JP2017168763A - ダイシング装置及びダイシング方法 - Google Patents

Abstract

【課題】テープの拡張不均一因子に影響されることなく、テープに対するワークの全ての貼着領域において均一なチップ間隔を得ることができ、かつテープの局所的な破断を防止することができるダイシング装置及びダイシング方法を提供する。【解決手段】ダイシングテープ５０のうち半導体ウェーハＷが貼着された貼着領域７２において、ブレード１２によるダイシングテープ５０の切り込み溝の深さが、貼着領域７２の外縁部よりも中央部が深くなるようにブレード１２の切り込み量を制御する。【選択図】図６

Description

本発明は、ダイシング装置及びダイシング方法に係り、特に半導体ウェーハ等のワークを割断ラインに沿って切り込むことによりチップ毎に分断するダイシング装置及びダイシング方法に関する。

半導体製造工程において、表面に電子部品が形成された半導体ウェーハ等のワークは、プロービング工程にて電気的試験が行われた後、ダイシング工程にて個々のチップに分断される。次に、ピックアップ工程にて個々のチップがピックアップされる（例えば、特許文献１参照）。ピックアップされたチップは、次のダイボンディング工程にてリードフレーム上にダイボンディングされ、その後のモールディング工程等を経ることにより、所望の半導体デバイスに製造される。

ところで、プロービング工程後のワークは、片面に粘着層が形成された厚さ１００μｍ程度のダイシングテープ（テープ）の中央部に裏面が貼着され、ダイシングテープを介してリング状のフレームにマウントされる（例えば、特許文献２参照）。ワークはこの状態でダイシング工程からピックアップ工程を経る。

ダイシング工程では、ブレードによってワークをチップ毎に切断するダイシング装置が用いられる（例えば、特許文献３参照）。ブレードは、例えば、微細なダイヤモンド砥粒をＮｉで電着したものであり、厚さ１０μｍ〜３０μｍ程度の極薄のものが用いられる。このブレードを６０００〜８００００ｒｐｍで高速回転させてワークの割断ラインに切り込みを入れることにより、ワークをチップ毎に完全切断（フルカット）する。このときワークの裏面に貼着されたダイシングテープは、表面から１０μｍ〜２０μｍ程度しか切り込まれていないので、ワークは個々のチップに分断されてはいるものの、個々のチップがバラバラにはならず、チップ同士の配列が崩れていない状態が保たれている。ブレードによるダイシングテープの切り込み溝の深さ（１０μｍ〜２０μｍ）は、ワークが載置されるテーブルの載置面を基準としたブレードハイトを調整することによって設定される。この切り込み溝の深さは、ダイシングテープの素材、厚さ等によって適宜設定される。

その後、ワークはピックアップ工程に送られる。ピックアップ工程においてワークは、まず、エキスパンドステージに載置され、次にフックがフレームを押し下げて、ダイシングテープを面内方向に拡張（エキスパンド）し、隣接するチップがピックアップ作業の邪魔をしないように隣接するチップ同士の間隔を広げる。

次に、観察用カメラでチップの位置を確認しながらチップを下方からプッシャで突き上げるとともに、上方からコレットでチップをピックアップし、次のボンディングステージへ移送する。

なお、ダイシングテープは、素材となる基材フィルムと、基材フィルムの片面に備えられた粘着層とによって一般に構成される。基材フィルムとして、ポリ塩化ビニル樹脂フィルム、ポリエステルフィルム、ポリオレフィンフィルム及びポリイミドフィルム等が用いられていることは公知である。

特開２００４−１４６７２７号公報 特開２０１３−６２４１４号公報 特開２０００−３２３４３９号公報

従来の半導体製造工程では、エキスパンド工程において、エキスパンド装置の構造や使用されるダイシングテープにもよるが、特にチップサイズが小さい場合、ダイシングテープのロール方向及びエキスパンド装置の性能等の影響を受けて、チップ間隔が均等とならずピックアップ作業に不具合が生じるという問題があった。チップ間隔が均等にならない原因は、ダイシングテープを拡張したときに、ダイシングテープが全面において面内方向に均等に拡張しないことにある。

ここでダイシングテープが均等に拡張しない因子（以下、「拡張不均一因子」と言う。）としては、主にチップサイズ、加工前のワークの形状、ダイシングテープの素材、厚さ、及びダイシングテープの伸び量比率にあると考えられる。特にチップサイズが小さいワークの場合には、ダイシングテープを拡張しても、ワークが貼着されるダイシングテープの貼着領域の一部ではチップ間隔が均等とならず狭くなる。そこで、ピックアップに必要な最小限のチップ間隔を確保するために、ダイシングテープの拡張量を増加させると、もともとチップ間隔が確保されていた一部の貼着領域では、ダイシングテープの降伏点を越えて、ダイシングテープが局所的に破断するという問題が生じた。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、テープの拡張不均一因子に影響されることなく、テープに対するワークの全ての貼着領域において均一なチップ間隔を得ることができ、かつテープの局所的な破断を防止することができるダイシング装置及びダイシング方法を提供することを目的とする。

本発明のダイシング装置は、本発明の目的を達成するために、回転するブレードとテープに裏面が貼着されたワークとを相対的に移動させ、ワークの表面に形成された割断ラインを、ブレードによって切り込むことにより、ワークをチップ毎に分断するダイシング装置において、割断ラインに対するブレードの切り込み量を制御する制御部を備え、制御部は、テープのうちワークが貼着された貼着領域において、ブレードによるテープの切り込み溝の深さが、貼着領域の外縁部よりも中央部が深くなるようにブレードの切り込み量を制御する。

また、本発明のダイシング方法は、本発明の目的を達成するために、回転するブレードとテープに裏面が貼着されたワークとを相対的に移動させ、ワークの表面に形成された割断ラインを、ブレードによって切り込むことにより、ワークをチップ毎に分断するダイシング方法において、テープのうちワークが貼着された貼着領域において、ブレードによるテープの切り込み溝の深さが、貼着領域の外縁部よりも中央部が深くなるようにブレードの切り込み量を制御する。

本発明によれば、割断ライン（ダイシングカーフとも言う。）の下のテープの厚さが、貼着領域の外縁部よりも中央部が薄くなるので、貼着領域の外縁部よりも中央部のテープが拡張し易くなる。これにより、エキスパンド工程でテープを拡張すると、従来では拡張し難かった貼着領域の中央部が拡張していくため、テープは全面において面内方向に均等に拡張していく。また、拡張不足による過度の拡張が不要になるので、テープが局所的に破断することもない。このように、ブレードによって割断ラインを切り込むダイシング加工時において、ブレードによるテープの切り込み溝の深さを制御することで、テープの拡張不均一因子に影響されることなく、テープに対するワークの全ての貼着領域において均一なチップ間隔を得ることができ、かつテープの局所的な破断を防止することができる。

本発明の一態様は、制御部は、ワークが矩形の場合には、矩形の貼着領域の短辺に沿うテープの第１の切り込み溝の深さよりも、貼着領域の長辺に沿うテープの第２の切り込み溝の深さが深くなるように、かつ第１の切り込み溝の深さが、貼着領域の短辺側よりも貼着領域の長辺方向の中央部側が深くなるように、かつ第２の切り込み溝の深さが、貼着領域の長辺側よりも貼着領域の短辺方向の中央部側が深くなるようにブレードの切り込み量を制御することが好ましい。

本発明の一態様は、ワークが矩形の場合には、矩形の貼着領域の短辺に沿うテープの第１の切り込み溝の深さよりも、貼着領域の長辺に沿うテープの第２の切り込み溝の深さが深くなるように、かつ第１の切り込み溝の深さが、貼着領域の短辺側よりも貼着領域の長辺方向の中央部側が深くなるように、かつ第２の切り込み溝の深さが、貼着領域の長辺側よりも貼着領域の短辺方向の中央部側が深くなるようにブレードの切り込み量を制御することが好ましい。

本発明の一態様によれば、矩形のワークに関し、テープの拡張不均一因子に影響されることなく、テープに対するワークの全ての貼着領域において均一なチップ間隔を得ることができ、かつテープの局所的な破断を防止することができる。

本発明の一態様は、制御部は、ワークが円形の場合には、ブレードによるテープの切り込み溝の深さが、円形の貼着領域の外周部よりも中央部が深くなるようにブレードの切り込み量を制御することが好ましい。

本発明の一態様は、ワークが円形の場合には、ブレードによるテープの切り込み溝の深さが、円形の貼着領域の外周部よりも中央部が深くなるようにブレードの切り込み量を制御することが好ましい。

本発明の一態様によれば、円形のワークに関し、テープの拡張不均一因子に影響されることなく、テープに対するワークの全ての貼着領域において均一なチップ間隔を得ることができ、かつテープの局所的な破断を防止することができる。

本発明の一態様は、制御部は、貼着領域の外縁部から中央部に向かうに従って、ブレードによるテープの切り込み溝の深さが深くなるようにブレードの切り込み量を制御することが好ましい。

本発明の一態様は、貼着領域の外縁部から中央部に向かうに従って、ブレードによるテープの切り込み溝の深さが深くなるようにブレードの切り込み量を制御することが好ましい。

本発明の一態様によれば、貼着領域の外縁部から中央部に向かうに従って、ブレードによるテープの切り込み溝の深さが徐々に又は段階的に深くなる。

本発明の一態様は、制御部は、ブレードによってテープに切り込まれる直交する２本の切り込み溝の深さを、テープのマシンダイレクション方向及びトランスバースダイレクション方向の伸び量比率に基づいて変化させることが好ましい。

本発明の一態様は、ブレードによってテープに切り込まれる直交する２本の切り込み溝の深さを、テープのマシンダイレクション方向及びトランスバースダイレクション方向の伸び量比率に基づいて変化させることが好ましい。

本発明の一態様によれば、テープに対するワークの全ての貼着領域においてより均一なチップ間隔を実現することができる。

本発明のダイシング装置及びダイシング方法によれば、テープの拡張不均一因子に影響されることなく、テープに対するワークの全ての貼着領域において均一なチップ間隔を得ることができ、かつテープの局所的な破断を防止することができる。

実施形態のダイシング装置の全体斜視図 図１に示したダイシング装置の加工部の構造を示す斜視図 図２に示した加工部の構成を示したブロック図 ダイシング加工前の矩形の半導体ウェーハを示した斜視図 エキスパンドステージの側面図 第１実施形態のダイシング方法で形成された切り込み溝Ａ〜Ｆの深さの分布を示した説明図 図６のＧ−Ｇ線に沿う切り込み溝Ｒ１〜Ｒ６の深さを示したグラフ 図６のＨ−Ｈ線に沿う切り込み溝Ｒ１〜Ｒ６の深さを示したグラフ 切り込み溝の深さを切り込み溝Ｒ６から切り込み溝Ｒ１に向けて連続的に深くなるように制御したグラフ 矩形の半導体ウェーハの矩形の貼着領域に形成された切り込み溝の深さを示した模式図 円形の貼着領域に形成された切り込み溝の深さを示した模式図 ダイシングテープの伸び量比率の影響を考慮した場合のダイシングテープに対する切り込み溝の深さを設定する説明図 ダイシングテープの伸び量比率の影響を考慮した場合のダイシングテープに対する切り込み溝の深さを設定する説明図 ダイシングテープのＴＤ方向に沿った切り込み溝の深さを示すグラフ 円形の半導体ウェーハの外周部付近の拡大図

以下、添付図面に従って本発明に係るダイシング装置及びダイシング方法の好ましい実施形態について詳説する。

〔ダイシング装置１０の構成〕
図１は、実施形態のダイシング装置１０の全体斜視図である。

ダイシング装置１０は、一対のブレード１２、１２が対向して配置されたツインスピンドルダイサーと称されるダイシング装置である。このダイシング装置１０は、先端部にブレード１２が装着された高周波モータ内蔵型の一対のスピンドル１４と、ワークである半導体ウェーハＷが載置されて半導体ウェーハＷを吸着保持するテーブル１６と、を有する加工部１８を備える。また、ダイシング装置１０には、加工済みの半導体ウェーハＷをスピン洗浄する洗浄部２０、複数枚の半導体ウェーハＷを収納したカセットが載置されるロードポート２２、及び半導体ウェーハＷを搬送する搬送装置２４がそれぞれ所定の位置に配置されるとともに、ダイシング装置１０の各部材の動作を統括制御する制御部２６が内蔵されている。

<加工部１８>
図２は、加工部１８の構造を示す斜視図である。図３は、加工部１８の構成を示したブロック図である。

図２の如く加工部１８は、Ｘテーブル３４を備える。Ｘテーブル３４は、Ｘベース２８に設けられたＸガイド３０、３０によってガイドされ、モータ３２によって矢印Ｘ−Ｘで示すＸ方向に駆動される。また、Ｘテーブル３４の上面にはθ方向に回転する回転テーブル３６が固定され、この回転テーブル３６にテーブル１６が設けられている。よって、テーブル１６は、Ｘテーブル３４によってＸ方向に移動され、かつ回転テーブル３６によってθ方向に回転される。

また、加工部１８は、Ｘベース２８を跨ぐように門型に構成されたＹベース３８を備える。Ｙベース３８の壁面には、一対のＹテーブル４２、４２が設けられる。一対のＹテーブル４２、４２は、Ｙベース３８の壁面に固定されたＹガイド４０、４０によってガイドされ、図示しないモータとボールスクリュー或いはリニア（シャフト）モータからなる駆動装置４６（図３参照）によって矢印Ｙ−Ｙで示すＹ方向に駆動される。

Ｙテーブル４２、４２には、それぞれＺテーブル４４、４４が設けられる。Ｚテーブル４４、４４は、Ｙテーブル４２に設けられた不図示のＺガイドにガイドされ、図示しないモータとボールスクリューとからなる駆動装置４８（図３参照）によって矢印Ｚ−Ｚで示すＺ方向に駆動される。Ｚテーブル４４、４４にはスピンドル１４、１４が対向した状態で固定され、スピンドル１４、１４の先端部に装着されたブレード１２、１２が対向配置される。

上記の加工部１８の構成により、ブレード１２、１２は駆動装置４６によってＹ方向にインデックス送りされるとともに、駆動装置４８によってＺ方向に切り込み送りされる。また、テーブル１６は、モータ３２によってＸ方向に切削送りされるとともに、回転テーブル３６によってθ方向に回転される。これらの動作は制御部２６によって制御される。

また、実施形態のダイシング方法を実行する当たり、制御部２６は、特にＺ方向の切り込み量を調整する駆動装置４８を制御する。この制御が実施形態のダイシング方法の主たる事項であり、具体的なダイシング方法については後述する。

なお、前述のＸ方向とは水平方向における一つの方向を指し、Ｙ方向とは水平方向においてＸ方向に直交する方向を指す。また、Ｚ方向とはＸ方向及びＹ方向にそれぞれ直交する鉛直方向を指し、θ方向とは鉛直軸を中心軸とする回転方向を指す。

〈半導体ウェーハＷ及びダイシングテープ５０〉
図４は、ダイシング加工前の矩形の半導体ウェーハＷを示した斜視図である。半導体ウェーハＷは、上面に粘着層が形成された厚さ１００μｍ程度のダイシングテープ（テープ）５０の中央部に裏面が貼着される。ダイシングテープ５０の外周部は、剛性の高いリング状のフレームに固定される。よって、半導体ウェーハＷは、ダイシングテープ５０を介してフレーム５２にマウントされている。

半導体ウェーハＷの表面には複数の割断ライン５４が碁盤目状に形成されている。全ての割断ライン５４は、加工部１８において、回転するブレード１２と半導体ウェーハＷとを相対的に移動させることにより、ブレード１２によって切り込まれる。これによって、半導体ウェーハＷがチップＴ毎に分断され、ダイシング工程が終了する。ダイシング工程が終了した半導体ウェーハＷは、フレーム５２にマウントされた状態で、ピックアップ工程に送られる。

〈ピックアップ工程〉
図５は、ピックアップ工程で使用されるエキスパンド装置のエキスパンドステージ５６を示した側面図である。

ピックアップ工程において半導体ウェーハＷは、まず、円筒状に構成されたエキスパンドステージ５６の上面に載置され、次にフック５８がフレーム５２を押し下げて、ダイシングテープ５０を面内方向に拡張し、隣接するチップＴがピックアップ作業の邪魔をしないように隣接するチップ同士の間隔を広げる。次に、観察用カメラ６０でチップＴの位置を確認しながらチップＴを下方からプッシャ６２で突き上げるとともに、上方からコレット６４でチップＴをピックアップし、次のボンディングステージへ移送する。

〈本発明の目的〉
本発明の発明者は、エキスパンド工程でダイシングテープ５０を拡張したときに、ダイシングテープ５０のうち半導体ウェーハが貼着された貼着領域において、貼着領域の外縁部から中央部に向かうに従ってチップ間隔が狭くなることを、換言すればダイシングテープ５０の拡張量が減少していくことを実験にて確認した。また、貼着領域の中央部のチップ間隔を、ピックアップに必要な最小限のチップ間隔に広げるために、ダイシングテープ５０の拡張量を増加させると、もともとチップ間隔が確保されていた貼着領域の外縁部に位置するダイシングテープ５０が局所的に破断することも実験にて確認した。

本発明の目的は、ピックアップ工程で拡張されるダイシングテープ５０の全体の拡張量を均等にすることで、ダイシングテープ５０に対する半導体ウェーハの全ての貼着領域において均等なチップ間隔を実現することにある。それを実現する実施形態のダイシング方法について説明する。

〔第１実施形態のダイシング方法〕
ダイシングテープ５０のうち半導体ウェーハＷが貼着された貼着領域において、ブレード１２によるダイシングテープ５０の切り込み溝の深さが、貼着領域の外縁部よりも中央部が深くなるようにブレード１２の切り込み量を制御する。つまり、図３の制御部２６が、テーブル１６のＸ方向の移動に同期させて、切り込み量を調整する駆動装置４８を制御し、ブレード１２によるダイシングテープ５０の切り込み溝の深さが、貼着領域の外縁部よりも中央部が深くなるようにブレード１２の切り込み量を制御する。

具体的に説明する。図６は、第１実施形態のダイシング方法で形成された切り込み溝の深さの分布を示した説明図であって、ダイシングテープ５０の矩形の貼着領域７２（図１０参照）に形成された切り込み溝Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６の深さの分布図である。ここで図６の切り込み溝Ｒ１〜Ｒ６の分布は、それぞれの境界線が曲線状となっているが、これらの境界線は、エキスパンド工程にてダイシングテープ５０が拡張された際に直線状となる。

また、図７は、図６のＧ−Ｇ線に沿う切り込み溝Ｒ１〜Ｒ６の深さＢを示したグラフである。図７のグラフの縦軸は切り込み溝Ｒ１〜Ｒ６の深さＢを示し、横軸は一方の短辺７２Ａ（図１０参照：外縁部）から他方の短辺７２Ａ（外縁部）までの長さを示している。

また、図８は、図６のＨ−Ｈ線に沿う切り込み溝Ｒ１〜Ｒ６の深さＢを示したグラフである。図８のグラフの縦軸は切り込み溝Ｒ１〜Ｒ６の深さＢを示し、横軸は一方の長辺７２Ｂ（図１０参照：外縁部）から他方の長辺７２Ｂ（外縁部）までの長さを示している。

第１実施形態のダイシング方法によれば、まず前提として、制御部２６（図３参照）で制御されるブレード１２の切り込み量が、図７、図８の如く、外縁部に位置する切り込み溝Ｒ６よりも中央部に位置する切り込み溝Ｒ１の方が深く、かつ、切り込み溝Ｒ６から切り込み溝Ｒ１に向けて段階的にその深さが深くなるように制御される。

このようにブレード１２の切り込み量を制御すれば、貼着領域７２の外縁部から中央部に向かうに従ってダイシングテープ５０が拡張し易くなるので、エキスパンド工程でダイシングテープ５０を拡張すると、ダイシングテープ５０は全面において面内方向に均等に拡張していく。これにより、ダイシングテープ５０の拡張不均一因子に影響されることなく、全ての貼着領域７２において均一なチップ間隔を得ることができ、かつ局所的なダイシングテープ５０の破断を防止することができる。なお、切り込み溝は、図９のグラフに示すように、切り込み溝Ｒ６から切り込み溝Ｒ１に向けて連続的に深くなるように制御してもよい。

図１０は、矩形の貼着領域７２に碁盤目状に形成された複数の切り込み溝７４、７６の深さを三次元的に示した模式図である。つまり、図１０は、図６に示した切り込み溝の深さの分布の一例を具体的に表現した貼着領域７２の模式図である。

また、図１０には、矩形の貼着領域７２の２辺の短辺７２Ａ側に沿うダイシングテープ５０の第１の切り込み溝７４の深さよりも、貼着領域７２の２辺の長辺７２Ｂ側に沿うダイシングテープ５０の第２の切り込み溝７６の深さが深くなるように、ブレード１２の切り込み量が制御部２６によって制御されていることが示されている。更に、図１０では、第１の切り込み溝７４の深さが、貼着領域７２の長辺７２Ｂ方向の中央部側に向かうに従って深くなるように、かつ第２の切り込み溝７６の深さが、貼着領域７２の短辺７２Ａ方向の中央部側に向かうに従って深くなるようにブレード１２の切り込み量が制御部２６によって制御されていることが示されている。

上記の如く制御部２６がブレード１２の切り込み量を制御することで、貼着領域７２の外縁部（２辺の短辺７２Ａ及び２辺の長辺７２Ｂ）から中央部７２Ｃに向かうに従って、割断ライン（ダイシングカーフとも言う。）の下のダイシングテープ５０の厚さが徐々に薄くなる。これによって、貼着領域７２の外縁部（２辺の短辺７２Ａ及び２辺の長辺７２Ｂ）から中央部７２Ｃに向かうに従ってダイシングテープ５０が拡張し易くなるので、エキスパンド工程でダイシングテープ５０を拡張すると、ダイシングテープ５０は全面において面内方向に均等に拡張していく。これにより、全ての貼着領域７２において均一なチップ間隔を得ることができ、かつ局所的なダイシングテープ５０の破断を防止することができる。

なお、半導体ウェーハＷのサイズ、チップＴのサイズ、及びダイシングテープ５０に対する半導体ウェーハＷの貼着位置等の情報は、図３に示す入力部７０から制御部２６に入力される。これらの情報によって制御部２６は、Ｘ−Ｙの平面座標における半導体ウェーハＷの貼着領域６６の位置、形状、及び大きさを認識し、駆動装置４８を制御する。

図１１は、円形の半導体ウェーハの円形の貼着領域６６に碁盤目状に形成された複数の切り込み溝６８の深さを三次元的に示した模式図である。つまり、図１１は、図６に示した切り込み溝の深さの分布の一例を円形の貼着領域６６に適用した模式図である。

また、図１１には、半導体ウェーハが円形の場合に、円形の貼着領域６６の外周部６６Ａから中央部６６Ｂに向かうに従って、ブレード１２によるダイシングテープ５０の切り込み溝６８の深さが深くなるようにブレード１２の切り込み量が制御部２６によって制御されていることが示されている。

これは、ダイシングテープ５０のうち拡張量の少ない部分である、円形の貼着領域６６の中央部６６Ｂ又は中央部６６Ｂ近傍に対してはブレード１２による切り込み溝６８の深さを深くし、ダイシングテープ５０の拡張量の多い部分である、円形の貼着領域６６の外周部６６Ａに対してはブレード１２による切り込み溝６８の深さを浅く制御するというものである。

このように制御部２６がブレード１２の切り込み量を制御することで、全ての貼着領域６６において均一なチップ間隔を得ることができ、かつダイシングテープ５０の局所的な破断を防止することができる。

特に、電子部品メーカでは多品種少量品種が主となるケースが多く、従来では条件変更時の適応性をエキスパンド装置に依存させていたため、エキスパンド装置の段取り、設備変更に手間がかかっていたが、ダイシング条件を変更（切り込み量の変更）するのみで対応が可能となる。

〔第２実施形態のダイシング方法〕
ダイシングテープ５０には、直交する２方向のマシンダイレクション（ＭＤ：Machine Direction）方向とトランスバースダイレクション（ＴＤ：Transverse Direction）方向とが存在する。ダイシングテープ５０は、マシンダイレクション方向の伸び量が、トランスバースダイレクション方向の伸び量と比較して小さい。このままでは、エキスパンド工程において、ダイシングテープ５０をより均等に拡張することが難しい。このため、マシンダイレクション方向の伸び量をトランスバースダイレクション方向の伸び量と等しくすべく、直交する２本の切り込み溝のうち、マシンダイレクション方向の切り込み溝よりも、トランスバースダイレクション方向の切り込み溝を深くすることが好ましい。以下、ＭＤ、ＴＤによるダイシングテープ５０の伸び量比率に基づいた制御方法について説明する。

〈ＭＤ、ＴＤによるダイシングテープ５０の伸び量比率に基づいた制御方法〉
図３の制御部２６は、ブレード１２によってダイシングテープ５０に切り込まれる直交する２本の切り込み溝の深さを、ダイシングテープ５０のＭＤ方向及びＴＤ方向の伸び量比率に基づいて変化させる。

図１２、図１３は、ＴＤ方向の溝深さＢ２を設定する説明図である。同図において、符号Ａはブレード１２の厚さ（カーフ幅）、符号Ｂはダイシングテープ５０にＭＤ方向の切り込み溝の深さ、符号Ｃはダイシングテープ５０の厚さをそれぞれ示している。また、下記（１）式の符号Ｅは、ダイシングテープ５０のＭＤ／ＴＤでの伸び量比率を示している。

ここでチップの形状が正方形の場合、ダイシングテープ５０の伸び量比率のみを考慮して、直交する２本の切り込み溝の深さＢ、Ｂ２を設定する。すなわち、ＭＤ方向に沿った切り込み溝の深さをＢとしたときの、ＴＤ方向に沿った切り込み溝の深さＢ２（図１４参照）を下記（１）式にて求める。つまり、ＴＤ方向の伸び量にＭＤ方向の伸び量を等しくするための切り込み溝の深さＢ２を求める。

Ｂ２＝Ｃ−Ｅ（Ｃ−Ｂ）…（１）
図１４に実線で示すＴＤ方向に沿った切り込み溝Ｒ１〜Ｒ６の深さＢ２は、図１４の二点鎖線で示すＭＤ方向に沿った切り込み溝Ｒ１〜Ｒ６の深さＢと比較して大きくなる。これによって、ＭＤ方向の伸び量がＴＤ方向の伸び量と等しくなる。

これにより、エキスパンド工程におけるダイシングテープ５０の拡張量が全面でより均等になる。このようにダイシングテープ５０の伸び量比率を考慮して、貼着領域の外縁部よりも中央が深くなるように切り込み溝の深さを変化させることが好ましい。

一方、図１３の如くチップＴの形状が長方形の場合、チップ短辺長（Ｓ）、チップ長辺長（Ｌ）の比（Ｎ＝Ｓ／Ｌ）を考慮すると、下記（２）式にて切り込み溝の深さＢ２を算出することができる。

Ｂ２＝（Ｃ−Ｅ（Ｃ−Ｂ））Ｎ…（２）
ここで、ＢはＭＤ方向に沿ったチップ短辺長（Ｓ）方向の切り込み溝の深さを示し、Ｂ２はＴＤ方向に沿ったチップ長辺長（Ｌ）方向の切り込み溝の深さを示している。この場合、Ｎの大きさによって、切り込み溝の深さＢ２が、切り込み溝の深さＢよりも浅くなる場合がある。

これにより、チップの形状が長方形の場合において、エキスパンド工程におけるダイシングテープ５０の拡張量が全面で均等になる。正方形のチップの場合と同様に、ダイシングテープ５０の伸び量比率を考慮して、貼着領域の外縁部よりも中央が深くなるように切り込み溝の深さを変化させることが好ましい。

なお、直交する２本の切り込み溝がＭＤ方向及びＴＤ方向に対してずれている場合には、ＭＤ方向及びＴＤ方向に対する相対的なずれ角度を求め、ずれ角度を数値化した係数を上記の（１）、（２）式に乗算してＢ２を算出することが好ましい。また、条件によって片辺の切り込み溝の深さが極端に浅くなる場合には、切り込み溝の深さＢ及び切り込み溝の深さＢ２の中点がダイシングテープ５０の厚さＣの中央程度となるように調整することが好ましい。

〈円形ワークの外周部における切り込み溝の深さの変形例〉
図１５は、円形の半導体ウェーハＷの外周部付近の拡大図である。外周付近の三角形のチップＴ１については、ダイシングテープ５０（図４参照）の拡張量が少ない場合にチップ間隔の確保が困難となる場合が発生する。この場合には、チップＴ１の貼着領域の切り込み溝６８の深さを局所的に深くすることで均一なチップ間隔を確保することができる。

Ｗ…半導体ウェーハ、Ｔ…矩形のチップ、Ｔ１…三角形状のチップ、１０…ダイシング装置、１２…ブレード、１４…スピンドル、１６…テーブル、１８…加工部、２０…洗浄部、２２…ロードポート、２４…搬送装置、２６…制御部、２８…Ｘベース、３０…Ｘガイド、３２…モータ、３４…Ｘテーブル、３６…回転テーブル、３８…Ｙベース、４０…Ｙガイド、４２…Ｙテーブル、４４…Ｚテーブル、４６…駆動装置、４８…駆動装置、５０…ダイシングテープ、５２…フレーム、５４…割断ライン、５６…エキスパンドステージ、５８…フック、６０…観察用カメラ、６２…プッシャ、６４…コレット、６６…円形の貼着領域、６６Ａ…外周部、６６Ｂ…中央部、６８…切り込み溝、７０…入力部、７２…矩形の貼着領域、７２Ａ…短辺、７２Ｂ…長辺、７４…第１の切り込み溝、７６…第２の切り込み溝

Claims (10)

1. 回転するブレードとテープに裏面が貼着されたワークとを相対的に移動させ、前記ワークの表面に形成された割断ラインを、前記ブレードによって切り込むことにより、前記ワークをチップ毎に分断するダイシング装置において、
   前記割断ラインに対する前記ブレードの切り込み量を制御する制御部を備え、
   前記制御部は、前記テープのうち前記ワークが貼着された貼着領域において、前記ブレードによる前記テープの切り込み溝の深さが、前記貼着領域の外縁部よりも中央部が深くなるように前記ブレードの切り込み量を制御する、ダイシング装置。
2. 前記制御部は、前記ワークが矩形の場合には、矩形の前記貼着領域の短辺に沿う前記テープの第１の切り込み溝の深さよりも、前記貼着領域の長辺に沿う前記テープの第２の切り込み溝の深さが深くなるように、かつ前記第１の切り込み溝の深さが、前記貼着領域の短辺側よりも前記貼着領域の長辺方向の中央部側が深くなるように、かつ前記第２の切り込み溝の深さが、前記貼着領域の長辺側よりも前記貼着領域の短辺方向の中央部側が深くなるように前記ブレードの切り込み量を制御する、請求項１に記載のダイシング装置。
3. 前記制御部は、前記ワークが円形の場合には、前記ブレードによる前記テープの切り込み溝の深さが、円形の前記貼着領域の外周部よりも中央部が深くなるように前記ブレードの切り込み量を制御する、請求項１に記載のダイシング装置。
4. 前記制御部は、前記貼着領域の外縁部から中央部に向かうに従って、前記ブレードによる前記テープの切り込み溝の深さが深くなるように前記ブレードの切り込み量を制御する、請求項１、２又は３に記載のダイシング装置。
5. 前記制御部は、前記ブレードによって前記テープに切り込まれる直交する２本の前記切り込み溝の深さを、前記テープのマシンダイレクション方向及びトランスバースダイレクション方向の伸び量比率に基づいて変化させる、請求項１から４のいずれか１項に記載のダイシング装置。
6. 回転するブレードとテープに裏面が貼着されたワークとを相対的に移動させ、前記ワークの表面に形成された割断ラインを、前記ブレードによって切り込むことにより、前記ワークをチップ毎に分断するダイシング方法において、
   前記テープのうち前記ワークが貼着された貼着領域において、前記ブレードによる前記テープの切り込み溝の深さが、前記貼着領域の外縁部よりも中央部が深くなるように前記ブレードの切り込み量を制御する、ダイシング方法。
7. 前記ワークが矩形の場合には、矩形の前記貼着領域の短辺に沿う前記テープの第１の切り込み溝の深さよりも、前記貼着領域の長辺に沿う前記テープの第２の切り込み溝の深さが深くなるように、かつ前記第１の切り込み溝の深さが、前記貼着領域の短辺側よりも前記貼着領域の長辺方向の中央部側が深くなるように、かつ前記第２の切り込み溝の深さが、前記貼着領域の長辺側よりも前記貼着領域の短辺方向の中央部側が深くなるように前記ブレードの切り込み量を制御する、請求項６に記載のダイシング方法。
8. 前記ワークが円形の場合には、前記ブレードによる前記テープの切り込み溝の深さが、円形の前記貼着領域の外周部よりも中央部が深くなるように前記ブレードの切り込み量を制御する、請求項６に記載のダイシング方法。
9. 前記貼着領域の外縁部から中央部に向かうに従って、前記ブレードによる前記テープの切り込み溝の深さが深くなるように前記ブレードの切り込み量を制御する、請求項６、７又は８に記載のダイシング方法。
10. 前記ブレードによって前記テープに切り込まれる直交する２本の前記切り込み溝の深さを、前記テープのマシンダイレクション方向及びトランスバースダイレクション方向の伸び量比率に基づいて変化させる、請求項６から９のいずれか１項に記載のダイシング方法。

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