳烷基型環氧樹脂的具體例，可以舉出以下的式(1a)及式(1b)。
(式(1a)中，n表示1~5的整數。)
(式(1b)中，n表示1~5的整數。)
作為除上述以外的環氧樹脂，係具有縮合環芳香族烴結構之酚醛清漆型環氧樹脂為較佳。藉此，能夠進一步提高耐熱性、低熱膨脹性。
具有縮合環芳香族烴結構之酚醛清漆型環氧樹脂為萘、蒽、菲、稠四苯(tetracene)、(chrysene)、芘、聯三伸苯(triphenylene)、四芬(tetraphene)、或其他具有縮合環芳香族烴結構之酚醛清漆型環氧樹脂。具有縮合環芳香族烴結構之酚醛清漆型環氧樹脂中，複數個芳香環能夠有規則地排列，因此低熱膨脹性優異。並且，玻璃轉移溫度亦較高，因此耐熱性優異。另外，重複結構的分子量較大，因此與先前的酚醛清漆型環氧樹脂相比，阻燃性優異。
具有縮合環芳香族烴結構之酚醛清漆型環氧樹脂係由酚類化合物、醛類化合物及縮合環芳香族烴化合物合成之、將酚醛清漆酚樹脂進行環氧化而成之樹脂。
酚類化合物並沒有特別限定，例如可以舉出苯酚；鄰甲酚、間甲酚、對甲酚等甲酚類；2,3-二甲酚、2,4-二甲酚、2,5-二甲酚、2,6-二甲酚、3,4-二甲酚、3,5-二甲酚等二甲酚類；2,3,5三甲基苯酚等三甲基苯酚類；鄰乙酚、間乙酚、對乙酚等乙酚類；異丙酚、丁酚、三級丁酚等烷基酚類；鄰苯基酚、間苯基酚、對苯基酚等苯基酚類；1,5-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,7-二羥基萘等萘二酚類；間苯二酚、鄰苯二酚、對苯二酚、五倍子酚、氟 甘胺酸等多元酚類；烷基間苯二酚、烷基鄰苯二酚、烷基對苯二酚等烷基多元酚類。在該等之中，從成本方面及對分解反應帶來之效果考慮，苯酚為較佳。
醛類化合物並沒有特別限定，例如可以舉出甲醛、聚甲醛(paraformaldehyde)、三(trioxane)、乙醛、丙醛、聚甲醛(polyoxymethylene)、三氯乙醛、六亞甲基四胺、糠醛、乙二醛、正丁醛、己醛、烯丙醛、苯甲醛(benzaldehyde)、巴豆醛、丙烯醛、四甲醛(tetraoxymethylene)、苯基乙醛、鄰甲苯甲醛(o-tolualdehyde)、水楊醛(salicylaldehyde)、二羥基苯甲醛、三羥基苯甲醛、4-羥基-3-甲氧基醛聚甲醛等。
縮合環芳香族烴化合物並沒有特別限定，例如可以舉出甲氧基萘、丁氧基萘等萘衍生物；甲氧基蒽等蒽衍生物；甲氧基菲等菲衍生物；其他稠四苯衍生物；衍生物；芘衍生物；聯三伸苯衍生物；四芬衍生物等。
具有縮合環芳香族烴結構之酚醛清漆型環氧樹脂並沒有特別限定，例如可以舉出甲氧基萘改質鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、丁氧基萘改質間(對)甲酚酚醛清漆環氧樹脂及甲氧基萘改質酚醛清漆環氧樹脂等。在該等之中，具有下述通式(V)所表示之縮合環芳香族烴結構之酚醛清漆型環氧樹脂為較佳。
(上述通式(V)中，Ar為縮合環芳香族烴基，R可以彼此相同亦可以不同，係選自氫原子；碳數1以上且10以下的烴基；鹵素元素；苯基、苄基等芳基；及包括環氧丙基醚之有機基中之基團，n、p及q為1以上的整數，並且p、q的值在每個重複單元中可以相同，亦可以不同。)
並且，式(V)中的Ar亦可以是下述式(VI)中的(Ar1)~(Ar4)所表示之結構。
(上述式(VI)中的R可以彼此相同亦可以不同，係選自氫原子；碳數1以上且10以下的烴基；鹵素元素；苯基、苄基等芳基；及包括環氧丙基醚之有機基中之基團。)
另外，作為除上述以外的環氧樹脂，係萘酚型環氧樹脂、萘二酚型環氧樹脂、2官能至4官能萘型環氧樹脂、伸萘基醚型環氧樹脂等萘型環氧樹脂為較佳。藉此，能夠進一步提高所獲得之印刷配線基板的耐熱 性、低熱膨脹性。在此，萘型環氧樹脂係指具有萘環骨架且具有2個以上環氧丙基之樹脂。
並且，與苯環相比，萘環的π-π堆積效果較高，特別是萘型環氧樹脂，其低熱膨脹性、低熱收縮性優異。另外，由於多環結構，因此剛性效果較高，玻璃轉移溫度特別高，因此回焊前後的熱收縮變化較小。作為萘酚型環氧樹脂，例如能夠由下述通式(VII-1)表示，作為萘二酚型環氧樹脂，能夠由下述式(VII-2)表示，作為2官能至4官能萘型環氧樹脂，能夠由下述式(VII-3)(VII-4)(VII-5)表示，作為伸萘基醚型環氧樹脂，例如能夠由下述通式(VII-6)表示。
(n表示平均1以上且6以下的數，R表示環氧丙基或碳數1以上且10以下的烴基。)
(式中，R1表示氫原子或甲基，R2分別獨立地表示氫原子、碳數1~4的烷基、芳烷基、萘基、或含環氧丙基醚基之萘基，o及m分別為0~2的整數，且o或m中的任意一者為1以上。)
環氧樹脂的重量平均分子量(Mw)的下限值並沒有特別限定，Mw300以上為較佳，Mw800以上為更佳。若Mw為上述下限值以上，則能夠抑制樹脂膜的硬化物產生膠黏性。Mw的上限值並沒有特別限定，Mw20,000以下為較佳，Mw15,000以下為更佳。若Mw為上述上限值以下，則處理性得到提高，容易形成樹脂膜。環氧樹脂的Mw例如能夠利用GPC進行測定。
環氧樹脂的含量的下限值相對於熱硬化性樹脂組成物整體(除溶劑以外的總固體成分)100重量%，係3重量%以上為較佳，4重量% 以上為更佳，5重量%以上為進一步較佳。若環氧樹脂的含量為上述下限值以上，則處理性得到提高，容易形成樹脂膜。另一方面，環氧樹脂的含量的上限值相對於熱硬化性樹脂組成物整體(除溶劑以外的總固體成分)並沒有特別限定，例如係40重量%以下為較佳，30重量%以下為更佳，20重量%以下為進一步較佳。若環氧樹脂的含量為上述上限值以下，則有時所獲得之印刷配線基板的強度或阻燃性得到提高，或者印刷配線基板的線膨脹係數降低，翹曲的減少效果得到提高等。
另外，熱硬化性樹脂組成物的總固體成分係指熱硬化性樹脂組成物中所含之除溶劑以外的成分整體。以下，本說明書中相同。
(氰酸酯樹脂)
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物能夠含有氰酸酯樹脂。
本實施形態中，上述氰酸酯樹脂為在分子內具有氰酸酯基(-O-CN)之樹脂，能夠使用在分子內具有2個以上氰酸酯基之樹脂。作為該種氰酸酯樹脂並沒有特別限定，例如能夠藉由使鹵化氰化合物和酚類或萘酚類進行反應並且根據需要利用加熱等方法進行預聚物化而獲得。並且，亦能夠使用如此製備出之市售品。
藉由使用氰酸酯樹脂，能夠減小樹脂膜的硬化物的線膨脹係數。另外，能夠提高樹脂膜的硬化物的電氣特性(低介電常數、低介質損耗角正切)、機械強度等。
氰酸酯樹脂例如可以舉出酚醛清漆型氰酸酯樹脂；雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等雙酚型氰酸酯樹脂；藉由萘酚芳烷基型酚樹脂與鹵化氰的反應而獲得之萘酚芳 烷基型氰酸酯樹脂；二環戊二烯型氰酸酯樹脂；聯苯基烷基型氰酸酯樹脂等。在該等之中，酚醛清漆型氰酸酯樹脂、萘酚芳烷基型氰酸酯樹脂為較佳，酚醛清漆型氰酸酯樹脂為更佳。藉由使用酚醛清漆型氰酸酯樹脂，樹脂膜的硬化物的交聯密度增加，耐熱性得到提高。
作為其理由，可以舉出酚醛清漆型氰酸酯樹脂在硬化反應後形成三環。另外，認為是由於酚醛清漆型氰酸酯樹脂在其結構上苯環的比例較高，容易碳化。並且，含有酚醛清漆型氰酸酯樹脂之樹脂膜的硬化物具有優異之剛性。藉此，能夠更進一步提高樹脂膜的硬化物的耐熱性。
作為酚醛清漆型氰酸酯樹脂，例如能夠使用下述通式(I)所表示之樹脂。
通式(I)所表示之酚醛清漆型氰酸酯樹脂的平均重複單元n為任意的整數。平均重複單元n並沒有特別限定，1以上為較佳，2以上為更佳。若平均重複單元n為上述下限值以上，則酚醛清漆型氰酸酯樹脂的耐熱性得到提高，能夠抑制加熱時寡聚物脫離、揮發。並且，平均重複單元n並沒有特別限定，10以下為較佳，7以下為更佳。若n為上述上限值以下，則能夠抑制熔融黏度變高，能夠提高樹脂膜的成形性。
並且，作為氰酸酯樹脂，亦可以較佳地使用下述通式(II)所表示之萘酚芳烷基型氰酸酯樹脂。下述通式(II)所表示之萘酚芳烷基型 氰酸酯樹脂例如為使「藉由α-萘酚或β-萘酚等萘酚類與對苯二甲醇(p-xylylene glycol)、α,α'-二甲氧基-對二甲苯、1,4-二(2-羥基-2-丙基)苯等的反應而獲得之萘酚芳烷基型酚樹脂」與「鹵化氰」縮合而獲得之樹脂。通式(II)的重複單元n係10以下的整數為較佳。若重複單元n為10以下，則能夠獲得更均勻的樹脂膜。並且，具有合成時難以發生分子內聚合、水洗時的分液性得到提高、能夠防止產量下降之傾向。
(式中，R分別獨立地表示氫原子或甲基，n表示1以上且10以下的整數。)
並且，氰酸酯樹脂可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上，亦可以將1種或2種以上與該等的預聚物併用。
氰酸酯樹脂的含量的下限值相對於熱硬化性樹脂組成物的總固體成分100重量%，例如係1重量%以上為較佳，2重量%以上為更佳，3重量%以上為進一步較佳。能夠實現樹脂膜的硬化物的低線膨脹化、高彈性模數化。另一方面，氰酸酯樹脂的含量的上限值相對於熱硬化性樹脂組成物的總固體成分100重量%並沒有特別限定，例如係30重量%以下為較佳，25重量%以下為更佳，20重量%以下為進一步較佳。能夠提高耐熱性或耐濕性。並且，若氰酸酯樹脂的含量在上述範圍內，則能夠更進一步提高樹脂膜的硬化物的儲存彈性模數E'。
(苯并化合物)
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物含有苯并化合物。
如上所述，本實施形態中，苯并化合物含有具有不飽和雙鍵之基團。作為具有不飽和雙鍵之基團，碳數3~14的烯基為較佳，烯丙基為更佳。
本實施形態中所使用之苯并化合物由下述通式(B-1)或通式(B-2)表示。該等可以單獨使用，亦可以將2種以上組合使用。
(上述通式(B-1)中，a分別獨立地表示1以上且3以下的整數，p表示1以上且4以下的整數。R1、R2分別獨立地表示氫原子、低級烷基、烯基、環烷基、芳基、芳烷基、或1~4價的有機基，R1及R2中的至少一者為具有碳數3~14的烯基之基團(其中，當p為2以上且4以下的整數時，R2可以相同或不同)。Z表示1~4價的有機基。)
上述通式(B-1)中，當p=1時，Z表示烷基或硫醇，當p=2時，Z表示直接鍵、伸烷基、氧原子、硫原子、亞磺醯基或磺醯基，當p=3或4時，Z可以表示伸烷基。並且，上述通式(B-1)中，p可以是2。並且，a可以是1。
(上述通式(B-2)中，b分別獨立地表示1以上且4以下的整數，q表示1以上且4以下的整數。R3分別獨立地表示氫原子、低級烷基、烯基、環烷基、芳基、芳烷基、或1~4價的有機基，X1表示1~4價的有機基，R3及X1中的至少一者為碳數3~14的烯基。)
並且，上述通式(B-2)中，q可以是2。並且，b可以是1。
本實施形態中，上述1~4價的有機基並沒有特別限定，除了直接鍵、烷基、伸烷基、氧原子、硫醇、硫原子、亞碸及碸以外，例如可以使用以下的化學式中的任一個。另外，上述通式(B-2)中之1~4價的有機基可以使用聯苯、二苯基甲烷、二苯基異丙烷、二苯硫醚、二苯基亞碸、二苯基碸及二苯基酮。該等可以單獨使用，亦可以將2種以上組合使用。
上述化學式的R1與上述通式(B-1)中定義之R1相同，具體而言，表示氫原子、低級烷基、烯基、環烷基、芳基或芳烷基。
並且，本實施形態中，上述通式(B-1)所表示之苯并口井化合物可以是具有下述通式(B-3)所表示之結構之化合物。
(上述通式(B-3)中，Z表示直接鍵、碳數1~10的伸烷基、C=O、O、S、S=O或O=S=O。R1和/或R2為具有碳數3~14的烯基之基團。另外，上述通式(B-3)中，R1、R2與上述通式(B-1)中定義之R1、R2相同。)
並且，作為上述通式(B-3)所表示之苯并化合物的一例，由下述通式表示。下述通式中，R1、R2與上述通式(B-1)中定義之R1、 R2相同。
上述通式中，R1可以是碳數3~14的烯基，但烯丙基為較佳。此時，R2可以是氫原子。
並且，本實施形態中，上述通式(B-2)所表示之苯并口井化合物可以具有下述通式(B-4)所表示之結構。
(上述通式(B-4)中，c分別獨立地表示1以上且4以下的整數，X2 表示直接鍵、碳數1~10的伸烷基、C=O、O(氧原子)、S(硫原子)、S=O(亞磺醯基)或O=S=O(磺醯基)。R為具有碳數3~14的烯基之基團。)
並且，上述通式(B-4)中，c例如可以是1。並且，R可以是烯丙基。並且，X2可以是碳數1~10的伸烷基。
作為上述通式(B-4)所表示之苯并化合物的一例，由下述通式表示。
上述苯并化合物的含量的下限值並沒有特別限定，例如將熱硬化性樹脂組成物的總固體成分(亦即除溶劑以外的成分)設為100重量%時，1重量%以上為較佳，2重量%以上為更佳，3重量%以上為進一步較佳。藉此，能夠更進一步提高所獲得之硬化物或樹脂基板的低熱收縮性及耐藥品性。並且，上述苯并化合物的含量的上限值並沒有特別限定，例如，當將熱硬化性樹脂組成物的總固體成分設為100重量%時，25重量%以下為較佳，23重量%以下為更佳，20重量%以下為進一步較佳。藉此，能夠提高與其他化合物之反應效率。
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物中所含之順丁烯二醯亞 胺化合物的含量相對於順丁烯二醯亞胺化合物及苯并化合物的合計100重量%，係35重量%以上且80重量%以下為較佳。藉此，能夠更進一步提高所獲得之硬化物或樹脂基板的耐熱性、低熱收縮性及耐藥品性。
並且，在本實施形態的熱硬化性樹脂組成物中，環氧當量/開環時的酚當量並沒有特別限定，例如係0.05以上且20以下為較佳，0.1以上且15以下為更佳，0.5以上且10以下為進一步較佳，1以上且5以下為最佳。
並且，在本實施形態的熱硬化性樹脂組成物中，氰酸酯樹脂：苯并口井化合物的莫耳比並沒有特別限定，例如係99.9：0.1~0.1：99.9為較佳，90：10~0.5：99.5為更佳，65：35~1：99為進一步較佳，50：50~5：95為最佳。
(無機填充材)
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物能夠含有無機填充材。
作為上述無機填充材，例如可以舉出滑石、燒成黏土、未燒成黏土、雲母、玻璃等矽酸鹽；氧化鈦、氧化鋁、水鋁石、二氧化矽、熔融二氧化矽等氧化物；碳酸鈣、碳酸鎂、水滑石等碳酸鹽；氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣等氫氧化物；硫酸鋇、硫酸鈣、亞硫酸鈣等硫酸鹽或亞硫酸鹽；硼酸鋅、偏硼酸鋇、硼酸鋁、硼酸鈣、硼酸鈉等硼酸鹽；氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氮化碳等氮化物；鈦酸鍶、鈦酸鋇等鈦酸鹽等。
在該等之中，滑石、氧化鋁、玻璃、二氧化矽、雲母、氫氧化鋁、氫氧化鎂為較佳，二氧化矽為特佳。作為無機填充材，可以單獨使用該等之中的1種，亦可以併用2種以上。
上述無機填充材的平均粒徑的下限值並沒有特別限定，例如 係0.01μm以上為較佳，0.05μm以上為更佳。藉此，能夠抑制上述熱硬化性樹脂的清漆的黏度變高，能夠提高製作絕緣層時的作業性。並且，無機填充材的平均粒徑的上限值並沒有特別限定，例如係5.0μm以下為較佳，2.0μm以下為更佳，1.0μm以下為進一步較佳。藉此，能夠抑制在上述熱硬化性樹脂的清漆中無機填充材的沉降等現象，能夠獲得更均勻的樹脂膜。並且，在印刷配線基板的電路尺寸L/S小於20μm/20μm時，能夠抑制對配線之間的絕緣性帶來影響。
本實施形態中，無機填充材的平均粒徑例如能夠藉由雷射繞射式粒度分佈測定裝置(HORIBA,Ltd.製，LA-500)，依體積基準測定粒子的粒度分佈，以其中位數直徑(D50)作為平均粒徑。
並且，無機填充材並沒有特別限定，既可以使用平均粒徑為單分散的無機填充材，亦可以使用平均粒徑為多分散的無機填充材。另外，亦可以將平均粒徑為單分散和/或多分散的無機填充材以1種或2種以上併用。
上述無機填充材含有二氧化矽粒子為較佳。上述二氧化矽粒子的平均粒徑並沒有特別限定，例如係5.0μm以下為較佳，0.1μm以上且4.0μm以下為更佳，0.2μm以上且2.0μm以下為進一步較佳。藉此，能夠進一步提高無機填充材的填充性。
無機填充材的含量的下限值相對於熱硬化性樹脂組成物的總固體成分100重量%並沒有特別限定，例如係50重量%以上為較佳，55重量%以上為更佳，60重量%以上為進一步較佳。藉此，能夠將樹脂膜的硬化物製成特別低熱膨脹、低吸水。並且，能夠抑制半導體封裝的翹曲。另 一方面，無機填充材的含量的上限值相對於熱硬化性樹脂組成物的總固體成分100重量%並沒有特別限定，例如係90重量%以下為較佳，85重量%以下為更佳，80重量%以下為進一步較佳。藉此，能夠提高樹脂膜的硬化物的加工性。
(硬化劑)
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物能夠含有硬化劑。
作為上述硬化劑並沒有特別限定，例如可以舉出苄基二甲胺(BDMA)、2,4,6-三-二甲基胺基甲基苯酚(DMP-30)等3級胺化合物；2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑(EMI24)、2-苯基-4-甲基咪唑(2P4MZ)、2-苯基咪唑(2PZ)、2-苯基-4-甲基-5-羥基咪唑(2P4MHZ)、1-苄基-2-苯基咪唑(1B2PZ)等咪唑化合物；BF3錯合物等路易斯酸等催化劑型的硬化劑。
並且，例如亦能夠使用除了二伸乙基三胺(DETA)、三伸乙基四胺(TETA)、間伸若基二胺(MXDA)等脂肪族多胺、間伸苯二胺、對伸苯二胺、鄰二甲苯二胺、4,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯基丙烷、4,4'-二胺基二苯基醚、4,4'-二胺基二苯基碸、3,3'-二胺基二苯基碸、1,5-二胺基萘、4,4'-(對伸苯基二亞異丙基)二苯胺、2,2-[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、4,4'-二胺基-3,3'-二甲基二苯基甲烷、4,4'-二胺基-3,3'-二乙基-5,5'-二甲基二苯基甲烷、3,3'-二乙基-4,4'-二胺基二苯基甲烷等芳香族多胺以外，包括二氰二胺(DICY)、有機酸二醯肼等之多胺化合物；包括六氫鄰苯二甲酸酐(HHPA)、甲基四氫鄰苯二甲酸酐(MTHPA)等脂環族酸酐、1,2,4-苯三甲酸酐(TMA)、1,2,4,5-苯四甲酸酐(PMDA)、二苯甲酮四羧酸(BTDA)等芳香族酸酐等之酸酐；多硫化物、硫酯、硫醚等多硫醇化合物；異氰酸酯 預聚物、嵌段化異氰酸酯等異氰酸酯化合物；含羧酸之聚酯樹脂等有機酸類等聚加成型的硬化劑；2,2'-亞甲基雙(4-乙基-6-三級丁酚)、2,2'-亞甲基雙(4-甲基-6-三級丁酚)、4,4'-亞丁基雙(3-甲基-6-三級丁酚)、4,4'-硫代雙(3-甲基-6-三級丁酚)、2,6-二-三級丁基-4-甲基苯酚、2,5-二-三級丁基對苯二酚、1,3,5-三(3,5-二-三級丁基-4-羥基苄基)-1,3,5-三-2,4,6(1H,3H,5H)三酮等酚系化合物。
另外，作為第2硬化劑，例如亦可以使用酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛樹脂型酚樹脂等酚樹脂系硬化劑；如含羥甲基之尿素樹脂之類的尿素樹脂；如含羥甲基之三聚氰胺樹脂之類的三聚氰胺樹脂等縮合型的硬化劑。該等可以單獨使用，亦可以將2種以上組合使用。
上述酚樹脂系硬化劑為在一個分子內具有2個以上酚性羥基之所有的單體、寡聚物、聚合物整體，其分子量、分子結構並沒有特別限定，例如可以舉出苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、萘酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂；三酚甲烷型酚樹脂等多官能型酚樹脂；萜改質酚樹脂、二環戊二烯改質酚樹脂等改質酚樹脂；具有伸苯基骨架和/或伸聯苯基骨架之酚芳烷基樹脂、具有伸苯基和/或伸聯苯基骨架之萘酚芳烷基樹脂等芳烷基型樹脂；雙酚A、雙酚F等雙酚化合物等。該等可以單獨使用1種，亦可以併用2種以上。在該等之中，從硬化性的觀點考慮，可以使用羥基當量為90g/eq以上且250g/eq以下的酚樹脂系硬化劑。
酚樹脂的重量平均分子量並沒有特別限定，重量平均分子量4×102~1.8×103為較佳，5×102~1.5×103為更佳。藉由將重量平均分子量設為上述下限值以上，不易發生預浸體產生膠黏性等問題，藉由設為上述上限值以下， 在製作預浸體時，對纖維基材之含浸性得到提高，能夠獲得更均勻的產品。
硬化劑的含量的下限值相對於熱硬化性樹脂組成物的總固體成分100重量%並沒有特別限定，例如係0.01重量%以上為較佳，0.05重量%以上為更佳，0.2重量%以上為進一步較佳。藉由將硬化劑的含量設為上述下限值以上，能夠充分發揮促進硬化之效果。另一方面，硬化劑的含量的上限值相對於熱硬化性樹脂組成物的總固體成分100重量%並沒有特別限定，例如係15重量%以下為較佳，10重量%以下為更佳，8重量%以下為進一步較佳。若硬化劑的含量為上述上限值以下，則能夠進一步提高預浸體的保存性。
(硬化促進劑)
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物例如可以含有硬化促進劑。藉此，能夠提高熱硬化性樹脂組成物的硬化性。作為硬化促進劑，能夠使用促進熱硬化性樹脂的硬化反應之化合物，其種類並沒有特別限定。本實施形態中，作為硬化促進劑，例如能夠含有選自以下中之一種或兩種以上：環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、辛酸鋅、雙乙醯乙酸鈷(II)、三乙醯乙酸鈷(III)等有機金屬鹽、三乙胺、三丁胺、二氮雜雙環[2,2,2]辛烷等3級胺類、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-乙基咪唑、2-苯基-4-乙基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基咪唑等咪唑類、苯酚、雙酚A、壬基苯酚等酚化合物、乙酸、安息香酸、水楊酸、對甲苯磺酸等有機酸及鎓鹽化合物。在該等之中，從更有效地提高硬化性之觀點考慮，含有鎓鹽化合物為更佳。
用作硬化促進劑之鎓鹽化合物並沒有特別限定，例如能夠使 用下述通式(2)所表示之化合物。
(上述通式(2)中，P表示磷原子，R3、R4、R5及R6分別表示經取代或未經取代之具有芳香環或雜環之有機基、或經取代或未經取代之脂肪族基，彼此可以相同亦可以不同。A-表示在分子內具有至少1個以上能夠釋放到分子外之質子之n(n1)價的質子予體的陰離子、或其錯合陰離子)
硬化促進劑的含量的下限值例如相對於熱硬化性樹脂組成物的總固體成分100重量%，例如係0.01重量%以上為較佳，0.1重量%以上為更佳。藉由將硬化促進劑的含量設為上述下限值以上，能夠更有效地提高熱硬化性樹脂組成物的硬化性。另一方面，硬化促進劑的含量的上限值例如相對於熱硬化性樹脂組成物的總固體成分100重量%，係5重量%以下為較佳，1重量%以下為更佳。藉由將硬化促進劑的含量設為上述上限值以下，能夠提高熱硬化性樹脂組成物的保存性。
(偶合劑)
本實施形態的熱硬化性樹脂組成物可以含有偶合劑。偶合劑可以在製備熱硬化性樹脂組成物時直接添加，亦可以預先添加於無機填充材中。藉由使用偶合劑，能夠提高無機填充材與各樹脂的界面的濕潤性。因此，使用偶合劑為較佳，能夠改良樹脂膜的硬化物的耐熱性。並且，藉由使用偶合劑，能夠提高與銅箔之密接性。另外，由於能夠提高耐吸濕性，因此即 使置於濕度環境下，亦能夠維持與銅箔之密接性。
作為偶合劑，例如可以舉出環氧基矽烷偶合劑、陽離子型矽烷偶合劑、胺基矽烷偶合劑等矽烷偶合劑、鈦酸酯系偶合劑及矽油型偶合劑等。偶合劑可以單獨使用一種，亦可以併用兩種以上。本實施形態中，偶合劑可以含有矽烷偶合劑。
藉此，能夠提高無機填充材與各樹脂的界面的濕潤性，能夠進一步提高樹脂膜的硬化物的耐熱性。
作為矽烷偶合劑並沒有特別限定，例如可以舉出環氧基矽烷、胺基矽烷、烷基矽烷、脲基矽烷、巰基矽烷、乙烯基矽烷等。
作為具體的化合物，例如可以舉出γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-苯基γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-苯基γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-6-(胺基己基)3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-(三甲氧基矽基丙基)-1,3-苯二甲烷、γ-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷等，能夠使用該等之中的一種或者將兩種以上組合使用。在該等之中，環氧基矽烷、巰基矽烷、胺基矽烷為較佳，作為胺基矽烷，1級胺基矽烷或苯胺基矽烷為更佳。
偶合劑的含量能夠相對於無機填充材的比表面積適當進行 調整。該種偶合劑的含量的下限值例如相對於熱硬化性樹脂組成物的總固體成分100重量%，係0.01重量%以上為較佳，0.05重量%以上為更佳。若偶合劑的含量為上述下限值以上，則能夠充分包覆無機填充材，能夠提高樹脂膜的硬化物的耐熱性。另一方面，偶合劑的含量的上限值例如相對於熱硬化性樹脂組成物的總固體成分100重量%，係2重量%以下為較佳，1重量%以下為更佳。若偶合劑的含量為上述上限值以下，則能夠抑制對反應帶來影響，能夠抑制樹脂膜的硬化物的彎曲強度等下降。
(添加劑)
另外，本實施形態的熱硬化性樹脂組成物中，在不損害本發明的目的之範圍內可以含有：含有綠、紅、藍、黃及黑等染料、黑色顏料等顏料、色素中的至少一種以上之著色劑、低應力劑、消泡劑、整平劑、紫外線吸收劑、發泡劑、抗氧化劑、阻燃劑、離子捕捉劑等除上述成分(熱硬化性樹脂、硬化劑、無機填充材、硬化促進劑、偶合劑)以外的添加劑。該等可以單獨使用，亦可以將2種以上組合使用。
作為顏料，可以舉出高嶺土、合成氧化鐵紅、鎘黃、鎳鈦黃、鍶黃、含氫氧化鉻、氧化鉻、鋁酸鈷、合成群青等無機顏料、酞青素等多環顏料、偶氮顏料等。
作為染料，可以舉出異吲哚啉酮、異吲哚啉、喹啉黃、二苯并哌喃(xanthene)、二酮基吡咯并吡咯(diketopyrrolopyrrole)、苝、紫環酮(perinone)、蒽醌、靛、、喹吖酮、苯并咪唑酮、紫蒽酮、酞青素、次甲基偶氮等。
本實施形態中，清漆狀的熱硬化性樹脂組成物能夠含有溶 劑。
作為上述溶劑，例如可以舉出丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、甲苯、乙酸乙酯、環己烷、庚烷、環己烷、環己酮、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、乙二醇、賽路蘇系、卡必醇系、苯甲醚及N-甲基吡咯啶酮等有機溶劑。該等可以單獨使用，亦可以將2種以上組合使用。
在熱硬化性樹脂組成物為清漆狀的情況下，熱硬化性樹脂組成物的固體成分含量例如係30重量%以上80重量%以下為較佳，40重量%以上70重量%以下為更佳。藉此，能夠獲得作業性或成膜性非常優異之熱硬化性樹脂組成物。
清漆狀的熱硬化性樹脂組成物能夠藉由將上述各成分於溶劑中，例如使用超音波分散方式、高壓碰撞式分散方式、高速旋轉分散方式、珠磨方式、高速剪切分散方式及自轉公轉式分散方式等各種混合機進行溶解、混合、攪拌而製備。
接著，對本實施形態的樹脂膜進行說明。
本實施形態的樹脂膜能夠藉由將清漆狀之上述熱硬化性樹脂組成物進行薄膜化而獲得。例如，本實施形態的樹脂膜能夠藉由對塗佈清漆狀的熱硬化性樹脂組成物而獲得之塗佈膜除去溶劑而獲得。在該種樹脂膜中，溶劑含有率相對於樹脂膜整體能夠設為5重量%以下。本實施形態中，例如可以在100℃~150℃、1分鐘~5分鐘的條件下實施除去溶劑之製程。藉此，能夠抑制含有熱硬化性樹脂之樹脂膜的硬化進行，同時充分除去溶劑。
(附載體樹脂膜)
接著，對本實施形態的附載體樹脂膜進行說明。
圖1係表示本實施形態中之附載體樹脂膜100的構成的一例之剖面圖。
如圖1所示，本實施形態的附載體樹脂膜100具備載體基材12、及設置於載體基材12上之由上述熱硬化性樹脂組成物形成之樹脂膜10。藉此，能夠提高樹脂膜10的處理性。
附載體樹脂膜100可以是能夠被捲取之卷形狀，亦可以是矩形形狀等單片形狀。
本實施形態中，作為載體基材12，例如能夠使用高分子薄膜或金屬箔等。作為該高分子薄膜並沒有特別限定，例如可以舉出聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴、聚對酞酸乙二酯、聚對酞酸丁二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚矽氧(silicone)片等離型紙、氟系樹脂、聚醯亞胺樹脂等具有耐熱性之熱可塑性樹脂片等。作為該金屬箔並沒有特別限定，例如可以舉出銅或銅系合金、鋁或鋁系合金、鐵或鐵系合金、銀或銀系合金、金或金系合金、鋅或鋅系合金、鎳或鎳系合金、錫或錫系合金等。在該等之中，由聚對酞酸乙二酯構成之片材價格低廉及容易調節剝離強度，因此為最佳。藉由將由該材料構成之片材用作載體基材12，容易將樹脂膜10以適度的強度從載體基材12上剝離。
樹脂膜10的厚度的下限值並沒有特別限定，例如係1μm以上為較佳，3μm以上為更佳，5μm以上為進一步較佳。藉此，能夠提高樹脂膜10的機械強度。另一方面，樹脂膜10的厚度的上限值並沒有特別限定，例如係500μm以下為較佳，300μm以下為更佳，100μm以下為進 一步較佳。藉此，能夠實現半導體裝置的薄層化。
載體基材12的厚度並沒有特別限定，例如係10~100μm為較佳，10~70μm為更佳。藉此，製造附載體樹脂膜100時之處理性變得更良好。
本實施形態的附載體樹脂膜100可以是單層，亦可以是多層，能夠包含1種或2種以上的樹脂膜10。當該樹脂片為多層時，各樹脂片可以由相同種類構成，亦可以由不同種類構成。並且，附載體樹脂膜100可以在樹脂膜10上的最外層側具有保護膜。
本實施形態中，作為形成附載體樹脂膜100之方法並沒有特別限定。作為該方法，例如能夠使用如下方法：藉由使用各種塗佈裝置，將清漆狀的熱硬化性樹脂組成物塗佈於載體基材12上而形成塗佈膜，然後，藉由適當乾燥該塗佈膜而除去溶劑。
(樹脂基板)
本實施形態的樹脂基板能夠具備由熱硬化性樹脂組成物的硬化物構成之絕緣層。該種樹脂基板能夠設為不含玻璃纖維之構成，能夠利用於印刷配線基板。
(預浸體)
本實施形態的預浸體係將上述熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材中而形成。例如，預浸體能夠用作片狀的材料，該片狀的材料係將熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材中，然後，使熱硬化性樹脂組成物半硬化而獲得。該種結構的片狀材料，其介電特性、在高溫多濕下之機械、電氣連接可靠性等各種特性優異，適合於製造印刷配線基板的絕緣層。
作為將熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材中之方法並沒有特別限定。作為該方法，例如可以舉出將熱硬化性樹脂組成物溶解於溶劑中而製備樹脂清漆，並將纖維基材浸漬於上述樹脂清漆中之方法；藉由各種塗佈機將上述樹脂清漆塗佈於纖維基材之方法；藉由噴霧將上述樹脂清漆吹附於纖維基材之方法；用由熱硬化性樹脂組成物形成之上述樹脂膜對纖維基材的兩面進行層合之方法等。
本實施形態中，預浸體例如能夠用於形成印刷配線基板中之增建層中的絕緣層或芯層中的絕緣層。當將預浸體用於形成印刷配線基板中之芯層中的絕緣層時，例如亦能夠藉由重疊2片以上的預浸體，並將所獲得之積層體進行加熱硬化而製成芯層用的絕緣層。
(覆金屬積層板)
本實施形態中，覆金屬積層板中，在上述預浸體的硬化物的至少一面配置金屬層。
並且，使用了預浸體之覆金屬積層板製造方法例如如下所述。
在預浸體或重合了2片以上預浸體而成之積層體的外側的上下兩面或單面重疊金屬箔，使用層合裝置或貝克勒裝置，在高真空條件下將該等接合，或者直接在預浸體的外側的上下兩面或單面重疊金屬箔。並且，在積層2片以上預浸體時，在已積層之預浸體的最外側的上下兩面或單面重疊金屬箔。接著，將重疊預浸體和金屬箔而成之積層體進行加熱加壓成形，藉此能夠獲得覆金屬積層板。在此，在加熱加壓成形時，直至冷卻結束時為止，持續加壓為較佳。
作為構成上述金屬箔之金屬，例如可以舉出銅、銅系合金、 鋁、鋁系合金、銀、銀系合金、金、金系合金、鋅、鋅系合金、鎳、鎳系合金、錫、錫系合金、鐵、鐵系合金、Kovar(商標名)、42合金、銦鋼、超銦鋼等Fe-Ni系合金、W、Mo等。在該等之中，作為構成金屬箔105之金屬，從導電性優異、藉由蝕刻容易形成電路、並且價格低廉之角度來看，銅或銅合金為較佳。亦即，作為金屬箔105，銅箔為較佳。
並且，作為金屬箔，亦能夠使用附載體金屬箔等。
金屬箔的厚度係0.5μm以上且20μm以下為較佳，1.5μm以上且18μm以下為更佳。
接著，對用於本實施形態之纖維基材進行說明。
作為上述纖維基材並沒有特別限定，可以舉出玻璃織布、玻璃不織布等玻璃纖維基材；以聚醯胺樹脂纖維、芳香族聚醯胺樹脂纖維、全芳香族聚醯胺樹脂纖維等聚醯胺系樹脂纖維；聚酯樹脂纖維、芳香族聚酯樹脂纖維、全芳香族聚酯樹脂纖維等聚酯系樹脂纖維；聚醯亞胺樹脂纖維、氟樹脂纖維中的任一種為主成分之織布或不織布所構成之合成纖維基材；以牛皮紙、棉絨紙、或棉絨與牛皮紙漿的混合紙等為主成分之紙基材；等等。在該等之中，能夠使用任一種。在該等之中玻璃纖維基材為較佳。藉此，能夠獲得低吸水性且高強度、低熱膨脹性的樹脂基板。
纖維基材的厚度並沒有特別限定，5μm以上且150μm以下為較佳，10μm以上且100μm以下為更佳，12μm以上且90μm以下為進一步較佳。藉由使用具有該種厚度之纖維基材，能夠進一步提高製造預浸體時的處理性。
若纖維基材的厚度為上述上限值以下，則纖維基材中的熱硬化性樹脂 組成物的含浸性得到提高，能夠抑制產生股線空隙(strand void)或絕緣可靠性下降。並且，藉由碳酸氣體、UV、準分子等雷射能夠容易形成貫通孔。並且，若纖維基材的厚度為上述下限值以上，則能夠提高纖維基材或預浸體的強度。其結果，處理性得到提高，藉此容易製作預浸體，或者能夠抑制樹脂基板的翹曲。
作為上述玻璃纖維基材，例如可以較佳地使用由選自E玻璃、S玻璃、D玻璃、T玻璃、NE玻璃、UT玻璃、L玻璃、HP玻璃及石英玻璃中之一種或兩種以上的玻璃形成之玻璃纖維基材。
依本實施形態，藉由採用該種樹脂膜或使用了該樹脂膜之預浸體，能夠構成平面方向上之線膨脹係數減小之印刷配線基板中之絕緣層。
對本實施形態的樹脂膜的特性進行說明。
如上所述，本實施形態的樹脂膜為由上述熱硬化性樹脂組成物形成之樹脂膜。
本實施形態之樹脂膜的硬化物的在30℃至240℃的範圍內計算出之平面方向(XY方向)的平均線膨脹係數的上限值例如係40ppm/℃以下為較佳，30ppm/℃以下為更佳，20ppm/℃以下為進一步較佳。藉此，能夠減少製造程序中之印刷配線基板的翹曲。並且，能夠減少所獲得之半導體封裝的翹曲。並且，能夠減少積蓄在所獲得之半導體封裝中之應力，因此連接可靠性優異。另一方面，上述平均線膨脹係數的下限值並沒有特別限定，例如可以設為1ppm/℃以上。
並且，本實施形態的樹脂膜的硬化物的在30℃至150℃的範圍內計算出之平面方向(XY方向)的平均線膨脹係數(α 1)的上限值例 如係30ppm/℃以下為較佳，25ppm/℃以下為更佳，15ppm/℃以下為進一步較佳。藉此，能夠減少製造程序中之印刷配線基板的翹曲。並且，能夠減少所獲得之半導體封裝的翹曲。另一方面，上述平均線膨脹係數(α 1)的下限值並沒有特別限定，例如可以設為1ppm/℃以上。
並且，本實施形態的樹脂膜的硬化物的在150℃至240℃的範圍內計算出之平面方向(XY方向)的平均線膨脹係數(α 2)的上限值例如係40ppm/℃以下為較佳，35ppm/℃以下為更佳，30ppm/℃以下為進一步較佳。藉此，能夠減少高溫熱歷程時之印刷配線基板的翹曲或半導體封裝的翹曲。並且，能夠減少藉由回焊等對所獲得之半導體封裝進行加熱並利用焊錫球等導體柱將上下的PKG或配線板進行連接之安裝時的翹曲。另一方面，上述平均線膨脹係數(α 2)的下限值並沒有特別限定，例如可以設為1ppm/℃以上。
如此，藉由使用本實施形態的樹脂膜的硬化物，能夠抑制室溫(例如，25℃)下之翹曲，並且即使在高溫熱歷程時亦能夠抑制翹曲。藉此，例如在製造程序中，能夠抑制具有大面積之印刷配線基板的翹曲，並且能夠充分提高熱歷程時之半導體封裝的翹曲或連接可靠性。
並且，將熱硬化性樹脂組成物的硬化物的在30℃至150℃的範圍內計算出之平均線膨脹係數設為α 1，將該熱硬化性樹脂組成物的硬化物的在150℃至240℃的範圍內計算出之平均線膨脹係數設為α 2。
此時，平均線膨脹係數比(α 2/α 1)的下限值例如係0.7以上為較佳，0.8以上為更佳，0.9以上為進一步較佳。藉此，能夠提高室溫時和熱歷程時的線膨脹係數的平衡，另一方面，上述平均線膨脹係數比(α 2/α 1)的上 限值並沒有特別限定，例如係3.0以下為較佳，2.8以下為更佳，2.5以下為進一步較佳。藉此，能夠充分提高熱歷程時之半導體封裝的翹曲或連接可靠性。並且，能夠提高半導體封裝的熱(thermal)特性。
本實施形態中，樹脂膜的硬化物(熱硬化性樹脂組成物的硬化物)的玻璃轉移溫度的下限值並沒有特別限定，例如係140℃以上為較佳，200℃以上為更佳，230℃以上為特佳。藉此，能夠獲得耐熱性優異之樹脂膜的硬化物。並且，樹脂膜的硬化物的玻璃轉移溫度的上限值並沒有特別限定，例如可以設為400℃以下。
上述玻璃轉移溫度能夠使用動態黏彈性分析裝置(DMA)進行測定。並且，上述玻璃轉移溫度係在藉由升溫速度5℃/min、頻率1Hz的條件下之動態黏彈性測定而獲得之曲線中，與存在於150℃以上的區域之損耗正切tan δ的峰值所對應之溫度。
本實施形態中，玻璃轉移溫度能夠依據測定結果進行計算，該測定結果係藉由對在180℃下熱處理2小時而獲得之樹脂膜的硬化物，例如使用動態黏彈性測定裝置在頻率1Hz、升溫速度5℃/分鐘的條件下進行動態黏彈性試驗而獲得。作為動態黏彈性測定裝置並沒有特別限定，例如能夠使用DMA裝置(TA Instruments公司製，Q800)。
本實施形態中，例如藉由分別適當地選擇構成熱硬化性樹脂組成物之成分的種類或摻合比例等，能夠將熱硬化性樹脂組成物的上述平均線膨脹係數或玻璃轉移溫度設在所希望的範圍內。作為用於將上述平均線膨脹係數或玻璃轉移溫度設在所希望的數值範圍之要件，例如可以舉出：使用具有烯丙基作為官能基之苯并化合物；使用順丁烯二醯亞胺 化合物作為熱硬化性樹脂等。
並且，本實施形態中，樹脂膜的硬化物(熱硬化性樹脂組成物的硬化物)對銅箔之剝離強度的下限值並沒有特別限定，例如係0.5kN/m以上為較佳，0.6kN/m以上為更佳，0.7kN/m以上為進一步較佳。藉此，能夠提高樹脂膜的硬化物的銅密接性，並提高所獲得之絕緣層的SAP特性。並且，上述剝離強度的上限值並沒有特別限定，例如可以設為3kN/m以下。
本實施形態中，作為對銅箔之剝離強度的測定方法，例如可以使用如下方法：準備覆金屬積層板，在HAST條件(溫度130℃、濕度85%)下處理100小時之後，測定依照JIS C-6481：1996測定之預浸體的硬化物與金屬箔之間的剝離強度。
(印刷配線基板)
本實施形態的印刷配線基板具備由上述樹脂膜的硬化物(熱硬化性樹脂組成物的硬化物)構成之絕緣層。
本實施形態中，樹脂膜的硬化物例如能夠用於通常的印刷配線基板的芯層或增建層或阻焊層、不具有芯層之印刷配線基板上之增建層或阻焊層、用於PLP之無芯基板的層間絕緣層或阻焊層、MIS基板的層間絕緣層或阻焊層等。在用於統括製作複數個半導體封裝之大面積的印刷配線基板中，該種絕緣層亦能夠較佳地用於構成該印刷配線基板之層間絕緣層或阻焊層。
接著，使用圖2(a)及圖2(b)，對本實施形態的印刷配線基板300的一例進行說明。
本實施形態的印刷配線基板300具備由上述樹脂膜10的硬化物構成之 絕緣層。如圖2(a)所示，上述印刷配線基板300可以具有具備絕緣層301(芯層)和絕緣層401(阻焊層)之結構。並且，如圖2(b)所示，上述印刷配線基板300亦可以具有具備絕緣層301(芯層)、絕緣層305(增建層)及絕緣層401(阻焊層)之結構。該等芯層、增建層、阻焊層各自例如能夠由本實施形態的樹脂膜的硬化物構成。該芯層亦可以由使本實施形態的熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材中而成之預浸體硬化而獲得之硬化體構成。
由本實施形態的樹脂膜形成之硬化物可以不含玻璃布或紙基材等纖維基材。藉此，能夠設為特別適合於形成增建層(層間絕緣層)或阻焊層之構成。
並且，本實施形態之印刷配線基板300可以是單面印刷配線基板，亦可以是雙面印刷配線基板或多層印刷配線基板。雙面印刷配線基板係指在絕緣層301的兩面積層金屬層303而成之印刷配線基板。並且，多層印刷配線基板係指藉由鍍覆貫通孔法或增建法等在作為芯層之絕緣層301上積層2層以上增建層(例如，絕緣層305)而成之印刷配線基板。
另外，本實施形態中，通孔307只要是用於將層之間電連接之孔即可，可以是貫穿孔及非貫穿孔中的任一種。通孔307可以將金屬埋設而形成。該埋設之金屬可以具有被無電鍍金屬鍍覆膜308覆蓋之結構。
並且，本實施形態中，上述金屬層303例如可以是電路圖案，亦可以是電極墊。該金屬層303例如可以具有金屬箔105及電解金屬鍍覆層309的金屬積層結構。
金屬層303例如藉由SAP(半加成程序(Semi-Additive Process))法形 成於經藥液處理或電漿處理之金屬箔105或由本實施形態的樹脂膜的硬化物形成之絕緣層(例如，絕緣層301或絕緣層305)的表面上。例如，在金屬箔105或絕緣層301、305上實施無電鍍金屬鍍覆膜308之後，藉由抗鍍劑保護非電路形成部，藉由電解鍍覆進行電解金屬鍍覆層309的形成，去除抗鍍劑並藉由快速蝕刻(flash etching)將電解金屬鍍覆膜309圖案化，藉此形成金屬層303。
並且，本實施形態的印刷配線基板300能夠設為不含玻璃纖維之樹脂基板。例如，作為芯層之絕緣層301可以是不含玻璃纖維之構成。使用了該種樹脂基板之半導體封裝中，亦能夠降低樹脂膜的硬化物的線膨脹係數，因此能夠充分抑制封裝翹曲。
(半導體封裝)
接著，對本實施形態的半導體裝置400進行說明。圖3(a)及圖3(b)係表示半導體裝置400的構成的一例之剖面圖。
本實施形態的半導體裝置400能夠具備印刷配線基板300、及搭載於印刷配線基板300的電路層上之或者內置於印刷配線基板300之半導體元件。
例如，圖3(a)所示之半導體裝置400具有在圖3(a)所示之印刷配線基板300的電路層(金屬層303)之上搭載有半導體元件407之結構。另一方面，圖3(b)所示之半導體裝置400具有在圖3(b)所示之印刷配線基板300的電路層(金屬層303)之上搭載有半導體元件407之結構。半導體元件407被密封材料層413覆蓋。該種半導體封裝可以是半導體元件407經由焊錫凸塊410及金屬層303與印刷配線基板300電連接之倒裝晶片結構。
本實施形態中，作為半導體封裝的結構，並不限定於上述倒裝晶片連接結構，可以具有各種結構，例如能夠使用扇出(Fan Out)結構。由本實施形態的樹脂膜的硬化物形成之絕緣層在具有扇出結構之半導體封裝的製造程序中能夠抑制基板翹曲或基板龜裂。
接著，對本實施形態的印刷配線基板的變形例進行說明。圖4(a)~圖4(c)係印刷配線基板500的製造程序的一例的製程剖面圖。如圖4(c)所示，本變形例的印刷配線基板500為不具有芯層之印刷配線基板。
本實施形態的印刷配線基板500能夠設為不具備具有纖維基材之芯層之，例如由增建層和阻焊層構成之無芯樹脂基板。該等增建層和阻焊層以由本實施形態的樹脂膜的硬化物形成之絕緣層構成為較佳。例如，圖4(c)所示之印刷配線基板500具備2層增建層(絕緣層540、550)和阻焊層(絕緣層560)。另外，印刷配線基板500的增建層可以是單層，亦可以具有2個以上的複數層。
由本實施形態的樹脂膜的硬化物形成之絕緣層由於其強韌性優異，因此能夠抑制印刷配線基板500的翹曲或搬送時之龜裂。
圖4(c)所示之金屬層542、552、562可以是電路圖案，亦可以是電極墊，或者如上所述可以利用SAP法形成。該等金屬層542、552、562可以是單層，亦可以是複數個金屬層。
印刷配線基板500可以具有能夠在平面上搭載複數個半導體元件之大面積。藉此，將搭載於印刷配線基板500之複數個半導體元件統括密封之後，將該等進行單個化，藉此能夠獲得複數個半導體封裝。另 外，印刷配線基板500能夠製成大致圓形形狀或矩形形狀等面板基板。
上述印刷配線基板500的製造方法並沒有特別限定，例如能夠藉由在支持基板510上形成增建層、阻焊層之後剝離該支持基板510而獲得。具體而言，如圖4(a)所示，在大面積的支持基板510(例如，由SUS構成之板構件)上配置載體箔520、金屬箔530(例如，銅箔)。此時，能夠在支持基板510與載體箔520之間設置未圖示之接著樹脂。接著，在金屬箔530上形成金屬層542。將該金屬層542例如藉由SAP方法等通常的方法進行圖案化。接著，藉由加熱加壓成形法等積層上述附載體膜之樹脂膜之後，從附載體膜之樹脂膜上剝離載體基材。並且，將樹脂膜硬化。重複進行3次該等過程，形成2層增建層和1層阻焊層。
然後，如圖4(b)所示，剝離支持基板510。並且，藉由蝕刻等除去金屬箔530。
藉由以上，獲得圖4(c)所示之印刷配線基板500。
接著，對本實施形態的印刷配線基板的變形例進行說明。圖5係表示印刷配線基板600的構成的一例之剖面圖。
圖5所示之印刷配線基板600可以由用於PLP(面板級封裝)程序之無芯樹脂基板610構成。PLP程序中，例如能夠利用配線板程序獲得具有晶片以上的大面積之面板尺寸封裝。藉由使用PLP程序，與晶片級程序相比，能夠更有效率地提高半導體封裝的生產率。
本實施形態中，無芯樹脂基板610的絕緣層612(層間絕緣層)或絕緣層630、632(阻焊層)可以以由本實施形態的樹脂膜的硬化物形成之絕緣層構成。本實施形態的樹脂膜的硬化物由於其強韌性優異，因 此在PLP程序中，能夠有效地抑制印刷配線基板600的翹曲、或特別在搬送時或安裝時之無芯樹脂基板610的龜裂。
並且，本實施形態的印刷配線基板600具有能夠在其平面內搭載複數個半導體元件(未圖示)之大面積。並且，將沿印刷配線基板600的面內方向搭載之複數個半導體元件統括密封之後，將該等進行單個化，藉此能夠獲得複數個半導體封裝。本實施形態中，由於能夠降低樹脂膜的硬化物的線膨脹係數，因此能夠在PLP程序中所獲得之半導體封裝中抑制封裝翹曲。
印刷配線基板600能夠具備無芯樹脂基板610及形成於其表面之阻焊層(絕緣層630、632)。無芯樹脂基板610可以具有內置之半導體元件620。半導體元件620能夠經由通路(via)配線616電連接。並且，無芯樹脂基板610能夠至少具有絕緣層612(層間絕緣層)及通路配線616。經由通路配線616，能夠將下表面的金屬層640(電極墊)和上表面的金屬層618(柱)電連接。並且，通路配線616例如能夠經由金屬層614(柱)與金屬層640連接。在無芯樹脂基板610中，通路配線616及金屬層614被埋設。作為柱之金屬層614的表面可以構成與無芯樹脂基板610的表面同一平面。在本實施形態的印刷配線基板600中，無芯樹脂基板610由單層的層間絕緣層構成，但並不限定於該構成，亦可以具有積層有複數個層間絕緣層之結構。在該種層間絕緣層中可以至少形成有通路配線616作為層間連接配線。並且，本實施形態中，通路配線616、金屬層614或金屬層618例如可以由銅等金屬構成。
並且，無芯樹脂基板610的上表面和下表面可以被阻焊層 (絕緣層630、632)覆蓋。例如，絕緣層630能夠將形成於絕緣層612的表面上之金屬層650覆蓋。金屬層650由第1金屬層652(鍍覆層)和第2金屬層654(無電鍍鍍覆層)構成，例如可以是利用SAP法形成之金屬層。金屬層650例如可以是電路圖案或電極墊。
並且，本實施形態的印刷配線基板600的製造方法並沒有特別限定，例如能夠使用如下方法。例如，在支持基板上形成絕緣層612。接著，在絕緣層612形成通路，藉由鍍覆方法在通路內埋設金屬膜而形成通路配線616。接著，藉由SAP方法在絕緣層612的表面上形成再配線(金屬層650)。然後，可以積層具有該種層間連接配線之複數個層間絕緣層。然後，形成阻焊層(絕緣層630、632)。
藉由以上，能夠獲得印刷配線基板600。
接著，對本實施形態的印刷配線基板的變形例進行說明。圖6係表示印刷配線基板700的構成的一例之剖面圖。
圖6所示之印刷配線基板700能夠由附柱之基板(MIS基板)構成。例如，附柱之基板能夠由無芯樹脂基板710構成，該無芯樹脂基板具有在絕緣層712(層間絕緣層)內埋設有通路配線716和金屬層718(柱)之結構。附柱之基板可以是被單個化之後的基板，亦可以是單個化前的具有大面積之基板(例如，如晶片之類的支持體)。
藉由使用本實施形態的印刷配線基板700，能夠將半導體封裝的生產率有效率地提高至與晶片級程序相同程度以上。
本實施形態中，無芯樹脂基板710的絕緣層712(層間絕緣層)或絕緣層730、732(阻焊層)可以以由本實施形態的樹脂膜的硬化物 形成之絕緣層構成。本實施形態的樹脂膜的硬化物由於其強韌性優異，因此能夠有效地抑制印刷配線基板700的翹曲、或特別是搬送時或安裝時之無芯樹脂基板710的龜裂。
並且，本實施形態的印刷配線基板700具有能夠在其平面內搭載複數個半導體元件(未圖示)之大面積。並且，將沿印刷配線基板700的面內方向搭載之複數個半導體元件統括密封之後，將該等進行單個化，藉此能夠獲得複數個半導體封裝。由於能夠降低本實施形態的樹脂膜的硬化物的線膨脹係數，因此能夠在所獲得之半導體封裝中抑制封裝翹曲。
印刷配線基板700能夠具備無芯樹脂基板710及形成於其表面之阻焊層(絕緣層730、732)。無芯樹脂基板710可以具有內置之半導體元件720。半導體元件720能夠經由通路配線716電連接。並且，無芯樹脂基板710能夠至少具有絕緣層712(層間絕緣層)及通路配線716及金屬層718(柱)。經由通路配線716，能夠將下表面的金屬層714(柱)和上表面的金屬層718(柱)電連接。並且，埋設於絕緣層712內之金屬層714能夠與形成於絕緣層712的表面之金屬層740(電極墊)連接。並且，絕緣層712的表面可以具有研磨面。金屬層718的一面可以構成與絕緣層712的研磨面同一平面。
在本實施形態的印刷配線基板700中，無芯樹脂基板710由單層的層間絕緣層構成，但並不限定於該構成，亦可以具有積層有複數個層間絕緣層之結構。在該種層間絕緣層中可以形成有通路配線716及金屬層718(柱)作為層間連接配線。並且，本實施形態中，通路配線716、金屬層714或金屬層718例如可以由銅等金屬構成。並且，無芯樹脂基板710 的上表面和下表面可以被阻焊層(絕緣層730、732)覆蓋。
並且，本實施形態的印刷配線基板700的製造方法並沒有特別限定，例如能夠使用如下方法。例如，在支持基板上，於絕緣層上形成銅柱(例如，金屬層718)。進一步用絕緣層將銅柱埋入。接著，藉由研磨或化學蝕刻等方法，使該銅柱的表面露出(亦即，進行銅柱的出頭)。接著，藉由SAP方法形成再配線。藉由該種製程，能夠形成具有層間絕緣層之無芯樹脂基板710。然後，可以藉由將形成層間絕緣層之製程重複複數次而將具有層間連接配線之層間絕緣層積層複數層。然後，形成阻焊層(絕緣層730、732)。
藉由以上，能夠獲得印刷配線基板700。
以上，參閱圖式對本發明的實施形態進行了敘述，但該等為本發明的例示，亦能夠採用除上述以外的各種各樣的構成。
【實施例】
以下，參閱實施例對本發明進行詳細說明，但本發明不受該等實施例記載的任何限定。
(熱硬化性樹脂組成物的製備)
對於實施例及比較例，製備出清漆狀的熱硬化性樹脂組成物。
首先，以表1所示之固體成分比例使各成分溶解或分散，用甲基乙基酮調整不揮發成分成為70重量%，並使用高速攪拌裝置進行攪拌，製備出樹脂清漆。
另外，表1中之表示各成分的摻合比例之數值表示各成分相對於熱硬化性樹脂組成物的固體成分整體之摻合比例(重量%)。
表1中之各成分的原料的詳細內容如下。
實施例及比較例中使用了以下原料。
(熱硬化性樹脂)
熱硬化性樹脂1：雙酚A型環氧樹脂(DIC Corporation製，EPICLON、840S)
熱硬化性樹脂2：下述式(1)中，n1為0以上且3以下、X1為“-CH2-”所表示之基團、a為0、b為0之順丁烯二醯亞胺化合物(BMI-2300，Daiwa Kasei Industry Co.,Ltd.製，Mw=750)
熱硬化性樹脂3：芳烷基型環氧樹脂(NC3000，Nippon Kayaku Co.,Ltd.製)
熱硬化性樹脂4：下述通式(II)所表示之對二甲苯改質萘酚芳烷基型氰酸酯樹脂(萘酚芳烷基型酚樹脂(Tohto Kasei Co.,Ltd.製“SN-485衍生物”)與氯化氰的反應物)
(苯并化合物)
苯并化合物1：利用下述製法獲得之下述式所表示之苯并 化合物。
向具備溫度計、攪拌機、冷卻管及滴加裝置之燒瓶中加入雙酚A1140g和甲苯920g，攪拌的同時，加熱至50℃，使雙酚A溶解。然後，向燒瓶中添加了甲醛652g。將該等的混合液進一步攪拌的同時，將烯丙胺570g歷經1小時滴加到燒瓶中，1小時後使其成為78~80℃。在回流下反應7小時之後，在100℃、壓力360mmHg(約48kPa)的條件下進行縮合水的除去及減壓，藉此獲得了含有烯丙基之苯并化合物1。
苯并化合物2：利用下述製法獲得之下述式所表示之雙酚F型苯并化合物。
向具備溫度計、攪拌機、冷卻管及滴加裝置之燒瓶中加入4,4'-二胺基-3,3'-二烯丙基二苯基甲烷139g(0.5莫耳)、苯酚94g(1.0莫耳)及正丁醇150mL，攪拌的同時，加熱至60℃，使固體成分均勻地溶解。然後，向燒瓶中歷經10分鐘滴加了50%福馬林溶液128g(2.0莫耳)。將該等的混合液進一步攪拌的同時，在95℃下於回流下反應3小時之後，在110℃、壓力360mmHg(約48kPa)的條件下進行縮合水的除去及減壓，藉此獲得了含有烯丙基之苯并化合物2。
苯并化合物3：利用下述製法獲得之下述式所表示之雙酚A型苯并化合物。
向具備溫度計、攪拌機、冷卻管及滴加裝置之燒瓶中加入二烯丙基雙酚A1540g和甲苯920g，攪拌的同時，加熱至50℃，使二烯丙基雙酚A溶解。然後，向燒瓶中添加了甲醛652g。將該等的混合液進一步攪拌的同時，將苯胺930g歷經1小時滴加到燒瓶中，1小時後使其成為78~80℃。在回流下反應7小時之後，在100℃、壓力360mmHg(約48kPa)的條件下進行縮合水的除去及減壓，藉此獲得了含有烯丙基之苯并化合物3。
苯并化合物4：利用下述製法獲得之下述式所表示之苯并化合物。
向具備溫度計、攪拌機、冷卻管及滴加裝置之燒瓶中加入雙酚F1000g和甲苯920g，攪拌的同時，加熱至50℃，使雙酚F溶解。然後，向燒瓶中添加了甲醛652g。將該等的混合液進一步攪拌的同時，歷經1小時滴加2-烯丙基苯胺1330g，1小時後使其成為78~80℃。在回流下反應7小時之後， 在100℃、壓力360mmHg(約48kPa)的條件下進行縮合水的除去及減壓，藉此獲得了含有烯丙基之苯并化合物4。
苯并化合物5：下述式所表示之苯并化合物(SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION製，P-d型苯并)。
苯并化合物6：利用下述製法獲得之下述式所表示之苯并化合物。
向具備溫度計、攪拌機、冷卻管及滴加裝置之燒瓶中加入雙酚A1140g和甲苯920g，攪拌的同時，加熱至50℃，使雙酚A溶解。然後，向燒瓶中添加了甲醛652g。將該等的混合液進一步攪拌的同時，歷經1小時滴加2-甲基烯丙胺711g，1小時後使其成為78~80℃。在回流下反應7小時之後，在100℃、壓力360mmHg(約48kPa)的條件下進行縮合水的除去及減壓，藉此獲得了含有碳數4的烯丙基之苯并化合物6。
苯并化合物7：利用下述製法獲得之下述式所表示之苯并化合物。
向具備溫度計、攪拌機、冷卻管及滴加裝置之燒瓶中加入雙酚A1140g和甲苯920g，攪拌的同時，加熱至50℃，使雙酚A溶解。然後，向燒瓶中添加了甲醛652g。將該等的混合液進一步攪拌的同時，歷經1小時滴加油胺(oleylamine)2675g，1小時後使其成為78~80℃。在回流下反應7小時之後，在100℃、壓力360mmHg(約48kPa)的條件下進行縮合水的除去及減壓，藉此獲得了含有碳數18的烯丙基之苯并化合物7。
(無機填充材)
無機填充材1：二氧化矽粒子(Admatechs公司製，SC2050，平均粒徑0.5μm)
(硬化促進劑)
硬化促進劑1：符合上述式(2)之鎓鹽化合物的磷系催化劑(Sumitomo Bakelite Co.,Ltd.製，C05-MB)
硬化促進劑2：2-苯基咪唑(SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION製， 2PZ-PW)
(偶合劑)
偶合劑1：矽烷偶合劑(N-苯基γ-胺基丙基三甲氧基矽烷，Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.製，KBM-573)
(附載體樹脂膜)
在實施例及比較例中，將所獲得之樹脂清漆塗佈於作為載體基材之PET薄膜上之後，在140℃、2分鐘的條件下除去溶劑，形成了厚度25μm的樹脂膜。藉此，獲得了附載體樹脂膜。
(樹脂基板)
在實施例及比較例中，對所獲得之附載體樹脂膜在180℃、2小時的條件下進行硬化，藉此獲得了具備由熱硬化性樹脂組成物形成之樹脂膜的硬化物作為絕緣層之樹脂基板。
在實施例及比較例中，對樹脂基板進行了如下評價。將評價結果示於表2。
(預浸體)
在實施例及比較例中，利用塗佈裝置，將所獲得之樹脂清漆含浸於玻璃織布(布類型#2118、T玻璃，基重114g/m2)，利用140℃的熱風乾燥裝置乾燥10分鐘，獲得了厚度107μm的預浸體。
(覆金屬積層板)
在實施例及比較例中獲得之預浸體的兩面重合極薄銅箔(MITSUI MINING & SMELTING CO.,LTD.製，Micro Thin Ex，2.0μm)，在壓力4MPa、溫度180℃下加熱加壓成形2小時，藉此獲得了覆金屬積層板。所獲得之覆金屬積層板(附金屬箔之樹脂基板)的芯層(由樹脂基板形成之部分)的厚度為0.107mm。
(印刷配線基板)
在實施例及比較例中獲得之覆金屬積層板的表面的極薄銅箔層實施約1μm的粗化處理之後，利用碳酸氣體雷射形成了層間連接用的φ 80μm的貫通孔。接著，在60℃的膨潤液(Atotech Japan K.K.製，Swelling Dip Securiganth P)中浸漬5分鐘，進而在80℃的過錳酸鉀水溶液(Atotech Japan K.K.製，Concentrate Compact CP)中浸漬2分鐘之後，進行中和而進行了貫通孔內的除膠渣(desmear)處理。接著，以厚度0.5μm進行無電鍍鍍銅而形成厚度18μm的電解鍍銅用阻劑(resist)層，並進行圖案鍍銅，在溫度150℃、時間30分鐘下加熱而進行了後硬化(post cure)。接著，剝離鍍覆阻劑，並對整個面進行快速蝕刻，形成了L/S=15/15μm的圖案。
在實施例及比較例中，對積層板、印刷配線基板進行了如下評價。將評價結果示於表3。
以下，對表2及表3所示之各評價項目的具體內容進行說明。
(平均線膨脹係數(30℃-240℃))
用於樹脂基板之硬化物：
將從實施例及比較例中獲得之附載體樹脂膜剝離了作為載體基材之PET薄膜之樹脂膜積層4片，製作出厚度100μm的樹脂片。接著，在180℃下將該樹脂片熱處理2小時，獲得了硬化物。
用於覆金屬積層板之硬化物：
利用蝕刻液(氯化鐵溶液，35℃)，從實施例及比較例中獲得之覆金屬積層板上除去銅箔，獲得了預浸體的硬化物。
線膨脹係數的測定：
從用於上述樹脂基板或上述覆金屬積層板之硬化物切出測定長度6mm×6mm的試驗片，對該試驗片，使用熱機械分析裝置TMA(TA Instruments 公司製，Q400)，在溫度範圍30~300℃、升溫速度10℃/min、荷重10g、壓縮模式的條件下，進行了2週期熱機械分析(TMA)測定。計算出在30℃至240℃的範圍內之平面方向(XY方向)的線膨脹係數的平均值、在30℃至150℃的範圍內之平面方向(XY方向)的線膨脹係數的平均值α 1(CET α 1)及在150℃至240℃的範圍內之平面方向(XY方向)的線膨脹係數的平均值α 2(CET α 2)。另外，線膨脹係數採用了第2週期之值。
(剝離強度)
使用實施例及比較例中獲得之覆金屬積層板，在HAST條件(溫度130℃、濕度85%)下處理100小時之後，測定出依據JIS C-6481：1996測定之預浸體的硬化物與金屬箔之間的剝離強度。
(玻璃轉移溫度)
玻璃轉移溫度的測定係使用動態黏彈性測定裝置(DMA裝置，TA Instruments公司製，Q800))，在以下所示之條件下進行。
將從實施例及比較例中獲得之附載體樹脂膜上剝離了作為載體基材之PET薄膜之樹脂膜積層4片，製作出厚度100μm的樹脂片。接著，在180℃下將該樹脂片熱處理2小時，獲得了硬化物。
從所獲得之硬化物切出8mm×40mm的試驗片，對該試驗片，在升溫速度5℃/min、頻率1Hz下進行了動態黏彈性測定。
在此，玻璃轉移溫度設為損耗正切tan δ顯示最大值之溫度。
(面板翹曲)
在縱250mm×橫250mm見方SUS的支持基板上配置12μm銅箔，使用2階段真空加壓式層合裝置(MEIKI CO.,LTD.製，MVLP-500)，將實施例及比較例中獲得之附載體膜之樹脂膜減壓30秒鐘，在10hPa以下，於作為1階段條件之溫度120℃、壓力0.8MPa、30秒的條件下進行處理之後，利用SUS鏡板於作為2階段條件之溫度120℃、壓力1.0MPa、60秒的條件下進行了真空加熱加壓成形。接著，從附載體樹脂膜上剝離載體基材之後，在180℃、2小時的條件下進行了硬化。將上述製程重複3次，形成三層增建層，藉由測定板端的翹曲來評價了SUS剝離時的面板的翹曲。
A：小於15mm
B：15mm以上且小於50mm(實質上沒有問題)
C：50mm以上
(處理性)
對實施例及比較例中獲得之三層增建層進行SUS剝離後，進一步對12μm銅箔進行蝕刻。然後，評價了面板有無龜裂。
A：無龜裂
B：有龜裂
(層間絕緣可靠性)
準備了將12μm厚度的銅箔積層而成之雙面覆銅積層板(Sumitomo Bakelite Co.,Ltd.製，L α Z-4785GH-J)。接著，對上述覆銅積層板的銅箔進行蝕刻處理而形成導體電路圖案，藉此獲得了一面及另一面形成有上述導體電路圖案之電路基板。接著，使用2階段真空加壓式層合裝置(MEIKI CO.,LTD.製，MVLP-500)，將實施例及比較例中獲得之附載體膜之樹脂膜減壓30秒鐘，在10hPa以下，於作為1階段條件之溫度120℃、壓力0.8MPa、30秒的條件下進行處理之後，利用SUS鏡板於作為2階段條件之溫度120℃、壓力1.0MPa、60秒的條件下進行了真空加熱加壓成形。接著，從附載體樹脂膜上剝離載體基材之後，將12μm厚度的銅箔在同樣的條件下積層，然後在180℃、2小時的條件下進行了硬化。形成所獲得之多層配線板的外層圖案，製作出層間厚度20μm的絕緣可靠性評價樣品。使用該試驗樣品，在溫度130℃、濕度85%、施加電壓3.3V的條件下評價了連續濕中絕緣電阻。另外，將電阻值106Ω以下視為故障。評價基準如下。
A：500小時以上時無故障(良好)
B：200小時以上且小於500小時時有故障(實質上沒有問題)
C：100小時以上且小於200小時時有故障(實質上無法使用)
D：小於100小時時有故障(無法使用)
(吸濕焊錫耐熱性試驗)
使用與在上述層間絕緣可靠性的評價中製作出之絕緣可靠性評價樣品相同的樣品，將PCT進行24h之後，在260℃下重複30秒焊錫浸漬之後，確認了有無膨脹。並且，代替上述雙面覆銅積層板而使用所獲得之覆金屬積層板，除此以外，對於與在上述層間絕緣可靠性的評價中製作出之絕緣可靠性評價樣品相同的樣品亦進行了評價。
A：11次以上亦無膨脹(良好)
B：5~10次時發生膨脹(實質上沒有問題)
C：2~5次時發生膨脹(實質上無法使用)
D：1次時發生膨脹(無法使用)
(貫通孔絕緣可靠性評價)
在製造上述印刷配線基板時，以壁間為80μm形成20對層間連接的Φ 80μm的貫通孔。接著，在電路圖案上積層增建材(Sumitomo Bakelite Co.,Ltd.製，BLA-3700GS)，製作出經硬化之試驗樣品。使用該試驗樣品，在溫度130℃、濕度85%、施加電壓5.5V的條件下評價了連續濕中絕緣電阻。另外，將電阻值106Ω以下視為故障。評價基準如下。
A：500小時以上時無故障(良好)
B：200小時以上且小於500時有故障(實質上沒有問題)
C：100小時以上且小於200小時時有故障(實質上無法使用)
D：小於100時有故障(無法使用)
(半導體封裝的翹曲評價)
在所獲得之印刷配線基板(形成電路圖案之後之印刷配線基板)積層 增建材(Sumitomo Bakelite Co.,Ltd.製，BLA-3700GS)予以硬化，並利用半加成法進行了電路加工。在其之上安裝10mm×10mm×100μm厚度的附焊錫凸塊之半導體元件，並以底部填充劑(underfill)(Sumitomo Bakelite Co.,Ltd.製，CRP-4160G)密封，在150℃下硬化了2小時。最後，切片成15mm×15mm，製作出半導體裝置。
使用溫度可變雷射三維測定機(Hitachi Technology and Service公司製，型號LS220-MT100MT50)，評價了所獲得之半導體裝置在260℃下之翹曲。在上述測定機的樣品腔室中，以半導體元件面朝下之方式進行設置，測定高度方向的變位，將變位差最大的值作為翹曲量。評價基準如下。
A：翹曲量小於30μm
B：翹曲量為30μm以上且小於50μm
C：翹曲量為50μm以上
以上，基於實施例對本發明進行了進一步具體的說明，但該等為本發明的例示，亦能夠採用除上述以外的各種各樣的構成。
產業上的可利用性
本發明的熱硬化性樹脂組成物含有：前述通式(B-1)或(B-2)所表示之苯并化合物；順丁烯二醯亞胺化合物、環氧樹脂及氰酸酯樹脂中的至少一種；及無機填充材。該種熱硬化性樹脂組成物能夠降低所獲得之硬化物的線膨脹係數。因此，藉由使用該熱硬化性樹脂組成物，能夠獲得低翹曲性優異之絕緣層。並且，能夠獲得使用了該絕緣層之附載體樹脂膜、預浸體、覆金屬積層板、樹脂基板、印刷配線基板及半導體裝置。因此，本發明具有產業上的可利用性。

Claims (15)

  1. 一種熱硬化性樹脂組成物，其用於形成印刷配線基板中之絕緣層，其特徵為，含有：下述通式(B-1)或(B-2)所表示之苯并化合物；含有順丁烯二醯亞胺化合物、環氧樹脂及氰酸酯樹脂中的至少一種之熱硬化性樹脂；及無機填充材， 該通式(B-1)中，a分別獨立地表示1以上且3以下的整數，p表示1以上且4以下的整數；R1、R2分別獨立地表示氫原子、低級烷基、烯基、環烷基、芳基、芳烷基(aralkyl group)、或1~4價的有機基，R1及R2中的至少一者為具有碳數3~14的烯基之基團，其中當p為2以上且4以下的整數時，R2可以相同或不同；Z表示1~4價的有機基； 該通式(B-2)中，b分別獨立地表示1以上且4以下的整數，q表示1以上且4以下的整數；R3分別獨立地表示氫原子、低級烷基、烯基、環烷基、芳基、芳烷基、或1~4價的有機基，X1表示1~4價的有機基，R3及X1中的至少一者為具有碳數3~14的烯基之基團。
  2. 如申請專利範圍第1項之熱硬化性樹脂組成物，其中該通式(B-1)所表示之苯并化合物具有下述通式(B-3)所表示之結構，該通式(B-2)所表示之苯并化合物具有下述通式(B-4)所表示之結構， 該通式(B-3)中，Z表示直接鍵、碳數1~10的伸烷基(alkylene group)、C=O、O、S、S=O或O=S=O；R1及R2中的至少一者為具有碳數3~14的烯基之基團； 該通式(B-4)中，c分別獨立地表示1以上且4以下的整數，X2表示直接鍵、碳數1~10的伸烷基、C=O、O、S、S=O或O=S=O；R為具有碳數3~14的烯基之基團。
  3. 如申請專利範圍第1項之熱硬化性樹脂組成物，其中該具有不飽和雙鍵之基團為烯丙基。
  4. 如申請專利範圍第1項之熱硬化性樹脂組成物，其中該無機填充材的含量相對於該熱硬化性樹脂組成物整體，為50重量%以上且90重量%以下。
  5. 如申請專利範圍第1項之熱硬化性樹脂組成物，其中當對該熱硬化性樹脂組成物的硬化物進行了熱機械分析時，該硬化物在30℃至240℃的範圍內計算出之平均線膨脹係數為1ppm/℃以上且40ppm/℃以下。
  6. 如申請專利範圍第1項之熱硬化性樹脂組成物，其中當對該熱硬化性樹脂組成物的硬化物進行了熱機械分析時，將該硬化物在30℃至150℃的範圍內計算出之平均線膨脹係數設為α 1，將該硬化物在150℃至240℃的範圍內計算出之平均線膨脹係數設為α 2時，平均線膨脹係數比(α 2/α 1)為0.7以上且3.0以下。
  7. 如申請專利範圍第1項之熱硬化性樹脂組成物，其中該熱硬化性樹脂 組成物的硬化物對銅箔之剝離強度為0.5kN/m以上。
  8. 如申請專利範圍第1項之熱硬化性樹脂組成物，其中該熱硬化性樹脂組成物的硬化物的玻璃轉移溫度為140℃以上。
  9. 如申請專利範圍第1項之熱硬化性樹脂組成物，其中該無機填充材含有二氧化矽。
  10. 一種附載體樹脂膜，具備：載體基材；及由申請專利範圍第1至9項中任一項之熱硬化性樹脂組成物形成之樹脂膜，其設置於該載體基材上。
  11. 一種預浸體，其係將申請專利範圍第1至9項中任一項之熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材中而形成。
  12. 一種覆金屬積層板，具備：申請專利範圍第11項之預浸體的硬化物；及金屬層，其配置於該硬化物的至少一面。
  13. 一種樹脂基板，其具備由申請專利範圍第1至9項中任一項之熱硬化性樹脂組成物的硬化物構成之絕緣層。
  14. 一種印刷配線基板，具備：申請專利範圍第12項之覆金屬積層板或申請專利範圍第13項之樹脂基板；及電路層，其形成於該覆金屬積層板或該樹脂基板的表面。
  15. 一種半導體裝置，具備：申請專利範圍第14項之印刷配線基板；及半導體元件，其搭載於該印刷配線基板的電路層上，或者內置於該印刷配線基板。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022134231A1 (zh) * 2020-12-24 2022-06-30 广东生益科技股份有限公司 一种无卤阻燃型树脂组合物及其应用
TWI804597B (zh) * 2018-03-28 2023-06-11 日商積水化學工業股份有限公司 樹脂材料及多層印刷佈線板

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111315799B (zh) * 2017-11-10 2022-12-27 普林科技有限公司 树脂组合物及其应用、树脂组合物的制造方法
JP2019099755A (ja) * 2017-12-07 2019-06-24 信越化学工業株式会社 熱硬化性樹脂組成物
JP2019178198A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 住友ベークライト株式会社 熱硬化性樹脂組成物、コアレス基板、プリント配線基板、および半導体装置
JP7238301B2 (ja) * 2018-09-05 2023-03-14 株式会社レゾナック 材料の選定方法及びパネルの製造方法
JP7124657B2 (ja) * 2018-11-14 2022-08-24 味の素株式会社 樹脂組成物、樹脂シート、プリント配線板及び半導体装置
JP7088105B2 (ja) * 2019-03-27 2022-06-21 味の素株式会社 樹脂組成物、樹脂組成物の硬化物、樹脂シート、プリント配線板及び半導体装置
JP2021084968A (ja) * 2019-11-28 2021-06-03 住友ベークライト株式会社 基材付き樹脂膜、プリント配線基板および電子装置
JPWO2023042669A1 (zh) * 2021-09-15 2023-03-23
WO2023145471A1 (ja) * 2022-01-28 2023-08-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂組成物、プリプレグ、樹脂付きフィルム、樹脂付き金属箔、金属張積層板、及びプリント配線板
CN115612246A (zh) * 2022-12-15 2023-01-17 成都科宜高分子科技有限公司 一种用于形成pcb塞孔树脂的组合物以及制备方法、应用、填充工艺

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003147165A (ja) * 2001-08-29 2003-05-21 Osaka City 熱硬化性樹脂組成物
JP2013508517A (ja) * 2009-10-27 2013-03-07 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン ベンゾオキサジン含有組成物
JP5707052B2 (ja) * 2010-04-27 2015-04-22 電気化学工業株式会社 樹脂複合組成物及びその用途
JP5948662B2 (ja) * 2011-10-20 2016-07-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂組成物、樹脂ワニス、プリプレグ、金属張積層板、及びプリント配線板
KR20160020587A (ko) * 2012-01-20 2016-02-23 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 수지 조성물, 적층체, 다층 프린트 배선판 및 다층 플렉시블 배선판 및 그 제조 방법
JP5848638B2 (ja) * 2012-03-07 2016-01-27 株式会社日本触媒 硬化性樹脂組成物、その製造方法及びエレクトロニクス実装材料
CA2900633A1 (en) * 2013-03-04 2014-09-12 Huntsman Advanced Materials Americas Llc Benzoxazine curable composition containing polysulfone-based tougheners
JP2015000952A (ja) * 2013-06-17 2015-01-05 三菱化学株式会社 エポキシ樹脂組成物およびその硬化物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI804597B (zh) * 2018-03-28 2023-06-11 日商積水化學工業股份有限公司 樹脂材料及多層印刷佈線板
WO2022134231A1 (zh) * 2020-12-24 2022-06-30 广东生益科技股份有限公司 一种无卤阻燃型树脂组合物及其应用

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