KR20080020968A - 다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트,및 워크의 절단편의 픽업 방법 - Google Patents

다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트,및 워크의 절단편의 픽업 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20080020968A
KR20080020968A KR1020070088568A KR20070088568A KR20080020968A KR 20080020968 A KR20080020968 A KR 20080020968A KR 1020070088568 A KR1020070088568 A KR 1020070088568A KR 20070088568 A KR20070088568 A KR 20070088568A KR 20080020968 A KR20080020968 A KR 20080020968A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sensitive adhesive
pressure
sheet
dicing
adhesive tape
Prior art date
Application number
KR1020070088568A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101296006B1 (ko
Inventor
유지 오카와
토모카즈 다카하시
후미테루 아사이
토시오 신타니
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20080020968A publication Critical patent/KR20080020968A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101296006B1 publication Critical patent/KR101296006B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/08—Macromolecular additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J139/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J139/04—Homopolymers or copolymers of monomers containing heterocyclic rings having nitrogen as ring member
    • C09J139/06—Homopolymers or copolymers of N-vinyl-pyrrolidones
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2666/00—Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
    • C08L2666/02—Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
    • C08L2666/14—Macromolecular compounds according to C08L59/00 - C08L87/00; Derivatives thereof
    • C08L2666/22—Macromolecular compounds not provided for in C08L2666/16 - C08L2666/20
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/408—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components additives as essential feature of the adhesive layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

본 발명은 기재 및 상기 기재의 적어도 한 면에 배치된 감압성 점착제층을 포함하는 다이싱용 감압성 점착 테이프 또는 시트에 관한 것으로서, 상기 기재의 적어도 한 면에 배치된 감압성 점착제층은 총 성분을 기준으로 2 내지 12 중량%의 양의 히드록시기 또는 이의 유도체를 보유하는 화합물을 함유하고, 상기 감압성 점착 테이프 또는 시트는 자연 산화막으로 전부 피복되지 않은 상태의 활성 표면에 도포된다. 상기 히드록시기 또는 이의 유도체를 보유하는 화합물은 바람직하게는 폴리알킬렌 글리콜 또는 이의 유도체이다. 상기 감압성 점착제층은 바람직하게는 방사선 경화성 감압성 점착제층이다.
감압성 점착 테이프 또는 시트, 감압성 점착제층, 히드록시기, 다이싱, 픽업

Description

다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트, 및 워크의 절단편의 픽업 방법{PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE TAPE OR SHEET FOR APPLICATION TO ACTIVE SURFACE IN DICING AND METHOD OF PICKING UP CUT PIECES OF WORK}
본 발명은 다이싱(dicing)용 활성 표면 도포용 감압성 점착(pressure-sensitive adhesive) 테이프 또는 시트 및 상기 감압성 점착 테이프 또는 시트를 이용하여 워크(work)의 절단편(cut pieces)을 픽업(picking up)하는 방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트에 관한 것으로 규소 화합물, 게르마늄 화합물, 또는 갈륨-비소 화합물과 같은 화합물을 포함하는 물질로 제조된 워크(예를 들어, 반도체 웨이퍼, 반도체 패키지, 유리, 또는 세라믹)를 다이싱하고 생성된 절단편을 픽업할 때, 상기 테이프 또는 시트를 자연 산화막(native oxide film)으로 전부 피복되지 않은 상태의 워크의 활성 표면에 도포하는 방식으로 사용된다. 본 발명은 또한 상기 감압성 점착 테이프 또는 시트를 사용하여 워크의 절단편을 픽업하는 방법에 관한 것이다.
지금까지 사용되는 일반적인 방법에서는, 실리콘 화합물, 게르마늄 화합물, 또는 갈륨-비소 화합물과 같은 화합물을 포함하는 물질로 제조된 반도체 웨이퍼는 지름이 큰 형태로 제조되어서, 그 후 소정의 두께를 얻도록 이면 연삭단계(back grinding)를 거치고, 그리고 그 후 필요에 따라 이면 가공단계(예를 들어, 에칭 또는 연마)를 거치게 된다. 이어서, 다이싱용 감압성 점착 테이프 또는 시트를 반도체 웨이퍼의 이면에 도포한다. 그 후, 상기 웨이퍼를 소자 칩(device chip) 칩으로 절단(다이싱)한 후, 세척 단계, 확장 단계, 픽업 단계, 및 장착 단계 등의 다양한 단계를 거치게 된다.
일반적으로 다이싱용 감압성 점착 테이프 또는 시트는 플라스틱 필름 등으로 구성된 기재, 및 아크릴 감압성 점착제와 같은 감압성 점착제 조성물을 도포하고 건조함으로써 상기 기재 위에 형성되는 감압성 점착제층(약 1 내지 50 ㎛의 두께)을 함유하는 구성을 갖는다. 상기 다이싱용 감압성 점착 테이프 또는 시트는 다이싱 중에 반도체 웨이퍼가 상기 테이프 또는 시트로부터 분리되는 것을 방지할 수 있을 만큼 충분한 점착력을 가질 것이 요구된다. 이러한 관점에서, 다이싱용으로 지금까지 일반적으로 사용되어 온 감압성 점착 테이프 또는 시트는 예를 들어, 실리콘 미러 웨이퍼(silicon mirror wafer)의 픽업에서 2.5(N/25㎜ 폭) 이상의 박리 점착력(15°의 박리각; 150 ㎜/분의 인상(pulling) 속도; 23℃의 도포 온도; 23℃의 박리 온도)을 갖는다. 한편, 상기 점착력은 다이싱 후 픽업에서 반도체 웨이퍼가 파괴되지 않고 상기 테이프 또는 시트로부터 쉽게 분리될 수 있을 정도로 낮을 것이 요구된다. 또한, 다이싱용 감압성 점착 테이프 또는 시트로서 요구되는 가장 중요한 특성 중 하나는 오염을 덜 야기시키는 특성으로, 예를 들어, 반도체 칩 상에 점착제 잔류물이 남지 않아야 한다 (감압성 점착제층 내의 성분이 점착면 상에 잔류하는 현상). 이러한 특성을 갖는 다이싱용 감압성 점착 테이프 또는 시트로 개시된 것은 예를 들어, 105 이하의 분자량을 갖는 저분자 성분의 함량이 10 중량% 이하인 중합체로 구성된 감압성 점착제층을 갖는 재박리용(removable) 감압성 점착 시트이다(JP-A-2001-234136 참조).
부수적으로, 상기 픽업 단계는 반도체 칩 사이의 공간을 늘려주는 확장 단계 후에 통상 수행된다. 상기 확장 단계는 반도체 칩이 다이싱용 감압성 점착 테이프 또는 시트로부터 쉽게 분리되도록 만드는 단계이다. 예를 들어, 다이싱용 감압성 점착 테이프 또는 시트를 어느 정도 연신된(stretched) 상태로 유지시키는 단계 및 픽업할 반도체 칩을 받쳐주는 다이싱용 감압성 점착 테이프 또는 시트의 점 영역(point area) 또는 선 영역(linear area)을 들어올리는 단계를 통해, 이러한 확장 단계가 수행된다. 최근에 주로 사용되는 방법에서는, 반도체 칩을 용이하게 분리가능한 상태로 두고, 상면을 흡인으로(진공 유지) 붙들고 픽업한다.
그러나, 최근, 공정 소요시간(tact time)의 개선, 두께가 감소된 갖는 반도체 웨이퍼의 파괴 방지 등의 목적으로, 웨이퍼 이면 연삭 단계의 완료 후 또는 웨이퍼 이면 연삭 단계의 완료 및 이어지는 연삭 분진층 제거 단계(기계적 연삭 분진층 제거 단계, 화학적 연삭 분진층 제거 단계, 또는 둘 모두에 의한 연삭 분진층 제거 단계) 후 수시간 내에 반도체 웨이퍼를 다이싱용 감압성 점착 테이프 또는 시트에 결합시키는 경우가 빈번해졌다. 상기 연삭 분진층 제거 단계의 예는 건식 연마 처리법, 소위 "CMP" 처리법, 습식 에칭 처리법, 및 건식 에칭 처리법과 같은 다 양한 처리법을 포함한다.
따라서, 다이싱용 감압성 점착 테이프 또는 시트를 웨이퍼 이면 연삭 단계의 완료 후 수시간 내에 또는 연삭 후의 연삭 분진층 제거 단계의 완료 후 수시간 내에 반도체 웨이퍼의 연삭된 표면(가공된 표면)에 도포할 경우에, 도포 후 시간이 지남에 따라서(시간 경과에 따라) 점착력이 증가하여, 그 결과 픽업 적합성이 감소되는 문제점이 있다. 이는 아마도 다음의 이유인 것으로 추정된다. 반도체 웨이퍼의 연삭된 표면이 자연 산화막으로 전부 피복되지 않았고, 상기 반도체 웨이퍼의 연삭된 표면은 비산화 상태의 활성 원자가 존재하는 활성 표면이기 때문이다. 다이싱용 감압성 점착 테이프 또는 시트를 자연 산화막으로 전부 피복되지 않은 이러한 활성 표면에 도포해왔기 때문에, 비산화 상태의 활성 원자(예를 들어, 규소 원자)가 감압성 점착제층의 성분과 반응하여 비산화 활성 원자와 감압성 점착제층의 성분 사이에 화학 결합이 형성되어 전술한 문제로 어려움을 겪어 온 것이다.
발명의 요약
따라서, 본 발명의 목적은 다이싱에 사용되는 경우 다이싱을 만족스럽게 수행할 수 있게 하고, 그리고 장기간 동안 활성 표면과 점착을 유지했을 때에도, 절단편을 쉽게 픽업할 수 있게 하는, 다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트를 사용하는 단계를 포함하는 워크의 절단편의 픽업 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 발명자들은 이러한 목적을 달성하기 위하여 광범위한 연구를 수행하였다. 그 결과, 히드록시기 또는 이의 유도체를 보유하는 소정량의 화합물을 함유하는 감압성 점착제층을 갖는 다이싱용 감압성 점착 테이프 또는 시트의 사용이 반도체 웨이퍼의 다이싱이 만족스럽게 수행될 수 있게 함을 발견하였고, 그리고 웨이퍼의 이면 연삭 단계(이면 가공 단계) 직후, 반도체 웨이퍼의 활성 표면인 연삭된 표면에 이러한 다이싱용 감압성 점착 테이프 또는 시트가 도포되는 경우, 이러한 감압성 점착 테이프 또는 시트가 장기간이 지난 후에도 쉽게 박리될 수 있음을 발견하였다. 본 발명은 이러한 발견을 기초로 완성되었다.
발명의 상세한 설명
즉, 본 발명은 하기에 관한 것이다.
(1) 기재 및 상기 기재의 적어도 한 면 위에 배치된 감압성 점착제층을 포함하는 다이싱용 감압성 점착 테이프 또는 시트로서,
상기 기재의 적어도 한 면 위에 배치된 상기 감압성 점착제층은 총 성분을 기준으로 2 내지 12 중량%의 양의 히드록시기 또는 이의 유도체를 보유하는 화합물을 함유하고,
상기 감압성 점착 테이프 또는 시트는 자연 산화막으로 전부 피복되지 않은 상태의 활성 표면에 도포되는 것인 감압성 점착 테이프 또는 시트.
(2) (1)에 있어서, 상기 히드록시기 또는 이의 유도체를 보유하는 화합물이 폴리알킬렌 글리콜 또는 이의 유도체인 감압성 점착 테이프 또는 시트.
(3) (2)에 있어서, 상기 폴리알킬렌 글리콜이 폴리에틸렌 글리콜 또는 폴리프로필렌 글리콜인 감압성 점착 테이프 또는 시트.
(4) (2)에 있어서, 상기 폴리알킬렌 글리콜이 폴리프로필렌 글리콜인 감압성 점착 테이프 또는 시트.
(5) (1)에 있어서, 상기 감압성 점착제층이 방사선 경화성 감압성 점착제층인 감압성 점착 테이프 또는 시트.
히드록시기 또는 이의 유도체를 보유하는 화합물은 바람직하게는 폴리알킬렌 글리콜 또는 이의 유도체이다. 상기 폴리알킬렌 글리콜은 바람직하게는 폴리에틸렌 글리콜 또는 폴리프로필렌 글리콜이다. 상기 감압성 점착제층은 바람직하게는 방사선 경화성 감압성 점착제층이다.
본 발명은 또한 하기에 관한 것이다.
(6) (1)에 따른 감압성 점착 테이프 또는 시트를 워크의 활성 표면에 도포하고, 상기 워크를 다이싱 하는 단계, 그리고 그 후 생성된 워크의 절단편을 픽업하 는 단계를 포함하는 워크의 절단편의 픽업 방법.
(7) (6)에 있어서, 상기 워크가 100 ㎛ 미만의 두께를 갖는 반도체 웨이퍼인 방법.
이러한 방법에서, 상기 워크는 바람직하게는 100 ㎛ 미만의 두께를 갖는 반도체 웨이퍼이다.
본 발명은 또한 하기에 관한 것이다.
(8) 반도체 웨이퍼의 다이싱 및 생성된 절단편의 픽업에 의해 제조되는 반도체 장치로서, 상기 반도체 장치는 (6)에 따른 방법에 의해 얻어질 수 있는 것인 반도체 장치.
본 명세서에서, 용어 "(메타)아크릴 에스테르"는 아크릴 에스테르 및/또는 메타크릴 에스테르를 의미한다. 여기서 용어 "(메타)"는 모든 경우에 동일한 의미를 갖는다.
본 발명의 다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트가 상기한 구성을 가지기 때문에, 이러한 감압성 점착 테이프 또는 시트와의 다이싱은 만족스럽게 수행될 수 있고, 상기 감압성 점착 테이프 또는 시트는 장기간에 걸쳐서 활성 표면과 점착을 유지하고 난 후에도 절단편이 쉽게 픽업될 수 있게 한다.
본 발명의 다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트는 기재 및 상기 기재의 적어도 한 면에 배치된 감압성 점착제층을 포함하고, 상기 기재의 적어도 한 면에 배치된 감압성 점착제층은 총 성분을 기준으로 2 내지 12 중량%의 양의 히드록시기 또는 이의 유도체(흔히 "히드록시 화합물"로 지칭됨)를 보유하는 화합물을 함유한다. 본 발명의 감압성 점착 테이프 또는 시트 내의 기재의 적어도 한 면에 배치된 감압성 점착제층이 총 성분을 기준으로 2 내지 12 중량%의 양의 히드록시 화합물을 함유하기 때문에, 하기하는 효과를 발생시킨다. 이러한 감압성 점착 테이프 또는 시트가 자연 산화막으로 전부 피복되지 않은 상태이고 비산화 상태의 활성 원자(흔히 "활성 원자"로 지칭됨)를 갖는 표면(활성 표면)에 도포되는 경우, 감압성 점착제층의 표면 위의 소정량의 히드록시 화합물의 존재로 인하여, 감압성 점착제층을 구성하는 감압성 점착제의 베이스 중합체와 이러한 활성 원자와의 화학 결합 형성이 저해되거나 방지될 수 있다. 또한, 예를 들어, 감압성 점착제층이 방사선 경화성 감압성 점착제로 구성되는 것인 경우(방사선 경화성 감압성 점착제층), 감압성 점착제층의 표면 위의 히드록시 화합물의 존재로 인하여, 방사선 조사로 경화 반응이 일어날 때에 이러한 방사선 경화성 감압성 점착제층 내의 방사선 경화성 성분(예를 들어, 방사선 경화성 올리고머)과 활성 원자와의 화학 결합 형성이 저해하거나 방지될 수 있다. 어떠한 경우에는, 감압성 점착제층의 표면 위의 히드록시 화합물의 존재가 히드록시 화합물과 활성 원자 사이의 화학 결합의 형성을 가져오고, 이에 따라 활성 표면 위에 존재하는 활성 원자의 활성이 감소되는 것도 생각할 수 있다. 따라서, 본 발명의 감압성 점착 테이프 또는 시트가 장기간에 걸쳐 활성 표면과 점착이 유지되는 경우에도, 활성 표면과 감압성 점착제층의 표면 사이의 점착력이 너무 커지는 것을 저해하거나 방지할 수 있고, 절단편이 쉽게 픽업될 수 있다.
본 발명의 감압성 점착 테이프 또는 시트가 감압성 점착제층이 히드록시 화 합물을 적당한 비율로 함유하는 감압성 점착제층의 구성을 가지기 때문에, 적당한 점착력을 나타낼 수 있다. 따라서, 본 발명의 감압성 점착 테이프 또는 시트가 반도체 웨이퍼의 다이싱에 사용되는 경우, 절단편의 스캐터링(scattering)(또는 쉐딩(shedding))이 저해되거나 방지될 수 있고, 웨이퍼는 만족스럽게 다이싱될 수 있다.
본 명세서에서, 용어 "활성 표면"은 자연 산화막으로 전부 피복되지 않은 상태의 표면을 의미한다. 특히, 상기 용어는 자연 산화막으로 전부 피복되지 않고 비산화 상태의 활성 원자(예를 들어, 감압성 점착제층의 성분과 반응하는 원자)가 존재하는 표면을 의미한다.
히드록시 화합물
히드록시 화합물(히드록시기 또는 이의 유도체를 보유하는 화합물)은 분자 내에 하나 이상의 히드록시기를 보유하는 화합물이거나, 상기 화합물의 유도체인 한 특별히 한정되지 않는다. 히드록시기 또는 이의 유도체를 보유하는 통상적인 화합물로부터 적절하게 선택될 수 있다. 히드록시 화합물의 특정 예는 폴리알킬렌 글리콜 또는 이의 유도체(예를 들어, 에테르 글리콜 및 에스테르 글리콜), 다가 알코올 또는 이의 유도체(예를 들어, 다가 알코올 에테르 및 다가 알코올 에스테르), 당류 또는 이의 유도체, 일가 알코올 또는 이의 유도체, 증점 다당류(thickening saccharide) 또는 이의 유도체, 및 히드록시 카르복실산 또는 이의 유도체(알칼리 금속염 및 에스테르)를 포함한다. 이러한 히드록시 화합물은 단독으로 또는 이의 2 이상의 조합으로 사용될 수 있다.
본 발명에서, 히드록시 화합물로서 분자 내에 2 이상의 히드록시기를 보유하는 폴리올 화합물 또는 이의 유도체(특히, 폴리에테르 폴리올 화합물 또는 이의 유도체)를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 히드록시 화합물은 바람직하게는 폴리알킬렌 글리콜 또는 이의 유도체, 다가 알코올 또는 이의 유도체, 또는 당류 또는 이의 유도체와 같은 폴리올 화합물 또는 이의 유도체이다. 특히, 폴리알킬렌 글리콜 또는 이의 유도체와 같은 폴리에테르 폴리올 화합물 또는 이의 유도체가 바람직하다.
더욱 구체적으로, 폴리알킬렌 글리콜의 예는 폴리에틸렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 폴리테트라메틸렌 글리콜, 및 에틸렌 글리콜/프로필렌 글리콜 공중합체를 포함한다. 폴리알킬렌 글리콜 유도체의 예는 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르(예를 들어, 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르) 및 폴리옥시프로필렌 알킬 에테르(예를 들어, 폴리옥시프로필렌 라우릴 에테르)와 같은 폴리옥시알킬렌 알킬 에테르; 폴리옥시에틸렌 아릴 에테르(예를 들어, 폴리옥시에틸렌 페닐 에테르) 및 폴리옥시프로필렌 아릴 에테르(예를 들어, 폴리옥시프로필렌 페닐 에테르)와 같은 폴리옥시알킬렌 아릴 에테르; 및 폴리옥시에틸렌 지방산 에스테르 및 폴리옥시프로필렌 지방산 에스테르와 같은 폴리옥시알킬렌 지방산 에스테르를 포함한다.
폴리알킬렌 글리콜 및 이의 유도체 중 바람직한 것은 폴리알킬렌 글리콜이다. 폴리알킬렌 글리콜 중 바람직한 것은 폴리에틸렌 글리콜 및 폴리프로필렌 글리콜이다. 폴리프로필렌 글리콜이 특히 바람직하다.
이러한 폴리알킬렌 글리콜 및 이의 유도체에서, 각 폴리알킬렌 글리콜의 수 평균 분자량은 감압성 점착제의 베이스 중합체의 친화력 등에 따라 적절히 결정될 수 있다. 그러나, 폴리알킬렌 글리콜의 수 평균 분자량은 바람직하게는 3,000 이하, 더욱 바람직하게는 2,000 이하(특히 1,000 이하)이다. 폴리알킬렌 글리콜의 수 평균 분자량의 하한은 특별히 한정되지 않고, 폴리알킬렌 글리콜의 종류에 따라 적절하게 결정될 수 있다. 예를 들어, 폴리알킬렌 글리콜은 반복 유닛으로서의 알킬렌 글리콜 유닛의 수가 4인 분자량을 가질 수 있다. 따라서, 폴리알킬렌 글리콜이 폴리프로필렌 글리콜인 경우, 폴리프로필렌 글리콜의 수 평균 분자량은 예를 들어, 300 이상, 바람직하게는 400 이상(더욱 바람직하게는 500 이상)일 수 있다.
다가 알코올의 예는 글리세롤, 폴리글리세롤(예를 들어, 디글리세롤 또는 3 이상의 글리세롤 분자로 이루어진 폴리글리세롤), 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 트리프로필렌 글리콜, 1,3-프로판디올, 1,3-부탄디올, 1,4-부탄디올, 1.5-펜탄디올, 네오펜틸 글리콜, 1,6-헥산디올, 펜타에리스리톨, 트리메틸올에탄, 및 트리메틸올프로판을 포함한다. 다가 알코올 유도체의 예는 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 및 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르와 같은 글리콜 에테르; 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 및 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트와 같은 글리콜 에테르 아세테이트; 에틸렌 글리콜 지방산 에스테르 및 프로필렌 글리콜 지방산 에스테르와 같은 글리콜 에스테르; 및 글리세롤 지방산 에스테르 및 폴리글리세롤 지방산 에스테르와 같은 글리세롤 화합 물 지방산 에스테르를 포함한다.
당류 또는 이의 유도체의 예는 에리스로오스, 트레오스, 리보오스, 아라비노오스, 자일로오스, 릭소오스, 알로오스, 알트로오스, 글루코오스, 만노오스, 굴로오스, 아이도오스, 갈락토오스, 탈로오스, 에리스루로오스, 리불로오스, 자이룰로오스, 프사이코스, 프럭토오스, 소르보오스, 및 타가토오스와 같은 단당류 및 이의 유도체(예를 들어, 디옥시당, 아미노당, 분지형당, 산, 및 락톤)를 포함한다. 이의 예는 다당류[예를 들어, 이소말토오스, 겐티오비오스, 수크로오스, 셀로비오스, 소포로오스, 트레할로오스, 이로트레할로오스, 팔라티노오스, 말토오스, 멜리비오스, 및 락토오스와 같은 이당류; 말토트리오스 및 이소말토트리오스와 같은 삼당류; 및 말토테트라오스와 같은 사당류], 시클로덱스트린, 올리고당류, 및 당 알코올(예를 들어, 에리스리톨, 트레이톨, 리비톨, 아라비톨, 자일리톨, 알리톨, 알트리톨, 글루시톨, 만니톨, 이디톨, 갈락티톨, 소르비톨, 이소말티톨, 말티톨, 락티톨, 말토트리톨, 및 이소말토트리톨)을 더욱 포함한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 감압성 점착 테이프 또는 시트는 기재 및 상기 기재의 적어도 한 면에 배치된 감압성 점착제층을 포함하고, 상기 감압성 점착제층은 총 성분을 기준으로 2 내지 12 중량%의 양의 히드록시 화합물을 함유한다(이러한 감압성 점착제층은 흔히 "히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층"으로 지칭됨). 도 1은 본 발명의 감압성 점착 테이프 또는 시트의 한 구체예를 나타내는 도식적 단면도이다. 도 1 에서, 도면 번호 1은 다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트를 나타내고, 도면 번호 2는 기재를 나타내고, 도면 번호 3 은 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층을 나타내고, 그리고 도면 번호 4는 격리판(separator)을 나타낸다. 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층(3)은 총 성분을 기준으로 2 내지 12 중량%의 양의 히드록시 화합물을 함유하는 감압성 점착제층이다. 도 1에 도시한 감압성 점착 테이프 또는 시트(1)는 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층(3) 및 격리판(4)이 기재(2)의 일면 위에 상기 순서대로 중첩된 구성(즉, 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층(3)이 기재(2)의 일면 위에 형성되고, 이 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층(3)이 격리판(4)으로 보호되는 구성)을 갖는다.
도 1에 도시한 감압성 점착 테이프 또는 시트가 기재의 일면 위에 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층을 갖지만, 본 발명의 감압성 점착 테이프 또는 시트가 이 구체예에서 한정되는 바와 같이 구성되어야 하는 것은 아니다. 예를 들어, 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층이 기재의 양면에 형성된 구성을 가질 수 있다.
기재
다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트 내의 기재는 강한 기초로 작용한다. 기재는 임의의 플라스틱으로 제조된 기재, 금속으로 제조된 기재, 섬유로 제조된 기재, 종이로 제조된 기재 등이 가능하다. 그러나, 플라스틱으로 제조된 기재를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 플라스틱으로 제조된 기재의 예는 플라스틱으로 제조된 필름 또는 시트를 포함한다. 상기 플라스틱 필름 또는 시트를 구성하는 물질의 예는 폴리올레핀 수지(예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌, 선형 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 프로필렌 랜덤 공중합체, 프로필렌 블록 공중합체, 프로필렌 단독중합체, 폴리부텐, 및 폴리메틸펜텐), 에틸렌/비닐 아세테이트 공중합체, 이오노머 수지, 에틸렌/(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌/(메타)아크릴 에스테르 공중합체(예를 들어, 랜덤 공중합체 및 교호 공중합체), 에틸렌/부텐 공중합체, 에틸렌/헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에스테르 수지(예를 들어, 폴리(에틸렌 테레프탈레이트), 폴리(에틸렌 나프탈레이트), 폴리(부틸렌 테레프탈레이트), 및 폴리(부틸렌 나프탈레이트)), 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에테르케톤, 폴리에테르, 폴리에테르술폰, 폴리스티렌 수지(예를 들어, 폴리스티렌), 폴리(염화비닐), 폴리(염화비닐리덴), 폴리(비닐 알콜), 폴리(비닐 아세테이트), 염화비닐/비닐 아세테이트 공중합체, 폴리카르보네이트, 플루오로수지, 실리콘 수지, 셀룰로오스 수지, 및 이러한 수지들을 가교결합하여 얻은 물질을 포함한다. 이러한 구성 물질은 단독으로 또는 이의 2 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 상기 플라스틱 필름 또는 시트의 구성 물질은 필요에 따라 이에 혼입된 작용기를 갖거나, 또는 작용 단량체 또는 변형 단량체가 그래프팅된 것일 수 있다.
상기 플라스틱 기재의 표면은 인접층(들)(예를 들어, 상기 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층)에 대해 강화된 점착성 또는 보유성을 갖도록 통상적인 또는 일반적인 표면 처리법(예를 들어, 코로나 방전 처리법, 크롬산 처리법, 오존 노출 처리법, 화염 노출 처리법, 고압 전기충격 노출 처리법, 또는 전리 방사선 처리법, 언더코트 코팅법, 프라이밍(priming), 매팅(matting), 또는 가교결합과 같은 화학 적 또는 물리적 처리법)으로 처리될 수 있다. 상기 플라스틱 기재는 대전성을 갖도록 금속, 합금 또는 이들의 산화물과 같은 전도성 물질의 기상 증착층을 가질 수 있다. 이러한 전도성 물질의 기상 증착층의 두께는 일반적으로 약 30 내지 500 Å이다.
기재의 적어도 한 면 위에 형성된 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층이 방사선 조사로 경화되는 방사선 경화성 감압성 점착제층인 경우, 기재는 바람직하게는 적어도 부분적으로 방사선(예를 들어, X-선, 자외선 또는 전자 빔)을 투과시키는 것으로, 상기 방사선-경화성 감압성 점착제층은 기재 면으로부터 나오는 방사선 조사로 경화될 수 있다.
상기 기재는 단일층 구성 또는 다층 구성을 가질 수 있다. 상기 기재는 통상적인 첨가제 또는 성분, 예를 들어, 충전제, 난연제, 노화 방지제, 대전 방지제, 유연제, 자외선 흡수제, 항산화제, 가소제, 및 계면 활성제를 필요에 따라 함유할 수 있다.
기재를 성형하는 방법은 특별히 한정되는 것은 아니며, 통상적이거나 일반적인 성형법으로부터 적절하게 선택된 것을 사용할 수 있다. 플라스틱 기재를 성형하는 방법의 예는 캘린더링에 의한 필름 성형법, 캐스팅에 의한 필름 성형법, 인플레이션 압출법, 및 T-다이 압출법을 포함한다. 여러 중첩된 층으로 이루어진 구성을 갖는 플라스틱 기재의 경우, 공압출법 또는 건식 적층법과 같은 적층 기법을 통해 성형될 수 있다. 상기 플라스틱 기재는 비연신 상태일 수 있고 또는 연신 처리되어 단축 또는 이축으로 연신된 상태일 수 있다.
상기 기재의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니며 적절하게 결정될 수 있다. 그러나, 두께는 예를 들어, 10 내지 300 ㎛, 바람직하게는 30 내지 200 ㎛이다.
히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층
본 발명의 다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트에서, 기재의 적어도 한 면 위의 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층은 총 성분을 기준으로 2 내지 12 중량%의 양의 히드록시 화합물을 함유하는 감압성 점착제 조성물로 구성되는 것이 중요하다. 이러한 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층의 두께가 특히 한정되는 것은 아니다. 그러나, 1 내지 50 ㎛가 바람직하다. 감압성 점착 테이프 또는 시트가 결합된 워크가 다이싱 중에 진동하는 경우가 있다. 이러한 경우, 진동의 폭이 크면, 워크의 절단편(칩)은 칩일 수 있다. 그러나, 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층의 두께를 50 ㎛ 이하로 조절함으로써, 워크 다이싱에서 발생하는 진동의 폭이 너무 크게 되는 것을 저해할 수 있다. 결과적으로, 칩이 칩핑을 겪게 되는 현상의 감소(소위 "칩핑"의 감소)가 효과적으로 달성될 수 있다. 또한, 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층의 두께를 1 ㎛ 이상으로 조절함으로써, 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층이 결합된 워크는 다이싱 중에 점착제층으로부터 쉽게 분리되는 것을 방지할 수 있을 만큼 실패없이 붙어있을 수 있다. 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층의 두께는 특히 바람직하게는 3 내지 20 ㎛이다. 따라서, 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층의 두께를 3 내지 20 ㎛로 조절함으로써, 다이싱 중의 칩핑을 더욱 감소시킬 수 있고, 워크가 다이싱 중에 더 확실하게 고정될 수 있다. 결과로서, 다이싱 실패의 발생이 효과적으로 저해되거나 방지될 수 있다.
본 발명에 사용되는 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층은 바람직하게는 실리콘 미러 웨이퍼에 도포시 2.3(N/25㎜ 폭) 이하의 박리 점착력(15°의 박리각; 150 ㎜/분의 인상 속도; 23±3℃의 온도)을 갖도록 조절할 수 있는 것이다. 점착력(실리콘 미러 웨이퍼에 도포시 15°의 박리각; 150 ㎜/분의 인상 속도; 23±3℃)이 2.3(N/25㎜ 폭) 이하로 조절될 수 있는 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층인 경우, 이러한 감압성 점착 테이프 또는 시트는 만족스러운 픽업 적합성을 갖고, 점착제 이동(감압성 점착제의 성분의 잔류)을 감소시키는데 효과적이다. 따라서, 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층은 2.3(N/25㎜ 폭) 이하의 점착력(실리콘 미러 웨이퍼에 도포시 15°의 박리각; 150 ㎜/분의 인상 속도; 23±3℃)을 갖도록 이미 조절된 것일 수 있고, 또는 점착력(실리콘 미러 웨이퍼에 도포시 15°의 박리각; 150 ㎜/분의 인상 속도; 23±3℃)을 2.3(N/25㎜ 폭) 이하로 감소시킬 수 있는 것일 수도 있다. 이러한 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층을 형성하기 위한 감압성 점착제는 통상적인 감압성 점착제로부터 적절하게 선택될 수 있다.
히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층에서, 실리콘 미러 웨이퍼에 도포시의 박리 점착력(15°의 박리각; 150 ㎜/분의 인상 속도; 23±3℃의 온도)은 바람직하게는 1.0(N/25㎜ 폭) 이상, 더욱 바람직하게는 1.1(N/25㎜ 폭) 이상, 특히 바람직하게는 1.2(N/25㎜ 폭) 이상이다. 실리콘 미러 웨이퍼에 도포시 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층의 박리 점착력(15°의 박리각; 150 ㎜/분의 인상 속도; 23±3℃의 온도)이 1.0(N/25㎜ 폭) 미만인 경우, 워크의 다이싱시 절단편이 스캐터링되 는 경우가 있다.
따라서, 본 발명의 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층이 2.3(N/25㎜ 폭) 이하의 점착력(실리콘 미러 웨이퍼에 도포시 15°의 박리각; 150 ㎜/분의 인상 속도; 23±3℃)을 갖도록 이미 조절된 것인 경우[즉, 점착력(실리콘 미러 웨이퍼에 도포시 15°의 박리각; 150 ㎜/분의 인상 속도; 23±3℃)이 다이싱시 2.3(N/25㎜ 폭) 이하인 감압성 점착제층인 경우], 이러한 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층의 점착력(실리콘 미러 웨이퍼에 도포시 15°의 박리각; 150 ㎜/분의 인상 속도; 23±3℃)은 바람직하게는 1.0 내지 2.3(N/25㎜ 폭), 더욱 바람직하게는 1.1 내지 2.2(N/25㎜ 폭), 특히 바람직하게는 1.2 내지 2.1(N/25㎜ 폭)이다.
본 발명에서, 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층은 바람직하게는 다이싱 시에 점착력(실리콘 미러 웨이퍼에 도포시 15°의 박리각; 150 ㎜/분의 인상 속도; 23±3℃)이 1.0 내지 2.3(N/25㎜ 폭)인 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층이다. 특히 바람직한 것은 다이싱 시에 점착력(실리콘 미러 웨이퍼에 도포시 15°의 박리각; 150 ㎜/분의 인상 속도; 23±3℃)이 1.0 내지 2.3(N/25㎜ 폭)이고, 픽업을 위한 준비에서 점착력이 더욱 감소될 수 있는 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층이다. 이러한 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층이 사용되는 경우, 다이싱은 생성된 절단편의 스캐터링(쉐딩)을 저해 또는 방지하면서 수행될 수 있고, 절단편은 감압성 점착 테이프 또는 시트로부터 쉽게 분리되고, 감압성 점착 성분이 절단편에 남아있는 것(즉, 점착제 이동)을 저해 또는 방지하면서 픽업될 수 있다.
히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층의 점착력은 하기 도 2에 도시하는 방 법으로 결정된다. 감압성 점착 테이프 또는 시트는 실리콘 미러 웨이퍼에 도포된다. 그 후, 23±3℃의 온도를 갖는 환경에서, 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층의 표면과 실리콘 미러 웨이퍼의 표면 사이의 각을 15°로 유지하면서, 상기 감압성 점착 테이프 또는 시트를 인상 방향 "a"로 150 ㎜/분의 인상 속도로 들어올려서 박리시킨다. 이러한 박리에 요구되는 응력이 측정된다. 응력의 최대값(측정의 초기 단계의 최고점에 상응하는 것을 제외한 최대 응력 값)을 기록한다. 이러한 최대 응력 값이 감압성 점착제층의 점착력(N/25㎜ 폭)으로 정의된다. 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층의 점착력을 실리콘 미러 웨이퍼의 사용으로 특정하는 이유는 실리콘 미러 웨리퍼가 일정한 표면 평활성(smoothness)을 가지며, 실리콘 미러 웨이퍼의 재료가 다이싱 및 픽업되는 워크로 사용되는 반도체 웨이퍼 등의 재료와 동일하기 때문이다. 점착력이 23±3℃의 측정 온도에서 결정되는 이유는 픽업이 일반적으로 상온(23℃)의 환경에서 수행되기 때문이다.
도 2는 감압성 점착 테이프 또는 시트의 점착력을 측정하는 방법을 나타내는 도식적 단면도이다. 도 2에서, 도면 번호 5는 실리콘 미러 웨이퍼를 나타내고, θ는 상기 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층(3)의 표면과 실리콘 미러 웨이퍼(5)의 표면 사이의 각도(박리각)를 나타낸다. a 표시는 감압성 점착 테이프 또는 시트(1)가 박리를 위해 들어올려지는 방향(인상 방향)을 가리킨다. 도면 번호 1 내지 3은 상기한 구체예에서와 같이 감압성 점착 테이프 또는 시트, 기재, 및 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층을 각각 나타낸다. 도 2에 도시한 방법에서, 실리콘 미러 웨이퍼(5)의 한 면에 도포된 감압성 점착 테이프 또는 시트(1)는 15°로 일정하게 유지되는 박리각 θ에서, 인상 방향 "a"로, 150 ㎜/분의 인상 속도로 들어올려서 박리된다. 이러한 점착력의 측정은 23℃의 분위기에서 이루어진다. 실리콘 미러 웨이퍼로 "CZN<100>2.5-3.5(4 인치)"(Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd.제조; 23℃에서 미러-연마된 실리콘 미러 웨이퍼)란 상표명으로 구입가능한 웨이퍼가 사용된다.
다이싱 중에 칩(절단편)의 쉐딩(스캐터링)의 방지, 픽업 중에 칩으로부터의 박리의 개선이란 관점에서, 본 발명의 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층은 점착물로서 반도체 부분(예를 들어, 반도체 웨이퍼)과 점착되는 경우에 칩 쉐딩을 방지할 수 있고, 픽업을 위한 준비에서 점착물에 도포되는 경우보다 더 낮은 점착력을 가지도록 만들 수 있는, 즉, 점착력(실리콘 미러 웨이퍼에 도포시 15°의 박리각; 150 ㎜/분의 인상 속도; 23±3℃; 65±5% RH)을 2.3(N/25㎜ 폭) 이하로 감소시킬 수 있는 것이 특히 바람직하다[이러한 점에서, 점착물에 도포시 이미 2.3(N/25㎜ 폭) 이하로 조절된 점착력(실리콘 미러 웨이퍼에 도포시 15°의 박리각; 150 ㎜/분의 인상 속도; 23±3℃; 65±5% RH)을 갖는 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층의 경우, 이러한 감압성 점착제층은 점착력이 더욱 감소될 수 있다]. 이러한 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층을 형성하는데 사용되는 감압성 점착제 조성물은 감압성 점착제 및 총 성분을 기준으로 2 내지 12 중량%의 히드록시 화합물을 함유하는 감압성 점착제 조성물인 것이 중요하다. 감압성 점착제의 예는 아크릴 감압성 점착제, 고무계 감압성 점착제, 실리콘 감압성 점착제, 폴리(비닐 에테르) 감압성 점착제, 우레탄 감압성 점착제, 폴리에스테르 감압성 점착제, 폴리아미드 감 압성 점착제, 에폭시 감압성 점착제, 및 플루오로수지 감압성 점착제를 포함한다. 이러한 감압성 점착제는 단독으로 또는 2 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층을 형성하는데 사용되는 감압성 점착제는 어떠한 형태도 가능하다. 예를 들어, 에멀션형 감압성 점착제, 용제계 감압성 점착제, 열 용융형 감압성 점착제(핫 멜트 감압성 점착제) 등과 같은 어떠한 형태의 감압성 점착제도 가능하다.
아크릴 감압성 점착제는 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층을 형성하기 위한 감압성 점착제로서 유리하게 사용될 수 있다. 아크릴 감압성 점착제는 주 성분또는 베이스 중합체로서 아크릴 중합체를 포함한다. 아크릴 중합체는 주 단량체 성분으로서 (메타)아크릴 에스테르를 함유하는 하나 이상의 단량체로부터 제조되는 중합체(단독중합체 또는 공중합체)이다. 이의 예는 (메타)아크릴 에스테르의 중합체 및, 하나 이상의 (메타)아크릴 에스테르와 이 (메타)아크릴 에스테르와 공중합할 수 있는 하나 이상의 단량체(공중합화 가능한 단량체)를 공중합함으로써 얻어지는 공중합체를 포함한다. 공중합화 가능한 단량체의 사용에 의해, 아크릴 중합체의 응집력, 내열성, 및 기타 특성이 변형될 수 있다.
아크릴 중합체용 주 단량체 성분으로서 (메타)아크릴 에스테르의 예는 (메타)아크릴산의 알킬 에스테르, 예를 들어, 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 프로필 (메타)아크릴레이트, 이소프로필 (메타)아크릴레이트, 부틸 (메타)아크릴레이트, 이소부틸 (메타)아크릴레이트, s-부틸 (메타)아크릴레이트, t-부틸 (메타)아크릴레이트, 펜틸 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, 헵틸 (메타)아크릴레이트, 옥틸 (메타)아크릴레이트, 이소옥틸 (메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메타)아크릴레이트, 노닐 (메타)아크릴레이트, 이소노닐 (메타)아크릴레이트, 데실 (메타)아크릴레이트, 이소데실 (메타)아크릴레이트, 운데실 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트, 트리데실 (메타)아크릴레이트, 테트라데실 (메타)아크릴레이트, 펜타데실 (메타)아크릴레이트, 헥사데실 (메타)아크릴레이트, 헵타데실 (메타)아크릴레이트, 및 옥타데실 (메타)아크릴레이트; (메타)아크릴산의 시클로알킬 에스테르, 예를 들어, 시클로헥실 (메타)아크릴레이트; 및 (메타)아크릴산의 아릴 에스테르, 예를 들어 페닐 (메타)아크릴레이트를 포함한다. 이러한 (메타)아크릴 에스테르는 단독으로 또는 이의 2 이상의 조합으로 사용될 수 있다.
박리 점착력 등의 관점에서, 아크릴 중합체는 바람직하게는 -60℃ 이상, 더욱 바람직하게는 -20 내지 20℃의 유리 전이 온도(Tg)를 갖는다. 이러한 관점에서, 아크릴 중합체는 바람직하게는 주 단량체 성분으로서 -60℃ 이상의 유리 전이 온도를 갖는 단독중합체를 생성하는 (메타)아크릴 에스테르를 함유한다.
아크릴 중합체의 제조에서, 공중합화 가능한 단량체는 상기한 바와 같이 필요에 따라, 예를 들어, 응집력 및 내열성과 같은 특성을 변형하기 위한 목적으로 단량체 성분으로서 사용할 수 있다. 공중합화 가능한 단량체는 단독으로 또는 이의 2 이상의 조합으로 사용될 수 있다. 공중합화 가능한 단량체의 예는 히드록실 함유 단량체, 예를 들어, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 및 6-히드록시헥실 (메타)아크 릴레이트; 에폭시-함유 단량체, 예를 들어, 글리시딜 (메타)아크릴레이트; 카르복실-함유 단량체, 예를 들어, (메타)아크릴산(아크릴산 및 메타크릴산), 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 및 이소크로톤산; 산 무수물기를 함유하는 단량체, 예를 들어, 말레산 무수물 및 이타콘산 무수물; 아미드 단량체, 예를 들어, (메타)아크릴아미드, N,N-디메틸(메타)아크릴아미드, N-부틸(메타)아크릴아미드, N-메틸올(메타)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메타)아크릴아미드, N-메톡시메틸(메타)아크릴아미드, 및 N-부톡시메틸(메타)아크릴아미드; 아미노-함유 단량체, 예를 들어, 아미노에틸 (메타)아크릴레이트, N,N-디메틸아미노에틸 (메타)아크릴레이트, 및 t-부틸아미노에틸 (메타)아크릴레이트; 시아노-함유 단량체, 예를 들어, (메타)아크릴로니트릴; 올레핀 단량체, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔, 및 이소부틸렌; 스티렌 단량체, 예를 들어, 스티렌, α-메틸스티렌, 및 비닐톨루엔; 비닐 에스테르 단량체, 예를 들어, 비닐 아세테이트 및 비닐 프로피오네이트; 비닐 에테르 단량체, 예를 들어, 메틸 비닐 에테르 및 에틸 비닐 에테르; 하나 이상의 할로겐 원자를 함유하는 단량체, 예를 들어, 염화비닐 및 염화비닐리덴; 알콕시 함유 단량체, 예를 들어 메톡시에틸 (메타)아크릴레이트 및 에톡시에틸 (메타)아크릴레이트; 및 하나 이상의 질소 원자를 함유하는 고리를 갖는 단량체, 예를 들어, N-비닐-2-피롤리돈, N-메틸비닐피롤리돈, N-비닐피리딘, N-비닐피페리돈, N-비닐피리미딘, N-비닐피페라진, N-비닐피라진, N-비닐피롤, N-비닐이미다졸, N-비닐옥사졸, N-비닐모르포린, N-비닐카프로락탐, 및 N-(메타)아크릴로일모르포린을 포함한다.
필요에 따라, 다작용성 단량체가 가교결합 등의 목적을 위해 공중합화 가능한 단량체로 사용될 수 있다. 다작용성 단량체의 예는 1,6-헥산디올 (메타)아크릴레이트, (폴리)에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, (폴리)프로피렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 글리세롤 디(메타)아크릴레이트, 에폭시 (메타)아크릴레이트, 폴리에스테르 (메타)아크릴레이트, 우레탄 (메타)아크릴레이트, 디비닐벤젠, 부틸렌 디(메타)아크릴레이트, 및 헥실렌 디(메타)아크릴레이트를 포함한다.
또한, 에틸렌/비닐 아세테이트 공중합체, 비닐 아세테이트 중합체 등이 필요에 따라 공중합화 가능한 성분으로서 사용될 수 있다.
아크릴 중합체는 단일 단량체 성분 또는 2 이상의 단량체 성분의 혼합물을 중합화하여 제조될 수 있다. 중합화는 임의의 용액 중합법, 에멀션 중합법, 벌크 중합법, 서스펜션 중합법, 및 이의 유사법에 의해 수행될 수 있다.
예를 들어, 반도체 웨이퍼와 같은 워크의 오염을 방지하는 관점에서, 아크릴 중합체는 저분자 성분의 함량이 낮은 것이 바람직하다. 이러한 관점에서, 아크릴 중합체의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 300,000 이상(예를 들어, 300,000 내지 5,000,000), 더욱 바람직하게는 300,000 내지 3,000,000(특히, 500,000 내지 3,000,000)이다. 아크릴 중합체가 300,000 미만의 중량 평균 분자량을 갖는 경우, 감압성 점착 테이프 또는 시트는 반도체 웨이퍼와 같은 워크의 오염을 야기하지 않 는 특성이 감소하고, 활성 표면에 도포한 후 박리시 감압성 점착 테이프 또는 시트가 점착 잔류물을 남기는 경우가 있다.
가교제는 아크릴 중합체의 중량 평균 분자량을 높이기 위해 적절하게 사용될 수 있다. 가교제는 특별히 한정되는 것은 아니나, 통상적인 가교제(예를 들어, 폴리이소시아네이트 가교제, 에폭시 가교제, 아지리딘 화합물 가교제, 멜라민 수지 가교제, 요소 수지 가교제, 산 무수물 가교제, 폴리아민 가교제, 및 카르복실 함유 중합성 가교제)로부터 적절하게 선택된 하나를 사용할 수 있다. 사용되는 가교제의 양이 도포시 점착력을 과도하게 낮추지 않도록 결정하는 것이 중요하다. 예를 들어, 사용되는 가교제의 양은 바람직하게는 가교결합될 중합체(가교결합되지 않은 아크릴 중합체) 100 중량부 당 0.01 내지 5 중량부이다.
아크릴 중합체가 가교제로 가교결합되는 경우, 아크릴 중합체가 가교제와 반응성이 있는 작용기(예를 들어, 히드록실기 또는 카르복실기)를 가지고 있는 것이 중요하다.
히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층을 형성하기 위한 감압성 점착제 조성물은 통상적인 첨가제 또는 성분, 예를 들어, 점착 강화제, 노화 방지제, 충전제, 색소, 난연제, 대전 방지제, 유연제, 자외선 흡수제, 항산화제, 가소제, 및 계면 활성제를 필요에 따라 함유할 수 있다.
본 발명에서, 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층은 방사선 조사시 경화되는 방사선 경화성 감압성 점착제층일 수 있다. 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층이 방사선 경화성 감압성 점착제층인 경우, 하기 효과를 가져온다. 감압성 점착 테이프 또는 시트가 반도체 웨이퍼와 같은 점착물에 도포되는 경우, 이러한 감압성 점착제층은 우수한 감압성 점착 특성을 나타내고, 다이싱 중에 칩 쉐딩을 효과적으로 방지할 수 있다. 다른 한편, 이러한 감압성 점착제층이 방사선 조사에 의해 경화되는 경우, 점착력이 감소하고, 우수한 박리력을 나타내어, 칩 픽업이 효과적으로 수행될 수 있다. 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층이 방사선 경화성 감압성 점착제층인 경우, 방사선 경화성 감압성 점착제층은 다이싱 단계 후에 방사선(예를 들어, X-레이, 자외선, 또는 전자 빔)으로 조사된다. 따라서, 방사선에 대해 충분한 투과력을 갖는 기재를 사용하는 것이 바람직하다.
총 성분을 기준으로 2 내지 12 중량%의 양의 히드록시 화합물을 함유하고 방사선 경화성 감압성 점착제를 더욱 함유하는 방사선 경화성 감압성 점착제 조성물이 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층으로서 방사선 경화성 감압성 점착제층을 형성하는데 사용되는 것이 중요하다. 방사선 경화성 감압성 점착제의 예는 방사선 경화성 성분을 상기한 것과 같은 베이스 중합체(예를 들어, 아크릴 중합체) 내로 혼입하여 제조된 것 및 탄소-탄소 이중 결합이 기본틀로서 상기한 것과 같은 아크릴 중합체를 함유하는 베이스 중합체의 분자 내로(예를 들어, 측쇄 또는 주쇄 내로 또는 주쇄의 말단으로) 도입된 중합체(이러한 중합체는 흔히 "이중 결합 함유 아크릴 중합체"로 지칭됨)를 함유하는 것을 포함한다. 방사선 경화성 감압성 점착제 내의 베이스 중합체가 이중 결합 함유 아크릴 중합체인 경우, 하기와 같은 이점을 가져온다. 감압성 점착 테이프 또는 시트가 활성 표면에 도포되어 활성 표면과의 점착력이 그 후방사선 조사에 의해 감소되는 경우, 방사선 경화성 성분(예를 들어, 단량체 또는 올리고머와 같은 저분자 성분)을 첨가할 필요없이 활성 표면과의 점착력이 더 낮은 수준으로 감소될 수 있다.
방사선 경화성 성분은 탄소-탄소 이중 결합을 함유하는 기(흔히 "탄소-탄소 이중 결합 함유기"로 지칭됨)와 같은 방사선 중합성(방사선 조사시 중합하는 특성)을 갖는 작용기를 보유하는 화합물인 한 특별히 한정되는 것은 아니다. 그것은 단량체 성분 또는 올리고머 성분일 수 있다. 방사선 경화성 성분의 예는 다가 알코올과 (메타)아크릴산의 에스테르, 예를 들어, 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 및 글리세롤 디(메타)아크릴레이트; 에스테르 아크릴레이트 올리고머; 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합 함유기를 보유하는 시아누레이트 화합물, 예를 들어, 2-프로페닐 디-3-부테닐 시아누레이트; 및 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합 함유기를 보유하는 이소시아누레이트 화합물, 예를 들어, 트리스(2-아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 트리스(2-메타크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 2-히드록시에틸 비스(2-아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 비스(2-아크릴옥시에틸) 2-[(5-아크릴옥시헥실)옥시]에틸 이소시아누레이트, 트리스(1,3-디아크릴옥시-2-프로필옥시카르보닐아미노-n-헥실)이소시아누레이트, 트리스(1-아크릴옥시에틸-3-메타크릴옥시-2-프로필옥시카르보닐아미노-n-헥실)이소시아누레이트, 및 트리스(4-아크릴옥시-n-부틸)이소시아누레이트를 포함한다. 분자 내에 평균적으로 6 이상의 탄소-탄소 이중 결합 함유기를 함유하는 방사선 경화성 성 분을 사용하는 것이 바람직하다.
방사선 경화성 성분의 점도는 특별히 한정되지는 않는다. 방사선 경화성 성분은 단독으로 또는 이의 2 이상의 조합으로 사용될 수 있다.
혼입되는 방사선 경화성 성분의 양은 특별히 한정되지 않는다. 그러나, 픽업을 위한 준비에서, 즉 방사선 조사를 통해서 박리 점착력을 감소시키는 관점에서, 방사선 경화성 감압성 점착제 조성물 내의 총 성분을 기준으로 20 중량% 이상(바람직하게는 25 내지 60 중량%, 더욱 바람직하게는 25 내지 55 중량%)의 양으로 성분을 혼입하는 것이 바람직하다.
한편, 방사선 경화성 감압성 점착제층을 형성하는데 사용되는 방사선 경화성 감압성 점착제 조성물 내에서, 이중 결합 함유 아크릴 중합체는 바람직하게는 각각의 분자 내 측쇄의 1% 이상이 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이중 결합 함유 아크릴 중합체이다. 이러한 이중 결합 함유 아크릴 중합체는 올리고머 성분과 같은 저분자 성분을 함유할 필요가 없거나, 이러한 성분을 다량으로 함유하지 않는다. 따라서, 시간 경과에 따른 방사선 경화성 감압 점착제층 내의 올리고머 성분과 같은 저분자 성분의 이동을 저해하거나 방지할 수 있고, 안정한 층 구조를 갖는 방사선 경화성 감압 점착제층이 형성될 수 있다.
이중 결합 함유 아크릴 중합체의 제조 방법(즉, 아크릴 중합체 내로 탄소-탄소 이중 결합을 도입하기 위한 방법)은 특별히 한정되지 않는다. 이의 예는 공중합화 가능한 단량체로서 작용기를 갖는 단량체를 포함하는 단량체를 공중합하여 작용기를 함유하는 아크릴 중합체(흔히 "작용기 함유 아크릴 중합체"라고 지칭됨)를 제 조하는 단계, 및 상기 작용기 함유 아크릴 중합체 내에 함유된 작용기와 반응하는 작용기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성 (방사선 중합성)을 유지시키면서 작용기 함유 아크릴 중합체와 축합반응 또는 첨가반응시켜서 이중 결합 함유 아크릴 중합체를 제조하는 단계를 포함하는 방법을 포함한다.
방사선 경화성 성분 또는 이중 결합 함유 아크릴 중합체가 방사선 조사시 효과적으로 중합 또는 경화되도록 방사선 경화성 감압성 점착제층은 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 광중합 개시제의 예는 벤조인 알킬 에테르 개시제, 예를 들어, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 프로필 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 및 벤조인 이소부틸 에테르; 벤조페논 개시제, 예를 들어, 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논, 및 폴리비닐벤조페논; 방향족 케톤 개시제, 예를 들어, α-히드록시시클로헥실 페닐 케톤, 4-(2-히드록시에톡시)페닐 2-히드록시-2-프로필 케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 및 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1; 방향족 케탈 개시제, 예를 들어, 벤질 디메틸 케탈; 티오크산톤 개시제, 예를 들어, 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2-에틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 2-도데실티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 및 2,4-디이소프로필티오크산톤; 벤질 개시제, 예를 들어, 벤질; 및 벤조인 개시제, 예를 들어, 벤조인을 포함한다. 이의 예는 α-케톨 화합물(예를 들어, 2-메틸- 2-히드록시프로피오페논), 방향족 염화술포닐 화합물(예를 들어 2-나프탈렌염화술포닐), 필요에 따라, 활성 옥심 화합물(예를 들어, 1-페닐-1,1-프로판디온-2-(O-에톡시카르보닐)옥심), 캄포퀴논, 할로겐화 케톤, 아실포스핀옥사이드, 및 아실포스포네이트를 더욱 포함한다. 이러한 광중합 개시제들은 단독으로 또는 이의 2 이상의 조합으로 사용될 수 있다.
혼입되는 광중합 개시제의 양은 방사선 경화성 성분 또는 이중 결합 함유 아크릴 중합체 100 중량부 당 0.5 내지 30 중량부(바람직하게 1 내지 20 중량부)의 범위에서 적절하게 선택될 수 있다.
본 발명의 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층은 열 박리성 감압성 점착제 조성물로 구성된 열 박리성 감압성 점착제층일 수 있다. 감압성 점착제층이 열 박리성 감압성 점착제층인 경우에도, 이러한 감압성 점착 테이프 또는 시트는 워크가 이로부터 쉽게 분리될 수 있게 해주고, 만족스러운 픽업 적합성을 가질 수 있다. 열 박리성 감압성 점착제층을 형성하기 위한 열 박리성 감압성 점착제 조성물의 예는 상기한 것(예를 들어, 아크릴 중합체)과 같은 베이스 중합체와 열 팽창성 미세 입자와 같은 이에 혼입된 발포제를 함유하는 열 박리성 감압성 점착제 조성물을 포함한다. 워크를 결합하는 목적을 달성한 후에, 열 박리성 감압성 점착제층은 가열되어 열 박리성 감압성 점착제층이 발포되거나 팽창되고 열 박리성 감압성 점착제층의 표면이 불규칙하게 된다. 결과적으로, 워크에 점착된 부분이 감소하고, 이에 따라 점착력도 감소한다. 따라서, 상기 워크는 감압성 점착제층으로부터 쉽게 분리될 수 있다.
열 팽창성 미세 입자는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 통상적인 무기 또는 유기 열 팽창성 마이크로스페어로부터 적절히 선택될 수 있다. 열 팽창성 물질을 마이크로캡슐화하여 얻을 수 있는 열 팽창성 미세 입자도 사용가능하다.
히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층은 총 성분을 기준으로 2 내지 12 중량%의 양의 히드록시 화합물을 함유하는 감압성 점착제 조성물(바람직하게는, 방사선 경화성 감압성 점착제 조성물)로부터 감압성 점착제층을 형성하는 통상적인 방법에 의해 형성될 수 있다. 예를 들어, 기재 위에 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층을 형성하는데 있어, 총 성분을 기준으로 2 내지 12 중량%의 양의 히드록시 화합물을 함유하는 감압성 점착제 조성물을 기재의 소정의 면에 도포하여 목적하는 감압성 점착제층을 형성하는 방법; 또는 총 성분을 기준으로 2 내지 12 중량%의 양의 히드록시 화합물을 함유하는 감압성 점착제 조성물을 격리판(예를 들어, 이형제로 코팅된 플라스틱 필름 또는 시트)에 도포하여 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층을 형성하고 이러한 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층을 기재의 소정의 면에 이동시키는 방법이 사용될 수 있다.
히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층은 단일층 또는 중첩된 층으로 구성될 수 있다.
다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트는 기재 및 상기 기재의 적어도 한면(한면 또는 양면) 상에 형성되고 총 성분을 기준으로 2 내지 12 중량%의 양의 히드록시 화합물을 함유하는 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층을 갖는다. 본 발명에서, 감압성 점착 테이프 또는 시트는 바람직하게는 히드록시 화합물 함유 점착제층이 기재의 한면에 형성된 구성(구체예)을 갖는다. 그러나, 필요에 따라, 감압성 점착 테이프 또는 시트는 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층이 기재의 양면에 형성된 구성을 가질 수 있다. 또한, 이는 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층이 기재의 한면에 형성되고 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층 이외의 다른 감압성 점착제층이 기재의 다른 한면에 형성된 구성을 가질 수 있다.
본 발명의 감압성 점착 테이프 또는 시트는 예를 들어, 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층 또는 다른 감압성 점착제층을 보호하기 위한 목적으로 필요에 따라 도 1에 도시한 것과 같은 격리판을 가질 수 있다. 격리판은 특별히 한정되지는 않고, 통상적인 격리판으로부터 적절하게 선택된 것이 사용될 수 있다. 격리판의 구성 물질(기본 물질)의 예는 종이; 및 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 및 폴리(에틸렌 테레프탈레이트)와 같은 합성 수지로 제조된 합성 수지 필름을 포함한다. 격리판의 표면은 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층으로부터 강화된 이형성 (releasability)을 갖도록 필요에 따라 이형제(releasant) 처리법(이형성-부가 처리법), 예를 들어, 실리콘 처리법, 장쇄 알킬형 이형제로의 처리법, 또는 불소화학적 처리법이 수행될 수 있다. 또한, 격리판은 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층이 주변 자외선의 작용으로 인해 반응하는 것을 방지하도록 필요에 따라 자외선-차폐 처리법이 수행될 수 있다. 격리판의 두께는 특별히 한정되지 않는다. 그러나, 일반적으로 10 내지 200 ㎛(바람직하게는 25 내지 100 ㎛)이다.
본 발명의 감압성 점착 테이프 또는 시트가 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층이 기재의 한면에 형성된 구성을 갖는 경우, 이러한 감압성 점착 테이프 또는 시트는 기재의 다른 한면에 형성된 다른 종류의 감압성 점착제층(히드록시 화합물을 함유하지 않는 감압성 점착제층), 이형성-부가 처리법에 의해 형성된 이형층 등을 가질 수 있다. 다른 종류의 감압성 점착제층을 형성하는데 있어, 예를 들어, 통상적 감압성 점착제(아크릴 감압성 점착제, 고무계 감압성 점착제, 우레탄 감압성 점착제, 실리콘 감압성 점착제, 폴리에스테르 감압성 점착제, 폴리아미드 감압성 점착제, 에폭시 감압성 점착제, 비닐 알킬 에테르 감압성 점착제, 플루오로수지 감압성 점착제 등)로부터 선택된 하나 이상의 감압성 점착제 및 필요에 따라 다양한 첨가제, 방사선 경화성 성분, 발포제 등을 함유하는 감압성 점착제 조성물이 사용될 수 있다. 또한 기재의 다른 한면 상에 이형층을 형성하기 위해 사용되는 이형제는 특별히 한정되지 않고, 통상적인 이형제(실리콘 이형제, 장쇄 알킬형 이형제, 불소화학적 이형제 등)로부터 적절하게 선택된 것을 사용할 수 있다.
본 발명의 감압성 점착 테이프 또는 시트는 롤 형태이거나 또는 시트 더미(stack) 형태일 수 있다. 본 발명의 감압성 점착 테이프 또는 시트를 반도체 웨이퍼의 다이싱용으로 사용할 경우, 일반적으로 사용되기 전에 소정의 형태로 절단된다.
본 발명의 감압성 점착 테이프 또는 시트를 자연 산화막으로 전부 피복되지 않은 상태의 표면(활성 표면)에 도포하는 것이 중요하다. 활성 표면 위에, 비산화 상태의 활성 원자(흔히 "활성 원자"라고 지칭함)가 존재한다. 이러한 활성 원자는 감압성 점착제층의 성분과 화학 결합을 형성할 수 있는 특성을 갖는다. 즉, 활성 표면은 감압성 점착제층의 성분과 반응성을 갖는 비산화 상태 원자가 존재하는 표면이다. 본 발명에서, 감압성 점착 테이프 또는 시트는, 장기간 동안 이와 같은 활성 표면과 점착을 유지한 후에도, 예를 들어, 방사선 조사에 의해 쉽게 활성 표면으로부터 박리될 수 있다. 활성 원자가 화학 결합을 형성할 수 있는 감압성 점착제층의 성분은 활성 원자와 반응하는 작용기를 갖는 화합물일 수 있다. 이의 예는 베이스 중합체, 점착강화 수지, 및 방사선 경화성 성분을 포함한다.
활성 표면을 갖는 워크의 예는 반도체 웨이퍼, 반도체 패키지, 유리, 및 세라믹을 포함한다. 이러한 워크는 규소 화합물, 게르마늄 화합물, 또는 갈륨-비소 화합물과 같은 화합물을 포함하는 물질로 제조된다. 이러한 워크가 이면 연삭법 또는 이와 유사한 방법을 거쳐 새로운 표면(후레쉬 표면)을 노출한 후에, 비산화 상태의 활성 원자, 예를 들어, 비산화 상태의 활성 규소 원자(Si), 비산화 상태의 활성 게르마늄 원자(Ge), 또는 비활성 상태의 활성 갈륨 원자(Ga)가 새롭게 노출된 표면에 존재하게 된다. 부수적으로, 이러한 활성 원자는 시간 경과에 의한 산화(자연 노출에 의한 산화) 또는 강제 산화 등을 통해 불활성화되어 비활성화될 수 있다.
공정 소요시간의 개선 또는 두께가 감소된 워크의 보호 등의 목적으로, 두께 감소를 위한 연삭 단계 또는 이와 유사한 단계에 의해 노출되고, 불활성화되지 않은 활성 원자를 갖는, 즉, 활성 상태인 워크의 활성 표면에 본 발명의 감압성 점착 테이프 또는 시트를 점착시킨 후에도, 예를 들어, 방사선 조사를 통해 워크의 활성 표면에 대한 점착을 효과적으로 감소시킴으로서 점착 기간에 관계없이 이는 쉽게 박리될 수 있다. 따라서, 웨이퍼 이면 연삭 단계 또는 상기 웨이퍼 이면 연삭 단계 이후에 수행되는 연삭 분진층 제거 단계(기계적 연삭 분진층 제거 단계, 화학적 연삭 분진층 제거 단계 또는 둘 모두에 의한 연삭 분진층 제거 단계)에 이어서 또는 잠시 후에, 연삭에 의해 새롭게 노출된 활성 표면에 본 발명의 감압성 점착 테이프 또는 시트를 도포할 때에도(즉, 상기 감압성 점착 테이프 또는 시트를 장착 단계에서 도포할 때에도), 이러한 감압성 점착 테이프 또는 시트는 다이싱 단계 및 픽업 단계와 같은 이어지는 단계에서 효율적으로 사용될 수 있다. 구체적으로, 다이싱 단계 전에, 상기 감압성 점착 테이프 또는 시트는 두께가 감소한 부서지기 쉬운 워크(예를 들어, 반도체 웨이퍼)를 효과적으로 보호하는 기능을 갖는다. 다이싱 단계에서, 상기 감압성 점착 테이프 또는 시트는 매우 단단하게 워크를 고정시켜서 효과적으로 다이싱되도록 하는 기능을 갖는다. 또한, 픽업 단계에서, 감압성 점착 테이프 또는 시트는 예를 들어, 방사선 조사에 의해 워크와의 점착력이 효율적으로 감소되어서 워크의 절단편(예를 들어, 반도체 성분)이 쉽게 픽업될 수 있게 하는 기능을 한다.
따라서, 본 발명의 감압성 점착 테이프 또는 시트는 자연 산화막으로 전부 피복되지 않은 상태의 활성 표면에 도포되는 다이싱용 감압성 점착 테이프 또는 시트로서 유용하게 사용될 수 있다.
워크의 절단편의 픽업 방법
본 발명에 따른 워크의 절단편의 픽업 방법에서, 감압성 점착 테이프 또는 시트는 워크의 활성 표면에 도포되고 이 워크는 다이싱된다. 이후, 생성된 절단편을 픽업한다. 감압성 점착 테이프 또는 시트가 워크에 도포되어 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층의 표면이 워크의 활성 표면과 접촉하는 것이 중요하다. 상기한 감압성 점착 테이프 또는 시트는 워크의 다이싱 및 절단편의 픽업에 사용되기 때문에, 다이싱용 감압성 점착 테이프 또는 시트가 장기간 동안 워크의 활성 표면과 점착을 유지한 후에도 예를 들어, 방사선 조사를 통해 워크의 절단편의 픽업을 쉽게 수행할 수 있다. 따라서 향상된 수율이 달성될 수 있다. 또한, 픽업 방법에서, 100 ㎛ 미만의 두께를 갖는 부서지기 쉬운 반도체 웨이퍼(반도체 소자)를 워크로 사용할 경우에도, 반도체 웨이퍼를 소정의 크기로 다이싱하여 얻은 반도체 칩을 용이하게 픽업할 수 있고 수율을 효과적으로 향상될 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 워크의 절단편의 픽업 방법은 감압성 점착 테이프 또는 시트를 워크의 활성 표면에 도포하는 장착 단계; 상기 장착 단계 후 워크를 다이싱하기 위한 다이싱 단계(워크를 조각으로 절단하는 단계); 및 상기 다이싱 단계 후 생성된 워크의 절단편의 픽업 단계를 적어도 포함한다.
장착 단계는 감압성 점착 테이프 또는 시트를 워크의 활성 표면에 도포하기 위해 수행된다. 일반적인 장착 단계 과정은 감압성 점착 테이프 또는 시트 위에 반도체 웨이퍼와 같은 워크를 중첩시켜서 워크의 활성 표면이 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층면 위의 감압성 점착 표면과 접촉하게 하는 단계 및 가압 롤을 구비한 압착기와 같은 공지된 압착기로 압착하면서 상기 워크를 감압성 점착 테이프 또는 시트와 결합시키는 단계를 포함한다. 대안으로, 압착이 가능한 용기(예를 들 어, 고압멸균기)에서 상기한 방법과 동일한 방식으로 워크를 감압성 점착 테이프 또는 시트 위에 중첩시키고 상기 용기의 내면을 압착시켜서 상기 워크를 감압성 점착 테이프 또는 시트와 결합시키는 방법이 사용될 수 있다. 이러한 압착을 통한 결합에서, 상기 워크는 압착기를 사용하여 더욱 압착시키면서 다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트에 결합될 수 있다. 또한 감압 챔버(진공 챔버)에서 상기한 바와 동일한 방식으로 감압성 점착 테이프 또는 시트에 워크를 결합시킬 수 있다. 상기 감압성 점착 테이프 또는 시트를 도포되는 온도는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 20 내지 80℃이다.
다이싱 단계는 워크를 개별적인 조각으로 다이싱함으로써 감압성 점착 테이프 또는 시트가 점착된 워크(예를 들어, 반도체 웨이퍼)의 절단편(예를 들어, 반도체 칩)을 제조하기 위해 수행된다. 다이싱 단계에서, 감압성 점착 테이프 또는 시트에 점착된 워크의 다이싱은 일반적인 방법으로 수행된다. 상기 워크가 반도체 웨이퍼일 경우, 다이싱은 보통 반도체 웨이퍼의 회로면으로부터 수행된다. 이러한 다이싱 단계에서, 칼날은 반도체 웨이퍼와 같은 워크가 소정의 크기로 절단되도록 일반적으로 고속으로 회전한다. 이러한 다이싱 단계에서, 예를 들어, 워크가 감압성 점착 테이프 또는 시트에 이르는 깊이까지 절단되는 완전 절단이라 불리는 절단 기법을 사용할 수 있다. 다이싱 장치는 특별히 한정되는 것은 아니고, 공지된 다이싱 장치로부터 적절하게 선택된 것이 사용될 수 있다. 다이싱 단계에서, 반도체 웨이퍼와 같은 워크가 감압성 점착 테이프 또는 시트에 정교하게 점착 및 고정되기 때문에, 칩의 칩핑 또는 쉐딩(shedding)이 억제 또는 방지된다. 또한, 반도체 웨이 퍼와 같은 워크 자체의 파괴가 억제 또는 방지된다.
상기 픽업 단계는 감압성 점착 테이프 또는 시트에 점착된 워크의 절단편들을 감압성 점착 테이프 또는 시트로부터 분리하고 픽업하기 위해 수행된다. 픽업 단계에서, 감압성 점착 테이프 또는 시트에 점착된 상태의 워크의 절단편(예를 들어, 반도체 칩)을 픽업한다. 이러한 픽업 방법은 특별히 한정되지 않으며, 임의의 공지된 다양한 픽업 방법을 사용할 수 있다. 이의 예는 개별 절단편들을 감압성 점착 테이프 또는 시트의 면으로부터 바늘을 사용하여 밀어올려서, 밀어 올려진 이들 절단편을 픽업 장치를 사용하여 픽업하는 방법을 포함한다. 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층이 방사선 경화성 감압성 점착제층 또는 열 박리성 감압성 점착제층인 경우, 상기 픽업은 방사선 조사 후에 또는 열 처리 후에 수행되는 것이 중요하다. 방사선 조사 또는 열 처리는 픽업 단계의 픽업 전에 수행되거나 픽업 단계 전에 수행될 수 있다. 감압성 점착 테이프 또는 시트에 조사되는 방사선의 예는 α-선, β-선, γ-선, 중성자 빔, 전자 빔, 및 자외선을 포함한다. 자외선이 특히 바람직하다. 조사 강도 및 조사 시간과 같은 방사선 조사의 다양한 조건은 특별히 한정되지 않고, 필요에 따라 적절하게 설정될 수 있다. 한편, 열 처리가 수행되는 경우, 가열 온도 및 가열 시간을 포함하는 다양한 가열 조건은 특별히 한정되지 않고, 필요에 따라 적절히 설정될 수 있다.
상기 장착 단계는 웨이퍼 이면 연삭 단계 이후에, 새롭게 노출된 표면이 활성 표면일 때 수행하는 것이 중요하다. 즉, 장착 단계는 새롭게 노출된 활성 표면이 불활성화되지 않고 활성 상태를 유지하고 있는 시점에서, 웨이퍼 이면 연삭 단 계 또는 웨이퍼 이면 연삭 단계와 이어지는 연삭 분진층 제거 단계 등에 이어서(즉, 웨이퍼 이면 연삭 단계 또는 연삭 분진층 제거 단계 직후) 또는 상기 단계 조금 후(즉, 웨이퍼 이면 연삭 단계 또는 연삭 분진층 제거 단계 완료 후 수 시간 내)에 수행하는 것이 일반적으로 중요하다. 또한, 다이싱 단계는 장착 단계 후에 수행하는 것이 중요하다. 예를 들어, 다이싱 단계는 장착 단계에 이어서 또는 조금 후에 수행되거나, 장착 단계로부터 장시간 경과 후에 수행될 수 있다. 또한, 픽업 단계는 다이싱 단계 후에 수행되는 것이 중요하다. 예를 들어, 픽업 단계는 다이싱 단계에 이어서 또는 조금 후에 수행되거나, 또는 다이싱 단계로부터 장시간 경과 후 수행될 수 있다. 기타 단계(예를 들어, 세척 단계 및 확장 단계)이 장착 단계와 다이싱 단계 사이에 또는 다이싱 단계와 픽업 단계 사이에 수행되는 것이 일반적이다.
반도체 장치
본 발명의 반도체 장치는 반도체 웨이퍼의 다이싱 및 생성된 절단편의 픽업에 의해 제조되고, 상기한 워크의 절단편의 픽업 방법을 사용하여 얻어진다. 따라서, 다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트가 활성 표면에 도포되고 그 후 픽업이 수행되는 경우에도 점착 기간과 관계없이 우수한 픽업 적합성을 달성하면서 반도체 장치를 얻을 수 있다.
본 발명을 하기 실시예를 참조로 좀 더 구체적으로 설명하나, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아닌 것으로 해석하여야 한다.
실시예 1
일반적인 방법을 사용하여 75 중량부의 메틸 아크릴레이트, 10 중량부의 메톡시에틸 아크릴레이트, 5 중량부의 N-비닐피롤리돈, 및 10 중량부의 2-히드록시에틸 아크릴레이트를 에틸 아세테이트 내에서 공중합하여, 아크릴 공중합체를 함유하는 용액을 얻었다(아크릴 공중합체 용액 A).
상기 아크릴 공중합체 용액 A에 12 중량부의 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 및 촉매로서 0.1 중량부의 디부틸주석 디라우레이트를 첨가하였다. 생성된 혼합물을 50℃에서 24시간 동안 반응시켜서 측쇄 말단에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이중 결합 함유 아크릴 중합체를 함유하는 용액(중량 평균 분자랑, 600,000)(상기 용액을 이중 결합 함유 아크릴 중합체 용액 A라 지칭함)을 얻었다. 이러한 이중 결합 함유 아크릴 중합체는 아크릴 공중합체의 측쇄 말단 히드록실기(2-히드록시에틸 아크릴레이트로부터 유도된 히드록실기)의 90 몰%가 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트의 이소시아네이트기와 첨가 반응을 일으키는 구조를 갖는다.
이어서, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트와 디이소시아네이트의 반응으로 얻어진 70 중량부의 자외선 경화성 올리고머(25℃에서 10 Paㆍsec의 점도), 광중합 개시제로서 3 중량부의 "Irgacure 651"(상표명; Ciba Specialty Chemicals Co.제조), 2 중량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상표명 "Coronate L", Nippon Polyurethane Co., Ltd. 제조), 및 수 평균 분자량 2,000을 갖는 10 중량부의 폴리프로필렌 글리콜을 상기 이중 결합 함유 아크릴 중합체 용액 A에 첨가하였다. 그 결과, 자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액(자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액 A)을 얻었다.
기재로서, 한 면을 코로나 방전 처리한, 선형 저밀도 폴리에틸렌으로 제조된 필름(두께, 70㎛)을 사용하였다.
상기 자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액 A를 상기 코로나 방전 처리된 기재 면에 도포하였다. 상기 코팅을 80℃에서 10분간 가열처리하여 상기 아크릴 중합체를 열적으로 가교결합시켰다. 그 결과, 자외선 경화성 감압성 점착제층(두께, 5㎛)이 상기 기재 위에 방사선 경화성 감압성 점착제층으로서 형성되었다. 이어서, 격리판을 상기 자외선 경화성 감압성 점착제층의 표면에 점착시켜서 다이싱용 자외성 경화성 감압성 점착 시트를 제조하였다. 상기 자외선 경화성 감압성 점착제층은 히드록시 함유 화합물 또는 이의 유도체로서 총 성분을 기준으로 5.4 중량%의 양의 프로필렌 글리콜을 함유한다.
실시예 2
이중 결합 함유 아크릴 중합체 용액 A를 실시예 1과 동일한 방법으로 얻었다. 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트와 디이소시아네이트의 반응으로 얻어진 50 중량부의 자외선 경화성 올리고머(25℃에서 10 Paㆍsec의 점도), 광중합 개시제로서 3 중량부의 "Irgacure 651"(상표명; Ciba Specialty Chemicals Co.제조), 2 중량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상표명 "Coronate L", Nippon Polyurethane Co., Ltd. 제조), 및 수 평균 분자량 1,000을 갖는 20 중량부의 폴리프로필렌 글리콜을 이러한 이중 결합 함유 아크릴 중합체 용액 A에 첨가하였다. 그 결과, 자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액(자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액 B)을 얻었다.
기재로서, 실시예 1과 같은 동일한 필름, 즉, 한 면을 코로나 방전 처리한, 선형 저밀도 폴리에틸렌으로 제조된 필름(두께, 70㎛)을 사용하였다.
자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액 B를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 다이싱용 자외선 경화성 감압성 점착 시트를 제조하였다. 상기 자외선 경화성 감압성 점착제층은 히드록시 함유 화합물 또는 이의 유도체로서 총 성분을 기준으로 11.4 중량%의 양의 프로필렌 글리콜을 함유한다.
실시예 3
이중 결합 함유 아크릴 중합체 용액 A를 실시예 1과 동일한 방법으로 얻었다. 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트와 디이소시아네이트의 반응으로 얻어진 120 중량부의 자외선 경화성 올리고머(25℃에서 10 Paㆍsec의 점도), 광중합 개시제로서 3 중량부의 "Irgacure 651"(상표명; Ciba Specialty Chemicals Co. 제조), 2 중량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상표명 "Coronate L", Nippon Polyurethane Co., Ltd. 제조), 및 수 평균 분자량 1,000을 갖는 5 중량부의 폴리프로필렌 글리콜을 이러한 이중 결합 함유 아크릴 중합체 용액 A에 첨가하였다. 그 결과, 자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액(자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액 C)을 얻었다.
기재로서, 실시예 1과 같은 동일한 필름, 즉, 한 면을 코로나 방전 처리한, 선형 저밀도 폴리에틸렌으로 제조된 필름(두께, 70㎛)을 사용하였다.
자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액 C를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 다이싱용 자외선 경화성 감압성 점착 시트를 제조하였다. 상기 자외선 경화성 감압성 점착제층은 히드록시 함유 화합물 또는 이의 유도체로서 총 성분을 기준으로 2.1 중량%의 양의 프로필렌 글리콜을 함유한다.
비교 실시예 1
이중 결합 함유 아크릴 중합체 용액 A를 실시예 1과 동일한 방법으로 얻었다. 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트와 디이소시아네이트의 반응으로 얻어진 70 중량부의 자외선 경화성 올리고머(25℃에서 10 Paㆍsec의 점도), 광중합 개시제로서 3 중량부의 "Irgacure 651"(상표명; Ciba Specialty Chemicals Co. 제조), 및 2 중량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상표명 "Coronate L", Nippon Polyurethane Co., Ltd. 제조)를 이러한 이중 결합 함유 아크릴 중합체 용액 A에 첨가하였다. 그 결과, 자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액(자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액 D)을 얻었다.
기재로서, 실시예 1과 같은 동일한 필름, 즉, 한 면을 코로나 방전 처리한, 선형 저밀도 폴리에틸렌으로 제조된 필름(두께, 70㎛)을 사용하였다.
자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액 D를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 다이싱용 자외선 경화성 감압성 점착 시트를 제조하였다. 상기 자외선 경화성 감압성 점착제층은 히드록시 함유 화합물 또는 이의 유도체를 함유하지 않는다.
비교 실시예 2
이중 결합 함유 아크릴 중합체 용액 A를 실시예 1과 동일한 방법으로 얻었다. 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트와 디이소시아네이트의 반응으로 얻어진 70 중량부의 자외선 경화성 올리고머(25℃에서 10 Paㆍsec의 점도), 광중합 개시제로서 3 중량부의 "Irgacure 651"(상표명; Ciba Specialty Chemicals Co. 제조), 2 중량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상표명 "Coronate L", Nippon Polyurethane Co., Ltd. 제조), 및 1,000의 수 평균 분자량을 갖는 2 중량부의 폴리프로필렌 글리콜을 이러한 이중 결합 함유 아크릴 중합체 용액 A에 첨가하였다. 그 결과, 자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액(자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액 E)을 얻었다.
기재로서, 실시예 1과 같은 동일한 필름, 즉, 한 면을 코로나 방전 처리한, 선형 저밀도 폴리에틸렌으로 제조된 필름(두께, 70㎛)을 사용하였다.
자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액 E를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 다이싱용 자외선 경화성 감압성 점착 시트를 제조하였다. 상기 자외선 경화성 감압성 점착제층은 히드록시 함유 화합물 또는 이의 유도체로서 총 성분을 기준으로 0.009 중량%의 양의 프로필렌 글리콜을 함유한다.
비교 실시예 3
이중 결합 함유 아크릴 중합체 용액 A를 실시예 1과 동일한 방법으로 얻었다. 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트와 디이소시아네이트의 반응으로 얻어진 50 중량부의 자외선 경화성 올리고머(25℃에서 10 Paㆍsec의 점도), 광중합 개시제로서 5 중량부의 "Irgacure 651"(상표명; Ciba Specialty Chemicals Co. 제조), 5 중 량부의 폴리이소시아네이트 화합물(상표명 "Coronate L", Nippon Polyurethane Co., Ltd. 제조), 및 1,000의 수 평균 분자량을 갖는 35 중량부의 폴리프로필렌 글리콜을 이러한 이중 결합 함유 아크릴 중합체 용액 A에 첨가하였다. 그 결과, 자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액(자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액 F)을 얻었다.
기재로서, 실시예 1과 같은 동일한 필름, 즉, 한 면을 코로나 방전 처리한, 선형 저밀도 폴리에틸렌으로 제조된 필름(두께, 70㎛)을 사용하였다.
자외선 경화성 아크릴 감압성 점착제 용액 F를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 다이싱용 자외선 경화성 감압성 점착 시트를 제조하였다. 상기 자외선 경화성 감압성 점착제층은 히드록시 함유 화합물 또는 이의 유도체로서 총 성분을 기준으로 18 중량%의 양의 프로필렌 글리콜을 함유한다.
평가
상기 실시예 1 내지 3과 비교 실시예 1 내지 3에서 얻은 다이싱용 감압성 점착 시트에 대해서 하기하는 픽업 적합성 평가 방법, 점착력 측정 방법, 및 다이싱 적합성 평가 방법을 통해서 픽업 적합성, 점착력, 및 다이싱 적합성을 평가 및 조사하였다. 평가 또는 측정 결과를 기초로 종합적인 평가를 더욱 수행하였다. 얻어진 평가 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
픽업 적합성 평가 방법
실시예 및 비교 실시예에서 얻은 각각의 다이싱용 감압성 점착 시트를 하기하는 이면 연삭 조건 하에서 이면 연삭시킨 6-인치 실리콘 웨이퍼(두께, 100 ㎛)의 연삭된 면 위에 장착하였다. 이러한 장착 단계는 연삭 직후(연삭 완료 후 5분 내)에 23℃ 환경에서 수행되었다. 이어서, 상기 실리콘 웨이퍼를 하기하는 다이싱 조건하에서 다이싱하여 반도체 칩을 형성시켰다.
장착으로부터 소정의 시간 경과 후(6 시간 또는 7 일), 상기 다이싱용 감압성 점착 시트를 이의 이면으로부터 자외선으로 조사하였다(20 초의 조사 주기; 500 mJ/㎠의 조사 강도). 이후, 50개의 임의의 반도체 칩을 하기하는 픽업 조건하에서 픽업(시트로부터 분리)하고, 성공적으로 픽업될 수 있는 반도체 칩의 수(픽업 성공 개수)를 계산하였다. 모든 반도체 칩이 성공적으로 픽업된 경우는 "우수(good)"로 판단하고, 다른 경우는 "불량(poor)"으로 판단하였다. 이렇게, 픽업 적합성을 평가하였다.
(이면 연삭 조건)
연삭기: DISCO Corp.에서 제조한 "DFG-840"
제1 스핀들 : #600 연삭 휠(4,800 rpm의 회전 속도; 3.0 ㎛/초의 다운 속도:P1; 2.0 ㎛/초의 P2)
제2 스핀들 : #2000 연삭 휠(5,500 rpm의 회전 속도; 0.8 ㎛/초의 다운 속도:P1; 0.6 ㎛/초의 P2)
실리콘 웨이퍼의 이면을 제2 스핀들로 30 ㎛로 연삭하고, 최종 실리콘 웨이퍼의 두께가 100 ㎛가 되도록 연삭하였다.
(다이싱 조건)
다이서: DISCO Corp.에서 제조한 "DFD-651"
칼날: DISCO Corp,에서 제조한 "27HECC"
칼날 회전 속도: 40,000 rpm
다이싱 속도: 120 ㎜/초
다이싱 깊이: 25 ㎛
절단 모드: 하향 절단
다이싱 크기: 5.0 ㎜ × 5.0 ㎜
(픽업 조건)
다이 본더(die bonder): NEC Corp.에서 제조한 "Machinery CPS-100"
핀 수: 4
핀 사이의 거리: 3.5 ㎜ × 3.5 ㎜
핀 팁의 만곡: 0.250 ㎜
핀 푸싱업(pushing-up) 량: O.50 ㎜
흡입 유지 시간: 0.2 초
확장량: 3 ㎜
점착력 측정 방법
실시예 및 비교 실시예에서 얻은 각각의 다이싱용 감압성 점착 시트를 25 ㎜폭을 갖는 스트립으로 절단하였다. 상기 스트립을 23℃의 분위기(상온)에서 미러 연마한 미러 실리콘 웨이퍼(실리콘 미러 웨이퍼)(Shin-Etsu Semiconductor Co., Ltd.에서 제조한 상표명 "CZN <100> 2.5 - 3.5(4 인치))에 도포하였다. 이후, 생성된 테스트 조각을 30 분간 상온 분위기에서 방치시키고 나서, 다이싱용 감압성 점 착 시트의 이면으로부터 자외선을 조사하였다(20 초의 조사 주기; 500 mJ/㎠의 조사 강도).
자외선 조사 이후에, 점착력을 측정하기 위해서, 도 2에 도시한 바와 같이, 감압성 점착제층의 표면과 미러 실리콘 웨이퍼 표면 사이의 각(박리각) θ가 15°가 되도록 인상 방향 "a"로 150 ㎜/분의 인상 속도로 들어올려서 다이싱용 감압성 점착 시트를 박리시켰다. 2.3 N/25-㎜ 폭 이하의 점착력 측정 값을 갖는 감압성 점착 시트는 "우수"로 판단하고, 2.3 N/25-㎜ 폭보다 높은 점착력 측정 값을 갖는 감압성 점착 시트는 "불량"으로 판단하였다. 이렇게, 상기 감압성 점착 시트의 점착력을 평가하였다.
다이싱 적합성 평가 방법
실시예 및 비교 실시예에서 얻은 각각의 다이싱용 감압성 점착 시트를 픽업 적합성 평가 방법에서와 동일한 이면 연삭 조건 하에서 이면 연삭시킨 6-인치 실리콘 웨이퍼(두께, 100 ㎛)의 연삭된 면 위에 장착하였다. 이러한 장착 단계는 연삭 직후(연삭 완료 후 5분 내)에 23℃ 환경에서 수행되었다. 이어서, 상기 실리콘 웨이퍼를 DISCO Corp.에서 제조한 다이서 "DFD651"로 3.0 ㎜ × 3.0 ㎜ 크기로 다이싱하였다. 다이싱 후, 스캐터링된 3.0 ㎜ × 3.0 ㎜ 크기를 갖는 칩의 개수를 계산하였다. 어느 칩도 스캐터링되지 않는 경우를 "우수"로 판단하고, 이외의 경우는 "불량"으로 판단하였다. 이렇게, 다이싱 적합성을 평가하였다.
부수적으로, 다이싱에 사용된 칼날은 DISO Corp.에서 제조한 "27HECC"였고, 다이싱 속도는 80 mm/초였다. 다이싱용 감압성 점착 시트 내의 절단 깊이는 25 ㎛ 로 조절되었다.
종합 평가
픽업에 적합성, 점착력, 및 다이싱 적합성에 대한 모든 평가 항목이 "우수"인 경우에는 "우수"로 판단하였다. 반면, 하나 이상의 평가 종목이 "불량"인 경우에는 "불량"으로 판단하였다. 이렇게, 종합 평가를 수행하였다.
실시예 비교 실시예
1 2 3 1 2 3
픽업 6시간 후 픽업 성공 개수 50 50 50 28 45 50
픽업 적합성 평가 우수 우수 우수 불량 불량 우수
7일 후 픽업 성공 개수 50 50 50 0 15 50
픽업적합성 평가 우수 우수 우수 불량 불량 우수
점착력 (15°, 150mm/분, 23℃) 측정값(N/25 mm) 1.9 1.3 2.0 3.1 2.6 0.9
점착력 평가 우수 우수 우수 우수 불량 우수
다이싱 적합성 스캐터링된 칩의 개수 0 0 0 0 0 15
다이싱 적합성 평가 우수 우수 우수 우수 우수 불량
종합 평가 우수 우수 우수 불량 불량 불량
표 1에서 명확하듯이, 실시예 1 내지 3에 따른 다이싱용 감압성 점착 시트는 종합 평가에서 우수한 것으로 판단되었다. 특히, 다이싱은 칩 스캐터링을 야기하지 않고 수행될 수 있었다. 이러한 감압성 점착 시트는 우수한 다이싱 적합성을 갖는 것을 확인하였다. 또한, 모든 반도체 칩은 장착으로부터 6 시간 경과 후에 또는 장착으로부터 7일 경과 후에 만족스럽게 픽업되었다. 이러한 감압성 점착 시트는 우수한 픽업 적합성을 갖는 것을 확인하였다.
본 발명을 특정 구체예를 참조로 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범주를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변형이 있을 수 있음은 해당 분야의 당업자에게 자명할 것이다.
본 출원은 2006년 9월 1일 출원된 일본 특허 출원 제2006-237149호를 기초로 하며, 그 전체가 참조로서 본 명세서에 결부된다.
또한, 본 명세서에 인용된 모든 참조 문헌은 그 전체가 본 명세서에 결부된다.
도 1은 본 발명의 다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트의 한 구체예를 나타내는 도식적 단면도이다.
도 2는 다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트의 점착력을 측정하는 방법을 나타내는 도식적 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 설명>
1 : 다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트
2 : 기재
3 : 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층
4 : 격리판(separator)
5 : 실리콘 미러 웨이퍼(silicon mirror wafer)
θ: 히드록시 화합물 함유 감압성 점착제층(3)의 표면과 실리콘 미러 웨이퍼 (5)의 표면 사이의 각도(박리각)
a : 다이싱용 활성 표면 도포용 감압성 점착 테이프 또는 시트(1)가 박리되는 방향(인상 방향)

Claims (8)

  1. 기재 및 상기 기재의 적어도 한 면 위에 배치된 감압성 점착제층을 포함하는 다이싱(dicing)용 감압성 점착 테이프 또는 시트로서,
    상기 기재의 적어도 한 면 위에 배치된 감압성 점착제층은 총 성분을 기준으로 2 내지 12 중량%의 양의 히드록시기 또는 이의 유도체를 보유하는 화합물을 함유하고,
    상기 감압성 점착 테이프 또는 시트는 자연 산화막으로 전부 피복되지 않은 상태의 활성 표면에 도포되는 것인 감압성 점착 테이프 또는 시트.
  2. 제1항에 있어서, 상기 히드록시기 또는 이의 유도체를 보유하는 화합물이 폴리알킬렌 글리콜 또는 이의 유도체인 감압성 점착 테이프 또는 시트.
  3. 제2항에 있어서, 상기 폴리알킬렌 글리콜이 폴리에틸렌 글리콜 또는 폴리프로필렌 글리콜인 감압성 점착 테이프 또는 시트.
  4. 제2항에 있어서, 상기 폴리알킬렌 글리콜이 폴리프로필렌 글리콜인 감압성 점착 테이프 또는 시트.
  5. 제1항에 있어서, 상기 감압성 점착제층이 방사선 경화성 감압성 점착제층인 감압성 점착 테이프 또는 시트.
  6. 제1항에 따른 감압성 점착 테이프 또는 시트를 워크의 활성 표면에 도포하고, 상기 워크를 다이싱하는 단계; 그리고 그 후
    생성된 워크의 절단편을 픽업하는 단계
    를 포함하는 워크의 절단편의 픽업 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 워크가 100 ㎛ 미만의 두께를 갖는 반도체 웨이퍼인 방법.
  8. 반도체 웨이퍼의 다이싱 및 생성된 절단편의 픽업에 의해 제조되는 반도체 장치로서, 상기 반도체 장치는 제6항에 따른 방법에 의해 얻어질 수 있는 것인 반도체 장치.
KR1020070088568A 2006-09-01 2007-08-31 다이싱용 활성 표면 첩부용 감압성 접착 테이프 또는 시트, 및 피가공물의 절단편의 픽업 방법 KR101296006B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-00237149 2006-09-01
JP2006237149A JP4931519B2 (ja) 2006-09-01 2006-09-01 活性面貼付ダイシング用粘着テープ又はシートおよび被加工物の切断片のピックアップ方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080020968A true KR20080020968A (ko) 2008-03-06
KR101296006B1 KR101296006B1 (ko) 2013-08-12

Family

ID=38896695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070088568A KR101296006B1 (ko) 2006-09-01 2007-08-31 다이싱용 활성 표면 첩부용 감압성 접착 테이프 또는 시트, 및 피가공물의 절단편의 픽업 방법

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP1894982B1 (ko)
JP (1) JP4931519B2 (ko)
KR (1) KR101296006B1 (ko)
CN (1) CN101186789B (ko)
TW (1) TWI404785B (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5443992B2 (ja) * 2006-11-07 2014-03-19 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン 帯電防止ホットメルト接着剤
EP2033998B1 (en) 2007-09-06 2010-11-10 Nitto Denko Corporation Pressure sensitive adhesive composition, product using the same, and display using the product
JP2010056544A (ja) * 2008-08-01 2010-03-11 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4718629B2 (ja) * 2008-08-04 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
KR101405301B1 (ko) * 2009-06-11 2014-06-16 (주)테크윙 테스트 핸들러용 픽앤플레이스모듈
JP5743555B2 (ja) * 2010-02-02 2015-07-01 リンテック株式会社 ダイシングシート
JP5461292B2 (ja) * 2010-04-28 2014-04-02 日立マクセル株式会社 ダイシング用粘着フィルム、及び切断片の製造方法
JP5764519B2 (ja) * 2011-03-31 2015-08-19 古河電気工業株式会社 ダイシングテープ及び半導体ウエハ加工方法
JP5764518B2 (ja) * 2011-03-31 2015-08-19 古河電気工業株式会社 ダイシングテープ及び半導体ウエハ加工方法
JP5294366B1 (ja) * 2012-10-18 2013-09-18 古河電気工業株式会社 ダイシングテープ
JP6180139B2 (ja) * 2013-03-11 2017-08-16 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シートおよび保護膜形成用フィルム付チップの製造方法
KR20150125355A (ko) * 2014-04-30 2015-11-09 동우 화인켐 주식회사 대전 방지성 점착제 조성물 및 이를 이용하여 제조되는 편광판
JP6661438B2 (ja) * 2016-03-29 2020-03-11 リンテック株式会社 ガラスダイシング用粘着シートおよびその製造方法
JP6623098B2 (ja) * 2016-03-29 2019-12-18 リンテック株式会社 ガラスダイシング用粘着シートおよびその製造方法
JP6673734B2 (ja) * 2016-03-29 2020-03-25 リンテック株式会社 ガラスダイシング用粘着シートおよびその製造方法
JP6715060B2 (ja) * 2016-04-01 2020-07-01 株式会社きもと 透明導電膜用基板、タッチパネル用基板、及び透明導電膜用の透明粘着基材
JP6906402B2 (ja) * 2017-09-07 2021-07-21 日東電工株式会社 半導体ウエハ保護用粘着テープ
JP7254669B2 (ja) * 2019-09-20 2023-04-10 リンテック株式会社 ワーク加工用シートおよび半導体装置の製法方法
CN112409942B (zh) * 2020-11-19 2022-05-31 杭州福斯特应用材料股份有限公司 散热型封装胶膜及其制备方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2968879B2 (ja) * 1991-12-05 1999-11-02 三井化学株式会社 半導体ウエハ加工用フィルム
JPH07228858A (ja) * 1993-11-08 1995-08-29 Mitsubishi Paper Mills Ltd 洗浄可能な感圧性接着剤および粘着製品
JP2984549B2 (ja) * 1994-07-12 1999-11-29 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物およびその利用方法
JP3689480B2 (ja) * 1996-03-05 2005-08-31 日東電工株式会社 表面保護シート
JP4072927B2 (ja) * 1997-08-28 2008-04-09 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型親水性粘着剤組成物およびその利用方法
JPH11165762A (ja) * 1997-12-01 1999-06-22 Lintec Corp チップ体搬送用カバーテープおよび封止構造体
JP3862489B2 (ja) * 1999-12-14 2006-12-27 日東電工株式会社 再剥離用粘着シート
JP4828695B2 (ja) * 2000-12-27 2011-11-30 日東電工株式会社 粘着剤組成物とその粘着シート
JP2003155459A (ja) * 2001-11-21 2003-05-30 Sekisui Chem Co Ltd 通気性粘着テープの製造方法
JP4614416B2 (ja) * 2003-05-29 2011-01-19 日東電工株式会社 半導体チップの製造方法およびダイシング用シート貼付け装置
JP2005072140A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Lintec Corp 半導体装置の製造方法および半導体ウエハ加工装置
JP4514429B2 (ja) * 2003-10-07 2010-07-28 日東電工株式会社 粘着テープおよび水分散型粘着剤組成物
JP4860113B2 (ja) * 2003-12-26 2012-01-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
JP4445409B2 (ja) 2005-02-23 2010-04-07 株式会社東芝 電子機器の放熱装置
JP4800778B2 (ja) * 2005-05-16 2011-10-26 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート及びそれを用いた被加工物の加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101186789A (zh) 2008-05-28
EP1894982A1 (en) 2008-03-05
JP2008060434A (ja) 2008-03-13
EP1894982B1 (en) 2014-04-09
JP4931519B2 (ja) 2012-05-16
KR101296006B1 (ko) 2013-08-12
TWI404785B (zh) 2013-08-11
TW200821367A (en) 2008-05-16
CN101186789B (zh) 2012-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101296006B1 (ko) 다이싱용 활성 표면 첩부용 감압성 접착 테이프 또는 시트, 및 피가공물의 절단편의 픽업 방법
KR101058826B1 (ko) 다이싱용 활성 표면용 감압성 접착 테이프 또는 시트, 및 피가공물 칩의 픽업 방법
KR101274862B1 (ko) 제거가능한 감압성 접착제 조성물 및 감압성 접착 테이프또는 시트
EP1880843B1 (en) Pressure-sensitive adhesive sheet for use in dicing
JP4369584B2 (ja) 半導体ウエハ保持保護用粘着シート
KR101172933B1 (ko) 반도체 웨이퍼 후면 가공 방법, 기판 후면 가공 방법 및방사선 경화성 감압 접착 시트
KR101191475B1 (ko) 반도체 웨이퍼 또는 반도체 기판 처리용 감압성 접착 시트
EP1752507A1 (en) Pressure-sensitive adhesive sheet and process for preparing it
US7183007B2 (en) Dicing adhesive sheet and dicing method
JP4875414B2 (ja) 半導体ウェハの裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いた半導体ウェハの裏面研削方法
US20110008597A1 (en) Surface protective sheet
TWI506118B (zh) 切割膠帶
JP2004006746A (ja) 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法
TWI493011B (zh) Die cutting with an adhesive film, and a method for manufacturing a cut sheet
JP2004119780A (ja) 半導体ウエハの加工方法
JP2011184576A (ja) 放射線硬化性粘着剤組成物、それを用いたダイシング用粘着フィルム、及び切断片の製造方法
EP4333026A1 (en) Adhesive sheet for backgrinding, semiconductor wafer manufacturing method, and substrate sheet
CN115572552A (zh) 半导体晶片加工用压敏粘合片
JP2008000858A (ja) 半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いた半導体ウエハの裏面研削方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee