KR20230008803A - 전자 장치의 제조 방법 - Google Patents

전자 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230008803A
KR20230008803A KR1020227042836A KR20227042836A KR20230008803A KR 20230008803 A KR20230008803 A KR 20230008803A KR 1020227042836 A KR1020227042836 A KR 1020227042836A KR 20227042836 A KR20227042836 A KR 20227042836A KR 20230008803 A KR20230008803 A KR 20230008803A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive
electronic component
adhesive film
resin layer
film
Prior art date
Application number
KR1020227042836A
Other languages
English (en)
Inventor
히로토 야스이
히로요시 구리하라
진 기노시타
Original Assignee
미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 filed Critical 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤
Publication of KR20230008803A publication Critical patent/KR20230008803A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

회로 형성면(30A)을 갖는 전자 부품(30)과, 전자 부품(30)의 회로 형성면(30A)측에 접합된 점착성 필름(50)을 구비하는 구조체(100)를 준비하는 공정(A)과, 전자 부품(30)의 회로 형성면(30A)측과는 반대측의 면을 백그라인드하는 공정(B)과, 점착성 필름(50)에 자외선을 조사한 후에 전자 부품(30)으로부터 점착성 필름(50)을 제거하는 공정(C)을 적어도 구비하는 전자 장치의 제조 방법이며, 점착성 필름(50)이, 기재층(10)과, 기재층(10)의 한쪽 면측에 마련된 자외선 경화형의 점착성 수지층(20)을 구비하고, 자외선량 1080mJ/㎠의 자외선을 조사한 후의 점착성 수지층(20)의 파단 신도가 20％ 이상 200％ 이하인 전자 장치의 제조 방법.

Description

전자 장치의 제조 방법
본 발명은, 전자 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
전자 장치의 제조 공정 중에서, 전자 부품을 연삭하는 공정에 있어서는, 전자 부품을 고정하거나, 전자 부품의 손상을 방지하거나 하기 위해, 전자 부품의 회로 형성면에 점착성 필름이 첩부된다.
이와 같은 점착성 필름에는, 일반적으로, 기재 필름에 점착성 수지층을 적층시킨 필름이 사용되고 있다.
고밀도 실장 기술의 진보에 수반하여, 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품의 박육화의 요구가 있으며, 예를 들어 50㎛ 이하의 두께까지 박육 가공할 것이 요구되고 있다.
이와 같은 박육 가공의 하나로서, 전자 부품의 연삭 가공 전에, 전자 부품의 표면에 소정의 깊이의 홈을 형성하고, 다음에 연삭을 행함으로써 전자 부품을 개편화하는 선다이싱법이 있다. 또한, 연삭 가공 전에, 전자 부품 내부에 레이저를 조사함으로써 개질 영역을 형성하고, 다음에 연삭을 행함으로써 전자 부품을 개편화하는 선스텔스법이 있다.
이와 같은 선다이싱법이나 선스텔스법용의 점착성 필름에 관한 기술로서는, 예를 들어 특허문헌 1(일본 특허 공개 제2014-75560호 공보) 및 특허문헌 2(일본 특허 공개 제2016-72546호 공보)에 기재된 것을 들 수 있다.
특허문헌 1에는, 기재 상에 점착제층을 갖는 표면 보호 시트이며, 하기 요건 (a) 내지 (d)를 충족하는, 표면 보호 시트가 기재되어 있다.
(a) 상기 기재의 영률이, 450㎫ 이상이다
(b) 상기 점착제층의 25℃에서의 저장 탄성률이, 0.10㎫ 이상이다
(c) 상기 점착제층의 50℃에서의 저장 탄성률이 0.20㎫ 이하이다
(d) 상기 점착제층의 두께가, 30㎛ 이상이다
특허문헌 1에는, 이와 같은 표면 보호 시트는, 워크의 이면 연삭 공정 시에, 워크가 할단되어 형성되는 간극으로부터 워크의 피보호 표면에, 물의 침입(슬러지 침입)을 억제하여, 워크의 피보호 표면의 오염을 방지할 수 있다고 기재되어 있다.
특허문헌 2에는, 기재 수지 필름과, 상기 기재 수지 필름의 적어도 편면측에 형성된 방사선 경화성의 점착제층을 갖고, 상기 기재 수지 필름은, 인장 탄성률이 1 내지 10GPa인 강성층을 적어도 1층 갖고, 상기 점착제층을 방사선 경화시킨 후에 있어서의 박리 각도 30°에서의 박리력이, 0.1 내지 3.0N/25㎜인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프가 기재되어 있다.
특허문헌 2에는, 이와 같은 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프에 의하면, 선다이싱법 또는 선스텔스법을 적용한 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 공정에 있어서, 개편화된 반도체 칩의 커프 시프트를 억제함과 함께, 반도체 웨이퍼를 파손이나 오염시키지 않고 가공할 수 있다고 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2014-75560호 공보 일본 특허 공개 제2016-72546호 공보
본 발명자들의 검토에 의하면, 예를 들어 선다이싱법이나 선스텔스법 등을 사용한 전자 장치의 제조 프로세스에 있어서, 백그라인드 공정 후에 전자 부품으로부터 점착성 필름을 박리할 때, 전자 부품측에 점착제 잔류가 발생하기 쉬움이 밝혀졌다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 백그라인드 공정 후에 있어서, 전자 부품으로부터 점착성 필름을 박리할 때의 전자 부품측의 점착제 잔류를 억제하는 것이 가능한 전자 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명자들은, 상기 과제를 달성하기 위해 예의 검토를 거듭하였다. 그 결과, 자외선을 조사한 후의 점착성 수지층의 파단 신도를 특정 범위로 조정함으로써, 백그라인드 공정 후에 있어서, 전자 부품으로부터 점착성 필름을 박리할 때의 전자 부품측의 점착제 잔류를 억제할 수 있음을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.
본 발명에 따르면, 이하에 나타내는 전자 장치의 제조 방법이 제공된다.
[1]
회로 형성면을 갖는 전자 부품과, 상기 전자 부품의 상기 회로 형성면측에 접합된 점착성 필름을 구비하는 구조체를 준비하는 공정(A)과,
상기 전자 부품의 상기 회로 형성면측과는 반대측의 면을 백그라인드하는 공정(B)과,
상기 점착성 필름에 자외선을 조사한 후에 상기 전자 부품으로부터 상기 점착성 필름을 제거하는 공정(C)
을 적어도 구비하는 전자 장치의 제조 방법이며,
상기 점착성 필름이, 기재층과, 상기 기재층의 한쪽 면측에 마련된 자외선 경화형의 점착성 수지층을 구비하고,
자외선량 1080mJ/㎠의 자외선을 조사한 후의 상기 점착성 수지층의 파단 신도가 20％ 이상 200％ 이하인 전자 장치의 제조 방법.
[2]
상기 [1]에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 공정(A)은,
상기 전자 부품을 하프컷하는 공정(A1-1) 및 상기 전자 부품에 대하여 레이저를 조사하여, 상기 전자 부품에 개질층을 형성하는 공정(A1-2)으로부터 선택되는 적어도 1종의 공정(A1)과,
상기 공정(A1) 후에, 상기 전자 부품의 상기 회로 형성면측에 상기 점착성 필름을 첩부하는 공정(A2)을 포함하는 전자 장치의 제조 방법.
[3]
상기 [1] 또는 [2]에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 공정(C)에서는, 상기 점착성 필름에 대해, 200mJ/㎠ 이상 2000mJ/㎠ 이하의 선량의 자외선을 조사함으로써, 상기 점착성 수지층을 광경화시켜 상기 점착성 수지층의 점착력을 저하시킨 후에, 상기 전자 부품으로부터 상기 점착성 필름을 제거하는 전자 장치의 제조 방법.
[4]
상기 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 점착성 수지층은, 분자 중에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 (메트)아크릴계 수지와, 광 개시제를 포함하는 전자 장치의 제조 방법.
[5]
상기 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 점착성 수지층의 두께가 5㎛ 이상 300㎛ 이하인 전자 장치의 제조 방법.
[6]
상기 [1] 내지 [5] 중 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 기재층을 구성하는 수지가 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리아크릴레이트, 폴리메타아크릴레이트, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체, 폴리아크릴로니트릴, 폴리카르보네이트, 폴리스티렌, 아이오노머, 폴리술폰, 폴리에테르술폰 및 폴리페닐렌에테르로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 전자 장치의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 백그라인드 공정 후에 있어서, 전자 부품으로부터 점착성 필름을 박리할 때의 전자 부품측의 점착제 잔류를 억제하는 것이 가능한 전자 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 관한 실시 형태의 점착성 필름의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명에 관한 실시 형태의 전자 장치의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 사용하여 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서, 마찬가지의 구성 요소에는 공통의 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다. 또한, 도면은 개략도이며, 실제의 치수 비율과는 일치하고 있지 않다. 또한, 수치 범위의 「A 내지 B」는 특별히 언급이 없으면, A 이상 B 이하를 나타낸다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 「(메트)아크릴」이란, 아크릴, 메타크릴 또는 아크릴 및 메타크릴의 양쪽을 의미한다.
도 1은 본 발명에 관한 실시 형태의 점착성 필름(50)의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다. 도 2는 본 발명에 관한 실시 형태의 전자 장치의 제조 방법의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
본 실시 형태에 관한 전자 장치의 제조 방법은, 회로 형성면(30A)을 갖는 전자 부품(30)과, 전자 부품(30)의 회로 형성면(30A)측에 접합된 점착성 필름(50)을 구비하는 구조체(100)를 준비하는 공정(A)과, 전자 부품(30)의 회로 형성면(30A) 측과는 반대측의 면을 백그라인드하는 공정(B)과, 점착성 필름(50)에 자외선을 조사한 후에 전자 부품(30)으로부터 점착성 필름(50)을 제거하는 공정(C)을 적어도 구비하는 전자 장치의 제조 방법이며, 점착성 필름(50)이, 기재층(10)과, 기재층(10)의 한쪽 면측에 마련된 자외선 경화형의 점착성 수지층(20)을 구비하고, 자외선량 1080mJ/㎠의 자외선을 조사한 후(자외선 경화 후)의 점착성 수지층(20)의 파단 신도가 20％ 이상 200％ 이하이다.
여기서, 자외선 경화 후의 점착성 수지층(20)의 파단 신도는 이하의 방법으로 측정한 값이다.
(방법)
코로나 처리된 에틸렌·아세트산비닐 공중합체 압출 필름(MFR: 1.7g/10min, 아세트산비닐 함량: 9질량％, 두께: 140㎛)의 코로나 처리면에, 본 실시 형태에 관한 점착성 필름(50)의 점착성 수지층(20)과 두께, 조성 등이 동등한 것을 적층하고, 또한 당해 점착성 수지층(20)측에 실리콘 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 이형 필름(세퍼레이터)이 적층된 상태의 측정용 샘플을 제작한다.
적층 방법으로서는, 예를 들어 이하의 방법을 들 수 있다.
실리콘 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 이형 처리면에 점착성 수지층(20)을 형성하고, 다음에, 점착성 수지층(20) 상에 코로나 처리된 에틸렌·아세트산비닐 공중합체 필름을 접합하여 적층체를 얻는다. 다음에, 얻어진 적층체를 오븐에서 40℃, 3일간 가열하여, 숙성시킨다.
다음에, 얻어진 적층체의 에틸렌·아세트산비닐 공중합체 필름측으로부터 점착성 수지층(20)에 대해, 25℃의 환경 하에서 고압 수은 램프를 사용하여 주파장 365㎚의 자외선을 조사 강도 100mW/㎠로 자외선량 1080mJ/㎠ 조사하여 점착성 수지층(20)을 광경화시킨다. 다음에, 점착성 수지층(20)을 광경화시킨 적층체를 길이 110㎜, 폭 10㎜로 자르고, 세퍼레이터인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 적층체로부터 박리한다.
다음에, 점착성 수지층(20)을 에틸렌·아세트산비닐 공중합체 필름과 함께, 초기의 척간 거리 Lo가 50㎜로 되도록, 인장 시험기(예를 들어, 시마즈 세이사쿠쇼, 오토그래프 AGS-X)로 척한다. 샘플을 30㎜/분의 속도로 인장하고, 눈으로 보아 점착성 수지층(20)에 파단이 관측된 점을 파단점이라 하고, 그때의 척간 거리를 L이라 하자. 파단 신도(％)는, (L-Lo)/Lo×100(％)에 의해 구한다.
상술한 바와 같이, 본 발명자들의 검토에 의하면, 예를 들어 선다이싱법이나 선스텔스법 등을 사용한 전자 장치의 제조 프로세스에 있어서, 백그라인드 공정 후에 전자 부품으로부터 점착성 필름을 박리할 때, 전자 부품측에 점착제 잔류가 발생하기 쉬움이 밝혀졌다.
이 이유는 명백하지는 않지만, 통상의 전자 부품의 백그라인드 공정과 달리, 할단된 전자 부품으로부터 점착성 필름(50)을 박리할 필요가 있기 때문에, 할단된 전자 부품의 에지부에 점착제 잔류가 발생하기 쉬워진다고 생각된다.
본 발명자들은, 상기 과제를 달성하기 위해 예의 검토를 거듭하였다. 그 결과, 자외선 경화 후의 점착성 수지층(20)의 파단 신도를 상기 범위로 조정함으로써, 백그라인드 공정 후에 있어서, 전자 부품(30)으로부터 점착성 필름(50)을 박리할 때의 전자 부품(30)측의 점착제 잔류를 억제할 수 있음을 비로소 알아냈다.
본 실시 형태에 관한 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 자외선량 1080mJ/㎠의 자외선을 조사한 후의 점착성 수지층(20)의 파단 신도는 20％ 이상 200％ 이하이지만, 점착성 수지층(20)에 적당한 인성을 갖게 함으로써, 점착제 잔류가 발생하기 어려운 점착성 수지층(20)을 설계하는 관점에서, 바람직하게는 30％ 이상, 보다 바람직하게는 40％ 이상, 그리고, 바람직하게는 150％ 이하, 보다 바람직하게는 100％ 이하, 더욱 바람직하게는 80％ 이하로 조정한다.
자외선량 1080mJ/㎠의 자외선을 조사한 후의 점착성 수지층(20)의 파단 신도는, 예를 들어 점착성 수지층(20)을 구성하는 점착성 수지나 가교제, 광 개시제의 종류나 배합 비율, 점착성 수지에 있어서의 각 모노머의 종류나 함유 비율을 제어함으로써 상기 범위 내로 제어할 수 있다.
1. 점착성 필름
도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 점착성 필름(50)은, 기재층(10)과, 기재층(10)의 한쪽 면측에 마련된 자외선 경화형의 점착성 수지층(20)을 구비한다.
본 실시 형태에 관한 점착성 필름(50) 전체의 두께는, 기계적 특성과 취급성의 밸런스로부터, 바람직하게는 50㎛ 이상 600㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 50㎛ 이상 400㎛ 이하이고, 더욱 바람직하게는 50㎛ 이상 300㎛ 이하이다.
본 실시 형태에 관한 점착성 필름(50)은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 각 층의 사이에 요철 흡수성 수지층이나 접착층, 대전 방지층(도시하지 않음) 등의 다른 층을 마련해도 된다. 요철 흡수성 수지층에 의하면, 점착성 필름(50)의 요철 흡수성을 향상시킬 수 있다. 접착층에 의하면, 각 층의 사이의 접착성을 향상시킬 수 있다. 또한, 대전 방지층에 의하면, 점착성 필름(50)의 대전 방지성을 향상시킬 수 있다.
다음에, 본 실시 형태에 관한 점착성 필름(50)을 구성하는 각 층에 대하여 설명한다.
<기재층>
기재층(10)은, 점착성 필름(50)의 취급성이나 기계적 특성, 내열성 등의 특성을 보다 양호하게 하는 것을 목적으로 하여 마련되는 층이다.
기재층(10)은, 전자 부품(30)을 가공할 때 가해지는 외력에 견딜 수 있는 기계적 강도가 있으면 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 수지 필름을 들 수 있다.
기재층(10)을 구성하는 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리(4-메틸-1-펜텐), 폴리(1-부텐) 등의 폴리올레핀; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르; 나일론-6, 나일론-66, 폴리메타크실렌아디파미드 등의 폴리아미드; (메트)아크릴계 수지; 폴리염화비닐; 폴리염화비닐리덴; 폴리이미드; 폴리에테르이미드; 에틸렌·아세트산비닐 공중합체; 폴리아크릴로니트릴; 폴리카르보네이트; 폴리스티렌; 아이오노머; 폴리술폰; 폴리에테르술폰; 폴리에테르에테르케톤 등으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.
이들 중에서도, 기계 물성 및 투명성을 양호하게 하는 관점에서, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리아미드, 폴리이미드, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체 및 폴리부틸렌테레프탈레이트로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상이 바람직하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상이 보다 바람직하다.
기재층(10)은, 단층이어도, 2종 이상의 층이어도 된다.
또한, 기재층(10)을 형성하기 위해 사용하는 수지 필름의 형태로서는, 연신 필름이어도 되고, 1축 방향 또는 2축 방향으로 연신된 필름이어도 되지만, 기재층(10)의 기계적 강도를 향상시키는 관점에서, 1축 방향 또는 2축 방향으로 연신된 필름인 것이 바람직하다. 기재층(10)은 연삭 후의 전자 부품의 휨을 억제하는 관점에서, 미리 어닐 처리되어 있는 것이 바람직하다. 기재층(10)은 다른 층과의 접착성을 개량하기 위해, 표면 처리를 행해도 된다. 구체적으로는, 코로나 처리, 플라스마 처리, 언더코트 처리, 프라이머 코트 처리 등을 행해도 된다.
기재층(10)의 두께는, 양호한 필름 특성을 얻는 관점에서, 20㎛ 이상 250㎛ 이하가 바람직하고, 30㎛ 이상 200㎛ 이하가 보다 바람직하고, 50㎛ 이상 150㎛ 이하가 더욱 바람직하다.
<점착성 수지층>
본 실시 형태에 관한 점착성 필름(50)은 자외선 경화형의 점착성 수지층(20)을 구비한다.
점착성 수지층(20)은, 기재층(10)의 한쪽 면측에 마련되는 층이며, 점착성 필름(50)을 전자 부품(30)의 회로 형성면(30A)에 첩부할 때, 전자 부품(30)의 회로 형성면(30A)에 접촉하여 점착하는 층이다.
점착성 수지층(20)을 구성하는 점착제는, (메트)아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 올레핀계 점착제, 스티렌계 점착제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 접착력의 조정을 용이하게 할 수 있는 점 등으로부터, (메트)아크릴계 수지를 베이스 폴리머로 하는 (메트)아크릴계 점착제가 바람직하다.
또한, 점착성 수지층(20)을 구성하는 점착제로서는, 자외선에 의해 점착력을 저하시키는 자외선 가교형 점착제를 사용하는 것이 바람직하다.
자외선 가교형 점착제에 의해 구성된 점착성 수지층(20)은, 자외선의 조사에 의해 가교되어 점착력이 현저하게 감소하기 때문에, 점착성 필름(50)으로부터 전자 부품(30)을 박리하기 쉬워진다.
(메트)아크릴계 점착제에 포함되는 (메트)아크릴계 수지로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산에스테르 화합물의 단독 중합체, (메트)아크릴산에스테르 화합물과 코모노머의 공중합체 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산에스테르 화합물로서는, 예를 들어 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 (메트)아크릴산에스테르 화합물은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용하여 사용해도 된다.
또한, (메트)아크릴계 공중합체를 구성하는 코모노머로서는, 예를 들어 아세트산비닐, (메트)아크릴니트릴, 스티렌, (메트)아크릴산, 이타콘산, (메트)아크릴아미드, 메틸올(메트)아크릴아미드, 무수 말레산 등을 들 수 있다. 이들 코모노머는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용하여 사용해도 된다.
자외선 가교형의 (메트)아크릴계 점착제로서는, 분자 중에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 (메트)아크릴계 수지와, 광 개시제를 포함하고, 필요에 따라서 가교제에 의해 상기 (메트)아크릴계 수지를 가교시켜 얻어지는 점착제를 예시할 수 있다. 자외선 가교형의 (메트)아크릴계 점착제는, 분자 내에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 2개 이상 갖는 저분자량 화합물을 더 포함해도 된다.
분자 중에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 (메트)아크릴계 수지는, 구체적으로는 다음과 같이 하여 얻어진다. 먼저, 에틸렌성 이중 결합을 갖는 모노머와 관능기(P)를 갖는 공중합성 모노머를 공중합시킨다. 다음에, 이 공중합체에 포함되는 관능기(P)와, 해당 관능기(P)와 부가 반응, 축합 반응 등을 일으킬 수 있는 관능기(Q)를 갖는 모노머를, 해당 모노머 중의 이중 결합을 남긴 채로 반응시켜, 공중합체 분자 중에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 도입한다.
상기 에틸렌성 이중 결합을 갖는 모노머로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 메틸, (메트)아크릴산-2-에틸헥실, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산에틸 등의 아크릴산알킬에스테르 및 메타크릴산알킬에스테르 모노머, 아세트산비닐과 같은 비닐에스테르, (메트)아크릴로니트릴, (메트)아크릴아미드, 스티렌 등의 에틸렌성 이중 결합을 갖는 모노머 중으로부터, 1종 또는 2종 이상이 사용된다.
상기 관능기(P)를 갖는 공중합성 모노머로서는, (메트)아크릴산, 말레산, (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산글리시딜, N―메틸올(메트)아크릴아미드, (메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트 등을 들 수 있다. 이들은 1종이어도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다.
상기 에틸렌성 이중 결합을 갖는 모노머와 관능기(P)를 갖는 공중합성 모노머의 비율은, 상기 에틸렌성 이중 결합을 갖는 모노머가 70 내지 99질량％이고, 관능기(P)를 갖는 공중합성 모노머가 1 내지 30질량％인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 상기 에틸렌성 이중 결합을 갖는 모노머가 80 내지 95질량％이고, 관능기(P)를 갖는 공중합성 모노머가 5 내지 20질량％이다.
상기 관능기(Q)를 갖는 모노머로서는, 예를 들어 상기 관능기(P)를 갖는 공중합성 모노머와 마찬가지의 모노머를 들 수 있다.
에틸렌성 이중 결합을 갖는 모노머와 관능기(P)를 갖는 공중합성 모노머의 공중합체에, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 도입할 때 반응시키는 관능기(P)와 관능기(Q)의 조합으로서, 카르복실기와 에폭시기, 카르복실기와 아지리딜기, 수산기와 이소시아네이트기 등, 용이하게 부가 반응이 일어나는 조합이 바람직하다. 또한, 부가 반응에 한하지 않고 카르복실산기와 수산기의 축합 반응 등, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 용이하게 도입할 수 있는 반응이라면 어떠한 반응을 사용해도 된다.
분자 중에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 2개 이상 갖는 저분자량 화합물로서는, 예를 들어 트리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상을 사용해도 된다. 분자 중에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 2개 이상 갖는 저분자량 화합물의 첨가량은, 상기 (메트)아크릴계 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1 내지 20질량부이고, 보다 바람직하게는 5 내지 18질량부이다.
광 개시제로서는, 예를 들어 벤조인, 이소프로필벤조인에테르, 이소부틸벤조인에테르, 벤조페논, 미힐러케톤, 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 아세토페논디에틸케탈, 벤질디메틸케탈, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-4'-모르폴리노부티로페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)부탄-1-온 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 사용해도 된다. 광 개시제의 첨가량은, 상기 (메트)아크릴계 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1 내지 15질량부이며, 보다 바람직하게는 1 내지 10질량부이고, 더욱 바람직하게는 4 내지 10질량부이다.
상기 자외선 경화형 점착제에는 가교제를 첨가해도 된다. 가교제로서는, 예를 들어 소르비톨폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤폴리글리시딜에테르, 펜타에리트리톨폴리글리시딜에테르, 디글리세롤폴리글리시딜에테르 등의 에폭시계 화합물, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), N,N'-헥사메틸렌-1,6-비스(1-아지리딘카르복시아미드) 등의 아지리딘계 화합물, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 폴리이소시아네이트 등의 이소시아네이트계 화합물 등을 들 수 있다. 상기 자외선 경화형 점착제는, 용제 타입, 에멀션 타입, 핫 멜트 타입 등 중 어느 것이어도 된다.
가교제의 함유량은, 통상, 가교제 중의 관능기수가 (메트)아크릴계 수지 중의 관능기수보다도 많아지지 않을 정도의 범위가 바람직하다. 그러나, 가교 반응에서 새롭게 관능기가 발생하는 경우나, 가교 반응이 느린 경우 등, 필요에 따라서 과잉으로 함유해도 된다.
(메트)아크릴계 점착제 중의 가교제의 함유량은, 점착성 수지층(20)의 내열성이나 밀착력과의 밸런스를 향상시키는 관점에서, (메트)아크릴계 수지 100질량부에 대해, 0.1질량부 이상 15질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.5질량부 이상 5질량부 이하인 것이 보다 바람직하다.
점착성 수지층(20)은, 예를 들어 기재층(10) 상에 점착제 도포액을 도포함으로써 형성할 수 있다.
점착제 도포액을 도포하는 방법으로서는, 예를 들어, 롤 코터법, 리버스 롤 코터법, 그라비아 롤법, 바 코트법, 콤마 코터법, 다이 코터법 등의 종래 공지의 도포 방법을 채용할 수 있다. 도포된 점착제의 건조 조건은 특별히 제한은 없지만, 일반적으로는, 80 내지 200℃의 온도 범위에 있어서, 10초 내지 10분간 건조시키는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 80 내지 170℃에서, 15초 내지 5분간 건조시킨다. 가교제와 (메트)아크릴계 수지의 가교 반응을 충분히 촉진시키기 위해, 점착제 도포액의 건조가 종료된 후, 40 내지 80℃에서 5 내지 300시간 정도 가열해도 된다.
본 실시 형태에 관한 점착성 필름(50)에 있어서, 점착성 수지층(20)의 두께는 바람직하게는 5㎛ 이상 300㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상 100㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 10㎛ 이상 50㎛ 이하이다. 점착성 수지층(20)의 두께가 상기 범위 내이면, 전자 부품(30)에 대한 표면에 대한 점착성과, 취급성의 밸런스가 양호하다.
2. 전자 장치의 제조 방법
본 실시 형태에 관한 전자 장치의 제조 방법은, 이하의 3개의 공정을 적어도 구비하고 있다.
(A) 회로 형성면(30A)을 갖는 전자 부품(30)과, 전자 부품(30)의 회로 형성면(30A)측에 접합된 점착성 필름(50)을 구비하는 구조체(100)를 준비하는 공정
(B) 전자 부품(30)의 회로 형성면(30A)측과는 반대측의 면을 백그라인드하는 공정
(C) 점착성 필름(50)에 자외선을 조사한 후에 전자 부품(30)으로부터 점착성 필름(50)을 제거하는 공정
그리고, 자외선량 1080mJ/㎠의 자외선을 조사한 후의 점착성 수지층(20)의 파단 신도가 20％ 이상 200％ 이하인 것에 특징이 있다.
이하, 본 실시 형태에 관한 전자 장치의 제조 방법의 각 공정에 대하여 설명한다.
(공정(A))
처음에, 회로 형성면(30A)을 갖는 전자 부품(30)과, 전자 부품(30)의 회로 형성면(30A)측에 접합된 점착성 필름(50)을 구비하는 구조체(100)를 준비한다.
이와 같은 구조체(100)는, 예를 들어 점착성 필름(50)의 점착성 수지층(20)으로부터 이형 필름을 박리하여, 점착성 수지층(20)의 표면을 노출시키고, 그 점착성 수지층(20) 상에 전자 부품(30)의 회로 형성면(30A)을 첩부함으로써 제작할 수 있다.
여기서, 점착성 필름(50)에 전자 부품(30)의 회로 형성면(30A)을 첩부할 때의 조건은 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 온도는 20 내지 80℃, 압력은 0.05 내지 0.5㎫, 첩부 속도는 0.5 내지 20㎜/초로 할 수 있다.
공정(A)은, 전자 부품(30)을 하프컷하는 공정(A1-1) 및 전자 부품(30)에 대하여 레이저를 조사하여, 전자 부품(30)에 개질층을 형성하는 공정(A1-2)으로부터 선택되는 적어도 1종의 공정(A1)과, 공정(A1) 후에, 전자 부품(30)의 회로 형성면(30A)측에 점착성 필름(50)을 첩부하는 공정(A2)을 더 포함하는 것이 바람직하다.
전술한 바와 같이, 선다이싱법이나 선스텔스법 등을 사용한 전자 장치의 제조 프로세스에 있어서, 백그라인드 공정 후에 전자 부품(30)으로부터 점착성 필름(50)을 박리할 때, 전자 부품(30)측에 점착제 잔류가 발생하기 쉽기 때문에, 선다이싱법이나 선스텔스법 등을 사용한 전자 장치의 제조 프로세스에, 본 실시 형태에 관한 전자 장치의 제조 방법을 적합하게 적용할 수 있다. 그 때문에, 선다이싱법으로 되는 상기 공정(A1-1)이나 선스텔스법으로 되는 상기 공정(A1-2)을 행하는 제조 방법이 바람직하다.
공정(A2)에서는, 전자 부품(30)의 회로 형성면(30A)에 점착성 필름(50)을 가온하여 첩부할 수 있다. 이에 의해, 점착성 수지층(20)과 전자 부품(30)의 접착 상태를 장시간에 걸쳐 양호하게 할 수 있다. 가온 온도로서는 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 60 내지 80℃이다.
점착성 필름(50)을 전자 부품에 첩부하는 조작은, 사람 손에 의해 행해지는 경우도 있지만, 일반적으로, 롤상의 점착성 필름을 설치한 자동 부착기라 칭해지는 장치에 의해 행할 수 있다.
점착성 필름(50)에 첩부하는 전자 부품(30)으로서는 특별히 한정되지는 않지만, 회로 형성면(30A)을 갖는 전자 부품(30)인 것이 바람직하다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 에폭시 몰드 웨이퍼, 몰드 패널, 몰드 어레이 패키지, 반도체 기판 등을 들 수 있고, 바람직하게는 반도체 웨이퍼 및 에폭시 몰드 웨이퍼이다.
또한, 반도체 웨이퍼는, 예를 들어 실리콘 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼, 게르마늄 웨이퍼, 게르마늄-비소 웨이퍼, 갈륨-인 웨이퍼, 갈륨-비소-알루미늄 웨이퍼, 갈륨-비소 웨이퍼, 탄탈산리튬 웨이퍼 등을 들 수 있지만, 실리콘 웨이퍼에 적합하게 사용된다. 에폭시 몰드 웨이퍼는, 팬아웃형 WLP의 제작 방법의 하나인 eWLB(Embedded Wafer Level Ball Grid Array) 프로세스에 의해 제작된 웨이퍼를 들 수 있다.
회로 형성면을 갖는 반도체 웨이퍼 및 에폭시 몰드 웨이퍼로서는 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 표면에 배선, 캐패시터, 다이오드 또는 트랜지스터 등의 회로가 형성된 것에 사용된다. 또한, 회로 형성면에 플라스마 처리가 되어 있어도 된다.
전자 부품(30)의 회로 형성면(30A)은, 예를 들어 범프 전극 등을 가짐으로써, 요철면으로 되어 있어도 된다.
또한, 범프 전극은, 예를 들어 전자 장치를 실장면에 실장할 때, 실장면에 형성된 전극에 대하여 접합되어, 전자 장치와 실장면(프린트 기판 등의 실장면) 사이의 전기적 접속을 형성하는 것이다.
범프 전극으로서는, 예를 들어 볼 범프, 인쇄 범프, 스터드 범프, 도금 범프, 필러 범프 등의 범프 전극을 들 수 있다. 즉, 범프 전극은, 통상 볼록 전극이다. 이들 범프 전극은 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
범프 전극의 높이 및 직경은 특별히 한정되지는 않지만, 각각, 바람직하게는 10 내지 400㎛, 보다 바람직하게는 50 내지 300㎛이다. 그때의 범프 피치에 있어서도 특별히 한정되지는 않지만, 바람직하게는 20 내지 600㎛, 보다 바람직하게는 100 내지 500㎛이다.
또한, 범프 전극을 구성하는 금속종은 특별히 한정되지는 않고, 예를 들어, 땜납, 은, 금, 구리, 주석, 납, 비스무트 및 이들 합금 등을 들 수 있지만, 점착성 필름(50)은 범프 전극이 땜납 범프인 경우에 적합하게 사용된다. 이들 금속종은 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
(공정(B))
다음에, 전자 부품(30)의 회로 형성면(30A)측과는 반대측의 면(이면이라고도 칭함)을 백그라인드한다.
여기서, 백그라인드한다란, 전자 부품을 파손하지 않고, 소정의 두께까지 박화 가공하는 것을 의미한다.
예를 들어, 연삭기의 척 테이블 등에 구조체(100)를 고정하고, 전자 부품의 이면(회로 비형성면)을 연삭한다.
이와 같은 이면 연삭 조작에 있어서, 전자 부품(30)은, 두께가 원하는 두께 이하로 될 때까지 연삭된다. 연삭하기 전의 전자 부품의 두께는, 전자 부품(30)의 직경, 종류 등에 의해 적절히 결정되고, 연삭 후의 전자 부품(30)의 두께는, 얻어지는 칩의 사이즈, 회로의 종류 등에 의해 적절히 결정된다.
또한, 전자 부품(30)이 하프컷되어 있거나, 또는 레이저 조사에 의해 개질층이 형성되어 있는 경우, 도 2에 도시한 바와 같이 공정(B)에 의해, 전자 부품(30)은 개편화된다.
이면 연삭 방식으로서는 특별히 한정되지는 않지만, 공지의 연삭 방식을 채용할 수 있다. 각각 연삭은, 물을 전자 부품과 지석에 뿌려 냉각하면서 행할 수 있다. 필요에 따라서, 연삭 공정의 마지막에 연삭수를 사용하지 않는 연삭 방식인 드라이 폴리시 공정을 행할 수 있다. 이면 연삭 종료 후, 필요에 따라서 케미컬 에칭이 행해진다. 케미컬 에칭은, 불화수소산, 질산, 황산, 아세트산 등의 단독 혹은 혼합액으로 이루어지는 산성 수용액, 수산화칼륨 수용액, 수산화나트륨 수용액 등의 알칼리성 수용액으로 이루어지는 군에서 선택된 에칭액에, 점착성 필름(50)을 접착한 상태로 전자 부품을 침지하는 등의 방법에 의해 행해진다. 해당 에칭은, 전자 부품의 이면에 발생한 변형의 제거, 전자 부품의 한층 더한 박층화, 산화막 등의 제거, 전극을 이면에 형성할 때의 전처리 등을 목적으로 하여 행해진다. 에칭액은, 상기 목적에 따라서 적절히 선택된다.
(공정(C))
다음에, 점착성 필름(50)에 자외선을 조사한 후에 전자 부품(30)으로부터 점착성 필름(50)을 제거한다. 공정(C)에서는, 점착성 필름(50)에 대해, 예를 들어 200mJ/㎠ 이상 2000mJ/㎠ 이하의 선량의 자외선을 조사함으로써, 점착성 수지층(20)을 광경화시켜 점착성 수지층(20)의 점착력을 저하시킨 후에, 전자 부품(30)으로부터 점착성 필름(50)을 제거한다.
또한, 자외선 조사는, 예를 들어 고압 수은 램프를 사용하여 주파장 365㎚의 자외선을 사용하여 행할 수 있다.
자외선의 조사 강도는, 예를 들어 50mW/㎠ 이상 500mW/㎠ 이하이다.
전자 부품(30)으로부터 점착성 필름을 제거하기 전에, 다이싱 테이프, 또는 다이 어태치 필름 구비 다이싱 테이프 상에 전자 부품(30)을 마운트해도 된다. 전자 부품(30)으로부터 점착성 필름(50)을 제거하는 조작은, 사람 손에 의해 행해지는 경우도 있지만, 일반적으로는 자동 박리기라 칭해지는 장치에 의해 행할 수 있다.
점착성 필름(50)을 박리한 후의 전자 부품(30)의 표면은, 필요에 따라서 세정해도 된다. 세정 방법으로서는, 물 세정, 용제 세정 등의 습식 세정, 플라스마 세정 등의 건식 세정 등을 들 수 있다. 습식 세정의 경우, 초음파 세정을 병용해도 된다. 이들 세정 방법은, 전자 부품의 표면의 오염 상황에 따라 적절히 선택할 수 있다.
(그 밖의 공정)
공정(A) 내지 공정(C)을 행한 후, 얻어진 반도체 칩을 회로 기판에 실장하는 공정 등을 더 행해도 된다. 이들 공정은, 공지의 정보에 기초하여 행할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명하였지만, 이들은 본 발명의 예시이며, 상기 이외의 다양한 구성을 채용할 수도 있다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.
점착성 필름의 제작에 관한 상세는 이하와 같다.
<기재층>
기재층1: 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도요보사제, 제품명: E7180, 두께: 50㎛, 편면 코로나 처리품)
기재층2: 저밀도 폴리에틸렌 필름/폴리에틸렌테레프탈레이트 필름/저밀도 폴리에틸렌 필름으로 이루어지는 적층 필름(총 두께: 110㎛)
폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도레이사제, 제품명: 루미러 S10, 두께: 50㎛)의 양측에 저밀도 폴리에틸렌 필름(밀도: 0.925kg/㎥, 두께: 30㎛)을 라미네이트하여 얻었다. 얻어진 적층 필름의 편측에 코로나 처리를 실시하였다.
기재층3: 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름/에틸렌·아세트산비닐 공중합체 필름/아크릴 필름으로 이루어지는 적층 필름(총 두께: 145㎛)
폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(도요보사제, 제품명: E7180, 두께: 50㎛)과 에틸렌·아세트산비닐 공중합체(미쓰이·다우 폴리케미컬 가부시키가이샤제, MFR: 2.5g/10분) 필름(두께: 70㎛)을, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체 필름의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름과의 접합면측에 코로나 처리를 실시함으로써 적층하였다. 또한, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 반대면측에도 코로나 방전 처리를 실시하였다.
다음에, 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(세퍼레이터)의 이형면에 다음에 나타내는 기재용의 아크릴계 수지 도포액을 드라이 두께 20㎛가 되도록 코트·건조시키고, 상기 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름/에틸렌·아세트산비닐 공중합체 필름으로 이루어지는 적층 필름에 에틸렌·아세트산비닐 공중합체 필름을 통해 접합하여, 숙성(40℃, 3일간)하였다. 다음에, 세퍼레이터를 박리하여, 기재층3을 얻었다.
<기재용의 아크릴계 수지 도포액>
중합 개시제로서 4,4'-아조비스-4-시아노발레릭애시드(오츠카 가가쿠사제, 제품명: ACVA)를 0.5질량부 사용하고, 아크릴산부틸 74질량부, 메타크릴산메틸 14질량부, 메타크릴산-2-히드록시에틸 9질량부, 메타크릴산 2질량부, 아크릴아미드 1질량부, 폴리옥시에틸렌노닐프로페닐페닐에테르황산암모늄의 수용액(다이이치 고교 세이야쿠사제, 제품명: 아쿠알론 HS-1025) 3질량부를, 탈이온수 중에서 70℃에서 9시간 유화 중합시켰다. 중합 종료 후, 암모니아수로 PH=7로 조정하여, 고형분 농도 42.5％의 아크릴 폴리머 수계 에멀션을 얻었다. 다음에, 이 아크릴 폴리머 수계 에멀션 100질량부에 대해, 암모니아수를 사용하여, ph=9 이상으로 조정함과 함께, 아지리딘계 가교제〔닛폰 쇼쿠바이 가가쿠 고교제, 케미타이트 PZ-33〕 0.75질량부, 및 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 5질량부를 배합하여, 기재용의 도포액을 얻었다.
<(메트)아크릴계 수지 용액>
(메트)아크릴계 수지 용액1:
아크릴산에틸 49질량부, 아크릴산-2-에틸헥실 20질량부, 아크릴산메틸 21질량부, 메타크릴산글리시딜 10질량부, 및 중합 개시제로서 벤조일퍼옥사이드계 중합 개시제 0.5질량부를 톨루엔 65질량부 및 아세트산에틸 50질량부 중에서 80℃에서 10시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 얻어진 용액을 냉각하고, 냉각한 용액에 크실렌 25질량부, 아크릴산 5질량부, 및 테트라데실디메틸벤질암모늄클로라이드 0.5질량부를 첨가하고, 공기를 취입하면서 85℃에서 32시간 반응시켜, (메트)아크릴계 수지 용액1을 얻었다.
(메트)아크릴계 수지 용액2:
아크릴산n-부틸 77질량부, 메타크릴산메틸 16질량부, 아크릴산2-히드록시에틸 16질량부, 및 중합 개시제로서 t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트 0.3질량부를, 톨루엔 20질량부 및 아세트산에틸 80질량부 중에서 85℃에서 10시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 이 용액을 냉각하고, 이것에 톨루엔 30질량부, 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(쇼와 덴코제, 제품명: 카렌즈 MOI) 7질량부, 및 디라우릴산디부틸주석 0.05질량부를 첨가하고, 공기를 취입하면서 85℃에서 12시간 반응시켜, (메트)아크릴계 수지 용액2를 얻었다.
(메트)아크릴계 수지 용액3:
아크릴산에틸 30질량부, 아크릴산메틸 11질량부, 아크릴산-2-에틸헥실 26질량부, 메크릴산2-히드록시에틸 7질량부, 및 중합 개시제로서 벤조일퍼옥사이드계 중합 개시제 0.8질량부를, 톨루엔 7질량부 및 아세트산에틸 50질량부 중에서 80℃에서 9시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 얻어진 용액을 냉각하고, 냉각한 용액에 톨루엔 25질량부를 첨가하여, (메트)아크릴계 수지 용액3을 얻었다.
<파단 신도 평가용 점착성 필름>
아크릴계 수지 용액에 표 1에 나타내는 첨가제를 첨가함으로써, 점착성 수지층용의 점착제 도포액을 조제하였다. 이 도포액을, 실리콘 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(세퍼레이터)의 이형 처리면에 도포하고, 120℃에서 3분간 건조시켜, 두께 20㎛의 점착성 수지층을 형성하였다. 다음에, 점착성 수지층 상에, 코로나 처리된 에틸렌·아세트산비닐 공중합체 압출 필름(MFR: 1.7g/10min, 아세트산비닐 함량: 9질량％, 두께: 140㎛)의 코로나 처리면을 접합하여 적층체를 얻었다. 다음에, 얻어진 적층체를 오븐에서 40℃, 3일간 가열하여, 숙성시켰다.
<점착력 및 선다이싱 평가용 점착성 필름>
아크릴계 수지 용액에 표 1에 나타내는 첨가제를 첨가함으로써, 점착성 수지층용의 점착제 도포액을 조제하였다. 이 도포액을, 실리콘 이형 처리된 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(세퍼레이터)에 도포하였다. 다음에, 120℃에서 3분간 건조시켜, 두께 20㎛의 점착성 수지층을 형성하고, 기재층에 접합하였다. 기재층1 및 2에 대해서는, 코로나 처리면에 접합하였다. 기재층3에 대해서는, 세퍼레이터를 박리하고, 아크릴층측에 접합하였다. 얻어진 적층체를 오븐에서 40℃, 3일간 가열하여, 숙성시켰다.
<평가 방법>
(1) 자외선 경화 후의 점착성 수지층의 파단 신도
파단 신도 평가용 점착성 필름의 에틸렌·아세트산비닐 공중합체 압출 필름측으로부터 점착성 수지층에 대해, 25℃의 환경 하에서 고압 수은 램프를 사용하여 주파장 365㎚의 자외선을 조사 강도 100mW/㎠로 자외선량 1080mJ/㎠ 조사하였다. 다음에, 길이 110㎜, 폭 10㎜로 자르고, 세퍼레이터인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 적층체로부터 박리하였다.
다음에, 점착성 수지층을 에틸렌·아세트산비닐 공중합체 압출 필름과 함께, 초기의 척간 거리 Lo가 50㎜로 되도록, 인장 시험기(시마즈 세이사쿠쇼, 제품명: 오토그래프 AGS-X)로 척하였다. 샘플을 30㎜/분의 속도로 인장하고, 눈으로 보아 점착성 수지층에 파단이 관측된 점을 파단점이라 하고, 그때의 척간 거리를 L이라 하였다. 파단 신도(％)는, (L-Lo)/Lo×100(％)에 의해 구하였다. 평가는 N=2로 실시하고, 그 값을 평균하여 측정값으로 하였다.
(2) 점착력 평가
피착체 웨이퍼:
실리콘 미러 웨이퍼(4인치 편면 미러 웨이퍼)의 경면을 UV 오존 세정 장치(테크노 비전사제, UV-208)에 의해, 오존 세정하였다(오존 처리 시간: 60초). 그 후, 웨이퍼 경면을 에탄올로 닦아낸 것을 피착체 웨이퍼로 하였다.
자외선 조사 전 점착력:
23℃, 50％ RH의 환경 하, 점착력 평가용 점착성 필름을 가로 폭 50㎜로 자르고, 세퍼레이터를 박리하고, 핸드 롤러를 사용하여, 점착성 필름을 그 점착성 수지층을 통해, 피착체 웨이퍼 경면에 첩부하고, 1시간 방치하였다. 방치 후, 인장 시험기(시마즈 세이사쿠쇼, 제품명: 오토그래프 AGS-X)를 사용하여, 점착성 필름의 일단을 끼움 지지하고, 박리 각도: 180도, 박리 속도: 300㎜/분으로 피착체 웨이퍼의 표면으로부터 점착성 필름을 박리하였다. 그때의 응력을 측정하여 N/25㎜로 환산하여, 점착력을 구하였다. 평가는 N=2로 실시하고, 그 값을 평균하여 측정값으로 하였다.
자외선 조사 후 점착력: 23℃, 50％ RH의 환경 하, 점착력 평가용 점착성 필름을 가로 폭 50㎜로 자르고, 세퍼레이터를 박리하고, 핸드 롤러를 사용하여, 점착성 필름을 그 점착성 수지층을 통해, 피착체 웨이퍼 경면에 첩부하고, 1시간 방치하였다. 방치 후, 25℃의 환경 하에서 고압 수은 램프를 사용하여 주파장 365㎚의 자외선을 조사 강도 100mW/㎠로, 점착성 필름에 자외선량 1080mJ/㎠를 조사하였다. 그 후, 인장 시험기(시마즈 세이사쿠쇼, 제품명: 오토그래프 AGS-X)를 사용하여, 점착성 필름의 일단을 끼움 지지하고, 박리 각도: 180도, 박리 속도: 300㎜/분으로 피착체 웨이퍼의 표면으로부터 점착성 필름을 박리한다. 그때의 응력을 측정하여 N/25㎜로 환산하여, 점착력을 구하였다. 평가는 N=2로 실시하고, 그 값을 평균하여 측정값으로 하였다.
점착제 잔류 평가:
상기 박리 후의 피착체 웨이퍼를 눈으로 보아 관찰하고, 다음 기준으로 평가하였다.
○(좋음): 점착제 잔류가 확인되지 않은 것
×(나쁨): 점착제 잔류가 확인된 것
(3) 선다이싱법 평가
평가 웨이퍼1:
다이싱 소를 사용하여, 미러 웨이퍼(8인치 미러 웨이퍼, 직경: 200±0.5㎜, 두께: 725±50㎛, 편면 미러)의 경면을 하프컷하여, 평가 웨이퍼1을 얻었다. (블레이드: ZH05-SD3500-N1-70-DD, 칩 사이즈: 5㎜×8㎜, 절입 깊이: 58㎛, 블레이드 회전 속도: 30000rpm). 평가 웨이퍼1을 광학 현미경으로 관찰한바, 커프 폭은 35㎛였다.
평가 웨이퍼2:
다이싱 소를 사용하여, 미러 웨이퍼(8인치 미러 웨이퍼, 직경: 200±0.5㎜, 두께: 725±50㎛, 편면 미러)의 경면에 1단계째의 하프컷을 실시하였다(블레이드: Z09-SD2000-Y1 58×0.25A×40×45E-L, 칩 사이즈: 5㎜×8㎜, 절입 깊이: 15㎛, 블레이드 회전 속도: 30000rpm). 광학 현미경으로 관찰한바, 커프 폭은 60㎛였다. 계속해서, 2단계째의 하프컷을 실시하여(블레이드: ZH05-SD3500-N1-70-DD, 칩 사이즈: 5㎜×8㎜, 절입 깊이: 58㎛, 블레이드 회전 속도: 30000rpm), 평가 웨이퍼2를 얻었다.
선다이싱법:
테이프 라미네이터(닛토덴코사제, DR3000II)를 사용하여, 선다이싱 평가용 점착성 필름을 상기 평가 웨이퍼의 하프컷된 면에 첩부하였다(23℃, 첩부 속도: 5㎜/분, 첩부 압력: 0.36㎫).
계속해서, 그라인더(DISCO사제, DGP8760)를 사용하여, 상기 웨이퍼를 이면 연삭하여(조(粗) 연삭 및 정밀 연삭, 정밀 연삭량: 40㎛, 폴리시 없음, 연삭 후 두께: 38㎛), 개편화하였다.
선다이싱 시의 칩 비산은, 이면 연삭 실시 후, 눈으로 보아 다음 기준으로 평가하였다.
○(좋음): 삼각 코너부를 포함시켜, 칩 비산이 확인되지 않은 것
×(나쁨): 삼각 코너부를 포함시켜, 칩 비산이 확인된 것
또한, UV 조사 및 선다이싱 평가용 점착성 필름 박리를 행하여, 선다이싱법 후의 점착제 잔류를 평가하였다.
UV 조사는 25℃의 환경 하에서 고압 수은 램프를 사용하여 주파장 365㎚의 자외선을 조사 강도 100mW/㎠로, 선다이싱 평가용 점착성 필름에 자외선량 1080mJ/㎠를 조사하였다.
선다이싱 평가용 점착성 필름의 박리는, 이하의 수순으로 행하였다. 먼저, 웨이퍼 마운터(닛토덴코사제, MSA300)를 사용하여, 별도 준비한 다이싱 테이프(마운트용 테이프로서 이용)를 당해 다이싱 테이프의 점착면을 통해, 8인치 웨이퍼용 링 프레임 및 상술한 개편화된 웨이퍼의 웨이퍼측에 첩부하였다. 계속해서, 테이프 박리기(닛토덴코사제, HR3000III)를 사용하여, 박리 테이프(래스팅 시스템사제, PET38REL)에 의해, 웨이퍼 노치부로부터 선다이싱 평가용 점착성 필름을 박리하였다. 장치 박리성은, 다음 기준으로 평가하였다.
○(좋음): 1번째에서 선다이싱 평가용 점착성 필름을 웨이퍼로부터 박리할 수 있었던 것
×(나쁨): 1번째에서 선다이싱 평가용 점착성 필름을 웨이퍼로부터 박리할 수 없었던 것
선다이싱법 후의 개편화된 웨이퍼 상의 점착제 잔류는, 광학 현미경(올림푸스사제)을 사용하여, 이하의 기준으로 평가하였다.
○ (좋음): 점착제 잔류가 확인되지 않은 것
×(나쁨): 점착제 잔류가 확인된 것
[실시예 1]
(메트)아크릴계 수지 용액1(고형분) 100질량부에 대하여, 광 개시제로서 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논(IGM사제, 상품명: 옴니라드 651) 6.9질량부, 이소시아네이트계 가교제(미쓰이 가가쿠사제, 상품명: 오레스타 P49-75S) 0.93질량부를 첨가하여, 점착성 수지층용의 점착제 도포액1을 얻었다. 상술한 방법에 의해, 파단 신도 평가용 점착성 필름, 점착력 평가용 점착성 필름 및 선다이싱 평가용 점착성 필름을 제작하였다. 또한, 앞서 설명한 평가 방법에 기초하여, 자외선 경화 후의 점착재의 파단 신도, 점착력 평가 및 선다이싱법 평가를 실시하였다. 결과를 표 1에 나타냈다.
[실시예 2 내지 10 및 비교예 1 및 2]
점착성 수지층 및 기재층의 종류를 표 1에 나타내는 것으로 변경한 것 이외는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 점착성 필름을 각각 제작하였다. 또한, 실시예 1과 마찬가지로 각 평가를 각각 행하였다. 얻어진 결과를 표 1에 각각 나타낸다.
또한, 표 1에 기재되어 있는 화합물은 이하와 같다.
옴니라드 651(IGM사제): 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논
옴니라드 369(IGM사제): 2-벤질-2-디메틸아미노-4'-모르폴리노부티로페논
아로닉스 M400(도아 고세사제): 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트 및 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트의 혼합물
NK 에스테르 AD-TMP(신나카무라 가가쿠 고교사제): 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트
Figure pct00001
이 출원은, 2020년 6월 10일에 출원된 일본 출원 특허 출원 제2020-101092호를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시 모두를 여기에 포함한다.
10: 기재층
20: 점착성 수지층
30: 전자 부품
30A: 회로 형성면
50: 점착성 필름
100: 구조체

Claims (6)

  1. 회로 형성면을 갖는 전자 부품과, 상기 전자 부품의 상기 회로 형성면측에 접합된 점착성 필름을 구비하는 구조체를 준비하는 공정(A)과,
    상기 전자 부품의 상기 회로 형성면측과는 반대측의 면을 백그라인드하는 공정(B)과,
    상기 점착성 필름에 자외선을 조사한 후에 상기 전자 부품으로부터 상기 점착성 필름을 제거하는 공정(C)
    을 적어도 구비하는 전자 장치의 제조 방법이며,
    상기 점착성 필름이, 기재층과, 상기 기재층의 한쪽 면측에 마련된 자외선 경화형의 점착성 수지층을 구비하고,
    자외선량 1080mJ/㎠의 자외선을 조사한 후의 상기 점착성 수지층의 파단 신도가 20％ 이상 200％ 이하인 전자 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공정(A)은,
    상기 전자 부품을 하프컷하는 공정(A1-1) 및 상기 전자 부품에 대하여 레이저를 조사하여, 상기 전자 부품에 개질층을 형성하는 공정(A1-2)으로부터 선택되는 적어도 1종의 공정(A1)과,
    상기 공정(A1) 후에, 상기 전자 부품의 상기 회로 형성면측에 상기 점착성 필름을 첩부하는 공정(A2)을 포함하는 전자 장치의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 공정(C)에서는, 상기 점착성 필름에 대해, 200mJ/㎠ 이상 2000mJ/㎠ 이하의 선량의 자외선을 조사함으로써, 상기 점착성 수지층을 광경화시켜 상기 점착성 수지층의 점착력을 저하시킨 후에, 상기 전자 부품으로부터 상기 점착성 필름을 제거하는 전자 장치의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착성 수지층은, 분자 중에 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 (메트)아크릴계 수지와, 광 개시제를 포함하는 전자 장치의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 점착성 수지층의 두께가 5㎛ 이상 300㎛ 이하인 전자 장치의 제조 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재층을 구성하는 수지가 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리아크릴레이트, 폴리메타아크릴레이트, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 에틸렌·아세트산비닐 공중합체, 폴리아크릴로니트릴, 폴리카르보네이트, 폴리스티렌, 아이오노머, 폴리술폰, 폴리에테르술폰 및 폴리페닐렌에테르로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 전자 장치의 제조 방법.
KR1020227042836A 2020-06-10 2021-06-09 전자 장치의 제조 방법 KR20230008803A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020101092 2020-06-10
JPJP-P-2020-101092 2020-06-10
PCT/JP2021/021865 WO2021251420A1 (ja) 2020-06-10 2021-06-09 電子装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230008803A true KR20230008803A (ko) 2023-01-16

Family

ID=78845706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020227042836A KR20230008803A (ko) 2020-06-10 2021-06-09 전자 장치의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP7440632B2 (ko)
KR (1) KR20230008803A (ko)
CN (1) CN115702480A (ko)
TW (1) TW202212513A (ko)
WO (1) WO2021251420A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024157969A1 (ja) * 2023-01-27 2024-08-02 ローム株式会社 半導体素子の製造方法
WO2024157970A1 (ja) * 2023-01-27 2024-08-02 ローム株式会社 半導体素子の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014075560A (ja) 2012-10-05 2014-04-24 Lintec Corp 表面保護シート
JP2016072546A (ja) 2014-10-01 2016-05-09 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4707805B2 (ja) * 2000-08-08 2011-06-22 三井化学株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハ表面の保護方法
JP2009035635A (ja) * 2007-08-01 2009-02-19 Nitto Denko Corp 非汚染性熱剥離型粘着シート
JP5069662B2 (ja) * 2007-11-12 2012-11-07 リンテック株式会社 粘着シート
KR101375397B1 (ko) * 2008-03-03 2014-03-17 린텍 코포레이션 점착 시트
JP5582836B2 (ja) * 2010-03-26 2014-09-03 古河電気工業株式会社 ダイシング・ダイボンディングテープ
JP6287200B2 (ja) 2013-12-27 2018-03-07 日立化成株式会社 ダイシング・ダイボンディング一体型テープ用ダイシングテープ
WO2016148110A1 (ja) 2015-03-16 2016-09-22 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ加工用粘着テープ
SG11201802780QA (en) * 2015-10-05 2018-05-30 Lintec Corp Sheet for semiconductor processing
JP6404501B2 (ja) 2016-07-26 2018-10-10 三井化学東セロ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2018115332A (ja) 2018-03-20 2018-07-26 リンテック株式会社 粘着テープおよび半導体装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014075560A (ja) 2012-10-05 2014-04-24 Lintec Corp 表面保護シート
JP2016072546A (ja) 2014-10-01 2016-05-09 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2021251420A1 (ko) 2021-12-16
TW202212513A (zh) 2022-04-01
JP7440632B2 (ja) 2024-02-28
WO2021251420A1 (ja) 2021-12-16
CN115702480A (zh) 2023-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7440632B2 (ja) 電子装置の製造方法
JP7440633B2 (ja) 電子装置の製造方法
WO2021215247A1 (ja) バックグラインド用粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法
KR102713003B1 (ko) 백그라인드용 점착성 필름 및 전자 장치의 제조 방법
JP7556963B2 (ja) バックグラインド用粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法
WO2022019160A1 (ja) 電子装置の製造方法
WO2022019166A1 (ja) 電子装置の製造方法
WO2022250128A1 (ja) バックグラインド用粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法
WO2022250137A1 (ja) 電子装置の製造方法
WO2022250129A1 (ja) 電子装置の製造方法
WO2022250138A1 (ja) バックグラインド用粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法
WO2022250133A1 (ja) 電子装置の製造方法
WO2022250132A1 (ja) 電子装置の製造方法
WO2022250131A1 (ja) 電子装置の製造方法
WO2022250136A1 (ja) 電子装置の製造方法
WO2022250130A1 (ja) バックグラインド用粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法
JP2024150706A (ja) バックグラインド用粘着性フィルムおよび電子装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal