KR101547369B1 - 웨이퍼 처리 방법 및 웨이퍼 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼의 이면에 두께가 균일한 다이 본딩용의 접착제 피막을 경제적으로 형성할 수 있는 웨이퍼 처리 방법 및 웨이퍼 처리 장치를 제공한다.
표면에 복수의 디바이스가 형성된 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착제 피막을 형성하는 웨이퍼 처리 방법으로서, 회전 가능한 유지 테이블에 이면을 상측으로 하여 유지된 웨이퍼의 이면에 점도가 5000 cps∼10000 cps인 다이 본딩용의 액상 접착제를 스크린 인쇄에 의해 도포함으로써 웨이퍼의 이면에 접착제 피막을 피복하는 접착제 도포 공정과, 접착제 도포 공정을 실시한 후, 유지 테이블을 700 rpm∼1000 rpm의 회전 속도로 회전시키고, 웨이퍼의 이면에 피복된 접착제 피막에 원심력을 작용시켜 접착제 피막을 평준화함으로써, 웨이퍼의 이면에 두께가 균일한 접착제 피막을 형성하는 접착제 평준화 공정을 포함한다.

Description

웨이퍼 처리 방법 및 웨이퍼 처리 장치{WAFER PROCESSING METHOD AND WAFER PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 표면에 복수의 디바이스가 형성된 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착제 피막을 형성하는 웨이퍼 처리 방법 및 그 처리 방법을 실시하기 위한 웨이퍼 처리 장치에 관한 것이다.
예컨대, 반도체 디바이스 제조 공정에서는, 대략 원판 형상인 반도체 웨이퍼의 표면에 격자형으로 형성된 스트리트(분할 예정 라인)에 의해 구획된 복수의 영역에 IC, LSI 등의 디바이스를 형성하고, 상기 디바이스가 형성된 각 영역을 스트리트를 따라 분할함으로써 각각의 디바이스를 제조하고 있다. 반도체 웨이퍼를 분할하는 분할 장치로서는 일반적으로 다이싱 장치라고 불리는 절삭 장치가 이용되고 있고, 이 절삭 장치는 두께가 수십 ㎛인 절삭 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼를 스트리트를 따라 절삭한다. 이와 같이 하여 분할된 디바이스는 패키징되어 휴대 전화나 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기에 널리 이용되고 있다.
각각 분할된 디바이스는, 그 이면에 에폭시 수지 등으로 형성된 두께 70 ㎛∼80 ㎛의 다이아 터치 필름이라고 하는 다이 본딩용의 접착 필름이 장착되며, 이 접착 필름을 통해 디바이스를 지지하는 다이 본딩 프레임에 가열에 의해 본딩된다. 디바이스의 이면에 다이 본딩용의 접착 필름을 장착하는 방법으로서는, 반도체 웨이퍼의 이면에 접착 필름을 부착하고, 이 접착 필름을 통해 반도체 웨이퍼를 다이싱 테이프에 부착한 후, 반도체 웨이퍼의 표면에 형성된 스트리트를 따라 절삭 블레이드에 의해 반도체 웨이퍼와 함께 접착 필름을 절단함으로써, 이면에 접착 필름이 장착된 디바이스를 형성하고 있다.
최근, 휴대 전화나 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기는 보다 경량화, 소형화가 요구되고 있어, 보다 얇은 디바이스가 요구되고 있고, 디바이스를 다이 본딩 프레임에 접합하는 다이 본딩용의 접착 필름도 얇게 하는 것이 요구되고 있다. 그런데, 다이 본딩용의 접착 필름을 얇게 형성하는 데에는 기술적으로 한계가 있다.
전술한 요구에 대응하기 위해, 이면이 연삭되어 미리 정해진 두께로 형성된 웨이퍼의 이면에, 다이 본딩용의 접착제를 스핀 코트 또는 스크린 인쇄에 의해 도포하는 웨이퍼 처리 방법이 제안되어 있다.(예컨대, 특허문헌 1 참조)
일본 특허 공개 평성 제8-66653호 공보
그리고 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착제를 스핀 코트에 의해 도포하는 방법은, 스피너 테이블(spinner table)에 유지된 웨이퍼의 중심 영역에 다이 본딩용의 액상 접착제를 적하하고, 스피너 테이블을 3000 rpm∼4000 rpm의 회전 속도로 회전시킴으로써, 접착제를 원심력에 의해 웨이퍼의 전면에 유동시켜 피복하는 방법이기 때문에, 적하된 접착제의 90％ 이상이 비산하여 폐기되어 비경제적이라고 하는 문제가 있다.
한편, 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 액상 접착제를 스크린 인쇄에 의해 도포하는 방법에 따르면, 접착제의 비산은 없지만, 웨이퍼의 이면에 도포된 접착제는 중심부가 부풀어 올라 두께가 불균일하게 된다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술적 과제는, 웨이퍼의 이면에 두께가 균일한 다이 본딩용의 접착제 피막을 경제적으로 형성할 수 있는 웨이퍼 처리 방법 및 웨이퍼 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 주된 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따르면, 표면에 복수의 디바이스가 형성된 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착제 피막을 형성하는 웨이퍼 처리 방법으로서,
회전 가능한 유지 테이블에 이면을 상측으로 하여 유지된 웨이퍼의 이면에 점도가 5000 cps∼10000 cps인 다이 본딩용의 액상 접착제를 스크린 인쇄에 의해 도포함으로써 웨이퍼의 이면에 접착제 피막을 피복하는 접착제 도포 공정과,
상기 접착제 도포 공정을 실시한 후, 유지 테이블을 700 rpm∼1000 rpm의 회전 속도로 회전시키고, 웨이퍼의 이면에 피복된 접착제 피막에 원심력을 작용시켜 접착제 피막을 평준화함으로써, 웨이퍼의 이면에 두께가 균일한 접착제 피막을 형성하는 접착제 평준화 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법이 제공된다.
상기 접착제 평준화 공정에서는, 유지 테이블을 10초∼20초간 회전시킨다.
상기 접착제 평준화 공정을 실시한 후에, 웨이퍼의 이면에 피복된 접착제 피막을 경화시키는 접착제 피막 경화 공정을 실시한다.
또한, 본 발명에 따르면, 표면에 복수의 디바이스가 형성된 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착제 피막을 형성하는 웨이퍼 처리 장치로서,
웨이퍼를 유지하는 유지면을 가지며 회전 가능하게 구성된 유지 테이블과, 상기 유지 테이블을 회전시키는 회전 구동 수단과, 상기 유지 테이블의 유지면에 유지된 웨이퍼의 상면에 다이 본딩용의 액상 접착제를 스크린 인쇄에 의해 도포함으로써 웨이퍼의 이면에 접착제 피막을 피복하는 스크린 인쇄 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치가 제공된다.
상기 웨이퍼 처리 장치는, 유지 테이블에 유지된 웨이퍼의 상면과 스크린 인쇄 수단의 스크린의 하면 사이의 간극을 미리 정해진 값으로 조정하기 위한 간극 조정 수단을 구비하고 있다.
또한, 상기 웨이퍼 처리 장치는, 스크린 인쇄 수단이 위치하는 접착제 도포 영역과 미리 정해진 간격을 두고 마련된 접착제 피막 경화 영역에 배치되는 유지 테이블의 유지면에 유지된 웨이퍼의 상면에 피복된 접착제 피막을 경화시키는 접착제 피막 경화 수단과, 유지 테이블을 접착제 도포 영역과 접착제 경화 영역에 선택적으로 위치 결정하는 유지 테이블 위치 결정 수단을 구비하고 있다.
본 발명에서는, 유지 테이블에 유지된 웨이퍼의 이면에 점도가 5000 cps∼10000 cps인 다이 본딩용의 액상 접착제를 스크린 인쇄에 의해 도포함으로써 웨이퍼의 이면에 접착제 피막을 피복한 후, 유지 테이블을 700 rpm∼1000 rpm의 회전 속도로 회전시키고, 웨이퍼의 이면에 피복된 접착제 피막에 원심력을 작용시켜 접착제 피막을 평준화함으로써, 웨이퍼의 이면에 두께가 균일한 접착제 피막을 형성하고 있기 때문에, 접착제의 비산이 없어, 웨이퍼의 이면에 두께가 균일한 다이 본딩용의 접착제 피막을 경제적으로 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따라 구성된 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착제 피막을 형성하기 위한 웨이퍼 처리 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 웨이퍼 처리 장치의 주요부를 도시하는 사시도이다.
도 3은 웨이퍼로서의 반도체 웨이퍼를 도시한다.
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 방법에서의 웨이퍼 유지 공정 및 접착제 도포 간극 형성 공정의 설명도이다.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 방법에서의 접착제 도포 공정의 설명도이다.
도 6은 도 5에 도시하는 접착제 도포 공정이 실시되어 유지 테이블에 유지된 반도체 웨이퍼의 이면에 피복된 접착제 피막의 상태를 도시하는 설명도이다.
도 7은 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 방법에서의 접착제 평준화 공정의 설명도이다.
도 8은 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 방법에서의 접착제 경화 공정의 설명도이다.
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 방법 및 웨이퍼 처리 장치의 적합한 실시형태에 대해서, 첨부 도면을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.
도 1에는, 본 발명에 따라 구성된 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착제 피막을 형성하기 위한 웨이퍼 처리 장치의 사시도가 도시되어 있다. 도시한 실시형태에서의 웨이퍼 처리 장치는, 정지 베이스 테이블(2)과, 후술하는 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블을 구비한 유지 테이블 기구(3)와, 상기 유지 테이블 기구(3)를 접착제 도포 영역(3A)과 접착제 경화 영역(3B)에 선택적으로 위치 결정하는 유지 테이블 위치 결정 수단(4)과, 접착제 도포 영역(3A)에 배치된 스크린 인쇄 수단(5)과, 접착제 경화 영역(3B)에 배치된 접착제 경화 수단(6)을 구비하고 있다.
유지 테이블 기구(3)에 대해서, 도 2를 참조하여 설명한다.
도시한 실시형태에서의 유지 테이블 기구(3)는, 후술하는 유지 테이블 위치 결정 수단(4)을 구성하는 1쌍의 안내 레일(41, 41)을 따라 이동 가능하게 배치된 이동 베이스 테이블(31)을 구비하고 있다. 이 이동 베이스 테이블(31)은, 그 하면에 상기 1쌍의 안내 레일(41, 41)과 결합하는 1쌍의 피안내홈(311, 311)이 마련되어 있고, 피안내홈(311, 311)이 1쌍의 안내 레일(41, 41)에 결합함으로써, 1쌍의 안내 레일(41, 41)을 따라 이동 가능하게 구성된다. 이동 베이스 테이블(31)의 상면에는, 유지 테이블 지지대(32)가 지지 수단(33)에 의해 상하 방향으로 이동 가능하게 지지되어 있다. 지지 수단(33)은 도시한 실시형태에서는 4개의 에어 실린더(331)로 이루어져 있고, 유지 테이블 지지대(32)의 4코너를 이동 베이스 테이블(31) 상에 상하 방향으로 이동 가능하게 지지한다.
상기 유지 테이블 지지대(32) 상에는, 웨이퍼를 유지하는 유지 테이블(34) 및 상기 유지 테이블(34)을 회전시키는 회전 구동 수단으로서의 서보 모터(35)가 배치되어 있다. 유지 테이블(34)은 테이블 본체(341)와, 상기 테이블 본체(341)의 상면에 배치된 다공질 재료로 형성된 흡착 척(342)을 구비하고 있고, 흡착 척(342)이 도시하지 않는 흡인 수단에 연통되어 있다. 이와 같이 구성된 유지 테이블(34)은, 흡착 척(342)의 상면인 유지면 상에 웨이퍼를 배치하고, 도시하지 않는 흡인 수단을 작동시킴으로써, 흡착 척(342) 상에 웨이퍼를 흡인 유지한다. 서보 모터(35)는 유지 테이블 지지대(32) 상에 배치되고, 그 구동축(351)이 유지 테이블(34)의 테이블 본체(341)에 전동(傳動) 연결되어 있다.
도시한 실시형태에서의 유지 테이블 기구(3)는, 상기 유지 테이블(34)에 유지된 웨이퍼의 상면과 후술하는 스크린 인쇄 수단(5)의 스크린의 하면 사이의 간극을 미리 정해진 값으로 조정하기 위한 간극 조정 수단(36)을 구비하고 있다. 간극 조정 수단(36)은, 간극 조정판(361)과, 상기 간극 조정판(361)을 상하 방향으로 이동시키는 이동 수단(362)으로 이루어져 있다. 간극 조정판(361)은 직사각 형상으로 형성되어 있고, 중앙부에 상기 유지 테이블(34)의 직경보다 약간 큰 직경을 갖는 개구(361a)가 마련되어 있다. 이동 수단(362)은 4개의 작동 기구(362a)로 이루어져 있고, 간극 조정판(361)의 4코너를 유지 테이블 지지대(32) 상에 상하 방향으로 이동 가능하게 지지한다. 또한, 이동 수단(362)으로서의 4개의 작동 기구(362a)는, 펄스 모터와 상기 펄스 모터에 의해 회전하는 볼스크류로 이루어지는 스크류 기구에 의해 구성되어 있다.
상기 유지 테이블 위치 결정 수단(4)은 정지 베이스 테이블(2) 상에 평행하게 배치된 1쌍의 안내 레일(41, 41)과, 상기 안내 레일(41, 41) 사이에 평행하게 배치된 수나사 로드(42)와, 상기 수나사 로드(42)를 회전 구동시키기 위한 펄스 모터(43) 등의 구동원을 포함하고 있다. 수나사 로드(42)는 그 일단이 상기 정지 베이스 테이블(2)에 고정된 베어링 블록(44)에 회전 가능하게 지지되어 있고, 그 타단이 상기 펄스 모터(43)의 출력축에 전동 연결되어 있다. 또한, 수나사 로드(42)는 상기 이동 베이스 테이블(31)의 중앙부 하면에 돌출하여 마련된 암나사 블록(312)에 형성된 관통 암나사 구멍(312a)에 나사 결합되어 있다. 따라서, 펄스 모터(43)에 의해 수나사 로드(42)를 정회전 및 역회전 구동시킴으로써, 이동 베이스 테이블(31)을 안내 레일(41, 41)을 따라 이동시켜, 유지 테이블 기구(3)의 유지 테이블(34)을 접착제 도포 영역(3A)과 접착제 경화 영역(3B)에 선택적으로 위치 결정할 수 있다.
다음에, 상기 스크린 인쇄 수단(5)에 대해서, 도 1을 참조하여 설명한다.
도시한 실시형태에서의 스크린 인쇄 수단(5)은 접착제 도포 영역(3A)에 위치 결정된 유지 테이블(34)의 상방에 배치된 프레임체(51)를 구비하고 있다. 이 프레임체(51)는 그 4코너가 4개의 지지 기둥(510)에 의해 정지 베이스 테이블(2) 상에 지지되어 있다. 프레임체(51)의 하면에는 후술하는 웨이퍼의 크기에 대응한 스크린(521)을 구비한 스크린 인쇄 필름(52)이 장착되어 있다. 스크린 인쇄 수단(5)은 상기 스크린 인쇄 필름(52)의 상면을 따라 이동하는 스퀴지(squeegee)(53)를 구비하고 있다. 이 스퀴지(53)는 스퀴지 지지 부재(54)를 통해 상하 방향 이동 수단(55)에 지지된다. 상하 방향 이동 수단(55)은 프레임체(51)의 길이 방향에 평행하게 배치된 안내 레일(56)에 이동 가능하게 지지되어 있고, 도시하지 않는 이동 수단에 의해 안내 레일(56)을 따라 이동하도록 되어 있다.
다음에, 상기 접착제 경화 영역(3B)에 배치된 접착제 경화 수단(6)에 대해서 설명한다.
접착제 경화 수단(6)은 상기 스크린 인쇄 수단(5)에 의해 웨이퍼의 이면에 도포되는 접착제의 특성에 따라 선택되지만, 도시한 실시형태에서는 자외선 조사기(61)가 이용된다.
도시한 실시형태에서의 웨이퍼 처리 장치는 이상과 같이 구성되어 있고, 이하 그 작용에 대해서 설명한다.
도 3에는, 웨이퍼로서의 반도체 웨이퍼의 사시도가 도시되어 있다. 도 3에 도시하는 반도체 웨이퍼(10)는 실리콘 웨이퍼로 이루어져 있고, 표면(10a)에는 복수의 스트리트(101)가 격자형으로 형성되어 있다. 그리고, 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)에는, 격자형으로 형성된 복수의 스트리트(101)에 의해 구획된 복수의 영역에 IC, LSI 등의 디바이스(102)가 형성되어 있다. 또한, 도 3에 도시하는 반도체 웨이퍼(10)는 이면(10b)이 연삭되어 미리 정해진 두께(예컨대 60 ㎛)로 형성되어 있다.
이하, 상기 웨이퍼 처리 장치를 이용하여 전술한 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 다이 본딩용의 접착제 피막을 형성하는 순서에 대해서 설명한다.
우선, 유지 테이블 기구(3)를 접착제 도포 영역(3A)과 접착제 경화 영역(3B) 사이에 위치하는 웨이퍼 배치 영역(3C)에 위치 결정한다. 그리고, 도 4에 도시하는 바와 같이 상기 웨이퍼 처리 장치의 유지 테이블(34) 상에 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10a)측을 배치한다. 그리고, 도시하지 않는 흡인 수단을 작동시킴으로써, 유지 테이블(34) 상에 반도체 웨이퍼(10)를 흡인 유지한다(웨이퍼 유지 공정). 따라서, 유지 테이블(34) 상에 유지된 반도체 웨이퍼(10)는 이면(10b)이 상면으로 된다. 다음에, 간극 조정 수단(36)의 이동 수단(362)을 작동시켜 간극 조정판(361)의 상면과 유지 테이블(34)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면) 사이에 미리 정해진 간극(s)을 형성한다(접착제 도포 간극 형성 공정). 이 간극(s)은 유지 테이블(34)에 유지된 웨이퍼의 이면(10b)(상면)과 상기 스크린 인쇄 수단(5)의 스크린(521)의 하면 사이의 간극으로 되고, 예컨대 10 ㎛ 로 설정되어 있다.
전술한 웨이퍼 유지 공정 및 접착제 도포 간극 형성 공정을 실시하였으면, 유지 테이블 기구(3)를 접착제 도포 영역(3A)으로 이동시키고, 상기 유지 테이블 기구(3)의 지지 수단(33)을 구성하는 4개의 에어 실린더(331)를 작동시켜 유지 테이블 지지대(32)를 상승시키고, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이 간극 조정판(361)의 상면을 스크린 인쇄 수단(5)의 스크린 인쇄 필름(52)의 하면에 접촉시킨다. 이 상태에서, 유지 테이블(34)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)은 스크린 인쇄 필름(52)에 형성된 스크린(521)의 하면과 예컨대 10 ㎛의 간극을 두고 대향한다. 다음에, 도 5의 (a)에 도시하는 바와 같이 스크린 인쇄 필름(52) 상에 자외선을 조사함으로써 경화되는 액상 수지로 이루어지는 다이 본딩용의 접착제(20)를 공급한다. 또한, 액상 접착제(20)의 점도는 5000 cps∼10000 cps로 설정되어 있다. 이와 같이 스크린 인쇄 필름(52) 상에 다이 본딩용의 액상 접착제(20)를 공급하였으면, 스퀴지(53)의 하단을 스크린 인쇄 필름(52)의 상면에 접촉시키고, 스퀴지(53)를 도 5의 (a)에서 화살표 53a로 나타내는 방향으로 이동시키며, 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이 스퀴지(53)가 스크린(521)을 넘었으면, 그 이동을 정지한다. 이 결과, 액상 접착제(20)가 스크린(521)을 통과하여 유지 테이블(34)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)에 도포되고, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)에는 도 5의 (b)에 도시하는 바와 같이 접착제 피막(200)이 피복된다(접착제 도포 공정). 이와 같이 하여, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)에 피복된 접착제 피막(200)은 도 6에 도시하는 바와 같이 중앙부가 부풀어 오른 상태로 된다.
다음에, 전술한 바와 같이 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)에 중앙부가 부풀어 오른 상태로 피복된 접착제 피막(200)에 원심력을 작용시켜 접착제 피막(200)을 평준화함으로써, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)에 두께가 균일한 접착제 피막을 형성하는 접착제 평준화 공정을 실시한다. 즉, 전술한 접착제 도포 공정을 실시한 상태로부터 유지 테이블 기구(3)의 지지 수단(33)을 구성하는 4개의 에어 실린더(331)를 작동시켜 유지 테이블 지지대(32)를 하강시키며, 간극 조정 수단(36)의 이동 수단(362)을 작동시켜 간극 조정판(361)의 상면을 유지 테이블(34)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)보다 하방에 위치 결정한다. 그리고, 유지 테이블(34)을 회전시키는 서보 모터(35)를 작동시켜, 도 7에 도시하는 바와 같이 유지 테이블(34)을 화살표 34a로 나타내는 방향으로 700 rpm∼1000 rpm의 회전 속도로 10초∼20초간 회전시킨다. 이 결과, 유지 테이블(34)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)에 중앙부가 부풀어 오른 상태로 피복된 접착제 피막(200)에 원심력을 작용시켜, 접착제 피막(200)은 평준화되며 두께가 균일해진다.
전술한 접착제 평준화 공정을 실시하였으면, 상기 유지 테이블 위치 결정 수단(4)을 작동시켜 유지 테이블(34)을 도 1에 도시하는 접착제 경화 영역(3B)으로 이동시키고, 도 8에 도시하는 바와 같이 접착제 경화 수단(6)으로서의 자외선 조사기(61)의 바로 아래에 위치시킨다. 그리고, 자외선 조사기(61)로부터 유지 테이블(34)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)에 피복되어 있는 접착제 피막(200)에 자외선을 조사한다. 이 결과, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)(상면)에 피복되어 있는 접착제 피막(200)은 경화된다(접착제 경화 공정).
이상과 같이 도시한 실시형태에서는, 유지 테이블(34)에 유지된 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 점도가 5000 cps∼10000 cps인 다이 본딩용의 액상 접착제(20)를 스크린 인쇄에 의해 도포함으로써 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 접착제 피막(200)을 피복한 후, 유지 테이블(34)을 700 rpm∼1000 rpm의 회전 속도로 회전시키고, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 피복된 접착제 피막(200)에 원심력을 작용시켜 접착제 피막(200)을 평준화함으로써, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 두께가 균일한 접착제 피막(200)을 형성하기 때문에, 접착제의 비산이 없어, 반도체 웨이퍼(10)의 이면(10b)에 두께가 균일한 다이 본딩용의 접착제 피막(200)을 경제적으로 형성할 수 있다.
2: 정지 베이스 테이블
3: 유지 테이블 기구
31: 이동 베이스 테이블
32: 유지 테이블 지지대
33: 지지 수단
34: 유지 테이블
35: 서보 모터
36: 간극 조정 수단
361: 간극 조정판
362: 이동 수단
4: 유지 테이블 위치 결정 수단
5: 스크린 인쇄 수단
51: 프레임체
52: 스크린 인쇄 필름
521: 스크린
53: 스퀴지
6: 접착제 경화 수단
10: 반도체 웨이퍼
20: 접착제

Claims (6)

  1. 표면에 복수의 디바이스가 형성된 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착제 피막을 형성하는 웨이퍼 처리 방법으로서,
    회전 가능한 유지 테이블에 이면을 상측으로 하여 유지된 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 액상 접착제를 스크린 인쇄에 의해 도포함으로써 웨이퍼의 이면에 접착제 피막을 피복하는 접착제 도포 공정과,
    상기 접착제 도포 공정을 실시한 후, 유지 테이블을 회전시키고, 웨이퍼의 이면에 피복된 접착제 피막에 원심력을 작용시켜 접착제 피막을 평준화함으로써, 웨이퍼의 이면에 두께가 균일한 접착제 피막을 형성하는 접착제 평준화 공정과,
    접착제 평준화 공정을 실시한 후, 유지 테이블을 접착제 도포 영역과 피막 경화 영역에 선택적으로 위치 결정하는 유지 테이블 위치 결정 공정과,
    웨이퍼의 이면에 피복된 접착제 피막을 경화시키는 접착제 피막 경화 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 표면에 복수의 디바이스가 형성된 웨이퍼의 이면에 다이 본딩용의 접착제 피막을 형성하는 웨이퍼 처리 장치로서,
    웨이퍼를 유지하는 유지면을 가지며 회전 가능하게 구성된 유지 테이블과, 상기 유지 테이블을 회전시키는 회전 구동 수단과, 상기 유지 테이블의 유지면에 유지된 웨이퍼의 상면에 다이 본딩용의 액상 접착제를 스크린 인쇄에 의해 도포함으로써 웨이퍼의 이면에 접착제 피막을 피복하는 스크린 인쇄 수단을 구비하고 있고,
    상기 스크린 인쇄 수단이 위치하는 접착제 도포 영역과 미리 정해진 간격을 두고 마련된 접착제 피막 경화 영역에 배치되는 상기 유지 테이블의 유지면에 유지된 웨이퍼의 상면에 피복된 접착제 피막을 경화시키는 접착제 피막 경화 수단과, 상기 유지 테이블을 접착제 도포 영역과 접착제 피막 경화 영역에 선택적으로 위치 결정하는 유지 테이블 위치 결정 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 유지 테이블에 유지된 웨이퍼의 상면과 상기 스크린 인쇄 수단의 스크린의 하면 사이의 간극을 미리 정해진 값으로 조정하기 위한 간극 조정 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
  6. 삭제
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101659867B1 (ko) * 2014-09-30 2016-09-26 김기중 옹벽용 보강토블럭의 인조석재층 도포장치
CN104404727B (zh) * 2014-11-24 2016-08-24 苏州瑞日纺织科技有限公司 一种面料图案滴印装置
JP7171138B2 (ja) 2018-12-06 2022-11-15 株式会社ディスコ デバイスチップの製造方法
CN115921243B (zh) * 2022-12-30 2024-03-12 烟台明德亨电子科技有限公司 一种整板生产晶振的施胶方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008066653A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ処理方法およびウェーハ処理装置
JP2008253937A (ja) * 2007-04-06 2008-10-23 Disco Abrasive Syst Ltd 液状樹脂の塗布方法および塗布装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2577680B2 (ja) * 1992-01-31 1997-02-05 オリジン電気株式会社 スピンコーティング方法およびその装置
JPH0837142A (ja) * 1994-07-25 1996-02-06 Hitachi Chem Co Ltd 半導体基板へのポリイミド前駆体組成物の塗布法
JPH08213308A (ja) * 1994-11-29 1996-08-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布方法
JP2003017385A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Fujikura Ltd 基板への塗膜形成方法
JP5019363B2 (ja) * 2007-02-22 2012-09-05 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂接着剤組成物

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008066653A (ja) * 2006-09-11 2008-03-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ処理方法およびウェーハ処理装置
JP2008253937A (ja) * 2007-04-06 2008-10-23 Disco Abrasive Syst Ltd 液状樹脂の塗布方法および塗布装置

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