JP7035720B2 - 半導体基板加工用粘着テープ - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板加工用粘着テープに関するものである。

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。

これらの半導体装置の製造方法としては、半導体基板（半導体ウエハ）に半導体基板加工用粘着テープを貼付し、半導体基板の周囲をウエハリングで固定しながら、ダイシングソーを用いたダイシング工程で前記半導体基板を個々の半導体素子（半導体チップ）に切断分離（個片化）した後、エキスパンディング工程の後、個片化した半導体素子を、ニードルを用いて突き上げた状態で、ピックアップするピックアップ工程を行い、次いで、このピックアップした半導体素子を金属リードフレームあるいは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するためのダイボンディング工程へ移送する。ピックアップされた半導体素子は、ダイボンディング工程で液状ダイアタッチ材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、半導体装置が製造される。

このような半導体装置の製造に用いられる半導体基板加工用粘着テープについて、近年、種々の検討がなされている（例えば、特許文献１参照。）。

この半導体基板加工用粘着テープは、一般に、基材（フィルム基材）と、この基材上に形成された粘着層とを有するものであり、粘着層により半導体基板が固定される。また、半導体基板のダイシング工程後に半導体素子を容易にピックアップすることができるように、粘着層は、通常、粘着性を有するベース樹脂および光硬化性樹脂等を含有する樹脂組成物で構成されている。つまり、ダイシング工程後、粘着層にエネルギーが付与されると、樹脂組成物が硬化して粘着層の粘着性が低下し、そのため、ピックアップ工程において、半導体素子を、ニードルを用いて突き上げた際に、半導体素子から半導体基板加工用粘着テープを剥離させることができ、その結果、半導体素子のピックアップが容易となるようになっている。

しかしながら、半導体素子から半導体基板加工用粘着テープを剥離させるための、ニードルによる突き上げ量が大きくなると、半導体基板加工用粘着テープとニードルとが接触する位置において、粘着層に割れが生じ、これに起因して、半導体素子のピックアップの後に、半導体素子に粘着層が残存する、所謂、糊残りが生じると言う問題があった。

特開２００９－２４５９８９号公報

本発明は、ニードルによる突き上げにより、半導体素子から半導体基板加工用粘着テープを剥離させて、半導体素子をピックアップする際に、半導体素子に対する粘着層の残存を的確に抑制または防止しつつ、半導体素子から半導体基板加工用粘着テープを確実に剥離させることができる半導体基板加工用粘着テープを提供することにある。

このような目的は、下記（１）～（７）に記載の本発明により達成される。
（１） 基材と、該基材の一方の面に積層された粘着層とを備え、
前記粘着層上に、半導体基板を固定した状態で、前記半導体基板から前記基材の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、前記半導体基板を個片化することで複数の半導体チップを形成し、その後、前記粘着層にエネルギーを付与することで前記粘着層を硬化させた後、該半導体チップを、前記基材側から突き上げた状態で、前記基材の反対側から引き抜くことで、前記粘着層から分離する際に用いられる半導体基板加工用粘着テープであって、
前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、
厚さ２３０μｍのシリコン基板を厚さ２００μｍに研削した後の研削面に、当該半導体基板加工用粘着テープを、前記粘着層を前記シリコン基板の前記研磨面側にして固定し、その後、前記シリコン基板を切断して個片化することで縦６ｍｍ×横６ｍｍの大きさのシリコンチップを得た後、前記粘着層にエネルギーを付与して前記粘着層を硬化させた状態で、
前記シリコンチップを、先端直径が１００μｍの４つのニードルを用いて、離間距離が縦４ｍｍ×横４ｍｍとなる大きさで突き上げた際に、前記シリコンチップと当該半導体基板加工用粘着テープとの間で剥離が生じたときの前記ニードルの突き上げ量をＡ［μｍ］とし、
前記シリコンチップを、前記ニードルを用いて突き上げた際に、前記ニードルが当接する位置で、前記粘着層に割れが生じ、かつ、割れた前記粘着層が前記シリコンチップに残存する粘着層付着が生じたときの前記ニードルの突き上げ量をＢ［μｍ］としたとき、
Ｂ－Ａ≧２００μｍなる関係を満足することを特徴とする半導体基板加工用粘着テープ。

（２） 前記シリコンチップを、前記ニードルを用いて、前記ニードルの突き上げ量を５００［μｍ］として突き上げた際に、前記ニードルが当接する位置で、前記粘着層に割れが生じたときに、前記ニードルの中心から前記割れが生じている位置の最長距離は、９００μｍ以下である上記（１）に記載の半導体基板加工用粘着テープ。

（３） 前記ベース樹脂は、そのガラス転移点が－６０℃以上－１０℃未満であるである上記（１）または（２）に記載の半導体基板加工用粘着テープ。

（４） 前記粘着層は、前記硬化性樹脂の含有量が前記ベース樹脂１００重量部に対して、５０重量部以上２００重量部以下である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の半導体基板加工用粘着テープ。

（５） 前記粘着層は、前記硬化後の２５℃における貯蔵弾性率が１．０ｘ１０＾８Ｐａ以上１．０ｘ１０＾１０Ｐａ以下である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の半導体基板加工用粘着テープ。

（６） 前記粘着層は、その厚さが５μｍ以上５０μｍ以下である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の半導体基板加工用粘着テープ。

（７） 前記基材は、その厚さが３０μｍ以上１６０μｍ以下である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の半導体基板加工用粘着テープ。

本発明によれば、シリコンチップを、ニードルを用いて突き上げた際に、シリコンチップと半導体基板加工用粘着テープとの間で剥離が生じたときのニードルの突き上げ量Ａ［μｍ］と、ニードルが当接する位置で粘着層に割れが生じ、かつ、割れた粘着層がシリコンチップに残存する粘着層付着が生じたときのニードルの突き上げ量Ｂ［μｍ］との差がＢ－Ａ≧２００μｍなる関係を満足して、差Ｂ－Ａを大きく維持することができるため、半導体素子から半導体基板加工用粘着テープを剥離させて、半導体素子をピックアップする際に、半導体素子に対する粘着層の残存を的確に抑制または防止しつつ、半導体素子から半導体基板加工用粘着テープを確実に剥離させることができる。

本発明の半導体基板加工用粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の半導体基板加工用粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の半導体基板加工用粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。 図２（ｅ）に示すピックアップ工程を、詳細に説明するための縦断面図である。 半導体基板加工用粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。 図５に示す半導体基板加工用粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。

以下、本発明の半導体基板加工用粘着テープについて詳細に説明する。
まず、本発明の半導体基板加工用粘着テープを説明するのに先立って、本発明の半導体基板加工用粘着テープを用いて製造された半導体装置について説明する。

＜半導体装置＞
図１は、本発明の半導体基板加工用粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図１に示す半導体装置１０は、半導体チップ（半導体素子）２０と、半導体チップ２０を支持するインターポーザー（基板）３０と、複数の導電性を有するバンプ（端子）７０と、半導体チップ２０を封止するモールド部（封止部）１７とを有している。

インターポーザー３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。

インターポーザー３０の上面（一方の面）には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される端子４１が、所定形状で設けられている。

また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア（スルーホール：貫通孔）が形成されている。

各バンプ７０は、それぞれ、各ビアを介して、一端（上端）が端子４１の一部に電気的に接続され、他端（下端）は、インターポーザー３０の下面（他方の面）から突出している。

バンプ７０のインターポーザー３０から突出する部分は、ほぼ球形状（Ｂａｌｌ状）をなしている。

このバンプ７０は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。

また、インターポーザー３０上には、端子４１が形成されている。この端子４１に、接続部８１を介して、半導体チップ２０が有する端子２１が電気的に接続されている。

なお、本実施形態では、図１に示すように、端子２１は、半導体チップ２０に形成されている面側から突出する構成をなしており、端子４１も、インターポーザー３０から突出する構成をなしている。

また、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間の間隙には、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材が充填され、このアンダーフィル材の硬化物により、封止層８０が形成されている。この封止層８０は、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との接合強度を向上させる機能や、前記間隙への異物や水分等の浸入を防止する機能を有している。

さらに、インターポーザー３０の上側には、半導体チップ２０と、インターポーザー３０とを覆うように形成されたモールド部１７が半導体封止材料の硬化物で構成されており、これにより、半導体装置１０内において半導体チップ２０が封止され、半導体チップ２０に対する異物や水分等の浸入が防止される。

半導体チップ２０（半導体素子）は、図２に示すように、半導体チップ本体部２３（半導体素子本体部）と、半導体チップ本体部２３の下面側から突出して設けられた端子２１とを有している。半導体チップ本体部２３は、その上面側に回路（図示せず）が作り込まれており、主としてＳｉ、ＳｉＣ、ＧａＮまたはＧａ_２Ｏ_３のような半導体材料で構成されている。

かかる構成の半導体装置１０および半導体チップ２０は、例えば、半導体基板加工用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法により、以下のようにして製造される。

＜半導体装置の製造方法＞
図２、図３は、図１に示す半導体装置を、半導体基板加工用粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図２、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［１Ａ］まず、基材４と、基材４の上面に積層された粘着層２とを有する積層体により構成された半導体基板加工用粘着テープ１００（以下、単に「粘着テープ１００」ということもある。）を用意する（図２（ａ）参照。）。
なお、この粘着テープ１００に関する詳細な説明は後に行うこととする。

［２Ａ］次に、図２（ｂ）に示すように、図示しないダイサーテーブルの上に、粘着テープ１００を設置し、その中心部１２２に半導体基板７（半導体用ウエハ）を、粘着層２の上に置き、軽く押圧し、半導体基板７を積層（貼付）する（貼付工程）。

なお、半導体基板７には、その上面に個片化することで形成される半導体チップ２０（半導体チップ本体部２３）が備える回路が予め形成され、また、下面には端子２１が予め形成されており、半導体基板７は、回路が形成されている側の上面を粘着層２側にして粘着テープ１００に貼付されている。

また、粘着テープ１００に半導体基板７を予め貼着した後に、ダイサーテーブルに設置しても良い。

［３Ａ］次に、粘着層２の外周部１２１をウエハリング９で固定し、その後、図示しない、ダイシングソー（ブレード）を用いて半導体基板７を切断（ダイシング）して半導体基板７を個片化することで粘着テープ１００上に半導体チップ２０を得る（個片化工程；図２（ｃ）参照）。

この際、粘着テープ１００は、緩衝作用を有しており、半導体基板７を切断する際の割れ、欠け等を防止する。

また、ブレードを用いた半導体基板７の切断は、図２（ｃ）に示すように、基材４の厚さ方向の途中まで到達するように実施される。これにより、半導体基板の個片化を確実に実施することができる。

なお、この際、半導体基板７の切断時に生じる粉塵が飛散するのを防止すること、さらには、半導体基板７が不必要に加熱されるのを抑制することを目的に、半導体基板７には切削水を供給しつつ、半導体基板７が切断される。

［４Ａ］次に、粘着テープ１００を図示しないエキスパンド装置で放射状に伸ばして、個片化した半導体基板７すなわち半導体チップ２０を一定の間隔に開き（エキスパンディング工程；図２（ｄ）参照。）、その後、半導体チップ２０を、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等によりピックアップする（ピックアップ工程；図２（ｅ）参照。）。

この半導体チップ２０のピックアップは、前記エキスパンディング工程の後に、粘着層２にエネルギーを付与することで粘着層２を硬化させて、粘着層２の粘着力を低下させる。そして、図４に示すように、テーブル２００に設けられたニードル２１０を厚さ方向にテーブル２００から突出させることで、粘着テープ１００に貼付された半導体チップ２０を、ニードル２１０を用いて突き上げ、これにより、粘着テープ１００から剥離させた状態として実施される。

この本工程［４Ａ］における、半導体チップ２０を、ニードル２１０により突き上げ、粘着テープ１００から剥離させた状態とした、半導体チップ２０のピックアップの際に、本発明の粘着テープ１００が用いられる。すなわち、半導体チップ２０のピックアップの際に、本発明では、厚さ２３０μｍのシリコン基板を厚さ２００μｍに研削した後の研削面に、粘着テープ１００を、粘着層２をシリコン基板の前記研磨面側にして固定し、その後、シリコン基板を切断して個片化することで縦６ｍｍ×横６ｍｍの大きさのシリコンチップを得た後、粘着層２にエネルギーを付与して粘着層２を硬化させた状態で、シリコンチップを、先端直径が１００μｍの４つのニードル２１０を用いて、離間距離が縦４ｍｍ×横４ｍｍとなる大きさで突き上げた際に、シリコンチップと粘着テープ１００との間で剥離が生じたときのニードル２１０の突き上げ量をＡ［μｍ］とし、シリコンチップを、ニードル２１０を用いて突き上げた際に、ニードル２１０が当接する位置で、粘着層２に割れが生じ、かつ、割れた粘着層２がシリコンチップに残存する粘着層付着が生じたときのニードル２１０の突き上げ量をＢ［μｍ］としたとき、Ｂ－Ａ≧２００μｍなる関係を満足する、粘着テープ１００が用いられる。半導体チップ２０のピックアップの際に、粘着テープ１００を用いることで、差Ｂ－Ａの大きさを、２００μｍ以上のように、大きく維持することができる。

そのため、本工程［４］において、半導体チップ２０から粘着テープ１００を剥離させて、半導体チップ２０をピックアップする際に、半導体チップ２０に対する粘着層２の残存を的確に抑制または防止しつつ、半導体チップ２０から粘着テープ１００を確実に剥離させることができるが、その詳細な説明は後に行うこととする。

以上のような工程［１Ａ］～工程［４Ａ］を経ることにより、粘着テープ１００を用いて、半導体基板７から半導体チップ２０が分離される。すなわち、粘着テープ１００が備える粘着層２上に、半導体基板７を固定した状態で、半導体基板７から基材４の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、半導体基板７を個片化することで複数の半導体チップ２０を形成し、その後、粘着層２にエネルギーを付与することで粘着層２を硬化させた後、この半導体チップ２０を、基材４側から突き上げた状態で、基材４の反対側から引き抜くことで、半導体チップ２０が粘着層２から分離される。

［５Ａ］次に、ピックアップした半導体チップ２０を、真空コレットまたはエアピンセットから実装用プローブ等に受け渡して上下反転させた後、図３（ａ）に示すように、この半導体チップ２０が備える端子２１と、インターポーザー３０が備える端子４１とを、端子４１上に設けられた半田バンプ８５を介して対向させて、インターポーザー３０上に載置する。すなわち、半導体チップ２０の端子２１が形成された面を下側にして、半導体チップ２０（半導体素子）をインターポーザー３０（基板）上に載置する。

［６Ａ］次に、図３（ｂ）に示すように、端子２１と端子４１との間に介在した半田バンプ８５を加熱しつつ、インターポーザー３０と半導体チップ２０とを接近させる。

これにより、溶融した半田バンプ８５が端子２１および端子４１の双方に接触し、この状態で、冷却することで、接続部８１が形成され、その結果、接続部８１を介して、端子２１と端子４１とが電気的に接続される（搭載工程；図３（ｃ）参照。）。

［７Ａ］次に、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に形成された間隙に、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材（封止材）を充填し、その後、このアンダーフィル材を硬化させることにより、アンダーフィル材の硬化物で構成された封止層８０を形成する（封止層形成工程；図３（ｄ）参照。）。

［８Ａ］次に、インターポーザー３０の上側に、半導体チップ２０と、インターポーザー３０とを覆うように、モールド部１７（封止部）を形成することで、半導体チップ２０をインターポーザー３０とモールド部１７とで封止するとともに、インターポーザー３０が備えるビアを介して端子４１の一部に電気的に接続された、バンプ７０をインターポーザー３０の下側から突出するように形成する（図３（ｅ）参照。）。

ここで、モールド部１７による封止は、例えば、形成すべきモールド部１７の形状に対応した内部空間を備える成形型を用意し、この内部空間内に配置された半導体チップ２０とインターポーザー３０とを覆うように、粉末状をなす半導体封止材料を内部空間に充填する。そして、この状態で、半導体封止材料を加熱することにより硬化させて、半導体封止材料の硬化物とすることにより行われる。

以上のような工程を有する半導体装置の製造方法により、半導体装置１０が得られる。より詳しくは、前記工程［１Ａ］～［８Ａ］を実施した後に、前記工程［４Ａ］～［８Ａ］を繰り返して実施することで、１つの半導体基板７から複数の半導体装置１０を一括して製造することができる。

以下、このような半導体装置１０の製造方法に用いられる、本発明の半導体基板加工用粘着テープ１００について説明する。

＜半導体基板加工用粘着テープ＞
図５は、半導体基板加工用粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

半導体基板加工用粘着テープ１００は、本発明では、基材４と、この基材４の上面（一方の面）に積層された粘着層２とを備える積層体により構成されるものであり、前述したように、突き上げ量Ａ［μｍ］と、突き上げ量Ｂ［μｍ］との差（Ｂ－Ａ）が、Ｂ－Ａ≧２００μｍなる関係を満足する。

ここで、本発明において、突き上げ量Ａ［μｍ］とは、シリコンで構成される厚さ２３０μｍのシリコン基板を、厚さ２００μｍに研削した後の研削面に、粘着テープ１００を、粘着層２をシリコン基板の前記研磨面側にして固定し、その後、シリコン基板を切断して個片化することで縦６ｍｍ×横６ｍｍの大きさのシリコンチップを得た後、粘着層２にエネルギーを付与して粘着層２を硬化させた状態で、シリコンチップを、先端直径が１００μｍの４つのニードル２１０を用いて、離間距離が縦４ｍｍ×横４ｍｍとなる大きさで突き上げた際に、シリコンチップと粘着テープ１００との間で剥離が生じたときのニードル２１０の突き上げ量のことを言う。すなわち、突き上げ量Ａ［μｍ］は、シリコン基板を個片化することで得られたシリコンチップを、ニードル２１０で突き上げた際に、硬化後の粘着層２を備える粘着テープ１００がシリコンチップから剥離して、シリコンチップを、吸着等によりピックアップし得るようになる突き上げ量のことを言う。

さらに、シリコンチップと粘着テープ１００との間に剥離が生じたときとは、４つのニードル２１０で囲まれた領域において、シリコンチップと粘着テープ１００との間で、完全に（１００％の領域で）剥離が生じたときのことを言う。

また、突き上げ量Ｂ［μｍ］とは、シリコンチップを、ニードル２１０を用いて突き上げた際に、ニードル２１０が当接する位置で、粘着層２に割れが生じ、かつ、割れた粘着層２がシリコンチップに残存する粘着層付着が生じたときのニードル２１０の突き上げ量のことを言う。すなわち、突き上げ量Ｂ［μｍ］は、シリコン基板を個片化することで得られたシリコンチップを、ニードル２１０で突き上げた際に、硬化後の粘着層２に、ニードル２１０による割れが生じ、さらに、この割れた粘着層２がシリコンチップに付着するようになる突き上げ量のことを言う。

そのため、突き上げ量Ａ［μｍ］が、吸着等によりシリコンチップをピックアップし得る下限値であり、突き上げ量Ｂ［μｍ］が、吸着等によりシリコンチップをピックアップし得る上限値であると言うことができる。

このような突き上げ量Ａ［μｍ］および突き上げ量Ｂ［μｍ］について、シリコンチップをピックアップする際に、本発明の粘着テープ１００を用いることで、突き上げ量Ａ［μｍ］と突き上げ量Ｂ［μｍ］との差であるＢ－Ａの大きさを、２００μｍ以上（Ｂ－Ａ≧２００μｍ）のように、大きく維持することができる。

したがって、前記工程［４］において、半導体チップ２０（シリコンチップ）から粘着テープ１００を剥離させて、半導体チップ２０を吸着等によりピックアップする際に、ニードル２１０により半導体チップ２０を突き上げる突き上げ量の許容範囲が大きく設定されていることとなる。そのため、半導体チップ２０に対する粘着層２の残存（付着）を的確に抑制または防止しつつ、半導体チップ２０から粘着テープ１００を確実に剥離させることができる。

以下、このような粘着テープ（ダイシングテープ）１００が有する、基材４および粘着層２について、詳述する。

＜基材４＞
基材４は、主として樹脂材料から成り、この基材４上に設けられた粘着層２を支持する機能を有している。また、前記工程［４Ａ］におけるエキスパンド装置を用いた粘着テープ１００の面方向に対する伸長を実現させるためのものである。

かかる樹脂材料としては、特に限定されず、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロピレンのようなポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリイソブチレン等のポリオレフィン系樹脂（オレフィン系高分子）、エチレン－酢酸ビニル共重合体、亜鉛イオン架橋体、ナトリウムイオン架橋体のようなアイオノマー、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン－プロピレン共重合体、エチレン－ブテン共重合体、エチレン－ヘキセン共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂（エステル類高分子）、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンのようなポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー（スチレン系高分子）、ポリプロピレン系熱可塑性エラストマーのようなオレフィン系熱可塑性エラストマー（オレフィン系高分子）、アクリル樹脂、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート（カーボネート系高分子）等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられ、中でも、エステル類高分子、スチレン系高分子、オレフィン系高分子、カーボネート系高分子、アイオノマー、またはこれらの高分子の少なくとも１種が含有されている共重合物であることが好ましく、特に、ポリプロピレンとエラストマーとの混合物、またはポリエチレンとエラストマーとの混合物を用いることが好ましい。

また、このエラストマーとしては、下記一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと、下記一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体（スチレン－イソプレンブロック共重合体：ＳＩＳ）が好ましい。

（一般式（１）中、ｎは２以上の整数を表す。）

（一般式（２）中、ｎは２以上の整数を表す。）

また、基材４は、導電性を有する導電性材料を含有することが好ましい。このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記個片化工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［４Ａ］における、半導体チップ２０での静電気の発生を的確に抑制または防止することができる。

この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、界面活性剤、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属材料、金属酸化物材料および炭素系材料等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらのうち界面活性剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等が挙げられる。

永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）としては、例えば、ポリエーテルとポリオレフィンブロックポリマー系列、ポリエステルアミド系列、ポリエステルアミド、ポリエーテルエステルアミド、ポリウレタン系列等の全てのＩＤＰを用いることができる。

また、金属材料としては、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられ、これらの金属粉が好ましく用いられる。

金属酸化物材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、等が挙げられ、これらの金属酸化物粉が好ましく用いられる。

さらに、炭素系材料としては、カーボンブラック、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェン等が挙げられる。

これらの中でも、導電性材料としては、界面活性剤、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属酸化物材料およびカーボンブラックのうちの少なくとも１種であることが好ましい。これらのものは、抵抗率の温度依存性が小さいものであることから、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７をダイシングする際に、基材４が加熱されたとしても、その表面抵抗値の変化量を小さくすることができる。

さらに、基材４は、鉱油のような軟化剤、炭酸カルシウム、シリカ、タルク、マイカ、クレーのような充填材、酸化防止剤、光安定剤、滑剤、分散剤、中和剤、着色剤等を含有するものであってもよい。

基材４の厚さは、特に限定されないが、例えば、３０μｍ以上１６０μｍ以下であるのが好ましく、８０μｍ以上１２０μｍ以下であるのがより好ましい。基材４の厚さがこの範囲内であると、前記工程［３Ａ］における半導体基板７のダイシングおよび前記工程［４Ａ］における半導体チップ２０のピックアップを、優れた作業性により実施することができる。

さらに、基材４は、その表面に、粘着層２に含まれる構成材料と反応性を有する、ヒドロキシル基、アミノ基のような官能基が露出していることが好ましい。

また、基材４は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。さらに、前記樹脂材料をドライブレンドしたブレンドフィルムで構成されるものであってもよい。

＜粘着層＞
粘着層２は、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７をダイシングする際に、半導体基板７を粘着して支持し、かつ、前記工程［４Ａ］において、粘着層２にエネルギーを付与して粘着層２が硬化することにより、半導体基板７を個片化して得られた半導体チップ２０をピックアップし得る程度の粘着性を有するものであり、具体的には、突き上げ量Ａ［μｍ］と、突き上げ量Ｂ［μｍ］との差（Ｂ－Ａ）が、Ｂ－Ａ≧２００μｍなる関係を満足する粘着性を有している。これにより、半導体チップ２０に対する粘着層２の残存（付着）を的確に抑制または防止しつつ、半導体チップ２０から粘着テープ１００を確実に剥離させることができる。

かかる機能を備える粘着層２は、（１）粘着性を有するベース樹脂と、（２）粘着層２を硬化させる硬化性樹脂と、を主材料として含有する樹脂組成物で構成される。

以下、この樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、詳述する。
（１）ベース樹脂
ベース樹脂は、粘着性を有し、半導体基板７に対する粘着性を粘着層２に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。

このようなベース樹脂としては、アクリル系樹脂（粘着剤）、シリコーン系樹脂（粘着剤）、ポリエステル系樹脂（粘着剤）、ポリ酢酸ビニル系樹脂（粘着剤）、ポリビニルエーテル系樹脂（粘着剤）、スチレン系エラストマー樹脂（粘着剤）、ポリイソプレン系樹脂（粘着剤）、ポリイソブチレン系樹脂（粘着剤）またはウレタン系樹脂（粘着剤）のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられるが、中でも、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。アクリル系樹脂は、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できることから、ベース樹脂として好ましく用いられる。

アクリル系樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルをモノマー主成分とするポリマー（ホモポリマーまたはコポリマー）をベースポリマーとするもののことを言う。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシルのような（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸フェニルのような（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、特に、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できる。

なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルとの双方を含む意味で用いることとする。

アクリル系樹脂は、凝集力、耐熱性等の改質等を目的として、必要に応じて、ポリマーを構成するモノマー成分として、共重合性モノマーを含むものが用いられる。

このような共重合性モノマーとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシルのようなヒドロキシル基含有モノマー、（メタ）アクリル酸グリシジルのようなエポキシ基含有モノマー、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸のようなカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基含有モノマー、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブトキシメチル（メタ）アクリルアミドのようなアミド系モノマー、（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチルアミノエチルのようなアミノ基含有モノマー、（メタ）アクリロニトリルのようなシアノ基含有モノマー、エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン、イソブチレンのようなオレフィン系モノマー、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルトルエンのようなスチレン系モノマー、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルのようなビニルエステル系モノマー、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテルのようなビニルエーテル系モノマー、塩化ビニル、塩化ビニリデンのようなハロゲン原子含有モノマー、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルのようなアルコキシ基含有モノマー、Ｎ－ビニル－２－ピロリドン、Ｎ－メチルビニルピロリドン、Ｎ－ビニルピリジン、Ｎ－ビニルピペリドン、Ｎ－ビニルピリミジン、Ｎ－ビニルピペラジン、Ｎ－ビニルピラジン、Ｎ－ビニルピロール、Ｎ－ビニルイミダゾール、Ｎ－ビニルオキサゾール、Ｎ－ビニルモルホリン、Ｎ－ビニルカプロラクタム、Ｎ－（メタ）アクリロイルモルホリン等の窒素原子含有環を有するモノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これら共重合性モノマーの含有量は、アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分に対して、４０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以下であることがより好ましい。

また、共重合性モノマーは、アクリル系樹脂を構成するポリマーにおける主鎖の末端に含まれるものであってもよいし、その主鎖中に含まれるもの、さらには、主鎖の末端と主鎖中との双方に含まれるものであってもよい。

さらに、共重合性モノマーには、ポリマー同士の架橋等を目的として、多官能性モノマーが含まれていてもよい。

多官能性モノマーとしては、例えば、１，６－ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、エチレン－酢酸ビニルコポリマーおよび酢酸ビニルポリマー等も、共重合性モノマー成分として用いることができる。

なお、このようなアクリル系樹脂（ポリマー）は、単一のモノマー成分または２種以上のモノマー成分の混合物を重合させることにより生成させることができる。また、これらモノマー成分の重合は、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法、懸濁重合方法等の重合方法を用いて実施することができる。

アクリル系樹脂は、前記工程［３Ａ］において、半導体基板７をダイシングする際に、アクリル系樹脂による半導体基板７等の汚染を防止するという観点から、低分子量物の含有量が少ないものであることが好ましい。この場合、アクリル系樹脂の重量平均分子量としては、好ましくは３０万～５００万に設定され、より好ましくは５０万～５００万に設定され、さらに好ましくは８０万～３００万に設定される。なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量が、モノマー成分の種類等によっては、５０万未満であると、半導体基板７等に対する汚染防止性が低下し、その結果、半導体チップ２０を剥離させた際に糊残りが生じるおそれ、すなわち、突き上げ量Ｂ［μｍ］が小さい場合であっても、半導体チップ２０（シリコンチップ）に粘着層２が付着してしまうおそれがある。

なお、アクリル系樹脂は、ヒドロキシル基やカルボキシル基（特に、ヒドロキシル基）のような、架橋剤や光重合開始剤に対して反応性を有する官能基（反応性官能基）を有していることが好ましい。これにより、架橋剤や光重合開始剤がポリマー成分であるアクリル樹脂に連結するため、粘着層２からこれら架橋剤や光重合開始剤が漏出することを的確に抑制または防止することができる。その結果、前記工程［４Ａ］におけるエネルギー線照射時により、粘着層２の半導体基板７に対する粘着性が確実に低下される。

また、このようなベース樹脂（好ましくはアクリル系樹脂）は、そのガラス転移点が－６０℃以上－１０℃未満であることが好ましく、－５５℃以上－２５℃以下であることがより好ましく、－５０℃以上－４０℃以下であることがさらに好ましい。これにより、前記工程［４］において、粘着テープ１００を、突き上げ量Ａ［μｍ］と突き上げ量Ｂ［μｍ］との差（Ｂ－Ａ）がＢ－Ａ≧２００μｍなる関係を満足するものに、比較的容易に設定することができる。

（２）硬化性樹脂
硬化性樹脂は、例えば、エネルギー線の照射により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層２の粘着力が低下する。

このような硬化性樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素－炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレートのような（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物、エステルアクリレートオリゴマー、２－プロペニル－ジ－３－ブテニルシアヌレート等の炭素－炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物、トリス（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２－メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、２－ヒドロキシエチル ビス（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ビス（２－アクリロキシエチル）２－［（５－アクリロキシヘキシル）－オキシ］エチルイソシアヌレート、トリス（１，３－ジアクリロキシ－２－プロピル－オキシカルボニルアミノ－ｎ－ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（１－アクリロキシエチル－３－メタクリロキシ－２－プロピル－オキシカルボニルアミノ－ｎ－ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（４－アクリロキシ－ｎ－ブチル）イソシアヌレートのような炭素－炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物、市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、官能基数が６官能以上であるオリゴマーが含まれることが好ましく、官能基数が１５官能以上であるオリゴマーが含まれることがより好ましい。これにより、エネルギー線の照射により硬化性樹脂をより確実に硬化させることができる。また、このような硬化性樹脂は、ウレタンアクリレートであることが好ましい。これにより、粘着層２に適度な柔軟性を付与することができる。そのため、ピックアップ時に、ニードル２１０により半導体チップ２０を突き上げる際に、粘着層２のニードル２１０が当接する位置において、粘着層２の糊割れが生じるのを的確に抑制または防止することができる。

なお、このウレタンアクリレートとしては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル型またはポリエーテル型等のポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４－トリレンジイソシアナート、２，６－トリレンジイソシアナート、１，３－キシリレンジイソシアナート、１，４－キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４－ジイソシアナート等）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレート（例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート等）を反応させて得られたものが挙げられる。

また、硬化性樹脂には、特に限定されないが、重量平均分子量の異なる２つ以上の硬化性樹脂が混合されているのが好ましい。このような硬化性樹脂を利用すれば、エネルギー線照射による樹脂の架橋度を容易に制御することができ、前記工程［５Ａ］における半導体チップ本体部２３（半導体チップ２０）のピックアップ性を向上させることができる。また、このような硬化性樹脂として、例えば、第１の硬化性樹脂と、第１の硬化性樹脂よりも重量平均分子量が大きい第２の硬化性樹脂との混合物等が用いられてもよい。

硬化性樹脂を、第１の硬化性樹脂と、第２の硬化性樹脂との混合物とする場合、第１の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１００～１０００程度であることが好ましく、２００～５００程度であることがより好ましい。また、第２の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１０００～３００００程度であることが好ましく、１０００～１００００程度であることがより好ましく、２０００～５０００程度であることがさらに好ましい。さらに、第１の硬化性樹脂の官能基数は、１～５官能基であることが好ましく、第２の硬化性樹脂の官能基数は、６官能基以上であることが好ましい。かかる関係を満足することにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。

硬化性樹脂は、ベース樹脂１００重量部に対して５０重量部以上２００重量部以下で配合されることが好ましく、１００重量部以上１８０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように硬化性樹脂の配合量を調整することによって、前記工程［４］において、粘着テープ１００を、突き上げ量Ａ［μｍ］と突き上げ量Ｂ［μｍ］との差（Ｂ－Ａ）がＢ－Ａ≧２００μｍなる関係を満足するものに、比較的容易に設定することができる。

なお、この硬化性樹脂は、前述したアクリル系樹脂として、二重結合導入型アクリル系樹脂を用いた場合、すなわち、炭素－炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているものを用いた場合には、その樹脂組成物中への添加を省略するようにしてもよい。これは、アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、エネルギー線の照射により、二重結合導入型アクリル系樹脂が備える炭素－炭素二重結合の機能によって、粘着層２が硬化し、これにより、粘着層２の粘着力が低下することによる。

（３）光重合開始剤
また、粘着層２は、エネルギー線の照射により半導体基板７に対する粘着性が低下するものであるが、エネルギー線として紫外線等を用いる場合には、硬化性樹脂には、硬化性樹脂の重合開始を容易とするために光重合開始剤を含有することが好ましい。

光重合開始剤としては、例えば、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）－フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン、２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル（２－ヒドロキシ－２－プロピル）ケトン、α－ヒドロキシ－α，α’－ジメチルアセトフェノン、２－メチル－２－ヒドロキシプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）－フェニル］－２－モルホリノプロパン－１、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、２－ヒドロキシメチルフェニルプロパン、２－ナフタレンスルホニルクロリド、１－フェノン－１，１－プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４，４’－ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’－ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’－ジクロロベンゾフェノン、３，３’－ジメチル－４－メトキシベンゾフェノン、ｏ－アクリルオキシベンゾフェノン、ｐ－アクリルオキシベンゾフェノン、ｏ－メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ－メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ－（メタ）アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、１，４－ブタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，２－エタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，８－オクタンジオールモノ（メタ）アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン－４－カルボン酸エステル、チオキサンソン、２－クロロチオキサンソン、２－メチルチオキサンソン、２，４－ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４－ジクロロチオキサンソン、２，４－ジエチルチオキサンソン、２，４－ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β－クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、２－エチルアントラキノン、ｔ－ブチルアントラキノン、２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体、等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、これらの中でも、ベンゾフェノン誘導体およびアルキルフェノン誘導体であることが好ましい。これらの化合物は分子中に反応性官能基として水酸基を備えるものであり、この反応性官能基を介して、ベース樹脂や硬化性樹脂に連結することができ、光重合開始剤としての機能をより確実に発揮させることができる。

光重合開始剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．１重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましく、０．５重量部以上１０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように光重合開始剤の配合量を調整することによって、前記工程［４］において、粘着テープ１００を、突き上げ量Ａ［μｍ］と突き上げ量Ｂ［μｍ］との差（Ｂ－Ａ）がＢ－Ａ≧２００μｍなる関係を満足するものに、比較的容易に設定することができる。

（４）架橋剤
さらに、硬化性樹脂には、架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることで、硬化性樹脂の硬化性の向上が図られる。

架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤、酸無水物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。

イソシアネート系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類等で封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。

また、多価イソシアネートとして、例えば、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、４，４’－ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’－〔２，２－ビス（４－フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート、２，２，４－トリメチル－ヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも２，４－トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネートおよびヘキサメチレンジイソシアネートから成る群より選択される少なくとも１種の多価イソシアネートが好ましい。

架橋剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．０１重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましく、５重量部以上５０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することで、前記工程［４］において、粘着テープ１００を、突き上げ量Ａ［μｍ］と突き上げ量Ｂ［μｍ］との差（Ｂ－Ａ）がＢ－Ａ≧２００μｍなる関係を満足するものに、比較的容易に設定することができる。

（５）導電性材料（帯電防止剤）
さらに、粘着層２を構成する樹脂組成物には、導電性を有する導電性材料を含有することが好ましい。このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記個片化工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［４Ａ］における、半導体チップ２０での静電気の発生が的確に抑制または防止される。

この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、前記基材４に含まれる導電性材料として説明したのと、同様のものを用いることができる。

なお、基材４および粘着層２のうちの一方に導電性材料を含有させる構成とする場合には、基材４に導電性材料を含有させることが好ましい。これにより、半導体チップ２０に導電性材料を確実に付着させることなく、半導体チップ２０での静電気の発生をより的確に抑制または防止することができる。

（６）その他の成分
さらに、粘着層２を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）～（４）の他に他の成分として、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。

なお、これらのうち粘着付与剤としては、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、粘着層２の厚さは、特に限定されないが、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以上１０μｍ以下であるのがより好ましい。粘着層２の厚さをかかる範囲内とすることで、粘着層２を、前記個片化工程［３Ａ］において、半導体基板７に対する良好な粘着力を発揮し、かつ、前記ピックアップ工程［４Ａ］において、粘着層２と半導体基板７との間において、良好な剥離性を発揮する程度の粘着性を備えるもの、すなわち、差（Ｂ－Ａ）を、Ｂ－Ａ≧２００μｍなる関係を満足するものとできる。

さらに、粘着層２は、粘着層２を硬化させた後（硬化後）の２５℃における貯蔵弾性率が１．０ｘ１０＾８Ｐａ以上１．０ｘ１０＾１０Ｐａ以下であることが好ましく、
５．０ｘ１０＾８Ｐａ以上５．０ｘ１０＾９Ｐａ未満であることがより好ましい。これにより、前記ピックアップ工程［４Ａ］において、ニードル２１０により半導体チップ２０を突き上げる際に、ニードル２１０に対するクッション層としての機能を発揮することから、粘着層２のニードル２１０が当接する位置において、粘着層２の糊割れが生じるのを的確に抑制または防止することができる。

なお、粘着層２は、異なる前記樹脂組成物で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。

以上のような粘着テープ１００は、前述の通り、突き上げ量Ａ［μｍ］と、突き上げ量Ｂ［μｍ］との差（Ｂ－Ａ）は、Ｂ－Ａ≧２００μｍなる関係を満足すればよいが、４００μｍ≦Ｂ－Ａ≦１２００μｍなる関係を満足するのが好ましく、８００μｍ≦Ｂ－Ａ≦１２００μｍなる関係を満足するのがより好ましい。このように、Ｂ－Ａの大きさを、より大きく維持することで、前記工程［４］において、半導体チップ２０に対する粘着層２の残存（付着）をより的確に抑制または防止しつつ、半導体チップ２０から粘着テープ１００をより確実に剥離させることができる。

また、シリコンチップを、ニードル２１０を用いて、ニードル２１０の突き上げ量を５００［μｍ］として突き上げた際に、ニードル２１０が当接する位置で、粘着層２に割れ（糊割れ）が生じたときに、ニードル２１０の中心から割れが生じている位置の最長距離は、６００μｍ以下であることが好ましく、４００μｍ以下であることがより好ましい。ニードル２１０を５００［μｍ］突き上げた際の糊割れの大きさを、上記のように小さく設定することで、割れた粘着層２がシリコンチップに付着するようになる突き上げ量Ｂを大きく設定することができるため、結果として、Ｂ－Ａの大きさを、より大きく維持することができるようになる。

次に、かかる構成の半導体基板加工用粘着テープ１００は、例えば、以下のようにして製造することができる。

＜半導体基板加工用粘着テープの製造方法＞
図６は、図５に示す半導体基板加工用粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［１Ｂ］まず、基材４を用意する（図６（ａ）参照。）
基材４の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、カレンダー法、インフレーション押出し法、Ｔダイ押出し法のような押出成形法、湿式キャスティング法等の一般的な成形方法が挙げられる。なお、基材４が積層体で構成される場合、かかる構成のその基材４の製造方法としては、例えば、共押出し法、ドライラミネート法等の成形方法が用いられる。

また、基材４は、無延伸で用いることができ、さらに、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いるようにしてもよい。

［２Ｂ］次に、基材４の上面に粘着層２を形成する（図６（ｂ）参照。）。
基材４の表面（上面）には、基材４と粘着層２との密着性を向上させることを目的に、コロナ処理、クロム酸処理、マット処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理、プライマー処理、アンカーコート処理のような表面処理が施されていてもよい。

また、粘着層２は、基材４上に、粘着層２の構成材料である樹脂組成物を溶剤に溶解してワニス状にした液状材料を、塗布または散布した後、溶剤を揮発させて粘着層２を形成することにより得ることができる。

なお、溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホルムアルデヒド等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、基材４上への液状材料の塗布または散布は、例えば、ダイコート、カーテンダイコート、グラビアコート、コンマコート、バーコートおよびリップコート等の方法を用いて行うことができる。

［３Ｂ］次に、基材４上に形成された粘着層２に対して、中心側と外周側とが分離されるように、粘着層２の厚さ方向に基材４を残存させて円環状に粘着層２の一部を除去することにより、粘着層２を中心部１２２と外周部１２１とを備えるものとする（図６（ｃ）参照。）。

粘着層２の一部を円環状に除去する方法としては、例えば、除去すべき領域を取り囲むように打ち抜いた後、この打ち抜かれた領域に位置する粘着層２を除去する方法が挙げられる。

また、除去すべき領域に対する打ち抜きは、例えば、ロール状金型を用いる方法や、プレス金型を用いる方法を用いて行うことができる。中でも、連続的に粘着テープ１００を製造することができるロール状金型を用いる方法が好ましい。

なお、本工程では、粘着層２の一部をリング状（円形状）に打ち抜いて中心部１２２と外周部１２１とを形成したが、粘着層２の一部を打ち抜く形状は、前述した半導体装置の製造方法において、粘着層２の外周部１２１をウエハリングで固定できる形状となっていれば如何なる形状のものであってもよい。具体的には、打ち抜く形状としては、例えば、上述した円形状の他、楕円状、俵型状のような長円状や、四角形状、五角形状のような多角形状等が挙げられる。

［４Ｂ］次に、基材４上に形成された粘着層２に対して、セパレーター１を積層することにより、粘着層２がセパレーター１で被覆された粘着テープ１００を得る（図６（ｄ）参照。）。

粘着層２にセパレーター１を積層する方法としては、特に制限されないが、例えば、ロールを用いたラミネート方法、プレスを用いたラミネート方法を用いることができる。これらの中でも、連続的に生産できるという生産性の観点から、ロールを用いたラミネート方法が好ましい。

なお、セパレーター１としては、特に限定されないが、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等が挙げられる。

また、セパレーター１は、粘着テープ１００の使用時に剥がされるために、表面を離型処理されたものを使用してもよい。離型処理としては離型剤をセパレーター１表面にコーティングする処理や、セパレーター１表面に細かい凹凸をつける処理等が挙げられる。なお、離型剤としては、シリコーン系、アルキッド系、フッ素系等のものが挙げられる。

以上のような工程を経て、セパレーター１で被覆された粘着テープ１００を形成することができる。

なお、本実施形態で製造されたセパレーター１で被覆された粘着テープ１００は、前述した粘着テープ１００を用いた半導体装置の製造方法において、粘着テープ１００をセパレーター１から剥離した後に使用される。

また、セパレーター１が被覆する粘着層２から、このセパレーター１を剥がす際には、粘着層２の面に対してセパレーター１を９０°以上１８０°以下の角度で剥離を行うことが好ましい。セパレーター１を剥離する角度を前記範囲とすることで、粘着層２とセパレーター１との界面以外での剥離を確実に防止することができる。

以上、本発明の半導体基板加工用粘着テープについて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

例えば、本発明の半導体基板加工用粘着テープが備える各層には、同様の機能を発揮し得る、任意の成分が添加されていてもよく、あるいは、基材は、前記実施形態で説明したように、１層で構成されるものの他、複数の層で構成されるものであってもよく、例えば、前述した基材の粘着層とは反対側の面に、帯電防止層を備えるものであってもよい。

また、半導体基板加工用粘着テープが備える各層の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。

さらに、半導体基板加工用粘着テープを用いて形成する半導体装置の構成によっては、半導体装置１０が備えるモールド部１７の形成を省略することもできる。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。

１．原材料の準備
まず、実施例および比較例の半導体基板加工用粘着テープの製造に用いた原材料を以下に示す。

（樹脂材料１）
樹脂材料１として、ポリプロピレン６０重量部と、下記一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと下記一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体４０重量部とを含有するものを用意した。

（式（１）中、ｎは２以上の整数）

（式（２）中、ｎは２以上の整数）

（ベース樹脂１～４）
ベース樹脂１～４は、それぞれ、アクリル酸ブチル、アクリル酸、メタクリル酸ブチル、２－エチルヘキシルアクリレート、Ｎ，Ｎ－ジメチルアクリルアミドのうちの少なくとも２種を混合し、常法によりトルエン溶媒中にて溶液重合させてアクリル共重合体を生成することにより得た。

また、ベース樹脂（アクリル共重合体）１～４におけるガラス転移点および重量平均分子量は、それぞれ、以下に示す通りであった。

ベース樹脂１（ガラス転移点：－１４℃、重量平均分子量：５０万）
ベース樹脂２（ガラス転移点：－３０℃、重量平均分子量：６５万）
ベース樹脂３（ガラス転移点：－４５℃、重量平均分子量：５０万）
ベース樹脂４（ガラス転移点：－１０℃、重量平均分子量：６５万）

（硬化性樹脂１）
硬化性樹脂１として、１５官能のオリゴマーのウレタンアクリレート（Ｍｉｗｏｎ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製、品番：Ｍｉｒａｍｅｒ ＳＣ２１５２）を用意した。

（架橋剤１）
架橋剤１として、ポリイソシアネート（日本ポリウレタン工業社製、品番：コロネートＬ）を用意した。

（光重合開始剤１）
光重合開始剤１として、ベンジルジメチルケタール（チバスペシャルティケミカルズ社製、品番：イルガキュア６５１）を用意した。

（導電性材料１）
導電性材料１として、ペレスタット２３０（三洋化成工業社製）を用意した。

２．半導体基板加工用粘着テープの作製
［実施例１］
樹脂材料１（８５重量部）と導電性材料１（１５重量部）とを２軸混練機で混練した後、混練したものを押出し機で押し出して、厚さ１００μｍの基材４を作製した。

次に、ベース樹脂１（１００重量部）、硬化性樹脂１（ベース樹脂１００重量部に対して８５重量部）、架橋剤１（ベース樹脂１００重量部に対して５重量部）および光重合開始剤１（ベース樹脂１００重量部に対して３重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層２の厚さが２０μｍになるようにして基材４にバーコート塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、基材４の上面（一方の面）に粘着層２を形成した。

［実施例２］
樹脂組成物における硬化性樹脂１の含有量を、ベース樹脂１００重量部に対して１７５重量部として粘着層２を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして半導体基板加工用粘着テープを作製した。

［実施例３］
樹脂組成物において、硬化性樹脂１に代えて硬化性樹脂２を用いて粘着層２を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして半導体基板加工用粘着テープを作製した。

［実施例４］
樹脂組成物における硬化性樹脂２の含有量を、ベース樹脂１００重量部に対して１７５重量部として粘着層２を形成したこと以外は、前記実施例３と同様にして半導体基板加工用粘着テープを作製した。

［実施例５］
樹脂組成物において、硬化性樹脂１に代えて硬化性樹脂３を用いて粘着層２を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして半導体基板加工用粘着テープを作製した。

［実施例６］
樹脂組成物における硬化性樹脂３の含有量を、ベース樹脂１００重量部に対して１７５重量部として粘着層２を形成したこと以外は、前記実施例５と同様にして半導体基板加工用粘着テープを作製した。

［比較例１］
樹脂組成物において、硬化性樹脂１に代えて硬化性樹脂４を用いて粘着層２を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして半導体基板加工用粘着テープを作製した。

［比較例２］
樹脂組成物における硬化性樹脂４の含有量を、ベース樹脂１００重量部に対して１７５重量部として粘着層２を形成したこと以外は、前記比較例１と同様にして半導体基板加工用粘着テープを作製した。

３．評価
得られた実施例および比較例の半導体基板加工用粘着テープを、以下の方法で評価した。

３－１．突き上げ時における、突き上げ量等の測定
シリコンで構成されるシリコン基板（ＳＵＭＣＯ社製、６５０μｍ）を用意し、＃３２０番手のホイールにて厚さ２３０μｍのこのシリコン基板を得た後、厚さ２００μｍに＃２０００番ホイールにて研削した後の研削面に、各実施例および各比較例の半導体基板加工用粘着テープ１００を、粘着層２をシリコン基板側にして固定した。その後、シリコン基板を切断して個片化することで縦６ｍｍ×横６ｍｍの大きさの複数のシリコンチップを得た後、粘着層２に紫外線を照射することでエネルギーを付与して前記粘着層を硬化させた。

なお、硬化後の２５℃における粘着層の貯蔵弾性率を、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツルメンツ社製、「型番ＤＭＳ６１００」）を用いて測定したところ、２．０ｘ１０＾９Ｐａであった。

次いで、シリコンチップを、先端直径が１００μｍの４つのニードル２１０を用いて、シリコンチップの４つの頂部に対応して、ニードル２１０同士の離間距離が縦４ｍｍ×横４ｍｍとなる大きさで突き上げた。

この際に、シリコンチップと粘着テープ１００との間で剥離が生じたときのニードル２１０の突き上げ量を、突き上げ量Ａ［μｍ］として測定した。

また、ニードル２１０が当接する位置で、粘着層２に割れが生じ、かつ、割れた粘着層２がシリコンチップに残存する粘着層付着が生じたときのニードル２１０の突き上げ量を、突き上げ量Ｂ［μｍ］として測定した。

さらに、ニードル２１０による突き上げの突き上げ量を５００［μｍ］とした際に、ニードル２１０が当接する位置で、粘着層２に割れが生じている場合には、ニードル２１０の中心から前記割れが生じている位置の最長距離［μｍ］を測定した。

３－２．シリコンチップのピックアップ性の評価
シリコンで構成されるシリコン基板（ＳＵＭＣＯ社製）を用意し、常法により削りして厚さ２３０μｍのこのシリコン基板を得た後、厚さ２００μｍに＃２０００番ホイールにて研削した後の研削面に、各実施例および各比較例の半導体基板加工用粘着テープ１００を、粘着層２をシリコン基板側にして固定した。その後、シリコン基板を切断して個片化することで縦６ｍｍ×横６ｍｍの大きさの複数のシリコンチップを得た後、粘着層２に紫外線を照射することでエネルギーを付与して前記粘着層を硬化させた。

次いで、シリコンチップを、先端直径が１００μｍの４つのニードル２１０を用いて、シリコンチップの４つの頂部に対応して、ニードル２１０同士の離間距離が縦４ｍｍ×横４ｍｍとなる大きさで、ニードル２１０の突き上げ量を５００［μｍ］として、突き上げた。

次いで、ニードル２１０によるシリコンチップの突き上げを維持した状態で、真空コレットによる吸着により、シリコンチップをピックアップした。

以上のような、ニードル２１０でシリコンチップを突き上げた状態とした、吸着によるシリコンチップのピックアップを、各実施例および比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープについて、それぞれ、５０個ずつ繰り返して実施した。

そして、各実施例および比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープについて、それぞれ、シリコンチップの吸着によるピックアップの成否から、以下の基準にしたがって評価した。

◎：５０個のシリコンチップについて、
粘着層付着を生じることなくピックアップすることができた
〇：４８個以上５０個未満のシリコンチップについて、
粘着層付着を生じることなくピックアップすることができた
△：４５個以上４８個未満のシリコンチップについて、
粘着層付着を生じることなくピックアップすることができた
×：４５個未満のシリコンチップについて、
粘着層付着を生じることなくピックアップすることができた
以上のようにして実施した、各種評価の評価結果を表１に示す。

表１に示したように、各実施例の半導体用ウエハ加工用粘着テープでは、Ｂ－Ａ≧２００μｍなる関係を満足することにより、ニードル２１０による突き上げにより、シリコンチップ（半導体素子）から半導体基板加工用粘着テープを剥離させて、シリコンチップをピックアップする際に、シリコンチップに対する粘着層の残存を抑制しつつ、シリコンチップから半導体基板加工用粘着テープを剥離させることができた。

これに対して、各比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープでは、Ｂ－Ａが２００μｍ超となっていることに起因して、シリコンチップをピックアップする際に、シリコンチップに対して粘着層が残存することとなり、シリコンチップのピックアップ性が低下する結果を示した。

１ セパレーター
２ 粘着層
４ 基材
７ 半導体基板
９ ウエハリング
１０ 半導体装置
１７ モールド部
２０ 半導体チップ
２１ 端子
２３ 半導体チップ本体部
３０ インターポーザー
４１ 端子
７０ バンプ
８０ 封止層
８１ 接続部
８５ 半田バンプ
１００ 半導体基板加工用粘着テープ
１２１ 外周部
１２２ 中心部
２００ テーブル
２１０ ニードル

Claims (7)

1. 基材と、該基材の一方の面に積層された粘着層とを備え、
   前記粘着層上に、半導体基板を固定した状態で、前記半導体基板から前記基材の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、前記半導体基板を個片化することで複数の半導体チップを形成し、その後、前記粘着層にエネルギーを付与することで前記粘着層を硬化させた後、該半導体チップを、前記基材側から突き上げた状態で、前記基材の反対側から引き抜くことで、前記粘着層から分離する際に用いられる半導体基板加工用粘着テープであって、
   前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、
   厚さ２３０μｍのシリコン基板を厚さ２００μｍに研削した後の研削面に、当該半導体基板加工用粘着テープを、前記粘着層を前記シリコン基板の前記研磨面側にして固定し、その後、前記シリコン基板を切断して個片化することで縦６ｍｍ×横６ｍｍの大きさのシリコンチップを得た後、前記粘着層にエネルギーを付与して前記粘着層を硬化させた状態で、
   前記シリコンチップを、先端直径が１００μｍの４つのニードルを用いて、離間距離が縦４ｍｍ×横４ｍｍとなる大きさで突き上げた際に、前記シリコンチップと当該半導体基板加工用粘着テープとの間で剥離が生じたときの前記ニードルの突き上げ量をＡ［μｍ］とし、
   前記シリコンチップを、前記ニードルを用いて突き上げた際に、前記ニードルが当接する位置で、前記粘着層に割れが生じ、かつ、割れた前記粘着層が前記シリコンチップに残存する粘着層付着が生じたときの前記ニードルの突き上げ量をＢ［μｍ］としたとき、
   Ｂ－Ａ≧２００μｍなる関係を満足することを特徴とする半導体基板加工用粘着テープ。
2. 前記シリコンチップを、前記ニードルを用いて、前記ニードルの突き上げ量を５００［μｍ］として突き上げた際に、前記ニードルが当接する位置で、前記粘着層に割れが生じたときに、前記ニードルの中心から前記割れが生じている位置の最長距離は、９００μｍ以下である請求項１に記載の半導体基板加工用粘着テープ。
3. 前記ベース樹脂は、そのガラス転移点が－６０℃以上－１０℃未満であるである請求項１または２に記載の半導体基板加工用粘着テープ。
4. 前記粘着層は、前記硬化性樹脂の含有量が前記ベース樹脂１００重量部に対して、５０重量部以上２００重量部以下である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体基板加工用粘着テープ。
5. 前記粘着層は、前記硬化後の２５℃における貯蔵弾性率が１．０ｘ１０＾８Ｐａ以上１．０ｘ１０＾１０Ｐａ以下である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体基板加工用粘着テープ。
6. 前記粘着層は、その厚さが５μｍ以上５０μｍ以下である請求項１ないし５のいずれか１項に記載の半導体基板加工用粘着テープ。
7. 前記基材は、その厚さが３０μｍ以上１６０μｍ以下である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の半導体基板加工用粘着テープ。

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