JP7075293B2 - 被加工物の加工方法 - Google Patents

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本発明は、被加工物の加工方法に関する。
ウェーハなどの板状ワークには、外周に、表面から裏面に至る面取りが形成されているものがある。このような板状ワークを半分の厚み以下に薄化すると、いわゆるシャープエッジが外周に形成され、板状ワークが破損する可能性がある。これを防ぐため、板状ワークの外周をトリミングして面取りを除去してから、板状ワークを薄化する技術が知られている(たとえば、特許文献1参照)。
また、板状ワークには、結晶方位を示すノッチが形成されたものがある。ノッチは、たとえば、板状ワークをデバイスに分割する際の目印として利用される(たとえば、特許文献2)。ノッチ形状は、たとえば、業界標準規格であるSEMI規格によって定められている。ノッチが形成された板状ワークについても、その外周をトリミングして面取りを除去してから薄化が行われている。
特開2000-173961号公報 特開2004-198264号公報
しかし、トリミングを実施した板状ワークでは、薄化後に、ノッチが小さくなる、もしくは消失することになる。このため、その後の工程で、板状ワークの結晶方位を正しく検出することが困難になる。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、板状ワークの外周をトリミングしても、板状ワークの結晶方位を認識できるようにすることを目的とする。
本発明の被加工物の加工方法は、格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物の加工方法であって、該被加工物の表面から、チップの仕上がり厚さ以上の深さを有し、該被加工物の結晶方位の判別に供する個体識別番号を印字する個体識別番号印字ステップと、該被加工物の裏面を保持テーブルで保持して該被加工物の表面を露出させる保持ステップと、該保持ステップを実施した後、切削ブレードを該被加工物の外周縁に切り込ませ、該保持テーブルを回転させることにより、該被加工物の外周縁を除去する外周縁除去ステップと、該外周縁除去ステップを実施した後、該被加工物の表面の該デバイスが形成された領域を表面保護部材で覆う表面保護ステップと、該表面保護ステップを実施した後、該被加工物の裏面を研削砥石で研削して被加工物をチップの仕上がり厚さに形成するとともに、該被加工物の該個体識別番号が被加工物を貫通する裏面研削ステップと、を備え、チップの仕上がり厚さ以上の深さを有する該個体識別番号を印字することで、裏面研削ステップにて該個体識別番号が被加工物を貫通し、該固体識別番号によって被加工物の結晶方位を認識可能とすることを特徴とする。
本発明の加工方法では、被加工物に個体識別番号が印字される。個体識別番号は、被加工物の結晶方位の判別の用に供するものである。このため、個体識別番号に基づいて、被加工物の結晶方位を判別することが可能である。
ここで、被加工物に印字された個体識別番号は、チップの仕上がり厚さ以上の深さを有している。したがって、外周縁除去(トリミング)のなされた被加工物が、チップの仕上がり厚さを有するまで裏面研削された場合、外周縁に形成されていたノッチは消失するものの、個体識別番号が被加工物を貫通する。すなわち、被加工物の表面側および裏面側の双方から、個体識別番号を認識することが可能となる。このため、裏面研削ステップの後に実施されるステップにおいても、被加工物の表面側および裏面側の双方から、個体識別番号を用いて、被加工物の結晶方位を明確に認識することが可能となる。
本実施形態にかかる被加工物の一例であるウェーハを示す斜視図である。 図1に示したウェーハの断面図である。 個体識別番号の形成されたウェーハの断面図である 保持テーブルによって保持され、トリミングが施されているウェーハを示す斜視図である。 外周縁除去ステップ後のウェーハを示す斜視図である。 外周縁除去ステップ後のウェーハを示す断面図である。 表面保護テープによって表面が覆われたウェーハを示す断面図である。 裏面研削ステップの実施態様を示す説明図である。 裏面研削ステップ後のウェーハの表面を示す斜視図である。 裏面研削ステップ後のウェーハの裏面を示す斜視図である。
まず、本実施形態にかかる被加工物の加工方法(本加工方法)における被加工物について、簡単に説明する。
図1に示すように、本実施形態にかかる被加工物の一例であるウェーハ1は、たとえば、円板状を有するシリコン基板である。ウェーハ1の表面2aには、デバイス領域5および外周余剰領域6が形成されている。デバイス領域5では、格子状の分割予定ライン3によって区画された領域のそれぞれに、デバイス4が形成されている。外周余剰領域6は、デバイス領域5を取り囲んでいる。
図2に示すように、ウェーハ1の裏面2bは、デバイス4を有しておらず、研削砥石などによって研削される被研削面となっている。ウェーハ1の周囲は、表面2aから裏面2bにかけて、円弧状に面取りが形成されている。なお、この図2のように、添付図面では、ウェーハ1の表面2aに設けられているデバイス4を省略して示す場合がある。
さらに、図1に示すように、ウェーハ1の外周縁7には、ノッチ9が設けられている。ノッチ9は、ウェーハ1の結晶方位を示すマークである。すなわち、本実施形態のウェーハ1は、半導体単結晶を含んでいる。そして、ウェーハ1の結晶方位を示すために、ウェーハ1の外周縁7にノッチ9が設けられている。ノッチ9は、たとえば、ウェーハ1を半導体チップに分割する際のウェーハ1の方向合わせのための目印として利用される。ノッチ9の形状は、たとえば、業界標準規格であるSEMI規格によって定められている。ノッチ9は、たとえば、ウェーハ1の外周縁7に設けられた、略三角形状の切り欠き部である。
次に、本加工方法に含まれるステップについて説明する。
(1)個体識別番号印字ステップ(結晶方位情報印字ステップ)
本加工方法では、まず、ウェーハ1に、個体識別番号を刻印(印字)する。すなわち、ウェーハ1をレーザー加工装置(図示せず)にセットし、ウェーハ1の表面2aにむけてレーザー光線を照射する。このレーザー光線により、ウェーハ1の表面2aに穴を穿つことにより、図1に示すように、ウェーハ1に、個体識別番号21が印字される。なお、個体識別番号21は、結晶方位情報の一例である。個体識別番号21の印字位置は、ウェーハ1における外周縁7の端部から3~4mm離れた位置であり、外周縁7よりも内側である。
個体識別番号21は、たとえば、各ウェーハ1に固有のID情報であってもよく、機能、製品番号、あるいはロット番号等を示す文字列(記号列)であってもよい。個体識別番号21は、たとえば、ノッチ9の延びる方向に略直交する方向に沿って延びる文字列を有している。したがって、個体識別番号21の文字列の延び方向は、ウェーハ1の結晶方位を示しているか、又は、ウェーハ1の結晶方位に対して所定角度を有する向きとなっている(ウェーハ1の結晶方位に対応している)。このため、ウェーハ1では、個体識別番号21に基づいて、ウェーハ1の結晶方位を判別することが可能となっている。
図3に示すように、ウェーハ1における個体識別番号21の深さ(個体識別番号21を形成する穴の、ウェーハ1の表面2aからの深さ(印字の深さ))Dは、チップの仕上がり厚さTo以上の深さに設定されている。すなわち、個体識別番号21の深さDは、裏面研削ステップの後に、ウェーハ1の表面2aから裏面2bに個体識別番号21が貫通する程度に設定されている。
(2)保持ステップ
個体識別番号印字ステップの後、図4に示すように、保持テーブル101により、ウェーハ1の裏面2bを吸引保持する。これにより、ウェーハ1の表面2aが露出する。
(3)外周縁除去ステップ
保持ステップを実施した後、回転する切削ブレード103を、ウェーハ1の表面2aにおける外周縁7に切り込ませ、保持テーブル101を回転させる。これにより、ウェーハ1の外周縁7の表面2a側を除去(トリミング)する。すなわち、ウェーハ1の表面2aの外周縁7に、エッジトリミングを行う。使用される切削ブレード103は、フラットな刃先を有する。
このステップでは、たとえば、保持テーブル101を切削ブレード103の下方に配置し、切削ブレード103を矢印B方向に回転させながら、切削ブレード103をウェーハ1の表面2aに接近する方向に降下させて、切削ブレード103の刃先を外周縁7に切り込ませる。次いで、保持テーブル101を、矢印A方向に回転させる。そうすると、切削ブレード103が降下するにつれて、外周縁7が徐々に削られていく。これにより、外周縁7が、リング状にエッジトリミングされる。
図5に示すように、外周縁除去ステップにより、ウェーハ1の外周縁7の一部分(表面2a側)が除去されて、外周切削部8が形成される。その結果、ウェーハ1の表面2aでは、ノッチ9が消失する。
外周切削部8は、ウェーハ1の外周部に形成され、所定の幅及び所定の深さを有する環状の溝である。図6に示すように、本実施形態では、外周切削部8における所定の深さは、ウェーハ1の表面2aからチップの仕上がり厚さToを超える深さ、すなわち、チップの仕上がり厚さToよりも大きい深さを有するように設定されている。
(4)表面保護ステップ
外周縁除去ステップを実施した後、ウェーハ1の表面2aのデバイス4が形成されたデバイス領域5を、表面保護部材としての表面保護テープ10によって覆う。
図7に示すように、表面保護テープ10を、ウェーハ1の表面2aに貼着する。表面保護テープ10は、ウェーハ1の表面2aに形成されたデバイス4を保護する。表面保護テープ10は、ウェーハ1の表面2aの全面を覆う面積を有している。
表面保護テープ10をウェーハ1に貼着する際には、たとえば、ウェーハ1の表面2aの全面に対して、接着剤が塗布される。この接着剤を介して、表面保護テープ10を貼着することで、ウェーハ1の表面2aの全面を、表面保護テープ10によって覆うことができる。接着剤は、たとえばシリコンからなるウェーハ1に対して接着力を有する材料(糊)を含んでいる。表面保護テープ10には、デバイス4による凹凸を吸収しながら、ウェーハ1に密着する。これにより、表面保護テープ10によって、ウェーハ1の表面2aの全面が覆われ、デバイス4が保護される。
なお、図7では、表面保護テープ10が、デバイス4による凹凸に対し、空間を空けずに密着している。しかし、表面保護テープ10は、凹凸の一部に接触するように貼付されてもよい。
また、本実施形態では、ウェーハ1のデバイス領域5を保護する表面保護部材として、樹脂が用いられてもよい。すなわち、表面保護ステップは、ウェーハ1の表面2aを樹脂で覆う樹脂被覆ステップを含んでいてもよい。
(5)裏面研削ステップ
表面保護ステップを実施した後、ウェーハ1の裏面2bを研削砥石で研削する。図8に示すように、ウェーハ1を研削する研削装置15によって、ウェーハ1を所望の仕上げ厚さ(チップの仕上がり厚さ)を有するように研削する。研削装置15は、鉛直方向の軸心を有するスピンドル150、マウント151、及び研削ホイール152を備えている。研削ホイール152は、スピンドル150の下端に、マウント151を介して装着されている。研削ホイール152の下部の外周縁に、複数の研削砥石153が、環状に固着されている。
ウェーハ1を研削する際には、図8に示すように、図示しない吸引源によって、保持テーブル101aが、表面保護テープ10を吸引保持する。これにより、ウェーハ1の裏面2bが、上向きに露出する。
その後、保持テーブル101aが、たとえば矢印A方向に回転する。さらに、研削装置15が、研削ホイール152を、矢印A方向に回転させながら降下させる。そして、研削砥石153が、ウェーハ1の裏面2bを、押圧しながら研削する。この研削では、ウェーハ1の残存している外周縁7が除去されて、研削砥石153が外周切削部8に至るまで、ウェーハ1の裏面2bが削られる。
図9および図10に示すように、裏面研削ステップでは、ウェーハ1から外周縁7が除去されるため、外周縁7の裏面2a側に残存していたノッチ9も消失する。また、裏面研削ステップでは、ウェーハ1の厚さが、チップの仕上がり厚さと同じ厚さに形成される。さらに、上述のように、ウェーハ1の表面2aに印字(刻印)された個体識別番号21は、チップの仕上がり厚さTo以上の深さDを有する(図3参照)。このため、裏面研削ステップにより、図9および図10に示すように、個体識別番号21が、ウェーハ1を、表面2aから裏面2bまで貫通する。
その後、ウェーハ1は、公知の方法で分割予定ライン3に沿って分断されて、最終製品であるチップが形成される(分断ステップ)。
以上のように、本加工方法では、チップの仕上がり厚さTo以上の深さDを有する個体識別番号21が、ウェーハ1に印字される。これにより、裏面研削ステップにて、個体識別番号21が、ウェーハ1を貫通する。このため、外周縁除去ステップによってノッチが消失しても、個体識別番号21によってウェーハ1の結晶方位を認識することが可能となる。
このように、本加工方法では、ウェーハ1に個体識別番号21が印字される。個体識別番号21の文字列の延びる方向は、ウェーハ1の結晶方位と所定の関係にある。このため、個体識別番号21に基づいて、ウェーハ1の結晶方位を判別することが可能である。
ここで、ウェーハ1に印字された個体識別番号21は、チップの仕上がり厚さTo以上の深さDを有している。したがって、外周縁除去(トリミング)のなされたウェーハ1が、チップの仕上がり厚さToを有するまで裏面研削された場合、ウェーハ1の外周縁7に形成されていたノッチ9は消失するものの、個体識別番号21がウェーハ1を貫通する。すなわち、ウェーハ1の表面側および裏面側の双方から、個体識別番号21を認識することが可能となる。このため、裏面研削ステップの後に実施されるステップ(たとえば分断ステップ)においても、ウェーハ1の表面側および裏面側の双方から、個体識別番号21を用いて、ウェーハ1の結晶方位を明確に認識することが可能となる。
なお、本実施形態では、ウェーハ1の表面に、ウェーハ1の結晶方位を判別するための情報(結晶方位情報;ノッチ位置検出用の情報)として、個体識別番号21が印字されている。しかしながら、ウェーハ1に印字される結晶方位情報は、個体識別番号21に限られない。個体識別番号21に代えてまたはこれに加えて、他の結晶方位情報を印字してもよい。この結晶方位情報は、ウェーハ1の結晶方位を判別するために用いることが可能なものであれば、どのような情報でもよい。
また、本実施形態では、ウェーハ1の表面2aから裏面2bにかけて、円弧状に面取りが形成され、外周縁7が形成されている。そして、この外周縁7が、リング状にエッジトリミングされる。しかし、トリミングされるべき外周縁7は、面取りによって形成されるものだけではない。たとえば、ウェーハ1の外周縁7に段差が形成されている場合にも、同様に、外周縁7をトリミングすることが好ましい。
1:ウェーハ、2a:表面、2b:裏面、3:分割予定ライン、4:デバイス、5:デバイス領域、6:外周余剰領域、7:外周縁、8:外周切削部、9:ノッチ、21:個体識別番号
101:保持テーブル、103:切削ブレード
10:表面保護テープ、
15:研削装置、101a:保持テーブル、150:スピンドル、151:マウント、152:研削ホイール、153:研削砥石

Claims (1)

  1. 格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物の加工方法であって、
    該被加工物の表面から、チップの仕上がり厚さ以上の深さを有し、該被加工物の結晶方位の判別に供する個体識別番号を印字する個体識別番号印字ステップと、
    該被加工物の裏面を保持テーブルで保持して該被加工物の表面を露出させる保持ステップと、
    該保持ステップを実施した後、切削ブレードを該被加工物の外周縁に切り込ませ、該保持テーブルを回転させることにより、該被加工物の外周縁を除去する外周縁除去ステップと、
    該外周縁除去ステップを実施した後、該被加工物の表面の該デバイスが形成された領域を表面保護部材で覆う表面保護ステップと、
    該表面保護ステップを実施した後、該被加工物の裏面を研削砥石で研削して被加工物をチップの仕上がり厚さに形成するとともに、該被加工物の該個体識別番号が被加工物を貫通する裏面研削ステップと、を備え、
    チップの仕上がり厚さ以上の深さを有する該個体識別番号を印字することで、裏面研削ステップにて該個体識別番号が被加工物を貫通し、該固体識別番号によって被加工物の結晶方位を認識可能とすることを特徴とする被加工物の加工方法。
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