JP2015159177A - 樹脂基板、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】微細配線加工性に優れるプリント配線基板形成用の樹脂基板を提供すること。
【解決手段】樹脂基板１００は、繊維基材を含む繊維基材層１０１と、繊維基材層１０１の片面または両面に設けられ、かつ、繊維基材を含まない樹脂層１０３と、を備えている。そして、樹脂基板１００の膜厚を第１の膜厚とし、樹脂基板１００を１０質量％水酸化ナトリウム水溶液に８０℃、３０分間浸漬した後の樹脂基板の膜厚を第２の膜厚とした場合、［｛（第１の膜厚）−（第２の膜厚）｝／（第１の膜厚）］×１００で定義される減膜率が１％以上１０％以下である。
【選択図】図１
【解決手段】樹脂基板１００は、繊維基材を含む繊維基材層１０１と、繊維基材層１０１の片面または両面に設けられ、かつ、繊維基材を含まない樹脂層１０３と、を備えている。そして、樹脂基板１００の膜厚を第１の膜厚とし、樹脂基板１００を１０質量％水酸化ナトリウム水溶液に８０℃、３０分間浸漬した後の樹脂基板の膜厚を第２の膜厚とした場合、［｛（第１の膜厚）−（第２の膜厚）｝／（第１の膜厚）］×１００で定義される減膜率が１％以上１０％以下である。
【選択図】図１
Description
本発明は、樹脂基板、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置に関する。
近年、電子機器の高機能化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んでおり、これらに使用されるプリント配線基板は、従来にも増して、小型薄型化、高密度化、および多層化が進んでいる。したがって、薄膜化に対応し、かつ、高密度で微細な回路を形成できるプリント配線基板が求められている。
微細な回路を形成する方法として、ＳＡＰ（セミアディティブプロセス）法が提案されている。ＳＡＰ法では、はじめに、絶縁層表面に粗化処理を施し、上記絶縁層表面上に下地になる無電解金属めっき膜を形成する。次いで、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けをおこなう。その後、めっきレジストを除去し、上記回路形成部以外の無電解金属めっき膜をフラッシュエッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する。ＳＡＰ法は、絶縁層上に積層する金属層を薄膜化できるので、より微細な回路配線が可能となる。
微細な回路を形成する方法として、ＳＡＰ（セミアディティブプロセス）法が提案されている。ＳＡＰ法では、はじめに、絶縁層表面に粗化処理を施し、上記絶縁層表面上に下地になる無電解金属めっき膜を形成する。次いで、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けをおこなう。その後、めっきレジストを除去し、上記回路形成部以外の無電解金属めっき膜をフラッシュエッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する。ＳＡＰ法は、絶縁層上に積層する金属層を薄膜化できるので、より微細な回路配線が可能となる。
一方、半導体パッケージの小型化が進むと、従来では半導体パッケージの剛性の大部分を担っていた半導体素子、封止材の厚みが極めて薄くなり、半導体パッケージに反りが発生しやすくなる。また、構成部材としてプリント配線基板の占める割合が大きくなるため、プリント配線基板の物性・挙動が半導体パッケージの反りに大きな影響を及ぼすようになってきている。
一般的に、半導体素子と半導体素子が搭載されるプリント配線基板との熱膨張の差は大きい。そのため、高温に曝した際に、熱膨張の差により生じる熱応力により半導体パッケージが大きく反ってしまう場合があった。
このような半導体パッケージの反りを抑制する技術としては、例えば、以下の特許文献１に記載のものが挙げられる。
特許文献１には、Ｎ−置換マレイミド基と酸性置換基を有する硬化剤と、ビスフェノールＦ型フェノールノボラック型エポキシ樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物を用いたプリプレグおよび積層板が記載されている。
特許文献１には、Ｎ−置換マレイミド基と酸性置換基を有する硬化剤と、ビスフェノールＦ型フェノールノボラック型エポキシ樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物を用いたプリプレグおよび積層板が記載されている。
しかし、従来の絶縁層は、無電解めっき付き性が悪く、微細配線加工性に劣っていた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、微細配線加工性に優れるプリント配線基板形成用の樹脂基板を提供するものである。
本発明者らは鋭意検討を行った結果、樹脂基板の減膜率を特定の範囲にすることで、樹脂基板の微細配線加工性が改善することを見出した。
本発明はこのような知見に基づいて発案されたものである。
すなわち、本発明によれば、
繊維基材を含む繊維基材層と、
上記繊維基材層の片面または両面に設けられ、かつ、上記繊維基材を含まない樹脂層と、
を備えるプリント配線基板形成用の樹脂基板であって、
当該樹脂基板の膜厚を第１の膜厚とし、当該樹脂基板を１０質量％水酸化ナトリウム水溶液に８０℃、３０分間浸漬した後の樹脂基板の膜厚を第２の膜厚とした場合、
［｛（第１の膜厚）−（第２の膜厚）｝／（第１の膜厚）］×１００で定義される減膜率が１％以上１０％以下である、樹脂基板が提供される。
繊維基材を含む繊維基材層と、
上記繊維基材層の片面または両面に設けられ、かつ、上記繊維基材を含まない樹脂層と、
を備えるプリント配線基板形成用の樹脂基板であって、
当該樹脂基板の膜厚を第１の膜厚とし、当該樹脂基板を１０質量％水酸化ナトリウム水溶液に８０℃、３０分間浸漬した後の樹脂基板の膜厚を第２の膜厚とした場合、
［｛（第１の膜厚）−（第２の膜厚）｝／（第１の膜厚）］×１００で定義される減膜率が１％以上１０％以下である、樹脂基板が提供される。
さらに、本発明によれば、上記樹脂基板、または上記樹脂基板を２枚以上重ね合わせた積層体の片面または両面に金属箔が設けられている、金属張積層板が提供される。
さらに、本発明によれば、上記樹脂基板の片面または両面に回路層が設けられている、プリント配線基板が提供される。
さらに、本発明によれば、上記プリント配線基板の上記回路層上に半導体素子を搭載した、半導体装置が提供される。
本発明によれば、微細配線加工性に優れる、プリント配線基板形成用の樹脂基板を提供できる。
以下に、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には共通の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは必ずしも一致していない。
はじめに、本実施形態における樹脂基板の構成について説明する。図１および図２は、本実施形態に係る樹脂基板１００の構成の一例を示す断面図である。
樹脂基板１００は、繊維基材を含む繊維基材層１０１と、繊維基材層１０１の片面または両面に設けられ、かつ、繊維基材を含まない樹脂層１０３と、を備えている。
そして、樹脂基板１００の膜厚を第１の膜厚とし、樹脂基板１００を１０質量％水酸化ナトリウム水溶液に８０℃、３０分間浸漬した後の樹脂基板の膜厚を第２の膜厚とした場合、［｛（第１の膜厚）−（第２の膜厚）｝／（第１の膜厚）］×１００で定義される減膜率が１％以上１０％以下であり、好ましくは１％以上６％以下である。
また、樹脂基板１００は、プリント配線基板形成用の樹脂基板であり、プリント配線基板の絶縁層を形成するために用いられる。
樹脂基板１００は、繊維基材を含む繊維基材層１０１と、繊維基材層１０１の片面または両面に設けられ、かつ、繊維基材を含まない樹脂層１０３と、を備えている。
そして、樹脂基板１００の膜厚を第１の膜厚とし、樹脂基板１００を１０質量％水酸化ナトリウム水溶液に８０℃、３０分間浸漬した後の樹脂基板の膜厚を第２の膜厚とした場合、［｛（第１の膜厚）−（第２の膜厚）｝／（第１の膜厚）］×１００で定義される減膜率が１％以上１０％以下であり、好ましくは１％以上６％以下である。
また、樹脂基板１００は、プリント配線基板形成用の樹脂基板であり、プリント配線基板の絶縁層を形成するために用いられる。
本発明者の検討によれば、樹脂基板の剛性を高めることにより、得られる半導体パッケージの反りを低減することができる一方で、微細配線加工性が低下したり、得られるプリント配線基板の絶縁信頼性が低下したりすることが明らかになった。
本発明者は、上記事情に鑑みて鋭意検討した結果、上記式で定義される減膜率を上記上限値以下とすることで、樹脂基板の微細配線加工性が改善することを見出した。これは、上記式で定義される減膜率が上記上限値以下である樹脂基板は、樹脂基板の表面に粗化処理を施しても、金属層（回路層）に対する密着性を維持できるからだと考えられる。
本発明者は、上記事情に鑑みて鋭意検討した結果、上記式で定義される減膜率を上記上限値以下とすることで、樹脂基板の微細配線加工性が改善することを見出した。これは、上記式で定義される減膜率が上記上限値以下である樹脂基板は、樹脂基板の表面に粗化処理を施しても、金属層（回路層）に対する密着性を維持できるからだと考えられる。
この樹脂基板１００は、上記式で定義される減膜率が上記上限値以下であることにより、回路層と樹脂基板との密着性が向上し、その結果、微細配線加工性およびプリント配線基板の絶縁信頼性を向上させることができる。
また、樹脂層１０３はエポキシ樹脂（Ａ）および無機充填材（Ｂ）を含有しており、樹脂層１０３の繊維基材層１０１との境界部Ａ２における無機充填材（Ｂ２）の含有率をＦＣ１とし、樹脂層１０３の厚み方向表面部Ａ１における無機充填材（Ｂ１）の含有率をＦＣ２としたとき、ＦＣ１＞ＦＣ２の関係を満たすことが好ましい。これにより、厚み方向表面部Ａ１において、回路層と樹脂基板との密着性をより一層向上できるとともに、樹脂基板１００の剛性を高めることができる。その結果、得られる半導体パッケージの反りをより一層低減できると共に、微細配線加工性およびプリント配線基板の絶縁信頼性をより一層向上させることができる。
無機充填材（Ｂ２）の含有率（ＦＣ１）は、好ましくは５０質量％以上９５質量％以下であり、より好ましくは６５質量％以上９０質量％以下である。
ここで、無機充填材（Ｂ２）の含有率（ＦＣ１）は、樹脂層１０３の繊維基材層１０１との境界から樹脂基板１００の表面に向かって５μｍまでの領域を切り出し、切り出した樹脂層から測定することができる。なお、切り出した樹脂層の重量を１００質量％とする。
また、無機充填材（Ｂ１）の含有率（ＦＣ２）は、好ましくは５質量％以上６５質量％以下であり、より好ましくは１０質量％以上６０質量％以下である。
ここで、無機充填材（Ｂ１）の含有率（ＦＣ２）は、樹脂基板１００の表面から厚み方向に５μｍまでの領域を切り出し、切り出した樹脂層から測定することができる。なお、切り出した樹脂層の重量を１００質量％とする。
ここで、無機充填材（Ｂ２）の含有率（ＦＣ１）は、樹脂層１０３の繊維基材層１０１との境界から樹脂基板１００の表面に向かって５μｍまでの領域を切り出し、切り出した樹脂層から測定することができる。なお、切り出した樹脂層の重量を１００質量％とする。
また、無機充填材（Ｂ１）の含有率（ＦＣ２）は、好ましくは５質量％以上６５質量％以下であり、より好ましくは１０質量％以上６０質量％以下である。
ここで、無機充填材（Ｂ１）の含有率（ＦＣ２）は、樹脂基板１００の表面から厚み方向に５μｍまでの領域を切り出し、切り出した樹脂層から測定することができる。なお、切り出した樹脂層の重量を１００質量％とする。
樹脂層１０３の厚み方向における無機充填材（Ｂ）の含有率を調整するためには、後述するように、エポキシ樹脂組成物（Ａ）および（Ｂ）に含有させる無機充填材（Ｂ）の種類を適切に選択し、その含有量を適切に設定することが重要となる。
樹脂層１０３は、図２に示すように、繊維基材層１０１に接する第一樹脂層１０３ａと、第一樹脂層１０３ａの繊維基材層１０１と接する側とは反対側に設けられ、かつ、樹脂基板１００の厚み方向表面部を構成する第二樹脂層１０３ｂと、を含む構成とすることができる。これにより、厚み方向表面部Ａ１における無機充填材（Ｂ１）の含有率と、樹脂層１０３の繊維基材層１０１との境界部Ａ２における無機充填材（Ｂ２）の含有率とが異なる樹脂基板１００にすることができる。
例えば、第一樹脂層１０３ａは、後述するエポキシ樹脂組成物（Ａ）からなり、第二樹脂層１０３ｂはエポキシ樹脂組成物（Ａ）とは異なる種類のエポキシ樹脂組成物（Ｂ）からなる。
例えば、第一樹脂層１０３ａは、後述するエポキシ樹脂組成物（Ａ）からなり、第二樹脂層１０３ｂはエポキシ樹脂組成物（Ａ）とは異なる種類のエポキシ樹脂組成物（Ｂ）からなる。
第一樹脂層１０３ａの厚みは、好ましくは１μｍ以上５０μｍ以下であり、より好ましくは１μｍ以上１５μｍ以下である。第二樹脂層１０３ｂの厚みは、好ましくは２μｍ以上２０μｍ以下であり、より好ましくは３μｍ以上１０μｍ以下である。
樹脂層１０３は、第一樹脂層１０３ａと第二樹脂層１０３ｂとの密着性を向上させる観点から、明瞭な層界面を含まないものが好ましい。
また、樹脂基板１００の反りの防止効果をより効果的に得るためには、樹脂基板１００の動的粘弾性測定によるガラス転移温度が、好ましくは２００℃以上であり、より好ましくは２２０℃以上であり、さらに好ましくは２３０℃以上である。上限については、例えば、３５０℃以下が好ましい。
樹脂基板１００は、動的粘弾性測定によるガラス転移温度が上記範囲を満たすと、樹脂基板１００の剛性が高まり、実装時の樹脂基板１００の反りをより一層低減できる。その結果、樹脂基板１００により得られる半導体装置について、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高めることができる。
樹脂基板１００は、動的粘弾性測定によるガラス転移温度が上記範囲を満たすと、樹脂基板１００の剛性が高まり、実装時の樹脂基板１００の反りをより一層低減できる。その結果、樹脂基板１００により得られる半導体装置について、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高めることができる。
また、樹脂基板１００の反りの防止効果をより効果的に得るためには、とくに限定されないが、樹脂基板１００の２５０℃での貯蔵弾性率Ｅ'が、好ましくは５ＧＰａ以上であり、さらに好ましくは１５ＧＰａ以上である。上限値については、特に限定されるものではないが、例えば、５０ＧＰａ以下とすることができる。
樹脂基板１００は、２５０℃での貯蔵弾性率Ｅ'が上記範囲を満たすと、樹脂基板１００の剛性が高まり、実装時の樹脂基板１００の反りをより一層低減できる。その結果、樹脂基板１００により得られる半導体装置について、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高めることができる。
樹脂基板１００は、２５０℃での貯蔵弾性率Ｅ'が上記範囲を満たすと、樹脂基板１００の剛性が高まり、実装時の樹脂基板１００の反りをより一層低減できる。その結果、樹脂基板１００により得られる半導体装置について、半導体素子のプリント配線基板に対する位置ずれをより一層抑制でき、半導体素子とプリント配線基板との間の接続信頼性をより一層高めることができる。
樹脂基板１００の厚さは、例えば、２０μｍ以上３００μｍ以下である。樹脂基板１００の厚さが上記範囲内であると、機械的強度および生産性のバランスがとくに優れ、薄型のプリント配線基板に適した樹脂基板１００を得ることができる。
図３は、本実施形態における金属張積層板２００の構成の一例を示す断面図である。金属張積層２００は、樹脂基板１００（絶縁層３０１）、または樹脂基板１００を２枚以上重ね合わせた積層体（絶縁層３０１）の片面または両面に金属箔１０５が設けられている。金属張積層板２００は、プリント配線基板の絶縁層を形成するために用いることができる。
つづいて、樹脂基板１００の製造方法について説明する。樹脂基板１００は、例えば、プリプレグ（Ｐ）を加熱硬化することによって得られる。
本実施形態における樹脂基板１００を実現するためには、以下の条件を適切に調整することが重要である。
（１）プリプレグ（Ｐ）を構成する各材料の組み合わせ
（２）樹脂基板１００表層部の無機充填材の含有量
（１）プリプレグ（Ｐ）を構成する各材料の組み合わせ
（２）樹脂基板１００表層部の無機充填材の含有量
より具体的には、以下のような条件が好ましい。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。
（１）金属張積層板１００を構成する材料としてはエポキシ樹脂（Ａ）と、ビスマレイミド化合物（Ｂ）およびシアネート樹脂（Ｄ）から選択される１種以上と、無機充填材（Ｃ）とを選択する。
（２）プリプレグ作製時において、プリプレグ表面部の無機充填材の量を低下させる。
（１）金属張積層板１００を構成する材料としてはエポキシ樹脂（Ａ）と、ビスマレイミド化合物（Ｂ）およびシアネート樹脂（Ｄ）から選択される１種以上と、無機充填材（Ｃ）とを選択する。
（２）プリプレグ作製時において、プリプレグ表面部の無機充填材の量を低下させる。
ここで、プリプレグ（Ｐ）の製造方法について説明する。
はじめに、繊維基材にエポキシ樹脂組成物（Ａ）を含浸させ、その後、半硬化させることにより、プリプレグ（Ｐ１）を得る。次いで、得られたプリプレグ（Ｐ１）またはプリプレグ（Ｐ１）を２枚以上重ね合わせた積層体の片面または両面にエポキシ樹脂組成物（Ａ）とは異なる種類のエポキシ樹脂組成物（Ｂ）からなる樹脂層をラミネートし、その後、半硬化させる。こうすることにより、プリプレグ（Ｐ）を得ることができる。また、本実施形態では、プリプレグ（Ｐ）を硬化してなる層のうち、繊維基材を含む層が繊維基材層１０１であり、それ以外の繊維基材を含まない層が樹脂層１０３である。
はじめに、繊維基材にエポキシ樹脂組成物（Ａ）を含浸させ、その後、半硬化させることにより、プリプレグ（Ｐ１）を得る。次いで、得られたプリプレグ（Ｐ１）またはプリプレグ（Ｐ１）を２枚以上重ね合わせた積層体の片面または両面にエポキシ樹脂組成物（Ａ）とは異なる種類のエポキシ樹脂組成物（Ｂ）からなる樹脂層をラミネートし、その後、半硬化させる。こうすることにより、プリプレグ（Ｐ）を得ることができる。また、本実施形態では、プリプレグ（Ｐ）を硬化してなる層のうち、繊維基材を含む層が繊維基材層１０１であり、それ以外の繊維基材を含まない層が樹脂層１０３である。
本実施形態において、エポキシ樹脂組成物（Ａ）を繊維基材に含浸させる方法としては、とくに限定されないが、例えば、（１）支持基材付き樹脂層を繊維基材にラミネートする方法、（２）樹脂材料を溶剤に溶かして樹脂ワニスを調製し、樹脂ワニスを繊維基材に塗布する方法、などが挙げられる。
これらの中でも、（１）支持基材付き樹脂層を繊維基材にラミネートする方法がとくに好ましい。支持基材付き樹脂層を繊維基材にラミネートする方法は、繊維基材にかかる張力を低圧に調節することが容易である。
とくに、繊維基材の厚さが０．２ｍｍ以下の場合、（１）支持基材付き樹脂層を繊維基材にラミネートする方法が好ましい。この方法によれば、繊維基材に対する樹脂材料の含浸量を自在に調節でき、プリプレグの成形性をさらに向上できる。なお、支持基材付き樹脂層を繊維基材にラミネートする場合、真空のラミネート装置などを用いることがより好ましい。
これらの中でも、（１）支持基材付き樹脂層を繊維基材にラミネートする方法がとくに好ましい。支持基材付き樹脂層を繊維基材にラミネートする方法は、繊維基材にかかる張力を低圧に調節することが容易である。
とくに、繊維基材の厚さが０．２ｍｍ以下の場合、（１）支持基材付き樹脂層を繊維基材にラミネートする方法が好ましい。この方法によれば、繊維基材に対する樹脂材料の含浸量を自在に調節でき、プリプレグの成形性をさらに向上できる。なお、支持基材付き樹脂層を繊維基材にラミネートする場合、真空のラミネート装置などを用いることがより好ましい。
繊維基材の両面から支持基材付き樹脂層で繊維基材をラミネートする方法を用いたプリプレグ（Ｐ１）の製造工程について、図４を用いて説明する。
まず、材料として、キャリア材料５ａ、５ｂ、繊維基材１１を用意する。また、装置として、真空ラミネート装置６０および熱風乾燥装置６２を用意する。キャリア材料５ａ、５ｂは、エポキシ樹脂組成物（Ａ）からなる樹脂層（Ａ）で構成される。キャリア材料５ａ、５ｂは、例えばキャリアフィルムにエポキシ樹脂組成物（Ａ）の樹脂ワニスを塗工する方法により得ることができる。
次いで、真空ラミネート装置６０を用いてキャリア材料５ａ、繊維基材１１およびキャリア材料５ｂをこの順で接合した接合体を形成する。真空ラミネート装置６０は、キャリア材料５ａを巻き取ったロール、キャリア材料５ｂを巻き取ったロール、繊維基材１１を巻き取ったロールおよびラミネートロール６１を備える。減圧下で、繊維基材１１の両面に、各ロールから送り出されたキャリア材料５ａおよびキャリア材料５ｂを重ね合わせる。そして、例えば、真空中、加熱６０℃以上１５０℃以下で、重ね合わせた積層体をラミネートロール６１で接合する。これにより、キャリア材料５ａ、繊維基材１１およびキャリア材料５ｂから構成される接合体が得られる。
このような接合工程には、例えば真空ボックス装置、真空ベクレル装置などの他の装置を用いることができる。
次いで、熱風乾燥装置６２を用いて、接合体を構成する各キャリア材料５ａ、５ｂを構成するエポキシ樹脂組成物の溶融温度以上の温度で加熱処理する。熱処理する他の方法は、例えば赤外線加熱装置、加熱ロール装置、平板状の熱盤プレス装置などを用いて実施することができる。
キャリア材料５ａ、５ｂを繊維基材１１にラミネートした後、キャリアフィルムを剥離する。この方法により、繊維基材１１にエポキシ樹脂組成物（Ａ）が担持され、エポキシ樹脂組成物（Ａ）と繊維基材１１とを含むプリプレグ（Ｐ１）ができる。
つづいて、上記で得られたプリプレグ（Ｐ１）を用いたプリプレグ（Ｐ）の製造方法について説明する。
まず、材料として、エポキシ樹脂組成物（Ｂ）からなる樹脂層（Ｂ）を用意する。樹脂層（Ｂ）は、例えばキャリアフィルムにエポキシ樹脂組成物（Ｂ）の樹脂ワニスを塗工する方法などにより得ることができる。
次いで、真空ラミネート装置を用いて樹脂層（Ｂ）、プリプレグ（Ｐ１）および樹脂層（Ｂ）をこの順で接合した接合体を形成する。この時、プリプレグ（Ｐ１）は２枚以上接合してもよい。この方法により、プリプレグ（Ｐ１）の両面にエポキシ樹脂組成物（Ｂ）からなる樹脂層（Ｂ）が形成され、プリプレグ（Ｐ）を得ることができる。
つづいて、上記で得られたプリプレグ（Ｐ）を用いた金属張積層板２００および樹脂基板１００の製造方法について説明する。プリプレグ（Ｐ）を用いた金属張積層板２００および樹脂基板１００の製造方法は、例えば以下の通りである。
プリプレグ（Ｐ）またはプリプレグ（Ｐ）を２枚以上重ね合わせた積層体の外側の上下両面または片面に金属箔１０５を重ね、ラミネーター装置やベクレル装置を用いて高真空条件下でこれらを接合する、あるいはそのままプリプレグ（Ｐ）の外側の上下両面または片面に金属箔１０５を重ねる。また、プリプレグ（Ｐ）を２枚以上積層するときは、積層したプリプレグ（Ｐ）の最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔１０５を重ねる。
次いで、プリプレグ（Ｐ）と金属箔１０５とを重ねた積層体を加熱加圧成形することで金属張積層板２００を得ることができる。
プリプレグ（Ｐ）またはプリプレグ（Ｐ）を２枚以上重ね合わせた積層体の外側の上下両面または片面に金属箔１０５を重ね、ラミネーター装置やベクレル装置を用いて高真空条件下でこれらを接合する、あるいはそのままプリプレグ（Ｐ）の外側の上下両面または片面に金属箔１０５を重ねる。また、プリプレグ（Ｐ）を２枚以上積層するときは、積層したプリプレグ（Ｐ）の最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔１０５を重ねる。
次いで、プリプレグ（Ｐ）と金属箔１０５とを重ねた積層体を加熱加圧成形することで金属張積層板２００を得ることができる。
上記の加熱加圧成形するときの加熱温度は、１２０℃以上２５０℃以下が好ましく、１５０℃以上２４０℃以下がより好ましい。
また、上記の加熱加圧成形するときの圧力は、０．５ＭＰａ以上５ＭＰａ以下が好ましく、２．５ＭＰａ以上５ＭＰａ以下の高圧がより好ましい。
また、上記の加熱加圧成形するときの圧力は、０．５ＭＰａ以上５ＭＰａ以下が好ましく、２．５ＭＰａ以上５ＭＰａ以下の高圧がより好ましい。
また、加熱加圧成形後に、必要に応じて、恒温槽などで後硬化をおこなってもよい。後硬化の温度は、好ましくは１５０℃以上３００℃以下であり、より好ましくは２５０℃以上３００℃以下である。
この金属張積層板２００から金属箔１０５を除去することにより樹脂基板１００を得ることができる。
また、この金属張積層板２００または樹脂基板１００をコア基板として用いてプリント配線基板を得ることができる。
以下、金属張積層板２００および樹脂基板１００を製造する際に使用する各材料について詳細に説明する。
金属箔１０５を構成する金属としては、例えば、銅および銅系合金、アルミおよびアルミ系合金、銀および銀系合金、金および金系合金、亜鉛および亜鉛系合金、ニッケルおよびニッケル系合金、錫および錫系合金、鉄および鉄系合金、コバール（商標名）、４２アロイ、インバーまたはスーパーインバーなどのＦｅ−Ｎｉ系の合金、ＷまたはＭｏなどが挙げられる。これらの中でも、金属箔１０５を構成する金属としては、導電性に優れ、エッチングによる回路形成が容易であり、また安価であることから銅または銅合金が好ましい。すなわち、金属箔１０５としては、銅箔が好ましい。
また、金属箔１０５としては、キャリア付金属箔なども使用することができる。
金属箔１０５の厚みは、好ましくは０．５μｍ以上２０μｍ以下であり、より好ましくは１．５μｍ以上１８μｍ以下である。
また、金属箔１０５としては、キャリア付金属箔なども使用することができる。
金属箔１０５の厚みは、好ましくは０．５μｍ以上２０μｍ以下であり、より好ましくは１．５μｍ以上１８μｍ以下である。
エポキシ樹脂組成物（Ａ）および（Ｂ）は、エポキシ樹脂（Ａ）および無機充填材（Ｂ）をそれぞれ含む。
エポキシ樹脂（Ａ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，３−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，４−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）などのビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂，縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。
エポキシ樹脂（Ａ）として、これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上とそれらのプレポリマーとを併用してもよい。
エポキシ樹脂（Ａ）の中でも、得られるプリント配線基板の耐熱性および絶縁信頼性をより一層向上できる観点から、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種または二種以上が好ましく、アラルキル型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂およびナフタレン型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種または二種以上がより好ましい。
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「エピコート８２８ＥＬ」および「ＹＬ９８０」などを用いることができる。ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「ｊＥＲ８０６Ｈ」および「ＹＬ９８３Ｕ」、ＤＩＣ社製の「ＥＰＩＣＬＯＮ ８３０Ｓ」などを用いることができる。２官能ナフタレン型エポキシ樹脂としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」および「ＨＰ４０３２ＳＳ」などを用いることができる。４官能ナフタレン型エポキシ樹脂としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４７００」および「ＨＰ４７１０」などを用いることができる。ナフトール型エポキシ樹脂としては、新日鐵化学社製の「ＥＳＮ−４７５Ｖ」、日本化薬社製の「ＮＣ７０００Ｌ」などを用いることができる。アラルキル型エポキシ樹脂としては、日本化薬社製の「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３０００Ｓ」、「ＮＣ３０００Ｓ−Ｈ」、「ＮＣ３１００」、新日鐵化学社製の「ＥＳＮ−１７０」、および「ＥＳＮ−４８０」などを用いることができる。ビフェニル型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「ＹＸ４０００」、「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００ＨＫ」および「ＹＬ６１２１」などを用いることができる。アントラセン型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「ＹＸ８８００」などを用いることができる。ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ６０００」、「ＥＸＡ−７３１０」、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１Ｌ」および「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」などを用いることができる。
エポキシ樹脂（Ａ）として、これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。
これらエポキシ樹脂（Ａ）の中でもとくにアラルキル型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、樹脂基板１００の吸湿半田耐熱性および難燃性をさらに向上させることができる。
アラルキル型エポキシ樹脂は、例えば、下記（１）式で表される。
アラルキル型エポキシ樹脂は、例えば、下記（１）式で表される。
アラルキル型エポキシ樹脂の具体例としては、以下の（１ａ）および（１ｂ）が挙げられる。
上記以外のエポキシ樹脂（Ａ）としては縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、耐熱性、低熱膨張性をさらに向上させることができる。
縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、テトラセン、クリセン、ピレン、トリフェニレン、およびテトラフェン、その他の縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂である。縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、複数の芳香環が規則的に配列することができるため低熱膨張性に優れる。また、ガラス転移温度も高いため耐熱性に優れる。さらに、繰返し構造の分子量が大きいため従来のノボラック型エポキシ樹脂に比べ難燃性に優れる。
縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、フェノール類化合物とアルデヒド類化合物、および縮合環芳香族炭化水素化合物から合成された、ノボラック型フェノール樹脂をエポキシ化したものである。
フェノール類化合物は、とくに限定されないが、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールなどのクレゾール類、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノールなどのキシレノール類、２，３，５トリメチルフェノールなどのトリメチルフェノール類、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノールなどのエチルフェノール類、イソプロピルフェノール、ブチルフェノール、ｔ−ブチルフェノールなどのアルキルフェノール類、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、カテコール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレンなどのナフタレンジオール類、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、ピロガロール、フルオログルシンなどの多価フェノール類、アルキルレゾルシン、アルキルカテコール、アルキルハイドロキノンなどのアルキル多価フェノール類が挙げられる。これらのうち、コスト面および分解反応に与える効果から、フェノールが好ましい。
アルデヒド類化合物は、とくに限定されないが、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ポリオキシメチレン、クロラール、ヘキサメチレンテトラミン、フルフラール、グリオキザール、ｎ−ブチルアルデヒド、カプロアルデヒド、アリルアルデヒド、ベンズアルデヒド、クロトンアルデヒド、アクロレイン、テトラオキシメチレン、フェニルアセトアルデヒド、ｏ−トルアルデヒド、サリチルアルデヒド、ジヒドロキシベンズアルデヒド、トリヒドロキシベンズアルデヒド、４−ヒドロキシ−３−メトキシアルデヒド、パラホルムアルデヒドなどが挙げられる。
縮合環芳香族炭化水素化合物は、とくに限定されないが、例えば、メトキシナフタレン、ブトキシナフタレンなどのナフタレン誘導体、メトキシアントラセンなどのアントラセン誘導体、メトキシフェナントレンなどのフェナントレン誘導体、その他テトラセン誘導体、クリセン誘導体、ピレン誘導体、トリフェニレン誘導体、およびテトラフェン誘導体などが挙げられる。
縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂は、とくに限定されないが、例えば、メトキシナフタレン変性オルトクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ブトキシナフタレン変性メタ（パラ）クレゾールノボラックエポキシ樹脂、およびメトキシナフタレン変性ノボラックエポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、下記式（Ｖ）で表される縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。
（式中、Ａｒは縮合環芳香族炭化水素基であり、Ｒは互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１以上１０以下の炭化水素基、ハロゲン元素、フェニル基、ベンジル基などのアリール基、およびグリシジルエーテルを含む有機基から選ばれる基で、ｎ、ｐ、およびｑは１以上の整数であり、またｐ、ｑの値は、繰り返し単位毎に同一でも、異なっていてもよい。）
（式（Ｖ）中のＡｒは、式（ＶＩ）中の（Ａｒ１）〜（Ａｒ４）で表される構造であり、式（ＶＩ）中のＲは、互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子、炭素数１以上１０以下の炭化水素基、ハロゲン元素、フェニル基、ベンジル基などのアリール基、およびグリシジルエーテルを含む有機基から選ばれる基である。）
さらに上記以外のエポキシ樹脂（Ａ）としてはナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂などのナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、樹脂基板１００の耐熱性、低熱膨張性をさらに向上させることができる。また、ベンゼン環に比べナフタレン環のπ−πスタッキング効果が高いため、特に、低熱膨張性、低熱収縮性に優れる。さらに、多環構造のため剛直効果が高く、ガラス転移温度が特に高いため、リフロー前後の熱収縮変化が小さい。ナフトール型エポキシ樹脂としては、例えば下記一般式（ＶＩＩ−１）、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂としては下記式（ＶＩＩ−２）、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂としては下記式（ＶＩＩ−３）（ＶＩＩ−４）（ＶＩＩ−５）、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂としては、例えば、下記一般式（ＶＩＩ−６）で示すことができる。
エポキシ樹脂（Ａ）の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、とくに限定されないが、Ｍｗ５００以上が好ましく、とくにＭｗ８００以上が好ましい。Ｍｗが上記下限値以上であると、プリプレグ（Ｐ）にタック性が生じるのを抑制することができる。Ｍｗの上限は、とくに限定されないが、Ｍｗ２０，０００以下が好ましく、とくにＭｗ１５，０００以下が好ましい。Ｍｗが上記上限値以下であると、樹脂基板１００作製時、繊維基材への含浸性が向上し、より均一な樹脂基板１００を得ることができる。エポキシ樹脂のＭｗは、例えばＧＰＣで測定することができる。
エポキシ樹脂組成物（Ａ）中に含まれるエポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、その目的に応じて適宜調整されれば良くとくに限定されないが、エポキシ樹脂組成物（Ａ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、１．０質量％以上２５．０質量％以下が好ましく、さらに５．０質量％以上２０．０質量％以下が好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量が上記下限値以上であると、ハンドリング性が向上し、第一樹脂層１０３ａを形成するのが容易となる。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量が上記上限値以下であると、樹脂基板１００の強度や難燃性が向上したり、樹脂基板１００の線膨張係数が低下し、反りの低減効果が向上したりする場合がある。
エポキシ樹脂組成物（Ｂ）中に含まれるエポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、その目的に応じて適宜調整されれば良くとくに限定されないが、エポキシ樹脂組成物（Ｂ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、５．０質量％以上４５．０質量％以下が好ましく、さらに１０．０質量％以上４０．０質量％以下が好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量が上記下限値以上であると、ハンドリング性が向上し、第二樹脂層１０３ｂを形成するのが容易となる。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量が上記上限値以下であると、樹脂基板１００の強度や難燃性が向上したり、樹脂基板１００の線膨張係数が低下し、反りの低減効果が向上したりする場合がある。
本実施形態に係るエポキシ樹脂組成物（Ａ）および（Ｂ）は、ビスマレイミド化合物（Ｃ）をさらに含むのが好ましい。ビスマレイミド化合物のマレイミド基は、５員環の平面構造を有し、マレイミド基の二重結合が分子間で相互作用しやすく極性が高いため、マレイミド基、ベンゼン環、その他の平面構造を有する化合物などと強い分子間相互作用を示し、分子運動を抑制することができる。そのため、エポキシ樹脂組成物（Ａ）および（Ｂ）は、ビスマレイミド化合物（Ｃ）を含むことにより、得られる樹脂基板１００の線膨張係数を下げ、ガラス転移温度を向上させることができ、さらに、耐熱性を向上させることができる。
ビスマレイミド化合物（Ｃ）としては、分子内に少なくとも２つのマレイミド基を有するビスマレイミド化合物（Ｃ−１）が好ましい。
ビスマレイミド化合物（Ｃ−１）としては、例えば、４，４'−ジフェニルメタンビスマレイミド、ｍ−フェニレンビスマレイミド、ｐ−フェニレンビスマレイミド、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス−（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン、４−メチル−１，３−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'−エチレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレンジマレイミド、ビス（４−マレイミドフェニル）エーテル、ビス（４−マレイミドフェニル）スルホン、３，３−ジメチル−５，５−ジエチル−４，４−ジフェニルメタンビスマレイミドなどの分子内に２つのマレイミド基を有する化合物、ポリフェニルメタンマレイミドなどの分子内に３つ以上のマレイミド基を有する化合物などが挙げられる。
これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用することもできる。これらのビスマレイミド化合物（Ｃ−１）の中でも、低吸水率である点などから、４，４'−ジフェニルメタンビスマレイミド、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス−（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン、ポリフェニルメタンマレイミドが好ましい。
ビスマレイミド化合物（Ｃ−１）としては、例えば、４，４'−ジフェニルメタンビスマレイミド、ｍ−フェニレンビスマレイミド、ｐ−フェニレンビスマレイミド、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス−（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン、４−メチル−１，３−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ'−エチレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレンジマレイミド、ビス（４−マレイミドフェニル）エーテル、ビス（４−マレイミドフェニル）スルホン、３，３−ジメチル−５，５−ジエチル−４，４−ジフェニルメタンビスマレイミドなどの分子内に２つのマレイミド基を有する化合物、ポリフェニルメタンマレイミドなどの分子内に３つ以上のマレイミド基を有する化合物などが挙げられる。
これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用することもできる。これらのビスマレイミド化合物（Ｃ−１）の中でも、低吸水率である点などから、４，４'−ジフェニルメタンビスマレイミド、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス−（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン、ポリフェニルメタンマレイミドが好ましい。
また、ビスマレイミド化合物（Ｃ）としては、ビスマレイミド化合物（Ｃ−１）とアミン化合物との反応物を用いることもできる。アミン化合物としては、芳香族ジアミン化合物およびモノアミン化合物から選択される少なくとも１種を用いることができる。
芳香族ジアミン化合物としては、例えば、ｏ−ジアニシジン、ｏ−トリジン、３，３'−ジヒドロキシ−４，４'−ジアミノビフェニル、４，４'−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、２，２'−ジメチル−４，４'−ジアミノビフェニル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｏ−キシレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノジフェニルプロパン、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、３，３'−ジアミノジフェニルスルホン、１，５−ジアミノナフタレン、４，４'−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）ジアニリン、２，２−［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、４，４'−ジアミノ−３，３'−ジメチル−ジフェニルメタン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホンなどがあげられる。
モノアミン化合物としては、例えば、o−アミノフェノール、ｍ−アミノフェノール、ｐ−アミノフェノール、o−アミノ安息香酸、ｍ−アミノ安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、o−アミノベンゼンスルホン酸、ｍ−アミノベンゼンスルホン酸、ｐ−アミノベンゼンスルホン酸、３，５−ジヒドロキシアニリン、３，５−ジカルボキシアニリン、o−アニリン、ｍ−アニリン、ｐ−アニリン、o−メチルアニリン、ｍ−メチルアニリン、ｐ−メチルアニリン、o−エチルアニリン、ｍ−エチルアニリン、ｐ−エチルアニリン、o−ビニルアニリン、ｍ−ビニルアニリン、ｐ−ビニルアニリン、o−アリルアニリン、ｍ−アリルアニリン、ｐ−アリルアニリンなどが挙げられる。
ビスマレイミド化合物（Ｃ−１）とアミン化合物との反応は、有機溶媒中で反応させることができる。反応温度は、例えば７０〜２００℃であり、反応時間は、例えば０．１〜１０時間である。
本実施形態に係るエポキシ樹脂組成物（Ａ）および（Ｂ）は、ビスマレイミド化合物（Ｃ）の代わりにシアネート樹脂（Ｄ）を含んでもよいし、ビスマレイミド化合物（Ｃ）の一部をシアネート樹脂（Ｄ）に変更してもよい。
上記シアネート樹脂（Ｄ）は、特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類やナフトール類とを反応させ、必要に応じて加熱などの方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。
エポキシ樹脂組成物（Ａ）および（Ｂ）は、熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（Ｄ）をさらに含むことにより、得られる樹脂基板１００の線膨張係数を小さくすることができる。さらに、シアネート樹脂（Ｄ）を用いることにより、得られる樹脂基板１００の電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機械強度などを向上できる。
上記シアネート樹脂（Ｄ）は、特に限定されないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物とフェノール類やナフトール類とを反応させ、必要に応じて加熱などの方法でプレポリマー化することにより得ることができる。また、このようにして調製された市販品を用いることもできる。
エポキシ樹脂組成物（Ａ）および（Ｂ）は、熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（Ｄ）をさらに含むことにより、得られる樹脂基板１００の線膨張係数を小さくすることができる。さらに、シアネート樹脂（Ｄ）を用いることにより、得られる樹脂基板１００の電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機械強度などを向上できる。
シアネート樹脂（Ｄ）は、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂;ナフトールアラルキル型フェノール樹脂と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるナフトールアラルキル型シアネート樹脂;ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂;ビフェニルアルキル型シアネート樹脂などを挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂、ナフトールアラルキル型シアネート樹脂が好ましく、ノボラック型シアネート樹脂がより好ましい。ノボラック型シアネート樹脂を用いることにより、得られる樹脂基板１００の架橋密度が増加し、耐熱性が向上する。
この理由としては、ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成することが挙げられる。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。また、ノボラック型シアネート樹脂を含む絶縁層は優れた剛性を有する。よって、樹脂基板１００の耐熱性をより一層向上できる。
ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば、下記一般式（Ｉ）で示されるものを使用することができる。
ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば、下記一般式（Ｉ）で示されるものを使用することができる。
一般式（Ｉ）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは任意の整数である。平均繰り返し単位ｎは、とくに限定されないが、１以上が好ましく、２以上がより好ましい。平均繰り返し単位ｎが上記下限値以上であると、ノボラック型シアネート樹脂の耐熱性が向上し、加熱時に低量体が脱離、揮発することを抑制できる。また、平均繰り返し単位ｎは、とくに限定されないが、１０以下が好ましく、７以下がより好ましい。ｎが上記上限値以下であると、溶融粘度が高くなるのを抑制でき、樹脂基板１００の成形性を向上させることができる。
また、シアネート樹脂（Ｄ）としては、下記一般式（II）で表わされるナフトールアラルキル型シアネート樹脂も好適に用いられる。下記一般式（II）で表わされるナフトールアラルキル型シアネート樹脂は、例えば、α−ナフトールあるいはβ−ナフトールなどのナフトール類とｐ−キシリレングリコール、α，α'−ジメトキシ−ｐ−キシレン、１，４−ジ（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ベンゼンなどとの反応により得られるナフトールアラルキル型フェノール樹脂とハロゲン化シアンとを縮合させて得られるものである。一般式（II）の繰り返し単位ｎは１０以下の整数であることが好ましい。繰り返し単位ｎが１０以下であると、より均一な絶縁層を得ることができる。また、合成時に分子内重合が起こりにくく、水洗時の分液性が向上し、収量の低下を防止できる傾向がある。
また、シアネート樹脂（Ｄ）は１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーとを併用してもよい。
エポキシ樹脂組成物（Ａ）中に含まれるビスマレイミド化合物（Ｃ）およびシアネート樹脂（Ｄ）の合計含有量は、とくに限定されないが、エポキシ樹脂組成物（Ａ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、１．０質量％以上２５．０質量％以下が好ましく、２．０質量％以上２０．０質量％以下がより好ましい。ビスマレイミド化合物（Ｃ）およびシアネート樹脂（Ｄ）の合計含有量が上記範囲内であると、樹脂基板１００の弾性率をより一層向上させることができる。
エポキシ樹脂組成物（Ｂ）中に含まれるビスマレイミド化合物（Ｃ）およびシアネート樹脂（Ｄ）の合計含有量は、とくに限定されないが、エポキシ樹脂組成物（Ｂ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、１５．０質量％以上５０．０質量％以下が好ましく、２０．０質量％以上４５．０質量％以下がより好ましい。ビスマレイミド化合物（Ｃ）およびシアネート樹脂（Ｄ）の合計含有量が上記下限値以上であると、樹脂基板１００の弾性率を向上させることができる。ビスマレイミド化合物（Ｃ）およびシアネート樹脂（Ｄ）の合計含有量が上記上限値以下であると、樹脂基板１００のピール強度を向上させることができる。
本実施形態に係るエポキシ樹脂組成物（Ａ）および（Ｂ）は、無機充填材（Ｂ）を含んでいる。これにより、樹脂基板１００の貯蔵弾性率Ｅ'を向上させることができる。さらに、樹脂基板１００の線膨張係数を小さくすることができる。
無機充填材（Ｂ）としては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカなどの酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物；チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。
これらの中でも、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましい。無機充填材（Ｂ）としては、これらの中の１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。
無機充填材（Ｂ）としては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカなどの酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物；チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。
これらの中でも、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましい。無機充填材（Ｂ）としては、これらの中の１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。
エポキシ樹脂組成物（Ａ）に含有させる無機充填材（Ｂ２）の平均粒子径は、好ましくは０．０４μｍ以上５．０μｍ未満であり、より好ましくは０．１μｍ以上３．０μｍ未満であり、さらに好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下である。無機充填材（Ｂ２）の平均粒子径が上記下限値以上であると、ワニスの粘度が高くなるのを抑制でき、第一樹脂層１０３ａ作製時の作業性を向上させることができる。無機充填材（Ｂ２）の平均粒子径が上記上限値以下であると、ワニス中で無機充填材（Ｂ２）の沈降などの現象を抑制でき、より均一な第一樹脂層１０３ａを得ることができる。
エポキシ樹脂組成物（Ｂ）に含有させる無機充填材（Ｂ１）の平均粒子径は、好ましくは０．０４μｍ以上５．０μｍ以下であり、より好ましくは０．１μｍ以上３．０μｍ以下であり、さらに好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下である。無機充填材（Ｂ１）の平均粒子径が上記下限値以上であると、ワニスの粘度が高くなるのを抑制でき、第一樹脂層１０３ｂ作製時の作業性を向上させることができる。無機充填材（Ｂ１）の平均粒子径が上記上限値以下であると、ワニス中で無機充填材（Ｂ１）の沈降などの現象を抑制でき、より均一な第二樹脂層１０３ｂを得ることができる。
無機充填材（Ｂ）の平均粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ５０）を平均粒子径とすることができる。
また、無機充填材（Ｂ）は、とくに限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いてもよいし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いてもよい。さらに平均粒子径が単分散および／または多分散の無機充填材を１種類または２種類以上で併用してもよい。
エポキシ樹脂組成物（Ａ）において、無機充填材（Ｂ２）の含有量は、エポキシ樹脂組成物（Ａ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、５０．０質量％以上９５．０質量％以下が好ましく、６５．０質量％以上９０．０質量％以下がより好ましい。
エポキシ樹脂組成物（Ｂ）において、無機充填材（Ｂ１）の含有量は、エポキシ樹脂組成物（Ｂ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、５．０質量％以上６５．０質量％以下が好ましく、１０．０質量％以上６０．０質量％以下がより好ましく、２０．０質量％以上５５．０質量％以下が特に好ましい。
このほか、必要に応じて、エポキシ樹脂組成物（Ａ）および（Ｂ）には硬化剤、カップリング剤を適宜配合することができる。
硬化剤としては、例えば、ベンジルジメチルアミン（ＢＤＭＡ）、２，４，６−トリスジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）などの３級アミン化合物；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（ＥＭＩ２４）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（２ＰＺ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（１Ｂ２ＰＺ）などのイミダゾール化合物；ＢＦ３錯体などのルイス酸などの触媒型の硬化剤が挙げられる。
また、例えば、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｏ−キシレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノジフェニルプロパン、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、３，３'−ジアミノジフェニルスルホン、１，５−ジアミノナフタレン、４，４'−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）ジアニリン、２，２−［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、４，４'−ジアミノ−３，３'−ジメチルジフェニルメタン、４，４'−ジアミノ−３，３'−ジエチル−５，５'−ジメチルジフェニルメタン、３，３'−ジエチル−４，４'−ジアミノジフェニルメタンなどの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類などの重付加型の硬化剤；２，２'−メチレンビス（４−エチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２'−メチレンビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４'−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４'−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルハイドロキノン、１，３，５−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）トリオンなどのフェノール系化合物も用いることができる。
また、例えば、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｏ−キシレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノジフェニルプロパン、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、３，３'−ジアミノジフェニルスルホン、１，５−ジアミノナフタレン、４，４'−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）ジアニリン、２，２−［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、４，４'−ジアミノ−３，３'−ジメチルジフェニルメタン、４，４'−ジアミノ−３，３'−ジエチル−５，５'−ジメチルジフェニルメタン、３，３'−ジエチル−４，４'−ジアミノジフェニルメタンなどの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類などの重付加型の硬化剤；２，２'−メチレンビス（４−エチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，２'−メチレンビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４'−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４'−チオビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルハイドロキノン、１，３，５−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）トリオンなどのフェノール系化合物も用いることができる。
さらに、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂などのフェノール樹脂系硬化剤；メチロール基含有尿素樹脂のような尿素樹脂；メチロール基含有メラミン樹脂のようなメラミン樹脂などの縮合型の硬化剤も用いてもよい。
フェノール樹脂系硬化剤は、一分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂；トリフェノールメタン型フェノール樹脂などの多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂などの変性フェノール樹脂；フェニレン骨格および／またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂などのアラルキル型樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦなどのビスフェノール化合物などが挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。これらのうち、硬化性の点から水酸基当量は９０ｇ／ｅｑ以上、２５０ｇ／ｅｑ以下のものが好ましい。
フェノール樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量４×１０２〜１．８×１０３が好ましく、５×１０２〜１．５×１０３がより好ましい。重量平均分子量を上記下限値以上とすることでプリプレグにタック性が生じるなどの問題がおこりにくくなり、上記上限値以下とすることで、プリプレグ作製時、繊維基材への含浸性が向上し、より均一な製品が得ることができる。
フェノール樹脂系硬化剤は、一分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂；トリフェノールメタン型フェノール樹脂などの多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂などの変性フェノール樹脂；フェニレン骨格および／またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂などのアラルキル型樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦなどのビスフェノール化合物などが挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。これらのうち、硬化性の点から水酸基当量は９０ｇ／ｅｑ以上、２５０ｇ／ｅｑ以下のものが好ましい。
フェノール樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量４×１０２〜１．８×１０３が好ましく、５×１０２〜１．５×１０３がより好ましい。重量平均分子量を上記下限値以上とすることでプリプレグにタック性が生じるなどの問題がおこりにくくなり、上記上限値以下とすることで、プリプレグ作製時、繊維基材への含浸性が向上し、より均一な製品が得ることができる。
エポキシ樹脂組成物（Ａ）において、上記硬化剤の含有量は、とくに限定されないが、エポキシ樹脂組成物（Ａ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、０．０１質量％以上１５．０質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上１０．０質量％以下がより好ましい。硬化剤の含有量が上記下限値以上であると、硬化を促進する効果を十分に発揮することができる。硬化剤の含有量が上記上限値以下であるとプリプレグの保存性をより向上できる。
エポキシ樹脂組成物（Ｂ）において、上記硬化剤の含有量は、とくに限定されないが、エポキシ樹脂組成物（Ｂ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、０．０１質量％以上２０．０質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上１５．０質量％以下がより好ましい。硬化剤の含有量が上記下限値以上であると、硬化を促進する効果を十分に発揮することができる。硬化剤の含有量が上記上限値以下であるとプリプレグの保存性をより向上できる。
さらに、エポキシ樹脂組成物（Ａ）および（Ｂ）は、カップリング剤を含んでもよい。カップリング剤の使用により、繊維基材または無機充填材（Ｂ）と各樹脂との界面の濡れ性を向上させることができる。したがって、カップリング剤を使用することは好ましく、樹脂基板１００の耐熱性を改良することができる。
カップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤などのシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤などが挙げられる。カップリング剤は１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよい。
これにより、繊維基材または無機充填材（Ｂ）と各樹脂との界面の濡れ性を高くすることができ、それによって樹脂基板１００の耐熱性をより向上させることができる。
これにより、繊維基材または無機充填材（Ｂ）と各樹脂との界面の濡れ性を高くすることができ、それによって樹脂基板１００の耐熱性をより向上させることができる。
カップリング剤の添加量は、無機充填材（Ｂ）の比表面積に依存するのでとくに限定されないが、エポキシ樹脂組成物（Ａ）および（Ｂ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、０．０１質量％以上１質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上０．５質量％以下がより好ましい。
カップリング剤の含有量が上記下限値以上であると、無機充填材（Ｂ）を十分に被覆することができ、樹脂基板１００の耐熱性を向上させることができる。また、カップリング剤の含有量が上記上限値以下であると、反応に影響を与えるのを抑制でき、樹脂基板１００の曲げ強度などの低下を抑制することができる。
カップリング剤の含有量が上記下限値以上であると、無機充填材（Ｂ）を十分に被覆することができ、樹脂基板１００の耐熱性を向上させることができる。また、カップリング剤の含有量が上記上限値以下であると、反応に影響を与えるのを抑制でき、樹脂基板１００の曲げ強度などの低下を抑制することができる。
さらに、エポキシ樹脂組成物（Ａ）および（Ｂ）には、本発明の目的を損なわない範囲で、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤などの上記成分以外の添加物を添加してもよい。
顔料としては、カオリン、合成酸化鉄赤、カドミウム黄、ニッケルチタン黄、ストロンチウム黄、含水酸化クロム、酸化クロム、アルミ酸コバルト、合成ウルトラマリン青などの無機顔料、フタロシアニンなどの多環顔料、アゾ顔料などが挙げられる。
染料としては、イソインドリノン、イソインドリン、キノフタロン、キサンテン、ジケトピロロピロール、ペリレン、ペリノン、アントラキノン、インジゴイド、オキサジン、キナクリドン、ベンツイミダゾロン、ビオランスロン、フタロシアニン、アゾメチンなどが挙げられる。
エポキシ樹脂組成物（Ａ）および（Ｂ）は、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、Ｎ−メチルピロリドンなどの有機溶剤中で、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶解、混合、撹拌して樹脂ワニス（Ｉ）とすることができる。
樹脂ワニス（Ｉ）の固形分は、とくに限定されないが、４０質量％以上８０質量％以下が好ましく、とくに５０質量％以上７５質量％以下が好ましい。これにより、樹脂ワニス（Ｉ）の繊維基材への含浸性をさらに向上させることができる。
樹脂ワニス（Ｉ）の固形分は、とくに限定されないが、４０質量％以上８０質量％以下が好ましく、とくに５０質量％以上７５質量％以下が好ましい。これにより、樹脂ワニス（Ｉ）の繊維基材への含浸性をさらに向上させることができる。
以上のエポキシ樹脂組成物（Ａ）において、各成分の割合はたとえば、以下のようである。
エポキシ樹脂組成物（Ａ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、好ましくは、エポキシ樹脂（Ａ）の割合が１．０質量％以上２５．０質量％以下であり、ビスマレイミド化合物（Ｃ）およびシアネート樹脂（Ｄ）の合計が１．０質量％以上２５．０質量％以下であり、無機充填材（Ｂ２）の割合が５０．０質量％以上９５．０質量％以下である。
より好ましくは、エポキシ樹脂（Ａ）の割合が５．０質量％以上２０．０質量％以下であり、ビスマレイミド化合物（Ｃ）およびシアネート樹脂（Ｄ）の合計が２．０質量％以上２０．０質量％以下であり、無機充填材（Ｂ２）の割合が６５．０質量％以上９０．０質量％以下である。
エポキシ樹脂組成物（Ａ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、好ましくは、エポキシ樹脂（Ａ）の割合が１．０質量％以上２５．０質量％以下であり、ビスマレイミド化合物（Ｃ）およびシアネート樹脂（Ｄ）の合計が１．０質量％以上２５．０質量％以下であり、無機充填材（Ｂ２）の割合が５０．０質量％以上９５．０質量％以下である。
より好ましくは、エポキシ樹脂（Ａ）の割合が５．０質量％以上２０．０質量％以下であり、ビスマレイミド化合物（Ｃ）およびシアネート樹脂（Ｄ）の合計が２．０質量％以上２０．０質量％以下であり、無機充填材（Ｂ２）の割合が６５．０質量％以上９０．０質量％以下である。
また、エポキシ樹脂組成物（Ｂ）において、各成分の割合はたとえば、以下のようである。
エポキシ樹脂組成物（Ｂ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、好ましくは、エポキシ樹脂（Ａ）の割合が５．０質量％以上４５．０質量％以下であり、ビスマレイミド化合物（Ｃ）およびシアネート樹脂（Ｄ）の合計が１５．０質量％以上５０．０質量％以下であり、無機充填材（Ｂ１）の割合が５．０質量％以上６５．０質量％以下である。
より好ましくは、エポキシ樹脂（Ａ）の割合が１０．０質量％以上４０．０質量％以下であり、ビスマレイミド化合物（Ｃ）およびシアネート樹脂（Ｄ）の合計が２０．０質量％以上４５．０質量％以下であり、無機充填材（Ｂ１）の割合が１０．０質量％以上６０．０質量％以下である。
エポキシ樹脂組成物（Ｂ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、好ましくは、エポキシ樹脂（Ａ）の割合が５．０質量％以上４５．０質量％以下であり、ビスマレイミド化合物（Ｃ）およびシアネート樹脂（Ｄ）の合計が１５．０質量％以上５０．０質量％以下であり、無機充填材（Ｂ１）の割合が５．０質量％以上６５．０質量％以下である。
より好ましくは、エポキシ樹脂（Ａ）の割合が１０．０質量％以上４０．０質量％以下であり、ビスマレイミド化合物（Ｃ）およびシアネート樹脂（Ｄ）の合計が２０．０質量％以上４５．０質量％以下であり、無機充填材（Ｂ１）の割合が１０．０質量％以上６０．０質量％以下である。
繊維基材としては、とくに限定されないが、ガラスクロス、ガラス不織布などのガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維などのポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維などのポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維のいずれかを主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、あるいはリンターとクラフトパルプの混抄紙などを主成分とする紙基材などの有機繊維基材などが挙げられる。これらのうち、いずれかを使用することができる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、低吸水性で、高強度、低熱膨張性の樹脂基板１００を得ることができる。
繊維基材の厚みは、とくに限定されないが、好ましくは５μｍ以上１５０μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下であり、さらに好ましくは１２μｍ以上１００μｍ以下である。このような厚みを有する繊維基材を用いることにより、プリプレグ製造時のハンドリング性がさらに向上できる。
繊維基材の厚みが上記上限値以下であると、繊維基材中のエポキシ樹脂組成物（Ａ）の含浸性が向上し、ストランドボイドや絶縁信頼性の低下の発生を抑制することができる。また炭酸ガス、ＵＶ、エキシマなどのレーザーによるスルーホールの形成を容易にすることができる。また、繊維基材の厚みが上記下限値以上であると、繊維基材やプリプレグの強度を向上させることができる。その結果、ハンドリング性が向上できたり、プリプレグの作製が容易となったり、樹脂基板１００の反りを抑制できたりする。
繊維基材の厚みが上記上限値以下であると、繊維基材中のエポキシ樹脂組成物（Ａ）の含浸性が向上し、ストランドボイドや絶縁信頼性の低下の発生を抑制することができる。また炭酸ガス、ＵＶ、エキシマなどのレーザーによるスルーホールの形成を容易にすることができる。また、繊維基材の厚みが上記下限値以上であると、繊維基材やプリプレグの強度を向上させることができる。その結果、ハンドリング性が向上できたり、プリプレグの作製が容易となったり、樹脂基板１００の反りを抑制できたりする。
本実施形態で用いる繊維基材としては、坪量（１ｍ２あたりの繊維基材の重量）が４ｇ／ｍ２以上１５０ｇ／ｍ２以下であることが好ましく、８ｇ／ｍ２以上１７０ｇ／ｍ２以下であることがより好ましく、１２ｇ／ｍ２以上１２０ｇ／ｍ２以下であることがさらに好ましく、１２ｇ／ｍ２以上１１０ｇ／ｍ２以下であることがとくに好ましい。
坪量が上記上限値以下であると、繊維基材中のエポキシ樹脂組成物（Ａ）の含浸性が向上し、ストランドボイドや絶縁信頼性の低下の発生を抑制することができる。また炭酸ガス、ＵＶ、エキシマなどのレーザーによるスルーホールの形成を容易にすることができる。また、坪量が上記下限値以上であると、繊維基材やプリプレグの強度を向上できる。その結果、ハンドリング性が向上できたり、プリプレグの作製が容易となったり、樹脂基板１００の反りを抑制できたりする。
ガラス繊維基材として、例えば、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｔガラス、ＮＥガラス、ＵＴガラス、Ｌガラス、ＨＰガラス、ＨＭＥガラスおよび石英ガラスなどからなるガラス繊維基材が好適に用いられる。
次に、本実施形態に係るプリント配線基板３００について説明する。図５および図６は、本実施形態におけるプリント配線基板３００の構成の一例を示す断面図である。
プリント配線基板３００は、ビアホール３０７が設けられた絶縁層３０１と、絶縁層３０１の少なくとも一方の面に設けられた金属層３０３とを少なくとも有する。なお、本実施形態において、ビアホール３０７とは層間を電気的に接続するための孔であり、貫通孔および非貫通孔いずれでもよい。
本実施形態に係るプリント配線基板３００は、図５に示すように、片面プリント配線基板であってもよいし、両面プリント配線基板または多層プリント配線基板であってもよい。両面プリント配線基板とは、絶縁層３０１の両面に金属層３０３を積層したプリント配線基板である。また、多層プリント配線基板とは、メッキスルーホール法やビルドアップ法などにより、絶縁層３０１上に、層間絶縁層（ビルドアップ層とも呼ぶ。）を介して金属層３０３を２層以上積層したプリント配線基板である。
ここで、本実施形態に係るプリント配線基板３００は、絶縁層３０１が本実施形態に係る樹脂基板１００に相当し、金属張積層板２００の絶縁層３０１に相当する。
ここで、本実施形態に係るプリント配線基板３００は、絶縁層３０１が本実施形態に係る樹脂基板１００に相当し、金属張積層板２００の絶縁層３０１に相当する。
金属層３０３は、例えば、回路層であり、無電解金属めっき膜３０８と、電解金属めっき層３０９とを有する。
プリント配線基板３００が、図６に示すような多層プリント配線基板の場合は、金属層３０３は、コア層３１１またはビルドアップ層３１７中の回路層である。
金属層３０３は、例えば、薬液処理またはプラズマ処理された絶縁層３０１の面上に、ＳＡＰ（セミアディティブプロセス）法により形成される。絶縁層３０１上に無電解めっき膜３０８を施した後、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより電解金属めっき層３０９付けを行い、めっきレジストの除去とフラッシュエッチングによる無電解金属めっき膜３０８の除去により、絶縁層３０１上に金属層３０３を形成する。
金属層３０３の回路寸法は、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）で表わすとき、２５μｍ／２５μｍ以下とすることができ、特に１５μｍ／１５μｍ以下とすることができる。回路寸法を小さくし、微細配線にすると、密着性の低下、配線間の絶縁信頼性が低下する。しかし、本実施形態に係るプリント配線基板３００は、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）１５μｍ／１５μｍ以下の微細配線が可能であり、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）１０μｍ／１０μｍ程度までの微細化を達成できる。
金属層３０３の厚みは、特に限定されないが、通常は５μｍ以上２５μｍ以下である。
ビルドアップ層３１７中の絶縁層３０５は、絶縁性の材料により構成されていれば特に限定されないが、たとえば、樹脂フィルム、プリプレグのいずれかにより構成することができる。これらの中でも、プリプレグはシート状材料であり、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性などの各種特性に優れ、プリント配線基板用のビルドアップ層３１７の製造に適しており好ましい。
プリプレグとしては、前述したプリプレグ（Ｐ）が特に好ましい。
プリプレグとしては、前述したプリプレグ（Ｐ）が特に好ましい。
コア層３１１中の絶縁層３０１（ビルドアップ層３１７を含まないプリント配線基板３００中の絶縁層３０１も含む。）の厚さは、好ましくは０．０２５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である。絶縁層３０１の厚さが上記範囲内であると、機械的強度および生産性のバランスがとくに優れ、薄型プリント配線基板に適した絶縁層３０１を得ることができる。
ビルドアップ層３１７中の絶縁層３０５の厚さは、好ましくは０．０１５ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下である。絶縁層３０５の厚さが上記範囲内であると、機械的強度および生産性のバランスがとくに優れ、薄型プリント配線基板に適した絶縁層３０５を得ることができる。
つづいて、プリント配線基板３００の製造方法の一例について説明する。ただし、本実施形態に係るプリント配線基板３００の製造方法は、以下の例に限定されない。
はじめに、金属張積層板２００を準備する。
次いで、エッチング処理により、金属箔１０５を除去する。
次いで、エッチング処理により、金属箔１０５を除去する。
次いで、絶縁層３０１にビアホール３０７を形成する。ビアホール３０７は、例えば、ドリル機やレーザー照射を用いて形成することができる。レーザー照射に用いるレーザーは、エキシマレーザー、ＵＶレーザー、炭酸ガスレーザーなどが挙げられる。ビアホール３０７を形成後の樹脂残渣などは、過マンガン酸塩、重クロム酸塩などの酸化剤などにより除去してもよい。
なお、エッチング処理による金属箔１０５の除去前に、絶縁層３０１にビアホール３０７を形成してもよい。
なお、エッチング処理による金属箔１０５の除去前に、絶縁層３０１にビアホール３０７を形成してもよい。
次いで、絶縁層３０１の表面に対して、薬液処理またはプラズマ処理を行う。
薬液処理としては、特に限定されず、有機物分解作用を有する酸化剤溶液などを使用する方法などが挙げられる。また、プラズマ処理としては、対象物となるものに直接酸化作用の強い活性種（プラズマ、ラジカルなど）を照射して有機物残渣を除去する方法などが挙げられる。
薬液処理としては、特に限定されず、有機物分解作用を有する酸化剤溶液などを使用する方法などが挙げられる。また、プラズマ処理としては、対象物となるものに直接酸化作用の強い活性種（プラズマ、ラジカルなど）を照射して有機物残渣を除去する方法などが挙げられる。
次に、金属層３０３を形成する。金属層３０３は、例えば、セミアディティブプロセスにより形成することができる。以下、具体的に説明する。
はじめに、無電解めっき法を用いて、絶縁層３０１の表面およびビアホール３０７に無電解金属めっき膜３０８を形成し、プリント配線基板３００の両面の導通を図る。またビアホール３０７は、導体ペースト、または樹脂ペーストで適宜埋めることができる。無電解めっき法の例を説明する。例えば、まず絶縁層３０１の表面上に触媒核を付与する。この触媒核としては、特に限定されないが、例えば、貴金属イオンやパラジウムコロイドを用いることができる。引き続き、この触媒核を核として、無電解めっき処理により無電解金属めっき膜３０８を形成する。無電解めっき処理には、例えば、硫酸銅、ホルマリン、錯化剤、水酸化ナトリウムなどを含むものを用いることができる。なお、無電解めっき後に、１００〜２５０℃の加熱処理を施し、めっき被膜を安定化させることが好ましい。１２０〜１８０℃の加熱処理が酸化を抑制できる被膜を形成できる点で、特に好ましい。また、無電解金属めっき膜３０８の平均厚さは、例えば、０．１〜２μｍ程度である。
次いで、無電解金属めっき膜３０８上に所定の開口パターンを有するめっきレジストを形成する。この開口パターンは、例えば回路パターンに相当する。めっきレジストとしては、特に限定されず、公知の材料を用いることができるが、液状およびドライフィルムを用いることができる。微細配線形成の場合には、めっきレジストとしては、感光性ドライフィルムなどを用いることが好ましい。感光性ドライフィルムを用いた一例を説明する。例えば、無電解金属めっき膜３０８上に感光性ドライフィルムを積層し、非回路形成領域を露光して光硬化させ、未露光部を現像液で溶解、除去する。硬化した感光性ドライフィルムを残存させることにより、めっきレジストを形成する。
次いで、少なくともめっきレジストの開口パターン内部かつ無電解金属めっき膜３０８上に、電気めっき処理により、電解金属めっき層３０９を形成する。電気めっき処理としては、特に限定されないが、通常のプリント配線基板で用いられる公知の方法を使用することができ、例えば、硫酸銅などのめっき液中に浸漬させた状態で、めっき液に電流を流すなどの方法を使用することができる。電解金属めっき層３０９は単層でもよく多層構造を有していてもよい。電解金属めっき層３０９の材料としては、特に限定されないが、例えば、銅、銅合金、４２合金、ニッケル、鉄、クロム、タングステン、金、半田のいずれか１種以上を用いることができる。
次いで、アルカリ性剥離液や硫酸または市販のレジスト剥離液などを用いてめっきレジストを除去する。
次いで、電解金属めっき層３０９が形成されている領域以外の無電解金属めっき膜３０８を除去する。例えば、ソフトエッチング（フラッシュエッチング）などを用いることにより、無電解金属めっき膜３０８を除去することができる。ここで、ソフトエッチング処理は、例えば、硫酸および過酸化水素を含むエッチング液を用いたエッチングにより行うことができる。これにより、金属層３０３を形成することができる。金属層３０３は無電解金属めっき膜３０８および電解金属めっき層３０９で構成されることになる。
さらに、プリント配線基板３００上に、必要に応じてビルドアップ層を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返すことにより、多層にすることができる。
以上により、本実施形態のプリント配線基板３００が得られる。
つづいて、本実施形態に係る半導体装置４００について説明する。図７および図８は、本発明に係る実施形態の半導体装置４００の構成の一例を示す断面図である。プリント配線基板３００は、図７および図８に示すような半導体装置４００に用いることができる。半導体装置４００の製造方法としては、とくに限定されないが、例えば以下のような方法がある。
まず、金属層３０３上に、必要に応じてビルドアップ層を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返す。そして、必要に応じてソルダーレジスト層４０１をプリント配線基板３００の両面または片面に積層する。
ソルダーレジスト層４０１の形成方法は、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストをラミネートし、露光、および現像することにより形成する方法、または液状レジストを印刷したものを露光、および現像により形成する方法によりなされる。
つづいて、リフロー処理を行なうことによって、半導体素子４０７を配線パターンの一部である接続端子上に半田バンプ４１０を介して固着させる。その後、半導体素子４０７、半田バンプ４１０などを封止材４１３で封止することによって、図７および図８に示す様な半導体装置４００が得られる。
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば、本実施形態では、プリプレグが一層の場合を示したが、プリプレグを２層以上積層したものを用いて樹脂基板１００を作製してもよい。
また、上記実施形態では、半導体素子４０７と、プリント配線基板３００とを半田バンプ４１０で接続したが、これに限られるものではない。例えば、半導体素子４０７とプリント配線基板３００とをボンディングワイヤで接続してもよい。
また、上記実施形態では、半導体素子４０７と、プリント配線基板３００とを半田バンプ４１０で接続したが、これに限られるものではない。例えば、半導体素子４０７とプリント配線基板３００とをボンディングワイヤで接続してもよい。
以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例では、部はとくに特定しない限り質量部を表す。また、それぞれの厚みは平均膜厚で表わされている。
（実施例１）
（１）樹脂ワニス（Ａ）の作成
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）４．２質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）９．８質量部、ナフトール変性ノボラックエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−７０００Ｌ、エポキシ当量２３０）１３．７質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部，シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
（１）樹脂ワニス（Ａ）の作成
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）４．２質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）９．８質量部、ナフトール変性ノボラックエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−７０００Ｌ、エポキシ当量２３０）１３．７質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部，シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
（２）第一樹脂層付フィルムの作製
（１）で得られた樹脂ワニス（Ａ）を、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（三菱化学ポリエステル社製、ＳＦＢ−３８、厚さ３８μｍ、幅４８０ｍ）の片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後（半硬化後）の樹脂層の厚さが１５μｍとなるように塗工した。次いで、これを１２０℃の乾燥装置で１０分間乾燥して、樹脂層付フィルム（Ａ）を作製した。
（１）で得られた樹脂ワニス（Ａ）を、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（三菱化学ポリエステル社製、ＳＦＢ−３８、厚さ３８μｍ、幅４８０ｍ）の片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後（半硬化後）の樹脂層の厚さが１５μｍとなるように塗工した。次いで、これを１２０℃の乾燥装置で１０分間乾燥して、樹脂層付フィルム（Ａ）を作製した。
（３）プリプレグ（Ｐ１）の製造
繊維基材としてガラスクロス（クロスタイプ♯１０３７、幅３６０ｍｍ、厚さ２５μｍ、Ｅガラス、坪量２４ｇ／ｍ２）を用い、真空ラミネート装置および熱風乾燥装置によりプリプレグを製造した。
具体的には、ガラスクロスの両面に第一樹脂層付フィルム（Ａ）がガラスクロスの幅方向の中心に位置するように、それぞれ重ね合わせ、１３３０Ｐａの減圧条件下で、８０℃のラミネートロールを用いて接合した。
ここで、ガラスクロスの幅方向寸法の内側領域においては、第一樹脂層付フィルム（Ａ）の樹脂層をガラスクロスの両面側にそれぞれ接合するとともに、ガラスクロスの幅方向寸法の外側領域においては、第一樹脂層付フィルム（Ａ）の樹脂層同士を接合した。
次いで、上記接合したものを、１２０℃に設定した横搬送型の熱風乾燥装置内を２分間通すことによって、圧力を作用させることなく加熱処理して、厚さ４５μｍ（ただし、ＰＥＴフィルムの厚みを除く）（第一樹脂層：１０μｍ、繊維基材層：２５μｍ、第一樹脂層：１０μｍ）の両面ＰＥＴフィルム付きのプリプレグ（Ｐ１）を得た。
繊維基材としてガラスクロス（クロスタイプ♯１０３７、幅３６０ｍｍ、厚さ２５μｍ、Ｅガラス、坪量２４ｇ／ｍ２）を用い、真空ラミネート装置および熱風乾燥装置によりプリプレグを製造した。
具体的には、ガラスクロスの両面に第一樹脂層付フィルム（Ａ）がガラスクロスの幅方向の中心に位置するように、それぞれ重ね合わせ、１３３０Ｐａの減圧条件下で、８０℃のラミネートロールを用いて接合した。
ここで、ガラスクロスの幅方向寸法の内側領域においては、第一樹脂層付フィルム（Ａ）の樹脂層をガラスクロスの両面側にそれぞれ接合するとともに、ガラスクロスの幅方向寸法の外側領域においては、第一樹脂層付フィルム（Ａ）の樹脂層同士を接合した。
次いで、上記接合したものを、１２０℃に設定した横搬送型の熱風乾燥装置内を２分間通すことによって、圧力を作用させることなく加熱処理して、厚さ４５μｍ（ただし、ＰＥＴフィルムの厚みを除く）（第一樹脂層：１０μｍ、繊維基材層：２５μｍ、第一樹脂層：１０μｍ）の両面ＰＥＴフィルム付きのプリプレグ（Ｐ１）を得た。
（４）樹脂ワニス（Ｂ）の作成
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）１１．９質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）２７．７質量部、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−４０３２Ｄ、エポキシ当量１５０）２５．１質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）３５．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）１１．９質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）２７．７質量部、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−４０３２Ｄ、エポキシ当量１５０）２５．１質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）３５．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
（５）第二樹脂層付フィルム（Ｂ）の作製
（４）で得られた樹脂ワニス（Ｂ）を、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（三菱化学ポリエステル社製、ＳＦＢ−３８、厚さ３８μｍ、幅４８０ｍ）の片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後（半硬化後）の樹脂層の厚さが５μｍとなるように塗工した。次いで、これを１２０℃の乾燥装置で１０分間乾燥して、樹脂層付フィルム（Ｂ）を作製した。
（４）で得られた樹脂ワニス（Ｂ）を、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（三菱化学ポリエステル社製、ＳＦＢ−３８、厚さ３８μｍ、幅４８０ｍ）の片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後（半硬化後）の樹脂層の厚さが５μｍとなるように塗工した。次いで、これを１２０℃の乾燥装置で１０分間乾燥して、樹脂層付フィルム（Ｂ）を作製した。
（６）プリプレグ（Ｐ）の作成
（３）で得られた両面ＰＥＴフィルム付きのプリプレグ（Ｐ１）のＰＥＴフィルムを剥離し、両面に（５）で得られた第二樹脂層付フィルム（Ｂ）を重ね合わせ、真空ラミネート装置および熱風乾燥装置を用い、１３３０Ｐａの減圧条件下で、８０℃のラミネートロールを用いて接合した。次いで、上記接合したものを、１２０℃に設定した横搬送型の熱風乾燥装置内を２分間通すことによって、圧力を作用させることなく加熱処理して、厚さ５５μｍ（ただし、ＰＥＴフィルムの厚みを除く）（第二樹脂層：５μｍ、第一樹脂層：１０μｍ、繊維基材層：２５μｍ、第一樹脂層：１０μｍ、第二樹脂層：５μｍ）の両面ＰＥＴフィルム付きのプリプレグ（Ｐ）を得た。
（３）で得られた両面ＰＥＴフィルム付きのプリプレグ（Ｐ１）のＰＥＴフィルムを剥離し、両面に（５）で得られた第二樹脂層付フィルム（Ｂ）を重ね合わせ、真空ラミネート装置および熱風乾燥装置を用い、１３３０Ｐａの減圧条件下で、８０℃のラミネートロールを用いて接合した。次いで、上記接合したものを、１２０℃に設定した横搬送型の熱風乾燥装置内を２分間通すことによって、圧力を作用させることなく加熱処理して、厚さ５５μｍ（ただし、ＰＥＴフィルムの厚みを除く）（第二樹脂層：５μｍ、第一樹脂層：１０μｍ、繊維基材層：２５μｍ、第一樹脂層：１０μｍ、第二樹脂層：５μｍ）の両面ＰＥＴフィルム付きのプリプレグ（Ｐ）を得た。
（７）金属張積層板の作製
（６）で得られた両面ＰＥＴフィルム付きのプリプレグ（Ｐ）の両面のＰＥＴフィルムを剥離した。次いで、そのプリプレグ（Ｐ）を２枚重ね、その両面に２μｍの銅箔（日本電解社製、ＮＳＡＰ−２Ｂ）をそれぞれ重ね合わせた。次いで、その積層体を平滑な金属板に挟み、温度２２０℃、圧力４ＭＰａの条件で１時間、さらに、温度２４０℃、圧力４ＭＰａの条件で１時間加熱加圧成形し、金属張積層板を得た。得られた金属張積層板の絶縁層（銅箔を除く部分）の厚みは、０．１１０ｍｍであった。
（６）で得られた両面ＰＥＴフィルム付きのプリプレグ（Ｐ）の両面のＰＥＴフィルムを剥離した。次いで、そのプリプレグ（Ｐ）を２枚重ね、その両面に２μｍの銅箔（日本電解社製、ＮＳＡＰ−２Ｂ）をそれぞれ重ね合わせた。次いで、その積層体を平滑な金属板に挟み、温度２２０℃、圧力４ＭＰａの条件で１時間、さらに、温度２４０℃、圧力４ＭＰａの条件で１時間加熱加圧成形し、金属張積層板を得た。得られた金属張積層板の絶縁層（銅箔を除く部分）の厚みは、０．１１０ｍｍであった。
（８）プリント配線基板の作製
（７）の金属張積層板の銅箔をエッチング除去した。次いで炭酸レーザーによりスルーホール（貫通孔）を形成した。次にスルーホール内および絶縁層表面を、８０℃の膨潤液（ロームアンドハースジャパン社製 コンディショナー２１１）に１０分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（ロームアンドハースジャパン社製、ＭＬＢプロモーター）に１０分浸漬後、中和して粗化処理を行った。
これを脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅めっき皮膜を約１μｍ、めっきレジスト形成、無電解銅めっき皮膜を給電層としパターン電気メッキ銅を１２μｍ形成させ、Ｌ／Ｓ＝１２／１２μｍの微細回路加工を施した。次に、熱風乾燥装置にて２００℃で６０分間アニール処理を行った後、フラッシュエッチングで給電層を除去した。
次に、ソルダーレジスト（太陽インキ製造社製、ＰＳＲ−４０００ ＡＵＳ７０３）を印刷し、半導体素子搭載パッドなどが露出するように、所定のマスクで露光し、現像、キュアを行い、回路上のソルダーレジスト層の厚さが１２μｍとなるように形成した。
最後に、ソルダーレジスト層から露出した回路層上へ、無電解ニッケルめっき層３μｍと、さらにその上へ、無電解金めっき層０．１μｍとからなるめっき層を形成し、プリント配線基板を得た。
（７）の金属張積層板の銅箔をエッチング除去した。次いで炭酸レーザーによりスルーホール（貫通孔）を形成した。次にスルーホール内および絶縁層表面を、８０℃の膨潤液（ロームアンドハースジャパン社製 コンディショナー２１１）に１０分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（ロームアンドハースジャパン社製、ＭＬＢプロモーター）に１０分浸漬後、中和して粗化処理を行った。
これを脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅めっき皮膜を約１μｍ、めっきレジスト形成、無電解銅めっき皮膜を給電層としパターン電気メッキ銅を１２μｍ形成させ、Ｌ／Ｓ＝１２／１２μｍの微細回路加工を施した。次に、熱風乾燥装置にて２００℃で６０分間アニール処理を行った後、フラッシュエッチングで給電層を除去した。
次に、ソルダーレジスト（太陽インキ製造社製、ＰＳＲ−４０００ ＡＵＳ７０３）を印刷し、半導体素子搭載パッドなどが露出するように、所定のマスクで露光し、現像、キュアを行い、回路上のソルダーレジスト層の厚さが１２μｍとなるように形成した。
最後に、ソルダーレジスト層から露出した回路層上へ、無電解ニッケルめっき層３μｍと、さらにその上へ、無電解金めっき層０．１μｍとからなるめっき層を形成し、プリント配線基板を得た。
（９）半導体装置の作製
半導体装置は、（８）で得られたプリント配線基板上に半田バンプを有する半導体素子（ＴＥＧチップ、サイズ８ｍｍ×８ｍｍ、厚み０．１ｍｍ）を、フリップチップボンダー装置により、加熱圧着により搭載した。次に、ＩＲリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂（住友ベークライト社製、ＣＲＰ−４１６０Ｇ）を充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を得た。なお、液状封止樹脂は、温度１５０℃、１２０分の条件で硬化させた。上記半導体素子の半田バンプは、Ｓｎ／Ｐｂ組成の共晶で形成されたものを用いた。最後に１４ｍｍ×１４ｍｍのサイズにルーターで個片化し、半導体装置を得た。
半導体装置は、（８）で得られたプリント配線基板上に半田バンプを有する半導体素子（ＴＥＧチップ、サイズ８ｍｍ×８ｍｍ、厚み０．１ｍｍ）を、フリップチップボンダー装置により、加熱圧着により搭載した。次に、ＩＲリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂（住友ベークライト社製、ＣＲＰ−４１６０Ｇ）を充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を得た。なお、液状封止樹脂は、温度１５０℃、１２０分の条件で硬化させた。上記半導体素子の半田バンプは、Ｓｎ／Ｐｂ組成の共晶で形成されたものを用いた。最後に１４ｍｍ×１４ｍｍのサイズにルーターで個片化し、半導体装置を得た。
（１０）耐薬品性
（７）で得られた金属張積層板から銅箔をエッチング除去し、１００ｍｍ×１００ｍｍにグラインダーソーで切り出して、１２０℃で２時間乾燥させたのち、第１の膜厚をマイクロメーターで測定した。
次に上記サンプルを１０質量％水酸化ナトリウム水溶液に８０℃、３０分間浸漬し、さらに、１２０℃で２時間乾燥させたのち、第２の膜厚をマイクロメーターで測定した。
減膜率を以下の式から算出した。
減膜率［％］＝［｛（第１の膜厚）−（第２の膜厚）｝／（第１の膜厚）］×１００
（７）で得られた金属張積層板から銅箔をエッチング除去し、１００ｍｍ×１００ｍｍにグラインダーソーで切り出して、１２０℃で２時間乾燥させたのち、第１の膜厚をマイクロメーターで測定した。
次に上記サンプルを１０質量％水酸化ナトリウム水溶液に８０℃、３０分間浸漬し、さらに、１２０℃で２時間乾燥させたのち、第２の膜厚をマイクロメーターで測定した。
減膜率を以下の式から算出した。
減膜率［％］＝［｛（第１の膜厚）−（第２の膜厚）｝／（第１の膜厚）］×１００
（１１）ピール強度
（７）で得られた金属張積層板から銅箔をエッチング除去し、８０℃の膨潤液（アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント Ｐ）に１０分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテックジャパン社製、コンセントレート コンパクト ＣＰ）に１０分浸漬後、中和して粗化処理を行った。これを脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅めっき皮膜を約１μｍ、電気めっき銅を３０μｍ形成させ、熱風乾燥装置にて２００℃で６０分間アニール処理を行った。ＪＩＳ−Ｃ−６４８１に基づき１００ｍｍ×２０ｍｍの試験片を作製し、２３℃におけるピール強度を測定した。
（７）で得られた金属張積層板から銅箔をエッチング除去し、８０℃の膨潤液（アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント Ｐ）に１０分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテックジャパン社製、コンセントレート コンパクト ＣＰ）に１０分浸漬後、中和して粗化処理を行った。これを脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅めっき皮膜を約１μｍ、電気めっき銅を３０μｍ形成させ、熱風乾燥装置にて２００℃で６０分間アニール処理を行った。ＪＩＳ−Ｃ−６４８１に基づき１００ｍｍ×２０ｍｍの試験片を作製し、２３℃におけるピール強度を測定した。
（１２）細線加工性評価
（８）において、Ｌ／Ｓ＝１２／１２μｍの微細回路パターンを形成した後のプリント配線基板について、レーザー顕微鏡で細線の外観検査および導通チェックにより評価した。評価基準は以下の通りである。
◎：形状、導通ともに問題なし
○：ショート、配線切れはなく、実質上問題ない
×：ショート，配線切れあり
（８）において、Ｌ／Ｓ＝１２／１２μｍの微細回路パターンを形成した後のプリント配線基板について、レーザー顕微鏡で細線の外観検査および導通チェックにより評価した。評価基準は以下の通りである。
◎：形状、導通ともに問題なし
○：ショート、配線切れはなく、実質上問題ない
×：ショート，配線切れあり
（１３）絶縁信頼性評価
（８）で得られたプリント配線基板のＬ／Ｓ＝１２／１２μｍの微細回路パターン上に、ソルダーレジストの代わりにビルドアップ材（住友ベークライト社製、ＢＬＡ−３７００ＧＳ）を積層、硬化した試験サンプルを作製した。この試験サンプルを用いて、温度１３０℃、湿度８５％、印加電圧３．３Ｖの条件で連続湿中絶縁抵抗を評価した。なお、抵抗値１０６Ω以下を故障とした。評価基準は以下の通りである。
◎：３００時間以上故障なし
○：１５０時間以上３００時間未満で故障あり
×：１５０時間未満で故障あり
（８）で得られたプリント配線基板のＬ／Ｓ＝１２／１２μｍの微細回路パターン上に、ソルダーレジストの代わりにビルドアップ材（住友ベークライト社製、ＢＬＡ−３７００ＧＳ）を積層、硬化した試験サンプルを作製した。この試験サンプルを用いて、温度１３０℃、湿度８５％、印加電圧３．３Ｖの条件で連続湿中絶縁抵抗を評価した。なお、抵抗値１０６Ω以下を故障とした。評価基準は以下の通りである。
◎：３００時間以上故障なし
○：１５０時間以上３００時間未満で故障あり
×：１５０時間未満で故障あり
（１４）半導体装置の反り評価
（９）で得られた半導体装置の常温（２３℃）および２６０℃での反りを温度可変レーザー三次元測定機（日立テクノロジーアンドサービス社製、形式ＬＳ２２０−ＭＴ１００ＭＴ５０）を用いて評価した。上記測定機のサンプルチャンバーに半導体素子面を下にして設置し、高さ方向の変位を測定し、変位差の最も大きい値を反り量とした。評価基準は以下の通りである。
常温（２３℃）
◎ ：反り量が１５０μｍ未満
○ ：反り量が１５０μｍ以上２００μｍ未満
× ：反り量が２００μｍ以上
２６０℃
◎ ：反り量が１００μｍ未満
○ ：反り量が１００μｍ以上１５０μｍ未満
× ：反り量が１５０μｍ以上
（９）で得られた半導体装置の常温（２３℃）および２６０℃での反りを温度可変レーザー三次元測定機（日立テクノロジーアンドサービス社製、形式ＬＳ２２０−ＭＴ１００ＭＴ５０）を用いて評価した。上記測定機のサンプルチャンバーに半導体素子面を下にして設置し、高さ方向の変位を測定し、変位差の最も大きい値を反り量とした。評価基準は以下の通りである。
常温（２３℃）
◎ ：反り量が１５０μｍ未満
○ ：反り量が１５０μｍ以上２００μｍ未満
× ：反り量が２００μｍ以上
２６０℃
◎ ：反り量が１００μｍ未満
○ ：反り量が１００μｍ以上１５０μｍ未満
× ：反り量が１５０μｍ以上
（１５）ヒートサイクル試験
（９）で得られた半導体装置４個を６０℃、６０％の条件下で４０時間処理後、ＩＲリフロー炉（ピーク温度：２６０℃）で３回処理し、大気中で、−５５℃（１５分）、１２５℃（１５分）で５００サイクル処理した。つぎに、超音波映像装置（日立建機ファインテック社製、ＦＳ３００）を用いて、半導体素子、半田バンプに異常がないか観察した。
◎：半導体素子、半田バンプともに異常なし。
○：半導体素子および／または半田バンプの一部にクラックが見られるが実用上問題なし。
△：半導体素子および／または半田バンプの一部にクラックが見られ実用上問題あり。
×：半導体素子、半田バンプともにクラックが見られ使用できない。
（９）で得られた半導体装置４個を６０℃、６０％の条件下で４０時間処理後、ＩＲリフロー炉（ピーク温度：２６０℃）で３回処理し、大気中で、−５５℃（１５分）、１２５℃（１５分）で５００サイクル処理した。つぎに、超音波映像装置（日立建機ファインテック社製、ＦＳ３００）を用いて、半導体素子、半田バンプに異常がないか観察した。
◎：半導体素子、半田バンプともに異常なし。
○：半導体素子および／または半田バンプの一部にクラックが見られるが実用上問題なし。
△：半導体素子および／または半田バンプの一部にクラックが見られ実用上問題あり。
×：半導体素子、半田バンプともにクラックが見られ使用できない。
（１６）ガラス転移温度、２５０℃での貯蔵弾性率
（７）で得られた金属張積層板の金属箔をエッチングにより除去し、金属箔を除去した絶縁層から６ｍｍ×２５ｍｍの試験片を作製した。この試験片について、ＤＭＡ装置（ＴＡインスツルメント社製動的粘弾性測定装置ＤＭＡ９８３）を用いて５℃／分（周波数１Ｈｚ）で昇温し、２５０℃での貯蔵弾性率Ｅ'をそれぞれ測定した。またｔａｎδのピーク位置をガラス転移温度とした。
（７）で得られた金属張積層板の金属箔をエッチングにより除去し、金属箔を除去した絶縁層から６ｍｍ×２５ｍｍの試験片を作製した。この試験片について、ＤＭＡ装置（ＴＡインスツルメント社製動的粘弾性測定装置ＤＭＡ９８３）を用いて５℃／分（周波数１Ｈｚ）で昇温し、２５０℃での貯蔵弾性率Ｅ'をそれぞれ測定した。またｔａｎδのピーク位置をガラス転移温度とした。
（実施例２）
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）３．８質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）８．７質量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００Ｈ、エポキシ当量２８５）１５．２質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）３．８質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）８．７質量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００Ｈ、エポキシ当量２８５）１５．２質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
（実施例３）
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）３．８質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）８．７質量部、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−６０００、エポキシ当量２８５）１５．２質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）３．８質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）８．７質量部、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−６０００、エポキシ当量２８５）１５．２質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
（実施例４）
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）４．８質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製ＰＴ−６０、当量１３１）１０．９質量部、アントラセン型エポキシ樹脂（三菱化学社製ＹＸ−８８００、エポキシ当量１８０）１２．０質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部，シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）４．８質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製ＰＴ−６０、当量１３１）１０．９質量部、アントラセン型エポキシ樹脂（三菱化学社製ＹＸ−８８００、エポキシ当量１８０）１２．０質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部，シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
（実施例５）
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
ビス−（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−７０、二重結合当量２２１）３．０質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）９．０質量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００Ｈ、エポキシ当量２８５）１５．７質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
ビス−（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−７０、二重結合当量２２１）３．０質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）９．０質量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００Ｈ、エポキシ当量２８５）１５．７質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
（実施例６）
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
４，４'−ジフェニルメタンビスマレイミド（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−Ｈ、二重結合当量１７９）２．５質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）９．２質量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００Ｈ、エポキシ当量２８５）１６．０質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
４，４'−ジフェニルメタンビスマレイミド（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−Ｈ、二重結合当量１７９）２．５質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）９．２質量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００Ｈ、エポキシ当量２８５）１６．０質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
（実施例７）
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
ポリフェニルメタンマレイミド（大和化成社製、ＢＭＩ−２３００、二重結合当量１７９）２．５質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）９．２質量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００Ｈ、エポキシ当量２８５）１６．０質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部，エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部，シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
ポリフェニルメタンマレイミド（大和化成社製、ＢＭＩ−２３００、二重結合当量１７９）２．５質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）９．２質量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００Ｈ、エポキシ当量２８５）１６．０質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部，エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部，シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
（実施例８）
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）１１．３質量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００Ｈ、エポキシ当量２８５）１６．４質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）１１．３質量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００Ｈ、エポキシ当量２８５）１６．４質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
（実施例９）
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）１０．０質量部、ナフトール変性ノボラックエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−７０００Ｌ、エポキシ当量２３０）１２．１質量部、３，３'−ジエチル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン（日本化薬社製、カヤハードＡ−Ａ アミン当量６３．５）５．６質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部，シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）１０．０質量部、ナフトール変性ノボラックエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−７０００Ｌ、エポキシ当量２３０）１２．１質量部、３，３'−ジエチル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン（日本化薬社製、カヤハードＡ−Ａ アミン当量６３．５）５．６質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部，シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
（実施例１０）
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）５．０質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）１１．５質量部、ナフトール変性ノボラックエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−７０００Ｌ、エポキシ当量２３０）１６．２質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部，エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部，シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）６７．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
樹脂ワニス（Ａ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）５．０質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）１１．５質量部、ナフトール変性ノボラックエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−７０００Ｌ、エポキシ当量２３０）１６．２質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部，エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部，シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）６７．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ａ）を調製した。
（実施例１１）
樹脂ワニス（Ｂ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）９．１質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）２０．３質量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００Ｈ、エポキシ当量２８５）３５．３質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）３５．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
樹脂ワニス（Ｂ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）９．１質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）２０．３質量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００Ｈ、エポキシ当量２８５）３５．３質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）３５．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
（実施例１２）
樹脂ワニス（Ｂ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
ビス−（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン（ケイアイ化成製、ＢＭＩ−７０、二重結合当量２２１）９．９質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）２８．６質量部、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−４０３２Ｄ、エポキシ当量１５０）２６．２質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）３５．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
樹脂ワニス（Ｂ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
ビス−（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン（ケイアイ化成製、ＢＭＩ−７０、二重結合当量２２１）９．９質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）２８．６質量部、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−４０３２Ｄ、エポキシ当量１５０）２６．２質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）３５．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
（実施例１３）
樹脂ワニス（Ｂ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）３６．８質量部、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−４０３２Ｄ、エポキシ当量１５０）２７．９質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）３５．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
樹脂ワニス（Ｂ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）３６．８質量部、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−４０３２Ｄ、エポキシ当量１５０）２７．９質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）３５．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
（実施例１４）
樹脂ワニス（Ｂ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）１３．２質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）２９．５質量部、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−４０３２Ｄ、エポキシ当量１５０）２７．０質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部，シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）３０．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
樹脂ワニス（Ｂ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）１３．２質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）２９．５質量部、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＨＰ−４０３２Ｄ、エポキシ当量１５０）２７．０質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部，シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）３０．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
（実施例１５）
第一樹脂層の厚みを８μｍ、第二樹脂層の厚みを合計７μｍとした以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を得た。
第一樹脂層の厚みを８μｍ、第二樹脂層の厚みを合計７μｍとした以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニスを調製し、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を得た。
（実施例１６）
シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）の代わりにシリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ５、平均粒子径１．６μｍ）を用いて、樹脂ワニス（Ｂ）を調製した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を得た。
シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）の代わりにシリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ５、平均粒子径１．６μｍ）を用いて、樹脂ワニス（Ｂ）を調製した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を得た。
（実施例１７）
シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）の代わりにアルミナ粒子（アドマテックス社製、ＡＯ−８０２、平均粒子径０．７μｍ）を用いて、樹脂ワニス（Ｂ）を調製した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を得た。
シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）の代わりにアルミナ粒子（アドマテックス社製、ＡＯ−８０２、平均粒子径０．７μｍ）を用いて、樹脂ワニス（Ｂ）を調製した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を得た。
（実施例１８）
樹脂ワニス（Ｂ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）２３．５質量部、ナフトール変性ノボラックエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−７０００Ｌ、エポキシ当量２３０）２８．２質量部、３，３'−ジエチル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン（日本化薬社製、カヤハードＡ−Ａ アミン当量６３．５）１３．０質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部，シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）３５．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
樹脂ワニス（Ｂ）として、以下のものを使用した以外は実施例１と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）２３．５質量部、ナフトール変性ノボラックエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−７０００Ｌ、エポキシ当量２３０）２８．２質量部、３，３'−ジエチル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン（日本化薬社製、カヤハードＡ−Ａ アミン当量６３．５）１３．０質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部，シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）３５．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
（比較例１）
樹脂ワニス（Ｂ）として、以下のものを使用した以外は実施例２と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）３．８質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）８．７質量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００Ｈ、エポキシ当量２８５）１５．２質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部，エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
樹脂ワニス（Ｂ）として、以下のものを使用した以外は実施例２と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）３．８質量部、フェノールノボラックシアネート樹脂（ロンザ社製、ＰＴ−６０、当量１３１）８．７質量部、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−３０００Ｈ、エポキシ当量２８５）１５．２質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部，エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
（比較例２）
樹脂ワニス（Ｂ）として、以下のものを使用した以外は実施例９と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）１０．０質量部、ナフトール変性ノボラックエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−７０００Ｌ、エポキシ当量２３０）１２．１質量部、３，３'−ジエチル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン（日本化薬社製、カヤハードＡ−Ａ、アミン当量６３．５）５．６質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部，シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
樹脂ワニス（Ｂ）として、以下のものを使用した以外は実施例９と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）１０．０質量部、ナフトール変性ノボラックエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−７０００Ｌ、エポキシ当量２３０）１２．１質量部、３，３'−ジエチル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン（日本化薬社製、カヤハードＡ−Ａ、アミン当量６３．５）５．６質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部，シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
（比較例３）
樹脂ワニス（Ｂ）として、以下のものを使用した以外は実施例２と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）１０．０質量部、ナフトール変性ノボラックエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−７０００Ｌ、エポキシ当量２３０）１２．１質量部、３，３'−ジエチル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン（日本化薬社製、カヤハードＡ−Ａ、アミン当量６３．５）５．６質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
樹脂ワニス（Ｂ）として、以下のものを使用した以外は実施例２と同様にして、プリプレグ、金属張積層板、プリント配線基板、および半導体装置を作製し、各評価をおこなった。
２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン（ケイアイ化成社製、ＢＭＩ−８０、二重結合当量２８５）１０．０質量部、ナフトール変性ノボラックエポキシ樹脂（日本化薬社製、ＮＣ−７０００Ｌ、エポキシ当量２３０）１２．１質量部、３，３'−ジエチル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン（日本化薬社製、カヤハードＡ−Ａ、アミン当量６３．５）５．６質量部、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１質量部、エポキシシランカップリング剤（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、シリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ２、平均粒子径０．５μｍ）７２．０質量部にＮ−メチルピロリドンを加え不揮発分６５％となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して樹脂ワニス（Ｂ）を調製した。
以上の結果を表１および表２に示す。
５ａ キャリア材料
５ｂ キャリア材料
１１ 繊維基材
１００ 樹脂基板
１０１ 繊維基材層
１０３ 樹脂層
１０３ａ 第一樹脂層
１０３ｂ 第二樹脂層
１０５ 金属箔
６０ 真空ラミネート装置
６１ ラミネートロール
６２ 熱風乾燥装置
２００ 金属張積層板
３００ プリント配線基板
３０１ 絶縁層
３０３ 金属層
３０５ 絶縁層
３０７ ビアホール
３０８ 無電解金属めっき膜
３０９ 電解金属めっき層
３１１ コア層
３１７ ビルドアップ層
４００ 半導体装置
４０１ ソルダーレジスト層
４０７ 半導体素子
４１０ 半田バンプ
４１３ 封止材
５ｂ キャリア材料
１１ 繊維基材
１００ 樹脂基板
１０１ 繊維基材層
１０３ 樹脂層
１０３ａ 第一樹脂層
１０３ｂ 第二樹脂層
１０５ 金属箔
６０ 真空ラミネート装置
６１ ラミネートロール
６２ 熱風乾燥装置
２００ 金属張積層板
３００ プリント配線基板
３０１ 絶縁層
３０３ 金属層
３０５ 絶縁層
３０７ ビアホール
３０８ 無電解金属めっき膜
３０９ 電解金属めっき層
３１１ コア層
３１７ ビルドアップ層
４００ 半導体装置
４０１ ソルダーレジスト層
４０７ 半導体素子
４１０ 半田バンプ
４１３ 封止材
Claims (17)
- 繊維基材を含む繊維基材層と、
前記繊維基材層の片面または両面に設けられ、かつ、前記繊維基材を含まない樹脂層と、
を備えるプリント配線基板形成用の樹脂基板であって、
当該樹脂基板の膜厚を第１の膜厚とし、当該樹脂基板を１０質量％水酸化ナトリウム水溶液に８０℃、３０分間浸漬した後の樹脂基板の膜厚を第２の膜厚とした場合、
［｛（第１の膜厚）−（第２の膜厚）｝／（第１の膜厚）］×１００で定義される減膜率が１％以上１０％以下である、樹脂基板。 - 請求項１に記載の樹脂基板において、
前記樹脂層はエポキシ樹脂および無機充填材を含有しており、
前記樹脂層の前記繊維基材層との境界部における前記無機充填材の含有率をＦＣ１とし、
前記樹脂層の厚み方向表面部における前記無機充填材の含有率をＦＣ２としたとき、
前記樹脂層は、ＦＣ１＞ＦＣ２の関係を満たす、樹脂基板。 - 請求項２に記載の樹脂基板において、
前記樹脂層の前記繊維基材層との前記境界部における前記無機充填材の含有率（ＦＣ１）が、５０質量％以上９５質量％以下であり、
前記樹脂層の前記厚み方向表面部における前記無機充填材の含有率（ＦＣ２）が、５質量％以上６５質量％以下である、樹脂基板。 - 請求項３に記載の樹脂基板において、
前記樹脂層は、
前記繊維基材層に接する第一の樹脂層と、
前記第一の樹脂層の前記繊維基材層と接する側とは反対側に設けられ、かつ、当該樹脂基板の前記厚み方向表面部を構成する第二の樹脂層と、
を含み、
前記第一の樹脂層はエポキシ樹脂組成物（Ａ）からなり、
前記第二の樹脂層はエポキシ樹脂組成物（Ａ）とは異なる種類のエポキシ樹脂組成物（Ｂ）からなる、樹脂基板。 - 請求項４に記載の樹脂基板において、
前記樹脂層中に明瞭な層界面を含まない、樹脂基板。 - 請求項４または５に記載の樹脂基板において、
前記第一の樹脂層の厚みが１μｍ以上５０μｍ以下であり、
前記第二の樹脂層の厚みが２μｍ以上２０μｍ以下である、樹脂基板。 - 請求項４乃至６いずれか一項に記載の樹脂基板において、
前記エポキシ樹脂組成物（Ａ）を構成するエポキシ樹脂がビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、およびジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種または二種以上である、樹脂基板。 - 請求項４乃至７いずれか一項に記載の樹脂基板において、
前記エポキシ樹脂組成物（Ａ）を構成する無機充填材がタルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムからなる群から選択される一種または二種以上である、樹脂基板。 - 請求項４乃至８いずれか一項に記載の樹脂基板において、
前記エポキシ樹脂組成物（Ｂ）を構成するエポキシ樹脂がビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、およびジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種または二種以上である、樹脂基板。 - 請求項４乃至９いずれか一項に記載の樹脂基板において、
前記エポキシ樹脂組成物（Ｂ）を構成する無機充填材がタルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムからなる群から選択される一種または二種以上である、樹脂基板。 - 請求項１乃至１０いずれか一項に記載の樹脂基板において、
前記樹脂層はビスマレイミド化合物をさらに含み、
前記ビスマレイミド化合物が、４，４'−ジフェニルメタンビスマレイミド、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス−（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン、からなる群から選ばれる一種または二種以上である、樹脂基板。 - 請求項１乃至１１いずれか一項に記載の樹脂基板において、
前記樹脂層はシアネート樹脂をさらに含む、樹脂基板。 - 請求項１乃至１２いずれか一項に記載の樹脂基板において、
前記繊維基材が、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｔガラス、ＮＥガラス、ＵＴガラス、Ｌガラス、ＨＰガラス、ＨＭＥガラスおよび石英ガラスからなる群から選ばれる一種または二種以上からなるガラス繊維基材である、樹脂基板。 - 請求項１乃至１３いずれか一項に記載の樹脂基板において、
当該樹脂基板の厚みが２０μｍ以上３００μｍ以下である、樹脂基板。 - 請求項１乃至１４いずれか一項に記載の樹脂基板、または前記樹脂基板を２枚以上重ね合わせた積層体の片面または両面に金属箔が設けられている、金属張積層板。
- 請求項１乃至１４いずれか一項に記載の樹脂基板の片面または両面に回路層が設けられている、プリント配線基板。
- 請求項１６に記載のプリント配線基板の前記回路層上に半導体素子を搭載した、半導体装置。
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