KR101191475B1 - 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트 - Google Patents

반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트 Download PDF

Info

Publication number
KR101191475B1
KR101191475B1 KR1020070045468A KR20070045468A KR101191475B1 KR 101191475 B1 KR101191475 B1 KR 101191475B1 KR 1020070045468 A KR1020070045468 A KR 1020070045468A KR 20070045468 A KR20070045468 A KR 20070045468A KR 101191475 B1 KR101191475 B1 KR 101191475B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sensitive adhesive
pressure
meth
acrylate
adhesive sheet
Prior art date
Application number
KR1020070045468A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070109910A (ko
Inventor
토시오 신타니
푸미테루 아사이
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20070109910A publication Critical patent/KR20070109910A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101191475B1 publication Critical patent/KR101191475B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2312/00—Crosslinking
    • C08L2312/06—Crosslinking by radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2666/00—Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
    • C08L2666/02—Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
    • C08L2666/04—Macromolecular compounds according to groups C08L7/00 - C08L49/00, or C08L55/00 - C08L57/00; Derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur, or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2809—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer including irradiated or wave energy treated component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/2878—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
    • Y10T428/2891—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer including addition polymer from alpha-beta unsaturated carboxylic acid [e.g., acrylic acid, methacrylic acid, etc.] Or derivative thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

본 발명은 베이스 재료 및 에너지선에 의해 중합 및 경화 가능하고, 베이스 재료의 표면상에 배치되는 감압성 접착층을 포함하는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트에 관한 것이고, 감압성 접착층은 베이스 중합체, 에너지선 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합 및 1000 내지 2500의 분자량을 갖는 다작용성 아크릴레이트계 올리고머 및 에너지선 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합 및 200 내지 700의 분자량을 갖는 다작용성 아크릴레이트계 화합물을 포함한다. 본 발명의 감압성 접착 시트는 레이저 조사에 의해 인쇄된 마크와 같은 약 0.4 내지 40 ㎛ 깊이의 미세한 불균일에 대한 추적 성질이 탁월하고, 충분한 접착력을 보여주며, 그리고 접착의 목적이 달성된 후 접착제 잔류물의 발생 없이 박리될 수 있다.
반도체 웨이퍼, 반도체 기판, 감압성 접착 시트

Description

반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트{PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE SHEET FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR WAFER OR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE}
기술 분야
본 발명은 전자 부품용 감압성 접착 시트에 관한 것이고, 그리고 특히 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판이 절단되는 경우에 이용되는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트에 관한 것이다.
배경 기술
반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판의 생산에서, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 상에 접착되고, 다이싱 또는 팽창과 같은 처리를 수행하고 나서, 픽업하고 동시에 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판을 마운팅(mounting)하는 데 이용되는 감압성 접착 시트로서, 지금까지 자외선 등의 조사(照射)에 의해 중합하는 성질을 갖는 감압성 접착층을 제공하는 베이스(base) 재료가 제시되어 왔다. 이러한 감압성 접착 시트에서는, 접착의 목적이 달성된 후 감압성 접착층이 자외선 등의 조사에 의한 중합 경화 반응을 일으키게 됨으로써, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판을 픽업할 수 있는 감압성 접착층의 접착력을 감소시킨다. 구체적으로, 예를 들어, 일본 특허 제6-49420A호는 반도체 웨이퍼 처리용 감압성 접착 시트를 제시하고, 이는 자외선 및/또는 복사선에 대한 투과성을 갖는 베이스 재료와 자외선 및/또는 복사선에 의한 중합 경화 반응을 일으키는 감압성 접착층을 포함하고, 여기에서 감압성 접착층은 베이스 중합체, 15000 내지 50000의 분자량을 갖는 다작용성 우레탄 아크릴레이트계 올리고머, 폴리에스테르계 가소제(可塑劑) 및 광중합 개시제를 포함하고, 그리고 베이스 중합체 100 중량부에 대하여 폴리에스테르 가소제의 함량은 1 내지 50 중량부이다. 더 나아가, 일본 특허 제62-153376A호는 접착제 및 복사선 중합 가능한 화합물을 함유하는 감압성 접착층이 그 위에 도포된 베이스 재료를 포함하는 감압성 접착 시트를 제시하고, 여기에서 약 3000 내지 10000의 분자량을 갖는 다작용성 우레탄 아크릴레이트 올리고머가 복사선 중합 가능한 화합물로서 이용된다.
그러나 최근 레이저 조사에 의해 웨이퍼 표면상 인쇄되는 약 5 내지 10 ㎛ 깊이의 마크를 갖는 웨이퍼가 증가하였다. 더 나아가, 반도체 기판에서 또한, 감압성 접착 테이프가 부착되는 표면으로서 작용하는 밀봉 수지 표면상에 약 0.4 내지 15 ㎛의 거친 표면을 갖는 것 또는 웨이퍼와 동일한 방식으로 인쇄되는 약 25 내지 40 ㎛의 깊이의 마크를 갖는 기판이 증가하였다. 이러한 표면상 대단히 미세한 불균일을 갖는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판의 처리에서 기존의 감압성 접착 시트는 시트가 부착되는 표면상의 불균일(unevenness)을 추적(follow up)하는 데 충분하지 않아서, 충분한 접착력을 얻을 수 없다. 결과적으로, 웨이퍼 또는 기판이 절단되는 경우, 조각(chip)이 흩어져서 실질적으로 감소되는 수율의 결점의 발생을 유발한다. 더 나아가, 흩어진 조각은 절단 블레이드와 충돌하여 블레이드가 손상되는 결점을 발생시킨다. 더 나아가, 시트가 불균일을 추적하는 데 불충분하여, 함몰된 부분이 기포를 포함하여 감압성 접착층의 열등한 경화의 발생을 유발하고, 그리고 복사선의 조사 후 웨이퍼 또는 기판이 픽업되는 경우, 접착제의 잔류물이 부분적으로 관찰되는 결점을 발생시킨다.
특허 문헌 1: 일본 특허 제6-49420A호
특허 문헌 2: 일본 특허 제62-153376A호
발명의 개요
본 발명의 목적은 불균일에 대한 추적 성질이 탁월하고, 그리고 레이저 조사에 의한 인쇄 및 부착 표면상 미세한 불균일을 잘 추적하여 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리에서 충분한 접착력을 보여주는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 접착의 목적이 달성된 후 에너지선이 조사될 때 전체 감압성 접착층이 균일하게 중합 및 경화되기 때문에, 부분적인 접착제 잔류물의 발생 없이 잘 박리될 수 있는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트를 제공하는 것이다.
상기 언급된 문제들을 해결하기 위해 본 발명자는 집중적인 연구를 수행해 왔다. 그 결과, 발명자는 미세한 불균일 표면을 추적하는 탁월한 성질을 보여주는 감압성 접착 시트가 각각 특정한 분자량을 갖는 베이스 중합체 및 다작용성 아크릴 레이트계 올리고머 및 다작용성 아크릴레이트계 화합물을 조합하여 감압성 접착 시트를 구성함으로써 얻을 수 있음을 발견하였다.
발명의 자세한 설명
즉, 본 발명은 다음에 관한 것이다.
(1) 베이스 재료; 및
에너지선에 의해 중합 및 경화 가능하고, 베이스 재료의 표면상에 위치하는 감압성 접착층을 포함하는 감압성 접착 시트로서,
감압성 접착층이
베이스 중합체,
에너지선 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합 및 1000 내지 2500의 분자량을 갖는 다작용성 아크릴레이트계 올리고머, 및
에너지선 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합 및 200 내지 700의 분자량을 갖는 다작용성 아크릴레이트계 화합물
을 포함하는 감압성 접착 시트.
(2) 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리에의 이용을 위한 (1)에 따른 감압성 접착 시트.
(3) 베이스 중합체가 아크릴성 중합체이고, 그리고 아크릴성 중합체 100 중량부에 대하여, 상기 다작용성 아크릴레이트계 올리고머는 60 내지 130 중량부의 양으로 함유되고, 그리고 상기 다작용성 아크릴레이트계 화합물은 3 내지 50 중량 부의 양으로 함유되는 (1)에 따른 감압성 접착 시트.
(4) 아크릴성 중합체 100 중량부에 대하여, 상기 다작용성 아크릴레이트계 올리고머는 80 내지 110 중량부의 양으로 함유되고, 그리고 상기 다작용성 아크릴레이트계 화합물은 5 내지 30 중량부의 양으로 함유되는 (1)에 따른 감압성 접착 시트.
(5) 베이스 중합체가 300,000 내지 1,000,000의 중량-평균 분자량을 갖는 아크릴성 중합체인 (1)에 따른 감압성 접착 시트.
(6) 다작용성 아크릴레이트계 올리고머가 우레탄 아크릴레이트 올리고머인 (1)에 따른 감압성 접착 시트.
(7) 다작용성 아크릴레이트계 화합물이 다작용성 알킬 아크릴레이트인 (1)에 따른 감압성 접착 시트.
(8) 0.4 내지 40 ㎛ 깊이의 함몰을 갖는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판의 표면에의 접착 및 반도체 웨이퍼 또는 기판의 절단에 이용되는 (1)에 따른 감압성 접착 시트.
(9) 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판의 표면에 (1)에 따른 감압성 접착 시트를 접착하는 단계; 및
반도체 웨이퍼 또는 기판을 절단하는 단계
를 포함하는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판의 처리 방법.
(10) 반도체 웨이퍼 또는 기판이 0.4 내지 40 ㎛ 깊이의 함몰을 갖는 (9)에 따른 방법.
본 발명의 감압성 접착층은 베이스 중합체로서 사용되는 아크릴성 중합체 100 중량부에 대하여, 에너지선 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합 및 1000 내지 2500의 분자량을 갖는 다작용성 아크릴레이트계 올리고머 60 내지 130 중량부, 에너지선 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합 및 200 내지 700의 분자량을 갖는 다작용성 아크릴레이트계 화합물 3 내지 50 중량부의 양을 함유한다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트는 0.4 내지 40 ㎛ 깊이의 함몰을 갖는 반도체 웨이퍼 또는 기판의 표면에의 접착 및 반도체 웨이퍼 또는 기판의 절단에 이용될 수 있다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트는 접착되는 표면상 불균일 추적 성질이 탁월하고, 충분한 접착력을 보여주고, 그리고 접착제 잔류물의 발생 없이 잘 박리될 수 있는데, 이는 에너지선이 조사될 때, 중합의 불규칙성의 발생 없이 중합 및 경화되어 접착력을 감소시키기 때문이다.
표면상 0.4 내지 40 ㎛ 깊이의 함몰을 갖는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판의 다이싱 공정이 본 발명의 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트를 이용하여 수행되는 경우, 공정은 다이싱 시에 조각이 흩어지는 결점의 발생 없이 수행될 수 있고, 그리고 에너지선의 조사 후 픽업 시에 접착제 잔류물의 발생 없이 시트가 박리될 수 있다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트는 에너지선에 의해 중합 경화 반응을 일으키는 감압성 접착 시트가 상부에 제공되는 베이스 재료를 포함하고, 그리고 반도체 웨이퍼 또는 기판과 같은 접착물에 접착되고 접착의 목적이 달성된 후, 감압성 접착제는 에너지선의 조사에 의해 중합 및 경화함으로써 감압성 접착층의 접착력을 감소시킴을 가능케 한다. 본 발명에서 이용되는 것으로서의 에너지선은 조사에 의해 감압성 접착층의 중합 경화 반응을 개시하고 진행시킬 수 있는 모든 것을 포함하지만, 예컨대, 전자 빔(beam), α-선, β-선, γ-선 및 중성자와 같은 전리 복사선; 및 자외선과 같은 비전리 복사선을 예로 들 수 있다. 이 중, 생산성 등의 관점에서 보면 자외선 및 전자 빔이 바람직하게 이용될 수 있다.
베이스 재료
본 발명의 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트에서 이용될 수 있는 베이스 재료는 특별하게 제한되지는 않으며, 접착의 목적이 달성된 후 감압성 접착층의 중합 경화 반응에 이용되는 에너지선의 종류에 따라 플라스틱 베이스 재료, 금속성 베이스 재료, 섬유질 베이스 재료 및 종이로 만들어진 베이스 재료와 같은 기존에 또는 통상적으로 이용되는 베이스 재료로부터 선택될 수 있다. 예를 들어, 감압성 접착층의 중합 경화 반응이 자외선의 조사에 의해 수행되는 경우, 자외선이 통과될 수 있는 베이스 재료가 선택될 수 있고, 그리고 감압성 접착층의 중합 경화 반응을 전자 빔에 의해 수행하는 경우, 전자 빔이 통과될 수 있는 베이스 재료가 선택될 수 있다. 구체적으로, 예를 들어, 플라스틱 막 또는 시트가 적합하게 이용될 수 있다. 플라스틱 막 또는 시트를 구성하는 재료의 예는 폴리올레핀 수지(저밀도 폴리에틸렌, 직쇄 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합화 폴리프로필렌, 블록 공중합화 폴리프 로필렌, 호모폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등), 에틸렌-비닐 아세테이트 공중합체, 이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴레이트 공중합체(랜덤 공중합체, 교대 공중합체 등), 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에스테르성 수지(폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 나프탈레이트 등), 폴리이미드, 폴리아마이드, 폴리에테르케톤, 폴리에테르, 폴리에테르설폰, 폴리스티렌성 수지(폴리스티렌 등), 염화 폴리비닐, 염화 폴리비닐리덴, 폴리비닐 알코올, 폴리비닐 아세테이트, 염화 비닐-비닐 아세테이트 공중합체, 폴리카보네이트, 플루오로수지, 셀룰로오스성 수지 및 이 수지의 가교 생성물을 포함한다. 이 재료는 단독으로 또는 이들의 2 이상의 조합으로 이용될 수 있다.
베이스 재료의 표면은 감압성 접착층과의 접착성 또는 고정성 부여의 목적으로 기존에 또는 통상적으로 이용되는 표면 처리(예컨대, 코로나 방전 처리, 크롬산 처리, 오존 노출 처리, 화염 노출 처리, 고전압 충격 노출 처리 및 전리 복사선 처리 및 가교 처리와 같은 처리)를 받을 수 있다. 더 나아가, 정전 방지 기능을 부여하기 위해, 금속, 합금 또는 이의 산화물과 같은 전도성 재료에 의해 기상 증착 층이 형성된 베이스 재료를 이용할 수 있다.
베이스 재료는 단일층 형태 또는 적층 형태를 가질 수 있다. 더 나아가, 충전제, 방염제, 항노화제, 항정전제, 연화제, 자외선 흡수제, 항산화제, 가소제 또는 계면 활성제와 같은 기존의 첨가제가 필요에 따라 베이스 재료 내에 함유될 수 있다.
베이스 재료의 형성 방법은 특별하게 제한되지는 않으며, 그리고 기존에 또는 통상적으로 이용되는 형성 방법으로부터 적절하게 선택하여 사용할 수 있다. 플라스틱 베이스 재료의 형성 방법의 예는 캘린더(calender) 막 형성 방법, 주조(鑄造) 막 형성 방법, 인플레이션 압출 방법 및 T-다이 압출 방법을 포함한다. 더 나아가, 다중 층이 적층된 구성을 갖는 플라스틱 베이스 재료는 동시 압출 방법 또는 건식 적층 방법과 같은 적층 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 플라스틱 베이스 재료는 비연신된 상태 또는 연신 처리에 의해 단축으로 또는 이축으로 연신된 상태일 수 있다.
베이스 재료의 두께는 특별하게 제한되지는 않으며, 적절하게 결정될 수 있다. 예를 들어, 5 내지 1000 ㎛, 바람직하게는 약 25 내지 250 ㎛의 범위로부터 선택될 수 있다.
감압성 접착층
본 발명에서, 감압성 접착층은 베이스 중합체, 에너지선 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합 및 1000 내지 2500의 분자량을 갖는 다작용성 아크릴레이트계 올리고머(하기 몇몇의 경우에서는 간단하게 다작용성 아크릴레이트계 올리고머로서 지칭함) 및 에너지선 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합 및 200 내지 700의 분자량을 갖는 다작용성 아크릴레이트계 화합물(하기 몇몇의 경우에서는 간단하게 다작용성 아크릴레이트계 화합물로서 지칭함)을 함유하는 감압성 접착 조성물을 층 형태로 기판 상에 형성함으로써 형성될 수 있다.
베이스 중합체
상기 언급한 베이스 중합체로서, 접착 성질을 갖는 기존의 중합체를 이용할 수 있고, 특별하게 제한되지는 않는다. 이의 예는 고무계 중합체 및 아크릴성 중합체를 포함한다. 고무계 중합체의 예는 천연 고무 및 부틸 고무, 부타디엔 고무, 이소프렌 고무, 스티렌-이소프렌-스티렌 고무, 스티렌-에틸렌/부틸렌-스티렌 고무, 스티렌-에틸렌/프로필렌-스티렌 고무 및 스티렌-부타디엔-스티렌 고무와 같은 합성 고무를 포함한다. 아크릴성 중합체의 예는 주성분으로서 (메트)아크릴성 에스테르 및 단량체 성분으로서 이와 함께 중합 가능한 불포화 단량체를 함유하는 아크릴성 공중합체를 포함한다. 베이스 중합체는 이들의 하나 또는 둘 이상으로부터 적절하게 선택되어 이용될 수 있고, 특별하게 제한되지는 않는다. 그러나 아크릴성 중합체가 적합하게 이용될 수 있으며, 그리고 특히 300000 내지 1000000의 분자량을 갖는 아크릴성 공중합체가 적합하게 이용될 수 있다.
주성분으로서 (메트)아크릴성 에스테르를 함유하는 상기 언급된 아크릴성 중합체에서, 주성분으로서 함유되는 (메트)아크릴성 에스테르의 예는 메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, 프로필 (메트)아크릴레이트, 아이소프로필 (메트)아크릴레이트, 부틸 (메트)아크릴레이트, 아이소부틸 (메트)아크릴레이트, s-부틸 (메트)아크릴레이트, t-부틸 (메트)아크릴레이트, 펜틸 (메트)아크릴레이트, 헥실 (메트)아크릴레이트, 헵틸 (메트)아크릴레이트, 옥틸 (메트)아크릴레이트, 아이소옥틸 (메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메트)아크릴레이트, 노닐 (메트)아크릴레이트, 아이소노닐 (메트)아크릴레이트, 데실 (메트)아크릴레이트, 아이소데실 (메트)아크릴레이트, 운데실 (메트)아크릴레이트, 도데실 (메트)아크릴레이 트, 트라이데실 (메트)아크릴레이트, 테트라데실 (메트)아크릴레이트, 펜타데실 (메트)아크릴레이트, 헥사데실 (메트)아크릴레이트, 헵타데실 (메트)아크릴레이트 및 옥타데실 (메트)아크릴레이트와 같은 알킬 (메트)아크릴레이트; 사이클로헥실 (메트)아크릴레이트와 같은 사이클로알킬 (메트)아크릴레이트; 및 페닐 (메트)아크릴레이트와 같은 아릴 (메트)아크릴레이트를 포함한다. (메트)아크릴성 에스테르로서, 메틸 (메트)아크릴레이트 및 2-에틸헥실 (메트)아크릴레이트와 같은 알킬 (메트)아크릴레이트가 적합하게 이용될 수 있다.
응집력과 같은 특성을 개선하기 위해, (메트)아크릴성 에스테르와 공중합 가능한 단량체(공중합 가능한 단량체)가 아크릴성 중합체 내 단량체 성분으로서 선택적으로 이용될 수 있다. 공중합 가능한 단량체는 단독으로 또는 이들의 2 이상의 조합으로 이용될 수 있다. 이러한 공중합 가능한 단량체의 예는 N-비닐-2-피롤리돈, N-메틸비닐피롤리돈, N-비닐피리딘, N-비닐피페리돈, N-비닐피리미딘, N-비닐피페라진, N-비닐피롤, N-비닐이미다졸, N-비닐옥사졸, N-비닐모폴린, N-비닐카프로락탐 및 N-(메트)아크릴로일모폴린과 같은 질소 원자-함유 고리를 갖는 단량체뿐만 아니라, (메트)아크릴산(아크릴산 또는 메타크릴산), 카복시에틸 (메트)아크릴레이트, 카복시펜틸 (메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 및 아이소크로톤산과 같은 카복실기-함유 단량체; 무수 말레산 및 무수 이타콘산과 같은 산 무수물기-함유 단량체; 2-하이드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸 (메트)아크릴레이트, 6-하이드록시헥실 (메트)아크릴레이트, 8-하이드록시옥실 (메트)아크릴레이트, 10-하이드록시 데실 (메트)아크릴레이트, 12-하이드록시라우릴 (메트)아크릴레이트, (4-하이드록시메틸사이클로헥실)메틸 (메트)아크릴레이트, 비닐 알코올, 알릴 알코올, 2-하이드록시에틸 비닐 에테르, 2-하이드록시프로필 비닐 에테르, 4-하이드록시부틸 비닐 에테르, 프로필렌 글리콜 모노비닐 에테르 및 다이프로필렌 글리콜 모노비닐 에테르와 같은 하이드록실기-함유 단량체; 스티렌설폰산, (메트)아크릴아마이드 프로판설폰산, 설포프로필 (메트)아크릴레이트 및 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산과 같은 설폰산기-함유 단량체; 2-하이드록시에틸아크릴로일 인산염과 같은 인산기-함유 단량체; (메트)아크릴아마이드, N,N-다이메틸 (메트)아크릴아마이드, N-부틸 (메트)아크릴아마이드, N-메틸올 (메트)아크릴아마이드 또는 N-메틸올프로판 (메트)아크릴아마이드 및 N-부톡시메틸 (메트)아크릴아마이드와 같은 아마이드계 단량체; (메트)아크릴로나이트릴과 같은 시아노기-함유 단량체; 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔 및 아이소부틸렌과 같은 올레핀성 단량체; 스티렌, α-메틸스티렌 및 비닐톨루엔과 같은 스티렌성 단량체; 비닐 아세테이트 및 비닐 프로피오네이트와 같은 비닐 에스테르계 단량체; 염화 비닐 및 염화 비닐리덴과 같은 할로겐 원자-함유 단량체; 및 (메트)아크릴로일 아이소시아네이트, (메트)아크릴로일옥시메틸 아이소시아네이트, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸 아이소시아네이트, 2-(메트)아크릴로일옥시프로필 아이소시아네이트, 3-(메트)아크릴로일옥시프로필 아이소시아네이트, 4-(메트)아크릴로일옥시부틸 아이소시아네이트 및 m-프로페닐-α,α-다이메틸벤질 아이소시아네이트와 같은 아이소시아네이트기-함유 단량체를 포함한다. 이 중, 카복실기-함유 단량체 및 산 무수물기-함유 단량체가 적합하게 이용될 수 있다.
더 나아가, 가교의 목적으로, 공중합 가능한 단량체로서 다작용성 단량체가 선택적으로 이용될 수 있다. 이러한 다작용성 단량체의 예는 1,6-헥산다이올 (메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로판 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 (메트)아크릴레이트, 다이펜타에리스리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르 (메트)아크릴레이트, 우레탄 (메트)아크릴레이트, 다이비닐벤젠, 다이부틸 (메트)아크릴레이트 및 헥실 다이(메트)아크릴레이트를 포함한다.
이용되는 공중합 가능한 단량체의 양(비율)은 바람직하게는 단량체 성분의 전체 양을 기준으로 40 중량% 이하가 바람직하다. 카복실기-함유 단량체 또는 산 무수물기-함유 단량체가 공중합 가능한 단량체로서 이용되는 경우, 이용되는 이의 양은 단량체 성분의 전체 양을 기준으로 예를 들어, 1 내지 30 중량%의 범위로부터 바람직하게 선택되고, 그리고 특히 2 내지 20 중량%의 범위로부터 바람직하게 선택된다. 다작용성 단량체가 공중합 가능한 단량체로서 이용되는 경우, 접착 특성의 관점에서 보면 이용되는 다작용성 단량체의 양은 단량체 성분의 전체 양을 기준으로 30 중량% 이하가 바람직하다.
아크릴성 중합체는 단일 단량체 성분 또는 2 이상의 단량체 성분의 혼합물을 중합 처리함으로써 제조될 수 있다. 중합은 용액 중합 공정, 유제 중합 공정, 벌크 중합 공정 또는 현탁액 중합 공정과 같은 중합 시스템에 의해 수행될 수 있다.
다작용성 아크릴레이트계 올리고머
본 발명에서, 감압성 접착층은 에너지선 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합 및 1000 내지 2500의 분자량을 갖는 다작용성 아크릴레이트계 올리고머 및 에너지선 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합 및 200 내지 700의 분자량을 갖는 다작용성 아크릴레이트계 화합물을 함유한다. 감압성 접착층이 다작용성 아크릴레이트계 올리고머 및 다작용성 아크릴레이트계 화합물을 함유하기 때문에, 추적 성질 및 시트가 접착되는 표면에 대한 접착력이 탁월하고, 특히 약 0.4 내지 40 ㎛ 깊이의 미세한 불균일에 대한 추적 성질이 탁월한 감압성 접착 시트를 얻을 수 있다. 더 나아가, 에너지선이 조사될 때, 시트가 접착되는 표면에 대한 탁월한 추적 성질 때문에, 중합 불규칙성이 반도체 웨이퍼의 인쇄 부분과 같은 불균일한 부분에서 일어나지 않고, 중합 경화 반응이 균질하게 진행된다. 따라서, 시트는 접착물상 접착제의 잔류물 없이 접착물로부터 잘 박리될 수 있다. 감압성 접착층이 다작용성 아크릴레이트계 올리고머 및 다작용성 아크릴레이트계 화합물 중 하나 또는 모두를 함유하지 않는다면, 불충분한 접착력 및 응집력, 경화 후 접착력의 불충분한 감소 및 조각을 픽업 시 어려움의 문제가 일어난다. 예를 들어, 감압성 접착층이 상기 언급한 다작용성 아크릴레이트계 올리고머만을 함유하는 경우, 접착물 표면상 불균일의 추적이 불충분하게 되고, 이는 조각을 흩어지게 하거나 또는 웨이퍼 또는 그와 같은 것을 절단하는 시점에서 블레이드의 손상을 유발한다. 추가적으로, 함몰된 부분 내 감압성 접착제의 매립이 불충분하게 되어 그 부분에서의 열등한 경화가 일어나 박리 시에 접착물 표면상 접착제의 잔류물의 발생의 문제의 원인이 된다. 한편, 감압 성 접착 시트가 상기 언급한 다작용성 아크릴레이트계 화합물만을 함유하고 상기 언급한 다작용성 아크릴레이트계 올리고머를 함유하지 않는 경우, 그 결과 감압성 접착제는 불균일 부분에 대해 매우 잘 추적하여 레이저-인쇄 부분에서 접착제의 잔류물의 발생의 원인이 된다. 더 나아가, 자외선 조사 후 감압성 접착제는 매우 취성(brittle)이고, 그리고 따라서(심지어 접착제 잔류물이 발생하지 않을 때에도), 테이프가 기판으로부터 방출될 때, 이 접착제는 깨져서 침착물을 형성하고, 이는 기판 오염의 문제를 발생시킨다.
상기 언급한 다작용성 아크릴레이트계 올리고머로서, 분자 내 2 이상의 에너지 선 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합 및 1000 내지 2500의 범위 이내의 분자량을 가지는 예를 들어, 에폭시 아크릴레이트 올리고머, 우레탄 아크릴레이트 올리고머 및 폴리에스테르 아크릴레이트 올리고머와 같은 임의의 올리고머를 이용할 수 있고, 이는 특별하게 제한되지는 않는다. 에너지선 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합은 (메트)아크릴로일 기로서 바람직하게 함유된다. 분자 내 2 내지 4개의 (메트)아크릴로일기를 갖는 아크릴레이트계 올리고머가 적합하게 이용될 수 있고, 그리고 분자 내 2개의 (메트)아크릴로일기를 갖는 아크릴레이트계 올리고머가 가장 적합하게 이용될 수 있다.
우레탄 아크릴레이트 올리고머가 상기 언급한 다작용성 아크릴레이트계 올리고머로서 이용되는 것이 바람직하다. 구체적으로, 단량체 성분으로서 예를 들어, 다이아이소시아네이트 화합물, 폴리올 화합물 및 하이드록실기-함유 알킬 (메트)아크릴레이트 화합물을 함유하는 올리고머를 예로 들 수 있다. 상기 언급한 다이아이 소시아네이트 화합물의 예는 톨루엔 다이아이소시아네이트, 다이페닐메탄 다이아이소시아네이트, 헥사메틸렌 다이아이소시아네이트, 페닐렌 다이아이소시아네이트, 다이사이클로헥실메탄 다이아이소시아네이트, 자일렌 다이아이소시아네이트, 테트라메틸자일렌 다이아이소시아네이트, 나프탈렌 다이아이소시아네이트 및 아이소포론 다이아이소시아네이트를 포함한다. 다이아이소시아네이트 화합물은 이들의 하나 또는 둘 이상으로부터 선택되어 이용될 수 있다. 상기 언급한 폴리올 화합물의 예는 에틸렌 글리콜, 1,4-부탄다이올, 1,6-헥산다이올, 다이에틸렌 글리콜, 트라이메틸올프로판, 다이프로필렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 펜타에리스리톨, 다이펜타에리스리톨 및 글리세롤과 같은 다가(多價)(polyhydric) 알코올; 상기 언급한 다가 알코올과 아디프산, 세바크산, 아젤라산 및 말레산과 같은 지방족 다이카복실산 또는 테레프탈산 및 아이소프탈산과 같은 방향족 다이카복실산의 축합으로 얻어지는 폴리에스테르계 폴리올 화합물; 폴리에틸렌 에테르 글리콜, 폴리프로필렌 에테르 글리콜, 폴리테트라메틸렌 에테르 글리콜 및 폴리헥사메틸렌 에테르 글리콜과 같은 폴리에테르계 폴리올 화합물; 폴리카프로락톤 글리콜, 폴리프로피오락톤 글리콜 및 폴리발레로락톤 글리콜과 같은 락톤계 폴리올 화합물; 및 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 부탄다이올, 펜탄다이올, 옥탄다이올 및 노난다이올과 같은 다가 알코올과 다이에틸렌 카보네이트 및 다이프로필렌 카보네이트와 같은 카보네이트의 탈알코올화(dealcoholization) 반응에 의해 얻어지는 폴리카보네이트계 폴리올 화합물을 포함한다. 폴리올 화합물은 이들의 하나 또는 둘 이상을 선택하여 이용할 수 있다. 하이드록실기-함유 알킬 (메트)아크릴레이트 화합물 의 예는 2-하이드록실에틸 (메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸 (메트)아크릴레이트, 6-하이드록시헥실 (메트)아크릴레이트, 8-하이드록시옥틸 (메트)아크릴레이트, 10-하이드록시데실 (메트)아크릴레이트, 12-하이드록시라우릴 (메트)아크릴레이트 및 (4-하이드록시메틸사이클로헥실)메틸 (메트)아크릴레이트를 포함한다. 하이드록실기-함유 알킬 (메트)아크릴레이트 화합물은 이들의 하나 또는 둘 이상을 선택하여 이용할 수 있다.
우레탄 아크릴레이트 올리고머는 예를 들어, 상기 언급한 다이아이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물을 60 내지 90℃로 유지된 반응 용기에서 반응시키고, 반응의 완료 후 하이드록실기-함유 알킬 (메트)아크릴레이트를 첨가하여, 반응을 더 수행한 후 제조될 수 있다.
우레탄 아크릴레이트 올리고머는 단량체 성분으로서, 상기 언급한 폴리올 성분, 다이아이소시아네이트 성분 및 하이드록실기-함유 알킬 (메트)아크릴레이트 성분 이외에 예를 들어, 트라이메틸올프로판 트라이아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트라이아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트 다이펜타에리스리톨 모노하이드록시펜타아크릴레이트 및 다이펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트와 같은 다작용성 아크릴레이트 화합물을 함유할 수 있다. 다작용성 아크릴레이트계 올리고머는 이들의 하나 또는 둘 이상을 선택하여 이용될 수 있다.
다작용성 아크릴레이트계 화합물
다작용성 아크릴레이트계 화합물로서, 그 분자 내에 2 이상의 에너지선 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합 및 (메트)아크릴로일 기, 그리고 200 내지 700의 범위 이내의 분자량을 갖는 화합물을 이용할 수 있다. 또한, 에너지선 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합은 (메트)아크릴로일 기만으로서 또는 (메트)아크릴로일 기와 다른 기(예를 들어, 비닐 기 등)의 조합으로서 함유될 수 있다. 더 나아가, 분자량이 700 이하인 한, 반복 구조 단위를 갖는 화합물일 수 있다. 예를 들어, 다작용성 알킬 아크릴레이트, 다작용성 폴리에스테르 (메트)아크릴레이트, 다작용성 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트 및 옥시알킬렌 반복 단위를 갖는 다작용성 아크릴레이트 화합물을 예로 들 수 있다.
다작용성 알킬 아크릴레이트의 구체적인 예는 1,5-펜탄다이올 (메트)아크릴레이트, 1,6-헥산다이올 (메트)아크릴레이트, 1,9-노난다이올 (메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 (메트)아크릴레이트 및 폴리프로필렌 글리콜 (메트)아크릴레이트와 같은 직쇄 지방족 폴리올의 (메트)아크릴레이트; 사이클로헥산다이메탄올 다이(메트)아크릴레이트 및 트라이사이클로데칸다이메탄올 다이아크릴레이트와 같은 지환식(脂環式)기-함유 지방족 폴리올의 (메트)아크릴레이트; 트라이메틸올프로판 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라(메트)아크릴레이트 및 이의 축합물(다이트라이메틸올프로판 테트라아크릴레이트 및 다이펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트와 같은)과 같은 분지화 지방족 폴리올의 (메트)아크릴레이트를 포함한다.
다작용성 폴리에스테르 (메트)아크릴레이트는 다염기산(多鹽基酸)과 다가(多價) 알코올의 반응에 의해 얻어지는 복수의 하이드록시 기를 갖는 폴리에스테르 화합물의 (메트)아크릴레이트화에 의해 얻어지는 화합물이다. 다가 알코올의 예는 에 틸렌 글리콜, 1,4-부탄다이올, 1,6-헥산다이올, 다이에틸렌 글리콜, 트라이메틸올프로판, 다이프로필렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 펜타에리스리톨 및 다이펜타에리스리톨을 포함한다. 다염기산의 예는 프탈산, 아디프산, 말레산, 트라이멜리트산, 이타콘산, 숙신산 및 테레프탈산을 포함한다. 다작용성 폴리에스테르 (메트)아크릴레이트의 예는 또한 하이드록시피발산 에스테르 네오펜틸 글리콜 다이(메트)아크릴레이트와 같은, 다가 알코올과 하이드록실 기-함유 카복실산의 반응에 의해 얻어지는 에스테르 화합물의 (메트)아크릴산 에스테르를 포함한다.
다작용성 폴리우레탄 (메트)아크릴레이트로서, 상기 언급한 우레탄 아크릴레이트계 올리고머와 유사하고, 200 내지 700의 범위 이내의 분자량을 갖는 것을 이용할 수 있다.
옥시알킬렌 반복 단위를 갖는 다작용성 아크릴레이트계 화합물의 예는 폴리옥시에틸렌 다이(메트)아크릴레이트 및 폴리옥시프로필렌 다이(메트)아크릴레이트와 같은, 양쪽 말단에 하이드록실기를 갖는 폴리옥시알킬렌의 다이(메트)아크릴레이트 화합물; 에틸렌 옥사이드-개질된 사이클로헥산다이메탄올 다이(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌 옥사이드-개질된 사이클로헥산다이메탄올 다이(메트)아크릴레이트, 에틸렌 옥사이드-개질된 트라이사이클로데칸다이메탄올 다이(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌 옥사이드-개질된 트라이사이클로데칸다이메탄올 다이(메트)아크릴레이트 및 에틸렌 옥사이드-개질된 트라이메틸올프로판 트라이(메트)아크릴레이트와 같은 옥시알킬렌화 지방족 폴리올의 (메트)아크릴레이트; 에틸렌 옥사이드-개질 된 비스페놀 A 다이(메트)아크릴레이트 및 폴리에틸렌 옥사이드-개질된 비스페놀 A 다이(메트)아크릴레이트와 같은 옥시알킬렌화 방향족 폴리올의 (메트)아크릴레이트; 및 에틸렌 옥사이드-개질된 아이소시아누르산 다이(메트)아크릴레이트 및 에틸렌 옥사이드-개질된 아이소시아누르산 트라이(메트)아크릴레이트와 같은 헤테로사이클릭 고리-함유 알킬렌 옥사이드-개질된 (메트)아크릴레이트 화합물을 포함한다.
다작용성 아크릴레이트계 화합물은 이들의 하나 또는 둘 이상의 조합을 적절하게 선택함으로써 이용될 수 있고, 특별하게 제한되지는 않는다. 그러나, 다작용성 알킬 아크릴레이트가 바람직하게 이용될 수 있고, 그리고 직쇄 지방족 폴리올의 (메트)아크릴레이트가 특히 바람직하게 이용될 수 있다.
본 발명에서 감압성 접착층을 형성하는 감압성 접착 조성물은 다작용성 아크릴레이트계 올리고머 및 다작용성 아크릴레이트계 화합물을 상기 언급한 베이스 중합체와 혼합함으로써 제조될 수 있다. 다작용성 아크릴레이트계 올리고머 및 다작용성 아크릴레이트계 화합물 대 베이스 중합체의 혼합 비율이 특별하게 제한되지는 않지만, 예를 들어, 베이스 중합체 100 중량부에 대하여, 다작용성 아크릴레이트계 올리고머의 비율은 60 내지 130 중량부의 범위 이내에서 선택될 수 있고, 그리고 다작용성 아크릴레이트계 화합물의 비율은 3 내지 50 중량부의 범위 이내에서 선택될 수 있다. 더 바람직하게는, 베이스 중합체 100 중량부에 대하여, 다작용성 아크릴레이트계 올리고머의 비율은 80 내지 110 중량부의 범위 이내에서 선택될 수 있으며, 다작용성 아크릴레이트계 화합물의 비율은 5 내지 30 중량부의 범위 이내에서 선택될 수 있다. 다작용성 아크릴레이트계 올리고머 및 다작용성 아크릴레이트 계 화합물 대 베이스 중합체의 비율이 상기 언급한 범위를 벗어날 때, 불균일에 대한 불충분한 추적 성질 및 에너지선이 조사될 때 접착력의 불충분한 감소의 문제가 불리하게 발생한다.
다작용성 아크릴레이트계 올리고머 대 다작용성 아크릴레이트계 화합물(전자/후자 비율)의 비율은 바람직하게는 2/1 내지 20/1의 범위, 더 바람직하게는 3/1 내지 10/1의 범위로부터 선택된다. 다작용성 아크릴레이트계 올리고머 대 다작용성 아크릴레이트계 화합물의 비율이 상기 언급한 범위를 벗어날 때, 몇몇의 경우에서 불균일에 대한 불충분한 추적 성질 및 에너지선이 조사될 때 불충분한 접착력 감소의 문제가 발생한다.
감압성 접착층을 구성하는 감압성 접착제는 광중합 개시제를 선택적으로 함유할 수 있다. 광중합 개시제는 에너지선의 조사에 의해 여기되고 활성화되어 라디칼을 형성함으로써 감압성 접착층의 효율적인 중합 경화 반응을 촉진시킨다. 광중합 개시제의 예는 α-케톨계 화합물(2-메틸-2-하이드록시프로피오페논과 같은), 방향족 설포닐 클로라이드계 화합물(2-나프탈렌설포닐 클로라이드와 같은), 광활성 옥심 화합물(1-페논-1,1-프로판다이온-2-(o-에톡시카보닐)옥심과 같은), 캄포르퀴논, 할로겐화 케톤, 아실 포스핀옥사이드 및 아실 포스포네이트뿐 아니라 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 아이소프로필 에테르 및 벤조인 아이소프로필 에테르와 같은 벤조인 알킬 에테르계 개시제; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-다이메틸-4-메톡시벤조페논 및 폴리비닐벤조페논과 같은 벤조페논계 개시제; α-하이드록시사이클로헥실 페닐 케톤, 4-(2-하이드록시에톡시)페틸(2-하이드록시- 2-프로필) 케톤, α-하이드록시-α,α'-다이메틸아세토페논, 메톡시아세토페논, 2,2-다이메톡시-2페닐아세토페논 및 2,2-다이에톡시아세토페논과 같은 방향족 케톤계 개시제; 벤질 다이메틸 케탈과 같은 방향족 케탈계 개시제; 티오잔톤, 2-클로로티오잔톤, 2-메틸티오잔톤, 2-에틸티오잔톤, 2-아이소프로필티오잔톤, 2-도데실티오잔톤, 2,4-다이클로로티오잔톤, 2,4-다이메틸티오잔톤, 2,4-다이에틸티오잔톤 및 2,4-다이아이소프로필티오잔톤과 같은 티오잔톤계 개시제; 및 벤질과 같은 벤질계 개시제를 포함한다. 광중합 개시제는 단독으로 또는 2 이상의 조합으로 이용될 수 있다.
광중합 개시제의 화합 비율은 광중합 개시제의 종류, 다작용성 아크릴레이트계 올리고머 및 다작용성 아크릴레이트계 화합물의 종류 및 이의 화합량에 따라 적절하게 선택될 수 있고, 특별하게 제한되지는 않는다. 그러나, 이는 다작용성 아크릴레이트계 올리고머 및 다작용성 아크릴레이트계 화합물 총량의 100 중량부에 대하여, 예를 들어, 0.1 내지 15 중량부의 범위, 바람직하게는 0.5 내지 10 중량부의 범위 이내에서 선택될 수 있다. 광중합 개시제의 화합 비율이 0.1 중량부 미만일 때, 몇몇의 경우에서는 에너지선이 조사되는 시점에서 중합 경화 반응에 의한 감압성 접착층의 접착력의 감소가 불충분하게 된다. 광중합 개시제의 화합 비율이 15 중량부를 초과할 때, 몇몇의 경우에서 이는 열 또는 형광에 대한 안정성 열화의 원인이 된다.
응집력 개선의 목적의 경우, 감압성 접착층은 가교제를 함유할 수 있다. 가교제는 특별하게 제한되지는 않으며, 기존의 또는 통상적으로 이용되는 가교제(예 를 들어, 아이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 멜라민계 가교제, 퍼옥사이드계 가교제, 요소계 가교제, 금속 알콕사이드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카보다이이미드계 가교제 및 아민계 가교제)로부터 적절하게 선택될 수 있다. 가교제는 단독으로 또는 이들의 2 이상의 조합으로 이용될 수 있다. 혼입되기 위한 가교제의 화합 비율은 특별하게 제한되지는 않으며, 그러나 베이스 중합체 100 중량부에 대하여, 예를 들어, 0.01 내지 10 중량부, 바람직하게는 0.05 내지 5 중량부의 범위 이내에서 선택될 수 있다.
감압성 접착제는 점착제(tackifier), 충전제, 방염제, 항노화제, 항정전제, 연화제, 자외선 흡수제, 항산화제, 가소제, 계면 활성제 또는 착색제와 같은 기존의 첨가제를 더 함유할 수 있다.
감압성 접착층은 기존의 임의의 적절한 방법을 이용하여 베이스 재료상에 베이스 중합체, 다작용성 아크릴레이트계 올리고머 및 다작용성 아크릴레이트계 화합물을 함유하는 상기 언급한 감압성 접착 조성물을 층 형태로 형성함으로써 형성될 수 있다. 감압성 접착 조성물을 적절한 유기 용매 내에서 용해시켜 이의 점도 등을 형성에 적합한 상태로 조정할 수 있다. 감압성 접착층은 예를 들어, 상기 언급한 감압성 접착 조성물을 베이스 재료상에 도포 또는 분무, 또는 조성물을 적절한 분리기(예를 들어, 이형제로써 코팅된 플라스틱 막 또는 시트)상에 도포 후 얻은 감압성 접착층을 베이스 재료로 이동시킴으로써 층 형태로 형성될 수 있다. 베이스 재료(또는 분리기(seperator))상에 형성되는 감압성 접착층은 예를 들어, 80 내지 130℃에서 약 30초 내지 약 10분 동안의 가열에 의해 선택적으로 건조될 수 있다.
감압성 접착층의 두께는 특별하게 제한되지는 않으나, 예를 들어, 1 내지 50 ㎛의 범위, 바람직하게는 3 내지 35 ㎛의 범위로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트에서, 감압성 접착층의 감압성 접착 표면은 필요에 따라 분리기 등으로써 보호될 수 있다. 분리기는 특별하게 제한되지는 않으며, 기존의 분리기로부터 적절하게 선택되어 이용될 수 있다. 분리기의 예는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 및 폴리에틸렌 테레프탈레이트와 같은 합성 수지의 막 및 종이로 만들어진 베이스 재료를 포함한다. 더 나아가, 감압성 접착층으로부터의 박리성을 향상시키기 위해, 실리콘 처리, 장쇄 알킬 처리 또는 불소 처리와 같은 이형 처리(주조 이형 처리)가 필요에 따라 분리기 표면에 적용될 수 있다. 본 발명의 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트는 시트의 롤 형 또는 적층 형일 수 있다.
상기 기술된 바와 같이 얻을 수 있는 본 발명의 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트는 전자 부품과 같은 다양한 접착물에 부착되고, 처리 공정이 수행된 후 이로부터 박리되는 처리 시트로서 널리 이용될 수 있고, 이의 응용은 특별하게 제한되지는 않는다. 특히, 접착 및 절단이 0.4 내지 40 ㎛ 깊이의 함몰을 갖는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 표면에 수행 시 이용되는 처리 시트로서 적합하게 이용될 수 있다. 더 특히, 감압성 접착 시트가 접착되는 표면으로서 행동하는 밀봉 수지 표면상 약 0.4 내지 15 ㎛ 깊이를 갖는 거친 표면상 및 레이저 조사에 의해 그 표면상에 인쇄된 약 5 내지 10 ㎛ 깊이를 갖는 마크를 갖는, 또는 레이저 조사에 의해 그 표면상에 인쇄된 25 내지 40 ㎛ 깊이를 갖는 마크를 갖는 웨이퍼 또는 기판에의 접착 및 절단(다이싱) 처리를 수행한 후, 픽업을 수행하기 위한 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트로서 적합하게 이용될 수 있다.
절단(다이싱) 처리가 피처리 재료의 절단을 위해 수행되고, 이는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트에 부착되고, 구성 요소에 대해 회전 원형 블레이드로써 처리되어 개별의 조각을 형성함으로써, 처리되는 재료의 절단편을 생성한다. 본 발명의 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트는 상기 기술한 바와 같이 미세한 불균일을 잘 추적하고, 충분한 접착력을 보여주어 조각(절단편)이 흩어지는 결점이 절단 처리에서 발생하지 않고, 공정은 편안하고 효율적으로 수행될 수 있다.
픽업 처리는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트에 부착되는 피처리 재료의 절단편을 방사상으로 확장하기 위해 수행되고, 그리고 나서 그로부터 절단편을 수거하여 픽업을 수행한다. 이 경우에서 픽업의 방법은 특별하게 제한되지는 않으며, 다양한 기존의 픽업 방법을 사용할 수 있다. 이의 예는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트의 측면으로부터 바늘로써 개별 절단편을 밀어올리고, 그리고 픽업 장치로써 밀어 올려진 절단편을 픽업하는 방법을 포함한다. 감압성 접착층의 접착력이 에너지선의 조사에 의해 감소된 후 픽업을 수행한다. 조사되는 에너지선은 α-선, β-선, γ-선, 중성자, 전자 빔 및 자외선을 포함한다. 에너지선의 강도 및 조사 시간과 같은 다양한 조건은 특별하게 제한되지는 않으며, 필요에 따라 적절하게 설정될 수 있다. 본 발명의 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트는 미세한 불균일을 잘 추적하고, 그리고 함몰된 부분에 기포가 포함되지 않는다. 따라서, 에너지선이 조사될 때, 감압성 접착층은 부분적인 열등한 경화의 발생 없이 균일하게 중합 및 경화되고 이로 인해 접착물 표면상에 접착제의 잔류물이 발생하는 결점이 발생하지 않는다.
실시예
본 발명은 하기 실시예를 참조하여 더 상세하게 설명될 것이나, 본 발명이 이에 제한되는 것으로서 해석돼서는 아니된다.
실시예 1
중량 평균 분자량 800,000을 가지고, 메틸 아크릴레이트 20 중량부, 아크릴산 10 중량부 및 2-에틸헥실 아크릴레이트 80 중량부의 공중합에 의해 얻어진 공중합체(고체 농도: 35 중량%) 100 중량부; 200 내지 700의 분자량을 갖는 다작용성 아크릴레이트계 화합물 및 1000 내지 2500의 분자량을 갖는 다작용성 아크릴레이트계 올리고머를 함유하는 올리고머 혼합물(Nippon Kayaku Co., Ltd.에 의해 제조된 "DPHA-40H") 100 중량부; 및 광중합 개시제(Ciba Specialty Chemicals에 의해 제조된 Irgacure 651) 3 중량부의 배합에 의해 얻어지는 감압성 접착 조성물을 20 ㎛의 건조 두께를 가지도록 실리콘 이형 처리된 38 ㎛ 두께의 폴리에스테르 막 상에 도포한 후 5분 동안 120℃에서 건조하여 감압성 접착층을 형성하였다.
베이스 재료로서 작용하는 150 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 막을 감압성 접착층 상에 적층한 후 4일 동안 50℃에서 숙성시켜 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트를 얻었다.
실시예 2
중량 평균 분자량 800,000을 가지고, 메틸 아크릴레이트 20 중량부, 아크릴산 10 중량부 및 2-에틸헥실 아크릴레이트 80 중량부의 공중합에 의해 얻어진 공중합체(고체 농도: 35 중량%) 100 중량부; 분자량 330을 갖는 다작용성 아크릴레이트계 화합물(Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.에서 제조된 "NK Ester 4G") 15 중량부; 1000 내지 2500의 분자량을 갖는 다작용성 아크릴레이트계 올리고머(Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.에서 제조된 "UV-1700B") 100 중량부; 및 광중합 개시제(Ciba Specialty Chemicals에 의해 제조된 Irgacure 651) 3 중량부의 배합에 의해 얻어지는 감압성 접착 조성물을 20 ㎛의 건조 두께를 가지도록 실리콘 이형 처리된 38 ㎛ 두께의 폴리에스테르 막 상에 도포한 후 5분 동안 120℃에서 건조하여 감압성 접착층을 형성하였다.
베이스 재료로서 작용하는 150 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 막을 감압성 접착층 상에 적층한 후 4일 동안 50℃에서 숙성시켜 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트를 얻었다.
비교예 1
반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트를 분자량 330을 갖는 다작용성 아크릴레이트계 화합물(Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.에서 제조된 "NK Ester 4G")을 이용하지 않은 것 이외에는 실시예 2와 동일한 방식으로 제조하였다.
비교예 2
중량 평균 분자량 800,000을 가지고, 메틸 아크릴레이트 20 중량부, 아크릴산 10 중량부 및 2-에틸헥실 아크릴레이트 80 중량부의 공중합에 의해 얻어진 공중합체(고체 농도: 35 중량%) 100 중량부; 1000 내지 2500의 분자량을 갖는 다작용성 아크릴레이트계 올리고머(Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.에서 제조된 "UV-1700B") 100 중량부; 분자량 1136을 갖는 다작용성 아크릴레이트계 화합물(Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.에서 제조된 "NK Ester 23G") 15 중량부; 및 광중합 개시제(Ciba Specialty Chemicals에 의해 제조된 Irgacure 651) 3 중량부의 배합에 의해 얻어지는 감압성 접착 조성물을 20 ㎛의 건조 두께를 가지도록 실리콘 이형 처리된 38 ㎛ 두께의 폴리에스테르 막 상에 도포한 후 5분 동안 120℃에서 건조하여 감압성 접착층을 형성하였다.
베이스 재료로서 작용하는 150 ㎛ 두께의 폴리에틸렌 막을 감압성 접착층 상에 적층한 후 4일 동안 50℃에서 숙성시켜 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트를 얻었다.
테스트 평가
실시예 및 비교예에서 얻은 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트에 대해 하기 평가가 이루어졌다.
<불균일 추적 성질>
60 ㎜/초의 속도에서 23℃의 테이블 온도에서 Nitto Seiki Co., Ltd 제조의 "M-286N" 부착 장치를 이용하여, 감압성 접착 시트를 반도체 조각이 매립된 기판의 밀봉 수지 표면(표면 거칠기: 8 ㎛, 레이저 인쇄 깊이: 25 ㎛)에 접착하였다. 광학 현미경을 이용하여, 거친 표면 및 밀봉 수지 표면의 레이저-인쇄된 부분에 대한 불균일 추적 성질을 관찰하였다. 불균일에 대한 추적 성질이 우수하고, 함몰된 부분에 기포가 관찰되지 않았을 때, "우수함"으로 평가되었다. 불균일에 대한 추적 성질이 불충분하고, 함몰된 부분에 기포가 관찰되었을 때, "불충분함"으로 평가되었다. 이 결과를 표 1에 나타낸다.
<절단 시 흩어진 조각의 수>
DISCO Corporation 제조의 "DFG-651" 다이서(dicer)를 이용하여, 40 ㎜/초의 속도 및 절단 시 물의 양 1.5 L/min의 조건 하에서 절단을 수행하였고, 감압성 접착층 및 베이스 재료의 전체 절단 양을 수지 블레이드(회전 수: 38000 rpm, 블레이드 두께: 300 ㎛)를 이용하여 90 ㎛까지 조정하였다. 이 경우에서, 500개의 조각 절단에 대하여 흩어진 조각의 수를 확인하였다. 이 결과를 표 1에 나타낸다.
<박리 후 감압성 접착제 잔류물>
절단 후, 고압 수은 램프를 이용하여 20 ㎻/㎠의 자외선을 30초 동안 베이스 재료 측면으로부터 조사함으로써 감압성 접착층을 경화하였다. 다음, 실온으로 냉각시키고, 감압성 접착 시트를 수동으로 박리하였다. 500개의 조각에 대해, 조각 표면 및 레이저-인쇄된 부분 상 접착제 잔류물의 존재 또는 부존재를 광학 현미경을 이용하여 확인하였다. 이 결과를 표 1에 나타낸다.
실시예 1 실시예 2 비교예 1 비교예 2


불균일
추적
성질
 베이스 재료 표면에 대한 추적 성질
우수함
우수함
우수함
불충분함
레이저-인쇄된 영역에 대한 추적 성질
우수함
우수함
불충분함
불충분함
절단 시 흩어진 조각의 수 0 0 50 70

감압성
접착제
잔류물의
존재 또는
비존재
 기판 표면상 감압성 접착제 잔류물
미발생
미발생
부분적으로 발생
부분적으로 발생
레이저-인쇄된 부분 상 감압성 접착제 잔류물
미발생
미발생
부분적으로 발생
부분적으로 발생
본 발명을 상세히 그리고 이의 구체적인 구체예를 참조하여 기술하였지만, 다양한 변화 및 변경이 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 이루어질 수 있음은 당업자에게 자명할 것이다.
이 출원은 2006년 5월 12일에 출원된 일본 특허 출원 제2006-133234호에 기초하고, 이의 전체 내용은 본 명세서에 참조에 의해 편입된다.
더 나아가, 본 명세서에서 인용된 모든 참조는 전체적으로 편입된다.
본 발명의 감압성 접착 시트는 레이저 조사에 의해 인쇄되는 마크와 같은 약 0.4 내지 40 ㎛ 깊이의 미세한 불균일에 대한 추적 성질이 탁월하고, 충분한 접착력을 보여주며, 그리고 접착의 목적이 달성된 후 접착제 잔류물의 발생 없이 박리될 수 있는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 베이스 재료; 및
    에너지선에 의해 중합 및 경화 가능하고, 베이스 재료의 표면상에 위치하는 감압성 접착층을 포함하는 감압성 접착 시트로서,
    상기 감압성 접착층이
    베이스 중합체,
    에너지선 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합 및 1000 내지 2500의 분자량을 갖는 우레탄 아크릴레이트 올리고머, 및
    에너지선 중합 가능한 탄소-탄소 이중 결합 및 200 내지 700의 분자량을 갖는 직쇄상 지방족 폴리올의 (메트)아크릴레이트
    를 포함하는 감압성 접착 시트.
  2. 제1항에 있어서, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판의 처리에 이용되는 감압성 접착 시트.
  3. 제1항에 있어서, 베이스 중합체가 아크릴성 중합체이고, 그리고 아크릴성 중합체 100 중량부에 대하여, 상기 우레탄 아크릴레이트 올리고머 60 내지 130 중량부를 함유하고, 상기 직쇄상 지방족 폴리올의 (메트)아크릴레이트 3 내지 50 중량부를 함유하는 감압성 접착 시트.
  4. 제3항에 있어서, 아크릴성 중합체 100 중량부에 대하여, 상기 우레탄 아크릴레이트 올리고머 80 내지 110 중량부를 함유하고, 상기 직쇄상 지방족 폴리올의 (메트)아크릴레이트 5 내지 30 중량부를 함유하는 감압성 접착 시트.
  5. 제1항에 있어서, 베이스 중합체가 300,000 내지 1,000,000의 중량 평균 분자량을 갖는 아크릴성 중합체인 감압성 접착 시트.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서, 0.4 내지 40 ㎛ 깊이의 함몰을 갖는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판의 표면에 부착되고, 반도체 웨이퍼 또는 기판을 절단하는 데 이용되는 감압성 접착 시트.
  9. 반도체 웨이퍼 또는 기판의 표면에 제1항에 따른 감압성 접착 시트를 부착하는 단계; 및
    반도체 웨이퍼 또는 기판을 절단하는 단계
    를 포함하는 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판의 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서, 반도체 웨이퍼 또는 기판이 0.4 내지 40 ㎛ 깊이의 함몰을 갖는 방법.
KR1020070045468A 2006-05-12 2007-05-10 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트 KR101191475B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-00133234 2006-05-12
JP2006133234A JP5057697B2 (ja) 2006-05-12 2006-05-12 半導体ウエハ又は半導体基板加工用粘着シート

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070109910A KR20070109910A (ko) 2007-11-15
KR101191475B1 true KR101191475B1 (ko) 2012-10-15

Family

ID=38330761

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070045468A KR101191475B1 (ko) 2006-05-12 2007-05-10 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7727811B2 (ko)
EP (1) EP1854856A1 (ko)
JP (1) JP5057697B2 (ko)
KR (1) KR101191475B1 (ko)
CN (1) CN101070454B (ko)
TW (1) TWI405834B (ko)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008060151A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ裏面加工方法、基板裏面加工方法、及び放射線硬化型粘着シート
JP2008163276A (ja) * 2007-01-05 2008-07-17 Nitto Denko Corp 半導体基板加工用粘着シート
JP5101111B2 (ja) * 2007-01-05 2012-12-19 日東電工株式会社 半導体基板加工用粘着シート
MY155357A (en) * 2008-05-29 2015-10-15 Denki Kagaku Kogyo Kk Dicing method using a die attach film on an adhesive sheet
JP2010053192A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Nitto Denko Corp 粘着テープ又はシート
KR20100089389A (ko) * 2009-02-03 2010-08-12 삼성전자주식회사 점착 조성물 및 이로부터 제조되는 점착 필름
JP2012054432A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ保護用粘着シート
JP2012054431A (ja) * 2010-09-01 2012-03-15 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ保護用粘着シート
JP5687897B2 (ja) * 2010-12-28 2015-03-25 日東電工株式会社 放射線硬化型粘着剤組成物及び粘着シート
KR101370812B1 (ko) * 2011-12-02 2014-03-10 (주)가하 웨이퍼 표시자 마킹 방법
US9376596B2 (en) * 2012-03-09 2016-06-28 Hitachi Metals, Ltd. Adhesive film and flat cable using the same
JP5193376B1 (ja) * 2012-03-26 2013-05-08 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
JP5242830B1 (ja) * 2012-07-06 2013-07-24 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウェハの製造方法
JP5909460B2 (ja) * 2012-09-28 2016-04-26 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接着剤、並びに、それを用いた接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法。
CN105264035B (zh) * 2013-06-11 2017-10-13 电化株式会社 粘合片以及使用该粘合片的电子元件的制造方法
JP6328397B2 (ja) * 2013-10-02 2018-05-23 リンテック株式会社 電子部品加工用粘着シートおよび半導体装置の製造方法
KR102215677B1 (ko) * 2014-03-31 2021-02-16 린텍 가부시키가이샤 보호 필름 및 보호 필름이 부착된 투명 도전막 적층용 필름
CN106340439A (zh) * 2015-07-06 2017-01-18 勤友光电股份有限公司 用于镭射剥离处理的晶圆结构
JP6034522B1 (ja) * 2016-03-17 2016-11-30 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ加工用粘着テープおよび半導体ウェハの加工方法
KR102099961B1 (ko) * 2016-03-25 2020-04-17 주식회사 엘지화학 점착제 조성물 및 점착 테이프
WO2019103955A1 (en) * 2017-11-21 2019-05-31 3M Innovative Properties Company Release liners for laser cut adhesives
CN114829523A (zh) * 2020-02-11 2022-07-29 汉高股份有限及两合公司 可脱粘压敏粘合剂及其用途

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10310748A (ja) * 1997-05-12 1998-11-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP2001203255A (ja) * 2000-01-21 2001-07-27 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ保持保護用粘着シート
JP2003138228A (ja) * 2001-11-02 2003-05-14 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ保護用粘着シート

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62153376A (ja) 1985-12-27 1987-07-08 F S K Kk ウェハダイシング用粘着シート
DE3639266A1 (de) * 1985-12-27 1987-07-02 Fsk K K Haftfolie
AU621878B2 (en) * 1988-06-02 1992-03-26 Norton Company Web with finishing coating useful as coated abrasive backing
JPH07772B2 (ja) * 1989-02-20 1995-01-11 バンドー化学株式会社 感圧接着剤組成物
JP3491911B2 (ja) 1992-07-29 2004-02-03 リンテック株式会社 半導体ウエハ加工用粘着シート
DE19520238C2 (de) * 1995-06-02 1998-01-15 Beiersdorf Ag Selbstklebeband
JPH09291258A (ja) * 1996-04-26 1997-11-11 Lintec Corp 粘着剤組成物およびこれを用いた粘着シート
US6472065B1 (en) * 2000-07-13 2002-10-29 3M Innovative Properties Company Clear adhesive sheet
US6759121B2 (en) * 2000-07-13 2004-07-06 3M Innovative Properties Company Clear adhesive sheet
US6461728B2 (en) * 2000-12-29 2002-10-08 3M Innovative Properties Company Gamma radiation polymerized emulsion-based (meth)acrylate pressure sensitive adhesives and methods of making and using same
JP3987720B2 (ja) * 2001-12-19 2007-10-10 日東電工株式会社 クリーニングシートおよびこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法
JP4518535B2 (ja) * 2003-07-01 2010-08-04 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート用粘着剤、ダイシング用粘着シート、半導体素子の製造方法、半導体素子
JP4643360B2 (ja) * 2005-05-24 2011-03-02 株式会社イーテック 粘着性樹脂組成物、並びに粘着シートおよびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10310748A (ja) * 1997-05-12 1998-11-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体ウエハ加工用粘着シート
JP2001203255A (ja) * 2000-01-21 2001-07-27 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ保持保護用粘着シート
JP2003138228A (ja) * 2001-11-02 2003-05-14 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ保護用粘着シート

Also Published As

Publication number Publication date
TW200801155A (en) 2008-01-01
JP2007302797A (ja) 2007-11-22
JP5057697B2 (ja) 2012-10-24
US7727811B2 (en) 2010-06-01
EP1854856A1 (en) 2007-11-14
CN101070454B (zh) 2012-02-08
KR20070109910A (ko) 2007-11-15
TWI405834B (zh) 2013-08-21
US20070264498A1 (en) 2007-11-15
CN101070454A (zh) 2007-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101191475B1 (ko) 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트
KR101069787B1 (ko) 가공용 감압 접착제 시트
JP4711777B2 (ja) 粘着シートとその製造方法、及び、製品の加工方法
KR101058826B1 (ko) 다이싱용 활성 표면용 감압성 접착 테이프 또는 시트, 및 피가공물 칩의 픽업 방법
KR101330497B1 (ko) 반도체 웨이퍼 및/또는 기판 가공용 점착 시트
EP1918345B1 (en) Adhesive sheet for water jet laser dicing
KR101395489B1 (ko) 반도체 기판 가공용 점착 시트
KR101116535B1 (ko) 롤 형상 웨이퍼 가공용 점착 시트
JP4721834B2 (ja) 粘着シート及びこの粘着シートを用いた製品の加工方法
JP2007084722A (ja) 粘着シートとその製造方法、及び、製品の加工方法
KR20070027465A (ko) 점착 시트 및 이 점착 시트를 이용한 제품의 가공 방법
JP2011023396A (ja) 表面保護シート
JP2011018669A (ja) 半導体ウェハダイシング用粘着シート及び該粘着シートを用いる半導体ウェハのダイシング方法
JP2011054939A (ja) 半導体ウェハ保持保護用粘着シート及び半導体ウェハの裏面研削方法
KR20040030240A (ko) 점착 시트와 그의 제조방법, 상기 점착 시트의 사용방법,및 상기 점착 시트에 사용되는 다층 시트와 그의 제조방법
EP2141736A1 (en) Pressure-sensitive adhesive sheet for water jet laser dicing
EP1918343A1 (en) Adhesive sheet for water jet laser dicing
KR20080020968A (ko) 다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트,및 워크의 절단편의 픽업 방법
JP2003007646A (ja) ダイシング用粘着シートおよび切断片の製造方法
JP4689075B2 (ja) 半導体ウエハ加工用保護シート
KR20090122915A (ko) 반도체 기판 가공용 점착 시트
TWI493011B (zh) Die cutting with an adhesive film, and a method for manufacturing a cut sheet
JP2006232930A (ja) 粘着シートとその製造方法、及び、製品の加工方法
JP2005243702A (ja) 電子部品の製造方法および電子物品切断用両面粘着シート

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150917

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee