JP3204679B2 - 半導体ウエハ裏面のエッチング方法 - Google Patents
半導体ウエハ裏面のエッチング方法Info
- Publication number
- JP3204679B2 JP3204679B2 JP11450491A JP11450491A JP3204679B2 JP 3204679 B2 JP3204679 B2 JP 3204679B2 JP 11450491 A JP11450491 A JP 11450491A JP 11450491 A JP11450491 A JP 11450491A JP 3204679 B2 JP3204679 B2 JP 3204679B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- semiconductor wafer
- film
- wafer
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップの製造工
程において半導体ウエハの裏面を酸を用いてエッチング
する方法に関する。更に詳しくは、半導体ウエハの裏面
を酸を用いてエッチングする際に半導体ウエハの表面に
酸が浸透することを防止するエッチング方法に関する。
程において半導体ウエハの裏面を酸を用いてエッチング
する方法に関する。更に詳しくは、半導体ウエハの裏面
を酸を用いてエッチングする際に半導体ウエハの表面に
酸が浸透することを防止するエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの製造に用いられるウエハ
用材料として、シリコン、ガリウムおよび砒素等が用い
られ、なかでもシリコンが多用されている。例えば、シ
リコンウエハは高純度の単結晶シリコンを厚さ４００〜
１０００μｍ程度に薄くスライスすることにより製造さ
れている。
用材料として、シリコン、ガリウムおよび砒素等が用い
られ、なかでもシリコンが多用されている。例えば、シ
リコンウエハは高純度の単結晶シリコンを厚さ４００〜
１０００μｍ程度に薄くスライスすることにより製造さ
れている。
【０００３】近年、半導体チップは薄肉化、軽量化され
る傾向にある。そのため、半導体ウエハの表面に集積回
路を組み込んだ後、更に半導体ウエハの裏面を研削機で
研削し、厚さを１００〜６００μｍ程度まで薄くするの
が一般的になっている。
る傾向にある。そのため、半導体ウエハの表面に集積回
路を組み込んだ後、更に半導体ウエハの裏面を研削機で
研削し、厚さを１００〜６００μｍ程度まで薄くするの
が一般的になっている。
【０００４】その際、半導体ウエハの裏面に研削模様や
ひずみが発生する。半導体ウエハの用途によってはこれ
らを取り除く必要がある。そのための手段としてウエハ
の裏面を酸でエッチングする方法がある。この方法で
は、半導体ウエハの表面に酸が付着することにより半導
体集積回路を損傷することがある。
ひずみが発生する。半導体ウエハの用途によってはこれ
らを取り除く必要がある。そのための手段としてウエハ
の裏面を酸でエッチングする方法がある。この方法で
は、半導体ウエハの表面に酸が付着することにより半導
体集積回路を損傷することがある。
【０００５】酸による半導体集積回路の損傷を防止する
方法として、例えば、特開昭６１−３４２８号公報に
は、半導体ウエハの表面にパラフィン、レジストインク
等を塗布する方法が提案されている。
方法として、例えば、特開昭６１−３４２８号公報に
は、半導体ウエハの表面にパラフィン、レジストインク
等を塗布する方法が提案されている。
【０００６】しかし、この方法では，パラフィン等を塗
布した後の乾燥固化と、更に酸によるエッチングの後
に、パラフィン等を加熱し溶剤を用いて洗浄除去する工
程が必要である。そのため、操作が煩雑で生産性向上の
大きな障害になるとともに溶剤を使用するために起きる
環境問題がある。また、パラフィン等が完全に除去でき
ず半導体ウエハの表面が汚染される問題もある。
布した後の乾燥固化と、更に酸によるエッチングの後
に、パラフィン等を加熱し溶剤を用いて洗浄除去する工
程が必要である。そのため、操作が煩雑で生産性向上の
大きな障害になるとともに溶剤を使用するために起きる
環境問題がある。また、パラフィン等が完全に除去でき
ず半導体ウエハの表面が汚染される問題もある。
【０００７】これらの問題を解決した、半導体ウエハの
裏面をエッチングする方法の開発が強く要望されてい
る。
裏面をエッチングする方法の開発が強く要望されてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、半導
体ウエハの裏面を酸を用いてエッチングするに際し、半
導体ウエハの表面への酸の付着を防止するとともに、半
導体ウエハの表面を汚染することのない半導体ウエハ裏
面のエッチング方法を提供することにある。
体ウエハの裏面を酸を用いてエッチングするに際し、半
導体ウエハの表面への酸の付着を防止するとともに、半
導体ウエハの表面を汚染することのない半導体ウエハ裏
面のエッチング方法を提供することにある。
【０００９】また、本発明の他の目的は生産性のよい半
導体ウエハ裏面のエッチング方法を提供することにあ
る。
導体ウエハ裏面のエッチング方法を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、集積回路が組み込まれた半導体ウエハの表面
に、実質的に酸不透過性である基材フィルム層と粘着材
層からなる粘着テープを貼付することにより、上記課題
が解決できることを見出し本発明を完成した。
た結果、集積回路が組み込まれた半導体ウエハの表面
に、実質的に酸不透過性である基材フィルム層と粘着材
層からなる粘着テープを貼付することにより、上記課題
が解決できることを見出し本発明を完成した。
【００１１】すなわち、本発明は、集積回路が組み込ま
れた半導体ウエハの表面に、単層フィルムまたは複層フ
ィルムからなり、少なくとも一層が厚さが５〜２０００
μｍのポリプロピレン樹脂フィルムまたはポリエチレン
テレフタレート樹脂フィルムである実質的に酸不透過性
の基材フィルム層と、粘着剤層からなる粘着テープを貼
付し、該半導体ウエハの裏面をフッ化水素酸及び王水か
ら選ばれた少なくとも１種を含む酸に５秒間〜２０分間
浸漬して、５〜６０℃において酸処理することを特徴と
する半導体ウエハ裏面のエッチング方法である。
れた半導体ウエハの表面に、単層フィルムまたは複層フ
ィルムからなり、少なくとも一層が厚さが５〜２０００
μｍのポリプロピレン樹脂フィルムまたはポリエチレン
テレフタレート樹脂フィルムである実質的に酸不透過性
の基材フィルム層と、粘着剤層からなる粘着テープを貼
付し、該半導体ウエハの裏面をフッ化水素酸及び王水か
ら選ばれた少なくとも１種を含む酸に５秒間〜２０分間
浸漬して、５〜６０℃において酸処理することを特徴と
する半導体ウエハ裏面のエッチング方法である。
【００１２】本発明における半導体ウエハの表面とは、
集積回路が組み込まれた側であり、裏面とはその反対側
である。
集積回路が組み込まれた側であり、裏面とはその反対側
である。
【００１３】本発明の方法に用いる粘着テープは、基材
フィルムの片面に粘着剤を塗布、乾燥することにより、
基材フィルム層の片面に粘着剤層を設けたテープであ
る。通常、この粘着テープは粘着剤層の表面に、さら
に、剥離フィルムを貼付し、巻き体状あるいは一定寸法
に切断された積層体とする形態、または、粘着テープを
円形状等に打抜き剥離フィルムに貼付し、該剥離フィル
ムを巻き体状とする形態等として、運搬、貯蔵等され
る。
フィルムの片面に粘着剤を塗布、乾燥することにより、
基材フィルム層の片面に粘着剤層を設けたテープであ
る。通常、この粘着テープは粘着剤層の表面に、さら
に、剥離フィルムを貼付し、巻き体状あるいは一定寸法
に切断された積層体とする形態、または、粘着テープを
円形状等に打抜き剥離フィルムに貼付し、該剥離フィル
ムを巻き体状とする形態等として、運搬、貯蔵等され
る。
【００１４】粘着テープを使用する際は、先ず、上記剥
離フィルムを剥離した後、ウエハの形状に合わせ適当な
寸法に切断、トリミングし、粘着テープを半導体ウエハ
の表面に貼付する。
離フィルムを剥離した後、ウエハの形状に合わせ適当な
寸法に切断、トリミングし、粘着テープを半導体ウエハ
の表面に貼付する。
【００１５】以下、本発明について詳細に説明する。
【００１６】本発明でエッチングに際して用いる酸は、
硝酸、塩酸、硫酸、しゅう酸、クロム酸、酢酸、リン
酸、フッ化水素酸、過塩素酸、ホウ酸、王水等からなる
群から選ばれる１種または２種以上の混合酸であり、市
販品の中から適宜選択できる。目的に応じてヨウ素、塩
化第二鉄、塩化第二銅等、他の物質が添加された酸であ
っても差し支えない。
硝酸、塩酸、硫酸、しゅう酸、クロム酸、酢酸、リン
酸、フッ化水素酸、過塩素酸、ホウ酸、王水等からなる
群から選ばれる１種または２種以上の混合酸であり、市
販品の中から適宜選択できる。目的に応じてヨウ素、塩
化第二鉄、塩化第二銅等、他の物質が添加された酸であ
っても差し支えない。
【００１７】具体的には、６１％硝酸と４７％フッ化水
素酸とを容量比５：１で混合したもの、６１％硝酸、４
７％フッ化水素酸、９９．７％酢酸を容量比６：１：１
に混合したもの、６１％硝酸、４７％フッ化水素酸、さ
らに助剤として塩化第二鉄を容量比４：１：４で混合し
たもの、６１％硝酸、４７％フッ化水素酸、９９．７％
酢酸を容量比５：２：４で混合し、さらに、助剤として
ヨウ素を少量添加したもの等がある。
素酸とを容量比５：１で混合したもの、６１％硝酸、４
７％フッ化水素酸、９９．７％酢酸を容量比６：１：１
に混合したもの、６１％硝酸、４７％フッ化水素酸、さ
らに助剤として塩化第二鉄を容量比４：１：４で混合し
たもの、６１％硝酸、４７％フッ化水素酸、９９．７％
酢酸を容量比５：２：４で混合し、さらに、助剤として
ヨウ素を少量添加したもの等がある。
【００１８】これらの内で、６１％硝酸と４７％フッ化
水素酸を容量比５：１で混合したものが一般的に最も広
く用いられる。
水素酸を容量比５：１で混合したものが一般的に最も広
く用いられる。
【００１９】本発明における実質的に酸不透過性である
基材フィルムは、次の評価方法により選ばれたフィルム
である。
基材フィルムは、次の評価方法により選ばれたフィルム
である。
【００２０】基材フィルムを３×５ｃｍの袋状に加工
し、その中に９×８．５ｍｍ角の青色リトマス試験紙を
入れ、ヒートシールにより密封し試験体とする。該試験
体を２３℃に保たれた６１％硝酸１００ミリリットルと
４７％フッ化水素酸２０ミリリットルの混合酸に浸漬す
る。青色リトマス試験紙が赤色に変色するまでの時間が
３０分以上、好ましくは６０分以上のフィルムを酸不透
過性フィルムとする。該赤変時間が３０分未満の場合、
ウエハの裏面のエッチング時に酸の浸透を実質的に防止
することが出来ない。
し、その中に９×８．５ｍｍ角の青色リトマス試験紙を
入れ、ヒートシールにより密封し試験体とする。該試験
体を２３℃に保たれた６１％硝酸１００ミリリットルと
４７％フッ化水素酸２０ミリリットルの混合酸に浸漬す
る。青色リトマス試験紙が赤色に変色するまでの時間が
３０分以上、好ましくは６０分以上のフィルムを酸不透
過性フィルムとする。該赤変時間が３０分未満の場合、
ウエハの裏面のエッチング時に酸の浸透を実質的に防止
することが出来ない。
【００２１】基材フィルムは、単層フィルムでも複層フ
ィルムでもよく、少なくとも該基材フィルムの一層が実
質的に酸不透過性であるポリプロピレン樹脂フィルム、
または、ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムであ
ればよい。
ィルムでもよく、少なくとも該基材フィルムの一層が実
質的に酸不透過性であるポリプロピレン樹脂フィルム、
または、ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムであ
ればよい。
【００２２】ポリプロピレン樹脂フィルムおよびポリエ
チレンテレフタレート樹脂フィルム共に厚さが５μｍ以
上であれば、本発明で規定する酸不透過性の試験に合格
するが、好ましい厚さは１０μｍ以上である。これらの
内で用いる酸と基材フィルムの好ましい組み合わせは、
フッ化水素酸、硝酸、酢酸等の１種または２種以上の混
合酸をエッチング剤として用いる場合は、厚さが５μｍ
以上、好ましくは１０μｍ以上のポリプロピレン樹脂フ
ィルムであり、王水をエッチング剤として用いる場合
は、厚さが５μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上のポリ
エチレンテレフタレート樹脂フィルムである。
チレンテレフタレート樹脂フィルム共に厚さが５μｍ以
上であれば、本発明で規定する酸不透過性の試験に合格
するが、好ましい厚さは１０μｍ以上である。これらの
内で用いる酸と基材フィルムの好ましい組み合わせは、
フッ化水素酸、硝酸、酢酸等の１種または２種以上の混
合酸をエッチング剤として用いる場合は、厚さが５μｍ
以上、好ましくは１０μｍ以上のポリプロピレン樹脂フ
ィルムであり、王水をエッチング剤として用いる場合
は、厚さが５μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上のポリ
エチレンテレフタレート樹脂フィルムである。
【００２３】積層された基材フィルムとする場合には、
上記の厚さを有するポリプロピレン樹脂フィルムまたは
ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムを他の素材よ
りなるフィルムに積層することが必要である。
上記の厚さを有するポリプロピレン樹脂フィルムまたは
ポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムを他の素材よ
りなるフィルムに積層することが必要である。
【００２４】基材フィルムの厚さの上限は、酸不透過性
の点からは厚い方が好ましいが、保護する半導体ウエハ
の形状、表面状態及び粘着テープの切断、貼付等の作業
性の点から２０００μｍ程度が好ましい。
の点からは厚い方が好ましいが、保護する半導体ウエハ
の形状、表面状態及び粘着テープの切断、貼付等の作業
性の点から２０００μｍ程度が好ましい。
【００２５】また、基材フィルムと粘着剤との投錨性を
改良する目的で、基材フィルムの片面にコロナ放電処理
を施すことが好ましい。
改良する目的で、基材フィルムの片面にコロナ放電処理
を施すことが好ましい。
【００２６】本発明で用いる粘着テープとは、上記基材
フィルムの片面に、好ましくは、コロナ放電処理を施し
た面に粘着剤層を設けたものである。
フィルムの片面に、好ましくは、コロナ放電処理を施し
た面に粘着剤層を設けたものである。
【００２７】基材フィルムの表面に塗布される粘着剤と
しては、例えばアクリル系、エステル系、ウレタン系等
の樹脂系粘着剤あるいは天然ゴム、ポリイソブチレンゴ
ム、ポリスチレンブタジエンゴム等の合成ゴムを主体と
する粘着剤等であり、市販品のなかから適宜選択でき
る。
しては、例えばアクリル系、エステル系、ウレタン系等
の樹脂系粘着剤あるいは天然ゴム、ポリイソブチレンゴ
ム、ポリスチレンブタジエンゴム等の合成ゴムを主体と
する粘着剤等であり、市販品のなかから適宜選択でき
る。
【００２８】基材フィルムに塗布する粘着剤の厚さは、
半導体ウエハの形状、表面状態により適宜決められる
が、通常２〜２００μｍが好ましい。
半導体ウエハの形状、表面状態により適宜決められる
が、通常２〜２００μｍが好ましい。
【００２９】粘着剤を基材フィルムの表面に塗布する方
法としては、従来公知の塗布方法、例えばロールコータ
法、浸漬法、ハケ塗り法、スプレー法等が採用でき、基
材フィルムの全面もしくは部分的に塗布することが出来
る。
法としては、従来公知の塗布方法、例えばロールコータ
法、浸漬法、ハケ塗り法、スプレー法等が採用でき、基
材フィルムの全面もしくは部分的に塗布することが出来
る。
【００３０】本発明の方法により、半導体ウエハの裏面
を酸を用いてエッチングする方法の一例を説明する。
を酸を用いてエッチングする方法の一例を説明する。
【００３１】ウエハの表面に集積回路を組み込んだ後、
研磨機を用いて該ウエハの裏面を研削し、１００〜６０
０μｍ程度の厚さに薄肉化する。そのウエハの表面に粘
着テープを貼付し、機械または人手によりウエハの形状
に合うようにトリミングする。
研磨機を用いて該ウエハの裏面を研削し、１００〜６０
０μｍ程度の厚さに薄肉化する。そのウエハの表面に粘
着テープを貼付し、機械または人手によりウエハの形状
に合うようにトリミングする。
【００３２】該ウエハを、例えば、２５枚を１単位とし
てテフロン製専用カセットケースに入れる。次いで、例
えば、２３℃に調節された６１％硝酸と４７％フッ化水
素酸の混合酸（容量比５：１）に該カセットケースを約
２分間浸漬する。酸の化学作用により半導体ウエハの裏
面を約１μｍ研磨し、前工程での研削時に生じた研削模
様および歪み等を除去する。
てテフロン製専用カセットケースに入れる。次いで、例
えば、２３℃に調節された６１％硝酸と４７％フッ化水
素酸の混合酸（容量比５：１）に該カセットケースを約
２分間浸漬する。酸の化学作用により半導体ウエハの裏
面を約１μｍ研磨し、前工程での研削時に生じた研削模
様および歪み等を除去する。
【００３３】この際、ウエハの表面に貼付された粘着テ
ープは、ウエハに組み込まれた集積回路が酸により損傷
を受けることを防止する。
ープは、ウエハに組み込まれた集積回路が酸により損傷
を受けることを防止する。
【００３４】用いる酸の組成は、ウエハの種類、ウエハ
の厚さ、前工程での研削時に生じた歪みの程度等に応じ
適宜選択する。通常エッチング時の酸の温度は、５〜６
０℃、酸に浸漬する時間は、５秒〜２０分間程度であ
る。
の厚さ、前工程での研削時に生じた歪みの程度等に応じ
適宜選択する。通常エッチング時の酸の温度は、５〜６
０℃、酸に浸漬する時間は、５秒〜２０分間程度であ
る。
【００３５】酸を用いてエッチングする場合、ウエハが
酸に溶解するため、その反応熱によって酸の温度が上昇
する。そのため、例えば塩化ビニル樹脂またはエチレン
−酢酸ビニル共重合体樹脂等を基材フィルムとした粘着
テープを用いる場合は、耐酸性のみならず耐熱性も不足
するので大規模な冷却装置を必要とする。本発明の粘着
テープは、上記両特性を兼ね備えているので、温度が６
０℃程度までは充分に耐えるので、大規模な冷却装置を
必要としない。
酸に溶解するため、その反応熱によって酸の温度が上昇
する。そのため、例えば塩化ビニル樹脂またはエチレン
−酢酸ビニル共重合体樹脂等を基材フィルムとした粘着
テープを用いる場合は、耐酸性のみならず耐熱性も不足
するので大規模な冷却装置を必要とする。本発明の粘着
テープは、上記両特性を兼ね備えているので、温度が６
０℃程度までは充分に耐えるので、大規模な冷却装置を
必要としない。
【００３６】また、他の方法として半導体ウエハの表面
に粘着テープを貼付した後、該ウエハの裏面に上記の酸
を、例えば、直径４インチのウエハ１枚当たり１分間に
１〜２リットル程度の流量で約２分間程度シャワーリン
グする方法も行われる。
に粘着テープを貼付した後、該ウエハの裏面に上記の酸
を、例えば、直径４インチのウエハ１枚当たり１分間に
１〜２リットル程度の流量で約２分間程度シャワーリン
グする方法も行われる。
【００３７】エッチングが完了した後に、半導体ウエハ
の表面から粘着テープを剥離して、純水を用いて洗浄
し、乾燥する。
の表面から粘着テープを剥離して、純水を用いて洗浄
し、乾燥する。
【００３８】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。なお、実施例中の物性等の評価は下記方法で行
なった。
明する。なお、実施例中の物性等の評価は下記方法で行
なった。
【００３９】酸不透過性 粘着テープ用の基材フィルムを３ｃｍ×５ｃｍの袋状に
加工し、その中に９ｍｍ×８．５ｍｍ角の青色リトマス
試験紙を入れ、ヒートシールで密封し試験体とする。該
試験体を２３℃に保たれた６１％硝酸１００ミリリット
ルと４７％フッ化水素酸２０ミリリットルの混合酸に浸
漬する。青色リトマス試験紙が赤色に変色するまでの時
間を測定する。変色時間が長いほど、酸不透過性が良好
である。
加工し、その中に９ｍｍ×８．５ｍｍ角の青色リトマス
試験紙を入れ、ヒートシールで密封し試験体とする。該
試験体を２３℃に保たれた６１％硝酸１００ミリリット
ルと４７％フッ化水素酸２０ミリリットルの混合酸に浸
漬する。青色リトマス試験紙が赤色に変色するまでの時
間を測定する。変色時間が長いほど、酸不透過性が良好
である。
【００４０】酸による浸食状況及び異物付着量 集積回路が組み込まれた半導体ウエハの表面に粘着テー
プを貼付し、２３℃に保たれた６１％硝酸１００ミリリ
ットルと４７％フッ化水素酸２０ミリリットルの混合酸
に２分間浸漬する。粘着テープを剥離した後、純水を用
いて洗浄し、乾燥する。該ウエハの表面を光学顕微鏡
（倍率４００倍）を用いて観察し、酸による浸食状況の
確認及び２μｍ以上の異物の付着個数の測定を行う。
プを貼付し、２３℃に保たれた６１％硝酸１００ミリリ
ットルと４７％フッ化水素酸２０ミリリットルの混合酸
に２分間浸漬する。粘着テープを剥離した後、純水を用
いて洗浄し、乾燥する。該ウエハの表面を光学顕微鏡
（倍率４００倍）を用いて観察し、酸による浸食状況の
確認及び２μｍ以上の異物の付着個数の測定を行う。
【００４１】破壊電圧 集積回路が組み込まれた半導体ウエハの表面に粘着テー
プを貼付し、２３℃に保たれた６１％硝酸１００ｍｌと
４７％フッ化水素酸２０ミリリットルの混合酸に２分間
浸漬する。粘着テープを剥離した後、純水を用いて洗浄
し、乾燥する。該ウエハの集積回路の端子より５Ｖ／ｍ
ｉｎの昇圧速度で電圧を徐々に上げ、集積回路が破壊す
る電圧を測定する。該回路のアルミニウム配線部が腐食
していたり、酸の浸食のために断線していれば、その破
壊電圧は低下もしくは通電しなくなる。
プを貼付し、２３℃に保たれた６１％硝酸１００ｍｌと
４７％フッ化水素酸２０ミリリットルの混合酸に２分間
浸漬する。粘着テープを剥離した後、純水を用いて洗浄
し、乾燥する。該ウエハの集積回路の端子より５Ｖ／ｍ
ｉｎの昇圧速度で電圧を徐々に上げ、集積回路が破壊す
る電圧を測定する。該回路のアルミニウム配線部が腐食
していたり、酸の浸食のために断線していれば、その破
壊電圧は低下もしくは通電しなくなる。
【００４２】実施例１ 粘着テープ用の基材フィルムとしてポリプロピレン（以
下ＰＰと略記）をＴダイ押出法にて製膜し、さらに二軸
延伸（面倍率１２倍）して、厚さ６０μｍのＰＰフィル
ムを得た。
下ＰＰと略記）をＴダイ押出法にて製膜し、さらに二軸
延伸（面倍率１２倍）して、厚さ６０μｍのＰＰフィル
ムを得た。
【００４３】得られたフィルムについて、液温２３℃で
６１％硝酸１００ミリリットルと４７％フッ化水素酸２
０ミリリットルの混合酸を用いて本願発明で規定する酸
不透過性試験を行なった。得られた結果を〔表１〕に示
す。
６１％硝酸１００ミリリットルと４７％フッ化水素酸２
０ミリリットルの混合酸を用いて本願発明で規定する酸
不透過性試験を行なった。得られた結果を〔表１〕に示
す。
【００４４】次に、該ＰＰフィルムの片面にコロナ放電
処理を施した後、市販のアクリル系粘着剤（三井東圧化
学（株）製、商品名：ストラクトボンドＸ−５０７８）
をロールコータ機を用いて塗布、９０℃で乾燥して約３
０μｍのアクリル系粘着剤層を設けた粘着テープを得
た。
処理を施した後、市販のアクリル系粘着剤（三井東圧化
学（株）製、商品名：ストラクトボンドＸ−５０７８）
をロールコータ機を用いて塗布、９０℃で乾燥して約３
０μｍのアクリル系粘着剤層を設けた粘着テープを得
た。
【００４５】得られた粘着テープを回路が組み込まれ
た、直径４インチ、厚さ４００μｍの半導体ウエハの表
面に貼付し、該ウエハ２５枚をカセットケースに入れ
る。２３℃に調節された６１％硝酸５リットルと４７％
フッ化水素酸１リットルの混合酸が入った槽に該カセッ
トケースを２分間浸漬して半導体ウエハの裏面を厚さ約
１μｍエッチングした。この操作を５回繰り返した。こ
の時の温度は５８℃であった。エッチング後、半導体ウ
エハから粘着テープを剥がし、該ウエハを常温において
純水に浸漬し、超音波で１０分間洗浄した。次いで、該
ウエハの酸による浸食状況、異物付着量および破壊電圧
についての評価試験を実施した。得られた結果を〔表
１〕に示す。
た、直径４インチ、厚さ４００μｍの半導体ウエハの表
面に貼付し、該ウエハ２５枚をカセットケースに入れ
る。２３℃に調節された６１％硝酸５リットルと４７％
フッ化水素酸１リットルの混合酸が入った槽に該カセッ
トケースを２分間浸漬して半導体ウエハの裏面を厚さ約
１μｍエッチングした。この操作を５回繰り返した。こ
の時の温度は５８℃であった。エッチング後、半導体ウ
エハから粘着テープを剥がし、該ウエハを常温において
純水に浸漬し、超音波で１０分間洗浄した。次いで、該
ウエハの酸による浸食状況、異物付着量および破壊電圧
についての評価試験を実施した。得られた結果を〔表
１〕に示す。
【００４６】実施例２ 酸として６１％硝酸６０ミリリットル、４７％フッ化水
素酸１０ミリリットル、及び酢酸１０ミリリットルの混
合酸を用いた以外は、実施例１と同様の方法で試験し
た。得られた結果を〔表１〕に示す。
素酸１０ミリリットル、及び酢酸１０ミリリットルの混
合酸を用いた以外は、実施例１と同様の方法で試験し
た。得られた結果を〔表１〕に示す。
【００４７】実施例３ 酸として王水１００ミリリットルを用いた以外は、実施
例１と同様の方法で試験した。得られた結果を〔表１〕
に示す。
例１と同様の方法で試験した。得られた結果を〔表１〕
に示す。
【００４８】実施例４ 基材フィルムとしてＴダイ押出法にて製膜した厚さ５０
μｍのポリエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略
す）フィルムを使用した以外は、実施例１と同様の方法
で試験した。得られた結果を〔表１〕に示す。
μｍのポリエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略
す）フィルムを使用した以外は、実施例１と同様の方法
で試験した。得られた結果を〔表１〕に示す。
【００４９】実施例５ 酸として王水１００ミリリットルを用いた以外は、実施
例４と同様の方法で試験した。得られた結果を〔表１〕
に示す。
例４と同様の方法で試験した。得られた結果を〔表１〕
に示す。
【００５０】実施例６ 基材フィルムとしてＴダイ押出法にて製膜した厚さ１０
μｍのＰＰフィルムを使用した以外は、実施例１と同様
の方法で試験した。得られた結果を〔表１〕に示す。
μｍのＰＰフィルムを使用した以外は、実施例１と同様
の方法で試験した。得られた結果を〔表１〕に示す。
【００５１】実施例７ 実施例１で用いたＰＰフィルムとＴ−ダイ押出法により
製膜した厚さ６０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体
（以下、ＥＶＡと略す）フィルムをアクリル系接着剤
（三井東圧化学（株）製、商品名：ストラクトボンドＸ
−５０６０）を用いて接着積層し、ＥＶＡフィルム面に
コロナ放電処理を施して、以下実施例１と同様の方法で
試験した。得られた結果を〔表１〕に示す。
製膜した厚さ６０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体
（以下、ＥＶＡと略す）フィルムをアクリル系接着剤
（三井東圧化学（株）製、商品名：ストラクトボンドＸ
−５０６０）を用いて接着積層し、ＥＶＡフィルム面に
コロナ放電処理を施して、以下実施例１と同様の方法で
試験した。得られた結果を〔表１〕に示す。
【００５２】比較例１ スピンコータ（大日本スクリーン製造（株）製 Ｄ−Ｓ
ＰＩＮ６３６型）を用いて約５０℃に調節されたレジス
トインク（東京応化工業（株）製 ＯＭＲ−８３）を実
施例１と同種の半導体ウエハの表面に塗布し、約２時間
冷却して約１０μｍ厚さのレジスト膜を形成後、実施例
１と同様の方法でエッチングし、次いで約５０℃に加熱
されたトリクロロエチレンでレジストインクを除去し
た。更に、純水で洗浄した。実施例１と同様の方法で評
価試験を行った。得られた結果を〔表１〕に示す。
ＰＩＮ６３６型）を用いて約５０℃に調節されたレジス
トインク（東京応化工業（株）製 ＯＭＲ−８３）を実
施例１と同種の半導体ウエハの表面に塗布し、約２時間
冷却して約１０μｍ厚さのレジスト膜を形成後、実施例
１と同様の方法でエッチングし、次いで約５０℃に加熱
されたトリクロロエチレンでレジストインクを除去し
た。更に、純水で洗浄した。実施例１と同様の方法で評
価試験を行った。得られた結果を〔表１〕に示す。
【００５３】レジストインクの塗布及び剥離に要した時
間は約４時間で粘着テープを用いる方法と比較して大幅
に作業性が低下した。また、ウエハの表面にレジストイ
ンクの未除去物と思われる異物が多数認められた。
間は約４時間で粘着テープを用いる方法と比較して大幅
に作業性が低下した。また、ウエハの表面にレジストイ
ンクの未除去物と思われる異物が多数認められた。
【００５４】比較例２ 基材フィルムとしてＴダイ押出法にて製膜した厚さ６０
μｍのポリエチレン（以下ＰＥと略記）フィルムを用い
た以外は実施例１と同様の方法で試験した。得られた結
果を〔表１〕に示す。
μｍのポリエチレン（以下ＰＥと略記）フィルムを用い
た以外は実施例１と同様の方法で試験した。得られた結
果を〔表１〕に示す。
【００５５】比較例３ 酸として王水１００ミリリットルを用いた以外は、比較
例２と同様の方法で試験した。得られた結果を〔表１〕
に示す。
例２と同様の方法で試験した。得られた結果を〔表１〕
に示す。
【００５６】比較例４ Ｔ−ダイ押出法により製膜した厚さ３μｍのＰＰフィル
ムとＴ−ダイ押出法により製膜した厚さ６０μｍのＥＶ
Ａフィルムを用いて、実施例７と同様の方法で試験し
た。得られた結果を〔表１〕に示す。
ムとＴ−ダイ押出法により製膜した厚さ６０μｍのＥＶ
Ａフィルムを用いて、実施例７と同様の方法で試験し
た。得られた結果を〔表１〕に示す。
【００５７】比較例５ ＰＰフィルムの代わりに、Ｔ−ダイ押出法により製膜し
た厚さ３μｍのＰＥＴフィルムを用いた以外は、比較例
４と同様の方法で試験した。得られた結果を〔表１〕に
示す。
た厚さ３μｍのＰＥＴフィルムを用いた以外は、比較例
４と同様の方法で試験した。得られた結果を〔表１〕に
示す。
【００５８】参考例１ 基材フィルムとして厚さ６０μｍのＰＰフィルムを使用
し、酸によるエッチングを行なわない以外は実施例１と
同様の方法で試験した。得られた結果は実施例１と同様
で、本発明による方法でエッチングを行ってもウエハの
表面に酸による悪影響がないことが確認された。詳細な
結果を〔表１〕に示す。
し、酸によるエッチングを行なわない以外は実施例１と
同様の方法で試験した。得られた結果は実施例１と同様
で、本発明による方法でエッチングを行ってもウエハの
表面に酸による悪影響がないことが確認された。詳細な
結果を〔表１〕に示す。
【００５９】
【表１】
【００６０】
【発明の効果】本発明の方法によれば、半導体ウエハの
表面が酸により浸食されることがないので、半導体集積
回路が酸により損傷を受けることがない。
表面が酸により浸食されることがないので、半導体集積
回路が酸により損傷を受けることがない。
【００６１】さらに、従来の方法のように、レジストイ
ンク等を半導体ウエハの表面に塗布する必要がなく、製
造工程が簡略化され、かつ、レジストインク等の異物に
より半導体ウエハの表面が汚染されることもない。
ンク等を半導体ウエハの表面に塗布する必要がなく、製
造工程が簡略化され、かつ、レジストインク等の異物に
より半導体ウエハの表面が汚染されることもない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武内 洋子 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−268133（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−133635（ＪＰ，Ａ) 三羽忠広「基礎合成樹脂の化学＜新版 ＞」（昭50−11−20）技報堂出版 ｐ. 123及びｐ．285 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304,21/306,21/308
Claims (1)
- 【請求項１】 集積回路が組み込まれた半導体ウエハの
表面に、単層フィルムまたは複層フィルムからなり、少
なくとも一層が厚さが５〜２０００μｍのポリプロピレ
ン樹脂フィルムまたはポリエチレンテレフタレート樹脂
フィルムである実質的に酸不透過性の基材フィルム層
と、粘着剤層からなる粘着テープを貼付し、該半導体ウ
エハの裏面をフッ化水素酸及び王水から選ばれた少なく
とも１種を含む酸に５秒間〜２０分間浸漬して、５〜６
０℃において酸処理することを特徴とする半導体ウエハ
裏面のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11450491A JP3204679B2 (ja) | 1990-05-25 | 1991-05-20 | 半導体ウエハ裏面のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13420590 | 1990-05-25 | ||
| JP2-134205 | 1990-12-28 | ||
| JP2-409117 | 1990-12-28 | ||
| JP40911790 | 1990-12-28 | ||
| JP11450491A JP3204679B2 (ja) | 1990-05-25 | 1991-05-20 | 半導体ウエハ裏面のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04251931A JPH04251931A (ja) | 1992-09-08 |
| JP3204679B2 true JP3204679B2 (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=27312742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11450491A Expired - Fee Related JP3204679B2 (ja) | 1990-05-25 | 1991-05-20 | 半導体ウエハ裏面のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3204679B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102558250B1 (ko) * | 2021-06-30 | 2023-07-21 | 한국정보통신주식회사 | 무선 카드단말기에 구비되는 안테나 및 이를 포함하는 무선 카드단말기 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5298117A (en) * | 1993-07-19 | 1994-03-29 | At&T Bell Laboratories | Etching of copper-containing devices |
| US5885717A (en) * | 1998-01-15 | 1999-03-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Circuit protection film |
| JP5019160B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2012-09-05 | 信越半導体株式会社 | 発光素子の製造方法 |
-
1991
- 1991-05-20 JP JP11450491A patent/JP3204679B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 三羽忠広「基礎合成樹脂の化学＜新版＞」（昭５０−１１−２０）技報堂出版 ｐ．１２３及びｐ．２８５ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102558250B1 (ko) * | 2021-06-30 | 2023-07-21 | 한국정보통신주식회사 | 무선 카드단말기에 구비되는 안테나 및 이를 포함하는 무선 카드단말기 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04251931A (ja) | 1992-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO1985005734A1 (en) | Film for machining wafers | |
| US5690749A (en) | Method for removing sub-micron particles from a semiconductor wafer surface by exposing the wafer surface to clean room adhesive tape material | |
| US6159827A (en) | Preparation process of semiconductor wafer | |
| US8425713B2 (en) | Bonding apparatus, method for preventing dissolving of adhesive agent, and bonding method | |
| JPH09148280A (ja) | Ｕｖ過敏テープを用いてウェーハの裏面を研磨する半導体素子の製造方法 | |
| KR20130103316A (ko) | 포토레지스트막, 및 연마 식각 및 절삭 방법 | |
| TW526552B (en) | Post-etching alkaline treatment process | |
| JP3204679B2 (ja) | 半導体ウエハ裏面のエッチング方法 | |
| JPH08148452A (ja) | 基板表面保護テープ及び基板裏面研削方法 | |
| JPH02220838A (ja) | 積層体、並びに該積層体を用いた被研磨部材の保持材及び研磨布 | |
| EP1122767B1 (en) | Wafer polishing method and cleaning method using a protection film | |
| JPH04297056A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0811788B2 (ja) | 半導体ウエハの保護部材 | |
| JPS6152237B2 (ja) | ||
| JP3169407B2 (ja) | 半導体ウェハ裏面の金属蒸着方法 | |
| JP2000003892A (ja) | 半導体ウエハの製造方法 | |
| JPS61158145A (ja) | 半導体基板の加工方法 | |
| JP3800996B2 (ja) | 基板表面の局所分析方法 | |
| JPH0618190B2 (ja) | ウエハ加工用フイルム | |
| JP4958287B2 (ja) | 剥がし装置における剥離方法 | |
| JP3094488B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002141311A (ja) | ウェーハの研磨方法及びウェーハの洗浄方法 | |
| JP3255103B2 (ja) | シリコンウエーハの保管用水及び保管する方法 | |
| JPH0582492A (ja) | 半導体ウエハー裏面の研削方法 | |
| JPS63127531A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |