JP6800213B2 - マスク一体型表面保護テープ - Google Patents
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Description
例えば、ウェハを薄膜化した後にダイシングを行う難しさに鑑みて、先に所定の厚み分だけウェハに溝を形成しておき、その後に研削加工を行って薄膜化とチップへの個片化を同時に行うDBG(先ダイシング)方式がある。この方式によれば、カーフ幅はブレードダイシング工程と同様だが、チップの抗折強度がアップしチップの破損を抑えることができるというメリットがある。
レーザーダイシング方式によればカーフ幅を狭くでき、またドライプロセスとなるメリットもある。しかしながら、レーザーによる切断時の昇華物でウェハ表面が汚れるという不都合があり、所定の液状保護材でウェハ表面を保護する前処理を要する場合がある。また、ドライプロセスといっても完全なドライプロセスを実現するには至っていない。なお、レーザーダイシング方式はブレードダイシング方式よりも処理速度を高速化できる。しかしながら、1ラインずつ加工することには変わりはなく、極小チップの製造にはそれなりに時間がかかる。
この方式では、MEMSデバイスやCMOSセンサーなど表面汚染を高度に抑える必要がある材料において問題が起きる可能性がある。また、カーフ幅の狭小化には制約があり、得られるチップの収率も低いものとなる。
この方式は、カーフ幅をゼロにでき、ドライで加工できるというメリットがある。しかしながら、改質層形成時の熱履歴によりチップ抗折強度が低下する傾向があり、また、エキスパンドして分断する際にシリコン屑が発生する場合がある。さらに、隣接チップとのぶつかりが抗折強度不足を引き起こす可能性がある。
この技術は、上記プロセスのデメリットを改善したものであり、ウェハ裏面研削加工中に応力でシリコンの改質層が劈開し個片化するため、カーフ幅がゼロでありチップ収率は高く、抗折強度もアップするというメリットがある。しかしながら、裏面研削加工中に個片化されるため、チップ端面が隣接チップとぶつかってチップコーナーが欠ける現象が見られる場合がある。
プラズマダイシング方式は、マスクで覆っていない箇所をプラズマで選択的にエッチングすることで、半導体ウェハを分割する方法である。このダイシング方法を用いると、選択的にチップの分断が可能であり、スクライブラインが曲がっていても問題なく分断できる。また、エッチングレートが非常に高いことから近年ではチップの分断に最適なプロセスの1つとされてきた。
また、プラズマエッチング後にマスク(レジスト膜)が残った状態であるため、マスク除去のために大量の溶剤を用いる必要があり、それでもマスクを完全に除去できないこともあり、不良チップが生じる場合があった。
さらに、レジストによるマスキング工程を経るため、全体の処理プロセスが長くなるという不都合もあった。
しかも、マスク一体型表面保護テープでは、半導体ウェハの裏面研削後に、マスク一体型表面保護テープからマスク材(層)のみを半導体ウェハのパターン面上に残すため、粘着剤層とマスク材層との間で剥離するため、この剥離が容易、かつ糊残りなく剥離できなければならない。
上記の剥離では、マスク材層をウェハ表面に簡単に露出させることができることが必要で、SF6プラズマによってウェハをチップへとより確実に、高精度にダイシングする必要がある。さらにプラズマダイシング後(ウェハの分割後)においてはO2プラズマによってマスク材層のマスク材をより確実に除去し、不良チップの発生を高度に抑える必要がある。
この場合、本発明者らの検討によれば、パターン面上のマスク材(層)を糊残りなく、完全に剥離できることが重要となるが、従来技術では、必ずしも満足できるレベルではなかった。
これに加えて、このようにして、不良チップの発生を高度に抑え、かつ生産性が高く、加工プロセスが短く、安価に製造できることが可能なマスク一体型表面保護テープを提供することを課題とする。
前記マスク一体型表面保護テープが、基材フィルム上に放射線硬化型粘着剤層および放射線硬化型マスク材層をこの順に有し、下記工程(b)において、放射線照射前は該粘着剤層と該マスク材層間が剥離し、放射線放射後は該マスク材層とパターン面が剥離することを特徴とするマスク一体型表面保護テープ。
〔工程(a)〜(d)〕
(a)マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハのパターン面側に貼り合せた状態で、該半導体ウェハの裏面を研削し、研削した半導体ウェハの裏面にウェハ固定テープを貼り合わせ、リングフレームで支持固定する工程、
(b)前記マスク一体型表面保護テープから前記基材フィルムと前記粘着剤層を一体に剥離して前記マスク材層を表面に露出させた後、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、
(c)SF6プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
(d)O2プラズマにより前記マスク材層を除去するアッシング工程
〔2〕放射線照射による硬化前の前記マスク材層と前記粘着剤層との間の密着力が、2.0N/25mm以下であることを特徴とする〔1〕に記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔3〕前記マスク材層および前記粘着剤層が、いずれも(メタ)アクリル系共重合体、および、2官能または3官能以上の放射線重合性官能基を有し質量平均分子量が2,000〜20,000の範囲である放射線重合性化合物を含有することを特徴とする〔1〕または〔2〕に記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔4〕前記マスク材層に含まれる前記(メタ)アクリル系共重合体と、前記粘着剤層に含まれる前記(メタ)アクリル系共重合体のガラス転移点(Tg)が、いずれも−25〜−5℃であって、該(メタ)アクリル系共重合体の少なくとも一方の酸価が、0〜10mgKOH/gであることを特徴とする〔3〕に記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔5〕前記マスク材層および前記粘着剤層に用いられている硬化剤が、いずれもイソシア系硬化剤であることを特徴とする〔1〕〜〔4〕のいずれか1項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔6〕前記マスク材層および前記粘着剤層に用いられている硬化剤が、いずれもエポキシ系硬化剤であることを特徴とする〔1〕〜〔5〕のいずれか1項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
これに加えて、このようにして、不良チップの発生を高度に抑え、かつ生産性が高く、加工プロセスが短く、安価に製造できることが可能なマスク一体型表面保護テープを提供することが可能となった。
本発明の上記および他の特徴および利点は、適宜添付の図面を参照して、下記の記載からより明らかになるであろう。
以下に説明するように、本発明のマスク一体型表面保護テープを用いることにより、プラズマダイシング工程に先立つフォトリソグラフィプロセスが不要となり、半導体チップないし半導体製品の製造コストを大幅に抑えることができる。
しかも、一度、パターン面に貼り合わせたマスク材(層)を貼り直す必要が生じる場合、パターン面上のマスク材(層)を糊残りなく、完全に剥離できることが可能となった。
ここで、基材フィルム3aa上に放射線硬化型粘着剤層3abを有する部分が、表面保護テープ3aである。
より具体的には、半導体ウェハから半導体チップを得るに際し、プラズマダイシングによりウェハを分割、個片化する工程を含む半導体チップの製造で使用される。
しかも、上記のように、フォトリソグラフィプロセス不要のマスク一体型表面保護テープである。
このため、分図7(a)のように放射線照射による硬化前の剥離工程ではマスク材層と粘着剤層が剥離し、一度、パターン面に貼り合わせたマスク材(層)を貼り直す必要が生じる場合、マスク材層が放射線照射型であるため、分図7(c)のように、粘着剤層側から紫外線などの放射線を照射し、分図7(d)のように、パターン面上のマスク材(層)を糊残りなく、完全に剥離できることが可能となった。また、粘着剤層が放射線照射型であるため、粘着剤層とマスク材層がともに架橋するため、実質一体となって、粘着剤層とマスク材層の間の剥離が困難になる。
なお、本発明では、分図7(b)の工程が省略されていてもよい。
すなわち、本発明のマスク一体型表面保護テープは、下記工程(a)〜(d)を含む半導体チップの製造用のマスク一体型表面保護テープである。
(a)マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハのパターン面側に貼り合せた状態で、該半導体ウェハの裏面を研削し、研削した半導体ウェハの裏面にウェハ固定テープを貼り合わせ、リングフレームで支持固定する工程、
(b)前記マスク一体型表面保護テープから前記基材フィルムと前記粘着剤層を一体に剥離して(すなわち、マスク一体型表面保護テープから表面保護テープを剥離して)前記マスク材層を表面に露出させた後、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、
(c)SF6プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
(d)O2プラズマにより前記マスク材層を除去するアッシング工程
(e)ウェハ固定テープから半導体チップをピックアップする工程
(f)ピックアップした半導体チップをダイボンディング工程に移行する工程
本発明のマスク一体型表面保護テープの場合、上記工程(b)において、放射線を照射せずに、上記マスク一体型表面保護テープから上記基材フィルムと上記粘着剤層を一体に剥離してマスク材層を表面に露出させる工程を含む。
粘着剤層およびマスク材(層)を放射線照射によって硬化させることにより、マスク材層と粘着剤層との層間密着性が向上するため、半導体ウェハにマスク材を貼り直す必要がある際には、表面保護テープを半導体ウェハ上に露出したマスク材上に再び貼り合せ、放射線を照射し、マスク材(層)を取り除くことができる。
半導体ウェハ1は、その表面Sに半導体素子の回路などが形成されたパターン面2を有している(分図2(a)参照)。このパターン面2には、基材フィルム3aaに粘着剤層3abを設けた表面保護テープ3aの粘着剤層3ab上に、さらにマスク材層3bを設けた本発明のマスク一体型表面保護テープ3を貼合し(分図2(b)参照)、パターン面2が本発明のマスク一体型表面保護テープ3で被覆された半導体ウェハ1を得る(分図2(c)参照)。
なお、マスク一体型表面保護テープ3で使用する材料以外に上記工程で使用する材料は、下記に説明するものに限定されるものではない。
なお、本発明において「放射線」とは紫外線のような光線や電子線のような電離性放射線の双方を含む意味に用いる。本発明では、放射線は紫外線が好ましい。
上記(メタ)アクリル系共重合体の全モノマー成分中、(メタ)アクリル酸エステル成分の割合は70モル%以上が好ましく、80モル%以上がより好ましく、90モル%以上がさらに好ましい。また、(メタ)アクリル系共重合体の全モノマー成分中、(メタ)アクリル酸エステル成分の割合が100モル%でない場合、残部のモノマー成分は(メタ)アクリロイル基を重合性基として重合した形態で存在するモノマー成分〔(メタ)アクリル酸等〕であることが好ましい。
アクリル系粘着剤は、(メタ)アクリル系共重合体、あるいは(メタ)アクリル系共重合体と硬化剤との混合物である。
例えば、1,3−ビス(N,N−ジグリシジルアミノメチル)シクロヘキサン、1,3−ビス(N,N−ジグリシジルアミノメチル)トルエン、1,3−ビス(N,N−ジグリシジルアミノメチル)ベンゼン、N,N,N,N’−テトラグリシジル−m−キシレンジアミン、エチレングリコールジグリシジルエーテル、テレフタル酸ジグリシジルエステルアクリレートなどの分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物(以下、「エポキシ系硬化剤」ともいう。)、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、1,3−キシリレンジイソシアネート、1,4−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート及びこれらのアダクトタイプなどの分子中に2個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート化合物(以下、「イソシアネート系硬化剤」ともいう。)、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−(2−メチルアジリジン)プロピオネート、トリス−2,4,6−(1−アジリジニル)−1,3,5−トリアジン、トリス〔1−(2−メチル)−アジリジニル〕ホスフィンオキシド、ヘキサ〔1−(2−メチル)−アジリジニル〕トリホスファトリアジンなどの分子中に2個以上のアジリジニル基を有するアジリジン化合物(アジリジン系硬化剤)等が挙げられる。
具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等のアクリレート系化合物を広く適用可能である。
ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物(例えば、2,4−トリレンジイソシアナート、2,6−トリレンジイソシアナート、1,3−キシリレンジイソシアナート、1,4−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン4,4−ジイソシアナートなど)を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有するアクリレートあるいはメタクリレート(例えば、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど)を反応させて得られる。
この場合において、放射線硬化型粘着剤は硬化剤を含んでいてもよい。
放射線重合性(メタ)アクリル系共重合体は、共重合体の分子中に、放射線、特に紫外線照射で重合反応することが可能な反応性の基を有する共重合体である。
このような反応性の基としては、エチレン性不飽和基すなわち、炭素−炭素二重結合(エチレン性不飽和結合)を有する基が好ましい。かかる基の例として、ビニル基、アリル基、スチリル基、(メタ)アクリロイルオキシ基、(メタ)アクリロイルアミノ基などが挙げられる。
ここで、マスク材層3bに(メタ)アクリル系共重合体が含有されるとは、(メタ)アクリル系共重合体が硬化剤と反応した状態で存在する形態を含む意味である。
マスク材層3bには、放射線硬化型である粘着剤が好適に用いられる。この放射線硬化型の粘着剤としては、上述した、(メタ)アクリル系共重合体と硬化剤との混合物を好適に用いることができる。
マスク材層3bおよび粘着剤層3abがともに放射線硬化型粘着剤であれば、放射線照射後にマスク材層と粘着剤層の間で3次元架橋が行われ、密着性が向上し、パターン面上に露光したマスク材を再剥離する際には容易に剥離することが可能となる。
マスク材層3bの厚みは、プラズマアッシングでの除去速度の観点から、5〜15μmが好ましく、5〜10μmがより好ましい。
なかでも、粘着剤層3ab、および、マスク材層3bの形成に用いる硬化剤としてイソシアネート系硬化剤を用いることが好ましい。エポキシ系硬化剤よりも密着力の制御を容易に行えるため、かかる構成とすることにより、マスク材層のみを半導体ウェハ上に残すことが容易となる。
また、本発明では、粘着剤層3abを形成する(メタ)アクリル系共重合体とマスク材層3bを形成する(メタ)アクリル系共重合体のガラス転移温度(Tg)の差(鎖の絶対値)は8〜20℃が好ましく、8〜15℃がさらに好ましい。
本発明において、粘着剤層、またはマスク材層に含まれる(メタ)アクリル系ポリマーのいずれか一方の酸価は、0〜10mgKOH/gが好ましく、0〜7mgKOH/gがより好ましく、0〜5mgKOH/gがさらに好ましい。
また、本発明では、粘着剤層3abを形成する(メタ)アクリル系共重合体とマスク材層3bを形成する(メタ)アクリル系共重合体の酸価の差(鎖の絶対値)は1.0〜10mgKOH/gが好ましく、が好ましく、2.5〜10mgKOH/gがさらに好ましい。
酸価の調整は、例えば、(メタ)アクリル系重合体を重合する際のアクリル酸の配合量を調整することで適宜調整することができる。
上記密着力の測定において、紫外線照射条件は、紫外線を積算照射量500mJ/cm2となるように、マスク一体型表面保護テープ全体に、該テープの基材フィルム側から照射することをいう。紫外線照射には高圧水銀灯を用いる。
こうしたウェハ固定テープ4には、上記表面保護テープ3aと同様のテープを用いることができる。また一般的にダイシングテープと称される従来のプラズマダイシング方式で利用される公知のダイシングテープを用いることができる。また、ピックアップ後のダイボンディング工程への移行を容易にするために、粘着剤層と基材フィルムとの間にダイボンディング用接着剤を積層したダイシングダイボンディングテープを用いることもできる。
<マスク一体型表面保護テープの作製>
ブチルアクリレート44mol%、ラウリルアクリレート50mol%、2−ヒドロキシエチルアクリレート6.0mol%を混合し、溶液中で重合することにより質量平均分子量65万、酸価0mgKOH/g、Tg−15℃の(メタ)アクリル系共重合体溶液を得た。
得られた(メタ)アクリル共重合体100質量部に対し紫外線反応性樹脂として6官能の質量平均分子量3,500ウレタンアクリレートオリゴマー〔新中村化学工業(株)社製〕を100質量部および3官能のウレタンアクリレートオリゴマー〔新中村化学工業(株)社製〕を50質量部、硬化剤としてコロネートL〔日本ポリウレタン工業(株)社製〕を4.0質量部、光重合開始剤としてイルガキュア184(BASF社製)を10質量部配合し、粘着剤組成物Aを得た。
得られたアクリル共重合体100質量部に対し紫外線反応性樹脂として6官能の質量平均分子量3,000ウレタンアクリレートオリゴマー〔新中村化学工業(株)社製〕を50質量部および3官能のウレタンアクリレートオリゴマー〔新中村化学工業(株)社製〕を50質量部、硬化剤としてコロネートL〔日本ポリウレタン工業(株)社製〕を4.0質量部、光重合開始剤としてイルガキュア184(BASF社製)を10質量部配合し、粘着剤組成物Bを得た。
上記粘着剤組成物Aをマスク材層形成用組成物として剥離ライナー上に塗工し、形成された粘着剤層を厚さ100μmのLDPE(低密度ポリエチレン)フィルムに貼り合せ、厚さ130μmの放射線硬化型表面保護テープ3aを得た。
さらに粘着剤組成物Bを剥離ライナー上に乾燥後の厚みが5μm厚となるように塗工し、放射線硬化型表面保護テープ3aの剥離ライナーを剥がして露出させた粘着剤層表面に貼り合せることで、総厚135μmの放射線硬化型のマスク材一体型表面保護テープ3を得た。
ラミネータDR8500III〔商品名:日東精機(株)社製〕を用いて、スクライブライン(ストリート)付シリコンウェハ(直径8インチ)表面に、上記で得られた放射線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。
その後、DGP8760〔商品名:ディスコ(株)社製〕を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面(ウェハの裏面)を、ウェハの厚さが50μmになるまで研削した。研削後のウェハを、RAD−2700F〔商品名:リンテック(株)社製〕を用いて、ウェハ裏面側からウェハ固定テープ(放射線硬化型のダイシングテープ)上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。その後、表面保護テープ3aのみを剥離し、ウェハ上にマスク材層3bのみを残した。ここで、マスク材層3bを残して表面保護テープ3aのみを剥離できていることから、マスク材層と粘着剤層の密着力が、マスク材層とウェハ間の密着力よりも低いことがわかった。
その後、プラズマ発生用ガスとしてSF6ガスを用い、シリコンウェハを15μm/分のエッチング速度で5分間、マスク材層側からプラズマ照射した。このプラズマダイシングによりウェハを切断して個々のチップに分割した。次いでプラズマ発生用ガスとしてO2ガスを用い、1.5μm/分のエッチング速度で10分間アッシングを行い、マスク材を除去した。その後、ウェハ固定テープ側から紫外線を照射し(照射量200mJ/cm2)、ウェハ固定テープの粘着力を低減させ、チップをピックアップした。
<マスク一体型表面保護テープの作製>
メタクリル酸1.5mol%、メタクリル酸メチル40.5mol%、2−ヒドロキシエチルアクリレート1.5mol%を混合し、溶液中で重合することにより質量平均分子量:17万、酸価:11mgKOH/g、Tg:−10℃の(メタ)アクリル系共重合体溶液を得た。
得られた(メタ)アクリル共重合体100質量部に対し、紫外線反応性樹脂として6官能のウレタンアクリレートオリゴマー〔新中村化学工業(株)社製〕を100質量部および3官能で分子量が5000であるウレタンアクリレートオリゴマー〔新中村化学工業(株)社製〕を50質量部、硬化剤としてコロネートL(日本ポリウレタン工業株式会社製)を4.0質量部、光重合開始剤としてイルガキュア184(BASF社製)を10質量部配合し、粘着剤組成物Cを得た。
実施例1で得られた粘着剤組成物Bを粘着剤層形成用組成物として剥離ライナー上に塗工し、形成された粘着剤層を厚さ100μmのLDPE(低密度ポリエチレン)フィルムに貼り合せ、厚さ140μmの放射線硬化型の表面保護テープ3aを得た。
更に粘着剤組成物Cをマスク材層形成用組成物として剥離ライナー上に乾燥後の厚みが15μm厚となるように塗工し、上記放射線硬化型の表面保護テープの剥離ライナーを剥がした粘着剤層上に貼り合せることで総厚155μmの放射線硬化型のマスク一体型表面保護テープ3を得た。
ラミネータDR8500III〔商品名:日東精機(株)社製〕を用いて、スクライブライン付シリコンウェハ(直径8インチ)表面に上記で得られた放射線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。
その後、DGP8760〔商品名:ディスコ(株)社製〕を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面(ウェハの裏面)を、ウェハの厚さが50μmになるまで研削した。研削後の前記マスク材付ウェハをRAD−2700F〔商品名:リンテック(株)社製〕を用いて、ウェハ裏面側からウェハ固定テープ(放射線硬化型のダイシングテープ)上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に表面保護テープ3aのみを剥離し、ウェハ上にマスク材層3bのみを残した。その後、実施例1と同様にして、すなわち実施例1と同様にしてスクライブラインを開口し、プラズマダイシング、アッシングを行い、チップをピックアップした。
<マスク一体型表面保護テープの作製>
メタクリル酸1.0mol%、ブチルアクリレート23mol%、ラウリルアクリレート68mol%、2−ヒドロキシエチルアクリレート9.0mol%を混合し、溶液中で重合することにより、質量平均分子量65万、酸価5.0mgKOH/g、Tg−10℃の(メタ)アクリル系共重合体溶液を得た。
得られた(メタ)アクリル共重合体100質量部に対し紫外線反応性樹脂として5官能で分子量が1500であるウレタンアクリレートオリゴマー〔新中村化学工業(株)社製〕を100質量部および3官能のウレタンアクリレートオリゴマー〔新中村化学工業(株)社製〕を50質量部、硬化剤としてTetrad C〔(商品名:三菱瓦斯化学(株)社製;1,3−ビス(N,N−ジグリシジルアミノメチル)シクロヘキサノン〕を2.0質量部、光重合開始剤としてイルガキュア184(BASF社製)を10質量部配合し、粘着剤組成物Dを得た。
粘着剤組成物Eをマスク材層形成用組成物として剥離ライナー上に乾燥後の厚みが5μm厚となるように塗工し、当該放射線硬化型表面保護テープの剥離ライナーを剥がして露出させた粘着剤層表面に貼り合せることで、総厚110μmの放射線硬化型のマスク材一体型表面保護テープ3を得た。
ラミネータDR8500III〔商品名:日東精機(株)社製〕を用いて、スクライブライン付シリコンウェハ(直径8インチ)表面に、上記で得られた放射線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。
その後、DGP8760〔商品名:ディスコ(株)社製〕を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面(ウェハの裏面)を、ウェハの厚さが50μmまで研削した。研削後のウェハを、RAD−2700F〔商品名:リンテック(株)社製〕を用いて、ウェハ裏面側からウェハ固定テープ(放射線硬化型のダイシングテープ)上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に表面保護テープ3aのみ剥離し、ウェハ上にマスク材層3bのみを残した。ここで、マスク材層3bを残して表面保護テープ3aのみを剥離できていることから、紫外線照射前において、マスク材層と粘着剤層の密着力が、マスク材層とウェハ間の密着力よりも低いことがわかった。
その後、実施例1と同様にして、スクライブラインを開口し、プラズマダイシング、アッシングを行い、紫外線を照射した後、チップをピックアップした。
<マスク一体型表面保護テープの作製>
メタクリル酸1mol%、メタクリル酸メチル35.0mol%、2−エチルヘキシルアクリレート60mol%、2−ヒドロキシエチルアクリレート2.0mol%を混合し、溶液中で重合することにより質量平均分子量20万、酸価6.0mgKOH/g、Tg−30℃の(メタ)アクリル系共重合体溶液を得た。
得られた(メタ)アクリル共重合体100質量部に対して、エポキシ硬化剤を2.0質量部配合し、粘着剤Fを得た。
ここで、上記エポキシ硬化剤は、N,N,N’,N’−テトラグリシジル−1,3−ベンゼンジ(メタンアミン)〔三菱瓦斯化学(株)社製、商品名:TETRAD−X〕を用いた。
さらに上記実施例1で調製した粘着剤組成物Bをマスク材層形成用組成物として剥離ライナー上に乾燥後の厚みが5μm厚となるように塗工し、感圧硬化型表面保護テープの剥離ライナーを剥がして露出させた粘着剤層表面に貼り合せることで、総厚135μmの放射線硬化型のマスク材一体型表面保護テープ3を得た。
ラミネータDR8500III〔商品名:日東精機(株)社製〕を用いて、スクライブライン付シリコンウェハ(直径8インチ)表面に、上記で得られたマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。
その後、DGP8760〔商品名:ディスコ(株)社製〕を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面(ウェハの裏面)を、ウェハの厚さが50μmまで研削した。研削後のウェハを、RAD−2700F〔商品名:リンテック(株)社製〕を用いて、ウェハ裏面側からウェハ固定テープ(放射線硬化型のダイシングテープ)上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。さらに表面保護テープ3aのみ剥離し、ウェハ上にマスク材層3bのみを残そうとしたが、マスク材層3bを残して表面保護テープ3aのみを剥離できていないことから、放射線照射前のマスク材層と粘着剤層の密着力が、マスク材層とウェハ間の密着力よりも高いことがわかった。
なお、マスク材のみを残して剥離できていないことから、マスク材層の再剥離性、以下の試験例3のマスク材層の除去性および試験例3のスクライブライン上の糊残りは評価できなかった。
<マスク一体型表面保護テープの作製>
さらに上記粘着剤組成物Fをマスク材層形成用組成物として剥離ライナー上に乾燥後の厚みが10μm厚となるように塗工し、感圧硬化型表面保護テープの剥離ライナーを剥がして露出させた粘着剤層表面に貼り合せることで、総厚140μmの感圧硬化型のマスク材一体型表面保護テープ3を得た。
ラミネータDR8500III〔商品名:日東精機(株)社製〕を用いて、スクライブライン付シリコンウェハ(直径8インチ)表面に、上記で得られたマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。
その後、DGP8760〔商品名:ディスコ(株)社製〕を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面(ウェハの裏面)を、ウェハの厚さが50μmまで研削した。研削後のウェハを、RAD−2700F〔商品名:リンテック(株)社製〕を用いて、ウェハ裏面側からウェハ固定テープ(放射線硬化型のダイシングテープ)上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。さらに表面保護テープ3aのみ剥離し、ウェハ上にマスク材層3bのみを残そうとしたが、マスク材層3bを残して表面保護テープ3aのみを剥離できていないことから、放射線照射前のマスク材層と粘着剤層の密着力が、マスク材層とウェハ間の密着力よりも高いことがわかった。
なお、マスク材のみを残して剥離できていないことから、マスク材層の再剥離性、以下の試験例3のマスク材層の除去性および試験例3のスクライブライン上の糊残りは評価できなかった。
実施例および比較例に係るマスク一体型表面保護テープから幅25mm×長さ300mmの試験片を3点採取した。JIS R 6253に規定する280番の耐水研磨紙で仕上げたJIS G 4305に規定する厚み2.0mmのSUS鋼板(モデル半導体ウェハ)上に、各試験片を2kgのゴムローラを3往復かけて圧着し、1時間放置後、測定値がその容量の15〜85%の範囲に入るJIS B 7721に適合する引張試験機を用いて23℃での粘着力を測定した。測定は、180度引きはがし法によるものとし、この時の引張速さは300mm/minとした。
上記各実施例および比較例の<半導体チップの製造>において、表面保護テープを剥離した際に要した力(剥離性)を下記評価基準により評価した。なお、表面保護テープの剥離はRAD−2700F〔商品名:リンテック(株)社製〕を用いて行った。
◎:弱い力で簡単に表面保護テープのみを剥離することができた。
○:剥離するのにやや強い力を要したが、表面保護テープのみを剥離することができた。
×:剥離することができなかったか、または、マスク材層ごと剥離されてしまった。
上記各実施例の<半導体チップの製造>において、O2プラズマアッシング(1.5μm/分のエッチング速度で10分間アッシング)後のマスク材の残留の有無を、レーザー顕微鏡を用いて調べた。
○:マスク材層の残留が無い。
×:マスク材層の残留が有る。
上記各実施例の<半導体チップの製造>において、表面保護テープを剥離した後、ウェハ表面を顕微鏡で観察し、スクライブライン上の糊残りの有無を調べた。
○:糊残りが無い。
×:糊残りが有る。
なお、「−」は評価できなかったことを示す。
2 パターン面
3 マスク一体型表面保護テープ
3a 表面保護テープ
3aa 基材フィルム
3ab 放射線硬化型粘着剤層
3b 放射線硬化型マスク材層
4 ウェハ固定テープ
4a 粘着剤層または接着剤層
4b 基材フィルム
7 チップ
S 表面
B 裏面
M1 ウェハ研削装置
M2 ピン
M3 コレット
F リングフレーム
L レーザー(CO2レーザー)
P1 SF6ガスのプラズマ
P2 O2ガスのプラズマ
P2 O2ガスのプラズマ
Claims (6)
- 下記工程(a)〜(d)を含む半導体チップの製造に用いられるマスク一体型表面保護テープであって、
前記マスク一体型表面保護テープが、基材フィルム上に放射線硬化型粘着剤層および放射線硬化型マスク材層をこの順に有し、下記工程(b)において、放射線照射前は該粘着剤層と該マスク材層間が剥離し、放射線放射後は該マスク材層とパターン面が剥離することを特徴とするマスク一体型表面保護テープ。
〔工程(a)〜(d)〕
(a)マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハのパターン面側に貼り合せた状態で、該半導体ウェハの裏面を研削し、研削した半導体ウェハの裏面にウェハ固定テープを貼り合わせ、リングフレームで支持固定する工程、
(b)前記マスク一体型表面保護テープから前記基材フィルムと前記粘着剤層を一体に剥離して前記マスク材層を表面に露出させた後、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、
(c)SF6プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
(d)O2プラズマにより前記マスク材層を除去するアッシング工程 - 放射線照射による硬化前の前記マスク材層と前記粘着剤層との間の密着力が、2.0N/25mm以下であることを特徴とする請求項1に記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 前記マスク材層および前記粘着剤層が、いずれも(メタ)アクリル系共重合体、および、2官能または3官能以上の放射線重合性官能基を有し質量平均分子量が2,000〜20,000の範囲である放射線重合性化合物を含有することを特徴とする請求項1または2に記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 前記マスク材層に含まれる前記(メタ)アクリル系共重合体と、前記粘着剤層に含まれる前記(メタ)アクリル系共重合体のガラス転移点(Tg)が、いずれも−25〜−5℃であって、該(メタ)アクリル系共重合体の少なくとも一方の酸価が、0〜10mgKOH/gであることを特徴とする請求項3に記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 前記マスク材層および前記粘着剤層に用いられている硬化剤が、いずれもイソシア系硬化剤であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
- 前記マスク材層および前記粘着剤層に用いられている硬化剤が、いずれもエポキシ系硬化剤であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のマスク一体型表面保護テープ。
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