KR20230155438A - 반도체 가공용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

반도체 가공용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20230155438A
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마사히로 우메자와
사야카 반도우
가즈유키 다무라
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린텍 가부시키가이샤
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Abstract

표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고, 상기 표면 코트층이, 폴리올레핀계 수지를 함유하는 층인, 반도체 가공용 점착 시트, 및 상기 반도체 가공용 점착 시트를 사용하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 가공용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
본 발명은, 반도체 가공용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
정보 단말 기기의 박형화, 소형화 및 다기능화가 급속히 진행되는 가운데, 이들 기기에 탑재되는 반도체 장치에도, 박형화 및 고밀도화가 요구되고 있다.
반도체 장치를 박형화하는 방법으로는, 반도체 장치에 사용하는 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 방법이 실시되어 왔다. 반도체 웨이퍼의 이면 연삭은, 반도체 웨이퍼의 표면에 이면 연삭용 점착 시트 (이하,「백 그라인드 시트」라고도 한다) 를 첩부 (貼付) 하고, 그 시트에 의해 반도체 웨이퍼의 표면을 보호한 상태에서 실시된다. 백 그라인드 시트는, 이면 연삭 후에 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 박리 제거된다.
최근, 반도체 칩에 대한 데미지를 억제하면서 박형화하는 연삭 및 개편화 방법으로서, 선 (先) 다이싱법, 스텔스 선 다이싱법 등이 실용되고 있다. 선 다이싱법은, 반도체 웨이퍼의 표면에, 다이싱 블레이드 등으로 소정 깊이의 홈을 형성한 후, 그 반도체 웨이퍼를 이면측에서부터 홈에 이르기까지 연삭함으로써 반도체 칩으로 개편화하는 방법이다. 또한, 스텔스 선 다이싱법은, 레이저 광의 조사에 의해 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성한 후, 그 반도체 웨이퍼를 이면측에서부터 연삭하여, 상기 개질 영역을 분할 기점으로 하여 할단시킴으로써 반도체 칩으로 개편화하는 방법이다. 이들 방법에 있어서도, 반도체 웨이퍼의 표면을 보호하기 위한 백 그라인드 시트가 사용되고 있다.
이들 박형화 프로세스 기술의 개발과 함께, 백 그라인드 시트에 대해서도, 반도체 칩을 높은 수율로 박형화하기 위한 기능이 요구되고 있어, 다양한 검토가 이루어지고 있다.
특허문헌 1 에는, 선 다이싱법 또는 스텔스 선 다이싱법에 적용 가능한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 시트로서, 기재 필름과, 상기 기재 필름의 적어도 편면측에 형성되고, 점착제로 이루어지는 중간층과, 상기 중간층의 상기 기재 필름과 반대측이면서 최외층에 형성된 최외 점착제층을 갖는 점착 시트로서, 상기 중간층은, 상기 점착 시트 형성 후의 경화 처리에 의해 경화되는 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 시트가 개시되어 있다.
일본 공개특허공보 2015-56446호
특허문헌 1 의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 시트에 의하면, 반도체 웨이퍼를 칩으로 개편화한 후, 본래의 칩 간격이 무너져 버리는 커프 시프트를 억제할 수 있음과 함께, 반도체 웨이퍼의 연삭 부스러기에 의한 오염을 억제할 수 있고, 표면 보호 테이프를 박리했을 때의 칩에 풀이 잔류하는 것을 방지할 수 있다고 되어 있다.
그런데, 이면 연삭을 할 때, 반도체 웨이퍼에 첩부된 백 그라인드 시트는, 반도체 웨이퍼에 첩부하는 면과는 반대측의 면 (이하,「배면」이라고도 한다) 이 척 테이블 등의 지지 장치에 의해 고정된다. 그리고, 백 그라인드 시트를 통해 지지 장치의 테이블 상에 고정된 반도체 웨이퍼는, 연삭에 의한 열 및 연삭 부스러기를 제거하기 위한 냉각수가 연삭면에 공급되면서 이면이 연삭된다.
이면 연삭을 할 때에, 백 그라인드 시트와 지지 장치의 테이블 사이에 연삭 부스러기가 존재하면, 그 연삭 부스러기가 존재하는 부분을 기점으로 하여, 반도체 웨이퍼를 테이블에 고정시킬 때의 충격, 이면 연삭 중의 가압 및 진동 등에 의해, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 크랙이 발생하는 경우가 있다. 연삭 부스러기는, 냉각수에 포함된 상태로 백 그라인드 시트의 배면에 부착되기 때문에, 상기 크랙의 발생을 억제하기 위해서는, 백 그라인드 시트의 배면에 부착되는 연삭 부스러기의 양을 저감할 필요가 있다.
특허문헌 1 의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 시트는, 백 그라인드 시트의 배면에 부착되는 연삭 부스러기의 양을 저감한다는 요구에 대해서는, 충분히 따를 수는 없었다.
본 발명은, 이상의 실정을 감안하여 이루어진 것으로, 연삭 부스러기의 부착량이 저감된 반도체 가공용 점착 시트, 및 그 반도체 가공용 점착 시트를 사용하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 예의 검토한 결과, 폴리올레핀계 수지를 함유하는 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖는 반도체 가공용 점착 시트에 의해, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 이하의 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은 하기 [1] ∼ [11] 에 관한 것이다.
[1] 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고,
상기 표면 코트층이, 폴리올레핀계 수지를 함유하는 층인, 반도체 가공용 점착 시트.
[2] 상기 폴리올레핀계 수지가, 탄소수 2 ∼ 6 의 사슬형 올레핀에서 유래하는 구성 단위를 함유하는, 상기 [1] 에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.
[3] 상기 폴리올레핀계 수지가, 추가로 산소 원자 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유하는, 상기 [2] 에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.
[4] 상기 산소 원자 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머가, 무수 말레산인, 상기 [3] 에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.
[5] 상기 폴리올레핀계 수지가, 추가로 고리형 올레핀에서 유래하는 구성 단위를 함유하는, 상기 [2] 에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.
[6] 상기 폴리올레핀계 수지가, 23 ℃ 에 있어서, 톨루엔에 대해 1 질량％ 이상 용해되는 것인, 상기 [1] ∼ [5] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.
[7] 상기 표면 코트층의 두께가 0.05 ∼ 10 ㎛ 인, 상기 [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.
[8] 상기 완충층이, 우레탄(메트)아크릴레이트를 함유하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는, 상기 [1] ∼ [7] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.
[9] 반도체 웨이퍼의 이면 연삭에 사용되는, 상기 [1] ∼ [8] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.
[10] 상기 [1] ∼ [9] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 상기 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
[11] 반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하는 공정 a, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면에서부터 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정 b 인, 분할 예정 라인 형성 공정과,
상기 공정 a 의 후, 또는 상기 공정 b 의 전 혹은 후에, 상기 [1] ∼ [9] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여, 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는, 시트 첩부 공정과,
상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 상기 홈 또는 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 반도체 칩으로 개편화하는, 연삭 및 개편화 공정을 포함하는, 상기 [10] 에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 연삭 부스러기의 부착량이 저감된 반도체 가공용 점착 시트, 및 그 반도체 가공용 점착 시트를 사용하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 바람직한 수치 범위에 대해서 단계적으로 기재된 하한값 및 상한값은, 각각 독립적으로 조합할 수 있다. 예를 들어,「바람직하게는 10 ∼ 90, 보다 바람직하게는 30 ∼ 60」이라는 기재로부터,「바람직한 하한값 (10)」과「보다 바람직한 상한값 (60)」을 조합하여,「10 ∼ 60」으로 할 수도 있다.
본 명세서에 있어서, 예를 들어,「(메트)아크릴산」이란,「아크릴산」과「메타크릴산」의 쌍방을 나타내고, 다른 유사 용어도 동일하다.
본 명세서에 있어서,「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미하고, 그 예로서, 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다. 자외선은, 예를 들어, 자외선원으로서 무전극 램프, 고압 수은 램프, 메탈 할라이드 램프, UV-LED 등을 사용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은, 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다.
본 명세서에 있어서,「에너지선 중합성」이란, 에너지선을 조사함으로써 중합하는 성질을 의미한다. 또한,「에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사함으로써 경화되는 성질을 의미하고,「비에너지선 경화성」이란, 에너지선 경화성을 갖지 않는 성질을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 반도체 웨이퍼의「표면」이란 회로가 형성된 면을 가리키고,「이면」이란 회로가 형성되어 있지 않은 면을 가리킨다.
본 명세서에 기재되어 있는 작용 기전은 추측으로서, 본 발명의 반도체 가공용 점착 시트의 효과를 나타내는 기전을 한정하는 것은 아니다.
[반도체 가공용 점착 시트]
본 실시형태의 반도체 가공용 점착 시트 (이하,「점착 시트」라고도 한다) 는, 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고, 상기 표면 코트층이, 폴리올레핀계 수지를 함유하는, 반도체 가공용 점착 시트이다.
본 실시형태의 점착 시트는, 워크인 반도체 장치의 표면에 첩부되어, 그 표면을 보호하면서 반도체 장치에 소정의 가공을 실시하기 위해서 사용된다. 워크에 대하여 소정의 가공을 실시한 후, 본 실시형태의 점착 시트는 반도체 장치로부터 박리 제거된다.
또한, 본 실시형태에 있어서,「반도체 장치」란, 반도체 특성을 이용함으로써 기능할 수 있는 장치 전반을 가리키며, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 반도체 칩, 그 반도체 칩을 포함하는 전자 부품, 그 전자 부품을 구비하는 전자 기기류 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 본 실시형태의 점착 시트는, 반도체 웨이퍼의 가공에 바람직하다.
본 실시형태의 점착 시트는, 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층 이외의 층을 갖고 있어도 되고, 갖고 있지 않아도 된다. 기재 및 점착제층 이외의 층으로는, 예를 들어, 기재와 점착제층 사이에 형성되는 중간층, 점착제층의 기재와는 반대측의 면에 형성되는 박리 시트 등을 들 수 있다.
이하, 본 실시형태의 점착 시트를 구성하는 각 부재에 대해서 순서대로 설명한다.
<표면 코트층>
표면 코트층은, 완충층의 기재와는 반대의 면측에 형성되는 층으로서, 반도체 장치를 가공할 때, 지지 장치에 의해 고정되는 층이다.
표면 코트층은, 폴리올레핀계 수지를 함유하는 층이며, 연삭 부스러기를 포함하는 물이 부착되기 어려운 성질을 갖는다. 그 때문에, 본 실시형태의 점착 시트는 배면에 있어서의 연삭 부스러기의 부착량이 저감된 것이며, 배면에 부착된 연삭 부스러기에서 기인하는 워크의 파손을 억제할 수 있다.
(폴리올레핀계 수지)
표면 코트층이 함유하는 폴리올레핀계 수지는, 적어도 올레핀을 포함하는 단량체를 중합하여 이루어지는 수지이다.
여기서, 본 실시형태에 있어서의「폴리올레핀계 수지」란, 올레핀을 단독 중합시켜 이루어지는 수지, 또는 올레핀을 올레핀 이외의 모노머와 공중합시켜 이루어지는 수지로서, 올레핀에서 유래하는 구성 단위를 50 질량％ 이상 함유하는 수지 중 어느 것을 의미한다.
또한, 본 실시형태에 있어서의「올레핀」이란, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 불포화 탄화수소를 의미하고, 헤테로 원자를 함유하는 화합물은, 본 실시형태에 있어서의「올레핀」에는 포함시키지 않는 것으로 한다.
또한, 본 실시형태에 있어서의「에틸렌성 불포화 결합」이란, 부가 반응이 가능한 탄소-탄소 이중 결합을 의미하고, 방향고리의 이중 결합은 포함하지 않는 것으로 한다.
또한, 이하의 설명에 있어서, 에틸렌성 불포화 결합을 함유하는 기를, 간단히「불포화기」라고 부르는 경우가 있다.
폴리올레핀계 수지는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
폴리올레핀계 수지 중에 있어서의, 올레핀에서 유래하는 구성 단위의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 70 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 90 질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 95 질량％ 이상이다. 폴리올레핀계 수지 중의 올레핀에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 상기 하한값 이상이면, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감할 수 있는 경향이 있다.
또한, 폴리올레핀계 수지 중에 있어서의, 올레핀에서 유래하는 구성 단위의 함유량은, 100 질량％ 여도 되지만, 바람직하게는 99.5 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 99 질량％ 이하이다. 폴리올레핀계 수지 중의 올레핀에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 용매 용해성 등의 개선을 목적으로 한 올레핀 이외의 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유시킬 수 있고, 도포에 의한 표면 코트층의 형성이 용이해지는 경향이 있다.
폴리올레핀계 수지를 구성하는 올레핀으로는, 예를 들면, 사슬형 올레핀, 고리형 올레핀, 방향족 비닐 화합물 등을 들 수 있다.
폴리올레핀계 수지를 구성하는 올레핀은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
사슬형 올레핀으로는, 예를 들면, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 1-펜텐, 1-헥센, 1-헵텐, 1-옥텐, 1-노넨, 1-데센, 2-메틸-1-프로펜, 3-메틸-1-펜텐, 4-메틸-1-펜텐, 5-메틸-1-헥센 등의 사슬형 모노올레핀 ; 1,4-헥사디엔, 4-메틸-1,4-헥사디엔, 5-메틸-1,4-헥사디엔 등의 사슬형의 비공액 디엔 ; 1,3-부타디엔, 이소프렌, 1,3-펜타디엔, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔, 2-페닐-1,3-부타디엔, 1,3-헥사디엔 등의 사슬형의 공액 디엔 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 탄소수 2 ∼ 6 의 사슬형 올레핀이 바람직하고, 에틸렌, 프로필렌이 보다 바람직하다.
고리형 올레핀으로는, 예를 들면, 시클로부텐, 시클로펜텐, 메틸시클로펜텐, 시클로헥센, 메틸시클로헥센, 시클로헵텐, 시클로옥텐 등의 고리형 모노올레핀 ; 시클로헥사디엔, 메틸시클로헥사디엔, 시클로옥타디엔, 메틸시클로옥타디엔, 페닐시클로옥타디엔 등의 고리형 디올레핀 ; 노르보르넨, 디시클로펜타디엔, 테트라시클로도데센, 에틸테트라시클로도데센, 에틸리덴테트라시클로도데센, 테트라시클로[7.4.0.110,13.02,7]트리데카-2,4,6,11-테트라엔 등의 다고리형 올레핀 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 용매 용해성을 향상시켜 도포에 의한 표면 코트층의 형성을 용이하게 한다는 관점에서, 테트라시클로도데센이 바람직하다.
방향족 비닐 화합물로는, 예를 들면, 스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌 등을 들 수 있다.
올레핀과 공중합시켜도 되는 올레핀 이외의 모노머로는, 예를 들면, 산소 원자 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머, 질소 원자 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머 등을 들 수 있다.
올레핀 이외의 모노머는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
산소 원자 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머로는, 예를 들면, 무수 말레산, 메틸 무수 말레산, 디메틸 무수 말레산, 페닐 무수 말레산, 디페닐 무수 말레산 등의 산 무수물 ; 말레산, 메틸말레산, 말레산디메틸, 말레산디에틸, 말레산디부틸, 말레산모노메틸 등의 말레산류 ; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 시클로알킬기의 탄소수가 3 ∼ 20 인 시클로알킬(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산 및 (메트)아크릴산에스테르 ; 아세트산비닐, 프로피온산비닐 등의 비닐에스테르 화합물 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 용매 용해성을 향상시켜 도포에 의한 표면 코트층의 형성을 용이하게 한다는 관점에서, 산 무수물, 비닐에스테르 화합물이 바람직하고, 무수 말레산, 아세트산비닐이 보다 바람직하고, 무수 말레산이 더욱 바람직하다.
질소 원자 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머로는, 예를 들면, 말레이미드 화합물 및 그의 유도체, 니트릴계 모노머 등을 들 수 있다.
말레이미드 화합물 및 그 유도체로는, 예를 들면, 말레이미드 ; N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드 등의 N-알킬 치환 말레이미드 ; N-페닐말레이미드 등의 N-아릴 치환 말레이미드 ; 등을 들 수 있다. 니트릴계 모노머로는, 예를 들면, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등을 들 수 있다.
이상의 구성 단위 중에서도, 폴리올레핀계 수지는, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감한다는 관점에서, 탄소수 2 ∼ 6 의 사슬형 올레핀에서 유래하는 구성 단위 (이하,「사슬형 올레핀계 구성 단위 (A)」라고도 한다) 를 함유하는 것이 바람직하고, 에틸렌에서 유래하는 구성 단위 및 프로필렌에서 유래하는 구성 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유하는 것이 보다 바람직하다.
폴리올레핀계 수지는, 용매 용해성을 향상시켜 도포에 의한 표면 코트층의 형성을 용이하게 한다는 관점에서, 상기 사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 와 함께, 산소 원자 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머에서 유래하는 구성 단위(이하,「산소 원자를 포함하는 구성 단위 (B)」라고도 한다) 를 함유하는 것이 바람직하다.
폴리올레핀계 수지가, 사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 및 산소 원자를 포함하는 구성 단위 (B) 를 함유하는 경우, 폴리올레핀계 수지 중에 있어서의 사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 80 ∼ 99.5 질량％, 보다 바람직하게는 90 ∼ 99 질량％, 더욱 바람직하게는 95 ∼ 98.8 질량％ 이다.
폴리올레핀계 수지가, 사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 및 산소 원자를 포함하는 구성 단위 (B) 를 함유하는 경우, 폴리올레핀계 수지 중에 있어서의 산소 원자를 포함하는 구성 단위 (B) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.5 ∼ 20 질량％, 보다 바람직하게는 1 ∼ 10 질량％, 더욱 바람직하게는 1.2 ∼ 5 질량％ 이다.
사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 및 산소 원자를 포함하는 구성 단위 (B) 의 함유량이 상기 범위이면, 양호한 용매 용해성이 얻어지면서, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감할 수 있는 경향이 있다.
또한, 폴리올레핀계 수지는, 용매 용해성을 향상시켜 도포에 의한 표면 코트층의 형성을 용이하게 한다는 관점에서, 상기 사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 와 함께, 고리형 올레핀에서 유래하는 구성 단위 (이하,「고리형 올레핀계 구성 단위 (C)」라고도 한다) 를 함유하는 것이 바람직하다.
폴리올레핀계 수지가, 사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 및 고리형 올레핀계 구성 단위 (C) 를 함유하는 경우, 폴리올레핀계 수지 중에 있어서의 사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10 ∼ 90 질량％, 보다 바람직하게는 20 ∼ 70 질량％, 더욱 바람직하게는 25 ∼ 50 질량％ 이다.
폴리올레핀계 수지가, 사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 및 고리형 올레핀계 구성 단위 (C) 를 함유하는 경우, 폴리올레핀계 수지 중에 있어서의 고리형 올레핀계 구성 단위 (C) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10 ∼ 90 질량％, 보다 바람직하게는 30 ∼ 80 질량％, 더욱 바람직하게는 50 ∼ 75 질량％ 이다.
사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 및 고리형 올레핀계 구성 단위 (C) 의 함유량이 상기 범위이면, 양호한 용매 용해성이 얻어지면서, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감할 수 있는 경향이 있다.
폴리올레핀계 수지로는, 예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부타디엔 등의 단독 중합체 ; 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-무수 말레산 공중합체, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴레이트 공중합체, 에틸렌-테트라시클로도데센 공중합체, 프로필렌-부텐 공중합체, 프로필렌-무수 말레산 공중합체, 프로필렌-아세트산비닐 공중합체, 프로필렌-(메트)아크릴레이트 공중합체, 프로필렌-테트라시클로도데센 공중합체 등의 2 원 공중합체 ; 에틸렌-무수 말레산-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-무수 말레산-(메트)아크릴레이트 공중합체, 에틸렌-아세트산비닐-(메트)아크릴레이트 공중합체, 프로필렌-무수 말레산-아세트산비닐 공중합체, 프로필렌-무수 말레산-(메트)아크릴레이트 공중합체, 프로필렌-아세트산비닐-(메트)아크릴레이트 공중합체, 에틸렌-프로필렌-무수 말레산 공중합체, 에틸렌-프로필렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-프로필렌-(메트)아크릴레이트 공중합체, 에틸렌-부텐-무수 말레산 공중합체, 에틸렌-부텐-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-부텐-(메트)아크릴레이트 공중합체, 프로필렌-부텐-무수 말레산 공중합체, 프로필렌-부텐-아세트산비닐 공중합체, 프로필렌-부텐-(메트)아크릴레이트 공중합체 등의 다원 중합체 ; 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감시킨다는 관점 및 용매 용해성을 향상시켜 도포에 의한 표면 코트층의 형성을 용이하게 한다는 관점에서, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-테트라시클로도데센 공중합체, 에틸렌-부텐-무수 말레산 공중합체가 바람직하고, 에틸렌-부텐-무수 말레산 공중합체가 보다 바람직하다.
폴리올레핀계 수지는, 도포에 의한 표면 코트층의 형성을 용이하게 한다는 관점에서, 유기 용매에 대하여 용해성을 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 폴리올레핀계 수지는, 23 ℃ 에 있어서, 톨루엔에 대하여, 1 질량％ 이상 용해되는 것이 바람직하고, 5 질량％ 이상 용해되는 것이 보다 바람직하고, 8 질량％ 이상 용해되는 것이 더욱 바람직하다.
폴리올레핀계 수지 중에 있어서의 헤테로 원자의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 7 질량％ 이하, 보다 바람직하게는 0.2 ∼ 4 질량％, 더욱 바람직하게는 0.5 ∼ 1 질량％ 이다.
폴리올레핀계 수지 중에 있어서의 헤테로 원자의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감할 수 있는 경향이 있다. 또한, 폴리올레핀계 수지 중에 있어서의 헤테로 원자의 함유량이 상기 하한값 이상이면, 용매 용해성이 향상되어, 도포에 의한 표면 코트층의 형성이 용이해지는 경향이 있다.
또한, 본 명세서 중,「헤테로 원자」란, 탄소 원자 및 수소 원자 이외의 모든 원자를 의미한다.
표면 코트층은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 성분을 함유하고 있어도 된다. 그 밖의 성분으로는, 예를 들어 폴리올레핀계 수지 이외의 수지; 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제, 충전제, 방청제, 안료, 염료 등의 첨가제; 등을 들 수 있다.
표면 코트층의 총량에 대한 폴리올레핀계 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감한다는 관점에서, 바람직하게는 90 ∼ 100 질량％, 보다 바람직하게는 95 ∼ 100 질량％, 더욱 바람직하게는 98 ∼ 100 질량％ 이다.
(접촉각)
본 실시형태의 점착 시트가 갖는 표면 코트층에 대한, 물의 23 ℃ 에 있어서의 정적 접촉각 (이하, 간단히「물 접촉각」이라고도 한다) 은 85°이상인 것이 바람직하다.
표면 코트층의 물 접촉각이 85°이상이면, 연삭 부스러기를 포함하는 물이 표면 코트층에 부착되기 어려워지기 때문에, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감할 수 있는 경향이 있다.
표면 코트층의 물 접촉각은, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감한다는 관점에서, 바람직하게는 90°이상, 보다 바람직하게는 93°이상, 더욱 바람직하게는 96°이상이다. 표면 코트층의 물 접촉각의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 제조 용이성 등의 관점에서, 예를 들어, 150°이하여도 되고, 100°이하여도 된다.
또한, 표면 코트층의 물 접촉각은, JIS R 3257:1999 에 준거하여 측정되는 값으로, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.
표면 코트층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.05 ∼ 10 ㎛, 보다 바람직하게는 0.2 ∼ 7 ㎛, 더욱 바람직하게는 1 ∼ 4 ㎛ 이다.
표면 코트층의 두께가 상기 하한값 이상이면, 균일한 층 형성이 가능해져, 연삭 부스러기 부착량을 충분히 저감할 수 있는 경향이 있다. 또, 표면 코트층의 두께가 상기 상한값 이하이면, 척 테이블 상의 이물질 등의 요철을 흡수한다는 완충층의 효과가 얻어지기 쉬워지는 경향이 있다.
＜완충층＞
완충층은, 기재와 표면 코트층 사이에 형성되는 층으로, 이면 연삭시에 생기는 진동, 충격 등을 흡수하여, 워크에 크랙이 발생하는 것을 방지하는 역할을 담당하는 층이다. 나아가서는, 완충층을 형성함으로써, 지지 장치의 테이블 상에 존재하는 이물질 등의 요철을 흡수하여, 지지 장치에 의한 점착 시트의 유지성을 향상시킬 수도 있다.
(완충층 형성용 조성물)
완충층은, 완충층 형성용 조성물로 형성할 수 있다.
완충층은, 완충층에 적절한 물성을 얻는다는 관점에서, 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 완충층 형성용 조성물을 에너지선 경화시킨 층인 것이 바람직하다.
완충층 형성용 조성물은, 에너지선 중합성 화합물로서, 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 을 함유하는 것이 바람직하다. 완충층 형성용 조성물이 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 을 함유함으로써, 완충층의 저장 탄성률 등을 양호한 범위로 조정할 수 있는 경향이 있다.
또한, 완충층 형성용 조성물은, 동일한 관점에서, 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 에 추가하여, 고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 및 관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유하는 것이 보다 바람직하고, 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 에 추가하여, 고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 및 관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 을 함유하는 것이 더욱 바람직하다.
〔우레탄(메트)아크릴레이트 (a1)〕
우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 은, (메트)아크릴로일기 및 우레탄 결합을 갖는 화합물이고, 에너지선 조사에 의해 중합하는 성질을 갖는 것이다.
우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 의 질량 평균 분자량 (Mw) 은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1,000 ∼ 100,000, 보다 바람직하게는 2,000 ∼ 60,000, 더욱 바람직하게는 3,000 ∼ 20,000 이다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 질량 평균 분자량 (Mw) 은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 법으로 측정되는 표준 폴리스티렌 환산의 값을 의미하고, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값이다.
우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 이 1 분자 중에 갖는 (메트)아크릴로일기의 수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 ∼ 4 개, 보다 바람직하게는 1 ∼ 3 개, 더욱 바람직하게는 1 개 또는 2 개이다.
우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 은, 예를 들어, 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머에, 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시켜 얻을 수 있다.
폴리올 화합물로는, 하이드록시기를 2 개 이상 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다.
폴리올 화합물의 구체예로는, 알킬렌디올, 폴리에테르형 폴리올, 폴리에스테르형 폴리올, 폴리카보네이트형 폴리올 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 폴리에스테르형 폴리올이 바람직하다.
폴리올 화합물은, 2 관능의 디올, 3 관능의 트리올, 4 관능 이상의 폴리올 중 어느 것이어도 되지만, 2 관능의 디올이 바람직하고, 폴리에스테르형 디올이 보다 바람직하다.
폴리올 화합물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
다가 이소시아네이트 화합물로는, 예를 들어, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족계 폴리이소시아네이트류 ; 이소포론디이소시아네이트, 노르보르난디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, ω,ω'-디이소시아네이트디메틸시클로헥산 등의 지환족계 디이소시아네이트류 ; 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 톨리딘디이소시아네이트, 테트라메틸렌자일릴렌디이소시아네이트, 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트 등의 방향족계 디이소시아네이트류 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 이소포론디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트가 바람직하다.
다가 이소시아네이트 화합물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머와 반응시키는 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트로는, 적어도 1 분자 중에 하이드록시기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다.
하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시시클로헥실(메트)아크릴레이트, 5-하이드록시시클로옥틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페닐옥시프로필(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트 ; N-메틸올(메트)아크릴아미드 등의 하이드록시기 함유 (메트)아크릴아미드 ; 비닐알코올, 비닐페놀, 비스페놀 A 의 디글리시딜에스테르에 (메트)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 반응물 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.
하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머와 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시키는 조건은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 필요에 따라 첨가되는 용제, 촉매 등의 존재하, 60 ∼ 100 ℃ 에서 1 ∼ 4 시간 반응시키는 조건으로 할 수 있다.
완충층 형성용 조성물 중에 있어서의 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량％) 에 대하여, 바람직하게는 10 ∼ 70 질량％, 보다 바람직하게는 20 ∼ 60 질량％, 더욱 바람직하게는 30 ∼ 50 질량％ 이다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분이란, 완충층 형성용 조성물 중에 함유되는 성분으로부터, 완충층을 형성하는 과정에서 제거되는 유기 용매 등의 성분을 제외한 성분을 의미한다.
〔고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2)〕
완충층 형성용 조성물이, 고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) (이하,「지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2)」라고도 한다) 를 함유함으로써, 완충층 형성용 조성물의 성막성이 향상되는 경향이 있다.
또한, 고리 형성 원자수란, 원자가 고리형으로 결합한 구조의 화합물의 당해 고리 자체를 구성하는 원자의 수를 나타내고, 고리를 구성하지 않는 원자 (예를 들어, 고리를 구성하는 원자에 결합한 수소 원자), 및 당해 고리가 치환기에 의해 치환되는 경우의 치환기에 포함되는 원자는 고리 형성 원자수에는 포함하지 않는다. 복소고리기의 고리 구조를 형성하는 원자로는, 예를 들어, 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자 등을 들 수 있다.
지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 는, (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.
지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 가 1 분자 중에 갖는 (메트)아크릴로일기의 수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 개 이상, 보다 바람직하게는 1 개 또는 2 개, 더욱 바람직하게는 1 개이다.
지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 가 갖는 지환기 또는 복소고리기의 고리 형성 원자수는, 6 ∼ 20 이며, 바람직하게는 6 ∼ 18, 보다 바람직하게는 6 ∼ 16, 더욱 바람직하게는 7 ∼ 12 이다.
지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 로는, 예를 들어, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 아다만탄(메트)아크릴레이트 등의 지환기 함유 (메트)아크릴레이트 ; 테트라하이드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 모르폴린(메트)아크릴레이트 등의 복소고리기 함유 (메트)아크릴레이트 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 지환기 함유 (메트)아크릴레이트가 바람직하고, 이소보르닐(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.
완충층 형성용 조성물 중의 지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량％) 에 대하여, 바람직하게는 10 ∼ 70 질량％, 보다 바람직하게는 20 ∼ 60 질량％, 더욱 바람직하게는 30 ∼ 50 질량％ 이다.
〔관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3)〕
완충층 형성용 조성물이 관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 을 함유함으로써, 완충층 형성용 조성물의 점도를 적당한 범위로 조정할 수 있는 경향이 있다.
관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 이 갖는 관능기로는, 예를 들면, 수산기, 에폭시기, 아미드기, 아미노기 등을 들 수 있다.
관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 이 1 분자 중에 갖는 관능기의 수는, 1 개 이상이며, 바람직하게는 1 ∼ 3 개, 보다 바람직하게는 1 개 또는 2 개, 더욱 바람직하게는 1 개이다.
관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 은, 관능기와 함께 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.
관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 이 1 분자 중에 갖는 (메트)아크릴로일기의 수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 개 이상, 보다 바람직하게는 1 개 또는 2 개, 더욱 바람직하게는 1 개이다.
관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 으로는, 예를 들어, 수산기 함유 중합성 화합물, 에폭시기 함유 중합성 화합물, 아미드기 함유 중합성 화합물, 아미노기 함유 중합성 화합물 등을 들 수 있다.
수산기 함유 중합성 화합물로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트 등의 수산기 함유 (메트)아크릴레이트 ; 하이드록시에틸비닐에테르, 하이드록시부틸비닐에테르 등의 비닐에테르 화합물 ; 등을 들 수 있다.
에폭시기 함유 중합성 화합물로는, 예를 들어, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르 등을 들 수 있다.
아미드기 함유 중합성 화합물로는, 예를 들어, (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N-부틸(메트)아크릴아미드, N-메틸올(메트)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메트)아크릴아미드, N-메톡시메틸(메트)아크릴아미드, N-부톡시메틸(메트)아크릴아미드, N-비닐포름아미드 등을 들 수 있다.
아미노기 함유 중합성 화합물로는, 예를 들어, 제 1 급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트, 제 2 급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트, 제 3 급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트 등의 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트가 바람직하고, 2-하이드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트 등의 방향고리를 갖는 수산기 함유 (메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.
완충층 형성용 조성물 중에 있어서의 관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량％) 에 대하여, 바람직하게는 5 ∼ 40 질량％, 보다 바람직하게는 10 ∼ 30 질량％, 더욱 바람직하게는 15 ∼ 25 질량％ 이다.
〔그 밖의 중합성 화합물〕
완충층 형성용 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, (a1) ∼ (a3) 성분 이외의 그 밖의 중합성 화합물을 함유하고 있어도 된다.
그 밖의 중합성 화합물로는, 예를 들면, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트 ; 스티렌, N-비닐피롤리돈, N-비닐카프로락탐 등의 비닐 화합물 ; 등을 들 수 있다.
그 밖의 중합성 화합물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
완충층 형성용 조성물 중에 있어서의 그 밖의 중합성 화합물의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량％) 에 대하여, 바람직하게는 0 ∼ 20 질량％, 보다 바람직하게는 0 ∼ 10 질량％, 더욱 바람직하게는 0 ∼ 2 질량％ 이다.
〔광중합 개시제〕
에너지선 중합성 화합물을 함유하는 완충층 형성용 조성물은, 에너지선 조사에 의한 중합 시간 및 에너지선 조사량을 저감시킨다는 관점에서, 추가로 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다.
광중합 개시제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
광중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물, 나아가서는, 아민, 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들어, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, 8-클로로안트라퀴논, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤이 바람직하다.
완충층 형성용 조성물 중에 있어서의 광중합 개시제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 에너지선 경화 반응을 균질하면서 또한 충분히 진행시킨다는 관점에서, 에너지선 중합성 화합물의 합계량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.05 ∼ 15 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 10 질량부, 더욱 바람직하게는 0.3 ∼ 5 질량부이다.
(그 밖의 성분)
완충층 형성용 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 성분을 함유하고 있어도 된다. 그 밖의 성분으로는, 예를 들어, 상기한 수지 이외의 수지 성분 ; 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제, 충전제, 방청제, 안료, 염료 등의 첨가제 ; 등을 들 수 있다.
완충층 형성용 조성물 중의 그 밖의 수지 성분의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량％) 에 대하여, 바람직하게는 0 ∼ 20 질량％, 보다 바람직하게는 0 ∼ 10 질량％, 더욱 바람직하게는 0 ∼ 2 질량％ 이다.
완충층 형성용 조성물 중의 그 밖의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 각각에 대해, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량％) 에 대하여, 바람직하게는 0 ∼ 6 질량％, 보다 바람직하게는 0.01 ∼ 5 질량％, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 3 질량％ 이다.
(완충층의 영률)
완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률은, 기재의 23 ℃ 에 있어서의 영률보다 작고, 구체적으로는, 바람직하게는 1,200 ㎫ 미만, 보다 바람직하게는 900 ㎫ 이하이다. 또, 완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률은, 바람직하게는 50 ㎫ 이상, 보다 바람직하게는 100 ㎫ 이상이다.
완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률이 상기 상한값 이하이면, 이면 연삭시에 생기는 진동, 충격 등을 흡수하는 효과 및 점착 시트의 유지성이 향상되는 경향이 있다. 또한, 완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률이 상기 하한값 이상이면, 워크를 가공할 때에 완충층이 과도하게 변형되는 것을 억제할 수 있는 경향이 있다.
또한, 완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률은, JIS K 7127:1999 에 준거하여, 시험 속도 200 mm/분의 조건으로 측정할 수 있다.
(완충층의 응력 완화율)
완충층의 응력 완화율은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 70 ∼ 100 ％, 보다 바람직하게는 75 ∼ 100 ％, 더욱 바람직하게는 78 ∼ 98 ％ 이다.
완충층의 응력 완화율이 상기 범위이면, 이면 연삭시에 생기는 진동, 충격 등을 흡수하는 효과 및 점착 시트의 유지성이 높아지는 경향이 있다.
완충층의 응력 완화율은, 두께 200 ㎛ 의 완충층을 15 mm × 140 mm 로 잘라낸 것을 시험편으로 하여, 그 시험편의 양단 20 mm 를 잡고, 200 mm/분으로 10 ％ 신장시켰을 때의 응력 A (N/㎡), 및 신장 정지로부터 1 분 후의 응력 B (N/㎡) 의 값을 사용하여, 하기 식으로부터 구할 수 있다.
응력 완화율 (％) = 100 × (A－B)/A (％)
(완충층의 두께)
완충층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10 ∼ 70 ㎛, 보다 바람직하게는 15 ∼ 50 ㎛, 더욱 바람직하게는 20 ∼ 40 ㎛ 이다.
완충층의 두께가 상기 하한값 이상이면, 이면 연삭시에 생기는 진동, 충격 등을 흡수하는 효과 및 점착 시트의 유지성이 높아지는 경향이 있다. 또한, 완충층의 두께가 상기 상한값 이하이면, 워크를 가공할 때에 완충층이 과도하게 변형되는 것을 억제할 수 있는 경향이 있다.
＜점착제층＞
점착제층은, 기재의 완충층과는 반대의 면측에 형성되는 층으로, 워크에 첩부되는 층이다.
점착제층은, 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 층인 것이 바람직하다. 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성됨으로써, 에너지선 경화 전에 있어서는 충분한 점착성에 의해 워크 표면을 양호하게 보호할 수 있고, 에너지선 경화 후에 있어서는 박리력이 저감되어, 워크로부터의 박리를 용이하게 할 수 있다.
에너지선 경화성 점착제로는, 예를 들면, 하기 X 형의 점착제 조성물, Y 형의 점착제 조성물, XY 형의 점착제 조성물 등을 들 수 있다.
X 형의 점착제 조성물 : 비에너지선 경화성의 점착성 수지 (이하,「점착성 수지 I」이라고도 한다) 와, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 에너지선 경화성 점착제 조성물
Y 형의 점착제 조성물 : 비에너지선 경화성의 점착성 수지의 측사슬에 불포화기를 도입한 에너지선 경화성의 점착성 수지 (이하,「점착성 수지 II」라고도 한다) 를 함유하고, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물을 함유하지 않는 에너지선 경화성 점착제 조성물
XY 형의 점착제 조성물 : 상기 에너지선 경화성의 점착성 수지 II 와, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 에너지선 경화성 점착제 조성물
이들 중에서도, 에너지선 경화성 점착제는, XY 형의 점착제 조성물인 것이 바람직하다. XY 형의 점착제 조성물을 사용함으로써, 경화 전에 있어서는 충분한 점착성을 갖는 한편, 경화 후에 있어서는 워크에 대한 박리력을 충분히 저감할 수 있는 경향이 있다.
점착제층을 형성하는 점착제는, 에너지선을 조사해도 경화되지 않는 비에너지선 경화성의 점착제로 형성되는 층이어도 된다.
비에너지선 경화성의 점착제로는, 예를 들면, 점착성 수지 I 을 함유하는 한편, 점착성 수지 II 및 에너지선 경화성 화합물을 함유하지 않는 것을 들 수 있다.
다음으로, 점착제층을 구성하는 각 성분에 대하여, 보다 상세하게 설명한다.
이하의 설명에 있어서「점착성 수지」는, 점착성 수지 I 및 점착성 수지 II 의 일방 또는 양방을 가리키는 용어로서 사용한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 간단히「점착제 조성물」이라고 기재하는 경우, X 형의 점착제 조성물, Y 형의 점착제 조성물, XY 형의 점착제 조성물 및 이들 이외의 점착제 조성물도 포함하는 개념으로 한다.
점착성 수지로는, 예를 들어, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 아크릴계 수지가 바람직하다.
(아크릴계 수지)
아크릴계 수지는, 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다.
알킬(메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 20 인 알킬(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.
알킬(메트)아크릴레이트가 갖는 알킬기는, 직사슬형이어도 되고, 분기형이어도 된다.
아크릴계 수지는, 점착제층의 점착력을 보다 향상시킨다는 관점에서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다.
아크릴계 수지에 함유되는 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위는, 1 종 단독 또는 2 종 이상이어도 된다.
알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트가 갖는 알킬기의 탄소수는, 바람직하게는 4 ∼ 12, 보다 바람직하게는 4 ∼ 8, 더욱 바람직하게는 4 ∼ 6 이다.
알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 부틸(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 부틸아크릴레이트가 보다 바람직하다.
아크릴계 수지가, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 경우, 그 함유량은, 점착제층의 점착력을 보다 향상시킨다는 관점에서, 아크릴계 수지 중, 바람직하게는 30 ∼ 90 질량％, 보다 바람직하게는 40 ∼ 80 질량％, 더욱 바람직하게는 45 ∼ 60 질량％ 이다.
아크릴계 수지는, 점착제층의 저장 탄성률 G' 및 점착 특성을 양호하게 한다는 관점에서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위와 함께, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다.
아크릴계 수지에 함유되는 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위는, 1 종 단독 또는 2 종 이상이어도 된다.
알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 메틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하고, 메틸메타크릴레이트가 더욱 바람직하다.
아크릴계 수지가, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 경우, 그 함유량은, 아크릴계 수지 중, 바람직하게는 1 ∼ 35 질량％, 보다 바람직하게는 5 ∼ 30 질량％, 더욱 바람직하게는 15 ∼ 25 질량％ 이다.
아크릴계 수지는, 추가로 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다.
아크릴계 수지가 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유함으로써, 가교제와 반응하는 가교 기점으로서의 관능기, 또는 불포화기 함유 화합물과 반응하여, 아크릴계 수지의 측사슬에 불포화기를 도입하는 것을 가능하게 하는 관능기를 도입할 수 있다.
아크릴계 수지에 함유되는 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위는, 1 종 단독 또는 2 종 이상이어도 된다.
관능기 함유 모노머로는, 예를 들어, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머가 바람직하고, 수산기 함유 모노머가 보다 바람직하다.
수산기 함유 모노머로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트 ; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 불포화 알코올 ; 등을 들 수 있다.
카르복시기 함유 모노머로는, 예를 들어, (메트)아크릴산, 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산 ; 푸마르산, 이타콘산, 말레산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산 및 그 무수물 ; 2-카르복시에틸메타크릴레이트 ; 등을 들 수 있다.
아크릴계 수지가, 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 경우, 그 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 아크릴계 수지 중, 바람직하게는 5 ∼ 45 질량％, 보다 바람직하게는 15 ∼ 40 질량％, 더욱 바람직하게는 25 ∼ 35 질량％ 이다.
아크릴계 수지는, 상기한 구성 단위 이외에도, 아크릴계 모노머와 공중합 가능한 그 밖의 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유하고 있어도 된다.
아크릴계 수지에 함유되는 그 밖의 모노머에서 유래하는 구성 단위는, 1 종 단독 또는 2 종 이상이어도 된다.
그 밖의 모노머로는, 예를 들어, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 포름산비닐, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 등을 들 수 있다.
아크릴계 수지는, 추가로 에너지선 경화성을 부여하기 위해서, 에너지선 중합성을 갖는 불포화기를 도입한 것이어도 된다.
불포화기는, 예를 들어, 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 아크릴계 수지의 관능기와, 그 관능기와 반응성을 갖는 반응성 치환기 및 불포화기를 갖는 화합물 (이하,「불포화기 함유 화합물」이라고도 한다) 의 반응성 치환기를 반응시키는 것에 의해 도입할 수 있다. 불포화기 함유 화합물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
불포화기 함유 화합물이 갖는 불포화기로는, 예를 들어, (메트)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, (메트)아크릴로일기가 바람직하다.
불포화기 함유 화합물이 갖는 반응성 치환기로는, 예를 들어, 이소시아네이트기, 글리시딜기 등을 들 수 있다.
불포화기 함유 화합물로는, 예를 들어, (메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, (메트)아크릴로일이소시아네이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 아크릴계 수지와 불포화기 함유 화합물을 반응시키는 경우, 아크릴계 수지 중의 관능기의 총수 중, 불포화기 함유 화합물과 반응하는 관능기의 비율은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 60 ∼ 98 몰％, 보다 바람직하게는 70 ∼ 95 몰％, 더욱 바람직하게는 80 ∼ 93 몰％ 이다.
불포화기 함유 화합물과 반응하는 관능기의 비율이 상기 범위이면, 아크릴계 수지에 대하여 충분한 에너지선 경화성을 부여할 수 있음과 함께, 불포화기 함유 화합물과 반응하지 않은 관능기를 가교제와 반응시켜 아크릴계 수지를 가교시킬 수 있다.
아크릴계 수지의 질량 평균 분자량 (Mw) 은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 30 만 ∼ 150 만, 보다 바람직하게는 35 만 ∼ 100 만, 더욱 바람직하게는 40 만 ∼ 60 만이다.
아크릴계 수지의 질량 평균 분자량 (Mw) 이 상기 범위이면, 점착제층의 점착력 및 응집력이 보다 양호해지는 경향이 있다.
(에너지선 경화성 화합물)
X 형 또는 XY 형의 점착제 조성물에 함유되는 에너지선 경화성 화합물로는, 분자 내에 불포화기를 갖고, 에너지선 조사에 의해 경화 가능한 모노머 또는 올리고머가 바람직하다.
에너지선 경화성 화합물로는, 예를 들어, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올(메트)아크릴레이트 등의 다가 (메트)아크릴레이트 모노머 ; 우레탄(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 폴리에테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트 등의 올리고머 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 비교적 분자량이 높고, 점착제층의 탄성률을 저하시키기 어렵다는 관점에서, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머가 바람직하다.
에너지선 경화성 화합물의 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 100 ∼ 12,000, 보다 바람직하게는 200 ∼ 10,000, 더욱 바람직하게는 400 ∼ 8,000, 보다 더 바람직하게는 600 ∼ 6,000 이다. 또한, 에너지선 경화성 화합물이 올리고머인 경우, 상기 분자량은, 질량 평균 분자량 (Mw) 을 의미한다.
X 형의 점착제 조성물 중에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 40 ∼ 200 질량부, 보다 바람직하게는 50 ∼ 150 질량부, 더욱 바람직하게는 60 ∼ 90 질량부이다.
X 형의 점착제 조성물 중에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량이 상기 범위이면, 에너지선 조사 전의 점착력과 에너지선 조사 후의 박리성의 밸런스가 양호해지는 경향이 있다.
XY 형의 점착제 조성물 중에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 30 질량부, 보다 바람직하게는 2 ∼ 20 질량부, 더욱 바람직하게는 3 ∼ 15 질량부이다.
XY 형의 점착제 조성물 중에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량이 상기 범위이면, 에너지선 조사 전의 점착력과 에너지선 조사 후의 박리성의 밸런스가 양호해지는 경향이 있다. 또한, XY 형의 점착제 조성물은, 점착성 수지가 에너지선 경화성이기 때문에, 에너지선 경화성 화합물의 함유량이 적어도, 에너지선 조사 후, 박리력을 충분히 저감할 수 있는 경향이 있다.
(가교제)
점착제 조성물은, 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.
가교제는, 예를 들면, 점착성 수지가 갖는 관능기 함유 모노머에서 유래하는 관능기와 반응함으로써, 점착성 수지끼리를 가교시키는 것이다.
가교제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
가교제로는, 예를 들어, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이들의 어덕트체 등의 이소시아네이트계 가교제 ; 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시계 가교제 ; 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제 ; 알루미늄킬레이트 등의 킬레이트계 가교제 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 응집력을 높여 점착력을 보다 향상시킨다는 관점 및 입수 용이성의 관점에서, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다.
점착제 조성물이 가교제를 함유하는 경우, 그 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 가교 반응을 적당히 진행시킨다는 관점에서, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 7 질량부, 더욱 바람직하게는 0.05 ∼ 4 질량부이다.
(광중합 개시제)
점착제가 에너지선 경화성 점착제인 경우, 점착제 조성물은, 추가로 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 에너지선 경화성 점착제가 광중합 개시제를 함유함으로써, 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선이라도, 에너지선 경화성 점착제의 경화 반응이 충분히 진행되는 경향이 있다.
광중합 개시제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
광중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물, 나아가서는, 아민, 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들어, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, 8-클로로안트라퀴논, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다.
에너지선 경화성 점착제가 광중합 개시제를 함유하는 경우, 그 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 에너지선 경화 반응을 균질하면서 또한 충분히 진행시킨다는 관점에서, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 7 질량부, 더욱 바람직하게는 0.05 ∼ 5 질량부이다.
(그 밖의 첨가제)
점착제 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. 그 밖의 첨가제로는, 예를 들어, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제, 충전제, 녹 방지제, 안료, 염료 등을 들 수 있다.
점착제 조성물 중의 그 밖의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 각각에 대해, 점착제 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량％) 에 대하여, 바람직하게는 0 ∼ 6 질량％, 보다 바람직하게는 0.01 ∼ 5 질량％, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 3 질량％ 이다.
또한, 본 실시형태에 있어서, 점착제 조성물의 유효 성분이란, 점착제 조성물 중에 함유되는 성분으로부터, 점착제층을 형성하는 과정에서 제거되는 유기 용매 등의 성분을 제외한 성분을 의미한다.
(유기 용매)
점착제 조성물은, 기재, 박리 시트 등에 대한 도포성을 보다 향상시킨다는 관점에서, 유기 용매로 희석하여, 용액의 형태로 해도 된다.
유기 용매로는, 예를 들어, 메틸에틸케톤, 아세톤, 아세트산에틸, 테트라하이드로푸란, 디옥산, 시클로헥산, n-헥산, 톨루엔, 자일렌, n-프로판올, 이소프로판올 등을 들 수 있다.
유기 용매는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고 2 종 이상을 병용해도 된다.
유기 용매는, 점착성 수지의 합성시에 사용된 유기 용매를 그대로 사용해도 되고, 합성시에 사용된 유기 용매 이외의 1 종 이상의 유기 용매를 추가해도 된다.
점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.05 ∼ 0.5 ㎫, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 0.4 ㎫, 더욱 바람직하게는 0.12 ∼ 0.3 ㎫ 이다.
점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 가 상기 범위이면, 워크의 표면에 요철이 있는 경우에도, 요철 형상에 대한 추종성이 우수한 점착제층이 얻어져, 가공시에 워크의 표면을 보다 양호하게 보호할 수 있는 경향이 있다.
또한, 점착제층의 저장 탄성률 G' 는, 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에는, 에너지선 조사에 의한 경화 전의 저장 탄성률 G' 를 의미한다.
점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 는, 두께 3 mm 의 점착제층을 직경 8 mm 의 원형으로 잘라낸 것을 시험편으로 하여, 점탄성 측정 장치를 사용한 비틀림 전단법에 의해, 주파수 1 Hz, 측정 온도 23 ℃ 의 조건에서 측정할 수 있다.
점착제층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5 ∼ 100 ㎛, 보다 바람직하게는 10 ∼ 80 ㎛, 더욱 바람직하게는 15 ∼ 60 ㎛ 이다.
점착제층의 두께가 상기 하한값 이상이면, 우수한 점착성이 얻어져, 가공시에 워크의 표면을 보다 양호하게 보호할 수 있는 경향이 있다. 또한, 점착제층의 두께가 상기 상한값 이하이면, 점착 시트의 절단시에 있어서의 테이프 부스러기의 발생이 억제되어, 워크의 파손을 보다 양호하게 방지할 수 있는 경향이 있다.
<기재>
기재로는, 예를 들어, 각종 수지 필름을 들 수 있다. 수지 필름을 구성하는 수지로는, 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE), 직사슬 저밀도 폴리에틸렌 (LLDPE), 고밀도 폴리에틸렌 (HDPE) 등의 폴리에틸렌 ; 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-노르보르넨 공중합체, 노르보르넨 수지 등의 폴리올레핀 ; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 등의 에틸렌계 공중합체 ; 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체 등의 폴리염화비닐 ; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 전방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르 ; 폴리우레탄, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 불소 수지, 폴리아세탈, 변성 폴리페닐렌 옥사이드, 폴리페닐렌술파이드, 폴리술폰, 폴리에테르케톤, 아크릴계 중합체 ; 등을 들 수 있다.
기재는, 이들 수지에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 수지로 이루어지는 수지 필름의 단층 필름이어도 되고, 이들 수지 필름을 2 종 이상 적층한 적층 필름이어도 된다. 또한, 상기 수지의 가교 필름, 아이오노머 필름 등의 변성 필름이어도 된다.
이들 수지 필름 중에서도, 기재는, 폴리에스테르 필름, 폴리아미드 필름, 폴리이미드 필름 및 2 축 연신 폴리프로필렌 필름에서 선택되는 1 종 이상이 바람직하고, 폴리에스테르 필름이 보다 바람직하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 더욱 바람직하다.
기재의 영률은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1,000 ㎫ 이상, 보다 바람직하게는 1,800 ∼ 30,000 ㎫, 더욱 바람직하게는 2,500 ∼ 6,000 ㎫ 이다.
기재의 영률이 상기 하한값 이상이면, 워크 가공시에 있어서의 진동 억제 효과가 보다 향상되는 경향이 있다. 또한, 기재의 영률이 상기 상한값 이하이면, 워크에 첩부할 때의 작업성, 및 워크로부터 박리할 때의 작업성이 양호해지는 경향이 있다.
또한, 기재의 영률은, JIS K 7127:1999 에 준거하여, 시험 속도 200 mm/분의 조건에서 측정할 수 있다.
기재의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10 ∼ 200 ㎛, 보다 바람직하게는 25 ∼ 100 ㎛, 더욱 바람직하게는 30 ∼ 70 ㎛ 이다.
기재의 두께가 상기 하한값 이상이면, 점착 시트의 지지체로서 기능하기 위한 충분한 강도가 얻어지는 경향이 있다. 또한, 기재의 두께가 상기 상한값 이하이면, 적당한 가요성이 얻어지고, 취급성이 향상되는 경향이 있다.
또한,「기재의 두께」란, 기재 전체의 두께를 의미하고, 기재가 복수층으로 이루어지는 기재인 경우에는, 기재를 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.
기재는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 가소제, 활제, 적외선 흡수제, 자외선 흡수제, 필러, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 촉매 등을 함유해도 된다.
기재는, 투명한 것이어도 되고, 불투명한 것이어도 되며, 원하는 바에 따라 착색 또는 증착되어 있어도 된다.
기재는, 다른 층과의 접착성을 향상시킨다는 관점에서, 적어도 일방의 면에 대하여, 코로나 처리 등의 표면 처리를 실시한 것이어도 되고, 접착성 향상을 목적으로 하는 코트층을 형성한 것이어도 된다.
<박리 시트>
본 실시형태의 점착 시트는, 점착제층의 표면 및 표면 코트층의 표면의 적어도 일방에 박리 시트가 첩부되어 있어도 된다. 박리 시트는, 사용 전의 점착 시트의 표면에 박리 가능하게 첩부됨으로써 그 표면을 보호하고, 점착 시트를 사용할 때에는 박리되어 제거된다.
박리 시트는, 편면 박리 처리된 박리 시트여도 되고, 양면 박리 처리된 박리 시트여도 된다.
박리 시트로는, 박리 시트용 기재에 박리제를 도포한 박리 시트를 바람직하게 들 수 있다.
박리 시트용 기재로는, 수지 필름이 바람직하고, 그 수지 필름으로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르 필름 ; 폴리프로필렌 필름, 폴리에틸렌 필름 등의 폴리올레핀 필름 ; 등을 들 수 있다.
박리제로는, 예를 들어, 실리콘계 수지, 올레핀계 수지, 이소프렌계 수지, 부타디엔계 수지 등의 고무계 엘라스토머 ; 장사슬 알킬계 수지, 알키드계 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있다.
박리 시트의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5 ∼ 200 ㎛, 보다 바람직하게는 10 ∼ 100 ㎛, 더욱 바람직하게는 20 ∼ 50 ㎛ 이다.
본 실시형태의 점착 시트의 총 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 30 ∼ 300 ㎛, 보다 바람직하게는 40 ∼ 220 ㎛, 더욱 바람직하게는 45 ∼ 160 ㎛ 이다.
점착 시트의 총 두께가 상기 하한값 이상이면, 점착제층의 점착 성능, 완충층의 충격 흡수 성능 등이 적절하게 유지되어, 반도체 가공용 점착 시트로서의 기능을 충분히 발휘할 수 있는 경향이 있다. 또한, 점착 시트의 총 두께가 상기 상한값 이하이면, 워크를 점착 시트로부터 박리할 때의 박리력을 작게 할 수 있는 경향이 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서,「점착 시트의 총 두께」란, 점착 시트의 표면 코트층의 표면에서부터 점착제층의 표면까지의 두께를 의미하고, 박리 시트가 형성되는 경우, 박리 시트의 두께는 총 두께에 포함되지 않는다.
＜점착 시트의 제조 방법＞
본 실시형태의 점착 시트의 제조 방법으로는, 특별히 제한은 없으며, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.
본 실시형태의 점착 시트는, 예를 들어, 기재의 일방의 면측에 점착제층을 형성하는 공정 (이하,「점착제층 형성 공정」이라고도 한다), 기재의 타방의 면측에 완충층을 형성하는 공정 (이하,「완충층 형성 공정」이라고도 한다), 완충층의 기재와 반대의 면측에 표면 코트층을 형성하는 공정 (이하,「표면 코트층 형성 공정」이라고도 한다) 을 갖는 방법에 의해 제조할 수 있다. 또한, 이들 공정의 순서는 특별히 한정되지 않고, 동시에 실시할 수 있는 경우에는, 동시에 실시해도 된다.
점착제층 형성 공정은, 예를 들어, 박리 시트 상에 형성한 점착제층을 기재의 표면에 첩합 (貼合) 하는 방법이어도 되고, 기재의 표면에, 점착제 조성물을 직접 도포함으로써 점착제층을 형성하는 방법이어도 된다.
완충층 형성 공정은, 예를 들어, 박리 시트 상에 형성한 완충층을 기재의 표면에 첩합하는 방법이어도 되고, 기재의 표면에 완충층 형성용 조성물을 직접 도포함으로써 완충층을 형성하는 방법이어도 된다.
표면 코트층 형성 공정은, 예를 들어, 박리 시트 상에 형성한 표면 코트층을 기재 상의 완충층의 표면에 첩합하는 방법이어도 되고, 기재 상의 완충층의 표면에, 표면 코트층용 도포액을 직접 도포하여 표면 코트층을 형성하는 방법이어도 된다.
또, 완충층 형성 공정 및 표면 코트층 형성 공정은, 박리 시트 상에 표면 코트층 및 완충층을 이 순서로 형성한 후, 완충층을 기재의 표면에 첩합하는 방법이어도 된다.
박리 시트 상에 점착제층, 완충층 또는 표면 코트층을 형성하는 방법으로는, 예를 들어, 박리 시트 상에, 점착제 조성물, 완충층 형성용 조성물 또는 표면 코트층용 도포액을 공지된 방법에 의해 도포한 후, 필요에 따라, 에너지선 조사, 가열 건조 등을 실시하는 방법을 들 수 있다.
점착제 조성물, 완충층 형성용 조성물 또는 표면 코트층용 도포액을 도포하는 방법으로는, 예를 들어, 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비어 코트법 등을 들 수 있다.
완충층 형성용 조성물이 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 경우, 에너지선 조사에 의한 경화 처리는, 1 회로 실시해도 되고, 복수 회로 나누어 실시해도 된다.
경화 처리를 1 회로 실시하는 경우, 기재 상에 완충층 형성용 조성물의 도포막을 형성한 후, 에너지선 조사에 의해 완충층 형성용 조성물을 완전히 경화시켜도 되고, 박리 시트 상에서 완충층 형성용 조성물을 완전히 경화시키고 나서, 이것을 기재에 첩합해도 된다.
경화 처리를 복수 회로 나누어 실시하는 경우, 박리 시트 상에 완충층 형성용 조성물의 도포막을 형성한 후, 박리 시트 상에서는 완충층 형성용 조성물을 완전하게는 경화시키지 않고, 반경화의 상태까지 경화시키고 나서 기재에 첩합하고, 그 후, 재차 에너지선을 조사함으로써 완충층 형성용 조성물을 완전히 경화시켜도 된다.
또한, 완충층 형성용 조성물의 경화 처리로 조사하는 에너지선으로는, 자외선이 바람직하다.
완충층 형성용 조성물을 경화시킬 때, 완충층 형성용 조성물의 도포막은 외부로 폭로된 상태여도 되지만, 박리 시트 또는 기재로 도포막이 덮여, 도포막이 외부로 폭로되지 않은 상태에서 에너지선을 조사하는 것이 바람직하다.
＜점착 시트의 용도＞
본 실시형태의 점착 시트를 첩부한 상태에서 실시되는 워크의 가공으로는, 예를 들어, 반도체 장치의 일방의 면에 점착 시트를 첩부한 상태에서 타방의 면을 연삭하는 백 그라인드 가공, 반도체 장치의 일방의 면에 점착 시트를 첩부한 상태에서 반도체 장치를 개편화하는 다이싱 가공, 반도체 장치의 반송, 반도체 칩의 픽업 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 본 실시형태의 점착 시트는 백 그라인드 가공에 바람직하고, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 본 실시형태의 점착 시트를 첩부한 상태에서 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 백 그라인드 가공에 보다 바람직하다. 특히, 본 실시형태의 점착 시트는, 반도체 웨이퍼를 박형화할 때에 있어서의 크랙의 발생을 억제하는 효과를 갖기 때문에, 선 다이싱법, 스텔스 선 다이싱법 등의 프로세스에 적합하다.
[반도체 장치의 제조 방법]
본 실시형태의 반도체 장치의 제조 방법은,
본 실시형태의 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 상기 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정,
을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법이다.
또한, 본 실시형태의 반도체 장치의 제조 방법은,
반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하는 공정 a, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면에서부터 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정 b 인, 분할 예정 라인 형성 공정과,
상기 공정 a 의 후, 또는 상기 공정 b 의 전 혹은 후에, 본 실시형태의 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여, 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는, 시트 첩부 공정과,
상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 상기 홈 또는 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 반도체 칩으로 개편화하는, 연삭 및 개편화 공정,
을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법인 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태의 반도체 장치의 제조 방법은, 연삭 및 개편화 공정 후에, 복수의 반도체 칩으로부터, 본 실시형태의 반도체 가공용 점착 시트를 박리하는, 박리 공정을 포함하고 있어도 된다.
또한, 상기 공정 a 를 갖는 반도체 장치의 제조 방법은, 선 다이싱법에 상당하는 프로세스이고, 상기 공정 b 를 갖는 반도체 장치의 제조 방법은, 스텔스 선 다이싱법에 상당하는 프로세스이다.
본 실시형태의 제조 방법에서 사용하는 반도체 웨이퍼로는, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼, 갈륨비소 웨이퍼, 질화갈륨 웨이퍼, 실리콘카바이드 웨이퍼, 유리 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 실리콘 웨이퍼가 바람직하다.
반도체 웨이퍼의 표면에는, 통상, 배선, 커패시터, 다이오드, 트랜지스터 등의 회로가 형성되어 있다. 이들 회로는, 예를 들어, 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래 공지된 방법에 의해 형성할 수 있다.
반도체 웨이퍼의 연삭 전의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상은 500 ∼ 1,000 ㎛ 이다.
이하, 본 실시형태의 반도체 장치의 제조 방법의 각 공정을 상세하게 설명한다.
<분할 예정 라인 형성 공정>
분할 예정 라인 형성 공정은, 반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하는 공정 a, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면에서부터 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정 b 이다.
공정 a 는 반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하는 공정으로, 점착 시트를 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하기 전에 실시된다.
공정 a 에서 반도체 웨이퍼의 표면에 형성하는 홈은, 반도체 웨이퍼의 두께보다 깊이가 얕은 홈이다. 공정 a 의 후에 반도체 웨이퍼는 공정 a 에서 형성한 홈에 도달할 때까지 이면 연삭되어, 복수의 반도체 칩으로 분할된다. 그 때문에, 공정 a 에 있어서 홈은, 반도체 웨이퍼가 분할되어 반도체 칩으로 개편화될 때의 분할 라인을 따라 형성된다.
홈의 형성은, 종래 공지된 웨이퍼 다이싱 장치 등을 사용한 다이싱에 의해 실시하는 것이 가능하다.
공정 b 는, 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면에서부터 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정으로, 점착 시트를 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하기 전에 실시해도 되고, 후에 실시해도 된다.
공정 b 에 있어서 개질 영역은, 반도체 웨이퍼의 내부에 초점을 맞춘 레이저의 조사에 의해 반도체 웨이퍼의 내부에 형성된다. 그 개질 영역은, 반도체 웨이퍼에 있어서 취질화 (脆質化) 된 부분으로, 이면 연삭에 의해 반도체 웨이퍼가 얇아지거나, 연삭에 의한 힘이 가해지거나 함으로써 파괴되어, 반도체 웨이퍼가 반도체 칩으로 개편화되는 기점이 되는 영역이다. 그 때문에, 개질 영역은, 반도체 웨이퍼가 분할되어 반도체 칩으로 개편화될 때의 분할 라인을 따라 형성된다.
레이저의 조사는, 반도체 웨이퍼의 표면측에서부터 실시해도 되고, 이면측에서부터 실시해도 된다. 공정 b 를, 시트 첩부 공정 후에 실시하는 경우, 점착 시트를 개재하여 반도체 웨이퍼에 레이저를 조사해도 된다.
<시트 첩부 공정>
시트 첩부 공정은, 공정 a 의 후, 또는 공정 b 의 전 혹은 후에, 점착 시트를, 점착제층을 첩부면으로 하여, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정이다.
점착 시트를 첩부하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 라미네이터 등을 사용하는, 종래 공지된 방법을 적용할 수 있다.
<연삭 및 개편화 공정>
연삭 및 개편화 공정은, 반도체 웨이퍼에 첩부된 점착 시트의 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 상기 홈 또는 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 반도체 칩으로 개편화하는 공정이다.
점착 시트가 첩부되고, 또한 홈 또는 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼는, 점착 시트의 표면 코트층측이 지지 장치에 의해 고정된다. 지지 장치로는, 특별히 한정되지 않지만, 척 테이블 등의 고정 대상물을 흡인하여 유지하는 장치가 바람직하다.
이어서, 고정된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 반도체 웨이퍼를 복수의 반도체 칩으로 개편화한다.
이면 연삭은, 공정 a 에 의해 반도체 웨이퍼에 홈이 형성되어 있는 경우에는, 적어도 연삭면이 홈의 바닥부에 이르는 위치까지 반도체 웨이퍼를 연삭한다. 이 이면 연삭에 의해, 홈은 웨이퍼를 관통하는 절입이 되고, 반도체 웨이퍼는 절입에 의해 분할되어, 개개의 반도체 칩으로 개편화된다.
한편, 공정 b 에 의해 반도체 웨이퍼에 개질 영역이 형성되어 있는 경우에는, 연삭면은 개질 영역에 도달해도 되지만, 엄밀하게 개질 영역까지 도달하지 않아도 된다. 즉, 개질 영역을 기점으로 하여 반도체 웨이퍼가 파괴되어 반도체 칩으로 개편화되도록, 개질 영역에 근접하는 위치까지 연삭하면 된다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼를 개편화시키지 않고 개질 영역에 근접하는 위치까지 연삭한 후, 반도체 웨이퍼에 픽업 테이프를 첩부하고, 그 픽업 테이프를 연신함으로써 반도체 칩으로 개편화시켜도 된다.
개편화된 반도체 칩의 형상은, 방형 (方形) 이어도 되고, 직사각형 등의 가늘고 긴 형상이어도 된다.
개편화된 반도체 칩의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5 ∼ 100 ㎛, 보다 바람직하게는 7 ∼ 70 ㎛, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 45 ㎛ 이다.
개편화된 반도체 칩의 칩 사이즈는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 50 ㎟ 미만, 보다 바람직하게는 30 ㎟ 미만, 더욱 바람직하게는 10 ㎟ 미만이다.
<박리 공정>
박리 공정은, 연삭 및 개편화 공정 후에, 복수의 반도체 칩으로부터 점착 시트를 박리하는 공정이다.
점착 시트의 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에는, 에너지선을 조사함으로써 점착제를 경화시켜, 점착제층의 박리력을 작게 하고 나서, 점착 시트를 박리한다.
또한, 점착 시트를 박리할 때에는, 픽업 테이프를 사용해도 된다. 픽업 테이프는, 예를 들어, 기재와, 기재의 일방의 면에 형성된 점착제층을 구비하는 점착 시트에 의해 구성되는 것이다.
픽업 테이프를 사용하는 경우, 먼저, 개편화된 반도체 웨이퍼의 이면측에, 픽업 테이프를 첩부하고, 픽업이 가능하도록 위치 및 방향 맞춤을 실시한다. 이 때, 반도체 웨이퍼의 외주측에 배치한 링 프레임도 픽업 테이프에 첩합하여, 픽업 테이프의 외주 가장자리부를 링 프레임에 고정시키는 것이 바람직하다. 이어서, 픽업 테이프 상에 고정된 복수의 반도체 칩으로부터 점착 테이프를 박리한다.
그 후, 픽업 테이프 상에 있는 복수의 반도체 칩을 픽업하고 나서, 기판 등의 위에 고정화시켜, 반도체 장치를 제조해도 된다.
실시예
이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 제한되는 것은 아니다. 각종 물성의 측정 방법 및 평가 방법은, 이하와 같다.
[질량 평균 분자량 (Mw)]
질량 평균 분자량 (Mw) 은, 겔 침투 크로마토그래프 장치 (토소 주식회사 제조, 제품명「HLC-8220」) 를 사용하여 하기의 조건으로 측정하고, 표준 폴리스티렌 환산으로 구하였다.
(측정 조건)
·칼럼 :「TSK guard column HXL-H」「TSK gel GMHXL(×2)」「TSK gel G2000HXL」(모두 토소 주식회사 제조)
·칼럼 온도 : 40 ℃
·전개 용매 : 테트라하이드로푸란
·유속 : 1.0 ㎖/min
[점착 시트 등의 두께 측정]
정압 두께 측정기 (주식회사 테크락 제조, 상품명「PG-02」) 에 의해 점착 시트의 총 두께, 각 층의 두께 및 이들로부터 제조되는 시험편의 두께를 측정하였다. 이 때, 임의의 10 점을 측정하여, 평균값을 산출하였다.
또한, 점착 시트의 총 두께는, 박리 시트가 부착된 점착 시트의 두께를 측정하고, 그 두께에서 박리 시트의 두께를 뺀 값이다.
또, 완충층의 두께는, 완충층이 형성된 기재의 두께에서, 기재의 두께를 뺀 값이다.
또, 표면 코트층의 두께는, 박리 시트가 부착된 표면 코트층의 두께에서, 박리 시트의 두께를 뺀 값이다.
또한, 점착제층의 두께는, 점착 시트의 총 두께에서 표면 코트층, 완충층 및 기재의 두께를 뺀 값이다.
[표면 코트층의 물 접촉각의 측정]
표면 코트층의 물 접촉각은, JIS R 3257:1999 에 준거하여 측정하였다. 구체적으로는, 실시예 및 비교예에서 제조한 점착 시트의 표면 코트층측의 박리 시트를 박리하고, 노출된 표면 코트층의 노출면에 정제수를 적하했을 때의 정적 접촉각을, 전자동식 접촉각 측정계 (쿄와 계면 과학사 제조, 제품명「DM-701」) 를 사용하여 이하의 조건으로 측정하였다.
·측정 온도 : 23 ℃
·정제수의 액적량 : 2 μl
·측정 시간 : 적하 1 초 후
·화상 해석법: θ/2 법
[표면 코트층의 연삭 부스러기 부착량의 평가]
실시예 및 비교예에서 제조한 점착 시트를 가로세로 5 cm 로 잘라내고, 표면 코트층측의 박리 시트를 박리하여 표면 코트층을 노출시킨 시험편을 준비하였다. 그 시험편의 4 모서리 중 임의의 1 모서리를 고정시켜 매달고, 실리콘 웨이퍼의 연삭 부스러기를 2 질량％ 포함하는 연삭수에 1 분간 침지하였다. 연삭수로부터 시험편을 꺼내고, 매단 채로 23 ℃ 에서 24 시간 정치하여 건조시킨 후, 시험편의 표면 코트층을 육안 관찰하여, 이하의 기준으로 연삭 부스러기 부착량을 평가하였다. 또한, 이하의 평가 기준에 있어서,「연삭 부스러기 부착부」란, 표면 코트층 상에 부착된 연삭수의 액적이 건조되어 이루어지는 섬 형상의 연삭 부스러기 부착 지점을 의미한다.
A : 표면 코트층 상에 연삭 부스러기 부착부가 1 군데 있거나, 또는 연삭 부스러기 부착부로 식별할 수 있을 정도로 연삭 부스러기가 부착되어 있지 않다.
B : 표면 코트층 상에 연삭 부스러기 부착부가 2 ∼ 5 군데 있다.
C : 표면 코트층 상에 연삭 부스러기 부착부가 6 군데 이상 있지만, 표면 코트층의 전체면에는 연삭 부스러기가 부착되어 있지 않다.
D : 표면 코트층의 전체면에 연삭 부스러기가 부착되어 있다.
[완충층에 사용하는 우레탄아크릴레이트계 올리고머의 조제]
제조예 1
폴리에스테르디올과 이소포론디이소시아네이트를 반응시켜 얻어진 말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머에, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 반응시켜, 질량 평균 분자량 (Mw) 이 5,000 인 2 관능의 우레탄아크릴레이트계 올리고머를 얻었다.
[점착제층에 사용하는 에너지선 경화성의 아크릴계 수지의 조제]
제조예 2
n-부틸아크릴레이트 52 질량부, 메틸메타크릴레이트 20 질량부 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 28 질량부를 공중합하여 아크릴계 중합체를 얻었다. 이어서, 그 아크릴계 중합체의 전체 수산기 중 90 몰％ 의 수산기에 부가하도록, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 반응시켜, 질량 평균 분자량 (Mw) 이 50 만인 에너지선 경화성의 아크릴계 수지를 얻었다.
[점착 시트의 제조]
실시예 1 ∼ 3, 비교예 1 ∼ 3
다음으로, 이하에 나타내는 방법에 의해 점착 시트를 제조하였다. 또한, 이하의 설명에 있어서의 각 성분의 배합량은 모두 유효 성분의 배합량을 의미한다.
(1) 기재의 준비
기재로서, 두께 50 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (영률 : 2500 ㎫) 을 준비하였다.
(2) 표면 코트층용 도포액의 조제
실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 ∼ 2 는, 표 1 에 나타내는 수지를, 유효 성분 농도가 10 질량％ 가 되도록 톨루엔에 용해시킨 것을 표면 코트층용 도포액으로 하였다.
비교예 3 은 표 1 에 나타내는 수지 100 질량부 및 실리카 필러 (닛산 화학 공업사 제조, 상품명「스노우텍스 (등록상표) UP」) 30 질량부를 유효 성분 농도가 5 질량％ 가 되도록 톨루엔에 용해 및 분산시킨 것을 표면 코트층용 도포액으로 하였다.
(3) 완충층 형성용 조성물의 조제
제조예 1 에서 얻은 우레탄아크릴레이트계 올리고머 40 질량부, 이소보르닐아크릴레이트 40 질량부, 2-하이드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트 20 질량부, 광중합 개시제로서의 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤 2.0 질량부 및 프탈로시아닌계 안료 0.2 질량부를 배합하여, 완충층 형성용 조성물을 조제하였다.
(4) 점착제 조성물의 조제
제조예 2 에서 얻은 에너지선 경화성의 아크릴계 수지 100 질량부, 에너지선 경화성 화합물인 다관능 우레탄아크릴레이트 (닛폰 합성 화학 공업 주식회사 제조, 상품명「시코 UT-4332」, 질량 평균 분자량 (Mw) 4,700) 6 질량부, 이소시아네이트계 가교제 (토소 주식회사 제조, 상품명「콜로네이트 L」) 0.375 질량부, 및 광중합 개시제로서의 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 1 질량부를 배합하고, 용제로 희석함으로써 점착제 조성물을 조제하였다.
(5) 점착 시트의 제조
먼저 나타낸 기재의 일방의 면에, 상기에서 얻은 완충층 형성용 조성물을 도포한 후, 조도 160 mW/㎠, 조사량 500 mJ/㎠ 의 조건으로 자외선을 조사함으로써 완충층 형성용 조성물을 경화시켜, 기재의 일방의 면에 두께 13 ㎛ 의 완충층을 갖는 완충층이 형성된 기재를 제조하였다.
또한, 박리 시트 (린텍 주식회사 제조, 상품명「SP-PET381031」) 의 박리 처리면에, 상기에서 얻은 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 20 ㎛ 가 되도록 도포한 후, 가열 건조시켜, 점착제층이 형성된 박리 시트를 제조하였다. 그 점착제층이 형성된 박리 시트의 점착제층을, 완충층이 형성된 기재의 완충층이 형성되어 있지 않은 면에 첩부함으로써, 완충층, 기재 및 점착제층을 이 순서로 갖는 적층체를 제조하였다.
또, 박리 시트 (린텍 주식회사 제조, 상품명「SP-PET381031」) 의 박리 처리면에, 상기에서 얻은 표면 코트층용 도포액을, 건조 후의 두께가 2 ㎛ 가 되도록 마이어 바로 도포한 후, 가열 건조시켜, 박리 시트가 부착된 표면 코트층을 제조하였다. 그 박리 시트가 부착된 표면 코트층의 표면 코트층을, 상기 적층체의 완충층의 표면에 첩부하여, 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을 이 순서로 갖는 점착 시트를 얻었다.
각 실시예 및 비교예에서 얻어진 점착 시트를 사용하여 실시한 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure pct00001
·무수 말레산 변성 폴리올레핀 수지 : 프로필렌-부텐-무수 말레산 공중합체, 무수 말레산 변성률: 1.5 질량％, 질량 평균 분자량 (Mw) : 75,000, 헤테로 원자 함유량 : 0.735 질량％, 토요보 주식회사 제조, 상품명「토요택 (등록상표) PMA-L」
·에틸렌-고리형 올레핀 공중합체 : 에틸렌-테트라시클로도데센 공중합체, 테트라시클로도데센에서 유래하는 구성 단위의 함유량 : 20 ∼ 32 몰％, 헤테로 원자 함유량 : 5.2 질량％, 미츠이 화학 주식회사 제조, 상품명「아펠 (등록상표) APL6509T」
·에틸렌-아세트산비닐 공중합체 : 아세트산비닐 함유량 : 14 질량％, 헤테로 원자 함유량 : 0 질량％, 토요보 주식회사 제조, 상품명「울트라센 (등록상표) 685」
·폴리에스테르 수지 : 토요보 주식회사 제조, 상품명「바이론 (등록상표) GK-680」
·폴리에스테르우레탄 수지: 토요보 주식회사 제조, 상품명「바이론 (등록상표) UR-4410」
·에폭시아크릴레이트 수지 : 아르케마사 제조, 상품명「CN104 NS」
표 1 로부터, 표면 코트층에 폴리올레핀계 수지를 사용한 실시예 1 ∼ 3 의 점착 시트는, 연삭 부스러기 부착량이 충분히 저감되어 있는 것을 알 수 있다. 한편, 표면 코트층에 폴리올레핀계 수지 이외의 수지를 사용한 비교예 1 ∼ 3 의 점착 시트는, 연삭 부스러기 부착량의 저감이 충분하지 않았다.

Claims (11)

  1. 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고,
    상기 표면 코트층이, 폴리올레핀계 수지를 함유하는 층인, 반도체 가공용 점착 시트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 폴리올레핀계 수지가, 탄소수 2 ∼ 6 의 사슬형 올레핀에서 유래하는 구성 단위를 함유하는, 반도체 가공용 점착 시트.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 폴리올레핀계 수지가, 추가로 산소 원자 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유하는, 반도체 가공용 점착 시트.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 산소 원자 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머가, 무수 말레산인, 반도체 가공용 점착 시트.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 폴리올레핀계 수지가, 추가로 고리형 올레핀에서 유래하는 구성 단위를 함유하는, 반도체 가공용 점착 시트.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폴리올레핀계 수지가, 23 ℃ 에 있어서, 톨루엔에 대해 1 질량％ 이상 용해되는 것인, 반도체 가공용 점착 시트.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표면 코트층의 두께가 0.05 ∼ 10 ㎛ 인, 반도체 가공용 점착 시트.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 완충층이, 우레탄(메트)아크릴레이트를 함유하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는, 반도체 가공용 점착 시트.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    반도체 웨이퍼의 이면 연삭에 사용되는, 반도체 가공용 점착 시트.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 상기 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하는 공정 a, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면에서부터 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정 b 인, 분할 예정 라인 형성 공정과,
    상기 공정 a 의 후, 또는 상기 공정 b 의 전 혹은 후에, 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는, 시트 첩부 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 상기 홈 또는 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 반도체 칩으로 개편화하는, 연삭 및 개편화 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
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