TW202146606A - 吸附輔助膜及半導體晶圓的吸附方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題在於提供一種可抑制吸附不良的發生的吸附輔助膜及半導體晶圓的吸附方法，作為其解決手段，於將半導體晶圓10的形成有電路的非磨削面11吸附於固定件41時，要介於所述固定件41與所述半導體晶圓10之間的吸附輔助膜30包括：要貼附於形成有所述電路的所述非磨削面11之側的基材層31；以及於支撐於所述基材層31的狀態下與所述固定件41接觸以輔助吸附的輔助層32。

Description

吸附輔助膜及半導體晶圓的吸附方法
本發明是有關於一種於將半導體晶圓的形成有電路的面吸附於固定件時輔助其吸附的吸附輔助膜、以及使用該吸附輔助膜的半導體晶圓的吸附方法。
於半導體零件的製造時，半導體晶圓於表面側形成有電路等後，被實施磨削背面側的加工而薄層化。於磨削該背面側的加工時，半導體晶圓110於其表面111貼附保護膜130，利用該保護膜130被覆電路等來進行保護，在此基礎上，其表面111介隔該保護膜130吸附於固定件141（參照圖9）。 作為與磨削所述保護膜及背面側的加工有關的技術，揭示有專利文獻1。專利文獻1的加工方法包括：針對於表面形成有膜層且於外周側面形成有倒角部的半導體晶圓，藉由使切削刀片自半導體晶圓的表面切入外周緣同時使半導體晶圓旋轉，從而至少將倒角部上的膜層呈圓形切削除去的切削工序（修整加工）。 實施了該修整加工的半導體晶圓110於表面111的外周緣具有階差113。因此，吸附半導體晶圓110的固定件141是考慮該階差113而設計。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-43825號公報
[發明所欲解決之課題] 已知具有如上所述的階差113的半導體晶圓110有時會於固定件141中引起真空洩漏等吸附不良。認為該吸附不良例如是於修整加工的情況下，起因於由加工精度的極限等引起的階差113的尺寸或形狀的偏差等而發生。
本發明是鑒於所述問題而成，其目的在於提供一種可抑制吸附不良的發生的吸附輔助膜及半導體晶圓的吸附方法。 [解決課題之手段]
作為解決所述問題點的手段，本發明如下所述。 [1] 第一發明所記載的發明的主旨為， 一種吸附輔助膜，其於將半導體晶圓的形成有電路的面吸附於固定件時，要介於所述固定件與所述半導體晶圓之間，且包括： 基材層，要貼附於形成有所述電路的面之側；以及 輔助層，於支撐於所述基材層的狀態下與所述固定件接觸以輔助吸附。 [2] 第二發明所記載的發明的主旨為，於第一發明所記載的發明中，所述輔助層是溫度25℃以上且35℃以下的拉伸彈性係數為5 MPa以上且150 MPa以下的層。 [3] 第三發明所記載的發明的主旨為，於第一發明或第二發明所記載的發明中，所述半導體晶圓是藉由於形成有所述電路的所述面的外周緣具有階差，而減少了該面對於所述固定件的吸附面積的半導體晶圓。 [4] 第四發明所記載的發明的主旨為，於第一發明至第三發明中任一項所記載的發明中，所述輔助層包含選自乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚烯烴系彈性體、苯乙烯系彈性體、聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體的群組中的一種或兩種以上。 [5] 第五發明所記載的發明的主旨為，於第一發明至第四發明中任一項所記載的發明中，所述輔助層的厚度為100 μm以上且500 μm以下。 [6] 第六發明所記載的發明的主旨為，於第一發明至第五發明中任一項所記載的發明中，所述基材層是溫度25℃以上且35℃以下的拉伸彈性係數為5000 MPa以下的層。 [7] 第七發明所記載的發明的主旨為，於第一發明至第六發明中任一項所記載的發明中，所述基材層包含選自聚酯、聚醯胺的群組中的一種或兩種以上。 [8] 第八發明所記載的發明的主旨為，於第一發明至第七發明中任一項所記載的發明中，所述基材層的厚度為10 μm以上且200 μm以下。
[9] 第九發明所記載的發明的主旨包括吸附步驟，所述吸附步驟中使吸附輔助膜介於半導體晶圓的形成有電路的面與吸附所述半導體晶圓的固定件之間，經由該吸附輔助膜將該半導體晶圓吸附於所述固定件， 所述半導體晶圓是藉由於形成有所述電路的面的外周緣具有階差，而減少了該面對於所述固定件的吸附面積的半導體晶圓，且 所述吸附輔助膜包括： 基材層，要貼附於形成有所述電路的所述面之側；以及 輔助層，於支撐於所述基材層的狀態下與所述固定件接觸以輔助吸附。 [10] 第十發明所記載的發明的主旨為，於第九發明所記載的發明中，所述輔助層是溫度25℃以上且35℃以下的拉伸彈性係數為5 MPa以上且150 MPa以下的層。 [11] 第十一發明所記載的發明的主旨為，於第九發明或第十發明所記載的發明中，所述輔助層包含選自乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚烯烴系彈性體、苯乙烯系彈性體、聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體的群組中的一種或兩種以上。 [12] 第十二發明所記載的發明的主旨為，於第九發明至第十一發明中任一項所記載的發明中，所述輔助層的厚度為100 μm以上且500 μm以下。 [13] 第十三發明所記載的發明的主旨為，於第九發明至第十二發明中任一項所記載的發明中，所述基材層是溫度25℃以上且35℃以下的拉伸彈性係數為5000 MPa以下的層。 [14] 第十四發明所記載的發明的主旨為，於第九發明至第十三發明中任一項所記載的發明中，所述基材層包含選自聚酯、聚醯胺的群組中的一種或兩種以上。 [15] 第十五發明所記載的發明的主旨為，於第九發明至第十四發明中任一項所記載的發明中，所述基材層的厚度為10 μm以上且200 μm以下。 [發明的效果]
根據本發明的吸附輔助膜及半導體晶圓的吸附方法，可抑制吸附不良的發生。
以下，參照圖式對本發明進行說明。此處所示的事項為例示事項及用以對本發明的實施形態進行例示性說明的事項，其闡述目的在於提供可最有效且容易地理解本發明的原理及概念性特徵的說明。就該方面而言，其為從根本上理解本發明所必需的說明，而非意指於某種程度以上示出本發明的詳細結構，本領域技術人員明瞭如何根據結合圖式進行的說明而實際實現本發明的若干形態。
[1]半導體晶圓 由本發明提供的半導體晶圓供於半導體零件的製造，只要於其一面（表面）形成有電路，則對材料、形狀並無特別限定。通常，半導體晶圓於材料中使用矽（silicon）而形成為圓板狀（參照圖1）。 磨削該半導體晶圓的與形成有電路的表面為相反側的背面而薄層化。本發明的吸附輔助膜於該薄層化所涉及的背面加工中使用。以下，於半導體晶圓中，形成有電路的面亦稱為「非磨削面」，要藉由背面加工所涉及的薄層化來磨削的面亦稱為「磨削面」。 另外，本發明的吸附輔助膜於將所述半導體晶圓中、藉由外周緣具有階差而減少了非磨削面對固定件的吸附面積的半導體晶圓吸附固定於固定件時有用。
具體而言，如圖1所示，半導體晶圓10形成為板狀。於半導體晶圓10的非磨削面11形成有電路。藉由對磨削面12進行磨削，而將該半導體晶圓10薄層化為所期望的薄度（參照圖6）。 另外，如圖7所示，本發明亦可用於磨削前切割（Dicing Before Grinding，DBG）或磨削前隱形切割（Stealth Dicing Before Grinding，SDBG）中的磨削面12的磨削。 半導體晶圓10藉由倒角處理，而於自非磨削面11或磨削面12至外側面的部位分別具有圓弧面14。於修整加工中，該些圓弧面14中，非磨削面11側的圓弧面14被切削去除（參照圖3）。經該修整加工的半導體晶圓10於非磨削面11的外周緣具有凹狀的階差13（參照圖1）。
此處，對所述修整加工進行說明。 作為修整加工中使用的修整裝置20，例示有圖3所示般的包括藉由真空抽吸來吸附半導體晶圓10的吸盤台21及修整刀片22者。 於修整加工時，半導體晶圓10將磨削面12吸附於吸盤台21，從而被固定於該吸盤台21。 修整加工是藉由一邊使吸附固定有半導體晶圓10的吸盤台21旋轉，一邊將修整刀片22壓抵於半導體晶圓10的非磨削面11的外周緣來進行。 經修整加工的半導體晶圓10藉由修整刀片22而將非磨削面11側的圓弧面14切削去除，藉此於非磨削面11的外周緣形成凹狀的階差13。
由所述修整加工引起的階差13於半導體晶圓10的徑向上的寬度W較佳為1 mm～10 mm，更佳為2 mm～8 mm，特佳為3 mm～7 mm（參照圖1）。 另外，該階差13於半導體晶圓10的厚度方向上的高度H較佳為10 μm～100 μm，更佳為20 μm～80 μm，特佳為30 μm～70 μm（參照圖1）。
再者，所述階差13並不限定於所述修整加工中產生的階差。除了藉由修整加工而得者以外，作為於非磨削面11的外周緣具有階差13的半導體晶圓10，可列舉以下結構的半導體晶圓10。 圖8所示的半導體晶圓10藉由於非磨削面11上形成多個凸塊15，而於非磨削面11側的外周緣產生階差13。 另外，雖未特別圖示，但作為具有所述階差的半導體晶圓，亦可列舉於非磨削面上形成有多層膜的晶圓。
關於所述階差13，寬度W及高度H設為以中心角每隔10度～90度的間隔的方式選擇的四處階差的實測寬度及實測高度的平均值。 另外，於本發明中，半導體晶圓10所具有的階差13包括由修整加工引起的階差、以及由凸塊或多層膜的形成引起的階差。 具體而言，階差13可稱之為於自外周緣起半導體晶圓10的徑向上的寬度W為1 mm～30 mm的範圍內，高低差（半導體晶圓10的厚度方向上的高度H）為10 μm～300 μm者。
活用本發明的吸附輔助膜的半導體晶圓10可為任意者。作為該半導體晶圓10，減少了對於吸盤台等固定件的吸附面積的晶圓特別有用。 作為減少了吸附面積的半導體晶圓10，可特別列舉經修整加工的晶圓。經該修整加工的半導體晶圓10的非磨削面11的外周緣被修整（切割），並設置有階差13，藉此減少了對於固定件41（吸盤台等）的吸附面積（參照圖5）。 此處，所述「吸附面積」表示於半導體晶圓10的非磨削面11，可使固定件41產生的吸附力發揮作用的面積。
詳細而言，經修整加工的半導體晶圓10具有藉由將非磨削面11的外周緣切割成凹狀而形成的階差13。於該半導體晶圓10的非磨削面11，階差13與階差13以外的部分不會與固定件41在同一面上接觸。因此，固定件41所產生的吸附力難以於階差13起作用或不會起作用。 此處，半導體晶圓10的非磨削面11上的實際的吸附面積ar1設為自半導體晶圓10的平面面積ar2中去除與階差13相當的部分的平面面積而得的值（參照圖1）。 即，於非磨削面11的外周緣具有階差13的半導體晶圓10成為固定件41的吸附力僅作用於較平面面積ar2更小的吸附面積ar1的狀態。 換言之，半導體晶圓10可謂藉由於非磨削面11的外周緣具有階差13，而自半導體晶圓10（非磨削面11）的平面面積ar2減少了非磨削面11對於固定件41的吸附面積ar1的半導體晶圓。
[2]吸附輔助膜 本發明的吸附輔助膜於將半導體晶圓的形成有電路的面（非磨削面）吸附於固定件時，要介於固定件與半導體晶圓之間。 吸附輔助膜具有基材層及輔助層（參照圖2）。 基材層貼附於半導體晶圓的形成有電路的面側，即非磨削面側。
具體而言，如圖2所示，吸附輔助膜30具有基材層31及輔助層32。 該吸附輔助膜30於背面加工所涉及的貼附步驟中，使基材層31側朝向半導體晶圓10的非磨削面11來使用。該基材層31要貼附於該半導體晶圓10的非磨削面11（參照圖4）。 另外，吸附輔助膜30於背面加工所涉及的吸附步驟中，使輔助層32側朝向固定件41來使用。該輔助層32於支撐於基材層31的狀態下與固定件41接觸，並吸附於該固定件41（參照圖5）。 輔助層32對應於半導體晶圓10的非磨削面11的表面形狀及固定件41的表面形狀，並仿照它們彈性變形。藉由該輔助層32的彈性變形，吸附輔助膜30輔助半導體晶圓10向固定件41的吸附（參照圖6）。此外，吸附輔助膜30於背面加工時，於半導體晶圓10的非磨削面11側被覆電路以進行保護。
吸附輔助膜30的形狀並無特別限定。吸附輔助膜30例如可設為俯視下為圓形形狀、正方形形狀等。 吸附輔助膜30的平均厚度並無特別限定。具體而言，吸附輔助膜30的平均厚度較佳為設為150 μm～1000 μm，更佳為設為175 μm～950 μm，進而佳為設為200 μm～750 μm。 再者，平均厚度設為以彼此隔開2 cm以上的方式選擇的10處膜的實測厚度的平均值。
吸附輔助膜30只要於將半導體晶圓的非磨削面吸附於固定件時，介於固定件與半導體晶圓之間以輔助吸附，則並不限定於直接貼附於半導體晶圓。 例如，亦可於半導體晶圓的非磨削面貼附對電路進行保護的保護膜，與該保護膜重疊地貼附吸附輔助膜30。 以下，對吸附輔助膜30的各層進行說明。
（1）基材層 基材層31是以保護形成於半導體晶圓10的電路、及提高吸附輔助膜30的操作性或機械特性等為目的而設置的層。 基材層31中使用的材料只要具有可耐受背面加工時的外力的機械強度，則並無特別限定。通常，基材層31的材料使用合成樹脂的膜。
作為所述合成樹脂，可列舉選自聚乙烯、聚丙烯、聚(4-甲基-1-戊烯)、聚(1-丁烯)等聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯；尼龍-6、尼龍-66、聚間二甲苯己二醯胺（polymetaxylene adipamide）等聚醯胺；聚丙烯酸酯；聚甲基丙烯酸酯；聚氯乙烯；聚醚醯亞胺；聚丙烯腈；聚碳酸酯；聚苯乙烯；離子聚合物；聚碸；聚醚碸；聚苯醚等中的一種或兩種以上的熱塑性樹脂。
所述合成樹脂中，基材層31較佳為包含選自聚酯、聚醯胺的群組中的一種或兩種以上。於包含該些的情況下，可使吸附輔助膜30的操作性較佳。 於所述合成樹脂中可添加添加劑。作為添加劑，可例示：塑化劑、軟化劑（礦物油等）、填充劑（碳酸鹽、硫酸鹽、鈦酸鹽、矽酸鹽、氧化物（氧化鈦、氧化鎂）、二氧化矽、滑石、雲母、黏土、纖維填料等）、抗氧化劑、光穩定劑、抗靜電劑、潤滑劑、著色劑等。該些添加劑可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
基材層31的材料中使用的膜不論延伸的有無。膜可使用未延伸膜、單軸延伸膜或雙軸延伸膜等延伸膜的任一種。就提高機械強度的觀點而言，延伸膜特別有用。 另外，所述膜可使用單層膜、具有多個層的多層膜的任一種。 基材層31較佳為使用經表面處理的膜。該情況下，可實現與輔助層32等的接著性的提高。作為表面處理的具體例，可列舉電暈處理、電漿處理、下塗（undercoat）處理、底塗（primer coat）處理等。 基材層31的厚度T1並無特別限定（參照圖2）。該厚度T1較佳為10 μm～200 μm，更佳為20 μm～150 μm，進而佳為30 μm～100 μm。該厚度T1的範圍基於基材層31可獲得良好的特性的觀點。
此處，基材層31及輔助層32的拉伸彈性係數藉由利用動態黏彈性測定裝置（動態機械分析儀（dynamic mechanical analyzer，DMA）），根據自25℃至35℃進行測定而得的資料讀取各溫度的資料來獲得。測定條件將樣品尺寸設為寬度10 mm，將夾具間的長度設為20 mm，頻率為1 Hz，昇溫速度為5℃/分鐘。 以下，關於基材層31的拉伸彈性係數，將25℃的值設為E'31 （25），將35℃的值設為E'31 （35），將25℃以上且35℃以下的各溫度的值設為E'31 （t）。 另外，關於輔助層32的拉伸彈性係數，將25℃的值設為E'32 （25），將35℃的值設為E'32 （35），將25℃以上且35℃以下的各溫度的值設為E'32 （t）。
基材層31的拉伸彈性係數通常為E'31 （t）≦5000 MPa。即，於25℃≦t≦35℃的溫度範圍內，基材層31的拉伸彈性係數始終為5000 MPa以下。因此，E'31 （25）≦5000 MPa，E'31 （35）≦5000 MPa。 另外，通常E'31 （t）＞E'32 （t）。即，於25℃≦t≦35℃的溫度範圍內，基材層31的拉伸彈性係數始終高於輔助層32的拉伸彈性係數。其高的程度並無限定，但E'31 （t）較佳為較E'32 （t）高20 MPa～4850 MPa，更佳為高700 MPa～4850 MPa。 因此，於t=25℃時，基材層31的拉伸彈性係數與輔助層32的拉伸彈性係數之差（E'31 （25）-E'32 （25））較佳為20 MPa≦E'31 （25）-E'32 （25）≦4850 MPa，更佳為700 MPa≦E'31 （25）-E'32 （25）≦4850 MPa。 同樣地，於t=35℃時，基材層31的拉伸彈性係數與輔助層32的拉伸彈性係數之差（E'31 （35）-E'32 （35））較佳為20 MPa≦E'31 （35）-E'32 （35）≦4850 MPa，更佳為700 MPa≦E'31 （35）-E'32 （35）≦4850 MPa。
（2）輔助層 輔助層32是以於背面加工時輔助半導體晶圓10向固定件41的吸附為目的而設置的層。 具體而言，輔助層32是能夠根據具有階差13的半導體晶圓10的表面形狀及固定件41的表面形狀的兩者進行彈性變形的層。而且，藉由發生了彈性變形的輔助層32，可輔助半導體晶圓10向固定件41的吸附（參照圖5）。 輔助層32於降低了拉伸彈性係數的情況下，柔軟性提高。該情況下，可提高輔助層32對半導體晶圓10的非磨削面11及固定件41（吸盤台等）的表面形狀的追隨性。 另外，輔助層32於提高了拉伸彈性係數的情況下，硬度提高。該情況下，抑制輔助層32向固定件41（吸盤台等）的黏附，可提高輔助層32與固定件41的裝卸性。
輔助層32的拉伸彈性係數較佳為5 MPa≦E'32 （t）≦150 MPa。即，於25℃≦t≦35℃的溫度範圍內，輔助層32的拉伸彈性係數為5 MPa以上且150 MPa以下。該情況下，輔助層32於實施背面加工的環境溫度下，可發揮充分的彈性（力學伸縮性）。 該拉伸彈性係數更佳為6 MPa≦E'32 （t）≦120 MPa。進而佳為7 MPa≦E'32 （t）≦80 MPa。特佳為8 MPa≦E'32 （t）≦60 MPa。尤佳為9 MPa≦E'32 （t）≦45 MPa。
輔助層32中使用的材料並無特別限定。輔助層32的材料較佳為樹脂，樹脂中，更佳為具有充分的彈性（力學伸縮性）的樹脂，特佳為包含具有彈性體性的熱塑性材料的樹脂。 具有彈性體性的熱塑性材料可包含具有硬鏈段及軟鏈段的嵌段共聚物，亦可包含硬質聚合物與軟質聚合物的聚合物合金（polymer alloy），亦可具有該些兩者的特性。 作為熱塑性材料，可列舉乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚烯烴系彈性體、苯乙烯系彈性體、聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
於輔助層32的材料為包含所述熱塑性材料的樹脂的情況下，熱塑性材料的比例可設為相對於構成輔助層32的樹脂整體，較佳為40質量%～100質量%，更佳為60質量%～100質量%，進而佳為80質量%～100質量%。即，構成輔助層32的樹脂可僅包含所述熱塑性材料。 另外，於所述熱塑性材料中，乙烯乙酸乙烯酯共聚物能夠根據乙酸乙烯酯的含量調整彈性，因此特佳。於將聚合物整體設為100質量%的情況下，乙烯乙酸乙烯酯共聚物中的乙酸乙烯酯的含量較佳為4質量%～30質量%，更佳為5質量%～25質量%，進而佳為8質量%～20質量%。 輔助層32的厚度T2並無特別限定（參照圖2）。該厚度T2較佳為100 μm～500 μm，更佳為100 μm～400 μm，進而佳為100 μm～250 μm。該厚度T2的範圍基於維持能夠充分地彈性變形的程度的延緩的觀點。
（3）其他層 吸附輔助膜30不限於具有所述各層的結構，亦可設為具有其他層的結構。 作為其他層，可列舉：用於將吸附輔助膜30貼附於半導體晶圓10的非磨削面11側的保持層、於具有所述凸塊15的半導體晶圓10的情況下吸收凸塊15所產生的凹凸形狀的凹凸吸收層、提高與保持層的界面強度的界面強度提高層、抑制低分子量成分向保持層的表面轉移的轉移防止層、防止吸附輔助膜30帶電的抗靜電層等。該些可僅使用一種，亦可併用兩種以上。
所述保持層可於成為非磨削面11側的基材層31的一面塗佈或積層黏著劑或接著劑而形成。例如，作為黏著劑，可列舉(甲基)丙烯酸系黏著劑、矽酮系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、橡膠系黏著劑、能量線硬化型黏著劑等，作為接著劑，可列舉丙烯酸系、環氧系、矽酮系等。 於保持層為黏著劑的情況下，黏著力並無特別限定。該黏著力較佳為0.1 N/25 mm～10 N/25 mm。黏著力更佳為0.2 N/25 mm～9 N/25mm，進而佳為0.3 N/25 mm～8 N/25 mm。該黏著力的範圍基於確保與半導體晶圓的良好的接著性，同時可抑制剝離時於半導體晶圓上的殘膠的觀點。 再者，該黏著力是對於鏡面矽晶圓的黏著力。具體而言，是於溫度23℃、相對濕度50%的環境下，貼附於鏡面矽晶圓的表面，放置60分鐘後，自鏡面矽晶圓的表面以180度剝離時的測定值。所述以外的其他測定條件依據日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）Z0237：2009。 於保持層為黏著劑的情況下，其厚度並無特別限定。厚度較佳為1 μm～50 μm，更佳為2 μm～45 μm，進而佳為3 μm～40 μm。該厚度的範圍基於在發揮較佳的黏著力的同時可無殘膠地剝離的觀點。
凹凸吸收層可於成為非磨削面11側的基材層31的一面，特別是基材層31與保持層之間積層形成。該凹凸吸收層的材料只要具有因表現出流動性或塑化性而產生的凹凸吸收性，則並無特別限定。作為該材料，例如可列舉丙烯酸系樹脂、烯烴系樹脂及乙烯-極性單體共聚物等。 凹凸吸收層的厚度只要為可對由凸塊15所產生的凹凸形狀發揮凹凸吸收性的厚度，則並無特別限定。該厚度較佳為20 μm以上，更佳為80 μm以上，進而佳為170 μm以上。
[3]背面加工 如上所述，所述半導體晶圓10藉由實施背面加工而薄層化。該背面加工包括：於半導體晶圓10貼附吸附輔助膜30的貼附步驟、將貼附有吸附輔助膜30的半導體晶圓10吸附於固定件41的吸附步驟、以及對半導體晶圓10的背面進行加工的加工步驟。 該背面加工使用如圖5及圖6所示般的包括吸附並固定半導體晶圓10的固定件41、以及對半導體晶圓10的磨削面12進行磨削的磨削件42的加工裝置40來進行。 以下，對貼附步驟、吸附步驟、以及加工步驟的各步驟進行說明。
（1）貼附步驟 貼附步驟是以將所述吸附輔助膜30貼附於半導體晶圓10為目的的步驟。 如圖4所示，於貼附步驟中，吸附輔助膜30要貼附於半導體晶圓10的非磨削面11。 於貼附步驟中，吸附輔助膜30以覆蓋半導體晶圓10的非磨削面11的凹凸形狀、特別是外周部的階差13的方式貼附於該半導體晶圓10的非磨削面11。 再者，於貼附步驟中，關於用以將吸附輔助膜30貼附於半導體晶圓10的方法及裝置，並無特別限定。該方法及該裝置可使用現有者。
（2）吸附步驟 吸附步驟是以將貼附有所述吸附輔助膜30的半導體晶圓10吸附於固定件41為目的的步驟。 藉由該吸附步驟，吸附輔助膜30介於半導體晶圓10的非磨削面11與吸附半導體晶圓10的固定件41之間，經由該吸附輔助膜30將該半導體晶圓10吸附於固定件41。 即，該吸附步驟包含於本發明的吸附方法中。
具體而言，如圖5所示，藉由所述貼附步驟而貼附有吸附輔助膜30的半導體晶圓10以非磨削面11朝向固定件41側的方式吸附於固定件41。 於該吸附步驟中的吸附輔助膜30的輔助層32中，固定件41側的表層部分仿照固定件41的表面形狀彈性變形。 即，吸附輔助膜30的輔助層32不受非磨削面11的表面形狀影響地，特別是與受階差13的偏差等影響而不確定的吸附面積ar1無關地，以將對於固定件41的吸附面積ar3保持為與固定件41的表面的面積ar4大致相同的尺寸的方式彈性變形。 換言之，吸附輔助膜30藉由具有能夠彈性變形的輔助層32，可不受階差13等半導體晶圓10的表面形狀影響地，保持確實地吸附於固定件41的吸附面積ar3。 因此，半導體晶圓10藉由使吸附輔助膜30介於與固定件41之間，可抑制由階差13引起的吸附不良的發生。 藉此，本發明的吸附輔助膜30於具有修整加工中產生的階差13的半導體晶圓10的吸附方法中特別有用。
（3）加工步驟 加工步驟是以藉由磨削半導體晶圓10的磨削面12而使該半導體晶圓10薄層化為目的的步驟。 如圖6所示，於加工步驟中，半導體晶圓10在保持藉由所述吸附步驟而吸附於固定件41的狀態的同時，使磨削件42與其磨削面12抵接。 於加工裝置40中，磨削件42構成為以沿半導體晶圓10的厚度方向伸長的軸心為旋轉中心而旋轉自如，並且構成為沿半導體晶圓10的厚度方向移動自如。另外，於加工裝置40中，固定件41構成為以其中心為軸心而旋轉自如。 而且，藉由磨削件42及固定件41分別旋轉，同時磨削件42移動而保持磨削件42與磨削面12抵接的狀態，藉此該磨削面12被磨削，半導體晶圓10薄層化。 另外，本發明亦可於DBG或SDBG的背面磨削中使用。即，如圖7所示，於DBG或SDBG中，半導體晶圓10於非磨削面11，若為DBG則具有多個半切割部17，若為SDBG則具有多個改質層17。該半導體晶圓10於加工步驟中將磨削面12磨削而薄層化，並且利用各半切割部17或各改質層17來分離為多個晶片10A而單片化。 [實施例]
以下，藉由實施例來具體說明本發明。 [吸附輔助膜] 作為吸附輔助膜30，使用12吋用的吸附輔助膜。 關於吸附輔助膜30的結構，基材層31、輔助層32如下。
（1）基材層31 材質：聚對苯二甲酸乙二酯膜，E'31 （25）：4726 MPa，E'31 （35）：4581 MPa。 厚度：50 μm。
（2）輔助層32 〈實施例1〉 材質：乙烯乙酸乙烯酯共聚物（乙酸乙烯酯的含量：19%）、E'32 （25）：21 MPa、E'32 （35）：17 MPa。 厚度：120 μm。 〈實施例2〉 材質：乙烯乙酸乙烯酯共聚物（乙酸乙烯酯的含量：9%）、E'32 （25）：40 MPa、E'32 （35）：34 MPa。 厚度：120 μm。 〈實施例3〉 材質：乙烯乙酸乙烯酯共聚物（乙酸乙烯酯的含量：9%）、E'32 （25）：40 MPa、E'32 （35）：34 MPa。 厚度：160 μm。 〈比較例1〉 未設置輔助層32。
[半導體晶圓] 作為設置有電路的半導體晶圓10，使用以下的半導體晶圓。 （1）規格 直徑：300 mm。 厚度：810 μm。 材質：矽（silicon）。 （2）階差13 將寬度W設定為5 mm、高度H設定為50 μm，進行修整加工，形成階差13。
[背面加工] （1）貼附步驟 準備膠帶貼附機（日東精機製造的產品編號「DR-3000II」），於半導體晶圓10的非磨削面11貼附吸附輔助膜30，並切除剩餘部分，獲得實施例1～實施例3及比較例1的試樣。
（2）吸附步驟 準備加工裝置（迪斯科（Disco）公司製造的產品編號「DGP8760」），使實施例1～實施例3及比較例1的各試樣吸附於加工裝置的固定件41，觀測有無吸附不良。 關於該觀測，設定為將各試樣分別吸附於固定件41三次，測定吸附不良的發生次數。 觀測的結果為，實施例1～實施例3完全未發生吸附不良。 另一方面，比較例1於三次的吸附中全部發生了吸附不良。 根據所述結果而表明，藉由具有輔助層32的吸附輔助膜30，可防止吸附不良。
（3）加工步驟 對於所述（2）的吸附步驟中完全未發生吸附不良的實施例1～實施例3，使用所述加工裝置實施背面加工。 關於該背面加工，設定為對各試樣分別對三片進行背面加工，測定晶圓破裂等不良的發生數。 其結果為，實施例1～實施例3未發生晶圓破裂等不良。 根據所述結果而表明，藉由具有輔助層32的吸附輔助膜30，可防止背面加工時的晶圓破裂等不良的發生。 [產業上之可利用性]
本發明的吸附輔助膜廣泛用於半導體零件製造的用途中。特別是於在外周緣產生了階差的半導體晶圓中，具有可較佳地抑制對固定件的吸附不良的特性，因此可為了進行生產性優異的零件製造而較佳地利用。
10、110:半導體晶圓 10A:晶片 11:非磨削面（形成有電路的面） 12:磨削面 13、113:階差 14:圓弧面 15:凸塊 17:半切割部及改質層 20:修整裝置 21:吸盤台 22:修整刀片 30:吸附輔助膜 31:基材層 32:輔助層 40:加工裝置 41、141:固定件 42:磨削件 111:表面 130:保護膜 ar1、ar3:吸附面積 ar2:平面面積 ar4:固定件的表面的面積 H:高度 T1:基材層的厚度 T2:輔助層的厚度 W:寬度
圖1是對本發明的半導體晶圓進行說明的正剖面圖。 圖2是對本發明的吸附輔助膜進行說明的放大的正剖面圖。 圖3是對本發明的半導體晶圓的修整加工進行說明的正剖面圖。 圖4是對本發明的吸附輔助膜的貼附步驟進行說明的正剖面圖。 圖5是對本發明的半導體晶圓的吸附方法涉及的吸附步驟進行說明的正剖面圖。 圖6是對本發明的半導體晶圓的加工步驟進行說明的正剖面圖。 圖7是對本發明的另一形態的半導體晶圓的加工步驟進行說明的正剖面圖。 圖8是對本發明的另一形態的半導體晶圓進行說明的正剖面圖。 圖9是對先前的半導體晶圓的吸附方法進行說明的正剖面圖。
10:半導體晶圓
11:非磨削面(形成有電路的面)
12:磨削面
13:階差
14:圓弧面
30:吸附輔助膜
31:基材層
32:輔助層
40:加工裝置
41:固定件
ar1、ar3:吸附面積
ar4:固定件的表面的面積

Claims (15)

  1. 一種吸附輔助膜，其特徵在於，其是於將半導體晶圓的形成有電路的面吸附於固定件時，要介於所述固定件與所述半導體晶圓之間的吸附輔助膜，包括： 基材層，要貼附於形成有所述電路的所述面之側；以及 輔助層，於支撐於所述基材層的狀態下與所述固定件接觸以輔助吸附。
  2. 如請求項1所述的吸附輔助膜，其中所述輔助層是溫度25℃以上且35℃以下的拉伸彈性係數為5 MPa以上且150 MPa以下的層。
  3. 如請求項1或請求項2所述的吸附輔助膜，其中所述半導體晶圓是藉由於形成有所述電路的所述面的外周緣具有階差，而減少了所述面對於所述固定件的吸附面積的半導體晶圓。
  4. 如請求項1或請求項2所述的吸附輔助膜，其中所述輔助層包含選自乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚烯烴系彈性體、苯乙烯系彈性體、聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體的群組中的一種或兩種以上。
  5. 如請求項1或請求項2所述的吸附輔助膜，其中所述輔助層的厚度為100 μm以上且500 μm以下。
  6. 如請求項1或請求項2所述的吸附輔助膜，其中所述基材層是溫度25℃以上且35℃以下的拉伸彈性係數為5000 MPa以下的層。
  7. 如請求項1或請求項2所述的吸附輔助膜，其中所述基材層包含選自聚酯、聚醯胺的群組中的一種或兩種以上。
  8. 如請求項1或請求項2所述的吸附輔助膜，其中所述基材層的厚度為10 μm以上且200 μm以下。
  9. 一種半導體晶圓的吸附方法，其特徵在於，包括吸附步驟，所述吸附步驟中使吸附輔助膜介於半導體晶圓的形成有電路的面與吸附所述半導體晶圓的固定件之間，經由所述吸附輔助膜將所述半導體晶圓吸附於所述固定件， 所述半導體晶圓是藉由於形成有所述電路的面的外周緣具有階差，而減少了所述面對於所述固定件的吸附面積的半導體晶圓，且 所述吸附輔助膜包括： 基材層，要貼附於形成有所述電路的所述面之側；以及 輔助層，於支撐於所述基材層的狀態下與所述固定件接觸以輔助吸附。
  10. 如請求項9所述的半導體晶圓的吸附方法，其中所述輔助層是溫度25℃以上且35℃以下的拉伸彈性係數為5 MPa以上且150 MPa以下的層。
  11. 如請求項9或請求項10所述的半導體晶圓的吸附方法，其中所述輔助層包含選自乙烯乙酸乙烯酯共聚物、聚烯烴系彈性體、苯乙烯系彈性體、聚酯系彈性體、聚醯胺系彈性體的群組中的一種或兩種以上。
  12. 如請求項9或請求項10所述的半導體晶圓的吸附方法，其中所述輔助層的厚度為100 μm以上且500 μm以下。
  13. 如請求項9或請求項10所述的半導體晶圓的吸附方法，其中所述基材層是溫度25℃以上且35℃以下的拉伸彈性係數為5000 MPa以下的層。
  14. 如請求項9或請求項10所述的半導體晶圓的吸附方法，其中所述基材層包含選自聚酯、聚醯胺的群組中的一種或兩種以上。
  15. 如請求項9或請求項10所述的半導體晶圓的吸附方法，其中所述基材層的厚度為10 μm以上且200 μm以下。
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