TWI680879B - 遮罩一體型表面保護帶及使用其之半導體晶片的製造方法 - Google Patents

遮罩一體型表面保護帶及使用其之半導體晶片的製造方法 Download PDF

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Abstract

提供一種遮罩一體型表面保護帶及半導體晶片的製造方法，該遮罩一體型表面保護帶於使用電漿切割方式製造半導體晶片時，不需以光蝕刻法製程形成遮罩，於製造半導體晶片之各步驟顯示出優異之性能，操作性、作業性亦優異。

一種遮罩一體型表面保護帶及半導體晶片的製造方法，該遮罩一體型表面保護帶至少具有基材膜與遮罩材層，其特徵在於：前述遮罩材層係與基材膜接觸設置，或透過黏著劑層設置，前述遮罩材層於355nm之波長區域中的平行光線透射率為30%以下。

Description

遮罩一體型表面保護帶及使用其之半導體晶片的製造方法
本發明係關於一種遮罩一體型表面保護帶及使用其之半導體晶片的製造方法。
最近之半導體晶片朝薄膜化、小晶片化的進展驚人，尤其是如記憶卡或智慧卡之類內含有半導體IC晶片的積體電路卡(IC card)，要求薄膜化，又，LED、LCD驅動用元件等則要求小晶片化。一般認為今後半導體晶片之薄膜化、小晶片化的需求會隨著此等要求增加而更加進一步提高。
此等之半導體晶片係藉由下述方式得到：將半導體晶圓於背面研磨(back grind)步驟或蝕刻步驟等中加以薄膜化至規定厚度後，再經由切割步驟分割成各個晶片。
以往於切割步驟中，一直使用藉由切割刀片割斷之刀片切割方式。然而，刀片切割方式於割斷時，刀片產生的切削阻力會直接施加於半導體晶圓。因此，有時會因為此切削阻力而使得在半導體晶片產生微小的碎片(碎屑)。產生碎屑不僅有損半導體晶片之外觀，視情形還會招致因抗彎強度不足而造成拾取時晶片破損，而有可能連晶片上之電路圖案都會破損。又，於利用刀片進行之物理性切割步驟，並無法將晶片彼此之間隔亦即切口(亦稱為切割線(scribe line)、切割道(street))寬度較具有厚度之刀片寬度窄小化。結果，可從一片晶圓取得之晶片數(產率)會變少。並且晶圓之加工時間長亦是問題。
因此，除了刀片切割方式以外，於切割步驟亦利用各種各樣方 式。例如，代表性者有下述方式：1)先以規定之厚度於晶圓形成槽，然後再進行研磨加工，同時進行薄膜化與分成晶片之單片化的DBG(先切割)方式，2)利用雷射進行的雷射切割方式，3)利用水壓進行切割的噴水(waterjet)方式等使用濕式製程的方式，4)於晶圓之厚度方向利用雷射形成改質層，使之擴張後加以切斷，進行單片化的隱形切割(stealth dicing)方式，5)將隱形切割與先切割合併的方式等。
然而，此等方式雖然各有各的優點，但是若藉由此等方式，則會有晶片破損、極小晶片之製造耗時、表面污染、限制切口寬度窄小化、得到之晶片的產率下降、晶片抗彎強度下降、晶片端面與鄰接晶片碰撞而發生晶片缺角等問題。
此外，還具有6)電漿切割方式(例如，參照專利文獻1)。
電漿切割方式係下述之方法：藉由電漿對未被遮罩覆蓋之部分選擇性地進行蝕刻，藉此將半導體晶圓分割。若使用此切割方法，則可選擇性地將晶片切斷，即使切割線彎曲，亦可沒有問題地切斷。又，由於蝕刻速度非常快，因此近年來逐漸成為最適於切斷晶片的製程之一。
電漿切割方式一直使用六氟化硫(SF6)或四氟化碳(CF4)等與晶圓之反應性非常高的氟系氣體作為電漿產生用氣體，由於其高蝕刻速度，故必須用遮罩來保護不蝕刻之面，事前必須形成遮罩。
此遮罩之形成一般使用下述技術：亦如專利文獻1之記載般，將阻劑塗布於晶圓表面後，將相當於切割道之部分用光蝕刻法(photolithography)製程去除，製成遮罩。因此，為了進行電漿切割，需要電漿切割設備以外之光刻(photolitho)步驟設備，而有晶片成本上升之問題。又，於電漿蝕刻後由於為殘留有遮罩(阻劑膜)之狀態，故為了將遮罩去除而需要使用大量溶劑，即使是如此，有時也無法將遮罩完全去除，而有產生不良 晶片之情形。並且，由於會經過使用阻劑進行之遮蔽(masking)步驟，故亦有整體之處理製程變長的不良情形。
[先行技術文献] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2007-19385號公報
電漿切割方式如上述，由於將相當於切割道之部分用光蝕刻法製程去除，製成遮罩抗蝕層(mask resist)，故而會發生如上述般之問題。本發明人等因此而研究了「於使用之表面保護帶設置具有遮罩功能之遮罩材層，製成不需如上述般以阻劑形成遮罩之遮罩一體型表面保護帶」。
遮罩一體型表面保護帶至少可於下述步驟製造半導體晶片。
〔步驟〕
(A)圖案面貼有表面保護帶之半導體晶圓經背面研磨後，將該半導體晶圓支持固定於環狀框(ring frame)的步驟(B)對藉剝離而露出表面之遮罩材層進行雷射割斷的半導體晶圓切割道部的開口步驟(C)電漿切割步驟，及(D)殘餘之遮罩材層的灰化步驟
於步驟(A)，要求如下性能：良好地密合於半導體晶圓之圖案面，有效地保護圖案面；於步驟(B)，要求：晶圓薄膜加工後之遮罩材層與和該遮罩材層接觸之層(具有黏著劑層之情形時為黏著劑層，不具有黏著劑層之情形時則為基材膜等)的簡單且良好之剝離性，及藉由雷射將遮罩材層之 中相當於半導體晶圓之切割道的部分割斷，半導體晶圓切割道之高精確度的可開口性；於步驟(C)，要求：保護晶圓不受到SF6電漿等照射電漿傷害的性能；於步驟(D)，則要求：O2電漿等照射電漿之遮罩材層去除性。
因此，本發明之課題在於提供一種遮罩一體型表面保護帶，及使用該遮罩一體型表面保護帶之半導體晶片的製造方法，該遮罩一體型表面保護帶於使用電漿切割方式製造半導體晶片時，不需以光蝕刻法製程形成遮罩，於半導體晶片之製造步驟的各步驟顯示出優異之性能，操作性、作業性亦優異。
尤其是於本發明中，因設置遮罩材層而產生之待克服的課題，為用以使遮罩材層露出表面之剝離性、用以藉由雷射進行開口之割斷性、利用O2等電漿灰化之去除性皆優異，課題在於提供一種至少此等性能優異之遮罩一體型表面保護帶及使用該遮罩一體型表面保護帶之半導體晶片的製造方法。
本發明之上述課題係藉由以下之手段解決。
〔1〕一種遮罩一體型表面保護帶，至少具有基材膜與遮罩材層，其特徵在於：前述遮罩材層係與基材膜接觸設置，或透過黏著劑層設置，前述遮罩材層於355nm之波長區域中的平行光線透射率為30%以下。
〔2〕如〔1〕記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，前述遮罩材層相對於(甲基)丙烯酸共聚物100質量份，含有0.1~5.0質量份之紫外線吸收劑，或相對於(甲基)丙烯酸共聚物100質量份，含有5.0~50.0質量份之紫外線吸收性聚合物。
〔3〕如〔1〕或〔2〕記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，前述遮罩材層含有至少1種紫外線吸收劑，該紫外線吸收劑為具有三
Figure 107106169-A0202-12-0004-11
骨架、二苯甲酮骨架、苯并三唑骨架或苯甲酸酯(benzoate)骨架之任一骨架的化合物。
〔4〕如〔1〕或〔2〕記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，前述遮罩材層含有至少1種紫外線吸收性聚合物，該紫外線吸收性聚合物為於側鏈具有苯并三唑骨架、二苯甲酮骨架或三
Figure 107106169-A0202-12-0005-12
骨架之任一紫外線吸收骨架的(甲基)丙烯酸聚合物。
〔5〕如〔1〕至〔4〕中任一項記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，構成前述遮罩材層之遮罩材為輻射硬化型。
〔6〕如〔1〕至〔5〕中任一項記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，前述遮罩一體型表面保護帶之前述基材膜與前述遮罩材層係透過前述黏著劑層設置，構成該黏著劑層之黏著劑為壓敏型黏著劑。
〔7〕如〔1〕至〔6〕中任一項記載之遮罩一體型表面保護帶，其中，前述基材膜具有聚烯烴樹脂層。
〔8〕如〔1〕至〔7〕中任一項記載之遮罩一體型表面保護帶，其被使用於電漿切割。
〔9〕如〔1〕至〔8〕中任一項記載之遮罩一體型表面保護帶，其被使用於含有下述步驟(a)~(d)之半導體晶片之製造。
〔步驟〕
(a)於將前述遮罩一體型表面保護帶貼合在半導體晶圓之圖案面側的狀態下，對該半導體晶圓之背面進行研磨，將晶圓固定帶貼合於經研磨之半導體晶圓背面，用環狀框加以支持固定的步驟，(b)從前述遮罩一體型表面保護帶將前述基材膜剝離，或將前述基材膜與前述黏著劑層一起剝離，藉此使前述遮罩材層露出於表面後，藉由雷射將該遮罩材層之中相當於半導體晶圓之切割道的部分割斷，使半導體晶圓切割道開口的步驟，(c)藉由SF6電漿於前述切割道將前述半導體晶圓切斷，單片化成半導體 晶片的電漿切割步驟，及(d)藉由O2電漿將前述遮罩材層去除的灰化步驟。
〔10〕一種半導體晶片的製造方法，使用前述〔1〕至〔9〕中任一項記載之遮罩一體型表面保護帶。
藉由本發明，可提供一種於使用電漿切割方式製造半導體晶片時不需以光蝕刻法製程形成遮罩的遮罩一體型表面保護帶。
藉此，能夠提供一種於半導體晶片之製造步驟的各步驟顯示出優異之性能，操作性、作業性亦優異的遮罩一體型表面保護帶，及使用該遮罩一體型表面保護帶之半導體晶片的製造方法。
尤其是因設置遮罩材層而產生之待克服的課題中的「用以使遮罩材層露出於表面之剝離性」、「用以藉由雷射進行開口之割斷性」、「利用O2等電漿灰化之去除性」皆優異。
結果，本發明之遮罩一體型表面保護帶尤其於藉由雷射將相當於半導體晶圓切割道之部分的遮罩材割斷使半導體晶圓切割道開口的步驟中，亦能夠防止因遮罩材層之雷射光吸收性不足所導致之雷射加工效率下降造成的加工長時間化，或因過量雷射光之能量輸入所導致之遮罩材層熔融造成的晶圓加工品質惡化。
本發明之上述及其他特徵及優點參照適當附加之圖式，從下述之記載可更加清楚明白。
1‧‧‧半導體晶圓
2‧‧‧圖案面
3‧‧‧遮罩材一體型表面保護帶
3a‧‧‧表面保護帶(基材膜與黏著劑層)或者基材膜
3aa‧‧‧表面保護帶之基材膜
3ab‧‧‧表面保護帶之黏著劑層
3b‧‧‧遮罩材層
4‧‧‧晶圓固定帶
4a‧‧‧黏著劑層或接着劑層
4b‧‧‧基材膜
7‧‧‧晶片
S‧‧‧表面
B‧‧‧背面
M1‧‧‧晶圓研磨裝置
M2‧‧‧銷
M3‧‧‧筒夾
F‧‧‧環狀框
L‧‧‧雷射
P1‧‧‧SF6氣體之電漿
P2‧‧‧O2氣體之電漿
圖1：圖1(a)~1(c)為本發明之遮罩一體型表面保護帶的代表示意性概 略剖面圖，及說明第1實施形態中至遮罩一體型表面保護帶貼合於半導體晶圓為止之半導體晶片製造步驟的概略剖面圖。圖1(a)表示半導體晶圓，圖1(b)表示將遮罩一體型表面保護帶貼合之狀況，圖1(c)表示貼合有遮罩一體型表面保護帶之半導體晶圓。
圖2：圖2(a)~2(c)為說明使用本發明之遮罩一體表面保護帶的第1實施形態中至半導體晶圓之薄膜化與固定為止的半導體晶片製造步驟的概略剖面圖。圖2(a)表示半導體晶圓之薄膜化處理，圖2(b)表示將晶圓固定帶貼合之狀況，圖2(c)則表示已將半導體晶圓固定於環狀框之狀態。
圖3：圖3(a)~3(c)為說明使用本發明之遮罩一體型表面保護帶的第1實施形態中至形成遮罩為止的半導體晶片製造步驟的概略剖面圖。圖3(a)表示從遮罩一體型表面保護帶留下遮罩材層將表面保護帶撕除的狀況，圖3(b)表示遮罩一體型表面保護帶之遮罩材層露出的狀態，圖3(c)則表示用雷射將相當於切割道之遮罩材層切除的步驟。
圖4：圖4(a)~4(c)為說明使用本發明之遮罩一體型表面保護帶的第1實施形態中電漿切割與電漿灰化之步驟的概略剖面圖。圖4(a)表示進行電漿切割之狀況，圖4(b)表示經單片化成晶片之狀態，圖4(c)則表示進行電漿灰化之狀況。
圖5：圖5(a)~5(b)為說明使用本發明之遮罩一體型表面保護帶的第1實施形態中至拾取晶片為止之半導體晶片製造步驟的概略剖面圖。圖5(a)表示遮罩材層經去除後之狀態，圖5(b)則表示拾取晶片之狀況。
圖6：圖6(a)~6(c)為說明使用本發明之遮罩一體型表面保護帶的第2實施形態中進行紫外線照射處理前後之狀態的概略剖面圖。圖6(a)表示將半導體晶圓之表背兩面分別用遮罩一體型表面保護帶與晶圓固定帶加以被覆固定後的狀態，圖6(b)表示照射紫外線之狀況，圖6(c)則表示從遮罩一體型表 面保護帶留下遮罩材層將表面保護帶撕除之狀況。
本發明之遮罩一體型表面保護帶被使用於藉由電漿切割將半導體晶圓加以分割、個別化而得到半導體晶片之方法。如以下說明般，藉由使用本發明之遮罩一體型表面保護帶，不需電漿切割步驟前之光蝕刻法製程，可大幅抑制半導體晶片或半導體製品之製造成本。
<<遮罩一體型表面保護帶>>
本發明之遮罩一體型表面保護帶至少具有基材膜與遮罩材層。
遮罩材層可與基材膜接觸設置，亦可透過黏著劑層設置。
另，於本發明及本說明書，將不具有遮罩材層而僅於基材膜上設置有黏著劑層之帶僅稱為表面保護帶，具有遮罩材層者則稱為遮罩一體型表面保護帶。
本發明之遮罩一體型表面保護帶係當進行半導體晶圓之背面研磨時，為了保護半導體晶圓之圖案面(表面)而被貼合於該圖案面來使用。
因此，要求含有與通常之半導體晶圓加工用表面保護帶同樣之黏著性的性能。
具體而言，具有保護形成於半導體晶圓圖案面之半導體元件的功能。亦即，於後續步驟之晶圓薄膜化步驟(背面研磨步驟)，由於會在半導體晶圓之圖案面支持半導體晶圓研磨晶圓背面，故遮罩一體型表面保護帶必須承受此研磨時之負荷。因此，遮罩一體型表面保護帶與單純的阻劑膜等不同，具有僅被覆形成於圖案面之元件的厚度，其按壓阻力低，又，可密合元件不會發生研磨時之粉塵或研磨水等侵入般的密合性高。
此外，適於電漿切割方式，於使用電漿切割方式製造半導體晶片時，不需以光蝕刻法製程形成遮罩。
因此，本發明之遮罩一體型表面保護帶於半導體晶片之製造步驟中，可進行至少含有下述步驟(a)~(d)之半導體晶片的製造，且較佳適用於此製造步驟。
〔步驟〕
(a)於將遮罩一體型表面保護帶貼合在半導體晶圓之圖案面側的狀態下，將該半導體晶圓之背面加以研磨，將晶圓固定帶貼合於經研磨之半導體晶圓背面，用環狀框加以支持固定的步驟，(b)從遮罩一體型表面保護帶將前述基材膜剝離，或將基材膜與黏著劑層一起剝離，藉此使遮罩材層露出於表面後，藉由雷射將遮罩材層之中相當於半導體晶圓之切割道的部分割斷，使半導體晶圓切割道開口的步驟，(c)藉由SF6電漿於切割道將半導體晶圓切斷，單片化成半導體晶片的電漿切割步驟，及(d)藉由O2電漿將遮罩材層去除的灰化步驟。
以下，依序說明基材膜、遮罩材層及黏著劑層。
<基材膜>
基材膜可為單層構成，亦可為積層有複數之層的積層體。
構成基材膜之樹脂或者聚合物成分，可使用以往之半導體晶圓加工用表面保護帶所使用的樹脂或者聚合物成分。
例如，可列舉：聚烯烴樹脂或聚酯樹脂，以及(甲基)丙烯酸樹脂，除此之外，還可列舉：聚苯硫(polyphenylene sulfide)、聚醚醯亞胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚胺酯(polyurethane)、橡膠類，此等可單獨或者混合2種以上使用。
作為聚烯烴樹脂，可舉選自聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯之單獨或者共聚物之聚乙烯或者聚丙烯的聚烯烴樹脂，於本發明中為佳。
另，聚乙烯、聚丙烯除了均聚乙烯(homopolyethylene)、均聚丙烯(homopolypropylene)以外，通常為了調整密度，而會含有α-烯烴作為共聚成分。尤其是聚乙烯，此α-烯烴一般而言在5莫耳%以下。
根據聚乙烯之密度(比重)等，分類為高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、超低密度聚乙烯(VLDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、超高分子量聚乙烯(UHMW-PE)。
聚丙烯可列舉：均聚丙烯、無規聚丙烯(random polypropylene)、嵌段聚丙烯(block polypropylene)。
作為聚乙烯樹脂，除上述以外，還可列舉：聚苯乙烯或者其共聚物、聚丁烯-1(polybutene-1)、聚-4-甲基戊烯-1(poly-4-methyl pentene-1)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸或者(甲基)丙烯酸共聚物、離子聚合物等α-烯烴之均聚物或共聚物，或者此等之混合物等。
作為聚酯樹脂，可列舉：聚對酞酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丙二酯(polytrimethylene terephthalate，PTT)、聚對酞酸丁二酯(polybutylene terephthalate，PBT)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚萘二甲酸丁二酯(polybutylene naphthalate，PBN)。
於本發明中，基材膜較佳至少具有聚烯烴樹脂層，更佳為聚烯烴，再更佳為低密度聚烯烴。
又，當為積層有複數之層的積層體之情形時，低密度聚乙烯與乙烯/乙酸乙烯酯共聚物之積層體，或聚丙烯與聚對酞酸乙二酯之積層體、聚烯烴樹脂層與聚對酞酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate)之積層體為合適的材質之一。
此等之基材膜可使用一般之擠出法製造。當將各種樹脂加以積 層而得到基材膜之情形時，可用共擠出法、層疊法等製造。此時，亦可如通常之層疊膜的製法中平常所進行般，於樹脂與樹脂之間設置接着劑層。
於本發明中，基材膜之厚度從強/延伸度特性、輻射透射性之觀點，較佳為20~200μm。
<遮罩材層>
遮罩材層為下述之層：保護半導體晶圓表面不受到電漿切割步驟中利用SF6等電漿照射進行之蝕刻(切割)傷害，僅選擇性地蝕刻(切割)經於開口步驟去除之半導體晶圓的切割道部分，可進行半導體晶圓之高精確度分割。
於本發明中，遮罩材層由於被貼合在半導體晶圓表面之圖案面使用，故與通常之半導體晶圓加工用表面保護帶中的黏著劑層同樣地具有包含黏著性之性能。
於本發明中，在上述步驟(b)，在藉由雷射將露出於表面的遮罩材層之中相當於半導體晶圓之切割道的部分割斷使半導體晶圓之切割道開口的步驟，照射雷射光。
照射之雷射光為CO2雷射(二氧化碳之氣體雷射)、YAG雷射(使用釔/鋁/石榴石之固體雷射)、半導體雷射等，並無特別限定。於本發明中，其中YAG雷射之第3高諧波即355nm之紫外線區域的雷射對於各種材質之吸收率非常地高，不會施加熱應力，故被使用於要求高品質之微細加工，且光束直徑較長波長雷射更集中，故可進行更加微細之加工，可適用於本發明。
因此，於本發明中，遮罩材層於355nm之波長區域中的平行光線透射率在30%以下。若平行光線透射率高於30%，則遮罩材層之雷射光吸收性會不足夠，而於遮罩材層之半導體晶圓之切割道部的開口步驟中，為了進行開口，雷射照射必須進行複數次，因加工長時間化或過量雷射光之能量輸入而導致遮罩材層熔融變成殘渣，結果，殘留於半導體晶圓表面，而有使加工品質 惡化之虞。
〔〔樹脂〕〕
構成遮罩材層之樹脂為任何樹脂皆可，但較佳為通常之半導體晶圓加工用表面保護帶中構成黏著劑層的黏著劑。
黏著劑所使用之樹脂較佳為(甲基)丙烯酸共聚物。
另，於本發明及本說明書，「(甲基)丙烯酸」係「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」之總稱，可為「丙烯酸」、「甲基丙烯酸」之其中一者，亦可為此等之混合物。例如，(甲基)丙烯酸酯意指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯。
因此，於本發明中，遮罩材層較佳含有(甲基)丙烯酸共聚物。另，所謂含有(甲基)丙烯酸共聚物，意指包含(甲基)丙烯酸共聚物以經與硬化劑反應之狀態存在的形態。
(甲基)丙烯酸共聚物可為不同之(甲基)丙烯酸酯之2種以上的共聚物，亦可為包含(甲基)丙烯酸酯與(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸醯胺之具有乙烯性不飽和基之單體的共聚物。
此處，作為具有乙烯性不飽和基之單體，除了上述以外，還可列舉：(甲基)丙烯腈、苯乙烯、乙烯、丙烯、丁烯、丁二烯、乙烯醇、乙酸乙烯酯、氯乙烯、順丁烯二酸(亦包含酯、酸酐)等。
於本發明中，更佳為選自(甲基)丙烯酸酯及(甲基)丙烯酸之單體的共聚物。又，可為1種類之共聚物，亦可為複數種共聚物之混合物。
(甲基)丙烯酸酯可為(甲基)丙烯酸烷酯、(甲基)丙烯酸芳酯，較佳為(甲基)丙烯酸烷酯。
又，(甲基)丙烯酸酯之醇部(形成酯之醇)的碳數較佳為1~20，更佳為1~15，再更佳為1~12。
另，(甲基)丙烯酸酯之醇部可具有取代基。
(甲基)丙烯酸酯例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十二酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯。
上述(甲基)丙烯酸共聚物之全部單體成分中，(甲基)丙烯酸酯成分之比例較佳為70莫耳%以上，更佳為80莫耳%以上，再更佳為90莫耳%以上。又，(甲基)丙烯酸共聚物之全部單體成分中，當(甲基)丙烯酸酯成分之比例不為100莫耳%的情形時，剩餘部分之單體成分較佳為以「將(甲基)丙烯醯基作為聚合性基而聚合」之形態存在的單體成分((甲基)丙烯酸等)。
並且，(甲基)丙烯酸共聚物之全部單體成分中，具有會與後述硬化劑反應之官能基(例如羥基)的(甲基)丙烯酸酯成分之比例，較佳為1莫耳%以上，更佳為2莫耳%以上，更佳為5莫耳%以上，更佳為10莫耳%以上。另，具有會與硬化劑反應之官能基的(甲基)丙烯酸酯成分之比例較佳為35莫耳%以下，更佳為25莫耳%以下。
此等之共聚物的質量平均分子量通常為30萬~100萬左右。
此處，質量平均分子量可藉由GPC以聚苯乙烯換算之分子量的形式來測量。
遮罩材層中之(甲基)丙烯酸共聚物的含量(已換算成與硬化劑反應前之狀態的含量)較佳為80質量%以上，更佳為90質量%以上，更佳為95~99.9質量%。
〔〔硬化劑〕〕
遮罩材層中之(甲基)丙烯酸共聚物較佳已受到硬化，較佳於遮罩材層形 成用組成物含有硬化劑。
硬化劑為用以與(甲基)丙烯酸共聚物具有之官能基反應來調整黏著力及凝聚力者。
作為硬化劑，例如可列舉：1,3-雙(N,N-二環氧丙基胺基甲基)環己烷、1,3-雙(N,N-二環氧丙基胺基甲基)甲苯、1,3-雙(N,N-二環氧丙基胺基甲基)苯、N,N,N,N’-四環氧丙基-間茬二胺、乙二醇二環氧丙基醚、對酞酸二環氧丙基酯丙烯酸酯等分子中具有2個以上之環氧基的環氧化合物(以下，亦稱為「環氧硬化劑」。)、2,4-甲伸苯基二異氰酸酯、2,6-甲伸苯基二異氰酸酯、1,3-伸茬基二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯甲烷-4,4’-二異氰酸酯、六亞甲基(hexamethylene)二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯及此等之加成物類型等分子中具有2個以上之異氰酸酯基的異氰酸酯化合物(以下，亦稱為「異氰酸酯硬化劑」。)、四羥甲基-三-β-吖
Figure 107106169-A0202-12-0014-13
基(aziridinyl)丙酸酯、三羥甲基-三-β-吖
Figure 107106169-A0202-12-0014-14
基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-吖
Figure 107106169-A0202-12-0014-15
基丙酸酯、三羥甲基丙烷-三-β-(2-甲基吖
Figure 107106169-A0202-12-0014-16
)丙酸酯、參-2,4,6-(1-吖
Figure 107106169-A0202-12-0014-17
基)-1,3,5-三
Figure 107106169-A0202-12-0014-18
、參[1-(2-甲基)-吖
Figure 107106169-A0202-12-0014-19
基]膦氧化物、六[1-(2-甲基)-吖
Figure 107106169-A0202-12-0014-20
基]三磷三
Figure 107106169-A0202-12-0014-21
(triphosphatriazine)等分子中具有2個以上之吖
Figure 107106169-A0202-12-0014-43
基的吖
Figure 107106169-A0202-12-0014-23
化合物(以下，亦稱為「吖
Figure 107106169-A0202-12-0014-24
硬化劑」。)等。硬化劑之添加量根據想要的黏著力加以調整即可，相對於(甲基)丙烯酸共聚物100質量份，為0.1~5.0質量份是適當的。本發明之遮罩一體型表面保護帶之遮罩材層中，硬化劑處於已與(甲基)丙烯酸共聚物反應之狀態。
<輻射硬化型遮罩材層>
遮罩材層可為藉照射輻射加以硬化之輻射硬化型及非輻射硬化型的任一者。於本發明中，藉由使遮罩材層為輻射硬化型，無論是基材膜或者基材膜上之黏著劑層之任何情形，皆可僅使遮罩材層殘留於半導體晶圓之圖案面，使剝 離容易，因此，較佳為輻射硬化型。
此處，非輻射硬化型與黏著劑同樣地亦稱為壓敏型，由上述說明之樹脂及用硬化劑硬化之樹脂構成，不含具有會因照射輻射而硬化之乙烯性不飽和基的成分。
當遮罩材層為輻射硬化型之情形時，於上述步驟(b)中，從遮罩一體型表面保護帶僅使遮罩材層殘留於半導體晶圓面上會變得容易。
具體而言，從遮罩一體型表面保護帶之基材膜側照射輻射，藉此使遮罩材層硬化，遮罩材層與和該遮罩材層接觸之層(為基材膜，或者於表面保護帶之情形時則為表面保護帶之黏著劑層)的層間剝離性會因此而獲得提升，變得容易地從遮罩一體型表面保護帶將表面保護帶剝離。
此係由於遮罩材層因照射輻射而三維網狀化，黏著力下降，故與和遮罩材層接觸之層例如黏著劑層的牢固密合性消失，而可從與遮罩一體型表面保護帶之遮罩材層接觸之層例如黏著劑層簡單地剝離。
惟，較佳藉由照射輻射，使遮罩材層與和該遮罩材層接觸之基材膜或者黏著劑層的密合力低於遮罩材層與半導體晶圓圖案面之間的密合力。
於本發明及本說明書中，所謂「輻射」，係指包含紫外線之類的光線或電子射線之類的游離輻射兩者。於本發明中，輻射較佳為紫外線。
要使遮罩材層為輻射硬化型時，與通常之半導體晶圓加工用表面保護帶中的輻射硬化型黏著劑同樣地具有會因輻射而硬化，進而三維網狀化之性質即可。
要製成輻射硬化型，大致分為(1)含有側鏈具有乙烯性不飽和基(為輻射聚合性碳-碳雙鍵，亦稱為乙烯性雙鍵)之樹脂(聚合物)，或(2)使之含有上述壓敏型所使用之樹脂(聚合物)及分子中具有至少2個乙烯性不飽和基之低分子量化合物(包含寡聚物，以下，亦稱為輻射聚合性低分子量化合 物)。
於本發明中，可為上述(1)、(2)之任一者，較佳為(1)。
作為乙烯性不飽和基，可列舉：乙烯基、烯丙基、苯乙烯基、(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯氧基、(甲基)丙烯醯胺基等。
〔(1)側鏈具有乙烯性不飽和基之樹脂〕
側鏈具有乙烯性不飽和基之樹脂可藉由使「側鏈具有反應性官能基(α)例如羥基之共聚物」與「具有會與此反應性官能基(α)反應之官能基(β)例如異氰酸酯基，且具有乙烯性不飽和基的化合物」反應而得到。作為具有反應性官能基(β)與乙烯性不飽和基之化合物，代表性者可舉2-(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯。
作為上述官能基(α)、(β)，可列舉：羧基、羥基、胺基、巰基、環狀酸酐基、環氧基、異氰酸酯基(-N=C=O)等。此處，環狀酸酐基為具有環狀酸酐構造之基。
上述官能基(α)與(β)之組合，例如為親核取代反應之情形時，其中一者為親核劑，另一者為親電子劑。
側鏈具有乙烯性不飽和基之樹脂，較佳為(甲基)丙烯酸共聚物。
(甲基)丙烯酸共聚物較佳為下述之聚合物：至少在從(甲基)丙烯酸酯得到之單位構造中，具有在此酯之醇部具有乙烯性不飽和基的單位構造。
又，上述(甲基)丙烯酸共聚物較佳除了上述單位構造外，還具有從在醇部不具有乙烯性不飽和基之(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸、具有其他乙烯性不飽和基之單體得到的重複單位。其中，較佳具有從(甲基)丙烯酸酯及/或(甲基)丙烯酸得到之重複單位。
尤佳具有從醇部之碳數為8~12之(甲基)丙烯酸烷酯得到的重複單位。
構成側鏈具有乙烯性不飽和鍵之(甲基)丙烯酸共聚物的單體成分中，碳數為8~12之(甲基)丙烯酸烷酯成分的比例較佳為45~85莫耳%，更佳為50~80莫耳%。
側鏈具有乙烯性不飽和基之樹脂，較佳為日本特許第6034522號公報之段落編號0020~0036記載者，於本說明書，較佳編入該段落編號0020~0036記載之內容。
〔(2)輻射聚合性低分子量化合物〕
作為輻射聚合性低分子量化合物，例如可廣泛應用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯或寡酯(oligoester)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸酯化合物。
又，除了上述(甲基)丙烯酸酯化合物之外，亦可使用胺酯丙烯酸酯寡聚物。胺酯丙烯酸酯寡聚物可使末端異氰酸酯胺酯預聚合物與具有羥基之丙烯酸酯或者甲基丙烯酸酯(例如，2-羥乙基丙烯酸酯、2-羥乙基甲基丙烯酸酯、2-羥丙基丙烯酸酯、2-羥丙基甲基丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)反應而得，該末端異氰酸酯胺酯預聚合物係使聚酯型或聚醚型等聚醇化合物與多價異氰酸酯化合物(例如，2,4-甲伸苯基二異氰酸酯、2,6-甲伸苯基二異氰酸酯、1,3-伸茬基二異氰酸酯、1,4-伸茬基二異氰酸酯、二苯甲烷4,4-二異氰酸酯等)反應而得。
作為(甲基)丙烯酸共聚物與輻射聚合性低分子量化合物之摻合比，宜相對於(甲基)丙烯酸共聚物100質量份，於50~200質量份(較佳為50~150質量份)之範圍摻合輻射聚合性低分子量化合物。當為此摻合比之範圍的情形時，可於照射輻射後使黏著力大幅下降。
〔光自由基聚合起始劑〕
要藉由輻射使遮罩材層聚合硬化，可使用光自由基聚合起始劑，藉此使聚合反應效率佳地進行，為較佳。
光自由基聚合起始劑可列舉：烷基苯酮(alkylphenone)型聚合起始劑、二芳基酮型聚合起始劑、二醯基型聚合起始劑、氧化醯基膦(acyl phosphine oxide)型聚合起始劑、肟酯型聚合起始劑、經鹵化烷基取代-1,3,5-三
Figure 107106169-A0202-12-0018-25
型聚合起始劑、2,4,5-三芳基咪唑二聚物(咯吩二聚物)。
於本發明中，較佳為於α位具有羥基之烷基或者環烷基苯酮。
光自由基聚合起始劑例如可使用異丙基安息香醚、異丁基安息香醚、二苯甲酮、米其勒酮、氯9-氧硫
Figure 107106169-A0202-12-0018-28
、二苯乙二酮甲基縮酮(benzil methylketal)、α-羥基環己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。藉由將此等之中至少1種添加於遮罩材層，可使聚合反應效率佳地進行。
〔硬化劑〕
於形成輻射硬化型遮罩材層之樹脂，亦較佳為樹脂用硬化劑硬化。尤其是當側鏈具有乙烯性不飽和基之樹脂的情形時，較佳使遮罩材層形成用組成物含有硬化劑，使樹脂硬化。
硬化劑較佳為以壓敏型舉出之硬化劑，硬化劑之添加量相對於含有之硬化前的樹脂例如(甲基)丙烯酸共聚物100質量份，為0.1~5.0質量份是適當的。於本發明之遮罩一體型表面保護帶的遮罩材層中，硬化劑處於已與(甲基)丙烯酸共聚物反應之狀態。
〔紫外線吸收成分〕
於本發明中，遮罩材層於355nm之波長區域中的平行光線透射率在30%以下。
要使遮罩材層於355nm之波長區域中的平行光線透射率在30%以下，較佳 含有紫外線吸收成分。
作為紫外線吸收成分，更佳為使之含有紫外線吸收劑或紫外線吸收性聚合物。
(紫外線吸收劑)
紫外線吸收劑由於對於樹脂之相容性優異，透明性高，少量添加即對紫外區域之雷射光具有高吸收性能，因此，可適合利用於本發明。
較佳含有具有三
Figure 107106169-A0202-12-0019-57
骨架、二苯甲酮骨架、苯并三唑骨架或苯甲酸酯骨架之紫外線吸收劑之中的至少1種作為紫外線吸收劑。
此等之紫外線吸收劑，例如作為具有三
Figure 107106169-A0202-12-0019-31
骨架之化合物，例如可列舉：2,4-雙[2-羥基-4-丁氧基苯基]-6-(2,4-二丁氧基苯基)-1,3,5-三
Figure 107106169-A0202-12-0019-32
、2,4-雙(2,4-二甲基苯基)-6-(2-羥基-4-正辛氧苯基)-1,3,5-三
Figure 107106169-A0202-12-0019-33
、2-(2,4-二羥基苯基)-4,6-雙(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三
Figure 107106169-A0202-12-0019-34
、2-(2,4-二羥基苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三
Figure 107106169-A0202-12-0019-35
、2-(2-羥基-4-甲氧基苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三
Figure 107106169-A0202-12-0019-37
等。
作為具有二苯甲酮骨架之化合物，例如可列舉：2,4-二羥基二苯甲酮、2,2’-二羥基-4,4’-二甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮、2-羥基-4-正辛氧基二苯甲酮、2,2’,4,4’-四羥基二苯甲酮等。
作為具有苯并三唑骨架之化合物，例如可列舉：2-(2-羥基-5-三級丁基苯基)-2H-苯并三唑、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-雙(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚等。
作為具有苯甲酸酯骨架之化合物，例如可列舉：2,4-二-三級丁基苯基-3,5-二-三級丁基-4-羥基苯甲酸酯、2,4-二-三級丁基苯基-4’-羥基-3’,5’-二-三級丁基苯甲酸酯等。
紫外線吸收劑亦可使用市售者，例如可列舉：艾迪科股份有限公司製之ADK STAB LA系列(LA-24、LA-29、LA-31、LA-32、LA-36、LA-F70、1413)(皆為商品名)，巴斯夫公司製之TINUVIN P、TINUBIN 234、TINUVIN 326、TINUVIN 329、TINUVIN 213、TINUVIN 571、TINUVIN 1577ED、CHIMASSORB 81、TINUVIN 120(皆為商品名)等。
紫外線吸收劑可使用1種，亦可合併2種以上使用。
紫外線吸收劑之添加量，根據想要的雷射光吸收性能加以調整即可，相對於(甲基)丙烯酸共聚物100質量份，為0.1~5.0質量份是適當的。
(紫外線吸收性聚合物)
為了遮罩材層具有高雷射吸收性，故較佳為遮罩材層含有紫外線吸收性聚合物。所謂紫外線吸收性之聚合物，係指藉由使用具有紫外線吸收基之聚合性單體作為從構成聚合物分子之共聚單體得到的重複單位(鏈段)之一，而對聚合物本身賦予紫外線吸收性能。若相較於在通用聚合物混入紫外線吸收劑加以摻合之構成，則不會有紫外線吸收劑成分之溶析或流出等問題。
作為紫外線吸收性聚合物，較佳為在側鏈具有紫外線吸收骨架者。
紫外線吸收骨架可舉具有紫外線吸收劑所舉之骨架者。於本發明中，較佳為苯并三唑骨架、二苯甲酮骨架或三
Figure 107106169-A0202-12-0020-39
骨架。
在側鏈具有紫外線吸收骨架之紫外線吸收性聚合物，可藉由使具有此等骨架之單體例如選自在(甲基)丙烯酸酯化合物之醇部具有此等骨架之化合物的至少1種的(甲基)丙烯酸單體聚合而得。
因此，於本發明中，紫外線吸收性聚合物較佳為在側鏈具有苯并三唑骨架、二苯甲酮骨架或三
Figure 107106169-A0202-12-0020-40
骨架之任一紫外線吸收骨架的(甲基)丙烯酸聚合 物。
紫外線吸收性聚合物可藉由使在(甲基)丙烯酸酯化合物之醇部具有紫外線吸收骨架的(甲基)丙烯酸酯化合物(單體)聚合而得，但此種紫外線吸收性單體可使用1種或者合併2種以上使用。
作為紫外線吸收性單體較佳者，以下述通式(I)~(VII)之任一者表示。
Figure 107106169-A0202-12-0021-1
式中，R表示氫原子或甲基，R1~R4各自獨立地表示取代基。m1表示0~3之整數，m2表示0~4之整數，n1表示0~4之整數，n2表示0~3之整數，n3表示0~5之整數。L1表示單鍵或2價連結基，L2表示伸烷基(alkylene group)。
此處，胺基包含-NH2、烷基胺基、芳基胺基、雜環胺基。
R1~R4中之取代基，例如可列舉：鹵素原子、烷基、環烷基、 芳基、雜環基、烷氧基、芳氧基、雜環氧基、烷硫基、芳硫基、雜環硫基、羥基、巰基、胺基、醯基、醯胺基(acylamino)、磺醯胺基、胺甲醯基、胺磺醯基、醯氧基、烷氧羰基(alkoxycarbonyl)、芳氧羰基(aryloxycarbonyl)、磺醯基、羧基、磺酸基、硝基。
R3及R4較佳為烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、胺基。
L1之2價連結基表示-O-、-S-、-SO2-、-N(Ra)-、-C(=O)-、伸烷基、伸芳基(arylene)、2價雜環基或此等組合而成之基。此處，Ra表示氫原子或取代基。
作為此等組合而成之基，例如可列舉：-C(=O)-O-、-O-C(=O)-、-N(Ra)-C(=O)-、-C(=O)-N(Ra)-、-伸烷基-O-、-O-伸烷基-O-、-伸烷基-S-、-伸烷基-N(Ra)-、-伸芳基-O-、-O-伸芳基-O-、-伸芳基-S-、-伸芳基-N(Ra)-等。
L2之伸烷基的碳數較佳為1~20，更佳為2~18，再更佳為2~8。例如可列舉：亞甲基(methylene)、伸乙基(ethylene)、伸丙基(propylene)、伸丙基(trimethylene)、伸丁基(butylene)、伸己基(hexylene)、伸辛基(octylene)。
另，紫外線吸收劑之較佳化合物，可用上述通式(I)~(VII)中刪除了-L1-L2-O-C(=O)-C(R)=CH2而得之通式表示。
此等之紫外線吸收性單體，例如可列舉：2-[3-(2H-1,2,3-苯并三唑-2-基)-4-羥基苯基]甲基丙烯酸甲酯或2-[2-(2-羥基-4-辛氧苯基)-2H-1,2,3-苯并三唑-5-基氧基]甲基丙烯酸甲酯、2-[2-羥基-5-(甲基丙烯醯氧基甲基)苯基]-2H-苯并三唑、2-(4,6-二苯基-1,3,5-三
Figure 107106169-A0202-12-0022-41
-2-基)-5-[2-(丙烯醯氧基)乙氧基]苯酚、2-(4,6-二苯基-1,3,5-三
Figure 107106169-A0202-12-0022-42
-2-基)-5-[2-(甲基丙烯醯氧基)乙氧基]苯酚等。
作為可與上述紫外線吸收性單體共聚合之其他的單體成分，並無特別限制，可適當選擇加以使用。
例如，可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十八酯(stearyl(meth)acrylate)等(甲基)丙烯酸烷酯類。
又，可列舉：(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丁酯等含有羥基之不飽和單體。
於紫外線吸收性聚合物成分中，紫外線吸收性單體成分所佔之比率較佳為50質量%以上。
紫外線吸收聚合物之質量平均分子量較佳為1萬~20萬左右。
紫外線吸收聚合物亦可使用市售者，例如可列舉：新中村化學工業股份有限公司製之VANARESIN UVA-5080、VANARESIN UVA-5080(OHV20)、VANARESIN UVA-7075、VANARESIN UVA-7075(OHV20)、VANARESIN UVA-55T、VANARESIN UVA-55MHB、VANARESIN UVA-73T、NEWCOAT UVA-101、NEWCOAT UVA-102、NEWCOAT UVA-103、NEWCOAT UVA-104(皆為商品名)等。
於本發明中，亦可不使用成為基底之樹脂，而將紫外線吸收性聚合物作為基底樹脂。亦即，亦可單獨使用紫外線吸收性聚合物作為構成遮罩材層之樹脂。
另，於本發明中，於側鏈具有乙烯性不飽和基之樹脂本身亦可於側鏈具有紫外線吸收骨架。
此處，當添加於成為基底之樹脂例如(甲基)丙烯酸共聚物來使用的情形 時，紫外線吸收性聚合物之含量根據想要的雷射光吸收性能加以調整即可，相對於成為基底之樹脂例如(甲基)丙烯酸共聚物100質量份，為5.0~50.0質量份是適當的。
遮罩材層之厚度從藉由電漿灰化之去除速度的觀點，較佳為5~100μm，更佳為5~40μm。
<黏著劑層>
本發明之遮罩一體型表面保護帶至少具有基材膜與遮罩材層，遮罩材層係與基材膜接觸設置，或透過黏著劑層設置。
於本發明中，較佳為遮罩材層透過黏著劑層設置於基材膜上。亦即，於表面保護帶之黏著劑層上具有遮罩材層。
黏著劑層係與遮罩材層一同起到下述作用：吸收形成於半導體晶圓圖案面之元件的凹凸，提高與圖案面之密合性，保護圖案面。為了使遮罩一體型表面保護帶能夠承受晶圓薄膜化步驟之負荷，黏著劑層較佳於晶圓薄膜化步驟中與遮罩材層或基材膜之密合性高。另一方面，於晶圓薄膜化步驟後，由於會與基材膜一起從遮罩材層剝離，故較佳為與遮罩材層之密合性低(較佳為剝離性高)。
構成黏著劑層之黏著劑，可使用以往之半導體晶圓加工用表面保護帶所使用之黏著劑。
黏著劑可為輻射硬化型黏著劑及壓敏型黏著劑之任一者，但當遮罩材層為輻射硬化型之情形時，較佳為壓敏型黏著劑，當遮罩材層為壓敏型之情形時，則較佳為輻射硬化型黏著劑。
因此，於本發明中，由於遮罩材層較佳為輻射硬化型，故較佳為壓敏型黏著劑。
關於黏著劑，除了「遮罩材層於355nm之波長區域中的平行光 線透射率為30%以下」及「使用用於達成30%以下之紫外線吸收成分」以外，其餘皆可直接應用遮罩材層所說明之內容。
惟於本發明中，黏著劑層亦可含有紫外線吸收成分，此情形之紫外線吸收成分的含量，較佳為黏著劑層於355nm之波長區域中的平行光線透射率超過30%，但尤佳為不含有紫外線吸收成分。
黏著劑層之厚度，從更加提高形成於圖案面之元件等的保護能力，且更加提高對半導體晶圓圖案面之密合性的觀點，較佳為5~100μm。另，雖然亦會取決於元件之種類，但是半導體晶圓之圖案表面的凹凸由於大概為數μm~15μm左右，因此，黏著劑層之厚度更佳為5~30μm。
又，雖然亦會取決於元件之種類，但是黏著劑層之厚度較佳為遮罩材層之厚度以上，比遮罩材層之厚度厚的情形更佳。
本發明之遮罩一體型表面保護帶為如具有黏著劑層之遮罩一體型表面保護帶由圖1(b)、(c)表示的構成。
於圖1(b)、(c)中，遮罩一體型表面保護帶3於基材膜3aa上具有黏著劑層3ab，於此黏著劑層3ab上具有遮罩材層3b。
此處，基材膜3aa與黏著劑層3ab為表面保護帶3a。
另，於圖1(b)、(c)中，當遮罩一體型表面保護帶3不具有黏著劑層3ab之情形時，表面保護帶3a之部分會變成基材膜3a。
於本發明中，遮罩材層或黏著劑層亦可含有以往之半導體晶圓加工用表面保護帶所使用之樹脂、硬化劑、光自由基聚合起始劑以外的成分。
<<半導體晶圓之製造方法>>
於本發明中，尤佳以包含下述步驟(a)~(d)之步驟來製造半導體晶圓。
〔步驟〕
(a)在遮罩一體型表面保護帶貼合於半導體晶圓之圖案面側的狀態下，對半導體晶圓之背面進行研磨，將晶圓固定帶貼合於經研磨之半導體晶圓的背面，用環狀框加以支持固定的步驟，(b)從遮罩一體型表面保護帶將基材膜剝離，或將基材膜與前述黏著劑層一起剝離，藉此使遮罩材層露出於表面後，藉由雷射將遮罩材層之中相當於半導體晶圓之切割道的部分割斷，使半導體晶圓切割道開口的步驟，(c)藉由SF6電漿於切割道將半導體晶圓切斷，單片化成半導體晶片的電漿切割步驟，及(d)藉由O2電漿將遮罩材層去除的灰化步驟。
於半導體晶圓之製造方法，可藉由使用本發明之遮罩一體型表面保護帶，以包含上述步驟(a)~(d)之步驟來製造半導體晶圓。
適用本發明之遮罩一體型表面保護帶的上述半導體晶片的製造方法，較佳於上述步驟(d)之後包含下述步驟(e)。又當包含下述步驟(e)之情形時，較佳於此步驟(e)之後，進一步包含下述步驟(f)。
(e)從晶圓固定帶拾取半導體晶片的步驟(f)將拾取之半導體晶片轉移至晶粒接合步驟的步驟
關於使用本發明之遮罩一體型表面保護帶的半導體晶片的製造方法(以下，亦簡稱為「應用本發明之製造方法」。)，以下參照圖式說明其較佳之實施形態，但本發明除了本發明所規定之事項以外，並不限定於下述實施形態。又，各圖式所示之形態係為了容易理解本發明的示意圖，各構件之尺寸、厚度或相對之大小關係等有時會為了方便說明而改變大小，並非是原封不動地表示實際之關係者。又，除了本發明所規定之事項以外，其餘皆不限定於此等圖式所示之外形、形狀。
適用本發明之製造方法的較佳實施形態，可分類為下述所示之 第1及2之實施形態。
另，使用於下述實施形態之裝置及遮罩一體型表面保護帶以外的材料，只要沒有特別說明，則可使用自以往就用於半導體晶圓加工之通常的裝置及材料等，其使用條件亦可於通常之使用方法的範圍內根據目的作適當設定，加以優化。又，關於各實施形態中共通之材質、構造、方法、效果等，省略重複記載。
<第1實施形態[圖1~圖5]>
參照圖1~圖5說明適用本發明之製造方法的第1實施形態。
另，此等之圖如前述，為表示層構成之示意圖，並非是根據實際狀態反映基材膜、黏著劑層、遮罩材層之各厚度者。基材膜或各層之厚度適用已經記載之遮罩一體型表面保護帶所說明的內容。
半導體晶圓1具有其表面S形成有半導體元件之電路等的圖案面2(參照圖1(a))。於此圖案面2貼合本發明之遮罩一體型表面保護帶3(參照圖1(b))，而得到圖案面2被本發明之遮罩一體型表面保護帶3被覆的半導體晶圓1(參照圖1(c))，上述本發明之遮罩一體型表面保護帶3在將黏著劑層3ab設置於基材膜3aa之表面保護帶3a的黏著劑層3ab上進一步設置有遮罩材層3b。
此處，於圖1之圖1(b)及(c)，揭示了在基材膜上具有黏著劑層之表面保護帶3a，此情形時，係由基材膜3aa與黏著劑層3ab構成。
於本發明中，當接觸基材膜具有遮罩材層之情形時，由於並非是接觸基材膜具有黏著劑層者，因此，於圖1(b)及(c)，3a為基材膜。因此，於以下之說明中，當接觸基材膜具有遮罩材層之情形時，將「表面保護帶3a」、「表面保護帶」換稱為「基材膜3a」、「表面保護帶」。
接著，用晶圓研磨裝置M1研磨半導體晶圓1之背面B，使半導體 晶圓1之厚度變薄(參照圖2(a))。於該經研磨之背面B貼合晶圓固定帶4(參照圖2(b))，支持固定於環狀框F(參照圖2(c))。
從半導體晶圓1將遮罩一體型表面保護帶3之表面保護帶3a剝離，且將該遮罩材層3b殘留於半導體晶圓1(參照圖3(a))，露出遮罩材層3b(參照圖3(b))。然後，從表面S之側對呈格子狀等被適當形成於圖案面2之複數個切割道(未圖示)照射雷射L，將遮罩材層3b相當於切割道之部分去除，使半導體晶圓之切割道開口(參照圖3(c))。
將遮罩材層3b割斷之雷射照射，可使用照射紫外線或紅外線之雷射光的雷射照射裝置。此雷射光照射裝置配設有可沿著半導體晶圓1之切割道移動自如的雷射照射部，可照射為了將遮罩材層3b去除而經被適當加以控制之輸出的雷射。
另，雷射為CO2或YAG等，並無特別限定，但其中YAG雷射之第3高諧波即355nm之紫外線區域的雷射對於各種材質之吸收率非常地高，不會施加熱應力，故被使用於要求高品質之微細加工，且光束直徑較長波長雷射更集中，故可進行更加微細之加工，可適用於本發明。
接著，從表面S側進行利用SF6氣體之電漿P1之處理，對在切割道部分露出之半導體晶圓1進行蝕刻(參照圖4(a))，分割成一個一個之晶片7，加以單片化(參照圖4(b))，接著藉由O2氣體之電漿P2進行灰化(參照圖4(c))，將殘留於表面S之遮罩材層3b除去(參照圖5(a))。然後最後藉由銷M2將經單片化之晶片7向上頂，藉由筒夾M3吸附進行拾取(參照圖5(b))。
此處，使用SF6氣體之半導體晶圓之Si的蝕刻製程亦被稱為BOSCH製程，係使「露出之Si」與「使SF6電漿化而生成之F原子」反應，以四氟化矽(SiF4)之形態加以去除，亦被稱為反應離子蝕刻(RIE)。另一方面， 利用O2電漿之去除係於半導體製造製程中亦被作為電漿清洗機使用之方法，亦被稱為灰化(ashing)，為去除有機物之手法之一。係為了將殘留於半導體元件表面之有機物殘渣清除而進行。
接著，說明上述方法所使用之材料。另，下述所說明之材料為可適用於本發明之遮罩一體型表面保護帶全部之材料，而非限定於將遮罩一體型表面保護帶使用於上述方法之情形時所適用之材料。
半導體晶圓1為在單面具有形成有半導體元件之電路等的圖案面2的矽晶圓等，圖案面2為形成有半導體元件之電路等的面，於俯視時具有切割道。
晶圓固定帶4保持半導體晶圓1，需要即使暴露於電漿切割步驟亦可承受之耐電漿性。又，於拾取步驟中亦被要求良好之拾取性或視情形之擴張性等。於這樣的晶圓固定帶4，可使用與上述表面保護帶3a同樣之帶。又，可使用一般被稱為切割帶之以往電漿切割方式所利用的周知切割帶。又，為了容易轉移至拾取後之晶粒接合步驟，亦可使用黏著劑層與基材膜之間積層有晶粒接合用接着劑的切割晶粒接合帶。
要進行電漿切割及電漿灰化，可使用電漿蝕刻裝置。電漿蝕刻裝置為可對半導體晶圓1進行乾式蝕刻之裝置，係在真空腔室內造出密閉處理空間，於高頻側電極載置半導體晶圓1，從與該高頻側電極相對向設置之氣體供給電極側供給電漿產生用氣體。若對高頻側電極施加高頻電壓，則由於在氣體供給電極與高頻側電極之間會產生電漿，因此利用該電漿。於發熱之高頻電極內使冷凍劑循環，防止因電漿之熱導致半導體晶圓1升溫。
若根據上述半導體晶片的製造方法(半導體晶圓之處理方法)，則藉由使保護圖案面之表面保護帶具有電漿切割時之遮罩功能，可不再需要以往電漿切割製程所使用之用以設置阻劑的光刻步驟等。尤其是因使用了 表面保護帶，故無須要求印刷或轉印等高度對位以形成遮罩之技術，可簡單地貼合於半導體晶圓表面，可藉由雷射裝置簡單地形成遮罩。
又，由於可用O2電漿將遮罩材層3b去除，因此可用與進行電漿切割之裝置相同的裝置進行遮罩部分之去除。再加上由於從圖案面2側(表面S側)進行電漿切割，因此無須於揀料(picking)作業前將晶片上下反轉。因此等理由而可使設備簡易化，可大幅抑制製程成本。
<第2實施形態〔圖6〕>
於本實施形態中，在將第1實施形態中之表面保護帶3a剝離的步驟前，包含對遮罩一體型表面保護帶3照射紫外線等輻射使遮罩材層或黏著劑層硬化的步驟，在此點上與第1實施形態不同。其他之步驟則與第1實施形態相同。
另，於本發明中，較佳使遮罩材層硬化，而非黏著劑層。
亦即，於半導體晶圓1之表面S側貼合遮罩一體型表面保護帶3，於半導體晶圓1經研磨之背面B側貼合晶圓固定帶4，支持固定於環狀框F(參照圖2(c)、圖6(a))後，從表面S側朝遮罩一體型表面保護帶3照射紫外線UV(參照圖6(b))。然後，使遮罩一體型表面保護帶3之遮罩材層3b硬化後，將表面保護帶3a除去(參照圖6(c))，使遮罩材層3b露出。然後，移至藉由雷射L將相當於切割道之部分的遮罩材層3b切除的步驟。
另，紫外線之照射，例如以成為累計照射量500mJ/cm2之方式對遮罩一體型表面保護帶整體從基材膜側照射紫外線。紫外線照射較佳使用高壓水銀燈。
本實施形態所使用之遮罩一體型表面保護帶，係於第1實施形態揭示之遮罩一體型表面保護帶3之中亦將可藉由紫外線等輻射硬化之材質使用於遮罩材層3b者。
藉由以紫外線等使遮罩材層3b硬化，表面保護帶3a與遮罩材層3b之剝離會變得容易。
上述各實施形態僅為本發明之一例示，並不限定於這樣的形態，於不違反本發明宗旨之範圍，可進行各製程中之周知製程的追加或刪除、變更等。
[實施例]
以下，基於實施例進一步詳細說明本發明，但本發明並不限定於此。
實施例1
<遮罩一體型表面保護帶之製作>
將丙烯酸20mol%、丙烯酸丁酯70mol%、丙烯酸甲酯10mol%加以混合，於乙酸乙酯溶液中進行聚合，藉此合成(甲基)丙烯酸共聚物(質量平均分子量：40萬，羥值：0mgKOH/g，酸值：48.8mgKOH/g，Tg：-23℃)。
將相對於該共聚物100質量份為2.0質量份之作為硬化劑的TETRAD-X〔三菱瓦斯化學股份有限公司製，環氧系硬化劑〕摻合於該(甲基)丙烯酸共聚物之溶液，得到黏著劑組成物A。
將甲基丙烯酸1mol%、丙烯酸2-乙基己酯78mol%、丙烯酸2-羥乙酯21mol%加以混合，於乙酸乙酯溶液中進行聚合，藉此得到質量平均分子量70萬之(甲基)丙烯酸共聚物之溶液。
於得到之共聚物添加2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯〔商品名：Karenz MOI，昭和電工股份有限公司製〕，藉此得到含有乙烯性不飽和基之(甲基)丙烯酸共聚物(質量平均分子量：70萬，雙鍵量：0.90meq/g，羥值：33.5mgKOH/g，酸值：5.5mgKOH/g，Tg：-68℃)。
對此含有乙烯性不飽和基之(甲基)丙烯酸共聚物100質量份，摻合作為硬化劑之Coronate L〔日本聚氨酯工業股份有限公司製，異氰酸酯系硬化劑〕1.0質量份、作為光自由基聚合起始劑之Irgacure 184(巴斯夫公司製)2.0質量 份，再摻合作為紫外線吸收劑之LA-F70(艾迪科股份有限公司製，三
Figure 107106169-A0202-12-0032-44
骨架之紫外線吸收劑)0.75質量份，而得到遮罩材層形成用組成物B。
將上述黏著劑組成物A以乾燥後之厚度成為30μm的方式塗布於剝離襯墊(release liner)上，將形成之黏著劑層3ab貼合於厚度100μm之低密度聚乙烯(LDPE)膜的基材膜3aa，得到厚度130μm之表面保護帶3a。
並且，將遮罩材層形成用組成物B以乾燥後之厚度成為10μm的方式塗布於剝離襯墊上，將形成之遮罩材層3b貼合於將上述表面保護帶3a之剝離襯墊剝除而露出的黏著劑層表面，藉此製作總厚度140μm之紫外線硬化型遮罩材一體型表面保護帶3。
<半導體晶片之製造>
使用層合機(laminator)DR8500III〔商品名：日東精機股份有限公司製〕，於附有切割線(切割道)之矽晶圓(直徑8吋)表面貼合上述所得到之紫外線硬化型遮罩一體型表面保護帶。
然後，使用DGP8760〔商品名：迪思科股份有限公司製〕，將貼合有上述遮罩一體型表面保護帶之面的相反面(晶圓之背面)研磨至晶圓厚度成為50μm為止。使用RAD-2700F〔商品名：琳得科股份有限公司製〕，將研磨後之晶圓從晶圓背面側安裝於切割帶(晶圓固定帶)上，用環狀框加以支持固定(步驟(a))。
固定後，從紫外線硬化型遮罩一體型帶側使用高壓水銀燈照射500mJ/cm2之紫外線，藉此消除遮罩材層3b與表面保護帶3a之間的密合力，僅將表面保護帶3a剝離，僅將遮罩材層3b殘留於晶圓上。
接著用355nm波長區域之YAG雷射將切割線上之遮罩材層去除，使切割線開口(步驟(b))。
然後，使用SF6氣體作為電漿產生用氣體，對矽晶圓以15μm/ min之蝕刻速度從遮罩材層側照射電漿5分鐘。藉由此電漿切割將晶圓割斷，分割成一個一個之晶片(步驟(c))。
接著，使用O2氣體作為電漿產生用氣體，以1.5μm/min之蝕刻速度進行灰化10分鐘，將遮罩材層3b去除(步驟(d))。
然後，從切割帶側照射紫外線(照射量200mJ/cm2)，使切割帶之黏著力降低，拾取晶片。
實施例2
除了將實施例1所使用之遮罩材層形成用組成物B之紫外線吸收劑亦即LA-F70(艾迪科股份有限公司製，三
Figure 107106169-A0202-12-0033-45
骨架之紫外線吸收劑)的摻合量從0.75質量份改變為1.5質量份以外，其餘皆以與實施例1同樣方式製作遮罩一體型表面保護帶，並以與實施例1同樣方式製造半導體晶片。
實施例3
除了將實施例1所使用之遮罩材層形成用組成物B之紫外線吸收劑亦即LA-F70(艾迪科股份有限公司製，三
Figure 107106169-A0202-12-0033-48
骨架之紫外線吸收劑)改變為紫外線吸收劑之LA-31(艾迪科股份有限公司製，三唑骨架之紫外線吸收劑)，且將摻合量從0.75質量份改變為1.0質量份以外，其餘皆以與實施例1同樣方式製作遮罩一體型表面保護帶，並以與實施例1同樣方式製造半導體晶片。
實施例4
不設置實施例1所形成之黏著劑層3ab，將實施例1所使用之遮罩材層形成用組成物B以乾燥後之厚度成為10μm的方式塗布於剝離襯墊上，將形成之遮罩材層3b直接貼合於實施例1所使用之基材膜(厚度100μm之LDPE膜)，藉此製作總厚度110μm之紫外線硬化型遮罩材一體型表面保護帶，並以與實施例1同樣方式製造半導體晶片。
比較例1
除了於實施例1所使用之遮罩材層形成用組成物B中不添加紫外線吸收劑而製成遮罩材層形成用組成物以外，其餘皆以與實施例1同樣方式製作遮罩一體型表面保護帶，並以與實施例1同樣方式製造半導體晶片。
比較例2
除了將實施例1所使用之遮罩材層形成用組成物B之紫外線吸收劑亦即LA-F70(艾迪科股份有限公司製，三
Figure 107106169-A0202-12-0034-50
骨架之紫外線吸收劑)改變為紫外線吸收劑之LA-31(艾迪科股份有限公司製，三唑骨架之紫外線吸收劑)，且將摻合量從0.75質量份改變為0.25質量份以外，其餘皆以與實施例1同樣方式製作遮罩一體型表面保護帶，並以與實施例1同樣方式製造半導體晶片。
此處，於比較例2、3、4及5，紫外線吸收原材料之平行光線透射率(%)過高，在本發明之範圍外。此點，將紫外線吸收原材料(例如，紫外線吸收性聚合物)之含量變少的原因如下：因該含量少，而會變成「平行光線透射率(%)過高(或者，平行光線吸收率(100%-透射率)過低)」之值。
比較例3
除了將實施例1所使用之遮罩材層形成用組成物B之紫外線吸收劑亦即LA-F70(艾迪科股份有限公司製，三
Figure 107106169-A0202-12-0034-51
骨架之紫外線吸收劑)的摻合量從0.75質量份改變為0.5質量份以外，其餘皆以與實施例1同樣方式製作遮罩一體型表面保護帶，並以與實施例1同樣方式製造半導體晶片。
實施例5
除了將實施例1所使用之遮罩材層形成用組成物B之紫外線吸收劑亦即LA-F70(艾迪科股份有限公司製，三
Figure 107106169-A0202-12-0034-52
骨架之紫外線吸收劑)改變為在側鏈具有三唑骨架之紫外線吸收性聚合物之VANARESIN UVA-5080〔新中村化學工業股份有限公司製，質量平均分子量：40,000~60,000，Tg：80℃〕，且將摻合量從0.75質量份改變為5.0質量份以外，其餘皆以與實施例1同樣方式製作遮 罩一體型表面保護帶，並以與實施例1同樣方式製造半導體晶片。
實施例6
除了將實施例1所使用之遮罩材層形成用組成物B之紫外線吸收劑亦即LA-F70(艾迪科股份有限公司製，三
Figure 107106169-A0202-12-0035-53
骨架之紫外線吸收劑)改變為在側鏈具有三唑骨架之紫外線吸收性聚合物之VANARESIN UVA-5080〔新中村化學工業股份有限公司製，質量平均分子量：40,000~60,000，Tg：80℃〕，且將摻合量從0.75質量份改變為10.0質量份以外，其餘皆以與實施例1同樣方式製作遮罩一體型表面保護帶，並以與實施例1同樣方式製造半導體晶片。
實施例7
除了將實施例1所使用之遮罩材層形成用組成物B之紫外線吸收劑亦即LA-F70(艾迪科股份有限公司製，三
Figure 107106169-A0202-12-0035-54
骨架之紫外線吸收劑)改變為在側鏈具有三唑骨架之紫外線吸收性聚合物之VANARESIN UVA-7075〔新中村化學工業股份有限公司製，質量平均分子量：30,000~50,000，Tg：75℃〕，且將摻合量從0.75質量份改變為7.5質量份以外，其餘皆以與實施例1同樣方式製作遮罩一體型表面保護帶，並以與實施例1同樣方式製造半導體晶片。
實施例8
不設置實施例1所形成之黏著劑層3ab，將實施例5所使用之遮罩材層形成用組成物以乾燥後之厚度成為10μm的方式塗布於剝離襯墊上，將形成之遮罩材層3b直接貼合於實施例1所使用之基材膜(厚度100μm之LDPE膜)，藉此製作總厚度110μm之紫外線硬化型遮罩材一體型表面保護帶，並以與實施例1同樣方式製造半導體晶片。
比較例4
除了將實施例7所使用之在側鏈具有三唑骨架的紫外線吸收性聚合物之VANARESIN UVA-7075〔新中村化學工業股份有限公司製，質量平均分子 量：30,000~50,000，Tg：75℃〕之摻合量從7.5質量份改變為3.0質量份以外，其餘皆以與實施例7同樣方式製作遮罩一體型表面保護帶，並以與實施例1同樣方式製造半導體晶片。
比較例5
除了將實施例5所使用之在側鏈具有三唑骨架的紫外線吸收性聚合物之VANARESIN UVA-7075〔新中村化學工業股份有限公司製，質量平均分子量：30,000~50,000，Tg：75℃〕之摻合量從5.0質量份改變為2.5質量份以外，其餘皆以與實施例5同樣方式製作遮罩一體型表面保護帶，並以與實施例1同樣方式製造半導體晶片。
此處，紫外線吸收劑之LA-F70、LA-31(艾迪科股份有限公司製)及紫外線吸收性聚合物之VANARESIN UVA-5080、VANARESIN UVA-7075〔新中村化學工業股份有限公司製〕為下述之化學構造。
Figure 107106169-A0202-12-0036-2
<特性及性能評價>
以如下述測試例1之方式測量以上述方式得到之各遮罩材層3b的平行光線透射率。
又，於實施例1~3、實施例5~7、比較例1~5，以如下述測試例2之方式進行剝離之表面保護帶3a的剝離性評價，於實施例4、8，以如下述測試例2之方式進行剝離之基材膜3a的剝離性評價。
並且，以如下述測試例3及4之方式進行實施例1~8及比較例1~5所製作之各遮罩一體型表面保護帶的晶圓切割道部之割斷性與遮罩材層之去除性的評價。
[測試例1]遮罩材層之平行光線透射率評價
遮罩材層於波長區域355nm之平行光線透射率用以下之方法測量。對由實施例及比較例得到之形成於剝離襯墊上的遮罩材層，使用紫外-可見光分光光度計UV-1800(島津製作所股份有限公司製)，自未形成有遮罩材層之剝離襯墊之背面側測量於波長區域355nm之平行光線透射率。此裝置雖成為具有積分球方式之受光部的可測量總光線透射率之裝置，但藉由使樣品之固定位置遠離積分球入射窗70mm，而可測量平行光線透射率。
另，遮罩材層之平行光線透射率係於製成之遮罩材層的厚度下測量。
[測試例2]表面保護帶或基材膜之剝離性評價
藉由下述評價基準，評價上述半導體晶片之製造步驟的步驟(b)中於實施例1~3、5~7及比較例1~5將各表面保護帶剝離時所需之力(剝離力)，及於實施例4及6將各基材膜剝離時所需之力(剝離力)。另，上述表面保護帶或基材膜之剝離性的評價係使用RAD-2700F〔商品名：琳得科股份有限公司製〕進行。
-表面保護帶之剝離性的評價基準-
◎：能小力(1.5kgf以下)簡單地僅將表面保護帶或基材膜剝離。
○：剝離需稍微大力(2.5kgf以下)，但可僅將表面保護帶或基材膜剝離。
×：無法剝離，或連同遮罩材層一塊被剝離。
[測試例3]藉由照射雷射之晶圓切割道部的割斷性
於上述半導體晶片之製造步驟的步驟(c)中，在各實施例及比較例，對遮罩材層照射355nm之YAG雷射，將遮罩材層相當於切割道之部分去除，使半導體晶圓之切割道開口，藉由下述評價基準，評價開口時之割斷性。
此處，藉由fθ透鏡，將平均輸出2.5W、重複頻率1kHz之YAG雷射的第三高頻(355nm)聚光成25μm直徑於矽晶圓表面，藉由電掃描器(galvanoscanner)照射雷射光。
雷射光之照射係以2.5mm/秒之速度掃描，每1條線重複進行1次雷射照射，藉此將遮罩材層相當於切割道之部分去除，使半導體晶圓之切割道開口，評價開口時之割斷性。
-藉由照射雷射之晶圓切割道部的割斷性-
◎：切割道可開口，未產生遮罩材層之殘渣物。
○：切割道可開口，但產生了遮罩材層之殘渣物。
△：半數以上之切割道雖可開口，但產生了無法去除遮罩材層之部分。
×：不能去除遮罩材層，無法使切割道開口。
[測試例4]藉由O2電漿灰化之遮罩材層的去除性評價
使用雷射顯微鏡〔商品名：VK-X100，其恩斯股份有限公司製〕，以表面之橫640μm×縱480μm範圍中的3維資訊(放大率400倍)調查上述半導體晶片之製造步驟的步驟(d)中，各實施例及比較例之O2電漿灰化(以1.5μm/min 之蝕刻速度進行灰化10分鐘)後有無殘留遮罩材層之遮罩材。
-遮罩材層之去除性的評價基準-
○：未觀測到遮罩材層殘留(無殘留)。
×：明顯觀測到遮罩材層殘留(有殘留)。
將測試例1~4所得到之結果表示於下述表1及2。
另，表2中之比較例1與表1之比較例1相同。
此處，「-」意指未使用。
Figure 107106169-A0202-12-0039-3
Figure 107106169-A0202-12-0039-4
從上述實施例1~8及比較例1~5中之各測試例的結果可知，當對半導體晶圓進行加工，製造半導體晶片時，使用本發明之遮罩一體型表面保 護帶，藉此能夠僅將遮罩一體型表面保護帶3貼在半導體晶圓之圖案面，從所貼的遮罩一體型表面保護帶3將表面保護帶3a剝離或於接觸基材膜具有遮罩材層3b之情形時將基材膜3a剝離，即不會產生接著劑殘留，簡單地形成遮罩。
而且，可知藉由使用本發明之遮罩一體型表面保護帶，可用照射雷射無問題地使半導體晶圓之切割道開口，並且，遮罩材層3b可藉由O2電漿更加確實地去除，能夠高度抑制產生不良晶片。
相對於此，遮罩材層於355nm之波長區域中的平行光線透射率超過30%之比較例1~5，藉由照射雷射使半導體晶圓之切割道部開口時的割斷性則隨著超過30%而變差。
已對本發明與其實施態樣一併進行了說明，但只要未特別指定，則無論於說明之任一細節，均無想要限定本發明，應在不違反附加之申請專利範圍所示之發明的精神與範圍下，作廣泛地解釋。
本案係主張基於2017年2月24日於日本提出專利申請之特願2017-034164之優先權者，該申請案在此作為參照且引入其內容作為本說明書之記載的一部分。
1‧‧‧半導體晶圓
2‧‧‧圖案面
3a‧‧‧表面保護帶(基材膜與黏著劑層)或者基材膜
3b‧‧‧遮罩材層
4‧‧‧晶圓固定帶
7‧‧‧晶片
S‧‧‧表面
F‧‧‧環狀框
P1‧‧‧SF6氣體之電漿
P2‧‧‧O2氣體之電漿

Claims (10)

  1. 一種遮罩一體型表面保護帶，至少具有基材膜與遮罩材層，其特徵在於：該遮罩材層係與基材膜接觸設置，或透過黏著劑層設置，該遮罩材層於355nm之波長區域中的平行光線透射率為30%以下。
  2. 如請求項1所述之遮罩一體型表面保護帶，其中，該遮罩材層含有(甲基)丙烯酸共聚物，且相對於(甲基)丙烯酸共聚物100質量份，含有0.1~5.0質量份之紫外線吸收劑，或相對於(甲基)丙烯酸共聚物100質量份，含有5.0~50.0質量份之紫外線吸收性聚合物。
  3. 如請求項1或2所述之遮罩一體型表面保護帶，其中，該遮罩材層含有至少1種紫外線吸收劑，該紫外線吸收劑為具有三
    Figure 107106169-A0305-02-0044-1
    骨架、二苯甲酮骨架、苯并三唑骨架或苯甲酸酯(benzoate)骨架之任一骨架的化合物。
  4. 如請求項1或2所述之遮罩一體型表面保護帶，其中，該遮罩材層含有至少1種紫外線吸收性聚合物，該紫外線吸收性聚合物為於側鏈具有苯并三唑骨架、二苯甲酮骨架或三
    Figure 107106169-A0305-02-0044-2
    骨架之任一紫外線吸收骨架的(甲基)丙烯酸聚合物。
  5. 如請求項1或2所述之遮罩一體型表面保護帶，其中，構成該遮罩材層之遮罩材為輻射硬化型。
  6. 如請求項1或2所述之遮罩一體型表面保護帶，其中，該遮罩一體型表面保護帶之該基材膜與該遮罩材層係透過該黏著劑層設置，構成該黏著劑層之黏著劑為壓敏型黏著劑。
  7. 如請求項1或2所述之遮罩一體型表面保護帶，其中，該基材膜具有聚烯烴樹脂層。
  8. 如請求項1或2所述之遮罩一體型表面保護帶，其被使用於電漿切割。
  9. 如請求項1或2所述之遮罩一體型表面保護帶，其被使用於含有下述步驟(a)~(d)之半導體晶片之製造，〔步驟〕(a)於將該遮罩一體型表面保護帶貼合在半導體晶圓之圖案面側的狀態下，對該半導體晶圓之背面進行研磨，將晶圓固定帶貼合於經研磨之半導體晶圓背面，用環狀框加以支持固定的步驟，(b)從該遮罩一體型表面保護帶將該基材膜剝離，或將該基材膜與該黏著劑層一起剝離，藉此使該遮罩材層露出於表面後，藉由雷射將該遮罩材層之中相當於半導體晶圓之切割道的部分割斷，使半導體晶圓切割道開口的步驟，(c)藉由SF6電漿於該切割道將該半導體晶圓切斷，單片化成半導體晶片的電漿切割步驟，及(d)藉由O2電漿將該遮罩材層去除的灰化步驟。
  10. 一種半導體晶片的製造方法，使用請求項1至9中任一項所述之遮罩一體型表面保護帶。
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