JP2002246345A - 半導体ウェハ保護方法及び該保護方法に用いる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェハが厚み２００μｍ以下に薄層化
された場合であっても、その破損を防止し得る半導体ウ
ェハ保護方法、及び該保護方法用の半導体ウェハ表面保
護用粘着フィルムを提供する。 【解決手段】 半導体ウェハの回路形成面に半導体ウェ
ハ表面保護用粘着フィルムを貼着する第一工程、半導体
ウェハの回路非形成面を加工する第二工程、及び半導体
ウェハの回路非形成面にダイボンティング用接着フィル
ムを貼着する第三工程を含む半導体ウェハ保護方法であ
って、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する
ことなしに第三工程を実施し、且つ、少なくとも一層が
融点２００℃以上の樹脂から形成された基材フィルムの
片表面に粘着剤層が形成された粘着フィルムを使用する
半導体ウェハ保護方法、及び該保護方法用の半導体ウェ
ハ表面保護用粘着フィルム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ保護
方法、及び該保護方法に用いる半導体ウェハ表面保護用
粘着フィルムに関する。詳しくは、半導体ウェハを薄層
化加工する工程における半導体ウェハの破損防止に有用
で、生産性向上を図り得る半導体ウェハ保護方法、及び
該保護方法に用いる半導体ウェハ表面保護用粘着フィル
ムに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェハを加工する工程は、半導体
ウェハの回路形成面に半導体ウェハ表面保護用粘着フィ
ルムを貼着する工程、半導体ウェハの回路非形成面を加
工する工程、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥
離する工程、半導体ウェハを分割切断するダイシング工
程、分割された半導体チップをリードフレームへ接合す
るダイボンディング工程を経た後、半導体チップを外部
保護の為に樹脂で封止するモールド工程、等により構成
されている。

【０００３】従来、ダイボンディング工程では、リード
フレーム上にダイボンディング材料である樹脂ペースト
を供給し、その上に半導体チップを載せて接着する方法
が最も多く用いられている。しかし、樹脂ペーストを用
いた場合、リードフレーム上に均一に塗布することが困
難である為、接着層の硬化時にボイドが発生したり、チ
ップクラックが生じる等の問題がある。

【０００４】ダイボンディング材料である樹脂ペースト
の欠点である不均一な塗布性を改善すること、及び工程
全般の合理化を目的として、特開平６−３０２６２９号
公報には、ダイボンディング工程において、ダイボンデ
ィング用接着フィルムを用いる方法が開示されている。
この方法は、半導体ウェハの回路非形成面にダイボンデ
ィング用接着フィルムを貼着する工程、ダイボンディン
グ用接着フィルムを貼着した状態の半導体ウェハをダイ
シングテープに固着した後、分割切断するダイシング工
程、及びダイシングテープを剥離する工程を経た後、半
導体チップをリードフレームにダイボンディングする工
程を実施する方法である。

【０００５】しかしながら、この方法は、半導体ウェハ
の回路非形成面を加工して、半導体ウェハを更に薄くし
た場合、特に２００μｍ以下にした場合には、半導体ウ
ェハ表面保護用粘着フィルムが貼着していない状態で
は、ダイボンディング用接着フィルムを貼着する際に、
ロールの圧力等により半導体ウェハが破損する等の重大
な問題が発生する。

【０００６】近年益々、半導体チップの薄層化の要求が
高まっており、厚みが３０〜１００μｍ程度のチップも
望まれている。従って、このように薄層化された半導体
ウェハであっても破損することなく、ダイボンディング
用粘着フィルムを貼着できる半導体ウェハの保護方法が
望まれている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題に鑑み、半導体ウェハが厚み２００μｍ以下程度に
薄層化された場合であっても、半導体ウェハの破損を防
止し得る半導体ウェハの保護方法、及び該保護方法に用
いる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを提供するこ
とにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、半導体ウェハの回路形成面に半導体ウェハ表面
保護用粘着フィルムを貼着して、半導体ウェハの回路非
形成面を加工し、次いで、半導体ウェハの回路非形成面
にダイボンディング用接着フィルムを貼着する一連の工
程を実施するに際し、半導体ウェハの回路形成面に半導
体ウェハ表面保護用粘着フィルムが貼着された状態で半
導体ウェハの回路非形成面にダイボンディング用接着フ
ィルムを貼着し、且つ、少なくとも一層が融点２００℃
以上の樹脂から形成された基材フィルムの片表面に粘着
剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
を用いることにより、上記課題が解決できることを見出
し、本発明を完成した。

【０００９】すなわち、本発明の第１発明は、半導体ウ
ェハの回路形成面に半導体ウェハ表面保護用粘着フィル
ムを貼着する第一工程、半導体ウェハの回路非形成面を
加工する第二工程、及び半導体ウェハの回路非形成面に
ダイボンティング用接着フィルムを貼着する第三工程を
含む半導体ウェハ保護方法であって、半導体ウェハ表面
保護用粘着フィルムを剥離することなしに第三工程を実
施し、且つ、少なくとも一層が融点２００℃以上の樹脂
から形成された基材フィルムの片表面に、１５０℃にお
ける貯蔵弾性率が少なくとも１×１０⁵Ｐａ、厚みが３
〜１００μｍである粘着剤層が形成された半導体ウェハ
表面保護用粘着フィルムを使用することを特徴とする半
導体ウェハ保護方法である。

【００１０】本発明の第１発明の特徴は、半導体ウェハ
の回路形成面に半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを
貼着してからそれを剥離するまでの一連の工程におい
て、半導体ウェハの回路非形成面を加工する工程に引き
続き、半導体ウェハの回路形成面に半導体ウェハ表面保
護用粘着フィルムを貼着したままの状態で、半導体ウェ
ハの回路非形成面にダイボンディング用接着フィルムを
貼着する工程を実施すること、及び、これらの工程で用
いる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムとして、少な
くとも一層が融点２００℃以上の樹脂から形成された基
材フィルムの片表面に、１５０℃における貯蔵弾性率が
少なくとも１×１０⁵Ｐａ、厚みが３〜１００μｍであ
る粘着剤層が形成された粘着フィルムを用いることにあ
る。

【００１１】また、本発明の第２発明は、上記第１発明
に係わる半導体ウェハ保護方法に用いる半導体ウェハ表
面保護用粘着フィルムであって、少なくとも一層が融点
２００℃以上の樹脂から形成され、厚みが５０〜３５０
μｍである基材フィルムの片表面に、貯蔵弾性率が１５
０℃において少なくとも１×１０⁵Ｐａ、厚みが３〜１
００μｍである粘着剤層が形成された薄層化半導体ウェ
ハの製造に好適に用いられる半導体ウェハ表面保護用粘
着フィルムである。本発明によれば、厚みが２００μｍ
以下に薄層化された半導体ウェハであっても、上記一連
の工程における半導体ウェハの破損、汚染などを防止で
きる効果を奏する。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明に係わる半導体ウェハ保護方法を適用した
半導体ウェハの製造方法は、先ず、前記の如く、半導体
ウェハの回路形成面（以下、表面という）に半導体ウェ
ハ表面保護用粘着フィルムを貼着する第一工程、及び半
導体ウェハの回路非形成面（以下、裏面という）を加工
する第二工程を順次実施し、引き続き、該表面保護用粘
着フィルムを剥離することなしに半導体ウェハの裏面に
ダイボンディング用接着フィルムを貼着する第三工程を
実施する。以降の工程には特に制限はないが、例えば、
半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する工程、
半導体ウェハを分割切断するダイシング工程、半導体チ
ップを外部保護の為に樹脂で封止するモールド工程、等
を順次実施する半導体ウェハの製造方法が挙げられる。

【００１３】先ず、本発明の半導体ウェハ保護方法につ
いて詳細に説明する。本発明の半導体ウェハ保護方法
は、半導体ウェハの表面に半導体ウェハ表面保護用粘着
フィルムを貼着する第一工程、及び半導体ウェハの裏面
を加工する第二工程を順次実施し、引き続き、半導体ウ
ェハ表面保護用粘着フィルムを剥離することなしに、半
導体ウェハ裏面にダイボンディング用接着フィルムを貼
着する第三工程を実施する。この際、半導体ウェハ表面
保護用粘着フィルムとして、少なくとも一層が融点２０
０℃以上の樹脂から形成された基材フィルムの片表面
に、１５０℃における貯蔵弾性率が少なくとも１×１０
⁵Ｐａ、厚みが３〜１００μｍである粘着剤層が形成さ
れた表面保護用粘着フィルムを用いる。

【００１４】本発明に係わる半導体ウェハ保護方法の詳
細は、先ず、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム（以
下、表面保護用粘着フィルムと略称する）の粘着剤層側
から剥離フィルムを剥離し、粘着剤層表面を露出させ、
その粘着剤層を介して、半導体ウェハの表面に表面保護
用粘着フィルムを貼着する（第一工程）。次いで、裏面
加工機のチャックテーブル等に表面保護用粘着フィルム
の基材フィルム層を介して半導体ウェハを固定し、半導
体ウェハの裏面を加工する（第二工程）。第二工程は、
半導体ウェハの裏面研削工程、ウェットエッチング工
程、及びポリッシング工程を全て実施してもよいし、又
は、これらの工程のいずれか一工程を実施してもよい。
次いで、表面保護用粘着フィルムを剥離することなし
に、ダイボンディング用接着フィルムの貼着工程に搬送
され、ダイボンディング用接着フィルムを貼着する（第
三工程）。その後、表面保護用粘着フィルムは剥離され
る。また、必要に応じて表面保護用粘着フィルムを剥離
した後に、半導体ウェハ表面に対して、水洗、プラズマ
洗浄等の処理が施される。

【００１５】従来、裏面加工工程において、半導体ウェ
ハは、研削前の厚みが５００〜１０００μｍであったも
のが、半導体チップの種類等に応じ、２００〜６００μ
ｍ程度まで研削、薄層化される。一方、本発明の保護方
法を適用することにより、厚みが２００μｍ以下になる
まで薄層化することができる。その場合、半導体ウェハ
の最低厚みは２０μｍ程度である。２００μｍ以下まで
薄くする場合は、裏面研削に引き続いて、ウェットエッ
チング工程やポリッシング工程を実施することもでき
る。裏面を研削する前の半導体ウェハの厚みは、半導体
ウェハの直径、種類等により適宜決められ、裏面研削後
の半導体ウェハの厚みは、得られるチップのサイズ、回
路の種類等により適宜決められる。

【００１６】表面保護用粘着フィルムを半導体ウェハの
表面に貼着する操作は、人手により行われる場合もある
が、一般に、ロール状の表面保護用粘着フィルムを取り
付けた自動貼り機と称される装置によって行われる。こ
のような自動貼り機として、例えばタカトリ（株）製、
形式：ＡＴＭ−１０００Ｂ、同ＡＴＭ−１１００、同Ｔ
ＥＡＭ−１００、帝国精機（株）製、形式：ＳＴＬシリ
ーズ等が挙げられる。

【００１７】裏面研削方式としては、スルーフィード方
式、インフィード方式等の公知の研削方式が採用され
る。通常、いずれの方法においても、半導体ウェハと砥
石に水を供給して冷却しながら裏面研削が行われる。裏
面研削終了後、必要に応じて、ウェットエッチング、ポ
リッシングが行われる。ウェットエッチング工程及びポ
リッシング工程は、半導体ウェハ裏面に生じた歪の除
去、半導体ウェハのさらなる薄層化、酸化膜等の除去、
電極を裏面に形成する際の前処理等を目的として行われ
る。エッチング液は、上記の目的に応じて適宜選択され
る。

【００１８】ダイボンディング用接着フィルムを貼着す
る工程で用いる装置としては、例えば、タカトリ（株）
製、形式：ＡＴＭ−８２００、同ＤＭ−８００等が挙げ
られる。ダイボンディング用接着フィルムとしては、ポ
リエステル系、ポリプロピレン系フィルムの表面に、ポ
リイミド樹脂と熱硬化性樹脂の混合物からなるワニスを
塗布して、接着剤層を形成したダイボンディング用接着
フィルムが挙げられる。この時、必要に応じてポリイミ
ド樹脂と熱硬化性樹脂の混合物に添加剤を混合すること
もある。ロールを用いて、ダイボンディング用接着フィ
ルムを半導体ウェハ裏面に加熱貼着することにより、接
着剤付半導体ウェハとされる。

【００１９】裏面研削工程、エッチング工程、及びダイ
ボンディング用接着フィルムの貼着工程がそれぞれ終了
した後、半導体ウェハ表面から表面保護用粘着フィルム
が剥離される。これらの一連の操作は、人手により行わ
れる場合もあるが、一般的に自動剥がし機と称される装
置を用いて行われる。このような自動剥がし機として
は、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＲＭ−２０００Ｂ、
同ＡＴＲＭ−２１００、帝国精機（株）製、形式：ＳＴ
Ｐシリーズ等が挙げられる。また、剥離性の向上を目的
として、必要に応じて加熱剥離することが好ましい。

【００２０】表面保護用粘着フィルムを剥離した後の半
導体ウェハ表面は、必要に応じて洗浄される。洗浄方法
としては、水洗浄、溶剤洗浄等の湿式洗浄、プラズマ洗
浄等の乾式洗浄等が挙げられる。湿式洗浄の場合、超音
波洗浄を併用してもよい。これらの洗浄方法は、半導体
ウェハ表面の汚染状況により適宜選択される。

【００２１】次いで、本発明に用いる表面保護用粘着フ
ィルムについて説明する。本発明に係わる表面保護用粘
着フィルムは、基材フィルムの片表面に粘着剤層を形成
することにより製造される。通常、粘着剤層を保護する
ために、粘着剤層の表面に剥離フィルムが貼着される。
剥離フィルムを剥離したときに露出する粘着剤層の表面
を介して半導体ウェハ表面に貼着することを考慮し、粘
着剤層による半導体ウェハ表面の汚染防止を図るために
は、剥離フィルムの片面に、粘着剤塗布液を塗布、乾燥
して粘着剤層を形成した後、得られた粘着剤層を基材フ
ィルムの片面に転写する方法が好ましい。

【００２２】基材フィルムは、少なくとも一層が、融点
が２００℃以上の樹脂から形成された耐熱性を有するフ
ィルムが好ましい。さらに好ましくは、融点が２５０℃
以上の樹脂から形成されたフィルムである。例示する
と、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート等のポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルエ
ーテルケトン、ポリエーテルスルフォン等、及びこれら
の混合樹脂から成形された樹脂フィルムが挙げられる。
代表的市販品として、帝人（株）製、商品名：テオネッ
クス、三菱化学（株）製、商品名：トーロン４２０３
Ｌ、ＩＣＩ社製、商品名：４５Ｇ、及び２００Ｐ等が挙
げられる。

【００２３】表面保護用粘着フィルムの基材フィルム
は、少なくとも一層が、融点が２００℃以上である樹脂
フィルムで形成されていれば、他のフィルムとの積層体
であってもよい。全ての層の融点が２００℃未満である
場合は、ダイボンディング用接着フィルムの貼着工程に
おいて、表面保護用粘着フィルムに熱による変形が発生
し、薄層化した半導体ウェハを破損する危険性がある。

【００２４】半導体ウェハの裏面研削時の保護性能を高
める目的で耐熱性フィルムの他に低弾性率の樹脂から成
形されたフィルムを積層してもよい。これらの低弾性フ
ィルムとして、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレ
ン−アルキルアクリレート共重合体（アルキル基の炭素
数１〜４）、低密度ポリエチレン、エチレン−α−オレ
フィン共重合体（α−オレフィンの炭素数３〜８）等か
ら成形された樹脂フィルムが挙げられる。これらの内、
酢酸ビニル単位の含有量が５〜５０重量％程度のエチレ
ン−酢酸ビニル共重合体フィルムが好ましい。

【００２５】基材フィルムの代表的な製造方法として、
低弾性率フィルムを押出機で押出成形しながら、予め用
意しておいた耐熱性フィルムとラミネートする方法が挙
げられる。低弾性率フィルムと耐熱性フィルムとの接着
力を高めるために両者の間に新たに接着層を設けてもよ
い。基材フィルムと粘着剤層の接着力を高めるために、
粘着剤層を設ける面にはコロナ放電処理または化学処理
等を施すことが好ましい。基材フィルム全体の厚みは５
０〜３５０μｍであることが好ましい。耐熱性フィルム
と低弾性率フィルムを積層する場合は、前者の層の厚み
は１０〜３００μｍ程度、後者の層の厚みは２０〜３０
０μｍ程度が好ましい。更に好ましくは、前者の厚みが
１５〜２００μ程度である。低弾性率フィルム層は、そ
の柔軟性により、半導体ウェハ表面の回路により形成さ
れた凹凸段差を吸収し、半導体ウェハの裏面研削加工に
よる破損を防止する効果を有する。粘着剤層を形成する
基材フィルム層は、耐熱フィルム側、低弾性率フィルム
側のいずれでもよいが、ダイボンディング工程の加熱粘
着工程等を考慮すると、低弾性率フィルム側が好まし
い。

【００２６】２００μｍ以下程度に薄層化した半導体ウ
ェハの反りを防止すること等を考慮すると、融点が２０
０℃以上である樹脂から形成された基材フィルム層の貯
蔵弾性率は、０〜１００℃において１０³〜１０⁵ＭＰ
ａ、好ましくは１０³〜１０⁴ＭＰａ、１００〜３００℃
において１０〜１０⁴ＭＰａ、好ましくは１０²〜１０³
ＭＰａであることが好ましい。

【００２７】本発明に係わる表面保護用粘着フィルムの
粘着剤層を形成する粘着剤は、ダイボンディング用接着
フィルム貼着時の温度条件下でも、粘着剤として充分機
能するものであることが好ましい。具体的には、アクリ
ル系粘着剤、シリコン系粘着剤等が例示される。粘着剤
層の厚みは３〜１００μｍであることが好ましい。粘着
剤層は、表面保護用粘着フィルムを剥離した後、半導体
ウェハの回路形成面に糊残りなどによる汚染が生じない
ことが好ましい。

【００２８】粘着剤層は、特に、ダイボンディング用接
着フィルムを加熱貼着するダイボンディング工程におい
て高温に曝された際に、粘着力が大きくなり過ぎないよ
うに、また、半導体ウェハ表面の汚染が増加しないよう
に、反応性官能基を有する架橋剤、過酸化物、放射線等
により高密度に架橋されたものであることが好ましい。
更に、ダイボンディング用接着フィルムを貼着する際
に、温度１５０℃以上の条件下で加熱処理された場合で
あっても、粘着力が上昇して剥離不良を起こさないこ
と、及び糊残りが発生しないことが好ましい。その為、
粘着剤層は、１５０℃における貯蔵弾性率が少なくとも
１×１０⁵Ｐａであることが好ましい。更に好ましく
は、２００℃における貯蔵弾性率が少なくとも１×１０
⁵Ｐａである。貯蔵弾性率は、高ければ高いほどよい
が、通常、その上限は１×１０⁸Ｐａ程度である。

【００２９】更に、２００μｍ以下程度に薄層化した半
導体ウェハの反りを防止すること等を考慮すると、融点
２００℃以上の樹脂から形成された基材フィルム層の貯
蔵弾性率〔（Ｇ）ＭＰａ〕と厚み〔（Ｄ）μｍ〕との比
が、０〜１００℃において下記数式（１）、１００〜３
００℃において下記数式（２）で表される関係を満たす
ことが好ましい。 ３≦Ｇ／Ｄ≦1００００ ・・（１） ０．０３≦Ｇ／Ｄ≦１０００・・（２） 更に好ましくは、上記比が０〜１００℃において下記数
式（３）、１００〜３００℃において下記数式（４）で
表される関係を満たすことである。 ５≦Ｇ／Ｄ≦７００ ・ ・・ （３） ０．５≦Ｇ／Ｄ≦７０・・・ （４） 上記特性を有する粘着剤層を形成する方法として、アク
リル系粘着剤を用いる方法を例示する。粘着剤層は、
（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー単位
（Ａ）、架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマー単
位（Ｂ）、２官能性モノマー単位（Ｃ）をそれぞれ特定
量含む乳化重合共重合体であるアクリル系粘着剤、並び
に、凝集力を上げたり粘着力を調整するための、官能基
を１分子中に２個以上有する架橋剤を含む溶液またはエ
マルション液を用いることにより形成される。溶液で使
用する場合は、乳化重合で得られたエマルション液から
アクリル系粘着剤を塩析等で分離した後、溶剤等で再溶
解して使用する。アクリル系粘着剤は、分子量が充分に
大きく、溶剤への溶解性が低く、若しくは溶解しない場
合が多いので、コスト的な観点から鑑みても、エマルシ
ョン液のまま使用することが好ましい。

【００３０】本発明に用いるアクリル系粘着剤として
は、アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキ
ルエステル、又はこれらの混合物を主モノマー〔以下、
モノマー（Ａ）〕として、架橋剤と反応し得る官能基を
有するコモノマーを含むモノマー混合物を共重合して得
られたものが挙げられる。

【００３１】モノマー（Ａ）としては、炭素数１〜１２
程度のアルキル基を有するアクリル酸アルキルエステ
ル、又はメタクリル酸アルキルエステル〔以下、これら
の総称して（メタ）アクリル酸アルキルエステルとい
う〕が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜８のアルキ
ル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルであ
る。具体的には、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチ
ル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル
酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチ
ルヘキシル等が挙げられる。これらは単独で使用して
も、また、２種以上を混合して使用してもよい。モノマ
ー（Ａ）の使用量は粘着剤の原料となる全モノマーの総
量中に、通常、１０〜９８．９重量％の範囲で含ませる
ことが好ましい。更に好ましくは８５〜９５重量％であ
る。モノマー（Ａ）の使用量をかかる範囲とすることに
より、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー単
位（Ａ）１０〜９８．９重量％、好ましくは８５〜９５
重量％を含むポリマーが得られる。

【００３２】架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマ
ー単位（Ｂ）を形成するモノマー（Ｂ）としては、アク
リル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シト
ラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸モノアル
キルエステル、メサコン酸モノアルキルエステル、シト
ラコン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキル
エステル、マレイン酸モノアルキルエステル、アクリル
酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸−
２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシ
エチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、ターシャ
ル−ブチルアミノエチルアクリレート、ターシャル−ブ
チルアミノエチルメタクリレート等が挙げられる。好ま
しくは、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸−２−
ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチ
ル、アクリルアミド、メタクリルアミド等である。これ
らの一種を上記主モノマーと共重合させてもよいし、ま
た２種以上を共重合させてもよい。架橋剤と反応し得る
官能基を有するモノマー（Ｂ）の使用量は、粘着剤の原
料となる全モノマーの総量中に、通常、１〜４０重量％
の範囲で含まれていることが好ましい。更に好ましく
は、１〜１０重量％である。而して、モノマー組成とほ
ぼ等しい組成の構成単位（Ｂ）を有するポリマーが得ら
れる。

【００３３】更に、粘着剤層は、半導体ウェハの裏面加
工、及びダイボンディング用接着フィルムの貼着時等に
おける温度条件下でも、粘着剤として充分機能するよう
に、粘着力や剥離性を調整することが好ましい。その方
策として、エマルション粒子の凝集力を維持する為に粒
子バルクの架橋方式も考慮することが好ましい。

【００３４】エマルション粒子に対しては、１５０〜２
００℃の温度条件下でも１×１０⁵Ｐａ以上を有する為
に、２官能モノマー（Ｃ）を共重合することによって凝
集力を維持するよう架橋方式を改良することが好まし
い。良好に共重合するモノマーとして、メタクリル酸ア
リル、アクリル酸アリル、ジビニルベンゼン、メタクリ
ル酸ビニル、アクリル酸ビニルや、例えば、両末端がジ
アクリレートまたはジメタクリレートで主鎖の構造がプ
ロピレングリコール型〔日本油脂（株）製、商品名；Ｐ
ＤＰ−２００、同ＰＤＰ−４００、同ＡＤＰ−２００、
同ＡＤＰ-４００〕、テトラメチレングリコール型〔日
本油脂（株）製、商品名；ＡＤＴ‐２５０、同ＡＤＴ‐
８５０〕及びこれらの混合型〔日本油脂（株）製、商品
名：ＡＤＥＴ‐１８００、同ＡＤＰＴ−４０００〕であ
るもの等が挙げられる。２官能モノマー（Ｃ）を乳化共
重合する場合、その使用量は、全モノマー中に０．１〜
３０重量％含むことが好ましい。更に好ましくは０．１
〜５重量％である。而して、モノマー組成とほぼ等しい
組成の構成単位（Ｃ）を有するポリマーが得られる。

【００３５】上記粘着剤を構成する主モノマー、及び架
橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーの他に、界
面活性剤としての性質を有する特定のコモノマー（以
下、重合性界面活性剤と称する）を共重合してもよい。
重合性界面活性剤は、主モノマー及びコモノマーと共重
合する性質を有すると共に、乳化重合する場合には乳化
剤としての作用を有する。重合性界面活性剤を用いて乳
化重合したアクリル系粘着剤を用いた場合には、通常、
界面活性剤による半導体ウェハ表面に対する汚染が生じ
ない。また、粘着剤層に起因する僅かな汚染が生じた場
合においても、半導体ウェハ表面を水洗することにより
容易に除去することが可能となる。

【００３６】このような重合性界面活性剤の例として
は、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテ
ルのベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入した
もの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＲＮ
−１０、同ＲＮ−２０、同ＲＮ−３０、同ＲＮ−５０
等〕、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫
酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１
−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）
製；商品名：アクアロンＨＳ−１０、同ＨＳ−２０
等〕、及び分子内に重合性二重結合を持つ、スルホコハ
ク酸ジエステル系〔花王（株）製；商品名：ラテムルＳ
−１２０Ａ、同Ｓ−１８０Ａ等〕等が挙げられる。更に
必要に応じて、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレ
ン等の重合性２重結合を有するモノマーを共重合しても
よい。

【００３７】アクリル系粘着剤の重合反応機構として
は、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙
げられる。粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影
響及び半導体ウェハ表面へのイオンの影響等を等慮すれ
ばラジカル重合によって重合することが好ましい。ラジ
カル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始剤
として、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオキ
サイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイルパ
ーオキサイド、ジ−ターシャル−ブチルパーオキサイ
ド、ジ−ターシャル−アミルパーオキサイド等の有機過
酸化物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸
ナトリウム等の無機過酸化物、２，２’−アゾビスイソ
ブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルブチ
ロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリッ
クアシッド等のアゾ化合物が挙げられる。

【００３８】乳化重合法により重合する場合には、これ
らのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモ
ニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過
酸化物、同じく水溶性の４，４’−アゾビス−４−シア
ノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持
ったアゾ化合物が好ましい。半導体ウェハ表面へのイオ
ンの影響を考慮すれば、過硫酸アンモニウム、４，４’
−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内
にカルボキシル基を有するアゾ化合物が更に好ましい。
４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等
の分子内にカルボキシル基を有するアゾ化合物が特に好
ましい。

【００３９】本発明に用いる架橋性の官能基を１分子中
に２個以上有する架橋剤は、アクリル系粘着剤が有する
官能基と反応させ、粘着力及び凝集力を調整するために
用いる。架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジル
エーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、
ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリ
セロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグ
リシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジ
ルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等のエポ
キシ系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキ
サメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパン
のトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネ
ート等のイソシアネート系化合物、トリメチロールプロ
パン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラ
メチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネ
ート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス
（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキ
サメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシ
アミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−ア
ジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン
−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート
等のアジリジン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ
グリシジルｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，
Ｎ’−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサンの４
官能性エポキシ系化合物及びヘキサメトキシメチロール
メラミン等のメラミン系化合物が挙げられる。これらは
単独で使用してもよいし、２種以上に対して併用しても
よい。

【００４０】架橋剤の含有量は、通常、架橋剤中の官能
基数がアクリル系粘着剤中の官能基数よりも多くならな
い程度の範囲が好ましい。しかし、架橋反応で新たに官
能基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合等、必要に応
じて過剰に含有してもよい。好ましい含有量は、アクリ
ル系粘着剤１００重量部に対し、架橋剤０．１〜１５重
量部である。含有量が少なすぎると、粘着剤層の凝集力
が不十分となり、１５０〜２００℃において、弾性率が
１×１０⁵Ｐａ未満となり、耐熱特性が低下する。その
ため、粘着剤層に起因する糊残りを生じ易くなったり、
粘着力が高くなり、表面保護用粘着フィルムを半導体ウ
ェハ表面から剥離する際に自動剥がし機で剥離トラブル
が発生したり、半導体ウェハを完全に破損したりするこ
とがある。含有量が多すぎると、粘着剤層と半導体ウェ
ハ表面との密着力が弱くなり、半導体ウェハ裏面研削工
程において、半導体ウェハ表面と粘着剤層の間に研磨屑
が浸入して半導体ウェハを破損したり、半導体ウェハ表
面を汚染することがある。

【００４１】本発明に用いる粘着剤塗布液には、上記の
特定の２官能モノマーを共重合したアクリル系粘着剤及
び架橋剤の他に、粘着特性を調整するためにロジン系、
テルペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界面活性剤
等を本発明の目的に影響しない程度に適宜含有してもよ
い。また、塗布液がエマルション液である場合は、ジエ
チレングリコールモノアルキルエーテル等の造膜助剤を
本発明の目的に影響しない程度に適宜添加してよい。造
膜助剤として使用されるジエチレングリコールモノアル
キルエーテル及びその誘導体は、粘着剤層中に多量に存
在した場合、洗浄が不可能となる程度に半導体ウェハ表
面を汚染することがある。そのため、粘着剤塗布液の乾
燥温度において揮発する性質を有するものを使用し、粘
着剤層中の残存量を極力低くすることが好ましい。

【００４２】本発明の表面保護用粘着フィルムの粘着力
は、半導体ウェハの加工条件、半導体ウェハの直径、裏
面研削後の半導体ウェハの厚み、ダイボンディング用接
着フィルム貼着温度等を勘案して適宜調整できる。粘着
力が低すぎると、半導体ウェハ表面への表面保護用粘着
フィルムの貼着が困難となったり、表面保護用粘着フィ
ルムによる保護性能が不十分となり、半導体ウェハが破
損したり、半導体ウェハ表面に研削屑等による汚染が生
じることがある。また、粘着力が高すぎると、半導体ウ
ェハの裏面加工を実施した後、表面保護用粘着フィルム
を半導体ウェハ表面から剥離する際に、自動剥がし機で
剥離トラブルが発生する等、剥離作業性が低下したり、
半導体ウェハを破損したりすることがある。通常、ＳＵ
Ｓ３０４−ＢＡ板に対する粘着力に換算して５〜５００
ｇ／２５ｍｍ、好ましくは１０〜３００ｇ／２５ｍｍで
ある。

【００４３】基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面
に粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗
布方法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコ
ーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコ
ーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された
粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、
８０〜２００℃の温度範囲において、１０秒〜１０分間
乾燥することが好ましい。更に好ましくは、８０〜１７
０℃において、１５秒〜５分間乾燥する。架橋剤と粘着
剤との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布
液の乾燥が終了した後、表面保護粘着フィルムを４０〜
８０℃において５〜３００時間程度加熱してもよい。

【００４４】本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着フィ
ルムの製造方法は、上記の通りであるが、半導体ウェハ
表面の汚染防止の観点から、基材フィルム、剥離フィル
ム、粘着剤主剤等全ての原料資材の製造環境、粘着剤塗
布液の調製、保存、塗布及び乾燥環境は、米国連邦規格
２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン
度に維持されていることが好ましい。

【００４５】本発明の半導体ウェハ保護方法が適用でき
る半導体ウェハとして、シリコンウェハに限らず、ゲル
マニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム
−ヒ素−アルミニウム等のウェハが挙げられる。

【００４６】

【実施例】以下、実施例を示して本発明についてさらに
詳細に説明する。以下に示す全ての実施例及び比較例に
おいて、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，
０００以下のクリーン度に維持された環境において粘着
剤塗布液の調製及び塗布、半導体シリコンウェハの裏面
研削、並びにダイボンディング用接着フィルム貼着等を
実施した。本発明はこれら実施例に限定されるものでは
ない。尚、実施例に示した各種特性値は下記の方法で測
定した。

【００４７】１．各種特性の測定方法 １−１．粘着力測定（ｇ／２５ｍｍ） 下記に規定した条件以外は、全てＪＩＳ Ｚ−０２３７
−１９９１に規定される方法に準じて測定する。２３℃
の雰囲気下において、実施例または比較例で得られた粘
着フィルムをその粘着剤層を介して、５ｃｍ×２０ｃｍ
のＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳ Ｇ−４３０５−１９
９１規定）の表面に貼着し、６０分放置する。試料の一
端を挟持し、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／
ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から試料を剥離
する際の応力を測定し、２５ｍｍ幅に換算する。

【００４８】１−２．貯蔵弾性率（Ｐａ） １）粘着剤層 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの粘着剤層の部分
を厚さ１ｍｍになるように積層し、直径８ｍｍの粘弾性
測定用試料を作製する。動的粘弾性測定装置（レオメト
リックス社製：形式：ＲＭＳ−８００）を用いて、１５
０℃及び２００℃において貯蔵弾性率を測定する。測定
周波数は１Ｈｚとし、歪みは０．１〜３％とする。 ２）基材フィルム層 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの基材フィルム層
部分を切断し、長方形（機械方向：３ｍｍ、機械方向と
直交する方向：４０ｍｍ）の試料を作製する。動的粘弾
性測定装置（レオメトリックス社製：形式：ＲＳＡ−Ｉ
Ｉ）を用いて、０〜３００℃までの貯蔵弾性率（機械方
向）を測定する。測定周波数は、１Ｈｚとし、歪みは
０．０１〜０．１％とする。但し、積層基材フィルムの
場合は、各層独立で測定を行った。

【００４９】１−３．汚染性評価 半導体シリコンウェハ（直径：８インチ、厚み：６００
μｍ、スクライブラインの深さ：８μｍ、スクライブラ
インの幅：１００μｍ）の表面に試料用の表面保護用粘
着フィルムをその粘着剤層を介して、半導体シリコンウ
ェハの全表面に貼着し、半導体ウェハの裏面加工工程、
ダイボンディング用接着フィルム貼着工程を経た後、粘
着フィルムを剥離（日東精機（株）製、型式：ＨＲ８５
００ＩＩ）した後の半導体ウェハの表面をレーザーフォ
ーカス顕微鏡（ＫＥＹＥＮＣＥ製、形式：ＶＦ−７５１
０、ＶＦ−７５００、ＶＰ−ＥＤ１００）を用いて２５
０倍率で観察する。評価基準は、次の通り。○：糊残り
無し。×：糊残り発生。

【００５０】１−４．半導体ウェハの破損（枚数） 半導体ウェハ裏面研削工程、ダイボンディング用接着フ
ィルム貼着工程、及び表面保護用粘着フィルム剥離工程
における半導体ウェハの破損枚数を示す。

【００５１】２．表面保護用粘着フィルムの製造例 ２−１．基材フィルムの製造例１ 耐熱特性を有するフィルムとして、ポリエチレンナフタ
レート（融点２６９℃）フィルム（厚み５０μｍ、５０
℃の貯蔵弾性率２８００ＭＰａ、２００℃の貯蔵弾性率
１９０ＭＰａ）を選定し、これと低弾性率フィルムであ
るエチレン−酢酸ビニル共重合体（ショアーＤ型硬度３
５、融点８５℃、５０℃の貯蔵弾性率１４．５ＭＰａ）
フィルム（厚み７０μｍ）を積層し、粘着剤層を形成す
る低弾性率フィルム側はコロナ放電処理を施し、全体の
厚みが１２０μｍである基材フィルム１を作成した。

【００５２】２−２．基材フィルムの比較製造例１ 低弾性率フィルムであるエチレン−酢酸ビニル共重合体
樹脂（ショアーＤ型硬度３５、融点８５℃）の単層フィ
ルム（厚み１２０μｍ、５０℃の貯蔵弾性率１４．５Ｍ
Ｐａ）を基材フィルム２とした。粘着剤層を形成する側
にコロナ処理を施した。

【００５３】２−３．基材フィルムの比較製造例２ 耐熱特性を有するフィルムとして、ポリプロピレン（融
点１６０℃）フィルム（厚み５０μｍ、５０℃の貯蔵弾
性率１３００ＭＰａ）を選定し、これと低弾性率フィル
ムであるエチレン−酢酸ビニル共重合体（ショアーＤ型
硬度３５、融点８５℃）フィルム（厚み７０μｍ、５０
℃の貯蔵弾性率１４．５ＭＰａ）を積層し、粘着剤層を
形成する低弾性率フィルム側はコロナ放電処理を施し、
全体の厚みが１２０μｍである基材フィルム３を作成し
た。

【００５４】２−４．基材フィルムの比較製造例３ 耐熱特性を有するフィルムとして、ポリメチルペンテン
（融点２３０℃）フィルム（厚み３００μｍ、５０℃の
貯蔵弾性率１００ＭＰａ、２００℃の貯蔵弾性率５ＭＰ
ａ）を選定し、これと低弾性率フィルムであるエチレン
−酢酸ビニル共重合体（ショアーＤ型硬度３５、融点８
５℃）フィルム（厚み５０μｍ、５０℃の貯蔵弾性率１
４．５ＭＰａ）を積層し、粘着剤層を形成する低弾性率
フィルム側はコロナ放電処理を施し、全体の厚みが３５
０μｍである基材フィルム４を作成した。

【００５５】２−５．粘着剤主剤の製造例１ 重合反応機に脱イオン水１５０重量部、重合開始剤とし
て４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド
〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を０．６２５
重量部、モノマー（Ａ）としてアクリル酸−２−エチル
ヘキシル６２．２５重量部、アクリル酸−ｎ−ブチル１
８重量部、及びメタクリル酸メチル１２重量部、モノマ
ー（Ｂ）としてメタクリル酸−２−ヒドロキシエチル３
重量部、メタクリル酸２重量部、及びアクリルアミド１
重量部、モノマー（Ｃ）としてポリテトラメチレングリ
コールジアクリレート〔日本油脂（株）製、商品名：Ａ
ＤＴ−２５０〕１重量部、水溶性コモノマーとしてポリ
オキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレンオキ
サイドの付加モル数の平均値：約２０）の硫酸エステル
のアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニ
ル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製、商品名：
アクアロンＨＳ−１０〕０．７５重量部を装入し、攪拌
下で７０〜７２℃において８時間乳化重合を実施し、ア
クリル系樹脂エマルションを得た。これを９重量％アン
モニア水で中和（ｐＨ＝７．０）し、固形分４２．５重
量％のアクリル系粘着剤（粘着剤主剤１）とした。

【００５６】２−６．粘着剤主剤の製造例２ 重合反応機に脱イオン水１５０重量部、重合開始剤とし
て４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド
〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を０．６２５
重量部、モノマー（Ａ）としてアクリル酸−２−エチル
ヘキシル６２．２５重量部、アクリル酸−ｎ−ブチル１
８重量部、及びメタクリル酸メチル１２重量部、モノマ
ー（Ｂ）としてメタクリル酸−２−ヒドロキシエチル３
重量部、メタクリル酸２重量部、及びアクリルアミド１
重量部、モノマー（Ｃ）としてメタクリル酸アリル〔和
光純薬工業（株）製〕１重量部、水溶性コモノマーとし
てポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレ
ンオキサイドの付加モル数の平均値：約２０）の硫酸エ
ステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プ
ロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製、商
品名：アクアロンＨＳ−１０〕０．７５重量部を装入
し、攪拌下で７０〜７２℃において８時間乳化重合を実
施し、アクリル系樹脂エマルションを得た。これを９重
量％アンモニア水で中和（ｐＨ＝７．０）し、固形分４
２．５重量％のアクリル系粘着剤（粘着剤主剤２）とし
た。

【００５７】２−７．粘着剤主剤の比較製造例１ 重合反応機に脱イオン水１５０重量部、重合開始剤とし
て４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド
〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を０．６２５
重量部、モノマー（Ａ）としてアクリル酸−２−エチル
ヘキシル６３．２５重量部、アクリル酸−ｎ−ブチル１
８重量部、及びメタクリル酸メチル１２重量部、モノマ
ー（Ｂ）としてメタクリル酸−２−ヒドロキシエチル３
重量部、メタクリル酸２重量部、及びアクリルアミド１
重量部、水溶性コモノマーとしてポリオキシエチレンノ
ニルフェニルエーテル（エチレンオキサイドの付加モル
数の平均値：約２０）の硫酸エステルのアンモニウム塩
のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したも
の〔第一工業製薬（株）製、商品名：アクアロンＨＳ−
１０〕０．７５重量部を装入し、攪拌下で７０〜７２℃
において８時間乳化重合を実施し、アクリル系樹脂エマ
ルションを得た。これを９重量％アンモニア水で中和
（ｐＨ＝７．０）し、固形分４２．５重量％のアクリル
系粘着剤（粘着剤主剤３）とした。

【００５８】２−８．粘着剤塗布液の製造例１ 粘着剤主剤の製造例１得られた粘着剤主剤１の１００重
量部を採取し、さらに９重量％アンモニア水を加えてｐ
Ｈ９．５に調整した。次いで、アジリジン系架橋剤〔日
本触媒化学工業（株）製、商品名：ケミタイトＰｚ−３
３〕１．６重量部を添加して粘着剤塗布液１を得た。

【００５９】２−９．粘着剤塗布液の製造例２ 粘着剤主剤の製造例２で得られた粘着剤主剤２を用いた
以外は、粘着剤塗布液の製造例１と同様にして粘着剤塗
布液２を得た。

【００６０】２−１０．粘着剤塗布液の比較製造例１ 粘着剤主剤の比較製造例１で得られた粘着剤主剤３を用
いた以外は、粘着剤塗布液の製造例１と同様にして粘着
剤塗布液３を得た。

【００６１】２−１１．粘着フィルムの製造例１ 粘着剤塗布液１を、ロールコーターを用いてポリプロピ
レンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布
し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層
を設けた。これに上記基材フィルム１のコロナ処理面を
貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写後、
６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却する
ことにより半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム１を製
造した。粘着剤層の貯蔵弾性率は、１５０℃において
１．５×１０⁵Ｐａ、２００℃において１．３×１０⁵Ｐ
ａであった。また、粘着力は、１２０ｇ／２５ｍｍであ
った。

【００６２】２−１２．粘着フィルムの製造例２ 粘着剤塗布液２を、ロールコーターを用いてポリプロピ
レンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布
し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層
を設けた。これに上記基材フィルム１のコロナ処理面を
貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写後、
６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却する
ことにより半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム２を製
造した。粘着剤層の貯蔵弾性率は、１５０℃において
２．５×１０⁵Ｐａ、２００℃において１．８×１０⁵Ｐ
ａであった。また、粘着力は、１５０ｇ／２５ｍｍであ
った。

【００６３】２−１３．粘着フィルムの比較製造例１ 粘着剤塗布液１を、ロールコーターを用いてポリプロピ
レンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布
し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層
を設けた。これに上記の基材フィルム２のコロナ処理面
を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写
後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却
することにより半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム３
を製造した。粘着剤層の貯蔵弾性率は、１５０℃におい
て１．５×１０⁵Ｐａ、２００℃において１．３×１０⁵
Ｐａであった。また、粘着力は、１２５ｇ／２５ｍｍで
あった。

【００６４】２−１４．粘着フィルムの比較製造例２ 粘着剤塗布液３を、ロールコーターを用いてポリプロピ
レンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布
し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層
を設けた。これに上記基材フィルム１のコロナ処理面を
貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写後、
６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却する
ことにより半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム４を製
造した。粘着剤層の貯蔵弾性率は、１５０℃において
４．５×１０⁴Ｐａ、２００℃において４．３×１０⁴Ｐ
ａであった。また、粘着力は、９０ｇ／２５ｍｍであっ
た。

【００６５】２−１５．粘着フィルムの比較製造例３ 粘着剤塗布液１を、ロールコーターを用いてポリプロピ
レンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布
し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層
を設けた。これに上記の基材フィルム３のコロナ処理面
を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写
後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却
することにより半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム５
を製造した。粘着剤層の貯蔵弾性率は、１５０℃におい
て１．５×１０⁵Ｐａ、２００℃において１．３×１０⁵
Ｐａであった。また、粘着力は、１２０ｇ／２５ｍｍで
あった。

【００６６】２−１６．粘着フィルムの比較製造例４ 粘着剤塗布液３を、ロールコーターを用いてポリプロピ
レンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布
し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層
を設けた。これに上記の基材フィルム４のコロナ処理面
を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写
後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却
することにより半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム６
を製造した。粘着剤層の貯蔵弾性率は、１５０℃におい
て４．５×１０⁴Ｐａ、２００℃において４．３×１０⁴
Ｐａであった。また、粘着力は、９０ｇ／２５ｍｍであ
った。

【００６７】３．半導体ウェハの保護方法の実施例 ３−１．保護方法の実施例１ 半導体ウェハに対する、半導体ウェハ表面保護用粘着フ
ィルム１の保護性能を評価した。半導体ウェハ表面保護
用粘着フィルム１を集積回路が組み込まれた２０枚の半
導体シリコンウェハ（直径：８インチ、厚み：６００μ
ｍ、スクライブラインの深さ：８μｍ、スクライブライ
ンの幅：１００μｍ）の回路形成の全表面に貼着した状
態で、裏面研削（ディスコ製、形式：ＤＦＤ−２Ｓ／
８）工程において、厚みが１００μｍになるまでウェハ
裏面を研削した後、半導体ウェハ表面保護用粘着フィル
ム１を貼着した状態で、ダイボンディング用接着フィル
ム（日立化成（株）製、商品名：ハイアタッチ）を１５
０℃で半導体ウェハ裏面に貼着（タカトリ（株）製、形
式：ＤＭ−８００）した。その結果、２０枚全ての半導
体ウェハに対して接着フィルム貼着時において半導体ウ
ェハの割れは発生しなかった。半導体ウェハ表面保護用
粘着フィルム１の剥離工程（日東精機（株）製、形式：
ＨＲ８５００ＩＩ）においても半導体ウェハの割れは発
生しなかった。また、表面保護用粘着フィルムを剥離し
た後の半導体ウェハ表面に糊残り等の汚染は観察されな
かった。得られた結果を表１に示す。

【００６８】３−２．保護方法の実施例２ 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム２を用いた以外、
実施例１と同様の方法を実施した。その結果、実施例１
と同様の結果が得られた。得られた結果を表１に示す。

【００６９】３−３．保護方法の比較例１ 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム１を集積回路が組
み込まれた２０枚の半導体シリコンウェハ（直径：８イ
ンチ、厚み：６００μｍ、スクライブラインの深さ：８
μｍ、スクライブラインの幅：１００μｍ）の回路形成
の全表面に貼着した状態で、裏面研削（ディスコ製、形
式：ＤＦＤ−２Ｓ／８）工程を行った。１００μｍまで
裏面を研削した後、半導体ウェハ表面保護用粘着フィル
ム１を剥離した。その後、ダイボンディング用接着フィ
ルム（日立化成（株）製、商品名：ハイアタッチ）を１
５０℃で半導体ウェハ裏面に貼着（タカトリ（株）製、
形式：ＤＭ−８００）する工程を実施した。その結果、
ダイボンディング用接着フィルム貼着時に半導体ウェハ
が１５枚割れ、ダイボンディング用接着フィルムが貼着
できる状態ではなかった。得られた結果を表２に示す。

【００７０】３−４．保護方法の比較例２ 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム３を用いた以外、
実施例１と同様の方法を実施した。その結果、ダイボン
ディング用接着フィルムを貼着した後、チャックテーブ
ルに接している基材フィルムが熱により融解したため、
チャックテープルからアームによる搬送ができず、ダイ
ボンディング用接着フィルムのアフターキュアへのアー
ム移動ができなかった。表２には、この現象をエラー１
と記載した。得られた結果を表２に示す。

【００７１】３−５．保護方法の比較例３ 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム４を用いた以外、
実施例１と同様の方法を実施した。その結果、ウェハ２
０枚に対して、表面保護用粘着フィルムの剥離不良が１
５枚発生した。ダイボンディング用接着フィルムを貼着
することができた半導体ウェハ５枚に対しては、粘着フ
ィルム剥離工程後の半導体ウェハ表面を光学顕微鏡測定
したところ、半導体ウェハ４枚に対して糊残りが発生し
ていた。得られた結果を表２に示す。

【００７２】３−６．保護方法の比較例４ 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム５を用いた以外、
実施例１と同様の方法を実施した。その結果、ダイボン
ディング用接着フィルムを貼着した後、チャックテーブ
ルに接している基材フィルムが熱により融解したため、
チャックテープルからアームによる搬送ができず、ダイ
ボンディング用接着フィルムのアフターキュアへのアー
ム移動ができなかった。表２には、この現象をエラー１
と記載した。得られた結果を表２に示す。

【００７３】３−７．保護方法の比較例５ 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム６を用いた以外、
実施例１と同様の方法を実施した。その結果、半導体ウ
ェハ裏面研削後のウェハの反りが大きく、ダイボンディ
ング用接着フィルム貼着装置（タカトリ（株）製、形
式：ＤＭ−８００）で、ダイボンディング用接着フィル
ムを貼着することができなかった。表２には、この現象
をエラー２と記載した。得られた結果を表２に示す。

【００７４】

【表１】

【００７５】

【表２】

【００７６】

【発明の効果】本発明は、半導体ウェハの表面に、半導
体ウェハ表面保護用粘着フィルムを貼着してから、それ
を剥離する工程に到る一連の工程において、半導体ウェ
ハ表面保護用粘着フィルムを貼着した状態で、半導体ウ
ェハの裏面を研削する工程と半導体ウェハの裏面にダイ
ボンディング用接着フィルムを貼着する工程を行い、且
つ、これらの工程で用いる半導体ウェハ表面保護用粘着
フィルムとして、少なくとも一層が融点２００℃以上の
樹脂から形成された基材フィルムの片表面に、１５０℃
における貯蔵弾性率が少なくとも１×１０⁵Ｐａ、厚み
が３〜１００μｍである粘着剤層が形成された半導体ウ
ェハ表面保護用粘着フィルムを使用することを特徴とす
る半導体ウェハ保護方法である。本発明によれば、裏面
加工工程において、厚みが２００μｍ以下に薄層化され
た半導体ウェハであっても、上記一連の工程における半
導体ウェハの破損、汚染などを防止することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片岡 真 愛知県名古屋市南区丹後通２−１ 三井化 学株式会社内 (72)発明者 平井 健太郎 宮城県仙台市青葉区宮町４−１−５ 第十 三ショーケ−ビル303号 (72)発明者 福本 英樹 愛知県名古屋市南区丹後通２−１ 三井化 学株式会社内 (72)発明者 小清水 孝信 愛知県名古屋市南区丹後通２−１ 三井化 学株式会社内 Ｆターム(参考） 4J004 AA10 AB01 CA06 CB03 FA05 FA10 4J040 DF041 DF051 DF061 EE001 GA08 5F043 AA02 AA03 AA04 AA05 DD30 GG10

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェハの回路形成面に半導体ウェ
   ハ表面保護用粘着フィルムを貼着する第一工程、半導体
   ウェハの回路非形成面を加工する第二工程、及び半導体
   ウェハの回路非形成面にダイボンティング用接着フィル
   ムを貼着する第三工程を含む半導体ウェハ保護方法であ
   って、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する
   ことなしに第三工程を実施し、且つ、少なくとも一層が
   融点２００℃以上の樹脂から形成された基材フィルムの
   片表面に、１５０℃における貯蔵弾性率が少なくとも１
   ×１０⁵Ｐａ、厚みが３〜１００μｍである粘着剤層が
   形成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを使用
   することを特徴とする半導体ウェハ保護方法。
2. 【請求項２】 前記第二工程が、裏面研削工程、ウェッ
   トエッチング工程及びポリッシング工程から選ばれた少
   なくとも一工程を含むことを特徴とする請求項１記載の
   半導体ウェハ保護方法。
3. 【請求項３】 前記第二工程を経た後の半導体ウェハの
   厚みが２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１
   記載の半導体ウェハ保護方法。
4. 【請求項４】 融点２００℃以上の樹脂が、ポリエステ
   ル、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、及びポ
   リエーテルスルフォンから選ばれた少なくとも一種の樹
   脂であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハ
   保護方法。
5. 【請求項５】 融点が２００℃以上の樹脂から形成され
   た基材フィルム層の厚みが１０〜３００μｍであること
   を特徴とする請求項１記載の半導体ウェハ保護方法。
6. 【請求項６】 少なくとも一層が融点２００℃以上の樹
   脂から形成され、厚みが５０〜３５０μｍである基材フ
   ィルムの片表面に、貯蔵弾性率が１５０℃において少な
   くとも１×１０⁵Ｐａ、厚みが３〜１００μｍである粘
   着剤層が形成された薄膜半導体ウェハの製造に好適に用
   いられる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム。
7. 【請求項７】 融点が２００℃以上の樹脂から形成され
   た基材フィルム層の厚みが１０〜３００μｍであること
   を特徴とする請求項６記載の半導体ウェハ表面保護用粘
   着フィルム。
8. 【請求項８】 融点が２００℃以上の樹脂から形成され
   た基材フィルム層の貯蔵弾性率〔（Ｇ）ＭＰａ〕と厚み
   〔（Ｄ）μｍ〕との比が、０〜１００℃において下記数
   式（１）、１００〜３００℃において下記数式（２）で
   表される関係を満たすことを特徴とする請求項６記載の
   半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム。 ３≦Ｇ／Ｄ≦1００００ ・・・（１） ０．０３≦Ｇ／Ｄ≦１０００・・・（２）