JP2015056446A - 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
基材フィルム2は、公知のプラスチック、ゴム等を用いることができるが、放射線硬化型中間層3や最外粘着剤層4に含まれる放射線硬化成分が硬化する波長の放射線の透過性の良いものを選択するのがよい。なお、ここで、放射線とは、例えば、紫外線のような光、あるいはレーザー光、または電子線のような電離性放射線を総称して言うものであり、以下、これらを総称して放射線と言う。
放射線硬化型中間層3は、放射線を照射することにより硬化する放射線硬化型の粘着剤組成物から構成されている。放射線硬化型とすることで、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ1を半導体ウエハに貼合する時には半導体ウエハの表面へ十分追従するとともに、半導体ウエハから剥離する時には剥離力を低下させることができる。放射線硬化型中間層3は直接半導体ウエハには接触しないが、硬化させることで凝集力が向上することや、粘性が低下して剥離力の分散を抑えることで、半導体ウエハからの剥離力が低下する。半導体ウエハの表面への追従性の観点から、放射線硬化型中間層3は、放射線硬化前において貯蔵弾性率が低いことが好ましい。具体的には25℃における放射線硬化前の貯蔵弾性率が103〜105Pa、更には2×104〜8×104Paであることが好ましい。放射線硬化型中間層3の貯蔵弾性率が103Paより小さいと、放射線硬化型中間層3の凝集力が不十分であり剥離時に糊残りが発生する可能性があり、105Paより大きいと半導体ウエハ表面のパターンの段差への追従性が不十分となる可能性がある。
半導体ウエハ表面保護用粘着テープ1には、放射線硬化型中間層3の基材フィルム2と反対側の面に、いわゆる感圧型の粘着剤からなる最外粘着剤層4が形成されている。ここで、感圧型の粘着剤とは、放射線硬化する成分を実質的に含まないものであることを意味する。「実質的に含まない」とは、含んでいても量が少なく(例えばベース樹脂に対して20部以下)、それ自体は放射線照射による粘着力の変化が少ない粘着剤を意味する。例えば、放射線照射後の中間層との相関剥離抑制を目的として、少量の放射線硬化成分を添加させても構わない。
次に、本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ1の製造方法について説明する。まず、剥離フィルム上に放射線硬化型中間層3を構成する放射線硬化型の粘着剤組成物を塗布、乾燥させて得られる粘着剤層を、基材フィルム2上へ転写して放射線硬化型中間層3を形成する。その後、放射線硬化型中間層3上に、最外粘着剤層4を構成する感圧型粘着剤組成物を塗布、乾燥させて最外粘着剤層4を形成することにより、本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ1を得ることができる。放射線硬化型中間層3は、基材フィルム2上に放射線硬化型中間層3を構成する放射線硬化型の粘着剤組成物を直接塗布して乾燥させることにより形成してもよい。また、最外粘着剤層4は、剥離フィルム上に最外粘着剤層4を構成する感圧型粘着剤組成物を塗布、乾燥させて得られる粘着剤層を、放射線硬化型中間層3上に転写することにより形成してもよい。
次に、本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ1の使用方法、すなわち半導体ウエハの加工方法の一例について説明する。まず、図2に示すように、ブレード(図示しない)やレーザーを用いて半導体ウエハ5の表面側より半導体ウエハ5に最終製品厚さと同等以上の深さの溝7を形成した(溝切り工程)後、回路パターンが形成された半導体ウエハ5の表面に、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ1の最外粘着剤層4を貼合する(保護テープ貼合工程)。
[粘着剤組成物2A]
2−エチルヘキシルアクリレート80質量部、2−ヒドロキシアクリレート19質量部、メタクリル酸1質量部からなる共重合体100質量部に対して、5官能のウレタンアクリレートオリゴマー100質量部、ポリイソシアネートとしてコロネートL(日本ポリウレタン株式会社製、商品名)4.0質量部、光重合開始剤としてSPEEDCURE BKL(LAMBSON社製、商品名)5.0質量部を加えて混合して、粘着剤組成物2Aを得た。
2−エチルヘキシルアクリレート75質量部、2−ヒドロキシアクリレート24質量部、メタクリル酸1質量部からなる共重合体100質量部に対してポリイソシアネートとしてコロネートL(日本ポリウレタン株式会社製)5.0質量部を加えて混合して、粘着剤組成物2Bを得た。
2−エチルヘキシルアクリレート75質量部、2−ヒドロキシアクリレート24質量部、メタクリル酸1質量部からなる共重合体100質量部に対してポリイソシアネートとしてコロネートL(日本ポリウレタン株式会社製)3.0質量部を加えて混合して、粘着剤組成物2Cを得た。
2−エチルヘキシルアクリレート80質量部、2−ヒドロキシアクリレート19質量部、メタクリル酸1質量部からなる共重合体100質量部に対して、6官能のウレタンアクリレートオリゴマー70質量部、ポリイソシアネートとしてコロネートL(日本ポリウレタン株式会社製、商品名)6.0質量部、光重合開始剤としてSPEEDCURE BKL(LAMBSON社製、商品名)5.0質量部を加えて混合して、粘着剤組成物2Dを得た。
2−エチルヘキシルアクリレート75質量部、2−ヒドロキシアクリレート24質量部、メタクリル酸1質量部からなる共重合体100質量部に対してポリイソシアネートとしてコロネートL(日本ポリウレタン株式会社製)10.0質量部を加えて混合して、粘着剤組成物2Eを得た。
2−エチルヘキシルアクリレート80質量部、2−ヒドロキシアクリレート19質量部、メタクリル酸1質量部からなる共重合体100質量部に対して、6官能のウレタンアクリレートオリゴマー150質量部、ポリイソシアネートとしてコロネートL(日本ポリウレタン株式会社製、商品名)4.0質量部、光重合開始剤としてSPEEDCURE BKL(LAMBSON社製、商品名)5.0質量部を加えて混合して、粘着剤組成物2Fを得た。
2−エチルヘキシルアクリレート80質量部、2−ヒドロキシアクリレート19質量部、メタクリル酸1質量部からなる共重合体100質量部に対して、5官能のウレタンアクリレートオリゴマー100質量部、3官能のウレタンアクリレートオリゴマー50質量部、ポリイソシアネートとしてコロネートL(日本ポリウレタン株式会社製、商品名)4.0質量部、光重合開始剤としてSPEEDCURE BKL(LAMBSON社製、商品名)5.0質量部を加えて混合して、粘着剤組成物2Gを得た。
2−エチルヘキシルアクリレート80質量部、2−ヒドロキシアクリレート19質量部、メタクリル酸1質量部からなる共重合体100質量部に対して、メタクリロイルオキシエチルイソシアネート10質量部を反応させ、ポリイソシアネートとしてコロネートL(日本ポリウレタン株式会社製、商品名)5.0質量部、光重合開始剤としてSPEEDCURE BKL(LAMBSON社製、商品名)5.0質量部を加えて混合して、粘着剤組成物2Hを得た。
[実施例1]
厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート基材樹脂フィルムの片面に粘着剤組成物2Aを乾燥後の膜厚が30μmとなるように塗布して乾燥させた。更に、この上に粘着剤層組成物2Bを乾燥後の膜厚が5μmとなるように塗布して乾燥させ、厚さ85μmの実施例1に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
厚さ40μmのポリエチレンテレフタレート基材樹脂フィルムの両面に厚さ30μmの低密度ポリエチレンをドライラミネート法により積層させ、100μmの基材フィルムを得た。この積層フィルムに、粘着剤組成物2Aを乾燥後の膜厚が30μmとなるように塗布して乾燥させた。更に、この上に粘着剤層組成物2Cを乾燥後の膜厚が10μmとなるように塗布して乾燥させ、厚さ140μmの実施例2に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート基材樹脂フィルムの片面に粘着剤組成物2Dを乾燥後の膜厚が40μmとなるように塗布して乾燥させた。更に、この上に粘着剤層組成物2Eを乾燥後の膜厚が5μmとなるように塗布して乾燥させ、厚さ95μmの実施例3に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート基材樹脂フィルムの片面に粘着剤組成物2Fを乾燥後の膜厚が30μmとなるように塗布して乾燥させた。更に、この上に粘着剤層組成物2Cを乾燥後の膜厚が5μmとなるように塗布して乾燥させ、厚さ85μmの実施例3に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
実施例1と同様の方法にて実施例5に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。ただし、評価において、半導体ウエハ表面保護用粘着テープを半導体ウエハに貼合した後、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの基材フィルム側より500mJ/cm2の紫外線を照射させ、その後、半導体ウエハ裏面の研削加工を行った。
厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート基材樹脂フィルムの片面に粘着剤組成物2Bを乾燥後の膜厚が10μmとなるように塗布して乾燥させ、厚さ60μmの比較例1に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
粘着剤組成物2Bの乾燥後の膜厚が40μmとなるようにした以外は、比較例1と同様にして、厚さ90μmの比較例2に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート基材樹脂フィルムの片面に粘着剤組成物2Gを乾燥後の膜厚が30μmとなるように塗布して乾燥させた。更に、この上に粘着剤層組成物2Hを乾燥後の膜厚が10μmとなるように塗布して乾燥させ、厚さ90μmの比較例3に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート基材樹脂フィルムの片面に粘着剤組成物2Bを乾燥後の膜厚が30μmとなるように塗布して乾燥させた。更に、この上に粘着剤層組成物2Aを乾燥後の膜厚が30μmとなるように塗布して乾燥させ、厚さ110μmの比較例4に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート基材樹脂フィルムの片面に粘着剤組成物2Aを乾燥後の膜厚が40μmとなるように塗布して乾燥させ、厚さ90μmの比較例5に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
比較例5と同様の方法にて比較例4に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。ただし、評価において、半導体ウエハ表面保護用粘着テープを半導体ウエハに貼合した後、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの基材フィルム側より500mJ/cm2の紫外線を照射させ、その後、半導体ウエハ裏面の研削加工を行った。
<カーフシフト>
厚さが725μmの8インチ径の半導体ウエハに、図8に示すように、半導体ウエハの回路パターンおよび切断予定部位に設けられた溝を模した疑似段差を形成した。具体的には、回路パターンの段差を疑似的に形成するために、60μm幅で10μm深さのラインを10mm間隔で格子状に設けた。さらに、切断予定部位に設けられた溝として、上記ライン幅の中央にさらに30μm幅で60μm深さの溝を設けた。
カーフ幅を観察後に、実施例1、2および比較例3については、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの基材フィルム側より500mJ/cm2の紫外線を照射させた。その後、半導体ウエハの研削面に比較例3の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを貼合した後、半導体ウエハの表面(擬似段差面)に貼合されていた半導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離した。なお、ここで半導体ウエハの研削面に貼合する比較例3の半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、ダストの侵入などを観察するに際してチップを固定する目的で使用するものである。半導体ウエハの表面を光学顕微鏡により観察してダスト浸入および糊残りの有無をそれぞれ評価した。評価結果を表1に示す。ダスト浸入、糊残りが確認できなかったものを良品として○、一箇所でもダスト浸入、糊残りがあったものを不良品として×で示した。なお、比較例4については、半導体ウエハの裏面を研削している際に、個片化されたチップが半導体表面保護用粘着テープから脱落してしまう、いわゆるチップ飛びが多数発生したため、ダストの侵入および糊残りの評価は行わなかった。
各実施例および各比較例に係る放射線照射前の半導体表面保護用粘着テープから幅25mm×長さ150mmの試験片をそれぞれ3点採取し、その試験片をJIS R 6253に規定する280番の耐水研磨紙で仕上げたJIS G 4305に規定する厚さ1.5mm〜2.0mmのSUS鋼板上に2kgのゴムローラを3往復かけ圧着し、1時間放置後、測定値がその容量の15〜85%の範囲に入るJIS B 7721に適合する引張試験機(ここでは、インストロン社製の引張試験機:ツインコラム卓上モデル5567)を用いて、引張速度50mm/minで90°引きはがし法により常温(25℃)、湿度50%で粘着力を測定し、3点の平均値を求めた。上記各実施例および各比較例に係る半導体表面保護用粘着テープの残り部分で上記と同様の試験片を3点採取し、上記と同様にSUS鋼板に貼合して1時間放置後、500mJ/cm2の紫外線を照射して硬化させた後、上記と同様にして、紫外線照射後の半導体表面保護用粘着テープの粘着力を測定し、3点の平均値を求めた。結果を表1および表2に示す。なお、比較例1,2については、中間層にも最外層にも紫外線硬化型の粘着剤は用いていないが、半導体ウエハの裏面を研削した後に紫外線照射を行った。中間層にも最外層にも紫外線硬化型の粘着剤を用いていないため、紫外線照射の前後において粘着力の変化はなかった。このことから、実施例において最外層に感圧型の粘着剤を用いた場合であっても、中間層に紫外線硬化型の粘着剤を用い、中間層を紫外線放射により硬化させることで、半導体表面保護用粘着テープ全体の粘着力が低下することが実証された。
2:基材フィルム
3:放射線硬化型中間層
4:最外粘着剤層
5:半導体ウエハ
6:ダイシングテープ
7:溝
8:研削装置
9:リングフレーム
11:チップ
Claims (10)
- 基材フィルムと、
前記基材フィルムの少なくとも片面側に設けられ、粘着剤からなる中間層と、
前記中間層の前記基材フィルムと反対側であって最外層に設けられた最外粘着剤層と
を有する粘着テープであって、
前記中間層は、前記粘着テープ形成後の硬化処理により硬化する材料で形成されている
ことを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。 - 前記中間層のみが、前記粘着テープ形成後の硬化処理により硬化する材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
- 前記硬化処理前の25℃における貯蔵弾性率が、前記中間層は2×104〜8×104Paであり、前記最外粘着剤層は105〜106Paであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
- ステンレス鋼(Steel Use Stainless、SUS)の研磨面に対する25℃における前記硬化処理後の粘着力が、0.5〜4.0N/25mmであり、かつ前記硬化処理前の粘着力の10〜50%であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
- 前記最外粘着剤層の厚さが1〜10μmであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
- 前記中間層の厚さが20〜200μmであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
- 前記基材フィルムが少なくともポリエステル樹脂を含む層を有することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
- 前記基材フィルムがポリエステル樹脂とポリオレフィン樹脂の積層フィルムであることを特徴とする請求項7に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
- 予め半導体ウエハ表面の切断予定部位に、半導体ウエハの最終製品厚さと同等以上の深さに溝切り加工する溝切り工程、もしくは、半導体ウエハ内部にレーザーを照射することで改質領域を形成する改質領域形成工程と、
前記半導体ウエハの表面に請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを貼合する保護テープ貼合工程と、
前記半導体ウエハの裏面を研削することで前記半導体ウエハをチップに個片化する研削工程とを含むことを特徴とする半導体ウエハの加工方法。 - 前記保護テープ貼合工程と前記研削工程との間に、前記半導体ウエハ表面保護用粘着テープに放射線を照射する放射線照射工程を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体ウエハの加工方法。
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