TWI405834B - 處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片及方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種用於處理電子零件的感壓黏著片,及尤其係關於一種用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片,其係當切割半導體晶圓或半導體基材時使用。
在半導體晶圓或半導體基材之製造中,關於用於黏著於半導體晶圓或基材上,進行諸如方粒切製及擴展之處理,然後再拾取及同時裝置半導體晶圓或半導體基材的感壓黏著片,迄今為止已提出包括一其上設置有一感壓黏著層之基礎材料的感壓黏著片,該感壓黏著層具有經由照射紫外射線或其類似物而聚合的性質。在此種感壓黏著片中,於達成黏著目的後經由照射紫外射線或其類似物使感壓黏著層經歷聚合固化反應,因而降低感壓黏著層之黏著力而可拾取半導體晶圓或半導體基材。明確言之,例如,JP-A-6-49420提出一種用於處理半導體晶圓之感壓黏著片,其包括對紫外射線及/或輻射具有透明度之基礎材料及藉由紫外射線及/或輻射經歷聚合固化反應的感壓黏著層,其中該感壓黏著層包括基礎聚合物、具15000至50000之分子量的多官能胺基甲酸酯丙烯酸酯基寡聚物、聚酯基增塑劑及光聚合引發劑,且相對於100份重量之基礎聚合物之聚酯增塑劑的含量係1至50份重量。此外,JP-A-62-153376提出一種包括其上經塗布一含有黏著劑及輻射可聚合化合物之感壓黏著層之基礎材料的感壓黏著片,其中使用具約3000至10000之分子量的多官能胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物作為輻射可聚合化合物。
然而,近來有愈來愈多的晶圓具有藉由雷射輻照而印刷於其表面上之具約5至10微米深度的標記。此外,於半導體基材中,亦有愈來愈多的基材於作為待黏著感壓黏著帶之表面之密封樹脂表面上具有約0.4至15微米之粗糙表面,或基材具有以與晶圓相同方式印刷之深度25至40微米的標記。在處理此等於其表面上具有極微小不平坦的半導體晶圓或半導體基材時,習知之感壓黏著片並無法充分地貼合待黏著片材之表面上的不平坦,以致無法獲得足夠的黏著力。結果,當切割晶圓或基材時,晶片會飛落而導致發生實質上使良率減低的瑕疵。此外,飛落的晶片與切割刀片碰撞,而導致發生損壞刀片的瑕疵。再者,片材未充分地貼合而不平坦,以致空氣泡夾入凹陷部分中,而導致發生感壓黏著層的不良固化,且當於照射輻射後拾取晶圓或基材時,會發生部分觀察到黏著劑之殘留物的瑕疵。
專利文件1:JP-A-6-49420專利文件2:JP-A-62-153376
本發明之一目的為提供一種用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片,其對不平坦的貼合性質優異,且可良好地貼合利用雷射輻照的印刷以及於黏著表面上的微小不平坦,而於半導體晶圓或半導體基材處理中展現充分的黏著力。
本發明之另一目的為提供一種用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片,其由於當於達成黏著目的後照射能量射線時,整個感壓黏著層皆均勻地聚合及固化,因而可良好地釋離而不會產生部分黏著劑殘留物。
本發明人進行密集的研究以解決前述問題。結果,本發明人發現經由將各具有特定分子量之基礎聚合物、及多官能丙烯酸酯基寡聚物及多官能丙烯酸酯基化合物結合構成感壓黏著片,可獲得對微小不平坦表面展現優異貼合性質的感壓黏著片。
換言之,本發明係關於以下各項。
(1)一種感壓黏著片,其包括:一基礎材料;及一可藉由能量射線聚合及固化之感壓黏著層,該感壓黏著層係設置於基礎材料之一表面上,其中該感壓黏著層包括:一基礎聚合物,一具有能量射線可聚合之碳-碳雙鍵且具有1000至2500之分子量的多官能丙烯酸酯基寡聚物,及一具有能量射線可聚合之碳-碳雙鍵且具有200至700之分子量的多官能丙烯酸酯基化合物。
(2)根據(1)項之感壓黏著片,其係用於處理半導體晶圓或半導體基材。
(3)根據(1)項之感壓黏著片,其中該基礎聚合物係為丙烯酸系聚合物,及其中相對於100份重量之丙烯酸系聚合物,該多官能丙烯酸酯基寡聚物之含量為60至130份重量,及該多官能丙烯酸酯基化合物之含量為3至50份重量。
(4)根據(3)項之感壓黏著片,其中相對於100份重量之丙烯酸系聚合物,該多官能丙烯酸酯基寡聚物之含量為80至110份重量,及該多官能丙烯酸酯基化合物之含量為5至30份重量。
(5)根據(1)項之感壓黏著片,其中該基礎聚合物係具有300,000至1,000,000之重量平均分子量的丙烯酸系聚合物。
(6)根據(1)項之感壓黏著片,其中該多官能丙烯酸酯基寡聚物係為胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物。
(7)根據(1)項之感壓黏著片,其中該多官能丙烯酸酯基化合物係為多官能丙烯酸烷酯。
(8)根據(1)項之感壓黏著片,其係用於黏著至具有深度0.4至40微米之凹陷之半導體晶圓或基材的表面及切割該半導體晶圓或基材。
(9)一種處理半導體晶圓或半導體基材之方法,其包括:將根據(1)項之感壓黏著片黏著至半導體晶圓或基材之一表面;及切割該半導體晶圓或基材。
(10)根據(9)項之方法,其中該半導體晶圓或基材具有深度0.4至40微米之凹陷。
相對於100份重量之使用作為基礎聚合物之丙烯酸系聚合物,本發明中之感壓黏著層較佳包含含量為60至130份重量之具有能量射線可聚合之碳-碳雙鍵且具有1000至2500之分子量的多官能丙烯酸酯基寡聚物,及含量為3至50份重量之具有能量射線可聚合之碳-碳雙鍵且具有200至700之分子量的多官能丙烯酸酯基化合物。
可使用本發明之用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片於黏著至具有深度0.4至40微米之凹陷之半導體晶圓或基材的一表面及切割該半導體晶圓或基材。
由於本發明之用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片當經照射能量射線時可聚合及固化而不會發生使黏著力減小的聚合不規則,因而其對黏著表面上之不平坦的貼合性質優異,展現足夠的黏著力,且可良好地釋離而不會產生黏著劑殘留物。
當使用本發明之用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片進行於其一表面上具有深度0.4至40微米之凹陷之半導體晶圓或半導體基材的方粒切製操作時,可進行操作而不會發生晶片於方粒切製期間飛落的瑕疵,且於照射能量射線後,片材可釋離而不會於拾取時產生黏著劑殘留物。
本發明之用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片包括一於其上設置有一感壓黏著層的基礎材料,該感壓黏著層藉由能量射線經歷聚合固化反應,及於其黏著至諸如半導體晶圓或基材之黏附體且達成黏著目的後,經由照射能量射線使感壓黏著劑聚合及固化,因而可降低感壓黏著層的黏著力。雖然使用於本發明之能量射線包括所有可經由輻照而引發及進行感壓黏著劑之聚合固化反應的射線,但可舉例如游離輻射諸如電子束、α-射線、β-射線、γ-射線及中子;及非游離輻射諸如紫外射線為例。其中,由生產力及其類似性質的觀點來看,可較佳地使用紫外射線及電子束。
可使用在本發明之用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片中之基礎材料並無特殊之限制,其可視於達成黏著目的後使用於感壓黏著層之聚合固化反應之能量射線的種類而選自習知或常用的基礎材料諸如塑膠基礎材料、金屬基礎材料、纖維基礎材料及紙製的基礎材料。舉例來說,當感壓黏著層之聚合固化反應係經由照射紫外射線而進行時,可選擇紫外射線可穿過的基礎材料,而當感壓黏著層之聚合固化反應係經由照射電子束進行時,可選擇電子束可穿過的基礎材料。明確言之,例如,可適當地使用塑膠薄膜或片材。構成塑膠薄膜或片材之材料的實例包括聚烯烴系樹脂(低密度聚乙烯、直鏈聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚合聚丙烯、嵌段共聚合聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等等)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子交聯聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物(無規共聚物、交替共聚物等等)、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚酯系樹脂(聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸丁二酯等等)、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醚酮、聚醚、聚醚碸、聚苯乙烯系樹脂(聚苯乙烯等等)、聚氯乙烯、聚二氯亞乙烯、聚乙烯醇、聚乙酸乙烯酯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚碳酸酯、含氟樹脂、纖維素樹脂及此等樹脂之交聯產物。此等材料可單獨或以其兩者或兩者以上之組合使用。
基礎材料之表面可經受習知或常用的表面處理(例如,諸如電暈放電處理、鉻酸處理、臭氧暴露處理、火焰暴露處理、高壓電震暴露處理及游離輻射處理、及交聯處理的處理),以賦予與感壓黏著層之黏著力或於感壓黏著層上之固定性質。此外,為賦予抗靜電功能,可使用其上經諸如金屬、合金或其氧化物之傳導性材料形成蒸氣沉積層的基礎材料。
基礎材料可具有單層形態或層壓形態。此外,可根據需求而於基礎材料中包含習知之添加劑諸如填料、阻燃劑、抗老化劑、抗靜電劑、軟化劑、紫外吸收劑、抗氧化劑、增塑劑或表面活性劑。
基礎材料的形成方法並無特殊之限制,其可經由自習知或常用的形成方法適當地選擇而使用。塑膠基礎材料之形成方法的實例包括壓延薄膜形成方法、流延薄膜形成方法、吹脹擠塑方法及T型模頭擠塑方法。此外,可經由利用諸如其擠塑方法或乾式層壓方法之層壓方法而形成具有其中層壓多個層之構造的塑膠基礎材料。塑膠基礎材料可呈未拉伸狀態或呈利用拉伸處理之單軸或雙軸拉伸的狀態。
基礎材料之厚度並無特殊之限制,其可適當地決定。舉例來說,其可選自5至1000微米之範圍,較佳為約25至250微米。
在本發明,感壓黏著層可經由將包含基礎聚合物、具有能量射線可聚合之碳-碳雙鍵且具有1000至2500之分子量之多官能丙烯酸酯基寡聚物(以下在某些情況中簡稱為多官能丙烯酸酯基寡聚物)、及具有能量射線可聚合之碳-碳雙鍵且具有200至700之分子量之多官能丙烯酸酯基化合物(以下在某些情況中簡稱為多官能丙烯酸酯基化合物)之感壓黏著劑組成物於基材上形成為層形態而形成。
關於前述之基礎聚合物,可使用具有黏著特性之習知聚合物,而無特殊之限制。其實例包括橡膠基聚合物及丙烯酸系聚合物。橡膠基聚合物的實例包括天然橡膠及合成橡膠諸如丁基橡膠、丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯橡膠、苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯橡膠、苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯橡膠及苯乙烯-丁二烯-苯乙烯橡膠。丙烯酸系聚合物的實例包括含有(甲基)丙烯酸酯作為主要成分及可與其共聚合之不飽和單體作為單體成分的丙烯酸系共聚物。基礎聚合物可經由適當地選擇其之一或兩者或兩者以上而使用,並無特殊之限制。然而,可適當地使用丙烯酸系聚合物,及尤其可適當地使用具300000至1000000之重量分子量的丙烯酸系聚合物。
在前述含有(甲基)丙烯酸酯作為主要成分的丙烯酸系聚合物中,包含作為主要成分之(甲基)丙烯酸酯的實例包括(甲基)丙烯酸烷酯諸如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯及(甲基)丙烯酸十八烷酯;(甲基)丙烯酸環烷酯諸如(甲基)丙烯酸環己酯;及(甲基)丙烯酸芳酯諸如(甲基)丙烯酸苯酯。關於(甲基)丙烯酸酯,可適當地使用(甲基)丙烯酸烷酯諸如(甲基)丙烯酸甲酯及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。
為改良諸如內聚力的特性,可視需要使用可與(甲基)丙烯酸酯共聚合之單體(可共聚合單體)作為丙烯酸系聚合物中之單體成分。可共聚合單體可單獨或以其兩者或兩者以上之組合使用。此等可共聚合單體的實例包括具有含氮原子之環的單體諸如N-乙烯基-2-吡咯啶酮、N-甲基乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基唑、N-乙烯基啉、N-乙烯基己內醯胺、及N-(甲基)丙烯醯基啉,以及含羧基單體諸如(甲基)丙烯酸(丙烯酸或甲基丙烯酸)、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、巴豆酸及異巴豆酸;含酸酐基單體諸如順丁烯二酸酐及伊康酸酐;含羥基單體諸如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯、乙烯醇、烯丙醇、2-羥乙基乙烯基醚、2-羥丙基乙烯基醚、4-羥丁基乙烯基醚、丙二醇單乙烯基醚及二丙二醇單乙烯基醚;含磺酸基單體諸如苯乙烯磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺酸丙酯及(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸;含磷酸基單體諸如磷酸2-羥乙基丙烯醯酯;醯胺基單體諸如(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、或N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺及N-丁氧甲基(甲基)丙烯醯胺;含氰基單體諸如(甲基)丙烯腈;烯烴系單體諸如乙烯、丙烯、異戊二烯、丁二烯及異丁烯;苯乙烯系單體諸如苯乙烯、α-甲基苯乙烯及乙烯基甲苯;乙烯基酯基單體諸如乙酸乙烯酯及丙酸乙烯酯;含鹵原子單體諸如氯乙烯及二氯亞乙烯;及含異氰酸酯基之單體諸如異氰酸(甲基)丙烯醯酯、異氰酸(甲基)丙烯醯氧甲酯、異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧乙酯、異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧丙酯、異氰酸3-(甲基)丙烯醯氧丙酯、異氰酸4-(甲基)丙烯醯氧丁酯及異氰酸間-丙烯基-α,α-二甲基苄酯。其中,可適當地使用含羧基單體及含酸酐基單體。
此外,為進行交聯,亦可視需要使用多官能單體作為可共聚合單體。此等多官能單體的實例包括1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、二乙烯苯、(甲基)丙烯酸二丁酯及二(甲基)丙烯酸己酯。
以全體單體成分量計之可共聚合單體的使用量(比率)較佳為40重量%或以下。當使用含羧基單體或含酸酐基單體作為可共聚合單體時,以全體單體成分量計之使用量較佳係選自例如1至30重量%之範圍,及尤其係選自2至20重量%之範圍。當使用多官能單體作為可共聚合單體時,由黏著特性的觀點來看,以全體單體成分量計之多官能單體的使用量較佳係30重量%或以下。
丙烯酸系聚合物可經由使單一的單體成分或兩種或兩種以上之單體成分的混合物進行聚合而製備得。聚合亦可利用諸如溶液聚合製程、乳液聚合製程、本體聚合製程或懸浮聚合製程的聚合系統進行。
在本發明,感壓黏著層包含具有能量射線可聚合之碳-碳雙鍵且具有1000至2500之分子量之多官能丙烯酸酯基寡聚物及具有能量射線可聚合之碳-碳雙鍵且具有200至700之分子量之多官能丙烯酸酯基化合物。由於感壓黏著層包含多官能丙烯酸酯基寡聚物及多官能丙烯酸酯基化合物,因而可獲得對片材所黏著之表面之貼合性質及黏著力優異,尤其係對具約0.4至40微米深度之微小不平坦之貼合性質優異的感壓黏著片。此外,當照射能量射線時,由於其對片材所黏著之表面之優異的貼合性質,且聚合固化反應係均勻地進行,因而不會在不平坦部分諸如半導體晶圓的印刷部分中發生聚合不規則。因此,片材可良好地自黏附體釋離,而不會於黏附體上產生黏著劑殘留物。當感壓黏著層不包含多官能丙烯酸酯基寡聚物及多官能丙烯酸酯基化合物之任一者或其兩者時,會發生黏著力及內聚力不足,於固化後黏著力之減低不足及拾取晶片困難的問題。舉例來說,當感壓黏著層僅包含前述之多官能丙烯酸酯基寡聚物時,對黏附體表面上之不平坦的貼合變得不足,其導致在切割晶圓或其類似物時晶片飛落或刀片損壞。另外,感壓黏著劑之埋置於凹陷部分中變得不足,以致在該部分中發生不良的固化,而導致發生在釋離時於黏附體表面上產生黏著劑殘留物的問題。另一方面,當感壓黏著層僅包含前述之多官能丙烯酸酯基化合物而不包含前述之多官能丙烯酸酯基寡聚物時,感壓黏著劑極度良好地貼合至不平坦部分,結果導致於雷射印刷部分中產生黏著劑殘留物。此外,於UV輻照後的感壓黏著劑極度易碎,且因此,當將黏著帶自基材釋離時,即使當未產生黏著劑殘留物時,黏著劑亦會龜裂而形成沉積物,其造成污染基材的問題。
關於前述之多官能丙烯酸酯基寡聚物,可使用例如於其分子中包含兩個或兩個以上之能量射線可聚合之碳-碳雙鍵且具有在1000至2500範圍內之分子量之諸如環氧丙烯酸酯寡聚物、胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物及聚酯丙烯酸酯寡聚物的任何寡聚物,而無特殊之限制。能量射線可聚合之碳-碳雙鍵較佳係以(甲基)丙烯醯基包含。可適當地使用於其分子中具有2至4個(甲基)丙烯醯基的丙烯酸酯基寡聚物,且可最適當地使用於其分子中具有2個(甲基)丙烯醯基的丙烯酸酯基寡聚物。
較佳使用胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物作為前述之多官能丙烯酸酯基寡聚物。明確言之,可舉例如含有二異氰酸酯化合物、多元醇化合物及含羥基之(甲基)丙烯酸烷酯化合物作為單體成分的寡聚物。前述之二異氰酸酯化合物的實例包括甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、二異氰酸苯二酯、二環己基甲烷二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、四甲基二甲苯二異氰酸酯、萘二異氰酸酯及異佛爾酮二異氰酸酯。二異氰酸酯化合物可經由選擇其之一或兩者或兩者以上而使用。前述之多元醇化合物的實例包括多羥醇諸如乙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、二甘醇、三羥甲基丙烷、二丙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇、新戊四醇、二新戊四醇及甘油;由前述多元醇與脂族二羧酸諸如己二酸、癸二酸、壬二酸及順丁烯二酸,或與芳族二羧酸諸如對苯二甲酸及間苯二甲酸之縮合反應所獲得的聚酯基多元醇化合物;聚醚基多元醇化合物諸如聚乙烯醚二元醇、聚丙烯醚二元醇、聚四亞甲基醚二元醇及聚六亞甲基醚二元醇;內酯基多元醇化合物諸如聚己內酯二元醇、聚丙內酯二元醇及聚戊內酯二元醇;及由多羥醇諸如乙二醇、丙二醇、丁二醇、戊二醇、辛二醇及壬二醇與碳酸酯諸如碳酸二伸乙酯及碳酸二伸丙酯之脫醇反應所獲得的聚碳酸酯基多元醇化合物。多元醇化合物可經由選擇其之一或兩者或兩者以上而使用。含羥基之(甲基)丙烯酸烷酯化合物的實例包括(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯及(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯。含羥基之(甲基)丙烯酸烷酯化合物可經由選擇其之一或兩者或兩者以上而使用。
胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物可例如經由使前述之二異氰酸酯化合物及多元醇化合物於維持在60至90℃下之反應容器中反應,於反應完成後加入含羥基之(甲基)丙烯酸烷酯,及進一步進行反應而製備得。
除了前述之多元醇成分、二異氰酸酯成分及含羥基之(甲基)丙烯酸烷酯成分外,胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物可包含例如多官能丙烯酸酯化合物諸如三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、新戊四醇四丙烯酸酯、二新戊四醇單羥基五丙烯酸酯及二新戊四醇六丙烯酸酯作為單體成分。多官能丙烯酸酯基寡聚物可經由選擇其之一或兩者或兩者以上而使用。
關於多官能丙烯酸酯基化合物,可使用具有位於其分子中之兩個或兩個以上之能量射線可聚合之碳-碳雙鍵及(甲基)丙烯醯基,且具有在200至700範圍內之分子量的化合物。此外,能量射線可聚合之碳-碳雙鍵可僅以(甲基)丙烯醯基或以(甲基)丙烯醯基與另一基團(例如,乙烯基等等)之組合包含。此外,其可為具有重複結構單元之化合物,只要其分子量為700或以下即可。舉例來說,可舉多官能丙烯酸烷酯、多官能聚酯(甲基)丙烯酸酯、多官能聚胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯及具有氧伸烷基重複單元之多官能丙烯酸酯化合物為例。
多官能丙烯酸烷酯的明確實例包括直鏈脂族多元醇之(甲基)丙烯酸酯諸如1,5-戊二醇(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯及聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯;含脂環族基團之脂族多元醇的(甲基)丙烯酸酯諸如環己烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯及三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯;及分支鏈脂族多元醇之(甲基)丙烯酸酯諸如三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯及其縮合物(諸如二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯及二新戊四醇六丙烯酸酯)。
多官能聚酯(甲基)丙烯酸酯係經由使具有複數個羥基之聚酯化合物(其係經由多羥醇與多元酸之反應所獲得)(甲基)丙烯酸酯化而獲得的化合物。多羥醇的實例包括乙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、二甘醇、三羥甲基丙烷、二丙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇、新戊四醇及二新戊四醇。多元酸的實例包括酞酸、己二酸、順丁烯二酸、1,2,4-苯三甲酸、伊康酸、琥珀酸及對苯二甲酸。多官能聚酯(甲基)丙烯酸酯之實例亦包括由含羥基羧酸與多羥醇之反應所獲得之酯化合物的(甲基)丙烯酸酯,諸如羥基三甲基乙酸酯新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯。
關於多官能聚胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯,可使用與前述之胺基甲酸酯丙烯酸酯基寡聚物相類似且具有在200至700範圍內之分子量的化合物。
具有氧伸烷基重複單元之多官能丙烯酸酯基化合物的實例包括具有位於兩端之羥基之聚氧伸烷基的二(甲基)丙烯酸酯化合物,諸如聚氧伸乙基二(甲基)丙烯酸酯及聚氧伸丙基二(甲基)丙烯酸酯;氧伸烷基化脂族多元醇之(甲基)丙烯酸酯諸如經環氧乙烷改質之環己烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、經聚氧化乙烯改質之環己烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、經環氧乙烷改質之三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、經聚氧化乙烯改質之三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯及經環氧乙烷改質之三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯;氧伸烷基化芳族多元醇之(甲基)丙烯酸酯諸如經環氧乙烷改質之雙酚A二(甲基)丙烯酸酯及經聚環氧乙烷改質之雙酚A二(甲基)丙烯酸酯;及經含雜環之環氧烷改質之(甲基)丙烯酸酯化合物諸如經環氧乙烷改質之異三聚氰酸二(甲基)丙烯酸酯及經環氧乙烷改質之異三聚氰酸三(甲基)丙烯酸酯。
多官能丙烯酸酯基化合物可經由適當地選擇其之一或兩者或兩者以上使用,而無特殊之限制。然而,可較佳地使用多官能丙烯酸烷酯,且尤其可較佳地使用直鏈脂族多元醇之(甲基)丙烯酸酯。
用於形成本發明之感壓黏著層的感壓黏著劑組成物可經由將多官能丙烯酸酯基寡聚物及多官能丙烯酸酯基化合物與前述之基礎聚合物混合而製備得。雖然多官能丙烯酸酯基寡聚物及多官能丙烯酸酯基化合物對基礎聚合物之混合比並無特殊之限制,但例如相對於100份重量之基礎聚合物,多官能丙烯酸酯基寡聚物之比可選自60至130份重量之範圍內,且多官能丙烯酸酯基化合物之比可選自3至50份重量之範圍內。更佳地,相對於100份重量之基礎聚合物,多官能丙烯酸酯基寡聚物之比可選自80至110份重量之範圍內,且多官能丙烯酸酯基化合物之比可選自5至30份重量之範圍內。當多官能丙烯酸酯基寡聚物及多官能丙烯酸酯基化合物對基礎聚合物之比在前述範圍外時,會不利地發生對不平坦之貼合性質不足及當照射能量射線時,黏著力之減低不足的問題。
多官能丙烯酸酯基寡聚物對多官能丙烯酸酯基化合物之比(前者/後者之比)較佳係選自2/1至20/1之範圍,及更佳係選自3/1至10/1之範圍。當多官能丙烯酸酯基寡聚物對多官能丙烯酸酯基化合物之比在前述範圍外時,在一些情況中會發生對不平坦之貼合性質不足及當照射能量射線時,黏著力之減低不足的問題。
構成感壓黏著層之感壓黏著劑可視需要包含光聚合引發劑。光聚合引發劑經由照射能量射線而激發及活化生成自由基,因而加速感壓黏著層之有效率的聚合固化反應。光聚合引發劑的實例包括α-酮醇基化合物(諸如2-甲基-2-羥基乙基苯基酮)、芳族磺醯氯基化合物(諸如2-萘磺醯氯)、光活性肟化合物(諸如1-苯酮-1,1-丙二酮-2-(鄰-乙氧羰基)肟)、樟腦醌、鹵化酮、醯基氧化膦及醯基膦酸酯、以及安息香烷基醚基引發劑諸如安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香異丙基醚及安息香異丙基醚;二苯基酮基引發劑諸如二苯基酮、苯甲醯基苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧二苯基酮及聚乙烯基二苯基酮;芳族酮基引發劑諸如α-羥基環己基苯基酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、甲氧苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮及2,2-二乙氧基苯乙酮;芳族縮酮基引發劑諸如苄基二甲基縮酮;9-氧硫基引發劑諸如9-氧硫、2-氯-9-氧硫、2-甲基-9-氧硫、2-乙基-9-氧硫、2-異丙基-9-氧硫、2-十二基-9-氧硫、2,4-二氯-9-氧硫、2,4-二甲基-9-氧硫、2,4-二乙基-9-氧硫及2,4-二異丙基-9-氧硫;及基於苄基的引發劑諸如苄基。光聚合引發劑可單獨或以其兩者或兩者以上之組合使用。
光聚合引發劑之混料比可視光聚合引發劑之種類、多官能丙烯酸酯基寡聚物及多官能丙烯酸酯基化合物之種類、及其之混料量適當地選擇,而無特殊之限制。然而,其可選自例如相對於100份重量之多官能丙烯酸酯基寡聚物及多官能丙烯酸酯基化合物之總量在0.1至15份重量之範圍內,及較佳在0.5至10份重量之範圍內。當光聚合引發劑之混料比低於0.1份重量時,在一些情況中感壓黏著層因當照射能量射線時之聚合固化反應所致之黏著力的減低變得不足。當光聚合引發劑之混料比超過15份重量時,在一些情況中其不利地導致對於熱或螢光照明的穩定性劣化。
為改良內聚力,感壓黏著層可包含交聯劑。交聯劑並無特殊之限制,其可經由適當地選自習知或常用之交聯劑(例如,異氰酸酯基交聯劑、環氧基交聯劑、唑啉基交聯劑、吖環丙烷基交聯劑、三聚氰胺基交聯劑、過氧化物基交聯劑、脲基交聯劑、金屬烷氧化物基交聯劑、金屬鉗合物基交聯劑、金屬鹽基交聯劑、碳二醯亞胺基交聯劑及胺基交聯劑)而使用。交聯劑可單獨或以其兩者或兩者以上之混合物使用。待加入之交聯劑的混料比並無特殊之限制,而可選自例如相對於100份重量之基礎聚合物在0.01至10份重量之範圍內,及較佳在0.05至5份重量之範圍內。
感壓黏著劑可進一步包含習知之添加劑諸如增黏劑、填料、阻燃劑、抗老化劑、抗靜電劑、軟化劑、紫外吸收劑、抗氧化劑、增塑劑、表面活性劑或著色劑。
感壓黏著層可經由利用任何習知之適當方法將前述之含有基礎聚合物、多官能丙烯酸酯基寡聚物及多官能丙烯酸酯基化合物的感壓黏著劑組成物形成於呈層形態之基礎材料上而形成。可將感壓黏著劑組成物溶解於適當的有機溶劑中,以將其黏度或類似性質調整至適用於成形的狀態。感壓黏著層可例如經由下列方式而形成為層形態:將前述之感壓黏著劑組成物塗布或噴塗於基礎材料上;或先將組成物塗布於適當的隔離物(例如,經塗布釋離劑之塑膠薄膜或片材)上以形成感壓黏著層,隨後再將所得之感壓黏著層轉移至基礎材料。形成於基礎材料(或隔離物)上之感壓黏著層可視需要經由加熱而乾燥,例如,在80至130℃下加熱約30秒至約10分鐘。
雖然感壓黏著層之厚度並無特殊之限制,但其可選自例如1至50微米之範圍,及較佳選自3至35微米之範圍。
在本發明之用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片中,感壓黏著層之感壓黏著劑表面可根據需求而受隔離物或其類似物保護。隔離物並無特殊之限制,其可經由適當地選自習知之隔離物而使用。隔離物的實例包括由紙製成之基礎材料及諸如聚乙烯、聚丙烯及聚對苯二甲酸乙二酯之合成樹脂之薄膜。此外,為增進自感壓黏著層的可釋離性,可根據需求對隔離物之表面施行釋離處理(脫模處理)諸如聚矽氧處理、長鏈烷基處理或氟處理。本發明之用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片可呈捲筒形態或呈片材之積層物的形態。
可如前所述而獲得之本發明之用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片可廣泛地使用作為黏著至諸如電子零件之各種黏附體且於進行處理操作後自其釋離的處理片材,且其之應用並無特殊之限制。特定而言,其可適當地使用作為當對具有深度0.4至40微米之凹陷之半導體晶圓或基材表面進行黏著及切割時所使用的處理片材。更特定而言,其可適當地使用作為用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片,以於對具有經由雷射輻照印刷於其表面上之深度約5至10微米之標記及於作為待黏著感壓黏著片之表面之密封樹脂表面上具約0.4至15微米深度之粗糙表面,或具有經由雷射輻照印刷於其表面上之深度25至40微米之標記之晶圓或基材進行黏著及切割(方粒切製)處理後進行拾取。
利用旋轉圓形刀片進行切割(方粒切製)製程,以將黏著至用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片的待處理材料切割成小片元件(晶片)形成個別物件,因而製得待處理材料之經切割物件。本發明之用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片如前所述良好地貼合至微小不平坦,且展現足夠的黏著力,以致於切割製程中未發生晶片(經切割物件)飛落之瑕疵,且操作可舒適且有效率地進行。
進行拾取製程,以使黏著至用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片之待處理材料的經切割物件徑向擴展,隨後再使經切割物件自其釋離以進行拾取。在此情況中之拾取方法並無特殊之限制,而可採用各種習知之拾取方法。其之實例包括利用針自用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片之側將個別經切割物件向上推,及利用拾取裝置拾取經上推之經切割物件的方法。拾取係於感壓黏著層之黏著力經由照射能量射線而減低後進行。待輻照的能量射線包括α-射線、β-射線、γ-射線、中子、電子束及紫外射線。能量射線之各種條件諸如強度及輻照時間並無特殊之限制,其可根據需求適當地設定。本發明之用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片良好地貼合至微小不平坦,且不會在凹陷部分中夾入空氣泡。因此,當照射能量射線時,感壓黏著層均勻地聚合及固化未發生部分不良固化,而不會導致發生於黏附體表面上產生黏著劑殘留物的瑕疵。
本發明將參照以下實施例作更詳細說明,但不應將本發明解釋為受其所限制。
將經由摻混100份重量之具有800,000之重量平均分子量且係經由共聚合20份重量之丙烯酸甲酯、10份重量之丙烯酸及80份重量之丙烯酸2-乙基己酯而獲得之共聚物(固體濃度:35重量%);100份重量之包含具200至700之分子量之多官能丙烯酸酯基化合物及具1000至2500之分子量之多官能丙烯酸酯基寡聚物的寡聚物混合物(Nippon Kayaku Co.,Ltd.製造之「DPHA-40H」);及3份重量之光聚合引發劑(Ciba Specialty Chemicals製造之Irgacure 651)而獲得的感壓黏著劑組成物於經進行聚矽氧釋離處理之38微米厚聚酯薄膜上塗布至具有20微米之乾厚度,隨後再在120℃下乾燥5分鐘而形成感壓黏著層。
將作為基礎材料之150微米厚之聚乙烯薄膜層合於感壓黏著層上,隨後在50℃下老化4天,而得用於處理半導體晶圓或半導體基材的感壓黏著片。
將經由摻混100份重量之具有800,000之重量平均分子量且係經由共聚合20份重量之丙烯酸甲酯、10份重量之丙烯酸及80份重量之丙烯酸2-乙基己酯而獲得之共聚物(固體濃度:35重量%);15份重量之具330之分子量之多官能丙烯酸酯基化合物(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造之「NK Ester 4G」);100份重量之具1000至2500之分子量之多官能丙烯酸酯基寡聚物(Nippon Synthetic Chemical Industry Co.,Ltd.製造之「UV-1700B」);及3份重量之光聚合引發劑(Ciba Specialty Chemicals製造之Irgacure 651)而獲得的感壓黏著劑組成物於經進行聚矽氧釋離處理之38微米厚聚酯薄膜上塗布至具有20微米之乾厚度,隨後再在120℃下乾燥5分鐘而形成感壓黏著層。
將作為基礎材料之150微米厚之聚乙烯薄膜層合於感壓黏著層上,隨後在50℃下老化4天,而得用於處理半導體晶圓或半導體基材的感壓黏著片。
以與實施例2相同之方式製備得用於處理半導體晶圓或半導體基材的感壓黏著片,僅除了未使用具330之分子量之多官能丙烯酸酯基化合物(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造之「NK Ester 4G」)。
將經由摻混100份重量之具有800,000之重量平均分子量且係經由共聚合20份重量之丙烯酸甲酯、10份重量之丙烯酸及80份重量之丙烯酸2-乙基己酯而獲得之共聚物(固體濃度:35重量%);100份重量之具1000至2500之分子量之多官能丙烯酸酯基寡聚物(Nippon Synthetic Chemical Industry Co.,Ltd.製造之「UV-1700B」);15份重量之具1136之分子量之多官能丙烯酸酯基化合物(Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造之「NK Ester 23G」);及3份重量之光聚合引發劑(Ciba Specialty Chemicals製造之Irgacure 651)而獲得的感壓黏著劑組成物於經進行聚矽氧釋離處理之38微米厚聚酯薄膜上塗布至具有20微米之乾厚度,隨後再在120℃下乾燥5分鐘而形成感壓黏著層。
將作為基礎材料之150微米厚之聚乙烯薄膜層合於感壓黏著層上,隨後在50℃下老化4天,而得用於處理半導體晶圓或半導體基材的感壓黏著片。
對於實施例及比較實施例中製得之用於處理半導體晶圓或半導體基材之感壓黏著片進行以下評估。
使用Nitto Seiki Co.,Ltd.製造之「M-286N」黏著裝置在23℃之台面溫度在60毫米/秒之速度下將感壓黏著片黏著至其中經埋置半導體晶片之基材的密封樹脂表面(表面糙度:8微米,雷射印刷深度:25微米)。使用光學顯微鏡,觀察對密封樹脂表面之粗糙表面及雷射印刷部分的不平坦貼合性質。當對不平坦的貼合性質良好,且未觀察到於凹陷部分中夾入空氣泡時,將其評估為「良好」。當對不平坦的貼合性質不足,且觀察到於凹陷部分中夾入空氣泡時,將其評估為「不足」。其結果示於表1。
使用DISCO Corporation製造之「DFG-651」方粒切製機,在40毫米/秒之速度及1.5公升/分鐘之切割中水量的條件下進行切割,使用樹脂刀片(迴轉數:38000 rpm,刀片厚度:300微米)將感壓黏著層及基礎材料的總切割量調整至90微米。在此情況,確認相對於500個晶片切割的飛落晶片數。其結果示於表1。
於切割後,使用高壓汞燈自基礎材料側照射20奈瓦/平方公分(nW/cm2
)之紫外射線30秒,因而使感壓黏著層固化。隨後使其冷卻至室溫,及以手使感壓黏著片釋離。對於500個晶片,使用光學顯微鏡確認於晶片表面及雷射印刷部分上之黏著劑殘留物的存在與否。其結果示於表1。
雖然本發明已經詳細說明並參照其之特定具體例,但熟悉技藝人士當明瞭可不脫離其範疇而於其中進行各種變化及修改。
本申請案係以2006年5月12日提出申請之日本專利申請案第2006-133234號為基礎,將其全體內容併入本文為參考資料。
此外,將文中引述之所有參考文獻的全體內容併入本文。
Claims (7)
- 一種感壓黏著片,其包括:一基礎材料;及一可藉由能量射線聚合及固化之感壓黏著層,該感壓黏著層係設置於基礎材料之一表面上,其中,該感壓黏著層包括:一丙烯酸系聚合物,一具有能量射線可聚合之碳-碳雙鍵且具有1000至2500之分子量的胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物,及一具有能量射線可聚合之碳-碳雙鍵且具有200至700之分子量的直鏈脂族多元醇之(甲基)丙烯酸酯,其中,相對於100份重量之丙烯酸系聚合物,該多官能丙烯酸酯寡聚物之含量為60至130份重量,及該多官能丙烯酸酯化合物之含量為3至50份重量。
- 如申請專利範圍第1項之感壓黏著片,其係用於處理半導體晶圓或半導體基材。
- 如申請專利範圍第1項之感壓黏著片,其中,相對於100份重量之丙烯酸系聚合物,該多官能丙烯酸酯寡聚物之含量為80至110份重量,及該多官能丙烯酸酯化合物之含量為5至30份重量。
- 如申請專利範圍第1項之感壓黏著片,其中,該丙烯酸系聚合物係具有300,000至1,000,000之重量平均分子量。
- 如申請專利範圍第1項之感壓黏著片,其係用於黏著 至具有深度0.4至40微米之凹陷之半導體晶圓或基材的表面及切割該半導體晶圓或基材。
- 一種處理半導體晶圓或半導體基材之方法,其包括:將申請專利範圍第1項之感壓黏著片黏著至半導體晶圓或基材之一表面;及切割該半導體晶圓或基材。
- 如申請專利範圍第6項之方法,其中,該半導體晶圓或基材具有深度0.4至40微米之凹陷。
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JP2012054432A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ保護用粘着シート |
JP2012054431A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ保護用粘着シート |
JP5687897B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2015-03-25 | 日東電工株式会社 | 放射線硬化型粘着剤組成物及び粘着シート |
KR101370812B1 (ko) * | 2011-12-02 | 2014-03-10 | (주)가하 | 웨이퍼 표시자 마킹 방법 |
US9376596B2 (en) * | 2012-03-09 | 2016-06-28 | Hitachi Metals, Ltd. | Adhesive film and flat cable using the same |
JP5193376B1 (ja) * | 2012-03-26 | 2013-05-08 | 古河電気工業株式会社 | 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ |
JP5242830B1 (ja) * | 2012-07-06 | 2013-07-24 | 古河電気工業株式会社 | 半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウェハの製造方法 |
JP5909460B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-04-26 | 富士フイルム株式会社 | 半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法。 |
CN105264035B (zh) * | 2013-06-11 | 2017-10-13 | 电化株式会社 | 粘合片以及使用该粘合片的电子元件的制造方法 |
JP6328397B2 (ja) * | 2013-10-02 | 2018-05-23 | リンテック株式会社 | 電子部品加工用粘着シートおよび半導体装置の製造方法 |
KR102215677B1 (ko) * | 2014-03-31 | 2021-02-16 | 린텍 가부시키가이샤 | 보호 필름 및 보호 필름이 부착된 투명 도전막 적층용 필름 |
CN106340439A (zh) * | 2015-07-06 | 2017-01-18 | 勤友光电股份有限公司 | 用于镭射剥离处理的晶圆结构 |
JP6034522B1 (ja) * | 2016-03-17 | 2016-11-30 | 古河電気工業株式会社 | 半導体ウェハ加工用粘着テープおよび半導体ウェハの加工方法 |
KR102099961B1 (ko) * | 2016-03-25 | 2020-04-17 | 주식회사 엘지화학 | 점착제 조성물 및 점착 테이프 |
CN111373008B (zh) * | 2017-11-21 | 2023-01-17 | 3M创新有限公司 | 用于激光切割粘合剂的剥离衬垫 |
JP2023514198A (ja) * | 2020-02-11 | 2023-04-05 | ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン | 剥離可能な感圧接着剤およびその使用 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10310748A (ja) * | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体ウエハ加工用粘着シート |
JP2001203255A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ保持保護用粘着シート |
JP2003138228A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-14 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ保護用粘着シート |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3639266A1 (de) * | 1985-12-27 | 1987-07-02 | Fsk K K | Haftfolie |
JPS62153376A (ja) | 1985-12-27 | 1987-07-08 | F S K Kk | ウェハダイシング用粘着シート |
AU621878B2 (en) * | 1988-06-02 | 1992-03-26 | Norton Company | Web with finishing coating useful as coated abrasive backing |
JPH07772B2 (ja) * | 1989-02-20 | 1995-01-11 | バンドー化学株式会社 | 感圧接着剤組成物 |
JP3491911B2 (ja) | 1992-07-29 | 2004-02-03 | リンテック株式会社 | 半導体ウエハ加工用粘着シート |
DE19520238C2 (de) * | 1995-06-02 | 1998-01-15 | Beiersdorf Ag | Selbstklebeband |
JPH09291258A (ja) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Lintec Corp | 粘着剤組成物およびこれを用いた粘着シート |
US6759121B2 (en) * | 2000-07-13 | 2004-07-06 | 3M Innovative Properties Company | Clear adhesive sheet |
US6472065B1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-10-29 | 3M Innovative Properties Company | Clear adhesive sheet |
US6461728B2 (en) * | 2000-12-29 | 2002-10-08 | 3M Innovative Properties Company | Gamma radiation polymerized emulsion-based (meth)acrylate pressure sensitive adhesives and methods of making and using same |
JP3987720B2 (ja) * | 2001-12-19 | 2007-10-10 | 日東電工株式会社 | クリーニングシートおよびこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法 |
JP4518535B2 (ja) * | 2003-07-01 | 2010-08-04 | 日東電工株式会社 | ダイシング用粘着シート用粘着剤、ダイシング用粘着シート、半導体素子の製造方法、半導体素子 |
JP4643360B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2011-03-02 | 株式会社イーテック | 粘着性樹脂組成物、並びに粘着シートおよびその製造方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10310748A (ja) * | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体ウエハ加工用粘着シート |
JP2001203255A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-27 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ保持保護用粘着シート |
JP2003138228A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-14 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ保護用粘着シート |
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