JP2014216517A - 半導体ウェハ保護用粘着テープ - Google Patents
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Abstract
Description
(1)基材フィルムと、前記基材フィルムの片面に形成された粘着剤層とを有し、前記基材フィルムは、硬化した樹脂を含むキャストフィルム層を前記粘着剤層が形成されない側の最外層に有し、前記キャストフィルム層のタック力が200℃において100kPa以下であることを特徴とする半導体ウェハ保護用粘着テープ。
(2)前記基材フィルムが、キャストフィルム層のみからなることを特徴とする(1)に記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
(3)前記キャストフィルム層が、硬化したアクリル系共重合体またはポリエステル樹脂を含むことを特徴とする(1)または(2)に記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
(4)前記キャストフィルム層は、硬化剤もしくは放射線により硬化されたアクリル系共重合体で構成するものであることを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
(5)破断強度が0.5N/mm以上であり、破断伸度が200%以上であることを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
(6)前記粘着剤層のタック力が25℃において50〜400kPaであることを特徴とする(1)〜(5)のいずれかに記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
図1(a)は、本実施形態に係る半導体ウェハ保護用粘着テープ1を示す断面図であり、図1(b)は、本実施形態に係る半導体ウェハ保護用粘着テープ1aを示す断面図である。
半導体ウェハ保護用粘着テープ1は、基材フィルム3と、基材フィルム3上に設けられた粘着剤層5とを有する。なお、それぞれの層は、使用工程や装置に合わせて予め所定形状に切断(プリカット)されていてもよい。さらに、本実施形態に係る半導体ウェハ保護用粘着テープ1は、ウェハ1枚分ごとに切断された形態であってもよいし、長尺のシートを、ロール状に巻き取った形態であってもよい。以下に、各層の構成について説明する。
基材フィルム3は、硬化した樹脂を含むキャストフィルム層7を、粘着剤層5が形成されない側の最外層に有する。また、図1(a)では、キャストフィルム層7と樹脂フィルム層9を積層した基材フィルム3が示されるが、最外層がキャストフィルム層7である限り、基材フィルム3に樹脂フィルム層9以外の樹脂層が積層していてもよい。
また、キャストフィルム層7のタック力が、25℃において20kPa以下であることが好ましい。キャストフィルム層7のタック力が、25℃において20kPaを超えると、常温でのチャックテーブルからの剥がれが悪くなる。また、粘着テープをロール化する場合にはブロッキングが発生する可能性がある。
また、基材フィルム3を樹脂フィルム層9とキャストフィルム層7の積層とする場合は、キャストフィルム層7の厚さとしては、5〜100μmであることが好ましく、5〜50μmであることがより好ましい。
基材フィルムをキャストフィルム層7のみで構成する場合は、キャストフィルム層7の厚さは、50〜200μmであることが好ましく、50μm〜100μmであることがより好ましい。
樹脂フィルム層9の厚さとしては特に制限は無いが、一般的には50〜150μmの範囲にあるのが通常である。
キャストフィルム層7は硬化した樹脂により形成され、特にアクリル系共重合体またはポリエステル樹脂を硬化した樹脂により形成される。アクリル系重合体またはポリエステル樹脂は特に限定されるものではなく、エネルギー線硬化型樹脂、硬化剤硬化型樹脂または熱硬化型樹脂等が用いられ、好ましくはエネルギー線硬化型樹脂または硬化剤硬化型の樹脂が用いられる。エネルギー線硬化型樹脂を使用する場合は、塗布後にエネルギー線を照射して樹脂を硬化させる。硬化剤硬化型の樹脂を用いる場合は、樹脂に架橋剤を加え、塗布・乾燥後に養生させることで硬化させる。熱硬化型樹脂を使用する場合は、塗布後に加熱をして樹脂を硬化させる。
キャストフィルム層7を形成するアクリル系共重合体は特に限定されるものではなく、例えばエネルギー線硬化型樹脂を用いる場合はアクリル系粘着剤とエネルギー線重合性化合物とを主成分としてなるものである。これらアクリル系粘着剤、及びエネルギー線重合性化合物については具体的には以下のものが適用可能である。
更には、エネルギー線硬化型樹脂は、上記のようにアクリル系粘着剤にエネルギー線重合性化合物を配合する代わりに、アクリル系粘着剤自体をエネルギー線重合性アクリル酸エステル共重合体とすることも可能である。
キャストフィルム層7を形成するポリエステル樹脂は特に限定されるものではなく、例えば硬化剤硬化型樹脂を用いる場合は硬化剤硬化型のポリエステル樹脂組成物と硬化剤とを主成分としてなるものである。
また、硬化剤は、硬化剤硬化型ポリエステル樹脂組成物が有する官能基と反応して粘着力および凝集力を調整するために用いられるものである。好ましくは、前述の分子中に2個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物を使用することができる。
粘着剤層5は、基材フィルム3に粘着剤を塗工して形成することができる。本実施形態に係る半導体ウェハ保護用粘着テープ1を構成する粘着剤層5は、ガスエッチング工程時においてチップとの剥離を生じない程度の保持性を有するものであればよい。また、加熱時にウェハや装置を汚染しないようアウトガスの少ないものが望ましい。
本実施形態に係る半導体ウェハ保護用粘着テープ1は、ステルスダイシング工程により個片化されたチップへの、ガスによるエッチング処理工程に好適に使用される。
本実施形態に係る半導体ウェハ保護用粘着テープ1を、ガスエッチング工程に適用した場合の、テープの使用方法について、図2を参照しながら説明する。
本実施形態において、チャックテーブル17に接するキャストフィルム層7が、200℃に加熱されてもタック力が所定の値以下であるため、本実施形態に係る半導体ウェハ保護用粘着テープ1はチャックテーブル17に融着せずにガスエッチングが可能である。
(1)基材フィルムの作製
(キャストフィルムAと樹脂フィルムAの積層フィルム)
住友化学製エチレンメチルメタクリレート(EMMA)樹脂「アクリフトWD201(商品名)」を用いて、Tダイ法により厚さ100μmの樹脂フィルムAを成形した。
紫外線硬化型アクリル系共重合体Aを剥離フィルム上に乾燥後の厚さが30μmとなるように塗工し、樹脂フィルムAと貼り合せ、紫外線を照射し、硬化させることで、総厚130μmの樹脂フィルムAとキャストフィルムAの積層フィルムを得た。
アクリル酸エステル共重合体 100質量部
硬化剤(日本ポリウレタン社製「コロネートL」(商品名)) 2質量部
放射線重合性化合物 150質量部
光重合開始剤(日本チバガイギー社製「イルガキュアー184」(商品名)) 5質量部
アクリル酸エステル共重合体:
2−エチルヘキシルアクリレート、メチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレートを共重合して得られた、重量平均分子量が10万、ガラス転移点が−10℃の共重合体。
放射線重合性化合物:
重量平均分子量が1100のウレタンアクリレートオリゴマー
硬化剤硬化型ポリエステル樹脂組成物を、剥離フィルム上に塗工、乾燥させ、別の剥離フィルムと貼りあわせた後、1週間養生し硬化させた後に剥離フィルムから剥がすことでフィルム状のキャストフィルムBを得た。キャストフィルムBの乾燥後の厚さは70μmであった。
ポリエステル樹脂組成物(重量平均分子量:1.5万、ガラス転移点:40℃) 100質量部
硬化剤(日本ポリウレタン社製「コロネートL」(商品名)) 10質量部
100μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人デュポンフィルム社製、G2:商品名)を樹脂フィルムBとして用いた。
溶媒のトルエン400g中に、2−エチルヘキシルアクリレート446.5g、メチルメタアクリレート45g、メタクリル酸3.4g、重合開始剤としてベンゾイルペルオキシド0.5gの混合液を2時間かけて滴下しながら、100℃の温度下で4時間反応させ官能基を持つポリマー(2)の溶液を得た。次にこのポリマー溶液(2)に、光重合性炭素−炭素二重結合及び官能基を有する化合物(1)として、2−ヒドロキシエチルメタクリレート5.1g、重合禁止剤としてハイドロキノン0.1gを加え、120℃の温度下で6時間反応させた後、酢酸にて中和し、化合物(A)の溶液を得た。この化合物(A)溶液中の化合物(A)100質量部に対し、ポリイソシアネート(日本ポリウレタン社製:コロネートL)(B)1質量部、光重合開始剤(日本チバガイギー社製イルガキュアー184)0.5質量部を化合物(A)溶液中に加えて混合し、アクリル系エネルギー線硬化性粘着剤組成物Aを調製した。
キャストフィルムAと樹脂フィルムAを積層したフィルムの樹脂フィルムA側に調製した粘着剤組成物Aを塗布・乾燥し、半導体ウェハ保護用粘着テープを作成した。
キャストフィルムBに粘着剤組成物Aを塗布・乾燥し、半導体ウェハ保護用粘着テープを作成した。
樹脂フィルムAに粘着剤組成物Aを塗布・乾燥し、半導体ウェハ保護用粘着テープを作成した。
樹脂フィルムBに粘着剤組成物Aを塗布・乾燥し、半導体ウェハ保護用粘着テープを作成した。
(1)タック力の測定
株式会社レスカのタッキング試験機TAC−IIを用いて行った。測定モードは、設定した加圧値までプローブを押し込み、設定した時間が経過するまで加圧値を保持するようにコントロールし続けるConstant Loadを用いた。セパレータを剥離した後、粘着剤層が形成されない側を上にして基材フィルムをプレート上に置き、上側より直径3.0mmのSUS304製のプローブを接触させた。プローブを測定試料に接触させる時のスピードは30mm/minであり、接触荷重は100gfであり、接触時間は1秒である。その後、プローブを600mm/minの剥離速度で上方に引き剥がし、引き剥がすのに要する力を測定し、そのピーク値をタック力とした。タック力を測定したい温度に合わせて、例えば200℃におけるタック力は、プローブおよびプレート温度を200℃とした。
直径6インチで100μm厚さのミラーウエハに、半導体ウェハ加工用粘着テープを貼り合わせ、ウェハ面より6インチウエハを10mm角にダイシング(基材への切り込み深さ20μm)した後、真空チャンバー内にて、半導体ウェハ加工用粘着テープをチャックテーブルに吸着させ、30秒間ClF3のガスエッチングを行う。なお、この際チャックテーブル内には70℃の温水を流すことで、半導体ウェハ加工用粘着テープおよびウェハの冷却を行う。本工程の後にチャックテーブルから粘着テープが容易に剥離可能かどうか評価を行った。
表中の○、×は、以下を意味する。
「○」・・・ガスエッチング工程後に、粘着テープをチャックテーブルより容易に剥離することができた
「×」・・・ガスエッチング工程後に、粘着テープをチャックテーブルより容易に剥離することができなかったか、粘着テープが破断、溶融した。
ガスエッチング評価にて加工、テープのチャックテーブルからの剥離が可能であったものについて、ダイシングによるチップ間隔がガスエッチング工程でずれていないか光学顕微鏡により、各5箇所において確認を行った。例えば、ダイシングによる切り込み幅25μmに対し、ガスエッチング工程後のチップ間の間隔が22μmである場合、ズレは3μmである。全ての箇所においてズレが±1μm以内であったものを◎、また、全ての箇所においてズレが±2.5μm以内であったものを○、5箇所中、1箇所でもズレが±2.5μm以上であったものを×とした。
粘着テープを1号ダンベル形状(JIS K 6301)で打ち抜いて試験片を作成し、引っ張り試験装置(JIS B 7721)を使用して測定した。試験片に40mmの標線を入れた後、引張試験機を用いて標線間切断時の荷重(引張り強さ)と伸びを測定した。但し、引張速さは300mm/minとした。
3………基材フィルム
5………粘着剤層
7………キャストフィルム層
9………樹脂フィルム層
11………チップ
13………エッチングガス
15………リングフレーム
17………チャックテーブル
21………半導体ウェハ
23………チップ
31………半導体ウェハ
33………チップ
(1)基材フィルムと、前記基材フィルムの片面に形成された粘着剤層とを有し、
前記基材フィルムは、硬化した樹脂を含むキャストフィルム層を前記粘着剤層が形成されない側の最外層に有し、直径3.0mmのSUS304製のプローブを測定試料に接触させる時のスピードを30mm/minとし、接触荷重を100gfとし、接触時間を1秒とした条件において、プローブを600mm/minの剥離速度で上方に引き剥がした際の、プローブタックにより測定された前記キャストフィルム層のタック力のピーク値が200℃において100kPa以下であることを特徴とする半導体ウェハ保護用粘着テープ。
(2)前記基材フィルムが、キャストフィルム層のみからなることを特徴とする(1)に記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
(3)前記キャストフィルム層が、硬化したアクリル系共重合体またはポリエステル樹脂を含むことを特徴とする(1)または(2)に記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
(4)前記キャストフィルム層は、硬化剤もしくは放射線により硬化されたアクリル系共重合体で構成するものであることを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
(5)破断強度が0.5N/mm以上であり、破断伸度が200%以上であることを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
(6)直径3.0mmのSUS304製のプローブを測定試料に接触させる時のスピードを30mm/minとし、接触荷重を100gfとし、接触時間を1秒とした条件において、プローブを600mm/minの剥離速度で上方に引き剥がした際の、プローブタックにより測定された前記粘着剤層のタック力のピーク値が25℃において50〜400kPaであることを特徴とする(1)〜(5)のいずれかに記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
(1)基材フィルムと、前記基材フィルムの片面に形成された粘着剤層とを有し、
前記基材フィルムは、硬化した樹脂を含むキャストフィルム層を前記粘着剤層が形成されない側の最外層に有し、直径3.0mmのSUS304製のプローブを測定試料に接触させる時のスピードを30mm/minとし、接触荷重を980mN(100gf)とし、接触時間を1秒とした条件において、プローブを600mm/minの剥離速度で上方に引き剥がした際の、プローブタックにより測定された前記キャストフィルム層のタック力のピーク値が200℃において100kPa以下であることを特徴とする半導体ウェハ保護用粘着テープ。
(2)前記基材フィルムが、キャストフィルム層のみからなることを特徴とする(1)に記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
(3)前記キャストフィルム層が、硬化したアクリル系共重合体またはポリエステル樹脂を含むことを特徴とする(1)または(2)に記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
(4)前記キャストフィルム層は、硬化剤もしくは放射線により硬化されたアクリル系共重合体で構成するものであることを特徴とする(1)〜(3)のいずれかに記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
(5)破断強度が0.5N/mm以上であり、破断伸度が200%以上であることを特徴とする(1)〜(4)のいずれかに記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
(6)直径3.0mmのSUS304製のプローブを測定試料に接触させる時のスピードを30mm/minとし、接触荷重を980mN(100gf)とし、接触時間を1秒とした条件において、プローブを600mm/minの剥離速度で上方に引き剥がした際の、プローブタックにより測定された前記粘着剤層のタック力のピーク値が25℃において50〜400kPaであることを特徴とする(1)〜(5)のいずれかに記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
(1)タック力の測定
株式会社レスカのタッキング試験機TAC−IIを用いて行った。測定モードは、設定した加圧値までプローブを押し込み、設定した時間が経過するまで加圧値を保持するようにコントロールし続けるConstant Loadを用いた。セパレータを剥離した後、粘着剤層が形成されない側を上にして基材フィルムをプレート上に置き、上側より直径3.0mmのSUS304製のプローブを接触させた。プローブを測定試料に接触させる時のスピードは30mm/minであり、接触荷重は980mN(100gf)であり、接触時間は1秒である。その後、プローブを600mm/minの剥離速度で上方に引き剥がし、引き剥がすのに要する力を測定し、そのピーク値をタック力とした。タック力を測定したい温度に合わせて、例えば200℃におけるタック力は、プローブおよびプレート温度を200℃とした。
Claims (6)
- 基材フィルムと、前記基材フィルムの片面に形成された粘着剤層とを有し、
前記基材フィルムは、硬化した樹脂を含むキャストフィルム層を前記粘着剤層が形成されない側の最外層に有し、
前記キャストフィルム層のタック力が200℃において100kPa以下である
ことを特徴とする半導体ウェハ保護用粘着テープ。 - 前記基材フィルムが、キャストフィルム層のみからなることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
- 前記キャストフィルム層が、硬化したアクリル系共重合体またはポリエステル樹脂を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
- 前記キャストフィルム層は、硬化剤もしくは放射線により硬化されたアクリル系共重合体で構成するものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
- 破断強度が0.5N/mm以上であり、破断伸度が200%以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
- 前記粘着剤層のタック力が25℃において50〜400kPaであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体ウェハ保護用粘着テープ。
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