KR101280648B1

KR101280648B1 - 다이싱용 점착 시트 및 그것을 이용한 다이싱 방법

Info

Publication number: KR101280648B1
Application number: KR1020060042178A
Authority: KR
Inventors: 쇼오지 야마모또
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2005-05-12
Filing date: 2006-05-11
Publication date: 2013-07-01
Also published as: CN1865375B; CN1865375A; TWI402325B; TW200641086A; KR20060117221A

Abstract

본 발명의 다이싱용 점착 시트는 기재의 적어도 한쪽면에 점착제층을 갖는 다이싱용 점착 시트이며, 상기 기재는 융점이 95 ℃ 이하인 에틸렌계 수지를 함유하는 층을 갖는 다층 구조이고, 상기 층의 두께가, 기재의 총 두께의 1/2 이상인 것을 특징으로 한다.

점착 시트, 기재 필름, 점착제층, 세퍼레이터, 내층

Description

다이싱용 점착 시트 및 그것을 이용한 다이싱 방법{ADHESIVE SHEET FOR DICING AND METHOD FOR DICING USING THE SAME}

도1a 및 도1b는 본 발명에 관한 다이싱용 점착 시트의 개략을 도시한 단면 모식도로, 도1a는 기재 필름이 내층과 외층으로 이루어지는 경우를 도시한 도면, 도1b는 기재 필름이 이행 방지층을 갖는 경우를 도시한 도면.

도2는 본 발명의 일실시 형태에 관한 다이싱용 점착 시트도 개략적으로 도시한 단면 모식도.

도3은 본 발명의 일실시 형태에 관한 다이싱 블레이드를 설명하기 위한 모식도로서, 다이싱 블레이드와 다이싱 블레이드의 주요 부분을 도시하는 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10 : 점착 시트

11 : 기재 필름

11a : 내층

11b : 외층

11c : 가교층

12 : 점착제층

13 : 세퍼레이터

14 : 리드 프레임

14a : 개구

14b : 단자부

14c : 다이 패드

15 : 반도체 칩

16 : 본딩 와이어

17 : 밀봉 수지

19 : 도전성 페이스트

21 : 반도체 패키지

31 : 다이아몬드 블레이드

33 : 본드재

[문헌 1] 일본 특허 공개 제2001-72947호 공보

[문헌 2] 일본 특허 공개 평11-43656호 공보

[문헌 3] 일본 특허 공개 제2003-7654호 공보

[문헌 4] 일본 특허 공개 평5-156214호 공보

[문헌 5] 일본 특허 공개 평5-211234호 공보

본 발명은 다이싱용 점착 시트에 관한 것이다. 또한 상기 다이싱용 점착 시트를 이용하여 다이싱을 행하는 방법 및 상기 다이싱 방법에 의해 얻어지는 피절단체 소편에 관한 것이다.

종래, 실리콘, 갈륨, 비소 등을 재료로 하는 반도체 웨이퍼는, 대경의 상태로 제조된 후, 소자 소편으로 절단 분리(다이싱)되고, 다시 마운트된 후 패키징된다. 이 패키징에서는, 통상 복수개의 칩이 한번에 패키징되고, 또한 이 반도체 패키지를 다이싱 및 픽업하여 각각의 반도체 칩으로 한다. 반도체 패키지는 점착 시트에 부착 고정된 상태로, 다이싱 공정, 세정 공정, 익스팬드 공정, 픽업 공정의 각 공정이 실시된다. 점착 시트로서는, 플라스틱 필름으로 이루어지는 기재(基材) 상에 아크릴계 점착제가 1 내지 200 ㎛ 정도가 도포되어 이루어지는 것이 일반적으로 이용되고 있다.

반도체 패키지의 다이싱 공정은, 통상 회전하면서 이동하는 둥근 칼을 이용하여 행해진다. 그 때, 둥근 칼의 절입은 반도체 패키지를 보유 지지하는 다이싱용 점착 시트의 기재 내부에 도달하도록 행해진다. 이 때 점착 시트의 기재 내부까지 절입이 행해지면, 기재인 플라스틱 필름 자신이 실 형상으로 된 절단 칩이 발생한다. 이 실 형상 칩이 패키지(피절단체) 측면 등에 부착되면, 부착된 실 형상 칩은 그대로 후공정에 있어서 실장된다. 그 결과, 실 형상 칩이 전자 회로의 품질을 현저히 저하시키는 원인이 되는 문제가 있었다.

실 형상 칩의 발생 메카니즘은 다음과 같다. 즉, 일본 특허 공개 제2001- 72947호 공보에도 있는 바와 같이 다이싱 블레이드가 피절단체를 절단할 때의 마찰에 의해 가열되고, 그것이 기재 필름에 절입됨으로써 기재 필름을 구성하는 수지가 용융된다. 용융된 수지는 다이싱 블레이드의 회전에 의해 권취된 후, 절삭 냉각수에 의해 냉각 고화되어 실 형상 칩이 된다. 종래 행해지고 있던 실리콘 웨이퍼의 다이싱에 있어서는, 예를 들어 일본 특허 공개 평11-43656호 공보 및 일본 특허 공개 제2003-7654호 공보 등에 있는 바와 같은 폴리프로필렌을 주된 구성 성분으로 하는 기재 필름이 실 형상 칩 발생의 억제에 유효하였다. 이는 폴리프로필렌의 융점이 높아, 가열된 다이싱 블레이드에 의해 용융되는 일이 적기 때문이었을 것이라 추정된다.

또한, 이러한 실 형상 칩의 문제를 해결하는 수단으로서, 상기 선행 기술 외에, 예를 들어 하기 일본 특허 공개 평5-156214호 공보 및 일본 특허 공개 평5-211234호 공보 등에 개시되어 있는 방법도 들 수 있다.

그러나, 일본 특허 공개 평11-43656호 공보, 일본 특허 공개 평5-156214호 공보 및 일본 특허 공개 평5-211234호 공보에 개시되어 있는 선행 기술에서는, 실리콘 웨이퍼의 다이싱시에 있어서의 실 형상 칩 발생의 문제는 해결할 수 있었다고 해도 반도체 패키지의 다이싱에 대해서는 이것을 해소할 수 없다.

즉, 일본 특허 공개 평11-43656호 공보에서는 점착 시트의 기재 필름으로서 무연신 폴리프로필렌 필름을 이용하는 것이 제안되어 있다. 이 방법은, 실리콘 웨이퍼의 다이싱에 대해서는 실 형상 칩의 발생을 억제할 수는 있지만, 본원 발명자 들이 검토한 결과 반도체 패키지의 다이싱에 대해서는 그 효과가 충분하지 않은 것을 확인하였다. 또한, 익스팬드성이 없는 등, 작업성에 있어서도 문제가 있었다.

일본 특허 공개 평5-156214호 공보에서는, 기재로서 에틸렌-메타크릴레이트 공중합체를 이용한 점착 시트가 제안되어 있다. 그러나 이 점착 시트는, 실리콘 다이싱에서는 다소 실 형상 칩의 발생을 억제하지만, 반도체 웨이퍼의 제조에 있어서의 요구 레벨을 충족시킬 수 있는 것은 아니다. 또한, 반도체 패키지 다이싱에 있어서는 전혀라고 할 수 있을 정도로 그 효과가 없다.

일본 특허 공개 평5-211234호 공보에서는, 기재 필름에 1 내지 80 MRad의 전자선 또는 γ선 등의 방사선을 조사한 가교 필름을 이용한 점착 시트가 제안되어 있다. 이 점착 시트는 기재 필름의 두께가 80 내지 100 ㎛ 정도인 경우에는, 실리콘 웨이퍼의 다이싱에 있어서 어느 정도 실 형상 칩의 발생을 억제하는 효과를 확인할 수 있다. 그러나, 기재 필름의 두께가 120 ㎛ 이상, 특히 150 내지 300 ㎛인 경우, 반도체 패키지를 다이싱하면 실 형상 칩이 발생된다. 이는, 기재 필름의 최표면은 어느 정도 가교되지만, 기재 필름 내부에 대해서는 방사선에 의해 충분히 가교되어 있지 않은 것에 기인한다.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술에 수반되는 문제를 해결하고자 하는 것으로, 제품 품위의 저하나 비용적인 불이익이 없고, 게다가 다이싱시의 실 형상 칩의 발생이 적은 다이싱용 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 상기 다이싱용 점착 시트를 이용한 다이싱 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자는, 상기 과제를 해결하기 위해 다이싱용 점착 시트를 구성하는 기재 필름에 대해 예의 검토하였다. 그 결과, 에틸렌계 수지를 포함하고, 또한 융점 95 ℃ 이하의 층을 구비한 다층 구조의 기재 필름을 채용함으로써 다이싱시에 실 형상 칩의 발생을 저감할 수 있는 것을 발견하여 본 발명을 완성하는 데 이르렀다.

즉, 상기한 과제를 해결하기 위해 본 발명에 관한 다이싱용 점착 시트는, 기재의 적어도 한쪽면에 점착제층을 갖는 다이싱용 점착 시트이며, 상기 기재는 융점이 95 ℃ 이하인 에틸렌계 수지를 함유하는 층을 갖는 다층 구조이고, 상기 층의 두께가 기재의 총 두께의 1/2 이상인 것을 특징으로 한다.

융점이 높은 수지(예를 들어, 폴리프로필렌 등) 등을 주성분으로 하는 기재를 구비한 다이싱용 점착 시트를 이용하는 경우라도, 예를 들어 반도체 패키지를 다이싱할 때에 다이싱 블레이드와 피절단체 사이에 발생되는 마찰열이 그 융점보다도 높아지는 경우가 있다. 반도체 패키지는 실리콘 웨이퍼 등과 비교하여 두께가 크고, 다이싱 블레이드도 두께가 큰 것을 사용하기 때문에 다이싱 블레이드와 반도체 패키지 사이의 마찰이 커지기 때문이다.

본 발명에 관한 다이싱용 점착 시트이면, 기재로서 융점 95 ℃ 이하의 에틸렌계 수지를 포함하는 층을 갖는 다층 구조인 것을 이용하여, 상기 기재의 용융시의 용융 점도를 충분히 낮추도록 한다. 이에 의해, 상기 층이 다이싱 블레이드의 회전에 의해 권취되어도 용융 장력에 의해 실 형상으로 신장되는 상태가 일어나지 않아, 액체와 같은 비산을 가능하게 함으로써 실 형상 칩의 발생을 현저히 억제할 수 있다.

또한, 상기한 과제를 해결하기 위해 본 발명에 관한 다이싱용 점착 시트는, 기재의 적어도 한쪽면에 점착제층을 갖는 다이싱용 점착 시트이며, 상기 기재는 융점이 95 ℃ 이하인 에틸렌계 수지를 함유하는 층을 갖는 다층 구조이고, 또한 상기 점착제층과 접하는 측에 가교 구조를 갖는 층을 갖는 것을 특징으로 한다.

상기 기재가, 융점 95 ℃ 이하인 에틸렌계 수지를 함유하는 층을 구비하는 경우라도, 다이싱 블레이드의 회전에 의해 권취되었을 때에 그 층의 용융시의 용융 점도가 충분히 낮추어지지 않고 용융 장력에 의해 실 형상으로 신장되어, 이른바 수염이 발생하는 경우가 있다. 이는, 다이싱 날이 피절단체를 절단 종료하면 피절단체가 없어짐으로써 다이싱 날의 온도가 저하하는 것에 기인한다. 이러한 수염은 피절단체와 직접 접하는 것은 아니지만, 다이싱 중에 끊기어 떨어진 경우 절삭수로 흐르게 되는 등 피절단체에 부착되는 경우가 있다. 그러나, 상기 구성과 같이 다이싱 날에 의해 절단되는 부분에 가교 구조를 갖는 층을 위치시킴으로써 상기한 바와 같은 수염의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 다이싱 날의 절입 깊이가 큰 경우라도 가교 구조를 갖는 층의 하부에는 융점이 95 ℃ 이하인 에틸렌계 수지를 함유하는 층이 설치되어 있으므로 실 형상 칩의 발생도 억제할 수 있다.

상기한 각 구성에 있어서, 상기 에틸렌계 수지의 190 ℃에 있어서의 멜트플로우레이트는 1.5 g/10분 이상인 것이 바람직하다.

상기 에틸렌계 수지의 190 ℃에 있어서의 멜트플로우레이트가 1.5 g/10분 이상이면, 용융시의 유동성을 크게 할 수 있다. 그 결과, 용융 장력을 한층 저감하여, 상기한 층을 구성하는 수지가 실 형상으로 신장하는 것을 더욱 억제할 수 있 다.

상기한 각 구성에 있어서, 상기 기재의 총 두께는 100 ㎛ 이상인 것이 바람직하다.

상기 구성은 점착 시트에 충분한 두께를 갖게 하기 위해 기재의 층 두께를 100 ㎛ 이상으로 하는 것이다. 이에 의해, 반도체 패키지의 다이싱시에 다이싱 블레이드를 점착 시트에 충분히 절입할 수 있다. 그 결과, 반도체 패키지에 대한 절단 품위의 향상이 가능한 점착 시트를 제공할 수 있다.

상기한 각 구성에 있어서, 상기 점착제층은 방사선 경화형 점착제를 포함하도록 구성된 것인 것이 바람직하다.

방사선 경화형 점착제에 의해 형성된 점착제층을 이용하면, 방사선을 조사함으로써 점착력을 저하시킬 수 있어, 반도체 패키지 등을 절단 분리한 후에 반도체 패키지 등의 박리를 용이하게 행할 수 있다.

또한, 상기한 과제를 해결하기 위해 본 발명에 관한 다이싱 방법은 다이싱용 점착 시트가 접합된 피절단체를, 상기 다이싱용 점착 시트의 기재까지 절입을 행함으로써 다이싱하는 다이싱 방법이며, 상기 다이싱용 점착 시트는 기재의 적어도 한쪽면에 점착제층을 갖고 있고, 상기 기재는 융점 95 ℃ 이하인 에틸렌계 수지를 함유하는 층을 갖는 다층 구조이고, 상기 층의 두께가 기재의 총 두께의 1/2 이상인 것을 사용하는 것을 특징으로 한다.

상기 방법이면, 다이싱시에 있어서의 다이싱 블레이드의 마찰열에 의해 기재에 있어서의 점착제층측의 층이 용융하여, 상기 층을 구성하는 수지가 다이싱 블레 이드의 회전에 의해 권취되어도 상기 층을 구성하는 수지의 용융이 95 ℃ 이하에서 용융 점도가 충분히 작으므로, 용융 장력에 의해 수지가 실 형상으로 신장되는 것을 저감한다. 즉, 액체와 같이 비산하기 때문에 실 형상 칩의 발생을 현저히 억제할 수 있다. 그 결과, 예를 들어 실 형상 칩이 피절단체에 부착된 상태로 실장됨으로써 피절단체의 품질이 현저히 저하하는 것을 억제하여 수율의 향상을 도모할 수 있다.

또한, 상기한 과제를 해결하기 위해 본 발명에 관한 다이싱 방법은 다이싱용 점착 시트가 접합된 피절단체를, 상기 다이싱용 점착 시트의 기재까지 절입을 행함으로써 다이싱하는 다이싱 방법이며, 상기 다이싱용 점착 시트는 기재의 적어도 한쪽면에 점착제층을 갖고 있고, 상기 기재는 융점이 95 ℃ 이하인 에틸렌계 수지를 함유하는 층을 갖는 다층 구조이고, 또한 상기 점착제층과 접하는 측에 가교 구조를 갖는 층을 구비한 것을 사용하는 것을 특징으로 한다.

상기 방법이면, 다이싱용 점착 시트로서 기재가 점착제층과 접하는 측에 가교 구조를 갖는 층을 구비한 것을 사용하기 때문에, 다이싱 날이 피절단체를 절단 종료하였을 때에 피절단체가 없어짐으로써 다이싱 날의 온도가 저하한 경우에도, 이른바 수염이 발생되는 것을 억제할 수 있다. 덧붙여, 다이싱 날의 절입 깊이가 큰 경우라도 가교 구조를 갖는 층의 하부에는 융점이 95 ℃ 이하인 에틸렌계 수지를 함유하는 층이 설치되어 있으므로 실 형상 칩의 발생도 억제할 수 있다. 그 결과, 다이싱 중에 끊기어 떨어진 수염이나 실 형상 칩이 피절단체에 부착된 상태로 실장됨으로써 피절단체의 품질이 현저하게 저하하는 것을 억제하여 수율의 향상을 도모할 수 있다.

상기 각 방법에 있어서는, 상기 다이싱을 행한 후 절단 후의 피절단체 소편을 다이싱용 점착 시트로부터 픽업하는 공정을 포함할 수 있다.

이에 의해, 다이싱 공정으로부터 픽업 공정까지를 동일한 점착 시트로 행하는 것이 가능해져 생산 효율의 향상을 도모할 수 있다.

또한, 상기 각 방법에 있어서는 상기 다이싱에 있어서 사용하는 다이싱 블레이드에, 메탈을 본드재로 하는 다이아몬드 블레이드를 이용하는 것이 바람직하다.

상기한 방법에 따르면, 본드재로서 메탈을 사용하면 다이싱시에 있어서의 절단의 발열을 크게 할 수 있다. 이에 의해, 융점이 95 ℃ 이하인 층을 구성하는 수지의 용융 점도가 낮아져 실 형상 칩 생성을 한층 억제할 수 있다.

또한, 상기 피절단체가 반도체 패키지인 경우에 본 발명에 관한 다이싱 방법이 가장 효과를 발휘한다.

상기한 방법이면, 실 형상 칩의 발생을 저감시키므로 반도체 장치의 품질을 열화시키는 일 없이 수율의 향상을 도모할 수 있다.

또한, 상기한 과제를 해결하기 위해 본 발명에 관한 피절단체 소편은 상기에 기재된 다이싱 방법에 있어서, 상기 피절단체를 다이싱함으로써 얻어진 것이다.

상기에 기재된 다이싱 방법에 의해 제조된 피절단체 소편은 실 형상 칩의 부착이 없어 우수한 품질을 갖는다.

본 발명은 상기에 설명한 수단에 의해, 이하에 서술하는 효과를 발휘한다.

즉, 본 발명에 따르면 융점이 95 ℃ 이하인 에틸렌계 수지를 함유하는 층을 점착제층측에 설치함으로써 다이싱시에 발생하는 기재의 실 형상 칩의 발생을 저감하여 수율을 향상시킬 수 있다.

(다이싱용 점착 시트)

본 발명의 실시 형태에 관한 다이싱용 점착 시트에 대해 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 단, 설명에 불필요한 부분은 생략하고, 또한 설명을 용이하게 하기 위해 확대 또는 축소 등 하여 도시한 부분이 있다. 도1의 (a)는 본 실시 형태에 관한 다이싱용 점착 시트(이하, 점착 시트라 함)의 개략을 도시한 단면 모식도이다.

도1의 (a)에 도시한 바와 같이, 점착 시트(10)는 기재 필름(11)의 한쪽면에 점착제층(12) 및 세퍼레이터(13)가 차례로 적층된 구성이다.

상기 기재 필름(기재)(11)은 점착제층(12) 등의 지지 모체가 되는 것으로, 적어도 내층(11a)과 외층(11b)으로 구성되는 다층 필름이다. 내층(11a)은 점착제층(12)에 대향하도록 설치되어 있다.

상기 내층(11a)은 융점이 95 ℃ 이하인 에틸렌계 수지를 포함하는 층이다. 단, 상기 에틸렌계 수지의 융점은 40 ℃ 이상인 것이 바람직하고, 70 ℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 융점이 지나치게 낮으면, 내층(11a)의 제막이나 실온에서의 보관이 곤란해지는 경우가 있기 때문이다. 에틸렌계 수지로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르 공중합체, 아이오노머 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리부타디엔 수지, 에틸렌과 α-올레핀의 공중합체 등을 들 수 있다. 또한, 에틸 렌-(메타)아크릴산 공중합체라 함은, 에틸렌-아크릴산 공중합체 및/또는 에틸렌-메타크릴산 공중합체를 말하며, 본 발명의 (메타)라 함은 모두 같은 의미이다.

내층(11a)에 포함되는 다른 구성 재료로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, SEBS, SEPS 등을 예시할 수 있다.

상기 외층(11b)으로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리염화비닐, 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산에스테르 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-α올레핀 공중합체 등을 예시할 수 있다.

상기 에틸렌계 수지의 함유율로서는, 바람직하게는 40 wt ％ 이상, 더욱 바람직하게는 50 wt ％ 이상, 특히 바람직하게는 60 wt ％ 이상이다. 에틸렌계 수지의 함유율을 상기 범위 내로 함으로써, 내층(11a)의 용융시의 용융 점도를 충분히 낮추도록 한다. 그 결과, 내층(11a)이 다이싱 블레이드의 회전에 의해 권취되어도 용융 장력에 의해 실 형상으로 신장되는 것을 방지한다.

상기 에틸렌계 수지는 190 ℃에 있어서의 멜트플로우레이트가 1.5 g/10분 이상인 것이 바람직하고, 2 g/10분 이상인 것이 보다 바람직하다. 멜트플로우레이트를 1.5 g/10분 이상으로 함으로써, 내층(11a)의 용융시에 있어서의 유동성을 높게 할 수 있다. 단, 멜트플로우레이트의 상한치는 필름의 제막성을 고려하면, 12 g/10분 이하이다.

상기 기재 필름(11)의 두께는 통상 100 내지 500 ㎛의 범위 내인 것이 바람직하다. 그러나, 다이싱시의 다이싱 블레이드를 점착 시트(10)에 충분히 절입시키면, 점착 시트(10)에 충분한 두께를 부여하기 위해 120 ㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 피절단체에 다이싱이 불충분한 부분이 생기는 것을 방지하여, 절단 품위를 높은 레벨로 유지하기 위함이다.

여기서, 내층(11a)의 두께는 기재 필름(11)의 총 두께의 1/2 이상인 것이 바람직하다. 기재 필름(11)의 두께를 고려하면, 보다 상세하게는 50 ㎛ 이상, 250 ㎛ 미만의 범위 내로 하는 것이 바람직하다. 또한, 기재 필름(11)에 있어서의 내층(11a)은 반도체 패키지의 다이싱시에 다이싱 블레이드가 도달하는 위치에 설치할 필요가 있다. 따라서 이러한 관점에서는, 내층(11a)은 점착제층(12)에 접하고, 또한 그 두께가 80 ㎛ 이상인 것이 바람직하다.

기재 필름(11)은 무연신의 것을 이용해도 좋고, 필요에 따라서 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시한 것을 이용해도 좋다. 또한, 그 표면에는 필요에 따라서 매트 처리, 코로나 방전 처리, 프라이머 처리, 가교 처리[화학 가교(실란 결합)] 등의 관용의 물리적 또는 화학적 처리를 실시할 수 있다.

점착제층(12)을 구성하는 점착제로서는, 일반적으로 사용되고 있는 감압성의 점착제를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리비닐에테르 등의 각종 점착제를 들 수 있다. 그 중에서도 피절단체로서의 반도체 웨이퍼나 반도체 패키지에 대한 접착성, 박리 후의 반도체 웨이퍼 등의 초순수(超純水)나 알코올 등의 유기 용매에 의한 세정성 등의 점 으로부터 (메타)아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 (메타)아크릴계 점착제가 바람직하다.

상기(메타)아크릴계 폴리머로서는, 예를 들어 (메타)아크릴산알킬에스테르(예를 들어, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 이소노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄형 또는 분기쇄형의 알킬에스테르 등), (메타)아크릴산시클로알킬에스테르(예를 들어, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등), (메타)아크릴산히드록시알킬에스테르(예를 들어, 히드록시에틸에스테르, 히드록시부틸에스테르, 히드록시헥실에스테르 등), (메타)아크릴산글리시딜에스테르, (메타)아크릴산, 이타콘산, 무수말레인산, (메타)아크릴산아미드, (메타)아크릴산N-히드록시메틸아미드, (메타)아크릴산알킬아미노알킬에스테르(예를 들어, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, t-부틸아미노에틸메타크릴레이트 등), 초산비닐, 스틸렌 중 1 종류 또는 2 종류 이상을 단량체 성분으로서 이용한 (메타)아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다.

상기 (메타)아크릴계 폴리머는 응집력, 접착성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라서 상기 (메타)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중 합 가능한 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 좋다. 이러한 모노머 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메타)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메타)아크릴레이트, 이타콘산, 말레인산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머 ; 무수 말레인산, 무수 이타콘산 등의 산무수물 모노머 ; (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산4-히드록시부틸, (메타)아크릴산6-히드록시헥실, (메타)아크릴산8-히드록시옥틸, (메타)아크릴산10-히드록시데실, (메타)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메타)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머 ; 스틸렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메타)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메타)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머 ; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머 ; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머 성분은 1 종류 또는 2 종류 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머의 사용량은 전체 모노머 성분의 30 중량 ％ 이하가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 15 중량 ％ 이하이다.

또한, 상기 (메타)아크릴계 폴리머는, 이것을 가교시키기 위해 다관능성 모노머 등도 필요에 따라서 공중합용 모노머 성분으로서 포함할 수 있다. 베이스 폴리머를 가교시킴으로써, 점착제층의 자기 보유 지지성이 향상되기 때문에 점착 시트의 큰 변형을 방지할 수 있어, 점착 시트(10)의 평판 상태를 유지하기 쉬워진다.

다관능성 모노머로서, 예를 들어 헥산디올디(메타)아크릴레이트, (폴리)에틸 렌글리콜디(메타)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 에폭시(메타)아크릴레이트, 폴리에스테르(메타)아크릴레이트, 우레탄(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다관능성 모노머도 1 종류 또는 2 종류 이상 이용할 수 있다. 다관능성 모노머의 사용량은, 점착 특성 등의 점으로부터 전체 모노머 성분의 30 중량 ％ 이하가 바람직하다.

상기 (메타)아크릴계 폴리머는, 단일 모노머 또는 2 종류 이상의 모노머 혼합물을 중합함으로써 얻어진다. 중합은 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합, 광중합 등 중 어떠한 방식으로 행할 수도 있다. 특히, 자외선이나 전자선 등의 방사선을 조사하여 중합하는 경우에는, 우레탄(메타)아크릴레이트계 올리고머에 모노머 성분과 광중합 개시제를 배합하여 얻을 수 있는 액상 조성물을 캐스트하여 광중합시킴으로써 (메타)아크릴계 폴리머를 합성하는 것이 바람직하다.

상기 우레탄(메타)아크릴레이트계 올리고머는, 수 평균 분자량이 500 내지 10만 정도, 바람직하게는 1000 내지 3만인 것이며, 또한 에스테르·디올을 주골격으로 하는 2관능 화합물이다. 또한, 모노머 성분으로서는 몰포린(메타)아크릴레이트, 이소보르닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 메톡시화시클로데카토리엔(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 우레탄(메타)아크릴레이트계 올리고머와 모노머 성분의 혼합비는, 올리고머 : 모노머 성분 = 95 내지 5 : 5 내지 95(중량 ％)인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 50 내지 70 : 50 내지 30(중량 ％)이다. 우레탄(메타)아크릴레이트계 올리고머의 함유량이 많으면 액상 조성물의 점도가 높아져 중합이 곤란해지는 경향이 있다.

점착제층(12)은 피절단체 등의 오염 방지 등의 점으로부터, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점으로부터, (메타)아크릴계 폴리머의 수 평균 분자량은 20만 내지 300만 정도가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 25만 내지 150만 정도이다.

또한, 상기 점착제에는 베이스 폴리머인 (메타)아크릴계 폴리머 등의 수 평균 분자량을 높이기 위해 외부 가교제를 적절하게 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 멜라민 수지, 요소 수지, 에폭시 수지, 폴리아민, 카르복실기 함유 폴리머 등의 이른바 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은 가교해야 할 베이스 폴리머와의 밸런스에 의해, 또한 점착제로서의 사용 용도에 의해 적절하게 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 폴리머 100 중량부에 대해 1 내지 5 중량부 정도 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는 필요에 따라 상기 성분 외에 종래 공지의 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 이용해도 좋다.

또한, 상기 점착제로서는 방사선 경화형 점착제를 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제는 탄소-탄소 이중 결합 등의 방사선 경화성 관능기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로 서는, 자외선 조사에 의해 점착력이 저하하는 자외선 경화형 점착제가 바람직하다. 이러한 점착제층(12)에 따르면 백 그라인드(연삭) 공정 후 또는 다이싱 공정 후에 자외선 조사에 의해 점착 시트(10)의 박리를 용이하게 행할 수 있다.

자외선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 상기 (메타)아크릴산에스테르의 단독 중합 또는 공중합성 코모노머와의 공중합체(아크릴계 폴리머)와 자외선 경화 성분(상기 아크릴 폴리머의 측쇄에 탄소-탄소 이중 결합을 부가시킨 것이라도 좋음)과, 광중합 개시제와, 필요에 따라서 가교제, 점착 부여제, 충전제, 노화 방지제, 착색제 등의 관용의 첨가제에 의해 구성할 수 있다.

상기 자외선 경화성 성분으로서는, 분자 중에 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 래디컬 중합에 의해 경화 가능한 모노머, 올리고머, 또는 폴리머이면 좋다. 구체적으로는, 예를 들어 우레탄 올리고머, 우레탄(메타)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1, 4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1, 6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산과 다가 알코올의 에스테르 ; 에스테르아크릴레이트올리고머 ; 2-프로페닐디3-부테닐시아누레이트, 2-히드록시에틸비스(2-아크릴록시에틸)이소시아누레이트, 트리스(2-메타크릴록시에틸)이소시아누레이트 등의 이소시아누레이트 또는 이소시아누레이트 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머로서 폴리머 측쇄에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 자외선 경화형 폴리머를 사용하는 경우에 있어서는, 특히 상기 자외선 경화 성분을 가할 필요는 없다. 자외선 경화성 모노머 성분이나 올리고머 성분의 배합량은 점착제를 구성하는 (메타)아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대해 예를 들어 20 내지 200 중량부, 바람직하게는 50 내지 150 중량부 정도이다.

또한, 방사선 경화성 점착제로서는 상기 설명한 첨가형 방사선 경화형 점착제 외에, 베이스 폴리머로서 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 단말에 갖는 것을 이용한 내재형 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형 방사선 경화형 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나, 혹은 대부분을 포함하지 않으므로 시간의 흐름에 따라 올리고머 성분 등이 점착제 중을 이동하는 일이 없다. 이에 의해, 안정된 층 구조의 점착제층(12)을 형성할 수 있다.

상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이러한 베이스 폴리머로서는, (메타)아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. (메타)아크릴계 폴리머의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 (메타)아크릴계 폴리머를 들 수 있다.

상기 (메타)아크릴계 폴리머에 있어서의 폴리머 측쇄에 탄소-탄소 이중 결합을 도입하면 분자 설계가 용이해진다. 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 여러 가지 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 미리 (메타)아크릴계 폴리머에 관능기를 갖는 모노머를 공중합한 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 상태로 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.

이들 관능기의 조합예로서는, 카르본산기와 에폭시기, 카르본산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이함의 관점에서 히드록실기와 이소시아네이트기와의 조합이 적합하다. 또한, 이들 관능기의 조합에 의해 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 (메타)아크릴계 폴리머를 생성하는 조합이면, 관능기는 (메타)아크릴계 폴리머와 상기 화합물 중 어떠한 측에 있어도 좋지만, 상기한 바람직한 조합에서는 (메타)아크릴계 폴리머가 히드록실기를 갖고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 적합하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α, α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, (메타)아크릴계 폴리머로서는 상기 예시의 히드록시기 함유 모노머나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 또는 디에틸렌글리콜모노비닐에테르 등의 에테르계 화합물을 공중합한 것을 들 수 있다.

상기 내재형 방사선 경화형 점착제로서는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머[특히 (메타)아크릴계 폴리머]를 단독으로 사용할 수 있다. 또한, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성 올리고머 성분 등의 배합량은 통상 베이스 폴리머 100 중량부에 대해 30 중량부 이하이며, 바람직하게는 10 중량부 이하이다.

상기 중합 개시제로서는, 그 중합 반응의 계기가 될 수 있는 적당한 파장의 자외선을 조사함으로써 개열(開裂)하여 래디컬을 생성하는 물질이면 좋다. 구체적으로는, 예를 들어 벤조인메틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인알킬에테르류 ; 벤질, 벤조인, 벤조페논, α-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 방향족 케톤류 ; 벤질디메틸케탈 등의 방향족 케탈류 ; 폴리비닐벤조페논 ; 클로로티옥산톤, 도데실티옥산톤, 디메틸티옥산톤, 디에틸티옥산톤 등의 티옥산톤류 등을 들 수 있다. 중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 (메타)아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대해, 0.1 내지 20 중량부 정도이며, 바람직하게는 1 내지 10 중량부이다.

한편, 상기 가열 박리형 점착제로서는 상기 일반적인 감압성 점착제에 열팽창성 미립자가 배합된 열발포형 점착제를 들 수 있다. 물품의 접착 목적을 달성한 후 열팽창성 미립자를 함유하는 감압 접착제를 가열함으로써 점착제층(12)이 발포 혹은 팽창하여 점착제층(12) 표면이 요철로 변화하고, 피착체와의 접착 면적의 감소에 의해 접착력 저감하여 물품을 용이하게 분리할 수 있도록 한 것으로, 전자 물품이나 그 재료 등의 가공시에 있어서의 고정이나 반송 등의 물류 등 다종 다양할 목적으로 이용되고 있다.

열팽창성 미립자에 대해서는 특별히 한정은 없고, 박리 개시 온도가 낮은 것과 박리 개시 온도가 높지만 다른 박리 개시 온도를 갖는 조합이 되도록 다양한 무기계나 유기계의 열팽창성 미소구를 선택 사용할 수 있다. 이 2 종류의 열팽창성 미소구의 박리 개시 온도차는 열팽창성 미소구의 감온 특성 등의 처리 정밀도에 따라서 적절하게 결정되지만, 일반적으로는 20 내지 70 ℃, 바람직하게는 30 내지 50 ℃의 온도차가 된다.

열발포형 점착제는 열에 의한 열팽창성 미립자의 발포에 의해 접착 면적이 감소하여 박리가 용이해지는 것으로, 열팽창성 미립자의 평균 입경은 1 내지 25 ㎛ 정도인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 5 내지 15 ㎛이고, 특히 10 ㎛ 정도인 것이 바람직하다.

열팽창성 미립자로서는, 가열하에 팽창하는 소재를 특별히 제한없이 사용할 수 있지만 열팽창성 물질을 마이크로 캡슐화하여 이루어지는 팽창성 미립자는 혼합 조작이 용이한 등의 점으로부터 바람직하게 이용된다. 예를 들어, 이소부탄, 프로판, 펜탄 등의 가열에 의해 용이하게 가스화하여 팽창하는 물질을, 탄성을 갖는 외피 내에 내포시킨 미소구이면 좋다. 상기 외피는, 통상 열가소성 물질, 열용융성 물질, 열팽창에 의해 파열되는 물질 등으로 형성된다. 상기 외피를 형성하는 물질로서는, 예를 들어 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 폴리비닐알코올, 폴리비닐부티랄, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴, 폴리술폰 등을 들 수 있다. 열팽창성 마이크로 캡슐은, 상기 점착제와의 분산 혼합성이 우수한 등의 이점도 갖는다. 열팽창성 마이크로 캡슐의 시판품으로서는, 예를 들어 마이크로 스페어(상품명 : 마쯔모또 유시사제) 등을 들 수 있다. 또한, 필요에 따라서 열팽창 보조제를 첨가해도 좋다.

상기 점착제에 대한 열팽창성 미립자(열팽창성 마이크로 캡슐)의 배합량은 상기 점착제층(12)의 종류에 따라서 그 점착력을 저하할 수 있는 양을 적절하게 결정할 수 있다. 일반적으로는, 열팽창성 미립자를 포함하는 점착제층(12)의 두께를 가열 팽창 직후의 두께의 60 ％ 이상, 바람직하게는 70 ％ 이상, 더욱 바람직하게는 80 ％ 이상을 유지할 수 있는 배합량이 바람직하다. 또한 베이스 폴리머 100 중량부에 대해, 1 내지 100 중량부 정도, 바람직하게는 5 내지 40 중량부, 보다 바람직하게는 10 내지 20 중량부이다.

점착제층(12)의 두께는 접착 고정성과 박리성을 양립하는 관점에서, 1 ㎛ 내지 100 ㎛가 바람직하고, 5 ㎛ 내지 50 ㎛ 정도가 보다 바람직하다. 또한, 점착제층(12)의 접착력은 지지 웨이퍼로부터 최종적으로 용이하게 박리할 수 있는 범위 내인 것이면 좋고, 특별히 한정되지는 않는다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼에 대한 180도 필 접착력의 값이, 1 내지 30 N/10 mm의 범위 내인 것이 바람직하고, 5 내지 20 N/10 mm의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.

세퍼레이터(13)는 라벨 가공을 위해, 또는 점착제층(12)의 표면을 평활하게 하는 목적을 위해 필요에 따라서 설치된다. 세퍼레이터(13)의 구성 재료로서는, 종이, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름 등을 들 수 있다. 세퍼레이터(13)의 표면에는 점착제층(12)으로부터의 박리성을 높이기 위해, 필요에 따라서 실리콘 처리, 장쇄 알킬 처리, 불소 처리 등의 박리 처리가 실시되어 있어도 좋다. 또한, 필요에 따라서 점착 시트(10)가 환경 자외선에 의해 반응하지 않도록 자외선 방지 처리가 실시되어 있어도 좋다. 세퍼레이터(13)의 두께는 통상 10 내지 200 ㎛, 바람직하게는 25 내지 100 ㎛ 정도이다.

또한, 점착제층(12)이 자외선 등의 방사선 경화형 점착제로 이루어지는 경우에는, 다이싱 전 또는 후에 점착제층(12)에 방사선을 조사하기 위해 기재 필름(11)은 충분한 방사선 투과성을 갖고 있을 필요가 있다.

내층(11a)은 통상의 기재 등과 비교하여 연질의 층이다. 이로 인해, 점착 시트(10)의 제조 후, 상기 점착 시트(10)를 일단 롤 형상으로 권취하는 등의 경우에, 블로킹[기재 필름(11)의 배면(외층(11b))과 점착제층(12)의 융착]을 야기시키는 경우가 있다. 따라서, 블로킹을 방지하는 목적으로, 외층(11b)의 외측에 블로킹의 발생을 억제하는 층을 수 내지 수십 ㎛ 설치해도 좋다. 상기 블로킹의 발생을 억제하는 층으로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 엠보스 처리가 실시된 층 등을 예시할 수 있다. 또한, 상기와 동일한 목적 또는 익스팬드성 향상의 목적으로, 기재 필름(11)의 점착제층(12)이 설치되어 있는 측과는 반대측에 다른 층을 설치해도 좋다.

다음에, 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 점착 시트에 대해 설명한다. 도1의 (b)는 상기 점착 시트의 개략을 도시한 단면 모식도이다. 도1의 (b)에 도시한 점착 시트(10')는 점착 시트(10)와 비교하여, 기재 필름(11) 대신에 가교 구조를 갖는 층(이하, 가교층이라 함)(11c)을 구비한 기재 필름(11')을 이용한 점이 다르다.

상기 가교층(11c)으로서는, 예를 들어 가교 구조를 갖는 폴리올레핀계 필름을 예시할 수 있다. 폴리올레핀계 필름의 구성 재료로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜틴, 에틸렌-초산비닐 공중합체, 에틸렌(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-메틸(메타)아크릴산에스테르, 에틸렌-에틸(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·비닐알코올 공중합체, 폴리부텐, 에틸렌-아이오노머 공중합체 등을 예시할 수 있다. 이들 구성 재료는 1종 단독으로 이용해도 좋고, 또한 2종 이상을 병용해도 좋다. 또한, 가교층(11c)은 단층에 한정되지 않고, 복수층으로 이루어지는 것이라도 좋다.

가교층(11c)의 두께는 다이싱시의 절입 깊이를 고려하여 설정되고, 20 ㎛ 이상, 150 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 두께 방향에 있어서의 가교 밀도의 변화를 고려하면 20 ㎛ 이상, 100 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 20 ㎛ 이상, 40 ㎛ 미만이 특히 바람직하다.

가교층(11c)의 형성 방법으로서는, 상기 구성 재료로 이루어지는 폴리올레핀계 필름에 미리 전자선 또는 γ선을 조사하여 가교시켜, 이 필름을 드라이 라미네이트 등으로 내층(11a) 상에 접합하는 방법이나, 폴리올레핀계 필름과 다른 필름을 공압출법에 의해 제막하고, 또한 전자선 등을 조사하여 상기 폴리올레핀계 필름을 가교시켜 가교층(11c)으로 하는 방법을 들 수 있다. 이들 방법에 의해 형성되는 가교층(11c)은, 조사면으로부터 두께 방향으로 멀어져 감에 따라서 가교 밀도가 점차 저하하는 가교 구조를 갖는다.

가교층(11c)의 가교 밀도는 전자선 또는 γ선 조사량을 적절하게 변경함으로써 제어 가능하다. 전자선 또는 γ선 조사량은 통상 10 내지 250 Mrad의 범위이고, 바람직하게는 20 내지 200 Mrad이고, 특히 바람직하게는 30 내지 150 Mrad이다. 또한, 가교층(11c)이 폴리에틸렌으로 이루어지는 경우에는 전자선 또는 γ선 조사량은 30 내지 150 Mrad 정도인 것이 바람직하다. 또한, 가교층(11c)이 에틸렌 공중합체로 이루어지는 경우에는 전자선 또는 γ선 조사량은 20 내지 100 Mrad 정도인 것이 바람직하다.

또한, 여기서 전자선이라 함은 자유 전자속, 즉 음극선을 가리킨다. 전자선의 조사는, 구체적으로는 전자선 가속기(고에너지, 저에너지, 또는 스캐닝 등 중 어떠한 타입도 포함함)를 이용하여, 그 발생 전자선하를 소정의 조건으로 폴리올레핀계 필름을 통과시킴으로써 행한다.

또한 γ선이라 함은, 통상 정의되어 있는 바와 같이 방사성 원소의 붕괴시에 방출되는 전자파의 일종을 가리킨다. γ선의 조사는, 구체적으로는 Co⁶⁰을 선원으로서 갖는 조사실에 폴리올레핀계 필름을 설치하고, 소정량의 γ선을 조사하여 행한다. 이 경우, 폴리올레핀계 필름은 롤형인 상태로 처리할 수 있으므로 작업성이 양호하다.

이러한 조사량으로 폴리올레핀계 필름에 전자선 또는 γ선을 조사하면, 다이싱시의 실 형상 칩의 발생을 저감시킬 수 있다. 또한, 기재 필름(11')의 탄성, 강도 등의 기계적 특성을 손상시키는 일도 없어, 점착 시트(10')의 익스팬딩을 지장없이 행할 수 있다. 한편, 전자선 또는 γ선 조사량이 1 Mrad 미만이면, 전자선 또는 γ선 조사에 의한 효과가 불충분하여, 다이싱시에 미조사인 경우와 마찬가지로 다량의 실 형상 칩이 발생하는 경우가 있다. 또한, 전자선 또는 γ선 조사량이 80 Mrad를 초과하면, 기재 필름(11')의 탄성, 강도 등의 기계적 특성이 손상되어 익스팬딩시에 기재 필름(11')이 파단하는 경우가 있고, 또한 조사 후의 기재 필름(11')을 열화시키는 경우가 있다.

(점착 시트의 제조 방법)

다음에, 본 실시 형태에 관한 점착 시트의 제조 방법에 대해 설명한다. 이하의 설명에서는, 점착 시트(10)를 이용한 경우를 예로 하고 있다.

기재 필름(11)은 종래 공지의 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 상기 제막 방법으로서는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T 다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 예시할 수 있다.

다음에, 기재 필름(11)의 내층(11a) 상에 점착제를 포함하는 조성물을 도포하고 건조시켜(필요에 따라서 가열 가교시켜) 점착제층(12)을 형성한다. 내층(11a) 상에 또 다른 층이 있는 경우에는, 상기 다른 층 상에 점착제층(12)을 형성한다. 도포 방식으로서는, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 도포는 직접 기재 상에 행해도 좋고, 표면에 박리 처리를 행한 박리지 등에 도포 후 기재에 전사해도 좋다. 계속해서, 점착제층(12)의 표면에 세퍼레이터(13)를 접합하여 본 실시 형태에 관한 점착 시트(10)를 얻을 수 있다.

(다이싱 방법)

다음에, 본 발명에 관한 다이싱 방법에 대해 피절단체가 반도체 패키지인 경우를 예로서 설명한다.

본 실시 형태에 관한 다이싱 방법은, 도2의 (a) 내지 도2의 (e)에 도시한 바와 같이 리드 프레임(14)에 점착 시트(10)를 접합하는 공정과, 반도체 칩(15)의 탑재 공정과, 본딩 와이어(16)에 의한 와이어 본딩 공정과, 밀봉 수지(17)에 의해 밀봉하는 공정과, 밀봉된 구조물로서의 반도체 패키지(21)를 다이싱하는 공정을 적어도 포함하는 것이다.

리드 프레임(14)에 점착 시트(10)를 부착하는 공정은, 우선 점착 시트(10)로부터 세퍼레이터(13)를 박리하고, 리드 프레임(14)과 점착 시트(10)의 위치 맞춤을 하여 행한다. 접합은 종래 공지의 방법에 의해 행할 수 있다.

반도체 칩(15)의 탑재는, 도2의 (a) 및 도2의 (b)에 도시한 바와 같이 아우터 패드측(도면의 하측)에 점착 시트(10)를 접합한 금속제 리드 프레임(14)의 다이 패드(14c) 상에 반도체 칩(15)을 본딩하는 공정이다.

리드 프레임(14)이라 함은, 예를 들어 구리 등의 금속을 소재로 하여 QFN의 단자 패턴이 형성된 것이고, 그 전기 접점 부분에는 은, 니켈, 팔라듐, 금 등의 소재로 피복(도금)되어 있는 경우도 있다. 리드 프레임(14)의 두께는 100 내지 300 ㎛가 일반적이다. 또한, 부분적으로 에칭 등에 의해 얇게 가공되어 있는 부분은 이에 한정되지 않는다.

리드 프레임(14)은 이후의 절단 공정에서 나누어 절단하기 쉽도록 각각의 QFN이 정연하게 배치된 배치 패턴인 것이 바람직하다. 예를 들어 리드 프레임(14) 상에 종횡의 매트릭스 형상으로 배열된 배치 패턴 등은 매트릭스 QFN 혹은 MAP-QFN 등이라 불리워지며, 가장 바람직한 리드 프레임 형상의 일형태이다. 특히 최근에 는 생산성의 관점에서 1매의 리드 프레임 중에 배열되는 패키지수를 많게 하기 위해, 이들 각각의 패키지가 세밀화될 뿐만 아니라 1개의 밀봉 부분으로 다수의 패키지를 밀봉할 수 있도록 이들 배열수도 크게 확대되고 있다.

도2의 (a)에 도시한 바와 같이, 리드 프레임(14)의 패키지 패턴 영역에는 인접한 복수의 개구(14a)에 단자부(14b)를 복수 배열한, QFN의 기판 디자인이 정연하게 배열되어 있다. 일반적인 QFN의 경우, 각각의 기판 디자인은 개구(14a)의 주위에 배열된, 아우터 리드면을 하측에 갖는 단자부(14b)와 개구(14a)의 중앙에 배치되는 다이 패드(14c)와, 다이 패드(14c)를 개구(14a)의 4 구석에 지지시키는 다이 바아(11d)로 구성된다.

점착 시트(10)는 적어도 패키지 패턴 영역보다 외측에 점착되고, 수지 밀봉되는 수지 밀봉 영역의 외측의 전체 둘레를 포함하는 영역에 점착하는 것이 바람직하다. 리드 프레임(14)은 통상 수지 밀봉시의 위치 결정을 행하기 위한 사이드 핀용 구멍을 단부 근방에 갖고 있고, 그것을 막지 않는 영역에 점착하는 것이 바람직하다. 또한, 수지 밀봉 영역은 리드 프레임(14)의 길이 방향으로 복수 배치되므로, 그들 복수 영역을 걸치도록 연속하여 점착 시트(10)를 점착하는 것이 바람직하다.

상기와 같은 리드 프레임(14) 상에 반도체 칩(15), 즉 반도체 집적 회로 부분인 실리콘 웨이퍼·칩이 탑재된다. 리드 프레임(14) 상에는 이 반도체 칩(15)을 고정하기 위해 다이 패드(14c)라 불리워지는 고정 영역이 마련되어 있다. 다이 패드(14c)에의 본딩(고정)은 도전성 페이스트(19)를 이용하여 행한다. 단, 본 발명 은 상기 방법에 한정되는 것은 아니며, 접착 테이프나 접착제 등을 이용한 각종 방법을 채용할 수도 있다. 도전성 페이스트(19)나 열경화성 접착제 등을 이용하여 다이 본드하는 경우, 일반적으로 150 내지 200 ℃ 정도의 온도로 30분 내지 90분 정도 경화한다.

상기 와이어 본딩 공정은, 도2의 (c)에 도시한 바와 같이 리드 프레임(14)의 단자부(14b)(이너 리드)의 선단부와 반도체 칩(15) 상의 전극 패드(15a)를 본딩 와이어(16)로 전기적으로 접속하는 공정이다. 본딩 와이어(16)로서는, 예를 들어 금선 또는 알루미늄선 등이 이용된다. 본 공정은, 일반적으로는 120 내지 250 ℃로 가열된 상태로, 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의해 결선된다. 그 때, 리드 프레임(14)에 점착한 점착 시트(10)면을 진공 흡인함으로써 히트 블록에 확실하게 고정할 수 있다.

상기 밀봉 공정은, 도2의 (d)에 도시한 바와 같이 밀봉 수지(17)에 의해 반도체 칩측을 한쪽면 밀봉하는 공정이다. 본 공정은 리드 프레임(14)에 탑재된 반도체 칩(15)이나 본딩 와이어(16)를 보호하기 위해 행해지고, 특히 에폭시계의 수지를 비롯한 밀봉 수지(17)를 이용하여 금형 중에서 성형되는 것이 대표적이다. 그 때, 복수의 캐비티를 갖는 상부 금형과 하부 금형으로 이루어지는 금형을 이용하여, 복수의 밀봉 수지(17)로 동시에 밀봉 공정이 행해지는 것이 일반적이다. 구체적으로는, 예를 들어 수지 밀봉시의 가열 온도는 170 내지 180 ℃이고, 이 온도에서 수분간 경화된 후, 다시 포스트 몰드 경화가 수시간 행해진다. 또한, 점착 시트(10)는 포스트 몰드 경화 전에 박리하는 것이 바람직하다.

상기 다이싱 공정은 반도체 패키지(21)를 풀 컷트하여 개별 반도체 장치로 분할하는 공정이다. 다이싱은, 예를 들어 다이싱 블레이드 등을 이용하여 밀봉 수지의 절단부로부터 기재 필름(11)에 있어서의 내층(11a)에 도달하는 정도까지 컷트를 한다. 이 때, 다이싱 블레이드에는 반도체 패키지와의 마찰에 의해 마찰열이 발생한다. 이에 의해 다이싱 블레이드는, 내층(11a)의 융점을 상회하는 온도까지 가열된다. 그 결과, 내층(11a)은 용융하지만 그 융점은 통상의 기재의 재료와 비교하여 낮다. 이로 인해, 다이싱 블레이드에 의해 권취된 내층(11a)을 구성하는 수지는 절삭 냉각수에 의해 냉각되어 실 형상 칩으로 성장하는 일 없이 액체와 같이 비산한다. 그 결과, 종래 행해지고 있던 실 형상 칩을 검사 제거하기 위한 공정이 불필요해지거나, 혹은 공정 작업의 경감을 도모할 수 있다.

다이싱의 조건으로서는, 피절단체에 따라서 적절히 설정된다. 단, 다이싱 블레이드는 점착제층(12) 표면으로부터 깊이 70 ㎛ 이상의 깊이의 위치까지 절입시킬 필요가 있다. 기재 필름(11)에 있어서의 내층(11a)은 상기 위치에 설치되어 있기 때문이다. 또한, 절삭 냉각수의 온도는 통상 10 내지 30 ℃의 범위 내로 되어 있다.

여기서, 상기 다이싱 블레이드로서는 도3에 도시한 바와 같이 니켈 합금 등의 메탈을 이용한 본드재(33)와, 상기 본드재(33)에 샌드 페이퍼 형상으로 분산되어 각각 보유 지지된 복수의 다아이몬드 입자(32)(2 내지 6 ㎛)를 갖는 다이아몬드 블레이드(31)를 사용하는 것이 바람직하다. 다이아몬드 블레이드(31)를 이용하여 다이싱을 행하면, 본드재(33)가 메탈로 이루어지기 때문에 특히 절단에 의한 마찰 열이 커진다. 그 결과, 내층(11a)의 용융 점도를 한층 저하시킬 수 있어, 실 형상 칩 생성의 억제에 효과적이기 때문이다.

또한, 본 발명에 있어서는 다이싱을 행한 후 피절단체 소편으로서의 반도체 소자를 다이싱용 점착 시트(10)로부터 픽업하는 공정을 포함해도 좋다. 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 여러 가지 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 각각의 반도체 소자를 점착 시트(10)측(하방측)으로부터 니들에 의해 밀어 올리고, 밀어 올려진 반도체 소자를 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 있어서는 피절단체로서 반도체 패키지(21)를 예로서 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 상기 피절단체로서는, 반도체 패키지(21) 외에 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 글래스 등을 예시할 수 있다. 또한, 이들 피절단체를 이용하는 경우 점착 시트(10)와의 접합은 종래 공지의 방법에 의해 행할 수 있다.

이하에, 본 발명의 적합한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 본 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은 특별히 한정적인 기재가 없는 한은 본 발명의 범위를 그들에만 한정하는 취지의 것이 아닌 단순한 설명예에 불과하다.

(제1 실시예)

우선, 아크릴산부틸 95 중량부 및 아크릴산 5 중량부를 초산에틸 중에서 통상적인 방법에 의해 공중합시켰다. 이와 같이 하여 얻어진 아크릴계 공중합체(수 평균 분자량 80만)를 함유하는 용액에, 디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트(상품명 「카야라드 DPHA」, 니혼 가야꾸 가부시끼가이샤제) 70 중량부, 래디컬 중합 개시제(상품명「일가큐아 651」, 치바·스페셜티·케미컬즈) 3 중량부, 폴리이소시아네이트 화합물(상품명「콜로네이트 L」, 니혼 폴리우레탄제) 5 중량부를 첨가하여, 아크릴계 자외선 경화형 점착제 용액을 조정하였다. 이 용액을, 폴리에스테르세퍼레이터(세퍼레이터)의 실리콘 처리면에 도포하고, 800 ℃에서 10분간 가열하여 가열 가교시켰다. 이에 의해, 두께 20 ㎛의 자외선 경화형 점착제층(점착제층)을 형성하였다.

다음에, 기재 필름(기재)을 제작하였다. 즉, 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지(융점 84 ℃, 멜트플로우레이트 2.5 g/10분)와 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지(융점 110 ℃, 멜트플로우레이트 2.3 g/10분)를 T 다이 공압출법에 의해, EVA층(내층)/LDPE층(외층) = 120 ㎛/30 ㎛가 되도록 제막하였다. 또한, EVA층측에 코로나 처리를 실시하였다. 또한, 멜트플로우레이트는 JIS K 7210에 의해 측정하였다. 또한 측정 조건으로서는, 시험 온도 190 ℃, 하중 21.18 N으로 하였다.

계속해서, 폴리에스테르세퍼레이터 상에 설치된 점착제층과, 기재 필름의 코로나 처리면이 대향하도록 하여 양자를 접합하였다. 이에 의해, 본 제1 실시예에 관한 자외선 경화형 반도체 패키지 다이싱용 점착 시트를 제작하였다.

(제2 실시예)

우선, 상기 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 폴리에스테르세퍼레이터 상에 자외선 경화형 점착제층을 형성하였다. 다음에, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체(EEA) 수지(융점 92 ℃, 멜트플로우레이트 5 g/10분)와 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지(융점 110 ℃, 멜트플로우레이트 3.5 g/10분)를 T 다이 공압출법에 의해 EEA층(내층)/LDPE층(외층) = 150 ㎛/50 ㎛가 되도록 제막하였다. 또한, EEA층측에 코로나 처리를 실시하여 기재 필름을 제작하였다. 계속해서, 폴리에스테르세퍼레이터 상에 설치된 점착제층과, 기재 필름의 코로나 처리면이 대향하도록 하여 양자를 접합하였다. 이에 의해, 본 제2 실시예에 관한 자외선 경화형 반도체 패키지 다이싱용 점착 시트를 제작하였다.

(제3 실시예)

상기 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 폴리에스테르세퍼레이터 상에 자외선 경화형 점착제층을 형성하였다. 다음에, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지(융점 110 ℃, 멜트플로우레이트 2 g/10분)와 에틸렌-초산비닐 공중합체(EVA) 수지(융점 84 ℃, 멜트플로우레이트 2.5 g/10분)를 T 다이 공압출법에 의해 LDPE층/EVA층(내층)/LDPE(외층) = 70 ㎛/100 ㎛/30 ㎛가 되도록 제막하였다. 또한, 두께 70 ㎛의 LDPE층에 전자선을 조사하여 가교시켜 기재 필름을 제작하였다. ※ 조사 조건은, 조사량 100 Mrad로 하였다. 계속해서, 폴리에스테르세퍼레이터 상에 설치된 점착제층과, 두께 70 ㎛의 LDPE층이 대향하도록 하여 양자를 접합하였다. 이에 의해, 본 제3 실시예에 관한 자외선 경화형 반도체 패키지 다이싱용 점착 시트를 제작하였다.

(제1 비교예)

기재 필름으로서, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지(융점 110 ℃, 멜트플로우레 이트 2 g/10분)를 이용하여 T 다이 압출법에 의해 두께 150 ㎛인 것을 제막하고, 또한 그 한쪽면에 코로나 처리를 실시한 것을 사용한 것 이외에는 상기 제1 실시예와 마찬가지로 하여 자외선 경화형 반도체 패키지 다이싱용 점착 시트를 얻었다.

(제2 비교예)

기재 필름으로서 EVA 수지(융점 103 ℃, 멜트플로우레이트 2 g/10분)를 T 다이 압출법에 의해 한쪽면에 매트 처리를 실시하면서, 두께 200 ㎛가 되도록 제막하고, 매트 처리의 반대면에 코로나 처리를 실시한 것을 이용한 것 이외에는 상기 제1 실시예와 마찬가지로 하여 자외선 경화형 반도체 패키지 다이싱용 점착 시트를 얻었다.

(제3 비교예)

기재 필름으로서 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 수지(융점 110 ℃, 멜트플로우레이트 2 g/10분)를 T 다이 압출법에 의해 두께 200 ㎛가 되도록 제막하고, 한쪽면에 전자선을 조사하였다. ※ 조사 조건은 조사량 100 Mrad로 하였다. 이와 같이 하여 얻어진 기재 필름을 이용한 것 이외에는, 상기 제1 실시예와 마찬가지로 하여 자외선 경화형 반도체 패키징용 점착 시트를 얻었다.

(평가 시험)

각 실시예 및 비교예에서 제작한 각 다이싱용 점착 시트를 하기의 방법에 의해 평가하였다. 즉, 다이싱용 점착 시트에 두께 1.0 mm이고 10 cm × 10 cm의 에폭시 기판을 마운트하여 이하의 조건으로 다이싱을 행하였다.

다이싱 조건

다이서 : DISCO사제 DFD-651

다이싱 블레이드 : DISCO사제 BIA801DC320N50M51

다이싱 블레이드 회전수 : 45,000 rpm

다이싱 속도 : 50 mm/초

다이싱 깊이 : 점착 시트 표면으로부터 100 ㎛

다이싱 사이즈 : 5 × 5 mm

컷트 모드 : 다운 컷트

다이싱에 의한 절단 후의 절단 라인을 광학 현미경(100배)으로 관찰하고, 에폭시 기판 상과 점착 시트 상의 에폭시 기판이 없는 부분의 실 형상 칩의 개수를 각각 카운트하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다. 표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 각 제1 내지 제3 실시예에 관한 점착 시트는 실 형상 칩의 발생이 적고, 10 × 10 cm 사이즈의 기판을 5 × 5 mm로 다이싱하였을 때의 실 형상 칩의 발생이 30개 이하로 실용 가능한 레벨에 있었다. 한편, 제1 및 제2 비교예에 관한 점착 시트는 실 형상 칩의 발생이 극단적으로 많아 실용 가능한 레벨은 아니었다.

[표1]

	기판 필름의 조성 (두께 : ㎛)	저융점 수지의 융점(℃)	저융점 수지의 멜트플로우레이트 (g/10분)	실 형상 칩(개)
	기판 필름의 조성 (두께 : ㎛)	저융점 수지의 융점(℃)	저융점 수지의 멜트플로우레이트 (g/10분)	에폭시 기판상	점착 시트상의 에폭시 기판이 없는 부분
제1 실시예	EVA/LDPE(120/30)	84	2.5	0	11
제2 실시예	EEA/LDPE(150/50)	92	5	8	7
제3 실시예	LDPE/EVA/LDPE (70/100/30)	84	2.5	0	0
제1 비교예	LDPE(150)	110	2	206	2
제2 비교예	EVA(200)	103	2	163	3
제3 비교예	LDPE(200)	110	2.5	43	0

본 발명에 따르면, 제품 품위의 저하나 비용적인 불이익이 없고, 게다가 다이싱시의 실 형상 칩의 발생이 적은 다이싱용 점착 시트를 제공할 수 있다. 또한, 상기 다이싱용 점착 시트를 이용한 다이싱 방법을 제공할 수 있다.

Claims

기재의 적어도 한쪽면에 점착제층을 갖는 다이싱용 점착 시트이며,

상기 기재는 융점이 40℃ 이상 95 ℃ 이하인 에틸렌계 수지를 함유하는 층을 갖는 다층 구조이고,

상기 층의 두께가, 기재의 총 두께의 1/2 이상인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
제1항에 있어서, 상기 에틸렌계 수지의 190 ℃에 있어서의 멜트플로우레이트는 1.5 g/10분 이상 12 g/10분 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
제1항에 있어서, 상기 기재의 총 두께는 100 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
제1항에 있어서, 상기 점착제층은 방사선 경화형 점착제를 포함하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
기재의 적어도 한쪽면에 점착제층을 갖는 다이싱용 점착 시트이며,

상기 기재는 융점이 40℃ 이상 95 ℃ 이하인 에틸렌계 수지를 함유하는 층을 갖는 다층 구조이고, 또한 상기 점착제층과 접하는 측에 가교 구조를 갖는 층을 구비하는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
제5항에 있어서, 상기 에틸렌계 수지의 190 ℃에 있어서의 멜트플로우레이트는 1.5 g/10분 이상 12 g/10분 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
제5항에 있어서, 상기 기재의 총 두께는 100 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
제5항에 있어서, 상기 점착제층은 방사선 경화형 점착제를 포함하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 다이싱용 점착 시트.
다이싱용 점착 시트가 접합된 피절단체를, 상기 다이싱용 점착 시트의 기재까지 절입을 행함으로써 다이싱하는 다이싱 방법이며,

상기 다이싱용 점착 시트는 기재의 적어도 한쪽면에 점착제층을 갖고 있고,

상기 기재는 융점이 40℃ 이상 95 ℃ 이하인 에틸렌계 수지를 함유하는 층을 갖는 다층 구조이고,

상기 층의 두께가, 기재의 총 두께의 1/2 이상인 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
제9항에 있어서, 상기 다이싱을 행한 후, 절단 후의 피절단체 소편을 다이싱 용 점착 시트로부터 픽업하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
제9항에 있어서, 상기 다이싱에 있어서 사용하는 다이싱 블레이드에, 메탈을 본드재로 하는 다이아몬드 블레이드를 이용하는 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
제9항에 있어서, 상기 피절단체는 반도체 패키지인 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
제9항에 기재된 다이싱 방법에서 상기 피절단체를 다이싱함으로써 얻어진 피절단체 소편.
다이싱용 점착 시트가 접합된 피절단체를, 상기 다이싱용 점착 시트의 기재까지 절입을 행함으로써 다이싱하는 다이싱 방법이며,

상기 다이싱용 점착 시트는 기재의 적어도 한쪽면에 점착제층을 갖고 있고,

상기 기재는 융점이 40℃ 이상 95 ℃ 이하인 에틸렌계 수지를 함유하는 층을 갖는 다층 구조이고, 또한 상기 점착제층과 접하는 측에 가교 구조를 갖는 층을 구비한 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
제14항에 있어서, 상기 다이싱을 행한 후 절단 후의 피절단체 소편을 다이싱용 점착 시트로부터 픽업하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
제14항에 있어서, 상기 다이싱에 있어서 사용하는 다이싱 블레이드에, 메탈을 본드재로 하는 다이아몬드 블레이드를 이용하는 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
제14항에 있어서, 상기 피절단체는 반도체 패키지인 것을 특징으로 하는 다이싱 방법.
제14항에 기재된 다이싱 방법에서 상기 피절단체를 다이싱함으로써 얻어진 피절단체 소편.