KR20100122110A - 패턴화된 배킹이 있는 다이싱 테이프 및 다이 부착 접착제 - Google Patents

패턴화된 배킹이 있는 다이싱 테이프 및 다이 부착 접착제 Download PDF

Info

Publication number
KR20100122110A
KR20100122110A KR1020107021970A KR20107021970A KR20100122110A KR 20100122110 A KR20100122110 A KR 20100122110A KR 1020107021970 A KR1020107021970 A KR 1020107021970A KR 20107021970 A KR20107021970 A KR 20107021970A KR 20100122110 A KR20100122110 A KR 20100122110A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive
dicing
backing
pattern
dicing tape
Prior art date
Application number
KR1020107021970A
Other languages
English (en)
Inventor
데이비드 제이 플라우트
에릭 지 라르손
조엘 에이 겟쉘
올레스터 주니어 벤슨
Original Assignee
쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 filed Critical 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
Publication of KR20100122110A publication Critical patent/KR20100122110A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00—Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C09J2301/416—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components use of irradiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • C09J2301/502—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01056—Barium [Ba]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/928—Front and rear surface processing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/14—Layer or component removable to expose adhesive
    • Y10T428/1452—Polymer derived only from ethylenically unsaturated monomer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/14—Layer or component removable to expose adhesive
    • Y10T428/1486—Ornamental, decorative, pattern, or indicia
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/287—Adhesive compositions including epoxy group or epoxy polymer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2852—Adhesive compositions
    • Y10T428/2878—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer
    • Y10T428/2891—Adhesive compositions including addition polymer from unsaturated monomer including addition polymer from alpha-beta unsaturated carboxylic acid [e.g., acrylic acid, methacrylic acid, etc.] Or derivative thereof

Abstract

다이싱 테이프로서, 그리고 또한 얇아진 웨이퍼를 다이싱하기 위한 다이 부착 접착제로서 작용하는 단일층 접착제, 및 반도체 소자 제작에서 다이싱된 칩의 후속한 다이 부착 조작과 일반적으로 관련된 테이프, 장치, 및 방법이 제공된다. 테이프, 장치, 및 방법은 패턴을 포함하는 표면 개질을 갖는 배킹을 포함한다.

Description

패턴화된 배킹이 있는 다이싱 테이프 및 다이 부착 접착제{DICING TAPE AND DIE ATTACH ADHESIVE WITH PATTERNED BACKING}
제공된 테이프, 장치, 및 방법은 일반적으로, 얇아진 웨이퍼를 다이싱하기 위한 다이싱 테이프로서 그리고 다이 부착 접착제로서 작용하는 단일층 접착제, 및 반도체 소자 제작에서 다이싱된 칩의 후속한 다이 부착 조작에 관한 것이다.
관련 출원
본 출원은 2008년 3월 7일에 출원된 가특허 출원 제 61/034,791 호를 우선권으로 주장한다.
상부에 집적 회로가 형성된, 규소 및 갈륨-비소와 같은 반도체 물질의 웨이퍼는 상대적으로 큰 직경을 갖는다. 집적 회로(IC)의 제조에서, 그러한 웨이퍼는 종종 다이싱 테이프라고 하는 감압성 접착 테이프에 접착되고, IC 칩 내로 다이싱된다. 다음, IC 칩은 다이싱 테이프로부터 제거되고, 접착제는 칩 또는 기판에 적용되고, 칩은 기판 상에 놓이고, 접착제는 경화되어서 다이를 기판에 단단하게 부착시킨다.
다이싱 테이프는, 웨이퍼가 개별 칩 내로 다이싱되는 단계 동안에 반도체 웨이퍼에의 강한 접착을 제공할 수 있다. 그러나, 다이싱 테이프는 또한 이어서, 개별 칩이 테이프로부터 빨리, 깨끗하게, 그리고 쉽게 제거되게 할 수 있도록 충분히 낮은 접착을 다이에 제공할 수 있다. 즉, 칩이 제거되는 경우, 다이싱 테이프가 감소된 접착을 갖는 것이 유용하고, 다이싱 테이프로부터의 잔여물이 칩 상에 매우 적게 있거나 또는 전혀 없어야 할 것이다. 따라서, 다이싱 테이프는, 다이싱 단계 동안에 강하게 접착하고, 뿐만 아니라, 칩이 테이프로부터 제거되는 경우 칩 상에 잔여물을 남기지 않으면서 개별 칩으로부터 방출되게 하기 위해, 웨이퍼에 접착의 균형을 갖도록 제조되어 왔다. 일부 다이싱 테이프는, 개별 칩의 깨끗한 제거를 향상시키기 위해 자외선에 노출시킬 시, 점성제거될 수 있도록 제조되어 왔다. 접착의 균형 없이는, 웨이퍼를 다이싱하고, 개별 칩을 집고, 놓는 단계를 수행하는 것이 어렵다. 다이싱 테이프의 접착이 균형을 이루지 않고, 다이싱 테이프로부터 제거되는 경우 일부 접착제가 개별 칩 상에 잔존한다면, 칩으로부터 접착제 잔여물을 제거하기 위한 추가 단계가 요구된다. 이들 추가 단계는 종종 유기 용매를 포함한다. 추가로, 다이싱 테이프의 접착이 균형을 이루지 않는다면, 일부 접착제가 다이싱 동안에 웨이퍼, 접착제 및 배킹을 유지하는데 사용되는 다이싱 프레임 상에 잔존할 수 있다.
다이싱 조작 및 칩 개별화가 완료된 후, 제 2 접착제가 후속해서 칩과 기판 사이에 놓여서, 기판 상의 위치에 칩을 안전하게 고정시켜야 한다. 종종 다이 부착 접착제라고 하는 제 2 접착제는 회로의 반대편에 있는 칩 표면에 적용될 수 있거나, 또는 칩이 결합될 기판에 직접 적용될 수 있다. 별도의 다이 부착 접착제를 사용하는 것은 접착제를 칩 또는 기판에 놓기 위한 추가 단계 및 장비를 필요로 한다.
전술한 내용의 면에서, 웨이퍼 다이싱 작용에 필요한 대로 접착 및 깨끗한 방출의 적절한 균형을 제공하고, 다이싱 후 필름 배킹으로부터 접착제의 이전을 가능하게 하고, 또한, 후속한 다이 부착 단계에서 요구되는 필요한 결합을 제공하는 단일층 접착제 필름에 대한 필요성이 존재하는 것으로 인식된다.
한 측면에서, 다이싱 테이프 및 다이 부착 접착제로서의 연속 용도에 적합한 접착제 이전 다이싱 테이프는, 접착제 조성물, 및 접착제와 접촉되는 배킹을 포함하고, 여기서, 배킹은 패턴을 포함하는 표면 개질을 포함하고, 여기서, 접착제는 패턴의 적어도 일부와 접촉하도록 제공된다.
또다른 측면에서, 물품은 패턴, 패턴과 접촉되는 접착제, 접착제와 접촉되는 반도체 웨이퍼, 및 접착제와 접촉되는 다이싱 프레임을 포함하는 표면 개질을 갖는 배킹을 포함하고, 여기서, 다이싱 프레임은 웨이퍼 주변을 감싸고, 다이싱 프레임 바로 하부에 있는 적어도 일부의 접착제는 적어도 일부의 패턴과 접촉된다.
더욱 또다른 측면에서, 반도체 웨이퍼를 다이싱시키는 방법은, 패턴을 포함하는 표면 개질을 갖는 배킹과 접촉되는 접착제를 제공하고, 반도체 웨이퍼를 접착제에 부착시키고, 다이싱 프레임을 접착제에 부착시켜 다이싱 프레임이 접착제와 접촉되고 웨이퍼를 둘러싸고(여기서, 다이싱 프레임 하부의 적어도 일부의 접착제는 적어도 일부의 패턴과 접촉된다), 웨이퍼를 다이싱하여 칩을 형성하는 것을 포함하도록 제공된다.
제공된 접착제 이전 다이싱 테이프의 용도는, 웨이퍼를 개별 칩 내로 다이싱하는 단계 동안에 반도체 웨이퍼에의 강한 접착을 제공할 수 있고, 이어서, 개별 칩이 테이프로부터 빠르게, 깨끗하게 그리고 쉽게 제거되게 할 수 있기에 충분하도록 낮은 접착을 다이에 제공할 수 있다. 동시에, 배킹 패턴을 포함하는 표면 개질은 접착제의, 배킹에의 증가된 접착을 제공하여, 다이싱 프레임이 제거되는 경우, 다이싱 프레임 하부에 있고 배킹 패턴을 포함하는 표면 개질과 접촉되는 접착제가 우선적으로 배킹에 접착하여, 프레임의 깨끗한 제거를 허용할 수 있다.
본 명세서에 사용된 모든 과학 및 기술 용어는 달리 특정되지 않는다면 당업계에서 통상적으로 사용되는 의미를 갖는다. 본 명세서에 제공된 정의는 본 명세서에 자주 사용되는 소정 용어의 이해를 쉽게 하기 위한 것이며, 본 발명의 범주를 제한하고자 하는 것은 아니다.
본 명세서에서 사용되는 바와 같이:
단수형은, 문맥상 달리 분명하게 명시되지 않는 한, 복수형을 갖는 실시 양태를 포함한다. 본 명세서 및 첨부된 청구항에서 사용되는 바와 같이, 용어 "또는"은 일반적으로, 문맥상 달리 분명하게 명시되지 않는 한, "및/또는"을 포함하는 그의 의미에서 적용된다.
"칩" 또는 "칩들"은 반도체 웨이퍼의 조각을 말하고, "다이" 또는 "다이스"와 상호교환적으로 사용되며;
"점성제거하다", "점성제거", 및 "점성제거하는"은 접착제의 점착 양의 감소를 말하며;
"다이 또는 다이스"는 절단 또는 다이싱된 후의 반도체 웨이퍼 조각을 말하며;
"전리 방사선"은, 기체와 같은 분자 내에서 에너지 이온 또는 자유 라디칼을 형성하는 전위를 갖는 에너지 입자 또는 파장을 말하고, 예를 들어, 화염 처리, 코로나 처리, 플라즈마 처리, 이온 빔 처리, 또는 전자 빔 처리를 포함한다.
상기 개요는 본 발명의 모든 구현예의 각각의 개시된 실시 양태를 설명하고자 하는 것은 아니다. 도면의 간단한 설명 및 후속하는 상세한 설명은 예시적인 실시 양태를 더욱 특히 예시한다.
도 1은 패턴을 포함하는 표면 개질을 생성하도록 배치되는, 제공된 다이싱 테이프의 실시 양태를 생성하는데 사용되는 코로나 처리 장치의 도식도이다.
도 2는 도 1에서 예시된 장치에 의해 생성되는 패턴을 포함하는 표면 개질을 갖는 배킹 시트(sheet)의 사시도이다.
도 3a는 배킹, 접착제, 표면-개질, 웨이퍼, 및 다이싱 프레임을 보여주는 제공된 실시 양태의 단면도이다.
도 3b는 절단 또는 다이싱된 웨이퍼를 보여주는 도 3a에서 보여진 실시 양태의 단면도이다.
도 3c는, 접착제가 점성제거되고, 다이싱 프레임이 제거되고, 다이싱 테이프가 연신되고, 칩이 제거된, 도 3b에서 보여진 실시 양태의 단면도이다.
도 4는 도 3a에서 보여진 실시 양태의 사시도이다.
하기 상세한 설명에서, 그의 상세한 설명 중 일부를 형성하고 여러 구체적인 실시 양태를 예시함으로서 보여지는, 수반되는 도면 세트를 참조로 한다. 다른 실시 형태들이 고려되며 본 발명의 사상 또는 범주로부터 벗어남이 없이 이루어질 수 있음을 이해해야 한다. 따라서, 하기 상세한 설명은 제한적인 의미로 취해져서는 안 된다.
달리 지시되지 않는다면, 본 명세서 및 특허청구범위에 사용되는 특징부 크기, 양 및 물리적 특성을 표현하는 모든 숫자는 모든 경우에 "약"이라는 용어에 의해 수식되는 것으로 이해되어야 한다. 따라서, 반대로 지시되지 않는다면, 상기 명세서 및 첨부된 특허청구범위에 기술된 수치적 파라미터들은 본 명세서에 개시된 교시 내용을 이용하는 당업자들이 얻고자 하는 원하는 특성에 따라 달라질 수 있는 근사치이다. 종점에 의한 수치 범위의 사용은 그 범위 내 모든 수(예를 들어, 1 내지 5는 1, 1.5, 2, 2.75, 3, 3.80, 4, 및 5를 포함한다), 및 그 범위 내 임의의 범위를 포함한다.
한 측면에서, 다이싱 테이프 및 다이 부착 접착제로서의 연속 용도에 적합한 접착제 이전 다이싱 테이프는 접착제 조성물, 및 접착제와 접촉되는 배킹을 포함하도록 제공된다. 배킹은 접착제와 접촉되는 면 상에 패턴을 갖는 표면 개질을 포함한다. 다이싱 테이프는, 웨이퍼가 개별 다이스 또는 칩 내로 절단 또는 슬라이싱되는 다이싱 동안에, 반도체 웨이퍼에 접착하고 이를 유지하는데 사용될 수 있다. 테이프는 추가로, 다이 부착 접착제로서 유용할 수 있다. 다이싱 후, 칩은 배킹으로부터 방출된 접착제를 따라 배킹으로부터 제거될 수 있다. 다음, 접착제가 있는 칩이 제거되고, 예를 들어, 리드 프레임(lead frame)에 단단히 고정될 수 있고, 이 리딩 프레임에서 와이어 결합 및 후속 조작이 수행될 수 있다.
접착제 조성물은, 반도체 웨이퍼와 같은 전자 소자에의 양호한 접착을 가져서, 칩 내로의 다이싱 동안에 전자 소자를 단단하게 고정시키고, 다이싱 후에 방사선 또는 열과 같은 외부 동력원에 의해 점성제거될 수 있고, 배킹으로부터 제거되고 칩에 접착될 수 있고, 칩을 리드 프레임과 같은 또다른 기판에 접착시키기에 충분한 접착을 유지할 수 있고, 마지막으로 와이어 결합 및 다른 조작 후에 칩을 영구적으로 결합시키기 위해 작용할 수 있는, 당업자에게 알려진 임의의 접착제 조성물일 수 있다.
유용한 접착제 조성물은, 열 또는 빛 조사에의 노출 시 경화될 수 있고, 폴리올레핀, 폴리(메트)아크릴레이트, 에폭사이드, 폴리이미드, 이소시아누레이트 기재의 접착제, 뿐만 아니라 이러한 유형의 물질 중 하나 초과의 조합일 수 있는 2 단계(B 단계라고 한다) 접착제를 포함하는 조성물일 수 있다. 제공된 다이싱 테이프 및 다이 부착 접착제에서 유용한 예시적인 접착제 조성물에는, 미국 특허 제 5,110,388 호; 제 5,118,567 호; 및 제 5,356,949 호(Komiyama 등); 제 5,705,016 호 및 제 5,888,606 호(Senoo 등); 미국 특허 공개 제 2005/0031795 호(Chaudhury 등), 제 2007/0190318 호(Asai 등); 일본 특허 공개 제 2004-349441 호(Shohei 등), 제 2006-104246 호(Harunori), 및 제 08-053655 호(Senoo 등)에서 개시된 것들이 포함된다. 2007년 3월 16일에 출원된, 출원인의 공동(copending) 출원인 U.S.S.N. 60/895,189에서 개시된 접착제가 특히 흥미롭다. 접착제 조성물은 접착제와 접촉되는 이형 라이너를 가질 수 있다.
한 실시 양태에서, 접착제 조성물은 작용기를 갖는 아크릴레이트 에스테르 중합체, 다-작용성 열경화성 수지(여기서, 아크릴레이트 에스테르 중합체 및 열경화성 수지는 서로 반응할 수 있다), 다-작용성 아크릴레이트 에스테르, 아크릴레이트 에스테르 중합 촉매 또는 경화제, 다-작용성 열경화성 수지를 경화시키는데 적합한 열-잠재성 촉매, 및 아크릴산염을 포함할 수 있다.
작용기를 갖는 적합한 아크릴레이트 에스테르 중합체는, 예를 들어, 그의 알킬기가 추가 작용기를 갖는 하나 이상의 (메트)아크릴레이트 작용성 단량체와 함께 1 내지 14개, 특히, 4 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 비-삼차 알킬 알코올의 선형 또는 분지형 1작용성 불포화 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트의 공중합체를 포함한다. 바람직한 1작용성 단량체는 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 메틸(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트, 아이소프로필(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, 아이소옥틸(메트)아크릴레이트, 아이소노닐(메트)아크릴레이트 및 2-에틸부틸(메트)아크릴레이트를 포함한다. 추가 작용기를 갖는 (메트)아크릴레이트 작용성 단량체는 상기 단량체를 포함하고, 여기서, (메트)아크릴레이트 에스테르는 또한, 카르복실산기, 하이드록실기, 글리시딜기, 아마이드기, 및 무수기로부터 선택되는 하나 이상의 치환체를 갖는다. 일부 실시 양태에서, 아크릴산, 메타크릴산, 하이드록시 에틸 아크릴레이트, 하이드록시에틸 메타크릴레이트, 하이드록시 프로필 아크릴레이트, 하이드록시프로필 메타크릴레이트, 하이드록시부틸 아크릴레이트, 하이드록시부틸 메타크릴레이트, 글리시딜 아크릴레이트, 또는 글리시딜 메타크릴레이트, 및 N-메틸올 아크릴아마이드 중 하나 이상일 수 있는 추가 작용기를 갖는 (메트)아크릴산 에스테르 단량체가 특히 바람직하다.
적합한 다-작용성 열경화성 수지는 예를 들어, 폴리에폭시 작용성 수지 및 그의 아지리딘 유사체를 포함한다. 다작용성 글리시딜 에테르 에폭시 수지는 약 15중량 퍼센트(중량%) 내지 약 40중량%의 양으로 본 발명의 접착제 조성물 내에 존재한다. 또다른 실시 양태에서, 다작용성 글리시딜 에테르 에폭시 수지는 약 23중량% 내지 약 37중량%의 양으로 접착제 조성물 내에 존재한다. 본 발명의 다른 접착제 조성물은 15중량% 내지 40중량% 중 임의의 양의 다작용성 글리시딜 에테르 에폭시 수지를 함유할 수 있다.
바람직한 다작용성 글리시딜 에테르 에폭시 수지는 분자 내에 평균적으로 2개 초과의 글리시딜기를 갖는 에폭시 수지를 포함한다. 글리시딜 에테르 에폭시 수지의 구체적인 예에는, 다작용성 페놀 노볼락-형 에폭시 수지(페놀 노볼락을 에피클로로하이드린과 반응시킴으로써 합성된다), 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 및 비스페놀 A 노볼락 에폭시 수지가 포함된다. 다작용성 글리시딜 에테르 에폭시 수지의 예에는, 헥시온 스페셜티 케미칼, 컬럼부스, 오하이오(Hexion Specialty Chemicals, Columbus, OH)에서 시판되는, 에폰(Epon) 1050, 에폰 160, 에폰 164, 에폰 1031, 에폰 SU-2.5, 에폰 SU-3, 및 에폰 SU-8로서 시판되는 에폭시 수지; 다우 케미칼 컴퍼니, 미들랜드 미시간(Dow Chemical Company, Midland MI)에서 시판되는, "덴(DEN)" 시리즈의 에폭시 수지; 및 헌츠만 케미칼, 이스트 랜싱, 미시간(Huntsman Chemical, East Lansing, MI)에서 시판되는, 택틱스(Tactix) 756, 및 택틱스 556 에폭시 수지가 포함된다.
일부 실시 양태에서, 유용한 다작용성 글리시딜 에테르 에폭시 수지는 비스페놀 A의 다이글리시딜 에테르일 수 있고, 이에는 헥시온 스페셜티 케미칼에서 시판되는, 상표명이 에폰 수지 825, 826, 및 828인 것들;다우 케미칼 컴퍼니에서 시판되는 D.E.R. 330, 331, 및 332 수지; 및 시바 스페셜티 케미칼, 태리타운, 뉴욕(Ciba Specialty Chemicals, Tarrytown, NY)에서 시판되는 아랄다이트(Araldite) GY 6008, GY 6010, 및 GY 2600 수지가 포함될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
다른 실시 양태에서, 유용한 다작용성 글리시딜 에테르 에폭시 수지는 비스페놀 F의 다이글리시딜 에테르일 수 있고, 이에는 헥시온 스페셜티 케미칼에서 시판되는, 상표명이 에폰 수지 862 수지인 것들; 및 시바 스페셜티 케미칼에서 시판되는 아랄다이트 GY 281, GY 282, GY 285, PY 306, 및 PY 307 수지가 포함될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 다작용성 글리시딜 에테르 에폭시 수지는 보통 약 170 내지 약 500의 에폭시 당량 중량을 갖고, 다른 실시 양태에서는 약 170 내지 약350, 다른 실시 양태에서는 약 170 내지 약 250의 에폭시 당량 중량을 갖는다. 평균 에폭시 작용성 범위는 약 1.5 내지 약 10을 포함한다.
아크릴레이트 에스테르 중합체 및 열경화성 수지는 전형적으로 개환 반응 또는 축합 반응을 통해 반응할 수 있어서, 반응 생성물이 사슬 연장 및/또는 가교결합된 중합체이다. 적합한 다-작용성 아크릴레이트 에스테르에는, 예를 들어, 다이-, 트라이-, 및 테트라-하이드록시 화합물의 (메트)아크릴레이트 에스테르, 예컨대 에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이트, 헥산디올 다이아크릴레이트, 트라이에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트, 트라이메틸올프로판 트라이아크릴레이트, 글리세롤 트라이아크릴레이트, 펜타에르티리톨 트라이아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이메타크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트 및 펜타에리트리톨 테트라메타크릴레이트가 포함된다. 과분지형 폴리올의 아크릴레이트 에스테르, 예컨대 사토머 코., 엑스톤 펜실베니아(Sartomer Co., Exton PA)에서 시판되는 CN2301, 2302, 2303, 2304가 또한 유용할 수 있다. 트라이메틸올프로판 트라이아크릴레이트는 광화학적으로 유도되는 중합에 의해 접착제의 점착을 감소시키기에 특히 적합하다.
적합한 아크릴레이트 에스테르 중합 촉매에는, 예를 들어, 광개시제 및 열적 개시제가 포함되며, 연장된 저장 수명이 특히 바람직한 적용에서는 광개시제가 일반적으로 바람직하다. 적합한 자외선-활성화된 광개시제의 예는 이가큐어(Irgacure) 651, 이가큐어 184, 이가큐어 369 및 이가큐어 819, 및 다로큐어(Darocur) 1173, 시바 스페셜티 케미칼 코.,(Ciba Specialty Chemicals Co.)의 모든 제품, 및 바스프 코포레이션(BASF Corp.)의 제품인 루시린 티피오-엘(Lucirin TPO-L)로서 유용하다.
일부 실시 양태에서, 열적 개시제가 사용될 수 있다. 열적 개시제는 유기 퍼옥사이드(예를 들어, 벤조일 퍼옥사이드), 아조 화합물, 퀴논, 나이트로소 화합물, 아실 할라이드, 하이드라존, 머캅토 화합물, 피릴륨 화합물, 이미다졸, 클로로트라이아진, 벤조인, 벤조인 알킬 에테르, 다이케톤, 페논, 및 그의 혼합물이 포함된다. 적합한 열적 개시제의 예는 듀퐁의 모든 것들, 바조(Vazo) 52, 바조 64 및 바조 67 아조 화합물 열적 개시제이다.
다-작용성 열경화성 수지의 경화에 적합한, 적합한 열-잠재성 촉매는 예를 들어, 한 부분 에폭시 접착제에서 유용할 수 있는 잠재성 촉매를 포함한다. 실례의 촉매에는 에어 프러덕트, 알렌타운, 펜실베니아(Air Products, Allentown, PA)의 블라킹된(blocked) 이미다졸, 예컨대 MZ-A, MA-OK 및 PHZ-S, 및 란덱 아이엔시., 멘로 파크, 캘리포니아(Landec Inc., Menlo Park, CA)의 중합체 결합된 이미다졸, 예컨대 인텔리머(Intelimer) 7004가 포함된다. 일부 실시 양태에서, 이미다졸 촉매, 특히 고체, 예컨대 1,3-다이알킬이미다졸륨염, 이미다졸 유도체-전이 금속 착체, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 및 2,4-다이아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1)']에틸-s-트라이아진이 사용될 수 있다. 실시 양태에서 존재한다면, 촉매는 적어도 0.01중량%, 바람직하게는 적어도 약 0.1중량%의 조성물을 포함한다. 다른 실시 양태에서, 촉매는 약 5중량% 미만의 조성물, 바람직하게는 약 10중량% 이하의 조성물을 포함한다
적합한 아크릴산염은 예를 들어, 하나 이상의 다가 금속염 다리(bridge)에 의해 결합되는 올리고머 단위를 함유하는 (메트)아크릴산을 포함한다. 그러한 염 다리는 주위 온도보다 더 높은 온도에서 해리되어, 접착제 조성물의 유동을 향상시킬 수 있다. 적합한 아크릴산염에는 CN2404, 폴리에스테르 아크릴레이트 올리고머, 및 CN2405, 우레탄 아크릴레이트 올리고머(둘 다 사토머, 엑손, 펜실베니아(Sartomer, Exton, PA)에서 판매된다)가 포함된다.
일부 실시 양태에서, 다-작용성 열경화성 수지는 에폭시 수지일 수 있다. 일부 실시 양태에서, 아크릴레이트 에스테르 중합체는 부틸아크릴레이트 및 글리시딜 메타크릴레이트의 공중합체일 수 있다. 더욱 다른 실시 양태에서, 다-작용성 아크릴레이트 에스테르는 트라이메틸올프로판트라이아크릴레이트(TMPTA)를 포함할 수 있다.
일부 실시 양태, 중합체 촉매 또는 경화제는 광-개시되는 자유 라디칼 경화제일 수 있다. 일부 실시 양태에서, 열-잠재성 촉매는 이미다졸 가속화제일 수 있다. 더욱 다른 실시 양태에서, 아크릴산염은 아크릴산 또는 메타크릴산의 금속염일 수 있다.
배킹은 특별히 제한되지 않는다. 배킹은 중합체성 배킹, 금속 배킹, 섬유를 포함하는 배킹, 종이를 포함하는 배킹 등 중 임의의 배킹일 수 있고, 중합체성 배킹을 사용하는 것이 바람직하다. 중합체성 배킹의 예에는 중합체성 필름 또는 시트가 포함된다. 중합체성 필름 또는 시트를 구성하는 배킹의 예에는, 폴리올레핀 수지(예를 들어, 저-밀도 폴리에틸렌, 선형 폴리에틸렌, 중간-밀도 폴리에틸렌, 고-밀도 폴리에틸렌, 초저-밀도 폴리에틸렌, 프로필렌 랜덤 공중합체, 프로필렌 블록 공중합체, 프로필렌 단일중합체, 폴리부텐, 및 폴리메틸펜텐), 에틸렌/비닐 아세테이트 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌/(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌/(메트)아크릴산 에스테르 공중합체(예를 들어, 랜덤 공중합체 및 교대 공중합체), 에틸렌/부텐 공중합체, 에틸렌/헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에스테르 수지(예를 들어, 폴리(에틸렌 테레프탈레이트), 폴리(에틸렌 나프탈레이트), 폴리(부틸렌 테레프탈레이트), 및 폴리(부틸렌 나프탈레이트)), 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에테르케톤, 폴리에테르, 폴리에테르술폰, 폴리스티렌 수지(예를 들어, 폴리스티렌), 폴리(비닐 클로라이드), 폴리(비닐리덴 클로라이드), 폴리(비닐 알코올), 폴리(비닐 아세테이트), 비닐 클로라이드/비닐 아세테이트 공중합체, 폴리카르보네이트, 플루오로수지, 셀룰로식 수지, 및 이들 수지를 가교함으로써 수득되는 물질이 포함된다. 이들 구성성분 물질은 단독으로, 또는 그의 둘 이상을 조합하여 사용될 수 있다. 중합체성 필름 또는 시트의 구성성분 물질은 그 안에 작용기가 혼입될 수 있거나, 또는 작용성 단량체 또는 개질화 단량체가 그래프팅되는 물질일 수 있다. 바람직한 배킹은 광학적으로 투명한, 엘라스토머성 물질, 예컨대 폴리올레핀을 포함한다.
배킹은 바람직하게는 방사선(예를 들어, X-선, 자외선, 또는 전자 빔)을 적어도 부분적으로 투과하여, 배킹 상에 형성되는 조사-경화성 감압성 접착제층이 배킹면으로부터 층을 조사함으로써 경화될 수 있게 하는 것일 수 있다. 배킹은 단일층 또는 다층 구조일 수 있다. 배킹은 예를 들어, 충진제, 난연제, 노화 방지제(age resistor), 대전방지제, 유연제, 자외선 흡수제, 항산화제, 가소화제, 및 계면활성제와 같은 통상의 첨가제 또는 성분을 함유할 수 있다.
배킹은 접착제와 접촉되는 표면을 적어도 하나 가질 수 있다. 접착제와 접촉되는 배킹의 부분은, 패턴을 갖는 표면 개질을 포함할 수 있다. 표면 개질이란, 배킹의 표면 화학을 변경하고 그의 표면 에너지를 변화시키도록 처리된 배킹 표면을 의미한다. 전리 방사선을 사용하여 표면 개질을 생성할 수 있고, 전리 방사선에는 예를 들어, 코로나 처리, 전자 빔 처리, 플라즈마 처리, 화염 처리, 자외선 처리, 또는 배킹에 직접적일 수 있는 임의의 다른 처리가 포함된다. 방사선의 패턴화, 및 그 결과의 표면 개질은, 예를 들어, 방사선 부분을 가려서, 방사선이 단지 배킹의 패턴화된 부위에만 영향을 미치게 하거나, 또는 방사선을 라스터링(rastering)하여 패턴을 생성함으로써 달성될 수 있다. 또한, 패턴화된 프라이머 또는 패턴화된 에칭 단계와 같은 화학적 수단의 사용에 의해, 표면 개질이 달성될 수 있음을 고려한다.
일부 바람직한 실시 양태에서, 코로나 처리를 사용하여, 중합체성 배킹과 같은 배킹 상에서 패턴화된 표면 개질을 생성할 수 있다. 코로나 방전은 고-주파수 동력 발생기, 고-전압 트랜스포머, 고정 전극, 및 처리기 그라운드 롤(treater ground roll) 또는 드럼(drum)을 포함하는 장비에 의해 생성될 수 있다. 표준 전기 동력은 트랜스포머에 의해 더 높은 주파수 동력으로 전환된 다음, 처리기 장소(treater station)에 공급된다. 처리기 장소는 에어 갭(air gap)에 걸쳐 있고 물질의 표면쪽을 향해 있는 세라믹 또는 금속 전극을 사용하여 이러한 동력을 적용한다. 이러한 처리는 배킹 상에 더 양호한 결합 표면을 생성한다.
코로나 처리를 사용한 웨브의 패턴화된 표면 개질은 예를 들어, 특허 제 4,879,430 호 및 제 5,139,804 호(호프만(Hoffman))에서 개시되었다. 이러한 방법을 사용하여, 적용기 롤 또는 드럼이 제공되어, 예를 들어, 인그레이빙(engraving)에 의해 롤 또는 드럼 내로 우묵하게 들어가는(recessed) 패턴을 갖도록 제공된다. 중합체성 웨브, 예컨대 폴리올레핀성 웨브는 롤에 걸쳐서 지나가고, 동시에 롤로부터 떨어져서, 상부로부터의 코로나 방전에 노출될 수 있다. 코로나 방전은 웨브의 상부면의 표면을 비선택적으로 개질할 수 있으며, 이는 임의의 패턴이 없음을 의미한다. 웨브의 이면(롤과 마주하는 면) 상에서, 우묵하게 들어가는 패턴은 적용기 롤과 접촉하지 않는 에어의 포획(entrapment)을 허용할 수 있다. 이러한 포획된 에어는 코로나 처리에 의해 활성화될 수 있고, 포획된 에어의 위치에 있는 웨브의 하부면 상에 패턴화된 표면 개질을 생성할 수 있다.
제공 방법의 한 실시 양태에서, 적용기 롤을 가리는 패턴, 예컨대 호프만(Hoffman)에 의한 언급된 특허의 패턴의 사용을 위해서는, 두께 범위가 약 125 ㎛ 내지 약 500 ㎛인 테이프가 유용하다. 일부 실시 양태에서, 패턴을 포함하는 표면 개질을 생성하기 위해서는 중합체성 마스크를 사용하는 것이 실용적인 것으로 발견되었다. 특히 바람직한 실시 양태는 패턴으로 절단되고 적용기 롤에 자기적으로 접착되는 두꺼운 자기 중합체성 웨브를 사용한다. 마스터 마그네틱스 아이엔씨., 아나하임, 캘리포니아(Master Magnetics Inc., Anaheim, CA)사의 이러한 물질은 패턴으로 쉽게 절단되고 드럼 상에 놓여져서, 드럼 주변의 중합체성 웨브를 감싸고 웨브를 코로나 처리에 노출시킬 시, 패턴을 포함하는 표면 개질을 생성할 패턴화된 포켓을 생성할 수 있다.
일부 실시 양태에서, 패턴을 포함하는 표면 개질은 밀폐된 루프 형태일 수 있다. 이러한 루프는 환형, 계란형(oval), 타원형(elliptical), 다각형, 또는 불규칙할 수 있다. 일부 바람직한 실시 양태에서, 패턴을 포함하는 표면 개질은 환형 패턴을 가진 밀폐된 루프일 수 있고, 고리 또는 환주(annulus)를 형성할 수 있다. 고리 또는 환주는 다이싱되는 웨이퍼가 환형 모양을 갖는 경우에 사용하기에 특히 유용한 패턴이다. 그러나, 패턴은 웨이퍼 다이싱 영역을 적어도 부분적으로 감싸는 임의의 패턴일 수 있음을 고려한다. 또한, 패턴이 완벽한 루프는 아니나 루프 내에서 어느 정도 파열을 갖고 따라서 밀폐된 루프의 분절로 이루어지는 것이 가능하다. 예를 들어, 패턴은 고리 또는 환주 모양일 수 있으나, 많은 패턴 코로나-처리 도트, 분절, X, 또는 밀폐된 루프의 모양으로 배열되는 임의의 작은 성형 처리 영역의 모임으로 이루어질 수 있다.
또다른 측면에서, 패턴, 패턴과 접촉되는 접착제, 접착제와 접촉되는 반도체 웨이퍼, 및 접착제와 접촉되는 다이싱 프레임을 포함하는 표면 개질을 갖는 배킹을 포함하는 물품이 제공되며, 여기서, 다이싱 프레임은 웨이퍼 주변을 둘러싸고, 다이싱 프레임의 바로 하부에 있는, 적어도 일부의 접착제가 적어도 일부의 패턴과 접촉된다. 이러한 물품에 유용한 패턴 및 접착제 조성물을 포함하는 표면 개질의 형성에 관한 상세한 사항은 토의되었다. 물품은 또한 다이싱 프레임을 포함한다. 다이싱 프레임은, 다이싱 조작 동안에 다이싱 테이프 및 웨이퍼를 고정시키는데 사용될 수 있어서, 웨이퍼가 깨끗하게 절단될 수 있고, 부스러지는 것이 예방될 수 있고, 다이싱 동안에 구부러지거나 또는 꼬여져서 생기는 웨이퍼에의 손상을 야기하지 않을 수 있다. 다이싱 프레임은 보통 밀폐된 루프 형태이다. 일부 실시 양태에서, 패턴을 포함하는 표면 개질이 동일한 모양을 갖고 다이싱 프레임보다 조금 더 큰 치수를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 관계는 이후에 토의되는 도 4에 보여진다. 더욱이, 다이싱 프레임이 도 3a-3c 및 도 4에서 보여지는 바와 같은 패턴을 포함하는 표면 개질의 바로 상부에 위치하는 것이 바람직하다. 다이싱 프레임이 표면 개질 바로 상부에 위치하고, 접착제와 접촉되는 경우, 접착제가 배킹에 부착되고, 배킹 및 접착제가 다이싱 조작 후에 깨끗하게 제거되게 할 수 있다. 배킹이 표면 개질을 포함하는 경우, 접착제 실패가 접착제 및 다이싱 프레임(다이싱 프레임이 제거되는 경우) 간에 발생할 수 있다.
마지막으로, 반도체 웨이퍼를 다이싱시키는 방법은, 패턴을 포함하는 표면 개질을 갖는 배킹과 접촉되는 접착제를 제공하는 단계, 반도체 웨이퍼를 접착제에 부착시키는 단계, 다이싱 프레임을 접착제에 부착시켜 다이싱 프레임이 접착제와 접촉되고 웨이퍼를 둘러싸게 하는 단계(여기서, 다이싱 프레임 하부의 적어도 일부의 접착제가 적어도 일부의 패턴과 접촉된다), 및 웨이퍼를 다이싱하여 칩을 형성하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법을 포함하도록 제공된다. 이러한 방법은 예를 들어, 도 3a-3c의 순서에 의해 나타난 바와 같은 도면에서 보여진다.
한 실시 양태에서, 웨이퍼가 다이싱된 후, 접착제는 부분적으로 경화될 수 있다. 부분 경화는 열 또는 빛에 의해 달성될 수 있다. 가시광선 또는 자외선과 같은 빛을 사용하여 접착제를 부분적으로 경화시킨다면, 배킹은 이전에 토의된 바와 같이 경화를 생성하는 파장에 대해 투과성이어야 할 것이다. 조사는 바람직하게는 배킹의 이면을 통해 수행된다. 접착제의 부분 경화는 접착제를 방사선에 노출시킬 때 발생할 수 있다.
부분 경화 후에, 접착제는, 접착제 및 배킹 사이에서의 접착제 실패를 조장하기에 충분할 정도로 점성제거될 수 있다. 접착제는 칩에 접착된 채로 잔존할 수 있고, 여전히 어느 정도의 점착성을 유지할 수 있다. 다음, 경화된 접착제를 함유하는 칩은 배킹으로부터 더욱 쉽게 제거될 수 있다. 마지막으로, 다이싱 프레임이 제거될 수 있다.
도 1은 패턴을 환주 형태로 포함하는 표면 개질을 포함하는 제공된 다이싱 테이프의 실시 양태를 생성하는데 사용될 수 있는 코로나 처리 장치의 실시 양태의 도식이다. 코로나 처리 장치(100)는 분쇄된 스테인레스 스틸 드럼(102)을 포함한다. 예시된 실시 양태에서, 드럼은 자기 시팅(104)으로 덮힌다(감싸진다). 시팅은, 모양이 환형인 것으로 절단되는 2개의 구멍(102)(1개의 구멍은 도식되지는 않지만 드럼의 숨겨진 면 상에 있는 반대편 구멍(102)이다)을 갖는다. 2개의 구멍의 반경보다 더 작은 반경을 갖는 자기 시팅(104)의 2개의 추가의 환형 조각은 드럼의 어느 한 쪽 면 상의 구멍의 중심에 위치한다. 그 결과는, 드럼(102)의 환주 모양의 노출이다. 코로나 처리기(106)(동력 공급은 도식되지 않는다)는, 전리 방사선(108)을 드럼에 제공하도록 위치된다. 배킹 웨브(도식되지 않는다)는 드럼(102) 주변 및 코로나 처리기(106) 하부를 통과하여, 전리 방사선(108)은 배킹 웨브 시 영향을 받는다. 코로나 처리는 배킹의 상부면의 비선택적인 표면 개질을 야기한다. 또한, 우묵하게 들어간 환주 영역에서, 에어 포켓이 포획되고, 유전체 장벽 방전이 생성되어, 이것이 드럼과 마주하는 웨브의 이면 상에 환주형의 표면 개질 패턴을 야기한다.
도 2는 도 1의 장치를 통과한 표면 개질을 갖는 웨브(200)의 바닥 측면도(코로나의 드럼쪽을 향한 면)이다. 본 실시 양태에서, 배킹 웨브(202)는 폴리올레핀으로 제조된다. 웨브의 상부면은 코로나에 의해 비선택적으로 표면 개질되었다. 웨브의 하부면은 도 1에서 예시된 코로나 처리기를 통과하여 생성되는, 규칙적인 환주형 패턴의 표면 개질(204)을 갖는다.
도 3a-3c는 제공된 다이싱 테이프 및 다이 부착 필름을 포함하는 물품의 실시 양태의 단면도이다. 도 3a는 다이싱 방법의 시작 시의 물품(300)을 보여준다. 물품은 영역(304)(환주형 패턴의 가장자기-상의 화면)에 의해 지시되는 바와 같이 그의 상부면 상에 표면 개질을 갖는 배킹(302)을 포함한다. 배킹의 상부에 접착제(306)가 존재하고, 여기에 반도체 웨이퍼(308)가 부착되었다. 물품은 또한, 다이싱 프레임(310)(환주형 프레임의 가장자리-상 화면)을 포함한다. 프레임(310)은 다이싱 동안에 배킹-접착제-웨이퍼 조합물을 유지시킨다.
도 3b는 다이싱 조작 후의 물품(320)의 화면이다. 물품(320)은 영역(304)에 의해 지시되는 바와 같이 상부면에 표면 개질을 갖는 배킹(302)을 포함한다. 접착제층(306)은 배킹의 상부 상에 위치하고, 거기에 웨이퍼(308)가 접착된다. 웨이퍼(308)는, 많은 절단물(309)(웨이퍼로 제작되게 된다)로 다이싱되었다. 본 실시 양태에서, 절단물은 웨이퍼 및 접착제층을 통해 제작되었고, 약간 배팅 내로 제작되었다. 다이싱 프레임(310)은 여전히 물품을 유지시키고 있다.
도 3c는 도 3a 및 도3b에서 보여진 바와 같은 표면 개질(304)을 갖는 배킹(302)을 갖는 물품(330)의 화면을 보여준다. 그러나, 이러한 화면에서, 접착제는 배킹(302)을 통해 경화시킴으로써 점성제거되었다. 기판(302)은 현재 칩에 부착된 접착제(306)를 갖는 별도의 칩(308)으로 연신되었다. 접착제가 있는 칩은 배킹으로부터 제거되고, 와이어 결합을 위한 기판(도식되지 않는다) 등에 부착될 수 있다. 도 3c에서, 다이싱 프레임이 제거되었고, 다이싱 프레임 하부 및 표면 개질(304) 상부에 있었던 접착제(306)는 배킹 상에 잔존한다.
도 4는 물품(400)(도 3a의 단면도에서 예시되는 물품)의 사시도이다. 이러한 화면에서, 접착제(406)는 배킹에 걸쳐서 코팅되었다(도식되지 않는다). 영역(406a)에서, 접착제는 배킹의 환주형 표면 개질에 걸쳐져 있다. 이러한 영역은 또한, 다이싱 프레임(410) 하부에서 연장된다. 반도체 웨이퍼(408)는 접착제에 접착되었다. 웨이퍼는 이러한 화면에서 다이싱할 준비가 되어 있다.
본 발명의 목적 및 이점은 하기의 실시예에 의해 추가로 예시되지만, 이들 실시예에 인용된 특정 물질 및 그 양뿐만 아니라 기타 조건이나 상세 사항은 본 발명을 부당하게 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다.
<실시예>
Figure pct00001
제조예 1
부틸아크릴레이트/글리시딜 메타크릴레이트(BA/GMA) 공중합체의 제조
하기를 946 ㎖의 병에 첨가하였다: 72.0g의 부틸 아크릴레이트 (다우 케미칼 코., 미드랜드, 마이애미), 48.0g의 글리디실 메타크릴레이트 (사토머 코., 아이엔씨., 이스톤, 펜실베니아), 0.18g의 2,2'-아조비스(2-메틸부탄니트릴)(듀퐁, 윌밍턴, 델라웨어(DuPont, Wilmington, DE)), 140g의 에틸 아세테이트, 및 140g의 톨루엔. 용액을 분 당 1리터의 속도로 2분 동안 질소를 사용해 퍼지(purge)하였다. 병을 밀봉하고, 60℃로 유지시킨 수조에 24시간 동안 두었다. 반응 혼합물은 29.5중량% 고체였고, 측정된 고유 점도가 0.78 ㎗/g였으며, 브룩필드 점도(Brookfield viscosity)는 0.7파스칼-초(Pascal-second)였다.
[표 I]
Figure pct00002
패턴화된 배킹의 제조
폴리올레핀 라이너는 상기 토의된 바와 같은 고리형 패턴으로 처리된 패턴 코로나였다. 굴곡성 금속 자기 마스크를 굴곡성 자기 시팅(1.5 ㎜ 두께)에서 제조하였고, 코로나 처리기의 금속 배킹 롤 주변으로 감쌌다. 마스크는 패턴을 가졌고, 셋-업은 도 1에서 예시된 바와 같은 배치를 가졌다. 갭이 1.5 ㎜(60 mils)인 에어 코로나 전극을 사용하였다. 필름을 15 m/분의 속도로 코로나 처리기를 통해 잡아 당겼다. 코로나 동력은 620W였고, 정상화된 코로나 에너지는 0.54(J/㎠)였고, 실내 습도는 실온에서 11%였다.
실시예 1
실시예 1에 대한 표 1에서 열거되는 성분을 높은 전단 혼합기에서 혼합하였고, 규소-처리 PET 라이너(37 ㎛ 두께) 상에 코팅시켰고, 그런 다음, 송풍 오븐 내, 65℃에서 5분 동안 건조시켰다. 다음, 접착제 코팅된 라이너를 실온 및 276 ㎪(40psi)에서, 패턴이 있는 면 상의 패턴 코로나 처리된 폴리올레핀 배킹에 적층시켰다. PET 라이너를 제거하고, 접착제/코로나-처리된 폴리올레핀을 연마된 규소 웨이퍼에 적층시켰다. 벗김 표본(Peel sample)을 크로스 웨브(cross web) 방향에서 제조하여, 표본이 2.54 ㎝(1인치) 너비의 코로나-처리된 섹션을 포함하도록 하였다. UV 노출 전에 벗겨진 표본은 접착제 및 규소 웨이퍼 간의 계면에서 실패를 보여주었다. 표본을 0.5J/㎠ UVA 방사선에 노출시킨 후, 코로나-처리된 2.54 ㎝ 띠(strip)에서는 제외하고, 벗김에 대한 실패 방식이 필름 배킹 및 접착제 간의 실패로 변하였다. 그러한 섹션에서, 실패는 접착제 및 규소 웨이퍼 간에 존재하였다.
실시예 2-7
실시예 2-7에 대한 표 1에서 열거된 구성성분을 실시예 1에서와 같이 제조 및 시험하였다.
본 발명의 다양한 변형 및 변경은 본 발명의 범주 및 원리로부터 벗어남이 없이 당업계의 숙련자에게 명백하게 될 것이며, 본 발명이 전술한 예시적인 실시 형태들로 부당하게 한정되지 않음을 이해하여야 한다.

Claims (21)

  1. 접착제 조성물; 및
    접착제와 접촉되는 배킹을 포함하는, 다이싱 테이프 및 다이 부착 접착제로서의 연속 용도에 적합한 접착제 이전 다이싱 테이프로서,
    여기서, 배킹은 패턴을 포함하는 표면 개질을 포함하고,
    접착제는 적어도 일부의 패턴과 접촉되는, 접착제 이전 다이싱 테이프.
  2. 제 1 항에 있어서, 접착제 조성물이 방사선 경화성 기(group)를 포함하는, 접착제 이전 다이싱 테이프.
  3. 제 2 항에 있어서, 접착제 조성물이 방사선에 노출 시 점성제거되는, 접착제 이전 다이싱 테이프.
  4. 제 1 항에 있어서, 접착제 조성물이:
    작용기를 갖는 아크릴레이트 에스테르 중합체;
    다-작용성 열경화성 수지
    다-작용성 아크릴레이트 에스테르;
    아크릴레이트 에스테르 중합 촉매 또는 경화제;
    다-작용성 열경화성 수지를 경화시키기에 적합한 열-잠재성 촉매; 및
    아크릴산염을 추가로 포함하는 접착제 이전 다이싱 테이프로서,
    여기서, 아크릴레이트 에스테르 중합체 및 열경화성 수지가 서로 반응할 수 있는, 접착제 이전 다이싱 테이프.
  5. 제 4 항에 있어서, 다-작용성 열경화성 수지가 에폭시 수지를 포함하는, 조성물.
  6. 제 4 항에 있어서, 아크릴레이트 에스테르 중합체가 부틸아크릴레이트 및 글리시딜 메타크릴레이트의 공중합체를 포함하는, 조성물.
  7. 제 4 항에 있어서, 다-작용성 아크릴레이트 에스테르가 트라이메틸올프로판트라이아크릴레이트를 포함하는, 조성물.
  8. 제 4 항에 있어서, 중합 촉매 또는 경화제가 광-개시된 자유 라디칼 경화제를 포함하는, 조성물.
  9. 제 1 항에 있어서, 접착제 조성물이:
    적어도 약 50중량%의, 아크릴레이트 에스테르 중합체를 함유하는 작용기;
    약 20중량% 내지 약 40중량%의 다-작용성 열경화성 수지;
    유효량의 다-작용성 아크릴레이트 에스테르;
    아크릴레이트 에스테르 중합체 경화용 촉매;
    다-작용성 열경화성 수지 경화용 열-잠재성 촉매; 및
    아크릴산염을 추가로 포함하는, 접착제 이전 다이싱 테이프로서,
    여기서, 아크릴레이트 에스테르 중합체 및 열경화성 수지가 접착제 반응 생성물을 형성할 수 있는, 접착제 이전 다이싱 테이프.
  10. 제 1 항에 있어서, 패턴이 밀폐된 루프를 포함하는, 접착제 이전 다이싱 테이프.
  11. 제 10 항에 있어서, 밀폐된 루프가 환주(annulus)를 포함하는, 접착제 이전 다이싱 테이프.
  12. 제 1 항에 있어서, 표면 개질이 전리 방사선을 사용해 생성되는, 접착제 이전 다이싱 테이프.
  13. 제 12 항에 있어서, 전리 방사선이 코로나 처리에 의해 생성되는 방사선을 포함하는, 접착제 이전 다이싱 테이프.
  14. 패턴을 포함하는 표면 개질을 갖는 면을 포함하는 배킹;
    패턴과 접촉되는 접착제;
    접착제와 접촉되는 반도체 웨이퍼; 및
    접착제와 접촉되는 다이싱 프레임을 포함하는, 물품으로서,
    여기서, 다이싱 프레임은 웨이퍼를 둘러싸고, 다이싱 프레임 하부의 적어도 일부의 접착제는 적어도 일부의 패턴과 접촉되는, 물품.
  15. 제 14 항에 있어서, 패턴이 밀폐된 루프를 포함하는, 물품.
  16. 제 15 항에 있어서, 밀폐된 루프가 환주를 포함하는, 물품.
  17. 패턴을 포함하는 표면 개질을 갖는 배킹과 접촉되는 접착제를 제공하는 단계;
    반도체 웨이퍼를 접착제에 부착시키는 단계;
    다이싱 프레임을 접착제에 부착시켜, 다이싱 프레임이 접착제와 접촉되고 웨이퍼를 둘러싸게 하는 단계,
    (여기서, 다이싱 프레임 하부의 적어도 일부의 접착제가 적어도 일부의 패턴과 접촉된다); 및
    웨이퍼를 다이싱시켜 칩을 형성하는 단계를 포함하는, 반도체 웨이퍼를 다이싱시키는 방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 접착제를 경화시키는 단계를 추가로 포함하는, 방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 접착제를 경화시키는 단계가 접착제를 방사선에 노출시키는 것을 포함하는, 방법.
  20. 제 18 항에 있어서, 배킹 상에 접착제가 있는 배킹으로부터 칩을 제거하는 단계를 추가로 포함하는, 방법.
  21. 제 20 항에 있어서, 다이싱 프레임을 제거하는 단계를 추가로 포함하는 방법으로서, 여기서, 접착제가 배킹의 표면 개질 상에 잔존하는, 방법.
KR1020107021970A 2008-03-07 2009-03-04 패턴화된 배킹이 있는 다이싱 테이프 및 다이 부착 접착제 KR20100122110A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US3479108P 2008-03-07 2008-03-07
US61/034,791 2008-03-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100122110A true KR20100122110A (ko) 2010-11-19

Family

ID=40834530

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107021970A KR20100122110A (ko) 2008-03-07 2009-03-04 패턴화된 배킹이 있는 다이싱 테이프 및 다이 부착 접착제

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7858499B2 (ko)
EP (1) EP2257608A1 (ko)
JP (1) JP2011513995A (ko)
KR (1) KR20100122110A (ko)
CN (1) CN102015943A (ko)
TW (1) TW200947543A (ko)
WO (1) WO2009114345A1 (ko)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005150235A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
WO2008115711A1 (en) * 2007-03-16 2008-09-25 3M Innovative Properties Company Dicing and die attach adhesive
JP2010062269A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Three M Innovative Properties Co ウェーハ積層体の製造方法、ウェーハ積層体製造装置、ウェーハ積層体、支持層剥離方法、及びウェーハの製造方法
JP2011018669A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Nitto Denko Corp 半導体ウェハダイシング用粘着シート及び該粘着シートを用いる半導体ウェハのダイシング方法
US8987632B2 (en) * 2009-10-09 2015-03-24 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Modification of surface energy via direct laser ablative surface patterning
US9911683B2 (en) * 2010-04-19 2018-03-06 Nitto Denko Corporation Film for back surface of flip-chip semiconductor
JP5583080B2 (ja) * 2010-07-07 2014-09-03 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープおよびそれを用いた半導体加工方法
US8501590B2 (en) 2011-07-05 2013-08-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and methods for dicing interposer assembly
US8580683B2 (en) 2011-09-27 2013-11-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and methods for molding die on wafer interposers
CN102690611B (zh) * 2011-12-27 2015-06-24 3M中国有限公司 胶带组合物以及由其制备的胶带
US8940618B2 (en) * 2012-03-13 2015-01-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and device for cutting semiconductor wafers
US20130264686A1 (en) * 2012-04-05 2013-10-10 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer processing
US9056438B2 (en) 2012-05-02 2015-06-16 3M Innovative Properties Company Curable composition, articles comprising the curable composition, and method of making the same
WO2013173070A1 (en) 2012-05-18 2013-11-21 3M Innovative Properties Company Corona patterning of overcoated nanowire transparent conducting coatings
US9278374B2 (en) 2012-06-08 2016-03-08 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Modified surface having low adhesion properties to mitigate insect residue adhesion
US8962389B2 (en) 2013-05-30 2015-02-24 Freescale Semiconductor, Inc. Microelectronic packages including patterned die attach material and methods for the fabrication thereof
TWI575779B (zh) * 2014-03-31 2017-03-21 精材科技股份有限公司 晶片封裝體及其製造方法
CN106463474A (zh) 2014-05-12 2017-02-22 天工方案公司 用于处理单片化射频单元的设备和方法
US11069734B2 (en) 2014-12-11 2021-07-20 Invensas Corporation Image sensor device
EP3266048B1 (en) 2015-03-06 2019-10-02 Koninklijke Philips N.V. Method for attaching ceramic phosphor plates on light-emitting device (led) dies using a dicing tape
JP6454580B2 (ja) * 2015-03-30 2019-01-16 デクセリアルズ株式会社 熱硬化性接着シート、及び半導体装置の製造方法
US9741620B2 (en) * 2015-06-24 2017-08-22 Invensas Corporation Structures and methods for reliable packages
CN107849417B (zh) * 2015-07-29 2021-06-29 昭和电工材料株式会社 粘接剂组合物、固化物、半导体装置及其制造方法
TWI783910B (zh) * 2016-01-15 2022-11-21 荷蘭商庫力克及索發荷蘭公司 放置超小或超薄之離散組件
DE102016203413A1 (de) * 2016-03-02 2017-09-07 Tesa Se Erhöhung der Abzugskraft durch selektive Plasmavorbehandlung
US10204893B2 (en) 2016-05-19 2019-02-12 Invensas Bonding Technologies, Inc. Stacked dies and methods for forming bonded structures
US10269756B2 (en) 2017-04-21 2019-04-23 Invensas Bonding Technologies, Inc. Die processing
US10879212B2 (en) 2017-05-11 2020-12-29 Invensas Bonding Technologies, Inc. Processed stacked dies
US10217720B2 (en) 2017-06-15 2019-02-26 Invensas Corporation Multi-chip modules formed using wafer-level processing of a reconstitute wafer
US10727219B2 (en) * 2018-02-15 2020-07-28 Invensas Bonding Technologies, Inc. Techniques for processing devices
US11276676B2 (en) 2018-05-15 2022-03-15 Invensas Bonding Technologies, Inc. Stacked devices and methods of fabrication
US11158606B2 (en) 2018-07-06 2021-10-26 Invensas Bonding Technologies, Inc. Molded direct bonded and interconnected stack
US11462419B2 (en) 2018-07-06 2022-10-04 Invensas Bonding Technologies, Inc. Microelectronic assemblies
JP7189705B2 (ja) * 2018-09-03 2022-12-14 株式会社ディスコ テープ貼着方法及びテープ拡張方法
WO2020081533A1 (en) * 2018-10-15 2020-04-23 Lightmatter, Inc. Photonic packages and related methods
KR20210104742A (ko) 2019-01-14 2021-08-25 인벤사스 본딩 테크놀로지스 인코포레이티드 접합 구조체
TW202113412A (zh) 2019-01-15 2021-04-01 美商萊特美特股份有限公司 高效率多槽式波導奈米光機電相位調變器
US11296053B2 (en) 2019-06-26 2022-04-05 Invensas Bonding Technologies, Inc. Direct bonded stack structures for increased reliability and improved yield in microelectronics
KR20210051009A (ko) * 2019-10-29 2021-05-10 삼성전자주식회사 접착 부재를 포함하는 전자 장치
US11742314B2 (en) 2020-03-31 2023-08-29 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Reliable hybrid bonded apparatus
US11631647B2 (en) 2020-06-30 2023-04-18 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Integrated device packages with integrated device die and dummy element
US11764177B2 (en) 2020-09-04 2023-09-19 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded structure with interconnect structure
US11728273B2 (en) 2020-09-04 2023-08-15 Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Bonded structure with interconnect structure

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4308331A (en) 1979-03-02 1981-12-29 Canon Kabushiki Kaisha Screen photosensitive member and electrophotographic method
US5139804A (en) 1987-05-14 1992-08-18 Plicon, Inc. Patterned adherent film structures and process for making
US4879430A (en) * 1987-05-14 1989-11-07 Plicon Corporation Patterned adherent film structures and process for making
JPH0715087B2 (ja) 1988-07-21 1995-02-22 リンテック株式会社 粘接着テープおよびその使用方法
US5049085A (en) * 1989-12-22 1991-09-17 Minnesota Mining And Manufacturing Company Anisotropically conductive polymeric matrix
DE4230784A1 (de) * 1992-09-15 1994-03-17 Beiersdorf Ag Durch Strahlung partiell entklebendes Selbstklebeband (Dicing Tape)
JP3483161B2 (ja) 1994-08-11 2004-01-06 リンテック株式会社 粘接着テープおよびその使用方法
JP3521099B2 (ja) 1994-11-29 2004-04-19 リンテック株式会社 ダイシング用リングフレームへの接着剤の付着防止用粘着シートおよび該粘着シートを備えたウェハ加工用シート
TW505942B (en) 2000-06-29 2002-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for forming pattern onto panel substrate
US6472065B1 (en) * 2000-07-13 2002-10-29 3M Innovative Properties Company Clear adhesive sheet
US7022546B2 (en) * 2000-12-05 2006-04-04 Analog Devices, Inc. Method and device for protecting micro electromechanical systems structures during dicing of a wafer
US6793759B2 (en) 2001-10-09 2004-09-21 Dow Corning Corporation Method for creating adhesion during fabrication of electronic devices
US7534498B2 (en) * 2002-06-03 2009-05-19 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
US7396869B2 (en) * 2002-12-04 2008-07-08 Denovus Llc Metallic acrylate curing agents and usage thereof in intermediate compositions
JP2004273895A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの分割方法
DE112004000768B4 (de) * 2003-05-12 2015-07-23 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Verfahren zum Trennen eines plattenartigen Elements
JP2004349441A (ja) 2003-05-22 2004-12-09 Shin Etsu Chem Co Ltd ダイシング・ダイボンド用接着テープ
US20060252234A1 (en) * 2004-07-07 2006-11-09 Lintec Corporation Hardenable pressure sensitive adhesive sheet for dicing/die-bonding and method for manufacturing semiconductor device
JP2006104246A (ja) 2004-10-01 2006-04-20 Sumitomo Chemical Co Ltd 粘着用積層体
JP4799205B2 (ja) 2006-02-16 2011-10-26 日東電工株式会社 活性面貼付ダイシング用粘着テープ又はシートおよび被加工物の切断片のピックアップ方法
JP4970863B2 (ja) 2006-07-13 2012-07-11 日東電工株式会社 被加工物の加工方法
EP2081686A4 (en) * 2006-09-29 2010-05-05 Ge Healthcare Bio Sciences Ab METHOD AND DEVICE FOR REACTIONS IN SMALL SCALE
WO2008115711A1 (en) 2007-03-16 2008-09-25 3M Innovative Properties Company Dicing and die attach adhesive

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009114345A1 (en) 2009-09-17
US7858499B2 (en) 2010-12-28
JP2011513995A (ja) 2011-04-28
CN102015943A (zh) 2011-04-13
TW200947543A (en) 2009-11-16
US20090227089A1 (en) 2009-09-10
EP2257608A1 (en) 2010-12-08
US8008783B2 (en) 2011-08-30
US20110064948A1 (en) 2011-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20100122110A (ko) 패턴화된 배킹이 있는 다이싱 테이프 및 다이 부착 접착제
KR100593814B1 (ko) 반도체 다이본딩용 점착테이프
JP6264126B2 (ja) ウエハ加工用テープ
WO2007094418A1 (ja) 半導体装置の製造方法
CN103460348A (zh) 晶片加工用胶带及使用其的半导体装置的制造方法
WO2014155756A1 (ja) 粘着シートおよび保護膜形成用複合シートならびに保護膜付きチップの製造方法
WO2008032367A1 (fr) Feuille de decoupage en puces/fixation de puces
KR20170095947A (ko) 다이싱 시트, 다이싱·다이 본드 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101311647B1 (ko) 웨이퍼 가공용 테이프 및 그것을 이용한 반도체 가공 방법
US11056388B2 (en) Mask-integrated surface protective tape
JP6299315B2 (ja) ウエハ加工用テープ
US10971387B2 (en) Mask-integrated surface protective tape
US11282736B2 (en) Mask-integrated surface protective tape with release liner
KR20080020515A (ko) 워터젯 레이저 다이싱용 점착 시트
JP2019102710A (ja) マスク一体型表面保護テープ
JP2022125110A (ja) ダイボンディングシート、及びフィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法
JP7141567B2 (ja) ダイボンディングシート、及びフィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法
JP7475923B2 (ja) 半導体装置製造用シート及び半導体装置製造用シートの製造方法。
JP2024008251A (ja) フィルム状接着剤、半導体加工用シート及び半導体装置の製造方法
KR20240006622A (ko) 전자 장치의 제조 방법
TW202028392A (zh) 切晶黏晶膜
CN111009488A (zh) 切割芯片接合薄膜

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid