TWI728198B - 切割晶粒接著片以及半導體晶片的製造方法 - Google Patents

切割晶粒接著片以及半導體晶片的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明的切割晶粒接著片具備基材、形成於前述基材上之黏著劑層、形成於前述黏著劑層上之中間層以及形成於前述中間層上之膜狀黏接劑，前述中間層為樹脂製，前述中間層之具備前述膜狀黏接劑之側之界面係經剝離處理，前述中間層之拉伸彈性率為3500MPa以上。

Description

切割晶粒接著片以及半導體晶片的製造方法
本發明係關於一種切割晶粒接著片以及半導體晶片的製造方法。
本申請案基於2016年11月1日在日本提出申請之日本專利特願2016-214161號而主張優先權，其內容引用於本申請案中。
切割晶粒接著片係例如依序具備基材、黏著劑層以及膜狀黏接劑而構成，藉由該膜狀黏接劑貼附於半導體晶圓而使用(參照專利文獻1)。切割晶粒接著片上固定之半導體晶圓藉由切割而與黏著劑層以及膜狀黏接劑一起被分割從而單片化為半導體晶片。然後，將具備切斷後之膜狀黏接劑之半導體晶片自黏著劑層拉離而拾取。於黏著劑層為硬化性之情形時，切割後，藉由使黏著劑層硬化而使黏著性降低，具備膜狀黏接劑之半導體晶片之拾取變得容易。與膜狀黏接劑一起被拾取之半導體晶片藉由膜狀黏接劑而晶粒接著於基板之電路形成面，且視需要進而將1個以上之另一半導體晶片積層且引線接合於該半導體晶 片。接下來，所獲得者整體由樹脂密封而製作出半導體封裝，使用該半導體封裝最終製造出目標半導體裝置。
切割係例如藉由使用切割刀片一邊使其旋轉一邊切入半導體晶圓而進行。然而，該切割方法中，會發生來自基材等之各層之切斷片。若該切斷片之發生量多，則切斷片容易附著於半導體晶片之側面或電路形成面，此種切斷片附著之狀態下之半導體晶片在直至其後之拾取之期間內可能成為步驟異常之發生原因。而且，為了減少切斷片之發生量，而變更切割晶粒接著片之構成或自切割至拾取之間之步驟之情形時，該變更自身亦可能成為步驟異常之發生原因。
與此相對，專利文獻1記載之發明中，無法確定如何能夠抑制上述步驟異常之發生且減少切斷片之發生量。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2009-120822號公報。
本發明之目的在於提供一種切割晶粒接著片、以及使用了該切割晶粒接著片之半導體晶片的製造方法，上述切割晶粒接著片於使用切割刀片之切割時可減少切斷片之發生量，且於自切割至具備膜狀黏接劑之半導體晶片之拾取之期間內可抑制步驟異常之發生。
本發明提供一種切割晶粒接著片，其具備：基材、形成於前述基材上之黏著劑層、形成於前述黏著劑層上之中間層以及形成於前述中間層上之膜狀黏接劑，前述中間層為樹脂製，前述中間層之具備前述膜狀黏接劑之側之界面係經剝離處理，前述中間層之拉伸彈性率為3500MPa以上。
本發明之切割晶粒接著片中，前述黏著劑層與前述中間層之間之黏著力亦可為0.3N/25mm以上。
而且，本發明提供一種半導體晶片的製造方法，包括下述步驟：形成積層結構體之步驟，該積層結構體係於上述切割晶粒接著片中的前述膜狀黏接劑之與設置有前述中間層之側為相反側之面設置有半導體晶圓而成；以及使用切割刀片於前述積層結構體形成自前述半導體晶圓之表面到達前述中間層並且不到達前述基材之切口，藉此將前述半導體晶圓分割而形成半導體晶片之步驟。
藉由使用本發明之切割晶粒接著片製造半導體晶片，而於使用了切割刀片之切割時，可減少切斷片之發生量。其結果，於自切割至具備膜狀黏接劑之半導體晶片之拾取之期間內，可抑制步驟異常之發生。
1:支持片
9:半導體晶片
9’:半導體晶圓
9a’:半導體晶圓之表面
10:切口
11、81:基材
11a:基材之第1面
12:黏著劑層
12a:黏著劑層之第1面
13、83:中間層
13a:中間層之第1面
14:膜狀黏接劑
14a:膜狀黏接劑之第1面
15:剝離膜
70:突起
71:提拉部
81a:基材之一面(界面、第1面)
83a:中間層之與設置有黏著劑層之側為相反側之面(界面、第1面)
101:切割晶粒接著片
120a、130a:底面
201:積層結構體
201’:形成切口後之積層結構體
I:箭頭
T1:中間層之厚度
T2:自中間層之第1面算起之切口之深度
T3:黏著劑層之厚度
T4:自黏著劑層之第1面算起之切口之深度
圖1係示意性地表示本發明之切割晶粒接著片之一實施形態之剖視圖。
圖2係用以示意性地說明本發明之半導體晶片的製造方法之一實施形態之剖視圖。
圖3係示意性地表示藉由本發明之製造方法而獲得之半導體晶片之一實施形態之放大剖視圖。
圖4係示意性地表示藉由本發明之製造方法而獲得之半導體晶片之其他實施形態之放大剖視圖。
圖5係用以示意性地說明利用了本發明之半導體晶片的製造方法之半導體裝置之製造方法之一實施形態之剖視圖。
圖6係示意性地表示比較例1中獲得之半導體晶片之一實施形態之放大剖視圖。
圖7係示意性地表示比較例2中獲得之半導體晶片之一實施形態之放大剖視圖。
圖8係示意性地表示比較例3中獲得之半導體晶片之一實施形態之放大剖視圖。
圖9係示意性地表示比較例4中獲得之半導體晶片之一實施形態之放大剖視圖。
◇切割晶粒接著片
本發明之切割晶粒接著片具備基材、形成於前述基材上之黏著劑層、形成於前述黏著劑層上之中間層、形成於前述中間層上之膜狀黏接劑，前述中間層為樹脂製，前述中間層之具備前述膜狀黏接劑之側之界面係經剝離處 理，前述中間層之拉伸彈性率為3500MPa以上。
本發明之切割晶粒接著片較佳為在進行使用了半導體晶圓之切割刀片之切割(以下有時稱作「刀片切割」)、及繼其之後的具備切斷後之膜狀黏接劑之半導體晶片(本說明書中有時稱作「附膜狀黏接劑之半導體晶片」)之拾取時使用。
於刀片切割時，使切割刀片旋轉而切入半導體晶圓。此時，因藉由切割刀片將半導體晶圓與切割晶粒接著片之至少一部分切削，故會發生切斷片。該切斷片係自半導體晶圓以及切割晶粒接著片中之任一層發生，是粉體狀、纖維狀等之懸浮固體，或者是尚未完全自上述任一層分離而呈鬚狀殘存。若該切斷片之發生量多，則其一部分容易附著並殘存於半導體晶片之電路形成面或側面。而且，若切斷片如此殘存，則有時無法正常拾取附膜狀黏接劑之半導體晶片，從而成為拾取不良之原因。而且，即便假如可拾取，於切斷片殘存之狀態下製作而成之半導體裝置有時亦無法正常地發揮功能。
對此，本發明之切割晶粒接著片藉由具備前述中間層，而可抑制附膜狀黏接劑之半導體晶片之拾取不良之發生。而且，藉由中間層之拉伸彈性率為3500MPa以上，於刀片切割時可減少切斷片之發生量。
以下，首先，對構成本發明之切割晶粒接著片之各層進行說明。
○基材
前述基材為片狀或膜狀，其構成材料較佳為各種樹脂。
作為前述樹脂，具體而言，例如可列舉聚乙烯(低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE等))、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚胺基甲酸酯、聚丙烯酸胺基甲酸酯、聚醯亞胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物以及乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物以外之乙烯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟樹脂、該等中之任一個樹脂之氫化物、改性物、交聯物或共聚物等。
另外，本說明書中，「(甲基)丙烯酸」係包含「丙烯酸」以及「甲基丙烯酸」之兩者之概念。關於與(甲基)丙烯酸類似之用語亦相同，例如，「(甲基)丙烯酸酯」係包含「丙烯酸酯」以及「甲基丙烯酸酯」之兩者之概念，「(甲基)丙烯醯基」係包含「丙烯醯基」以及「甲基丙烯醯基」之兩者之概念。
構成基材之樹脂可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
基材可由1層(單層)構成，亦可由2層以上之複數層 構成。於基材由複數層構成之情形時，該等複數層彼此可相同亦可不同，關於該等複數層之組合，只要不損及本發明之效果則不作特別限定。
另外，本說明書中，不限於基材之情形，「複數層彼此可相同亦可不同」係指「可所有層相同，亦可所有層不同，還可僅部分層相同」，進而「複數層彼此不同」係指「各層之構成材料以及厚度之至少一者彼此不同」。
基材之厚度可根據目的而適當選擇，較佳為50μm至300μm，更佳為60μm至100μm。
此處，「基材之厚度」係指基材整體之厚度，例如，由複數層構成之基材之厚度係指構成基材之所有層之合計之厚度。
就基材而言，為了提高與設置於其上之黏著劑層等其他層之密接性，亦可為表面實施了由噴砂處理、溶劑處理、壓紋加工處理等構成之凹凸化處理，或電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧‧紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理等所得。
而且，基材亦可係表面實施了底塗處理。
而且，基材亦可具有如下層等，即，於將抗靜電塗層、切割晶粒接著片重合並保存時，防止基材黏接於其他片或者防止基材黏接於吸附帶。
其中，進行了電子束照射處理之基材於後述之切割步驟中抑制來自基材之切斷片之發生，就該方面而言較佳。
基材除含有前述樹脂等主要構成材料以外，亦可含有填充材、著色劑、抗靜電劑、抗氧化劑、有機潤滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知之各種添加劑。
基材之光學特性於不損及本發明之效果之範圍內不作特別限定，但基材較佳為係供雷射光或能量線透過。
基材可利用公知之方法製造。例如，含有樹脂之基材可藉由使含有前述樹脂之樹脂組成物成形而製造。
○黏著劑層
前述黏著劑層為片狀或膜狀，且含有黏著劑。
而且，黏著劑層可使用含有前述黏著劑之黏著劑組成物而形成。例如，對黏著劑層之形成對象面塗佈黏著劑組成物，且視需要使其乾燥，藉此可於目標部位形成黏著劑層。黏著劑層之更具體之形成方法將與其他層之形成方法一起進行詳細說明。
黏著劑組成物之塗佈利用公知之方法進行即可，例如可列舉使用氣刀塗佈機、刮刀塗佈機、棒式塗佈機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀式塗佈機、簾幕式塗佈機、模嘴塗佈機、刀式塗佈機、網版塗佈機、邁耶棒式塗佈機、吻合式塗佈機等各種塗佈機之方法。
黏著劑組成物之乾燥條件雖不作特別限定，但於黏著劑組成物含有後述溶劑之情形時，較佳為使其加熱乾燥。 較佳為例如於70℃至130℃且10秒至5分鐘之條件下使含有溶劑之黏著劑組成物乾燥。
作為前述黏著劑，例如可列舉丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等黏著性樹脂，較佳為丙烯酸系樹脂。
另外，本發明中，「黏著性樹脂」係指包含具有黏著性之樹脂、及具有黏接性之樹脂之兩者之概念，例如，不僅包含樹脂自身具有黏著性，亦包含藉由與添加劑等其他成分之並用而顯示出黏著性之樹脂、或藉由熱或水等之觸發之存在而顯示出黏接性之樹脂等。
黏著劑層亦可為能量線硬化性以及非能量線硬化性中之任一者。能量線硬化性之黏著劑層可容易調節硬化前以及硬化後之物性。
本發明中，「能量線」係指於電磁波或荷電粒子束中具有能量量子，作為其例，可列舉紫外線、放射線、電子束等。
紫外線例如可藉由使用作為紫外線源之高壓水銀燈、融合燈、氙氣燈、黑光燈或LED燈等而照射。關於電子束，可照射藉由電子束加速器等發生之電子束。
本發明中，「能量線硬化性」係指藉由照射能量線而硬化之性質，「非能量線硬化性」係指即便照射能量線亦 不會硬化之性質。
黏著劑層可由1層(單層)構成，亦可由2層以上之複數層構成，於由複數層構成之情形時，該等複數層彼此可相同亦可不同，該等複數層之組合不作特別限定。
黏著劑層之厚度較佳為1μm至100μm，更佳為1μm至60μm，尤佳為1μm至30μm。
此處，「黏著劑層之厚度」係指黏著劑層整體之厚度，例如，由複數層構成之黏著劑層之厚度係指構成黏著劑層之所有層之合計之厚度。
黏著劑層之光學特性於不損及本發明之效果之範圍內不作特別限定。例如，黏著劑層亦可為供能量線透過。
半導體晶片之製造時，於將本發明之切割晶粒接著片藉由其黏著劑層貼附於半導體晶圓固定用之環狀框等治具而使用之情形時，切割晶粒接著片之黏著劑層與治具之間之黏著力較佳為0.05N/25mm至50N/25mm，更佳為0.1N/25mm至40N/25mm，尤佳為0.2N/25mm至30N/25mm。藉由前述黏著力為前述下限值以上，於半導體晶片之製造過程中，可將切割晶粒接著片更穩定地固定於治具。藉由前述黏著力為前述上限值以下，可將使用後之切割晶粒接著片更容易地自治具剝離。
黏著劑層與治具之間之黏著力例如藉由調節黏著劑 層之含有成分之種類以及量、黏著劑層之厚度等而可適當調節。例如，藉由調節作為黏著劑層之含有成分的後述黏著性樹脂中之結構單元之種類以及其含有比率等，可容易調節前述黏著力。而且，藉由調節黏著劑層之黏著性樹脂或交聯劑之含量，可容易調節前述黏著力。然而，該等只不過為前述黏著力之調節方法之一例。
作為本發明之切割晶粒接著片之貼附對象即前述治具之構成材料，例如可列舉不銹鋼(SUS)、合成樹脂等。
黏著劑層與治具之間之黏著力(N/25mm)可利用以下之方法測定。
亦即，首先，於本發明之切割晶粒接著片中，利用較之黏著劑層靠膜狀黏接劑側之各層被去除後的積層物，亦即，自基材至黏著劑層為止的積層物，製作寬度為25mm且長度為任意之試驗片。
接下來，常溫(例如23℃)下，藉由黏著劑層將該試驗片貼附於固定用基材。此時，將試驗片之黏著劑層之整個表面貼附於固定用基材。此處「固定用基材」由與環狀框等治具相同之構成材料構成，固定用基材之試驗片之貼附面為與治具之表面相同之狀態，固定用基材亦可為治具自身。
接下來，常溫(例如23℃)下，將自基材至黏著劑層為止之積層物自固定用基材剝離。此時，以黏著劑層以及固定用基材之相互接觸之面彼此成為180°之角度的方式，以剝離速度300mm/min剝離，進行所謂的180°剝離。測 定此時之剝離力，將其測定值設為前述黏著力(N/25mm)。供測定的試驗片之長度只要處於可穩定地測定剝離力之範圍內，則不作特別限定。
另外，本說明書中，「常溫」係指不特別冷或特別熱之溫度，亦即平常之溫度，例如可列舉15℃至25℃之溫度等。
○中間層
前述中間層為片狀或膜狀。
中間層為樹脂製。
中間層之具備前述膜狀黏接劑之側之面(界面)經剝離處理。亦即，中間層具備前述樹脂製之本體部(樹脂層)，進而於該本體部之一面具備剝離處理層，由複數層構成。
本說明書中，不限於中間層之情形，「面經剝離處理」係指與成為對象之面接觸之層必要時被施力，藉此該面受到處理以能夠容易自該面剝離。而且，「剝離處理面」係指於作為對象之層(膜、片)中被實施上述剝離處理之面。
中間層中，前述樹脂層可藉由使含有前述樹脂之樹脂組成物成形而製作。
中間層可藉由對前述樹脂層之一表面進行剝離處理而製造。
關於中間層之前述表面(界面)之剝離處理，例如可藉由使用醇酸系、聚矽氧系、氟系、不飽和聚酯系、聚烯烴系或蠟系等公知之各種剝離劑而進行。
就具有耐熱性之方面而言，前述剝離劑較佳為醇酸系、聚矽氧系或氟系之剝離劑。
作為中間層之構成材料之樹脂只要中間層之拉伸彈性率為3500MPa以上，則不作特別限定。作為此種樹脂中較佳者，例如可列舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET；polyethylene terephthalate)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN；polyethylene naphthalate)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT；polybutylene terephthalate)、聚乙烯(PE；polyethylene)、聚丙烯(PP；polypropylene)等。
中間層中之剝離處理層以外的成為本體部之樹脂層可由1層(單層)構成，亦可由2層以上之複數層構成，於由複數層構成之情形時，該等複數層彼此可相同亦可不同，該等複數層之組合不作特別限定。
於前述樹脂層由複數層構成之中間層中，於具備膜狀黏接劑之側之最外層之樹脂層中，膜狀黏接劑側之界面(膜狀黏接劑側之最外側之界面)經剝離處理即可。
中間層之厚度較佳為10μm至200μm，更佳為15μm至150μm，尤佳為25μm至120μm，例如可以是25μm至100μm、25μm至80μm、25μm至60μm、以及25μm至50μm 等中之任一者。藉由中間層之厚度為前述下限值以上，中間層之操作性變得更良好，進而，抑制中間層之切斷等之破損之效果進一步提高。藉由中間層之厚度為前述上限值以下，於附膜狀黏接劑之半導體晶片之拾取時，上推力容易傳遞至附膜狀黏接劑之半導體晶片，可更容易地進行拾取。
此處，「中間層之厚度」係指中間層整體之厚度，且係指構成中間層之所有層之合計之厚度，例如係指前述樹脂層以及剝離處理層之合計之厚度。
中間層之拉伸彈性率(楊氏模量)為3500MPa以上，較佳為3500MPa至10000MPa，更佳為3800MPa至8000MPa，進而較佳為4200MPa至7500MPa，尤佳為4500MPa至7000MPa。藉由中間層之拉伸彈性率為前述下限值以上，刀片切割時，獲得減少來自中間層之切斷片之發生量之顯著效果。藉由中間層之拉伸彈性率為前述上限值以下，而中間層更穩定地貼附至黏著劑層或膜狀黏接劑等與中間層鄰接之層。
中間層之拉伸彈性率可依據JIS K 7161：1994(ISO 5271：1993)而測定。
自本發明之效果變得更顯著之方面考慮，中間層之壓入硬度較佳為1.6GPa至5GPa，更佳為2GPa至4.5GPa，尤佳為2.5GPa至4GPa。
中間層之壓入硬度可依據JIS Z 2255：2003而測定。
中間層之拉伸彈性率以及壓入硬度例如藉由調節中間層之構成材料，亦即，中間層之含有成分之種類以及量等而可適當調節。
本發明之切割晶粒接著片中，黏著劑層與中間層之間之黏著力較佳為0.3N/25mm以上，更佳為0.5N/25mm以上，進而較佳為1N/25mm以上，例如，可以是2N/25mm以上、3N/25mm以上、4N/25mm以上、5N/25mm以上、6N/25mm以上、以及7N/25mm以上等中之任一者。藉由前述黏著力為前述下限值以上，於半導體晶片之製造過程中，可維持黏著劑層與中間層之間之高密接性。
關於前述黏著力之上限值，只要不損及本發明之效果則不作特別限定。前述黏著力例如較佳為100N/25mm以下。
另外，本說明書中，「黏著劑層與中間層之間之黏著力」於黏著劑層具有硬化性之情形時，只要不作特別說明，則係指硬化前之黏著劑層與中間層之間之黏著力。
黏著劑層與中間層之間之黏著力例如可適當設定為處於上述任一下限值與上限值組合之數值範圍內。
例如，黏著劑層與中間層之間之黏著力較佳為0.3N/25mm至100N/25mm，更佳為0.5N/25mm至 100N/25mm，進而較佳為1N/25mm至100N/25mm，例如亦可為2N/25mm至100N/25mm、3N/25mm至100N/25mm、4N/25mm至100N/25mm、5N/25mm至100N/25mm、6N/25mm至100N/25mm、以及7N/25mm至100N/25mm等中之任一者。其中，該等為前述黏著力之一例。
黏著劑層與中間層之間之黏著力例如藉由調節黏著劑層之含有成分之種類以及量、黏著劑層之厚度、中間層之構成材料、中間層之與黏著劑層之接觸面之表面狀態等而可適當調節。例如，藉由調節作為黏著劑層之含有成分的後述黏著性樹脂中之結構單元之種類以及其含有比率等，可容易地調節前述黏著力。而且，藉由調節黏著劑層之黏著性樹脂或交聯劑之含量，可容易調節前述黏著力。其中，該等只不過為前述黏著力之調節方法之一例。
黏著劑層與中間層之間之黏著力(N/25mm)可利用以下之方法測定。
亦即，首先，製作寬度為25mm且長度為任意之前述切割晶粒接著片。
接下來，常溫(例如23℃)下，藉由膜狀黏接劑將該切割晶粒接著片貼附於固定用基材。此處「固定用基材」係可牢固地固定切割晶粒接著片之膜狀黏接劑之基材即可，其形狀可為片狀，亦可為其他形狀，例如可列舉具有黏著面作為膜狀黏接劑(換言之切割晶粒接著片)之固定面的黏著性基材。
接下來，常溫(例如23℃)下，將自基材至黏著劑層為止之積層物自中間層剝離。此時，以中間層以及黏著劑層之相互接觸之面彼此形成180°之角度之方式，以剝離速度300mm/min剝離，進行所謂之180°剝離。測定此時之剝離力，將其測定值設為前述黏著力(N/25mm)。供測定之切割晶粒接著片之長度只要處於可穩定地測定剝離力之範圍內，則不作特別限定。
作為本發明之較佳之切割晶粒接著片之一例，可列舉全部滿足上述中間層之拉伸彈性率、上述黏著劑層與中間層之間之黏著力之條件之切割晶粒接著片。
亦即，作為前述切割晶粒接著片之一例，較佳為列舉中間層之拉伸彈性率為3500MPa以上且黏著劑層與中間層之間之黏著力為0.3N/25mm以上者，更佳為列舉中間層之拉伸彈性率為3500MPa至10000MPa且黏著劑層與中間層之間之黏著力為0.3N/25mm以上者，進而較佳為列舉中間層之拉伸彈性率為3800MPa至8000MPa且黏著劑層與中間層之間之黏著力為0.5N/25mm以上者，尤佳為列舉中間層之拉伸彈性率為4200MPa至7500MPa且黏著劑層與中間層之間之黏著力為1N/25mm以上者，例如可列舉中間層之拉伸彈性率為4500MPa至7000MPa且黏著劑層與中間層之間之黏著力為2N/25mm以上、3N/25mm以上、4N/25mm以上、5N/25mm以上、6N/25mm以上、以及7N/25mm以上中之任一者。
其中，該等為前述切割晶粒接著片之一例，前述切割晶粒接著片中之中間層之拉伸彈性率、及黏著劑層與中間 層之間之黏著力的數值範圍之組合不限於上述情況。
○膜狀黏接劑
關於前述膜狀黏接劑，只要不損及本發明之效果則不作特別限定，可適當使用公知之膜狀黏接劑。
膜狀黏接劑可使用含有上述構成材料之黏接劑組成物而形成。例如，藉由對膜狀黏接劑之形成對象面塗佈黏接劑組成物，且視需要使其乾燥，而可於目標部位形成膜狀黏接劑。以後將膜狀黏接劑之更具體之形成方法與其他層之形成方法一起進行詳細說明。黏接劑組成物中之常溫下不會氣化之成分彼此之含量之比率通常設為與膜狀黏接劑之前述成分彼此之含量之比率相同。
黏接劑組成物之塗佈可利用與上述黏著劑組成物之塗佈之情形相同之方法進行。
黏接劑組成物之乾燥條件雖不作特別限定，但於黏接劑組成物含有後述溶劑之情形時，較佳為使其加熱乾燥。例如較佳為於70℃至130℃且10秒至5分鐘之條件下使含有溶劑之黏接劑組成物乾燥。
膜狀黏接劑係具有硬化性，較佳為具有熱硬化性，較佳為具有感壓黏接性。一併具有熱硬化性以及感壓黏接性之膜狀黏接劑可藉由於未硬化狀態下輕輕按壓而貼附於各種被黏接體。而且，膜狀黏接劑亦可藉由加熱使其軟化而貼附於各種被黏接體。膜狀黏接劑為藉由硬化而最終耐 衝擊性較高之硬化物，該硬化物既便於嚴酷之高溫、高濕度條件下亦可保持充分之黏接特性。
膜狀黏接劑可由1層(單層)構成，亦可由2層以上之複數層構成，於由複數層構成之情形時，該等複數層彼此可相同亦可不同，該等複數層之組合不作特別限定。
膜狀黏接劑之厚度雖不作特別限定，但較佳為1μm至50μm，更佳為3μm至40μm，例如亦可可以是5μm至30μm以及10μm至25μm等中之任一者。藉由膜狀黏接劑之厚度為前述下限值以上，膜狀黏接劑之相對於被黏接體(半導體晶圓、半導體晶片)之黏接力變得更高。藉由膜狀黏接劑之厚度為前述上限值以下，於後述切割步驟中，可更容易地切斷膜狀黏接劑，而且，可進一步減少來自膜狀黏接劑之切斷片之發生量。
此處，「膜狀黏接劑之厚度」係指膜狀黏接劑整體之厚度，例如由複數層構成之膜狀黏接劑之厚度係指構成膜狀黏接劑之所有層之合計之厚度。
本發明之切割晶粒接著片中，中間層與膜狀黏接劑之間之黏接力較佳為0.01N/25mm至2N/25mm，更佳為0.02N/25mm至1.5N/25mm，尤佳為0.03N/25mm至1N/25mm，例如亦可為0.03N/25mm至0.5N/25mm。藉由前述黏接力為前述下限值以上，於半導體晶片之製造過程中，可維持中間層與膜狀黏接劑之間之適當高之密接性。藉由前述黏接力為前述上限值以下，可更容易進行附膜狀 黏接劑之半導體晶片之拾取。
另外，本說明書中，「中間層與膜狀黏接劑之間之黏接力」只要不作特別說明，係指硬化前之膜狀黏接劑與中間層之間之黏接力。
中間層與膜狀黏接劑之間之黏接力例如藉由調節膜狀黏接劑之含有成分之種類以及量、膜狀黏接劑之厚度、中間層之構成材料、中間層之與膜狀黏接劑之接觸面(界面)之表面狀態等而可適當調節。例如，藉由調節作為膜狀黏接劑之含有成分的後述聚合物成分(a)之分子量、聚合物成分(a)中之結構單元之種類及其含有比率、構成環氧系熱硬化性樹脂(b)之成分之軟化點、以及膜狀黏接劑之各含有成分之含量等，可容易地調節前述黏接力。其中，該等調節方法只不過為一例。
中間層與膜狀黏接劑之間之黏接力(N/25mm)可利用以下之方法測定。
亦即，首先，製作寬度為25mm且長度為任意之前述切割晶粒接著片。
接下來，常溫(例如23℃)下，藉由膜狀黏接劑，將該切割晶粒接著片貼附於固定用基材。此處「固定用基材」係與上述黏著劑層與中間層之間的黏著力之測定時所使用之固定用基材相同。
接下來，常溫(例如23℃)下，將自基材至中間層之積層物自膜狀黏接劑剝離。此時，以中間層以及膜狀黏接劑 之相互接觸之面(界面)彼此形成180°之角度之方式，以剝離速度300mm/min剝離，進行所謂的180°剝離。測定此時之剝離力，將其測定值設為前述黏著力(N/25mm)。供測定之切割晶粒接著片之長度只要處於可穩定地測定剝離力之範圍內，則不作特別限定。
作為本發明之較佳之切割晶粒接著片之一例，可列舉全部滿足上述中間層之拉伸彈性率、上述中間層之壓入硬度、上述黏著劑層與中間層之間之黏著力、上述中間層與膜狀黏接劑之間之黏接力之條件之切割晶粒接著片。
亦即，作為較佳之前述切割晶粒接著片之一例，可列舉中間層之拉伸彈性率為3500MPa以上，且中間層之壓入硬度為1.6GPa至5GPa，且黏著劑層與中間層之間之黏著力為0.3N/25mm以上，且中間層與膜狀黏接劑之間之黏接力為0.01N/25mm至2N/25mm之切割晶粒接著片。而且，滿足此種物性值之組合之條件之前述切割晶粒接著片中，該等1種或2種以上之物性值亦可進而為如之前說明般之進一步受到限定之數值範圍中之任一者。
接下來，一邊參照圖式一邊對本發明之切割晶粒接著片進行更詳細說明。另外，以下之說明中所使用之圖中，為了更容易明白本發明之特徵，方便起見有時會將成為主要部分之部分放大表示，各構成要素之尺寸比率等未必與實際相同。
圖1係示意性地表示本發明之切割晶粒接著片之一 實施形態之剖視圖。
此處所示之切割晶粒接著片101具備基材11，於基材11上具備黏著劑層12，於黏著劑層12上具備中間層13，於中間層13上具備膜狀黏接劑14。切割晶粒接著片101進而於膜狀黏接劑14上具備剝離膜15。
切割晶粒接著片101中，於基材11之一面(以下有時稱作「第1面」)11a積層有黏著劑層12，於黏著劑層12之與設置有基材11之側為相反側之面(以下有時稱作「第1面」)12a積層中間層13，於中間層13之與設置有黏著劑層12之側為相反側之面(亦可稱為中間層之具備膜狀黏接劑之側之界面、或中間層之與膜狀黏接劑之接觸面)(以下有時稱作「第1面」)13a積層膜狀黏接劑14，於膜狀黏接劑14之與設置有中間層13之側為相反側之面(以下有時稱作「第1面」)14a積層剝離膜15。如此，切割晶粒接著片101係將基材11、黏著劑層12、中間層13以及膜狀黏接劑14依序於該等之厚度方向上積層而構成。
另外，本說明書中，有時將包含基材以及黏著劑層且不包含中間層以及膜狀黏接劑之積層體稱作「支持片」。圖1中，附上符號1表示支持片。
切割晶粒接著片101中，中間層13為樹脂製，其第1面13a經剝離處理。中間層13之第1面13a於切割晶粒接著片101中，成為中間層13之具備膜狀黏接劑14 之側之界面(換言之與膜狀黏接劑14之接觸面、或與膜狀黏接劑14之界面)。
而且，中間層13之拉伸彈性率為3500MPa以上。
切割晶粒接著片101亦可於膜狀黏接劑14之第1面14a之一部分，亦即，周緣部附近之區域進而具備治具用黏接劑層(省略圖示)。此處，「治具用黏接劑層」係於切割半導體晶圓時，用於將切割晶粒接著片101貼附於半導體晶圓固定用之環狀框等治具。治具用黏接劑層可為公知者，例如可為含有黏接劑成分之單層結構，亦可為於成為芯材之片之兩面積層含有黏接劑成分之層的複數層結構。
圖1所示之切割晶粒接著片101中，於剝離膜15已去除之狀態下，將膜狀黏接劑14之第1面14a貼附於半導體晶圓(省略圖示)之形成有電路之面(本說明書中有時簡稱作「電路形成面」)的相反側之面(本說明書中有時簡稱作「背面」)而使用。
本發明之切割晶粒接著片不限定於圖1所示，於不損及本發明之效果之範圍內，圖1所示之切割晶粒接著片中之一部分構成亦可變更、刪除或追加。
例如，本發明之切割晶粒接著片亦可具備基材、黏著劑層、中間層、膜狀黏接劑、剝離膜以及治具用黏接劑層以外之其他層。其中，本發明之切割晶粒接著片如圖1所示，較佳為將黏著劑層與基材直接接觸之狀態下配置，將中間層於與黏著劑層直接接觸之狀態下配置，將膜狀黏 接劑於與中間層直接接觸之狀態下配置。
本發明之切割晶粒接著片中，例如，治具用黏接劑層並非必須之構成，而可簡化結構。而且，藉由使用此種切割晶粒接著片，可簡化半導體晶片之製造步驟。因此，藉由使用本發明之切割晶粒接著片，可廉價地供給半導體晶片。
接下來，對本發明之切割晶粒接著片中的黏著劑層以及膜狀黏接劑之構成材料進行說明。
<<黏著劑組成物>>
於黏著劑層為能量線硬化性之情形時，作為含有能量線硬化性黏著劑之黏著劑組成物，亦即，能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可列舉：含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)(以下有時簡稱作「黏著性樹脂(I-1a)」)、及能量線硬化性化合物之黏著劑組成物(I-1)；含有向非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入不飽和基之能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)(以下有時簡稱作「黏著性樹脂(I-2a)」)之黏著劑組成物(I-2)；以及含有前述黏著性樹脂(I-2a)、及能量線硬化性化合物之黏著劑組成物(I-3)等。
<黏著劑組成物(I-1)>
前述黏著劑組成物(I-1)如上述般，含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)、及能量線硬化性化合物。
〔黏著性樹脂(I-1a)〕
前述黏著性樹脂(I-1a)較佳為丙烯酸系樹脂。
作為前述丙烯酸系樹脂，例如可列舉至少具有來自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元之丙烯酸系聚合物。
前述丙烯酸系樹脂所具有之結構單元可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
作為前述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉構成烷基酯之烷基之碳數為1至20，前述烷基較佳為直鏈狀或分支鏈狀。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯，更具體而言，可列舉(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
就黏著劑層之黏著力提高之方面而言，前述丙烯酸系聚合物較佳為具有來自前述烷基之碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元。而且，就黏著劑層之黏著力進一步提高之方面而言，前述烷基之碳數較佳為4至12，更佳為4至8。前述烷基之碳數為4以上之(甲基)丙烯酸烷基酯較佳為丙烯酸烷基酯。
前述丙烯酸系聚合物除具有來自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以外，較佳為進而具有來自含有官能基之單體之結構單元。
作為前述含有官能基之單體，例如可列舉如下單體，即，前述官能基藉由與後述交聯劑反應而成為交聯之起點，前述官能基藉由與後述含有不飽和基之化合物中之不飽和基反應，而能夠向丙烯酸系聚合物之側鏈導入不飽和基。
作為含有官能基之單體中之前述官能基，例如可列舉羥基、羧基、胺基、環氧基等。
亦即，作為含有官能基之單體，例如可列舉含有羥基之單體、含有羧基之單體、含有胺基之單體、含有環氧基之單體等。
作為前述含有羥基之單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸羥甲基酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙基酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙基酯、(甲基)丙烯酸3-羥丙基酯、(甲基)丙烯酸2-羥丁基酯、(甲基)丙烯酸3-羥丁基酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁基 酯等(甲基)丙烯酸羥烷基酯；乙烯醇、丙烯醇等非(甲基)丙烯酸系不飽和醇(不具有(甲基)丙烯醯骨架之不飽和醇)等。
作為前述含有羧基之單體，例如可列舉(甲基)丙烯酸、丁烯酸等乙烯性不飽和單羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之單羧酸)；富馬酸、衣康酸、馬來酸、甲基順丁烯二酸等乙烯性不飽和二羧酸(具有乙烯性不飽和鍵之二羧酸)；前述乙烯性不飽和二羧酸之酐；甲基丙烯酸2-羧乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
含有官能基之單體較佳為含有羥基之單體、含有羧基之單體，更佳為含有羥基之單體。
構成前述丙烯酸系聚合物之含有官能基之單體可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
前述丙烯酸系聚合物中，來自含有官能基之單體之結構單元之含量相對於結構單元之全量，較佳為1質量%至35質量%，更佳為2質量%至32質量%，尤佳為3質量%至30質量%。
前述丙烯酸系聚合物除具有來自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以及來自含有官能基之單體之結構單元以外，亦可進而具有來自其他單體之結構單元。
前述其他單體只要能夠與(甲基)丙烯酸烷基酯等共聚合，則不作特別限定。
作為前述其他單體，例如可列舉苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺等。
構成前述丙烯酸系聚合物之前述其他單體可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
前述丙烯酸系聚合物可用作上述非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)。
另一方面，使具有能量線聚合性不飽和基(能量線聚合性基)之含有不飽和基的化合物與前述丙烯酸系聚合物中之官能基反應而成，可用作上述能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)。
黏著劑組成物(I-1)含有之黏著性樹脂(I-1a)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)中，黏著性樹脂(I-1a)之含量較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
〔能量線硬化性化合物〕
作為黏著劑組成物(I-1)含有之前述能量線硬化性化合物，可列舉具有能量線聚合性不飽和基且藉由能量線之照射而能夠硬化之單體或寡聚物。
作為能量線硬化性化合物中之單體，例如可列舉三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；環氧(甲基)丙烯酸酯等。
作為能量線硬化性化合物中之寡聚物，例如可列舉上述例示之單體聚合而成之寡聚物等。
關於能量線硬化性化合物，於分子量相對較大且不易使黏著劑層之儲存彈性率降低之方面而言，較佳為(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯寡聚物。
黏著劑組成物(I-1)含有之前述能量線硬化性化合物可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
前述黏著劑組成物(I-1)中，前述能量線硬化性化合物之含量較佳為1%至95質量%，更佳為5%至90質量%，尤佳為10%至85質量%。
〔交聯劑〕
作為黏著性樹脂(I-1a)，於使用除具有來自(甲基)丙 烯酸烷基酯之結構單元以外，進而具有來自含有官能基之單體之結構單元之前述丙烯酸系聚合物之情形時，黏著劑組成物(I-1)較佳為進而含有交聯劑。
前述交聯劑係例如與前述官能基反應而將黏著性樹脂(I-1a)彼此交聯。
作為交聯劑，例如可列舉甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、該等二異氰酸酯之加成物等異氰酸酯系交聯劑(具有異氰酸酯基之交聯劑)；乙二醇縮水甘油醚等環氧系交聯劑(具有縮水甘油基之交聯劑)；六〔1-(2-甲基)-氮丙啶基〕三膦三嗪等氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)；鋁螯合物等金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)；異氰尿酸酯系交聯劑(具有異氰尿酸骨架之交聯劑)等。
自提高黏著劑之凝聚力而提高黏著劑層之黏著力之方面以及容易獲得等方面考慮，交聯劑較佳為異氰酸酯系交聯劑。
黏著劑組成物(I-1)含有之交聯劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
前述黏著劑組成物(I-1)中，交聯劑之含量相對於黏著性樹脂(I-1a)之含量100質量份，較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為0.3質量份至15質量份。
〔光聚合起始劑〕
黏著劑組成物(I-1)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-1)即便照射紫外線等相對低能量之能量線，硬化反應亦充分進行。
作為前述光聚合起始劑，例如可列舉安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、苯甲酸安息香甲酯、安息香二甲基縮酮等安息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫化物、一硫化四甲基秋蘭姆等硫化物化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮等噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯；二苯偶醯；二苯甲酮；2,4-二乙基噻噸酮；1,2-二苯甲烷；2-羥基-2-甲基-1-〔4-(1-甲基乙烯基)苯基〕丙酮；2-氯蒽醌等。
而且，作為前述光聚合起始劑，例如亦可使用1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光敏劑等。
黏著劑組成物(I-1)含有之光聚合起始劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)中，光聚合起始劑之含量相對於前述能量線硬化性化合物之含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
〔其他添加劑〕
於不損及本發明之效果之範圍內，黏著劑組成物(I-1)亦可含有不與上述任一成分相符之其他添加劑。
作為前述其他添加劑，例如可列舉抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、填充材(填料)、防銹劑、著色劑(顏料、染料)、增感劑、黏著賦予劑、反應延遲劑、交聯促進劑(觸媒)等公知之添加劑。
另外，所謂反應延遲劑，係例如抑制因混入至黏著劑組成物(I-1)中之觸媒之作用，而於保存中之黏著劑組成物(I-1)中進行非目標交聯反應。作為反應延遲劑，例如可列舉藉由相對於觸媒之螯合物形成螯合錯合物之反應延遲劑，更具體而言，可列舉1分子中具有2個以上羰基(-C(=O)-)之反應延遲劑。
黏著劑組成物(I-1)含有之其他添加劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)中，其他添加劑之含量不作特別限定，根據其種類適當選擇即可。
〔溶劑〕
黏著劑組成物(I-1)亦可含有溶劑。黏著劑組成物(I-1)藉由含有溶劑，對塗佈對象面之塗佈適應性提高。
前述溶劑較佳為有機溶劑，作為前述有機溶劑，例如可列舉甲基乙基酮、丙酮等酮；乙酸乙酯等酯(羧酸酯)；四氫呋喃、二噁烷等醚；環己烷、正己烷等脂肪族烴；甲苯、二甲苯等芳香族烴；1-丙醇、2-丙醇等醇等。
作為前述溶劑，例如亦可不將黏著性樹脂(I-1a)之製造時所使用之溶劑自黏著性樹脂(I-1a)中去除，而在該狀態下用於黏著劑組成物(I-1)，還可於黏著劑組成物(I-1)之製造時另外添加與黏著性樹脂(I-1a)之製造時使用之溶劑相同或不同種類的溶劑。
黏著劑組成物(I-1)含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-1)中，溶劑之含量不作特別限定，適當調節即可。
<黏著劑組成物(I-2)>
前述黏著劑組成物(I-2)如上述般，含有向非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入不飽和基而成之能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)。
〔黏著性樹脂(I-2a)〕
前述黏著性樹脂(I-2a)係例如藉由使具有能量線聚合性不飽和基之含有不飽和基之化合物與黏著性樹脂(I-1a)中之官能基反應而獲得。
前述含有不飽和基之化合物係除具有前述能量線聚合性不飽和基以外，進而具有藉由與黏著性樹脂(I-1a)中之官能基反應而能夠與黏著性樹脂(I-1a)鍵結之基之化合物。
作為前述能量線聚合性不飽和基，例如可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基(ethenyl)、烯丙基(2-丙烯基)等，較佳為(甲基)丙烯醯基。
作為能夠與黏著性樹脂(I-1a)中之官能基鍵結之基，例如可列舉能夠與羥基或胺基鍵結之異氰酸酯基及縮水甘油基、以及能夠與羧基或環氧基鍵結之羥基及胺基等。
作為前述含有不飽和基之化合物，例如可列舉(甲基)丙烯醯氧乙基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。
黏著劑組成物(I-2)含有之黏著性樹脂(I-2a)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-2)中，黏著性樹脂(I-2a)之含量較佳 為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為10質量%至90質量%。
〔交聯劑〕
作為黏著性樹脂(I-2a)，例如於使用與黏著性樹脂(I-1a)中之聚合物相同的具有來自含有官能基之單體之結構單元之前述丙烯酸系聚合物之情形時，黏著劑組成物(I-2)亦可進而含有交聯劑。
作為黏著劑組成物(I-2)中之前述交聯劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之交聯劑相同之交聯劑。
黏著劑組成物(I-2)含有之交聯劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
前述黏著劑組成物(I-2)中，交聯劑之含量相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份，較佳為0.01質量份至50質量份，更佳為0.1質量份至20質量份，尤佳為0.3質量份至15質量份。
〔光聚合起始劑〕
黏著劑組成物(I-2)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-2)即便照射紫外線等相對低能量之能量線，硬化反應亦充分進行。
作為黏著劑組成物(I-2)中之前述光聚合起始劑，可列 舉與黏著劑組成物(I-1)中之光聚合起始劑相同之光聚合起始劑。
黏著劑組成物(I-2)含有之光聚合起始劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-2)中，光聚合起始劑之含量相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
〔其他添加劑〕
於不損及本發明之效果之範圍內，黏著劑組成物(I-2)亦可含有不與上述任一成分相符之其他添加劑。
作為黏著劑組成物(I-2)中之前述其他添加劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之其他添加劑相同之其他添加劑。
黏著劑組成物(I-2)含有之其他添加劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-2)中，其他添加劑之含量不作特別限定，根據其種類適當選擇即可。
〔溶劑〕
黏著劑組成物(I-2)亦可以與黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的而含有溶劑。
作為黏著劑組成物(I-2)中之前述溶劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之溶劑相同之溶劑。
黏著劑組成物(I-2)含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-2)中，溶劑之含量不作特別限定，適當調節即可。
<黏著劑組成物(I-3)>
前述黏著劑組成物(I-3)如上述般，含有前述黏著性樹脂(I-2a)、及能量線硬化性化合物。
黏著劑組成物(I-3)中，黏著性樹脂(I-2a)之含量較佳為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
〔能量線硬化性化合物〕
作為黏著劑組成物(I-3)含有之前述能量線硬化性化合物，可列舉具有能量線聚合性不飽和基且藉由能量線之照射而能夠硬化之單體以及寡聚物，可列舉與黏著劑組成物(I-1)含有之能量線硬化性化合物相同之能量線硬化性化合物。
黏著劑組成物(I-3)含有之前述能量線硬化性化合物可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
前述黏著劑組成物(I-3)中，前述能量線硬化性化合物之含量相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份，較佳為0.01質量份至300質量份，更佳為0.03質量份至200質量份，尤佳為0.05質量份至100質量份。
〔光聚合起始劑〕
黏著劑組成物(I-3)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-3)即便照射紫外線等相對低能量之能量線，硬化反應亦充分進行。
作為黏著劑組成物(I-3)中之前述光聚合起始劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之光聚合起始劑相同之光聚合起始劑。
黏著劑組成物(I-3)含有之光聚合起始劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-3)中，光聚合起始劑之含量相對於黏著性樹脂(I-2a)以及前述能量線硬化性化合物之總含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.03質量份至10質量份，尤佳為0.05質量份至5質量份。
〔其他添加劑〕
於不損及本發明之效果之範圍內，黏著劑組成物(I-3)含有不與上述任一成分相符之其他添加劑。
作為前述其他添加劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1) 中之其他添加劑相同之其他添加劑。
黏著劑組成物(I-3)含有之其他添加劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-3)中，其他添加劑之含量不作特別限定，根據其種類適當選擇即可。
〔溶劑〕
黏著劑組成物(I-3)亦可以與黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的而含有溶劑。
作為黏著劑組成物(I-3)中之前述溶劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之溶劑相同之溶劑。
黏著劑組成物(I-3)含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-3)中，溶劑之含量不作特別限定，適當調節即可。
<黏著劑組成物(I-1)至(I-3)以外之黏著劑組成物>
至此，已主要對黏著劑組成物(I-1)、黏著劑組成物(I-2)以及黏著劑組成物(I-3)進行了說明，作為該等之含有成分而說明者，即便為該等3種黏著劑組成物以外之全體黏著劑組成物(本說明書中稱作「黏著劑組成物(I-1)至(I-3)以外之黏著劑組成物」)，亦可同樣地使用。
作為黏著劑組成物(I-1)至(I-3)以外之黏著劑組成物，除能量線硬化性之黏著劑組成物以外，亦可列舉非能量線硬化性之黏著劑組成物。
作為非能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可列舉含有丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧系樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)的黏著劑組成物(I-4)，較佳為含有丙烯酸系樹脂之黏著劑組成物。
黏著劑組成物(I-1)至(I-3)以外之黏著劑組成物較佳為含有1種或2種以上之交聯劑，其含量可設為與上述黏著劑組成物(I-1)等之情形相同。
<黏著劑組成物(I-4)>
作為黏著劑組成物(I-4)中較佳者，例如可列舉含有前述黏著性樹脂(I-1a)及交聯劑之黏著劑組成物。
〔黏著性樹脂(I-1a)〕
作為黏著劑組成物(I-4)中之黏著性樹脂(I-1a)，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之黏著性樹脂(I-1a)相同之黏著性樹脂。
黏著劑組成物(I-4)含有之黏著性樹脂(I-1a)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-4)中，黏著性樹脂(I-1a)之含量較佳 為5質量%至99質量%，更佳為10質量%至95質量%，尤佳為15質量%至90質量%。
〔交聯劑〕
作為黏著性樹脂(I-1a)，於使用除具有來自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元以外，進而具有來自含有官能基之單體之結構單元之前述丙烯酸系聚合物之情形時，黏著劑組成物(I-4)較佳為進而含有交聯劑。
作為黏著劑組成物(I-4)中之交聯劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之交聯劑相同之交聯劑。
黏著劑組成物(I-4)含有之交聯劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
前述黏著劑組成物(I-4)中，交聯劑之含量相對於黏著性樹脂(I-1a)之含量100質量份，較佳為0.01質量份至150質量份，更佳為0.05質量份至130質量份，尤佳為0.1質量份至110質量份。
〔其他添加劑〕
於不損及本發明之效果之範圍內，黏著劑組成物(I-4)含有不與上述任一成分相符之其他添加劑。
作為前述其他添加劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之其他添加劑相同之其他添加劑。
黏著劑組成物(I-4)含有之其他添加劑可僅為1種，亦 可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-4)中，其他添加劑之含量不作特別限定，根據其種類適當選擇即可。
〔溶劑〕
黏著劑組成物(I-4)亦可以與黏著劑組成物(I-1)之情形相同之目的而含有溶劑。
作為黏著劑組成物(I-4)中之前述溶劑，可列舉與黏著劑組成物(I-1)中之溶劑相同之溶劑。
黏著劑組成物(I-4)含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
黏著劑組成物(I-4)中，溶劑之含量不作特別限定，適當調節即可。
<<黏著劑組成物之製造方法>>
黏著劑組成物(I-1)至(I-3)、或黏著劑組成物(I-4)等黏著劑組成物(I-1)至(I-3)以外之黏著劑組成物可藉由調配前述黏著劑、及視需要調配前述黏著劑以外之成分等用以構成黏著劑組成物之各成分而獲得。
各成分之調配時之添加順序不作特別限定，可同時添加2種以上之成分。
於使用溶劑之情形時，亦可藉由將溶劑與溶劑以外之任一調配成分加以混合且預先稀釋該調配成分而使用，還 可藉由不預先稀釋溶劑以外之任一調配成分，將溶劑與該等調配成分加以混合而使用。
調配時將各成分加以混合之方法不作特別限定，自如下公知之方法中適當選擇即可：使攪拌元件或攪拌葉片等旋轉而進行混合之方法；使用攪拌機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法等。
關於各成分之添加以及混合時之溫度以及時間，只要不使各調配成分劣化則不作特別限定，適當調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
<<黏接劑組成物>>
作為較佳之黏接劑組成物，例如可列舉含有聚合物成分(a)以及環氧系熱硬化性樹脂(b)之黏接劑組成物。以下，對各成分進行說明。
(聚合物成分(a))
聚合物成分(a)係視作聚合性化合物聚合反應而形成之成分，且係對膜狀黏接劑賦予造膜性或可撓性等並且用以提高對半導體晶片等黏接對象之黏接性(貼附性)之聚合物化合物。而且，聚合物成分(a)亦為不與後述之環氧樹脂(b1)以及熱硬化劑(b2)相符之成分。
黏接劑組成物以及膜狀黏接劑含有之聚合物成分(a)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
作為聚合物成分(a)，例如可列舉丙烯酸系樹脂、聚酯、胺基甲酸酯系樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧系樹脂、橡膠系樹脂、苯氧基樹脂、熱硬化性聚醯亞胺等，較佳為丙烯酸系樹脂。
作為聚合物成分(a)中之前述丙烯酸系樹脂，可列舉公知之丙烯酸系聚合物。
丙烯酸系樹脂之重量平均分子量(Mw)較佳為10000至2000000，更佳為100000至1500000。藉由丙烯酸系樹脂之重量平均分子量為上述範圍內，容易於上述範圍內調節膜狀黏接劑與中間層之間之前述黏接力。
另一方面，藉由丙烯酸系樹脂之重量平均分子量為前述下限值以上，膜狀黏接劑之形狀穩定性(保管時之經時穩定性)提高。而且，藉由丙烯酸系樹脂之重量平均分子量為前述上限值以下，膜狀黏接劑容易追隨被黏接體之凹凸面，進一步抑制被黏接體與膜狀黏接劑之間空隙等之發生。
另外，本說明書中，只要不作特別說明，「重量平均分子量」係指藉由凝膠滲透層析(GPC；Gel Permeation Chromatograph)法測定之聚苯乙烯換算值。
丙烯酸系樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-60℃至70℃，更佳為-30℃至50℃。藉由丙烯酸系樹脂之Tg為前述下限值以上，抑製膜狀黏接劑與中間層之間之黏接力，於拾取時，附膜狀黏接劑之半導體晶片之自中間層之拉離變得更容易。藉由丙烯酸系樹脂之Tg為前述上限值以 下，膜狀黏接劑與半導體晶片之間之黏接力提高。
作為構成丙烯酸系樹脂之前述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉由(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等構成烷基酯之烷基為碳數1至18之鏈狀結構之(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸雙環戊酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯；(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；(甲基)丙烯酸雙環戊烯基酯等(甲基)丙烯酸環烯基酯；(甲基)丙烯酸雙環戊烯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸環烯氧基烷基酯；(甲基)丙烯醯亞胺；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含有縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸羥甲基酯、(甲基)丙烯酸2-羥乙基酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙基酯、(甲基)丙烯酸3-羥丙基酯、(甲基)丙烯酸2-羥丁基酯、(甲基)丙烯酸3-羥丁基酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁基酯等含有羥基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙 烯酸N-甲胺乙酯等含有取代胺基之(甲基)丙烯酸酯等。此處，「取代胺基」係指胺基之1個或2個氫原子被氫原子以外之基取代而成之基。
關於丙烯酸系樹脂，例如除前述(甲基)丙烯酸酯以外，亦可為選自(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯以及N-羥甲基丙烯醯胺等中之1種或2種以上之單體共聚合而成之丙烯酸系樹脂。
構成丙烯酸系樹脂之單體可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
丙烯酸系樹脂除具有上述羥基以外，亦可具有乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羧基、異氰酸酯基等能夠與其他化合物鍵結之官能基。以丙烯酸系樹脂之羥基為首之該等官能基可經由後述交聯劑(f)而與其他化合物鍵結，亦可不經由交聯劑(f)而與其他化合物直接鍵結。丙烯酸系樹脂利用前述官能基而與其他化合物鍵結，藉此存在使用膜狀黏接劑獲得之封裝之可靠性提高之傾向。
本發明中，作為聚合物成分(a)，可不使用丙烯酸系樹脂而單獨使用丙烯酸系樹脂以外之熱塑性樹脂(以下有時簡稱作「熱塑性樹脂」)，亦可與丙烯酸系樹脂並用。藉由使用前述熱塑性樹脂，於拾取時，附膜狀黏接劑之半導體晶片之自中間層之拉離變得更容易，膜狀黏接劑容易 追隨被黏接體之凹凸面，進一步抑制被黏接體與膜狀黏接劑之間空隙等之發生。
前述熱塑性樹脂之重量平均分子量較佳為1000至100000，更佳為3000至80000。
前述熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-30℃至150℃，更佳為-20℃至120℃。
作為前述熱塑性樹脂，例如可列舉聚酯、聚胺基甲酸酯、苯氧基樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。
黏接劑組成物以及膜狀黏接劑含有之前述熱塑性樹脂可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
黏接劑組成物中，聚合物成分(a)之含量相對於溶劑以外之全部成分之總含量之比例(亦即，膜狀黏接劑之聚合物成分(a)之含量)無關於聚合物成分(a)之種類，較佳為20質量%至75質量%，更佳為30質量%至65質量%，例如可為40質量%至60質量%等。
(環氧系熱硬化性樹脂(b))
環氧系熱硬化性樹脂(b)由環氧樹脂(b1)以及熱硬化劑(b2)構成。
黏接劑組成物以及膜狀黏接劑含有之環氧系熱硬化 性樹脂(b)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
‧環氧樹脂(b1)
作為環氧樹脂(b1)，可列舉公知之環氧樹脂，例如可列舉多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚以及其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、苯骨架型環氧樹脂等2官能以上之環氧化合物。
作為環氧樹脂(b1)，可使用具有不飽和烴基之環氧樹脂。具有不飽和烴基之環氧樹脂係較之不具有不飽和烴基之環氧樹脂，與丙烯酸系樹脂之相溶性更高。因此，藉由使用具有不飽和烴基之環氧樹脂，使用膜狀黏接劑所獲得之封裝之可靠性提高。
作為具有不飽和烴基之環氧樹脂，例如可列舉多官能系環氧樹脂之環氧基之一部分轉換為具有不飽和烴基之基的化合物。此種化合物例如藉由使(甲基)丙烯酸或其衍生物與環氧基加成反應而獲得。另外，本說明書中，「衍生物」只要不作特別說明，係指原化合物之1個以上之基被其以外之基(取代基)取代而成。此處，「基」不僅包含複數個原子鍵結而成之原子團，亦包含1個原子。
而且，作為具有不飽和烴基之環氧樹脂，例如可列舉 於構成環氧樹脂之芳香環等上直接鍵結具有不飽和烴基之基的化合物等。
不飽和烴基係具有聚合性之不飽和基，作為其具體例，可列舉乙烯基(vinyl)、2-丙烯基(烯丙基)、(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯胺基等，較佳為丙烯醯基。
環氧樹脂(b1)之數量平均分子量不作特別限定，自膜狀黏接劑之硬化性以及硬化後之膜狀黏接劑之強度及耐熱性之方面考慮，較佳為300至30000，更佳為400至10000，尤佳為500至3000。
環氧樹脂(b1)之環氧當量較佳為100g/eq至1000g/eq，更佳為150g/eq至800g/eq。
黏接劑組成物以及膜狀黏接劑含有之環氧樹脂(b1)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
‧熱硬化劑(b2)
熱硬化劑(b2)作為針對環氧樹脂(b1)之硬化劑發揮功能。
作為熱硬化劑(b2)，例如可列舉於1分子中具有2個以上可與環氧基反應之官能基之化合物。作為前述官能基，例如可列舉酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸基經酐化而成之基等，較佳為酚性羥基、胺基、或酸基經酐化而成之基，更佳為酚性羥基或胺基。
作為熱硬化劑(b2)中之具有酚性羥基之酚系硬化劑，例如可列舉多官能酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型酚樹脂、雙環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等。
作為熱硬化劑(b2)中之具有胺基之胺系硬化劑，例如可列舉二氰二胺(DICY)等。
熱硬化劑(b2)亦可具有不飽和烴基。
作為具有不飽和烴基之熱硬化劑(b2)，例如可列舉酚樹脂之羥基之一部分被具有不飽和烴基之基取代而成之化合物、於酚樹脂之芳香環上直接鍵結具有不飽和烴基之基而成之化合物等。
熱硬化劑(b2)中之前述不飽和烴基係與具有上述不飽和烴基之環氧樹脂中之不飽和烴基相同。
於使用酚系硬化劑作為熱硬化劑(b2)之情形時，自容易將膜狀黏接劑與中間層之間之前述黏接力於上述範圍內調節之方面考慮，熱硬化劑(b2)較佳為軟化點或玻璃轉移溫度較高。
熱硬化劑(b2)中之例如多官能酚樹脂、酚醛清漆型酚樹脂、雙環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等樹脂成分之數量平均分子量較佳為300至30000，更佳為400至10000，尤佳為500至3000。
熱硬化劑(b2)中之例如聯苯酚、二氰二胺等非樹脂成分之分子量不作特別限定，例如較佳為60至500。
黏接劑組成物以及膜狀黏接劑含有之熱硬化劑(b2)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
黏接劑組成物以及膜狀黏接劑中，熱硬化劑(b2)之含量相對於環氧樹脂(b1)之含量100質量份，較佳為0.1質量份至500質量份，更佳為1質量份至200質量份，例如可以是2.5質量份至100質量份、5質量份至80質量份、7.5質量份至60質量份、以及10質量份至40質量份等中之任一者。藉由熱硬化劑(b2)之前述含量為前述下限值以上，膜狀黏接劑之硬化更容易進行。藉由熱硬化劑(b2)之前述含量為前述上限值以下，減少膜狀黏接劑之吸濕率，使用膜狀黏接劑而獲得之封裝之可靠性進一步提高。
黏接劑組成物以及膜狀黏接劑中，環氧系熱硬化性樹脂(b)之含量(環氧樹脂(b1)以及熱硬化劑(b2)之總含量)相對於聚合物成分(a)之含量100質量份，較佳為5質量份至100質量份，更佳為7質量份至90質量份，尤佳為9質量份至80質量份，例如亦可以是9質量份至60質量份、9質量份至40質量份、以及9質量份至20質量份等中之任一者。藉由環氧系熱硬化性樹脂(b)之前述含量為上述範圍，容易將膜狀黏接劑與中間層之間之前述黏接力於上述範圍內調節。
為了改良其各種物性，前述膜狀黏接劑除含有聚合物成分(a)以及環氧系熱硬化性樹脂(b)以外，進而亦可視需 要含有不與該等相符之其他成分。
作為前述膜狀黏接劑含有之其他成分中較佳之成分，例如可列舉硬化促進劑(c)、填充材(d)、偶合劑(e)、交聯劑(f)、能量線硬化性樹脂(g)、光聚合起始劑(h)、通用添加劑(i)等。
(硬化促進劑(c))
硬化促進劑(c)係用以調節黏接劑組成物之硬化速度之成分。
作為較佳之硬化促進劑(c)，例如可列舉三乙二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、三(二甲基胺基甲基)酚等三級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥甲基咪唑等咪唑類(1個以上之氫原子被氫原子以外之基所取代之咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有機膦類(1個以上之氫原子被有機基取代之膦)；四苯基硼酸四苯基鏻、四苯基硼酸三苯基膦等四苯基硼鹽等。
黏接劑組成物以及膜狀黏接劑含有之硬化促進劑(c)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
於使用硬化促進劑(c)之情形時，黏接劑組成物以及膜狀黏接劑中，硬化促進劑(c)之含量相對於環氧系熱硬化性樹脂(b)之含量100質量份，較佳為0.01質量份至10質量份，更佳為0.1質量份至5質量份。藉由硬化促進劑 (c)之前述含量為前述下限值以上，使用硬化促進劑(c)而達成之效果更顯著。藉由硬化促進劑(c)之含量為前述上限值以下，例如，抑制高極性之硬化促進劑(c)於高溫‧高濕度條件下於膜狀黏接劑中向與被黏接體之黏接界面側移動而偏析之效果增高，使用膜狀黏接劑而獲得之封裝之可靠性進一步提高。
(填充材(d))
膜狀黏接劑藉由含有填充材(d)，其熱膨脹係數之調整變得容易，將該熱膨脹係數相對於膜狀黏接劑之貼附對象物最佳化，藉此使用膜狀黏接劑而獲得之封裝之可靠性進一步提高。而且，藉由膜狀黏接劑含有填充材(d)，亦可減少硬化後之膜狀黏接劑之吸濕率或可提高散熱性。
填充材(d)可為有機填充材及無機填充材中之任一者，但較佳為無機填充材。
作為較佳之無機填充材，例如可列舉氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、鐵丹、碳化矽、氮化硼等粉末；將該等無機填充材球形化而成之珠粒；該等無機填充材之表面改質品；該等無機填充材之單晶纖維；玻璃纖維等。
該等之中，無機填充材較佳為氧化矽或氧化鋁。
黏接劑組成物以及膜狀黏接劑含有之填充材(d)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
於使用填充材(d)之情形時，黏接劑組成物中，填充材(d)之含量相對於溶劑以外之所有成分之總含量之比例(亦即，膜狀黏接劑之填充材(d)之含量)較佳為5質量%至80質量%，更佳為7質量%至60質量%，例如可以是10質量%至55質量%、15質量%至50質量%、20質量%至45質量%以及25質量%至42質量%等中之任一者。藉由填充材(d)之含量為上述範圍，上述熱膨脹係數之調整變得更容易。
(偶合劑(e))
膜狀黏接劑藉由含有偶合劑(e)，對被黏接體之黏接性以及密接性提高。而且，藉由膜狀黏接劑含有偶合劑(e)，硬化物不損及其耐熱性，而耐水性提高。偶合劑(e)係具有能夠與無機化合物或有機化合物反應之官能基。
偶合劑(e)較佳為具有能夠與聚合物成分(a)、環氧系熱硬化性樹脂(b)等所具有之官能基反應之官能基的化合物，更佳為矽烷偶合劑。
作為較佳之前述矽烷偶合劑，例如可列舉3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(苯基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、 3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。
黏接劑組成物以及膜狀黏接劑含有之偶合劑(e)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
於使用偶合劑(e)之情形時，黏接劑組成物以及膜狀黏接劑中，偶合劑(e)之含量相對於聚合物成分(a)以及環氧系熱硬化性樹脂(b)之總含量100質量份，較佳為0.03質量份至20質量份，更佳為0.05質量份至10質量份，尤佳為0.1質量份至5質量份。藉由偶合劑(e)之前述含量為前述下限值以上，由使用偶合劑(e)而獲得之效果可越顯著，如填充材(d)對樹脂之分散性之提高或膜狀黏接劑之與被黏接體之黏接性提高等。藉由偶合劑(e)之前述含量為前述上限值以下，可進一步抑制釋氣之發生。
(交聯劑(f))
作為聚合物成分(a)，於使用上述丙烯酸系樹脂等具有能夠與其他化合物鍵結之乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等官能基之樹脂之情形時，黏接劑組成物以及膜狀黏接劑亦可含有用以使前述官能基與其他化合物鍵結而交聯之交聯劑(f)。藉由使用交聯劑(f)進行交聯，可調節膜狀黏接劑之初期黏接力以及凝聚 力。
作為交聯劑(f)，例如可列舉有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物、金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)，氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)等。
作為前述有機多元異氰酸酯化合物，例如可列舉芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物以及脂環族多元異氰酸酯化合物(以下，有時將該等化合物統簡稱為「芳香族多元異氰酸酯化合物等」)；前述芳香族多元異氰酸酯化合物等之三聚物、異氰尿酸酯體以及加成物；使前述芳香族多元異氰酸酯化合物等與多元醇化合物反應而獲得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物等。前述「加成物」係指前述芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物或脂環族多元異氰酸酯化合物與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷或蓖麻油等含有低分子活性氫之化合物的反應物。作為前述加成物之例，可列舉後述三羥甲基丙烷之苯二甲基二異氰酸酯加成物等。而且，「末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物」係如前所述。
作為前述有機多元異氰酸酯化合物，更具體而言，例如可列舉2,4-甲苯二異氰酸酯；2,6-甲苯二異氰酸酯；1,3-苯二甲基二異氰酸酯；1,4-苯二甲基二異氰酸酯；二苯甲烷-4,4'-二異氰酸酯；二苯甲烷-2,4'-二異氰酸酯；3-甲基 二苯甲烷二異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯；雙環己甲烷-4,4'-二異氰酸酯；雙環己甲烷-2,4'-二異氰酸酯；於三羥甲基丙烷等多元醇之全部或一部分之羥基上加成甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯以及苯二甲基二異氰酸酯中之任1種或2種以上而成之化合物；離胺酸二異氰酸酯等。
作為前述有機多元亞胺化合物，例如可列舉N,N'-二苯甲烷-4,4'-雙(1-氮丙啶甲醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶甲醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。
於使用有機多元異氰酸酯化合物作為交聯劑(f)之情形時，關於聚合物成分(a)，較佳為使用含有羥基之聚合物。於交聯劑(f)具有異氰酸酯基、聚合物成分(a)具有羥基之情形時，藉由交聯劑(f)與聚合物成分(a)之反應，可簡便地對膜狀黏接劑導入交聯結構。
黏接劑組成物以及膜狀黏接劑含有之交聯劑(f)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
於使用交聯劑(f)之情形時，黏接劑組成物中，交聯劑(f)之含量相對於聚合物成分(a)之含量100質量份，較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.1質量份至10質量份，尤佳為0.3質量份至5質量份。藉由交聯劑(f)之前述 含量為前述下限值以上，更顯著地獲得使用交聯劑(f)所達成之效果。藉由交聯劑(f)之前述含量為前述上限值以下，抑制交聯劑(f)之過剩使用。
(能量線硬化性樹脂(g))
膜狀黏接劑藉由含有能量線硬化性樹脂(g)，而可利用能量線之照射使特性發生變化。
能量線硬化性樹脂(g)係將能量線硬化性化合物聚合(硬化)而獲得。
作為前述能量線硬化性化合物，例如可列舉分子內具有至少1個聚合性雙鍵之化合物，較佳為具有(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯系化合物。
作為前述丙烯酸酯系化合物，例如可列舉三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等含有鏈狀脂肪族骨架之(甲基)丙烯酸酯；二(甲基)丙烯酸雙環戊酯等含有環狀脂肪族骨架之(甲基)丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等聚烷二醇(甲基)丙烯酸酯；寡酯(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯寡聚物；環氧改性(甲基)丙烯酸酯；前述聚烷二醇(甲基)丙烯酸酯以外之聚醚(甲基)丙烯酸酯；衣康酸寡聚物等。
能量線硬化性樹脂(g)之重量平均分子量較佳為100至30000，更佳為300至10000。
黏接劑組成物含有之能量線硬化性樹脂(g)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
於使用能量線硬化性樹脂(g)之情形時，黏接劑組成物中，能量線硬化性樹脂(g)之含量較佳為1質量%至95質量%，更佳為5質量%至90質量%，尤佳為10質量%至85質量%。
(光聚合起始劑(h))
黏接劑組成物於含有能量線硬化性樹脂(g)之情形時，為了效率佳地促進能量線硬化性樹脂(g)之聚合反應，亦可含有光聚合起始劑(h)。
作為黏接劑組成物中之光聚合起始劑(h)，例如，可列舉安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、苯甲酸安息香甲酯、安息香二甲基縮酮等安息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫化物、一硫化四甲基秋蘭姆等硫化物化合 物；1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮等噻噸酮化合物；過氣化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯；二苯偶醯；二苯甲酮；2,4-二乙基噻噸酮；1,2-二苯甲烷；2-羥基-2-甲基-1-〔4-(1-甲基乙烯基)苯基〕丙酮；1-氯蒽醌、2-氯蒽醌等醌化合物等。
而且，作為光聚合起始劑(h)，例如亦可列舉胺等光敏劑等。
黏接劑組成物含有之光聚合起始劑(h)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
於使用光聚合起始劑(h)之情形時，黏接劑組成物中，光聚合起始劑(h)之含量相對於能量線硬化性樹脂(g)之含量100質量份，較佳為0.1質量份至20質量份，更佳為1質量份至10質量份，尤佳為2質量份至5質量份。
(通用添加劑(i))
通用添加劑(I)可為公知者，可根據目的而任意選擇，不作特別限定。作為較佳之通用添加劑(I)，例如，可列舉塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、著色劑(染料、顏料)、吸氣劑等。
黏接劑組成物以及膜狀黏接劑含有之通用添加劑(i)可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時， 其等之組合以及比率可任意選擇。
黏接劑組成物以及膜狀黏接劑之通用添加劑(i)之含量不作特別限定，根據目的適當選擇即可。
(溶劑)
黏接劑組成物較佳為進而含有溶劑。含有溶劑之黏接劑組成物的操作性良好。
前述溶劑不作特別限定，作為較佳之溶劑，例如可列舉甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯烷酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。
黏接劑組成物含有之溶劑可僅為1種，亦可為2種以上，於為2種以上之情形時，其等之組合以及比率可任意選擇。
自可更均勻混合黏接劑組成物中之含有成分之方面考慮，黏接劑組成物含有之溶劑較佳為甲基乙基酮等。
<<黏接劑組成物之製造方法>>
黏接劑組成物藉由調配用於構成其之各成分而獲得。
各成分之調配時之添加順序不作特別限定，亦可同時添加2種以上之成分。
於使用溶劑之情形時，亦可藉由將溶劑與溶劑以外之任一調配成分加以混合並預先稀釋該調配成分而使用，還可藉由不預先稀釋溶劑以外之任一調配成分，將溶劑與該 等調配成分加以混合而使用。
調配時將各成分加以混合之方法不作特別限定，自如下公知之方法中適當選擇即可：使攪拌元件或攪拌葉片等旋轉而進行混合之方法；使用攪拌機進行混合之方法；施加超音波而進行混合之方法等。
關於各成分之添加以及混合時之溫度以及時間，只要不使各調配成分劣化則不作特別限定，適當調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。
◇切割晶粒接著片之製造方法
前述切割晶粒接著片可藉由使上述各層以成為對應之位置關係的方式依次積層而製造。各層之形成方法如之前說明般。
以下，對切割晶粒接著片之製造方法之一例進行說明。
首先，在基材上塗佈上述黏著劑組成物，且視需要使其乾燥，藉此於基材上積層黏著劑層。或者，對剝離膜之剝離處理面塗佈黏著劑組成物，且視需要使其乾燥，藉此形成黏著劑層。而且，亦可藉由對該黏著劑層之露出面(亦即，與具備前述剝離膜之側為相反側之面)貼附基材，而於基材上積層黏著劑層。該情形之前述剝離膜於必要之階段去除即可。
另一方面，對剝離膜之剝離處理面塗佈黏接劑組成 物，且視需要使其乾燥，藉此形成膜狀黏接劑。進而，對該膜狀黏接劑之露出面(亦即，與具備前述剝離膜之側為相反側之面)貼附中間層之剝離處理面(亦即第1面)，藉此於剝離膜上將膜狀黏接劑以及中間層依序於該等之厚度方向上積層，而獲得積層物。
而且，對基材上之黏著劑層之露出面(亦即，黏著劑層之與具備基材之側為相反側之面)貼附前述積層物之中間層之露出面(亦即與第1面為相反側之面)，藉此將基材、黏著劑層、中間層、膜狀黏接劑以及剝離膜依序於該等之厚度方向上積層，獲得所構成之切割晶粒接著片。
最外層之前述剝離膜係於切割晶粒接著片之使用時，自膜狀黏接劑剝離、去除即可。
另外，具備除基材、黏著劑層、中間層、膜狀黏接劑以及剝離膜以外之其他層的切割晶粒接著片可藉由如下而製造，即，於上述製造方法中，追加於適當之時機形成該其他層之步驟。
◇半導體晶片的製造方法
本發明之半導體晶片的製造方法係使用上述本發明之切割晶粒接著片之半導體晶片的製造方法，包括下述步驟：形成積層結構體，該積層結構體係於前述切割晶粒接著片中的前述膜狀黏接劑之與設置有前述中間層之側為相反側之面設置有半導體晶圓而成(以下有時簡稱作「積層結構體形成步驟」)；使用切割刀片，於前述積層結構體形成自前述半導體晶圓之表面到達前述中間層並且不 到達前述基材之切口，藉此將前述半導體晶圓分割而形成半導體晶片(以下有時簡稱作「切割步驟」)。
藉由使用本發明之切割晶粒接著片，於前述切割步驟中，可較之先前而大幅減少切斷片之發生量。此處，「切斷片」係如前所述。
以下，一邊參照圖2一邊對前述半導體晶片的製造方法進行說明。圖2係用以示意性地說明本發明之半導體晶片的製造方法之一實施形態之剖視圖。此處對使用圖1所示之切割晶粒接著片之情形之製造方法進行說明。
另外，圖2以後之圖中，對已說明過之圖所示之部分相同之構成要素，附上與該說明過之圖之情形相同之符號，且省略其詳細說明。
<積層結構體形成步驟>
前述積層結構體形成步驟中，如圖2(a)所示，形成積層結構體201，該積層結構體201係於切割晶粒接著片101中之膜狀黏接劑14之與設置有中間層13之側為相反側之面，亦即第1面14a，設置有半導體晶圓9’而成。
半導體晶圓9’之厚度不作特別限定，但較佳為10μm至100μm，更佳為30μm至90μm。
另外，圖1以及圖2中雖未明示，於切割晶粒接著片101中，中間層13以及膜狀黏接劑14亦可為與半導體晶圓9’同等之尺寸。亦即，中間層13之第1面13a之面積 與膜狀黏接劑14之第1面14a之面積可均為與半導體晶圓9’之表面9a’之面積相同或稍大之程度(亦即亦可同等)。其中，於此情形時，分別將膜狀黏接劑14以不會自中間層13伸出之方式配置，進而將半導體晶圓9’以不會自膜狀黏接劑14伸出之方式配置。
<切割步驟>
接下來，前述切割步驟中，使用切割刀片，於積層結構體201中，形成自半導體晶圓9’之表面9a’到達中間層13並且未到達基材11之切口10。如此，如圖2(b)所示，將半導體晶圓9’分割而形成半導體晶片9。圖2中，將形成切口10後之積層結構體附上符號201’而表示。此處，對以未到達黏著劑層12之方式形成切口10之情形進行說明。
半導體晶片9之厚度與上述半導體晶圓9’之厚度相同。
切割步驟中，例如，如之前說明般，對半導體晶圓固定用之環狀框等治具(省略圖示)，貼附設置於切割晶粒接著片101中之膜狀黏接劑14之第1面14a的治具用黏接劑層(省略圖示)，藉此可將切割晶粒接著片101固定於前述治具。
另一方面，如上述般，於中間層13以及膜狀黏接劑14為與半導體晶圓9’同等之尺寸之情形時，例如，對前述治具貼附未由中間層13被覆而露出之黏著劑層12，藉此可將切割晶粒接著片101固定於前述治具。而且，即便 對前述治具貼附設置於所露出之黏著劑層12之第1面12a之治具用黏接劑層(省略圖示)，藉此亦可將切割晶粒接著片101固定於前述治具。
圖3係示意性地表示形成有切口10之切割晶粒接著片101以及所獲得之半導體晶片9之放大剖視圖。
如圖3所示，本步驟中，作為一例，能夠以如下方式形成切口10，即，中間層13之厚度T1、自中間層13之第1面13a算起之切口10之深度T2滿足T1>T2之關係。該情形時，切口10係於積層結構體201中，以跨及膜狀黏接劑14之厚度方向之全域形成並且以不到達黏著劑層12之方式形成。
另外，於中間層13中之切口部位之底面130a並非為平面之情形時，將前述底面130a之離黏著劑層12最近之部位(換言之，中間層13中切口10之深度最深之部位)作為算出T2時之一基準即可。
如此，藉由將切口10以不到達基材11之第1面11a而到達中間層13中的方式形成，可防止來自基材11之切斷片之發生。進而，藉由中間層13之拉伸彈性率為3500MPa以上，於切割步驟中，可減少來自中間層13之切斷片之發生量。根據以上，切割步驟中，可顯著減少切斷片之發生量。
切割步驟中，關於可減少切斷片之發生量，例如可藉由如下而確認：於使用顯微鏡觀察半導體晶片時，殘存於 半導體晶片之表面之切斷片減少或是半導體晶片之表面未殘存切斷片。此處，「半導體晶片之表面」係指半導體晶片之電路形成面與側面。
而且，如此，藉由將切口10以到達中間層13中之方式形成，於刀片切割時，抑制半導體晶片自支持片或切割晶粒接著片之剝離、即所謂的晶片飛散。推測其原因在於，因切割刀片不與基材接觸，其結果，切割刀片之振動不會直接傳遞至基材，故抑制切割晶粒接著片中之過度振動之發生。
中間層13中之切口10之深度T2相對於中間層13之厚度T1之比例(T2/T1)大於0且為1以下，例如可以是0.1至0.9、0.2至0.8以及0.3至0.7中之任一者。其中，該等為前述比例之一例。藉由前述比例為前述下限值以上，可更容易地拾取後述附膜狀黏接劑之半導體晶片9。藉由前述比例為前述上限值以下，可進一步減少切斷片之發生量。
切割步驟中，切割刀片之旋轉速度較佳為10000rpm至60000rpm，更佳為20000rpm至50000rpm。
切割刀片之移動速度較佳為20mm/sec至80mm/sec，更佳為40mm/sec至60mm/Sec。
於切割刀片之作動時，較佳為對進行切割之部位，例如使切削水以0.5L/min至1.5L/min左右之量流動。
另外，此處，已對積層結構體201中，形成自半導體晶圓9’之表面9a’到達中間層13並且未到達黏著劑層12之切口10之情形進行了說明，切割步驟中，只要未到達基材11，則亦能夠以到達黏著劑層12之方式形成切口10。
圖4係如此示意性地表示形成著到達黏著劑層12之切口10之切割晶粒接著片101以及所獲得之半導體晶片9之放大剖視圖。
如圖4所示，本步驟中，作為一例，能夠以如下方式形成切口10，即，黏著劑層12之厚度T3、自黏著劑層12之第1面12a算起之切口10之深度T4滿足T3>T4之關係。該情形時，切口10係於積層結構體201中，以跨及膜狀黏接劑14以及中間層13之厚度方向之全域形成(將T2/T1設為1)，並且以未到達基材11之方式形成。
另外，於黏著劑層12中之切口部位之底面120a並非為平面之情形時，將前述底面120a之離基材11最近之部位(換言之，黏著劑層12中切口10之深度最深之部位)作為算出T4時之一基準即可。
黏著劑層12中之切口10之深度T4相對於黏著劑層12之厚度T3之比例(T4/T3)大於0且為1以下，例如可以是0.1至0.9、0.2至0.8以及0.3至0.7中之任一者。其中，該等為前述比例之一例。藉由前述比例為前述下限值以上，可更容易地拾取後述附膜狀黏接劑之半導體晶片9。藉由前述比例為前述上限值以下，可進一步減少切斷 片之發生量。
◇半導體裝置之製造方法
作為利用了上述本發明之半導體晶片的製造方法之半導體裝置之製造方法，可列舉具有如下步驟之方法：於進行藉由前述半導體晶片的製造方法形成前述半導體晶片之步驟(切割步驟)後，對形成前述切口後之切割晶粒接著片自其基材側施力，並且將前述半導體晶片與切斷後之前述膜狀黏接劑一起自前述中間層拉離(以下有時簡稱作「拉離步驟」)。
除藉由利用上述本發明之半導體晶片的製造方法，可顯著減少前述切割步驟中切斷片之發生量之外，亦藉由使用具備中間層之本發明之切割晶粒接著片，於前述拉離步驟中，抑制附膜狀黏接劑之半導體晶片之拾取不良之發生。
如此，根據本發明，可於自切割至附膜狀黏接劑之半導體晶片之拾取之期間內抑制步驟異常之發生。
前述半導體裝置之製造方法中，附膜狀黏接劑之半導體晶片之拉離之對象並非為黏著劑層而為中間層。因此，如以前說明般，黏著劑層可以是能量線硬化性以及非能量線硬化性中之任一者，即便為能量線硬化性，亦不需要於前述拉離步驟之前使其硬化。
以下，一邊參照圖5一邊對前述半導體裝置之製造方 法進行說明。圖5係用以示意性地說明利用了本發明之半導體晶片的製造方法之半導體裝置之製造方法之一實施形態之剖視圖。此處，對使用圖1所示之切割晶粒接著片之情形之製造方法進行說明。另外，圖5中，僅剖面顯示與切割晶粒接著片以及半導體晶片相關之構成。
<拉離步驟>
前述拉離步驟中，如圖5所示，對形成切口10後之切割晶粒接著片101自其基材11側施力，並且將半導體晶片9與切斷後之膜狀黏接劑14一起自中間層13拉離(拾取)。
此處，表示如下示例：使突起(銷)70自半導體裝置之製造裝置中之上推部(省略圖示)突出，突起70之前端部藉由將切割晶粒接著片101自其基材11側上推，對形成有切口10以及半導體晶片9之積層結構體201’向突起70之突出方向施力。此時，可適當調節突起70之突出量(上推量)、突出速度(上推速度)、突出狀態之保持時間(提升等待時間)等上推條件。
突起70之數量不作特別限定，適當選擇即可。圖5中，作為對1個半導體晶片9施力者，圖示之突起70為1個，對1個半導體晶片9施力之突起70可為1個，亦可為2個以上。
前述拉離步驟中，將切割晶粒接著片101上推之方法 可為公知之方法，例如除利用上述突起上推之方法以外，可列舉使滑塊沿著切割晶粒接著片101移動，藉此將該切割晶粒接著片101上推之方法。
而且，此處，表示如下示例：利用半導體裝置之製造裝置之提拉部71將半導體晶片9提拉，使附膜狀黏接劑之半導體晶片9自中間層13剝離。半導體晶片9之提拉方向由箭頭I表示。
提拉半導體晶片9之方法可為公知之方法。作為具體之方法，例如可列舉如下方法等：利用真空吸嘴吸附半導體晶片9之表面，將半導體晶片9提拉。
拉離步驟中，因使用具備中間層13之切割晶粒接著片101，而使附膜狀黏接劑之半導體晶片9容易自中間層13之經剝離處理之(作為剝離處理面之)第1面13a拉離。另一方面，於拉離步驟以前之步驟中，抑制膜狀黏接劑14之自中間層13之剝離。
上述半導體裝置之製造方法中，使用所拾取的附膜狀黏接劑之半導體晶片，以後利用與先前法相同之方法而製造半導體裝置。例如，藉由膜狀黏接劑將前述半導體晶片晶粒接著於基板之電路面，且視需要於該半導體晶片進而積層1個以上半導體晶片，進行引線接合後，利用樹脂密封整體，藉此形成半導體封裝。而且，使用該半導體封裝製作目標半導體裝置即可。
[實施例]
以下，藉由具體之實施例對本發明進行更詳細說明。其中，本發明不受以下所示之實施例任何限定。
以下表示黏接劑組成物之製造中所使用之成分。
‧聚合物成分(a)
(a)-1：將丙烯酸甲酯(以下有時簡稱作「MA」)(95質量份)以及丙烯酸-2-羥乙基酯(以下有時簡稱作「HEA」)(5質量份)共聚合而成的丙烯酸系樹脂(重量平均分子量800000，玻璃轉移溫度9℃)。
‧環氧樹脂(b1)
(b1)-1：加成有丙烯醯基之甲酚清漆型環氧樹脂(日本化藥公司製造「CNA-147」，環氧當量518g/eq，數量平均分子量2100，不飽和基含量與環氧基等量)
‧熱硬化劑(b2)
(b2)-1：芳烷基酚樹脂(三井化學公司製造「Milex XLC-4L」，數量平均分子量1100)
‧填充材(d)
(d)-1：球狀氧化矽(雅都瑪(Admatechs)公司製造「YA050C-SM1」，平均粒徑(50)nm)
‧偶合劑(e)
(e)-1：矽烷偶合劑、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷(信越化學工業公司製造「KBE-402」)
‧交聯劑(f)
(f)-1：三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯三聚物加成物(日本聚胺酯(Polyurethane)工業公司製造「Coronate L」)
〔實施例1〕
<切割晶粒接著片之製造>
(黏接劑組成物之製造)
使聚合物成分(a)-1(100質量份)、環氧樹脂(b1)-1(10質量份)、熱硬化劑(b2)-1(2質量份)、填充材(d)-1(75質量份)、偶合劑(e)-1(0.5質量份)、以及交聯劑(f)-1(0.5質量份)溶解或分散於甲基乙基酮中，於23℃下進行攪拌，藉此獲得黏接劑組成物。另外，此處所示的甲基乙基酮以外之成分之調配量均為固體成分換算值。
(膜狀黏接劑之製造)
對聚對苯二甲酸乙二酯(PET)製膜之單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理而成的剝離膜(琳得科(LINTEC)公司製造「SP-PET381031H」，厚度38μm)之前述剝離處理面，塗佈上述獲得之黏接劑組成物，於100℃下使其加熱乾燥2分鐘，藉此形成厚度20μm之膜狀黏接劑。
接下來，另外使用作為中間層之聚對苯二甲酸乙二酯製膜之單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理而成的剝離膜(三菱化學公司製造，厚度38μm)，將該剝離膜之剝離處理面貼附於上述獲得之膜狀黏接劑之露出面，藉此獲得具有於膜狀黏接劑之兩面貼附有剝離膜之結構之積層物，換言之，獲得具有前述剝離膜、膜狀黏接劑以及中間層依序積層於該等之厚度方向上之結構之積層物。前述剝離膜對膜狀黏接劑之貼附係藉由將該等於常溫下夾在聚矽氧橡膠輥以及金屬輥間而進行。
(黏著劑組成物之製造)
對黏著性樹脂(1質量份)加入交聯劑(1質量份)並於23℃下進行攪拌，藉此獲得非能量線硬化性之黏著劑組成物。另外，此處所示的調配量均為固體成分換算值。
前述黏著性樹脂為丙烯酸系樹脂(東陽化成(TOYOCHEM)公司製造「Oribain BPS 6367X」)。而且，前述交聯劑為TOYOCHEM公司製造「BXX 5640」。
(支持片之製造)
對聚對苯二甲酸乙二酯(PET)製膜之單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理而成的剝離膜(LINTEC公司製造「SP-PET382150」，厚度38μm)之前述剝離處理面，塗佈上述獲得之黏著劑組成物，以100℃使其加熱乾燥2分鐘，藉此形成厚度10μm之黏著劑層。
接下來，將由乙烯-甲基丙烯酸共聚物(以下有時簡稱作「EMAA」)構成且一表面經過了電子束照射處理之基材(厚度80μm)的前述電子束照射處理面貼附於前述黏著劑層之露出面，藉此獲得具有前述基材、黏著劑層以及剝離膜依序於該等之厚度方向上積層之結構的支持片。前述基材對黏著劑層之貼附係藉由將該等於常溫下夾在聚矽氧橡膠輥以及金屬輥間而進行。
(切割晶粒接著片之製造)
將前述積層物切下為直徑220mm之圓形狀，去除一前述剝離膜(不相當於中間層之剝離膜)而形成中間層以 及膜狀黏接劑之積層物。
接下來，對前述支持片之黏著劑層於常溫下貼附上述獲得之中間層以及膜狀黏接劑之積層物之中間層。
根據以上，獲得具有基材、黏著劑層、中間層以及膜狀黏接劑依序於該等之厚度方向上積層之結構的切割晶粒接著片。
<切割晶粒接著片之評估(1)>
(中間層之拉伸彈性率之測定)
裁斷中間層(上述單面經剝離處理之PET製膜)而製作試驗片，依據JIS K 7161：1994測定出23℃下之前述試驗片之拉伸彈性率(楊氏模量)。此時，將前述試驗片之測定時之寬度設為25mm，夾具間距離設為100mm。
(中間層之壓入硬度之測定)
裁斷中間層(上述單面經剝離處理之PET製膜)而製作試驗片，依據JIS Z 2255：2003測定出23℃下之前述試驗片之壓入硬度。
(黏著劑層與中間層之間之黏著力之測定)
將切割晶粒接著片以寬度為25mm且長度為200mm之方式切開而形成試驗片。
接下來，常溫(23℃)下，藉由膜狀黏接劑將該試驗片貼附於黏著片之黏著面。
接下來，以常溫(23℃)下，中間層以及黏著劑層之相互接觸之面彼此呈180°之角度之方式，將基材以及黏著 劑層之積層物自中間層以剝離速度300mm/min剝離後進行180°剝離，測定此時之剝離力，作為黏著劑層與中間層之間之黏著力(N/25mm)。
(中間層與膜狀黏接劑之間之黏接力之測定)
將切割晶粒接著片以寬度為25mm且長度為200mm止方式切開而形成試驗片。
接下來，常溫(23℃)下，藉由膜狀黏接劑將該試驗片貼附於黏著片之黏著面。
接下來，以常溫(23℃)下，中間層以及膜狀黏接劑之相互接觸之面彼此呈180°之角度之方式，將基材、黏著劑層以及中間層之積層物自膜狀黏接劑以剝離速度300mm/min剝離後進行180°剝離，測定此時之剝離力，作為中間層與膜狀黏接劑之間之黏接力(N/25mm)。
<半導體晶片之製造(1)(切割晶粒接著片之評估(2))>
(積層結構體形成步驟)
將上述獲得之切割晶粒接著片藉由其加熱至60℃之膜狀黏接劑貼附於8吋之矽鏡面晶圓(厚度40μm)之一表面，而獲得積層結構體。
(切割步驟)
接下來，將所獲得之積層結構體藉由其黏著劑層之露出面貼附並固定於切割用環狀框。
接下來，使用切割裝置(迪士科(DISCO)公司製造 「DFD6361」)，於上述獲得之積層結構體中形成切口。此時之條件如以下所示。如圖3所示，使用切割刀片(DISCO公司製造「27HECC」)切削成自矽鏡面晶圓之表面貫通膜狀黏接劑，直至自中間層之具備膜狀黏接劑之側之面(界面)算起的20μm之深度為止，利用單切形成切口。亦即，前述切口於前述積層結構體中，以不到達基材以及黏著劑層之方式形成，將中間層中之切口之深度T2相對於中間層之厚度T1之比例(T2/T1)設為0.53。將切割刀片之旋轉速度設為40000rpm，移動速度設為50mm/sec。而且，對要進行切割之部位一邊使切削水以1L/min之量流動一邊進行切割。
根據以上，獲得大小為5mm×5mm之矽晶片。
(黏著劑層與環狀框之間之黏著力之測定)
將基材以及黏著劑層之積層物以寬度為25mm且長度為200mm之方式切開而形成試驗片。
接下來，常溫(23℃)下，藉由黏著劑層將該試驗片貼附於與環狀框相同之由不銹鋼(SUS)構成的固定用基材。此時，將試驗片之黏著劑層之整個表面貼附至固定用基材。
接下來，以常溫(23℃)下，黏著劑層以及固定用基材之相互接觸的面彼此呈180°之角度之方式，將基材以及黏著劑層之積層物自固定用基材以剝離速度300mm/min剝離後進行180°剝離，測定此時之剝離力，作為黏著劑層與環狀框之間之黏著力(N/25mm)。
(晶片飛散之抑制效果之評估)
上述切割步驟中，將未看到任何晶片飛散之情形設為A，看到一處晶片飛散之情形設為B，對晶片飛散之抑制效果進行評估。將結果表示於表1。
(切斷片之發生抑制效果之評估)
使用數位顯微鏡觀察上述切割步驟中獲得之矽晶片，將矽晶片之表面未看到任何切斷片之情形設為A，看到少量切斷片之情形設為B，對切斷片之發生抑制效果進行評估。將結果表示於表1。
<半導體晶片之製造(2)(切割晶粒接著片之評估(3))>
(積層結構體形成步驟)
將上述獲得之切割晶粒接著片藉由其加熱至60℃之膜狀黏接劑貼附於8吋之矽鏡面晶圓(厚度75μm)之一表面，而獲得積層結構體。
(切割步驟)
接下來，於所獲得之積層結構體之黏著劑層之露出面設置環狀框膠帶，藉由該膠帶將積層結構體固定於切割用環狀框。
接下來，使用切割裝置(DISCO公司製造「DFD6361」)，藉由與上述晶片飛散之抑制效果以及切斷片之發生抑制效果之評估時相同的方法進行切割。其中，將矽晶片之大小設為8mm×8mm。
(拉離步驟(半導體晶片之拾取適應性之評估))
上述切割步驟後，將形成了矽晶片後之積層結構體設置於拾取‧晶粒接著裝置(佳能機械(Canon Machinery)公司製造「BESTEM-D02」)。而且，常溫下，將上推速度設為20mm/sec，保持時間設為300msec，上推量設定為特定值，藉由利用5根銷之1段上推方式，對切割步驟後之切割晶粒接著片自其基材側施力，將形成矽晶片後之積層結構體上推，並且使用吸嘴(拉離半導體晶片之部位之大小為8mm×8mm)，嘗試將所獲得之附膜狀黏接劑之矽晶片自中間層拉離(拾取)。使上推量發生變化而繼續進行該積層結構體之上推與附膜狀黏接劑之矽晶片之拉離，連續進行135次，求出可不伴隨異常而進行之情形的上推量之最小值，對附膜狀黏接劑之矽晶片之拾取適應性進行評估。將結果表示於表1。
<切割晶粒接著片之製造及評估、半導體晶片之製造及評估>
〔實施例2〕
切割步驟中，除將形成於中間層之切口之深度設為10μm以代替20μm之方面以外，利用與實施例1相同的方法分別製造及評估切割晶粒接著片以及矽晶片。亦即，本實施例中，前述切口係於前述積層結構體中以跨及膜狀黏接劑之厚度方向之全域而形成，並且以不到達基材以及黏著劑層之方式而形成，中間層中之切口之深度T2相對於中間層之厚度T1之比例(T2/T1)設為0.26。將結果表示 於表1。
〔實施例3〕
除如以下所示於切割步驟中進行變更之方面以外，利用與實施例1相同的方法分別製造及評估切割晶粒接著片以及矽晶片。
本實施例中，切割步驟中，如圖4所示，形成如下切口，即，自矽鏡面晶圓之表面貫通膜狀黏接劑以及中間層，直至自黏著劑層之具備中間層之側之面(界面)算起的10μm之深度為止，換言之，貫通黏著劑層而未到達基材。亦即，前述切口於前述積層結構體中，以跨及膜狀黏接劑以及中間層之厚度方向之全域而形成(將T2/T1設為1)，並且以未到達基材之方式而形成，黏著劑層中之切口之深度T4相對於黏著劑層之厚度T3之比例(T4/T3)設為1。將結果表示於表1。
〔實施例4〕
除如以下所示於切割步驟中進行變更之方面以外，利用與實施例1相同的方法分別製造及評估切割晶粒接著片以及矽晶片。
本實施例中，切割步驟中，如圖4所示，將切口形成為自矽鏡面晶圓之表面貫通膜狀黏接劑以及中間層，直至自黏著劑層之具備中間層之側之面(界面)算起的5μm之深度為止。亦即，前述切口於前述積層結構體中，以跨及膜狀黏接劑以及中間層之厚度方向之全域而形成(T2/T1設為1)，並且以不到達基材之方式而形成，黏著劑層中 之切口之深度T4相對於黏著劑層之厚度T3之比例(T4/T3)設為0.5。將結果表示於表1。
〔實施例5〕
除代替單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理之聚對苯二甲酸乙二酯製膜(厚度38μm)，而將聚萘二甲酸乙二酯(PEN)製膜之單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理而成的剝離膜(杜邦帝人薄膜公司製造，厚度38μm)作為中間層之方面以外，利用與實施例1相同的方法分別製造及評估切割晶粒接著片以及矽晶片。本實施例中，亦將前述剝離膜之剝離處理面貼附於膜狀黏接劑之露出面。將結果表示於表1。
〔比較例1〕
除如以下所示於切割步驟中進行變更之方面以外，利用與實施例1相同的方法分別製造及評估切割晶粒接著片以及矽晶片。
本比較例中，切割步驟中，如圖6所示，將切口形成為自矽鏡面晶圓之表面貫通膜狀黏接劑、中間層以及黏著劑層，直至自基材之具備黏著劑層之側之面(第1面)算起的20μm之深度為止。亦即，前述切口係於積層結構體中，跨及膜狀黏接劑、中間層以及黏著劑層之厚度方向之全域而形成，將T2/T1以及T4/T3設為1，並且進而亦於基材形成切口，將基材中之切口之深度設為20μm。將結果表示於表2。
另外，於比較例之說明中所引用之圖6以後之圖中， 半導體晶片9相當於矽晶片。
〔比較例2〕
除未設置中間層之方面以外，利用與比較例1相同的方法分別製造及評估切割晶粒接著片以及矽晶片。亦即，於本比較例中，如圖7所示，前述切口係於積層結構體中，跨及膜狀黏接劑以及黏著劑層之厚度方向之全域而形成，將T4/T3設為1，並且進而亦於基材形成切口，將基材中之切口之深度T3設為20μm。將結果表示於表2。
〔比較例3〕
於除代替單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理之聚對苯二甲酸乙二酯製膜(厚度38μm)，將兩面均未受到剝離處理之聚乙烯(PE)製膜(郡士(Gunze)公司製造，厚度80μm)作為中間層之方面以外，利用與實施例1相同的方法分別製造及評估切割晶粒接著片以及矽晶片。本比較例中，如圖8所示，前述切口係於積層結構體中，以不到達基材以及黏著劑層之方式形成，將中間層中之切口之深度T2相對於中間層之厚度T1之比例(T2/T1)設為0.25。圖8中，符號83表示本比較例中之中間層，符號83a表示中間層83之與設置有黏著劑層12之側為相反側之面(界面、第1面)。將結果表示於表2。
〔比較例4〕
代替由EMAA構成者(厚度80μm)，而將由聚乙烯共聚物構成者(Gunze公司製造，厚度80μm)作為基材，不設 置中間層以及黏著劑層，於任一評估時，均於積層結構體之基材之露出面設置環狀框膠帶，藉由該膠帶將積層結構體固定於切割用環狀框，除上述方面以外，利用與實施例1相同的方法製造及評估切割晶粒接著片。
而且，除使用該切割晶粒接著片如以下所示於切割步驟中進行變更之方面以外，利用與實施例1相同的方法製造及評估矽晶片。本比較例中，切割步驟中，如圖9所示，將切口形成為自矽鏡面晶圓之表面貫通膜狀黏接劑，直至自基材之具備膜狀黏接劑之側之面(界面)算起的20μm之深度為止。亦即，前述切口係於積層結構體中，跨及膜狀黏接劑之厚度方向之全域而形成，進而亦於基材形成切口，將基材中之切口之深度設為20μm。圖9中，符號81表示本比較例中之基材，符號81a表示基材81之一面(界面、第1面)。將結果表示於表2。
〔比較例5〕
除代替由聚乙烯共聚物構成者(厚度80μm)而將由EMAA構成者(厚度80μm)作為基材之方面以外，利用與比較例4相同的方法分別製造及評估切割晶粒接著片以及矽晶片。黏著劑層貼附於基材之電子束照射處理面而形成支持片。將結果表示於表2。
〔比較例6〕
除代替單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理之聚對苯二甲酸乙二酯製膜(厚度38μm)，而將兩面均未受到剝離處理之聚乙烯製膜(Gunze公司製造，厚度40μm)作為中 間層之方面以外，利用與實施例1相同的方法分別製造及評估切割晶粒接著片以及矽晶片。本比較例中，前述切口係於積層結構體中，以不到達基材以及黏著劑層之方式形成，中間層中之切口之深度T2相對於中間層之厚度T1之比例(T2/T1)設為0.5。將結果表示於表2。
〔比較例7〕
除代替單面藉由聚矽氧處理進行了剝離處理之聚對苯二甲酸乙二酯製膜(厚度38μm)，而將兩面均未受到剝離處理之聚乙烯(PE)製膜(Gunze公司製造，厚度80μm)作為中間層之方面以外，利用與實施例1相同的方法製造切割晶粒接著片以及矽晶片。而且，對切割晶粒接著片僅進行切斷片之發生抑制效果之評估。本比較例中之聚乙烯製膜之拉伸彈性率係與比較例3中之聚乙烯製膜不同。本比較例中，前述切口係於積層結構體中，以不到達基材以及黏著劑層之方式形成，將中間層中之切口之深度T2相對於中間層之厚度T1之比例(T2/T1)設為0.25。將結果表示於表3。
〔比較例8〕
除代替兩面均未受到剝離處理之聚乙烯製膜(厚度80μm)，而將兩面均未受到剝離處理之聚丙烯(PP)製膜(Gunze公司製造，厚度80μm)作為中間層之方面以外，利用與比較例7相同的方法製造切割晶粒接著片以及矽晶片，並對切割晶粒接著片進行評估。將結果表示於表3。
〔比較例9〕
除代替兩面均未受到剝離處理之聚乙烯製膜(厚度80μm)，而將兩面均未受到剝離處理之聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)製膜(OG薄膜公司製造，厚度80μm)作為中間層之方面以外，利用與比較例7相同的方法製造切割晶粒接著片以及矽晶片，並對切割晶粒接著片進行評估。將結果表示於表3。
〔比較例10〕
除代替兩面均未受到剝離處理之聚乙烯製膜(厚度80μm)，而將兩面均未受到剝離處理之聚醯亞胺(PI)製膜(東麗‧杜邦公司製造，厚度50μm)作為中間層之方面以外，利用與比較例7相同的方法製造切割晶粒接著片以及矽晶片，並對切割晶粒接著片進行評估。將結果表示於表3。
Figure 106136722-A0305-02-0087-1
Figure 106136722-A0305-02-0088-2
Figure 106136722-A0305-02-0088-3
Figure 106136722-A0305-02-0089-4
Figure 106136722-A0305-02-0089-5
如根據上述結果可知，實施例1至實施例5中，切割時可抑制切斷片之發生，於自切割至附膜狀黏接劑之矽晶片之拾取為止之期間內亦可抑制步驟異常之發生。
與此相對，比較例1中，雖可抑制切斷片之發生，但無法抑制晶片飛散。推測其原因在於：因切割時將切口形成至基材，故此時之切割晶粒接著片中發生過度振動。
比較例2中，雖可抑制切斷片之發生，但無法拾取附膜狀黏接劑之矽晶片。推測其原因在於：於切割晶粒接著片中未設置中間層，藉此黏著劑層與膜狀黏接劑之間之黏著力變得過大。
比較例3、比較例6至比較例10中，無法抑制切斷片之發生。推測其原因在於，中間層之樹脂層之構成材料為聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)或聚醯亞胺(PI)，該等中間層之拉伸彈性率過低，藉此切割時來自中間層之切斷片之發生量增大。
進而，比較例3以及6中，拾取適應性亦稍差。推測其原因亦在於中間層之拉伸彈性率過低。其中，比較例6中，因中間層之厚度之差異，拾取適應性較比較例3之情形良好。
比較例4中，無法抑制切斷片之發生。推測其主要原因在於：因使用由聚乙烯構成之基材，切割時將切口形成 至該基材為止，故切割時來自基材之切斷片之發生量增大。
比較例5中，雖可抑制切斷片之發生，但無法拾取附膜狀黏接劑之矽晶片。如此，本比較例中，與比較例4之情形同樣地，儘管切割時將切口形成至基材為止，亦獲得與比較例4不同之結果。推測其原因在於：本比較例中，使用由EMAA構成且經電子束照射處理之基材。此種基材藉由進行電子束照射處理，即便切割時被切削，亦抑制來自基材之切斷片之發生，另一方面，因由EMAA構成，從而與膜狀黏接劑之間之黏著力變得過大。
另外，比較例3、比較例4以及比較例6中，雖然切斷片之發生並非拾取適應性之降低之直接原因，但切斷片之發生量根據拾取時之條件而多少會成為拾取不良之發生原因。
(產業可利用性)
本發明能夠用於半導體裝置之製造。
1‧‧‧支持片
11‧‧‧基材
11a‧‧‧基材之第1面
12‧‧‧黏著劑層
12a‧‧‧黏著劑層之第1面
13‧‧‧中間層
13a‧‧‧中間層之第1面(中間層之具備膜狀黏接劑之側之界面或中間層之與膜狀黏接劑之接觸面)
14‧‧‧膜狀黏接劑
14a‧‧‧膜狀黏接劑之第1面
15‧‧‧剝離膜
101‧‧‧切割晶粒接著片

Claims (3)

  1. 一種切割晶粒接著片，係包括：基材、形成於前述基材上之黏著劑層、形成於前述黏著劑層上之中間層以及形成於前述中間層上之膜狀黏接劑；前述中間層為樹脂製；前述中間層之具備前述膜狀黏接劑之側之界面係經剝離處理；前述中間層之拉伸彈性率為3500MPa以上。
  2. 如請求項1所記載之切割晶粒接著片，其中前述黏著劑層與前述中間層之間之黏著力為0.3N/25mm以上。
  3. 一種半導體晶片的製造方法，包括下述步驟：形成積層結構體之步驟，前述積層結構體係於如請求項1或2所記載之切割晶粒接著片中之前述膜狀黏接劑的與設置有前述中間層之側為相反側之面設置有半導體晶圓而成；以及使用切割刀片，於前述積層結構體形成自前述半導體晶圓之表面到達前述中間層並且不到達前述基材之切口，藉此將前述半導體晶圓分割而形成半導體晶片之步驟。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7141515B2 (ja) * 2019-03-07 2022-09-22 リンテック株式会社 ダイボンディングシート、及びフィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法
KR102672961B1 (ko) * 2019-03-07 2024-06-05 린텍 가부시키가이샤 다이 본딩 시트, 및 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법
JPWO2020195744A1 (zh) * 2019-03-27 2020-10-01
CN113677480A (zh) * 2019-03-29 2021-11-19 三井化学东赛璐株式会社 电子装置的制造方法及粘着性膜
JP7411381B2 (ja) * 2019-10-28 2024-01-11 藤森工業株式会社 ダイシングテープ、及び半導体部品の製造方法
JP7475923B2 (ja) * 2020-03-27 2024-04-30 リンテック株式会社 半導体装置製造用シート及び半導体装置製造用シートの製造方法。
KR20220155978A (ko) * 2020-03-27 2022-11-24 린텍 가부시키가이샤 반도체 장치 제조용 시트

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008010547A1 (fr) * 2006-07-19 2008-01-24 Sekisui Chemical Co., Ltd. Ruban de découpage de puce liant et procédé de fabrication de puce semi-conductrice
JP2016018810A (ja) * 2014-07-04 2016-02-01 積水化学工業株式会社 ダイシング−ダイボンディングテープ

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3280876B2 (ja) * 1996-01-22 2002-05-13 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ウェハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法
JP2006203000A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Sekisui Chem Co Ltd ダイシング用粘着テープおよび半導体チップの製造方法
TW201309772A (zh) * 2011-07-08 2013-03-01 Sumitomo Bakelite Co 切割膠帶一體型接著片、半導體裝置、多層電路基板及電子零件

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008010547A1 (fr) * 2006-07-19 2008-01-24 Sekisui Chemical Co., Ltd. Ruban de découpage de puce liant et procédé de fabrication de puce semi-conductrice
JP2016018810A (ja) * 2014-07-04 2016-02-01 積水化学工業株式会社 ダイシング−ダイボンディングテープ

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