CN101245152B - 活性面贴附切割用压敏粘着带或片和被加工物的切断片的拾取方法 - Google Patents

活性面贴附切割用压敏粘着带或片和被加工物的切断片的拾取方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及要施用于处在未完全被自然氧化膜覆盖状态下的活性面上切割用压敏粘着带或片。该粘着带或片包括基材，和布置在所述基材的至少一侧上的辐射硬化性压敏粘着剂层，其中所述的压敏粘着剂层含有重均分子量为500,000或500,000以上的丙烯酸系聚合物(A)和至少一种辐射聚合性化合物(B)，该辐射聚合性化合物(B)选自具有一个或多个含碳-碳双键的基团的氰脲酸酯和具有一个或多个含碳-碳双键的基团的异氰脲酸酯，其中相对于100重量份的丙烯酸系聚合物(A)，辐射聚合性化合物(B)为5-150重量份。

Description

活性面贴附切割用压敏粘着带或片和被加工物的切断片的拾取方法
技术领域
本发明涉及活性面贴附切割用压敏粘着带或片以及使用该活性面贴附切割用压敏粘着带或片拾取(picking up)被加工物的切断片的方法。更特别地，本发明涉及活性面贴附切割用压敏粘着带或片，其使用方式为，当由包括诸如硅化合物、锗化合物或镓-砷化合物的化合物的材料制成的被加工物(例如半导体圆片、半导体封装、玻璃或陶瓷)要进行切割时以及得到的切断片要被拾取时，将所述的压敏粘着带或片施用于处在未完全被自然氧化膜覆盖状态下的被加工物的活性面。本发明进一步涉及使用该活性面贴附切割用压敏粘着带或片拾取被加工物的切断片的方法。
背景技术
在此之前使用的方法中，使用诸如硅化合物、锗化合物或镓-砷化合物的化合物的半导体圆片，当材料以大尺寸形式生产后，根据需要，通常经历背面研磨以便得到给定厚度，然后经历背面处理(例如蚀刻或抛光)。随后，将切割用压敏粘着带或片施用于半导体圆片的背面。之后，将半导体圆片切割成元件芯片，然后经历各种步骤，如清洗步骤、扩大步骤(expanding step)、拾取步骤和安装步骤。
切割用压敏粘着带或片通常具有这样的构造，其包括由塑料膜等构成的基材和通过在所述基材上施用压敏粘着剂组合物如丙烯酸系压敏粘着剂并干燥而形成的压敏粘着剂层(厚度约1到50μm)。要求切割用压敏粘着带或片具有足够的粘着力，从而防止半导体圆片在切割期间与压敏粘着带或片分离。从这一观点考虑，至今通常使用的切割用压敏粘着带或片是这样的压敏粘着带或片，在拾取例如硅镜圆片(siliconmirror wafer)(剥离角度：15°；牵拉速率：150mm/min；施用温度：23℃；剥离温度：23℃)中的剥离粘着力为2.5(N/25mm幅)或更高。另一方面，要求粘着力低至一定程度，从而在切割后的拾取过程中，半导体圆片可容易地与压敏粘着带或片分离而不发生断裂。另外，对切割用压敏粘着带或片所要求的重要性质之一是不易造成污染的性质，例如，不在半导体圆片上留下粘着剂残留物(其中压敏粘着剂层中的组分残留在被粘着表面的现象)。关于具有这些性质的切割用压敏粘着带或片，公开了例如具有由聚合物构成的压敏粘着剂层的再剥离用压敏粘着片，在所述聚合物中，分子量为105以下的低分子量组分的含量是10重量％以下(参见专利文献1)。
顺便提及，拾取步骤通常在扩大步骤后进行，在扩大步骤中半导体芯片之间的间距扩大。扩大步骤是这样一个步骤，该步骤使半导体芯片容易地与切割用压敏粘着带或片分离。该扩大步骤通过例如以下过程完成，保持切割用压敏粘着带或片处在某种程度的拉紧状态下，并提起位于待拾取的半导体芯片下面的切割用压敏粘着带或片的点状或线状区域。在目前主要采用的方法中，使半导体芯片达到所述的容易分离的状态后，从上部侧减压吸着(真空吸着)并进行拾取。
然而，近年来，为了改善生产节拍时间、防止厚度较薄的半导体圆片破损等目的，越来越频繁地出现这样的情况，在完成圆片背面研磨步骤后或在完成圆片背面研磨步骤和随后的除去研磨碎屑层的步骤(除去机械研磨碎屑层、除去化学研磨碎屑层或除去二者的步骤)后，将半导体圆片贴附到切割用压敏粘着带或片上几小时。除去研磨碎屑层的步骤的例子包括各种处理，包括干法研磨处理，所谓的“CMP”处理，湿法蚀刻处理和干法蚀刻处理。
当在完成圆片背面研磨步骤后或完成研磨后的除去研磨碎屑层的步骤后将切割用压敏粘着带或片施用于半导体圆片的研磨面(处理面)时，出现这样的问题，在施用后随着时间的推移(时间的经过)，粘着力增加，导致拾取适合性降低。据推测其原因如下。半导体圆片的研磨面未完全被自然氧化膜覆盖，该研磨面是在其中存在处于未氧化状态下的活性原子的活性面。因为切割用压敏粘着带或片施用于未完全被自然氧化膜覆盖的活性面，处于未氧化状态下的活性原子(如硅原子)与压敏粘着剂层中的组分反应，在未氧化活性原子和压敏粘着剂层的组分之间形成化学结合，从而引发问题。
本文中，术语“活性面”是指处在未完全被自然氧化膜覆盖状态下的面。具体地，该术语是指这样的面，该面未完全被自然氧化膜覆盖并且在其中存在处于未氧化状态下的活性原子(例如与压敏粘着剂层的组分有反应性的原子)。
专利文献1：JP-A-2001-234136
发明内容
因此，本发明的目的是提供活性面贴附切割用压敏粘着带或片，该压敏粘着带或片即使当与活性面长期结合时，也能够使切断片容易被拾取。本发明的另一目的是提供拾取被加工物的切断片的方法，该方法包括使用活性面贴附切割用压敏粘着带或片。
本发明人经过锐意的研究以实现上述目的。结果，发现，当使用以特定的丙烯酸系聚合物作为基础聚合物(base polymer)并含有特定的辐射聚合性化合物的切割用压敏粘着带或片作为切割用压敏粘着带或片，并在圆片的背面研磨(背面加工)后立刻施用于半导体圆片的研磨面(活性面)时，该压敏粘着带或片可容易地剥离，即使经过长时间。基于这些发现完成了本发明。
附图说明
图1是说明本发明的活性面贴附切割用压敏粘着带或片的一个方案的示意性剖视图；
图2是说明测量本发明的活性面贴附切割用压敏粘着带或片的粘着力的示意性剖视图。
附图标记
1  活性面贴附切割用压敏粘着带或片
2  基材
3  辐射硬化性压敏粘着剂层
4  隔离层
5  活性面贴附切割用压敏粘着带或片
51 基材
52 辐射硬化性压敏粘着剂层(X)
6  硅镜圆片
X  是活性面贴附切割用压敏粘着带或片5被剥离的方向(剥离方向)
θ 是在活性面贴附切割用压敏粘着带或片5剥离期间辐射硬化性压敏粘着剂层(X)52的表面和硅镜圆片6的表面之间的角度(剥离角度)。
具体实施方式
也就是说，本发明涉及以下的(1)-(7)：
(1)切割用压敏粘着带或片，其包括：
基材，和
在基材的至少一侧上布置的辐射硬化性压敏粘着剂层，
所述的压敏粘着剂层含有重均分子量为500,000或500,000以上的丙烯酸系聚合物(A)和至少一种辐射聚合性化合物(B)，该辐射聚合性化合物(B)选自具有一个或多个含碳-碳双键的基团的氰脲酸酯和具有一个或多个含碳-碳双键的基团的异氰脲酸酯，其中相对于100重量份的丙烯酸系聚合物(A)，辐射聚合性化合物(B)为5-150重量份，和
其中所述的压敏粘着带或片要施用于处在未完全被自然氧化膜覆盖状态下的活性面。
(2)上述(1)所述的压敏粘着带或片，其中辐射聚合性化合物(B)在其分子中具有2-12个含有碳-碳双键的基团。
(3)上述(2)所述的压敏粘着带或片，其中辐射聚合性化合物(B)在其分子中具有3-10个含有碳-碳双键的基团。
(4)上述(1)所述的压敏粘着带或片，其中所述的在辐射聚合性化合物(B)中的一个或多个含有碳-碳双键的基团各自独立地是选自乙烯基、烯丙基、丙烯酰氧基和甲基丙烯酰氧基中至少一种的基团。
(5)上述(1)所述的压敏粘着带或片，其中丙烯酸系聚合物(A)具有800,000或800,000以上的重均分子量。
(6)上述(1)所述的压敏粘着带或片，其中丙烯酸系聚合物(A)在其侧链或主链中或在其主链末端具有一个或多个碳-碳双键。
(7)上述(1)所述的压敏粘着带或片，其中相对于100重量份的丙烯酸系聚合物(A)，辐射聚合性化合物(B)为20-120重量份。
辐射聚合性化合物(B)优选在其分子中具有2-12个含有碳-碳双键的基团。优选地，在辐射聚合性化合物(B)中的一个或多个含有碳-碳双键的基团各自独立地为选自乙烯基、烯丙基、丙烯酰氧基和甲基丙烯酰氧基中至少一种的基团。
另外，本发明进一步涉及以下的(8)。
(8)拾取被加工物的切断片的方法，该方法包括：
将上述(1)所示的压敏粘着带或片施用于被加工物的活性面上，然后通过切割被加工物制备切断片；和
拾取所述的切断片。
本发明的活性面贴附切割用压敏粘着带或片即使与活性面保持长期结合时也能够容易地拾取切断片，因为其具有上述构成。
本发明的活性面贴附切割用压敏粘着带或片具有这样的结构，其包括基材和在所述基材的至少一侧上布置的辐射硬化性压敏粘着剂层，并且其中在所述基材至少一侧上的辐射硬化性压敏粘着剂层含有重均分子量为500,000或500,000以上的丙烯酸系聚合物(A)(下文中通常简称为“丙烯酸系聚合物(A)”)和至少一种选自以下的辐射聚合性化合物(B)(下文中通常简称为“辐射聚合性化合物(B)”)：具有一个或多个含碳-碳双键的基团的氰脲酸酯化合物和具有一个或多个含碳-碳双键的基团的异氰脲酸酯化合物，其中相对于100重量份的丙烯酸系聚合物(A)，辐射聚合性化合物(B)为5-150重量份。因为本发明的活性面贴附切割用压敏粘着带或片具有上述构成，其中在基材至少一侧上的辐射硬化性压敏粘着剂层含有基于以给定比例引入粘着剂中的重均分子量为500,000或500,000以上的丙烯酸系聚合物(A)和辐射聚合性化合物(B)丙烯酸系压敏粘着剂，所述的辐射硬化性压敏粘着剂层在放射线照射时可固化，形成三维网状结构，该三维网状结构有效对抗活性面。因此，本发明的活性面贴附切割用压敏粘着带或片与活性面保持长期结合后，活性面的粘着力可以有效地通过放射线的照射而降低。因此，可以在拾取切断片的过程中容易地拾取切断片。
关于辐射聚合性化合物(B)，重要的是含有碳-碳双键的基团将具有通过放射线照射发生聚合的性质(辐射聚合性)。
丙烯酸系聚合物(A)
丙烯酸系聚合物(A)是重均分子量为500,000或500,000以上(例如500,000到5,000,000)并且可用作辐射硬化性压敏粘着剂组合物的基础聚合物的丙烯酸系聚合物。当丙烯酸系聚合物(A)的重均分子量低于500,000时，存在防止诸如半导体圆片的被加工物被污染的性质降低并且当该压敏粘着带或片在施用于活性面并在随后从活性面上剥离时后残留粘着剂残余物的情况。优选地，丙烯酸系聚合物(A)具有低含量的低分子量物质(组分)。从此观点考虑，丙烯酸系聚合物(A)的重均分子量优选为800,000或800,000以上(例如800,000到3,000,000)。
丙烯酸系聚合物(A)是含有(甲基)丙烯酸酯作为主要单体成分的聚合物(均聚物或共聚物)。作为丙烯酸系聚合物(A)的主要单体成分的(甲基)丙烯酸酯的例子包括(甲基)丙烯酸的烷基酯，如(甲基)丙烯酸甲基酯、(甲基)丙烯酸乙基酯、(甲基)丙烯酸丙基酯、(甲基)丙烯酸异丙基酯、(甲基)丙烯酸丁基酯、(甲基)丙烯酸异丁基酯、(甲基)丙烯酸仲丁基酯、(甲基)丙烯酸叔丁基酯、(甲基)丙烯酸戊基酯、(甲基)丙烯酸己基酯、(甲基)丙烯酸庚基酯、(甲基)丙烯酸辛基酯、(甲基)丙烯酸异辛基酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己基酯、(甲基)丙烯酸异壬基酯、(甲基)丙烯酸癸基酯、(甲基)丙烯酸异癸基酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、和(甲基)丙烯酸十八烷基酯；(甲基)丙烯酸的环烷基酯，如(甲基)丙烯酸环己基酯；以及(甲基)丙烯酸的芳基酯，如(甲基)丙烯酸苯基酯。这些(甲基)丙烯酸酯可以单独使用或它们的两种或多种组合使用。优选的(甲基)丙烯酸酯是(甲基)丙烯酸的烷基酯，如(甲基)丙烯酸甲基酯、(甲基)丙烯酸乙基酯、(甲基)丙烯酸丁基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己基酯和(甲基)丙烯酸辛基酯。
在生产丙烯酸系聚合物(A)中，例如，为了根据需要改进诸如内聚力和耐热性的性质，可使用能与(甲基)丙烯酸酯共聚合的一种或多种单体(可共聚单体)作为单体成分。可共聚单体可单独使用或它们的两种或多种组合使用。可共聚单体的例子包括含有羧基的单体，如(甲基)丙烯酸(丙烯酸和甲基丙烯酸)、(甲基)丙烯酸羧乙基酯、(甲基)丙烯酸羧戊基酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸和异巴豆酸；含有酸酐基团的单体，如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基的单体，如(甲基)丙烯酸-2-羟乙基酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙基酯、(甲基)丙烯酸-4-羟丁基酯、(甲基)丙烯酸-6-羟己基酯、(甲基)丙烯酸-8-羟辛基酯、(甲基)丙烯酸-10-羟癸基酯、(甲基)丙烯酸-12-羟十二烷基酯、(甲基)丙烯酸-(4-羟甲基环己基)甲基酯、乙烯醇、烯丙醇、2-羟乙基乙烯基醚、2-羟丙基乙烯基醚、4-羟丁基乙烯基醚、乙二醇单乙烯基醚、二甘醇单乙烯基醚、丙二醇单乙烯基醚和一缩二丙二醇单乙烯基醚；含有磺基(sulfonate)的单体，如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙基酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含有磷酸酯基团的单体，如丙烯酰基磷酸-2-羟乙基酯；酰胺单体，如(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙基(甲基)丙烯酰胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯酰胺、和N-丁氧基甲基(甲基)丙烯酰胺；含有氰基的单体如(甲基)丙烯腈；含氨基的单体，如(甲基)丙烯酸氨基乙基酯、(甲基)丙烯酸-N，N-二甲基氨基乙基酯、和(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙基酯；含环氧基的单体如(甲基)丙烯酸缩水甘油基酯和(甲基)丙烯酸甲基缩水甘油基酯；烯烃单体，如乙烯、丙烯、异丙烯、丁二烯和异丁烯；苯乙烯单体，如苯乙烯、α-甲基苯乙烯和乙烯基甲苯；乙烯基酯单体，如乙酸乙烯酯和丙酸乙烯酯；乙烯基醚单体，如甲基乙烯基醚和乙基乙烯基醚；含有一个或多个卤原子的单体，如氯乙烯和偏二氯乙烯；含异氰酸酯基团的单体，如(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰氧基甲基异氰酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧基丙基异氰酸酯、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基异氰酸酯、4-(甲基)丙烯酰氧基丁基异氰酸酯、和m-丙烯基-α，α-二甲基苄基异氰酸酯；和具有含一个或多个氮原子的环的单体，如N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-甲基乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基噁唑、N-乙烯基吗啉、N-乙烯基己内酰胺和N-(甲基)丙烯酰基吗啉。
根据需要，为了交联目的，可使用多官能单体作为可共聚单体。多官能单体的例子包括(甲基)丙烯酸-1，6-己二酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、丙三醇二(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、二乙烯基苯、丁烯二(甲基)丙烯酸酯和己烯二(甲基)丙烯酸酯。
可共聚单体的使用量(比例)优选基于所有单体成分的总量为40重量％以下。当使用多官能单体作为可共聚单体时，多官能单体的使用量优选基于所有单体成分的总量为30重量％以下，这是基于压敏粘着剂性质等考虑的。
丙烯酸系聚合物(A)可以通过单一单体成分或两种或多种单体成分的混合物的聚合制备。所述聚合可通过以下任何方法进行：溶液聚合法、乳液聚合法、本体聚合法、悬浮聚合法等等。
在本发明中，优选使用的丙烯酸系聚合物(A)是在其侧链或主链中或在其主链末端具有一个或多个碳-碳双键的丙烯酸系聚合物(下文中通常称该聚合物为“含双键的丙烯酸系聚合物”)。当丙烯酸系聚合物(A)是含双键的聚合物时，带来以下优点。当活性面贴附切割用压敏粘着带或片施用于活性面并且之后活性面的粘着力将通过放射线的照射降低时，则活性面的粘着力更有效地降低而无需添加低分子量成分如其它的辐射硬化性单体或低聚物。
含双键的丙烯酸系聚合物的优选例子是这样的含双键的丙烯酸系聚合物，其中在每个分子中的至少1/100的侧链含有一个碳-碳双键(下文通常称作“侧链双键型丙烯酸系聚合物”)。从分子设计的观点考虑，向丙烯酸系聚合物侧链中引入碳-碳双键是有利的。该侧链双键型丙烯酸系聚合物可在主链中和在主链末端含有碳-碳双键。这种含双键的丙烯酸系聚合物不必要含有低分子量成分如低聚物成分或不含大量的这些成分。因此，可以抑制或防止在压敏粘着剂层中的诸如低聚物成分的低分子量成分随着时间的推移而移动并且可形成具有稳定层结构的压敏粘着剂层。
不特别限制制备含双键的丙烯酸系聚合物的方法(即向丙烯酸系聚合物中引入碳-碳双键的方法)，并且可使用适当地选自各种常规方法中的方法。制备含双键的丙烯酸系聚合物的方法(向丙烯酸系聚合物中引入碳-碳双键的方法)的例子包括这样的方法，该方法包括使单体(该单体包括含有官能团的单体作为可共聚单体)共聚合，以制备含有官能团的丙烯酸系聚合物(下文中通常称作“含官能团的丙烯酸系聚合物”)，然后既包括与含官能团的丙烯酸系聚合物中的官能团有反应性的官能团又包括碳-碳双键的化合物(下文中通常称作“含碳-碳双键的反应性化合物”)经历与含官能团的丙烯酸系聚合物的缩合反应或加成反应，同时保持碳-碳双键的辐射硬化性(辐射聚合性)，从而制备含双键的丙烯酸系聚合物。向每个丙烯酸系聚合物的所有侧链的至少1/100中引入碳-碳双键中可使用的控制方法的例子包括这样的方法，在该方法中，适当地调节要经历与含官能团的丙烯酸系聚合物的缩合反应或加成反应的含碳-碳双键的反应性化合物的量。当含碳-碳双键的反应性化合物经历与含官能团的丙烯酸系聚合物的缩合反应或加成反应时，可使用催化剂，从而能够使反应有效地进行。虽然不特别限制催化剂，但是优选所述催化剂是锡催化剂(特别是二月桂酸二丁锡)。不特别限制催化剂(锡催化剂，如二月桂酸二丁锡)的使用量，例如，催化剂的量优选相对于100重量份的含官能团的丙烯酸系聚合物为约0.05-1重量份。
在侧链双键型丙烯酸系聚合物中，每个其中引入碳-碳双键的侧链的比例，就所述侧链数对全部侧链中官能团(如羟基)数的比而言，优选为1/100以上(1/100到100/100)，特别优选10/100到98/100(特别是50/100到95/100)。因此，侧链双键型丙烯酸系聚合物中每个引入碳-碳双键的侧链的比可进行控制，例如通过基于含官能团的丙烯酸系聚合物中官能团数目适当地调节含碳-碳双键的反应性化合物的使用量进行。
含官能团的丙烯酸系聚合物中的官能团与含碳-碳双键的反应性化合物中的官能团的组合的例子包括各种组合，诸如羧酸基团(羧基)和环氧基的组合，羧酸基团和氮丙啶基的组合，以及羟基和异氰酸酯基的组合。从反应示踪性的角度考虑，优选的这些官能团的组合是羟基和异氰酸酯基的组合。在每个这些官能团组合中，任何一个官能团可以是含官能团的丙烯酸系聚合物的官能团或含碳-碳双键的反应性化合物的官能团。然而，例如在羟基和异氰酸酯基组合的情况下，优选羟基是含官能团的丙烯酸系聚合物中的官能团，且异氰酸酯基是含碳-碳双键的反应性化合物中的官能团。在这种情况下，含碳-碳双键且含有异氰酸酯基作为官能团的反应性化合物(即含碳-碳双键的异氰酸酯化合物)的例子包括(甲基)丙烯酰氧基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰氧基甲基异氰酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧基丙基异氰酸酯、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基异氰酸酯、4-(甲基)丙烯酰氧基丁基异氰酸酯和m-丙烯基-α，α-二甲基苄基异氰酸酯。另一方面，含有官能团且含有羟基作为官能团的丙烯酸系聚合物的例子包括含羟基的丙烯酸系聚合物，其可通过使包括含羟基的单体(例如(甲基)丙烯酸-2-羟乙基酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙基酯、(甲基)丙烯酸-4-羟丁基酯、(甲基)丙烯酸-6-羟己基酯、(甲基)丙烯酸-8-羟丁基酯、(甲基)丙烯酸-10-羟基癸基酯、(甲基)丙烯酸-12-羟基十二烷基酯、(甲基)丙烯酸-(4-羟甲基环己基)甲基酯、乙烯醇、烯丙基醇、2-羟乙基乙烯基醚、2-羟丙基乙烯基醚、4-羟丁基乙烯基醚、乙二醇单乙烯基醚、二甘醇单乙烯基醚、丙二醇单乙烯基醚或一缩二丙二醇单乙烯基醚)作为可共聚单体的单体共聚合制备。
含双键的丙烯酸系聚合物通过放射线照射硬化，并且该硬化反应当体系中存在光聚合引发剂时更容易进行。作为光聚合引发剂，可以使用在使用放射线照射硬化辐射聚合性化合物(B)中使用的光聚合引发剂。
丙烯酸系聚合物(A)经过调整从而在使用交联剂交联后具有的重均分子量为500,000或500,000以上。不特别限制交联剂，并可使用适当地选自常规交联剂中的一种(例如聚异氰酸酯交联剂、环氧树脂交联剂、氮丙啶化合物交联剂、三聚氰胺树脂交联剂、尿素树脂交联剂、酸酐交联剂、聚胺交联剂和含羧基的聚合物型交联剂)。不特别限制交联剂的使用量，并且可根据与待交联的聚合物(未交联状态下的丙烯酸系聚合物(A))之间的平衡、压敏粘着剂的应用等适当地确定。通常，交联剂的使用量优选相对于100重量份的待交联聚合物为0.01-5重量份。
在丙烯酸系聚合物(A)要用交联剂交联的情况下，重要的是丙烯酸系聚合物(A)应该是这样的丙烯酸系聚合物，该丙烯酸系聚合物是具有与交联剂有反应性的官能团(反应性官能团)的丙烯酸系聚合物(如含有与交联剂有反应性的官能团如羟基或羧基的含双键的丙烯酸系聚合物)。
辐射聚合性化合物(B)
辐射聚合性化合物(B)是选自以下的至少一种：具有一个或多个含碳-碳双键的基团(下文中通常称作″碳-碳双键基团″)的氰脲酸酯化合物(这些化合物在下文中通常被称作“含碳-碳双键的氰脲酸酯化合物”)和具有一个或多个含碳-碳双键的基团的异氰脲酸酯化合物(下文中通常称作“含碳-碳双键的异氰脲酸酯化合物”)。含碳-碳双键的氰脲酸酯化合物或含碳-碳双键的异氰脲酸酯化合物各自在其分子内具有三嗪环或异三嗪环(异氰脲酸酯环)并且还具有一个或多个辐射聚合性碳-碳双键。这些辐射聚合性化合物(B)优选是单体、低聚物、或两种或多种单体和低聚物的混合物。
不特别限制制备辐射聚合性化合物(B)的方法。通常，辐射聚合性化合物(B)的制备可以是：使卤代氢化物、双苯胺化合物、二异氰酸酯化合物等作为起始原料，经历常规的环化反应，以制备具有三嗪环或异三嗪环的化合物，然后向该化合物中引入一个或多个辐射聚合性碳-碳双键基团(例如乙烯基、烯丙基、或甲基丙烯酰氧基)。
在本发明中优选辐射聚合性化合物(B)在其分子内具有两个或多个碳-碳双键基团，这是从通过放射线照射有效形成三维网络结构的角度考虑的。具体地，当辐射聚合性化合物(B)是单体时，该单体优选每分子具有两个或多个碳-碳双键基团。另一方面，在低聚物的情况下，低聚物优选每重复单元具有两个或多个碳-碳双键基团。辐射聚合性化合物(B)中含有的碳-碳双键的数目更优选为2-12个，特别优选3个或更多(特别是3-10个)。当辐射聚合性化合物(B)中含有的碳-碳双键基团的数目低于2时，存在当使用放射线照射时不能得到足够降低粘着力的交联度的情况。当碳-碳双键基团数目超过12时，存在当用放射线照射时使压敏粘着剂变得过脆的情况。
碳-碳双键基团的优选例子包括乙烯基、烯丙基、丙烯酰氧基和甲基丙烯酰氧基。碳-碳双键基团可以是一种或两种或多种的组合。
在辐射聚合性化合物(B)中，碳-碳双键基团各自通常通过其它基团(下文中通常称作“连接基”)与构成三嗪环或异三嗪环的任何氮原子结合，或不经过连接基与所述氮原子结合。优选碳-碳双键基团或在每个碳-碳双键基团和三嗪环或异三嗪环之间的连接基(特别是碳-碳双键基团)都不具有所谓的“刚性分子结构”(例如，具有芳环的分子结构或具有杂环的分子结构)。在碳-碳双键基团或连接基具有刚性的情况下，过度刚性被赋予辐射聚合性化合物(B)，辐射硬化性压敏粘着剂层通过放射线(如紫外线)照射而过度脆化。因此存在硬化带来麻烦的情况，例如，压敏粘着剂层当在拾取步骤中进行扩大或拾取时脆化破裂。
因此，优选碳-碳双键基团和连接基各自含有富有原子自由转动性的基团。富有原子自由转动性的基团的例子包括既不含芳环又不含杂环的二价有机基团，如脂族烃基团(例如亚烷基如亚甲基、亚乙基、1，3-亚丙基、1，4-亚丁基、1，5-亚戊基、1，6-亚己基、1，7-亚庚基和1，8-亚辛基以及与这些亚烷基对应的亚烷基(alkylidene))，氧基(-O-)，羰基(-CO-)，氧基羰基(-OCO-)，羰基氧基(-COO-)，亚氨基羰基(-NHCO-)，羰基氨基(-CONH-)，亚氨基羰基氧基(-NHCOO-)和氧基羰基氨基(-OCONH-)；和包括两个或多个这些基团的组合的基团(例如各自由脂族烃基和至少一个二价有机基团构成的基团，所述的二价有机基团选自氧基、羰基、氧基羰基、羰基氧基、亚氨基羰基、羰基氨基、亚氨基羰基氧基和氧基羰基氨基)。
在构成碳-碳双键的碳原子通过氧基与三嗪环或异三嗪环结合的情况下，优选构成碳-碳双键的碳原子(三嗪环或异三嗪环侧上的碳原子)通过亚烷基氧基(alkyleneoxy group)或亚烷基氧基(alkylideneoxy group)与三嗪环或异三嗪环结合。特别优选构成碳-碳双键的碳原子通过含2个或更多碳原子的亚烷基氧基(alkyleneoxy group)或通过含有2个或更多碳原子的亚烷基氧基(alkylideneoxy group)与三嗪环或异三嗪环结合。在这种情况下，当两个或多个碳-碳双键基团与一个三嗪环或异三嗪环结合时，优选碳-碳双键基团中的至少一个基团是其中构成碳-碳双键的碳原子通过含2个或更多碳原子的亚烷基氧基(alkyleneoxy group)或通过含2个或更多碳原子的亚烷基氧基(alkylideneoxy group)与三嗪环或异三嗪环连接的基团。
特别地，用作辐射聚合性化合物(B)的含碳-碳双键的氰脲酸酯化合物包括2-丙烯基-二-3-丁烯基氰脲酸酯。另外，含碳-碳双键的异氰脲酸酯化合物的例子包括2-羟乙基双(2-丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、三(2-丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、三(2-甲基丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、双(2-丙烯酰氧基乙基)2-(5-丙烯酰氧基己基)氧基]乙基异氰脲酸酯、三(1，3-二丙烯酰氧基-2-丙基氧基羰基氨基-正己基)异氰脲酸酯、三(1-丙烯酰氧基乙基-3-甲基丙烯酰氧基-2-丙基氧基羰基氨基-正己基)异氰脲酸酯和三(4-丙烯酰氧基-正丁基)异氰脲酸酯。
在本发明中，作为辐射聚合性化合物(B)，可优选使用单体形式的一种或多种辐射聚合性化合物(例如上述的含碳-碳双键的氰脲酸酯化合物和含碳-碳双键的异氰脲酸酯化合物)。另外，低聚物形式的辐射聚合性化合物(B)的例子包括上述的含碳-碳双键的氰脲酸酯化合物和含碳-碳双键的异氰脲酸酯化合物的低聚物。
辐射硬化性压敏粘着剂层
活性面贴附切割用压敏粘着带或片具有这样的结构，该结构包括基材和在所述基材的至少一侧上形成的辐射硬化性压敏粘着剂层，该层含有丙烯酸系聚合物(A)和辐射聚合性化合物(B)，其中相对于100重量份的丙烯酸系聚合物(A)，辐射聚合性化合物(B)为5-150重量份(优选20-120重量份)。本文中，所述的压敏粘着剂层通常称作“辐射硬化性压敏粘着剂层(X)”。在丙烯酸系聚合物(A)对辐射聚合性化合物(B)的比为，相对于100重量份的丙烯酸系聚合物(A)，辐射硬化性化合物(B)低于5重量份的情况下，通过辐射在辐射硬化性压敏粘着剂层(X)中不形成足够的三维网络结构。因此，粘着力(元件固定粘着力)不能降低到可以容易拾取元件(切断片)的程度。另一方面，在丙烯酸系聚合物(A)对辐射聚合性化合物(B)的比为，相对于100重量份的丙烯酸系聚合物(A)，辐射聚合性化合物(B)超过150重量份的情况下，辐射硬化性压敏粘着剂层(X)的可塑化硬化效果如此高，使得不具有足够的元件固定粘着力，不能使被加工物经得起切割时由旋转刀片(圆形刀)切割所带来的冲击力或清洗水的水压。
如上所述，辐射硬化性压敏粘着剂层(X)由压敏粘着剂组合物构成，该压敏粘着剂组合物至少含有给定比率的丙烯酸系聚合物(A)和辐射聚合性化合物(B)(该组合物在下文中通常被称作“辐射硬化性压敏粘着剂组合物”)。优选辐射硬化性压敏粘着剂组合物含有光聚合引发剂，使得辐射聚合性化合物(B)在用放射线照射时能够有效聚合或硬化。光聚合引发剂的例子包括苯偶姻烷基醚引发剂，如苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻异丙醚和苯偶姻异丁基醚；二苯甲酮引发剂如二苯甲酮，苯甲酰基苯甲酸，3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮和聚乙烯基二苯甲酮；芳香酮引发剂，如α-羟基环己基苯基酮，4-(2-羟基乙氧基)苯基-2-羟基2-丙基酮，α-羟基-α，α’-二甲基苯乙酮，甲氧基苯乙酮，2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮，2，2-二乙氧基苯乙酮和2-甲基-1-[4-(甲基硫基)苯基]-2-吗啉基丙烷-1-酮；芳香缩酮引发剂如苯甲基二甲基缩酮；噻吨酮引发剂如噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-异丙基噻吨酮、2-十二烷基噻吨酮、2，4-二氯噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮和2，4-二异丙基噻吨酮；苯偶酰引发剂如苯偶酰；和苯偶姻引发剂如苯偶姻。它们的例子还包括α-酮醇化合物(如2-甲基-2-羟基乙基苯基酮)，芳香磺酰氯化合物(如2-萘磺酰氯)，旋光活性的肟化合物(如1-苯酮-1，1-丙二酮-2-(O-乙氧基羰基)肟)，樟脑醌、卤代酮、酰基膦氧化物和酰基膦酸酯。这些光聚合引发剂可以单独使用或它们的两种或多种组合使用。
光聚合引发剂的引入量选择为相对于每100重量份的辐射聚合性化合物(B)为0.5到30重量份(优选1到20重量份)的范围内。在使用含双键的丙烯酸系聚合物作为丙烯酸系聚合物(A)的情况下，光聚合引发剂的引入量可以适当地选择为相对于每100重量份的含双键的丙烯酸系聚合物(A)和辐射聚合性化合物(B)的总和为0.5到30重量份(优选1到20重量份)的范围内，因为引发剂还用于硬化含双键的丙烯酸系聚合物。
用于形成辐射硬化性压敏粘着剂层(X)的辐射硬化性压敏粘着剂组合物，根据需要，可以含有常规的添加剂或成分，如交联剂、增粘剂、填充料、阻燃剂、抗老化剂、抗静电剂、软化剂、紫外线吸收剂、抗氧化剂、增塑剂、表面活性剂和着色剂。待使用的交联剂可适当地选自上述的常规交联剂(例如聚异氰酸酯交联剂)。当丙烯酸系聚合物(A)与交联剂交联的情况下，重要的是使用与丙烯酸系聚合物(A)的官能团有反应性的交联剂。具体地，当丙烯酸系聚合物(A)是含有诸如羟基和羧基的官能团的丙烯酸系聚合物(例如含有双键且含有羟基的丙烯酸系聚合物)时，则聚异氰酸酯交联剂可有利地用作交联剂。聚异氰酸酯交联剂的例子包括亚甲苯基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、三羟甲基丙烷三异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯，二苯基甲烷二异氰酸酯的二聚体和三聚体，三羟甲基丙烷和亚甲苯二异氰酸酯的反应产物，三羟甲基丙烷和六亚甲基二异氰酸酯的反应产物，聚亚甲基-聚苯基异氰酸酯，聚醚聚异氰酸酯和聚酯聚异氰酸酯。
除了辐射聚合性化合物(B)之外，在辐射硬化性粘着剂组合物中可包含一种或多种其它的辐射聚合性化合物。任选的辐射聚合性化合物可适当地选自常规的辐射聚合性化合物。它们的例子包括低分子量辐射聚合性化合物如三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯和聚乙二醇二丙烯酸酯；和高分子量的辐射聚合性化合物(辐射硬化性树脂)如酯(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯、和各自在分子末端具有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸系树脂(甲基)丙烯酸酯以及硫醇-烯(thiol-ene)加成型树脂，和各自在分子末端具有烯丙基的阳离子光聚合树脂，聚(肉桂酸乙烯酯)、重氮化氨基酚醛树脂和丙烯酰胺聚合物。
辐射硬化性压敏粘着剂层(X)可使用压敏粘着剂组合物(辐射硬化性压敏粘着剂组合物)通过制备压敏粘着剂层的常规方法制备，该组合物含有给定比率的丙烯酸系聚合物(A)和辐射聚合性化合物(B)。例如，辐射硬化性压敏粘着剂层(X)可通过包括将辐射硬化性压敏粘着剂组合物施用于基材的给定一侧以形成层的方法形成，或通过包括将辐射硬化性压敏粘着剂组合物施用于隔离层(例如涂有隔离剂的塑料膜或片)上以形成辐射硬化性压敏粘着剂层、然后将辐射硬化性压敏粘着剂层(X)转移到基材的给定一侧的方法形成。
所述的辐射硬化性压敏粘着剂层(X)可具有单层构造或多层构造。
不特别限制辐射硬化性压敏粘着剂层(X)的厚度。然而，优选在1-50μm范围内，特别优选在3-20μm范围内。存在结合于活性面贴附切割用压敏粘着带或片的被加工物在切割期间之间振动的情况。在这种情况下，当振动幅度大时，被加工物的切断片可碎片。然而，通过调节辐射硬化性压敏粘着剂层(X)的厚度到50μm以下，则可以防止被加工物在切割期间发生的振动幅度变得太大。结果是，可获得有效减少切断片遭受碎片的现象(所谓的“碎片”的减少)。另外，通过调节辐射硬化性压敏粘着剂层(X)的厚度到1μm或更高，结合于辐射硬化性压敏粘着剂层(X)的被加工物可以保持不脱落，从而防止在切割期间被加工物与粘着剂层(X)容易地分离。特别地，通过调节辐射硬化性压敏粘着剂层(X)的厚度到3-20μm，可以进一步减少碎片并且在切割期间被加工物可以更高可靠性被固定。结果，可有效防止或阻止切割失败的发生。
基材
在活性面贴附切割用压敏粘着带或片中，不特别限制基材。基材可以是任何的塑料基材、金属基材、由纤维制成的基材、用纸制成的基材，等等，优选使用塑料基材。塑料基材的例子包括塑料膜或塑料片，构成塑料膜或塑料片的材料的例子包括聚烯烃树脂(例如低密度聚乙烯、线性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、丙烯无规共聚物、丙烯嵌段共聚物、丙烯均聚物、聚丁烯、和聚甲基戊烯)、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、离聚体树脂、乙烯/(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯/(甲基)丙烯酸酯共聚物(例如，无规共聚物和交替共聚物)、乙烯/丁烯共聚物、乙烯/己烯共聚物、聚氨酯、聚酯树脂(例如，聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯)、聚对苯二甲酸丁二酯和聚萘二甲酸丁二酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚醚酮、聚醚、聚醚砜、聚苯乙烯树脂(例如聚苯乙烯)、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇、聚乙酸乙烯酯、氯乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚碳酸酯、氟树脂、纤维素树脂，和通过这些树脂的交联获得的材料。这些构成材料可单独使用或它们的两种或多种组合使用。塑料膜或塑料片的构成材料根据需要可在其中引入官能团，或者可以对其接枝官能单体或改性单体的材料。
塑料基材的表面可经历常规或通常的表面处理(例如化学或物理处理，如电晕放电处理、铬酸处理、臭氧暴露处理、火焰暴露处理、高压电击暴露处理或电离辐射处理、涂底层、打底漆、褪光或交联)，从而具有附着于或保持相邻层(辐射硬化性压敏粘着剂层(X)等)的改善性质。塑料基材可具有导电物质的蒸气淀积层，导电物质如金属、合金或其氧化物，从而具有抗净电性能。这些导电物质的蒸气淀积层的厚度通常为约30-500埃。
基材优选是至少部分地传播放射线(例如X射线、紫外线或电子束)的基材，从而使得在基材上形成的辐射硬化性压敏粘着剂层(X)可通过使用即使来自基材侧的放射线照射该层(X)而硬化。
基材可具有单层构造或多层构造。根据需要，基材可含有常规的添加剂或成分，诸如例如添加剂、阻燃剂、抗老化剂、抗静电剂、软化剂、紫外线吸收剂、抗氧化剂、增塑剂和表面活性剂。
不特别限制基材的制造方法，并且可使用适当地选自常规或常用制造方法中的一种。塑料基材的制造方法的例子包括压延成膜、浇铸成膜、膨胀成型和T-模头挤出。在具有其中多层层压构造的塑料基材的情况下，可通过共挤出或干法层压的层压技术制造。塑料基材可处在未拉伸状态下或已经历拉伸处理并且处在单轴或双轴的拉伸状态下。
不特别限制基材的厚度，并且可适当地确定厚度，其厚度例如是10到300μm，优选30-200μm。
活性面贴附切割用压敏粘着带或片
如图1所示，本发明的活性面贴附切割用压敏粘着带或片具有的构造为，包括基材和在所述基材至少一侧(一面或两面)上形成的辐射硬化性压敏粘着剂层(X)。优选辐射硬化性压敏粘着剂层(X)被隔离层保护起来。
图1是说明本发明的活性面贴附切割用压敏粘着带或片的一个方案的示意性剖视图，在图1中，数字1表示活性面贴附切割用压敏粘着带或片，数字2表示基材，数字3表示辐射硬化性压敏粘着剂层，数字4表示隔离层。图1所示的活性面贴附切割用压敏粘着带或片具有的构造为，包括基材2，在所述基材2的一侧上形成的辐射硬化性压敏粘着剂层3，和保护辐射硬化性压敏粘着剂层3的隔离层4。在图1所示的活性面贴附切割用压敏粘着带或片中，辐射硬化性压敏粘着剂层3是上述的辐射硬化性压敏粘着剂层X(即以给定比例含有丙烯酸系聚合物(A)和辐射聚合性化合物(B)的辐射硬化性压敏粘着剂层)。基材2如上所述。
如图1所示，本发明的活性面贴附切割用压敏粘着带或片优选具有的构造(方案)是，其中在基材的一面上形成辐射硬化性压敏粘着剂层(X)。另外，根据需要，可具有这样的构造，其中在基材的两面上形成辐射硬化性压敏粘着剂层(X)，或者，可具有这样的构造，其包括基材、在基材一侧上形成的辐射硬化性压敏粘着剂层(X)和在所述基材的另一面上形成的与辐射硬化性压敏粘着剂层(X)不同的压敏粘着剂层(例如，其它的辐射硬化性压敏粘着剂层、热剥离型压敏粘着剂层、或在用放射线照射或加热时不具有可剥离性的常规的压敏粘着剂层)。
如上所述，活性面贴附切割用压敏粘着带或片可根据需要具有隔离层，用于例如保护压敏粘着剂层(例如辐射硬化性压敏粘着剂层(X))的目的。不特别限制隔离层，并且可使用适当地选自常规隔离层中的一种。隔离层的构成材料(基材材料)的例子包括纸；和由合成树脂如聚乙烯、聚丙烯和聚对苯二甲酸乙二酯构成的合成树脂薄膜。隔离层的表面可能经历剥离处理(赋予剥离性的处理)，诸如例如有机硅处理、用长链烷基类型的隔离剂处理，或含氟化合物处理，从而具有增强的剥离性。另外，根据需要，隔离层可经历紫外线屏蔽处理，从而防止压敏粘着剂层(特别是辐射硬化性压敏粘着剂层(X))在环境紫外线作用下发生反应。不特别限制隔离层的厚度，隔离层的厚度通常为10-200μm，优选25-100μm。
在本发明中，当活性面贴附切割用压敏粘着带或片具有在基材一侧上形成辐射硬化性压敏粘着剂层(X)的构造时，则该压敏粘着带或片可具有在基材的另一侧上形成的与辐射硬化性压敏粘着剂层(X)不同的压敏粘着剂层(其它种类的压敏粘着剂层)、通过赋予剥离性的处理形成的隔离层，等等。不特别限制其它种类的压敏粘着剂层，并且其可以是选自与辐射硬化性压敏粘着剂层(X)不同的辐射硬化性压敏粘着剂、在加热时具有剥离性的热剥离型压敏粘着剂层、在加热或用放射线照射时不可剥离的常用压敏粘着剂层等的任何压敏粘着剂层。为了形成其它种类的压敏粘着剂层，可使用例如含有至少一种选自常规的压敏粘着剂(丙烯酸系压敏粘着剂、橡胶基压敏粘着剂、聚氨酯压敏粘着剂、有机硅压敏粘着剂、聚酯压敏粘着剂、聚酰胺压敏粘着剂、环氧树脂压敏粘着剂、乙烯基烷基醚压敏粘着剂、氟树脂压敏粘着剂等)和任选的各种添加剂、辐射聚合性化合物、发泡剂的压敏粘着剂组合物。另一方面，不特别限制用于在基材的另一面上形成隔离层的隔离剂(脱模剂)，可使用适当地选自常规的隔离剂(有机硅隔离剂、长链烷基类型的隔离剂、含氟化合物隔离剂等)中的一种。
活性面贴附切割用压敏粘着带或片可为卷状或层压片的形式。当活性面贴附切割用压敏粘着带或片用于半导体圆片的切割时，通常在被切割成给定形状后被施用于半导体圆片。
重要的是活性面贴附切割用压敏粘着带或片应当施用于未完全被自然氧化膜覆盖的表面(活性表面)上。在活性表面中，存在处于未氧化状态下的活性原子(下文中经常称为“活性原子”)。这些活性原子具有能够与压敏粘着剂层中的组分形成化学结合的性质。即，活性面是在其中存在与压敏粘着剂层中的组分具有反应性的未氧化状态下的原子。在本发明中，活性面贴附切割用压敏粘着带或片，即使在长期结合这种活性面后，也可通过放射线照射容易地从活性面剥离。可与活性原子形成化学结合的压敏粘着剂层中的组分是具有与活性原子有反应性的官能团的化合物，它们的例子包括基础聚合物、增粘剂树脂和辐射聚合性化合物。
具有活性面的被加工物的例子包括半导体圆片、半导体封装、玻璃和陶瓷。这些被加工物使用诸如硅化合物、锗化合物或镓-砷化合物等的化合物作为材料。当这些被加工物经历背面研磨等以暴露新的表面(新鲜的面)时，处于未氧化状态下的活性原子，如处于未氧化状态下的活性硅原子(Si)、处于未氧化状态下的活性锗原子(Ge)、或处于未氧化状态下的活性镓原子(Ga)，存在于新暴露的面中。顺便提及，这些活性原子可随着时间的推移被氧化(通过自然暴露的氧化)或通过强制氧化等失活，从而不具有活性。
本发明的活性面贴附切割用压敏粘着带或片即使在保持结合于被加工物的通过研磨等暴露的活性面并且具有未失活的(即处在活性状态下的)活性原子后，为了减少厚度等，以改善工作节拍时间或保护具有厚度降低的被加工物，无论结合时间长短，通过放射线照射有效降低被加工物的活性面的粘着力而可容易地剥离活性面贴附切割用压敏粘着带或片。
因此，即使当活性面贴附切割用压敏粘着带或片施用于通过研磨新暴露的活性面时，所述施用在圆片背面研磨步骤或除去研磨碎屑层步骤(机械除去研磨碎屑层、化学除去研磨碎屑层、或通过两者除去研磨碎屑层)之后进行或在上述步骤之后不久进行，该压敏粘着带或片可在随后的步骤如切割步骤和拾取步骤中有效使用。具体地，在切割步骤之前，活性面贴附切割用压敏粘着带或片具有有效保护厚度降低的脆性被加工物(如半导体圆片)的作用。在切割步骤中，活性面贴附切割用压敏粘着带或片具有高度抓紧固定被加工物并且能进行有效切割的作用。另外，在拾取步骤中，活性面贴附切割用压敏粘着带或片通过放射线照射可有效降低与被加工物的粘着力，从而可容易地拾取被加工物的切断片(例如半导体元件)。
因此，本发明的活性面贴附切割用压敏粘着带或片可有利地用作要施用于处在未完全被自然氧化膜覆盖状态下的活性面的切割用压敏粘着带或片。
在本发明的活性面贴附切割用压敏粘着带或片中，辐射硬化性压敏粘着剂层(X)具有(在施用于硅镜圆片中；剥离角度：15°；牵拉速率：150mm/min；测量温度：23±3℃)优选为2.3N/25-mm幅以下的粘着力，特别优选为2.0N/25-mm幅以下的粘着力。当活性面贴附切割用压敏粘着带或片的辐射硬化性压敏粘着剂层(X)的粘着力(剥离角度：15°；牵拉速率：150mm/min；测量温度：23±3℃)为2.3N/25-mm幅以下时，压敏粘着带片可具有令人满意的切断片拾取适合性并且有效降低粘着剂残余物的转移。辐射硬化性压敏粘着剂层(X)的粘着力的值是通过以下方法获得的值：其中活性面贴附切割用压敏粘着带或片被施用于硅镜圆片的表面，然后在23±3℃的测量温度和150mm/min的牵拉速率并同时保持辐射硬化性压敏粘着剂层(X)和硅镜圆片表面之间的角度保持在15°的条件下，从硅镜圆片剥离压敏粘着带或片的值，如图2所示。辐射硬化性压敏粘着剂层(X)的粘着力通过硅镜圆片的粘着力表示的原因是：硅镜圆片具有恒定的表面粗糙度并且是光滑的，而且硅镜圆片的材料与用于待切割和拾取的被加工物的半导体圆片等的材料相同等。
图2是说明测量活性面贴附切割用压敏粘着带或片的粘着力的方法的示例性剖视图。在图2中，数字5表示活性面贴附切割用压敏粘着带或片，数字51表示基材，数字52表示辐射硬化性压敏粘着剂层(X)，和数字6表示硅镜圆片。另外，X表示活性面贴附切割用压敏粘着带或片被牵拉剥离的方向(下文中经常称作“剥离方向”)，θ表示当活性面贴附切割用压敏粘着带或片剥离时辐射硬化性压敏粘着剂层(X)52和硅镜圆片6的表面之间的角度(下文中经常称为“剥离角度”)。在图2中，活性面贴附切割用压敏粘着带或片5包括基材51和在所述基材51一侧上形成的辐射硬化性压敏粘着剂层(X)52，所述的辐射硬化性压敏粘着剂层(X)52含有上述给定比例的丙烯酸系聚合物(A)和辐射聚合性化合物(B)。在图2所示的方法中，已经施用于硅镜圆片6一侧上的活性面贴附切割用压敏粘着带或片5以150mm/min速率和15°的恒定剥离角度θ在剥离方向X上剥离。该粘着力的测量在23℃气氛中进行。
活性面贴附切割用压敏粘着带或片优选具有以下性质。在辐射硬化性压敏粘着剂层(X)一侧，该压敏粘着带或片被施用于由硅制成的半导体圆片(硅片)的表面上，并且该硅片进行切割。随后，使用放射线照射并剥离压敏粘着带或片，之后，通过XPS检查硅片的表面以测定碳元素比C1(％)。另一方面，在施用压敏粘着带或片之前，也通过XPS检查硅片表面以测定碳元素C2比例(％)。关于活性面贴附切割用压敏粘着带或片，优选C1和C2之间的差(即通常被称作“ΔC”的(C1-C2))为5以下(例如1-5)。ΔC值为5以下的活性面贴附切割用或片非常不易引起污染，并且有效减少所谓的“粘着剂转移”的发生。因此，被加工物的加工收率可得到改善。
碳元素比(碳元素比C1(％)和碳元素比C2(％))通过XPS(X射线光电子光谱学)测量。具体地，可以通过例如以下方式使用XPS测量碳元素比C1(％)。活性面贴附切割用压敏粘着带或片被施用于硅片的表面，从而辐射硬化性压敏粘着剂层(X)侧接触硅片表面。然后，切割该硅片，使用放射线(如紫外线或电子束)照射压敏粘着带或片，然后从硅片剥离压敏粘着带或片。然后，将已经剥离了活性面贴附切割用压敏粘着带和片的硅片的表面使用X射线光电子分光镜(型号：5400，由ULVAC-PHI，Inc.生产)经历X射线光电子光谱学，测量条件如下：使用X-射线源，MgKα设为15kV(300W)，拾取角度设为45°，并且检测面积设为1mm×3.5mm。因此，可测定C1。另一方面，例如可以通过以下方式使用XPS测定碳元素比C2(％)，在对硅镜圆片施用活性面贴附切割用压敏粘着待和片之前的硅镜圆片的表面使用X射线光电子分光镜(型号：5400，由ULVAC-PHI，Inc.生产)经历X射线光电子光谱学，测量条件如下：使用X-射线源，MgKα设为15kV(300W)，拾取角度设为45°，并且检测面积设为1mm×3.5mm(使用与碳元素比C1(％)中相同的设备和条件)。
被加工物的切断片的拾取方法
在本发明的被加工物的切断片的拾取方法中，将活性面贴附切割用压敏粘着带和片施用于被加工物的活性面，然后切割该被加工物。然后，拾取获得的切断片。重要的是活性面贴附切割用压敏粘着带和片被施用于被加工物，使得辐射硬化性压敏粘着剂层(X)的表面接触被加工物的活性面。因为被用于被加工物的切割和切断片的拾取的压敏粘着带或片是如上所述的活性面贴附切割用压敏粘着带或片，因此，即使在切割用压敏粘着带长期结合于被加工物的活性面后，通过放射线的照射，仍可容易地进行被加工物的切断片的拾取。因此获得了改善的收率。另外，在拾取方法中，即使当厚度小于100μm的脆性半导体圆片(半导体元件)用作被加工物时，通过将半导体圆片切割为规定尺寸而获得的半导体芯片可容易地被拾取并且可有效改善收率。
如上所述，本发明的被加工物的切断片的拾取方法至少包括：其中活性面贴附切割用压敏粘着带或片被施用于被加工物的活性面的安装步骤；在安装步骤后切割被加工物的切割步骤(将被加工物切割成片)；和在切割步骤后拾取得到的被加工物的切断片的拾取步骤。
进行安装步骤的目的是将活性面贴附切割用压敏粘着带或片施用于被加工物的活性面。安装步骤的一般程序包括：在活性面贴附切割用压敏粘着带和片上重叠被加工物如半导体圆片，使得被加工物的活性面接触辐射硬化性压敏粘着剂层(X)侧上的压敏粘着剂表面，然后将被加工物与活性面贴附切割用压敏粘着带和片结合同时使用常规的压缩装置(如采用压力辊的压缩装置)按压它们。或者，可使用这样的方法：在能够增压的容器(例如高压釜)中以上述方法中所述的相同方式在活性面贴附切割用压敏粘着带或片上重叠被加工物，容器内部被加压，从而使被加工物结合于活性面贴附切割用压敏粘着带或片。在加压结合中，被加工物可结合于活性面贴附切割用压敏粘着带和片并同时使用压缩装置进一步压缩它们。也可能以上述相同的方式在加压室(真空室)中将被加工物结合于压敏粘着带或片。尽管不特别限制压敏粘着带或片施用时的温度，但是优选其为20-80℃的范围。
进行切割步骤的目的是将与活性面贴附切割用压敏粘着带或片结合的被加工物(例如半导体圆片)切割成单独小片以生产被加工物的切断片(例如半导体芯片)。在切割步骤中，与活性面贴附切割用压敏粘着带或片结合的被加工物的切割以常规方法进行。在被加工物是半导体圆片的情况下，通常从半导体圆片的线路面侧进行切割。在该切割步骤中，刀刃通常以高速旋转从而将被加工物如半导体圆片切割成给定尺寸。对于该切割步骤，可使用例如被称作完全切割的切割技术，在该完全切割技术中，压敏粘着带或片与被加工物一起被切割，不特别限制切割设备，可是使用适当地选自常规的切割设备之一。在切割步骤中，因为被加工物如半导体圆片结合于和固定于活性面贴附切割用压敏粘着带和片，防止切断片碎片和脱落。另外，阻止或防止被加工物如半导体圆片自身破损。
进行拾取步骤的目的是与活性面贴附切割用压敏粘着带或片结合的被加工物的切断片与活性面贴附切割用压敏粘着带和片分离并被拾取。在拾取步骤中，处于与活性面贴附切割用压敏粘着带和片结合状态下的被加工物的切断片(例如半导体芯片)被拾取。不特别限制拾取方法，可使用任何的各种常规拾取方法。它们的例子包括：其中使用针从活性面贴附切割用压敏粘着带或片侧上推单独切断片并使用拾取设备拾取由此上推的切断片。重要的是拾取在使用放射线照射之后进行。在拾取步骤中拾取之前可进行放射线照射，或者在拾取步骤之前进行放射线照射。用来照射压敏粘着带和片的放射线的例子包括α-射线、β-射线、γ-射线、中子束、电子束和紫外线，特别优选紫外线。不特别限制使用放射线照射的各种条件如照射强度和照射时间，可根据需要适当地进行设定。
重要的是安装步骤在圆片背面研磨步骤之后并且当新暴露的表面是活性面时进行。也就是说，通常重要的是，当新暴露的活性面尚未失活并保持活性状态时，安装步骤在圆片背面研磨步骤之后或在圆片背面研磨步骤和随后的除去研磨碎屑层步骤等之后进行(即在圆片背面研磨步骤或除去研磨碎屑层步骤之后立刻进行)或在所述步骤之后不久进行(即在完成圆片背面研磨步骤或除去研磨碎屑层步骤后的几小时内进行)。在安装步骤之后进行切割步骤同样重要。例如，切割步骤可在安装步骤之后或之后不久进行，或者可在安装步骤后的长时间后进行。另外，重要的是拾取步骤在切割步骤之后进行。例如，拾取步骤可在切割步骤之后或之后不久进行，或可在切割步骤后的长时间后进行。当然还可在安装步骤和切割步骤之间或在切割步骤和拾取步骤之间进行其它步骤(例如清洗步骤和扩大步骤)。
实施例
本发明将通过以下实施例更详细地进行说明，但是本发明将不会受到以下实施例的限制。
实施例1
75重量份的甲基丙烯酸甲酯、10重量份的丙烯酸甲氧基乙基酯、10重量份的N-乙烯基吡咯烷酮和5重量份的丙烯酸-2-羟乙基酯在乙酸乙酯中通过常规方法共聚合物，以获得含有丙烯酸系共聚物的溶液(丙烯酸系共聚物溶液A)。
向该丙烯酸系共聚物溶液A中添加30重量份的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯和0.08重量份的二月桂酸二丁锡(作为催化剂)。得到的混合物在30℃反应144小时，以获得含有在侧链末端具有碳-碳双键的侧链双键型丙烯酸系聚合物(重均分子量500,000)的溶液(该溶液称为侧链双键型丙烯酸系聚合物溶液A)。该侧链双键型丙烯酸系聚合物具有其中丙烯酸系共聚物的侧链末端羟基(得自丙烯酸-2-羟乙基酯的羟基)的90摩尔％已经历与2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯的异氰酸酯基的加成反应。
随后，50重量份的三(2-丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、3重量份的″Irgacure 651″(商品名，由Ciba Specialty Chemicals Co.生产)(作为光聚合引发剂)和2重量份的聚异氰酸酯化合物(商品名″Coronate L″，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd生产)被添加到侧链双键型丙烯酸系聚合物溶液A中。由此获得紫外线硬化性丙烯酸系压敏粘着剂溶液(紫外线硬化性丙烯酸系压敏粘着剂溶液A)。
作为基材，使用由线性低密度聚乙烯制得的薄膜(厚度70μm)，其一面已经历电晕放电处理。
紫外线硬化性丙烯酸系压敏粘着剂溶液A被施用于基材的经过电晕放电处理的面。涂层在80℃加热10分钟以将丙烯酸系聚合物热交联。因此，在基材上形成紫外线硬化性压敏粘着剂层(厚度5μm)作为辐射硬化性压敏粘着剂层。随后，将隔离层结合于紫外线硬化性压敏粘着剂层上，以生成切割用紫外线硬化性压敏粘着片。紫外线硬化性压敏粘着剂层含有的丙烯酸系聚合物的构造为，该丙烯酸系聚合物通过重均分子量为500,000的侧链双键型丙烯酸系聚合物与聚异氰酸酯化合物的交联形成。
实施例2
以与实施例1相同的方式获得侧链双键型丙烯酸系聚合物溶液A。向该侧链双键型丙烯酸系聚合物溶液A中添加50重量份的三(4-丙烯酰氧基-正丁基)异氰脲酸酯、3重量份的″Irgacure 651″(商品名；由CibaSpeclahy Chemicals Co.生产)(作为光催化引发剂)和2重量份的聚异氰酸酯化合物(商品名″Coronate L″，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.生产)，由此，获得了紫外线硬化性丙烯酸系压敏粘着剂溶液(紫外线硬化性丙烯酸系压敏粘着剂溶液B)。作为基材，使用与实施例1中相同的薄膜。即，使用一面已经历电晕放电处理的由线性低密度聚乙烯制得的薄膜(厚度70μm)。
以与实施例1相同的方式生产切割用紫外线硬化性压敏粘着片，不同之处在于使用紫外线硬化性丙烯酸系压敏粘着剂溶液B。
比较例1
以与实施例1相同的方式获得侧链双键型丙烯酸系聚合物溶液A。向该侧链双键型丙烯酸系聚合物溶液A中添加50重量份的紫外线硬化性低聚物(该紫外线硬化性低聚物通过季戊四醇三丙烯酸酯和二异氰酸酯的反应获得)、3重量份的″Irgacure 651″(商品名；由Ciba SpecialtyChemicals Co.生产)(作为光聚合引发剂)和2重量份的聚异氰酸酯化合物(商品名″Coronate L″，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.生产)。由此，获得了紫外线硬化性丙烯酸系压敏粘着剂溶液(紫外线硬化性丙烯酸系压敏粘着剂溶液C)。
作为基材，使用与实施例1中相同的薄膜。即，使用一面已经历电晕放电处理的由线性低密度聚乙烯制得的薄膜(厚度70μm)。
以与实施例1相同的方式生产切割用紫外线硬化性压敏粘着片，不同之处在于使用紫外线硬化性丙烯酸系压敏粘着剂溶液C。
比较例2
95重量份的丙烯酸甲酯和5重量份的丙烯酸在乙酸乙酯中通过常规方法共聚合物，以获得含有重均分子量为800,000的丙烯酸系共聚物的溶液(丙烯酸系共聚物溶液D)。向该丙烯酸系共聚物溶液D中添加50重量份的紫外线硬化性低聚物(其通过季戊四醇三丙烯酸酯和二异氰酸酯的反应获得)，和3重量份的″Irgacure 651″(商品名；由Ciba SpecialtyChemicals Co.生产)(作为光聚合引发剂)和2重量份的聚异氰酸酯化合物(商品名″Coronate L″，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.生产)，由此，获得了紫外线硬化性丙烯酸系压敏粘着剂溶液(紫外线硬化性丙烯酸系压敏粘着剂溶液D)。
作为基材，使用与实施例1中相同的薄膜。即，使用一面已经历电晕放电处理的由线性低密度聚乙烯制得的薄膜(厚度70μm)。
以与实施例1相同的方式生产切割用紫外线硬化性压敏粘着片，不同之处在于使用紫外线硬化性丙烯酸系压敏粘着剂溶液D。
评价
通过如下所示的评价拾取适合性的方法和检测粘着力的方法评价或检查实施例1和2以及比较例1中获得的切割用压敏粘着片的拾取适合性和粘着力。基于上述评价和测量结果进一步进行综合评价。获得的评价结果如表1所示。
拾取适合性的评价方法
将实施例和比较例获得的每个切割用压敏粘着片安装在6英寸的半导体圆片(厚度100μm)的研磨面上，所述半导体圆片已经在以下的背面研磨条件下经历了背面研磨。在23℃温度环境中在研磨后(在完成研磨后5分钟内)立刻进行安装。随后，在以下的切割条件下切割以制造半导体芯片。
从安装开始经过给定时间(6小时或7天)后，从其背面用紫外线照射切割用压敏粘着片(照射时间：20秒，照射强度：500mJ/cm2)。之后，在以下的拾取条件下拾取任意的半导体芯片(与压敏粘着片分离)，并且计数成功拾取的半导体芯片的数目(拾取成功数)。所有的半导体芯片被成功拾取的情况被称为“好”，其它情况被称为“差”，由此评价拾取适合性。
背面研磨条件
研磨机：″DFG-840″，由DISCO Corporation生产
一轴：#600砂轮(转速：4,800rpm；下切速度P1：3.0μm/sec；下切速度P2：2.0μm/sec)
二轴：#2000砂轮(转速：5,500rpm；下切速度P1：0.8μm/sec；下切速度P2：0.6μm/sec)
半导体圆片的背面以二轴方式研磨30μm后，然后研磨，从而得到100μm的最终半导体圆片厚度。
切割条件
切割机：″DFD-651″，由DISCO Corporation生产
刀片：″27HECC″，由DISCO Corporation生产
刀片转速：40,000rpm
切割速度：120mm/sec
切割深度：25μm
切割方式：下切割
切割大小：5.0mm×5.0mm
拾取条件
芯片结合机：″Machinery CPS-100″，由NEC Corporation生产
插脚数：4
插脚间距：3.5mm×3.5mm
插脚尖端曲率：0.520mm
插脚上推量：0.50mm
吸着保持时间：0.2秒
扩大量：3mm
粘着力的测量方法
将实施例和比较例中获得的每个切割用压敏粘着片切割为宽度25mm的条带。在23℃气氛(室温)下将该条带施用于已经进行镜面抛光的镜硅片(硅镜圆片)(商品名″CZN<100>2.5-3.5(4英寸)″，由Shin-Etsu Semiconductor Co.，Ltd.生产)。然后，将得到的试验片在室温气氛中放置30分钟，然后从切割用压敏粘着片的背面用紫外线照射(照射时间：20秒；照射强度：500mJ/cm2)。
在紫外线照射后，以150mm/min的牵拉速率在剥离方向X上牵拉切割用压敏粘着片使其剥离，使得压敏粘着剂层的表面和镜硅片表面之间的角度(剥离角度)为15°，如图2所示，从而测量粘着力。具有粘着力测量值为2.3N/25-mm幅以下的压敏粘着片被评价为“好”，而粘着力测量值高于2.3N/25-mm的压敏粘着片被评价为“差”。由此评价了压敏粘着剂片的粘着力。
综合评价
涉及拾取适合性和粘着力的所有的评价项目为“好”的情况被评价为“好”。另一方面，其中至少一个估价项目为“差”的情况被评价为“差”。由此获得综合评价结果。
表1
从表1可知，当使用实施例1和2的切割用压敏粘着片时，所有的半导体芯片在从安装开始经过6小时后或者甚至从安装开始经过7天后，将令人满意地被拾取。这些压敏粘着片被认为具有优异的拾取适合性。
另外，实施例1和2的切割用压敏粘着片还具有优异的无污染性质，从其拾取的半导体芯片的表面不经历所谓的“粘着剂残留”。
尽管已经参考本发明的具体方案详细描述了本发明，但是，本领域技术人员显然可在本发明范围内作出各种修改和变体，而不脱离本发明的保护范围。
本申请要求2006年2月16日提交的日本专利申请No.2006-039048的优先权，其全部内容被并入本文作为参考。

Claims (7)

1.切割用压敏粘着带或片，其包括：
基材，和
布置在所述基材的至少一侧上的辐射硬化性压敏粘着剂层，
所述的压敏粘着剂层含有重均分子量为500,000或500,000以上的丙烯酸系聚合物(A)和至少一种辐射聚合性化合物(B)，该辐射聚合性化合物(B)选自具有一个或多个含碳-碳双键的基团的氰脲酸酯和具有一个或多个含碳-碳双键的基团的异氰脲酸酯，其中相对于100重量份的丙烯酸系聚合物(A)，辐射聚合性化合物(B)为5-150重量份，
其中在所述的丙烯酸系聚合物(A)中，在每个分子中的至少1/100的侧链含有一个碳-碳双键，和
其中所述的压敏粘着带或片要施用于处在未完全被自然氧化膜覆盖状态下的活性面。
2.权利要求1所述的压敏粘着带或片，其中辐射聚合性化合物(B)在其分子中具有2-12个含有碳-碳双键的基团。
3.权利要求2所述的压敏粘着带或片，其中辐射聚合性化合物(B)在其分子中具有3-10个含有碳-碳双键的基团。
4.权利要求1所述的压敏粘着带或片，其中所述的在辐射聚合性化合物(B)中的一个或多个含有碳-碳双键的基团各自独立地是选自乙烯基、烯丙基、丙烯酰氧基和甲基丙烯酰氧基中至少一种的基团。
5.权利要求1所述的压敏粘着带或片，其中丙烯酸系聚合物(A)具有800,000或800,000以上的重均分子量。
6.权利要求1所述的压敏粘着带或片，其中相对于100重量份的丙烯酸系聚合物(A)，辐射聚合性化合物(B)为20-120重量份。
7.拾取被加工物的切断片的方法，包括：
将权利要求1所述的压敏粘着带或片施用于被加工物的处在未完全被自然氧化膜覆盖状态下的活性面，然后通过切割被加工物制备切断片；和
拾取切断片。
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