CN105103273A - 半导体晶片保护用粘接带 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种即使在气体蚀刻工序或等离子体切割工序中暴露于高热下，也不会有与夹盘台熔接或过度地收缩的情况，并且具有耐热性和耐热收缩性的半导体晶片保护用粘接带。本发明使用如下的半导体晶片保护用粘接带(1)，其特征在于，具有基材膜(3)和形成于基材膜(3)的一面的粘接剂层(5)，基材膜(3)在未形成粘接剂层(5)的一侧的最外层具有含有已固化的树脂的流延膜层(7)，流延膜层(7)的粘性力在200℃为100kPa以下。另外，也可以使用基材膜仅由流延膜层(7)构成的半导体晶片保护用粘接带(1a)。

Description

半导体晶片保护用粘接带

技术领域

本发明涉及气体蚀刻工序及等离子体切割工序中使用的半导体晶片保护用粘接带。

背景技术

半导体晶片在表面形成电路后，进行对晶片的背面侧实施研磨加工来调整晶片的厚度的背面研磨工序以及将晶片单片化为规定的芯片尺寸的切割工序。

近年来，IC卡的普及、USB存储器的急剧的容量提升正在推进，随着叠加芯片的片数的增加，希望进一步薄型化。由此，就需要将现有厚度为200μm～350μm左右的半导体芯片减薄到厚度为50～100μm或其以下。

另一方面，为了提高性能，将芯片层叠起来的必要性逐渐提高，因此推进了芯片的薄膜化，然而与之相伴，芯片的使用量也增加，所以希望增加能通过一次加工制造的芯片。与此相对，晶片的大口径化正在推进，目前以12英寸(300mm)晶片为中心进行加工。但是，为了进一步提高芯片的加工效率，也正在研究18英寸(450mm)晶片的加工。

图3(a)、(b)表示小直径的半导体晶片21或大直径的半导体晶片31中的芯片的配置图。如图3(a)所示那样，在将芯片23以棋盘格状排列的芯片配置中，可以进行现有的借助切割刀的切割。但是，在300mm以上的晶片直径中，在对存储器类器件等大尺寸的芯片写入布线的情况下，当对晶片表面进行布线图案时，不能使用的区域就会增加，经常产生不能作为产品使用的芯片。于是为了提高芯片的产量，如图3(b)所示，逐渐变为在半导体晶片31的外周部紧密地配置芯片33的方式。由于从此前的将芯片等间隔地配置的方式(图3(a))变为芯片不是等方向而是朝向各种方向被配置的方式(图3(b))，因此划线(切割线)并非直线，借助刀片的直线式的切割变得困难。

针对上述的问题，如果使用激光等则在直线以外的情况下也可以切割，从而提出了如下的所谓隐形切割法，即，在将激光向半导体晶片内部照射而选择性地形成改性部的同时形成切割线，并以改性部为起点切断半导体晶片(专利文献1)。但是，借助激光的芯片的截断由于会对芯片造成损伤，所以存在着芯片的抗弯强度无法提高的问题。

针对上述的问题提出过等离子体切割的方法(专利文献2)。等离子体切割是通过将未被掩模覆盖的部位用等离子体选择性地蚀刻而将半导体晶片分割的方法。当使用该切割方法时，可以选择性地进行芯片的截断，是即使划线弯曲也可以没有问题地截断的方法。另外，由于蚀刻率非常高，因此近年来被视为最适于芯片的截断的加工之一。但是，在等离子体切割中，将六氟化硫(SF₆)或四氟化碳(CF₄)等与晶片的反应性非常高的氟系的气体作为等离子体发生用气体使用，由于其高蚀刻率，因此必须对不蚀刻的面进行借助掩模的保护，必须事先利用抗蚀剂或胶带进行掩模处理。另外，由于在等离子体蚀刻后处于残留有该膜的状态，因此为了除去抗蚀剂，要使用大量的溶剂，在不能除去抗蚀剂的情况下，就会变成残胶而形成不良芯片，由于各种问题没有得到解决，因此现实状况是还没有普及。

另外，在等离子体切割法中，晶片暴露于等离子体中并发热而达到高温，产生半导体晶片保护用粘接带热老化的问题。热老化后的半导体晶片保护用粘接带会在被粘附体上残留附着粘接剂、或丧失剥离性能，从而失去半导体晶片保护用粘接带的作用。

另一方面，近年来，提出如下的新的加工方法，即为，在基于前述的隐形切割法的加工后，将抑制对晶片赋予的能量，并控制蚀刻率的气体团簇蚀刻法进行组合的加工方法。所谓气体团簇蚀刻，是通过朝向真空环境吹送气体而形成气体分子的团簇，并使其与晶片碰撞而进行晶片的处理的方法(专利文献3)。与晶片碰撞的团簇对晶片赋予动能后，被分解成气体分子而飞散。由此，能蚀刻晶片表面。通过在基于隐形切割法的加工后实施该蚀刻处理而除去基于激光的改性部，能期待抗弯强度的提高。另外，在气体团簇蚀刻法中，作为反应性气体，使用三氟化氯(ClF₃)气体，由于Cl-F的键合非常小，因此不需要像四氟化碳(CF₄)等的等离子体发生用气体那样事先使之离子化，所以对基板的损伤极小，从而不需要基于掩模的保护，可以简便地进行芯片的截断加工。

在使用了气体团簇蚀刻法等的气体蚀刻工序中，与等离子体切割工序相同，在进行晶片加工时，因晶片与气体分子的化学反应而伴随着发热。该发热有时会超过200℃，在这种伴随着发热的加工方法中，需要防止基材膜因热而与保持半导体晶片保护用胶带的夹盘台(chucktable)熔接、或因基材膜收缩而损伤半导体晶片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-33887号公报；

专利文献2：日本特开2007-19386号公报；

专利文献3：日本特开2011-171584号公报。

发明内容

本发明所要解决的技术问题

本发明的目的在于，提供一种即使在气体蚀刻工序、等离子体切割工序中暴露于高热下，也不会与夹盘台熔接、或过度地收缩的具有耐热性和耐热收缩性的半导体晶片保护用粘接带。

用于解决技术问题的技术方案

为了达成前述的目的，提供以下的发明。

一种半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，

具有基材膜和形成于所述基材膜的一面的粘接剂层，

所述基材膜在未形成所述粘接剂层的一侧的最外层具有含有已固化的树脂的流延膜层，在将使直径3.0mm的SUS304制的探针接触测定试样时的速度设为30mm/min、将接触载荷设为100gf、将接触时间设为1秒的条件下，根据将探针以600mm/min的剥离速度向上方拉剥时的、通过探针粘性测定出的所述流延膜层的粘性力的峰值在200℃为100kPa以下。

(2)根据(1)中记载的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，所述基材膜仅由流延膜层构成。

(3)根据(1)或(2)中记载的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，所述流延膜层含有已固化的丙烯酸系共聚物或聚酯树脂。

(4)根据(1)～(3)中任一项记载的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，所述流延膜层由通过固化剂或放射线固化的丙烯酸系共聚物构成。

(5)根据(1)～(4)中任一项记载的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，断裂强度为0.5N/mm以上，断裂伸长率为200％以上。

(6)根据(1)～(5)中任一项记载的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，在将使直径3.0mm的SUS304制的探针接触测定试样时的速度设为30mm/min、将接触载荷设为100gf、将接触时间设为1秒的条件下，根据将探针以600mm/min的剥离速度向上方拉剥时的、通过探针粘性测定出的所述粘接剂层的粘性力的峰值在25℃为50～400kPa。

发明的效果

根据本发明，能提供一种即使在气体蚀刻工序、等离子体切割工序中暴露于高热下，也不会与夹盘台熔接、或过度地收缩的具有耐热性和耐热收缩性的半导体晶片保护用粘接带。

附图说明

图1(a)是表示本实施方式所涉及的半导体晶片保护用粘接带1的剖面图，(b)是表示本实施方式所涉及的半导体晶片保护用粘接带1a的剖面图。

图2是说明使用了本实施方式所涉及的半导体晶片保护用粘接带1的气体蚀刻工序的图。

图3(a)是小直径的半导体晶片中的芯片的配置图，(b)是大直径的半导体晶片中的芯片的配置图。

具体实施方式

以下，基于附图对本发明的实施方式进行详细说明。

图1(a)是表示本实施方式所涉及的半导体晶片保护用粘接带1的剖面图，图1(b)是表示本实施方式所涉及的半导体晶片保护用粘接带1a的剖面图。

半导体晶片保护用粘接带1具有基材膜3和设于基材膜3上的粘接剂层5。而且，也可以将各个层与使用工序、装置相配合地预先切割(预切割)为规定形状。进而，本实施方式所涉及的半导体晶片保护用粘接带1既可以是按每1片晶片切断的形态，也可以是将长尺寸的薄片卷绕成卷筒状的形态。以下，对各层的结构进行说明。

＜基材膜＞

基材膜3在未形成有粘接剂层5的一侧的最外层具有含有已固化的树脂的流延膜层7。另外，虽然在图1(a)中，示出层叠了流延膜层7与树脂膜层9的基材膜3，但是只要最外层为流延膜层7，则也可以在基材膜3上层叠树脂膜层9以外的树脂层。

流延膜层指的是涂敷树脂组合物而得到的层。由于流延膜层7使用因交联而具有三维网眼结构的树脂，因此即使暴露在高温下也难以软化，难以引起与夹盘台的熔接。另外，由于利用涂敷形成流延膜层7，因此残留应力少，即使暴露在高温下热收缩也少，难以产生气体蚀刻工序中的芯片的位置的偏移。

而且，如图1(b)所示，也可以使用基材膜3仅由流延膜层7构成，且在流延膜层7的一面侧具有粘接剂层5的半导体晶片保护用粘接带1a。在基材膜3仅由流延膜层7构成的情况下，由于基材膜3的整体由流延膜构成，因此半导体晶片保护用粘接带1a与使用层叠了树脂膜层9与流延膜层7的基材膜3的半导体晶片保护用粘接带1相比，为热收缩率低的粘接带。半导体晶片保护用粘接带1a由于热收缩率低，因此即使在暴露于高温下的气体蚀刻工序中，也难以产生作为被粘附体的芯片的位置的偏移，难以产生剪断收缩。

另外，流延膜层7的粘性力在200℃为100kPa以下，优选为50kPa，更优选为30kPa以下。此处的粘性力是根据探针粘性测定出的粘性力的峰值。当流延膜层7的粘性力在200℃超过100kPa时，在气体蚀刻工序等中被加热时，就容易引起向夹盘台上的附着。

另外，流延膜层7的粘性力在25℃优选为20kPa以下。当流延膜层7的粘性力在25℃超过20kPa时，常温下的从夹盘台的剥离就会变差。另外，在将粘接带卷筒化的情况下有可能产生粘连。

作为树脂膜9，虽然未特别限制，但作为使用的树脂，可以列举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯－丙烯共聚物、聚丁烯－1、聚－4－甲基戊烯－1、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物、乙烯－丙烯酸共聚物、离聚物等α－烯烃的均聚物或共聚物或它们的混合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等的工程塑料、聚氨酯、苯乙烯－乙烯－丁烯或戊烯系共聚物等的热塑性弹性体等。

作为基材膜3的厚度，优选为50～200μm。

另外，在将基材膜3做成树脂膜层9与流延膜层7的层叠的情况下，作为流延膜层7的厚度，优选为5～100μm，更优选为5～50μm。

在仅用流延膜层7来构成基材膜的情况下，流延膜层7的厚度优选为50～200μm，更优选为50μm～100μm。

作为树脂膜层9的厚度虽然未特别限制，但一般而言通常处于50～150μm的范围。

流延膜层7优选由涂敷丙烯酸系聚合物或聚酯树脂组合物，再利用固化剂或放射线固化而得的材料构成。与利用挤出法形成，再利用拉伸工序薄膜化了的拉伸薄膜相比，利用涂敷形成的流延膜层7的残留应力少，即使暴露于高温下热收缩也少。另外，由于本实施方式所涉及的流延膜层7因交联而具有三维网眼结构，200℃下的粘性力小，因此即使暴露于高温下也不会与夹盘台熔接。

另外，优选半导体晶片保护用粘接带1及1a的断裂强度为0.5N/mm以上，断裂伸长率为200％以上。通过具备此种特性，就不会产生在进行向半导体晶片的贴附或剥离时引起断裂等的问题。

(构成流延膜层的树脂)

流延膜层7由已固化的树脂形成，特别是由将丙烯酸系共聚物或聚酯树脂进行了固化的树脂形成。丙烯酸系聚合物或聚酯树脂没有特别限定，可以使用能量线固化型树脂、固化剂固化型树脂或热固化型树脂等，优选使用能量线固化型树脂或固化剂固化型的树脂。在使用能量线固化型树脂的情况下，在涂布后照射能量线而使树脂固化。在使用固化剂固化型的树脂的情况下，向树脂中加入交联剂，通过在涂敷、干燥后使之熟化而固化。在使用热固化型树脂的情况下，在涂敷后进行加热而使树脂固化。

在层叠流延膜层7与树脂膜层9的情况下，可以举出在树脂膜层9上涂敷固化型树脂并使之固化的方法、将已固化的流延膜经由粘接剂等粘接的方法等。在获得未层叠的流延膜层7的情况下，在剥离性的薄膜上涂敷固化型树脂后，使之固化，通过从薄膜中剥离而得到流延膜层7。

(丙烯酸系共聚物)

形成流延膜层7的丙烯酸系共聚物未特别限定，例如在使用能量线固化型树脂的情况下，是以丙烯酸系粘接剂和能量线聚合性化合物作为主成分而成的共聚物。对于这些丙烯酸系粘接剂、以及能量线聚合性化合物，具体而言可以使用以下的物质。

丙烯酸系粘接剂是以(甲基)丙烯酸系共聚物及固化剂为成分的物质。(甲基)丙烯酸系共聚物例如可以举出以(甲基)丙烯酸酯作为聚合物构成单元的聚合物、(甲基)丙烯酸酯与官能性单体的共聚物、以及这些聚合物的混合物等。作为这些聚合物的分子量，从基材膜的伸展性的观点出发，适用重均分子量为1万～20万左右的低分子量的聚合物。

另外，固化剂是为了与(甲基)丙烯酸系共聚物所具有的官能团反应而调整粘接力及凝聚力而使用的物质。例如可以举出在1，3－双(N，N－二缩水甘油基氨基甲基)环己烷、1，3－双(N，N－二缩水甘油基氨基甲基)甲苯、1，3－双(N，N－二缩水甘油基氨基甲基)苯、N，N，N，N′－四缩水甘油基－m－间二甲苯二胺等的分子中具有2个以上的环氧基的环氧化合物、在2，4－甲苯二异氰酸酯、2，6－甲苯二异氰酸酯、1，3－二甲苯二异氰酸酯、1，4－二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷－4，4′－二异氰酸酯等的分子中具有2个以上的异氰酸酯基的异氰酸酯系化合物、在四羟甲基三－β－氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基三－β－氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷三－β－氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷三－β－(2－甲基氮丙啶)丙酸酯等的分子中具有2个以上的氮丙啶基的氮丙啶系化合物等。固化剂的添加量只要根据所需的粘接力调整即可，相对于(甲基)丙烯酸系共聚物100质量份适合0.1～5.0质量份。

而且，在使用固化剂固化型的树脂的情况下，为了抑制粘性力及确保作为薄膜的强度及伸长率，最好相对于(甲基)丙烯酸系共聚物中的与固化剂反应的官能团加入等量程度的固化剂，例如相对于(甲基)丙烯酸系共聚物100质量份适合2.0～30质量份。

能量线固化型树脂一般是以所述的丙烯酸系粘接剂和能量线聚合性化合物作为主成分而成。所谓能量线聚合性化合物，例如广泛地使用在利用紫外线的照射而三维网状化的分子内具有至少2个以上的光聚合性碳－碳双键的低分子量化合物。具体而言，可以广泛地适用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4－丁二醇二丙烯酸酯、1，6己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、或寡聚酯丙烯酸酯等。

另外，作为丙烯酸系粘接剂，除了如上所述的丙烯酸酯系化合物以外，还能使用聚氨酯丙烯酸酯系低聚物。聚氨酯丙烯酸酯系低聚物以如下方式得到，即，对使聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物与多元异氰酸酯化合物(例如2，4－甲苯二异氰酸酯、2，6－甲苯二异氰酸酯、1，3－二甲苯二异氰酸酯、1，4－二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷4，4－二异氰酸酯等)反应而得到的末端异氰酸酯聚氨酯预聚物，使具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如丙烯酸2－羟基乙酯、甲基丙烯酸2－羟基乙酯、丙烯酸2－羟基丙酯、甲基丙烯酸2－羟基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)与之反应而得到。

作为能量线固化型树脂中的丙烯酸系粘接剂与能量线聚合性化合物的配合比，相对于丙烯酸系粘接剂100质量份以50～200质量份、优选以50～150质量份的范围配合能量线聚合性化合物。在处于该配合比的范围的情况下，在能量线照射后能量线固化型树脂的粘性力大幅度降低。

进而，能量线固化型树脂也可以不是如上所述的在丙烯酸系粘接剂中配合能量线聚合性化合物，而是将丙烯酸系粘接剂自身作为能量线聚合性丙烯酸酯共聚物。

另外，在利用能量线使能量线固化型树脂聚合的情况下，可以并用光聚合性引发剂，例如苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚、二苯甲酮、米氏酮、氯代噻吨酮、苯偶酰甲基缩酮、α－羟基环己基苯基酮、2－羟基甲基苯基丙烷等。通过将它们当中的至少1种添加到能量线固化型树脂中，就可以使聚合反应有效地进行。而且，此处所说的能量线是指像紫外线一样的光线、或像电子束一样的电离性能量线。

(聚酯树脂)

形成流延膜层7的聚酯树脂未特别限定，例如在使用固化剂固化型树脂的情况下，是以固化剂固化型的聚酯树脂组合物和固化剂作为主成分而成。

所谓固化剂固化型聚酯树脂组合物，是含有具有能够与固化剂反应的官能团的聚酯树脂的组合物，能优选使用具有羟基的聚酯多元醇。

另外，固化剂是为了与固化剂固化型聚酯树脂组合物所具有的官能团反应以调整粘接力及凝聚力而使用的物质。能优选使用在前述的分子中具有2个以上的异氰酸酯基的异氰酸酯系化合物。

＜粘接剂层＞

粘接剂层5能通过在基材膜3上涂敷粘接剂而形成。构成本实施方式所涉及的半导体晶片保护用粘接带1的粘接剂层5只要在气体蚀刻工序时具有不产生与芯片的剥离的程度的保持性即可。另外，为了在加热时不会污染晶片或装置，最好是漏气少的物质。

特别是，优选照射能量线等之前的粘接剂层5的粘性力在25℃为50～400kPa。利用这样的粘性力，在与作为被粘附物的半导体晶片或芯片之间就不会产生剥离。

本实施方式中，构成粘接剂层5的粘接剂的构成未特别限定，但是为了提高剥离性，优选能量线固化性的粘接剂，优选在固化后与芯片21的剥离变得容易的材料。作为具有能量线固化性的粘接剂，例如能使用以形成流延膜层7时所使用的丙烯酸系粘接剂和能量线聚合性化合物作为主成分而成的组成的粘接剂。在使用能量线固化性的粘接剂的情况下，为了提高耐热性，也可以在气体蚀刻工序之前实施能量线固化。

＜用途＞

本实施方式所涉及的半导体晶片保护用粘接带1适用于对利用隐形切割工序单片化了的芯片的借助气体的蚀刻处理工序中。

(气体蚀刻工序)

对于将本实施方式所涉及的半导体晶片保护用粘接带1应用于气体蚀刻工序中的情况下的胶带的使用方法，边参照图2边进行说明。

图2是表示对通过隐形切割工序将半导体晶片单片化了的芯片11，利用蚀刻气体13进行蚀刻的气体蚀刻工序的剖面图。如图2所示，在固定于环形框架15中的半导体晶片保护用粘接带上，固定有通过隐形切割工序将半导体晶片单片化后的多个芯片11。另外，芯片11由夹盘台17保持。其后，照射蚀刻气体13，将芯片11的露出面进行蚀刻。

通过气体蚀刻工序，除去残存于芯片截断面的由激光造成的改性区域。由于改性区域变脆，所以当芯片11中残留有改性区域时，芯片11就会从改性区域破裂。通过除去芯片11的表面的改性区域或凹凸，芯片11的抗弯强度就会提高。对于气体蚀刻的例子，可以举出在减压到1kPa左右的腔室内将加热到200℃的三氟化氯(ClF₃)气体以0.3～2.0MPa的压力吹送的方法。

此时，因将加热的蚀刻气体13进行照射，或因蚀刻气体13与芯片11之间发生化学反应，半导体晶片保护用粘接带1被加热。虽然通过使冷却水在夹盘台17中循环而将与夹盘台17接触的部位进行冷却，但是在不接触夹盘台17的部位或在所产生的热超过冷却能力的情况下，也会有将半导体晶片保护用粘接带1加热到200℃左右的情况。

(涉及本实施方式的效果)

在本实施方式中，由于即使与夹盘台17接触的流延膜层7被加热到200℃，粘性力也为规定的值以下，所以可以使涉及本实施方式的半导体晶片保护用粘接带1不与夹盘台17熔接地进行气体蚀刻。

另外，在本实施方式中，由于基材膜3具有流延膜层7，所以半导体晶片保护用粘接带的热收缩率变小，在气体蚀刻工序中，能防止芯片的位置偏移、或芯片之间发生接触。

特别是，在本实施方式中，在仅由流延膜层来形成基材膜的情况下，半导体晶片保护用粘接带的热收缩率进一步变小。

[实施例]

下面，为了进一步明确涉及本实施方式的效果，对实施例及比较例进行详细说明，但是本发明并不受这些实施例限定。

〔半导体晶片保护用粘接带的制作〕

(1)基材膜的制作

(流延膜A与树脂膜A的层叠膜)

使用住友化学制乙烯甲基丙烯酸甲酯(EMMA)树脂“ACRYFTWD201(商品名)”，利用T型压膜法成形出厚100μm的树脂膜A。

以使干燥后的厚度为30μm的方式在剥离膜上涂敷紫外线固化型丙烯酸系共聚物A，通过与树脂膜A贴合，并照射紫外线使之固化，而得到总厚度为130μm的树脂膜A与流延膜A的层叠膜。

紫外线固化型丙烯酸系共聚物组合物A的组成如下所示。

所述的丙烯酸酯共聚物及放射线聚合性化合物为下面的化合物。

丙烯酸酯共聚物：

将丙烯酸2－乙基己酯、甲基丙烯酸酯、丙烯酸2－羟基乙酯共聚而得的重均分子量为10万、玻璃转移点为－10℃的共聚物。

放射线聚合性化合物：

重均分子量为1100的聚氨酯丙烯酸酯低聚物。

(流延膜B)

将固化剂固化型聚酯树脂组合物涂敷在剥离膜上并干燥，与另外的剥离膜贴合后，熟化1周，使之固化后通过从剥离膜中剥除而得到薄膜状的流延膜B。流延膜B的干燥后的厚度为70μm。

固化剂固化型聚酯树脂组合物的组成如下所示。

聚酯树脂组合物(重均分子量：1.5万、玻璃转移点：40℃)100质量份

固化剂(日本聚氨酯公司制“CORONATEL”(商品名))10质量份

(树脂膜B)

将100μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(帝人杜邦薄膜公司制、G2：商品名)作为树脂膜B使用。

(2)粘接剂组合物A的制备

向溶媒的甲苯400g中，在用2小时滴加丙烯酸2－乙基己酯446.5g、甲基丙烯酸甲酯45g、甲基丙烯酸3.4g、作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.5g的混合液的同时，在100℃的温度下使之反应4小时，得到具有官能团的聚合物(2)的溶液。然后在该聚合物溶液(2)中，作为具有光聚合性碳－碳双键及官能团的化合物(1)加入甲基丙烯酸2－羟基乙酯5.1g，作为聚合禁阻剂加入氢醌0.1g，在120℃的温度下使之反应6小时后，用乙酸中和，得到化合物(A)的溶液。相对该化合物(A)溶液中的化合物(A)100质量份，在化合物(A)溶液中加入聚异氰酸酯(日本聚氨酯公司制：CORONATEL)(B)1质量份、光聚合引发剂(日本Ciba-Geigy公司制Irgacure184)0.5质量份而混合，制备出丙烯酸系能量线固化性粘接剂组合物A。

＜实施例1＞

在层叠了流延膜A与树脂膜A的薄膜的树脂膜A侧涂敷所制备出的粘接剂组合物A并干燥，制成半导体晶片保护用粘接带。

＜实施例2＞

在流延膜B上涂敷粘接剂组合物A并干燥，制成半导体晶片保护用粘接带。

＜比较例1＞

在树脂膜A上涂敷粘接剂组合物A并干燥，制成半导体晶片保护用粘接带。

＜比较例2＞

在树脂膜B上涂敷粘接剂组合物A并干燥，制成半导体晶片保护用粘接带。

〔半导体晶片保护用粘接带的物性和评价〕

(1)粘性力的测定

使用株式会社RHESCA的粘性力试验机TAC－II进行。测定模式使用了如下的ConstantLoad(定载)，即，推压探针直至所设定的加压值，在经过所设定的时间之前以保持加压值的方式控制并持续。剥离隔膜后，将没有形成粘接剂层的一侧朝上地将基材膜放置在载板上，从上侧使直径3.0mm的SUS304制的探针与之接触。使探针与测定试样接触时的速度为30mm/min，接触载荷为100gf，接触时间为1秒。其后，将探针以600mm/min的剥离速度向上方拉剥，测定拉剥时所需的力，将其峰值作为粘性力。与想要测定粘性力的温度相匹配，例如对于200℃的粘性力，将探针及载板温度设为200℃。

(2)气体蚀刻工序中的评价

在直径6英寸厚100μm的镜面晶片上，贴合半导体晶片加工用粘接带，从晶片面以10mm见方切割(向基材中的切入深度为20μm)6英寸晶片后，在真空室内，使半导体晶片加工用粘接带吸附在夹盘台上，进行30秒的ClF₃的气体蚀刻。而且，此时通过在夹盘台内流过70℃的温水，进行半导体晶片加工用粘接带及晶片的冷却。本工序之后进行了是否可以从夹盘台容易地剥离粘接带的评价。

表中的○、×表示以下的意思。

“○”···在气体蚀刻工序后，能将粘接带从夹盘台容易地剥离。

“×”···在气体蚀刻工序后，不能将粘接带从夹盘台容易地剥离，或粘接带断裂、熔融。

(3)芯片的位移评价

对气体蚀刻评价中可以加工、且胶带可以从夹盘台中剥离的样品，通过光学显微镜，各在5个部位对于由切割形成的芯片间隔在气体蚀刻工序中是否偏移进行了确认。例如，在相对由切割形成的切入宽度25μm，气体蚀刻工序后的芯片间的间隔为22μm的情况下，偏移为3μm。将所有的部位中偏移都为±1μm以内的作为◎，另外，将所有的部位中偏移都为±2.5μm以内的作为○，将5个部位中即使1个部位的偏移为±2.5μm以上的作为×。

(4)断裂强度、断裂伸长率

将粘接带以1号哑铃形状(JISK6301)打穿而制成试验片，使用拉伸试验装置(JISB7721)进行测定。在试验片中划出40mm的标线后，使用拉伸试验机测定出标线间切断时的载荷(拉伸强度)和伸长率。其中，拉伸速度设为300mm/min。

[表1]

如表1所示，实施例1～2的半导体晶片保护用粘接带，由于未形成粘接剂层的一侧为流延膜层A～B，最外层的粘性力在200℃也为100kPa以下，所以在气体蚀刻工序中不存在粘接带的基材膜与夹盘台熔接的情况。

特别是，实施例2由于基材膜仅为流延膜，所以即使受到加热也较少收缩，在气体蚀刻工序中芯片的位移更少。

比较例1由于基材膜的未形成粘接剂的一侧的最外层为树脂膜A，所以在气体蚀刻工序中粘接带的基材膜与夹盘台熔接。在气体蚀刻工序后难以将基材膜从夹盘台中剥除。

比较例2虽然基材膜的未形成粘接剂的一侧的最外层的粘性力在200℃也为100kPa以下，但是受蚀刻工序中加热的影响，因薄膜成型时的残留应力而收缩，粘接带从夹盘台中浮起，未被夹盘台冷却，所以观察到晶片的变色或粘接剂的劣化。

以上边参照附图，边对本发明的优选的实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于这些例子。显而易见，只要是本领域技术人员，就可以在本申请公开的技术思想的范畴内想到各种变形例或改进例，可以领会，它们也当然属于本发明的技术范围。

[符号的说明]

1、1a………半导体晶片保护用粘接带

3………基材膜

5………粘接剂层

7………流延膜层

9………树脂膜层

11………芯片

13………蚀刻气体

15………环形框架

17………夹盘台

21………半导体晶片

23………芯片

31………半导体晶片

33………芯片

Claims (6)

1.一种半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，

具有基材膜和形成于所述基材膜的一面的粘接剂层，

所述基材膜在未形成所述粘接剂层的一侧的最外层具有含有已固化的树脂的流延膜层，

在将使直径3.0mm的SUS304制的探针接触测定试样时的速度设为30mm/min、将接触载荷设为100gf、将接触时间设为1秒的条件下，根据将探针以600mm/min的剥离速度向上方拉剥时的、通过探针粘性测定出的所述流延膜层的粘性力的峰值在200℃为100kPa以下。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，

所述基材膜仅由流延膜层构成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，

所述流延膜层含有已固化的丙烯酸系共聚物或聚酯树脂。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，

所述流延膜层由通过固化剂或放射线固化的丙烯酸系共聚物构成。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，

断裂强度为0.5N/mm以上，断裂伸长率为200％以上。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体晶片保护用粘接带，其特征在于，

在将使直径3.0mm的SUS304制的探针接触测定试样时的速度设为30mm/min、将接触载荷设为100gf、将接触时间设为1秒的条件下，根据将探针以600mm/min的剥离速度向上方拉剥时的、通过探针粘性测定出的所述粘接剂层的粘性力的峰值在25℃为50～400kPa。