JPH1167697A - 半導体ウェハのダイシング方法 - Google Patents
半導体ウェハのダイシング方法Info
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- JPH1167697A JPH1167697A JP22216397A JP22216397A JPH1167697A JP H1167697 A JPH1167697 A JP H1167697A JP 22216397 A JP22216397 A JP 22216397A JP 22216397 A JP22216397 A JP 22216397A JP H1167697 A JPH1167697 A JP H1167697A
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- chip
- dicing
- chips
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンプを有するウェハをダイシングしてチッ
プに分離する際に、チッピングの発生やバンプ剥がれを
防止する一方で、チップの隣接間隔を大きくしてハンド
リングを容易にし、かつ無効チップの除去可能とする。 【解決手段】 主面に素子及びバンプ２が形成されたウ
ェハ１の裏面に第１テープ３を貼り付け、かつこれをフ
ルカットダイシングして個々のチップ１Ａ，１Ｂに分離
した後、有効チップ１Ａのみを第１テープ３の裏面から
持ち上げるように第１テープ３を引き伸ばし、その上で
持ち上げられた有効チップ１Ａの主面に第２テープ９を
貼り付け、かつ第１テープ３をチップの裏面から引き剥
がす。第２テープ９をチップ主面に貼り付けた後に第１
テープ３を剥がすと、有効チップ１Ａのみが第２テープ
９へ移り、チッピングＸは第１テープ３に残存され、チ
ッピングを除去できる。また、この第１テープ３の引き
伸ばしによってチップ間の間隔が拡大され、角錐コレッ
ト等によるハンドリングを可能にし、信頼性の高いチッ
プボンディングが可能となる。
プに分離する際に、チッピングの発生やバンプ剥がれを
防止する一方で、チップの隣接間隔を大きくしてハンド
リングを容易にし、かつ無効チップの除去可能とする。 【解決手段】 主面に素子及びバンプ２が形成されたウ
ェハ１の裏面に第１テープ３を貼り付け、かつこれをフ
ルカットダイシングして個々のチップ１Ａ，１Ｂに分離
した後、有効チップ１Ａのみを第１テープ３の裏面から
持ち上げるように第１テープ３を引き伸ばし、その上で
持ち上げられた有効チップ１Ａの主面に第２テープ９を
貼り付け、かつ第１テープ３をチップの裏面から引き剥
がす。第２テープ９をチップ主面に貼り付けた後に第１
テープ３を剥がすと、有効チップ１Ａのみが第２テープ
９へ移り、チッピングＸは第１テープ３に残存され、チ
ッピングを除去できる。また、この第１テープ３の引き
伸ばしによってチップ間の間隔が拡大され、角錐コレッ
ト等によるハンドリングを可能にし、信頼性の高いチッ
プボンディングが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、特に主面にバンプが付いた半導体チップをフ
ェイスダウンにて実装する半導体装置における半導体ウ
ェハのダイシング方法に関する。
法に関し、特に主面にバンプが付いた半導体チップをフ
ェイスダウンにて実装する半導体装置における半導体ウ
ェハのダイシング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置は、半導体ウェハ（以
下、ウェハと称する）に多数の素子を形成し、これを個
々に分離して半導体のチップを形成し、このチップをリ
ードフレームやパッケージ上に搭載し、所要の電気接続
を行うとともに、樹脂やセラミック等により封止する構
成がとられている。このような半導体装置の製造に際し
ては、前記したウェハを個々のチップに分離するダイシ
ング工程が必要であり、従来では、ウェハの一方の面を
粘着テープに貼り付けておき、ウェハの他方の面からダ
イシングブレードで切断分離する手法がとられている
が、このウェハを貼り付ける面を素子が形成されている
主面側にするか、反対側の裏面側にするかの違いで、異
なる方法が提案されている。
下、ウェハと称する）に多数の素子を形成し、これを個
々に分離して半導体のチップを形成し、このチップをリ
ードフレームやパッケージ上に搭載し、所要の電気接続
を行うとともに、樹脂やセラミック等により封止する構
成がとられている。このような半導体装置の製造に際し
ては、前記したウェハを個々のチップに分離するダイシ
ング工程が必要であり、従来では、ウェハの一方の面を
粘着テープに貼り付けておき、ウェハの他方の面からダ
イシングブレードで切断分離する手法がとられている
が、このウェハを貼り付ける面を素子が形成されている
主面側にするか、反対側の裏面側にするかの違いで、異
なる方法が提案されている。
【０００３】例えば、特開平４−２９８０６３号公報に
よるウェハのダイシング方法では、図４（ａ）のよう
に、素子が形成されているウェハ１０１の主面を、フレ
ーム１０３が貼り付けられたＵＶテープ１０２に貼付け
し、ウェハ１０１の裏面からダイシングプレード１０３
でフルカットダイシングし、チップ１０１Ａに分離す
る。なお、この分離後は、ＵＶテープ１０２にＵＶ光を
照射し粘着力を弱めた後に、図４（ｂ）のように、チッ
プエジェクタ１０５によって実装するチップ１０１Ａを
ＵＶテープ１０２の下側から突き上げ、上方からビック
アップコレット１０６でチップ１０１Ａの裏面を吸着す
る。その後、図４（ｃ）のように、ピックアップコレッ
ト１０６によりチップ１０１Ａをリードフレーム１０７
上にまで搬送し、リードフレーム１０７上に押圧して超
音波ボンディング法等によりチップ１０１Ａの主面に形
成されている図外の電極をリードフレーム面に接続す
る。
よるウェハのダイシング方法では、図４（ａ）のよう
に、素子が形成されているウェハ１０１の主面を、フレ
ーム１０３が貼り付けられたＵＶテープ１０２に貼付け
し、ウェハ１０１の裏面からダイシングプレード１０３
でフルカットダイシングし、チップ１０１Ａに分離す
る。なお、この分離後は、ＵＶテープ１０２にＵＶ光を
照射し粘着力を弱めた後に、図４（ｂ）のように、チッ
プエジェクタ１０５によって実装するチップ１０１Ａを
ＵＶテープ１０２の下側から突き上げ、上方からビック
アップコレット１０６でチップ１０１Ａの裏面を吸着す
る。その後、図４（ｃ）のように、ピックアップコレッ
ト１０６によりチップ１０１Ａをリードフレーム１０７
上にまで搬送し、リードフレーム１０７上に押圧して超
音波ボンディング法等によりチップ１０１Ａの主面に形
成されている図外の電極をリードフレーム面に接続す
る。
【０００４】しかしながら、このダイシング方法では、
ダイシング時にチップ主面の配線に切削屑が付着するこ
とを防ぐことができないため、電極にバンプを有するチ
ップでは、バンプ剥がれやルーズコンタクトを防ぐこと
ができないという問題がある。すなわち、近年における
移動体通信機器などの民生用電子機器は小型軽量が追求
され、低価格にて市場に提供されている。したがってそ
の内部に実装される半導体装置は小型薄型化とともに経
済性も厳しく要求されている。このように小型薄型化の
半導体装置としてはバンプ（金属バンプ）を用いたフェ
ースダウン構造の半導体装置が好ましい。しかしなが
ら、この種のバンプは、高さ２０〜４０μｍ、直径約１
００μｍの球状、あるいはタブ状の金属が用いられるた
め、バンプが形成されているウェハの主面側に前記ＵＶ
テープを貼り付けてダイシングを行うと、バンプによっ
てできるＵＶテープとウェハ主面の間の空間にダイシン
グ時の純水が入り込み、同時に細かい切削粒子も入り込
む。また、ダイシング後の乾燥処理において、テープと
チップ主面の間の空間の洗浄と乾燥が充分できないこと
も理由である。さらに、バンプ側にＵＶテープを貼り付
けてダイシングあるいはチップ背面の角を切削するた
め、チップもしくはテープにダイシングの負荷を掛ける
ので、チップとバンプの界面に応力が働き、チッピング
が生じ易いことにもよる。
ダイシング時にチップ主面の配線に切削屑が付着するこ
とを防ぐことができないため、電極にバンプを有するチ
ップでは、バンプ剥がれやルーズコンタクトを防ぐこと
ができないという問題がある。すなわち、近年における
移動体通信機器などの民生用電子機器は小型軽量が追求
され、低価格にて市場に提供されている。したがってそ
の内部に実装される半導体装置は小型薄型化とともに経
済性も厳しく要求されている。このように小型薄型化の
半導体装置としてはバンプ（金属バンプ）を用いたフェ
ースダウン構造の半導体装置が好ましい。しかしなが
ら、この種のバンプは、高さ２０〜４０μｍ、直径約１
００μｍの球状、あるいはタブ状の金属が用いられるた
め、バンプが形成されているウェハの主面側に前記ＵＶ
テープを貼り付けてダイシングを行うと、バンプによっ
てできるＵＶテープとウェハ主面の間の空間にダイシン
グ時の純水が入り込み、同時に細かい切削粒子も入り込
む。また、ダイシング後の乾燥処理において、テープと
チップ主面の間の空間の洗浄と乾燥が充分できないこと
も理由である。さらに、バンプ側にＵＶテープを貼り付
けてダイシングあるいはチップ背面の角を切削するた
め、チップもしくはテープにダイシングの負荷を掛ける
ので、チップとバンプの界面に応力が働き、チッピング
が生じ易いことにもよる。
【０００５】これに対し、特開平４ー５８５４７号公報
によるウェハのダイシング方法では、図５（ａ）のよう
に、素子が形成されていないウェハ２０１の裏面を、第
１フレーム２０３を貼り付けた第１ＵＶテープ２０２に
貼付け、素子が形成されているウェハ２０１の主面側か
らダイシングプレード２０４でウェハ２０１を全厚さに
わたってフルカットダイシングし、個々のチップ２０１
Ａに分離する。その後、図５（ｂ）のように、ウェハ２
０１の主面に第２フレーム２０６を貼り付けた第２ＵＶ
テープ２０５を貼り付ける一方、ウェハ２０１の裏面か
らＵＶ光を放射し、第１ＵＶテープ２０２の粘着力を弱
めた上で図５（ｃ）のようにウェハ２０１の裏面の第１
ＵＶテープ２０２を剥がす。次に、図５（ｄ）のよう
に、第２ＵＶテープ２０５に保持されたウェハ２０１の
裏面を、刃の厚い第２のダイシングプレード２０７で削
り取っている。これにより最初のダイシング時に形成さ
れたチップ２０１Ａの裏面に生じるチッピングＸを除去
する。
によるウェハのダイシング方法では、図５（ａ）のよう
に、素子が形成されていないウェハ２０１の裏面を、第
１フレーム２０３を貼り付けた第１ＵＶテープ２０２に
貼付け、素子が形成されているウェハ２０１の主面側か
らダイシングプレード２０４でウェハ２０１を全厚さに
わたってフルカットダイシングし、個々のチップ２０１
Ａに分離する。その後、図５（ｂ）のように、ウェハ２
０１の主面に第２フレーム２０６を貼り付けた第２ＵＶ
テープ２０５を貼り付ける一方、ウェハ２０１の裏面か
らＵＶ光を放射し、第１ＵＶテープ２０２の粘着力を弱
めた上で図５（ｃ）のようにウェハ２０１の裏面の第１
ＵＶテープ２０２を剥がす。次に、図５（ｄ）のよう
に、第２ＵＶテープ２０５に保持されたウェハ２０１の
裏面を、刃の厚い第２のダイシングプレード２０７で削
り取っている。これにより最初のダイシング時に形成さ
れたチップ２０１Ａの裏面に生じるチッピングＸを除去
する。
【０００６】このダイシング方法では、主面にバンプが
形成されているウェハに適用した場合でも、ダイシング
時にはウェハの主面側が開放されているため、前記した
ようなチップ主面の配線に切削屑が付着することを防止
する上で有効であり、かつバンプ剥がれやルーズコンタ
クトを防ぐ上で有効である。しかしながら、チッピング
がウェハ側に残り易いため、チップを第２のダイシング
ブレードで削り取る工程が必要であり、この第２のダイ
シングブレードによる工程時間が長いために、製造効率
が極めて悪いものとなる。また、前記第１の従来技術と
同様であるが、ウェハの周辺部に存在する素子が形成さ
れていない無効チップがテープ上に残されることになる
ため、後工程においてチップをリードフレーム等に搭載
する際に、有効チップと無効チップを観察しながら区分
けしてチップのハンドリングを行う作業が必要となり、
実装作業が煩雑なものとなり易い。
形成されているウェハに適用した場合でも、ダイシング
時にはウェハの主面側が開放されているため、前記した
ようなチップ主面の配線に切削屑が付着することを防止
する上で有効であり、かつバンプ剥がれやルーズコンタ
クトを防ぐ上で有効である。しかしながら、チッピング
がウェハ側に残り易いため、チップを第２のダイシング
ブレードで削り取る工程が必要であり、この第２のダイ
シングブレードによる工程時間が長いために、製造効率
が極めて悪いものとなる。また、前記第１の従来技術と
同様であるが、ウェハの周辺部に存在する素子が形成さ
れていない無効チップがテープ上に残されることになる
ため、後工程においてチップをリードフレーム等に搭載
する際に、有効チップと無効チップを観察しながら区分
けしてチップのハンドリングを行う作業が必要となり、
実装作業が煩雑なものとなり易い。
【０００７】そこで、無効チップを除去する技術として
は、特開平３−１６７８３９号公報では、図６（ａ）の
ように、ウェハ３０１の両面に第１、第２のＵＶテープ
３０２，３０３を貼付け、一方の面、ここでは第２ＵＶ
テープ３０３側からＵＶテープごとウェハ３０１をダイ
シングブレード３０９によりフルカットダイシングし、
個々のチップ３０１Ａに分離する。これにより、ダイシ
ング時の切削屑の飛散を防いでいる。次に、図６（ｂ）
のように、第１、第２マスク３０４，３０５を介して第
１、第２紫外線鰐射ランプ３０６，３０７からの紫外線
を照射する。これにより、第１ＵＶテープ３０２のウェ
ハ３０１の周辺の無効チップ３０１Ｂ部分の粘着力を残
留させ、第２ＵＶテープ３０３の無効チップ３０１Ｂ部
分の粘着力を低下させる。次に、図６（ｃ）のように、
第２ＵＶテープ３０３の上から第３テープ３０８を貼り
付けた上で、この第３テープ３０８を剥がすと、無効チ
ップ３０１Ｂと切断された第２ＵＶテープ３０３が除去
され、有効チップ３０１Ａが第１ＵＶテープ３０２に貼
り付けられた状態となる。
は、特開平３−１６７８３９号公報では、図６（ａ）の
ように、ウェハ３０１の両面に第１、第２のＵＶテープ
３０２，３０３を貼付け、一方の面、ここでは第２ＵＶ
テープ３０３側からＵＶテープごとウェハ３０１をダイ
シングブレード３０９によりフルカットダイシングし、
個々のチップ３０１Ａに分離する。これにより、ダイシ
ング時の切削屑の飛散を防いでいる。次に、図６（ｂ）
のように、第１、第２マスク３０４，３０５を介して第
１、第２紫外線鰐射ランプ３０６，３０７からの紫外線
を照射する。これにより、第１ＵＶテープ３０２のウェ
ハ３０１の周辺の無効チップ３０１Ｂ部分の粘着力を残
留させ、第２ＵＶテープ３０３の無効チップ３０１Ｂ部
分の粘着力を低下させる。次に、図６（ｃ）のように、
第２ＵＶテープ３０３の上から第３テープ３０８を貼り
付けた上で、この第３テープ３０８を剥がすと、無効チ
ップ３０１Ｂと切断された第２ＵＶテープ３０３が除去
され、有効チップ３０１Ａが第１ＵＶテープ３０２に貼
り付けられた状態となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この第３の技術では、
前記第１の従来技術と同様に１回のダイシングで済み、
かつ無効チップを取り除くことができるが、第３のテー
プが必要であるために、コスト高になる。また、バンプ
が形成されたウェハの場合には、ウェハの裏面側をダイ
シングしたときには前記第１の従来技術と同様な問題が
生じる。また、ウェハの主面側をダイシングしたときに
はチッピング残りが生じ易く、チップをリードフレーム
等に搭載する際にチッピングが異物となって電気的な短
絡事故を生じる原因となる。さらに、前記各従来技術
は、いずれもダイシングした状態でチップが配列されて
いるため、隣接するチップ間の間隔が狭く、各チップを
角錐コレット等によりハンドリングすることができな
い。したがって、平面コレットによりハンドリングせざ
るを得ず、リードフレーム等への搭載時に超音波ボンデ
ィングを実施することが困難であり、信頼性の高いチッ
プボンディングを行うことが難しいという問題がある。
前記第１の従来技術と同様に１回のダイシングで済み、
かつ無効チップを取り除くことができるが、第３のテー
プが必要であるために、コスト高になる。また、バンプ
が形成されたウェハの場合には、ウェハの裏面側をダイ
シングしたときには前記第１の従来技術と同様な問題が
生じる。また、ウェハの主面側をダイシングしたときに
はチッピング残りが生じ易く、チップをリードフレーム
等に搭載する際にチッピングが異物となって電気的な短
絡事故を生じる原因となる。さらに、前記各従来技術
は、いずれもダイシングした状態でチップが配列されて
いるため、隣接するチップ間の間隔が狭く、各チップを
角錐コレット等によりハンドリングすることができな
い。したがって、平面コレットによりハンドリングせざ
るを得ず、リードフレーム等への搭載時に超音波ボンデ
ィングを実施することが困難であり、信頼性の高いチッ
プボンディングを行うことが難しいという問題がある。
【０００９】本発明の目的は、製造工程を煩雑化するこ
となく、チッピングの発生を防止するとともに、バンプ
剥がれやルーズコンタクトを防ぎ、しかも無効チップを
除去することが可能なダイシング方法を提供することに
ある。また、本発明の目的は、ダイシングされたチップ
の隣接間隔を大きくし、角錐コレット等によるハンドリ
ングを可能にし、信頼性の高いチップボンディングを行
うことを可能にした半導体ウェハのダイシング方法を提
供することにある。
となく、チッピングの発生を防止するとともに、バンプ
剥がれやルーズコンタクトを防ぎ、しかも無効チップを
除去することが可能なダイシング方法を提供することに
ある。また、本発明の目的は、ダイシングされたチップ
の隣接間隔を大きくし、角錐コレット等によるハンドリ
ングを可能にし、信頼性の高いチップボンディングを行
うことを可能にした半導体ウェハのダイシング方法を提
供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、主面に素子及
びバンプが形成されたウェハの裏面に第１テープを貼り
付ける工程と、前記ウェハを前記主面側からフルカット
ダイシングして個々のチップに分離する工程と、分離さ
れたチップのうち有効チップのみを前記第１テープの裏
面から持ち上げるように前記第１テープを引き伸ばす工
程と、前記第１テープの粘着力を低下させる工程と、第
２テープを前記持ち上げられた有効チップの主面に貼り
付ける工程と、前記第１テープを前記各チップの裏面か
ら引き剥がす工程とを含んでいる。
びバンプが形成されたウェハの裏面に第１テープを貼り
付ける工程と、前記ウェハを前記主面側からフルカット
ダイシングして個々のチップに分離する工程と、分離さ
れたチップのうち有効チップのみを前記第１テープの裏
面から持ち上げるように前記第１テープを引き伸ばす工
程と、前記第１テープの粘着力を低下させる工程と、第
２テープを前記持ち上げられた有効チップの主面に貼り
付ける工程と、前記第１テープを前記各チップの裏面か
ら引き剥がす工程とを含んでいる。
【００１１】また、本発明においては、第１テープを引
き伸ばす工程において、断面形状が内周側を頂点とし外
周側に向けて傾斜しており、内周側の項点部がウェハの
中心側に存在する有効チップとウェハの周辺側に存在す
る無効チップとの境界に位置される引伸ばしリングを用
い、この引伸ばしリングを前記第１テープの裏面側から
押圧して第１テープを引伸ばしたときに、前記無効チッ
プが存在する領域の前記第１テープをテープ平面方向に
対して傾斜した状態にすることが好ましい。さらに、第
１テープを引き伸ばす工程において、前記引伸ばしリン
グの外周側よりもさらに外周位置において前記第１テー
プの表面側から押圧するテープ押えリングを用い、この
テープ押さえリングと前記引伸ばしリングとで前記第１
テープの傾斜角度を高めることが好ましい。
き伸ばす工程において、断面形状が内周側を頂点とし外
周側に向けて傾斜しており、内周側の項点部がウェハの
中心側に存在する有効チップとウェハの周辺側に存在す
る無効チップとの境界に位置される引伸ばしリングを用
い、この引伸ばしリングを前記第１テープの裏面側から
押圧して第１テープを引伸ばしたときに、前記無効チッ
プが存在する領域の前記第１テープをテープ平面方向に
対して傾斜した状態にすることが好ましい。さらに、第
１テープを引き伸ばす工程において、前記引伸ばしリン
グの外周側よりもさらに外周位置において前記第１テー
プの表面側から押圧するテープ押えリングを用い、この
テープ押さえリングと前記引伸ばしリングとで前記第１
テープの傾斜角度を高めることが好ましい。
【００１２】フルカットダイシングされたウェハが貼り
付けられている第１テープを引き伸ばしする際に、ダイ
シングによって生じたチップ背面のチッピングはチップ
から引き離される。このため、第２テープをチップ主面
に貼り付けた後に第１テープを剥がすと、チップのみが
第２テープへ移り、チッピングは第１テープに残存さ
れ、チッピングを除去できる。また、この第１テープの
引き伸ばしによってチップ間の間隔が拡大され、角錐コ
レット等によるハンドリングを可能にし、信頼性の高い
チップボンディングが可能となる。さらに、第１テープ
を引き伸ばす際にテープを傾斜状態にすることで、無効
チップもテープに沿って傾斜状態となり、第２テープに
貼り付けられることがなく、無効チップを自動的に除去
することが可能となる。
付けられている第１テープを引き伸ばしする際に、ダイ
シングによって生じたチップ背面のチッピングはチップ
から引き離される。このため、第２テープをチップ主面
に貼り付けた後に第１テープを剥がすと、チップのみが
第２テープへ移り、チッピングは第１テープに残存さ
れ、チッピングを除去できる。また、この第１テープの
引き伸ばしによってチップ間の間隔が拡大され、角錐コ
レット等によるハンドリングを可能にし、信頼性の高い
チップボンディングが可能となる。さらに、第１テープ
を引き伸ばす際にテープを傾斜状態にすることで、無効
チップもテープに沿って傾斜状態となり、第２テープに
貼り付けられることがなく、無効チップを自動的に除去
することが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１（ａ）〜（ｅ）および図２
（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態を工程順に
示す断面図である。先ず、図１（ａ）のように、多数の
素子が形成され、かつ各素子に対応してそれぞれバンプ
２が形成されたウェハ１を、前記バンプ２が形成されて
いる主面を上にむけ、その反対面である背面を下にして
第１ＵＶテープ３の粘着層の上に貼り付ける。また、前
記ＵＶテープ３の粘着層に対しては、第１フレーム４を
前記ウェハ１のセンタを基準に貼り付ける。この時、第
１フレーム４の外周からはみ出す第１ＵＶテープ３を切
り落とす。次いで、図１（ｂ）のように、前記第１フレ
ーム４で保持された前記ウェハ１と第１ＵＶテープ３を
ダイシング装置（図示せず）のチャッキングテーブル５
上に載せ、高速で回転するダイシングプレード６をウェ
ハ１の主面のダイシングライン（図示せず）に沿って移
動させながら前記ウェハ１をその全厚さにわたってフル
カットダイシングする。このダイシング時は、放熱や切
削屑を除去するため、切削部位に純水を掛けながら行な
う。また図示しないが、ダイシング後に純水で洗浄し、
遠心脱水にて乾燥する。
参照して説明する。図１（ａ）〜（ｅ）および図２
（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態を工程順に
示す断面図である。先ず、図１（ａ）のように、多数の
素子が形成され、かつ各素子に対応してそれぞれバンプ
２が形成されたウェハ１を、前記バンプ２が形成されて
いる主面を上にむけ、その反対面である背面を下にして
第１ＵＶテープ３の粘着層の上に貼り付ける。また、前
記ＵＶテープ３の粘着層に対しては、第１フレーム４を
前記ウェハ１のセンタを基準に貼り付ける。この時、第
１フレーム４の外周からはみ出す第１ＵＶテープ３を切
り落とす。次いで、図１（ｂ）のように、前記第１フレ
ーム４で保持された前記ウェハ１と第１ＵＶテープ３を
ダイシング装置（図示せず）のチャッキングテーブル５
上に載せ、高速で回転するダイシングプレード６をウェ
ハ１の主面のダイシングライン（図示せず）に沿って移
動させながら前記ウェハ１をその全厚さにわたってフル
カットダイシングする。このダイシング時は、放熱や切
削屑を除去するため、切削部位に純水を掛けながら行な
う。また図示しないが、ダイシング後に純水で洗浄し、
遠心脱水にて乾燥する。
【００１４】次に、図１（ｃ）のように、引伸ばしリン
グ７を前記第１ＵＶテープ３の下側から前記ウェハ１の
下向きの主面側に押し当て、その状態で引伸ばしリング
７を上方に押し上げて第１ＵＶテープ３を引伸ばす。前
記引伸ばしリング７の断面形状は、その外周面７ｂが上
方から下方に向けて拡径されるように傾斜されており、
内周側の頂点部７ａが前記第１ＵＶテープ３の裏面に当
接される。また、引伸ばしリング７の前記項点部７ａ
は、ウェハ１の外周部の素子が形成されている有効チッ
プ１Ａと素子が形成されていいない周辺部の無効チップ
１Ｂの境界に位置している。これにより、前記したよう
に第１ＵＶテープ３を引伸ばした時に、引伸ばしリング
７の内周から第１フレーム４の下側にかけて第１ＵＶテ
ープ３は断面が斜めになり、ウェハ外周部の無効チップ
１Ｂはテープ３に沿って斜めな状態になる。また、前記
ダイシングによって個々に分離された各チップの背面角
にチッピングＸが生じた場合でも、このチッピングＸは
前記第１ＵＶテープ３が引き伸ばされることによって各
チップ１Ａ，１Ｂから離される。
グ７を前記第１ＵＶテープ３の下側から前記ウェハ１の
下向きの主面側に押し当て、その状態で引伸ばしリング
７を上方に押し上げて第１ＵＶテープ３を引伸ばす。前
記引伸ばしリング７の断面形状は、その外周面７ｂが上
方から下方に向けて拡径されるように傾斜されており、
内周側の頂点部７ａが前記第１ＵＶテープ３の裏面に当
接される。また、引伸ばしリング７の前記項点部７ａ
は、ウェハ１の外周部の素子が形成されている有効チッ
プ１Ａと素子が形成されていいない周辺部の無効チップ
１Ｂの境界に位置している。これにより、前記したよう
に第１ＵＶテープ３を引伸ばした時に、引伸ばしリング
７の内周から第１フレーム４の下側にかけて第１ＵＶテ
ープ３は断面が斜めになり、ウェハ外周部の無効チップ
１Ｂはテープ３に沿って斜めな状態になる。また、前記
ダイシングによって個々に分離された各チップの背面角
にチッピングＸが生じた場合でも、このチッピングＸは
前記第１ＵＶテープ３が引き伸ばされることによって各
チップ１Ａ，１Ｂから離される。
【００１５】次に、図１（ｄ）のように、第１ＵＶテー
プ２ａの裏面側から紫外線を席射し、第１ＵＶテープ３
の粘着力を低下させる。続いて、図１（ｅ）のように、
第第２フレーム８を貼り付けた第２ＵＶテープ９の粘着
層側を前記第１ＵＶテープ３上のチップ１Ａの主面に当
接し、チップ１Ａの主面を第２ＵＶテープ９に貼りつけ
る。このとき、第１ＵＶテープ３と共に斜め状態にされ
ている無効チップ１Ｂには第２ＵＶテープ９が貼り付け
られることはない。しかる上で、図２（ａ）のように、
前記第１ＵＶテープ３を剥がす。このとき、前記無効チ
ップ１ＢとチッピングＸは第１ＵＶテープ３に接着され
たまま剥がされることになり、結果として有効チップ１
Ａのみが第２ＵＶテープ９側に移される。
プ２ａの裏面側から紫外線を席射し、第１ＵＶテープ３
の粘着力を低下させる。続いて、図１（ｅ）のように、
第第２フレーム８を貼り付けた第２ＵＶテープ９の粘着
層側を前記第１ＵＶテープ３上のチップ１Ａの主面に当
接し、チップ１Ａの主面を第２ＵＶテープ９に貼りつけ
る。このとき、第１ＵＶテープ３と共に斜め状態にされ
ている無効チップ１Ｂには第２ＵＶテープ９が貼り付け
られることはない。しかる上で、図２（ａ）のように、
前記第１ＵＶテープ３を剥がす。このとき、前記無効チ
ップ１ＢとチッピングＸは第１ＵＶテープ３に接着され
たまま剥がされることになり、結果として有効チップ１
Ａのみが第２ＵＶテープ９側に移される。
【００１６】次に、図２（ｂ）のように、第２ＵＶテー
プ９の裏面側から紫外線を照射し、粘着力を弱める。次
いで、図２（ｃ）のように、第２ＵＶテープ９をチップ
ハンドリング位置に設置し、角錐コレット１０により第
２ＵＶテープ９上のチップ１Ａの背面を真空吸着してハ
ンドリングする。そして、図２（ｄ）のように、前記チ
ップ１Ａを、ボンディングステージ１２上のリードフレ
ーム１１にまで搬送した上でバンプ２によりフェースダ
ウンボンディングを行い、実装する。このとき、超音波
発生装置１３により角錐コレット１２を振動させ、バン
プの接続を行うことはこれまでと同様である。
プ９の裏面側から紫外線を照射し、粘着力を弱める。次
いで、図２（ｃ）のように、第２ＵＶテープ９をチップ
ハンドリング位置に設置し、角錐コレット１０により第
２ＵＶテープ９上のチップ１Ａの背面を真空吸着してハ
ンドリングする。そして、図２（ｄ）のように、前記チ
ップ１Ａを、ボンディングステージ１２上のリードフレ
ーム１１にまで搬送した上でバンプ２によりフェースダ
ウンボンディングを行い、実装する。このとき、超音波
発生装置１３により角錐コレット１２を振動させ、バン
プの接続を行うことはこれまでと同様である。
【００１７】この実施形態では、主面に素子及びバンプ
２が形成されたウェハ１の裏面に第１テープ３を貼り付
け、かつこれをフルカットダイシングして個々のチップ
に分離しているので、バンプ２が形成されたウェハ１の
主面に第１テープ３を貼った状態でダイシングされるこ
とがなく、またダイシング後に改めてチップの裏面側を
切削することがないため、ダイシング時におけるバンプ
２への負担がなく、バンプ剥がれを防ぐことができ、し
かも製造工程の簡略化が可能となる。また、ダイシング
後に、有効チップ１Ａのみを第１テープ３の裏面から持
ち上げるように第１テープ３を引き伸ばし、その上で持
ち上げられた有効チップ１Ａの主面に第２テープ９を貼
り付け、かつ第１テープ３をチップの裏面から引き剥が
しているので、フルカットダイシングにより形成された
複数のチップ１Ａ，１Ｂが貼り付けられている第１テー
プ３を引き伸ばしする際に、ダイシングによって生じた
チップ背面のチッピングＸはチップ１Ａ，１Ｂから引き
離され、これを除去することが可能となる。さらに、こ
の第１テープ３の引き伸ばしによってチップ間の間隔が
拡大され、角錐コレット１０によるハンドリングを可能
にし、信頼性の高いチップボンディングが可能となる。
２が形成されたウェハ１の裏面に第１テープ３を貼り付
け、かつこれをフルカットダイシングして個々のチップ
に分離しているので、バンプ２が形成されたウェハ１の
主面に第１テープ３を貼った状態でダイシングされるこ
とがなく、またダイシング後に改めてチップの裏面側を
切削することがないため、ダイシング時におけるバンプ
２への負担がなく、バンプ剥がれを防ぐことができ、し
かも製造工程の簡略化が可能となる。また、ダイシング
後に、有効チップ１Ａのみを第１テープ３の裏面から持
ち上げるように第１テープ３を引き伸ばし、その上で持
ち上げられた有効チップ１Ａの主面に第２テープ９を貼
り付け、かつ第１テープ３をチップの裏面から引き剥が
しているので、フルカットダイシングにより形成された
複数のチップ１Ａ，１Ｂが貼り付けられている第１テー
プ３を引き伸ばしする際に、ダイシングによって生じた
チップ背面のチッピングＸはチップ１Ａ，１Ｂから引き
離され、これを除去することが可能となる。さらに、こ
の第１テープ３の引き伸ばしによってチップ間の間隔が
拡大され、角錐コレット１０によるハンドリングを可能
にし、信頼性の高いチップボンディングが可能となる。
【００１８】また、第１テープ３を引き伸ばす工程にお
いて、断面形状が内周側の頂点部７ａから外周側に向け
た傾斜面７ｂを有し、かつ前記項点部７ａが有効チップ
１Ａと無効チップ１Ｂとの境界に位置されている引伸ば
しリング７を用い、この引伸ばしリング７を第１テープ
３の裏面側から押圧して第１テープ３を引伸ばしたとき
に、無効チップ１Ｂが存在する領域の前記第１テープ３
をテープ平面方向に対して傾斜した状態にすることによ
り、無効チップ１Ｂもテープに沿って傾斜状態となり、
第２テープ９に貼り付けられることがなく、無効チップ
１Ｂを自動的に除去することが可能となる。
いて、断面形状が内周側の頂点部７ａから外周側に向け
た傾斜面７ｂを有し、かつ前記項点部７ａが有効チップ
１Ａと無効チップ１Ｂとの境界に位置されている引伸ば
しリング７を用い、この引伸ばしリング７を第１テープ
３の裏面側から押圧して第１テープ３を引伸ばしたとき
に、無効チップ１Ｂが存在する領域の前記第１テープ３
をテープ平面方向に対して傾斜した状態にすることによ
り、無効チップ１Ｂもテープに沿って傾斜状態となり、
第２テープ９に貼り付けられることがなく、無効チップ
１Ｂを自動的に除去することが可能となる。
【００１９】次に、本発明の第２の実施形態を図３を参
照して説明する。図３（ａ）〜（ｃ）は第２の実施形態
の工程の一部を示す断面図であり、前記第１の実施形態
と等価な部分には同一符号を付してある。この実施形態
では、図３（ａ）のように、ウェハダイシング後の第１
ＵＶテープ３を引伸ばす工程において、引伸ばしリング
７Ａとテープ押さえリング７Ｂとで第１ＵＶテープ３を
挟み込む構成となっている。前記第１の実施形態と同様
に引伸しリング７Ａで第１ＵＶテープ３を引き伸ばした
後、テープ押えリング７Ｂを第１ＵＶテープ３の反対側
から押圧しでウェハ外周の無効チップ１Ｂの領域の第１
ＵＶテープ３を斜めの状態とする。前記引伸しリング７
Ａの断面形状は、内周部と外周部に凸部７ｃ，７ｄを有
し外周部の凸部７ｄ厚さは内周部の凸部７ｃより０．１
〜０．２ｍｍ厚くする。したがって、引伸しリング７Ａ
の外周部の凸部７ｄにて第１ＵＶテープ３を引き伸ばす
ことになる。また、内周部の凸部７ｃの先端は無効チッ
プ1Bと有効チップ１Ａとの境界に位置している。テープ
押えリング７Ｂは、外径が引伸しリング７Ａの外周部の
凸部７ｄの内側に入り込み、内径が引伸しリング７Ａの
内周から充分離れた位置とする。
照して説明する。図３（ａ）〜（ｃ）は第２の実施形態
の工程の一部を示す断面図であり、前記第１の実施形態
と等価な部分には同一符号を付してある。この実施形態
では、図３（ａ）のように、ウェハダイシング後の第１
ＵＶテープ３を引伸ばす工程において、引伸ばしリング
７Ａとテープ押さえリング７Ｂとで第１ＵＶテープ３を
挟み込む構成となっている。前記第１の実施形態と同様
に引伸しリング７Ａで第１ＵＶテープ３を引き伸ばした
後、テープ押えリング７Ｂを第１ＵＶテープ３の反対側
から押圧しでウェハ外周の無効チップ１Ｂの領域の第１
ＵＶテープ３を斜めの状態とする。前記引伸しリング７
Ａの断面形状は、内周部と外周部に凸部７ｃ，７ｄを有
し外周部の凸部７ｄ厚さは内周部の凸部７ｃより０．１
〜０．２ｍｍ厚くする。したがって、引伸しリング７Ａ
の外周部の凸部７ｄにて第１ＵＶテープ３を引き伸ばす
ことになる。また、内周部の凸部７ｃの先端は無効チッ
プ1Bと有効チップ１Ａとの境界に位置している。テープ
押えリング７Ｂは、外径が引伸しリング７Ａの外周部の
凸部７ｄの内側に入り込み、内径が引伸しリング７Ａの
内周から充分離れた位置とする。
【００２０】その後、第１ＵＶテープ３の裏面側から紫
外線を照射した後、図３（ｂ）のように、第２ＵＶテー
プ９を貼り付け、さらに図３（ｃ）のように第１ＵＶテ
ープ３を剥がすことにより、無効チップ１Ｂやチッピン
グＸは第１ＵＶテープ３に残り、有効チップ１Ａのみが
第２ＵＶテープ９に貼り付けられた状態となる。以降の
工程は前記第１の実施形態と同じである。
外線を照射した後、図３（ｂ）のように、第２ＵＶテー
プ９を貼り付け、さらに図３（ｃ）のように第１ＵＶテ
ープ３を剥がすことにより、無効チップ１Ｂやチッピン
グＸは第１ＵＶテープ３に残り、有効チップ１Ａのみが
第２ＵＶテープ９に貼り付けられた状態となる。以降の
工程は前記第１の実施形態と同じである。
【００２１】この実施形態においても、前記第１の実施
形態と同様に、バンプ剥がれを防止するとともに、工程
の簡略化が実現でき、しかもチッピングを除去するとと
もに、無効チップを自動的に除去することができる。さ
らに、この第２の実施形態では、引伸しリング７ａの外
周部を起点として第１ＵＶテープ２ａを引伸ばすことに
なるので、引伸し領域を広く取ることができ、引き伸し
の割合が中央部と外周部で比較的均等にでき、チップの
配列も均等にできる。また、テープ押えリング７ｂに
て、バンプ６が形成されていないウェハ外周部の無効チ
ップ１０を充分引き離すことができる利点もある。
形態と同様に、バンプ剥がれを防止するとともに、工程
の簡略化が実現でき、しかもチッピングを除去するとと
もに、無効チップを自動的に除去することができる。さ
らに、この第２の実施形態では、引伸しリング７ａの外
周部を起点として第１ＵＶテープ２ａを引伸ばすことに
なるので、引伸し領域を広く取ることができ、引き伸し
の割合が中央部と外周部で比較的均等にでき、チップの
配列も均等にできる。また、テープ押えリング７ｂに
て、バンプ６が形成されていないウェハ外周部の無効チ
ップ１０を充分引き離すことができる利点もある。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、主面に素
子及びバンプが形成されたウェハの裏面に第１テープを
貼り付け、かつこれをフルカットダイシングして個々の
チップに分離した後、有効チップのみを第１テープの裏
面から持ち上げるように第１テープを引き伸ばし、その
上で第２テープを持ち上げられた有効チップの主面に貼
り付け、かつ第１テープをチップの裏面から引き剥がし
ているので、フルカットダイシングされたウェハが貼り
付けられている第１テープを引き伸ばしする際に、ダイ
シングによって生じたチップ背面のチッピングはチップ
から引き離される。このため、第２テープをチップ主面
に貼り付けた後に第１テープを剥がすと、チップのみが
第２テープへ移り、チッピングは第１テープに残存さ
れ、チッピングを除去できる。また、この第１テープの
引き伸ばしによってチップ間の間隔が拡大され、角錐コ
レット等によるハンドリングを可能にし、信頼性の高い
チップボンディングが可能となる。
子及びバンプが形成されたウェハの裏面に第１テープを
貼り付け、かつこれをフルカットダイシングして個々の
チップに分離した後、有効チップのみを第１テープの裏
面から持ち上げるように第１テープを引き伸ばし、その
上で第２テープを持ち上げられた有効チップの主面に貼
り付け、かつ第１テープをチップの裏面から引き剥がし
ているので、フルカットダイシングされたウェハが貼り
付けられている第１テープを引き伸ばしする際に、ダイ
シングによって生じたチップ背面のチッピングはチップ
から引き離される。このため、第２テープをチップ主面
に貼り付けた後に第１テープを剥がすと、チップのみが
第２テープへ移り、チッピングは第１テープに残存さ
れ、チッピングを除去できる。また、この第１テープの
引き伸ばしによってチップ間の間隔が拡大され、角錐コ
レット等によるハンドリングを可能にし、信頼性の高い
チップボンディングが可能となる。
【００２３】また、本発明においては、第１テープを引
き伸ばす工程において、断面形状が内周側を頂点とし外
周側に向けて傾斜しており、内周側の項点部がウェハの
中心側に存在する有効チップとウェハの周辺側に存在す
る無効チップとの境界に位置される引伸ばしリングを用
い、この引伸ばしリングを第１テープの裏面側から押圧
して第１テープを引伸ばしたときに、無効チップが存在
する領域の前記第１テープをテープ平面方向に対して傾
斜した状態にすることにより、無効チップもテープに沿
って傾斜状態となり、第２テープに貼り付けられること
がなく、無効チップを自動的に除去することが可能とな
る。
き伸ばす工程において、断面形状が内周側を頂点とし外
周側に向けて傾斜しており、内周側の項点部がウェハの
中心側に存在する有効チップとウェハの周辺側に存在す
る無効チップとの境界に位置される引伸ばしリングを用
い、この引伸ばしリングを第１テープの裏面側から押圧
して第１テープを引伸ばしたときに、無効チップが存在
する領域の前記第１テープをテープ平面方向に対して傾
斜した状態にすることにより、無効チップもテープに沿
って傾斜状態となり、第２テープに貼り付けられること
がなく、無効チップを自動的に除去することが可能とな
る。
【００２４】さらに、本発明では、バンプが形成された
ウェハ主面に第１テープを貼った状態でダイシングされ
ることがなく、またダイシング後に改めてチップの裏面
側を切削することがないため、ダイシング時におけるバ
ンプへの負担がなく、バンプ剥がれを防ぐことができ、
しかも製造工程の簡略化が可能となる。
ウェハ主面に第１テープを貼った状態でダイシングされ
ることがなく、またダイシング後に改めてチップの裏面
側を切削することがないため、ダイシング時におけるバ
ンプへの負担がなく、バンプ剥がれを防ぐことができ、
しかも製造工程の簡略化が可能となる。
【図１】本発明の半導体ウェハのダイシング方法を工程
順に示す断面図のその１である。
順に示す断面図のその１である。
【図２】本発明の半導体ウェハのダイシング方法を工程
順に示す断面図のその２である。
順に示す断面図のその２である。
【図３】本発明の他の実施形態の主要工程を示す断面図
である。
である。
【図４】従来のダイシング方法の第１の方法を工程順に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】従来のダイシング方法の第２の方法を工程順に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】従来のダイシング方法の第３の方法を工程順に
示す断面図である。
示す断面図である。
１ ウェハ １Ａ 有効チップ １Ｂ 無効チップ ２ バンプ ３ 第１ＵＶテープ ４ 第１フレーム ６ ダイシングブレード ７，７Ａ 引伸しリング ７Ｂ 押えリング ８ 第２フレーム ９ 第２ＵＶテープ １０ 角錐コレット １１ リードフレーム １３ 超音波発生装置
Claims (5)
- 【請求項１】 主面に素子及びバンプが形成された半導
体ウェハの裏面に第１テープを貼り付ける工程と、前記
半導体ウェハを前記主面側からフルカットダイシングし
て個々のチップに分離する工程と、分離されたチップの
うち有効チップのみを前記第１テープの裏面から持ち上
げるように前記第１テープを引き伸ばす工程と、前記第
１テープの粘着力を低下させる工程と、第２テープを前
記持ち上げられた有効チップの主面に貼り付ける工程
と、前記第１テープを前記各チップの裏面から引き剥が
す工程とを含むことを特徴とする半導体ウェハのダイシ
ング方法 - 【請求項２】 前記第１テープは紫外線照射により粘着
力を失う粘着層を有し、前記粘着力を低下させる工程
は、前記第１テープに対して紫外線を照射する工程であ
る請求項１に記載の半導体ウェハのダイシング方法 - 【請求項３】 前記第１テープを引き伸ばす工程におい
て、断面形状が内周側を頂点とし外周側に向けて傾斜し
ており、内周側の項点部が前記半導体ウェハの中心側に
存在する有効チップと半導体ウェハの周辺側に存在する
無効チップとの境界に位置される引伸ばしリングを用
い、この引伸ばしリングを前記第１テープの裏面側から
押圧して第１テープを引伸ばしたときに、前記無効チッ
プが存在する領域の前記第１テープをテープ平面方向に
対して傾斜した状態にすることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の半導体ウェハのダイシング方法。 - 【請求項４】 前記第１テープを引き伸ばす工程におい
て、前記引伸ばしリングの外周側よりもさらに外周位置
において前記第１テープの表面側から押圧するテープ押
えリングを用い、このテープ押さえリングと前記引伸ば
しリングとで前記第１テープの傾斜角度を高めることを
特徴とする請求項３に記載の半導体ウェハのダイシング
方法。 - 【請求項５】 前記第１テープに対する紫外線の照射
は、前記引伸ばしリングをマスクとし、この引伸ばしリ
ングの内周領域に対応する第１テープ領域にのみ照射を
行う請求項３または４に記載の半導体ウェハのダイシン
グ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22216397A JP3064979B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 半導体ウェハのダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22216397A JP3064979B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 半導体ウェハのダイシング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167697A true JPH1167697A (ja) | 1999-03-09 |
| JP3064979B2 JP3064979B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=16778172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22216397A Expired - Fee Related JP3064979B2 (ja) | 1997-08-19 | 1997-08-19 | 半導体ウェハのダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3064979B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001085449A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | Ｃｓｐ基板保持部材及び該ｃｓｐ基板保持部材が載置されるｃｓｐ基板用テーブル |
| JP2006093213A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤層付き半導体素子の製造方法 |
| WO2007046234A1 (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Lintec Corporation | 測定装置 |
| JP2007109869A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Lintec Corp | 転着装置及び転着方法 |
| JP2008028130A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Lintec Corp | 貼替装置および貼替方法 |
| JP2016146413A (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-12 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2018160687A (ja) * | 2018-06-21 | 2018-10-11 | 株式会社東芝 | 半導体チップの接合方法及び半導体チップの接合装置 |
| US10847497B2 (en) | 2014-10-30 | 2020-11-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Bonding method of semiconductor chip and bonding apparatus of semiconductor chip |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5005904B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2012-08-22 | リンテック株式会社 | 転着装置及び転着方法 |
| JP4793981B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2011-10-12 | リンテック株式会社 | エキスパンド装置の制御方法とその制御装置 |
-
1997
- 1997-08-19 JP JP22216397A patent/JP3064979B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2001085449A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | Ｃｓｐ基板保持部材及び該ｃｓｐ基板保持部材が載置されるｃｓｐ基板用テーブル |
| JP2006093213A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤層付き半導体素子の製造方法 |
| JP2007109869A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Lintec Corp | 転着装置及び転着方法 |
| JP4739900B2 (ja) * | 2005-10-13 | 2011-08-03 | リンテック株式会社 | 転着装置及び転着方法 |
| WO2007046234A1 (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Lintec Corporation | 測定装置 |
| JP2008028130A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Lintec Corp | 貼替装置および貼替方法 |
| JP4643514B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2011-03-02 | リンテック株式会社 | 貼替装置および貼替方法 |
| US10847497B2 (en) | 2014-10-30 | 2020-11-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Bonding method of semiconductor chip and bonding apparatus of semiconductor chip |
| US11018112B2 (en) | 2014-10-30 | 2021-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Bonding method of semiconductor chip and bonding apparatus of semiconductor chip |
| JP2016146413A (ja) * | 2015-02-06 | 2016-08-12 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2018160687A (ja) * | 2018-06-21 | 2018-10-11 | 株式会社東芝 | 半導体チップの接合方法及び半導体チップの接合装置 |
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|---|---|
| JP3064979B2 (ja) | 2000-07-12 |
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