CN101165131A - 半导体晶片和/或基板加工用粘合片 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种与作为粘附物的半导体晶片和/或基板等的粘附物表面的凹凸没有关系，通过良好地追随粘附面的凹凸而确保充分的粘附力，同时在照射紫外线和/或放射线后，使粘附力降低至进行拾取等时的最适值，完全没有残留粘合剂的稳定的粘合片。该半导体晶片和/或基板加工用粘合片具有对紫外线和/或放射线具有透过性的基材、和通过紫外线和/或放射线进行聚合固化反应的粘合剂层，其中，该粘合剂层至少包括增粘剂和表面活性剂。

Description

半导体晶片和/或基板加工用粘合片
技术领域
本发明涉及半导体晶片和/或基板加工用粘合片，更详细地，涉及具有基材和含有特定成分的粘合剂层的半导体晶片和/或基板加工用粘合片。
背景技术
目前，切割、展开半导体晶片和/或基板，接着，在拾取半导体晶片和/或基板的同时进行安装时，为了固定半导体晶片和/或基板，使用半导体晶片和/或基板加工用薄片。
这样的薄片是，在对紫外线和/或放射线具有透过性的基材上，涂布利用紫外线和/或放射线进行聚合固化反应的粘合剂层，在切割后，对粘合剂层照射紫外线和/或放射线，使粘合剂层进行聚合固化反应，使粘着力降低，可以拾取半导体晶片、芯片或基板等的单个片。
例如，提出了如下所述的半导体晶片加工用粘合片，在这样的薄片中，粘合剂层含有基础聚合物、分子量15000～50000的多官能聚氨酯丙烯酸酯类低聚物、聚酯类增塑剂和光聚合引发剂，相对于100重量份基础聚合物，聚酯类增塑剂的含有比率为1～50重量份(例如专利文献1等)。再者，提出了粘合剂层中使用分子量3000～10000左右的多官能聚氨酯丙烯酸酯类低聚物的方案(例如专利文献2等)。
但是，最近，如下所述的晶片在不断增加，该晶片在表面存在5～10μm左右深度的通过照射激光而印字的标记。另外，在载置了半导体芯片等的基板被树脂密封后的封装(package)中，也使用了在成为胶粘带粘附面的密封树脂面上具有0.4～15μm左右粗糙面的基板，或者采用与晶片同样的方法印字的具有25～40μm深度标记的基板。
在切断具有这样的凹凸的半导体晶片和/或基板时，在目前使用的粘合片中，由于不能使粘附面充分地追随凹凸，所以得不到充分的粘着力，结果是在切断晶片或基板时，产生芯片或封装飞起、成品率大幅度下降这样的不良情况。再者，飞出的芯片等冲击切断刀片，还产生损坏刀片这样的不良情况。
对此，提出了下述方法，例如，通过在粘合剂中使用由JIS K0070-19927.1中和滴定法导出的羟值为50～150KOHmg/g的特定的增粘剂来构成薄片，与有无印字无关，在切断半导体基板时，防止芯片等的飞出(例如专利文献3等)。
另一方面，近年来，随着考虑环境的制品化的趋势，在密封树脂中使用与现有不同种类的金属皂的稳定化剂作为添加剂，或使用脱卤阻燃剂，对此，为了维持密封树脂的特性，使用与现有不同种类/组成等的树脂。
因此，由于在作为粘附物的半导体晶片和/或基板中使用的密封树脂等的这种变迁，只使用在专利文献3中提出的特定的增粘剂时，重新产生在切断时不能完全防止芯片飞出的这种不良情况。
另外，粘附物中的密封树脂和/或添加剂的种类、或通常涂布在密封树脂表面的脱膜剂(例如蜡)的量过少或不均匀这样的不恰当情况等，粘合剂层的粘着力在照射紫外线后没有降低到规定的值，在拾取工序中，有时不能拾取单个片。由于勉强拾取，发生从密封树脂内部产生剥落、密封树脂整个表面产生糊状残留这种不良情况。
专利文献1：特开平6-49420号公报
专利文献2：特开昭62-153376号公报
专利文献3：特开2005-229040号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明就是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种与半导体晶片和/或基板等粘附物表面的凹凸没有关系，通过良好地追随粘附面的凹凸而确保充分的粘着力，同时在照射紫外线和/或放射线后，使粘着力降低至进行拾取等时的最适值，并且完全没有残留粘合剂的稳定的粘合片。
解决课题的方法
本发明人等从现有技术的课题查明了：在这种粘合片中，在粘附时维持高的粘着力和凝聚力，由此，使芯片等牢固地粘附在粘合片上，同时确保良好的凹凸追随性，防止切割时等的飞出，在拾取工序中，使粘着力降低，由此，要求不产生粘合剂残留在粘附物上而且容易进行拾取这两种相反的功能。于是，本发明人等对该两种相反的功能进行悉心研究的结果发现：关于粘着力的增强，利用增粘剂的功能；关于在拾取工序中的粘着力的降低，利用表面活性剂的功能，出乎意料地，两种功能并不相抵，可以解决上述课题，从而完成了本发明。
即，本发明的半导体晶片和/或基板加工用粘合片包括对紫外线和/或放射线具有透过性的基材、和通过紫外线和/或放射线进行聚合固化反应的粘合剂层，其中，该粘合剂层至少包括增粘剂和表面活性剂。
在该半导体晶片和/或基板加工用粘合片中，增粘剂是萜烯酚醛树脂等，并优选具有120～230KOHmg/g的羟值。
发明效果
本发明的半导体晶片和/或基板加工用粘合片与作为粘附物的半导体晶片和/或基板等中的粘合片粘附面的凹凸没有关系，在照射紫外线和/或放射线前，确保充分的粘着力和凝聚力，由于凹凸良好地追随粘附面，维持与粘附物的粘合性，同时，在照射紫外线和/或放射线后，可以使粘着力降低至进行拾取等时的最适值。由此，可得到如下所述的稳定粘合片，在切割时等，可以完全或基本上防止半导体晶片和/或基板的飞出等的不良情况，同时，得到的半导体晶片和/或基板的粘附表面上完全或基本上没有残留粘合剂残渣。
具体实施方式
本发明的半导体晶片和/或基板加工用粘合片主要具有基材和粘合剂层，粘合剂层由至少含有增粘剂和表面活性剂的粘合剂形成。
即，粘合剂层中的增粘剂通常是为了增加粘着力而使用的物质，另一方面，表面活性剂在粘合剂层中通常具有使粘着力降低的作用。因此，在同样的粘合剂内从来没有同时使用过这些具有相反作用的成分/剂。特别是如增粘剂那样，在相对于构成粘合剂的基础聚合物分子量较低的情况下，由于表面活性剂的作用，担心使增粘剂的功能降低。于是，考虑到它们的作用时，在同样的粘合剂内同时使用两者时，由于粘着力的相抵，很难想到具有维持粘着力或增强粘着力的作用，实际上，要实现它们的作用，不配合两者。但是，在本发明中，通过配合两者，在可以使增粘剂最大限度地得到粘着功能的阶段，由于在构成粘合剂的成分中残存有未固化成分，因此几乎不表现出基于表面活性剂的粘合剂成分的结合/交联的切断而导致的粘着力的降低作用，没有使粘着力降低，只发挥增粘剂的功能，另一方面，在使粘合剂完全固化并拾取半导体晶片和/或基板等的单个片的阶段，最大限度地发挥切断构成粘合剂成分中的结合/交联的功能，同时，由于表面活性剂集中在粘合剂层和单个片的界面上，出乎意料且重新发现可以对两者之间赋予剥离功能，并没有带来粘着力的抵消，而是使粘着力提高，以至同时解决了单个片的飞出等不良情况和拾取及糊残留等不良情况的相反的课题。
在本发明中所使用的基材只要对紫外线和/或放射线具有透过性，就没有特别限定，例如只要透过紫外线、X射线、电子射线等放射线的至少一部分就可以，例如优选具有透过75％左右以上、80％左右以上、90％左右以上的透过性的基材。具体地，可举出由下列聚合物形成的基材，聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮；低密度聚乙烯、直链状聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃；聚氨酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、氟树脂、纤维素类树脂及它们的交联体等。它们既可以为单层也可以为多层结构。基材的厚度通常优选5～400μm左右，更优选20～300μm。
在基材上设置的粘合剂层只要是由能够利用紫外线和/或放射线引起聚合固化反应的粘合剂构成的层，就没有特别限定，至少含有增粘剂和表面活性剂两者。
增粘剂优选羟值为120～230mg/g，更优选120～210mg/g。羟值过大或过小时，在对密封树脂照射紫外线前，有不能赋予充分的粘附性的倾向。再者，根据粘合片的粘附面上的密封树脂等的种类或者在该树脂表面添加或附着的脱膜剂的存在较少时，在照射紫外线后，有粘着力没有下降至规定值的倾向。
相对于100(重量)份基础聚合物，增粘剂优选使用0.1～70份，更优选使用1～50份。增粘剂的比率过小时，粘着力的上升效果变小，另一方面，过大时，粘合片的保存稳定性容易降低，难以得到长期稳定的特性。
作为含有羟基并具有特定的羟值的增粘剂，例如可举出萜烯酚醛树脂、松香酚醛树脂、烷基酚醛树脂等。
作为萜烯酚醛树脂，可举出α-蒎烯酚醛树脂、β-蒎烯酚醛树脂、二戊烯酚醛树脂、萜烯双酚树脂等。通过使用萜烯酚醛树脂，由于得到对基础聚合物高的相容性，在胶带保存中，粘合剂几乎没有变化，可以长时间维持稳定的品质。
增粘剂通常使用相对于基础聚合物分子量低的物质，例如可举出几万左右以下，1万左右以下，几千左右以下分子量的物质。
表面活性剂可以使用离子型表面活性剂和非离子型表面活性剂中的任一种。例如可举出酯型、醚型、聚氧乙烯烷基醚型、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚乙二醇、聚乙二醇、羧酸型、磺酸型、氨基酸型、胺型等各种类型。从粘合剂中的相容性的观点出发，分子量优选2000以下，更优选1500以下。但是，在具有与粘合剂的亲和性好的分子结构时，没有此限制。特别是在使用季铵盐型时，可以赋予防静电效果。它们既可以只使用一种也可以混合两种以上使用。
其中，优选酯型、即含有酯化合物或其衍生物的表面活性剂，其碳原子数优选10以上。对于在表面存在的脱膜剂少的粘附物，可以兼备飞出和拾取性两方面。而且，优选具有碳原子数15以上的烷基的酯化合物。该化合物的烷基的碳原子数过小时，含有该物质的粘合剂的初期粘着力有容易降低的倾向。从在工业上得到的容易性、分子量分布的广度、耐热性(即熔点的上限约为110℃)等的观点考虑，该碳原子数的实质上限优选50～60左右。这样的酯化合物的熔点优选40℃以上。这是因为即使在高温下、长时间保存也可以稳定地存在。其结果是，将在粘着层中使用了本发明的粘着组合物的薄片贴合在粘附物上，即使在高温下、长时间保存，也能够抑制它们之间的粘合性的增加。
作为这样的酯化合物，例如可举出具有碳原子数10以上、优选15以上的烷基的高级醇和羧酸、硫酸、亚硫酸、磷酸、亚磷酸等酸的酯化合物(单酯、二酯、三酯)。在它们中，可以优选使用高级醇和磷酸的单酯、二酯或三酯。作为高级醇，例如可举出硬脂醇(碳原子数18)、廿二醇-1(碳原子数22)、廿四醇-1(碳原子数24)、廿六醇-1(碳原子数26)、廿八醇-1(碳原子数28)、廿九醇-1(碳原子数29)、三十烷醇(碳原子数30)、三十一烷醇(碳原子数31)、三十二烷醇(碳原子数32)、三十三烷醇(碳原子数33)、三十四烷醇-1(碳原子数34)、三十五烷醇-1(碳原子数35)、三十七烷醇-1(碳原子数37)、四十四烷醇-1(碳原子数44)等。在上述酸中，作为羧酸，例如可举出蚁酸、醋酸、苯甲酸等单羧酸、草酸、琥珀酸、丙三羧酸等多元羧酸等。
高级醇的酯化合物通过下述方法制造：在有机溶剂中、盐酸等酸催化剂存在下加热回流高级醇和羧酸、硫酸、亚硫酸、磷酸、亚磷酸等酸并脱除所生成的水。另外，作为酯化合物或其衍生物，可以使用具有碳原子数10以上、优选15以上的烷基的羧酸和醇的酯化合物。
作为其它类型的表面活性剂，可以适宜选择使用市售的、在半导体工序等中不带来污染的表面活性剂。
在本发明中，相对于100重量份基础聚合物，表面活性剂例如酯化合物或其衍生物优选添加0.02～8重量份，更优选0.05～2重量份。添加量过少时，实质上不能期待添加的效果；相反，过大时，在照射紫外线之前的初期粘着力低，不能期望作为粘着组合物的效果，此外，由于与粘合剂的相容性变差，因此，有时污染剥离后的粘附物表面。
本发明的粘合剂可以使用通常使用的压敏性粘合剂，优选含有具有碳-碳双键等的紫外线和/或放射线固化性的官能团的化合物作为基础聚合物。作为基础聚合物，可以适宜选择使用目前公知的粘合剂用基础聚合物，例如丙烯酸类聚合物或弹性体，具体地，可适当使用使(甲基)丙烯酸或其酯和可以与(甲基)丙烯酸或其酯共聚的单体等聚合而形成的丙烯酸类聚合物、天然或合成橡胶等聚合物等。其分子量优选300000～1500000，更优选300000～1100000。分子量过小时，在切断时，容易产生切断偏差；过大时，有时难以得到与增粘剂或其它添加成分的相容性。另外，可以使用在专利第3797601号公报、上述的专利文献1～3等中列举的基础聚合物。
构成基础聚合物的可以共聚的单体，可举出(甲基)丙烯酸的羟基烷基酯(例如羟乙酯、羟丁酯、羟己酯等)；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含有羧基的单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸N-羟甲基酰胺；(甲基)丙烯酸烷基氨基烷基酯(例如，甲基丙烯酸二甲基氨乙酯、甲基丙烯酸叔丁基氨乙酯等)；N-乙烯基吡咯烷酮；丙烯酰基吗啉；醋酸乙烯酯、苯乙烯；丙烯腈；N，N-二甲基丙烯酰胺、作为侧链上含有烷氧基的单体的例如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧酯等各种物质。这些共聚合性单体可以作为一种或两种以上的混合物使用。
基础聚合物的分子中无论不含有或含有碳-碳双键，都可以含有具有任意碳-碳双键的成分、单官能性或多官能性成分或它们的混合物。为了使之交联，可优选含有多官能性和/或紫外线(放射线)固化性的成分。作为这样的成分，例如可举出(甲基)丙烯酸酯类低聚物、单体等。
具体地，可举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸环氧酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯等以及聚氨酯类、聚醚类、聚酯类、聚碳酸酯类、聚丁二烯类等各种低聚物，其分子量优选100～30000左右的范围。这些成分可以使用一种或组合两种以上使用。
特别是聚氨酯类(甲基)丙烯酸类低聚物优选分子内具有2～4个、更优选具有2个丙烯酰基的物质，例如可以通过如下所述的方法制造，在保持60～90℃的反应槽中，首先使二异氰酸酯和多元醇反应，在反应结束后，添加羟基(甲基)丙烯酸酯，再使之反应。
作为二异氰酸酯，例如可举出甲苯二异氰酸酯、二苯甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、亚苯基二异氰酸酯、二环己基甲烷二异氰酸酯、二甲苯二异氰酸酯、四甲基二甲苯二异氰酸酯、萘二异氰酸酯等。
作为多元醇，例如可举出乙二醇、丙二醇、丁二醇、己二醇等。
作为羟基(甲基)丙烯酸酯，例如举出2-羟乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羟丙基(甲基)丙烯酸酯等。
作为用作基础聚合物的弹性体，例如可举出天然橡胶、合成异戊二烯橡胶、苯乙烯-丁二烯橡胶、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、丁基橡胶、聚异丁烯、聚丁二烯、聚乙烯基醚、硅橡胶、聚乙烯基异丁基醚、醋酸乙烯酯聚合物、氯丁橡胶、腈橡胶、接枝橡胶、再生橡胶、苯乙烯-乙烯-丁二烯嵌段共聚物、苯乙烯-丙烯-丁烯嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯共聚物、丙烯腈-丁二烯共聚物、丙烯腈-丙烯酸酯共聚物、甲基丙烯酸甲酯-丁二烯共聚物、聚异丁烯-乙烯-丙烯共聚物、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物或丙烯酸酯橡胶(丙烯酸烷基酯共聚物、丙烯酸烷基酯-丙烯酸烷氧基烷基酯共聚物)等。
在本发明中，特别是使用丙烯酸类聚合物作为基础聚合物时，可以任意添加交联剂。交联剂可以使基础聚合物进行三维交联而且赋予粘合剂层充分的凝聚力。作为交联剂，例如可使用多异氰酸酯化合物、聚缩水甘油(polyglycidyl)化合物、氮丙啶化合物、蜜胺化合物、多价金属螯合物等公知的物质。添加交联剂时的配合比率，相对于100重量份基础聚合物，优选为0.01～10重量份、特别优选0.05～5重量份的范围。交联剂的配合比率过小时，不能得到添加交联剂的效果；另一方面，过大时，交联剂过剩，游离残存于粘合剂层中，这成为污染晶片或半导体基体的原因，故而不优选。
另外，还可以适当选择软化剂、防老剂、固化剂、填充剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、(光)聚合引发剂等的一种以上添加至本发明的粘合剂或上述基础聚合物中。另外，各种剂既可以单独使用单一种类，也可以组合多种使用。
作为软化剂，例如可举出增塑剂、聚丁烯、液态增粘剂树脂、聚异丁烯低聚物、聚乙烯基异丁基醚低聚物、羊毛脂、解聚橡胶、操作油或硫化油等。
作为防老剂，可举出酚类防老剂(例如，2，6-二叔丁基-4-甲基苯酚、1，1-双(4-羟基苯酚)环己烷等)、胺类防老剂(例如，苯基-β-萘胺等)、苯并咪唑类防老剂等(例如，巯基苯并咪唑等)、2，5-二叔丁基对苯二酚等。
作为橡胶类粘合剂的固化剂，可举出异氰酸酯、硫及硫化促进剂、聚烷基苯酚、有机过氧化物等。作为异氰酸酯，例如可举出亚苯基二异氰酸酯、亚苄基二异氰酸酯、二苯甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯或环己烷二异氰酸酯。作为硫和硫化促进剂，例如可举出噻唑类硫化促进剂、磺酰胺类硫化促进剂、二烃胺基荒酰类硫化促进剂、二硫代氨基甲酸盐类硫化促进剂等。作为聚烷基苯酚，例如可举出丁基苯酚、辛基苯酚、壬基苯酚等。作为有机过氧化物，例如可举出二铬酰过氧化物(dichromyl peroxide)、过氧化酮、过氧化缩酮、氢过氧化物、二烷基过氧化物、过氧化酯(peroxide ester)或过氧化二碳酸酯(peroxide dicarbonate)等。
作为填充剂，例如可举出氧化锌、氧化钛、二氧化硅、氢氧化铝、碳酸钙、硫酸钡、淀粉、粘土或滑石等。
光聚合引发剂具有如下所述的作用，通过照射紫外线被激发、活性化，从而生成自由基，并通过自由基聚合使多官能低聚物固化。具体地，可举出4-苯氧基二氯苯乙酮、4-叔丁基二氯苯乙酮、二乙氧基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-(4-异丙基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、1-(4-十二烷基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、1-羟基环己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙烷-1等的苯乙酮类光聚合引发剂、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮等苯偶姻类光聚合引发剂、二苯甲酮、苯酰苯甲酸、苯酰苯甲酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、羟基二苯甲酮、4-苯酰基-4’-甲基二苯硫醚、3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮类光聚合引发剂、噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2，4-二氯噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮类光聚合引发剂、α-酰肟酯(α-アシロキシムエステル)、酰基氧化膦、甲基苯基乙醛酸酯、二苯甲酰、樟脑醌、二苯并环庚酮(dibenzosuberone)、2-乙基蒽醌、4’，4”-二乙基间苯二甲酰基苯(4’，4”-diethylisophthalophenone)等特殊光聚合引发剂等。
相对于100重量份基础聚合物，光聚合引发剂的配合比率优选为0.1～15重量份，特别优选0.5～10重量份的范围。光聚合引发剂的配合比率过小时，对照射紫外线和/或放射线的多官能低聚物或单体的固化作用不足，粘着力的降低不充分。过大时，在热或荧光灯下的稳定性变差。
作为聚合引发剂，可举出过氧化氢、过氧化苯甲酰、叔丁基过氧化物等过氧化物类。期望单独使用，但也可以与还原剂组合作为氧化还原类聚合引发剂使用。作为还原剂，例如可举出亚硫酸盐、亚硫酸氢盐、铁、铜、钴盐等离子化的盐、三乙醇胺等胺类、醛糖、酮糖等还原糖等。另外，可以使用2，2’-偶氮双-2-甲基丙脒酸盐、2，2’-偶氮双-2，4-二甲基戊腈、2，2’-偶氮双-N，N’-二亚甲基异丁基脒酸盐、2，2’-偶氮二异丁腈、2，2’-偶氮双-2-甲基-N-(2-羟乙基)丙酰胺等的偶氮化合物。这些物质既可以单独使用也可以同时使用两种以上。
在本发明中，在基材上形成粘合剂层来制造半导体晶片或半导体基板加工用粘合片的方法可举出如下所述的方法：直接或通过适当的有机溶剂溶解构成粘合剂层的成分，在基材上利用涂布或散布等进行涂布，再通过例如在80～100℃下、30秒～10分钟左右的加热处理等使之干燥。
在本发明中，上述粘合剂层的厚度没有特别限定，但优选3～35μm左右。
本发明的半导体晶片和/或基板加工用粘合片可以使用通常使用的方法。例如可举出如下所述的方法：将半导体晶片和/或基板粘附并固定后，用旋转圆盘刀将半导体晶片或基板切成单元小片(芯片)。然后，从加工用粘合片的基材侧照射紫外线和/或放射线，接着，使用专用工具(治具)将晶片加工用粘合片展开(扩大)成放射状，将单元小片(芯片)间隔扩大至一定间隔，然后，用针等向上顶元件小片(芯片)，同时通过采用气镊子(air pincet)等的吸附等进行拾取，同时进行安装。
另外，本发明的粘合片可以用于采用引线(リ一ド)和密封树脂等分别或整体地密封了半导体晶片、半导体基板、单个或多个芯片等的密封树脂基板等各种粘附物。另外，粘附物的粘附面不限于半导体，也可以是金属、塑料、玻璃、陶瓷等无机物等各种材料。再者，本发明的粘合片可以良好地利用于具备如下所述粘附面的粘附物，特别是对于表面具有微细凹凸的所谓梨皮斑点状等的凹凸的粘附面、具有利用激光等的印字的粘附面等，而且，粘附面的至少一个地方以上具有100μm左右以下深度的凹坑(更恰当地说是50μm左右以下的凹坑，更进一步说是0.4～40μm左右的凹坑)。
实施例
以下，更详细地说明本发明的半导体晶片和/或基板加工用粘合片的实施例和比较例，但本发明并不限定于此。另外，增粘剂的羟值使用了利用JISK0070-1992 7.1中和滴定法导出的值。
实施例1
配合制备添加了如下所述物质的作为粘合剂层的树脂溶液，所述物质为100重量份共聚了20重量份丙烯酸甲酯、10重量份丙烯酸和80重量份丙烯酸2-乙基己酯而得到的重均分子量80万的共聚物(固体成分35％)、100重量份多官能丙烯酸酯类低聚物(日本合成化学制造的UV-1700)、15重量份作为增粘剂的羟值为160～170KOHmg/g的萜烯酚醛树脂(Yasuhara Chemical公司制造的YSポリスタ一N125)、作为表面活性剂的磷酸酯类表面活性剂(东邦化学工业(株)制造、商品名フオスフアノ一ルRL-210、烷基的碳原子数18)0.4份(添加在加热到50℃的甲苯中固体成分浓度为2％地溶解的溶液)、1重量份作为交联剂的多异氰酸酯化合物(商品名“コロネ一トL”、日本聚氨酯制造)、3重量份光聚合引发剂(Ciba Specialty Chemicals制造、IRUGACURE 651)。
将该溶液涂布在聚硅氧烷剥离处理的厚度38μm的聚酯膜上，使干燥后的厚度为20μm，在120℃下干燥5分钟。
然后，层压作为基材的150μm的聚乙烯膜，制作半导体加工用片材。
将得到的半导体晶片加工用粘合片加温至50℃，熟化4天以上，实施下述所示的评价。其结果如表1所示。
实施例2
在制备实施例1的粘合剂溶液时，添加羟值200～210KOHmg/g的萜烯酚醛树脂(Yasuhara Chemical公司制造的マイテイ一エ一スK125)来代替羟值为160～170KOHmg/g的萜烯酚醛树脂作为增粘剂，制备粘着组合物，除此之外，采用与实施例1同样的操作，制作粘合片，实施后面所示的评价。
实施例3
在制备实施例1的粘合剂溶液时，添加羟值130～140KOHmg/g的萜烯酚醛树脂(Yasuhara Chemical公司制造的マイテイ一エ一スG125)来代替羟值160～170KOHmg/g的萜烯酚醛树脂作为增粘剂，制备粘着组合物，除此之外，采用与实施例1同样的操作，制作粘合片，实施后面所示的评价。
实施例4
将实施例1的磷酸酯类表面活性剂变更为2重量份进行添加，制备粘着组合物，除此之外，采用与实施例1同样的操作，制作粘合片，实施后面所示的评价。
实施例5
添加6重量份烷基苯酚型非离子表面活性剂(日本油脂(株)制造，商品名ノニオンNS-230)来代替实施例1的磷酸酯类表面活性剂，而且，将作为增粘剂的羟值为160～170KOHmg/g的萜烯酚醛树脂从15重量份增至50重量份，制备粘着组合物，除此之外，采用与实施例1一样的操作，制作粘合片，实施后面所示的评价。
实施例6
添加0.02重量份聚氧化烯烃烷基醚(第一工业制药(株)制造，商品名ノイゲン EA-142)来代替实施例1的磷酸酯类表面活性剂，而且，将作为增粘剂的羟值为160～170KOHmg/g的萜烯酚醛树脂从15重量份减少至1重量份，制备粘着组合物，除此之外，采用与实施例1一样的操作，制作粘合片，实施后面所示的评价。
实施例7
添加0.02重量份聚氧化烯烃嵌段聚合物(第一工业制药(株)制造，商品名エパン 710)来代替实施例1的磷酸酯类表面活性剂，而且，将作为增粘剂的羟值为160～170KOHmg/g的萜烯酚醛树脂从15重量份增加至50重量份，制备粘着组合物，除此之外，采用与实施例1一样的操作，制作粘合片，实施后面所示的评价。
实施例8
添加0.05重量份聚氧化烯烃嵌段聚合物(第一工业制药(株)制造，商品名エパン710)来代替实施例1的磷酸酯类表面活性剂，而且，将作为增粘剂的羟值为160～170KOHmg/g的萜烯酚醛树脂从15重量份增加至60重量份，制备粘着组合物，除此之外，采用与实施例1一样的操作，制作粘合片，实施后面所示的评价。
实施例9
添加1.5重量份聚氧化烯烃嵌段聚合物(第一工业制药(株)制、商品名エパン710)来代替实施例1的磷酸酯类表面活性剂，而且，将作为增粘剂的羟值为160～170KOHmg/g的萜烯酚醛树脂从15重量份减少至3重量份，制备粘着组合物，除此之外，采用与实施例1一样的操作，制作粘合片，实施后面所示的评价。
比较例1
在制备实施例1的粘合剂溶液时，添加羟值240～250KOHmg/g的萜烯酚醛树脂(Yasuhara Chemical公司制造的YP-90L)来代替羟值160～170KOHmg/g的萜烯酚醛树脂作为增粘剂，制备粘着组合物，除此之外，采用与实施例1一样的操作，制作粘合片，实施后面所示的评价。
比较例2
在制备实施例1的粘合剂溶液时，添加羟值60～70KOHmg/g的萜烯酚醛树脂(Yasuhara Chemical公司制造的YSポリスタ一T130)来代替羟值160～170KOHmg/g的萜烯酚醛树脂作为增粘剂，制备粘着组合物，除此之外，采用与实施例1一样的操作，制作粘合片，实施后面所示的评价。
比较例3
在制备实施例1的粘合剂溶液时，取消羟值160～170KOHmg/g的萜烯酚醛树脂作为增粘剂，制备粘着组合物，除此之外，采用与实施例1一样的操作，制作粘合片，实施后面所示的评价。
比较例4
在制备实施例1的粘合剂溶液时，取消作为表面活性剂添加的磷酸酯类表面活性剂，制备粘着组合物，除此之外，采用与实施例1一样的操作，制作粘合片，实施后面所示的评价。
比较例5
在制备实施例1的粘合剂溶液时，作为表面活性剂添加的磷酸酯类表面活性剂为0.007重量份，并且将作为增粘剂的羟值160～170KOHmg/g的萜烯酚醛树脂从15重量份减少至1重量份，制备粘着组合物，除此之外，采用与实施例1一样的操作，制作粘合片，实施后面所示的评价。
比较例6
在制备比较例5的粘合剂溶液时，将作为增粘剂的羟值为160～170KOHmg/g的萜烯酚醛树脂从15重量份增加至50重量份，制备粘着组合物，除此之外，采用与实施例1一样的操作，制作粘合片，实施后面所示的评价。
胶带粘贴
使用日东精机制造的M-286N的粘贴装置，在速度60mm/sec、桌面温度45℃下，将实施例和比较例中制造的粘合片贴合在嵌入了半导体芯片的基板的密封树脂面(树脂面上有深度为15μm的激光印字的类型)上。并且，测定对照射紫外线前的基板的粘着力。粘着力是在测定温度23±3℃、剥离角度90°、剥离速度300mm/分(以ASTM D1000为基准)的条件下，在Si镜晶片上测定时的值。
切断
使用DISCO制造的DFG-651切粒机，使用旋转数：38000rpm、刃厚：300μm的树脂刀片，在粘合剂层和基材的切入总量为90μm、速度40mm/sec、切断时水量：1.5L/分的条件下，实施切断。这时，确认切断2000个封装时飞出的封装个数。
用于粘合剂固化的UV照射
切断后，使用20mW/cm2的高压水银灯从基材侧照射30秒紫外线，使粘合剂层固化。并且，测定对照射紫外线后的基板的粘着力。
然后，冷却至室温，用手剥离封装，确认2000个封装中有无可以剥离的封装(剥离操作性)和基板表面上粘合剂残渣的有无。
其结果如表1和表2所示。
表1
  实施例
  1   2   3   4     5
照射紫外线前的粘着力(N/20mm)   6.8   5.6   6.2   4.5     4.2
飞出数(个)   0   0   0   0     0
照射紫外线后的粘着力(N/20mm)   0.40   0.51   0.38   0.18     0.1
剥离操作性   容易   容易   容易   容易     容易
有无粘着剂残渣   无   无   无   无     无
  6   7   8   9
照射紫外线前的粘着力(N/20mm)   4.0   5.7   7.3   4
飞出数(个)   0   0   0   0
照射紫外线后的粘着力(N/20mm)   0.4   0.43   0.47   0.21
剥离操作性   容易   容易   容易   容易
有无粘着剂残渣   无   无   无   无
[表2]
比较例
1   2   3 4 5 6
照射紫外线前的粘着力(N/20mm) 3.3   2.9   1.8 6.3 3.9 6.8
飞出数(个) 50   30   120 0 0 0
照射紫外线后的粘着力(N/20mm) 0.30   0.33   0.32 3.5 1.5 2.3
剥离操作性 容易   容易   容易 困难 稍困难 稍困难
有无粘着残渣 无   无   无 在几乎整个面发生 发生10％ 发生20％
工业实用性
本发明可以利用于半导体晶片例如硅晶片、锗晶片、镓-砷晶片、电路基板、陶瓷基板、金属基板以及它们用密封树脂密封的密封树脂基板等广范围的所有加工。

Claims (3)

1.一种半导体晶片和/或基板加工用粘合片，其具有对紫外线和/或放射线具有透过性的基材、和通过紫外线和/或放射线进行聚合固化反应的粘合剂层，其中，
该粘合剂层至少包括增粘剂和表面活性剂。
2.权利要求1所述的半导体晶片和/或基板加工用粘合片，其中，增粘剂是萜烯酚醛树脂。
3.权利要求1所述的半导体晶片和/或基板加工用粘合片，其中，增粘剂具有120～230KOHmg/g的羟值。
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