TWI697947B

TWI697947B - 半導體基板加工用黏著膠帶

Info

Publication number: TWI697947B
Application number: TW106115679A
Authority: TW
Inventors: 長尾佳典
Original assignee: 日商住友電木股份有限公司
Priority date: 2016-05-12
Filing date: 2017-05-12
Publication date: 2020-07-01
Also published as: PH12018502253B1; TW201742132A; PH12018502253A1; JPWO2017195711A1; CN109328219B; JP6278164B1; MY180133A; WO2017195711A1; CN109328219A

Abstract

本發明提供一種半導體基板加工用黏著膠帶。本發明的半導體基板加工用黏著膠帶(100)的特徵為，具備：基材(4)；及黏著層(2)，積層於該基材(4)的一個面，並且，基材(4)具有：切入層(41)，位於前述一個面側；及擴張層(42)，積層於該切入層(41)的另一個面，擴張層(42)的黏合力在80℃為1kPa以上且200kPa以下。藉此，可提供一種在切割步驟中能夠確實地防止翹曲的發生，同時能夠抑制或防止擴張層對切割機工作台之熔接之半導體基板加工用黏著膠帶。

Description

半導體基板加工用黏著膠帶

本發明係關於一種半導體基板加工用黏著膠帶者。

對應於近年來電子設備的高功能化和在行動通訊用途中之擴大，半導體裝置的高密度化、高積體化的要求增強，IC封裝體的大容量高密度化正在發展中。

作為該半導體裝置，可以舉出將半導體元件安裝於基板上而進行了模組化者，作為該半導體裝置的製造方法，例如提出有如下方法。

亦即，首先將複數個半導體元件載置於基板上，然後利用密封材，以覆蓋載置於基板上之半導體元件之方式進行密封，藉此得到半導體密封連結體(集合基板)。

接著，在半導體密封連結體的基板側貼附半導體基板加工用黏著膠帶，並經由半導體基板加工用黏著膠帶，將半導體密封連結體設置於切割機工作台上。另外，利用晶圓環將半導體密封連結體的周圍進行固定，同時使用切割刀片，將半導體密封連結體對應於半導體密封連結體所具備之半導體元件而沿厚度方向進行切割。其結果，半導體密封連結體被切斷分離(單片化)，在半導體基板加工用黏著膠帶上形成半導體密封體。藉此，在半導體基板加工用黏著膠帶上一次性製造複數個半導體密封體。

接著，在將半導體基板加工用黏著膠帶沿面方向擴張之擴展步驟之後，拾取單片化之半導體密封體。然後，經由預先形成於半導體密封體所具備之基板之導體柱，將與半導體元件所具備之電極電連接之凸塊形成於基板的下表面側，藉此得到半導體裝置。

對於該種半導體裝置的製造中所使用之半導體基板加工用黏著膠帶，近年來進行了各種各樣的研究(例如，參閱專利文獻1。)。

該半導體基板加工用黏著膠帶一般係具有基材(薄膜基材)和形成於該基材上之黏著層者，藉由黏著層固定半導體密封連結體。並且，黏著層通常由含有具有黏著性之基礎樹脂及光硬化性樹脂等之樹脂組成物構成，以便能夠在半導體密封連結體的切割步驟之後容易拾取所形成之半導體密封體。若在切割步驟之後對該種黏著層賦予能量，則樹脂組成物硬化而導致黏著層的黏著性下降。亦即，黏著層使得在切割步驟之後容易拾取半導體密封體。

在此，上述半導體裝置的製造方法中，利用切割刀片(切割鋸：dicing saw)對半導體密封連結體進行切割時，因切割刀片與半導體密封連結體的摩擦，半導體基板加工用黏著膠帶被加熱。因此，當半導體基板加工用黏著膠帶所具有之基材為具備切入層和積層於切入層的與黏著層相反一側之擴張層之構成時，與切割機工作台接觸之擴張層因該加熱而軟化、熔融，從而熔接於切割機工作台，其結果，存在對作業性及產能(throughput)帶來不良影響之問題。

並且，為了防止該種擴張層的軟化、熔融，還可以考慮由具有高熔點之材料構成擴張層。但是，在該情況下，黏著層與擴張層之間的熔點之差變大，存在半導體基板加工用黏著膠帶產生翹曲之問題。

另外，在對半導體用晶圓進行切割並作為拾取對象物拾取半導體元件之情況下，亦同樣要求該種切割步驟中之擴張層的要求特性。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]：日本特開2009-245989號公報

本發明的目的為提供一種在切割步驟中能夠確實地防止翹曲的發生，同時能夠抑制或防止擴張層對切割機工作台之熔接之半導體基板加工用黏著膠帶。

該種目的藉由下述(1)~(15)中所記載之本發明來達成。

(1)一種半導體基板加工用黏著膠帶，其具備：基材；及黏著層，積層於該基材的一個面，該半導體基板加工用黏著膠帶的特徵為，前述基材具有：切入層，位於前述一個面側；及擴張層，積層於該切入層的另一個面，前述擴張層的黏合力在80℃為1kPa以上且200kPa以下。

(2)如上述(1)所述之半導體基板加工用黏著膠帶，其中前述擴張層含有具有擴張性之樹脂材料。

(3)如上述(2)所述之半導體基板加工用黏著膠帶，其中前述具有擴張性之樹脂材料為聚乙烯系樹脂。

(4)如上述(1)所述之半導體基板加工用黏著膠帶，其中前述切入層含有熔融黏度較高且具有擴張性之樹脂材料。

(5)如上述(4)所述之半導體基板加工用黏著膠帶，其中前述熔融黏度較高且具有擴張性之樹脂材料為離子聚合物樹脂。

(6)如上述(1)所述之半導體基板加工用黏著膠帶，其中前述擴張層的厚度為7μm以上且95μm以下。

(7)如上述(1)所述之半導體基板加工用黏著膠帶，其中前述切入層的厚度為10μm以上且140μm以下。

(8)如上述(1)所述之半導體基板加工用黏著膠帶，其中前述黏著層的黏合力在25℃為50kPa以上且小於500kPa，且在80℃為20kPa以上且小於300kPa。

(9)如上述(1)所述之半導體基板加工用黏著膠帶，其中，當將在80℃之前述擴張層的黏合力設為A[kPa]、在80℃之前述黏著層的黏合力設為B[kPa]時，A/B滿足0.003以上且15以下的關係。

(10)如上述(1)所述之半導體基板加工用黏著膠帶，其中該半導體基板加工用黏著膠帶用於將半導體基板經由前述黏著層臨時固定於前述基材，並在進行將前述半導體基板沿厚度方向進行切斷而單片化之加工之後，對前述黏著層賦予能量，藉此使單片化之前述半導體基板從前述黏著層脫離。

(11)如上述(1)所述之半導體基板加工用黏著膠帶，其中前述黏著層含有具有黏著性之基礎樹脂。

(12)如上述(11)所述之半導體基板加工用黏著膠帶，其中前述基礎樹脂為丙烯酸系樹脂。

(13)如上述(11)所述之半導體基板加工用黏著膠帶，其中前述黏著層還含有藉由能量的賦予而硬化之硬化性樹脂。

(14)如上述(1)所述之半導體基板加工用黏著膠帶，其中前述黏著層的厚度為1μm以上且30μm以下。

(15)如上述(1)所述之半導體基板加工用黏著膠帶，其中當對於前述基材將切口沿厚度方向形成至厚度的60%時，依據JIS K 6734測定出之前述基材的斷裂伸長度為50%以上且400%以下。

依本發明，擴張層的黏合力在80℃為1kPa以上且200kPa以下。藉此，在切割步驟中，即使因與切割鋸的摩擦而被加熱，亦能夠確實地防止翹曲的發生，另外，能夠抑制或防止擴張層對切割機工作台之熔接。因此，能夠實現製造使用了半導體基板加工用黏著膠帶之半導體裝置時的作業性及生產量的提高。

1:隔離件

2:黏著層

4:基材

20:半導體裝置

21:凸塊

22:包覆部

23:配線

25:中介層

25’:片材

26:半導體元件

27:密封部

41:切入層

42:擴張層

62:凹部

100:半導體基板加工用黏著膠帶(黏著膠帶)

121:外周部

122:中心部

200:試驗片

201:中心部

202:端部

203:切口

204:標線

221:開口部

270:半導體密封連結體

290:半導體密封體

圖1係表示使用本發明的半導體基板加工用黏著膠帶而製造出之半導體裝置的一例之縱剖面圖。

圖2(a)~(f)係用於說明使用本發明的半導體基板加工用黏著膠帶製造圖1所示之半導體裝置之方法之縱剖面圖。

圖3(a)~(d)係用於說明使用本發明的半導體基板加工用黏著膠帶製造圖1所示之半導體裝置之方法之縱剖面圖。

圖4係表示本發明的半導體基板加工用黏著膠帶的實施形態之縱剖面圖。

圖5係表示測定本發明的半導體基板加工用黏著膠帶所具備之基材的斷裂伸長度時所使用之試驗片之俯視圖。

圖6(a)~(d)係用於說明製造圖4所示之半導體基板加工用黏著膠帶之方法之縱剖面圖。

以下，對本發明的半導體基板加工用黏著膠帶進行詳細說明。

首先，在說明本發明的半導體基板加工用黏著膠帶之前，對使用本發明的半導體基板加工用黏著膠帶而製造出之半導體裝置進行說明。

<半導體裝置>

圖1係表示使用本發明的半導體基板加工用黏著膠帶而製造出之半導體裝置的一例之縱剖面圖。另外，以下說明中，將圖1中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。

圖1所示之半導體裝置20具有：中介層(interposer，基板)25，具備以沿厚度方向貫穿之方式配置之導體柱(未圖示)；半導體元件26，配置於中介層25上；密封部27(模具部)，密封半導體元件26；配線23，與導體柱電連接；凸塊21，與配線23電連接；及包覆部22，包覆配線23，且以使凸塊21露出之方式設置。

中介層25為支撐半導體元件26之基板，其俯視形狀通常呈正方形、長方形等四邊形。該中介層25上形成有沿其厚度方向貫穿之複數個貫穿孔(未圖示)，對應於該貫穿孔而設置有導體柱。

在半導體元件26的下表面側設置有電極焊墊。在中介層25上以該電極焊墊與導體柱對應之方式配置有半導體元件26(本實施形態中為1個)。

在該位置上配置有半導體元件26之狀態下以覆蓋半導體元件26及中介層25的上表面側之方式形成密封部27。

對應於中介層25的貫穿孔而形成之導體柱在其上側的端部與半導體元件26所具備之電極焊墊電連接。

並且，在中介層25的下表面設置有形成為既定形狀之配線23。配線23的一部分與導體柱的下側的端部電連接。

另外，在配線23的下表面電連接有呈球狀體之凸塊21。藉此，半導體元件26和凸塊21經由電極焊墊、導體柱及配線23而電連接。並且，以包覆配線23之方式設置有具備開口部221之包覆部22，該開口部221用於使凸塊21從其下側露出。

另外，本實施形態中，半導體裝置20具備1個半導體元件26，但並不限定於該構成。例如，半導體裝置可以具備2個以上的半導體元件26，還可以具備與半導體元件26不同之電子組件。

該構成的半導體裝置例如使用本發明的半導體基板加工用黏著膠帶以如下方式進行製造。

<半導體裝置的製造方法>

圖2、圖3係用於說明使用本發明的半導體基板加工用黏著膠帶製造圖1所示之半導體裝置之方法之縱剖面圖。另外，以下說明中，將圖2中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。

[1]首先，準備如圖2(a)所示之呈平板狀之片材25’之後，在該片材25’上配置(載置)複數個半導體元件26(參閱圖2(b)；配置步驟)。

另外，該片材25’具備預先形成之複數個貫穿孔(未圖示)，還具備對應於該等貫穿孔而埋設之導體柱(未圖示)。在將半導體元件26配置於片材25’上時，該導體柱形成於與半導體元件26所具備之電極焊墊(端子)對應之位置。亦即，片材25’以對應於貫穿孔而設置之導體柱的數量與配置於片材25’上之複數個半導體元件26所具備之電極焊墊的總數量相同之方式形成。

並且，片材25’係藉由沿其厚度方向切斷而單片化，從而成為半導體裝置20所具有之中介層25(基板)，並發揮支撐半導體元件26之功能者。

該片材25’係具有能夠支撐半導體元件26之程度的硬度者即可，並沒有特別限定。例如，片材25’可以是由芯材構成之芯基板、由增層材構成之增層基板等硬基板(硬性基板)或軟性基板(撓性基板)中的任一種。在該等之中，尤其是增層基板為較佳。尤其從加工性優異之角度來看，可以較佳地使用增層式基材。

作為增層材料並沒有特別限定，例如可以舉出以含有酚醛樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、環氧樹脂等熱固性樹脂、硬化劑及無機填充材之樹脂組成物等硬化物為主材料而構成者。

另外，作為芯基板並沒有特別限定，例如可以舉出主要由氰酸酯樹脂、環氧樹脂、雙馬來醯亞胺-三

樹脂等熱固性樹脂等構成者。

另外，作為軟性基板並沒有特別限定，例如可以舉出由聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚碸(PES)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚醯亞胺苯并

唑(PIBO)、液晶聚合物等熱塑性樹脂等構成者。

並且，在片材25’上配置半導體元件26時，半導體元件26在片材25’所具備之導體柱的位置上分別配置於與半導體元件26所具有之電極焊墊對應之位置。並且，藉由該種配置，在應配置應形成之半導體裝置20所具備之半導體元件26之位置，於片材25’上配置半導體元件26。

另外，半導體元件26可以固定於片材25’上，亦可以不被固定，但藉由環氧系接著劑等接著劑(底部填充材)被固定為較佳。藉此，在下一步驟[2]中，在利用密封部27密封半導體元件26時，能夠有效地防止產生半導體元件26的位置偏移。

[2]接著，在片材25’的上表面側的面(配置有半導體元件26之側的面)以覆蓋片材25’、半導體元件26之方式形成密封部27(參閱圖2(c)；密封部形成步驟)。

藉此，得到片材25’、半導體元件26在片材25’的上表面側被密封部27密封之半導體密封連結體270。

作為形成密封部27之方法並沒有特別限定，例如可以舉出如下方法。首先，使顆粒狀的環氧樹脂組成物等熱固性樹脂組成物熔融，將該狀態的熱固性樹脂組成物以覆蓋片材25’、半導體元件26之方式供給至片材25’的上表面。然後，壓縮成形該熔融狀態的熱固性樹脂組成物。藉此，形成密封部27。依該方法，在片材25’上能夠利用密封部27容易且高密度地密封半導體元件26。

[3]接著，準備具有基材4和積層於基材4之黏著層2之半導體基板加工用黏著膠帶100(以下，亦簡稱為“黏著膠帶100”。)，如圖2(d)所示，在半導體密封連結體270的片材25’側(下表面側)，將黏著膠帶100以使黏著層2成為半導體密封連結體270側之方式積層(貼附)於半導體密封連結體270(半導體基板)(貼附步驟)。

黏著膠帶100向該半導體密封連結體270之貼附例如能夠以如下方式進行。首先，在未圖示之切割機工作台上設置黏著膠帶100。以半導體密封連結體270的片材25’側的面與黏著層2對置之方式，將半導體密封連結體270設置於黏著層2上。在該狀態下輕輕按壓半導體密封連結體270。藉此，半導體密封連結體270被貼附於黏著膠帶100。另外，亦可以在黏著膠帶100上預先貼著半導體密封連結體270之後，設置於切割機工作台。

黏著膠帶100(切割膠帶)係經由黏著層2藉由基材4支撐半導體密封連結體270，並且具有藉由對黏著層2賦予能量而使黏著層2對半導體密封連結體270之黏著性下降之功能者。

該黏著膠帶100(本發明的半導體基板加工用黏著膠帶)中，其所具備之擴張層42的黏合力在80℃為1kPa以上且200kPa以下。因此，在下一步驟[4](切割步驟) 中，即使因切割鋸與半導體密封連結體270的摩擦而黏著膠帶100被加熱，亦能夠確實地防止黏著膠帶100的翹曲的發生，另外，能夠抑制或防止擴張層42對切割機工作台之熔接。因此，能夠實現製造使用了黏著膠帶100之半導體裝置20時的作業性及生產量的提高，關於其詳細內容，將在後面進行說明。

[4]接著，例如使用晶圓環等，將貼附有黏著膠帶100之半導體密封連結體270進行固定。然後，使用切割刀片(切割鋸)，對應於與應形成之每一個半導體裝置20對應之位置亦即每一個半導體元件26而將半導體密封連結體270沿厚度方向進行切斷(切割)，從而形成凹部62(切斷步驟(切割步驟)；參閱圖2(e))。

藉此，以黏著膠帶100上貼附有對應於每一個半導體元件26而單片化之半導體密封體290之狀態得到複數個半導體密封連結體270。

如此，在黏著膠帶100上一次性形成複數個半導體密封體290，因此能夠實現由該半導體密封體290經過後續步驟而得到之半導體裝置20的生產率的提高。

另外，此時，以防止切斷半導體密封連結體270時所產生之切削屑(粉塵)飛散，進而抑制半導體密封連結體270不必要地被加熱為目的，向半導體密封連結體270供給切削水，同時切斷半導體密封連結體270。

並且，此時，黏著膠帶100具有緩衝作用，發揮防止切斷半導體密封連結體270時的龜裂、崩碎等之功能。

另外，本實施形態中，如圖2(e)所示，使用切割刀片之半導體密封連結體270的切斷，沿基材4的厚度方向實施至到達基材4的中間。藉此，能夠確實地實施半導體密封連結體270的單片化。

[5]接著，藉由對黏著膠帶100所具備之黏著層2賦予能量，使黏著層2對半導體密封體290之黏著性下降。

藉此，成為在黏著層2與半導體密封體290之間產生剝離之狀態。

作為對黏著層2賦予能量之方法並沒有特別限定，例如可以舉出向黏著層2照射能量射線之方法、對黏著層2進行加熱之方法等。在該等之中，使用從黏著膠帶100的基材4側向黏著層2照射能量射線之方法為較佳。

該方法中，半導體元件26無需經過不必要的熱歷程，並且能夠對黏著層2比較簡單且高效地賦予能量，因此適合用作賦予能量之方法。

並且，作為能量射線，例如可以舉出紫外線、電子束、離子束等粒子束等，或者將該等能量射線組合2種以上者。在該等之中，使用紫外線為特佳。若使用紫外線，則能夠高效地使黏著層2對半導體裝置20(半導體密封體290)之黏著性下降。

[6]接著，從半導體密封體290剝離黏著膠帶100。

該黏著膠帶100的剝離例如能夠藉由如下步驟實施：利用未圖示之擴展裝置，將黏著膠帶100放射狀地拉伸，並將藉由單片化而得到之半導體密封體290彼此以一定的間隔拉開(擴展步驟；參閱圖2(f)。)，然後，使用針等，使該半導體密封體290成為被頂起之狀態，在該狀態下，藉由基於真空筒夾(colette)或真空吸筆(air pincette)之吸附等進行拾取(拾取步驟；參閱圖3(a)。)。

[7]接著，如圖3(b)所示，在半導體密封體290的中介層25側亦即中介層25的與半導體元件26相反的面側(下表面側)以與導體柱電連接之方式形成以既定形狀圖案化之配線23(配線形成步驟)。

作為形成該配線23之方法並沒有特別限定，例如可以舉出I：使用電解電鍍法、無電解電鍍法等電鍍法形成配線23之方法、II：藉由向半導體密封體290的中介層25側的面供給含有導電性材料之液態材料並進行乾燥、固化來形成配線23之方法等。在該等之中，使用I的方法、尤其使用電解電鍍法形成配線23為較佳。依電解電鍍法，能夠容易且確實地形成對導體柱發揮優異之密合性之配線23。

[8]接著，如圖3(c)所示，在半導體密封體290的中介層25側亦即中介層25的與半導體元件26相反之面側(下表面側)形成具備開口部221以使配線23的一部分露出之包覆部22(包覆部形成步驟)。

另外，在下一步驟[9]中，以與形成凸塊21之位置對應之方式形成該開口部221。

該種包覆部22(包覆層)通常由積層體構成，例如使用無電解電鍍法形成，該積層體在主要由Ni構成之下層上積層有主要由Au構成之上層。

[9]接著，如圖3(d)所示，以與從開口部221露出之配線23電連接之方式形成凸塊21(凸塊連接步驟)。

在此，如本實施形態，設為經由配線23進行導體柱與凸塊21之連接之構成，藉此能夠將凸塊21在中介層25的面方向上配置於與導體柱不同之位置。換言之，能夠將該等配置成凸塊21與導體柱的中心部不重疊。因此，能夠在所得到之半導體裝置20中之下表面的所希望之位置形成凸塊21。

作為將該凸塊21接合於配線23之方法並沒有特別限定，例如藉由在凸塊21與配線23之間夾裝具有黏性之焊劑來進行。

並且，作為凸塊21的構成材料，例如可以舉出如焊錫、銀焊料、銅焊料、磷銅焊料之類的焊料等。

藉由經過如上步驟來製造半導體裝置20。

依該種半導體裝置20的製造方法，藉由由前述步驟[2]中得到之1個半導體密封連結體270，經過前述步驟[3]、[4]，能夠在黏著膠帶100上一次性製造複數個半導體密封體290，藉由重複實施前述步驟[5]~[9]，能夠由1個半導體密封連結體270製造複數個半導體裝置20。因此，能夠實現由半導體密封連結體270得到之半導體裝置20的生產率的提高。

以下，對該種半導體裝置20的製造方法中所使用之半導體基板加工用黏著膠帶100(本發明的半導體基板加工用黏著膠帶)進行說明。

<半導體基板加工用黏著膠帶>

圖4係表示本發明的半導體基板加工用黏著膠帶的實施形態之縱剖面圖，圖5係表示測定本發明的半導體基板加工用黏著膠帶所具備之基材的斷裂伸長度時所使用之試驗片之俯視圖。另外，以下說明中，將圖4中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。

半導體基板加工用黏著膠帶100的特徵為，具備基材4及積層於該基材4的上表面(一個面)之黏著層2，基材4具有位於上表面(一個面)側之切入層41及積層於該切入層41的下表面(另一個面)之擴張層42，擴張層42的黏合力在80℃為1kPa以上且200kPa以下。如此，由於擴張層42的黏合力在80℃為1kPa以上且200kPa以下，因此在前述步驟[4](切割步驟)中，即使因切割鋸與半導體密封連結體270的摩擦而黏著膠帶100被加熱，亦能夠確實地防止黏著膠帶100的翹曲的發生，另外，能夠抑制或防止擴張層42對切割機工作台之熔接。因此，能夠實現製造使用了黏著膠帶100之半導體裝置20時的作業性及生產量的提高。

以下，對該種黏著膠帶(切割膠帶)100所具有之基材4及黏著層2進行詳述。

另外，黏著膠帶100係具有藉由向其所具備之黏著層2賦予能量而黏著層2對半導體密封連結體270之黏著性下降之功能者。作為該種向黏著層2賦予能量之方法，可以舉出向黏著層2照射能量射線之方法及對黏著層2進行加熱之方法等，其中，由於半導體元件26無需經過不必要的熱歷程，因此可以較佳地使用向黏著層2照射能量射線之方法。因此，以下，作為黏著層2，以藉由能量射線的照射而前述黏著性下降者為代表進行說明。

<基材4>

本實施形態中，基材4由積層體構成，具有支撐設置於該基材4上之黏著層2之功能，該積層體具有位於上表面側之切入層41及積層於該切入層41的下表面之擴張層42。

如此，藉由將基材4設為具備切入層41和擴張層42(擴展層)之積層體，在前述步驟[4]中藉由切割刀片切斷基材4時，能夠減少切削屑的產生，且在前述步驟[6]中使用擴展裝置進行擴展時，能夠設為擴展性優異者。

因此，以下以基材4由具備切入層41和擴張層42的積層體構成之情況為代表進行說明。

<<切入層41>>

切入層41係在具備切入層41和擴張層42之積層體中，在前述步驟[4]時藉由切割刀片沿厚度方向切入至其中間之層。

並且，該切入層41在進行該切入時要求減少切削屑的產生。

亦即，在前述步驟(切割步驟)[4]中，切削半導體密封連結體270時，在切割刀片與黏著膠帶100之間產生摩擦熱。因此，與切割刀片之接觸部被暴露在高溫下，從而基材4成為熔融狀態。因此，認為熔融之樹脂黏著於切割刀片表面引起堵塞而阻礙正常的切割，或者熔融而變軟之基材4因切割刀片的旋轉被拉伸而伸長，藉此在前述步驟[4]中成為發生基材毛刺之原因之一。因此，作為藉由切割刀片而被切入之切入層41，要求提高其熔融黏度，即使在切割時產生摩擦熱之狀況下樹脂亦不會黏著於切割刀片，且切削屑的產生明顯減少。

並且，在前述步驟[6]中，使用擴展裝置將切入層41擴展成放射狀，因此要求具有對基材4的面方向之擴展性(擴張性)。

根據以上，切入層41係含有熔融黏度較高且具有擴張性之樹脂材料為較佳。藉此，前述步驟[4]中之切割時，即使產生摩擦熱，亦能夠確實地抑制或防止樹脂黏著於刀片，能夠使切削屑的產生明顯減少，並且由於切入層41在常溫下變得比較柔軟，因此在前述步驟[6]中利用擴展裝置放射狀地擴展時，能夠使切入層41的擴展性變得良好。

並且，作為熔融黏度較高且具有擴張性之樹脂材料，例如可以舉出離子聚合物樹脂、EMMA(乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物)、EMA(乙烯-丙烯酸甲酯共聚物)、EEA(乙烯-丙烯酸乙酯共聚物)等乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物及EVA(乙烯-乙酸乙烯酯共聚物)等，能夠使用該等中的1種或者將2種以上組合使用。在該等之中，離子聚合物樹脂為較佳。藉此，使切割刀片切入到切入層41時，能夠確實地抑制或防止切削屑以及基材毛刺的產生，且在利用擴展裝置放射狀地擴展時，能夠使擴展性變得良好，並且能夠使切入層41的可見光的透射性變得更加優異。

另外，本說明書中，離子聚合物樹脂係指利用金屬離子將以乙烯及(甲基)丙烯酸作為聚合物的構成成分之2元共聚物、或以乙烯、(甲基)丙烯酸及(甲基) 丙烯酸酯作為聚合物的構成成分之3元共聚物進行交聯而成之樹脂，能夠使用該等中的1種或者將2種組合使用。

並且，作為前述金屬離子，例如可以舉出鉀離子(K⁺)、鈉離子(Na⁺)、鋰離子(Li⁺)、鎂離子(Mg⁺⁺)、鋅離子(Zn⁺⁺)等。在該等之中，作為前述金屬離子，係鋅離子(Zn⁺⁺)為較佳。藉此，離子聚合物樹脂中之交聯構造被穩定化，因此能夠使切割屑難以產生，並且由於耐水性較高，因此能夠確實地抑制因切割時的切削水而切入層41發生膨脹。

另外，作為基於以乙烯及(甲基)丙烯酸作為聚合物的構成成分之2元共聚物、或以乙烯、(甲基)丙烯酸及(甲基)丙烯酸酯作為聚合物的構成成分之3元共聚物的羧基中之陽離子(金屬離子)之中和度較佳為40mol%以上且75mol%以下。另外，離子聚合物樹脂可以使用藉由進行合成而得到者，亦能夠使用市售者。

並且，離子聚合物樹脂係利用金屬離子將前述者之中以乙烯、(甲基)丙烯酸及(甲基)丙烯酸烷基酯作為聚合物的構成成分之3元共聚物進行交聯而成之樹脂為較佳。亦即，作為離子聚合物樹脂，含有(甲基)丙烯酸烷基酯作為聚合物的構成成分為較佳。藉此，能夠對切入層41賦予適度的柔軟性，且能夠使切入層41的加工性變得優異。另外，能夠使切入層41的可見光的透射性變得更加優異。

另外，離子聚合物樹脂的熔點係80℃以上為較佳。藉此，能夠實現切入層41的耐熱性的提高。另外，離子聚合物樹脂的熔點的上限值並沒有特別限定，實質上為100℃左右。

並且，離子聚合物樹脂在JIS K 7210“熱塑性塑膠的流動試驗方法”所示之試驗方法中於試驗溫度190℃、試驗載荷21.18N下之熔體流動速率(MFR)係3g/10min以下為較佳。藉此，能夠提高切入層41的熔融黏度，其結果，能夠確實地抑制黏著膠帶100在切入層41中切削屑的產生。另外，離子聚合物樹脂的MFR的下限值並沒有特別限定，實質上為0.8g/10min。

另外，當切入層41含有離子聚合物樹脂時，可以含有與離子聚合物樹脂不同之其他樹脂材料。

作為該樹脂材料並沒有特別限定，例如可以舉出如低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯之類的聚乙烯、如無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯之類的聚丙烯、聚氯乙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烴系樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等烯羥系共聚物、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸丁二醇酯等聚酯系樹脂、聚氨酯、聚醯亞胺、聚醯胺、如聚醚醚酮之類的聚醚酮、聚醚碸、聚苯乙烯、氟樹脂、聚矽氧樹脂、纖維素系樹脂、如苯乙烯系熱塑性彈性體、聚丙烯系熱塑性彈性體之類的烯烴系熱塑性彈性體、丙烯酸樹脂、聚酯系熱塑性彈性體、聚乙烯基異戊二烯(polyvinyl isoprene)、聚碳酸酯等熱塑性樹脂、或該等熱塑性樹脂的混合物，能夠使用該等中的1種或者將2種以上組合使用。

另外，切入層41除了前述樹脂材料以外，可以含有抗氧化劑等添加劑、填料等。

切入層41的離子聚合物樹脂的含有率係60重量%以上且100重量%以下為較佳，80重量%以上且100重量%以下為更佳。藉由係前述下限值以上，能夠確實地發揮作為上述切入層41之功能。

該種切入層41依據JIS K 7127測定之在80℃之斷裂伸長度係50%以上且350%以下為較佳，100%以上且200%以下為更佳。在80℃之斷裂伸長度在前述範圍內之切入層41，可以說係熔融黏度較高、藉由切割刀片切入時切削屑的產生減少之層。

另外，切入層41依據IPC TM-650 2.4.19測定之拉伸彈性模數係70MPa以上且400MPa以下為較佳，100MPa以上且300MPa以下為更佳。拉伸彈性模數在前述範圍內之切入層41，可以說係擴張性優異、將黏著膠帶100藉由擴展裝置拉伸成放射狀時在切入層41中之斷裂的產生減少之層。

並且，切入層41的厚度厚於藉由切割刀片切入到切入層41中之深度(以下，亦稱為“切入量”。)為較佳。具體而言，切入層41的厚度較佳為10μm以上且140μm以下，更佳為20μm以上且120μm以下。藉此，在前述步驟[4]中，切削半導體密封連結體270時切削至基材4的中間，此時能夠單獨切削切入層41，因此能夠實現藉由該切削而產生之切削屑的減少。在該情況下，切入層41的厚度相對於黏著膠帶100整體的厚度，較佳為設定為60%以上且90%以下，更佳為設定為60%以上且80%以下的厚度。

另外，切入層41在其表面露出有與黏著層2所含之構成材料具有反應性之如羥基、胺基之類的官能基為較佳。

並且，切入層41可以係由積層複數個以不同之前述樹脂材料構成之層而成之積層體(多層體)所構成者。另外，亦可以係由乾式摻混前述樹脂材料而成之摻混薄膜(blend film)所構成者。

<<擴張層42>>

擴張層42係在具備切入層41和擴張層42之積層體中，在前述步驟[4]時無需被切割刀片切入且在前述步驟[6]中使用擴展裝置被擴展成放射狀之層。

本發明中，該擴張層42的黏合力在80℃為1kPa以上且200kPa以下。

在此，若在80℃之黏合力小於前述下限值，則擴張層42的熔點下降。因此，若在前述步驟[4](切割步驟)中，因切割鋸與半導體密封連結體270的摩擦而黏著膠帶100被加熱，則擴張層42會軟化/熔融。其結果，擴張層42有時熔接於切割機工作台。另外，若在80℃之黏合力超過前述上限值，則因擴張層42的熔點變高而顯示與構成黏著層2之構成材料之熔點之差變大之傾向。因此，若在前述步驟[4](切割步驟)中，因切割鋸與半導體密封連結體270的摩擦而黏著膠帶100被加熱，則有時黏著膠帶100產生翹曲。

相對於此，藉由在80℃之擴張層42的黏合力在前述範圍內，在前述步驟[4](切割步驟)中，即使因切割鋸與半導體密封連結體270的摩擦而黏著膠帶100被加熱，亦能夠確實地防止黏著膠帶100的翹曲的發生，另外，能夠抑制或防止擴張層42對切割機工作台之熔接。因此，能夠實現製造使用了黏著膠帶100之半導體裝置20時的作業性及生產量的提高。

因此，要求擴張層42對基材4的面方向之擴展性(擴張性)優異且在80℃之黏合力在前述範圍內，擴張層42可以較佳地使用具有擴張性之樹脂材料。

作為該種具有擴張性之樹脂材料，例如可以舉出如低密度聚乙烯、中密度聚乙烯之類的聚乙烯系樹脂、EMMA(乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物)、EMA(乙烯-丙烯酸甲酯共聚物)、EEA(乙烯-丙烯酸乙酯共聚物)等乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、EVA(乙烯-乙酸乙烯酯共聚物)及烯烴系彈性體、苯乙烯系彈性體等各種彈性體等，能夠使用該等中的1種或者將2種以上組合使用。由該種樹脂材料構成之擴張層42在常溫下變柔軟，因此在前述步驟[6]中利用擴展裝置擴展成放射狀時，擴展性優異。在該等之中，聚乙烯系樹脂為較佳，低密度聚乙烯為特佳。藉此，利用擴展裝置擴展成放射狀時，能夠使擴張層42的擴展性變得更加優異。另外，當使用低密度聚乙烯時，低密度聚乙烯的熔點高於離子聚合物樹脂的熔點，耐熱性較高，因此能夠使在80℃之黏合力在前述範圍內。並且，擴張層42的可見光的透射性變得更加優異。

另外，本說明書中，低密度聚乙烯係指密度為0.880g/cm³以上且小於0.940g/cm³的聚乙烯。該低密度聚乙烯只要係其密度在前述範圍內者即可，其中，0.910g/cm³以上且0.930g/cm³以下為特佳。另外，具有該範圍內的密度之低密度聚乙烯被定義為藉由高壓法將乙烯單體進行聚合而得到之具有長鏈分支(分支鏈長並沒有特別限定)者、被稱作所謂的“低密度聚乙烯”或“超低密度聚乙烯”者、以及藉由低壓法將乙烯和碳數為3~8的α-烯烴單體進行聚合而得到之被稱作 “直鏈狀低密度聚乙烯”(此時的短鏈分支的長度為碳數1~6)者、進而上述密度範圍內所包含之“乙烯-α-烯烴共聚物彈性體”的總稱。

另外，低密度聚乙烯的密度能夠依據JIS K 7112進行測定。

並且，低密度聚乙烯的熔點係90℃以上且140℃以下為較佳，110℃以上且130℃以下為更佳。藉由低密度聚乙烯的熔點在該範圍內，能夠使擴張層42具備優異之耐熱性，且能夠使在常溫之剛性變低，因此能夠使其具備更加優異之擴展性。

並且，能夠藉由設定擴張層42的下表面(與切入層41相反一側的面)側的表面粗糙度Ra來調整擴張層42的黏合力。亦即，越是加大前述表面粗糙度Ra，越能夠降低前述黏合力，越是減小前述表面粗糙度Ra，越能夠提高前述黏合力。並且，從該觀點考慮，前述表面粗糙度Ra亦根據擴張層42中所含之構成材料的種類而稍微不同，但例如係0.2μm以上且2.0μm以下為較佳，0.4μm以上且1.5μm以下為更佳。藉由將前述表面粗糙度Ra設定在該範圍內，能夠更確實地使擴張層42在80℃之黏合力在前述範圍內。

在此，較佳為含於切入層41中之離子聚合物樹脂係利用金屬離子將以乙烯及(甲基)丙烯酸作為聚合物的構成成分之2元共聚物、或以乙烯、(甲基)丙烯酸及(甲基)丙烯酸酯作為聚合物的構成成分之3元共聚物進行交聯而成之樹脂，含有乙烯作為單體成分。

並且，較佳為含於前述擴張層42中之低密度聚乙烯中，單體成分為乙烯。

如此，當切入層41含有離子聚合物樹脂且擴張層42含有低密度聚乙烯時，切入層41及擴張層42均含有乙烯作為單體成分。因此，黏著膠帶100中，藉由切入層41與擴張層42之間的分子間相互作用效果，切入層41與擴張層42之間的密合性得到提高，因此能夠確實地抑制或防止在該等之間產生層間剝離。

另外，當擴張層42含有低密度聚乙烯時，可以含有與低密度聚乙烯不同之其他樹脂材料。

作為該樹脂材料並沒有特別限定，例如可以舉出如直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯之類的聚乙烯、如無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯之類的聚丙烯、聚氯乙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯等聚烯烴系樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、如鋅離子交聯體、鈉離子交聯體之類的離子聚合物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物等烯烴系共聚物、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸丁二醇酯等聚酯系樹脂、聚氨酯、聚醯亞胺、聚醯胺、如聚醚醚酮之類的聚醚酮、聚醚碸、聚苯乙烯、氟樹脂、聚矽氧樹脂、纖維素系樹脂、如苯乙烯系熱塑性彈性體、聚丙烯系熱塑性彈性體之類的烯烴系熱塑性彈性體、丙烯酸樹脂、聚酯系熱塑性彈性體、聚乙烯基異戊二烯、聚碳酸酯等熱塑性樹脂、或該等熱塑性樹脂的混合物，能夠使用該等中的1種或者將2種以上組合使用。

並且，擴張層42除了前述樹脂材料以外，可以含有抗氧化劑等添加劑、填料等。

另外，擴張層42含有抗靜電劑為較佳。藉此，能夠確實地抑制或防止前述步驟(貼附(膠帶安裝)步驟)[3]、前述步驟(切割步驟)[4]及前述步驟(拾取步驟)[6]中之半導體裝置20所具備之半導體元件26中之靜電的產生。

作為該抗靜電劑並沒有特別限定，例如可以舉出界面活性劑、永久抗靜電高分子(IDP)、金屬材料、金屬氧化物材料及碳系材料等，能夠使用該等中的1種或者將2種以上組合使用。

作為該等中的界面活性劑，例如可以舉出陰離子性界面活性劑、陽離子性界面活性劑、非離子性界面活性劑、兩離子性界面活性劑等。

作為永久抗靜電高分子(IDP)，例如能夠使用聚酯醯胺系列、聚酯醯胺、聚醚酯醯胺、聚氨酯系列等所有的IDP。

並且，作為金屬材料，可以舉出金、銀、銅或鍍銀銅、鎳等，可以較佳地使用該等金屬粉末。

作為金屬氧化物材料，可以舉出氧化銦錫(ITO)、氧化銦(IO)、氧化銻錫(ATO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO₂)等，可以較佳地使用該等金屬氧化物粉末。

另外，作為碳系材料，可以舉出碳黑、如單層碳奈米管、多層碳奈米管之類的碳奈米管、碳奈米纖維、CN奈米管、CN奈米纖維、BCN奈米管、BCN奈米纖維、石墨烯等。

在該等之中，作為抗靜電劑，係界面活性劑、永久抗靜電高分子(IDP)、金屬氧化物材料及碳黑中的至少1種為較佳。該等係電阻率的溫度依存性較小者，因此進行切割時，即使基材4被加熱，亦能夠減小擴張層42的表面電阻值的變化量。

當擴張層42中含有抗靜電劑時，擴張層42中之抗靜電劑的含有率係5重量%以上且40重量%以下為較佳，15重量%以上且30重量%以下為更佳。若抗靜電劑的含量小於前述下限值，則根據抗靜電劑的種類，有可能無法對擴張層42充分賦予抗靜電性能。並且，若抗靜電劑的含量超過前述上限值，則不僅會賦予不希望的進一步的抗靜電能力，而且從成本方面考慮亦不佳。

另外，擴張層42中之低密度聚乙烯的含有率係40重量%以上且100重量%以下為較佳，60重量%以上且100重量%以下為更佳。藉由係前述下限值以上，能夠確實地發揮作為上述擴張層42之功能。並且，能夠使與切入層41之密合性變得優異。

該種擴張層42的黏合力在80℃係1kPa以上且200kPa以下即可，但1kPa以上且100kPa以下為較佳，1kPa以上且60kPa以下為更佳。藉此，能夠更顯著地發揮前述效果。

另外，擴張層42的黏合力的測定藉由如下方式來實施：依據JIS Z 0237，例如藉由RHESCA CO.,LTD.的黏性(tacking)試驗機TAC-II，並使用將探針按壓至設定之加壓值並以保持加壓值直至經過設定之時間為止之方式持續控制之恆定負載(Constant Load)，使黏著膠帶100的擴張層42朝上，從上側使直徑3.0mm的SUS304製的探針接觸。此時，將探針與測定試料接觸時的速度設為30mm/min，將接觸載荷設為100gf，將接觸時間設為1秒，在80℃之黏合力時，將探針溫度及板溫度設為80℃。然後，將探針以600mm/min的剝離速度向上方剝離，測定剝離時所需之力作為黏合力。

並且，擴張層42依據IPC TM-650 2.4.19測定之拉伸彈性模數係30MPa以上且300MPa以下為較佳，100MPa以上且200MPa以下為更佳。拉伸彈性模數在前述範圍內之擴張層42，可以說係擴張性優異、藉由擴展裝置將黏著膠帶100拉伸成放射狀時在擴張層42中之斷裂的產生減少之層。

另外，擴張層42的厚度係7μm以上且95μm以下為較佳，15μm以上且80μm以下為更佳。藉此，在前述步驟[6]中拉伸黏著膠帶100時，能夠確實地將擴張層42中不產生斷裂之程度的強度賦予至擴張層42。在該情況下，擴張層42的厚度相對於黏著膠帶100整體的厚度，較佳為設定為40%以上且95%以下，更佳為設定為60%以上且80%以下。

另外，擴張層42可以係由積層複數個以不同之前述樹脂材料構成之層而成之積層體(多層體)所構成者。

當對具有如上構成之基材4將切口沿厚度方向形成至厚度的60%時，依據JIS K 6734測定出之基材4的斷裂伸長度係50%以上且400%以下為較佳，50%以上且150%以下為更佳。如此，藉由求出沿基材4的厚度方向形成切口時的基材4的斷裂伸長度，能夠使該基材4的狀態近似於在前述步驟[4]中與半導體密封連結體 270一同將黏著膠帶100的一部分進行切割之後，在前述步驟[6]中將黏著膠帶100利用擴展裝置拉伸成放射狀時的基材4的狀態。因此，藉由沿基材4的厚度方向形成切口時的基材4的斷裂伸長度在前述範圍內，即使該基材4藉由前述步驟[4]中之切割被切斷至其中間，亦可以說係在前述步驟[6]中將黏著膠帶100藉由擴展裝置拉伸成放射狀時基材4中之斷裂的產生減少者。

另外，斷裂伸長度能夠以如下方式求出。本說明書中，依據JIS K 6734，準備圖5所示之呈啞鈴形狀之試驗片200(全長120mm、厚度100μm、中心部201之長度80mm、寬度10mm)。在該試驗片200的中心部201的中間(大致中心)，沿著其短邊方向，沿厚度方向形成達到厚度的60%之切口203。另外，在自切口203起間隔(標線間隔)40mm的位置上畫出標線204之後，將試驗片200藉由以卡盤間距離成為80mm的方式固定其端部202而安裝於拉伸試驗裝置(A&D Company,Limited製，“Tensilon RTC-1250”)。然後，以速度200mm/sec伸長試驗片200，測定試驗片200斷裂時的標線間隔(拉伸後間隔)[mm]。藉此，能夠基於下述計算式(1)求出斷裂伸長度。

斷裂伸長度(%)={(拉伸後間隔[mm]-40[mm])/40[mm]}×100...(1)

並且，基材4依據JIS K 7361-1中所規定之方法測定出之D65標準光源下之總光線透射率係85%以上且98%以下為較佳，90%以上且98%以下為特佳，95%以上且98%以下為更佳。藉此，能夠使黏著膠帶100的透光性變得優異。因此，能夠確實地防止藉由前述步驟[4]的半導體密封連結體270的單片化而形成之半導體密封體290中產生缺陷者轉移到前述步驟[6]以後的步驟。

另外，具有如上構成之基材4的厚度例如係20μm以上且220μm以下為較佳，40μm以上且200μm以下為更佳。若基材4的厚度在該範圍內，則能夠對半導體密封連結體270進行切割時保護(緩和)半導體密封連結體270免受衝擊的影響，從而能夠以優異之作業性實施半導體密封連結體270的切割。

<黏著層>

黏著層2具有在前述步驟[4]中對半導體密封連結體270進行切割時黏著並支撐半導體密封連結體270之功能。並且，該黏著層2藉由對其賦予能量而對半導體密封連結體270之黏著性下降，藉此在前述步驟[6]中，成為能夠在黏著層2與半導體密封體290之間容易產生剝離之狀態。

具備該功能之黏著層2由樹脂組成物構成，該樹脂組成物含有(1)具有黏著性之基礎樹脂和(2)使黏著層2硬化之硬化性樹脂作為主材料。

以下，對樹脂組成物中所含之各成分依次進行詳述。

(1)基礎樹脂

基礎樹脂係具有黏著性，在向黏著層2照射能量射線之前，為了將對半導體密封連結體270之黏著性賦予至黏著層2而含於樹脂組成物中者。

作為該種基礎樹脂，可以舉出如丙烯酸系樹脂(黏著劑)、聚矽氧系樹脂(黏著劑)、聚酯系樹脂(黏著劑)、聚乙酸乙烯酯系樹脂(黏著劑)、聚乙烯基醚系樹脂(黏著劑)、苯乙烯系彈性體樹脂(黏著劑)、聚異戊二烯系樹脂(黏著劑)、聚異丁烯系樹脂(黏著劑)或胺甲酸乙酯(urethane)系樹脂(黏著劑)之類的用作黏著層成分之公知者。在該等之中，使用丙烯酸系樹脂為較佳。丙烯酸系樹脂由於耐熱性優異，並且能夠比較容易且廉價地獲得，因此可以較佳地用作基礎樹脂。

丙烯酸系樹脂係指將以(甲基)丙烯酸酯為單體主成分之聚合物(均聚物或共聚物)作為基礎聚合物者。

作為(甲基)丙烯酸酯並沒有特別限定，例如可以舉出如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸二級丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯之類的(甲基)丙烯酸烷基酯、如(甲基)丙烯酸環己酯之類的(甲基)丙烯酸環烷基酯、如(甲基)丙烯酸苯基酯之類的(甲基)丙烯酸芳基酯等，能夠使用該等中的1種或者將2種以上組合使用。在該等之中，含有(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯中的至少1種作為(甲基)丙烯酸烷基酯為較佳。藉由設為以該等(甲基)丙烯酸烷基酯作為單體主成分之丙烯酸系樹脂，能夠比較容易地將含有該丙烯酸系樹脂之黏著層2在25℃及在80℃之黏合力設定在後述之範圍內。

並且，該丙烯酸系樹脂的玻璃轉移點係20℃以下為較佳。藉此，在向黏著層2照射能量射線之前，能夠使黏著層2發揮優異之黏著性。

以將黏著層2在25℃及在80℃之黏合力分別設定在後述之範圍內、以及凝聚力、耐熱性等的改善等為目的，丙烯酸系樹脂使用除了含有上述(甲基)丙烯酸酯以外，視需要還含有共聚性單體作為構成聚合物之單體成分者。

作為該種共聚性單體並沒有特別限定，例如可以舉出如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯之類的含羥基之單體、如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯之類的含環氧基之單體、如(甲基)丙烯酸、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸、異巴豆酸之類的含羧基之單體、如馬來酸酐、衣康酸酐之類的含酸酐基之單體、如(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺之類的醯胺系單體、如(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸三級丁基胺基乙酯之類的含胺基之單體、如(甲基)丙烯腈之類的含氰基之單體、如乙烯、丙烯、異戊二烯、丁二烯、異丁烯之類的烯烴系單體、如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯之類的苯乙烯系單體、如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯之類的乙烯酯系單體、如甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚之類的乙烯基醚系單體、如氯乙烯、偏二氯乙烯之類的含鹵素原子之單體、如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯之類的含烷氧基之單體、N-乙烯基-2-吡咯啶酮、N-甲基乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌

、N-乙烯基吡

、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基

唑、N-乙烯基

啉、N-乙烯基己內醯胺、N-(甲基)丙烯醯

啉等具有含氮原子之環之單體等，能夠使用該等中的1種或者將2種以上組合使用。當含有上述(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯中的至少 1種作為(甲基)丙烯酸烷基酯時，作為共聚性單體，在該等之中，含有(甲基)丙烯酸為較佳。藉由設為以該種(甲基)丙烯酸烷基酯與共聚性單體的組合含有單體成分之丙烯酸系樹脂，能夠容易將含有該丙烯酸系樹脂之黏著層2在25℃及在80℃之黏合力設定在後述之範圍內。

該等共聚性單體的含量相對於構成丙烯酸系樹脂之所有單體成分，係40重量%以下為較佳，10重量%以下為更佳。

並且，共聚性單體可以係含於構成丙烯酸系樹脂之聚合物中之主鏈的末端者，亦可以係含於其主鏈中者，進而亦可以係含於主鏈的末端和主鏈中雙方者。

另外，共聚性單體可以以聚合物彼此的交聯等為目的而含有多官能性單體。

作為多官能性單體，例如可以舉出1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、雙新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯、二(甲基)丙烯酸己酯等，能夠使用該等中的1種或者將2種以上組合使用。

並且，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物及乙酸乙烯酯聚合物等亦能夠用作共聚性單體成分。

另外，該等丙烯酸系樹脂(聚合物)能夠藉由使單一的單體成分或2種以上的單體成分的混合物進行聚合而生成。並且，該等單體成分的聚合例如能夠使用溶液聚合方法、乳化聚合方法、塊狀聚合(bulk poly merization)方法、懸浮聚合方法等聚合方法來實施。

作為以上說明之藉由將單體成分進行聚合而得到之丙烯酸系樹脂，係在側鏈、主鏈中或主鏈的末端具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系樹脂(有時亦稱為“雙鍵導入型丙烯酸系樹脂”。)為較佳。當丙烯酸系樹脂為雙鍵導入型丙烯酸系樹脂時，即使省略後述之硬化性樹脂的添加，亦能夠使所得到之黏著層2發揮作為上述黏著層2之功能。

作為該等雙鍵導入型丙烯酸系樹脂，係在構成丙烯酸系樹脂之聚合物內的側鏈中1/100以上的側鏈分別具有1個碳-碳雙鍵之雙鍵導入型丙烯酸系樹脂(有時亦稱為“雙鍵側鏈導入型丙烯酸系樹脂”。)為較佳。如此，將碳-碳雙鍵導入到丙烯酸系樹脂的側鏈係從分子設計的觀點考慮亦有利。另外，該雙鍵側鏈導入型丙烯酸系樹脂亦可以在主鏈中、或主鏈的末端亦具有碳-碳雙鍵。

作為該種雙鍵導入型丙烯酸系樹脂的合成方法(亦即，向丙烯酸系樹脂中導入碳-碳雙鍵之方法)並沒有特別限定，例如可以舉出如下方法。首先，使用具有官能基之單體作為共聚性單體進行共聚合來合成具有官能基之丙烯酸系樹脂(有時亦稱為“含官能基之丙烯酸系樹脂”。)。然後，使具有能夠與含官能基之丙烯酸系樹脂中的官能基進行反應之官能基和碳-碳雙鍵之化合物(有時亦稱為“含碳-碳雙鍵之反應性化合物”。)以維持碳-碳雙鍵的能量射線硬化性(能量射線聚合性)之狀態與含官能基之丙烯酸系樹脂進行縮合反應或加成反應。藉此，能夠合成雙鍵導入型丙烯酸系樹脂。

另外，作為在丙烯酸系樹脂中將碳-碳雙鍵導入到總側鏈中的1/100以上的側鏈時的控制方式，例如可以舉出藉由適當調節與含官能基之丙烯酸系樹脂進行縮合反應或加成反應之化合物亦即含碳-碳雙鍵之反應性化合物的含量來進行之方法等。

並且，當使含碳-碳雙鍵之反應性化合物與含官能基之丙烯酸系樹脂進行縮合反應或加成反應時，能夠藉由使用催化劑來有效地進行前述反應。作為該種催化劑並沒有特別限制，可以較佳地使用如二月桂酸二丁基錫之類的錫系催化劑。作為該錫系催化劑的含量並沒有特別限制，例如相對於含官能基之丙烯酸系樹脂100重量份，係0.05重量份以上且1重量份以下為較佳。

並且，作為含官能基之丙烯酸系樹脂中之官能基A及含碳-碳雙鍵之反應性化合物中之官能基B，例如可以舉出羧基、酸酐基、羥基、胺基、環氧基、異氰酸酯基、氮環丙烷基(aziridine goup)等。另外，作為含官能基之丙烯酸系樹脂中之官能基A與含碳-碳雙鍵之反應性化合物中之官能基B的組合，例如可以舉出羧酸基(羧基)與環氧基的組合、羧酸基與氮環丙烷基的組合、羥基與異氰酸酯基的組合、羥基與羧基的組合等各種組合，在該等之中，羥基與異氰酸酯基的組合為較佳。藉此，能夠容易進行該等官能基A、B彼此的反應跟蹤。

另外，該等官能基A、B的組合中，可以是任一官能基成為含官能基之丙烯酸系樹脂的官能基A或含碳-碳雙鍵之反應性化合物的官能基B，例如在羥基與異氰酸酯基的組合的情況下，羥基成為含官能基之丙烯酸系樹脂中之官能基A，異氰酸酯基成為含碳-碳雙鍵之反應性化合物中之官能基B為較佳。

在該情況下，作為具有構成含官能基之丙烯酸系樹脂之官能基A之單體，例如可以舉出如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸之類的具有羧基者、如馬來酸酐、衣康酸酐之類的具有酸酐基者、如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(4-羥基甲基環己基)甲基(甲基)丙烯酸酯、乙烯醇、烯丙醇、2-羥基乙基乙烯基醚、2-羥基丙基乙烯基醚、4-羥基丁基乙烯基醚、乙二醇單乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚、丙二醇單乙烯基醚、二丙二醇單乙烯基醚之類的具有羥基者、如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、烯丙基縮水甘油醚之類的具有環氧基者等。

並且，關於具有官能基B之含碳-碳雙鍵之反應性化合物，作為具有異氰酸酯基者，例如可以舉出(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯氧基甲基異氰酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧基丙基異氰酸酯、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基異氰酸酯、4-(甲基)丙烯醯氧基丁基異氰酸酯、間丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯等，作為具有環氧基者，可以舉出(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。

從在前述步驟[4]中對半導體密封連結體270進行切割時防止半導體密封連結體270等的污染之觀點考慮，丙烯酸系樹脂係低分子量物的含量較少者為較佳。在該情況下，作為丙烯酸系樹脂的重量平均分子量，較佳為設定為30萬~ 500萬，更佳為設定為50萬~500萬，進一步較佳為設定為80萬~300萬。另外，若丙烯酸系樹脂的重量平均分子量根據單體成分的種類等而小於50萬，則對半導體密封連結體270等之防污染性下降。因此，在前述步驟[6]中剝離半導體密封體290(半導體元件26)時，有可能在半導體密封體290的中介層25側發生殘膠。

另外，丙烯酸系樹脂具有如羥基或羧基(尤其是羥基)之類的對交聯劑或光聚合起始劑具有反應性之官能基(反應性官能基)為較佳。藉此，交聯劑或光聚合起始劑與作為聚合物成分之丙烯酸樹脂連結，因此能夠確實地抑制或防止該等交聯劑或光聚合起始劑從黏著層2漏出。其結果，藉由前述步驟[5]中之能量射線照射，黏著層2對半導體密封連結體270之黏著性確實地降低。

(2)硬化性樹脂

硬化性樹脂例如係具備藉由能量射線的照射而硬化之硬化性者。藉由其硬化而基礎樹脂納入到硬化性樹脂的交聯構造中，其結果，黏著層2的黏著力(黏著性)降低。

作為該種硬化性樹脂，例如可以使用在分子內具有至少2個以上能夠藉由紫外線、電子束等能量射線的照射而三維交聯之聚合性碳-碳雙鍵作為官能基之低分子量化合物。具體而言，例如可以舉出如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、雙新戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯之類的(甲基)丙烯酸與多元醇的酯化物、如酯丙烯酸酯寡聚物、2- 丙烯基-二-3-丁烯基氰脲酸酯等具有含碳-碳雙鍵之基團之氰脲酸酯系化合物、三(2-丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯、三(2-甲基丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯、2-羥基乙基雙(2-丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯、雙(2-丙烯醯氧基乙基)2-[(5-丙烯醯氧基己基)-氧基]乙基異氰脲酸酯、三(1,3-二丙烯醯氧基-2-丙基-氧基羰基胺基-正己基)異氰脲酸酯、三(1-丙烯醯氧基乙基-3-甲基丙烯醯氧基-2-丙基-氧基羰基胺基-正己基)異氰脲酸酯、三(4-丙烯醯氧基-正丁基)異氰脲酸酯之類的具有含碳-碳雙鍵之基團之異氰脲酸酯系化合物、市售的寡聚酯丙烯酸酯、芳香族系、脂肪族系等胺基甲酸乙酯丙烯酸酯等，能夠使用該等中的1種或者將2種以上組合使用。在該等之中，含有官能基數量為6官能以上的寡聚物為較佳，含有官能基數量為15官能以上的寡聚物為更佳。藉此，能夠藉由能量射線的照射使硬化性樹脂更確實地硬化。並且，該種硬化性樹脂係胺基甲酸乙酯丙烯酸酯為較佳。藉此，能夠對黏著層2賦予適度的柔軟性，因此可得到能夠抑制拾取時的膠龜裂的效果。

另外，作為該胺基甲酸乙酯丙烯酸酯並沒有特別限定，例如可以舉出使具有羥基之(甲基)丙烯酸酯(例如，(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯等)與末端異氰酸酯胺基甲酸乙酯預聚物進行反應而得到者，該末端異氰酸酯胺基甲酸乙酯預聚物係使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物和多元異氰酸酯化合物(例如，2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-伸二甲苯基二異氰酸酯、1,4-伸二甲苯基二異氰酸酯、二苯基甲烷4,4-二異氰酸酯等)進行反應而得到。

並且，對硬化性樹脂並沒有特別限定，混合重量平均分子量不同之2種以上的硬化性樹脂而成者為較佳。若利用該種硬化性樹脂，則能夠容易控制基於能量射線照射之樹脂的交聯度，能夠提供前述步驟[6]中之半導體密封體290(半導體元件26)的拾取性得到提高之黏著膠帶100。並且，作為該種硬化性樹脂，例如亦可以使用第1硬化性樹脂與重量平均分子量大於第1硬化性樹脂之第2硬化性樹脂的混合物等。

當將硬化性樹脂設為第1硬化性樹脂與第2硬化性樹脂的混合物時，第1硬化性樹脂的重量平均分子量係100~1000左右為較佳，200~500左右為更佳。並且，第2硬化性樹脂的重量平均分子量係1000~30000左右為較佳，1000~10000左右為更佳，2000~5000左右為進一步較佳。另外，第1硬化性樹脂的官能基數量係1~5官能基為較佳，第2硬化性樹脂的官能基數量係6官能基以上為較佳。藉由滿足該關係，能夠更顯著地發揮前述效果。

硬化性樹脂相對於基礎樹脂100重量份以5重量份以上且500重量份以下摻合為較佳，以10重量份以上且300重量份以下摻合為更佳，以20重量份以上且200重量份以下摻合為進一步較佳。藉由如上述般調整硬化性樹脂的摻合量，能夠提供前述步驟[6]中之半導體密封體290(半導體元件26)的拾取性優異之黏著膠帶100。

另外，當使用雙鍵導入型丙烯酸系樹脂作為前述丙烯酸系樹脂時，亦即使用在側鏈、主鏈中或主鏈的末端具有碳-碳雙鍵者時，可以省略向樹脂組成物中添加該硬化性樹脂。這是因為，當丙烯酸系樹脂為雙鍵導入型丙烯酸系樹脂時，藉由能量射線的照射，黏著層2利用雙鍵導入型丙烯酸系樹脂所具備之碳-碳雙鍵的功能而硬化，藉此黏著層2的黏著力下降。

(3)光聚合起始劑

並且，黏著層2係藉由能量射線的照射而對半導體密封連結體270之黏著性下降者，當使用紫外線等作為能量射線時，為了使硬化性樹脂的聚合引發變得容易，硬化性樹脂中含有光聚合起始劑為較佳。

作為光聚合起始劑，例如可以舉出2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮、1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙-1-酮、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙-1-酮、苄基二苯基硫化物、單硫化四甲基秋蘭姆、4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮、米其勒酮、苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-

啉基丙-1-酮、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、二苯乙二酮(benzil)、苯偶姻、聯苄(dibenzyl)、α-羥基環己基苯基酮、苄基二甲基縮酮、2-羥基甲基苯基丙烷、2-萘磺醯氯、1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟、二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、4,4’-二甲基胺基二苯甲酮、4,4’-二乙基胺基二苯甲酮、4,4’-二氯二苯甲酮、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、鄰丙烯醯氧基二苯甲酮、對丙烯醯氧基二苯甲酮、鄰甲基丙烯醯氧基二苯甲酮、對甲基丙烯醯氧基二苯甲酮、對-(甲基)丙烯醯氧基乙氧基二苯甲酮、1,4-丁二醇單(甲基)丙烯酸酯、1,2-乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、1,8-辛二醇單(甲基)丙烯酸酯之類的丙烯酸酯的二苯甲酮-4-羧酸酯、噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮、偶氮二異丁腈、β-氯蒽醌、樟腦醌、鹵化酮、醯基氧化膦、醯基膦酸鹽、聚乙烯基二苯甲酮、氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、2-乙基蒽醌、三級丁基蒽醌、2,4,5-三芳基咪唑二聚體等，能夠使用該等中的1種或者將2種以上組合使用。

並且，在該等之中，二苯甲酮衍生物及烷基苯酮(alkyl phenone)衍生物為較佳。該等化合物係在分子中具備羥基作為反應性官能基者，經由該反應性官能基能夠與基礎樹脂或硬化性樹脂連結，能夠更確實地發揮作為光聚合起始劑之功能。

光聚合起始劑相對於基礎樹脂100重量份以0.1重量份以上且50重量份以下摻合為較佳，以0.5重量份以上且10重量份以下摻合為更佳。藉由如上述般調整光聚合起始劑的摻合量，黏著膠帶100的拾取性變為較佳。

(4)交聯劑

另外，硬化性樹脂中可以含有交聯劑。藉由含有交聯劑，能夠實現硬化性樹脂的硬化性的提高。

作為交聯劑並沒有特別限定，例如可以舉出異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、尿素樹脂系交聯劑、羥甲基系交聯劑、螯合物系交聯劑、氮環丙烷系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、多價金屬螯合物系交聯劑、酸酐系交聯劑、多胺系交聯劑、含羧基之聚合物系交聯劑等。在該等之中，異氰酸酯系交聯劑為較佳。

作為異氰酸酯系交聯劑並沒有特別限定，例如可以舉出多元異氰酸酯的聚異氰酸酯化合物及聚異氰酸酯化合物的三聚體、使聚異氰酸酯化合物和多元醇化合物進行反應而得到之末端異氰酸酯化合物的三聚體或將末端異氰酸酯胺基甲酸乙酯預聚物由酚、肟類等封鎖之封端(block)化聚異氰酸酯化合物等。

並且，作為多元異氰酸酯，例如可以舉出2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-伸二甲苯基二異氰酸酯、1,4-伸二甲苯基二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、4,4’-二苯基醚二異氰酸酯、4,4’-〔2,2-雙(4-苯氧基苯基)丙烷〕二異氰酸酯、2,2,4-三甲基-六亞甲基二異氰酸酯等，能夠使用該等中的1種或者將2種以上組合使用。在該等之中，選自2,4-甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯及六亞甲基二異氰酸酯中之至少1種多元異氰酸酯為較佳。

交聯劑相對於基礎樹脂100重量份以0.01重量份以上且50重量份以下摻合為較佳，以5重量份以上且50重量份以下摻合為更佳。藉由如上述般調整交聯劑的摻合量，黏著膠帶100的拾取性變為較佳。

(5)其他成分

另外，構成黏著層2之樹脂組成物中除了上述各成分(1)~(4)以外，可以含有增黏劑、抗老化劑、黏著調整劑、填充劑、著色劑、阻燃劑、軟化劑、抗氧化劑、塑化劑、界面活性劑等中的至少1種作為其他成分。

另外，作為該等中的增黏劑並沒有特別限定，例如可以舉出松香樹脂、萜烯樹脂、香豆酮(courmaron)樹脂、酚醛樹脂(phenolic resin)、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共聚系石油樹脂等，能夠使用該等中的1種或者將2種以上組合使用。

並且，該黏著層2係黏著層2的黏合力在25℃為50kPa以上且小於500kPa、且在80℃為20kPa以上且小於300kPa者為較佳，在25℃為200kPa以上且小於500kPa、且在80℃為20kPa以上且小於150kPa者為更佳。

在此，若在25℃之黏著層2的黏合力小於前述下限值，則根據黏著層2的構成材料，在前述步驟[3]中將黏著膠帶100積層(貼附)於半導體密封連結體270時，在黏著層2與片材25’之間產生氣泡。因此，基於黏著膠帶100之半導體密封連結體270的固定變得不穩定，前述步驟[4]中之半導體密封連結體270的切割或前述步驟[6]中之半導體密封體290的拾取精確度有可能下降。其結果，導致由半導體密封體290得到之半導體裝置20的成品率下降。

並且，若在25℃之黏著層2的黏合力超過前述上限值，則取決於黏著層2的構成材料，在前述步驟[3]中將黏著膠帶100積層(貼附)於半導體密封連結體270時，黏著層2過度與片材25’服貼。因此，黏著層2對片材25’之黏著力(增黏：anchor)有可能顯示變得過強之傾向。因此，在前述步驟[5]中，即使藉由對黏著層2賦予能量而使對半導體密封體290(由片材25’得到之中介層25)之黏著層2的黏著力下降，亦無法使該黏著力充分下降，前述步驟[6]中之半導體密封體290的拾取率有可能下降。並且，若黏著層2的服貼變得過度，則在片材25’上形成有雷射標誌或凸塊時，黏著層2會進入到該等之中，前述步驟[6]中之半導體密封體290的拾取時，有時成為發生殘膠之原因。

另外，若在80℃之黏著層2的黏合力小於前述下限值，則根據黏著層2的構成材料，在前述步驟[4]中藉由切割刀片對半導體密封連結體270進行切割時，因切割刀片與半導體密封連結體270的摩擦而黏著層2被加熱，因該加熱，基於黏著膠帶100之半導體密封連結體270的固定有可能變得不穩定。因此，在進行該切割時，半導體密封體290的背面有可能被切削水污染，或者有可能發生半導體密封體290的飛起。其結果，導致由半導體密封體290得到之半導體裝置20的成品率下降。

並且，若在80℃之黏著層2的黏合力超過前述上限值，則取決於黏著層2的構成材料，在前述步驟[4]中藉由切割刀片對半導體密封連結體270進行切割時，因切割刀片與半導體密封連結體270的摩擦，黏著層2被加熱。但是，因該加熱，黏合力(黏著力)亦會變得過大，因此半導體密封連結體270的切割時，發生切割刀片的堵塞，因此有可能導致黏著層2的殘膠或毛刺的發生。

相對於此，藉由在25℃及在80℃之黏合力分別在前述範圍內，在前述步驟[4](切割步驟)時，能夠將半導體密封連結體270牢固地固定，且藉由在前述步驟[5]中對黏著層2賦予能量，能夠使黏著層2對藉由半導體密封連結體270的切割而得到之半導體密封體290之黏著力適當下降，因此在前述步驟[6]中能夠容易拾取半導體密封體290。其結果，能夠實現由半導體密封體290得到之半導體裝置20的成品率的提高。

另外，黏著層2的黏合力的測定藉由如下方式來實施：依據JIS Z 0237，例如藉由RHESCA CO.,LTD.的黏性試驗機TAC-II，並使用將探針壓入至設定之加壓值並以保持加壓值直至經過設定之時間為止之方式持續控制之恆定負載，使黏著膠帶100的黏著層2朝上，從上側使直徑3.0mm的SUS304製的探針接觸。此時，將探針與測定試料接觸時的速度設為30mm/min，將接觸載荷設為100gf，將接觸時間設為1秒。然後，將探針以600mm/min的剝離速度向上方剝離，測定剝離時所需之力作為黏合力。並且，在25℃之黏合力係藉由將探針溫度設為25℃並將板溫度設為25℃來進行測定，在80℃之黏合力係藉由將探針溫度設為80℃並將板溫度設為80℃來進行測定。

並且，當將在80℃之擴張層42的黏合力設為A[kPa]、將在80℃之黏著層2的黏合力設為B[kPa]時，A/B滿足0.003以上且15以下的關係為較佳，滿足0.003以上且10以下的關係為更佳。藉此，在前述步驟[4]中藉由切割刀片對半導體密封連結體270進行切割時，即使因切割刀片與半導體密封連結體270的摩擦而黏著層2被加熱，亦能夠使基於黏著膠帶100之半導體密封連結體270的固定變得牢固，同時能夠確實地抑制或防止擴張層42軟化/熔融而確實地抑制或防止擴張層42熔接於切割機工作台。

另外，黏著層2的厚度並沒有特別限定，例如係1μm以上且30μm以下為較佳，5μm以上且30μm以下為更佳，10μm以上且20μm以下為進一步較佳。藉由將黏著層2的厚度設在該範圍內，黏著層2在向黏著層2賦予能量之前發揮良好的黏著力，並且在向黏著層2賦予能量之後，在黏著層2與半導體密封連結體270之間發揮良好的剝離性。並且，若黏著層2的厚度在該範圍內，則藉由將基材4在D65標準光源下之總光線透射率設為85%以上且98%以下，能夠使黏著膠帶100成為確實地具備優異之透光性者。

另外，黏著層2可以係由積層複數個以不同之前述樹脂組成物構成之層而成之積層體(多層體)所構成者。

接著，該構成的半導體基板加工用黏著膠帶100例如能夠以如下方式進行製造。

<半導體基板加工用黏著膠帶的製造方法>

圖6係用於說明製造圖4所示之半導體基板加工用黏著膠帶之方法之縱剖面圖。另外，以下說明中，將圖6中的上側稱為“上”，將下側稱為“下”。

[1B]首先，準備依次積層有切入層41和擴張層42之基材4(參閱圖6(a)。)。

該構成的基材4並沒有特別限定，例如能夠使用如膨脹共擠出法、T模共擠出法之類的擠出成形法、或如壓延法、膨脹擠出法、T模擠出法、環狀模擠出法之類的擠出成形法、利用濕式澆鑄法得到之薄膜的層合法等一般的成形方法進行製造。在該等之中，T模共擠出法為較佳。藉此，能夠以優異之厚度精確度形成黏著膠帶100所具備之各層。

以下，對T模共擠出法(使用T模之擠出法)進行說明。

首先，將構成切入層41及擴張層42之樹脂成分分別個別地乾式摻混或熔融混煉，藉此得到用於形成各層41、42之形成用樹脂組成物。並且，將各層41、42的形成用樹脂組成物供給至螺桿式擠出機，從調整為180~240℃之多層T模以薄膜狀擠出，然後一邊使其通過調整為10~50℃之冷卻輥，一邊進行冷卻並捲取，藉此得到基材4。或者，亦可以將各層41、42的形成用樹脂組成物暫時以顆粒形式取得之後，如上述般進行擠出成形，藉此得到基材4。所形成之各層41、42的厚度能夠藉由調整擠出機的螺桿轉速來調整。

另外，在一邊通過上述冷卻輥一邊進行冷卻並捲取薄膜之步驟中，確保擴展時薄膜不會被破裂之程度的強度，實質上以無拉伸方式進行捲取為較佳。藉此，能夠使基材4的透光性變得優異。另外，實質上無拉伸係指不進行積極的拉伸，係包括無拉伸或對切割時的基材4的翹曲不產生影響之程度的稍微的拉伸者。通常，在捲取薄膜時，不發生鬆弛之程度的拉伸即可。

並且，當使用層合法製造切入層41時，切入層41能夠以無拉伸狀態使用，另外，視需要亦可以使用實施了單軸或雙軸拉伸處理者。並且，以提高切入層41與擴張層42的密合性為目的，切入層41的表面(下表面)上可以實施有如電暈處理、鉻酸處理、消光處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、離子化放射線處理、底漆處理、增黏塗層(anchor coat)處理之類的表面處理。

並且，當使用層合法製造擴張層42時，擴張層42能夠藉由在切入層41上熱層合將作為擴張層42的構成材料之樹脂組成物熔融而成之材料之後進行冷卻以形成擴張層42而得到。

[2B]接著，在所得到之基材4(切入層41)的上表面形成黏著層2(參閱圖6(b)。)。

以提高基材4與黏著層2的密合性為目的，基材4的表面(上表面)可以實施有如電暈處理、鉻酸處理、消光處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電擊暴露處理、離子化放射線處理、底漆處理、增黏塗層處理之類的表面處理。

並且，黏著層2能夠藉由在基材4上塗佈或散佈將作為黏著層2的構成材料之樹脂組成物溶解於溶劑中而製成清漆狀之液態材料之後使溶劑揮發以形成黏著層2而得到。

另外，作為溶劑並沒有特別限定，例如可以舉出甲乙酮、丙酮、甲苯、乙酸乙酯、二甲基甲醛等，能夠使用該等中的1種或者將2種以上組合使用。

並且，液態材料向基材4上之塗佈或散佈例如能夠使用模塗、淋幕式模塗(curtain die)、凹版塗佈、逗點式塗佈(comma coat)、棒塗及模唇塗佈等方法來進行。

[3B]接著，對於形成於基材4上之黏著層2，以中心側和外周側分離之方式使基材4沿黏著層2的厚度方向殘存而以圓環狀除去黏著層2的一部分，藉此使黏著層2成為具備中心部122和外周部121者(參閱圖6(c)。)。

作為以圓環狀除去黏著層2的一部分之方法，例如可以舉出以環繞應除去之區域之方式沖切之後，除去位於該沖切之區域之黏著層2之方法。

並且，對應除去之區域之沖切例如能夠利用使用輥狀模具之方法、使用沖壓模具之方法來進行。其中，使用能夠連續製造黏著膠帶100之輥狀模具之方法為較佳。

另外，在本步驟中，將黏著層2的一部分沖切成環狀(圓形狀)而形成了中心部122和外周部121，但將黏著層2的一部分沖切之形狀只要係在前述半導體裝置的製造方法中能夠利用晶圓環將黏著層2的中心部122固定之形狀，則可以是任何形狀者。具體而言，作為沖切之形狀，例如除了上述圓形狀以外，可以舉出如橢圓狀、稻草包形狀之類的長圓狀、或如四邊形狀、五邊形狀之類的多邊形狀等。

[4B]接著，對形成於基材4上之黏著層2積層隔離件1，藉此得到黏著層2被隔離件1包覆之黏著膠帶100(參閱圖6(d)。)。

作為在黏著層2上積層隔離件1之方法並沒有特別限制，例如能夠利用使用輥之層合方法、使用壓製之層合方法。在該等之中，從能夠連續生產之生產率的觀點考慮，使用輥之層合方法為較佳。

另外，作為隔離件1並沒有特別限定，可以舉出聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜等。

並且，隔離件1由於在使用黏著膠帶100時被剝離，因此可以使用表面進行了脫模處理者。作為脫模處理，可以舉出將脫模劑塗佈於隔離件1表面之處理、或在隔離件1表面形成微細凹凸之處理等。另外，作為脫模劑，可以舉出聚矽氧系、醇酸系、氟系等者。

經過如以上之步驟，能夠形成被隔離件1包覆之黏著膠帶100。

另外，在本實施形態中製造之被隔離件1包覆之黏著膠帶100，在使用前述黏著膠帶100之半導體裝置的製造方法中將黏著膠帶100從隔離件1剝離之後進行使用。

並且，在從隔離件1所包覆之黏著層2剝離該隔離件1時，相對於黏著層2的面以90度以上且180度以下的角度剝離隔離件1為較佳。藉由將剝離隔離件1之角度設在前述範圍，能夠確實地防止黏著層2與隔離件1的界面以外的剝離。

另外，本實施形態中，對將半導體裝置20適用於四面扁平封裝(QFP)並使用黏著膠帶100製造該構成的半導體裝置20之情況進行了說明，但並不限定於該情況，能夠在各種形態的半導體封裝的製造中適用黏著膠帶100，例如能夠適用於雙列直插式封裝(DIP：Dual In-line Package)、附引線之塑膠晶片載體(PLCC：Plastic Leaded Chip Carrier)、薄型四面扁平封裝(LQFP：Low-profile Quad Flat Package)、小外形封裝(SOP：small Out-Line Package)、J型引線小外形封裝(SOJ：Small Out-Line J-Lead package)、薄型小外形封裝(TSOP：Thin Small Outline Package)、薄型四面扁平封裝(TQFP：Thin Quad Flat Package)、帶載封裝(TCP：Tape Carrier Package)、球柵陣列(BGA：Ball Grid Array)、晶片尺寸封裝(CSP：Chip Scale Package)、模塑陣列封裝球柵陣列(MAPBGA：Matrix Array Package Ball Grid Array)、晶片疊層晶片尺寸封裝等記憶體或邏輯元件。

以上，對本發明的半導體基板加工用黏著膠帶進行了說明，但本發明並不限定於該等。

例如，本發明的半導體基板加工用黏著膠帶所具備之各層中可以添加能夠發揮同樣功能之任意成分，或者基材中的切入層41、擴張層42的各層可以積層有複數個。

並且，本發明的半導體基板加工用黏著膠帶所具備之各層的構成能夠與能夠發揮同樣功能之任意者替換，或者亦能夠附加任意構成的層例如抗靜電層等。

並且，前述實施形態中，對利用本發明的半導體基板加工用黏著膠帶將半導體密封連結體(半導體基板)固定並將藉由對該半導體密封連結體進行切割而得到之作為對象物之半導體密封體從該半導體基板加工用黏著膠帶拾取之情況進行了說明，但並不限定於此，亦能夠將製作有複數個半導體元件之半導體晶圓(半導體基板)固定並將藉由對該半導體晶圓進行切割而得到之作為對象物之半導體元件從該半導體基板加工用黏著膠帶拾取。

[實施例]

接著，對本發明的具體實施例進行說明。

另外，本發明並不受該等實施例的記載之任何限定。

1.擴張層的黏合力的研究

1-1.原材料的準備

首先，實施例及比較例的切割薄膜用基材薄膜的製作中所使用之原料如下。

<基材4的原料>

離子聚合物樹脂“Himilan 1855”(DU PONT-MITSUI POLYCHEMICALS CO.,LTD.製；金屬原子Zn、MFR1.0熔點86℃)

低密度聚乙烯LDPE“F222”(Ube-Maruzen Polyethlene Co,Ltd.製；熔點110℃)

低密度聚乙烯LDPE“Petrosen 203”(TOSOH CORPORATION製；熔點100~120℃)

低密度聚乙烯LDPE“1520F”(Ube-Maruzen Polyethlene Co,Ltd.製；熔點114℃)

高密度聚乙烯HDPE“Novatec HD HF560”(Japan polyethylene Corporation製；熔點134℃)

抗靜電劑“Pelestat PVH”(Sanyo Chemical Industries,Ltd.製；聚醚/聚烯烴嵌段聚合物)

抗靜電劑“Pelestat 230”(Sanyo Chemical Industries,Ltd.製；聚醚/聚烯烴嵌段聚合物)

抗靜電劑“Electrostripper TS-13B”(Kao Corporation製；非離子性界面活性劑)

<黏著層2的原料>

各實施例及各比較例的黏著層中使用了下述原料。

<基礎樹脂>

下述丙烯酸共聚物係以下述重量比率混合丙烯酸丁酯(BA)和丙烯酸(AA)並藉由常規方法使其在甲苯溶劑中溶液聚合而得到。

丙烯酸共聚物1(BA/AA=90/10，重量平均分子量60萬)

<UV硬化樹脂>

胺基甲酸乙酯丙烯酸酯1(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.，商品名：UA-33H)：20重量份

<交聯劑>

聚異氰酸酯化合物(商品名“Coronate L”，Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.製)

<光起始劑>

二苯甲酮系光起始劑(商品名“IRGACURE 651”，Ciba Specialty Chemicals Corporation製)

1-2.半導體基板加工用黏著膠帶的製作

(實施例1A)

<基材4(切割薄膜用基材薄膜)的製作>

作為切入層形成用樹脂，使用了離子聚合物樹脂“Himilan 1855”。

並且，乾式摻混低密度聚乙烯LDPE“F222NH”80質量%和抗靜電劑“Pelestat 212”20質量%，得到了擴張層形成用樹脂組成物。

並且，將所得到之切入層形成用樹脂及擴張層形成用樹脂組成物供給至調整為200℃之各擠出機，以成為切入層/擴張層的順序之方式從200℃的2層模中擠出，並利用設定為20℃之冷卻輥進行冷卻固化，以實質上無拉伸的狀態捲取，藉此得到了具有2層構造之基材4(切割薄膜用基材薄膜)。

另外，所得到之基材4中之切入層41的厚度為100μm，擴張層42的厚度為50μm，作為基材4整體之厚度為150μm。

<黏著膠帶100(切割薄膜)的製作>

藉由在以如上方式製作之基材4的切入層41上設置黏著層2而得到了黏著膠帶100。具體而言，使用作為黏著層2的原料之基礎樹脂49.8質量%、UV硬化樹脂39.8質量%、交聯劑6.5質量%及光起始劑3.9質量%，將其溶解於乙酸乙酯中並進行混合而得到了混合物。然後，以使乾燥後的厚度成為20μm之方式在基材4的切入層上棒塗混合物之後，在80℃乾燥10分鐘，藉此得到了實施例1A的黏著膠帶100。

(實施例2A~10A、比較例1A)

除了如表1中所記載般變更原材料的種類及其摻合比率以外，以與實施例1A相同的方式製作出實施例2A~10A、比較例1A的基材4及黏著膠帶100。

1-3.評價

<擴張層在80℃之黏合力A>

在80℃之擴張層的黏合力A以如下方式進行了評價。

亦即，首先，對於實施例1A~10A、比較例1A的黏著膠帶100，分別依據JIS Z 0237，使用RHESCA CO.,LTD.的黏性試驗機TAC-I，以擴張層朝上，從上側使直徑3.0mm的SUS304製的探針接觸，將此時的探針與擴張層接觸時的速度設為30mm/min，將接觸載荷設為200gf，將接觸時間設為10秒，將探針溫度及板溫度設為80℃。然後，將探針以600mm/min的剝離速度向上方剝離，測定了剝離時所需之力作為黏合力。並且，按照所得到之黏合力，基於下述所示之評價基準評價了在80℃之黏合力。將該評價結果示於表1。

[評價基準]

黏合力為1kPa以上且60kPa以下：A

黏合力為60kPa以上且200kPa以下：B

黏合力小於1kPa或超過200kPa：C

<黏著層在80℃之黏合力B>

以如下方式評價了在80℃之黏著層的黏合力B。

亦即，首先，對於實施例1B~5B的黏著膠帶100，分別依據JIS Z 0237，使用RHESCA CO.,LTD.的黏性試驗機TAC-II，以黏著層朝上，從上側使直徑5.0mm的SUS304製的探針接觸，將此時的探針與黏著層接觸時的速度設為30mm/min，將接觸載荷設為200gf，將接觸時間設為10秒，將探針溫度及板溫度設為80℃。然後，將探針以600mm/min的剝離速度向上方剝離，測定了剝離時所需之力作為黏合力。並且，按照所得到之黏合力，基於下述所示之評價基準評價了在80℃之黏合力。將該評價結果示於表2。

[評價基準]

黏合力為20kPa以上且小於150kPa：A

黏合力為150kPa以上且小於300kPa：B

黏合力小於20kPa或為300kPa以上：C

<A/B>

基於下述所示之評價基準評價了擴張層在80℃之黏合力A與黏著層在80℃之黏合力B之比A/B。

[評價基準]

比A/B為0.003以上且小於10：A

比A/B為10以上且小於15：B

比A/B小於0.003或為15以上：C

<熔接特性>

以如下方式評價了熔接特性。

亦即，首先，在實施例1A~10A、比較例1A的黏著膠帶100上貼附玻璃環氧製仿真基板(Dummy Substrate)(密封材：G760L，Sumitomo Bakelite Co.,Ltd.製)(60mm×15mm×1.2mm厚)，在切割機工作台上以下述條件實施切割，目視觀察切割後擴張層對切割機工作台之熔接程度，並基於下述所示之評價基準評價了熔接特性。將該評價結果示於表1。

[評價基準]

觀察不到擴張層的熔融，亦觀察不到對切割機工作台之熔接：A

觀察到稍微的擴張層的熔融，對於切割機工作台亦觀察到稍微的熔接：B

明顯觀察到擴張層的熔融，對於切割機工作台亦觀察到明顯的熔接：C

[切割條件]

切割裝置：“DAD-3350”(商品名，DISCO Corporation製)

切割刀片：“P08-SDC220”(商品名，DISCO Corporation製)

刀片轉速：30000rpm

切割速度：100mm/sec

切口：從切割薄膜表面起100μm(對於切入層之切入量為80μm)

切割尺寸：10mm×10mm

刀片冷卻器：2L/min

如表1所示，實施例1A~10A的黏著膠帶100中，得到了擴張層42的黏合力在80℃為1kPa以上且200kPa以下的結果。藉此，在切割步驟中，即使因與切割鋸之摩擦而被加熱，亦能夠確實地抑制擴張層42對切割機工作台之熔接。

2.黏著層的黏合力的研究

2-1.原材料的準備

首先，實施例及參考例的切割薄膜用基材薄膜的製作中所使用之原料如下。

<基材4的原料>

抗靜電劑“Pelestat 212”(Sanyo Chemical Industries,Ltd.製；聚醚/聚烯烴嵌段聚合物)

<黏著層2的原料>

各實施例及各參考例的黏著層中使用了下述原料。

<基礎樹脂>

丙烯酸共聚物1~5分別係混合丙烯酸丁酯(BA)、丙烯酸(AA)、甲基丙烯酸甲酯(MA)及丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)中的至少2種並藉由常規方法使其在甲苯溶劑中溶液聚合而得到。並且，丙烯酸共聚物6、7分別係不包含丙烯酸(AA)而混合丙烯酸丁酯(BA)、甲基丙烯酸甲酯(MA)及丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)中的2種並藉由常規方法使其在甲苯溶劑中溶液聚合而得到。

另外，丙烯酸共聚物1~5中混合至少2種之MA、BA、2EHA及AA的混合比分別設為如下所示。並且，丙烯酸共聚物6、7中混合2種之MA、BA及2EHA的混合比分別設為如下所示。

丙烯酸共聚物1(BA/AA=90/10)

丙烯酸共聚物2(BA/AA=95/5)

丙烯酸共聚物3(MA/BA/2EHA/AA=15/45/35/5)

丙烯酸共聚物4(MA/2EHA/AA=10/85/5)

丙烯酸共聚物5(MA/2EHA/AA=12/85/3)

丙烯酸共聚物6(MA/2EHA=15/85)

丙烯酸共聚物7(BA/2EHA=20/80)

<UV硬化樹脂>

<交聯劑>

<光起始劑>

2-2.半導體基板加工用黏著膠帶的製作

(實施例1B)

<基材4(切割薄膜用基材薄膜)的製作>

並且，乾式摻混低密度聚乙烯LDPE“F222”80.0質量%和抗靜電劑“Pelestat 212”20.0質量%，得到了擴張層形成用樹脂組成物。

<黏著膠帶100(切割薄膜)的製作>

藉由在以如上方式製作之基材4的切入層41上設置黏著層2而得到了黏著膠帶100。具體而言，使用作為黏著層2的原料之基礎樹脂(丙烯酸共聚物1)49.8質量%、UV硬化樹脂39.8質量%、交聯劑6.5質量%及光起始劑3.9質量%，將其溶解於乙酸乙酯中並進行混合而得到了混合物。然後，以使乾燥後的厚度成為20μm之方式，在基材4的切入層上棒塗混合物之後，在80℃乾燥10分鐘，藉此得到了實施例1B的黏著膠帶100。

(實施例2B~5B、參考例1B、2B)

除了如表2中所記載般變更作為原材料而含有之基礎樹脂的種類以外，以與實施例1B相同的方式製作出實施例2B~5B、參考例1B、2B的基材4及黏著膠帶100。

2-3.評價

<在25℃之黏合力>

以如下方式評價了在25℃之黏著層的黏合力。

亦即，首先，對於實施例1B~5B、參考例1B、2B的黏著膠帶100，分別依據JIS Z 0237，使用RHESCA CO.,LTD.的黏性試驗機TAC-II，以黏著層朝上，從上側使直徑5.0mm的SUS304製的探針接觸，將此時的探針與黏著層接觸時的速度設為30mm/min，將接觸載荷設為200gf，將接觸時間設為10秒，將探針溫度及板溫度設為25℃。然後，將探針以600mm/min的剝離速度向上方剝離，測定了剝離時所需之力作為黏合力。並且，按照所得到之黏合力，基於下述所示之評價基準評價了在25℃之黏合力。將該評價結果示於表2。

[評價基準]

黏合力為200kPa以上且小於500kPa：A

黏合力為50kPa以上且小於200kPa：B

黏合力小於50kPa或為500kPa以上：C

<在80℃之黏合力>

以如下方式評價了在80℃之黏著層的黏合力。

亦即，首先，對於實施例1B~5B、參考例1B、2B的黏著膠帶100，分別依據JIS Z 0237，使用RHESCA CO.,LTD.的黏性試驗機TAC-II，以黏著層朝上，從上側使直徑5.0mm的SUS304製的探針接觸，將此時的探針與黏著層接觸時的速度設為30mm/min，將接觸載荷設為200gf，將接觸時間設為10秒，將探針溫度及板溫度設為80℃。然後，將探針以600mm/min的剝離速度向上方剝離，測定了剝離時所需之力作為黏合力。並且，按照所得到之黏合力，基於下述所示之評價基準評價了在80℃之黏合力。將該評價結果示於表2。

[評價基準]

黏合力為20kPa以上且小於150kPa：A

黏合力為150kPa以上且小於300kPa：B

黏合力小於20kPa或為300kPa以上：C

<膠帶安裝特性>

以如下方式評價了膠帶安裝特性。

亦即，首先，在實施例1B~5B、參考例1B、2B的黏著膠帶100上貼附玻璃環氧製仿真基板(密封材：G760L，Sumitomo Bakelite Co.,Ltd.製)(60mm×15mm×1.2mm厚)，目視觀察在黏著膠帶100所具備之黏著層2與仿真基板之間有無嚙入之氣泡的產生，按照所觀察之氣泡的數量，基於下述所示之評價基準評價了膠帶安裝特性。將該評價結果示於表2。

[評價基準]

在黏著層與仿真基板之間未看到氣泡的產生：A

在黏著層與仿真基板之間看到一些氣泡的產生：B

因黏性的不足而在黏著層與仿真基板之間明顯看到氣泡的產生：C

<背面污染及殘膠特性>

以如下方式評價了背面污染及殘膠特性。

亦即，首先，在實施例1B~5B、參考例1B、2B的黏著膠帶100上貼附玻璃環氧製仿真基板(密封材：G760L，Sumitomo Bakelite Co.,Ltd.製)(60mm×15mm×1.2mm厚)，然後，以下述條件實施切割，使用真空筒夾拾取50個細分化之仿真基板，藉由目視觀察所拾取之仿真基板的背面污染及殘膠的有無，按照觀察到背面污染或殘膠之仿真基板的數量，基於下述所示之評價基準評價了背面污染及殘膠特性。將該評價結果示於表2。

[評價基準]

觀察到背面污染或殘膠之仿真基板的數量為0/50：A

觀察到背面污染或殘膠之仿真基板的數量為1~3/50：B

觀察到背面污染或殘膠之仿真基板的數量為4/50以上：C

[切割條件]

切割裝置：“DAD-3350”(商品名，DISCO Corporation製)

切割刀片：“P08-SDC220”(商品名，DISCO Corporation製)

刀片轉速：30000rpm

切割速度：100mm/sec

切口：從切割薄膜表面起100μm(對於切入層之切入量為80μm)

切割尺寸：5mm×5mm

刀片冷卻器：2L/min

如表2所示，實施例1B~5B的黏著膠帶100中，得到了黏著層2的黏合力在25℃為50kPa以上且小於500kPa、且在80℃為20kPa以上且小於300kPa的結果。藉此，顯示優異之膠帶安裝特性、以及背面污染及殘膠特性，其結果，在切割步驟時，將仿真基板(對象物)牢固地固定，同時藉由在切割步驟之後對黏著層賦予能量，不會使仿真基板(對象物)發生殘膠等而能夠容易進行拾取。相對於此，參考例1B、2B的黏著膠帶100中，無法滿足黏著層2的黏合力在25℃為50kPa以上且小於500kPa、且在80℃為20kPa以上且小於300kPa的關係，顯示出膠帶安裝特性、以及背面污染及殘膠特性較差的結果。

3.基材的總光線透射率及斷裂伸長度的研究

3-1.原材料的準備

首先，各實施例的切割薄膜用基材薄膜的製作中所使用之原料如下。

<基材4的原料>

離子聚合物樹脂“Himilan 1554”(DU PONT-MITSUI POLYCHEMICALS CO.,LTD.製；金屬原子Zn、MFR1.3熔點97℃)

離子聚合物樹脂“Himilan 1650”(DU PONT-MITSUI POLYCHEMICALS CO.,LTD.製；金屬原子Zn、MFR1.5熔點96℃)

離子聚合物樹脂“Himilan 1652”(DU PONT-MITSUI POLYCHEMICALS CO.,LTD.製；金屬原子Zn、MFR5.5熔點98℃)

離子聚合物樹脂“Himilan 1601”(DU PONT-MITSUI POLYCHEMICALS CO.,LTD.製；金屬原子Na、MFR1.3熔點97℃)

乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物(EMMA)“Acryft WD201-F”(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.製，熔點100℃)

乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(EMA)“Rexpearl EB050S”(Japan polyethylene Corporation製，熔點73℃)

低密度聚乙烯LDPE“1520F”(Ube-Maruzen Polyethlene Co,Ltd.製，熔點114℃)

抗靜電劑“Pelectron PVH”(Sanyo Chemical Industries,Ltd.製)

<黏著層2的原料>

各實施例的黏著層中使用了下述原料。

<基礎樹脂>

丙烯酸共聚物1(BA/AA=90/10，重量平均分子量60萬)

<UV硬化樹脂>

<交聯劑>

<光起始劑>

3-2.半導體基板加工用黏著膠帶的製作

(實施例1C)

<基材4(切割薄膜用基材薄膜)的製作>

並且，乾式摻混低密度聚乙烯LDPE“F222”80.0質量%和抗靜電劑“Pelectron PVH”20.0質量%，得到了擴張層形成用樹脂組成物。

並且，將所得到之切入層形成用樹脂及擴張層形成用樹脂組成物供給至調整為200℃之各擠出機，以成為切入層/擴張層的順序之方式從200℃的2層模中擠出，利用設定為20℃之冷卻輥進行冷卻固化，以實質上無拉伸的狀態捲取，藉此得到了具有2層構造之基材4(切割薄膜用基材薄膜)。

並且，基材4的依據JIS K 7361-1中所規定之方法測定出之在D65標準光源下之總光線透射率為92%，將切口形成至厚度的60%之基材4的斷裂伸長度為100%。

<黏著膠帶100(切割薄膜)的製作>

藉由在以如上方式製作之基材4的切入層41上設置黏著層2而得到了黏著膠帶100。具體而言，使用作為黏著層2的原料之基礎樹脂49.8質量%、UV硬化樹脂39.8質量%、交聯劑6.5質量%及光起始劑3.9質量%，將其溶解於乙酸乙酯中並進行混合而得到了混合物。然後，以使乾燥後的厚度成為20μm之方式，在基材4的切入層上棒塗混合物之後，在80℃乾燥10分鐘，藉此得到了實施例1C的黏著膠帶100。

<切入層41的製作>

作為切入層形成用樹脂，準備離子聚合物樹脂“Himilan 1855”，將該切入層形成用樹脂供給至調整為200℃之擠出機，從200℃的1層模中擠出，並利用設定為20℃之冷卻輥進行冷卻固化，以實質上無拉伸的狀態捲取，藉此得到了具有1層構造之切入層41。

另外，所得到之切入層41的厚度為100μm。

並且，測定了切入層41的斷裂伸長度，結果為180%，另外測定了切入層41的拉伸彈性模數，結果為110MPa。

<擴張層42的製作>

作為擴張層形成用樹脂組成物，準備乾式摻混低密度聚乙烯LDPE“F222”80.0質量%和抗靜電劑“Pelectron PVH”20.0質量%而成者，將該擴張層形成用樹脂組成物供給至調整為200℃之擠出機，從200℃的1層模中擠出，並利用設定為20℃之冷卻輥進行冷卻固化，以實質上無拉伸的狀態捲取，藉此得到了具有1層構造之擴張層42。

另外，所得到之基材4的厚度為50μm。

並且，測定了擴張層42的拉伸彈性模數，結果為170MPa。

(實施例2C~12C)

除了如表3中所記載般變更原材料的種類及其摻合比率以外，以與實施例1C相同的方式製作出實施例2C~12C的基材4及黏著膠帶100。

3-3.評價

<可見性特性>

以如下方式評價了可見性特性。

亦即，首先，將實施例1C~12C的黏著膠帶100分別貼附於形成有深度50μmm、間距1mm的凹凸之基板，經由貼附之黏著膠帶100目視觀察該基板的凹凸，按照觀察到之凹凸的可見性，基於下述所示之評價基準評價了可見性特性。將該評價結果示於表3。

[評價基準]

能夠明確觀察到基板的凹凸：A

雖然看到稍微的霧氣，但能夠觀察基板的凹凸：B

明顯看到霧氣，確認基板的凹凸需要時間：C

<切削屑特性>

以如下方式評價了切削屑特性。

亦即，首先，在實施例1C~12C的黏著膠帶100上貼附玻璃環氧製仿真基板(密封材：G760L，Sumitomo Bakelite Co.,Ltd.製)(60mm×15mm×1.2mm厚)，以下述條件實施切割，進行切割線的觀察，藉由計數超出切割線之長度100μm以上的切削屑的數量，基於下述所示之評價基準評價了切削屑特性。將該評價結果示於表3。

[評價基準]

切削屑的數量為0~5條：A

切削屑的數量為6~10條：B

切削屑的數量為11條以上：C

[切割條件]

切割裝置：“DAD-3350”(商品名，DISCO Corporation製)

切割刀片：“P08-SDC220”(商品名，DISCO Corporation製)

刀片轉速：30000rpm

切割速度：100mm/sec

切口：從切割薄膜表面起100μm(對於切入層之切入量為80μm)

切割尺寸：10mm×10mm

刀片冷卻器：2L/min

如表3所示，實施例1C~12C的黏著膠帶100依據JIS K 7361-1中所規定之方法測定出之在D65標準光源下之總光線透射率設定於85%以上且98%以下的範圍內，藉此，顯示出能夠得到可見性特性優異之黏著膠帶100之結果。

[產業利用性]

依本發明，能夠提供一種半導體基板加工用黏著膠帶，其具備：基材；及黏著層，積層於該基材的一個面，該半導體基板加工用黏著膠帶的特徵為，前述基材具有：切入層，位於前述一個面側；及擴張層，積層於該切入層的另一個面，前述擴張層的黏合力在80℃為1kPa以上且200kPa以下。藉此，在切割步驟中，即使因與切割鋸之摩擦而被加熱，亦能夠確實地防止翹曲的發生，另外，能夠抑制或防止擴張層對切割機工作台之熔接。因此，能夠實現製造使用了半導體基板加工用黏著膠帶之半導體裝置時的作業性及生產量的提高。因此，本發明具有產業上的可利用性。

2:黏著層

4:基材

20:半導體裝置

21:凸塊

22:包覆部

23:配線

25:中介層

26:半導體元件

27:密封部

62:凹部

100:半導體基板加工用黏著膠帶(黏著膠帶)

221:開口部

290:半導體密封體

Claims

一種半導體基板加工用黏著膠帶，其具有：基材；及黏著層，積層於該基材的一個面，該半導體基板加工用黏著膠帶的特徵為，該基材具有：切入層，位於該一個面側；及擴張層，積層於該切入層的另一個面，該擴張層的黏合力在80℃為1kPa以上且60kPa以下。
如申請專利範圍第1項所述之半導體基板加工用黏著膠帶，其中該擴張層含有具有擴張性之樹脂材料。
如申請專利範圍第2項之半導體基板加工用黏著膠帶，其中該具有擴張性之樹脂材料為聚乙烯系樹脂。
如申請專利範圍第1項之半導體基板加工用黏著膠帶，其中該切入層含有熔融黏度較高且具有擴張性之樹脂材料。
如申請專利範圍第4項之半導體基板加工用黏著膠帶，其中該熔融黏度較高且具有擴張性之樹脂材料為離子聚合物樹脂。
如申請專利範圍第1項之半導體基板加工用黏著膠帶，其中該擴張層的厚度為7μm以上且95μm以下。
如申請專利範圍第1項之半導體基板加工用黏著膠帶，其中該切入層的厚度為10μm以上且140μm以下。
如申請專利範圍第1項之半導體基板加工用黏著膠帶，其中該黏著層的黏合力在25℃為50kPa以上且小於500kPa，且在80℃為20kPa以上且小於300kPa。
如申請專利範圍第1項之半導體基板加工用黏著膠帶，其中當將在80℃之該擴張層的黏合力設為A[kPa]、在80℃之該黏著層的黏合力設為B[kPa]時，A/B滿足0.003以上且15以下的關係。
如申請專利範圍第1項之半導體基板加工用黏著膠帶，其中該半導體基板加工用黏著膠帶用於將半導體基板經由該黏著層臨時固定於該基材，並在進行將該半導體基板沿厚度方向進行切斷而單片化之加工之後，對該黏著層賦予能量，藉此使單片化之該半導體基板從該黏著層脫離。
如申請專利範圍第1項之半導體基板加工用黏著膠帶，其中該黏著層含有具有黏著性之基礎樹脂。
如申請專利範圍第11項之半導體基板加工用黏著膠帶，其中該基礎樹脂為丙烯酸系樹脂。
如申請專利範圍第11項之半導體基板加工用黏著膠帶，其中該黏著層還含有藉由能量的賦予而硬化之硬化性樹脂。
如申請專利範圍第1項之半導體基板加工用黏著膠帶，其中該黏著層的厚度為1μm以上且30μm以下。
如申請專利範圍第1項之半導體基板加工用黏著膠帶，其中當對於該基材將切口沿厚度方向形成至厚度的60%時，依據JIS K 6734測定出之該基材的斷裂伸長度為50%以上且400%以下。