JP2008066653A - ウェーハ処理方法およびウェーハ処理装置 - Google Patents

ウェーハ処理方法およびウェーハ処理装置 Download PDF

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Abstract

【課題】フィルムを用いずに、短時間でダイアタッチペーストをウェーハに塗布する。
【解決手段】ウェーハ処置装置（１０）が、表面（２１）に回路パターン（Ｃ）が形成されているウェーハ（２０）の裏面（２２）を研削する研削手段（８０）と、研削手段により研削されたウェーハの裏面全体にダイアタッチペーストを塗布するダイアタッチペースト塗布手段（３０）とを含む。ダイアタッチペースト塗布手段は、ウェーハの裏面に供給されたダイアタッチペーストをスピンコートするスピンコート手段（３０Ａ）であるか、またはダイアタッチペーストをウェーハの裏面にスクリーン印刷するスクリーン印刷手段（３０Ｂ）である。
【選択図】図１

Description

本発明は、ウェーハの裏面にダイアタッチペーストを塗布するウェーハ処理方法およびそのような方法を実施するウェーハ処理装置に関する。
半導体製造工程においては、所定の回路パターンが表面に形成されたウェーハは賽の目状にダイシングされてチップ化される。これにより得られたＩＣチップのそれぞれは、金属製リードフレーム、テープ基板または有機硬質基板などにダイボンディングされて、半導体装置に組込まれる。
特許文献１においては、このようなＩＣチップをダイボンディングする際に、回路パターンが形成されていない面（裏面）にダイアタッチフィルムを貼付けている。ここで、ダイアタッチフィルムはフィルム状の接着剤である。次いで、ウェーハをダイシングにより分割した後で、ＩＣチップがピックアップされる。ＩＣチップは、裏面に貼付けられたダイアタッチフィルムを接着剤として金属製リードフレームなどにダイボンディングされる。
特開２００５−２９４５３５号公報
ところで半導体製造工程においては、ウェーハが年々大型化すると共に、実装密度向上の観点からウェーハが薄葉化する傾向があり、現在においてもウェーハはその裏面を研削することにより薄葉化されている。そして、チップの厚さをさらに低減するためには、ダイシングにより形成されたＩＣチップとリードフレーム等との間に配置されるダイアタッチフィルムを薄くすることも望まれている。
しかしながら、ダイアタッチフィルムを薄くするには技術的に限界がある。さらに、ダイアタッチフィルムを薄くするほど、ダイアタッチフィルムのハンドリングは困難になる。従って、ダイアタッチフィルムを薄くすることによって、半導体製造工程が却って煩雑になる可能性もある。
一方、ダイアタッチフィルムの代わりに、接着性ペースト剤からなるダイアタッチペーストを塗布することも行われている。ところが、ダイアタッチペーストはボードにスクリーン印刷などで供給され、その上にＩＣチップを搭載接着されるので、ダイアタッチペーストをボード毎にスクリーン印刷などで供給する必要があり半導体製造工程が煩雑である。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ダイアタッチフィルムを用いることなしに、比較的短時間でダイアタッチペーストを塗布することのできるウェーハ処理方法およびそのような方法を実施するウェーハ処理装置を提供することを目的とする。
前述した目的を達成するために１番目の発明によれば、表面に回路パターンが形成されているウェーハの裏面を研削する研削工程と、前記ウェーハの研削された裏面全体にダイアタッチペーストを塗布するダイアタッチペースト塗布工程とを含むウェーハ処理方法が提供される。
すなわち１番目の発明においては、ウェーハの研削された裏面全体にダイアタッチペーストを一度に塗布するようにしている。従って、ダイアタッチフィルムを用いることなしに、比較的短時間でダイアタッチペーストを塗布できる。
２番目の発明によれば、１番目の発明において、さらに、前記塗布された前記ダイアタッチペースト上にダイシングテープを貼付ける貼付工程と、前記回路パターンに沿って前記ウェーハをダイシングするダイシング工程とを含む。
すなわち２番目の発明においては、ウェーハを個々のチップに分割して、リードフレームなどに実装可能な状態にできる。
３番目の発明によれば、１番目または２番目の発明において、前記ダイアタッチペースト塗布工程においては、前記ウェーハの裏面に供給されたダイアタッチペーストをスピンコートするようにした。
すなわち３番目の発明においては、要求されるダイアタッチペーストの厚さがかなり小さい場合であっても、ダイアタッチペーストを要求される厚さで塗布できる。
４番目の発明によれば、１番目または２番目の発明において、前記ダイアタッチペースト塗布工程においては、前記ダイアタッチペーストを前記ウェーハの裏面にスクリーン印刷するようにした。
すなわち４番目の発明においては、比較的簡易かつ迅速にダイアタッチペーストをウェーハ裏面に塗布することができる。
５番目の発明によれば、４番目の発明において、前記スクリーン印刷工程においては、前記ウェーハのダイシング時に形成されるダイシング溝に対応した部分を除いて前記ダイアタッチペーストを塗布するようにした。
すなわち５番目の発明においては、ダイシングブレードを用いてウェーハをダイシングするときには、ダイシングブレードがダイアタッチペーストによって目詰まりして切断能力が低下するのを回避できる。また、ダイシングの前後においてダイアタッチペーストの層を切断する必要性がないので、レーザ・ダイシングを採用することもできる。
６番目の発明によれば、表面に回路パターンが形成されているウェーハの裏面を研削する研削手段と、前記研削手段により研削された前記ウェーハの裏面全体にダイアタッチペーストを塗布するダイアタッチペースト塗布手段とを具備するウェーハ処理装置が提供される。
すなわち６番目の発明においては、ウェーハの研削された裏面全体にダイアタッチペーストを一度に塗布するようにしている。従って、ダイアタッチフィルムを用いることなしに、比較的短時間でダイアタッチペーストを塗布できる。
７番目の発明によれば、６番目の発明において、さらに、前記ダイアタッチペースト塗布手段により塗布された前記ダイアタッチペースト上にダイシングテープを貼付けるダイシングテープ貼付手段と、前記回路パターンに沿って前記ウェーハをダイシングするダイシング手段を具備する。
すなわち７番目の発明においては、ウェーハを個々のチップに分割して、リードフレームなどに実装可能な状態にできる。
８番目の発明によれば、６番目または７番目の発明において、前記ダイアタッチペースト塗布手段は、前記ウェーハの裏面に供給されたダイアタッチペーストをスピンコートするスピンコート手段を含む。
すなわち８番目の発明においては、要求されるダイアタッチペーストの厚さがかなり小さい場合であっても、ダイアタッチペーストを要求される厚さで塗布できる。
９番目の発明によれば、６番目または７番目の発明において、前記ダイアタッチペースト塗布手段は、前記ダイアタッチペーストを前記ウェーハの裏面にスクリーン印刷するスクリーン印刷手段を含む。
すなわち９番目の発明においては、比較的簡易かつ迅速にダイアタッチペーストをウェーハ裏面に塗布することができる。
１０番目の発明によれば、９番目の発明において、前記スクリーン印刷手段は、前記ウェーハのダイシング時に形成されるダイシング溝に対応した部分を除いて前記ダイアタッチペーストを塗布するようにした。
すなわち１０番目の発明においては、ダイシングブレードを用いてウェーハをダイシングするときには、ダイシングブレードがダイアタッチペーストによって目詰まりして切断能力が低下するのを回避できる。また、ダイシングの前後においてダイアタッチペーストの層を切断する必要性がないので、レーザ・ダイシングを採用することもできる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の図面において同一の部材には同一の参照符号が付けられている。理解を容易にするために、これら図面は縮尺を適宜変更している。
図１は本発明に基づくウェーハ処理装置の略平面図である。図１に示されるウェーハ処置装置１０は、ウェーハ２０の裏面２２を研削する裏面研削ユニット８０と、ウェーハ２０にダイアタッチペーストを塗布するダイアタッチペースト塗布ユニット３０と、ダイアタッチペーストに紫外線（ＵＶ）を照射するＵＶ照射ユニット４０と、ウェーハ２０にダイシングテープを貼付けるダイシングテープ貼付ユニット５０とを含んでいる。これら各ユニットは、図示しない制御装置によって制御されている。
裏面研削ユニット８０には複数のウェーハ２０を収納するウェーハカセット８１Ａ、８１Ｂが設けられている。ここで、図２（ａ）に示されるように、裏面研削ユニット８０に供給されるウェーハ２０の表面２１には複数の回路パターンＣが既に形成されており、これら回路パターンＣを保護する表面保護フィルム３が表面２１に貼付けられている。
再び図１を参照すると、ウェーハ２０はロボットアーム８２Ａ、８２Ｂによってウェーハカセット８１Ａ、８１Ｂから一つずつ取出される。そして、ウェーハ２０はその裏面２２を上方に向けた状態で回転ステージ８３の吸着部８４に保持される。
その後、図２（ｂ）に示されるように、裏面研削ユニット８０の研削部８５Ａ、８５Ｂが駆動してウェーハ２０の裏面２２が研削される。これにより、図２（ｃ）に示されるように、ウェーハ２０の厚さは当初の厚さＬ０から研削後厚さＬ０’まで低減する。
ウェーハ２０の研削が終了すると、ウェーハ２０はロボットアーム３９によって裏面研削ユニット８０からダイアタッチペースト塗布ユニット３０まで搬送される。ダイアタッチペースト塗布ユニット３０においては、研削後の裏面２２に接着性ペースト剤からなるダイアタッチペーストが塗布され、それにより、ダイアタッチペースト膜２４が形成される（図２（ｄ）を参照されたい。）。
図３は本発明の第一の実施形態におけるダイアタッチペースト塗布ユニットの略図である。図３に示されるダイアタッチペースト塗布ユニット３０はスピンコート式の塗布ユニット３０Ａである。なお、図３および後述する図４および図８においては、表面保護フィルム３および回路パターンＣを省略している。
図３に示される実施形態においては、ダイアタッチペースト塗布ユニット３０は、モータ３４により回転可能な保持用テーブル３３と、ダイアタッチペーストを供給するディスペンサ３２とを含んでいる。
裏面２２を上方に向けてウェーハ２０をテーブル３３上に保持すると、ディスペンサ３２から所定量のダイアタッチペーストがウェーハ２０の裏面２２上に供給される。次いで、モータ３４がテーブル３３をその中心軸回りに回転させると、遠心力によってダイアタッチペーストはハウジング３１の周面に向かって半径方向に飛散する。これにより、ウェーハ２０の裏面２２には、ダイアタッチペースト膜２４が形成される。その後、ダイアタッチペースト膜２４はベーキング処理される。
このように、スピンコート式塗布ユニット３０Ａを採用した場合には、ダイアタッチペーストをウェーハ２０の裏面２２全体に一度に塗布することができる。従って、ダイシング後の個々のチップに塗布する場合と比較すると、短時間でダイアタッチペーストを塗布することが可能である。
また、公知であるように、ダイアタッチペースト膜２４の厚さは、ダイアタッチペーストの粘度が小さいほどおよびテーブル３３の回転速度が大きいほど、小さくなる。つまり、ダイアタッチペーストの粘度および／または回転速度の変更によって、ダイアタッチペースト膜２４の厚さを調節することができる。また、スピンコート式塗布ユニット３０Ａを採用した場合には、ダイアタッチペーストの要求厚さがかなり小さい場合であっても、その厚さのダイアタッチペースト膜２４を形成することができる。このため、スピンコート式のダイアタッチペースト塗布ユニット３０は、要求されるダイアタッチペーストの厚さがかなり小さい場合に特に有利である。
図４は本発明の第二の実施形態におけるダイアタッチペースト塗布ユニットの略図である。図４に示されるダイアタッチペースト塗布ユニット３０はスクリーン印刷式の塗布ユニット３０Ｂである。
図４に示されるように、枠体４１の内側には枠体４１の内壁に沿って移動可能なスキージ４２が配置されている。また、枠体４１の下面には、ウェーハ２０に対応した形状の孔４５が形成されたスクリーン４４が張られている。
図５（ａ）から図５（ｃ）は第二の実施形態におけるダイアタッチペースト塗布ユニットを説明するための図である。はじめに、図５（ａ）に示されるように、裏面２２を上方に向けてウェーハ２０をテーブル４３上に保持すると共に、スキージ４２を枠体４１の一側に配置する。次いで、進行方向を向いたスキージ４２の側面手前に、所定量のダイアタッチペースト４９を供給する。
次いで、図５（ｂ）に示されるように、スクリーン４４上においてスキージ４２を枠体４１の他側に向かって移動させる。これにより、ダイアタッチペーストがスクリーン４４の孔４５から流出して、ウェーハ２０の裏面２２上に徐々に塗布されるようになる。スキージ４２が枠体４１の他側に到達すると、ウェーハ２０の裏面２２上にダイアタッチペースト膜２４が形成される。この場合においても、ダイシング後の個々のチップに塗布する場合と比較すると、短時間でダイアタッチペーストを塗布できるのが分かるであろう。
ところで、第二の実施形態においては、第一スクリーン４４ａおよび第二スクリーン４４ｂを用いて、二回のスクリーン印刷処理を行うようにするのが好ましい。図６（ａ）および図６（ｂ）はそれぞれ第一および第二スクリーンを示す図である。なお、これら図中に含まれる矢印はスキージ４２の進行方向を示している。
これら図面から分かるように、第一スクリーン４４ａには、細長状の複数の孔４５ａが互いにほぼ平行に等間隔で形成されており、これら孔４５ａは、全体でウェーハ２０の外径に対応するように形成されている。また、第二スクリーン４４ｂには、第一スクリーン４４ａの孔４５ａに対して垂直な細長状の複数の孔４５ｂが孔４５ａと同様に形成されている。
図６（ａ）に示される複数の孔４５ａの間の隙間および図６（ｂ）に示される複数の孔４５ｂの間の隙間は、ウェーハ２０の表面２１に形成された回路パターンＣの間の隙間に概ね対応している。従って、複数の孔４５ａの間の隙間および孔４５ｂの間の隙間は、後述するダイシング工程において形成される複数のダイシング溝のそれぞれに概ね対応するようになる。
これらスクリーン４４ａ、４４ｂを使用する場合には、近赤外線カメラ（図示しない）とウェーハ２０の表面２１に予め形成された位置合わせパターンとを用いて、テーブル４３を回転させ、それにより、回路パターンＣの間の隙間と第一スクリーン４４ａの隙間とが一致するようにする。この状態において、第一スクリーン４４ａによるスクリーン印刷処理を行う。
次いで、テーブル４３を約９０度回転させ、回路パターンＣの間の隙間と第二スクリーン４４ｂの隙間とが一致するようにし、次いで、その後、第二スクリーン４４ｂによるスクリーン印刷処理を行う。これにより、図６（ｃ）に示されるように、ダイアタッチペーストがウェーハ２０の裏面２２に格子状の部分を除いて塗布されるようになる。この格子状の部分は、ダイシング工程において形成されるダイシング溝に相当する。
再び図１を参照すると、ダイアタッチペースト膜２４が形成されたウェーハ２０はＵＶ照射ユニット４０に搬送される。ＵＶ照射ユニット４０においては、所定量のＵＶがダイアタッチペースト膜２４に照射される。これにより、ダイアタッチペースト膜２４は所望の接着力を呈するようになる。
次いで、ウェーハ２０はダイシングテープ貼付ユニット５０に搬送され、公知の手法によりダイシングテープ２９をウェーハ２０のダイアタッチペースト膜２４上に貼付ける。次いで、ウェーハ２０の表面２１に貼付けられた表面保護フィルム３が公知の手法で剥離され、その後、ウェーハ２０はダイシングユニット６０に搬送されて、ダイシングされる。
図７はダイシング時におけるウェーハ２０の側面図である。ダイシングユニット６０においては、ダイシングブレード６１によってウェーハ２０がダイシングテープ２９の途中まで切断される。
第二の実施形態においては、ダイシングブレード６１はダイアタッチペースト膜２４が形成されていない格子状の部分（図６（ｃ）を参照されたい）に沿って移動することによりウェーハ２０を切断する。従って、ダイシングブレード６１によって形成されるダイシング溝６５は前述した格子状の部分に概ね対応する。このような構成であるので、ダイシングブレード６１は実際にはダイアタッチペースト膜２４をほとんど切断しない。従って、第二の実施形態においては、ダイシングブレード６１がダイアタッチペースト膜２４によって目詰まりすることはなく、従って、ダイシングブレード６１の切断能力が低下することも回避できる。
ところで、図７においてはダイシングブレード６１によってダイシング溝６５を形成しているが、他の方法によってダイシング溝６５を形成するようにしてもよい。また、レーザ・ダイシング装置によってダイシング溝６５を形成することも可能である。
図８は、レーザ・ダイシングを説明するための側断面図である。図８においては、多光子吸収が生じる条件で、図示しないレーザ源からレーザＶが集光レンズ７５を介してウェーハ２０の表面２１側に照射される。このとき、集光点７４はウェーハ２０内部の表面２１にいくぶん近い側に合わせられている。これにより、集光点７４周りには改質領域が形成される。次いで、レーザＶおよび集光レンズ７５を矢印Ｘ３に沿って移動させると、帯状の改質領域７６がウェーハ２０内部に形成されるようになる。
レーザ・ダイシングにおいては、ウェーハ２０にレーザＶを透過させウェーハ２０の内部に多光子吸収を発生させて改質領域を形成している。従って、ウェーハ２０の表面２１においてはウェーハ２０にレーザＶはほとんど吸収されず、その結果、ウェーハ２０の表面２１が溶融することはなく、また、ウェーハの表面に切断予定線から外れた割れ等が生じることもない。
改質領域７６は表面２１にいくぶん近い側に形成されているので、改質領域７６が表面２１に向かって厚さ方向に自然に割れると、レーザＶの幅に応じたダイシング溝６５が形成されるようになる。前述したようにダイアタッチペーストを格子状の部分を除いて塗布する場合には、ダイシングの前後においてダイアタッチペーストの層を切断する必要性は無く、従って、レーザ・ダイシングシステムをダイシングユニット６０に採用することができる。
図７または図８に示されるダイシング作用によってウェーハ２０は賽の目状に切断されて個々のチップに分割される。次いで、ダイシングテープ２９が公知の手法でエキスパンドされる。その後、チップのそれぞれはダイシングテープ２９からピックアップされる。そして、チップの下面にあるダイアタッチペースト膜２４が接着剤としての役目を果たすので、チップをリードフレームなどにダイボンディングできる。
このように、本発明においては、ウェーハ２０の裏面研削ユニット８０とダイシングユニット６０との間にダイアタッチペースト塗布ユニット３０を配置している。そして、ダイアタッチペースト塗布ユニット３０においては、ウェーハ２０の研削された裏面２２全体にダイアタッチペーストを一度に塗布するようにしている。このため、ダイシング後の個々のチップにダイアタッチペーストを一つずつ塗布する場合と比較して、短時間でダイアタッチペーストの塗布が可能である。
なお、ダイアタッチペースト塗布ユニット３０においては、スピンコートまたはスクリーン印刷以外の手法、例えば所謂インクジェット方式によってダイアタッチペーストをウェーハ２０の裏面２２に塗布するようにしてもよい。このような場合であっても、本発明の範囲に含まれるのがが分かるであろう。
本発明に基づくウェーハ処理装置の略平面図である。 （ａ）ウェーハ処理装置に供給されるウェーハの側面図である。（ｂ）研削状態を示すウェーハの側面図である。（ｃ）研削後におけるウェーハの側面図である。（ｄ）ダイアタッチペースト膜が形成されているウェーハの側面図である。 本発明の第一の実施形態におけるダイアタッチペースト塗布ユニットの略図である。 本発明の第二の実施形態におけるダイアタッチペースト塗布ユニットの略図である。 （ａ）第二の実施形態におけるダイアタッチペースト塗布ユニットを説明するための第一の図である。（ｂ）第二の実施形態におけるダイアタッチペースト塗布ユニットを説明するための第二の図である。（ｃ）第二の実施形態におけるダイアタッチペースト塗布ユニットを説明するための第三の図である。 （ａ）第二の実施形態において使用される第一のスクリーンを示す図である。（ｂ）第二の実施形態において使用される第二のスクリーンを示す図である。（ｃ）図６（ａ）および図６（ｂ）に示したスクリーンによってスクリーン印刷されたウェーハを示す図である。 ダイシング時におけるウェーハの側面図である。 レーザ・ダイシングを説明するための側断面図である。
符号の説明
３ 表面保護フィルム
１０ ウェーハ処置装置
２０ ウェーハ
２１ 表面
２２ 裏面
２４ ダイアタッチペースト膜
２９ ダイシングテープ
３０ ダイアタッチペースト塗布ユニット
３０Ａ スピンコート式塗布ユニット
３０Ｂ スクリーン印刷式塗布ユニット
３１ ハウジング
３２ ディスペンサ
３３ テーブル
３４ モータ
３９ ロボットアーム
４０ ＵＶ照射ユニット
４１ 枠体
４２ スキージ
４３ テーブル
４４、４４ａ、４４ｂ スクリーン
４５、４５ａ、４５ｂ 孔
５０ ダイシングテープ貼付ユニット
６０ ダイシングユニット
６１ ダイシングブレード
６５ ダイシング溝
７４ 集光点
７５ 集光レンズ
７６ 改質領域
８０ 裏面研削ユニット
８１Ａ、８１Ｂ ウェーハカセット
８２Ａ、８２Ｂ ロボットアーム
８３ 回転ステージ
８４ 吸着部
８５Ａ、８５Ｂ 研削部

Claims (10)

  1. 表面に回路パターンが形成されているウェーハの裏面を研削する研削工程と、
    前記ウェーハの研削された裏面全体にダイアタッチペーストを塗布するダイアタッチペースト塗布工程とを含むウェーハ処理方法。
  2. さらに、前記塗布された前記ダイアタッチペースト上にダイシングテープを貼付ける貼付工程と、
    前記回路パターンに沿って前記ウェーハをダイシングするダイシング工程とを含む、請求項１に記載のウェーハ処理方法。
  3. 前記ダイアタッチペースト塗布工程においては、前記ウェーハの裏面に供給されたダイアタッチペーストをスピンコートするようにした請求項１または２に記載のウェーハ処理方法。
  4. 前記ダイアタッチペースト塗布工程においては、前記ダイアタッチペーストを前記ウェーハの裏面にスクリーン印刷するようにした請求項１または２に記載のウェーハ処理方法。
  5. 前記スクリーン印刷工程においては、前記ウェーハのダイシング時に形成されるダイシング溝に対応した部分を除いて前記ダイアタッチペーストを塗布するようにした請求項４に記載のウェーハ処理方法。
  6. 表面に回路パターンが形成されているウェーハの裏面を研削する研削手段と、
    前記研削手段により研削された前記ウェーハの裏面全体にダイアタッチペーストを塗布するダイアタッチペースト塗布手段とを具備するウェーハ処理装置。
  7. さらに、前記ダイアタッチペースト塗布手段により塗布された前記ダイアタッチペースト上にダイシングテープを貼付けるダイシングテープ貼付手段と、
    前記回路パターンに沿って前記ウェーハをダイシングするダイシング手段を具備する請求項６に記載のウェーハ処理装置。
  8. 前記ダイアタッチペースト塗布手段は、前記ウェーハの裏面に供給されたダイアタッチペーストをスピンコートするスピンコート手段を含む請求項６または７に記載のウェーハ処理装置。
  9. 前記ダイアタッチペースト塗布手段は、前記ダイアタッチペーストを前記ウェーハの裏面にスクリーン印刷するスクリーン印刷手段を含む請求項６または７に記載のウェーハ処理装置。
  10. 前記スクリーン印刷手段は、前記ウェーハのダイシング時に形成されるダイシング溝に対応した部分を除いて前記ダイアタッチペーストを塗布するようにした請求項９に記載のウェーハ処理装置。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008288571A (ja) * 2007-04-18 2008-11-27 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤付きウエハ及びその製造方法、並びに、接着剤組成物
JP2010022990A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜形成装置およびレーザー加工機
JP2010205811A (ja) * 2009-03-02 2010-09-16 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの処理方法およびウエーハの処理装置
JP2010219178A (ja) * 2009-03-16 2010-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 接着剤層の形成方法及びウエーハの取り扱い方法
JP2011037026A (ja) * 2009-08-06 2011-02-24 Bonmaaku:Kk メタルマスク及び半導体装置の製造方法
JP2011040603A (ja) * 2009-08-12 2011-02-24 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法および研削装置
JP2012033842A (ja) * 2010-08-03 2012-02-16 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスチップの製造方法
JP2012043825A (ja) * 2010-08-12 2012-03-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
KR102182856B1 (ko) * 2020-03-11 2020-11-25 넥스타테크놀로지 주식회사 부품 실장 장치

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014511560A (ja) * 2011-02-01 2014-05-15 ヘンケル コーポレイション プレカットされウェハに塗布されるダイシングテープ上のアンダーフィル膜
EP2671249A4 (en) 2011-02-01 2015-10-07 Henkel IP & Holding GmbH FILLING FILM APPLIED TO A PRE-CUTTING WAFER
EP2737522A4 (en) * 2011-07-29 2015-03-18 Henkel IP & Holding GmbH DIE CUTTING BEFORE MILLING AFTER COATING
US11424177B2 (en) 2020-05-07 2022-08-23 Wolfspeed, Inc. Integrated circuit having die attach materials with channels and process of implementing the same
US11830810B2 (en) * 2020-05-07 2023-11-28 Wolfspeed, Inc. Packaged transistor having die attach materials with channels and process of implementing the same
CN115410962B (zh) * 2022-11-01 2023-03-24 四川九华光子通信技术有限公司 一种晶板蓝膜贴装装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5776799A (en) * 1996-11-08 1998-07-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Lead-on-chip type semiconductor chip package using an adhesive deposited on chip active surfaces at a wafer level and method for manufacturing same
US6676757B2 (en) * 1999-12-17 2004-01-13 Tokyo Electron Limited Coating film forming apparatus and coating unit
JP2002100588A (ja) * 2000-09-22 2002-04-05 Shinkawa Ltd 半導体装置の製造方法
JP4471563B2 (ja) * 2002-10-25 2010-06-02 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US6916688B1 (en) * 2002-12-05 2005-07-12 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for a wafer level chip scale package heat sink
KR100517075B1 (ko) * 2003-08-11 2005-09-26 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 방법
US20050208700A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Chippac, Inc. Die to substrate attach using printed adhesive

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008288571A (ja) * 2007-04-18 2008-11-27 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤付きウエハ及びその製造方法、並びに、接着剤組成物
JP2010022990A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Disco Abrasive Syst Ltd 保護膜形成装置およびレーザー加工機
JP2010205811A (ja) * 2009-03-02 2010-09-16 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの処理方法およびウエーハの処理装置
KR101547369B1 (ko) * 2009-03-02 2015-08-25 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼 처리 방법 및 웨이퍼 처리 장치
JP2010219178A (ja) * 2009-03-16 2010-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 接着剤層の形成方法及びウエーハの取り扱い方法
JP2011037026A (ja) * 2009-08-06 2011-02-24 Bonmaaku:Kk メタルマスク及び半導体装置の製造方法
JP2011040603A (ja) * 2009-08-12 2011-02-24 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法および研削装置
JP2012033842A (ja) * 2010-08-03 2012-02-16 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスチップの製造方法
JP2012043825A (ja) * 2010-08-12 2012-03-01 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
KR102182856B1 (ko) * 2020-03-11 2020-11-25 넥스타테크놀로지 주식회사 부품 실장 장치

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