JP2016018810A - ダイシング−ダイボンディングテープ - Google Patents

Abstract

【課題】ダイシング加工性に優れ、ダイシング後の半導体チップに対してピックアップのしやすさを維持し、ダイシング後の切削面に生じるヒゲ状の切削屑を抑制でき、ダイシング後に剥離ライナーとしての非粘着層に破断が生じる（いわゆる、フィルム割れ）ことを抑制できるダイシング−ダイボンディングテープを提供する。【解決手段】ダイシングフィルムと、前記ダイシングフィルムに積層された非粘着層と、前記非粘着層に積層されたダイボンディング用粘接着剤層とを有し、前記非粘着層の貯蔵弾性率が１〜３ＧＰａ、破断伸度が１００％以上であるダイシング−ダイボンディングテープ。【選択図】図１

Description

本発明は、ダイシング加工性に優れ、ダイシング後の半導体チップに対してピックアップのしやすさを維持し、ダイシング後の切削面に生じるヒゲ状の切削屑を抑制でき、ダイシング後に剥離ライナーとしての非粘着層に破断が生じる（いわゆる、フィルム割れ）ことを抑制できるダイシング−ダイボンディングテープに関する。

半導体ウエハをダイシングして個々の半導体チップに分割し、得られた半導体チップを基板等の上に実装（ダイボンディング）するために、ダイシング−ダイボンディングテープが用いられている。
ダイシング−ダイボンディングテープは、ダイシングフィルム上に、剥離ライナーとしての非粘着層を介してダイボンディング用粘接着剤層が積層されているテープである。通常、まず、ダイシング−ダイボンディングテープのダイボンディング用粘接着剤層を半導体ウエハに貼り合わせ、この状態でダイボンディング用粘接着剤層ごと半導体ウエハをダイシングする。その後、ダイボンディング用粘接着剤層付き半導体チップを非粘着層から剥がしてピックアップし、ダイボンディング用粘接着剤層を介して半導体チップを基板等の上に実装する。

ダイシング−ダイボンディングテープに求められる性能として、例えば、半導体ウエハに強固に接着してダイシングを良好に実施できること（いわゆる、ダイシング加工性）、ダイシング後の半導体チップに対するピックアップのしやすさ等が挙げられる。また、ダイシング後の切削面に生じるダイシング−ダイボンディングテープに由来するヒゲ状の切削屑を抑制することも求められる。このようなヒゲ状の切削屑がダイボンディング用粘接着剤層又は半導体チップに付着すると、ピックアップされた半導体チップを正しい向きにかつ高精度に実装できないことがある。

特許文献１には、粘接着剤層と、該粘接着剤層に積層された非粘着層とを備えるダイシング−ダイボンディングテープであって、所定のダイシングフィルムをさらに備え、非粘着層が、貯蔵弾性率が１〜４００ＭＰａであり破断伸度が５〜１００％であるアクリル系ポリマーを主成分として含有する組成物により形成されているダイシング−ダイボンディングテープが記載されている。
しかしながら、特許文献１に記載されたダイシング−ダイボンディングテープは、ダイシング後に剥離ライナーとしての非粘着層に破断が生じること（いわゆる、フィルム割れ）が問題である。このようなフィルム割れが生じると、割れ方によっては半導体チップをピックアップしづらくなる場合がある。従って、ヒゲ状の切削屑を抑制し、更には非粘着層のフィルム割れをも抑制でき、ダイシング加工性及びピックアップのしやすさを維持できるダイシング−ダイボンディングテープが求められている。

特許第５２８６０８５号公報

本発明は、ダイシング加工性に優れ、ダイシング後の半導体チップに対してピックアップのしやすさを維持し、ダイシング後の切削面に生じるヒゲ状の切削屑を抑制でき、ダイシング後に剥離ライナーとしての非粘着層に破断が生じる（いわゆる、フィルム割れ）ことを抑制できるダイシング−ダイボンディングテープを提供することを目的とする。

本発明は、ダイシングフィルムと、前記ダイシングフィルムに積層された非粘着層と、前記非粘着層に積層されたダイボンディング用粘接着剤層とを有し、前記非粘着層の貯蔵弾性率が１〜３ＧＰａ、破断伸度が１００％以上であるダイシング−ダイボンディングテープである。
以下、本発明を詳述する。

本発明者らは、ダイシングフィルムと、上記ダイシングフィルムに積層された非粘着層と、上記非粘着層に積層されたダイボンディング用粘接着剤層とを有するダイシング−ダイボンディングテープにおいて、上記非粘着層のフィルム割れを抑制するために、上記非粘着層の破断伸度を１００％以上に上げることを検討した。しかしながら、破断伸度を上げるとヒゲ状の切削屑が生じやすくなり、ヒゲ状の切削屑の抑制と上記非粘着層のフィルム割れの抑制とを両立することは難しかった。
これに対して本発明者らは、上記非粘着層の破断伸度を１００％以上に上げつつ貯蔵弾性率を特定の高い範囲に調整することにより、ダイシング加工性及びピックアップのしやすさを維持し、ヒゲ状の切削屑を抑制し、更には上記非粘着層のフィルム割れをも抑制できるダイシング−ダイボンディングテープが得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。

本発明のダイシング−ダイボンディングテープは、ダイシングフィルムと、上記ダイシングフィルムに積層された非粘着層と、上記非粘着層に積層されたダイボンディング用粘接着剤層とを有する。
図１は、本発明のダイシング−ダイボンディングテープの一例を模式的に示す断面図である。図１に示す本発明のダイシング−ダイボンディングテープ１は、ダイシングフィルム４と、このダイシングフィルム４に積層された非粘着層５と、この非粘着層５に積層されたダイボンディング用粘接着剤層６とを有する。なお、ダイシングフィルム４は、図１示すように基材２と、基材２の片面に積層された粘着剤層３とを有するものであってよいが、このような構成に限定されない。

上記ダイシングフィルムは、半導体ウエハをダイシングする際に一般的に用いられるダイシングフィルムであれば特に限定されないが、基材と、上記基材の片面に積層された粘着剤層とを有することが好ましい。
上記基材は特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルムや、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルムや、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系フィルムが好ましい。

上記粘着剤層は、上記ダイシングフィルムと上記非粘着層との剥離力が、上記非粘着層と上記ダイボンディング用粘接着剤層との剥離力よりも大きくなるように構成されれば特に限定されない。上記粘着剤層を構成する粘着剤として、例えば、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、比較的安価な感圧タイプのアクリル系粘着剤が好ましい。

上記ダイシングフィルムは特に限定されず、各社から市販されているが、具体的には例えば、ＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学工業社製、厚み７０μｍのポリエチレンフィルムの片面に、厚み１０μｍのゴム系粘着剤層が形成されている粘着フィルム）等が挙げられる。

上記非粘着層は、貯蔵弾性率が１〜３ＧＰａ、破断伸度が１００％以上である。上記非粘着層の破断伸度を１００％以上に上げつつ貯蔵弾性率を上記範囲の高い値に調整することにより、ダイシング加工性及びピックアップのしやすさを維持し、ヒゲ状の切削屑を抑制し、更にはフィルム割れをも抑制することができる。

上記貯蔵弾性率が１ＧＰａ未満であると、上記非粘着層が軟らかくなりすぎて、ダイシング加工性が低下したり、ダイシング後の切削面にヒゲ状の切削屑が生じやすくなったりする。上記貯蔵弾性率が３ＧＰａを超えると、上記非粘着層が硬くなりすぎて、ダイシング後の半導体チップに対してピックアップする際にニードルで突き上げてもダイシング−ダイボンディングテープが曲がらず、ピックアップのしやすさが低下する。上記貯蔵弾性率の好ましい下限は１．５ＧＰａ、好ましい上限は２．９ＧＰａであり、より好ましい下限は１．８ＧＰａ、より好ましい上限は２．８ＧＰａである。
なお、貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（例えば、アイティ計測社製のＤＶＡ−２００）を用いて、１０Ｈｚ及び歪み０．１％の条件で２３℃において測定することができる。

上記破断伸度が１００％未満であると、ダイシング後に上記非粘着層のフィルム割れが生じやすくなる。上記破断伸度の好ましい下限は１２０％、より好ましい下限は１３０％である。
上記破断伸度の上限は特に限定されないが、ヒゲ状の切削屑を抑制する観点から、好ましい上限は７５０％であり、より好ましい上限は６８０％であり、更に好ましい上限は２５０％である。
なお、破断伸度は、ＪＩＳ Ｋ７１２７に準拠して、引張試験機（例えば、島津製作所製の引張試験機ＡＧ−ＩＳ、オリエンテック社製のＲＴＣ−１３１０Ａ）を用いて、非粘着層単体を２３℃で３００ｍｍ／分の速度で引っ張り、破断に至った際の伸度を測定することで求めることができる。

上記非粘着層は、上記範囲の貯蔵弾性率及び破断伸度を有していれば特に限定されず、粘着性を有していなくてもよいし、指で触ったときに付着しない程度の微粘着性を有していてもよい。
上記非粘着層を構成する樹脂を選択することで、上記非粘着層の貯蔵弾性率及び破断伸度を上記範囲に調整することができる。上記非粘着層を構成する樹脂として、例えば、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン系樹脂が好ましい。なかでも、貯蔵弾性率と破断伸度とのバランスが良いことから、ポリエステル系樹脂が好ましい。

上記ポリエステル系樹脂として、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート−テトラメチレンテレフタレート共重合体等が挙げられる。なかでも、貯蔵弾性率と破断伸度とのバランスが良いことから、ポリエチレンテレフタレート樹脂が好ましく、無延伸のポリエチレンテレフタレート樹脂がより好ましい。
また、上記範囲の貯蔵弾性率及び破断伸度を有する観点から、上記非粘着層が上記ポリエステル系樹脂からなる場合、上記非粘着層は無延伸であることが好ましい。

上記ポリスチレン系樹脂として、例えば、芳香族ビニル炭化水素−共役ジエン共重合体、芳香族ビニル炭化水素−脂肪族不飽和カルボン酸エステル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂等が挙げられる。なかでも、貯蔵弾性率と破断伸度とのバランスが良いことから、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂が好ましい。

上記芳香族ビニル炭化水素として、例えば、スチレン、ｏ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン等が挙げられる。
上記共役ジエンとして、例えば、１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン等が挙げられる。
上記脂肪族不飽和カルボン酸エステルとして、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル等が挙げられる。
これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記芳香族ビニル炭化水素−共役ジエン共重合体として、具体的には例えば、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体（ＳＢＳ樹脂）、スチレン−イソプレン−スチレン共重合体（ＳＩＳ樹脂）、スチレン−イソプレン−ブタジエン−スチレン共重合体（ＳＩＢＳ樹脂）等が挙げられる。
上記芳香族ビニル炭化水素−脂肪族不飽和カルボン酸エステル共重合体としては、具体的には例えば、スチレン−アクリル酸ブチル共重合体等が挙げられる。

上記非粘着層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が５μｍ、好ましい上限が２００μｍである。上記厚みが５μｍ未満であると、充分なエクスパンド性が得られないことがある。上記厚みが２００μｍを超えると、ダイシング加工性が低下することがある。上記厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は１５０μｍである。

上記ダイボンディング用粘接着剤層は、半導体ウエハを基板等の上に実装する際に一般的に用いられる粘接着剤層であれば特に限定されないが、例えば、熱可塑性樹脂、ホットメルト型接着樹脂、硬化性樹脂を含有する硬化性樹脂組成物等により形成されることが好ましい。
上記熱可塑性樹脂は特に限定されず、例えば、ポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記ホットメルト型接着樹脂として、例えば、アクリル酸ブチル等を主なモノマー単位とするポリ（メタ）アクリル酸エステル樹脂等が挙げられる。

上記硬化性樹脂組成物に含まれる硬化性樹脂は特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂や、感光性オニウム塩等の光カチオン触媒により重合するエポキシ樹脂、感光性ビニル基を有するアクリル樹脂等の光硬化性樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、上記硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーと、硬化剤とを含むことが好ましい。このような組成物を用いることにより、硬化物の接合信頼性が高くなる。

上記エポキシ樹脂は特に限定されないが、ビスフェノール骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂や、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂が好ましい。ビスフェノール骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いることにより、優れた接着性が得られる。また、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いることにより、硬化物が剛直になり分子の運動が阻害されるため、硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性が高くなる。
上記ビスフェノール骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。また、上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。

上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂として、例えば、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等が挙げられる。上記ナフタレン型エポキシ樹脂として、例えば、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリジジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン又は１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等が挙げられる。

上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量の好ましい下限は５００、好ましい上限は１０００である。上記重量平均分子量が５００未満であると、硬化物の機械的強度、耐熱性又は耐湿性を充分に高めることができないことがある。上記重量平均分子量が１０００を超えると、硬化物が剛直になりすぎて、脆くなることがある。

上記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーは特に限定されず、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有するポリマーが挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子ポリマーが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーを用いることにより、硬化物の可撓性が高くなる。また、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂とエポキシ基を有する高分子ポリマーとを併用することにより、上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂により硬化物の機械的強度、耐熱性及び耐湿性を高めることができるとともに、上記エポキシ基を有する高分子ポリマーにより硬化物の可撓性が高くなる。

上記エポキシ基を有する高分子ポリマーは、末端及び側鎖（ペンダント位）のうちの少なくとも一方にエポキシ基を有することが好ましい。
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーとして、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリルポリマー、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、硬化物の機械的強度及び耐熱性を高めることができるため、エポキシ基含有アクリルポリマーが好ましい。

上記硬化剤は特に限定されず、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、カチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記加熱硬化型酸無水物系硬化剤のうち、常温で液状の硬化剤として、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、疎水化されているので、メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸が好ましい。

上記硬化性樹脂組成物は、硬化速度、硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤とともに硬化促進剤を含有していてもよい。上記硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、硬化速度、硬化物の物性等を容易に調整できるため、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。
上記イミダゾール系硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、イソシアヌル酸で塩基性を保護した商品名「２ＭＡＯＫＰＷ」（四国化成工業社製）等が挙げられる。

上記酸無水物系硬化剤と上記硬化促進剤（例えば、イミダゾール系硬化促進剤）とを併用する場合は、上記酸無水物系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。上記酸無水物系硬化剤の添加量が過剰であると、硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。

上記アミン系硬化剤と上記硬化促進剤（例えば、イミダゾール系硬化促進剤）とを併用する場合は、上記アミン系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。上記アミン系硬化剤の添加量が過剰であると、硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが高く、抽出水が塩基性となり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。

上記ダイボンディング用粘接着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が１μｍ、好ましい上限が２００μｍである。上記厚みが１μｍ未満であると、充分なエクスパンド性が得られないことがある。上記厚みが２００μｍを超えると、半導体チップと上記ダイボンディング用粘接着剤層との合計厚みを薄くできなくなることがある。上記厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は１００μｍである。

本発明のダイシング−ダイボンディングテープの製造方法は特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂等を含有する硬化性樹脂溶液を離型フィルム上に塗布し、加熱乾燥して離型フィルム上にダイボンディング用粘接着剤層を形成した後、このダイボンディング用粘接着剤層に非粘着層をラミネートし、更に、この非粘着層にダイシングフィルムを貼り合わせる方法等が挙げられる。

本発明のダイシング−ダイボンディングテープを用いることにより、ダイシング加工性及びピックアップのしやすさを維持し、ヒゲ状の切削屑を抑制し、更にはフィルム割れをも抑制することができる。
本発明のダイシング−ダイボンディングテープを用いた半導体装置の製造方法は特に限定されず、例えば、本発明のダイシング−ダイボンディングテープの上記ダイボンディング用粘接着剤層を半導体ウエハに貼り合わせる工程（１）、上記ダイボンディング用粘接着剤層ごと上記半導体ウエハをダイシングする工程（２）、上記ダイボンディング用粘接着剤層付き半導体チップを上記非粘着層から剥がしてピックアップする工程（３）、及び、上記ダイボンディング用粘接着剤層を介して半導体チップを基板又は他の半導体チップの上に実装する工程（４）を有する方法等が挙げられる。

上記工程（１）において本発明のダイシング−ダイボンディングテープの上記ダイボンディング用粘接着剤層を半導体ウエハに貼り合わせる方法は特に限定されず、ラミネーターを用いた一般的な貼り合わせ方法を用いることができる。

上記工程（２）において上記ダイボンディング用粘接着剤層ごと上記半導体ウエハをダイシングする方法は特に限定されず、例えば、ダイシング装置（例えば、ディスコ社製のＤＦＤ６３６１）を用いて上記ダイボンディング用粘接着剤層ごと上記半導体ウエハを個々の半導体チップに分割する方法等が挙げられる。
このとき、ダイシングを１段階で行ってもよいが、ダイシングによる上記半導体ウエハの破損を防ぐ観点から、ダイシングを２段階（ステップカット）で行うことが好ましい。また、ダイシングでは、一枚の刃でダイシングするシングルカット、二枚の刃でダイシングするステップカット、二枚の刃でダイシングするベベルカット等を用いることができる。ベベルカットでは、上記半導体ウエハの表面を切断するために、断面がＶ字形状の刃が用いられる。なかでも、ダイシングによる上記半導体ウエハの破損を防ぐ観点から、ステップカットが好ましい。

また、上記工程（２）において上記ダイボンディング用粘接着剤層ごと上記半導体ウエハをダイシングする方法として、レーザー光を照射する方法を用いてもよい。レーザー光の照射により上記ダイボンディング用粘接着剤層ごと上記半導体ウエハをダイシングする場合、レーザー光は上記非粘着層に至るように照射される。

上記工程（３）において上記ダイボンディング用粘接着剤層付き半導体チップを上記非粘着層から剥がしてピックアップする方法は特に限定されず、例えば、上記ダイシングフィルムを引き延ばして、分割された個々の半導体チップの間隔を拡張した後、半導体チップの裏面側からニードルで突き上げたり、半導体チップの表面側から真空ピールしたり、超音波振動を利用したりすることにより、上記ダイボンディング用粘接着剤層付き半導体チップを上記非粘着層から剥がす方法等が挙げられる。

上記工程（４）において上記ダイボンディング用粘接着剤層を介して半導体チップを基板又は他の半導体チップの上に実装する方法は特に限定されず、ダイボンダーを用いた一般的な実装方法を用いることができる。

本発明によれば、ダイシング加工性に優れ、ダイシング後の半導体チップに対してピックアップのしやすさを維持し、ダイシング後の切削面に生じるヒゲ状の切削屑を抑制でき、ダイシング後に剥離ライナーとしての非粘着層に破断が生じる（いわゆる、フィルム割れ）ことを抑制できるダイシング−ダイボンディングテープを提供することができる。

本発明のダイシング−ダイボンディングテープの一例を模式的に示す断面図である。

以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。

（実施例１〜４及び比較例２〜５）
（使用した非粘着フィルム）
実施例１〜４又は比較例２〜５では、非粘着層として次の非粘着フィルムを用いた。
・ＰＥＴ（１）（無延伸ポリエステル、帝人デュポンフィルム社製「Ａ−ＰＥＴ」、厚み１８８μｍ）
・ＰＥＴ（２）（延伸ポリエステル、帝人デュポンフィルム社製「テトロン」、厚み１８８μｍ）
・ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−スチレンゴム、オー・ジー社製「ＡＢＳ」、厚み１００μｍ）
・ＰＢＴ（１）（ポリブチレンテレフタレート、オー・ジー社製「ホモＰＢＴ」、厚み１００μｍ）
・ＰＢＴ（２）（ポリブチレンテレフタレート−テトラメチレンテレフタレート共重合体、オー・ジー社製「超ソフトＰＢＴ」、厚み１００μｍ）
・ＰＢＴ（３）（ポリブチレンテレフタレート、オー・ジー社製「ＳＳ」、厚み１００μｍ）
・ＩＯ（アイオノマー、オー・ジー社製「ＩＯ−１」、厚み１００μｍ）
・ＰＰ（ポリプロピレン、ＪＳＲトレーディング社製「耐熱ダイナソフト」、厚み１００μｍ）

（非粘着フィルムの貯蔵弾性率及び破断伸度の測定）
厚さ０．５ｍｍ、幅５ｍｍ×３ｃｍの非粘着フィルムを試験サンプルとして用意し、アイティ計測社製のＤＶＡ−２００を用いて、１０Ｈｚ及び歪み０．１％の条件で試験サンプルの２３℃における貯蔵弾性率を求めた。
厚さ０．５ｍｍ、幅５ｍｍ×７ｃｍの非粘着フィルムを試験サンプルとして用意し、島津製作所製の引張試験機ＡＧ−ＩＳを用いて、試験サンプルを２３℃で３００ｍｍ／分の速度で引っ張り、破断に至った際の伸度を測定して破断伸度とした。
なお、厚さ０．５ｍｍの非粘着フィルムが用意できない場合は、厚さ０．１ｍｍ前後の非粘着フィルムを試験サンプルとして使用した。
測定結果を表１に示した。

（ダイシング−ダイボンディングテープの作製）
Ｇ−２０５０Ｍ（日油社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１２重量部と、１００４ＡＦ（三菱化学社製、ビスフェノール型エポキシ樹脂）３５重量部と、ＹＬ９８０（三菱化学社製、ビスフェノール型エポキシ樹脂）１５重量部と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）３５重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成工業社製、イミダゾール）３重量部と、ＹＡ０５０Ｃ−ＳＰ１（アドマテックス社製、無機フィラー）５０重量部と、ＳＥ１０５０−ＳＰＪ（アドマテックス社製、無機フィラー）５０重量部とを配合し、得られた配合物を溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０％となるように添加し、攪拌して硬化性樹脂溶液を得た。得られた硬化性樹脂溶液を離型フィルム上に厚み４０μｍになるように塗布し、１１０℃のオーブン内で３分間加熱乾燥し、離型フィルム上にダイボンディング用粘接着剤層を形成した。

ダイボンディング用粘接着剤層に上記の非粘着層を６０℃でラミネートし、ラミネート体を得た。ラミネート体を円形に切り抜いた後、非粘着層にダイシングフィルムとしてのＰＥテープ＃６３１８−Ｂ（積水化学工業社製、厚み７０μｍのポリエチレンフィルムの片面に、厚み１０μｍのゴム系粘着剤層が形成されている粘着フィルム）を粘着剤層側から貼り合わせた。その後、ダイシングフィルムを円形に切り抜いた。このようにして、離型フィルム／ダイボンディング用粘接着剤層／非粘着層／ダイシングフィルムがこの順で積層されたダイシング−ダイボンディングテープを作製した。

（比較例１）
（アクリルポリマーの合成）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部と、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部と、光重合開始剤（チバ・ケミカルスペシャルティ社製、イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部と、ラウリルメルカプタン０．０１重量部とを酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。更に、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を３．５重量部反応させて、アクリルポリマーを得た。得られたアクリルポリマーの重量平均分子量は７０万であり、酸価は０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。

（非粘着フィルムの作製）
得られたアクリルポリマー１００重量部と、光重合開始剤（チバ・ケミカルスペシャルティ社製、イルガキュア６５１）１重量部と、ウレタンアクリルオリゴマー（新中村化学工業社製、Ｕ３２４Ａ）１５重量部とを配合した組成物を調製した。得られた組成物に、１６０Ｗの水銀灯２灯を用いて、光を４０００ｍＪ／ｃｍ^２のエネルギーとなるように照射し、組成物を硬化させ、厚み５０μｍの非粘着層としての非粘着フィルム（表１中、「ＡＲＬ」と示す）を得た。得られた非粘着フィルムの貯蔵弾性率及び破断伸度を実施例１と同様にして測定した。

（ダイシング−ダイボンディングテープの作製）
得られた非粘着フィルムを用いたこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング−ダイボンディングテープを作製した。

＜評価＞
得られたダイシング−ダイボンディングテープについて次の評価を行った。評価結果を表１に示した。

（１）ダイシング加工性
ダイシング−ダイボンディングテープの離型フィルムを剥離し、ダイボンディング用粘接着剤層を露出させた。露出したダイボンディング用粘接着剤層を直径８インチのシリコンウエハ（厚み５０μｍ）に６０℃の温度でラミネートし、評価サンプルを作製した。ダイシング装置ＤＦＤ６３６１（ディスコ社製）を用い、回転数４００００ｒｐｍ、送り速度２０ｍｍ／秒で評価サンプルを１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングした。なお、ダイシングの際の切り込みの深さは、非粘着層に対して３０μｍ切り込むように設定した。
ダイシング後、ダイシング−ダイボンディングテープの断面を観察し、ダイシング加工性を評価した。ここで、ダイシング加工性とは、非粘着層への切り込み設定３０μｍに対し、実際にどれだけ切り込めたかを示している。設定通り３０μｍ切り込めたものを１００％とし、切り込みが０μｍとなったものを０％としてダイシング加工性を求めた。

（２）ヒゲ状の切削屑の有無
上記（１）のダイシング後の切削面を観察し、ヒゲ状の切削屑の有無を下記の基準で評価した。
◎：ヒゲ状の切削屑なし
○：０〜３０μｍのヒゲ状の切削屑あり
△：３０μｍを超えて１００μｍ以下のヒゲ状の切削屑あり
×：１００μｍを超えるヒゲ状の切削屑あり

（３）ピックアップの可否（ピックアップ性）
上記（１）のダイシング後、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ９ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、ピックアップ温度２３℃の条件で、分割された半導体チップの連続ピックアップを行い、ピックアップの可否を下記の基準で評価した。
○：ピックアップできなかった半導体チップの割合が０％
△：ピックアップできなかった半導体チップの割合が０％を超えて１５％以下
×：ピックアップできなかった半導体チップの割合が１５％を超える

（４）フィルム割れの有無
上記（３）のピックアップ後の非粘着層を観察し、非粘着層の破断（フィルム割れ）の有無を下記の基準で評価した。
○：非粘着層に破断なし（フィルム割れなし）
×：非粘着層に破断あり（フィルム割れあり）

本発明によれば、ダイシング加工性に優れ、ダイシング後の半導体チップに対してピックアップのしやすさを維持し、ダイシング後の切削面に生じるヒゲ状の切削屑を抑制でき、ダイシング後に剥離ライナーとしての非粘着層に破断が生じる（いわゆる、フィルム割れ）ことを抑制できるダイシング−ダイボンディングテープを提供することができる。

１ 本発明のダイシング−ダイボンディングテープ
２ 基材
３ 粘着剤層
４ ダイシングフィルム
５ 非粘着層
６ ダイボンディング用粘接着剤層

Claims (2)

1. ダイシングフィルムと、前記ダイシングフィルムに積層された非粘着層と、前記非粘着層に積層されたダイボンディング用粘接着剤層とを有し、
   前記非粘着層の貯蔵弾性率が１〜３ＧＰａ、破断伸度が１００％以上である
   ことを特徴とするダイシング−ダイボンディングテープ。
2. ダイシングフィルムは、基材と、前記基材の片面に積層された粘着剤層とを有することを特徴とする請求項１記載のダイシング−ダイボンディングテープ。

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