JP2000003892A

JP2000003892A - 半導体ウエハの製造方法

Info

Publication number: JP2000003892A
Application number: JP9831399A
Authority: JP
Inventors: Makoto Kataoka; 片岡　　真; Yasuhisa Fujii; 藤井　　靖久; Kentaro Hirai; 健太郎平井; Hideki Fukumoto; 英樹福本; Masatoshi Kumagai; 誠敏熊谷
Original assignee: Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 1998-04-13
Filing date: 1999-04-06
Publication date: 2000-01-07

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体ウエハの裏面研削時、及び半導体ウエ
ハ表面から半導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離す
る際のウエハの破損を防止し、且つ、作業時間の短縮を
図ることができる半導体ウエハの製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハの表面に粘着テープを貼着
し、研削機を用いて半導体ウエハの裏面を研削した後、
粘着テープを剥離し、さらに半導体ウエハの表面を洗浄
する半導体ウエハの製造方法であって、粘着テープとし
て熱収縮性を有する粘着テープを用い、且つ、半導体ウ
エハの裏面を研削した後、ウエハ洗浄機において５０〜
９９℃の温水を注水して粘着テープを剥離し、引き続き
ウエハ洗浄機において半導体ウエハを洗浄することを特
徴とする半導体ウエハの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの製
造方法に関する。詳しくは、シリコンウエハ等の半導体
ウエハの集積回路が組み込まれた側の面（以下、ウエハ
表面という）に、熱収縮性を有する表面保護用粘着テー
プを貼着し、半導体ウエハの集積回路の組み込まれてい
ない側の面（以下、ウエハ裏面という）を研削し、次い
で、ウエハ洗浄機において該粘着テープに温水を注水し
てウエハ表面から該粘着テープを剥離し、引続きウエハ
洗浄機において半導体ウエハを洗浄する半導体ウエハの
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、半導体集積回路（以下、ＩＣとい
う）は、高純度シリコン単結晶等をスライスして半導体
ウエハとした後、その表面にエッチング加工等の手段に
より集積回路を組み込み、さらにウエハ裏面を研削した
後、ダイシングしてチップ化する方法で製造されてい
る。

【０００３】これらの工程の中に、半導体ウエハの表面
にＩＣを組み込んだ後、ウエハを任意の厚さまで薄くす
るためにウエハ裏面を研削する工程がある。この工程に
おいて、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ（以下、粘
着テープという）は、ウエハ表面に貼着して使用され
る。半導体ウエハ裏面の研削後、粘着テープは、剥離装
置によってウエハ表面から剥離される。剥離する方法と
して、例えば、特開平２一２８９５０号公報には、半導
体ウエハ表面に貼着された粘着テープの基材フィルム表
面に剥離テープと称する強粘着力を有するテープを貼着
け、その粘着力を利用して、粘着テープを剥離する方法
が開示されている。

【０００４】粘着テープが剥離された後の半導体ウエハ
表面には、粘着テープの粘着剤層から微量の不純物が転
着している。そのため、半導体ウエハは、洗浄機におい
て、イソプロピルアルコール、アセトン等の有機溶剤、
純水等によって洗浄される。一般的には純水が用いられ
る。純水を用いる洗浄方法には、幾つかの方法がある。
例えば、ウエハ１枚ずつに純水を注水する方法（枚葉
式）、２５枚入り程度のカセットに装入されたウエハを
純水がオーバーフローしている水槽に浸漬する方法（カ
セット式）等が挙げられる。

【０００５】通常、半導体ウエハの裏面研削時間は、ウ
エハ１００枚当たり１００〜２４０分間程度である。粘
着テープの剥離時間は、ウエハ１００枚当たり１４０〜
２００分間程度である。粘着テープを剥離した後に実施
される半導体ウエハの洗浄時間は、ウエハ１００枚当た
り１４０〜６００分間程度である。

【０００６】近年、半導体チップの小型化が図られるに
つれて、ウエハが薄型化される傾向がある。従来、裏面
研削後のウエハの厚さが２００〜４００μｍ程度であっ
たものが、１５０μｍ程度まで薄くなっている。また、
サイズ（直径）についても、最大８インチであったもの
が１２インチ、さらには１６インチへと大型化される傾
向にある。このような薄型化、大型化が進むのに伴い、
半導体ウエハは、裏面が研削されたときに大きく反るこ
とがある。半導体ウエハの表面に粘着テープが貼着され
た状態では、テープの張力によりその傾向はさらに強く
なる。そのため、半導体ウエハ表面から粘着テープを剥
離する際に、半導体ウエハが破損し易くなる。また、ウ
エハの裏面研削工程から粘着テープの剥離工程への搬
送、テープ剥離工程からウエハ洗浄工程への搬送等、工
程間の搬送中にも振動等によりウエハが破損し易くな
る。

【０００７】半導体ウエハ表面から粘着テープを剥離す
る際にウエハが破損することを防止するために、剥離性
を改善した表面保護用粘着テープが提案されている。例
えば、特開昭６０−１８９９３８号公報には、半導体ウ
エハの裏面を研削する際、光透過性の支持体とこの支持
体上に設けられた光照射により硬化し三次元網状化する
性質を有する感圧性接着剤からなる粘着テープをウエハ
表面に貼着し、研磨後にこの粘着テープに光照射し、ウ
エハを破損させることなく剥離する方法が開示されてい
る。

【０００８】しかし、該発明に開示されている、感圧性
接着剤（粘着剤）は、ラジカル重合により重合する粘着
剤であるため、ウエハと粘着剤層の間に酸素が入り込ん
だ場合は、酸素の重合禁止効果により硬化反応が十分に
進まず、ウエハ表面から粘着テープを剥離する際に、凝
集力の低い未硬化の粘着剤がウエハ表面に残存し、ウエ
ハ表面を汚染することがある。半導体ウエハ表面には、
集積回路が組み込まれているため、複雑な凹凸が存在
し、空気（酸素）を全く入り込ませること無く、粘着フ
ィルムを貼着することは極めて困難である。また、貼着
のために酸素を除いた系を作り出すには新たに装置を設
置する必要がある。このような粘着剤に起因する汚染
は、有機溶剤等による洗浄で除去できる場合もあるが、
ほとんどの場合、完全に除去できないのが現状である。
この方法では、剥離工程から洗浄工程へ搬送する際に、
ウエハの破損が起こり易い。また、剥離工程及び洗浄工
程が必要であるので、作業時間の短縮に関して何ら効果
を見いだすことができない。

【０００９】特開平８−２２２５３５号公報には、２５
℃における収縮率が５％未満、５０〜８０℃の温水に浸
漬したときの収縮率が５〜５０％であるエチレン−酢酸
ビニル共重合体延伸フィルムの片表面に粘着剤層が形成
された半導体ウエハ表面保護用粘着テープの使用方法が
開示されている。その概要は、半導体ウエハの表面に前
記粘着テープを貼着して、該ウエハの裏面を研削した
後、５０〜８０℃の温水に浸漬して、該ウエハの表面か
ら前記粘着テープを剥離する方法である。しかし、温水
に浸漬する方法は、例えば、剥離機のチャックテーブル
等に半導体ウエハの裏面を固定することができない。そ
のため、半導体ウエハを粘着テープの剥離応力から保護
することが困難であり、粘着テープを剥離する際に、ウ
エハが破損することを完全には防止することができな
い。

【００１０】近年、半導体ウエハの大型化、薄型化、お
よびＩＣの高性能化が進むにつれて、半導体ウエハ表面
への汚染が少なく、且つ、ウエハ裏面の研削時、及び粘
着テープの剥離時にウエハを破損せず、作業時間が短縮
できる半導体ウエハの製造方法が望まれている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点に鑑み、半導体ウエハの裏面研削後、半導体ウエ
ハ表面から半導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離す
る際のウエハの破損を防止し、且つ、作業時間の短縮を
図ることができる半導体ウエハの製造方法を提供するこ
とにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するために、鋭意検討した結果、熱収縮性を有す
る表面保護用粘着テープを採用し、それをウエハ表面に
貼着し、半導体ウエハ裏面研削装置で裏面研削を行った
後、表面保護用粘着テープを剥離せずに洗浄工程へ搬送
し、洗浄機において粘着テープに温水を注水し、加熱、
収縮させることにより、半導体ウエハを破損することな
く粘着テープを容易に剥離することができ、且つ、従来
のテープ剥離工程が省略できることを見出し、本発明を
完成した。

【００１３】すなわち、本発明は、半導体ウエハの表面
に粘着テープを貼着し、研削機を用いて半導体ウエハの
裏面を研削した後、粘着テープを剥離し、さらに半導体
ウエハの表面を洗浄する半導体ウエハの製造方法であっ
て、粘着テープとして熱収縮性を有する粘着テープを用
い、且つ、半導体ウエハの裏面を研削した後、ウエハ洗
浄機において５０〜９９℃の温水を注水して粘着テープ
を剥離し、引き続きウエハ洗浄機において半導体ウエハ
表面を洗浄することを特徴とする半導体ウエハの製造方
法である。

【００１４】本発明によれば、直径が６〜１６インチで
ある半導体ウエハを厚みが８０〜４００μｍ程度になる
まで裏面研削する場合であっても、半導体ウエハ表面保
護用粘着テープを剥離する際に、半導体ウエハが破損す
ることがない。また、洗浄機内で粘着テープを剥離する
と共に、ウエハの洗浄を行う方法であるため、従来の剥
離工程を省略することができるだけでなく、剥離工程か
ら洗浄工程への工程間搬送をも省略することができる。
従って、本発明によれば、半導体ウエハの破損等による
不良率の低下、及びウエハの裏面研削から洗浄に至る一
連の作業時間の短縮が可能である。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の概要は、半導体ウエハの表面保護用粘着
テープ（以下、粘着テープという）の粘着剤層から剥離
フィルムを剥離し、粘着剤層の表面を露出させ、その粘
着剤層を介して、半導体ウエハの集積回路が組み込まれ
た側の面（ウエハ表面）に粘着テープを貼着する。次い
で、研削機のチャックテーブル等に粘着テープの基材フ
ィルム層を介して半導体ウエハを固定し、半導体ウエハ
の裏面を研削する。研削が終了した後、粘着テープを剥
離せずに半導体ウエハを洗浄機へ搬送する。ウエハ洗浄
機内において、ウエハの裏面をチャックテーブルに固定
し、固定した状態のまま５０〜９９℃（好ましくは５０
〜８０℃）の温水を粘着テープに注水することにより粘
着テープを剥離する。引き続いて、ウエハ洗浄機内で半
導体ウエハの表面を洗浄する。その後、ウエハを洗浄機
から取り出し、カセット等に収納してダイシング工程等
の次工程へ搬送する。

【００１６】本発明に使用する粘着テープは、熱収縮性
を有する基材フィルムの片表面に粘着剤層が形成された
ものである。保存、輸送等する間、粘着剤層を保護する
ため、粘着剤層の表面に、セパレーターと称する剥離フ
ィルムが貼着されているものが好ましい。

【００１７】粘着テープの製造方法は、先ず、剥離フィ
ルムの片表面に、粘着剤ポリマー、架橋剤等を含む粘着
剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成する。得られ
た粘着剤層を熱収縮性を有する基材フィルムの表面に転
着する。熱収縮性を有する基材フィルムとしては、５０
〜９９℃、好ましくは５０〜８０℃における１軸方向ま
たは２軸（縱、横）方向の収縮率が５〜５０％であるも
のが好ましい。

【００１８】上記剥離フィルムは、本質的には、表面張
力の絶対値が如何なる値であっても基材フィルムのそれ
よりも低い表面張力を有するフィルムであればよい。ま
た、剥離フィルムの耐熱性は、その表面に塗布された粘
着剤の乾燥性に影響する。耐熱性が低いと、粘着剤の乾
燥温度を低くする必要があり、乾燥に長時問を要する。
また、例えば、乾燥炉内で剥離フィルムが熱収縮を起こ
すことがあり剥離フィルムにしわが発生する等の不具合
が生じ、均一な厚みを有する粘着剤層が形成されないこ
とがある。かかる観点から、剥離フィルムは、所定の耐
熱性を有することが好ましい。耐熱性の判断基準とし
て、１００℃以上のビカット軟化点を有することが好ま
しい。上記条件を満たす限り、剥離フィルムの種類には
特に制限はない。単層フィルムであっても、また、積層
フィルムであってもよく、市販品の中から適宜選択でき
る。

【００１９】具体的な剥離フィルムの例としては、高密
度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリアミド系樹脂等、またはそれらの混合物
から製造されたフィルムが挙げられる。好ましくは、高
密度ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムお
よぴポリエチレンテレフタレートフィルム等が挙げられ
る。これらのフィルムの製造方法には特に制限はなく、
押出成形法、カレンダー成形法等公知の方法で製造され
たもので差支えない。また、成形温度は、原料樹脂のガ
ラス転移点または軟化点以上、分解温度未満の温度であ
れば差支えない。

【００２０】また、粘着剤層の剥離フィルムからの剥離
応力を小さくする目的で、剥離フィルムの粘着剤を塗布
する表面に粘着剤層を汚染しない範囲において、シリコ
ーン系等の剥離剤を塗布してもよい。剥離フィルムの厚
さは、乾燥条件、粘着剤層の種類および厚さ、または粘
着テープの加工条件、加工方法等により異なるが、通常
１０〜１０００μｍである。好ましくは２０〜１００μ
ｍである。

【００２１】粘着テープの熱収縮性は、半導体ウエハの
表面からの剥離性に影響する。収縮率が低すぎると、加
熱時に剥離不良が生じたり、剥離に長時間を要すること
がある。また、収縮率が高すぎると、保管時の経時変化
により粘着テープが変形し、ウエハ表面に粘着テープを
貼着する際の作業性が低下する。かかる観点から、５０
〜９９℃、好ましくは５０〜８０℃における、粘着テー
プの熱収縮率は５〜５０％であることが好ましい。上記
温度範囲の少なくとも１点において、上記の熱収縮性を
示すテープであればよい。

【００２２】粘着テープを構成する基材フィルムの材質
の種類は特に制限はない。具体的に例示するならば、エ
チレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メタクリル酸
共重合体、ポリブタジエン共重合体、ポリブタジエン、
軟質塩化ビニル樹脂、ポリオレフィン、ポリエステル、
ポリアミド、アイオノマー等の樹脂、およびそれらの共
重合体エラストマー、およびジエン系樹脂、ニトリル系
樹脂、アクリル系樹脂等のフィルムが挙げられる。基材
フィルムは、単層体でもあっても、積層体であってもよ
い。

【００２３】但し、ウエハ裏面研削中の半導体ウエハの
破損防止を考慮すると、ＡＳＴＭ−Ｄ−２２４０に規定
されたショアＤ型硬度が４０以下である樹脂をフィルム
状に成形加工した弾性を有するフィルム、例えば、エチ
レン−酢酸ビニル共重合体（以下、ＥＶＡという）フィ
ルム、ポリブタジエンフィルム等が好ましく用いられ
る。この場合、基材フィルムの粘着剤層が設けられる面
の反対側の面に、これより硬いフィルム、具体的には、
ショアＤ型硬度が４０を超える樹脂をフィルム状に成形
加工した熱収縮性を有するフィルムを積層することが好
ましい。そのことにより、粘着テープの剛性が増し、貼
付作業性及び剥離作業性が改善される。

【００２４】基材フィルムの厚みは、保護する半導体ウ
エハの形状、表面状態、研削方法、研削条件あるいは粘
着テープの切断、貼着等の作業性により適宜決められ
る。通常、基材フィルムの厚みは、１０〜１０００μｍ
である。好ましくは１００〜３００μｍである。

【００２５】上記基材フィルムの製造方法には特に制限
はなく、押出成形法、カレンダー成形法等公知の方法で
製造されたもので差支えない。成形温度は、原料樹脂の
ガラス転移点または軟化点以上、分解温度未満の温度範
囲で差支えない。基材フィルムに熱収縮性を付与するた
めに、少なくとも１軸方向に延伸することが好ましい。
延伸倍率は、ウエハ裏面の研削の後、粘着テープをウエ
ハ表面から剥離する際の剥離性、作業性等に影響を及ぼ
す。延伸倍率が低いとウエハ表面から剥離する際に加熱
した場合、基材フィルムの収縮が充分に起こらず、剥離
性、作業性等が低下する。かかる点を考慮すると、延伸
倍率は、１．２倍以上、好ましくは１．５倍以上であ
る。基材フィルムの延伸方向は、フィルムの縦方向また
は横方向に延伸する１軸延伸、フィルムの縦方向および
横方向に延伸する２軸延伸のいずれでもよい。延伸倍率
の上限は、延伸時の破れを考慮すると１０倍程度であ
る。

【００２６】また、延伸方法にも特別な制限はなく、ロ
ール圧延法、ロール延伸法等による縦一軸延伸法、テン
ター機を用いる縦横逐次二軸延伸法、テンター機を用い
る縦横同時二軸延伸法等、公知の延伸方法で差支えな
い。延伸温度は、４０〜７０℃であることが好ましい。
上記のようにして延伸された基材フィルムは、経時的に
収縮が起きないよう熱処理が行われる。熱処理温度は、
４５〜８０℃であることが好ましい。

【００２７】基材フィルムの、少なくとも粘着剤を積層
する面の表面張力は、剥離フィルムの粘着剤層が形成さ
れる側の面の表面張力より高いことが必要である。通
常、基材フィルムは、表面張力の絶対値が如何なる値で
あっても剥離フィルムの表面張力よりも高い表面張力を
有するフィルムであれば用いることができる。基材フィ
ルムは、３５ｄｙｎｅ／ｃｍ以上の表面張力を有するこ
とが好ましい。表面張力が低いと、基材フィルムと粘着
剤層との密着性が低下し、粘着剤層の剥離フィルムから
の転着が良好に行えない。基材フィルムの表面張力を高
くする方法としては、コロナ放電処理等が挙げられる。
粘着剤の組成は、特に制限はなく、市販品の中から適宜
選択できるが、粘着性、塗布性、ウエハ表面の非汚染性
等の点からアクリル系粘着剤が好ましい。一般に、この
ようなアクリル系粘着剤は、アクリル系粘着剤ポリマー
に架橋剤等を含有させることにより調製される。

【００２８】アクリル系粘着剤ポリマーは、アクリル酸
アルキルエステルモノマーおよびカルボキシル基を有す
るモノマーを含むモノマー混合物を共重合して得られ
る。更に、必要に応じてそれらと共重合可能なビニルモ
ノマー、多官能性モノマー、内部架橋性モノマー等を共
重合することができる。

【００２９】アクリル酸アルキルエステルモノマーとし
て、例えば、メチルアクリレート、メチルメタクリレー
ト、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、プロ
ピルアクリレート、プロピルメタクリレート、ブチルア
クリレート、ブチルメタクリレート、ヘキシルアクリレ
ート、へキシルメタクリレート、オクチルアクリレー
ト、オクチルメタクリレート、ノニルアクリレート、ノ
ニルメタクリレート、ドデシルアクリレート、ドデシル
メタクリレート等が挙げられる。これらのモノマーの側
鎖アルキル基は直鎖状でも分岐状でも良い。また、上記
のアクリル酸アルキルエステルモノマーは目的に応じて
二種以上併用しても良い。

【００３０】カルボキシル基を有するモノマーとして
は、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、
イタコン酸、マレイン酸、フマル酸等が挙げられる。ア
クリル酸アルキルエステルモノマーおよびカルボキシル
基を有するモノマーと共重合可能なビニルモノマーとし
ては、例えば、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロ
キシエチルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアクリ
レート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、アクリル
アミド、メタクリルアミド、ジメチルアミノアクリレー
ト、ジメチルアミノメタクリレート、酢酸ビニル、スチ
レン、アクリロニトリル等が挙げられる。

【００３１】粘着剤ポリマーの重合反応機構としては、
ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げら
れる。粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影響お
よび半導体ウエハ表面へのイオンの影響、等を考慮すれ
ばラジカル重合によって重合することが好ましい。ラジ
カル重合開始剤として、ベンゾイルパーオキサイド、ア
セチルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、
オクタノイルパーオキサイド、ジターシャルブチルパー
オキサイド、ジターシャルアミルパーオキサイド等の有
機過酸化物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過
硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、２，２’−アゾビス
イソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチル
ブチロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノバレ
リックアシッド等のアゾ化合物、等が挙げられる。

【００３２】乳化重合法による場合には、これらのラジ
カル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモニウム、
過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、
４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等
の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が好まし
い。半導体ウエハ表面へのイオンの影響を考慮すれば、
４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等
の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物がさらに
好ましい。

【００３３】粘着力および凝集力を調整するため、粘着
剤塗布液には、粘着剤ポリマーが有する官能基と反応し
得る架橋剤を含ませることが好ましい。架橋剤は、架橋
性の官能基を１分子中に２個以上有するものが好まし
い。かかる架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジ
ルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテ
ル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジ
グリセロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポ
リグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリ
シジルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等の
エポキシ系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、
ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロ
パンのトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシ
アネート等のイソシアネート系化合物、トリメチロール
プロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テ
トラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピ
オネート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビ
ス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘ
キサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキ
シアミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス−アジ
リジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−
トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート等
のアジリジン系化合物、及びヘキサメトキシメチロール
メラミン等のメラミン系化合物等が挙げられる。これら
は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよ
い。

【００３４】通常、架橋剤の含有量は、架橋剤中の官能
基数が粘着剤ポリマー中の官能基数よりも多くならない
程度の範囲で添加する。しかし、架橋反応で新たに官能
基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合など、必要に応
じて過剰に含有してもよい。通常、粘着フィルムの粘着
力は、ＳＵＳ−ＢＡ板に対する粘着力に換算すると１０
〜１０００ｇ／２５ｍｍ、好ましくは３０〜６００ｇ／
２５ｍｍ程度である。ウエハ裏面の研削条件、ウエハの
直径、研削後のウエハの厚み等を勘案して上記範囲に調
整する。目安としては、粘着剤ポリマー１００重量部に
対し架橋剤０．１〜３０重量部を添加する。好ましくは
０．３〜１５重量部である。

【００３５】また、ウエハ表面を汚染しない程度に、粘
着剤には、界面活性剤等を添加することも可能である。
添加する界面活性剤は、ウエハ表面を汚染しないもので
あれば、ノニオン性でもアニオン性でも使用することが
できる。ノニオン性界面活性剤として、ポリオキシエチ
レンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノ
ニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエ
ーテル等が挙げられる。アニオン性界面活性剤として、
アルキルジフェニールエーテルジスルフォネートおよび
その塩、ビスナフタレンスルフォネートおよびその塩、
ポリオキシエチレンアルキルスルホコハク酸エステルお
よびその塩、ポリオキシエチレンフェニルエーテルの硫
酸エステルおよびその塩、等が挙げられる。

【００３６】界面活性剤は、単独で使用してもよいし、
２種以上を併用してもよい。界面活性剤の含有量は、粘
着剤ポリマーと架橋剤の合計重量、すなわち、架橋した
粘着剤ポリマー１００重量部に対して０．０５〜５重量
部が好ましい。より好ましくは０．０５〜３重量部であ
る。

【００３７】基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面
に粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗
布方法、例えばロールコーター法、グラビアロール法、
バーコート法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥
条件には特に制限はないが、一般的には、８０〜２００
℃の温度範囲において１０秒〜１０分間乾燥することが
好ましい。さらに好ましくは、８０〜１７０℃において
１５秒〜５分間乾燥することである。粘着剤層の厚み
は、半導体ウエハの表面状態、形状、裏面の研削方法等
により適宜決められる。半導体ウエハの裏面を研削して
いる時の粘着力、研削が完了した後の剥離性等を勘案す
ると、２〜１００μｍ程度である。好ましくは、５〜７
０μｍ程度である。

【００３８】上記のようにして剥離フィルムの表面に粘
着剤層を形成した後、該粘着剤層の表面に上記基材フィ
ルムを積層し、押圧して粘着剤層を基材フィルムの表面
に転着する。転着する方法は、公知の方法で差しつかえ
ない。例えば、剥離フィルムの表面に形成された粘着剤
層の表面に基材フィルムを重ねて、それらをニップロー
ルに通引して押圧する方法等が挙げられる。粘着剤層の
表面から剥離フィルムを剥離するのは、粘着テープとし
て使用する直前が好ましい。こうして得られる粘着テー
プは、ロール状とするか、または、所定の形状に切断し
た後、保管、輸送等に供される。

【００３９】次いで、上記の如き粘着テープを半導体ウ
エハの表面に貼着してからダイシング工程に到るまでの
一連の半導体ウエハの製造方法について詳細に説明す
る。

【００４０】本発明では、粘着テープはその粘着剤層を
介して半導体ウエハ表面に貼着される。この操作は、人
手により行われる場合もあるが、通常、ロール状の粘着
テープを取り付けた自動貼り機と称される装置によって
行われる。自動貼り機として、例えば、タカトリ（株）
製、形式：ＡＴＭ−１０００Ｂ、同ＡＴＭ−１１００、
帝国精機（株）製、形式：ＳＴＬシリーズ等がある。

【００４１】そして、半導体ウエハは、粘着テープの基
材フィルム層を介してウエハ裏面研削機のチャックテー
ブル等に固定される。次いで、研削機によりウエハ裏面
が所定の厚さまで研削される。研削の際に、研削面に冷
却水が注水されることが一般的である。裏面研削方式と
しては、スルーフィード方式、インフィード方式等の公
知の研削方式が採用される。半導体ウエハの厚みは、裏
面研削前が５００〜１０００μｍであったものが、裏面
研削後には８０〜４００μｍ、好ましくは８０〜２００
μｍ程度になるまで研削される。通常、研削する前の半
導体ウエハの厚みは、ウエハの直径、種類等により適宜
決められ、研削後の厚みは、得られるチップの大きさ、
ＩＣの種類、等により適宜決められる。研削が終了した
後、研削面に純水を注水する等して研削屑等を除去す
る。その後、カセットに収納して洗浄機へ搬送する。

【００４２】洗浄機において、半導体ウエハの裏面をチ
ャックテーブルに固定する。粘着テープに温水を注水し
て加熱し、基材フィルムを収縮させることにより、ウエ
ハ表面から粘着テープを剥離する。剥離した粘着テープ
は、温水を注水しながらチャックテーブルを回転する方
法、温水を注水した後、チャックテーブルを回転する方
法、強く注水する方法、等によって、ウエハ表面から除
去される。その他、専用治具を用いて除去する方法もあ
る。粘着テープを除去した後、さらに、洗浄機内におい
て、ウエハ表面の洗浄を行う。最後に、ウエハを高速回
転する等の方法で乾燥することにより、一連の工程が終
了する。その後、ダイシング工程等の次工程へ搬送す
る。

【００４３】上記工程において、ウエハの裏面を研削し
た後、粘着テープを剥離する前に、ウエハの裏面をケミ
カルエッチングすることもある。ケミカルエッチング工
程では、硝酸、フッ酸、混酸等を用いて、研削されたウ
エハの裏面をエッチング処理する。

【００４４】ここで粘着テープを剥離した状態とは、ウ
エハ表面に貼着した粘着テープが、ウエハ表面の２０％
以上にわたって剥離した状態をいう。本発明において
は、加熱手段として温水を注水する方法を用いる為、剥
離状態でない部分においても、ウエハ表面と粘着剤層の
界面の大部分に温水が浸入することとなり、粘着剤層と
ウエハ表面の粘着力は低下した状態になっている。

【００４５】本発明において、熱収縮性を有する粘着テ
ープを剥離する際に、半導体ウエハの裏面を洗浄機のチ
ャックテーブルに固定した状態で温水を注水することが
好ましい。チャックテーブルに固定する事により、半導
体ウエハが補強される。そのため、粘着テープの剥離応
力により半導体ウエハが破損することを防ぐことが出来
る。特に、半導体ウエハが大型化、薄型化された場合に
は、洗浄機のチャックテーブルに半導体ウエハをしっか
りと固定、補強することが好ましい。

【００４６】チャックテーブルとしては、通常、円盤上
の保持部を持つものが採用される。固定方法としては、
半導体ウエハの裏面を確実に保持、補強することを考慮
すると、真空吸着方式が好ましい。真空吸着方式の好ま
しい真空度は−１００〜−７２０ｍｍＨｇである。より
好ましくは−３００〜−７２０ｍｍＨｇである。チャッ
クテーブルの吸着面の面積は、大きい方が好ましい。半
導体ウエハの直径、厚み等により異なるが、通常、半導
体ウエハの裏面面積の１５％以上である。好ましくは２
５％以上、より好ましくは５０％以上である。吸着面積
の上限は、半導体ウエハの裏面を１００％保持できる程
度の大きさである。吸着場所は、半導体ウエハのほぼ中
心部である。さらに、研削後の半導体ウエハをバランス
良く保持するには、吸着面は円形のものが好ましい。

【００４７】通常、半導体ウエハの裏面を研削した後、
その表面から粘着テープを剥離する場合、最も破損が起
こり易い個所は半導体ウエハの中心部である。本発明に
おいては、半導体ウエハの中心部が前記のチャックテー
ブルにより固定、補強されている為、半導体ウエハの破
損は生じない。一方、例えば、温水浴等に浸漬する方法
によって、加熱、剥離する場合、剥離機のチャックテー
ブルにより固定することができないため、半導体ウエハ
の破損防止を図ることは困難である。

【００４８】粘着テープを剥離した後、ウエハ表面を洗
浄、乾燥することを考慮すると、チャックテーブルは、
回転式のものが好ましく用いられる。この様な回転式の
ものは、スピンチャック、回転式真空吸着アーム等と称
される。スピンチャックを用いる場合、スピンチャック
の回転数は、目的に応じて変えることが好ましい。具体
的には、粘着テープの剥離時の回転数は５〜２０００ｒ
ｐｍ、ウエハの洗浄時の回転数は１０〜５０００ｒｐ
ｍ、ウエハの乾燥時の回転数は５００〜１００００ｒｐ
ｍが好ましい。

【００４９】粘着テープを剥離する際の温水注水量は、
粘着テープの剥離性に影響を及ぼす。半導体ウエハの種
類、粘着テープの特性、温水の温度等により異なるが、
通常、１００〜５０００ｍｌ／ｍｉｎ．である。注水時
間も剥離性に影響を及ぼす。注水時間は、基材フィルム
の延伸倍率、および温水の温度によって異なるが１〜６
０秒間、好ましくは１０〜３０秒間である。

【００５０】温水は、純水、脱イオン水、蒸留水等を所
定の温度に加熱したものを用いる。温水の温度は、基材
フィルムの延伸倍率、粘着テープの粘着力等によって異
なる。通常、５０〜９９℃である。好ましくは５０〜８
０℃の範囲である。

【００５１】温水の注水方法は、粘着テープとウエハ表
面の界面に温水を浸入させることができる方法が好まし
い。かかる方法として、粘着テープの端部に注水する方
法が挙げられる。また、温水を効率良く供給することを
考慮すれば、チャックテーブルとしてスピンチャックを
用い、半導体ウエハを回転させながら供給することが好
ましい。温水を注水する際の好ましい回転数は５〜２０
００ｒｐｍである。また、スピンチャックを用いて半導
体ウエハを回転する際の詳細な条件としては、注水開始
時には半導体ウエハを回転せず、途中から回転する方
法、注水途中で回転数を変える方法等、粘着テープの性
質、温水の温度、注水量、半導体ウエハの直径、厚み等
を考慮して適宜選定される。さらに、注水の際には、ウ
エハの裏面研削時に発生した研削屑がウエハ表面を汚染
しないように注水場所、温度、量、時間、等を適宜変化
することが好ましい。

【００５２】粘着テープを剥離した後、引き続き洗浄機
内でウエハ表面の洗浄を行う。ウエハ表面の洗浄は、洗
浄液をウエハ表面へ供給することにより行われる。洗浄
液としては、粘着テープの剥離時に使用する温水、従来
から表面洗浄に使用されてきた純水、イソプロピルアル
コール等のアルコール類、アセトン、レジスト除去剤、
およびそれらの混合物等が好ましく用いられる。また、
２種類以上の洗浄液を逐次供給することもできる。洗浄
の際、半導体ウエハを回転させながら洗浄液を供給する
ことが好ましい。また、さらに超音波洗浄を併用すれ
ば、洗浄の効果がより一層向上する。洗浄液の供給量
は、１００〜５０００ｍｌ／ｍｉｎ.であることが好ま
しい。また、洗浄時間は、好ましくは１０秒〜１０分で
ある。さらに、洗浄時の半導体ウエハを回転させる場
合、好ましい回転数は１０〜５０００ｒｐｍである。

【００５３】ウエハ表面を洗浄した後、半導体ウエハの
表面は乾燥される。乾燥方式としては、通常、スピン乾
燥が採用される。スピン乾燥の際の回転数は、好ましく
は５００〜１００００ｒｐｍである。乾燥後、半導体ウ
エハはカセットケースに収納され、ダイシング工程等の
次工程へ搬送される。本発明が適用できる半導体ウエハ
のサイズは、直径が６〜１６インチの大型のものであ
る。好ましくは、直径が６〜１２インチのものである。

【００５４】

【実施例】以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定され
るものではない。尚、実施例に示した各種特性値は下記
の方法で測定した。

【００５５】（１）粘着テープの収縮率（％）粘着テープの任意の箇所を選択し、縦横それぞれ１０ｃ
ｍの正方形の試料片を１５枚作成する。試料片から剥離
フィルムを剥離した後、２５℃、５０℃及び８０℃の空
気オーブン中で１分間加熱した後、室温で５分間放置す
る。縦方向（機械方向）の試料片の長さを測定して、加
熱前後の長さから収縮率を求める。各条件において５回
測定してその平均値を求める。収縮率は次のようにして
算出する。収縮率（％）＝｛（Ｌ₁−Ｌ₂）／Ｌ₁｝×１
００（％）、ここで、Ｌ₁：加熱前の長さ、Ｌ₂：加熱後
の長さ。

【００５６】（２）ＥＳＣＡによるウエハ表面汚染の測
定実施例で用いた８インチシリコンミラーウエハをスクラ
イブラインに沿ってダイアモンドカッターで表面を汚染
しないように一辺の長さが１ｃｍの正方形に切断した。
切断したウエハの表面をＥＳＣＡを用いて下記の条件で
測定し、珪素に対する炭素の比（以下、Ｃ／Ｓｉ比とい
う）を求め、有機物によるシリコンウエハの汚染状況を
調べる。＜ＥＳＣＡ測定条件及びＣ／Ｓｉ比算出法＞Ｘ線源：ＭｇＫα線（１２５３．６ｅＶ）、Ｘ線出力：
３００Ｗ、測定真空度：２×１０^-7Ｐａ以下、Ｃ／Ｓ
ｉ：（炭素のピーク面積）／（珪素のピーク面積）＜Ｃ／Ｓｉ比の評価方法＞試料（粘着テープ）を貼着す
る前のシリコンミラーウエハ表面のＣ／Ｓｉ値は０．１
０（プランク値）である。従って、試料を貼着した後の
シリコンミラーウエハ表面のＣ／Ｓｉ値が０．１０〜
０．１２程度のものを汚染無し、それを超えるものを汚
染有りと判定する。

【００５７】（３）粘着力（ｇ／２５ｍｍ）下記に示した条件以外は、ＪＩＳＺ−０２３７−１９
９１に規定される方法によった。２３℃において、試料
（粘着テープ）の粘着剤層を介して、横：５ｃｍ、縦：
２０ｃｍのＳＵＳ−ＢＡ板の表面に貼着し、１時間放置
する。試料の一端を侠持し、剥離角度１８０°、剥離速
度３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ−ＢＡ板から試料を剥
離する際の応力を測定し、ｇ／２５ｍｍに換算する。

【００５８】実施例１重合反応機に脱イオン水１４８重量部、アニオン性界面
活性剤としてポリオキシエチレンノニルフェニルエーテ
ルサルフェートのアンモニウム塩〔日本乳化剤（株）
製、商品名：Ｎｅｗｃｏｌ−５６０ＳＦ、５０重量％水
溶液〕２重量部（界面活性剤純分として１重量部）、重
合開始剤として過硫酸アンモニウム０．５重量部、アク
リル酸ブチル７４重量部、メタクリル酸メチル１４重量
部、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル９重量部、メ
タクリル酸２重量部、アクリルアミド１重量部を添加
し、攪枠下で７０℃において９時間乳化重合を実施し、
アクリル樹脂系水エマルジョンを得た。これを１４重量
％アンモニア水で中和し、固形分約４０重量％の粘着剤
ポリマー（主剤）エマルジョンを得た。得られた粘着剤
主剤ヱマルジョン１００重量部（粘着剤ポリマー濃度約
４０重量％）を採取し、さらに１４重量％アンモニア水
を加えてｐＨ９．３に調整した。次いで、アジリジン系
架橋剤〔日本触媒化学工業（株）製、ケミタイトＰｚ−
３３〕２重量部、および製膜助剤としてジエチレングリ
コールモノブチルエーテル５重量部を添加して粘着剤塗
布液を得た。

【００５９】Ｔダイ押出法にて製膜された厚さ５０μ
ｍ、ビカット軟化点１４０℃、片表面の表面張力が３０
ｄｙｎｅ／ｃｍであるポリプロピレンフィルムを剥離フ
ィルムとして用い、ロールコーター法により該剥離フィ
ルムの該片表面に上記方法により得られたアクリル系樹
脂水エマルジョン型粘着剤を塗布し、１００℃において
６０秒間乾燥し、剥離フィルムの表面に厚さ１０μｍの
アクリル系粘看剤層を設けた。

【００６０】Ｔダイ押出法により製膜された未延伸エチ
レン−酢酸ビニル共重合体（以下、ＥＶＡという）フィ
ルムを５０℃において縦方向に３．０倍延伸し、さらに
６０℃で熱固定し、厚さ１２０μｍの一軸延伸ＥＶＡフ
ィルムとした。該一軸延伸ＥＶＡフィルムの片面にコロ
ナ放電処理を施し、表面張力を５０ｄｙｎｅ／ｃｍと
し、これを基材フィルムとして用いた。

【００６１】剥離フィルムの表面に設けられたアクリル
系粘着剤層の表面に基材フィルムのコロナ放電処理面を
重ね合わせて積層し、２ｋｇ／ｃｍ²の圧力で押圧し、
該粘着剤層を基材フィルムの表面に転着させて、粘着力
２００ｇ／２５ｍｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テー
プを得た。該粘着テープの各温度における熱収縮率を上
記測定法により測定した結果を〔表１〕に示す。

【００６２】半導体ウエハとして、径８インチ、厚み７
００μｍのミラーウエハ（深さ２μｍ、幅１００μｍの
スクライブラインが１ｃｍ間隔で縦横に端部まで入った
もの）を用いた。得られた粘着テープをミラーウエハの
スクライブラインが存在する面に貼着し、ウエハの外周
部に合わせて余剰部分を切り取った。５０枚のミラーウ
エハに貼着した。粘着テープが貼着されたミラーウエハ
を裏面研削機へ供した。研削機内では、最初に研削速度
３００μｍ／分で１７０μｍまで粗研削し、次いで、研
削速度２０μｍ／分で１５０μｍまで仕上げ研削し、最
後に裏面洗浄を実施した。洗浄後、ミラーウエハをカセ
ットに収納した。カセットに収納する際に、ミラーウエ
ハがカセット収納口に接触して２枚破損した。研削開始
から収納までに要した時間は１００分間であった。

【００６３】粘着テープが貼着された状態の裏面研削さ
れたミラーウエハをカセット毎、枚葉式のウエハ洗浄機
へ搬送した。洗浄機において、スピンチャック（円形、
直径：６インチ、真空度：−６００ｍｍＨｇ）でミラー
ウエハの裏面を固定し、該ウエハを１２ｒｐｍで回転さ
せながら、６０℃の温水（純水）を３０００ｍｌ／ｍｉ
ｎ．で粘着テープの端部に１０秒間注水した。次いで、
ウエハを５００ｒｐｍで回転させながら、さらに１０秒
間注水し、粘着テープを剥離した。剥離した粘着テープ
は、ウエハ回転中にウエハ表面から除去された。

【００６４】粘着テープを剥離した後、引き続き洗浄機
においてミラーウエハを１０００ｒｐｍで回転させなが
ら、該ウエハの表面に２０℃の純水を５００ｍｌ／ｍｉ
ｎ．で１分間注水し、さらに、純水に約１．５ＭＨｚの
超音波をかけて８００ｍｌ／ｍｉｎ．で１分間注水し
た。その後、３０００ｒｐｍで回転させて乾燥した。乾
燥後ウエハをカセットに収納した。裏面研削終了から洗
浄後にミラーウエハをカセットに収納するまでの所要時
間は１３５分であった。洗浄機への搬送以降の工程にお
いて、ウエハの破損は皆無であった。カセットに収納さ
れた８インチミラーウエハの表面汚染状況の測定を上記
方法で行った。得られた結果を〔表１〕に示す。

【００６５】実施例２半導体ウエハとして、径６インチ、厚み６００μｍのミ
ラーウエハ（スクライブラインは実施例１と同様）を使
用し、粗研削後の厚みを１３０μｍ、仕上研削後の厚み
を９０μｍとした以外は、実施例１と同様の方法でミラ
ーウエハの裏面を研削し、テープの剥離、ウエハ表面の
洗浄を行った。但し、裏面研削時の研削速度は粗研削３
２０μｍ／ｍｉｎ．、仕上研削３０μｍ／ｍｉｎ．、粘
着テープ剥離時の温水温度は８０℃とした。その結果、
裏面研削されたミラーウエハをカセットに収納する際
に、カセット収納口に接触して２枚破損した。他の工程
におけるウエハの破損は皆無であった。また、研削開始
からカセット収納までに要した時間は８５分間であっ
た。さらに、裏面研削終了から洗浄後にミラーウエハを
カセットに収納するまでの所要時間は１３５分であっ
た。収納された６インチミラーウエハの表面汚染状況の
測定を上記方法で行った。得られた結果を〔表１〕に示
す。

【００６６】比較例１厚さ１２０μｍの未延伸ＥＶＡフィルムの片面にコロナ
放電処理を施し、表面張力を５０ｄｙｎｅ／ｃｍとし、
これを基材フィルムとして用いた以外は、実施例１と同
様にして粘着力が２００ｇ／２５ｍｍの粘着テープを得
た。得られた粘着テープを実施例１と同様のウエハ（経
８インチ、厚み７００μｍのミラーウエハ）５０枚の表
面に貼着し、裏面研削機へ供した。裏面研削機内で、実
施例１と同様にして粗研削及び仕上研削を実施した後、
裏面を洗浄および乾燥後、カセットに収納した。ウエハ
をカセットに収納する際に、カセット収納口に接触して
２枚破損した。研削開始からウエハのカセット収納まで
に要した時間は１００分間であった。次いで、粘着テー
プ剥離装置に供して、粘着テープに剥離テープを貼って
その粘着力を利用して粘着テープを剥離した。テープ剥
離時にウエハが２枚破損した。研削終了からテープ剥離
までに要した時間は７５分間であった。さらに、ウエハ
をウエハ洗浄工程へ搬送し、カセット式洗浄槽にて仮洗
浄と本洗浄をそれぞれ３分間と５分間行った。次いで、
回転式の乾燥機で乾燥した。洗浄工程への搬送の際に１
枚、乾燥中に１枚破損した。テ−プ剥離終了から洗浄終
了までに要した時間は７０分間であった。収納された８
インチミラーウエハの表面汚染の測定を上記方法で行っ
た。得られた結果を〔表２〕に示す。

【００６７】比較例２比較例１と同様の半導体ウエハ、及び粘着テープを用
い、同様の条件、方法で半導体ウエハの裏面研削、粘着
テープの剥離を行った。研削開始からウエハのカセット
収納までに要した時間は１００分間であった。また、研
削終了からテープ剥離までに要した時間は７５分間であ
った。裏面研削されたミラーウエハをカセットに収納す
る際、カセット収納口に接触して３枚破損した。また、
テープ剥離時にウエハが３枚破損した。破損しなかった
テープ剥離後の半導体ウエハを、実施例１と同様の枚葉
式のウエハ洗浄機へ搬送し、温水の注水を行わなかった
以外は、実施例１と同様の方法でウエハ表面を洗浄し
た。テ−プ剥離終了から洗浄終了までに要した時間は１
１０分間であった。収納された８インチミラーウエハの
表面汚染の測定を上記方法で行った。得られた結果を
〔表２〕に示す。

【００６８】比較例３実施例１と同様の粘着テープおよび半導体ウエハを用
い、さらに実施例１と同様の条件、方法で裏面研削を行
い、研削後のウエハ５０枚をカセットに収納した。ウエ
ハをカセットに収納する際、カセット収納口に接触して
２枚破損した。研削開始から収納までに要した時間は１
００分間であった。次いで、粘着テープが貼着した状態
の研削後のミラーウエハをカセット毎、６０℃の温純水
で満たされたカセット式洗浄槽に３０秒浸漬した。洗浄
槽の中で、粘着テープが収縮し、剥離した。収縮剥離時
に５枚のウエハが破損した。破損したウエハの除去、剥
離後の粘着テープの除去を行った後、比較例１と同様の
条件で本洗浄を５分間行った。次いで、回転式の乾燥機
で乾燥した。乾燥中にウエハが１枚破損した。破損した
ウエハの除去、剥離したテープの除去に時間がかかり、
裏面研削了から洗浄後にミラーウエハをカセットに収納
するまでの所要時間は１５０分であった。収納された８
インチミラーウエハの表面汚染状況の測定を上記方法で
行った。得られた結果を〔表２〕に示す。

【００６９】

【表１】

【００７０】

【表２】

【００７１】

【発明の効果】本発明によれば、直径が６〜１６インチ
である半導体ウエハを厚みが８０〜４００μｍ程度にな
るまで裏面研削する場合であっても、半導体ウエハ表面
保護用粘着テープを剥離する際に、半導体ウエハが破損
することがない。また、洗浄機内で粘着テープを剥離す
ると共に、ウエハの洗浄を行う方法であるため、従来の
剥離工程を省略することができるだけでなく、剥離工程
から洗浄工程への工程間搬送をも省略することができ
る。従って、本発明によれば、半導体ウエハの破損等に
よる不良率の低下、及びウエハの裏面研削から洗浄に至
る一連の作業時間の短縮が可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者平井健太郎愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地三井化学株式会社内 (72)発明者福本英樹愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地三井化学株式会社内 (72)発明者熊谷誠敏愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地三井化学株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体ウエハの表面に粘着テープを貼着
し、研削機を用いて半導体ウエハの裏面を研削した後、
粘着テープを剥離し、さらに半導体ウエハの表面を洗浄
する半導体ウエハの製造方法であって、粘着テープとし
て熱収縮性を有する粘着テープを用い、且つ、半導体ウ
エハの裏面を研削した後、ウエハ洗浄機において５０〜
９９℃の温水を注水して粘着テープを剥離し、引き続き
ウエハ洗浄機において半導体ウエハ表面を洗浄すること
を特徴とする半導体ウエハの製造方法。
【請求項２】温水の温度が５０〜８０℃であることを
特徴とする請求項１記載の半導体ウエハの製造方法。
【請求項３】ウエハ洗浄機のチャックテーブルに半導
体ウエハの裏面を固定し、粘着テープに温水を注水する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハの製造方
法。
【請求項４】ウエハ洗浄機のチャックテーブルが回転
式であることを特徴とする請求項３記載の半導体ウエハ
の製造方法。
【請求項５】ウエハ洗浄機のチャックテーブルの面積
が、半導体ウエハ裏面の面積の少なくとも１５％である
ことを特徴とする請求項３記載の半導体ウエハの製造方
法。
【請求項６】温水の注水量が１００〜５０００ｍｌ／
ｍｉｎであることを特徴とする請求項１記載の半導体ウ
エハの製造方法。
【請求項７】直径が６〜１２インチである半導体ウエ
ハを厚み８０〜４００μｍまで裏面研削することを特徴
とする請求項１記載の半導体ウエハの製造方法。
【請求項８】請求項１〜７のいずれか１項に記載の製
造方法に適用し得る熱収縮性粘着テープであって、５０
〜９９℃のいずれかの温度における収縮率が５〜５０％
である半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
【請求項９】厚み１０〜１０００μｍである基材フィ
ルムの片表面に厚み２〜１００μｍの粘着剤層が形成さ
れた請求項８記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テー
プ。