JP2019102710A - マスク一体型表面保護テープ - Google Patents
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Abstract
Description
さらにこのマスク材層は、SF6プラズマ等からウェハを保護し、かつ、プラズマダイシング後(ウェハの分割後)には、O2プラズマ等によってウェハ表面から確実に除去できる特性も求められる。
つまり、マスク材層にはパターン面との強固な密着性を実現しながらも、このパターン面からの剥離性も良好な特性とすることが求められる。
また、セパレータや貼合装置にマスク材の構成材料が移行してしまうと設備の汚染に繋がる。したがって、マスク材層には一定の硬さ(まとまり)も求められる。
少なくとも基材フィルムと該基材フィルム上に設けられたマスク材層とを有するマスク一体型表面保護テープであって、
(1)前記マスク一体型表面保護テープのマスク材層側を半導体ウェハに貼合し、続いて前記マスク一体型表面保護テープを剥離したときに、前記半導体ウェハと前記マスク材層との界面で剥離され、
(2)前記マスク一体型表面保護テープのマスク材層側を半導体ウェハに貼合し、剥離誘起処理を施した後、前記マスク一体型表面保護テープを剥離したときに、前記マスク材層と前記基材フィルムとの界面で剥離される
マスク一体型表面保護テープ。
[2]
前記剥離誘起処理が放射線照射である[1]に記載のマスク一体型表面保護テープ。
[3]
前記マスク材層が、ベース樹脂と、単官能重合性化合物とを少なくとも含む[1]又は[2]に記載のマスク一体型表面保護テープ。
[4]
少なくとも基材フィルムと該基材フィルム上に設けられたマスク材層とを有するマスク一体型表面保護テープであって、前記マスク材層が、ベース樹脂と単官能重合性化合物とを少なくとも含む、マスク一体型表面保護テープ。
[5]
前記マスク材層が、前記ベース樹脂として(メタ)アクリル共重合体を含み、該ベース樹脂100質量部に対して、前記単官能重合性化合物の量が20〜100質量部である[3]又は[4]に記載のマスク一体型表面保護テープ。
[6]
前記ベース樹脂のエチレン性不飽和基濃度が0.5meq/g以下である[3]〜[5]のいずれか1項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
[7]
プラズマダイシングに使用される[1]〜[6]のいずれか1項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
[8]
下記工程(a)〜(e)を含む半導体チップの製造に用いられる[1]〜[7]のいずれか1項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔工程〕
(a)前記マスク一体型表面保護テープのマスク材層側を半導体ウェハのパターン層側に貼り合せた状態で、該半導体ウェハの裏面を研削する工程、
(b)マスク一体型表面保護テープの剥離誘起処理を行う工程、
(c)前記マスク一体型表面保護テープから、マスク剤層を半導体ウェハパターン層側に残した状態で、基材フィルムを剥離する工程、
(d)前記表面に露出させたマスク材層を、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザー光照射により切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、
(e)プラズマガスにより前記半導体ウェハを前記ストリートに沿って分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程。
[9]
[1]〜[8]のいずれか1項に記載のマスク一体型表面保護テープを用いることを特徴とする半導体チップの製造方法。
本発明のマスク一体型表面保護テープの層構成、使用方法について、好ましい形態を、図面を参照して説明する。
すなわち、本発明のマスク一体型表面保護テープは、下記工程(a)〜(e)を含む半導体チップの製造用のマスク一体型表面保護テープである。
(a)マスク一体型表面保護テープのマスク材層側を半導体ウェハのパターン層側に貼り合せた状態で、半導体ウェハの裏面を研削する工程、
(b)マスク一体型表面保護テープの剥離誘起処理を行う工程、
(c)マスク一体型表面保護テープから、マスク材層を半導体ウェハのパターン層側に残した状態で、基材フィルムを剥離する工程、
(d)表面に露出させたマスク材層を、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザー光照射により切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、
(e)プラズマガスにより半導体ウェハをストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程。
(f)O2プラズマにより前記マスク材層を除去する工程、
(g)ウェハ固定テープから半導体チップをピックアップする工程、
(h)ピックアップした半導体チップをダイボンディング工程に移行する工程。
半導体ウェハ1は、その表面S側に半導体素子の回路などが形成されたパターン層2を有している(図2(A)参照)。このパターン層2に、表層基材3aaに粘着剤層3abを介してマスク材層3bを設けた本発明のマスク一体型表面保護テープ3を矢印DA方向に向かって貼合する(図2(B)参照)。こうして、パターン層2が本発明のマスク一体型表面保護テープ3で被覆された半導体ウェハ1を得る(図2(C)参照)。
なお、図2には、基材フィルム3aが表層基材3aaと粘着剤層3abからなる2層構造である形態を示しているが、基材フィルム3aの層構成は特に制限されず、例えば単層構造であることも好ましい。
なお、レーザー光はCO2レーザー光に限定されるものではなく、なかでもYAGレーザー光の第3高調波である波長355nmや第4高調波である波長266nmの紫外線領域のレーザー光は各種材質に対して吸収率が非常に高く、熱ストレスをかけない。そのため、高品質を求められる微細レーザー加工に使用され、ビーム径が長波長レーザーと比べ絞れるため、より微細な加工が可能であり、本発明に好適に利用できる。
なお、マスク一体型表面保護テープ3で使用する材料以外に上記工程で使用する材料は、下記に説明するものに限定されるものではない。
基材フィルム3aは単層構成でも、複数の層が積層した積層体であってもよい。複層構造の場合、例えば、表層を構成する表層基材3aa上に、粘着剤層3abが設けられた形態とすることができる。
基材フィルム3aを構成する樹脂もしくはポリマー成分は、従来の半導体ウェハ加工用表面保護テープで使用される樹脂もしくはポリマー成分が用いられる。例えば、ポリオレフィン樹脂やポリエステル樹脂が挙げられる。さらには、(メタ)アクリル樹脂に加え、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、ゴム類が挙げられ、これらを単体もしくは2種以上を混合させたものでも構わない。
また、表面保護テープ3aを構成する樹脂ないしポリマーは、硬化剤で硬化された形態であってもよい。例えば、水酸基を有するアクリル酸エステルをモノマーとして用いて重合体((メタ)アクリル樹脂)を合成し、これにポリイソシアネート化合物を混合して反応させたものを基材フィルム(好ましくは複層構造の基材フィルムの粘着剤層)とすることにより、基材フィルム3aの粘着力、凝集力等を適宜に調整することが可能になる。
この(メタ)アクリル共重合体の重量平均分子量は、硬化剤と反応する前において、通常は30万〜100万程度である。
また、粘着剤層3abを構成する(メタ)アクリル共重合体は、(メタ)アクリル酸エステル成分の割合が70モル%以上が好ましく、80モル%以上がより好ましく、90モル%以上がさらに好ましい。また、(メタ)アクリル系共重合体中、(メタ)アクリル酸エステル成分の割合が100モル%でない場合、残部のモノマー成分は(メタ)アクリロイル基を重合性基として重合した形態で存在する成分(例えば(メタ)アクリル酸等)であることが好ましい。
本発明では、基材フィルム3aの厚さは、強度、伸度、放射線透過性の観点から20〜200μmが好ましい。ウェハ表面にバンプ突起を有する場合には、凹凸追従性の観点から、基材フィルム3aの厚さは100〜1000μmが好ましい。
マスク材層3bは、プラズマダイシング工程でのSF6などのプラズマ照射によるエッチング(ダイシング)から、半導体ウェハ表面を保護できる特性を有する。また開口工程で除去された半導体ウェハのストリート部分のみを選択的にエッチング(ダイシング)して、半導体ウェハの高精度な分割を可能とするエッチングマスクとしての機能を有する層である。さらに半導体ウェハ表面のパターン層表面に貼り合わせて使用されるため、通常の半導体ウェハ加工用表面保護テープにおける粘着剤層と同様に、ウェハのパターン面に対し、所望の十分な粘着性を有する。
他方、ウェハ薄膜化工程後においては、マスク材層3bから基材フィルム3aが剥離されてマスク材層が最表面に露出する必要がある。したがって、この段階ではマスク材層3bとウェハのパターン面との密着性は強固でありながら、マスク材層3bと基材フィルム3aとの間の易剥離性を実現する必要がある。このような特性を実現するために、マスク一体型表面保護テープのマスク材層3bは所望の粘着性を有する剥離誘起型(好ましくは放射線硬化型)とすることが好ましい。マスク材を剥離誘起型とすることにより、剥離誘起処理によって基材フィルム3aとマスク材層3bの密着力を減少させ、もしくは、マスク剤層3bとウェハパターン面の密着力を上昇させ、マスク材層3bからの基材フィルム3aの易剥離性を実現できる。なお、放射線硬化型における「放射線」とは紫外線のような光線や電子線のような電離性放射線の双方を含む意味に用いる。本発明では、放射線は紫外線が好ましい。剥離誘起処理としては、放射線照射の他、加熱処理、研削加工他による加圧処理、水やその他溶媒との化学反応、貼合後の経時による密着力変化などが挙げられ、それにより、半導体ウェハとマスク材との密着性を向上させたり、マスク材と基材フィルムとの密着性を低下させたりすることができる。
ここで、マスク材層を硬化すれば、一般的にはウェハ表面との密着性も低下するものと考えられる。しかし、本発明のマスク一体型表面保護テープは、マスク材層を特定の組成とすることにより、硬化後においてもマスク材層とウェハのパターン面との密着性を十分に保ち、もしくは当該密着性を向上させることができる。このマスク材層3bの組成について説明する。
単官能重合性化合物としては、単官能アクリレート化合物が好ましい。
単官能重合性化合物の分子量は、100,000以下であり、200〜10,000が好ましく、200〜3,000がより好ましく、200〜1,000であってもよい。
単官能アクリレート化合物としては、(メタ)アルキルアクリレート化合物、ウレタン単官能アクリレート化合物、エステル単官能アクリレート化合物、エポキシ単官能アクリレート化合物などがあり、具体的には、2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルアクリレート、2−(2−エトキシエトキシ)エチルアクリレート、ジフェニルアクリレート、イソデシルアクリレート、ラウリルメタクリレート、トリデシルアクリレート、フェノキシエチレングリコールアクリレート、2−アクリロイルオキシエチルコハク酸、フタル酸モノヒドロキシエチルアクリレート等が挙げられる。
マスク材層がベース樹脂に加えて単官能重合性化合物を含むことで、放射線照射等により硬化する前においては十分に高い粘着力を実現でき、ウェハのパターン面や基材フィルムに対し、強固に密着することが可能となる。他方、放射線照射によりマスク材層を硬化した後においては、基材フィルムに対する密着性は低下させることができるが、ウェハのパターン面に対する密着力は十分に保つことができる、つまり、硬化後においてもマスク材層3bの、ウェハのパターン面への密着を十分に保つことができる。この理由は定かではないが、硬化によってマスク材層の表面自由エネルギーが半導体ウェハの表面自由エネルギーに近づくことなどが一因と考えられる。
なお、本発明および本明細書では、「(メタ)アクリル」とは、「アクリル」および「メタクリル」を総称するもので、「アクリル」、「メタクリル」のいずれか一方であっても、これらの混合であっても構わない。例えば、(メタ)アクリル酸エステルは、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの一方又は両方を意味するものである。
なお、(メタ)アクリル共重合体を含有するとは、(メタ)アクリル共重合体が硬化剤と反応した状態で存在する形態を含む意味である。
エチレン性不飽和基を有するモノマーとしては、上記以外に、(メタ)アクリロニトリル、スチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ブタジエン、ビニルアルコール、酢酸ビニル、塩化ビニル、マレイン酸(エステル、酸無水物も含む)などが挙げられる。
本発明では、(メタ)アクリル酸エステルおよび(メタ)アクリル酸から選択されるモノマーの共重合体が、より好ましい。また、1種類の共重合体であっても複数の共重合体の混合物であっても構わない。
また、ベース樹脂はエチレン性不飽和基を有することも好ましい。この場合、ベース樹脂中のエチレン性不飽和基濃度は、0.5meq/g以下が好ましく、0.1〜0.4meq/gがより好ましく、0.2〜0.3meq/gがさらに好ましい。
なかでも、(メタ)アクリル共重合体がエチレン性不飽和基を有していることが好ましい。
このように、ベース樹脂がエチレン性不飽和基を一定量有することにより、レーザーカット性をより高めることができる。また、単官能重合性化合物の作用と相俟って、硬化後、ウェハから基材を剥離するときにマスク材層ごとウェハから剥離してしまう現象をより効果的に抑えることが可能となる。
また、マスク材層はベース樹脂100質量部に対して、単官能重合性化合物を20〜100質量部含有することが好ましい。上記の単官能重合性化合物の量は、ベース樹脂100質量部に対して20〜80質量部がより好ましく、20〜60質量部がさらに好ましい。上記の単官能重合性化合物の量が上記の範囲内にあることにより、放射線照射等の剥離誘起処理後、半導体ウェハ1表面に対するマスク材層3bの密着力をより高いレベルで確保することができ、マスク材層3bから基材フィルム3aを剥がす際に、マスク材層3bが半導体ウェハ1に十分に密着した状態をより確実に保つことができる。
また、硬化前においては十分な粘着力を実現し、かつ適度な硬さのマスク材層とすることができる、結果、ウェハ表面への密着性と、ウェハ表面からの易剥離性の両立を実現し、また装置汚染も生じにくい。
レーザーカット性、半導体ウェハ表面へのマスク材層の密着性、装置汚染の抑制の点から、マスク材層のエチレン性不飽和基の濃度は、0.1meq/g以上2.8meq/g以下であることが好ましく、0.5meq/g以上2.3meq/g以下であることがより好ましく、0.8meq/g以上1.8meq/g以下であることがさらに好ましい。
こうしたウェハ固定テープ4には、上記基材フィルム3aと同様のテープを用いることができる。また一般的にダイシングテープと称される従来のプラズマダイシング方式で利用される公知のダイシングテープを用いることができる。また、ピックアップ後のダイボンディング工程への移行を容易にするために、粘着剤層と基材フィルムとの間にダイボンディング用接着剤を積層したダイシングダイボンディングテープを用いることもできる。
<マスク一体型表面保護テープの作製>
アクリル酸20mol%、ブチルアクリレート70mol%、メチルアクリレート10mol%を混合し、溶液中で重合することにより重量平均分子量40万のアクリル系共重合体を合成した。
この共重合体の溶液に該共重合体100質量部に対して、硬化剤として、TETRAD−X(三菱ガス化学株式会社製、エポキシ系硬化剤)を2.0質量部、コロネートL(日本ポリウレタン工業株式会社製、イソシアネート系硬化剤)を1.0質量部配合し基材フィルム形成用粘着剤組成物Aを得た。
得られた共重合体に2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(商品名:カレンズMOI(登録商標)、昭和電工株式会社製)を反応させて付加することで、以下の物性のエチレン性不飽和基含有(メタ)アクリル共重合体(ベース樹脂)を得た。(重量平均分子量:70万、二重結合量:0.20meq/g)
このベース樹脂100質量部に対し、単官能アクリレートとしてアロニックス(登録商標)M−5700(商品名:東亞合成株式会社製)を10.0質量部、硬化剤としてコロネートL(商品名:日本ポリウレタン工業株式会社製、イソシアネート系硬化剤)を2.0質量部、光重合開始剤としてイルガキュア184(商品名:BASF社製)を5.0質量部、紫外線吸収剤としてLA−F70(株式会社ADEKA製、トリアジン骨格の紫外線吸収剤)を1.0質量部配合し、マスク材層形成用組成物Bを得た。
上記基材フィルム形成用粘着剤組成物Aを乾燥後の厚さが30μmとなるよう剥離ライナー上に塗工し、乾燥された粘着剤層(3ab)を厚さ100μmのLDPE(低密度ポリエチレン)フィルム(表層基材3aa)に貼り合せ、厚さ130μmの、剥離ライナー付複層基材フィルム3aを得た。
更に上記マスク材層形成用組成物Bを剥離ライナー上に乾燥後の厚さが10μm厚となるように塗工し、上記の剥離ライナー付複層基材フィルム3aの剥離ライナーを剥がして露出させた粘着剤層(基材フィルム形成用粘着剤組成物Aの層)表面にマスク材層(3b)を貼り合せることで、総厚140μmの紫外線硬化型のマスク材一体型表面保護テープ3を得た。
ラミネータDR8500III(商品名:日東精機(株)社製)を用いて、スクライブライン(ストリート)付シリコンウェハ(直径8インチ)表面に、上記で得られた紫外線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。
その後、DGP8760(商品名:ディスコ(株)社製)を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面(ウェハの裏面)を、ウェハの厚さが50μmになるまで研削した。研削後のウェハを、RAD−2700F(商品名:リンテック(株)社製)を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に紫外線硬化型のマスク一体型テープ側から、高圧水銀ランプを用いて500mJ/cm2の紫外線を照射することで、マスク材層3bと基材フィルム3aとを剥離可能にし、ウェハ上にマスク材層3bのみを残した。
その後、プラズマ発生用ガスとしてSF6ガスを用い、シリコンウェハを15μm/分のエッチング速度で5分間、マスク材層側からプラズマ照射した。このプラズマダイシングによりウェハを切断して個々のチップに分割した。次いでプラズマ発生用ガスとしてO2ガスを用い、1.5μm/分のエッチング速度で10分間アッシングを行い、マスク剤を除去した。その後、ダイシングテープ側から紫外線を照射し(照射量200mJ/cm2)、ダイシングテープの粘着力を低減させ、チップをピックアップした。
その後、貼り合せたウェハから紫外線照射することなく、マスク一体型表面保護テープを剥離したところ、ウェハ上にマスク材層3bが残ることなく剥離できた。このマスク転写に係る評価基準については、後に詳述する。
単官能アクリレートを20.0質量部にした以外は実施例1と同様にして評価した。
[実施例3]
単官能アクリレートを40.0質量部にした以外は実施例1と同様にして評価した。
[実施例4]
単官能アクリレートを60.0質量部にした以外は実施例1と同様にして評価した。
[実施例5]
単官能アクリレートを80.0質量部にした以外は実施例1と同様にして評価した。
[実施例6]
単官能アクリレートを100質量部にした以外は実施例1と同様にして評価した。
[実施例7]
マスク材形成用組成物B中のエチレン性不飽和基含有(メタ)アクリル共重合体の二重結合量を0.05meq/gにした以外は実施例3と同様の方法にて評価した。
[実施例8]
マスク材形成用組成物B中のエチレン性不飽和基含有(メタ)アクリル共重合体の二重結合量を0.10meq/gにした以外は実施例3と同様の方法にて評価した。
[実施例9]
マスク材形成用組成物B中のエチレン性不飽和基含有(メタ)アクリル共重合体の二重結合量を0.30meq/gにした以外は実施例3と同様の方法にて評価した。
[実施例10]
マスク材形成用組成物B中のエチレン性不飽和基含有(メタ)アクリル共重合体の二重結合量を0.40meq/gにした以外は実施例3と同様の方法にて評価した。
[比較例1]
マスク材層形成用組成物Bの調製において、単官能アクリレートを配合せず、カレンズMOIも配合しなかったこと以外は実施例1と同様の方法にて評価した。
紫外線照射後の表面保護テープでマスクがウェハに一部しか残らなかったので、レーザーカット以降の評価を実施しなかった。
マスク材層形成用組成物Bの調製において、単官能アクリレートを配合しなかったこと以外は実施例1と同様の方法にて評価した。
紫外線照射後の表面保護テープでマスクがウェハに一部しか残らなかったので、レーザーカット以降の評価を実施しなかった。
[比較例3]
マスク材層形成用組成物B中のエチレン性不飽和基含有(メタ)アクリル共重合体(ベース樹脂)の二重結合量を0.60meq/gにし、かつ、ベース樹脂100質量部に対し、単官能アクリレート(アロニックス(登録商標)M−5700)を20.0質量部用いた以外は実施例1と同様にして評価した。
紫外線照射後、基材フィルムを剥離した際に、マスクがウェハに一部しか残らなかったので、レーザーカット以降の評価を実施しなかった。
[比較例4]
単官能アクリレートを150質量部にした以外は実施例1と同様の方法にて評価した。
ラミネータでの貼合時に貼合テーブル周辺部やローラーなどにマスク材層が付着し、装置汚染が確認されたため、その後の評価を実施しなかった。
紫外線硬化型のマスク一体型表面保護テープを半導体ウェハに貼り合わせた後、貼り合せた半導体ウェハから紫外線照射することなく、マスク一体型表面保護テープのエッジ部分をつかんで、剥離した。
半導体ウェハには、厚さが725μm、8インチ径のシリコンウエハに、半導体ウエハの回路パターンおよび切断予定部位に設けられた溝を模した疑似段差を、ダイサーを用いて形成した。具体的には、回路パターンの段差を疑似的に形成するために、60μm幅で10μm深さのラインを5mm間隔で格子状に設けた。
上記紫外線照射前のマスク転写性の評価基準を以下に示す。
(紫外線照射前のマスク転写性の評価基準)
A:半導体ウェハ表面にマスク材層が残ることなく、マスク材層のすべてを剥離できた。
B:半導体ウェハ表面のエッジ部にマスク材層が残るが、問題なくマスク材層を剥離できた。
C:半導体ウェハ表面からマスク材層を剥離できなかった。
ここで、半導体ウェハ表面のエッジ部とは、ウェハエッジから10mm以内の範囲を指す。AまたはBの状態を合格とした。
上記試験例1と同様にしてマスク一体型表面保護テープを半導体ウェハに貼り合わせた。
マスク一体型表面保護テープ側から高圧水銀ランプ(主波長365nm)を用いて500mJ/cm2の紫外線を照射した。マスク一体型表面保護テープのエッジ部分をつかんで、剥離速度300mm/minおよび100mm/minの両方で剥離を行い、評価した。
上記紫外線照射後のマスク転写性の評価基準を以下に示す。
(紫外線照射後のマスク転写性の評価基準)
A:剥離速度が100mm/minのとき、剥離速度が300mm/minのときのいずれにおいても、半導体ウェハ表面にマスク材層がすべて残った。
B:剥離速度が300mm/minのときは、半導体ウェハ表面からマスク材層が剥離するが、剥離速度が100mm/minのときには、半導体ウェハ表面にマスク材層がすべて残った。
C:剥離速度が100mm/minのとき、剥離速度が300mm/minのときのいずれにおいても、半導体ウェハ表面からマスク材層が剥離してしまった。
AまたはBの状態を合格とした。
各実施例および比較例において、上記紫外線照射後のマスク転写性の評価後、マスク材層に355nmのYAGレーザーを照射して、マスク材層のストリートに相当する部分を除去し、半導体ウェハのストリートを開口する際の切断性を下記評価基準により評価した。
ここで、平均出力2.5W、繰り返し周波数1kHzのYAGレーザーの第三高周波(355nm)をfθレンズによりシリコンウェハ表面に25μm径に集光して、ガルバノスキャナーによりレーザー光を照射した。
レーザー光の照射は、2.5mm/秒の速度でスキャンして、1ラインあたり1回のレーザー照射を繰り返すことで、マスク材層のストリートに相当する部分を除去し、半導体ウェハのストリートを開口する際の切断性を評価した。
上記レーザーカット性の評価基準を以下に示す。
(レーザーカット性の評価基準)
A:一様にレーザーカットすることができた。
B:デブリが生じる場合があるが、レーザーカットが可能であった。
C:マスク剤層が除去できず、ストリートを開口できなかった。
AまたはBの状態を合格とした。
また、マスク材層が単官能重合性化合物を含有しても、ベース樹脂中のエチレン性不飽和基濃度が高すぎると、マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハから剥離した際に、やはり半導体ウェハ表面にマスク材層を残すことができなかった(比較例3)。
また、マスク材層に含まれる単官能重合性化合物の量が多すぎる場合には、上述した通り、ラミネータでの貼合時に貼合テーブル周辺部やローラーなどにマスク材層が付着し、装置汚染が生じた(比較例4)。
これに対し、マスク材層がベース樹脂と共に単官能重合性化合物を含有し、かつ、ベース樹脂自体のエチレン性不飽和基を適量含有する形態とすることにより、紫外線照射前においてはマスク一体型表面保護テープを半導体ウェハから剥離した際に、マスク材層をウェハから剥離することができ、紫外線照射後においては、マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハから剥離した際に、半導体ウェハ表面にマスク材層を残すことができた(実施例1〜10)。
2 パターン層
3 マスク一体型表面保護テープ
3a 基材フィルム(表面保護テープ)
3aa 表層基材
3ab 粘着剤層
3b マスク材層
4 ウェハ固定テープ
7 チップ
S 表面
B 裏面
M1 ウェハ研削装置
M2 ピン
M3 コレット
F リングフレーム
L レーザー光(CO2レーザー光)
P1 SF6ガスのプラズマ
P2 O2ガスのプラズマ
少なくとも基材フィルムと該基材フィルム上に設けられたマスク材層とを有するマスク一体型表面保護テープであって、
前記マスク材層が、ベース樹脂と単官能重合性化合物とを少なくとも含み、
前記ベース樹脂として(メタ)アクリル共重合体を含み、該ベース樹脂100質量部に対して、前記単官能重合性化合物の量が10〜60質量部であり、
前記ベース樹脂のエチレン性不飽和基濃度が0.1〜0.5meq/gであり、
(1)前記マスク一体型表面保護テープのマスク材層側を半導体ウェハに貼合し、剥離誘起処理を施す前に前記マスク一体型表面保護テープを剥離したときに、前記半導体ウェハと前記マスク材層との界面で剥離され、
(2)前記マスク一体型表面保護テープのマスク材層側を半導体ウェハに貼合し、剥離誘起処理を施した後、前記マスク一体型表面保護テープを剥離したときに、前記マスク材層と前記基材フィルムとの界面で剥離される
マスク一体型表面保護テープ。
[2]
前記剥離誘起処理が放射線照射である[1]に記載のマスク一体型表面保護テープ。
[3]
少なくとも基材フィルムと該基材フィルム上に設けられたマスク材層とを有するマスク一体型表面保護テープであって、前記マスク材層が、ベース樹脂と単官能重合性化合物と
を少なくとも含み、
前記ベース樹脂として(メタ)アクリル共重合体を含み、該ベース樹脂100質量部に対して、前記単官能重合性化合物の量が10〜60質量部であり、
前記ベース樹脂のエチレン性不飽和基濃度が0.1〜0.5meq/gであるマスク一体型表面保護テープ。
[4]
プラズマダイシングに使用される[1]〜[3]のいずれか1項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
[5]
下記工程(a)〜(e)を含む半導体チップの製造に用いられる[1]〜[4]のいずれか1項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔工程〕
(a)前記マスク一体型表面保護テープのマスク材層側を半導体ウェハのパターン層側に貼り合せた状態で、該半導体ウェハの裏面を研削する工程、
(b)マスク一体型表面保護テープの剥離誘起処理を行う工程、
(c)前記マスク一体型表面保護テープから、マスク材層を半導体ウェハパターン層側に残した状態で、基材フィルムを剥離する工程、
(d)前記表面に露出させたマスク材層を、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザー光照射により切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、
(e)プラズマガスにより前記半導体ウェハを前記ストリートに沿って分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程。
[6]
[1]〜[5]のいずれか1項に記載のマスク一体型表面保護テープを用いることを特徴とする半導体チップの製造方法。
他方、ウェハ薄膜化工程後においては、マスク材層3bから基材フィルム3aが剥離されてマスク材層が最表面に露出する必要がある。したがって、この段階ではマスク材層3bとウェハのパターン面との密着性は強固でありながら、マスク材層3bと基材フィルム3aとの間の易剥離性を実現する必要がある。このような特性を実現するために、マスク一体型表面保護テープのマスク材層3bは所望の粘着性を有する剥離誘起型(好ましくは放射線硬化型)とすることが好ましい。マスク材を剥離誘起型とすることにより、剥離誘起処理によって基材フィルム3aとマスク材層3bの密着力を減少させ、もしくは、マスク材層3bとウェハパターン面の密着力を上昇させ、マスク材層3bからの基材フィルム3aの易剥離性を実現できる。なお、放射線硬化型における「放射線」とは紫外線のような光線や電子線のような電離性放射線の双方を含む意味に用いる。本発明では、放射線は紫外線が好ましい。剥離誘起処理としては、放射線照射の他、加熱処理、研削加工他による加圧処理、水やその他溶媒との化学反応、貼合後の経時による密着力変化などが挙げられ、それにより、半導体ウェハとマスク材との密着性を向上させたり、マスク材と基材フィルムとの密着性を低下させたりすることができる。
ここで、マスク材層を硬化すれば、一般的にはウェハ表面との密着性も低下するものと考えられる。しかし、本発明のマスク一体型表面保護テープは、マスク材層を特定の組成とすることにより、硬化後においてもマスク材層とウェハのパターン面との密着性を十分に保ち、もしくは当該密着性を向上させることができる。このマスク材層3bの組成について説明する。
その後、プラズマ発生用ガスとしてSF6ガスを用い、シリコンウェハを15μm/分のエッチング速度で5分間、マスク材層側からプラズマ照射した。このプラズマダイシングによりウェハを切断して個々のチップに分割した。次いでプラズマ発生用ガスとしてO2ガスを用い、1.5μm/分のエッチング速度で10分間アッシングを行い、マスク材を除去した。その後、ダイシングテープ側から紫外線を照射し(照射量200mJ/cm2)、ダイシングテープの粘着力を低減させ、チップをピックアップした。
単官能アクリレートを20.0質量部にした以外は実施例1と同様にして評価した。
[実施例3]
単官能アクリレートを40.0質量部にした以外は実施例1と同様にして評価した。
[実施例4]
単官能アクリレートを60.0質量部にした以外は実施例1と同様にして評価した。
[参考例5]
単官能アクリレートを80.0質量部にした以外は実施例1と同様にして評価した。
[参考例6]
単官能アクリレートを100質量部にした以外は実施例1と同様にして評価した。
[参考例7]
マスク材形成用組成物B中のエチレン性不飽和基含有(メタ)アクリル共重合体の二重結合量を0.05meq/gにした以外は実施例3と同様の方法にて評価した。
[実施例8]
マスク材形成用組成物B中のエチレン性不飽和基含有(メタ)アクリル共重合体の二重結合量を0.10meq/gにした以外は実施例3と同様の方法にて評価した。
[実施例9]
マスク材形成用組成物B中のエチレン性不飽和基含有(メタ)アクリル共重合体の二重結合量を0.30meq/gにした以外は実施例3と同様の方法にて評価した。
[実施例10]
マスク材形成用組成物B中のエチレン性不飽和基含有(メタ)アクリル共重合体の二重結合量を0.40meq/gにした以外は実施例3と同様の方法にて評価した。
[比較例1]
マスク材層形成用組成物Bの調製において、単官能アクリレートを配合せず、カレンズMOIも配合しなかったこと以外は実施例1と同様の方法にて評価した。
紫外線照射後の表面保護テープでマスクがウェハに一部しか残らなかったので、レーザーカット以降の評価を実施しなかった。
各実施例および比較例において、上記紫外線照射後のマスク転写性の評価後、マスク材層に355nmのYAGレーザーを照射して、マスク材層のストリートに相当する部分を除去し、半導体ウェハのストリートを開口する際の切断性を下記評価基準により評価した。
ここで、平均出力2.5W、繰り返し周波数1kHzのYAGレーザーの第三高周波(355nm)をfθレンズによりシリコンウェハ表面に25μm径に集光して、ガルバノスキャナーによりレーザー光を照射した。
レーザー光の照射は、2.5mm/秒の速度でスキャンして、1ラインあたり1回のレーザー照射を繰り返すことで、マスク材層のストリートに相当する部分を除去し、半導体ウェハのストリートを開口する際の切断性を評価した。
上記レーザーカット性の評価基準を以下に示す。
(レーザーカット性の評価基準)
A:一様にレーザーカットすることができた。
B:デブリが生じる場合があるが、レーザーカットが可能であった。
C:マスク材層が除去できず、ストリートを開口できなかった。
AまたはBの状態を合格とした。
また、マスク材層が単官能重合性化合物を含有しても、ベース樹脂中のエチレン性不飽和基濃度が高すぎると、マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハから剥離した際に、やはり半導体ウェハ表面にマスク材層を残すことができなかった(比較例3)。
また、マスク材層に含まれる単官能重合性化合物の量が多すぎる場合には、上述した通り、ラミネータでの貼合時に貼合テーブル周辺部やローラーなどにマスク材層が付着し、装置汚染が生じた(比較例4)。
これに対し、マスク材層がベース樹脂と共に単官能重合性化合物を含有し、かつ、ベース樹脂自体のエチレン性不飽和基を適量含有する形態とすることにより、紫外線照射前においてはマスク一体型表面保護テープを半導体ウェハから剥離した際に、マスク材層をウェハから剥離することができ、紫外線照射後においては、マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハから剥離した際に、半導体ウェハ表面にマスク材層を残すことができた(実施例1〜4、参考例5〜7、実施例8〜10)。特にマスク材層に含まれる単官能重合性化合物及びベース樹脂自体のエチレン性不飽和基の両方を適量含有する形態とすることによって、マスク材層を一様にレーザーカットすることができた(実施例1〜4、8〜10)。
Claims (9)
- 少なくとも基材フィルムと該基材フィルム上に設けられたマスク材層とを有するマスク一体型表面保護テープであって、
(1)前記マスク一体型表面保護テープのマスク材層側を半導体ウェハに貼合し、続いて前記マスク一体型表面保護テープを剥離したときに、前記半導体ウェハと前記マスク材層との界面で剥離され、
(2)前記マスク一体型表面保護テープのマスク材層側を半導体ウェハに貼合し、剥離誘起処理を施して、前記マスク一体型表面保護テープを剥離したときに、前記マスク材層と前記基材フィルムとの界面で剥離される
マスク一体型表面保護テープ。 - 前記剥離誘起処理が放射線照射である請求項1に記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 前記マスク材層が、ベース樹脂と単官能重合性化合物とを少なくとも含む請求項1又は2に記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 少なくとも基材フィルムと該基材フィルム上に設けられたマスク材層とを有するマスク一体型表面保護テープであって、前記マスク材層が、ベース樹脂と単官能重合性化合物とを少なくとも含む、マスク一体型表面保護テープ。
- 前記マスク材層が、前記ベース樹脂として(メタ)アクリル共重合体を含み、該ベース樹脂100質量部に対して、前記単官能重合性化合物の量が20〜100質量部である請求項3又は4に記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 前記ベース樹脂のエチレン性不飽和基濃度が0.5meq/g以下である請求項3〜5のいずれか1項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
- プラズマダイシングに使用される請求項1〜6のいずれか1項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 下記工程(a)〜(e)を含む半導体チップの製造に用いられる請求項1〜7のいずれか1項に記載のマスク一体型表面保護テープ
〔工程〕
(a)前記マスク一体型表面保護テープのマスク材層側を半導体ウェハのパターン層側に貼り合せた状態にて、該半導体ウェハの裏面を研削する工程、
(b)マスク一体型表面保護テープの剥離誘起処理を行う工程、
(c)前記マスク一体型表面保護テープから、マスク材層を半導体ウェハのパターン層側に残した状態で、基材フィルムを剥離する工程、
(d)前記表面に露出させたマスク材層を、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザー光照射により切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、
(e)プラズマガスにより前記半導体ウェハを前記ストリートに沿って分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載のマスク一体型表面保護テープを用いることを特徴とする半導体チップの製造方法。
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