JP2023022780A - 粘着テープ - Google Patents

Abstract

【課題】基板または部品のような被着体の上面を優れた精度で研削・研磨することができ、かつ、この研削・研磨の後に、被着体から粘着テープを、優れた精度で剥離させることができる粘着テープを提供すること。【解決手段】粘着テープ１００は、基材５と、粘着層２とを備え、粘着層２は、エネルギーの付与により、粘着層２上に積層された基板または部品に対する粘着力が低下するものであり、また、前記エネルギーの付与前において、回転レオメーターを用いて、温度２５℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１Ｈｚで測定した複素粘度η＊（２５℃、１Ｈｚ）が５．０×１０５ｍＰａ・ｓ以上９．５×１０６ｍＰａ・ｓ以下であり、かつ、温度８０℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１００Ｈｚで測定した複素粘度η＊（８０℃、１００Ｈｚ）が１．０×１０５ｍＰａ・ｓ以上５．０×１０６ｍＰａ・ｓ以下である。【選択図】図２

Description

本発明は、基板または部品を仮固定して用いられる粘着テープに関するものである。

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。

この半導体装置としては、部品としての半導体素子を基板上に実装してモジュール化したものが挙げられるが、この半導体装置を、一括して複数製造する製造方法として、例えば、半導体素子をウエハー・レベル・半導体装置（ＷＬＰ）に封止して埋め込む基板技術（ＦＯＷＬＰ；Ｆａｎ Ｏｕｔ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

かかる製造方法では、例えば、まず、支持基板を用意し、その後、この支持基板上に剥離層と粘着層とをこの順で積層した後に、複数の半導体素子を、このものが有する電極パッドが支持基板の反対側となるように載置する。

その後、支持基板に載置された半導体素子を覆うように封止部で封止することで、支持基板上に、複数の半導体素子が封止部により封止された半導体封止連結体を形成する。

次いで、支持基板と、粘着層とを半導体封止連結体から取り除くことにより、基板としての半導体封止連結体を得る。

次いで、基材と、この基材上に積層された粘着層とを備える粘着テープを用意し、その後、この粘着テープの粘着層上に、得られた半導体封止連結体を、前述した支持基板と同様に、このものが備える半導体素子が有する電極パッドが粘着テープの反対側となるように載置する。

次いで、半導体素子を覆う封止部の上面、すなわち半導体封止連結体の上面を研削・研磨することで、半導体素子が有する電極パッドを半導体封止連結体の上面から露出させるとともに、半導体封止連結体の薄型化および軽量化を図る。

そして、研削・研磨された半導体封止連結体から粘着テープを剥離させた後に、この半導体封止連結体の前記電極パッドが露出する側の面（上面）に対して、この電極パッドに電気的に接続された、配線およびバンプ等を備える回路基板を形成した後に、半導体封止連結体と回路基板とを、その厚さ方向に対して、封止された半導体素子毎に切断して個片化することで、複数の半導体装置を一括して得る。

以上のようにして、複数の半導体装置を一括して製造することができるが、上述した半導体封止連結体の上面に対する研削・研磨を、優れた精度で実施し、さらに、この研削・研磨の後に、半導体封止連結体から粘着テープを、優れた精度で剥離させるには、粘着テープが備える粘着層上に、半導体封止連結体を、このものが備える半導体素子が有する電極パッドが粘着テープの反対側となるように載置した際に、半導体封止連結体と粘着層との間に気泡が噛み込まないこと、また、半導体封止連結体の上面に対する研削・研磨の際に、半導体封止連結体が、粘着テープが備える粘着層上に安定的に固定されていること、さらには、半導体封止連結体から粘着テープを剥離させる際に、半導体封止連結体に対して糊残りが生じないことの３点を満足していることが求められるが、これら３点の全てを満足させることは技術的に困難であった。

特開２０１３－５８５２０号公報

本発明の目的は、半導体封止連結体を含む各種基板または各種部品のような被着体を粘着テープで固定する際に、被着体と粘着層との間に気泡が噛み込まないこと、被着体の上面を研削・研磨する際に、粘着テープからの被着体の位置ズレが的確に抑制または防止されていること、および、被着体から粘着テープを剥離させる際に、被着体に対して糊残りが生じないことを満足して、優れた精度で被着体の上面を研削・研磨することができ、かつ、この研削・研磨の後に、被着体から粘着テープを、優れた精度で剥離させることができる粘着テープを提供することにある。

このような目的は、下記（１）～（８）に記載の本発明により達成される。
（１） 樹脂材料を含有する基材と、該基材の一方の面に積層された粘着層と、を備える積層体により構成され、基板または部品を仮固定して用いられる粘着テープであって、
前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、前記エネルギーの付与により、前記粘着層上に積層された前記基板または部品のうちの少なくとも一方に対する粘着力が低下するものであり、また、
前記エネルギーの付与前において、回転レオメーターを用いて、温度２５℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１Ｈｚで測定した複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）が５．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上９．５×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であり、かつ、温度８０℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１００Ｈｚで測定した複素粘度η^＊（８０℃、１００Ｈｚ）が１．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上５．０×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であることを特徴とする粘着テープ。

（２） 前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である上記（１）に記載の粘着テープ。
（３） 前記硬化性樹脂は、ウレタンアクリレートおよびビスフェノールＡ系のエポキシアクリレートのうちの少なくとも１種である上記（１）または（２）に記載の粘着テープ。

（４） 当該粘着テープは、前記基板を仮固定した状態で、前記粘着層上に積層された前記基板の前記粘着層と反対の面側を研削して、その厚さを薄くする研削加工を施す際に用いられるものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の粘着テープ。

（５） 前記基板は、複数の半導体素子が封止材により封止された半導体封止連結体であり、
当該粘着テープは、前記半導体素子が有する電極パッドが、前記粘着層の反対側となるように、前記半導体封止連結体を、当該粘着テープに仮固定した状態で、前記半導体封止連結体の前記粘着層と反対の面側を研削して、前記封止材から前記電極パッドを露出させる際に用いられるものである上記（４）に記載の粘着テープ。

（６） 当該粘着テープは、下記要件Ａを満足する上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の粘着テープ。
要件Ａ：エポキシ樹脂を主材料として含有し、板状をなす樹脂基板上に、当該粘着テープを貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与前において、２５℃環境下において、当該粘着テープの一端を持ち、３０°の方向にて３０００ｍｍ／分の速度で、当該粘着テープを引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度が６０ｃＮ／２０ｍｍ以上２００ｃＮ／２０ｍｍ以下であること。

（７） 前記粘着層は、その厚さが１５μｍ以上３０μｍ以下である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の粘着テープ。

（８） 前記基材は、前記粘着層と反対側の表面における表面抵抗率が１．０×１０^１５（Ω／□）以下である上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の粘着テープ。

本発明によれば、粘着テープが備える粘着層は、このものに対するエネルギーの付与前において、回転レオメーターを用いて、温度２５℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１Ｈｚで測定した複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）が５．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上９．５×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であり、かつ、温度８０℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１００Ｈｚで測定した複素粘度η^＊（８０℃、１００Ｈｚ）が１．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上５．０×１０^６ｍＰａ・ｓ以下に設定されている。そのため、半導体封止連結体を含む各種基板または各種部品のような被着体を粘着テープで固定する際に、被着体と粘着層との間に気泡が噛み込むのを的確に抑制または防止することができる。そして、前記被着体の上面を研削・研磨する際に、粘着テープからの前記被着体の位置ズレを的確に抑制または防止して、優れた精度で前記被着体の上面を研削・研磨することができる。さらに、前記研削・研磨の後に、被着体から粘着テープを剥離させる際に、被着体に対して糊残りが生じるのを的確に抑制または防止することができる。

本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。 本発明の粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。

以下、本発明の粘着テープについて詳細に説明する。
まず、本発明の粘着テープを説明するのに先立って、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置について説明する。

＜半導体装置＞
図１は、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

半導体装置２０は、ＦＯＷＬＰ型の半導体装置であり、図１に示すように、半導体素子２６と、半導体素子２６の下面側を、この半導体素子２６が備える電極パッド２６１を露出させつつ封止する封止部２７（モールド部）と、半導体素子２６の下面側を、封止部２７を介して被覆し、かつ半導体素子２６が備える電極パッド２６１を露出させるように設けられた、開口部２５１を備える第１被覆部２５と、開口部２５１を埋め、かつ第１被覆部２５の一部を覆うことで半導体素子２６が備える電極パッド２６１に電気的に接続された配線２３と、配線２３に電気的に接続されたバンプ（端子）２１と、配線２３を被覆し、かつバンプ２１を露出させるように設けられた第２被覆部２２とを有している。

半導体素子２６（半導体チップ）は、電極パッド２６１をその下面側に有し、この電極パッド２６１が露出するように半導体素子２６の下面側が封止部２７で被覆されており、また、この電極パッド２６１に対応して第１被覆部２５が備える開口部２５１が配置されるように、第１被覆部２５が半導体素子２６の下面側に封止部２７を介して形成されている。

かかる位置に半導体素子２６に対して第１被覆部２５が配置された状態で、封止部２７は、前記の通り、電極パッド２６１を露出させるように半導体素子２６の下面側を被覆するとともに、第１被覆部２５の上面側をほぼ全て覆うように形成される。なお、本実施形態では、封止部２７は、半導体素子２６の上面側を被覆しておらず、半導体素子２６は、半導体装置２０において、その上面を露出している。

第１被覆部２５は、半導体素子２６の下面側を被覆する被覆層であり、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされ、平面視において半導体素子２６を包含するように半導体素子２６に対して大きく形成され、これにより、第１被覆部２５を覆うように形成される配線２３、ひいては、この配線２３に電気的に接続して設けられるバンプ２１を形成する位置の選択性の幅が広がる。この第１被覆部２５には、半導体素子２６が備える電極パッド２６１に対応して、その厚さ方向に貫通する複数（本実施形態では３つ）の開口部２５１（スルーホール）が形成されている。

また、第１被覆部２５の下面には、所定形状に形成された配線２３が開口部２５１を埋めるように設けられ、この配線２３が開口部２５１における上側の端部で、半導体素子２６が備える電極パッド２６１と電気的に接続される。

さらに、配線２３の下面には、バンプ２１が電気的に接続されており、これにより、半導体素子２６とバンプ２１とが、電極パッド２６１および配線２３を介して電気的に接続される。

そして、バンプ２１をその下側から露出させるための開口部２２１を備える第２被覆部２２が配線２３を被覆するように設けられている。

なお、上述した半導体装置２０が備える各部のうち、配線２３、第２被覆部２２およびバンプ２１により半導体素子２６に電気的に接続された配線層が構成される。

以上のような構成をなす半導体装置２０は、本発明の粘着テープを用いた半導体装置の製造方法により、以下のようにして製造される。

＜半導体装置の製造方法＞
以下、本発明の粘着テープを用いた半導体装置２０の製造方法の一例について詳述する。

この半導体装置２０の製造方法は、本実施形態では、いわゆるFace Up Die First型の方法であり、平板状をなし、上面に粘着層が形成された支持基板を用意し、粘着層を介して、この支持基板上に、電極パッドが支持基板の反対側となるように半導体素子を配置する配置工程と、半導体素子が配置されている側の面に、支持基板と半導体素子とを覆うように封止して封止部を形成することにより、支持基板上に半導体封止連結体を得る封止部形成工程と、半導体封止連結体と粘着層との積層体から支持基板を剥離した後に、半導体封止連結体から粘着層を剥離する第１剥離工程と、本発明の粘着テープを用意し、粘着テープが備える粘着層上に、半導体素子が備える電極パッドが粘着層の反対側となるように半導体封止連結体を接合（仮固定）する接合工程と、半導体封止連結体の上面を研削および／または研磨する研削・研磨工程と、半導体封止連結体から粘着テープを剥離する第２剥離工程と、半導体封止連結体の電極パッドが形成されている面側に、この電極パッドが露出するように、開口部を備える第１被覆部を形成する第１被覆部形成工程と、第１被覆部の半導体封止連結体とは反対の面側に、第１被覆部が備える開口部で露出する電極パッドに電気的に接続する配線を形成する配線形成工程と、半導体封止連結体とは反対の面側に、配線の一部が露出するように、開口部を備える第２被覆部を形成する第２被覆部形成工程と、開口部で露出する前記配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程と、半導体素子毎に対応するように、半導体封止連結体を個片化することにより、複数の半導体装置を一括して得る個片化工程とを有する。

図２、図３は、図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図２、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［１］まず、図２（ａ）に示すように、上面に粘着層１０２が形成された支持基板１０１を用意し、粘着層１０２を介して支持基板１０１上に、複数の半導体素子２６を、このものが有する電極パッド２６１が支持基板１０１の反対側（上側）となるように配置（載置）する（配置工程）。

なお、本工程において支持基板１０１上に配置される半導体素子２６を、予め評価試験を行い良品と判断されたものを選定する構成とすることにより、本実施形態で一括して製造される半導体装置２０の歩留まりの向上を図ることができるとともに、信頼性の高い半導体装置２０が得られる。

この支持基板１０１は、半導体素子２６を支持し得る程度の硬度を有するものが用いられ、例えば、金属基板、ガラス基板、コア材で構成されるコア基板、ビルドアップ材で構成されるビルドアップ基板のようなリジット基板（硬性基板）またはフレキシブル基板（可撓性基板）が用いられる。

また、粘着層１０２は、本工程［１］～後工程［３］において、支持基板１０１に半導体素子２６を接着（接合）する機能を有し、かつ、後工程［４］、後工程［５］において、支持基板１０１、および、半導体封止連結体２７０（半導体素子２６）を剥離させ得る程度の強度で半導体素子２６に接着するものが選択される。

［２］次に、支持基板１０１の上面、すなわち半導体素子２６が配置され、この半導体素子２６の電極パッド２６１が形成されている側の面を、支持基板１０１と半導体素子２６とを覆うように封止部２７を形成する（図２（ｂ）参照。；封止部形成工程）。

これにより、粘着層１０２を介して、支持基板１０１上に、複数の半導体素子２６が封止部２７により封止された半導体封止連結体２７０を得る。なお、この際、半導体素子２６が備える電極パッド２６１が封止部２７から露出することなく、電極パッド２６１の全体が封止部２７中に埋没される厚さとなるまで、半導体素子２６を封止部２７で被覆する。

封止部２７を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、金型が備える凹部内に顆粒状のエポキシ樹脂組成物を収納した状態で、支持基板１０１、半導体素子２６を覆うように支持基板１０１の上面を、このエポキシ樹脂組成物に接触させた後、金型を用いてエポキシ樹脂組成物を加熱・圧縮成形する方法（コンプレッションモールド成形方法）が挙げられる。かかる方法によれば、半導体素子２６を支持基板１０１上において容易かつ高密度に封止部２７で封止することができる。

また、エポキシ樹脂組成物で構成される封止部２７により支持基板１０１上に配置された半導体素子２６を取り囲むようにして半導体素子２６を封止する構成とすることにより、支持基板１０１と封止部２７との間での熱線膨張係数の差を小さく設定することができる。これにより、支持基板１０１から半導体封止連結体２７０を剥離する際には、通常、これらを加熱することになるが、この際に、支持基板１０１と封止部２７との間で反りが生じ、これに起因して、封止部２７に亀裂が生じてしまうのを的確に抑制または防止することができる。

顆粒状のエポキシ樹脂組成物は、その構成材料として、エポキシ樹脂を含有するものである。

このエポキシ樹脂としては、例えば、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量および分子構造を特に限定するものではない。具体的には、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格含有ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の３官能型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、テルペン変性フェノール型エポキシ樹脂等の変性フェノール型エポキシ樹脂；トリアジン核含有エポキシ樹脂等の複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、エポキシ樹脂組成物は、その構成材料として、無機充填材を含有しているものであってもよい。

無機充填材としては、特に限定されず、例えば、溶融破砕シリカ、溶融球状シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ等のシリカ；アルミナ；チタンホワイト；水酸化アルミニウム；タルク；クレー；マイカ；ガラス繊維等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、特に溶融球状シリカが好ましい。

［３］次に、図２（ｃ）に示すように、半導体封止連結体２７０と粘着層１０２との積層体から支持基板１０１を剥離した後に、さらに、半導体封止連結体２７０（半導体素子封止体）から粘着層１０２を引き剥がすことにより、半導体封止連結体２７０から粘着層１０２を剥離する（取り除く）（第１剥離工程）。

これにより、半導体封止連結体２７０の下面が粘着層１０２により被覆された積層体が得られた後に、半導体封止連結体２７０を、その下側の面側（他方の面側）から半導体素子２６の電極パッド２６１と反対側の面（下面）が露出した状態で得ることができる。

なお、支持基板１０１の剥離は、例えば、支持基板１０１の一端を指または把持部を備える治具等で持ち、その後、この状態で支持基板１０１を、一端側から他端側に向かって、順次、引き剥がすことにより行うことができる。また、粘着層１０２の剥離は、例えば、粘着層１０２の一端を指または把持部を備える治具等で持ち、その後９０°以上１８０°以下の方向を維持した状態で粘着層１０２を引き剥がすことにより行うことができる。

また、上記の配置工程［１］、封止部形成工程［２］および第１剥離工程［３］および第２剥離工程［５］を経ることにより、半導体素子２６が備える電極パッド２６１が露出していない状態で、複数の半導体素子２６が封止部２７により封止された半導体封止連結体２７０を製造することができる。

［４］次に、図２（ｄ）に示すように、基材５と、この基材５上に積層された粘着層２とを備える粘着テープ１００を用意し、この粘着テープ１００の粘着層２上に、半導体封止連結体２７０を、このものが備える半導体素子２６が有する電極パッド２６１が粘着テープ１００と反対側（上側）となるように接合することで固定（仮固定）する（接合工程）。

この本工程［４］における、粘着テープ１００に対する半導体封止連結体２７０の固定に、本発明の粘着テープ１００が用いられる。すなわち、本工程［４］において、粘着テープ１００として、粘着層２へのエネルギーの付与前において、回転レオメーターを用いて、温度２５℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１Ｈｚで測定した複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）が５．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上９．５×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であるものが用いられる。

そのため、本工程［４］において、粘着テープ１００に対して半導体封止連結体２７０を接合する際に、半導体封止連結体２７０と粘着層２との間に気泡が噛み込むのを的確に抑制または防止することができるが、その詳細な説明は後に行うこととする。

［５］次に、図２（ｅ）に示すように、封止部２７の上面、すなわち、半導体封止連結体２７０の上面を、研削および研磨のうちの少なくとも一方を実施する。換言すれば、半導体封止連結体２７０の上面を、研削加工および／または研磨加工する（研削・研磨工程）。そして、この半導体封止連結体２７０の上面における研削・研磨を、半導体封止連結体２７０の上面から半導体素子２６が備える電極パッド２６１が露出するまで実施する。

これにより、半導体封止連結体２７０の上面から半導体素子２６が備える電極パッド２６１を露出させることができるとともに、不要な封止部２７を除去し得ることから、半導体封止連結体２７０、ひいては、半導体封止連結体２７０から得られる半導体装置２０の薄型化および軽量化が図られることとなる。

この封止部２７の研削および／または研磨は、例えば、研削装置（グラインダー）が備える研削盤を用いて行うことができる。

この本工程［５］において、本発明の粘着テープ１００が用いられる。すなわち、本工程［５］における基板としての半導体封止連結体２７０の上面における研削および／または研磨において、粘着テープ１００として、粘着層２へのエネルギーの付与前において、回転レオメーターを用いて、温度８０℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１００Ｈｚで測定した複素粘度η^＊（８０℃、１００Ｈｚ）が１．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上５．０×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であるものが用いられる。

そのため、本工程［５］において、半導体封止連結体２７０の上面側を研削および／または研磨する際、すなわち不要な封止部２７を除去する際に、粘着テープ１００により半導体封止連結体２７０を研削・研磨する際の衝撃を的確に吸収するとともに、粘着テープ１００に対して半導体封止連結体２７０が位置ズレするのを的確に抑制または防止することができるため、優れた精度で半導体封止連結体２７０の上面を研削および／または研磨し得るが、その詳細な説明は後に行うこととする。

［６］次に、図２（ｆ）に示すように、半導体封止連結体２７０から粘着テープ１００を剥離する（取り除く）（第２剥離工程）。これにより、上面側が研削・研磨された半導体封止連結体２７０を得る。

これにより、複数の半導体素子２６が、封止部２７により封止された半導体封止連結体２７０を、その上側の面側（研削面側）から半導体素子２６が備える電極パッド２６１が露出した状態で得ることができる。

この本工程［６］における、半導体封止連結体２７０からの粘着テープ１００の剥離に、本発明の粘着テープ１００が用いられる。すなわち、本工程［６］において、粘着テープ１００として、粘着層２へのエネルギーの付与前において、回転レオメーターを用いて、温度２５℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１Ｈｚで測定した複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）が５．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上９．５×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であるものが用いられる。

そのため、本工程［６］において、半導体封止連結体２７０から粘着テープ１００を剥離させる際に、粘着層２に対してエネルギーを付与することで、半導体封止連結体２７０に対する粘着テープ１００の粘着力を的確に低下させることができるため、半導体封止連結体２７０に糊残りするのを的確に抑制または防止することができるが、その詳細な説明は後に行うこととする。

また、粘着テープ１００の剥離は、粘着テープ１００が備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の半導体封止連結体２７０に対する粘着性を低下させて、粘着層２と半導体封止連結体２７０との間で剥離が生じる状態とし、その後、例えば、粘着テープ１００の一端を指または把持部を備える治具等で持った後に、９０°以上１８０°以下の方向を維持した状態で粘着テープ１００を、一端側から他端側に向かって、順次、引き剥がすことにより行うことができる。

粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、特に限定されないが、例えば、粘着層２にエネルギー線を照射する方法、粘着層２を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、粘着層２にエネルギー線を粘着テープ１００の基材５側から照射する方法を用いるのが好ましい。

かかる方法は、半導体装置２０が不要な熱履歴を経る必要がなく、また、粘着層２に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。

また、エネルギー線としては、例えば、紫外線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。これらの中でも、特に、紫外線を用いるのが好ましい。紫外線によれば、粘着層２の半導体封止連結体２７０に対する粘着性を効率よく低下させることができる。

上記のような、本発明の粘着テープ１００を用いた、研削・研磨工程［５］および第２剥離工程［６］を経ることで、半導体封止連結体２７０の上面（研削・研磨面）側から半導体素子２６が備える電極パッド２６１が露出する、薄型化および軽量化が図られた半導体封止連結体２７０を製造することができる。すなわち、粘着テープ１００は、半導体封止連結体２７０を、粘着層２上に基板として積層した状態で、半導体封止連結体２７０の封止部２７を研削することで、半導体封止連結体２７０の上面（研削・研磨面）側から半導体素子２６が備える電極パッド２６１を露出させるとともに、半導体封止連結体２７０の厚さを薄くする研削・研磨加工を施した後に、この半導体封止連結体２７０を粘着テープ１００から剥離させる際に用いられる。

［７］次に、図３（ａ）に示すように、半導体封止連結体２７０の電極パッド２６１が形成されている面側（下面側）に、この電極パッド２６１が露出するように、開口部２５１を備える第１被覆部２５を形成する（第１被覆部形成工程）。なお、図２では、半導体封止連結体２７０の上面側を研削・研磨することで、その上面側から半導体素子２６が備える電極パッド２６１が露出していたが、図３では、この半導体封止連結体２７０を上下反転させて、半導体封止連結体２７０の電極パッド２６１が下側の面（下面）側から露出している場合を提示している。

この第１被覆部２５の形成は、感光性を有する絶縁性材料を含有する液状材料（ワニス）を、塗布法等を用いて半導体封止連結体２７０の電極パッド２６１が形成されている面（下面）側に供給し、次いで、形成すべき開口部２５１の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液（エッチング液）で開口部２５１とすべき領域を除去することにより形成される。

ここで、本工程において用いられる、感光性を有する絶縁性材料としては、特に限定されないが、優れた密着性、厚さ均一性および段差埋め込み性を有するものとして、例えば、アルカリ可溶性樹脂と感光剤とを含有するアルカリ可溶系樹脂組成物が好適に用いられる。

なお、このようなアルカリ可溶系樹脂組成物は、通常、アルカリ可溶性樹脂と感光剤とを溶媒に溶解し、液状材料（ワニス状）にして使用される。

［８］次に、図３（ｂ）に示すように、第１被覆部２５の半導体封止連結体２７０とは反対の面側に、開口部２５１で露出する電極パッド２６１に電気的に接続するように、所定形状にパターニングされた配線２３を、開口部２５１を埋めた状態で形成する（配線形成工程）。

この配線２３を形成する方法としては、特に限定されず、例えば、Ｉ：電解メッキ法、無電解メッキ法のようなメッキ法を用いて配線２３を形成する方法、II：導電性材料を含有する液状材料を供給し乾燥・固化することにより配線２３を形成する方法等が挙げられるが、Ｉの方法、特に電解メッキ法を用いて配線２３を形成するのが好ましい。電解メッキ法によれば、半導体素子２６が有する電極パッド２６１に対して、優れた密着性を発揮する配線２３を容易かつ確実に形成することができる。

［９］次に、図３（ｃ）に示すように、第１被覆部２５の半導体封止連結体２７０とは反対の面側に、配線２３の一部が露出するように、開口部２２１を備える第２被覆部２２を形成する（第２被覆部形成工程）。

なお、この開口部２２１は、次工程［１０］において、バンプ２１を形成する位置に対応するように形成される。

また、開口部２２１から露出する配線２３上には、被覆層（アンダー・バリア・メタル層（ＵＢＭ層））を形成するのが好ましい。これにより、例えば、配線２３がＣｕや、Ｃｕ系合金で構成される場合には、配線２３からバンプ２１に対するＣｕ原子の溶出を的確に抑制または防止することができる。

このような、被覆層は、通常、主としてＮｉで構成される下層上に、主としてＡｕで構成される上層を積層した積層体で構成され、例えば、無電解メッキ法を用いて形成される。

この第２被覆部２２の形成は、感光性を有する絶縁性材料を含有する液状材料（ワニス）を塗布法等を用いて第１被覆部２５の半導体封止連結体２７０とは反対の面側に供給し、次いで、形成すべき開口部２２１の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液（エッチング液）で開口部２２１とすべき領域を除去することにより形成される。

ここで、本工程において用いられる、感光性を有する絶縁性材料としては、特に限定されないが、優れた密着性、厚さ均一性および段差埋め込み性を有するものとして、例えば、アルカリ可溶性樹脂と感光剤とを含有するアルカリ可溶系樹脂組成物が好適に用いられる。

なお、このようなアルカリ可溶系樹脂組成物は、通常、アルカリ可溶性樹脂と感光剤とを溶媒に溶解し、液状材料（ワニス状）にして使用される。

［１０］次に、図３（ｄ）に示すように、開口部２２１から露出する配線２３に電気的に接続するようにバンプ２１を形成する（バンプ接続工程）。

ここで、本実施形態のように、電極パッド２６１とバンプ２１との接続を、配線２３を介して行う構成とすることにより、バンプ２１を、第１被覆部２５の面方向において、開口部２５１とは異なる位置に配置することができる。換言すれば、バンプ２１と開口部２５１との中心部が重ならないように、これらを配置することができる。したがって、得られる半導体装置２０における下面の所望の位置にバンプ２１を形成することができる。

このバンプ２１を配線２３に接合する方法としては、特に限定されないが、例えば、バンプ２１と配線２３との間に、粘性を有するフラックスを介在させることにより行われる。

また、バンプ２１の構成材料としては、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材等が挙げられる。

なお、上記のような工程［７］～工程［１０］により、半導体封止連結体２７０が有する半導体素子２６に電気的に接続された、第１被覆部２５、配線２３、第２被覆部２２およびバンプ２１を備える配線層を形成する配線層形成工程が構成される。

［１１］ 次に、図３（ｅ）に示すように、半導体素子２６毎に対応するように、第２被覆部２２等が設けられた半導体封止連結体２７０を個片化することにより、複数の半導体装置２０を一括して得る（個片化工程）。

この半導体封止連結体２７０の個片化は、例えば、半導体封止連結体２７０を粘着テープに仮固定した状態で、半導体封止連結体２７０の厚さ方向に、ダイシングソー等を用いて、厚さ方向において半導体素子２６に対応しない位置で、封止部２７、第１被覆部２５および第２被覆部２２を切断し、その後、粘着テープを剥離させることにより行うことができる。

以上のような工程を経て、複数の半導体装置２０が製造される。
このような半導体装置２０の製造方法によれば、半導体素子２６を備える半導体装置２０を、一括して製造することが可能となる。

さらに、前記工程［５］～［６］において用いる粘着テープとして、本発明の粘着テープ１００を用いることにより、半導体封止連結体２７０の上面における研削および／または研磨、すなわち不要な封止部２７の除去を、優れた精度で実施することができ、かつ、この研削・研磨の後に、半導体封止連結体２７０から粘着テープ１００を、優れた精度で剥離させることができる。したがって、前記工程［１０］で得られる複数の半導体装置２０は、薄型化および軽量化が図られ、かつ、信頼性の高いものとなる。

なお、半導体装置２０は、本実施形態では、ＦＯＷＬＰ型の半導体装置であり、かかる構成の半導体装置２０は、前述の通りの工程を経て製造される、Face Up Die First型の製造方法を用いて製造することができるが、その他、いわゆるFace Down Die First型およびFace Down Die Last型等の製造方法を用いても製造することができる。

また、粘着テープ１００は、上記のような半導体装置２０の製造方法、すなわち、半導体封止連結体２７０の上面を研削・研磨する場合に適用し得る他、例えば、基板としてのガラス基板、セラミック基板、樹脂材料基板および金属材料基板の上面を研削・研磨する場合においても適用が可能である。

以下、本発明が適用された粘着テープ１００ついて説明する。
＜粘着テープ＞
図４は、粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

粘着テープ１００は、基材５と、この基材５の上面（一方の面）に積層された粘着層２とを備える積層体により構成され、半導体封止連結体２７０（基板）を仮固定して用いるものであり、前述したように、粘着層２は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、エネルギーの付与により、粘着層２上に載置された半導体封止連結体２７０に対する粘着力が低下するものであり、また、エネルギーの付与前において、回転レオメーターを用いて、温度２５℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１Ｈｚで測定した複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）が５．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上９．５×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であり、かつ、温度８０℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１００Ｈｚで測定した複素粘度η^＊（８０℃、１００Ｈｚ）が１．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上５．０×１０^６ｍＰａ・ｓ以下である。

ここで、粘着層２に対するエネルギーの付与前において、温度２５℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１Ｈｚで測定した粘着層２の前記複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）が５．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上９．５×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であることは、常温時において、適度な複素粘度範囲となり、粘着層２が優れた柔軟性を有していることを示している。

このように、本発明では、前記複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）が９．５×１０^６ｍＰａ・ｓ以下に設定されており、粘着層２が優れた柔軟性を示していると言える。そのため、前記工程［４］において、粘着テープ１００に対して半導体封止連結体２７０を接合する際に、半導体封止連結体２７０と粘着層２との間に気泡が噛み込むのを的確に抑制または防止することができる。ここで、前記工程［５］における半導体封止連結体２７０の研削および／または研磨では、上面に研削水を供給しつつ、この研削および／または研磨が実施されるが、前記工程［４］において、粘着テープ１００に対して半導体封止連結体２７０を接合する際に、半導体封止連結体２７０と粘着層２との間に気泡が噛み込むのが的確に抑制または防止されている。そのため、噛み込んだ気泡を介して、研削水が半導体封止連結体２７０に対して浸入し、これを起点として、半導体封止連結体２７０から粘着テープ１００が剥離するのを的確に抑制または防止することができる。また、前記工程［６］において、半導体封止連結体２７０から粘着テープ１００を剥離させるために、粘着層２に対してエネルギーを付与することで粘着層２の粘着力を低下させる際に、半導体封止連結体２７０と粘着層２との間に気泡が噛み込むのが的確に抑制または防止されていることから、この気泡に対応する位置で、粘着層２の粘着力が低下しなくなるのを的確に抑制または防止し得る。その結果、前記工程［６］における、半導体封止連結体２７０からの粘着テープ１００の剥離を、半導体封止連結体２７０に糊残りするのを的確に抑制または防止して、実施することができる。

また、本発明では、前記複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）が５．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上に設定されており、粘着層２が優れた柔軟性を示しつつ、適度な硬度を有していると言える。そのため、前記工程［６］において、半導体封止連結体２７０から粘着テープ１００を剥離させる際に、粘着層２に対してエネルギーを付与することで粘着層２の粘着力を低下させたとしても、粘着層２が過度に柔らかくなるのを的確に抑制または防止することができる。その結果、かかる観点からも、半導体封止連結体２７０からの粘着テープ１００の剥離を、半導体封止連結体２７０に糊残りするのを的確に抑制または防止して、実施することができる。

さらに、粘着層２に対するエネルギーの付与前において、温度８０℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１００Ｈｚで測定した粘着層２の前記複素粘度η^＊（８０℃、１００Ｈｚ）が１．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上５．０×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であることは、加熱時および高振動時において、適度な複素粘度範囲となり、保持性を備えることにより、前記工程［６］において、半導体封止連結体２７０を研削および／または研磨して、その厚さを薄くする際に、研削装置（グラインダー）から発生する振動により、粘着テープ１００から半導体封止連結体２７０が位置ズレするのを的確に抑制または防止し得る。したがって、半導体封止連結体２７０の上面を優れた精度で研削および／研磨することができる。また、前記工程［６］において、研削装置を用いた半導体封止連結体２７０の研削および／または研磨時（バックグラインド時）に、摩擦熱が発生しても半導体封止連結体２７０に対する糊残りの発生を的確に抑制または防止することができる。

以上のことから、半導体封止連結体２７０の上面に対して研削・研磨する際に、粘着テープ１００として本発明の粘着テープを用いることで、半導体封止連結体２７０の研削・研磨を、優れた精度で実施し得るとともに、この研削・研磨の後に、半導体封止連結体２７０から粘着テープ１００を、優れた精度で剥離させることができる。

以下、このような粘着テープ１００（バックグラインドテープ）が有する、基材５および粘着層２について、詳述する。

＜基材５＞
基材５は、主として樹脂材料から成り、シート状をなしており、この基材５上に設けられた粘着層２を支持する機能を有している。さらに、前記工程［５］において、半導体封止連結体２７０の上面を研削および／または研磨する際に、粘着層２を介して、半導体封止連結体２７０を支持する機能を有するものである。

かかる樹脂材料としては、特に限定されず、例えば、オレフィン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂（エステル類高分子）、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンのようなポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー（スチレン系高分子）、アクリル樹脂、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート（カーボネート系高分子）等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられる。

これらの樹脂材料は、光（可視光線、近赤外線、紫外線）、Ｘ線、電子線等のエネルギー線を透過し得る材料であることから、エネルギー線を基材５側から基材５を透過させて粘着層２に照射する場合に好ましく用いることができる。そのため、エネルギー線を基材５側から粘着層２に照射することで、粘着層２の粘着性を低下させて半導体封止連結体２７０から粘着テープ１００を容易に剥離させることができる。

特に、樹脂材料としては、オレフィン系樹脂を用いることが好ましい。オレフィン系樹脂を用いることで、前記工程［５］において、半導体封止連結体２７０の上面を研削および／または研磨する際に、半導体封止連結体２７０に対して、均一な支持力で支持することができる。そのため、半導体封止連結体２７０の上面を、優れた精度で研削および／または研磨することができる。

かかるオレフィン系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、直鎖状低密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン系樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン－メチルメタクリレート共重合体（ＥＭＭＡ）、エチレン－メタクリレート共重合体（ＥＭＡＡ）や、亜鉛イオン架橋体、ナトリウムイオン架橋体またはカリウムイオン架橋体としてのエチレン系アイオノマー等のアイオノマーのようなエチレン共重合体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、基材５は、導電性を有する導電性材料を含有することが好ましい。このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記研削・研磨工程［５］、および、前記第２剥離工程［６］における、半導体封止連結体２７０での静電気の発生を的確に抑制または防止することができる。

この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、界面活性剤、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属材料、金属酸化物材料および炭素系材料等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらのうち界面活性剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等が挙げられる。

永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）としては、例えば、ポリエーテルとポリオレフィンブロックポリマー系列、ポリエーテルエステルアミドのようなポリエーテル系列、ポリエステルアミド系列、ポリエステルアミド、ポリウレタン系列等の全てのＩＤＰを用いることができる。

また、金属材料としては、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられ、これらの金属粉が好ましく用いられる。

金属酸化物材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、等が挙げられ、これらの金属酸化物粉が好ましく用いられる。

さらに、炭素系材料としては、カーボンブラック、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェン等が挙げられる。

これらの中でも、導電性材料としては、界面活性剤、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属酸化物材料およびカーボンブラックのうちの少なくとも１種であることが好ましい。これらのものは、抵抗率の温度依存性が小さいものであることから、前記工程［５］において、半導体封止連結体２７０を研削および／または研磨する際に、基材５が加熱されたとしても、その表面抵抗率の変化量を小さくすることができる。

また、基材５が導電性材料を含有する場合、基材５は、粘着層２と反対側の表面における表面抵抗率が１．０×１０^１５（Ω／□）以下であることが好ましく、１．０×１０^１２（Ω／□）以下であることがより好ましい。これにより、基材５に導電性材料を含有させることにより得られる効果を、より顕著に発揮させることができる。

さらに、基材５は、鉱油のような軟化剤、炭酸カルシウム、シリカ、タルク、マイカ、クレーのような充填材、酸化防止剤、光安定剤、滑剤、分散剤、中和剤、着色剤等を含有するものであってもよい。

基材５の厚さは、例えば、３０μｍ以上１６０μｍ以下であるのが好ましく、８０μｍ以上１２０μｍ以下であるのがより好ましい。基材５の厚さがこの範囲内であると、基材５としての機能をより確実に発揮させて、前記工程［５］における半導体封止連結体２７０の研削および／または研磨を、優れた作業性により実施することができる。

さらに、基材５は、その表面に、粘着層２に含まれる構成材料と反応性を有する、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アミノ基のような官能基が露出していてもよい。

また、基材５は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。

＜粘着層２＞
粘着層２は、前記工程［５］において、半導体封止連結体２７０を研削および／または研磨する際に、半導体封止連結体２７０に粘着して支持し、かつ、前記工程［６］において、粘着層２にエネルギーを付与して粘着層２が硬化することにより、半導体封止連結体２７０から剥離させ得る程度の粘着性を有するものである。特に、この粘着層２は、本発明では、粘着層２に対するエネルギーの付与前において、粘着層２の前記複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）が５．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上９．５×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であり、かつ、粘着層２の前記複素粘度η^＊（８０℃、１００Ｈｚ）が１．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上５．０×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であることを満足している。そのため、前記工程［４］における、半導体封止連結体２７０の粘着テープ１００に対する接合の際に、半導体封止連結体２７０と粘着層２との間に気泡が噛み込むのを的確に抑制または防止し得ることから、粘着テープ１００に対して半導体封止連結体２７０を、優れた精度で接合することができる。また、前記工程［５］における、半導体封止連結体２７０の研削および／または研磨の際に、半導体封止連結体２７０を優れた精度で支持することができる。したがって、半導体封止連結体２７０の研削および／または研磨を、優れた精度で実施することができる。

このような粘着層２は、（１）粘着性を有するベース樹脂と、（２）粘着層２を硬化させる硬化性樹脂と、を主材料として含有する樹脂組成物で構成される。

以下、この樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、詳述する。
（１）ベース樹脂
ベース樹脂は、粘着性を有し、半導体封止連結体２７０に対する粘着性を粘着層２に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。

このようなベース樹脂としては、アクリル系樹脂（粘着剤）、シリコーン系樹脂（粘着剤）、ポリエステル系樹脂（粘着剤）、ポリ酢酸ビニル系樹脂（粘着剤）、ポリビニルエーテル系樹脂（粘着剤）、スチレン系エラストマー樹脂（粘着剤）、ポリイソプレン系樹脂（粘着剤）、ポリイソブチレン系樹脂（粘着剤）またはウレタン系樹脂（粘着剤）のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられるが、中でも、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。ベース樹脂としてアクリル系樹脂を用いることにより、粘着層２の前記複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）および前記複素粘度η^＊（８０℃、１００Ｈｚ）の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。また、アクリル系樹脂は、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できることから、かかる観点からも、ベース樹脂として好ましく用いられる。

アクリル系樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルをモノマー主成分とするポリマー（ホモポリマーまたはコポリマー）をベースポリマーとするもののことを言う。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ－ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシルのような（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸フェニルのような（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２－エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、特に、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できる。

なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルとの双方を含む意味で用いることとする。

アクリル系樹脂は、凝集力、耐熱性等の改質等を目的として、必要に応じて、ポリマーを構成するモノマー成分として、共重合性モノマーを含むものが用いられる。

このような共重合性モノマーとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシルのようなヒドロキシル基含有モノマー、（メタ）アクリル酸グリシジルのようなエポキシ基含有モノマー、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸のようなカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基含有モノマー、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブトキシメチル（メタ）アクリルアミドのようなアミド系モノマー、（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ－ブチルアミノエチルのようなアミノ基含有モノマー、（メタ）アクリロニトリルのようなシアノ基含有モノマー、エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン、イソブチレンのようなオレフィン系モノマー、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルトルエンのようなスチレン系モノマー、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルのようなビニルエステル系モノマー、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテルのようなビニルエーテル系モノマー、塩化ビニル、塩化ビニリデンのようなハロゲン原子含有モノマー、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルのようなアルコキシ基含有モノマー、Ｎ－ビニル－２－ピロリドン、Ｎ－メチルビニルピロリドン、Ｎ－ビニルピリジン、Ｎ－ビニルピペリドン、Ｎ－ビニルピリミジン、Ｎ－ビニルピペラジン、Ｎ－ビニルピラジン、Ｎ－ビニルピロール、Ｎ－ビニルイミダゾール、Ｎ－ビニルオキサゾール、Ｎ－ビニルモルホリン、Ｎ－ビニルカプロラクタム、Ｎ－（メタ）アクリロイルモルホリン等の窒素原子含有環を有するモノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これら共重合性モノマーの含有量は、アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分に対して、４０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以下であることがより好ましい。

また、共重合性モノマーは、アクリル系樹脂を構成するポリマーにおける主鎖の末端に含まれるものであってもよいし、その主鎖中に含まれるもの、さらには、主鎖の末端と主鎖中との双方に含まれるものであってもよい。

さらに、共重合性モノマーには、ポリマー同士の架橋等を目的として、多官能性モノマーが含まれていてもよい。

多官能性モノマーとしては、例えば、１，６－ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、エチレン－酢酸ビニルコポリマーおよび酢酸ビニルポリマー等も、共重合性モノマー成分として用いることができる。

なお、このようなアクリル系樹脂（ポリマー）は、単一のモノマー成分または２種以上のモノマー成分の混合物を重合させることにより生成させることができる。また、これらモノマー成分の重合は、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法、懸濁重合方法等の重合方法を用いて実施することができる。

アクリル系樹脂は、前記工程［６］において、半導体封止連結体２７０から粘着テープ１００を剥離する際に、アクリル系樹脂による半導体封止連結体２７０等の汚染を防止するという観点から、低分子量物の含有量が少ないものであることが好ましい。この場合、アクリル系樹脂の重量平均分子量としては、好ましくは３０万～５００万に設定され、より好ましくは５０万～５００万に設定され、さらに好ましくは８０万～３００万に設定される。なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量が、モノマー成分の種類等によっては、５０万未満であると、半導体封止連結体２７０等に対する汚染防止性が低下し、その結果、半導体封止連結体２７０を剥離させた際に、半導体封止連結体２７０に糊残りが生じるおそれがある。

なお、アクリル系樹脂は、ヒドロキシル基やカルボキシル基（特に、ヒドロキシル基）のような、架橋剤や光重合開始剤に対して反応性を有する官能基（反応性官能基）を有していることが好ましい。これにより、架橋剤や光重合開始剤がポリマー成分であるアクリル系樹脂に連結するため、粘着層２からこれら架橋剤や光重合開始剤が漏出することを的確に抑制または防止することができる。その結果、前記工程［６］におけるエネルギー線照射により、粘着層２の半導体封止連結体２７０に対する粘着性が確実に低下される。

（２）硬化性樹脂
硬化性樹脂は、例えば、エネルギー線の照射により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層２の粘着力が低下する。

このような硬化性樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素－炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレートのような（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物、エステルアクリレートオリゴマー、２－プロペニル－ジ－３－ブテニルシアヌレート等の炭素－炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物、トリス（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２－メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、２－ヒドロキシエチル ビス（２－アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ビス（２－アクリロキシエチル）２－［（５－アクリロキシヘキシル）－オキシ］エチルイソシアヌレート、トリス（１，３－ジアクリロキシ－２－プロピル－オキシカルボニルアミノ－ｎ－ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（１－アクリロキシエチル－３－メタクリロキシ－２－プロピル－オキシカルボニルアミノ－ｎ－ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（４－アクリロキシ－ｎ－ブチル）イソシアヌレートのような炭素－炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物、市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート、ビスフェノールＡ系のエポキシアクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ウレタンアクリレートおよびビスフェノールＡ系のエポキシアクリレートのうちの少なくとも１種が含まれることが好ましい。これにより、エネルギー線の照射により硬化性樹脂をより確実に硬化させることができる。また、粘着層２の前記複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）および前記複素粘度η^＊（８０℃、１００Ｈｚ）の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。

また、硬化性樹脂には、特に限定されないが、重量平均分子量の異なる２つ以上の硬化性樹脂が混合されているのが好ましい。このような硬化性樹脂を利用すれば、エネルギー線照射による樹脂の架橋度を容易に制御することができ、前記工程［６］における半導体封止連結体２７０からの粘着テープ１００の剥離性を向上させることができる。また、このような硬化性樹脂として、例えば、第１の硬化性樹脂と、第１の硬化性樹脂よりも重量平均分子量が大きい第２の硬化性樹脂との混合物等が用いられてもよい。

硬化性樹脂を、第１の硬化性樹脂と、第２の硬化性樹脂との混合物とする場合、第１の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１００～１０００程度であることが好ましく、２００～５００程度であることがより好ましい。また、第２の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１０００～３００００程度であることが好ましく、１０００～１００００程度であることがより好ましく、２０００～５０００程度であることがさらに好ましい。さらに、第１の硬化性樹脂の官能基数は、１～５官能基であることが好ましく、第２の硬化性樹脂の官能基数は、６官能基以上であることが好ましい。かかる関係を満足することにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。

硬化性樹脂は、ベース樹脂１００重量部に対して５０重量部以上２００重量部以下で配合されることが好ましく、１００重量部以上１８０重量部以下で配合されることがより好ましい。これにより、樹脂組成物中に、硬化性樹脂およびベース樹脂を、それぞれ添加することにより発揮される機能を、硬化性樹脂とベース樹脂との双方に確実に発揮させることができる。

なお、この硬化性樹脂は、前述したアクリル系樹脂として、二重結合導入型アクリル系樹脂を用いた場合、すなわち、炭素－炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているものを用いた場合には、その樹脂組成物中への添加を省略するようにしてもよい。これは、アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、エネルギー線の照射により、二重結合導入型アクリル系樹脂が備える炭素－炭素二重結合の機能によって、粘着層２が硬化し、これにより、粘着層２の粘着力が低下することによる。

（３）光重合開始剤
また、粘着層２は、エネルギー線の照射により半導体封止連結体２７０に対する粘着性が低下するものであるが、エネルギー線として紫外線等を用いる場合には、粘着層２を構成する樹脂組成物には、硬化性樹脂の重合開始を容易とするために光重合開始剤を含有することが好ましい。

光重合開始剤としては、例えば、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）－フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン、２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］フェニル｝－２－メチル－プロパン－１－オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル（２－ヒドロキシ－２－プロピル）ケトン、α－ヒドロキシ－α，α’－ジメチルアセトフェノン、２－メチル－２－ヒドロキシプロピオフェノン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン、２，２－ジエトキシアセトフェノン、２－メチル－１－［４－（メチルチオ）－フェニル］－２－モルホリノプロパン－１、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、２－ヒドロキシメチルフェニルプロパン、２－ナフタレンスルホニルクロリド、１－フェノン－１，１－プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４，４’－ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’－ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’－ジクロロベンゾフェノン、３，３’－ジメチル－４－メトキシベンゾフェノン、ｏ－アクリルオキシベンゾフェノン、ｐ－アクリルオキシベンゾフェノン、ｏ－メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ－メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ－（メタ）アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、１，４－ブタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，２－エタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，８－オクタンジオールモノ（メタ）アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン－４－カルボン酸エステル、チオキサンソン、２－クロロチオキサンソン、２－メチルチオキサンソン、２，４－ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４－ジクロロチオキサンソン、２，４－ジエチルチオキサンソン、２，４－ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β－クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、２－エチルアントラキノン、ｔ－ブチルアントラキノン、２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体、等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、これらの中でも、ベンゾフェノン誘導体およびアルキルフェノン誘導体であることが好ましい。これらの化合物は分子中に反応性官能基として水酸基を備えるものであり、この反応性官能基を介して、ベース樹脂や硬化性樹脂に連結することができ、光重合開始剤としての機能をより確実に発揮させることができる。

光重合開始剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．１重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましく、０．５重量部以上１０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように光重合開始剤の配合量を調整することによって、樹脂組成物中に、光重合開始剤を添加することにより発揮される機能を、光重合開始剤に確実に発揮させることができる。

（４）架橋剤
さらに、粘着層２を構成する樹脂組成物には、架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることで、粘着層２を適度な硬さを有するものに調整することができる。また、粘着層２の前記複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）および前記複素粘度η^＊（８０℃、１００Ｈｚ）の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。

架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤、酸無水物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。

イソシアネート系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類等で封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。

また、多価イソシアネートとして、例えば、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、４，４’－ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’－〔２，２－ビス（４－フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート、２，２，４－トリメチル－ヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも２，４－トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネートおよびヘキサメチレンジイソシアネートから成る群より選択される少なくとも１種の多価イソシアネートが好ましい。

架橋剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．０１重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましく、５重量部以上５０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することで、樹脂組成物中に、架橋剤を添加することにより発揮される機能を、架橋剤に確実に発揮させることができる。

（５）その他の成分
さらに、粘着層２を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）～（４）の他に他の成分として、導電性材料、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。

なお、これらのうち導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、前記基材５に含まれる導電性材料として説明したのと、同様のものを用いることができる。

このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記研削・研磨工程［５］、および、前記第２剥離工程［６］における、半導体封止連結体２７０での静電気の発生が的確に抑制または防止される。

基材５および粘着層２のうちの一方に導電性材料を含有させる構成とする場合には、基材５に導電性材料を含有させることが好ましい。これにより、半導体封止連結体２７０に導電性材料を確実に付着させることなく、半導体封止連結体２７０での静電気の発生をより的確に抑制または防止することができる。

また、これらのうち粘着付与剤としては、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

以上のような、粘着層２に含まれる、成分（１）、（２）を必須成分とする各成分（１）～（５）の種類、および含有量を適宜選択することにより、前記複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）および複素粘度η^＊（８０℃、１００Ｈｚ）の大きさを、それぞれ、５．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上９．５×１０^６ｍＰａ・ｓ以下および１．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上５．０×１０^６ｍＰａ・ｓ以下に設定することができるが、前記複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）は、７．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上８．５×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、９．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上８．０×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましい。また、前記複素粘度η^＊（８０℃、１００Ｈｚ）は、４．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上４．０×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、７．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上３．０×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましい。これにより、前記複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）を、前記範囲内に設定することにより得られる効果、すなわち、前記工程［４］において、粘着テープ１００に対して半導体封止連結体２７０を接合する際に、半導体封止連結体２７０と粘着層２との間に気泡が噛み込むのを的確に抑制または防止することができると言う効果、さらには、前記工程［６］において、半導体封止連結体２７０から粘着テープ１００を剥離させる際に、半導体封止連結体２７０に糊残りするのを的確に抑制または防止することができると言う効果を、より顕著に発揮させることができる。また、前記複素粘度η^＊（８０℃、１００Ｈｚ）を、前記範囲内に設定することにより得られる効果、すなわち、前記工程［５］において、半導体封止連結体２７０の上面を研削および／または研磨する際、すなわち不要な封止部２７を除去して電極パッド２６１を露出させる際に、粘着テープ１００に対して半導体封止連結体２７０が位置ズレするのを的確に抑制または防止して、優れた精度で半導体封止連結体２７０の上面を研削および／または研磨することができると言う効果を、より顕著に発揮させることができる。

また、前記工程［４］において、粘着テープ１００に対して半導体封止連結体２７０を固定させる際に、粘着層２に求められる粘着力の程度、さらには、前記工程［５］において、半導体封止連結体２７０の上面を研削および／または研磨する際に、粘着テープ１００に対して半導体封止連結体２７０が位置ズレすることなく、粘着テープ１００で半導体封止連結体２７０を保持する程度は、例えば、以下に示すように設定されていることが好ましい。

すなわち、エポキシ樹脂を主材料として含有し、板状をなす樹脂基板上に、粘着テープ１００を貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与前において、２５℃環境下において、粘着テープ１００の一端を持ち、３０°の方向にて３０００ｍｍ／分の速度で、粘着テープ１００を引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度が６０ｃＮ／２０ｍｍ以上２００ｃＮ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、７０ｃＮ／２０ｍｍ以上１８０ｃＮ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。これにより、半導体封止連結体２７０を粘着テープ１００で固定する際に、半導体封止連結体２７０に対して粘着テープ１００を安定的に貼付し得ると言うことができる程度の強度で、半導体封止連結体２７０に対して粘着テープ１００が接合されていることから、前記工程［４］における、粘着テープ１００に対する半導体封止連結体２７０の固定時に、半導体封止連結体２７０と粘着テープ１００との間に気泡が噛み込むのを的確に抑制または防止することができる。さらには、半導体封止連結体２７０が粘着テープ１００で優れた保持性をもって保持されていると言うことができる程度の強度で、半導体封止連結体２７０に対して粘着テープ１００が貼付されていることから、前記工程［５］において、研削装置（グラインダー）を用いて半導体封止連結体２７０の研削および／研磨時に、粘着テープ１００に対して半導体封止連結体２７０が位置ズレするのを的確に抑制または防止することができる。

また、粘着層２の厚さは、特に限定されないが、例えば、１５μｍ以上３０μｍ以下であるのが好ましく、２０μｍ以上２７μｍ以下であるのがより好ましい。粘着層２の厚さをかかる範囲内とすることで、前記工程［４］において、粘着テープ１００に対して半導体封止連結体２７０を固定する際に、半導体封止連結体２７０と粘着テープ１００との間に気泡が噛み込むのをより的確に抑制または防止することができる。

なお、粘着層２は、異なる前記樹脂組成物で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。

以上のような粘着テープ１００は、その粘着テープ１００の保管・輸送時には、その両面には、セパレーターが積層されていてもよい。これにより、粘着テープ１００の保管・輸送時において、粘着テープ１００の表面が汚染されるのを確実に防止することができる。

また、セパレーターとしては、特に限定されないが、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等が挙げられる。

なお、本発明の粘着テープ１００を用いて製造された半導体装置２０は、例えば、携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ゲーム機、液晶テレビ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プリンタ等に広く用いることができる。

また、本実施形態では、半導体装置２０を、ファン・アウト・ウエハ・レベル・パッケージ（ＦＯＷＬＰ）に適用し、かかる構成の半導体装置２０を、粘着テープ１００を用いて製造する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、各種の形態の半導体パッケージの製造に、粘着テープを適用することができ、例えば、ファン・イン・ウエハ・レベル・パッケージ（ＦＩＷＬＰ）、デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ（ＰＬＣＣ）、ロー・プロファイル・クワッド・フラット・パッケージ（ＬＱＦＰ）、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、スモール・アウトライン・Ｊリード・パッケージ（ＳＯＪ）、薄型スモール・アウトライン・パッケージ（ＴＳＯＰ）、薄型クワッド・フラット・パッケージ（ＴＱＦＰ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）、マトリクス・アレイ・パッケージ・ボール・グリッド・アレイ（ＭＡＰＢＧＡ）、チップ・スタックド・チップ・サイズ・パッケージ等のメモリやロジック系素子に適用することができる。

以上、本発明の粘着テープについて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

例えば、本発明の粘着テープは、上述した、基材５と粘着層２との２層構成をなす積層体で構成される場合の他、例えば、中間層を備える３層以上の積層体で構成されるものであってもよし、基材５の粘着層２とは反対側の面に、帯電防止層を備える積層体で構成されるものであってもよい。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。

１．原材料の準備
まず、各実施例および各比較例の粘着テープの製造に用いた原材料を以下に示す。

（ポリオレフィン系樹脂１）
ポリオレフィン系樹脂１として、低密度ポリエチレン（住友化学社製、「スミカセンＦ２００－０」、比重：０．９２ｇ／ｃｍ^３）を用意した。

（帯電防止剤１）
帯電防止剤１として、ポリエーテル系帯電防止剤（三洋化成社製、「ペレクトロンＰＶＬ」）を用意した。

（ベース樹脂１～２）
ベース樹脂１～２として、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸２－エチルヘキシル、アクリル酸、アクリル酸２－ヒドロキシエチル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアクリルアミド、酢酸ビニルのうちの少なくとも２種を混合し、常法によりトルエン溶媒中にて溶液重合させて生成されたアクリル共重合体を用意した。

なお、ベース樹脂（アクリル共重合体）１～２におけるガラス転移点および重量平均分子量は、以下に示す通りであった。
ベース樹脂１（ガラス転移点：－３７℃、重量平均分子量：６０万）
ベース樹脂２（ガラス転移点：－４５℃、重量平均分子量：５０万）

（硬化性樹脂１）
硬化性樹脂１として、ウレタンアクリレート（日本化薬社製、品番：ＵＸ－５０００）を用意した。

（硬化性樹脂２）
硬化性樹脂２として、ビスフェノールＡ系のエポキシアクリレート（ビスＡ型エポキシアクリレート）（ダイセル・オルネクス社製、品番：ＥＢＥＣＲＹＬ３７０８）を用意した。

（架橋剤１）
架橋剤１として、イソシアネート系架橋剤であるポリイソシアネート（東ソー社製、品番：コロネートＬ）を用意した。

（架橋剤２）
架橋剤２として、エポキシ系架橋剤である多官能エポキシ樹脂（三菱ガス化学社製、品番：ＴＥＴＲＡＤ－Ｃ）を用意した。

（光重合開始剤１）
光重合開始剤１として、ベンジルジメチルケタール（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎｓ Ｂ．Ｖ．社製、品番：Ｏｍｎｉｒａｄ６５１）を用意した。

２．粘着テープの作製
［実施例１］
ポリオレフィン系樹脂１を押出し機で押し出して、厚さ１００μｍの基材５を作製した。

次に、ベース樹脂１（１００重量部）、硬化性樹脂１（ベース樹脂１００重量部に対して４３重量部）、架橋剤１（ベース樹脂１００重量部に対して４重量部）および光重合開始剤１（ベース樹脂１００重量部に対して６重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層２の厚さが２５μｍになるようにして基材５にバーコート塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、基材５の上面（一方の面）に粘着層２を形成することで、実施例１の粘着テープ１００を得た。

なお、粘着テープ１００が備える粘着層２について、エネルギーの付与前において、回転レオメーター（アントンパール社製、「ＭＣＲ１０２」）を用いて、Φ８ｍｍパラレルプレート、温度２５℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１Ｈｚで複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）および温度８０℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１００Ｈｚで複素粘度η^＊（８０℃、１００Ｈｚ）を測定したところ、それぞれ、６．３Ｅ＋０６ｍＰａ・ｓおよび１．１Ｅ＋０６ｍＰａ・ｓであった。

［実施例２～４、比較例１～３］
基材５の形成に用いた樹脂組成物中に含まれる各構成材料、および、粘着層２の形成に用いた樹脂組成物中に含まれる各構成材料として、表１に示すものを用い、さらに、各構成材料の含有量を表１に示すように変更して、表１に示す厚さの基材５を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして、実施例２～４、比較例１～３の粘着テープを作製した。

３．評価
得られた各実施例および各比較例の粘着テープを、以下の方法で評価した。

３－１．樹脂基板に対する引き剥がし強度の確認
各実施例および各比較例の幅を２０ｍｍとした粘着テープ１００を、それぞれ、粘着層２が樹脂基板側となるように、多官能型エポキシ樹脂（住友ベークライト社製、ＥＭＥ－Ｇ７３０ ｖｅｒ ＧＲ）を主材料として含有し、板状をなす樹脂基板上に貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、エネルギーの付与前において、２５℃環境下において、ＪＩＳ Ｇ ３４６９に準拠して、粘着テープ１００の一端を持ち、３０°の方向にて３０００ｍｍ／分の速度で、粘着テープ１００を引き剥がしたときの引き剥がし強度（ピール強度）を、剥離解析装置（協和界面科学社製、「ＶＰＡ－Ｈ１００」）を用いて測定した。

３－２．ダミー基板の水侵入性の評価
１） 被着体としてのダミー基板の作成
ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、「ＮＣ－３０００Ｐ」）を５７重量部、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（明和化成社製、「ＭＥＨ－７８５１ｓｓ」）を４３重量部、さらに溶融球状シリカ（平均粒径２０μｍ、最大粒径１００μｍ）を７３０重量部、カーボンブラックを２重量部、トリフェニルホスフィンを１．５重量部、カルナバワックスを２重量部ずつ、それぞれ、用意し、まず、これらを室温で混合し、次いで、熱ロールを用いて、１０５℃で８分間混練、冷却粉砕して半導体封止材料を得た。そしてコンプレッション成形機を用いて、厚み８００μｍ、直径１５０ｍｍ、表面粗さＲａ０．６μｍ程度の形状に成型することで、封止材層の単層からなるダミー基板を得た。

２） ダミー基板に対する水浸入の確認
前記１）において被着体として用意した前記ダミー基板に対して、各実施例および各比較例の粘着テープ１００を、この粘着テープ１００の粘着層２側をダミー基板側として、マウンターを用いて、２５℃にて、直径３５ｍｍ、４００ｍｍ幅のローラーを圧力０．５ＭＰａの条件で押し付けることで、貼付した。

その後、＃２０００番ホイールを備える研削装置（グラインダー）を用いて、研削水を供給しつつ、封止材層の厚みが４００μｍになるまで、ダミー基板の粘着テープ１００を貼りつけた面の反対面を研削した。その後、粘着層２に紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ^２、紫外線照射量：２００ｍＪ／ｃｍ^２の条件で紫外線を照射することで、エネルギーを付与して粘着層２を硬化させて、粘着層２の粘着力を低下させた。

そして、各実施例および各比較例の粘着テープ１００において、目視にて研削時のダミー基板と粘着テープ１００との間に対する水侵入に起因するテープ剥離の発生有無について観察し、以下の基準にしたがって評価した。

（裏面への水侵入性評価）
〇：ダミー基板の粘着テープ１００を貼付した面内の全域について、水侵入による剥離が発生していなかった
△：ダミー基板の粘着テープ１００を貼付した面内の５％未満が水侵入により剥離していた
×：ダミー基板の粘着テープ１００を貼付した面内の５％以上が水侵入により剥離していた

３－３．ダミー基板の研削精度の評価
１） 被着体としてのダミー基板の作成
ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、「ＮＣ－３０００Ｐ」）を５７重量部、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（明和化成社製、「ＭＥＨ－７８５１ｓｓ」）を４３重量部、さらに溶融球状シリカ（平均粒径２０μｍ、最大粒径１００μｍ）を７３０重量部、カーボンブラックを２重量部、トリフェニルホスフィンを１．５重量部、カルナバワックスを２重量部ずつ、それぞれ、用意し、まず、これらを室温で混合し、次いで、熱ロールを用いて、１０５℃で８分間混練、冷却粉砕して半導体封止材料を得た。そしてコンプレッション成形機を用いて、厚み８００μｍ、直径１５０ｍｍ、表面粗さＲａ０．６μｍ程度の形状に成型することで、封止材層の単層からなるダミー基板を得た。

２） ダミー基板の研削精度の確認
前記１）において被着体として用意した前記ダミー基板に対して、各実施例および各比較例の粘着テープ１００を、この粘着テープ１００の粘着層２側をダミー基板側として、マウンターを用いて、２５℃にて、直径３５ｍｍ、４００ｍｍ幅のローラーを圧力０．５ＭＰａの条件で押し付けることで、貼付した。

その後、＃２０００番ホイールを備える研削装置（グラインダー）を用いて、研削水を供給しつつ、封止材層の厚みが４００μｍになるまで、ダミー基板の粘着テープ１００を貼りつけた面の反対面を研削した。その後、粘着層２に紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ^２、紫外線照射量：２００ｍＪ／ｃｍ^２の条件で紫外線を照射することで、エネルギーを付与して粘着層２を硬化させて、粘着層２の粘着力を低下させた。

次いで、粘着テープ１００の一端を持った後に、１８０°の方向を維持した状態で、一端側から他端側に向かって粘着テープ１００を、３０００ｍｍ／分の速度でダミー基板から剥離させた。

そして、各実施例および各比較例の粘着テープにおける、粘着テープが剥離されたダミー基板について、接触式厚み計を用いてＴＴＶ値（ダミー基板の平坦度適用領域での厚さ（研削基準面からの距離）の最大値と最小値の差）を測定した。そして、測定されたＴＴＶ値について、以下の基準にしたがって、ダミー基板の研削精度を評価した。

（上面の研削精度の評価）
〇：測定されたＴＴＶ値が６μｍ未満である
△：測定されたＴＴＶ値が６μｍ以上１５μｍ以下である
×：測定されたＴＴＶ値が１５μｍ超である

３－４．剥離後の糊残りの確認
１） 被着体としてのダミー基板の作成
ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、「ＮＣ－３０００Ｐ」）を５７重量部、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（明和化成社製、「ＭＥＨ－７８５１ｓｓ」）を４３重量部、さらに溶融球状シリカ（平均粒径２０μｍ、最大粒径１００μｍ）を７３０重量部、カーボンブラックを２重量部、トリフェニルホスフィンを１．５重量部、カルナバワックスを２重量部ずつ、それぞれ、用意し、まず、これらを室温で混合し、次いで、熱ロールを用いて、１０５℃で８分間混練、冷却粉砕して半導体封止材料を得た。そしてコンプレッション成形機を用いて、厚み８００μｍ、直径１５０ｍｍ、表面粗さＲａ０．６μｍ程度の形状に成型することで、封止材層の単層からなるダミー基板を得た。

２） ダミー基板の研削精度の確認
前記１）において被着体として用意した前記ダミー基板に対して、各実施例および各比較例の粘着テープ１００を、この粘着テープ１００の粘着層２側をダミー基板側として、マウンターを用いて、２５℃にて、直径３５ｍｍ、４００ｍｍ幅のローラーを圧力０．５ＭＰａの条件で押し付けることで、貼付した。

その後、＃２０００番ホイールを備える研削装置（グラインダー）を用いて、研削水を供給しつつ、封止材層の厚みが４００μｍになるまで、ダミー基板の粘着テープ１００を貼りつけた面の反対面を研削した。その後、粘着層２に紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ^２、紫外線照射量：２００ｍＪ／ｃｍ^２の条件で紫外線を照射することで、エネルギーを付与して粘着層２を硬化させて、粘着層２の粘着力を低下させた。

次いで、粘着テープ１００の一端を持った後に、１８０°の方向を維持した状態で、一端側から他端側に向かって粘着テープ１００を３０００ｍｍ／分の速度でダミー基板から剥離させた。

次いで、粘着テープ１００が引き剥がされたダミー基板の表面を、平面視にて５ｃｍ×５ｃｍの領域を光学顕微鏡（倍率ｘ１００倍）にて観察し、５ｃｍ×５ｃｍの領域において粘着層２が残存している領域の面積（ｃｍ^２）を測定することで、粘着層２が残存している残存率（％）を求めた。

（残存率評価）
〇：粘着層２のダミー基板に対する残存率が５％未満である。
△：粘着層２のダミー基板に対する残存率が５％以上１０％未満である
×：粘着層２のダミー基板に対する残存率が１０％以上である

３－５．基材の抵抗率の評価
各実施例および各比較例の粘着テープについて、その基材５における粘着層２と反対側の表面抵抗率を、それぞれ、ＪＩＳ K ６９１１に従って、抵抗値測定装置（アドバンテスト社製、「Ｒ８３４０」）を用いて測定した。
以上のようにして実施した、各種評価の評価結果を表１に示す。

表１に示したように、各実施例の粘着テープ１００では、複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）が５．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上９．５×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であり、かつ、複素粘度η^＊（８０℃、１００Ｈｚ）が１．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上５．０×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であることを満足しており、その結果、ダミー基板に対して研削水が浸入するのが的確に抑制または防止された状態で、ダミー基板を優れた保持性をもって保持して、ダミー基板を優れた精度で研削・研磨し得るとともに、ダミー基板に対して粘着層２が残存することなく、ダミー基板から粘着テープ１００を剥離させ得る結果を示した。

これに対して、各比較例の粘着テープでは、複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）が５．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上９．５×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であり、かつ、複素粘度η^＊（８０℃、１００Ｈｚ）が１．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上５．０×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であることを満足しておらず、その結果、少なくとも、ダミー基板に対して研削水が浸入するのが的確に抑制または防止された状態で、ダミー基板を優れた保持性をもって保持して、ダミー基板を優れた精度で研削・研磨し得ないことが明らかとなった。

２ 粘着層
５ 基材
２０ 半導体装置
２１ バンプ
２２ 第２被覆部
２３ 配線
２５ 第１被覆部
２６ 半導体素子
２７ 封止部
１００ 粘着テープ
１０１ 支持基板
１０２ 粘着層
２２１ 開口部
２５１ 開口部
２６１ 電極バッド
２７０ 半導体封止連結体

Claims (8)

1. 樹脂材料を含有する基材と、該基材の一方の面に積層された粘着層と、を備える積層体により構成され、基板または部品を仮固定して用いられる粘着テープであって、
   前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、前記エネルギーの付与により、前記粘着層上に積層された前記基板または部品のうちの少なくとも一方に対する粘着力が低下するものであり、また、
   前記エネルギーの付与前において、回転レオメーターを用いて、温度２５℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１Ｈｚで測定した複素粘度η^＊（２５℃、１Ｈｚ）が５．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上９．５×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であり、かつ、温度８０℃、歪量１ｍｒａｄ、周波数１００Ｈｚで測定した複素粘度η^＊（８０℃、１００Ｈｚ）が１．０×１０^５ｍＰａ・ｓ以上５．０×１０^６ｍＰａ・ｓ以下であることを特徴とする粘着テープ。
2. 前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である請求項１に記載の粘着テープ。
3. 前記硬化性樹脂は、ウレタンアクリレートおよびビスフェノールＡ系のエポキシアクリレートのうちの少なくとも１種である請求項１または２に記載の粘着テープ。
4. 当該粘着テープは、前記基板を仮固定した状態で、前記粘着層上に積層された前記基板の前記粘着層と反対の面側を研削して、その厚さを薄くする研削加工を施す際に用いられるものである請求項１ないし３のいずれか１項に記載の粘着テープ。
5. 前記基板は、複数の半導体素子が封止材により封止された半導体封止連結体であり、
   当該粘着テープは、前記半導体素子が有する電極パッドが、前記粘着層の反対側となるように、前記半導体封止連結体を、当該粘着テープに仮固定した状態で、前記半導体封止連結体の前記粘着層と反対の面側を研削して、前記封止材から前記電極パッドを露出させる際に用いられるものである請求項４に記載の粘着テープ。
6. 当該粘着テープは、下記要件Ａを満足する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の粘着テープ。
   要件Ａ：エポキシ樹脂を主材料として含有し、板状をなす樹脂基板上に、当該粘着テープを貼付し、次いで、２３℃・１時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与前において、２５℃環境下において、当該粘着テープの一端を持ち、３０°の方向にて３０００ｍｍ／分の速度で、当該粘着テープを引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度が６０ｃＮ／２０ｍｍ以上２００ｃＮ／２０ｍｍ以下であること。
7. 前記粘着層は、その厚さが１５μｍ以上３０μｍ以下である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の粘着テープ。
8. 前記基材は、前記粘着層と反対側の表面における表面抵抗率が１．０×１０^１５（Ω／□）以下である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の粘着テープ。

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