KR20170128210A - 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 특히 실리콘 웨이퍼 등의 이면 연삭 공정에 있어서, 이면 연마 후에 웨이퍼 표면으로부터 반도체 가공용 점착 테이프를 박리할 때에 점착제 잔류를 발생시키지 않는 반도체 가공용 점착 테이프를 제공한다. 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)는 기재 필름(2)과, 상기 기재 필름(2)의 편면측에 설치된 에너지선 경화형의 점착제층(3)을 갖고, 에너지선 조사 전의 점착력을 A(N/25㎜), 택크력을 T(KPa), 신장을 E(㎜)로 하고, 에너지선을 조사한 후의 점착력을 AUV(N/25㎜), 택크력을 TUV(KPa), 신장을 EUV(㎜)로 했을 때, AUV/A≤0.3이고, 또한 TUV/T≤0.05이고, 또한 EUV/E≤0.3인 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프 {ADHESIVE TAPE FOR SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING}
본 발명은 반도체 디바이스의 가공에 사용되는 점착 테이프에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 웨이퍼의 이면 연마 시에 사용하는 데 적합한 반도체 가공용 표면 보호 점착 테이프에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재)의 가공 공정에 있어서, 웨이퍼 표면에 패턴을 형성한 후, 웨이퍼 이면을 소정 두께까지 연삭ㆍ연마하는, 소위 이면 연삭ㆍ연마가 행해진다. 그때, 웨이퍼 표면을 보호할 목적으로, 웨이퍼 표면에 표면 보호 점착 테이프를 접합하고, 그 상태에서 웨이퍼 이면이 연삭된다. 표면 보호 점착 테이프로서는, 폴리올레핀 등의 플라스틱 필름 위에, 아크릴 중합체를 주성분으로 한 점착제층이 설치된 것이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
가공 후의 웨이퍼는 얇고 파손되기 쉬우므로, 취급에 주의를 요한다. 이로 인해, 점착제층을 구성하는 점착제로서, 에너지선의 조사에 의해 점착력을 저하시켜 웨이퍼로부터의 테이프 박리가 용이한 에너지선 경화형 점착제가 사용되고 있다.
에너지선 경화형 점착제는 그 성분으로서 에너지선 경화성의 이중 결합을 갖는다. 이 이중 결합은 아크릴 중합체의 분자 중에 존재하는 경우나, 중합체와는 다른 분자, 예를 들어 이중 결합을 갖은 올리고머로서 존재하고 있는 경우도 있다.
일본 특허 공개 제2001-240842
상기 반도체 가공용 표면 보호 점착 테이프에서는, 에너지선 조사에 의한 경화는 외관상 점착제의 끈적거림(이하, 택크력이라고 호칭)이 없어져도 완료되지 않는 경우가 있다. 이때, 경화 불량에 의해 웨이퍼 표면에 점착제 잔사(이하, 점착제 잔류라고 함)가 발생한다.
점착제 잔류가, 예를 들어 반도체에 형성된 전극에 발생하면, 그 후의 공정에 있어서 전기적 접속 불량이나, 수지 밀봉 시의 접착 불량 등 다양한 문제를 일으키는 것이 지적되어 있다.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하고, 반도체 웨이퍼의 가공, 특히 실리콘 웨이퍼 등의 이면 연삭 공정에 있어서, 이면 연마 후에 웨이퍼 표면으로부터 반도체 가공용 점착 테이프를 박리할 때에 점착제 잔류를 발생시키지 않는 반도체 가공용 점착 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는 상기 과제에 대해 예의 검토한 결과, 점착제층의 에너지선 조사에 의한 물성의 변화가 있는 범위일 때에 점착제 잔류의 저감에 유효한 것을 발견했다. 본 발명은 이 지견에 기초하여 이루어진 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본원 발명에 의한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프는, 기재 필름과, 상기 기재 필름의 편면측에 설치된 에너지선 경화형의 점착제층을 갖고, 에너지선 조사 전의 점착력을 A(N/25㎜), 택크력을 T(KPa), 신장을 E(㎜)로 하고, 에너지선을 조사한 후의 점착력을 AUV(N/25㎜), 택크력을 TUV(KPa), 신장을 EUV(㎜)로 했을 때, AUV/A≤0.3이고, 또한 TUV/T≤0.05이고, 또한 EUV/E≤0.3인 것을 특징으로 한다.
상기 기재 필름은 폴리에틸렌 및 에틸렌 공중합체로부터 선택되는 적어도 하나의 수지를 포함하는 복수의 수지층을 포함하고, 상기 점착제층과 접하는 상기 수지층은 아세트산비닐 함유량이 5 내지 20질량％의 에틸렌아세트산비닐 공중합체를 포함하고, 상기 점착제층과 반대측의 가장 외측의 수지층은 폴리에틸렌 또는 아세트산비닐 함유량이 10질량％ 이하의 에틸렌아세트산비닐 공중합체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 점착제층은 두께가 20 내지 40㎛이고, 에너지선 반응성의 이형제를 포함하는 것이 바람직하다.
본원 발명에 의한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프는, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의, 이면 연삭용인 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼의 가공, 특히 실리콘 웨이퍼 등의 이면 연삭 공정에 있어서, 이면 연마 후에 웨이퍼 표면으로부터 반도체 가공용 점착 테이프를 박리할 때에 점착제 잔류를 발생시키지 않는 반도체 가공용 점착 테이프를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 구조를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 사용예를 모식적으로 설명하기 위한 설명도이다.
이하에, 본 발명의 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다.
본 발명의 실시 형태에 관한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프는 기재 필름의 편면측에, 적어도 1종류의 에너지선 경화형 점착제를 포함하는 점착제층을 갖고 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 표면 보호용 점착 테이프(1)의 바람직한 실시 형태를 나타내는 개략 단면도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 반도체 표면 보호용 점착 테이프(1)는 기재 필름(2)을 갖고 있고, 기재 필름(2) 위에는 점착제층(3)이 형성되어 있다. 또한, 반도체 표면 보호용 점착 테이프(1)는 점착제층(3) 위에, 점착제층(3)을 보호하기 위한 박리 필름(4)을 더 구비하고 있다. 반도체 표면 보호용 점착 테이프(1)는 기재 필름(2), 점착제층(3) 및 박리 필름(4)의 적층체를 롤상으로 감아도 된다.
이하, 본 실시 형태의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)의 각 구성 요소에 대해 상세하게 설명한다.
(기재 필름(2))
본 실시 형태의 반도체 웨이퍼 표면 보호 점착 테이프(1)의 기재 필름(2)에 사용하는 수지는 특별히 제한되는 것은 아니고, 종래 공지의 것을 사용할 수 있지만, 특히 고밀도 폴리에틸렌(HDPE), 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA), 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체의 금속 가교체(아이오노머)를 바람직하게 사용할 수 있다. 이들 수지는 유연하기 때문, 웨이퍼 연마 시의 쿠션성이 양호하다. 각각의 수지는 단독으로 단층 기재로서 사용해도 되고, 수지를 조합하여 블렌드하거나, 상이한 수지를 포함하는 복수의 수지층으로 구성해도 된다. 또한, 상기 이외의 수지, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)나 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리스티렌(PS) 등 고강성 수지와도 병용할 수 있지만, 유연성이나 추종성을 확보하기 위해 HDPE, LDPE, PP, EVA가 기재 두께의 50％ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 연삭 후의 웨이퍼 휨이나 유연성의 관점에서는, EVA를 주성분으로 하여 사용한 필름이 바람직하다.
EVA는 아세트산비닐의 함유량(이하, VA 함유량)에 의해 수지의 물성이 크게 변화된다. 본 발명에 적용되는 EVA는 VA 함유량이 30질량％ 이하, 특히 바람직하게는 20질량％ 이하인 것이 바람직하다. 특히, 점착제층과 접하는 면에 형성되는 수지층을 구성하는 EVA는 피착체에 대한 추종성 및 점착제층과의 밀착성의 관점에서, VA 함유량이 5질량％ 내지 20질량％인 것이 바람직하다. 또한, 착색료나 대전 방지제 등 필요에 따라 물성에 영향을 미치지 않는 범위에서 첨가물을 가할 수 있다.
한편, 점착제층과 반대측에 형성되는 가장 외측의 수지층을 EVA로 구성하는 경우는, 내열성의 관점에서 VA 함유량은 10질량％ 이하인 것이 바람직하다. VA 함유량이 10질량％ 이상에서는, 예를 들어 연삭 가공 중의 열이나 다이싱 다이 본딩 필름의 가열 접합 시에 용융되어 버리는 경우가 있다. 또한, 배면측의 최외층을 LDPE나 HDPE를 포함하는 수지층으로 함으로써 보다 양호한 내열성을 얻을 수 있다.
또한, EVA만으로는 강성이 작기 때문에, HDPE나 LDPE 등의 강성이 높은 수지와 복층 구성으로 해도 된다.
본 실시 형태의 기재 필름(2)의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 50 내지 200㎛, 특히 바람직하게는 80 내지 180㎛가 바람직하다.
기재 필름(2)의 점착제층(3)이 설치되는 측의 표면에는 점착제층(3)과의 밀착성을 향상시키기 위해, 코로나 처리나 프라이머층을 형성하는 등의 처리를 적절히 실시해도 된다.
상기 기재 필름(2)의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 압출ㆍ인플레이션ㆍ 캐스트 등 종래의 방법을 사용할 수 있다. 또한, 독립적으로 제막한 필름과 다른 필름을 접착제 등으로 접합하여 기재 필름으로 할 수도 있다.
(점착제층(3))
점착제층(3)을 구성하는 점착제 조성물은 특별히 제한되는 것은 아니고, 아크릴, 고무, 실리콘 등의 재료를 사용할 수 있지만, 특히, 내후성이나 가격 등의 면에서 아크릴이 적합하게 사용된다.
아크릴 점착제로서는, (메트)아크릴산에스테르를 구성 성분으로서 갖는 공중합체를 들 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서는, (메트)아크릴계 단량체는 아크릴계 단량체와 메타크릴계 단량체의 양자를 포함하는 것으로 한다. 아크릴산에스테르를 구성 성분으로서 포함하는 중합체를 구성하는 단량체 성분으로서는, 예를 들어 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, t-부틸, 이소부틸, 아밀, 이소아밀, 헥실, 헵틸, 시클로헥실, 2-에틸헥실, 옥틸, 이소옥틸, 노닐, 이소노닐, 데실, 이소데실, 운데실, 라우릴, 트리데실, 테트라데실, 스테아릴, 옥타데실 및 도데실 등의 탄소수 30 이하, 바람직하게는 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분지 알킬기를 갖는 알킬아크릴레이트 또는 알킬메타크릴레이트를 들 수 있다. 이들 알킬(메트)아크릴레이트는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
상기 이외의 아크릴 수지 중의 구성 성분으로서는, 이하의 단량체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 및 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산이나 무수 이타콘산 등의 산 무수물 단량체, (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴 및 (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 및 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체, 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체, (메트)아크릴아미드, (메트)아크릴산N-히드록시메틸아미드, (메트)아크릴산알킬아미노알킬에스테르(예를 들어, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, t-부틸아미노에틸메타크릴레이트 등), N-비닐피롤리돈, 아크릴로일모르폴린, 아세트산비닐, 스티렌, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 단량체 성분은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
또한, 아크릴 수지로서는, 구성 성분으로서, 이하의 다관능성 단량체를 포함할 수 있다. 그 예로서는, 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트 및 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다관능성 단량체는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
아크릴산에스테르로서는, 아크릴산에틸, 아크릴산부틸, 아크릴산2-에틸헥실, 아크릴산글리시딜, 아크릴산2-히드록시에틸 등을 들 수 있다. 또한 상기의 아크릴산에스테르를, 예를 들어 메타크릴산에스테르로 대신한 것 등의 아크릴계 중합체와 경화제를 사용하여 이루어지는 것을 사용할 수 있다.
경화제로서는, 일본 특허 공개 제2007-146104호 공보에 기재된 경화제를 사용할 수 있다. 예를 들어, 1,3-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, 1,3-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)톨루엔, 1,3-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)벤젠, N,N,N,N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민 등의 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 화합물, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌디이소시아네이트, 1,4-크실렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트 등의 분자 중에 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 이소시아네이트계 화합물, 테트라메틸올-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 트리메틸올-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 트리메틸올프로판-트리-β-(2-메틸아지리딘)프로피오네이트 등의 분자 중에 2개 이상의 아지리디닐기를 갖는 아지리딘계 화합물 등을 들 수 있다. 경화제의 함유량은 원하는 점착력에 따라 조정하면 되고, 상기 중합체 100질량부에 대해, 0.01 내지 10질량부가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 5질량부이다.
상기와 같은 점착제 중에 광중합성 화합물 및 광중합 개시제를 포함시킴으로써, 자외선을 조사함으로써 경화하고, 점착제는 점착력을 저하시킬 수 있다. 이와 같은 광중합성 화합물로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소60-196956호 공보 및 일본 특허 공개 소60-223139호 공보에 개시되어 있는 바와 같은 광조사에 의해 삼차원 망상화할 수 있는 분자 내에 광중합성 탄소-탄소 이중 결합을 적어도 2개 이상 갖는 저분자량 화합물이나 그들을 중합한 올리고머가 널리 사용된다.
구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 혹은 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트나 이들의 화합물 등이 사용된다.
상기 아크릴레이트의 아크릴 당량은 1500(g/eq) 이하이고, 바람직하게는 1000(g/eq) 이하, 더욱 바람직하게는 500(g/eq) 이하이다. 이것보다 크면 아크릴레이트가 반응해도 충분한 경화를 얻을 수 없다. 하한은 특별히 제한되지 않지만, 제조상의 문제로부터, 통상은 50(g/eq) 이상이다.
이들 아크릴레이트 배합량은 아크릴 공중합체 100중량부에 대해 50 내지 200중량부 이상, 보다 바람직하게는 75 내지 150중량부이다. 50중량부보다 적은 경우, 에너지선에 의한 충분한 경화를 얻을 수 없는 경우가 있다. 또한, 200중량부 이상에서는 탄성률이 매우 작아지기 때문에, 에너지선 경화 전에 점착제로서의 구조를 유지할 수 없게 되어 버린다.
광중합 개시제로서는, 일본 특허 공개 제2007-146104 또는 일본 특허 공개 제2004-186429호 공보에 기재된 광중합 개시제를 사용할 수 있다. 이소프로필벤조인에테르, 이소부틸벤조인에테르, 벤조페논, 미힐러케톤, 클로로티오크산톤, 벤질메틸케탈, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시메틸페닐프로판 등을 병용할 수 있다.
(메트)아크릴산에스테르를 구성 성분으로서 갖는 공중합체와 분자 내에 에너지선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 적어도 2개 이상 갖는 저분자량 화합물의 조합 외에도, (메트)아크릴산에스테르를 구성 성분으로서 갖는 공중합체 주쇄의 반복 단위에 대해 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 (메트)아크릴계 공중합체를 사용함으로써도, 광경화성의 점착제를 얻을 수 있다.
상기한 주쇄의 반복 단위에 대해 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합 함유기를 갖는 (메트)아크릴계 중합체는 어떤 것이어도 되지만, 예를 들어 상기 중합체로서 관능기를 갖는 (메트)아크릴계 공중합체와, 해당 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 가진 에너지선 경화성 이중 결합 함유 화합물을 반응시켜 얻은 것을 들 수 있다.
상기한 (메트)아크릴계 공중합체 단량체로서는, 예를 들어 단락 번호 [0029] 내지 [0032]에 기재된 것과 동일한 재료를 들 수 있다.
해당 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 가진 에너지선 경화성 이중 결합 함유 화합물이 갖는 관능기로서는, 카르복실기, 수산기, 아미노기, 환상 산무수기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 구체적인 물질로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 신남산, 이타콘산, 푸마르산, 프탈산, 2-히드록시알킬아크릴레이트류, 2-히드록시알킬메타크릴레이트류, 글리콜모노아크릴레이트류, 글리콜모노메타크릴레이트류, N-메틸올아크릴아미드, N-메틸올메타크릴아미드, 알릴알코올, N-알킬아미노에틸아크릴레이트류, N-알킬아미노에틸메타크릴레이트류, 아크릴아미드류, 메타크릴아미드류, 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 푸마르산, 무수 프탈산, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 알릴글리시딜에테르, 폴리이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기의 일부를 수산기 또는 카르복실기 및 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 단량체로 우레탄화한 것 등을 열거할 수 있다.
상기 단락 번호 [0040]의 관능기가 카르복실기나 환상 산무수기인 경우는, (메트)아크릴계 공중합체가 갖는 대응하는 관능기로서는, 예를 들어 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 또한 관능기가 수산기인 경우는, 대응 관능기로서 환상 산무수기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 관능기가 아미노기인 경우는, 대응 관능기로서는, 에폭시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 관능기가 에폭시기인 경우에는, 대응 관능기로서는, 예를 들어 카르복실기, 환상 산무수기, 아미노기 등을 들 수 있다. 구체예로서는, 단락 번호 [0042]에서 열거한 것과 동일한 것을 열거할 수 있다.
(메트)아크릴계 공중합체와, 해당 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 가진 에너지선 경화성 이중 결합 함유 화합물의 반응에 있어서, 미반응의 관능기를 남김으로써, 산가 또는 수산기가 등을 바람직하게는, 후술하는 바와 같은 범위로 적절히 설정할 수 있다.
주쇄에 대해 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합 함유기를 갖는 (메트)아크릴계 공중합체는 각종 용제 중에서 용액 중합함으로써 얻을 수 있다. 용액 중합으로 행하는 경우의 유기 용제로서는, 케톤계, 에스테르계, 알코올계, 방향족계의 것을 사용할 수 있다. 일반적으로 아크릴계 중합체의 양용매이고, 비점 60 내지 120℃의 용제를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 톨루엔, 아세트산에틸, 이소프로필알코올, 벤젠, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 아세톤, 메틸에틸케톤 등을 사용할 수 있다. 중합 개시제로서는, α,α'-아조비스이소부틸니트릴 등의 아조비스계, 벤조일퍼옥시드 등의 유기 과산화물계 등의 라디칼 발생제를 사용할 수 있다. 이때, 필요에 따라 촉매, 중합 금지제를 병용할 수 있고, 중합 온도 및 중합 시간을 조절함으로써, 원하는 분자량의 공중합체를 얻을 수 있다. 또한, 합성 방법은 용액 중합에 한정되는 것은 아니고, 괴상 중합, 현탁 중합 등 다른 방법이어도 지장이 없다.
또한, 점착제층(3)을 구성하는 점착제 조성물에는 에너지선 반응성의 이형제를 포함하는 것이 바람직하다. 에너지선 반응성의 이형제를 포함함으로써, 반응 시에 중합체와 이형제가 결합하여 웨이퍼 표면으로의 이형제의 이행(블리드)을 방지하고, 웨이퍼의 표면 오염을 억제하면서 경박리를 실현할 수 있다.
그 밖에, 점착제층(3)을 구성하는 점착제 조성물에는 필요에 따라 점착 부여제, 점착 조정제, 계면 활성제 등, 혹은 그 밖의 개질제 등을 배합할 수 있다. 또한, 무기 화합물 필러를 적절히 가해도 된다.
점착제층(3)은 점착제 조성물을 박리 필름(4) 위에 도포, 건조시켜 기재 필름(2)에 전사함으로써 형성할 수 있다. 본 발명에 있어서 점착제층(3)의 두께는 20 내지 130㎛, 바람직하게는 20 내지 40㎛이다. 130㎛를 초과하면, 반도체 웨이퍼(5)(도 2 참조) 표면으로의 과도한 밀착, 반도체 웨이퍼(5) 표면의 요철(51)(도 2 참조)로의 매립에 의해, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)의 박리 후에, 반도체 웨이퍼(5) 표면으로의 점착제 잔류가 발생할 가능성이 높아진다. 40㎛ 이하로 함으로써, 에너지선 반응 후의 점착제 과잉의 밀착을 억제할 수 있다. 또한, 아크릴계 점착제에서는 에너지선 반응의 결과, 경화 수축이 발생한다. 40㎛를 초과하는 두께에서는 경화 수축의 양 및 힘이 증대하고, 웨이퍼 표면의 요철에 강하게 물려 들어가기 때문에 박리 불량으로 연결된다. 20㎛를 하회하면, 반도체 웨이퍼(5) 표면의 요철(51)에 추종할 수 없고, 실리콘의 연삭 칩을 포함한 연삭 물이 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)와 반도체 웨이퍼(5)의 간극으로부터 들어가 반도체 웨이퍼(5)의 회로면을 오염시키는, 소위 시피지(seepage) 등의 요인이 될 가능성이 있다.
(박리 필름(4))
박리 필름(4)은 세퍼레이터나 박리층, 박리 라이너라고도 불리고, 에너지선 경화형의 점착제층(3)을 보호할 목적을 위해, 또한 에너지선 경화형의 점착제(3)를 평활하게 할 목적을 위해, 필요에 따라 설치된다. 박리 필름(4)의 구성 재료로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름이나 종이 등을 들 수 있다. 박리 필름(4)의 표면에는 점착제층(3)으로부터의 박리성을 높이기 위해, 필요에 따라 실리콘 처리, 장쇄 알킬 처리, 불소 처리 등의 박리 처리가 실시되어 있어도 된다. 또한, 필요에 따라, 점착제층(3)이 환경 자외선에 의해 반응해 버리지 않도록, 자외선 방지 처리가 실시되어 있어도 된다. 박리 필름(4)의 두께는, 통상 10 내지 100㎛, 바람직하게는 25 내지 50㎛ 정도이다.
반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)는 에너지선 조사 전의 점착력을 A(N/25㎜), 에너지선을 조사한 후의 점착력을 AUV(N/25㎜)로 했을 때, 에너지선 조사 전후의 점착력의 비율(AUV/A)은 0.3 이하이고, 바람직하게는 0.25 이하, 더욱 바람직하게는 0.2 이하이다. 점착력의 비가 0.3을 초과하면, 점착력이 충분히 저하되어 있지 않기 때문에 테이프 박리 시에 웨이퍼의 균열이나 크랙이 발생한다. 또한, 비율에 하한은 없지만, 통상 0 이상의 값이 된다.
또한, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)는 에너지선 조사 전에 있어서의 택크력을 T(KPa), 에너지선 조사 후에 있어서의 택크력을 TUV(KPa)로 했을 때, 에너지선 조사 전후의 비(TUV/T)가 0.05 이하이다. 하한은 특별히 제한되지 않지만, 0 이상이다. 0.05를 초과하면 점착제의 경화는 불완전하여, 양호하게 박리할 수 없거나, 박리할 수 있었다고 해도 점착제 잔류의 리스크가 높다.
또한, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)는 에너지선 조사 전에 있어서의 신장을 E(㎜), 에너지선 조사 후에 있어서의 신장을 EUV(㎜)로 했을 때, 에너지선 조사 전후의 비(EUV/E)가 0.3 이하이다. 하한은 특별히 제한되지 않지만, 0 이상이다. 0.3을 초과하면 점착제의 경화는 불완전하여, 양호하게 박리할 수 없거나, 박리할 수 있었다고 해도 점착제 잔류의 리스크가 높다.
여기서, 본 명세서에 있어서 에너지선을 조사한 후란, 웨이퍼의 이면을 연삭한 후에 웨이퍼로부터 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)를 박리하기 위해 적합한 에너지선을 조사한 후라고 하는 의미이다. 에너지선의 조사량은 한정되는 것은 아니고, 임의로 설정 가능하지만, 200mJ/㎠ 내지 1000mJ/㎠, 더욱 바람직하게는 400mJ/㎠ 내지 750mJ/㎠인 것이 바람직하다. 즉, 본 발명에 의한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)는 임의의 에너지선을 조사함으로써, AUV/A≤0.3, 또한 TUV/T≤0.05, 또한 EUV/E≤0.3의 상태로 할 수 있는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)이다.
본 발명에 있어서 사용할 수 있는 에너지선으로서는, 자외선(중심 파장＝약 365㎚) 및 전자선 등을 들 수 있다. 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우, 통상, 조도는 20 내지 500mW/㎠, 또한 조사 시간은 0.1 내지 150초의 범위 내로 설정된다. 또한, 예를 들어 전자선을 조사하는 경우에도, 상기의 자외선 조사의 경우에 준하여 여러 조건을 설정할 수 있다. 또한, 상기와 같은 에너지선 조사 시에 보조적으로 가열할 수도 있다.
AUV/A≤0.3, TUV/T≤0.05, 또한 EUV/E≤0.1이 되도록 하기 위해서는, 예를 들어 [0036]에 나타낸 바와 같은 측쇄에 반응성 이중 결합을 갖는 (메트)아크릴 중합체 100질량부에 대해, 단락 번호 [0035]에 나타내는 광중합 개시제를 2 내지 5질량부 배합함으로써 달성할 수 있다. 또한, 단락 번호 [0042]에 나타나는 에너지선 반응성의 이형제를 1.0질량부 배합해도 된다. 또한, 단락 번호 [0026]과 같은 (메트)아크릴 공중합체에 대해, 단락 번호 [0039]에 나타낸 반응성의 이중 결합을 가진 다관능의 아크릴 올리고머를 배합해도 된다. 이 경우, 아크릴 올리고머는 아크릴 당량이 500(g/eq)인 것을, 아크릴 공중합체 100질량부에 대해 50질량부 이상은 배합하는 것이 바람직하다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)는 접합하는 반도체 웨이퍼(5)의 접합면측의 표면에 존재하는 요철(51)의 저부와 정상부의 높이의 최대차가 10 내지 250㎛인 반도체 웨이퍼(5)에 사용하는 것이 바람직하고, 높이의 최대차가 80 내지 200㎛인 반도체 웨이퍼(5)에 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
<사용 방법>
이어서, 본 발명의 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)의 사용 방법, 즉 반도체 웨이퍼(5)의 가공 방법에 대해, 설명한다.
구체적으로는, 먼저, 도 2의 (A)에 나타낸 바와 같이, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)의 박리 필름(4)을 점착제층(3)으로부터 박리하고, 도 2의 (B)에 나타낸 바와 같이, 반도체 웨이퍼(5)의 회로 패턴면(표면)에, 점착제층(3)이 접합면이 되도록, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)를 접합한다. 이때, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)는 반도체 웨이퍼(5) 표면의 요철(51)에 충분히 추종하고 있다.
그 후, 도 2의 (C)에 나타낸 바와 같이, 반도체 웨이퍼(5)의 이면, 즉 회로 패턴이 없는 면측을 반도체 웨이퍼(5)의 두께가 소정의 두께, 예를 들어 10 내지 200㎛가 될 때까지, 연마기(7)에 의해 연마한다. 이때, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)는 반도체 웨이퍼(5) 표면의 요철(51)에 충분히 추종하고 있기 때문에, 반도체 웨이퍼(5)의 이면에는 연마기(7)로부터의 힘이 균일하게 가해지고, 반도체 웨이퍼(5)가 양호하게 연마된다.
그 후, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)에, 에너지선을 조사하여 점착력을 저하시키고, 반도체 웨이퍼(5)로부터 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)를 박리한다. 이때, 점착제층(3)을 충분히 경화시킬 수 있기 때문에, 반도체 웨이퍼(5)의 표면에 점착제 잔류를 발생시키지 않고, 반도체 웨이퍼(5)로부터 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)를 박리할 수 있다. 또한, 에너지선을 조사한 후 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)를 박리하기 전에, 반도체 웨이퍼(5)의 회로 패턴이 없는 연마한 면측에, 다이싱ㆍ다이 본딩 필름(도시 생략)을 접합해도 된다.
또한, 상기에서는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)를 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프로서 사용하는 예에 대해 설명했지만, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프(1)는 반도체 웨이퍼를 개편의 칩으로 절단하는 다이싱 공정에 있어서 웨이퍼를 고정하는 다이싱 테이프로서 사용할 수도 있다.
<실시예>
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
아크릴레이트 단량체로서 2-에틸헥실아크릴레이트를 80중량부, 관능기를 갖는 아크릴레이트 단량체로서 2-히드록시에틸아크릴레이트를 20중량부, 메틸메타크릴레이트 1중량부를 구성 성분으로 하는 아크릴 공중합체에 대해, 분자 중에 에너지선 반응형 이중 결합과 수산기에 반응하는 이소시아네이트기를 가진 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 반응시켜, 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 (메트)아크릴계 공중합체를 얻었다. 이 공중합체 100중량부에 대해, 가교제로서 이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤제: 코로네이트L) 2질량부와, 광중합 개시제(BASF사제: 이르가큐어184) 5.0질량부, 실리콘 아크릴레이트(다이셀 사이텍제: Ebecryl360) 0.3질량부를 혼합하여, 에너지선 경화형의 점착제 조성물을 얻었다.
압출법으로 제작한 LDPE가 20㎛, VA 함유량 10질량％의 EVA가 80㎛인 총 두께 110㎛의 복층의 기재 필름의 EVA 위에, 상기 점착 조성물을 건조 후의 두께가 20㎛가 되도록 도공하여 건조시켜, 실시예 1에 관한 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
<실시예 2>
아크릴레이트 단량체로서 메틸메타크릴레이트를 39중량부, 2-에틸헥실아크릴레이트를 52중량부, 관능기를 갖는 아크릴레이트 단량체로서 2-히드록시에틸아크릴레이트를 3중량부, 메틸아크릴레이트 6중량부를 구성 성분으로 하는 아크릴 공중합체 100중량부에 대해, 아크릴 당량이 133(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 6, 분자량: 800)를 150중량부, 가교제로서 이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤제: 코로네이트L) 4.2질량부와, 광중합 개시제(BASF사제: 이르가큐어184) 5.0질량부, 실리콘 아크릴레이트(다이셀 사이텍제: Ebecryl360) 0.5질량부를 혼합하여, 에너지선 경화형의 점착제 조성물을 얻었다.
압출법으로 작성한 HDPE가 30㎛, VA 함유량 10질량％의 EVA가 70㎛인 총 두께 100㎛의 복층 기재 필름의 EVA 위에, 상기 점착 조성물을 건조 후의 두께가 30㎛가 되도록 도공하여 건조시켜, 실시예 2에 관한 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
<실시예 3>
실시예 2와 동일한 아크릴 공중합체 100질량부에 대해, 아크릴 당량이 183(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 6, 분자량: 1100)를 65중량부, 아크릴 당량이 867(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 3, 분자량: 2600)를 35중량부, 가교제로서 이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤제: 코로네이트L) 4.2질량부와, 광중합 개시제(BASF사제: 이르가큐어184) 2.5질량부, 실리콘 아크릴레이트(다이셀 사이텍제: Ebecryl360) 0.5질량부를 혼합하여, 에너지선 경화형의 점착제 조성물을 얻었다.
압출법으로 제작한 HDPE가 30㎛, VA 함유량 10질량％의 EVA가 70㎛인 총 두께 100㎛의 복층의 기재 필름의 EVA 위에, 상기 점착 조성물을 건조 후의 두께가 30㎛가 되도록 도공하여 건조시켜, 실시예 3에 관한 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
<실시예 4>
실시예 2와 동일한 아크릴 공중합체 100질량부에 대해, 아크릴 당량이 301(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 5, 분자량: 1505)를 100중량부, 아크릴 당량이 767(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 3, 분자량: 2300)를 10중량부, 아크릴 당량이 2500(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 2, 분자량: 5000)를 30중량부, 가교제로서 이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤제: 코로네이트L) 4.2질량부와, 광중합 개시제(BASF사제: 이르가큐어184) 5질량부, 실리콘 아크릴레이트(다이셀 사이텍제: Ebecryl360) 0.5질량부를 혼합하여, 에너지선 경화형의 점착제 조성물을 얻었다.
압출법으로 제작한 HDPE가 30㎛, VA 함유량 10질량％의 EVA가 70㎛인 총 두께 100㎛의 복층 기재 필름의 EVA 위에, 상기 점착 조성물을 건조 후의 두께가 30㎛가 되도록 도공하여 건조시켜, 실시예 4에 관한 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
<실시예 5>
실시예 2와 동일한 아크릴 중합체 100질량부에 대해, 아크릴 당량이 133(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 6, 분자량: 800)를 100중량부, 아크릴 당량이 767(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 3, 분자량: 2300)를 50중량부, 가교제로서 이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤제: 코로네이트L) 4.2질량부와, 광중합 개시제(BASF사제: 이르가큐어184) 5질량부, 실리콘 아크릴레이트(다이셀 사이텍제: Ebecryl360) 0.5질량부를 혼합하여, 에너지선 경화형의 점착제 조성물을 얻었다.
압출법으로 제작한 HDPE가 30㎛, VA 함유량 10질량％의 EVA가 70㎛인 총 두께 100㎛의 복층의 기재 필름의 EVA 위에, 상기 점착 조성물을 건조 후의 두께가 30㎛가 되도록 도공하여 건조시켜, 실시예 5에 관한 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
<실시예 6>
실시예 2와 동일한 아크릴 중합체 100질량부에 대해, 아크릴 당량이 133(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 6, 분자량: 800)를 80중량부, 아크릴 당량이 767(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 3, 분자량: 2300)를 50중량부, 가교제로서 이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤제: 코로네이트L) 4.2질량부와, 광중합 개시제(BASF사제: 이르가큐어184) 5질량부, 실리콘 아크릴레이트(다이셀 사이텍제: Ebecryl360) 0.5질량부를 혼합하여, 에너지선 경화형의 점착제 조성물을 얻었다.
압출법으로 제작한 VA 함유량 20질량％의 EVA 70㎛와 LDPE가 30㎛인 총 두께 165㎛의 복층의 기재 필름의 EVA 위에, 상기 점착 조성물을 건조 후의 두께가 30㎛가 되도록 도공하여 건조시켜, 실시예 6에 관한 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
<실시예 7>
실시예 1의 에너지선 경화형의 점착제 조성물을, 압출법으로 제작한 VA 함유량 20질량％의 EVA 70㎛와 VA 함유량 10질량％의 EVA가 30㎛인 총 두께 100㎛의 복층의 기재 필름의 EVA 위에, 상기 점착 조성물을 건조 후의 두께가 30㎛가 되도록 도공하여 건조시켜, 실시예 7에 관한 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
<실시예 8>
아크릴레이트 단량체로서 2-에틸헥실아크릴레이트를 80중량부, 관능기를 갖는 아크릴레이트 단량체로서 2-히드록시에틸아크릴레이트를 20중량부, 메틸메타크릴레이트 1중량부를 구성 성분으로 하는 아크릴 공중합체에 대해, 분자 중에 에너지선 반응형 이중 결합과 수산기에 반응하는 이소시아네이트기를 가진 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 반응시켜, 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 (메트)아크릴계 공중합체를 얻었다. 이 공중합체 100중량부에 대해, 가교제로서 이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤제: 코로네이트L) 0.25질량부와, 광중합 개시제(BASF사제: 이르가큐어184) 2.5질량부를 혼합하여, 에너지선 경화형의 점착제 조성물을 얻었다.
압출법으로 제작한 아이오노머 단층 150㎛의 필름 위에, 상기 점착 조성물을 건조 후의 두께가 20㎛가 되도록 도공하여 건조시켜, 실시예 6에 관한 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
<실시예 9>
아크릴레이트 단량체로서 메틸메타크릴레이트 10질량부, 2-에틸헥실아크릴레이트를 70중량부, 관능기를 갖는 아크릴레이트 단량체로서 2-히드록시에틸아크릴레이트를 20중량부를 구성 성분으로 하는 아크릴 공중합체에 대해, 분자 중에 에너지선 반응형 이중 결합과 수산기에 반응하는 이소시아네이트기를 가진 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 반응시켜, 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 (메트)아크릴계 공중합체를 얻었다. 이 공중합체 100중량부에 대해, 가교제로서 이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤제: 코로네이트L) 0.35질량부와, 광중합 개시제(BASF사제: 이르가큐어184) 2.5질량부를 혼합하여, 에너지선 경화형의 점착제 조성물을 얻었다.
압출법으로 제작한 LDPE 단층 150㎛의 필름 위에, 상기 점착 조성물을 건조 후의 두께가 20㎛가 되도록 도공하여 건조시켜, 실시예 7에 관한 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
<실시예 10>
아크릴레이트 단량체로서 2-에틸헥실아크릴레이트를 80중량부, 관능기를 갖는 아크릴레이트 단량체로서 2-히드록시에틸아크릴레이트를 20중량부, 메틸메타크릴레이트 1중량부를 구성 성분으로 하는 아크릴 공중합체에 대해, 분자 중에 에너지선 반응형 이중 결합과 수산기에 반응하는 이소시아네이트기를 가진 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 반응시켜, 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 (메트)아크릴계 공중합체를 얻었다. 이 공중합체 100중량부에 대해, 가교제로서 이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤제: 코로네이트L) 2질량부와, 광중합 개시제(BASF사제: 이르가큐어184) 5.0질량부, 실리콘 아크릴레이트(다이셀 사이텍제: Ebecryl360) 0.1질량부를 혼합하여, 에너지선 경화형의 점착제 조성물을 얻었다.
압출법으로 제작한 아이오노머 단층 150㎛의 필름 위에, 상기 점착 조성물을 건조 후의 두께가 20㎛가 되도록 도공하여 건조시켜, 실시예 8에 관한 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
<비교예 1>
아크릴레이트 단량체로서 메틸메타크릴레이트를 41중량부, 2-에틸헥실아크릴레이트를 43중량부, 관능기를 갖는 아크릴레이트 단량체로서 2-히드록시에틸아크릴레이트를 10중량부, 메틸아크릴레이트 6중량부를 구성 성분으로 하는 아크릴 공중합체 100중량부에 대해, 아크릴 당량이 133(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 6, 분자량: 800)를 15중량부, 아크릴 당량이 392(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 3, 분자량: 1176)를 15중량부, 아크릴 당량이 4584(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 10, 분자량: 45840)를 50중량부, 아크릴 당량이 6250(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 4, 분자량: 25000)를 50중량부, 가교제로서 이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤제: 코로네이트L) 2.0질량부와, 광중합 개시제(BASF사제: 이르가큐어 184) 3.0질량부, 실리콘 아크릴레이트(다이셀 사이텍제: Ebecryl360) 0.3질량부를 혼합하여, 에너지선 경화형의 점착제 조성물을 얻었다.
압출법으로 제작한 VA 함유량 5질량％의 EVA 100㎛의 기재 필름의 EVA 위에, 상기 점착 조성물을 건조 후의 두께가 30㎛가 되도록 도공하여 건조시켜, 비교예 1에 관한 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
<비교예 2>
부틸아크릴레이트 85질량부와, 2-히드록시에틸아크릴레이트 15질량부를 포함하는 아크릴계 공중합체 100질량부에 대해, 1,1-비스(아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트를 10질량부 반응시켜, 에너지선 경화형 공중합체(중량 평균 분자량: 70만)를 얻었다. 상기 에너지선 경화형 공중합체 100질량부에 대해, 가교제로서 이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤제: 코로네이트L) 0.15질량부와, 광중합 개시제(BASF사제: 이르가큐어184) 0.75질량부를 혼합하여, 에너지선 경화형의 점착제 조성물을 얻었다.
아크릴 수지를 포함하는 두께 150㎛의 기재 필름 위에, 상기 점착제 조성물을 건조 후의 두께가 30㎛가 되도록 도공하여 건조시켜, 비교예 2에 관한 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
<비교예 3>
아크릴 당량이 133(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 6, 분자량: 800)를 15중량부, 아크릴 당량이 392(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 3, 분자량: 1176)를 15중량부, 아크릴 당량이 4584(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 10, 분자량: 45840)를 10중량부, 아크릴 당량이 6250(g/eq)인 아크릴레이트올리고머(관능기 수: 4, 분자량: 25000)를 40중량부로 한 것 이외는 비교예 1과 동일한 방법으로, 비교예 3에 관한 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
<비교예 4>
아크릴레이트 단량체로서 메틸메타크릴레이트를 6중량부, 2-에틸헥실아크릴레이트를 88중량부, 관능기를 갖는 아크릴레이트 단량체로서 메틸아크릴레이트 6중량부를 구성 성분으로 하는 아크릴 공중합체 100중량부에 대해 가교제로서 이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤제: 코로네이트L) 0.5질량부와, 에폭시 화합물(미츠비시 가스 가가쿠제: Tetrad-X) 0.6질량부를 배합하여 점착 조성물을 얻었다. 본 조성은 에너지 경화형이 아니다.
압출법으로 제작한 VA 함유량 10질량％의 EVA를 포함하는 두께 165㎛의 기재 필름 위에, 상기 점착제 조성물을 건조 후의 두께가 40㎛가 되도록 도공하여 건조시켜, 비교예 4에 관한 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
<비교예 5>
아크릴레이트 단량체로서 부틸아크릴레이트를 88중량부, 관능기를 갖는 아크릴레이트 단량체로서 2-히드록시에틸아크릴레이트 12중량부를 구성 성분으로 하는 아크릴 공중합체 100중량부에 대해 가교제로서 이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤제: 코로네이트L) 1.5질량부를 배합하여 점착 조성물을 얻었다. 본 조성은 에너지 경화형이 아니다.
압출법으로 제작한 VA 함유량 10질량％의 EVA와 HDPE를 포함하는 두께 100㎛의 기재 필름 위에, 상기 점착제 조성물을 건조 후의 두께가 30㎛가 되도록 도공하여 건조시켜, 비교예 5에 관한 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
<비교예 6>
아크릴레이트 단량체로서 2-에틸헥실아크릴레이트를 80중량부, 관능기를 갖는 아크릴레이트 단량체로서 2-히드록시에틸아크릴레이트를 20중량부, 메틸메타크릴레이트 1중량부를 구성 성분으로 하는 아크릴 공중합체에 대해, 분자 중에 에너지선 반응형 이중 결합과 수산기에 반응하는 이소시아네이트기를 가진 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 반응시켜, 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 (메트)아크릴계 공중합체를 얻었다. 이 공중합체 100중량부에 대해, 가교제로서 이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤제: 코로네이트L) 2질량부와, 광중합 개시제(BASF사제: 이르가큐어184) 0.5질량부를 혼합하여, 에너지선 경화형의 점착제 조성물을 얻었다.
압출법으로 제작한 HDPE가 65㎛, VA 함유량 10질량％의 EVA가 100㎛인 총 두께 165㎛의 복층의 기재 필름의 EVA 위에, 상기 점착 조성물을 건조 후의 두께가 40㎛가 되도록 도공하여 건조시켜, 비교예 6에 관한 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
<비교예 7>
아크릴레이트 단량체로서 2-에틸헥실아크릴레이트를 80중량부, 관능기를 갖는 아크릴레이트 단량체로서 2-히드록시에틸아크릴레이트를 20중량부, 메틸메타크릴레이트 1중량부를 구성 성분으로 하는 아크릴 공중합체에 대해, 분자 중에 에너지선 반응형 이중 결합과 수산기에 반응하는 이소시아네이트기를 가진 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트를 반응시켜, 에너지선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 (메트)아크릴계 공중합체를 얻었다. 이 공중합체 100중량부에 대해, 가교제로서 이소시아네이트 화합물(닛폰 폴리우레탄 고교 가부시키가이샤제: 코로네이트L) 2질량부와, 광중합 개시제(BASF사제: 이르가큐어184) 3.0질량부를 혼합하여, 에너지선 경화형의 점착제 조성물을 얻었다.
압출법으로 제작한 LDPE가 20㎛, EVA가 80㎛인 총 두께 110㎛의 복층의 기재 필름 위에, 상기 점착 조성물을 건조 후의 두께가 20㎛가 되도록 도공하여 건조시켜, 비교예 7에 관한 반도체 가공용 점착 테이프를 얻었다.
(에너지선 조사 전의 점착력 A)
각 실시예, 비교예에 관한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프로부터 폭 25㎜×길이 300㎜의 시험편을 3점 채취하고, 그들을 JIS R 6253에 규정하는 280번의 내수 연마지로 마무리한 JIS G 4305에 규정하는 두께 1.5㎜ 내지 2.0㎜의 SUS304 강판 위에 접착한 후, 2㎏의 고무 롤러를 3왕복하여 압착하고, 1시간 방치 후, JIS Z 0237에 준거하여, 박리 각도 90°, 박리 속도 50㎜/min의 조건에서 점착력을 측정했다. 측정 온도는 23℃, 측정 습도는 50％였다.
(에너지선 조사 후의 점착력 AUV)
에너지선 조사 전의 점착력 T와 동일한 방법으로 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 SUS304 강판 위에 접합한 후, 소정의 조사량의 에너지선을 조사하여, 1시간 방치 후, JIS Z 0237에 준거하여, 박리 각도 90°, 박리 속도 50㎜/min의 조건에서 점착력을 측정했다. 측정 온도는 23℃, 측정 습도는 50％였다.
(에너지선 조사 전의 택크력 T)
태킹 시험기(상품명: TACII, 레스카제)를 사용하여, 각 실시예, 비교예에 관한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 점착제측에, 3㎜φ의 원기둥상 프로브를 30㎜/min의 속도로 압입하고, 정지 하중 100g으로 1sec 유지 후에 600㎜/min의 속도로 인상할 때의 하중을 측정했다.
(에너지선 조사 후의 택크력 TUV)
각 실시예, 비교예에 관한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프에 소정의 조사량의 에너지선을 조사하고, 1시간 방치 후, 상기 에너지선 조사 전의 택크력 T와 마찬가지로 하여 측정했다.
(에너지선 조사 전의 인장 신장 E)
각 실시예, 비교예에 관한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프를, JISK6251에 기재된 덤벨 형상 1호에 준거하여 제작했다. 이때, 덤벨 형상의 긴 방향이 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 MD와 일치하도록 했다. 인장 시험기(상품명: 스트로 그래프, 도요 세키 고교 가부시키가이샤제)를 사용하여, 300㎜/min으로 인장 시험을 행하고, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프가 파단되었을 때의, 원래의 표선(40㎜)으로부터 신장량을 기록했다.
(에너지선 조사 후의 인장 신장 EUV)
각 실시예, 비교예에 관한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프에 소정의 조사량의 에너지선을 조사하고, 1시간 방치 후, 상기 에너지선 조사 전의 신장 E와 마찬가지로 하여 측정했다.
[특성 평가 시험]
실시예, 비교예에 관한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프에 대해, 특성 평가 시험을 하기와 같이 행하였다. 그 결과를 표 1, 2에 나타낸다.
(박리성 평가_백그라인드)
8인치의 더미 웨이퍼에 실시예, 비교예에 관한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프의 각 테이프를 접합하고, 디스코제 그라인더 DGP8760을 사용하여 100㎛까지 연삭을 행하였다. 웨이퍼의 연삭 후, 에너지선으로서 자외선을 500mJ/㎠ 조사했다. 조사 후 1시간 방치한 후, 타카트리제 라미네이터 ATM-1100G를 사용하여, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 박리했다. 박리 시에, 문제 없이 박리된 것을 양품으로 하여 ○, 박리되지 않거나, 혹은 2회째 이후의 시행에서 박리할 수 있던 것을 불량품으로 하여 ×로 평가했다.
(점착제 잔류 평가_백그라인드)
더미 웨이퍼에 실시예, 비교예에 관한 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 접합하고, 접합 후 1시간 방치한 후, 에너지선으로서 자외선을 500mJ/㎠ 조사했다. 조사 후 1시간 방치한 후, 타카트리제 라미네이터 ATM-1100G를 사용하여, 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프를 박리하고, 웨이퍼 표면의 점착제 잔류를 눈으로 관찰했다. 점착제 잔류가 없던 것을 양품으로 하여 ○, 있던 것을 불량품으로 하여 ×로 평가했다.
Figure pct00001
Figure pct00002
표 1에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 5는 AUV/A≤0.29로 청구항 1에 규정한 AUV/A≤0.3이고, 또한 TUV/T≤0.042로 청구항 1에 규정한 TUV/T≤0.05이고, EUV/E≤0.29로 청구항 1에 규정한 EUV/E≤0.3이기 때문에, 반도체 웨이퍼 이면의 연삭 가공 후에, 점착제 잔류 없어 용이하게 박리할 수 있었다.
이에 비해, 비교예 1 내지 5는 AUV/A가 0.3보다 크고, 또한 TUV/T가 0.05보다 크고, 또한 EUV/E가 0.3보다 크기 때문에, 점착제 잔류 및/또는 박리성이 떨어지는 결과가 되었다. 또한, TUV/T가 0.05보다 큰 비교예 6, AUV/A가 0.3보다 큰 비교예 7에 대해서도, 점착제 잔류 및/또는 박리성이 떨어지는 결과가 되었다.
1 : 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프
2 : 기재 필름
3 : 점착제층
4 : 박리 필름
5 : 반도체 웨이퍼
7 : 연마기
51 : 요철

Claims (4)

  1. 기재 필름과, 상기 기재 필름의 편면측에 설치된 에너지선 경화형의 점착제층을 갖고, 에너지선 조사 전의 점착력을 A(N/25㎜), 택크력을 T(KPa), 신장을 E(㎜)로 하고, 에너지선을 조사한 후의 점착력을 AUV(N/25㎜), 택크력을 TUV(KPa), 신장을 EUV(㎜)로 했을 때, AUV/A≤0.3이고, 또한 TUV/T≤0.05이고, 또한 EUV/E≤0.3인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기재 필름은 폴리에틸렌 및 에틸렌 공중합체로부터 선택되는 적어도 하나의 수지를 포함하는 복수의 수지층을 포함하고, 상기 점착제층과 접하는 상기 수지층은 아세트산비닐 함유량이 5 내지 20질량％의 에틸렌아세트산비닐 공중합체를 포함하고, 상기 점착제층과 반대측의 가장 외측의 수지층은 폴리에틸렌 또는 아세트산비닐 함유량이 10질량％ 이하의 에틸렌아세트산비닐 공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 점착제층은 두께가 20 내지 40㎛이고, 에너지선 반응성의 이형제를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의, 이면 연삭용인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 테이프.
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