JP7131349B2 - 基板の研削方法 - Google Patents

Description

本発明は、仮固定用テープを用いた基板の研削方法に関するものである。

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの小型化・大容量高密度化が進んでいる。

これらの半導体装置の製造方法としては、複数の半導体素子が作り込まれた半導体用ウエハをダイシングすることにより、複数の半導体素子に切断分離（個片化）し、次いで、得られた半導体素子を、金属リードフレームあるいは基板に接合した後、さらに、モールド樹脂により封止することで、半導体装置が製造される。

ここで、半導体素子ひいては半導体装置およびＩＣパッケージの小型化を実現することを目的に、半導体用ウエハの半導体素子が作り込まれた表面と反対側の裏面を研削・研磨することで、得られる半導体素子の薄型化が行われている。

半導体用ウエハの裏面に研削・研磨の加工を行うには、半導体用ウエハを支持するための基材上に半導体用ウエハを、表面側で、一時的に仮固定する必要があり、そのための方法として、例えば、基材としてのＰＥＴフィルムに粘着層を設けた仮固定用テープ上に、半導体用ウエハを固定する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

しかしながら、特許文献１に記載の仮固定用テープ上に、半導体用ウエハを固定して、半導体用ウエハの裏面に研削・研磨の加工を行う、仮固定用テープを用いた研削方法では、半導体用ウエハの表面側に作り込まれた半導体集積回路が有するバンプ（電極パッド）が、半導体用ウエハの表面側に突起物として形成されている。これに起因して、この突起物に対応する位置と、対応しない位置とにおいて、研削・研磨の加工が施される半導体用ウエハの裏面側に凹凸が形成される、すなわち、ディンプルが発生するため、半導体用ウエハの研削精度が低下すると言う問題があった。

なお、このような問題は、バンプを突起物として表面（一方の面）に備える半導体用ウエハの裏面（他方の面）を研削・研磨する場合に限らず、突起物を表面に備える他の基板についても、その裏面を研削・研磨する場合についても同様に生じている。

ＷＯ２００９／２８０６８号公報

本発明の目的は、基板におけるディンプルの発生を抑制または防止しつつ、より優れた研削精度で基板を研削・研磨することができる仮固定用テープを用いた基板の研削方法を提供することにある。

このような目的は、下記（１）～（１０）に記載の本発明により達成される。
（１） 支持基材と、該支持基材の一方の面に積層された粘着層とを備え、前記支持基材が、基板を支持する第１の層と、該第１の層と前記粘着層との間に位置し、クッション性を有する第２の層とを備える積層体で構成される仮固定用テープを、突起物を少なくとも一方の面の表面に有する前記基板に、前記第２の層の主材料のｔａｎδがピークを示す温度よりも高い温度で、前記基板の一方の面と、前記仮固定用テープの前記粘着層とが対向するように、仮固定する仮固定工程と、
前記ｔａｎδがピークを示す温度よりも低い温度で、前記基板の他方の面を研削または研磨して前記基板の厚さを薄くする研削・研磨工程と、
前記粘着層にエネルギー線を照射して、前記粘着層の粘着力を低下させることで、前記基板を前記支持基材から離脱させる離脱工程とを有することを特徴とする基板の研削方法。

（２） 前記仮固定工程において、前記突起物の先端を前記粘着層内に位置させる上記（１）に記載の基板の研削方法。

（３） 前記仮固定工程において、前記基板に、前記仮固定用テープを仮固定する際の前記第２の層の温度は、４５℃以上６０℃以下であり、
前記研削・研磨工程において、前記基板を研削または研磨する際に、前記基板に研削水が供給され、前記研削水の温度は、５℃以上２５℃以下である上記（１）または（２）に記載の基板の研削方法。

（４） 前記第２の層の主材料のｔａｎδがピークを示す温度は、１５℃以上４５℃未満である上記（３）に記載の基板の研削方法。

（５） 前記第２の層は、スチレン系熱可塑性エラストマーおよびオレフィン系エラストマーのうちの少なくとも１種を主材料として含有する上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の基板の研削方法。

（６） 前記第２の層は、その４５℃における弾性率が１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であり、かつ、前記第２の層の２５℃における弾性率をＭ１［ＭＰａ］とし、前記第２の層の４５℃における弾性率をＭ２［ＭＰａ］としたとき、Ｍ１－Ｍ２が２ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の基板の研削方法。

（７） 前記粘着層の平均厚さをＴ１［μｍ］とし、前記突起物の高さをＨ［μｍ］としたとき、Ｔ１－Ｈは、１．０μｍ以上である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の基板の研削方法。

（８） 前記粘着層は、その４５℃における弾性率が１０^－２ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下である上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の基板の研削方法。

（９） 前記粘着層の４５℃における弾性率をＭ３［ＭＰａ］としたとき、Ｍ３＜Ｍ２なる関係を満足する上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の基板の研削方法。

（１０） 前記第２の層は、その２５℃における弾性率が６ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下である上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の基板の研削方法。

仮固定用テープを用いて、一方の面に突起物を備える基板の他方の面を研削・研磨する本発明の基板の研削方法によれば、基板の他方の面に対する研削・研磨を、基板の一方の面におけるディンプルの発生を抑制または防止しつつ、より優れた研削精度で実施することができる。

仮固定用テープを用いた本発明の基板の研削方法により製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の基板の研削方法を適用して製造する方法を説明するための縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の基板の研削方法を適用して製造する方法を説明するための縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の基板の研削方法を適用して製造する方法を説明するための縦断面図である。 本発明の基板の研削方法に用いられる仮固定用テープの実施形態を示す縦断面図である。

以下、仮固定用テープを用いた本発明の基板の研削方法について詳細に説明する。
まず、本発明の基板の研削方法を説明するのに先立って、仮固定用テープを用いた本発明の基板の研削方法により製造された半導体装置について説明する。

＜半導体装置＞
図１は、仮固定用テープを用いた本発明の基板の研削方法により製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

半導体装置１０は、図１に示すように、電極パッド２６（バンプ）を備える半導体素子２０と、半導体素子２０の上面側を封止する封止部２７（モールド部）と、半導体素子２０の下面を被覆し、かつ半導体素子２０が備える電極パッド２６を露出させるように設けられた、開口部２５１を備えるインターポーザー２５（基板）と、開口部２５１を埋め、かつインターポーザー２５の一部を覆うことで電極パッド２６に電気的に接続された配線２３と、配線２３に電気的に接続されたバンプ（端子）２１と、配線２３を被覆し、かつバンプ２１を露出させるように設けられた被覆部２２とを有している。

半導体素子２０（半導体チップ）は、電極パッド２６をその下面側に有しており、この電極パッド２６に対応してインターポーザー２５が備える開口部２５１が配置されるように、インターポーザー２５が半導体素子２０の下面に接して形成されている。

かかる位置に半導体素子２０に対してインターポーザー２５が配置された状態で、封止部２７は、半導体素子２０およびインターポーザー２５の上面側をほぼ全て覆うように形成される。

インターポーザー２５は、半導体素子２０の下面側に配置された基板であり、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされ、平面視において半導体素子２０を包含するように半導体素子２０に対して大きく形成され、これにより、インターポーザー２５を覆うように形成される配線２３、ひいては、この配線２３に電気的に接続して設けられるバンプ２１を形成する位置の選択性の幅が広がる。このインターポーザー２５には、半導体素子２０が備える電極パッド２６に対応して、その厚さ方向に貫通する複数（本実施形態では３つ）の開口部（スルーホール）２５１が形成されている。

また、インターポーザー２５の下面には、所定形状に形成された配線２３が開口部２５１を埋めるように設けられ、この配線２３が開口部２５１における上側の端部で、電極パッド２６と電気的に接続される。

さらに、配線２３の下面には、バンプ２１が電気的に接続されており、これにより、半導体素子２０とバンプ２１とが、電極パッド２６および配線２３を介して電気的に接続される。

そして、バンプ２１をその下側から露出させるための開口部２２１を備える被覆部２２が配線２３を被覆するように設けられている。

なお、上述した半導体装置１０が備える各部のうち、配線２３、被覆部２２およびバンプ２１により半導体素子２０に電気的に接続された配線層が構成される。

かかる構成の半導体装置１０は、仮固定用テープを用いた本発明の基板の研削方法を適用して、例えば、以下のようにして製造される。

＜半導体装置の製造方法＞
図２～図４は、図１に示す半導体装置１０を、本発明の基板の研削方法を適用して製造する方法を説明するための縦断面図、図５は、本発明の基板の研削方法に用いられる仮固定用テープの実施形態を示す縦断面図（図５（ａ）は、仮固定用テープを半導体用ウエハに貼付していない状態を示す縦断面図、図５（ｂ）は、仮固定用テープを半導体用ウエハの表面に貼付した状態を示す縦断面図）である。なお、以下の説明では、図２～図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

半導体装置１０の製造方法では、突起物として電極パッド２６を表面７１（一方の面）に備える半導体用ウエハ７（基板）の表面７１に、支持基材８２と、この支持基材８２の上面（一方の面）に積層された粘着層８１とを備える、仮固定用テープ２００を仮固定する仮固定工程［１Ａ］（図２（ａ）参照）と、半導体用ウエハ７の裏面７２（他方の面）を研削または研磨して半導体用ウエハ７の厚さを薄くする研削・研磨工程［２Ａ］（図２（ｂ）、（ｃ）参照）と、半導体用ウエハ加工用粘着テープ１００を、半導体用ウエハ７の裏面７２に積層（貼付）する積層工程［３Ａ］（図２（ｄ）参照）と、仮固定用テープ２００が備える粘着層８１にエネルギー線を照射して、粘着層８１の粘着力を低下させることで、半導体用ウエハ７から仮固定用テープ２００（支持基材８２）を離脱（剥離）させる離脱工程［４Ａ］（図２（ｅ）参照）と、半導体用ウエハ７を切断して個片化して、複数の半導体素子２０を半導体用ウエハ加工用粘着テープ１００上に形成する個片化工程［５Ａ］（図３（ａ）参照）と、半導体用ウエハ加工用粘着テープ１００が備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の半導体素子２０に対する粘着性を低下させる低下工程［６Ａ］と、半導体用ウエハ加工用粘着テープ１００から半導体素子２０をピックアップするピックアップ工程［７Ａ］（図３（ｂ）、（ｃ）参照）と、インターポーザー２５上に、ピックアップした半導体素子２０を配置する配置工程［８Ａ］（図４（ａ）参照）と、インターポーザー２５の上面に、インターポーザー２５と半導体素子２０とを覆うように封止部２７を形成する封止工程［９Ａ］（図４（ｂ）参照）と、インターポーザー２５の下面側に、電極パッド２６に電気的に接続する配線２３を形成する配線形成工程［１０Ａ］（図４（ｃ）参照）と、インターポーザー２５の下面側に、配線２３の一部を露出させる開口部２２１を備える被覆部２２を形成する被覆部形成工程［１１Ａ］（図４（ｄ）参照）と、開口部２２１から露出する配線２３に電気的に接続するバンプ２１を形成するバンプ形成工程［１２Ａ］（図４（ｅ）参照）とを有する。

このような工程［１Ａ］～［１２Ａ］を有する半導体装置の製造方法において、仮固定工程［１Ａ］と、研削・研磨工程［２Ａ］と、離脱工程［４Ａ］とにより、本発明の基板の研削方法が構成される。

以下、半導体装置の製造方法の各工程［１Ａ］～［１２Ａ］を説明するのに先立って、本発明の基板の研削方法を構成する工程［１Ａ］、［２Ａ］および［４Ａ］に用いられる仮固定用テープ２００について詳述する。

＜仮固定用テープ２００＞
仮固定用テープ２００（バックグラインドテープ）は、図５に示すように、支持基材８２と、この支持基材８２の上面（一方の面）に積層された粘着層８１とを備え、電極パッド２６（バンプ）を表面７１（一方の面）に有する半導体用ウエハ７を研削・研磨（加工）するために、この半導体用ウエハ７を、粘着層８１を介して支持基材８２に仮固定し、半導体用ウエハ７の加工後に粘着層８１にエネルギー線を照射することで半導体用ウエハ７を支持基材８２から離脱させるために用いられるものである。

＜支持基材８２＞
支持基材８２は、本発明では、半導体用ウエハ７を支持する第１の層８２１と、この第１の層８２１と粘着層８１との間に位置し、クッション性を有する第２の層８２２とを有する積層体で構成され、工程［２Ａ］において、半導体用ウエハ７の裏面７２を研削・研磨する際に、半導体用ウエハ７を、粘着層８１を介して支持する支持層（支持基板）としての機能を、主として第１の層８２１により発揮し、また、半導体用ウエハ７の表面７１側における、電極パッド２６（突起物）に対応する位置と、対応しない位置とにおいて、半導体用ウエハ７が研削される側の研削面（裏面７２）にディンプルが発生するのを的確に抑制または防止するクッション層としての機能を主として第２の層８２２により発揮する。

以下、これら第１の層８２１および第２の層８２２について詳述する。
＜＜第１の層８２１＞＞
第１の層８２１は、前述の通り、主として、支持基材８２上に設けられた粘着層８１、ひいては、粘着層８１上に貼付される半導体用ウエハ７を支持する支持層としての機能を有している。

この第１の層８２１は、第２の層８２２と比較して、その弾性率が高く設定され、例えば、熱可塑性樹脂を主材料として含有するものが好ましく用いられる。

熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）のようなポリエステル、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン、ポリアリレート、ポリカーボネートおよびポリアミド等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、第１の層８２１には、熱可塑性樹脂の他に、後述する第２の層８２２に記載される軟化剤、充填材、可塑剤、酸化防止剤、光安定剤、滑剤、中和剤、着色剤等の添加剤が添加されていてもよい。

なお、第１の層８２１は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。さらに、前記樹脂材料をドライブレンドしたブレンドフィルムで構成されるものであってもよい。

この第１の層８２１の２５℃（常温）における弾性率は、１０００ＭＰａ以上５０００ＭＰａ以下であることが好ましく、１５００ＭＰａ以上４３００ＭＰａ以下であることがより好ましい。これにより、工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の研削・研磨の際に、半導体用ウエハ７をより確実に支持することができる。

また、第１の層８２１の厚さは、特に限定されないが、例えば、１０μｍ以上１２０μｍ以下であるのが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下であるのがより好ましい。第１の層８２１の厚さがこの範囲内であると、工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の研削・研磨を、優れた作業性により実施することができる。また、工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の研削・研磨の際に、半導体用ウエハ７をより確実に支持することができる。

＜＜第２の層８２２＞＞
第２の層８２２は、前述の通り、半導体用ウエハ７が研削される際に、その研削面（裏面７２）にディンプルが発生するのを的確に抑制または防止するクッション層としての機能を有する。

この第２の層８２２は、その４５℃における弾性率が１ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下であり、かつ、第２の層８２２の２５℃における弾性率をＭ１［ＭＰａ］とし、第２の層８２２の４５℃における弾性率をＭ２［ＭＰａ］としたとき、Ｍ１－Ｍ２が２ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下となっていることが好ましい。

このように、第２の層８２２の４５℃における弾性率Ｍ１を１ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下に設定することで、半導体集積回路が有する電極パッド２６（バンプ）に由来する突起物を表面７１に備える半導体用ウエハ７を、工程［１Ａ］において、図５（ｂ）に示すように、表面７１（一方の面）側で粘着層８１に接合したとき、粘着層８１を電極パッド２６に対して押し込む押し込み層としての機能を第２の層８２２に確実に発揮させることができ、電極パッド２６の先端を、粘着層８１内に位置させることができる。すなわち、粘着層８１の上面が、半導体用ウエハ７の表面７１に突起物（電極パッド２６）が位置することにより形成された凹凸に対して追従し、かつ、粘着層８１の下面が第２の層８２２の形状に対応して平坦面で構成された状態とすることができる。

さらに、第２の層８２２の２５℃における弾性率Ｍ１［ＭＰａ］、第２の層８２２の４５℃における弾性率Ｍ２［ＭＰａ］の関係式である、Ｍ１－Ｍ２を、２ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下に設定することで、粘着層８１の下側に位置する第２の層８２２に、クッション性を有するクッション層としての機能を確実に発揮させることができる。

したがって、仮固定用テープ２００を、上記の通り、Ｍ１が１ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下であり、かつ、Ｍ１－Ｍ２が２ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下である関係を満足するものとすることにより、工程［２Ａ］において、半導体用ウエハ７を研削・研磨して、その厚さを薄くする際に、半導体用ウエハ７の表面７１側に電極パッド２６（バンプ）に由来する突起物が形成されていることに起因して、この電極パッド２６（突起物）に対応する位置と、対応しない位置とにおいて、半導体用ウエハ７の裏面に対する押圧力に差が生じるのを的確に抑制または防止することができる。その結果、半導体用ウエハ７が研削される側の研削面（裏面７２）にディンプルが発生するのが的確に抑制または防止される。さらに、工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の裏面７２の研削・研磨では、裏面７２に研削水を供給しつつ、この研削・研磨が実施されるが、電極パッド２６の先端が粘着層８１内に位置していることで、研削水が電極パッド２６（突起物）に対して浸入するのをより的確に抑制または防止することができる。

このような第２の層８２２は、例えば、熱可塑性エラストマーを主材料として含有するものが好ましく用いられる。

熱可塑性エラストマーとしては、例えば、スチレン系熱可塑性エラストマー、ポリプロピレン系熱可塑性エラストマーのようなオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリウレタン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、中でも、スチレン系熱可塑性エラストマーまたはオレフィン系熱可塑性エラストマーであることが好ましい。これにより、第２の層８２２の４５℃における弾性率Ｍ１を、１ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下の範囲内、さらには、第２の層８２２の２５℃（室温）における弾性率Ｍ１と、第２の層８２２の４５℃における弾性率Ｍ２との関係を示すＭ１－Ｍ２を、２ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下の範囲内に、比較的容易に設定することができる。

また、第２の層８２２には、熱可塑性エラストマーの他に、鉱油、プロセスオイルのような軟化剤、炭酸カルシウム、シリカ、タルク、マイカ、クレーのような充填材、石油樹脂、炭化水素樹脂、テルペン樹脂、ロジンエステル、フェノール樹脂のようなタッキファイヤ、フタル酸エステルや非晶性ポリプロピレンのような可塑剤等の添加剤が添加されていてもよい。

なお、スチレン系熱可塑性エラストマー（ＴＰＳ）としては、例えば、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）の部分水添物、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）の完全水添物、スチレン－イソブチレン－スチレンブロック共重合体（ＳＩＢＳ）、スチレン－エチレン－ブチレン－スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン－イソプレン－スチレン（ＳＩＳ）、スチレン－エチレン－プロピレン－ブチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）等が挙げられ、これらの中でも、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）の部分水添物、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）の完全水添物、スチレン－イソブチレン－スチレンブロック共重合体（ＳＩＢＳ）のうちの少なくとも１種であることが好ましい。これにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。

また、これらの熱可塑性エラストマーは、光（可視光線、近赤外線、紫外線）、Ｘ線、電子線等のエネルギー線を透過し得る材料であることから、工程［４Ａ］において、エネルギー線を第２の層８２２側から第２の層８２２を透過させて粘着層８１に照射させることができる。

さらに、第２の層８２２は、酸化防止剤、光安定剤、滑剤、分散剤、中和剤、着色剤等を含有するものであってもよい。

また、第２の層８２２は、その表面に、粘着層８１に含まれる構成材料と反応性を有する、ヒドロキシル基、アミノ基のような官能基が露出していることが好ましい。この場合、例えば、第２の層８２２表面にコロナ処理を行うことによって、官能基を露出させることができる。

また、第２の層８２２は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。さらに、前記樹脂材料をドライブレンドしたブレンドフィルムで構成されるものであってもよい。

また、前述の通り、この第２の層８２２の４５℃における弾性率は、１ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下であることが好ましいが、５ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であることがより好ましく、１０ＭＰａ以上３０ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。これにより、工程［１Ａ］において、半導体用ウエハ７を仮固定用テープ２００に仮固定する際に、粘着層８１の上面の形状を、半導体用ウエハ７の表面７１から突出する電極パッド２６（突起物）の形状により確実に追従させることができるため、電極パッド２６の先端を粘着層８１内により確実に位置させた状態とすることができる。

さらに、第２の層は、その２５℃（室温）における弾性率をＭ１［ＭＰａ］とし、４５℃における弾性率をＭ２［ＭＰａ］としたとき、Ｍ１－Ｍ２が２ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下であることが好ましいが、１０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下であることがより好ましく、３０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。これにより、工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の研削・研磨の際に、第２の層８２２にクッション層としての機能をより確実に発揮させて、半導体用ウエハ７の研削面（裏面７２）にディンプルが発生するのをより的確に抑制または防止することができる。そのため、半導体用ウエハ７の研削・研磨を、より優れた研削精度で実施することができる。

また、第２の層８２２の２５℃（室温）における弾性率Ｍ１は、具体的には、６ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下であることが好ましく、２０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下であることがより好ましい。これにより、２５℃（室温）における弾性率Ｍ１［ＭＰａ］と、４５℃における弾性率Ｍ２［ＭＰａ］との関係式であるＭ１－Ｍ２を前記範囲内に比較的容易に設定することができる。そのため、工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の研削・研磨の際に、第２の層８２２にクッション層としての機能をより確実に発揮させて、半導体用ウエハ７の研削面（裏面７２）にディンプルが発生するのをより的確に抑制または防止することができる。そのため、半導体用ウエハ７の研削・研磨を、より優れた研削精度で実施することができる。

さらに、第２の層８２２に含まれる構成材料のうち主材料として含まれるもののｔａｎδがピークを示す温度は、１５℃以上４５℃未満であることが好ましく、２０℃以上３５℃以下であることがより好ましい。これにより、２５℃（室温）における弾性率Ｍ１［ＭＰａ］の大きさ、および、４５℃における弾性率Ｍ２［ＭＰａ］の大きさを、それぞれ、前記範囲内のものとし、その結果として、２５℃（室温）における弾性率Ｍ１［ＭＰａ］と、４５℃における弾性率Ｍ２［ＭＰａ］との関係を示すＭ１－Ｍ２を、前記範囲内のものとすることができる。なお、本明細書において、第２の層８２２における主材料とは、第２の層８２２に含まれる構成材料のうち、最も含有率の高いもののことを言うこととする。

第２の層８２２の厚さは、特に限定されないが、例えば、３０μｍ以上３００μｍ以下であるのが好ましく、５０μｍ以上２００μｍ以下であるのがより好ましく、１００μｍ以上１５０μｍ以下であるのがさらに好ましい。第２の層８２２の厚さがこの範囲内であることで、工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の研削・研磨の際に、第２の層８２２にクッション層としての機能をより確実に発揮させて、半導体用ウエハ７の研削面（裏面７２）にディンプルが発生するのをより的確に抑制または防止することができる。そのため、半導体用ウエハ７の研削・研磨を、より優れた研削精度で実施することができる。

なお、第２の層８２２の粘着力は、粘着層８１の粘着力をＦ１［Ｎ／ｍ］とし、第２の層８２２の粘着力をＦ２［Ｎ／ｍ］としたとき、Ｆ１＞Ｆ２なる関係を満足すること、すなわち、粘着層８１の粘着力Ｆ１よりも第２の層８２２の粘着力Ｆ２の方が小さくなっていることが好ましい。ここで、前述の通り、工程［１Ａ］において、電極パッド２６（突起物）の先端が粘着層８１内に位置することとなり、電極パッド２６が第２の層８２２に接触することはない。そのため、第２の層８２２は、粘着層８１よりも高い粘着力を有していてもよいが、粘着層８１よりも粘着力が低いことが好ましい。これにより、クッション層として機能する第２の層８２２に用いる材料の選択の幅が広がり、その結果、第２の層８２２を比較的安価に形成することができる。

＜粘着層８１＞
粘着層８１は、工程［２Ａ］において、半導体用ウエハ７の裏面７２を研削・研磨する際に、半導体用ウエハ７の表面７１に貼付して、半導体用ウエハ７をこのものを介して支持基材８２により支持する機能を有し、本発明では、半導体用ウエハ７の表面７１に仮固定用テープ２００を貼付させ（接合し）たとき、半導体集積回路が有する電極パッド２６（バンプ）に由来する突起物の先端が粘着層８１内に位置することとなる。その結果、半導体用ウエハ７が研削される側の研削面（裏面７２）にディンプルが発生するのが的確に抑制または防止されるため、半導体用ウエハ７の研削・研磨を、より優れた研削精度で実施することができる。また、工程［４Ａ］において、粘着層８１は、この粘着層８１に対するエネルギー線の照射により半導体用ウエハ７への粘着性が低下し、これにより、粘着層８１と半導体用ウエハ７との間で容易に剥離を生じさせ得る状態となるものである。

このような粘着層８１は、例えば、（１）アクリル系共重合体と、（２）エネルギー線の照射により重合するエネルギー線重合性化合物と、（３）エネルギー線重合開始剤と、（４）架橋剤とを主材料として含有する樹脂組成物で構成される。

以下、樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、詳述する。
（１）アクリル系共重合体
アクリル系共重合体（アクリル系樹脂）は、粘着性を有し、粘着層８１へのエネルギー線の照射前に、半導体用ウエハ７に対する粘着性を粘着層８１に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。また、樹脂組成物に、アクリル系共重合体が含まれることで、粘着層８１の耐熱性の向上を図ることができる。

このアクリル系共重合体は、（メタ）アクリル酸エステルをモノマー主成分とするポリマー（ホモポリマーまたはコポリマー）をベースポリマーとする共重合体のことを言う。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシルのような（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸フェニルのような（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、特に、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できる。

なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルとの双方を含む意味で用いることとする。

また、アクリル系共重合体は、ポリマーを構成するモノマー成分として、（メタ）アクリル酸エステルの他に、共重合性モノマーを含むものを用いることもできる。

このような共重合性モノマーとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシルのようなヒドロキシル基含有モノマー（水酸基含有（メタ）アクリレート）、（メタ）アクリル酸グリシジルのようなエポキシ基含有モノマー、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸のようなカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基含有モノマー、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブトキシメチル（メタ）アクリルアミドのようなアミド基含有モノマー（アミド基含有（メタ）アクリレート）、（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチルアミノエチルのようなアミノ基含有モノマー、（メタ）アクリロニトリルのようなシアノ基含有モノマー、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルのようなアルコキシ基含有モノマー、Ｎ－ビニル－２－ピロリドン、Ｎ－メチルビニルピロリドン、Ｎ－ビニルピリジン、Ｎ－ビニルピペリドン、Ｎ－ビニルピリミジン、Ｎ－ビニルピペラジン、Ｎ－ビニルピラジン、Ｎ－ビニルピロール、Ｎ－ビニルイミダゾール、Ｎ－ビニルオキサゾール、Ｎ－ビニルモルホリン、Ｎ－ビニルカプロラクタム、Ｎ－（メタ）アクリロイルモルホリン等の窒素原子含有環を有するモノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、共重合性モノマーとしては、カルボキシル基含有モノマー、アミド基含有モノマーのうちの少なくとも１種を含むのが好ましい。これにより、これらのモノマーに由来する共重合体をアクリル系共重合体として含有する粘着層８１を、半導体用ウエハ７の表面７１に形成されている、半導体集積回路が有する電極パッド２６（バンプ）に由来する突起物に対して、より優れた追従性をもって、充填させることができる。

これら共重合性モノマーの含有量は、アクリル系共重合体を構成する全モノマー成分に対して、４０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以下であることがより好ましい。

また、共重合性モノマーは、アクリル系共重合体を構成するポリマーにおける主鎖の末端に含まれるものであってもよいし、その主鎖中に含まれるもの、さらには、主鎖の末端と主鎖中との双方に含まれるものであってもよい。

さらに、共重合性モノマーには、ポリマー同士の架橋等を目的として、多官能性モノマーが含まれていてもよい。

多官能性モノマーとしては、例えば、１，６－ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

なお、このようなアクリル系共重合体（ポリマー）は、単一のモノマー成分または２種以上のモノマー成分の混合物を重合させることにより生成させることができる。また、これらモノマー成分の重合は、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法、懸濁重合方法等の重合方法を用いて実施することができる。

以上、説明したモノマー成分を重合することにより得られるアクリル系共重合体としては、炭素－炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているアクリル系共重合体（「二重結合導入型アクリル系共重合体」と言うこともある。）であることが好ましい。アクリル系共重合体が二重結合導入型アクリル系共重合体である場合には、後述するエネルギー線重合性化合物（硬化性樹脂）の添加を省略したとしても、得られる粘着層８１に、上述した粘着層８１としての機能を発揮させることができる。

また、アクリル系共重合体の重量平均分子量としては、好ましくは３０万以上５００万以下に設定され、より好ましくは４０万以上３００万以下に設定され、さらに好ましくは５０万以上１５０万以下に設定される。アクリル系共重合体の重量平均分子量を前記範囲内に設定することにより、工程［４Ａ］において、半導体用ウエハ７から仮固定用テープ２００を剥離する際に、半導体用ウエハ７の表面７１に形成されている電極パッド２６（突起物）に対して粘着層８１の一部が残存するのを的確に抑制または防止することができる。

なお、アクリル系共重合体は、ヒドロキシル基やカルボキシル基（特に、ヒドロキシル基）のような、架橋剤やエネルギー線重合開始剤（光重合開始剤）に対して反応性を有する官能基（反応性官能基）を有していることが好ましい。これにより、架橋剤やエネルギー線重合開始剤がポリマー成分であるアクリル樹脂に連結するため、粘着層８１からこれら架橋剤やエネルギー線重合開始剤が漏出することを的確に抑制または防止することができる。その結果、工程［４Ａ］におけるエネルギー線照射時により、粘着層８１の半導体用ウエハ７の表面７１に対する粘着性が確実に低下する。

また、アクリル系共重合体は、粘着層８１（樹脂組成物）において、３０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下で配合されることが好ましく、３５ｗｔ％以上６５ｗｔ％以下で配合されることがより好ましく、４９．５ｗｔ％で配合されることがさらに好ましい。

上記のようにアクリル系共重合体の配合量を調整することにより、工程［４Ａ］における、仮固定用テープ２００の半導体用ウエハ７からの剥離を、半導体用ウエハ７の表面７１に突起物として形成されている電極パッド２６に、粘着層８１が残存することなく、優れた精度で実施することができるようになる。また、工程［１Ａ］において、半導体用ウエハ７に仮固定用テープ２００を貼付した際に、電極パッド２６（突起物）に対して粘着層８１を高い追従率で追従させることができる。そのため、工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の裏面７２の研削・研磨時の際に、研削水が電極パッド２６（突起物）に対して浸入するのをより的確に抑制または防止することができるとともに、半導体用ウエハ７が研削される側の研削面（裏面７２）にディンプルを発生させることなく、半導体用ウエハ７の薄型化を実現することができることから、半導体用ウエハ７の研削・研磨を、より優れた研削精度で実施することができる。

（２）エネルギー線重合性化合物
エネルギー線重合性化合物は、エネルギー線の照射により重合し、その結果、硬化する硬化性を備えるものである。この重合に起因する硬化によってアクリル系共重合体がエネルギー線重合性化合物の架橋構造に取り込まれ、その結果、粘着層８１の粘着力が低下する。

このようなエネルギー線重合性化合物としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素－炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。

具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレートのような（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物、エステルアクリレートオリゴマー、２－プロペニル－ジ－３－ブテニルシアヌレート等の炭素－炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物、トリス（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２－メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、２－ヒドロキシエチルビス（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ビス（２－アクリロキシエチル）２－［（５－アクリロキシヘキシル）－オキシ］エチルイソシアヌレート、トリス（１，３－ジアクリロキシ－２－プロピル－オキシカルボニルアミノ－ｎ－ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（１－アクリロキシエチル－３－メタクリロキシ－２－プロピル－オキシカルボニルアミノ－ｎ－ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（４－アクリロキシ－ｎ－ブチル）イソシアヌレートのような炭素－炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物、市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、官能基数が６官能基以上であるオリゴマーが含まれることが好ましく、官能基数が１５官能基以上であるオリゴマーが含まれることがより好ましい。これにより、エネルギー線の照射によりエネルギー線重合性化合物をより確実に硬化させることができる。また、このようなエネルギー線重合性化合物は、ウレタンアクリレートオリゴマーであることが好ましい。これにより、粘着層８１に、適度な柔軟性を付与することができる。そのため、工程［４Ａ］において、仮固定用テープ２００を半導体用ウエハ７から剥離する際に、粘着層８１の層内において亀裂が生じ、この亀裂が形成されている位置に対応して粘着層８１が剥離するのが抑制または防止されることから、電極パッド２６（突起物）において、粘着層８１が残存するのを的確に抑制または防止することができる。

なお、このウレタンアクリレートとしては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル型またはポリエーテル型等のポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４－トリレンジイソシアナート、２，６－トリレンジイソシアナート、１，３－キシリレンジイソシアナート、１，４－キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４－ジイソシアナート等）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレート（例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート等）を反応させて得られたものが挙げられる。

エネルギー線重合性化合物は、その重量平均分子量が１００以上１００００以下程度であることが好ましく、２００以上５０００以下程度であることがより好ましい。さらに、エネルギー線重合性化合物の官能基数は、１官能基以上１０官能基以下程度であることが好ましく、２官能基以上６官能基以下程度であることがより好ましい。かかる関係を満足することにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。

また、エネルギー線重合性化合物は、粘着層８１（樹脂組成物）において、３０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下で配合されることが好ましく、３５ｗｔ％以上５５ｗｔ％以下で配合されることがより好ましく、４２．４ｗｔ％で配合されることがさらに好ましい。

上記のようにエネルギー線重合性化合物の配合量を調整することにより、工程［４Ａ］における、仮固定用テープ２００の半導体用ウエハ７からの剥離を、電極パッド２６（突起物）に、粘着層８１が残存することなく、優れた精度で実施することができるようになる。また、工程［１Ａ］において、半導体用ウエハ７に仮固定用テープ２００を貼付した際に、電極パッド２６（突起物）に対して粘着層８１を高い追従率で追従させることができる。そのため、工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の裏面７２の研削・研磨時の際に、研削水が凹部に対して浸入するのをより的確に抑制または防止することができるとともに、半導体用ウエハ７が研削される側の研削面（裏面７２）にディンプルを発生させることなく、半導体用ウエハ７の薄型化を実現することができる。そのため、半導体用ウエハ７の研削・研磨を、より優れた研削精度で実施することができる。

なお、このエネルギー線重合性化合物は、前述したアクリル系樹脂として、二重結合導入型アクリル系樹脂を用いた場合、すなわち、炭素－炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているものを用いた場合には、その樹脂組成物中への添加を省略することができる。これは、アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、エネルギー線の照射により、二重結合導入型アクリル系樹脂が備える炭素－炭素二重結合の機能によって、粘着層８１が硬化し、これにより、粘着層８１の粘着力が低下することによる。

（３）エネルギー線重合開始剤
また、粘着層８１は、エネルギー線の照射により半導体用ウエハ７に対する粘着性が低下するものであるが、エネルギー線として紫外線等を用いる場合には、樹脂組成物には、エネルギー線重合性化合物の重合開始を容易とするためにエネルギー線重合開始剤（光重合開始剤）を含有することが好ましい。

エネルギー線重合開始剤としては、例えば、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）－フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン、２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル（２－ヒドロキシ－２－プロピル）ケトン、α－ヒドロキシ－α，α´－ジメチルアセトフェノン、２－メチル－２－ヒドロキシプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）－フェニル］－２－モルホリノプロパン－１、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、２－ヒドロキシメチルフェニルプロパン、２－ナフタレンスルホニルクロリド、１－フェノン－１，１－プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４，４'－ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’－ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’－ジクロロベンゾフェノン、３，３’－ジメチル－４－メトキシベンゾフェノン、ｏ－アクリルオキシベンゾフェノン、ｐ－アクリルオキシベンゾフェノン、ｏ－メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ－メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ－（メタ）アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、１，４－ブタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，２－エタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，８－オクタンジオールモノ（メタ）アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン－４－カルボン酸エステル、チオキサンソン、２－クロロチオキサンソン、２－メチルチオキサンソン、２，４－ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４－ジクロロチオキサンソン、２，４－ジエチルチオキサンソン、２，４－ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β－クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、２－エチルアントラキノン、ｔ－ブチルアントラキノン、２，４，５－トリアリ－ルイミダゾール二量体、等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、これらの中でも、ベンゾフェノン誘導体およびアルキルフェノン誘導体であることが好ましい。これらの化合物は分子中に反応性官能基として水酸基を生成するものを備えるものであり、この反応性官能基を介して、アクリル系共重合体やエネルギー線重合性化合物に連結することができ、エネルギー線重合開始剤としての機能をより確実に発揮させることができる。

また、エネルギー線重合開始剤は、粘着層８１（樹脂組成物）において、１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下で配合されることが好ましく、１．５ｗｔ％以上４．５ｗｔ％以下で配合されることがより好ましく、２．８ｗｔ％で配合されることがさらに好ましい。

上記のようにエネルギー線重合開始剤の配合量を調整することにより、工程［４Ａ］における、仮固定用テープ２００の半導体用ウエハ７からの剥離を、半導体用ウエハ７の表面７１に形成されている電極パッド２６（突起物）に、粘着層８１が残存することなく、優れた精度で実施することができるようになる。また、工程［１Ａ］において、半導体用ウエハ７に仮固定用テープ２００を貼付した際に、電極パッド２６（突起物）に対して粘着層８１を高い追従率で追従させることができる。そのため、工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の裏面７２の研削・研磨時の際に、研削水が電極パッド２６（突起物）に対して浸入するのをより的確に抑制または防止することができるとともに、半導体用ウエハ７が研削される側の研削面（裏面７２）にディンプルを発生させることなく、半導体用ウエハ７の薄型化を実現することができる。そのため、半導体用ウエハ７の研削・研磨を、より優れた研削精度で実施することができる。

（４）架橋剤
架橋剤は、樹脂組成物に含まれることで、硬化性の向上を図るためのものである。

架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤、酸無水物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。

イソシアネート系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類等で封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。

また、多価イソシアネートとして、例えば、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、４，４’－ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’－〔２，２－ビス（４－フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート、２，２，４－トリメチル－ヘキサメチレンジイソシアネート、２，４－トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの縮合化合物、２，６－トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの縮合化合物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも２，４－トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，４－トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの縮合化合物、および、２，６－トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンの縮合化合物から成る群より選択される少なくとも１種の多価イソシアネートが好ましい。

また、架橋剤は、粘着層８１（樹脂組成物）において、０．５ｗｔ％以上６．５ｗｔ％以下で配合されることが好ましく、１．０ｗｔ％以上５．５ｗｔ％以下で配合されることがより好ましく、５．３ｗｔ％で配合されることがさらに好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することにより、工程［４Ａ］における、仮固定用テープ２００の半導体用ウエハ７からの剥離を、半導体用ウエハ７の表面７１に形成されている電極パッド２６（突起物）に、粘着層８１が残存することなく、優れた精度で実施することができるようになる。また、工程［１Ａ］において、半導体用ウエハ７に仮固定用テープ２００を貼付した際に、電極パッド２６（突起物）に対して粘着層８１を高い追従率で追従させることができる。そのため、工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の裏面７２の研削・研磨時の際に、研削水が電極パッド２６（突起物）に対して浸入するのをより的確に抑制または防止することができるとともに、半導体用ウエハ７が研削される側の研削面（裏面７２）にディンプルを発生させることなく、半導体用ウエハ７の薄型化を実現することができる。そのため、半導体用ウエハ７の研削・研磨を、より優れた研削精度で実施することができる。

（５）その他の成分
さらに、粘着層８１を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）～（４）の他に他の成分として、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。

なお、これらのうち粘着付与剤としては、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

この粘着層８１の４５℃における弾性率は、１０^－２ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であることが好ましく、１０^－２ＭＰａ以上１．８×１０^－１ＭＰａ以下であることがより好ましい。これにより、工程［１Ａ］において、半導体用ウエハ７を仮固定用テープ２００に仮固定する際に、粘着層８１の上面の形状を、半導体用ウエハ７の表面７１から突出する電極パッド２６（突起物）の形状により確実に追従させることができるため、電極パッド２６の先端を粘着層８１内により確実に位置させた状態とすることができる。

また、粘着層８１の４５℃における弾性率をＭ３［ＭＰａ］としたとき、Ｍ３＜Ｍ２なる関係を満足することが好ましく、２Ｍ３＜Ｍ２なる関係を満足することがより好ましい。これにより、工程［１Ａ］において、半導体用ウエハ７を仮固定用テープ２００に仮固定する際に、粘着層８１を電極パッド２６に対して追従性に優れたものとすることができるとともに、粘着層８１を電極パッド２６に対して押し込む押し込み層としての機能を第２の層８２２に確実に発揮させることができるため、粘着層８１の上面の形状を、半導体用ウエハ７の表面７１から突出する電極パッド２６（突起物）の形状により確実に追従させることができる

また、粘着層８１の厚さＴ１は、特に限定されないが、半導体用ウエハ７の表面７１に形成されている電極パッド２６（突起物）の高さをＨとしたとき、Ｔ１－Ｈは、１．０μｍ以上であることが好ましく、４．０μｍ以上１０．０μｍ以下であることがより好ましく、７．０μｍ以上１０．０μｍ以下であることがさらに好ましい。これにより、半導体用ウエハ７の表面７１に形成されている電極パッド２６（突起物）に対して、高い追従率で粘着層８１を追従させることができ、その結果、電極パッド２６の先端を、粘着層８１内により確実に配置させることができる。これにより、半導体用ウエハ７の裏面７２にディンプルが発生するのをより的確に抑制または防止して、裏面７２を、その全体に亘ってより均一に研削・研磨することができる。そのため、半導体用ウエハ７の研削・研磨を、より優れた研削精度で実施することができる。

具体的には、粘着層８１の厚さは、例えば、５μｍ以上１００μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以上６０μｍ以下であるのがより好ましく、１５μｍ以上４０μｍ以下であるのがさらに好ましい。粘着層８１の厚さをかかる範囲内とすることで、半導体用ウエハ７の表面７１に形成されている電極パッド２６（突起物）に対して、高い追従率で粘着層８１を追従させることができ、その結果、電極パッド２６の先端を、粘着層８１内により確実に配置させることができる。さらに、粘着層８１は、粘着層８１へのエネルギー付与前には、良好な粘着力を発揮するとともに、粘着層８１へのエネルギー付与後には、粘着層８１と半導体用ウエハ７との間において、良好な剥離性を発揮する。

また、かかる構成の粘着層８１は、高さ１５μｍ、幅１．０ｍｍ、ピッチ（間隔）１．０ｍｍの突起物としての凸条に対する追従率が７０％以上となっていることが好ましく、９０％以上となっていることがより好ましい。かかる関係を満足していれば、各種半導体素子２０を備える半導体用ウエハ７に形成された、サイズの異なる電極パッド２６に由来する突起物に対しても、追従性よく粘着層８１を追従させることができ、電極パッド２６（突起物）の先端を粘着層８１内に位置させているものであると言うことができる。そのため、仮固定時には、半導体用ウエハ７が備える突起物に対して、水が浸入してしまうのを的確に抑制または防止することができるとともに、半導体用ウエハ７の裏面７２にディンプルが発生するのを的確に抑制または防止して、裏面７２を、その全体に亘ってより均一に研削・研磨することができる。そのため、半導体用ウエハ７の研削・研磨を、より優れた研削精度で実施することができる。

なお、粘着層８１の追従率は、本発明では、高さ１５μｍ、幅１．０ｍｍ、ピッチ（間隔）１．０ｍｍの凸条（突起物）を表面７１に複数備える半導体用ウエハ７を用意し、この半導体用ウエハ７の表面７１に、仮固定用テープ２００を貼付した際の仮固定用テープ２００に形成された凹部の深さを、凸条高さで除することにより算出される。

さらに、この粘着層８１は、エネルギー線（紫外線）の照射前における粘着層８１の粘着力をＮ１［Ｎ／ｃｍ］とし、前記エネルギー線の照射後における粘着層８１の粘着力をＮ２［Ｎ／ｃｍ］としたとき、Ｎ２／Ｎ１が０．００３以上０．０６以下であることが好ましく、０．００５以上０．０４以下であることがより好ましい。かかる関係を満足することにより、工程［２Ａ］において、半導体用ウエハ７を研削・研磨して、その厚さを薄くする際に、半導体用ウエハ７の表面７１に対して、仮固定用テープ２００をより確実に固定することができ、かつ、工程［４Ａ］における、仮固定用テープ２００の半導体用ウエハ７からの剥離を、半導体用ウエハ７の表面７１に形成されている電極パッド２６（突起物）に、粘着層８１が残存することなく、より優れた精度で実施することができる。

なお、粘着層８１は、異なる前記樹脂組成物で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。

さらに、仮固定用テープ２００は、半導体用ウエハ７への貼付より前には、粘着層８１に対して、セパレーターが積層されていることが好ましい。これにより、仮固定用テープ２００の保管・輸送時等において、粘着層８１に埃等が不本意に付着するのを確実に防止することができる。

また、セパレーターとしては、特に限定されないが、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等が挙げられる。

さらに、セパレーターは、仮固定用テープ２００の使用時に剥がされるために、表面が離型処理されたものを使用してもよい。離型処理としては離型剤をセパレーター表面にコーティングする処理や、セパレーター表面に細かい凹凸をつける処理等が挙げられる。なお、離型剤としては、シリコーン系、アルキッド系、フッ素系等のものが挙げられる。

以上のような構成をなす仮固定用テープ２００が、本発明の基板の研削方法を構成する工程［１Ａ］、［２Ａ］および［４Ａ］に適用されるが、以下、これらの工程［１Ａ］、［２Ａ］および［４Ａ］を含む、半導体装置の製造方法の各工程［１Ａ］～［１２Ａ］について、それぞれ説明する。

［１Ａ］まず、複数の半導体素子２０が作り込まれた半導体用ウエハ７、および、支持基材８２と、支持基材８２の上面（一方の面）に積層された粘着層８１とを有する仮固定用テープ２００を用意し、半導体用ウエハ７の表面（保護面）７１に、仮固定用テープ２００の粘着層８１を表面７１側にして表面７１と粘着層８１とが対向した状態で、仮固定用テープ２００を押圧することで、積層（貼付）する（図２（ａ）参照）。
すなわち、半導体用ウエハ７を仮固定用テープ２００に仮固定する（仮固定工程）。

また、複数の半導体素子２０は、半導体用ウエハ７の表面７１側に作り込まれ、半導体素子２０が備える電極パッド２６（図２、図３中には示さず）が表面７１側に複数位置しており、半導体用ウエハ７は、この電極パッド２６で構成される突起物に起因する凹凸を、表面７１（一方の面）に複数備えている。

この半導体用ウエハ７の仮固定用テープ２００に対する仮固定を、本発明では、第２の層８２２の主材料のｔａｎδがピークを示す温度よりも高い温度で実施する。これにより、第２の層８２２の弾性率を低く設定することができ、本工程［１Ａ］において、図５（ｂ）に示すように、半導体用ウエハ７を表面７１（一方の面）側で粘着層８１に接合したとき、粘着層８１を電極パッド２６に対して押し込む押し込み層としての機能を第２の層８２２に確実に発揮させることができる。そのため、電極パッド２６の先端を、粘着層８１内に位置させることができる。すなわち、粘着層８１の上面が、半導体用ウエハ７の表面７１の突起物の形状に追従し、かつ、粘着層８１の下面が第２の層８２２の形状に対応して平坦面で構成された状態とすることができる。

ここで、第２の層８２２に含まれる構成材料のうち主材料としては、前述の通り、ｔａｎδのピークを示す温度が１５℃以上４５℃未満であるものが好ましく用いられる。そのため、このようなｔａｎδを示すものを、第２の層８２２に含まれる構成材料の主材料として選択した場合には、半導体用ウエハ７の仮固定用テープ２００に対する仮固定が、好ましくは４５℃以上６０℃以下の温度、より好ましくは４５℃以上５０℃以下の温度に第２の層８２２を設定して実施される。

このとき、本発明では、第２の層８２２の４５℃における弾性率が、好ましくは１ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下に設定されている。そのため、粘着層８１を電極パッド２６に対して押し込む押し込み層としての機能を、第２の層８２２により確実に発揮させることができることから、本工程［１Ａ］において、電極パッド２６の先端を、粘着層８１内により確実に位置させることができる。

なお、本工程［１Ａ］では、半導体用ウエハ７への仮固定用テープ２００の仮固定に先立って、仮固定用テープ２００を少なくとも一方向に伸ばす伸長力を仮固定用テープ２００に付与しつつ、その後、半導体用ウエハ７に仮固定用テープ２００を、ローラー等を用いて押圧することで、半導体用ウエハ７に仮固定用テープ２００が仮固定される。

この場合、仮固定用テープ２００に伸長力を付与する方向は、仮固定用テープ２００が半導体用ウエハ７の形状に対応して円盤状をなす場合、仮固定用テープ２００の中心から放射線状をなす方向であってもよいし、仮固定用テープ２００の中心を通る一方向であってもよい。さらに、仮固定用テープ２００の平面視形状が長方形のシート状をなす場合、長手方向および短手方向のうちの何れか一方または双方であってもよい。

［２Ａ］次に、半導体用ウエハ７の表面７１とは反対側の裏面７２（他方の面）を、表面７１（一方の面）側に仮固定用テープ２００を貼付した状態で、研削または研磨（バックグラインド）することで、半導体用ウエハ７の厚さを薄くする（図２（ｃ）参照；研削工程）。

この半導体用ウエハ７の裏面７２の研削・研磨は、図２（ｂ）に示すように、例えば、研削装置（グラインダー）を用いて行うことができる。

半導体用ウエハ７の裏面７２の研削・研磨を、本発明では、第２の層８２２の主材料のｔａｎδがピークを示す温度よりも低い温度で実施する。これにより、第２の層８２２の弾性率を、前工程［１Ａ］において半導体用ウエハ７を仮固定用テープ２００に仮固定した場合と比較して、高く設定することができるため、本工程［２Ａ］において、図２（ｂ）に示すように、裏面７２（他方の面）を研削・研磨したとき、粘着層８１の下側に位置する第２の層８２２に、クッション性を有するクッション層としての機能を確実に発揮させることができる。そのため、本工程［２Ａ］では、電極パッド２６の先端が粘着層８１内に位置している状態となっているが、このような状態であったとしても、この電極パッド２６（突起物）に対応する位置と、対応しない位置とにおいて、半導体用ウエハ７の裏面７２に対する押圧力に差が生じるのを的確に抑制または防止することができる。その結果、半導体用ウエハ７が研削される側の研削面（裏面７２）にディンプルが発生するのが的確に抑制または防止されるため、半導体用ウエハ７の研削・研磨を、より優れた研削精度で実施することができる。さらに、本工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の裏面７２の研削・研磨では、裏面７２に研削水を供給しつつ、この研削・研磨が実施されるが、電極パッド２６の先端が粘着層８１内に位置していることで、研削水が電極パッド２６（突起物）に対して浸入するのをより的確に抑制または防止することができる。

ここで、第２の層８２２に含まれる構成材料のうち主材料としては、前述の通り、ｔａｎδのピークを示す温度が１５℃以上４５℃未満であるものが好ましく用いられる。そのため、本発明では、裏面７２を研削・研磨する際に、第２の層８２２の温度を、ｔａｎδがピークを示す温度よりも低く設定すればよいが、第２の層８２２の温度は、好ましくは５℃以上２５℃以下、より好ましくは５℃以上１５℃未満に設定して実施される。なお、第２の層８２２のかかる温度への設定は、前述の通り、本工程［２Ａ］では、裏面７２に研削水を供給しつつ、この研削・研磨が実施されるが、この研削水の温度を、好ましくは５℃以上２５℃以下に設定することで容易に行うことができる。

このとき、本発明では、第２の層８２２の２５℃における弾性率Ｍ１［ＭＰａ］と、第２の層８２２の４５℃における弾性率Ｍ２［ＭＰａ］との関係式である、Ｍ１－Ｍ２が、好ましくは２ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下に設定されている。そのため、粘着層８１の下側に位置する第２の層８２２に、クッション性を有するクッション層としての機能をより確実に発揮させる得ることから、半導体用ウエハ７が研削される側の研削面（裏面７２）にディンプルが発生するのがより的確に抑制または防止されるため、半導体用ウエハ７の研削・研磨を、より優れた研削精度で実施することができる。

また、かかる裏面７２の研削・研磨により、半導体用ウエハ７の厚さは、半導体装置１０が適用される電子機器によっても異なるが、好ましくは５０μｍ以上６００μｍ以下程度に設定され、より好ましくは５０μｍ以上２００μｍ以下程度に設定される。これにより、得られる半導体素子２０の薄型化が行われ、かかる半導体素子２０を備える半導体装置１０さらにはＩＣパッケージの小型化が実現される。

［３Ａ］次に、基材４と、基材４の上面に積層された粘着層２とを有する半導体用ウエハ加工用粘着テープ１００（以下、単に「粘着テープ１００」ということもある。）を用意し、図示しないダイサーテーブルの上に、粘着テープ１００を設置し、その中心部１２２において、裏面７２（仮固定用テープ２００が積層されている表面７１と反対側の面）を、粘着層２の上に置き、軽く押圧することで、半導体用ウエハ７を積層（貼付）する（図２（ｄ）参照）。

なお、粘着テープ１００に半導体用ウエハ７を予め貼着した後に、ダイサーテーブルに設置しても良い。

［４Ａ］次に、粘着層８１に支持基材８２を介してエネルギー線を照射し、粘着層８１の半導体用ウエハ７に対する粘着力を低下させることで、図２（ｅ）に示すように、半導体用ウエハ７（基板）を仮固定用テープ２００（支持基材８２）から離脱させる（離脱工程）。
すなわち、半導体用ウエハ７の仮固定用テープ２００への仮固定の状態を解除する。

なお、エネルギー線としては、例えば、紫外線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。これらの中でも、特に、紫外線を用いるのが好ましい。紫外線によれば、粘着層８１の半導体用ウエハ７に対する粘着性を効率よく低下させることができる。

［５Ａ］次に、粘着層２の外周部１２１をウエハリング９で固定し、その後、図示しない、ダイシングソー（ブレード）を用いて半導体用ウエハ７を切断（ダイシング）して半導体用ウエハ７を個片化する（図３（ａ）参照）。

これにより、複数の半導体素子２０が、粘着テープ１００上で、粘着層２に貼付した状態で形成される。

また、ブレードを用いた半導体用ウエハ７の切断は、図３（ａ）に示すように、基材４の厚さ方向の途中まで到達するように実施される。これにより、半導体用ウエハ７の個片化を確実に実施することができる。

［６Ａ］次に、粘着テープ１００が備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の半導体素子２０（個片化された半導体用ウエハ７）に対する粘着性を低下させる。
これにより、粘着層２と半導体素子２０との間で剥離が生じる状態とする。

粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、特に限定されないが、例えば、粘着層２にエネルギー線を照射する方法、粘着層２を加熱する方法等が挙げられる。

また、エネルギー線としては、工程［４Ａ］で説明したのと同様のものが挙げられる。

［７Ａ］次に、粘着テープ１００を図示しないエキスパンド装置で放射状に伸ばして、半導体素子２０（個片化された半導体用ウエハ７）を一定の間隔に開き（図３（ｂ）参照）、その後、この半導体素子２０を、ニードル等を用いて突き上げた状態とし、この状態で、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等によりピックアップする（図３（ｃ）参照）。

［８Ａ］次に、半導体素子２０が備える電極パッド２６に対応する位置に、予め開口部２５１が形成されたインターポーザー２５（基板）上に、ピックアップした半導体素子２０を配置する（図４（ａ）参照）。

このインターポーザー２５としては、特に限定されないが、例えば、コア材で構成されるコア基板、ビルドアップ材で構成されるビルドアップ基板のようなリジット基板（硬性基板）またはフレキシブル基板（可撓性基板）が用いられる。

［９Ａ］次に、インターポーザー２５の上面、すなわち半導体素子２０が配置されている側の面に、インターポーザー２５と半導体素子２０とを覆うように封止部２７を形成する（図４（ｂ）参照）。

封止部２７を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、金型が備える凹部内に顆粒状のエポキシ樹脂組成物を収納した状態で、インターポーザー２５、半導体素子２０を覆うようにインターポーザー２５の上面を、このエポキシ樹脂組成物に接触させた後、金型を用いてエポキシ樹脂組成物を加熱・圧縮成形する方法（コンプレッションモールド成形方法）が挙げられる。

［１０Ａ］次に、インターポーザー２５の半導体素子２０とは反対の面側に、開口部２５１で露出する電極パッド２６に電気的に接続するように、所定形状にパターニングされた配線２３を、開口部２５１を埋めて電極パッド２６に接続した状態で形成する（図４（ｃ）参照）。
この配線２３は、例えば、各種メッキ法を用いて形成することができる。

［１１Ａ］次に、インターポーザー２５の半導体素子２０とは反対の面側に、配線２３の一部が露出するように、開口部２２１を備える被覆部２２を形成する（図４（ｄ）参照）。

なお、この開口部２２１は、次工程［１２Ａ］において、バンプ２１を形成する位置に対応するように形成される。

この被覆部２２の形成は、例えば、感光性を有する絶縁性材料を含有する液状材料（ワニス）を、塗布法等を用いてインターポーザー２５の半導体素子２０とは反対の面側に供給し、次いで、形成すべき開口部２２１の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液（エッチング液）で開口部２２１とすべき領域を除去することにより行うことができる。

［１２Ａ］次に、開口部２２１から露出する配線２３に電気的に接続するようにバンプ２１を形成する（図４（ｅ）参照）。

ここで、本実施形態のように、電極パッド２６とバンプ２１との接続を、配線２３を介して行う構成とすることにより、バンプ２１を、インターポーザー２５の面方向において、開口部２５１とは異なる位置に配置することができる。換言すれば、バンプ２１と開口部２５１との中心部が重ならないように、これらを配置することができる。したがって、得られる半導体装置１０における下面の所望の位置にバンプ２１を形成することができる。

このバンプ２１を配線２３に接合する方法としては、特に限定されないが、例えば、バンプ２１と配線２３との間に、粘性を有するフラックスを介在させることにより行われる。

また、バンプ２１の構成材料としては、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材等が挙げられる。
以上のような工程を経ることで、半導体装置１０が製造される。

なお、本実施形態では、半導体装置１０を、上述した図１に示す構成のものとし、この半導体装置１０を、仮固定用テープ２００を用いた本発明の基板の研削方法が適用された半導体装置の製造方法により製造する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、各種の形態の半導体パッケージの製造に、仮固定用テープ２００を用いた本発明の基板の研削方法を適用することができ、例えば、デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ（ＰＬＣＣ）、ロー・プロファイル・クワッド・フラット・パッケージ（ＬＱＦＰ）、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、スモール・アウトライン・Ｊリード・パッケージ（ＳＯＪ）、薄型スモール・アウトライン・パッケージ（ＴＳＯＰ）、薄型クワッド・フラット・パッケージ（ＴＱＦＰ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）、マトリクス・アレイ・パッケージ・ボール・グリッド・アレイ（ＭＡＰＢＧＡ）、チップ・スタックド・チップ・サイズ・パッケージ等のメモリやロジック系素子に適用することができる。

すなわち、本発明の基板の研削方法は、電極パッド２６（バンプ）を突起物として表面７１（一方の面）に備える半導体用ウエハ７の裏面７２（他方の面）を研削・研磨する場合に限らず、突起物を表面に備える他の基板の裏面を研削・研磨する場合についても同様に適用される。

以上、本発明の基板の研削方法を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、例えば、本発明の基板の研削方法には、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。

１．第２の層のクッション性に関する検討
１．１．粘着層形成のための原材料の準備
まず、各実施例および各比較例の仮固定用テープの製造の際に、粘着層形成のために用いた原材料を以下に示す。

（アクリル系共重合体Ａ）
アクリル系共重合体Ａとして、９０重量部のブチルアクリレートと、１０重量部のアクリル酸からなるブロック共重合体を含有するものを用意した。
なお、このアクリル系共重合体Ａの重量平均分子量は、６００，０００であった。

（エネルギー線重合性化合物Ａ）
エネルギー線重合性化合物Ａとして、１５官能のオリゴマーのウレタンアクリレート（Ｍｉｗｏｎ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製、品番：Ｍｉｒａｍｅｒ ＳＣ２１５２）を用意した。

（架橋剤Ａ）
架橋剤Ａとして、トルエンジイソシアネートのトリメチロールプロパン縮合化合物（東ソー株式会社製、品番：コロネートＬ）を用意した。

（エネルギー線重合開始剤Ａ）
エネルギー線重合開始剤Ａとして、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン（ＩＧＭ社製、品番：ＯＭＮＩＲＡＤ６５１）を用意した。

１．２．支持基材が備える第１の層形成のための原材料の準備
次に、各実施例および各比較例の仮固定用テープの製造の際に、支持基材が備える第１の層を形成するために用いた原材料を以下に示す。

（ポリプロピレン）
ポリプロピレン（ＰＰ、住友化学社製、品番：ＦＳ２０１１ＤＧ３）を用意した。

１．３．支持基材が備える第２の層形成のための原材料の準備
次に、各実施例および各比較例の仮固定用テープの製造の際に、支持基材が備える第２の層を形成するために用いた原材料を以下に示す。

（ポリプロピレン系熱可塑性エラストマー）
ポリプロピレン系熱可塑性エラストマー（プロピレン・α－オレフィン共重合体）（住友化学社製、品番：タフセレンＨ３７１２Ｄ、ｔａｎδがピークを示す温度：－１０℃）を用意した。

（水添スチレン系熱可塑性エラストマー）
水添スチレン系熱可塑性エラストマー（旭化成社製、品番：Ｓ１６０５、ｔａｎδがピークを示す温度：１８℃）を用意した。

（ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー）
ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー（三井化学社製、品番：アブソートマーＥＰ１００１、ｔａｎδがピークを示す温度：３０℃）を用意した。

（ポリプロピレン）
ポリプロピレン（ＰＰ、住友化学社製、品番：ＦＳ２０１１ＤＧ３、ｔａｎδがピークを示す温度：－５℃）を用意した。

（水素添スチレン系熱可塑性エラストマー）
水素添スチレン系熱可塑性エラストマー（クラレ社製、品番：ハイブラー７１２５、ｔａｎδがピークを示す温度：－５℃）を用意した。

（高分子型帯電防止剤）
高分子型帯電防止剤（三洋化成工業社製、品番：ペレクトロンＰＶＬ）を用意した。

１．４．仮固定用テープの作製
［実施例１Ａ］
［１Ａ］まず、第１の層の形成材料としてポリプロピレンと、第２の層の形成材料として水添スチレン系熱可塑性エラストマー（Ｓ１６０５）とを、それぞれ、２つの押し出し機に収納した。

［２Ａ］次に、２つの押し出し機から、これらを溶融状態としたものを押し出すことで、共押し出しＴダイから、これらが層状に積層された溶融状態の積層体を得た後、この積層体を冷却することで、支持基材８２を得た。なお、支持基材８２における第１の層８２１の厚さは４０μｍであり、第２の層８２２の厚さは１２０μｍであった。

［３Ａ］次に、アクリル系共重合体Ａ（４９．５ｗｔ％）、エネルギー線重合性化合物Ａ（４２．４ｗｔ％）、架橋剤Ａ（５．３ｗｔ％）およびエネルギー線重合開始剤Ａ（２．８ｗｔ％）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。

この液状材料を、離型ＰＥＴフィルムにダイコート塗工した後、８０℃で１分間乾燥する搬送速度で、離型ＰＥＴフィルムの上面（一方の面）に粘着層８１を形成した。なお、粘着層８１の厚さは２０μｍであった。

その後、離型ＰＥＴフィルム上の粘着層８１が支持基材８２の第２の層８２２に接するようにラミネートして、支持基材８２の上面に粘着層８１が形成された実施例１Ａの仮固定用テープを作製した。

［実施例２Ａ］
第２の層の形成材料として、水添スチレン系熱可塑性エラストマー（Ｓ１６０５、８５．０ｗｔ％）と、高分子型帯電防止剤（ペレクトロンＰＶＬ、１５．０ｗｔ％）との混練物を用いたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして仮固定用テープを作製した。

［実施例３Ａ］
第２の層の形成材料として、水添スチレン系熱可塑性エラストマー（Ｓ１６０５、８５．０ｗｔ％）と、ポリプロピレン（ＰＰ、１５．０ｗｔ％）との混練物を用いたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして仮固定用テープを作製した。

［実施例４Ａ］
第２の層の形成材料として、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー（アブソートマーＥＰ１００１）を用いたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして仮固定用テープを作製した。

［実施例５Ａ］
第２の層の形成材料として、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー（アブソートマーＥＰ１００１、８５．０ｗｔ％）と、高分子型帯電防止剤（ペレクトロンＰＶＬ、１５．０ｗｔ％）との混練物を用いたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして仮固定用テープを作製した。

［実施例６Ａ］
第２の層の形成材料として、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー（アブソートマーＥＰ１００１、８５．０ｗｔ％）と、ポリプロピレン（ＰＰ、１５．０ｗｔ％）との混練物を用いたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして仮固定用テープを作製した。

［比較例１Ａ］
第２の層の形成材料として、ポリプロピレン系熱可塑性エラストマー（タフセレンＨ３７１２Ｄ）を用いたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして仮固定用テープを作製した。

［比較例２Ａ］
第２の層の形成材料として、水素添スチレン系熱可塑性エラストマー（ハイブラー７１２５、８０．０ｗｔ％）と、ポリプロピレン（ＰＰ、２０．０ｗｔ％）との混練物を用いたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして仮固定用テープを作製した。

［比較例３Ａ］
第２の層の形成材料として、ポリプロピレン（ＰＰ）を用いたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして仮固定用テープを作製した。

［比較例４Ａ］
第２の層の形成材料として、水素添スチレン系熱可塑性エラストマー（ハイブラー７１２５、４０．０ｗｔ％）と、ポリプロピレン（ＰＰ、６０．０ｗｔ％）との混練物を用いたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして仮固定用テープを作製した。

［比較例５Ａ］
第２の層の形成材料として、水素添スチレン系熱可塑性エラストマー（ハイブラー７１２５、６０．０ｗｔ％）と、ポリプロピレン（ＰＰ、４０．０ｗｔ％）との混練物を用いたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして仮固定用テープを作製した。

１．５．仮固定用テープの評価
１．５．１ 第２の層の弾性率の評価
各実施例および各比較例の仮固定用テープを作製する際に用意した、第２の層を形成するための原材料を用いて第２の層８２２を形成した。次いで、第２の層８２２の２５℃および４５℃における弾性率を粘弾性測定装置（セイコーインスツルメンツ社製、「型番ＤＭＳ６１００」）を用いて測定した。

１．５．２ 仮固定用テープの埋込み性の評価
高さ１５μｍ、幅１．０ｍｍ、ピッチ１．０ｍｍの突起物（凸条）を表面に複数備える透明ガラス基板を用意し、この透明ガラス基板の表面に、各実施例および各比較例で得られた仮固定用テープを、離型ＰＥＴフィルムを剥離させた後に、４５℃にステージを加熱した状態で、直径３５ｍｍ、４００ｍｍ幅、のローラーを圧力０．５ＭＰａで押し付けることで貼付した。

そして、仮固定用テープに形成された凹部の深さを、凸条高さで除することにより粘着層の追従率を算出し、この得られた追従率で粘着層８１に対する突起物の埋込み性を、以下の評価基準に基づいて評価した。

＜仮固定用テープの埋込み性の評価基準＞
◎：粘着層の突起物に対する追従率が９０％以上である。
〇：粘着層の突起物に対する追従率が７０％以上９０％未満である。
×：粘着層の突起物に対する追従率が７０％未満である。
評価結果を表１に示す。

１．５．３ 半導体用ウエハのディンプル発生の有無の評価
高さ１５μｍ、幅５００μｍ、ピッチ３０μｍの大きさで縦横に格子状をなして設けられた突起物（凸部）を表面７１に複数備える半導体用ウエハ７を用意し、この半導体用ウエハ７の表面７１に、各実施例および各比較例で得られた仮固定用テープを、離型ＰＥＴフィルムを剥離させた後に、４５℃にステージを加熱した状態で、直径３５ｍｍ、４００ｍｍ幅のローラーを圧力０．５ＭＰａの条件で押し付けることで貼付した。

その後、研磨装置（ディスコ社製、「製品名：ＤＡＧ８１０」）を用いて、半導体用ウエハ７に、実施例１Ａ～３Ａで得られた仮固定用テープでは、温度が１０℃の研削水、それ以外の各実施例および各比較例で得られた仮固定用テープでは温度が２３℃の研削水を供給しつつ、半導体用ウエハ７の裏面７２を、その厚さが５０μｍとなるまで研磨した。

そして、研磨後における半導体用ウエハ７の裏面７２におけるディンプルの発生の有無を確認するとともに、ディンプルが発生している場合には、ディンプルの個数を数えた。

＜半導体用ウエハにおけるディンプル発生の有無の評価基準＞
◎：半導体用ウエハの裏面７２においてディンプルが認められない。
〇：半導体用ウエハの裏面７２においてディンプルが認められるものの、その個数は合計２個以内である。
×：半導体用ウエハの裏面７２においてディンプルが認められ、かつ、その個数は合計３個以上である。

１．５．４ 半導体用ウエハにおける厚みムラ発生の有無の評価
高さ１５μｍ、幅１．０ｍｍ、ピッチ１．０ｍｍの大きさで縦横に格子状をなして設けられた突起物（凸部）を表面７１に複数備える半導体用ウエハ７を用意し、この半導体用ウエハ７の表面７１に、各実施例および各比較例で得られた仮固定用テープを、離型ＰＥＴフィルムを剥離させた後に、４５℃にステージを加熱した状態で、直径３５ｍｍ、４００ｍｍ幅のローラーを圧力０．５ＭＰａの条件で押し付けることで貼付した。

その後、研磨装置（ディスコ社製、「製品名：ＤＡＧ８１０」）を用いて、半導体用ウエハ７に温度が１０℃の研削水を供給しつつ、半導体用ウエハ７の裏面７２を、その厚さが５０μｍとなるまで研磨した。

そして、研磨後における半導体用ウエハ７について、高精度厚み・形状測定装置（神津精機社製、「型番 ＤＹ－３０００」）を用いて、縦横に格子状をなすように等間隔を空けて、合計１００００箇所の厚さを測定した。そして、測定された１００００箇所の厚さのうち最大値と最小値から、最大値と最小値との差を算出することで、半導体用ウエハ７における厚みムラの大きさを求めた。

＜半導体用ウエハにおける厚みムラの有無の評価基準＞
◎：半導体用ウエハ７における厚みムラの大きさが５μｍ以下である。
〇：半導体用ウエハ７における厚みムラの大きさが５μｍ超７．５μｍ未満である。
△：半導体用ウエハ７における厚みムラの大きさが７．５μｍ以上１０μｍ未満である。
×：半導体用ウエハ７における厚みムラの大きさが１０μｍ以上である。
評価結果を表１に示す。

表１から明らかなように、各実施例では、透明ガラス基板の表面に仮固定用テープを貼付させる際の第２の層の温度が、第２の層の主材料のｔａｎδがピークを示す温度よりも高く設定され、さらに、仮透明ガラス基板の裏面を研削・研磨する際に、透明ガラス基板に供給する研削水の温度が、第２の層の主材料のｔａｎδがピークを示す温度よりも低く設定されていることにより、半導体用ウエハ７の裏面７２におけるディンプルの発生を防止しつつ、半導体用ウエハ７の研削・研磨をより優れた研削精度で実施し得る結果が得られた。

これに対して、各比較例では、透明ガラス基板の表面に仮固定用テープを貼付させる際の第２の層の温度が、第２の層の主材料のｔａｎδがピークを示す温度よりも高く設定され、さらに、仮透明ガラス基板の裏面を研削・研磨する際に、透明ガラス基板に供給する研削水の温度が、第２の層の主材料のｔａｎδがピークを示す温度よりも低く設定されることを満足しておらず、これに起因して、特に、半導体用ウエハ７における厚みムラの発生を抑制することができず、半導体用ウエハ７の研削・研磨を優れた研削精度で実施することができない結果を示した。

２．粘着層の埋込み性に関する検討
２．１．粘着層形成のための原材料の準備
まず、各実施例および各比較例の仮固定用テープの製造の際に、粘着層形成のために用いた原材料を以下に示す。

（アクリル系共重合体Ａ）
アクリル系共重合体Ａとして、９０重量部のブチルアクリレートと、１０重量部のアクリル酸からなるブロック共重合体を含有するものを用意した。
なお、このアクリル系共重合体Ａの重量平均分子量は、６００，０００であった。

（エネルギー線重合性化合物Ａ）
エネルギー線重合性化合物Ａとして、１５官能のオリゴマーのウレタンアクリレート（Ｍｉｗｏｎ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製、品番：Ｍｉｒａｍｅｒ ＳＣ２１５２）を用意した。

（架橋剤Ａ）
架橋剤Ａとして、トルエンジイソシアネートのトリメチロールプロパン縮合化合物（東ソー株式会社製、品番：コロネートＬ）を用意した。

（エネルギー線重合開始剤Ａ）
エネルギー線重合開始剤Ａとして、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン（ＩＧＭ社製、品番：ＯＭＮＩＲＡＤ６５１）を用意した。

２．２．支持基材が備える第１の層形成のための原材料の準備
次に、各実施例および各比較例の仮固定用テープの製造の際に、支持基材が備える第１の層を形成するために用いた原材料を以下に示す。

（ポリプロピレン）
ポリプロピレン（ＰＰ、住友化学社製、品番：ＦＳ２０１１ＤＧ３）を用意した。

２．３．支持基材が備える第２の層形成のための原材料の準備
次に、各実施例および各比較例の仮固定用テープの製造の際に、支持基材が備える第２の層を形成するために用いた原材料を以下に示す。

（水添スチレン系熱可塑性エラストマー）
水添スチレン系熱可塑性エラストマー（旭化成社製、品番：Ｓ１６０５、ｔａｎδがピークを示す温度：１８℃）を用意した。

２．４．仮固定用テープの作製
［実施例１Ｂ］
［１Ｂ］まず、第１の層の形成材料としてポリプロピレン（ＰＰ）と、第２の層の形成材料としてプロピレン・α－オレフィン共重合体（タフセレンＨ３７１２Ｄ）とを、それぞれ、２つの押し出し機に収納した。

［２Ｂ］次に、２つの押し出し機から、これらを溶融状態としたものを押し出すことで、共押し出しＴダイから、これらが層状に積層された溶融状態の積層体を得た後、この積層体を冷却することで、支持基材８２を得た。なお、支持基材８２における第１の層８２１の厚さは４０．０μｍであり、第２の層８２２の厚さは１２０．０μｍであった。

［３Ｂ］次に、アクリル系共重合体Ａ（４９．５ｗｔ％）、エネルギー線重合性化合物Ａ（４２．４ｗｔ％）、架橋剤Ａ（５．３ｗｔ％）およびエネルギー線重合開始剤Ａ（２．８ｗｔ％）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。

この液状材料を、離型ＰＥＴフィルムにダイコート塗工した後、８０℃で１分間乾燥する搬送速度として、離型ＰＥＴフィルムの上面（一方の面）に粘着層８１を形成した。なお、粘着層８１の厚さ（Ｔ１）は２０μｍであった。

その後、離型ＰＥＴフィルム上の粘着層８１が支持基材８２の第２の層８２２に接するようにラミネートして、支持基材８２の上面に粘着層８１が形成された実施例１Ｂの仮固定用テープを作製した。

［実施例２Ｂ］
粘着層８１を形成するための液状材料として、アクリル系共重合体Ａ（４８．４ｗｔ％）、エネルギー線重合性化合物Ａ（４１．８ｗｔ％）、架橋剤Ａ（７．３ｗｔ％）およびエネルギー線重合開始剤Ａ（２．６ｗｔ％）が配合された樹脂組成物を用いたこと以外は、前記実施例１Ｂと同様にして仮固定用テープを作製した。

［実施例３Ｂ］
粘着層８１を形成するための液状材料として、アクリル系共重合体Ａ（５２．６ｗｔ％）、エネルギー線重合性化合物Ａ（３９．３ｗｔ％）、架橋剤Ａ（５．３ｗｔ％）およびエネルギー線重合開始剤Ａ（２．８ｗｔ％）が配合された樹脂組成物を用いたこと以外は、前記実施例１Ｂと同様にして仮固定用テープを作製した。

［実施例４Ｂ］
形成する粘着層８１の厚さを２５μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｂと同様にして仮固定用テープを作製した。

２．５．仮固定用テープの評価
２．５．１ 第２の層の弾性率の評価
各実施例および各比較例の仮固定用テープを作製する際に用意した、第２の層を形成するための原材料を用いて第２の層８２２を形成した。次いで、第２の層８２２の２５℃および４５℃における弾性率を粘弾性測定装置（セイコーインスツルメンツ社製、「型番ＤＭＳ６１００」）を用いて測定した。

２．５．２ 仮固定用テープの埋込み性の評価
高さ１５μｍ、幅１．０ｍｍ、ピッチ１．０ｍｍの突起物（凸条）を表面に複数備える透明ガラス基板を用意し、この透明ガラス基板の表面に、各実施例および各比較例で得られた仮固定用テープを、離型ＰＥＴフィルムを剥離させた後に、４５℃にステージを加熱した状態で、直径３５ｍｍ、４００ｍｍ幅のローラーを圧力０．５ＭＰａで押し付けることで貼付した。

そして、仮固定用テープに形成された凹部の深さを、凸条高さで除することにより粘着層の追従率を算出し、この得られた追従率で粘着層８１に対する突起物の埋込み性を、以下の評価基準に基づいて評価した。

＜仮固定用テープの埋込み性の評価基準＞
◎：粘着層の突起物に対する追従率が９０％以上である。
〇：粘着層の突起物に対する追従率が７０％以上９０％未満である。
×：粘着層の突起物に対する追従率が７０％未満である。
評価結果を表１に示す。

２．５．３ 半導体用ウエハのディンプル発生の有無の評価
高さ１５μｍ、幅５００μｍ、ピッチ３０μｍの大きさで縦横に格子状をなして設けられた突起物（凸部）を表面７１に複数備える半導体用ウエハ７を用意し、この半導体用ウエハ７の表面７１に、各実施例および各比較例で得られた仮固定用テープを、離型ＰＥＴフィルムを剥離させた後に、４５℃にステージを加熱した状態で、直径３５ｍｍ、４００ｍｍ幅のローラーを圧力０．５ＭＰａの条件で押し付けることで貼付した。

その後、研磨装置（ディスコ社製、「製品名：ＤＡＧ８１０」）を用いて、半導体用ウエハ７の裏面７２を、その厚さが５０μｍとなるまで研磨した。

そして、研磨後における半導体用ウエハ７の裏面７２におけるディンプルの発生の有無を確認するとともに、ディンプルが発生している場合には、ディンプルの個数を数えた。

＜半導体用ウエハにおけるディンプル発生の有無の評価基準＞
◎：半導体用ウエハの裏面７２においてディンプルが認められない。
〇：半導体用ウエハの裏面７２においてディンプルが認められるものの、その個数は合計２個以内である。
×：半導体用ウエハの裏面７２においてディンプルが認められ、かつ、その個数は合計３個以上である。

２．５．４ 半導体用ウエハにおける厚みムラ発生の有無の評価
高さ１５μｍ、幅１．０ｍｍ、ピッチ１．０ｍｍの大きさで縦横に格子状をなして設けられた突起物（凸部）を表面７１に複数備える半導体用ウエハ７を用意し、この半導体用ウエハ７の表面７１に、各実施例および各比較例で得られた仮固定用テープを、離型ＰＥＴフィルムを剥離させた後に、４５℃にステージを加熱した状態で、直径３５ｍｍ、４００ｍｍ幅のローラーを圧力０．５ＭＰａの条件で押し付けることで貼付した。

その後、研磨装置（ディスコ社製、「製品名：ＤＡＧ８１０」）を用いて、半導体用ウエハ７に温度が１０℃の研削水を供給しつつ、半導体用ウエハ７の裏面７２を、その厚さが５０μｍとなるまで研磨した。

そして、研磨後における半導体用ウエハ７について、高精度厚み・形状測定装置（神津精機社製、「型番 ＤＹ－３０００」）を用いて、縦横に格子状をなすように等間隔を空けて、合計１００００箇所の厚さを測定した。そして、測定された１００００箇所の厚さのうち最大値と最小値から、最大値と最小値との差を算出することで、半導体用ウエハ７における厚みムラの大きさを求めた。

＜半導体用ウエハにおける厚みムラの有無の評価基準＞
◎：半導体用ウエハ７における厚みムラの大きさが５μｍ以下である。
〇：半導体用ウエハ７における厚みムラの大きさが５μｍ超７．５μｍ未満である。
△：半導体用ウエハ７における厚みムラの大きさが７．５μｍ以上１０μｍ未満である。
×：半導体用ウエハ７における厚みムラの大きさが１０μｍ以上である。
評価結果を表２に示す。

表２から明らかなように、各実施例では、粘着層の弾性率Ｍ３を適切な範囲に設定することにより、粘着層の突起物に対する追従率を確実に７０％以上として、突起物の先端が粘着層内に位置していると言う状態とすることができ、これにより、半導体用ウエハ７の裏面７２におけるディンプルの発生を防止しつつ、半導体用ウエハ７の研削・研磨をより優れた研削精度で実施し得る結果が得られた。

２ 粘着層
４ 基材
７ 半導体用ウエハ
９ ウエハリング
１０ 半導体装置
２０ 半導体素子
２１ バンプ
２２ 被覆部
２３ 配線
２５ インターポーザー
２６ 電極パッド
２７ 封止部
７１ 表面
７２ 裏面
８１ 粘着層
８２ 支持基材
１００ 半導体用ウエハ加工用粘着テープ
１２１ 外周部
１２２ 中心部
２００ 仮固定用テープ
２２１ 開口部
２５１ 開口部
８２１ 第１の層
８２２ 第２の層

Claims (10)

1. 支持基材と、該支持基材の一方の面に積層された粘着層とを備え、前記支持基材が、基板を支持する第１の層と、該第１の層と前記粘着層との間に位置し、クッション性を有する第２の層とを備える積層体で構成される仮固定用テープを、突起物を少なくとも一方の面の表面に有する前記基板に、前記第２の層の主材料のｔａｎδがピークを示す温度よりも高い温度で、前記基板の一方の面と、前記仮固定用テープの前記粘着層とが対向するように、仮固定する仮固定工程と、
   前記ｔａｎδがピークを示す温度よりも低い温度で、前記基板の他方の面を研削または研磨して前記基板の厚さを薄くする研削・研磨工程と、
   前記粘着層にエネルギー線を照射して、前記粘着層の粘着力を低下させることで、前記基板を前記支持基材から離脱させる離脱工程とを有することを特徴とする基板の研削方法。
2. 前記仮固定工程において、前記突起物の先端を前記粘着層内に位置させる請求項１に記載の基板の研削方法。
3. 前記仮固定工程において、前記基板に、前記仮固定用テープを仮固定する際の前記第２の層の温度は、４５℃以上６０℃以下であり、
   前記研削・研磨工程において、前記基板を研削または研磨する際に、前記基板に研削水が供給され、前記研削水の温度は、５℃以上２５℃以下である請求項１または２に記載の基板の研削方法。
4. 前記第２の層の主材料のｔａｎδがピークを示す温度は、１５℃以上４５℃未満である請求項３に記載の基板の研削方法。
5. 前記第２の層は、スチレン系熱可塑性エラストマーおよびオレフィン系エラストマーのうちの少なくとも１種を主材料として含有する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の基板の研削方法。
6. 前記第２の層は、その４５℃における弾性率が１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であり、かつ、前記第２の層の２５℃における弾性率をＭ１［ＭＰａ］とし、前記第２の層の４５℃における弾性率をＭ２［ＭＰａ］としたとき、Ｍ１－Ｍ２が２ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下である請求項１ないし５のいずれか１項に記載の基板の研削方法。
7. 前記粘着層の平均厚さをＴ１［μｍ］とし、前記突起物の高さをＨ［μｍ］としたとき、Ｔ１－Ｈは、１．０μｍ以上である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の基板の研削方法。
8. 前記粘着層は、その４５℃における弾性率が１０^－２ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の基板の研削方法。
9. 前記粘着層の４５℃における弾性率をＭ３［ＭＰａ］としたとき、Ｍ３＜Ｍ２なる関係を満足する請求項１ないし８のいずれか１項に記載の基板の研削方法。
10. 前記第２の層は、その２５℃における弾性率が６ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下である請求項１ないし９のいずれか１項に記載の基板の研削方法。

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