JP2000068237A - ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法 - Google Patents

ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 極薄のＩＣチップを歩留りよく製造すること
が可能なプロセスに適用される表面保護シートを提供す
ること。 【解決手段】 本発明に係るウエハ裏面研削時の表面保
護シートは、半導体回路が形成されたウエハ表面からそ
のウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、その
後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚
みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分
割を行なうウエハ裏面研削において用いられる半導体ウ
エハの表面保護シートであって、基材と、その上に形成
された粘着剤層とからなり、該粘着剤層の４０℃におけ
る弾性率が１．０×１０5Ｐａ以上であることを特徴と
している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、ウエハ裏面研削時に回路
表面の保護に用いられる粘着シートに関し、特に裏面研
削をすることでウエハの厚みを薄くするとともに、最終
的には個々のチップへの分割を行なうウエハ加工方法に
用いられる粘着シートに関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】近年、ＩＣカードの普及が進み、
さらなる薄型化が望まれている。このため、従来は厚さ
が３５０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０〜
１００μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じて
いる。
【０００３】回路パターン形成後にウエハ裏面を研削す
ることは従来より行われていたが、ウエハをたとえば厚
さ１００μｍ以下にまで研削しようとすると、ウエハの
強度が低下し、破損しやすくなる。特に、ウエハは脆い
ため、ウエハ内に僅かでも欠陥があると、この欠陥に起
因してクラックが発生し、このクラックがウエハ全体に
大きく広がり、チップの歩留りを著しく低下させること
がある。
【０００４】上記のようなクラックの拡大によるウエハ
の損壊を防ぐため、特開平５−３３５４１１号公報に
は、ウエハの表面側から所定深さの溝を形成した後、こ
れを裏面側から研削する半導体チップの製造方法が開示
されている。
【０００５】このようなチップ形成方法によれば、欠陥
を起点にしてウエハ内に広がるクラックを溝で止めるこ
とができる。しかし、上記のような方法においても、な
おチップが破損することがあった。ウエハがチップに分
割する直前には、チップとチップとは極めて薄いブリッ
ジで結ばれている状態にある。裏面研磨機のスピンドル
が当たり現に研削されているチップと、その隣のスピン
ドルが当たっていないチップとでは、研削力の付加され
る方向および大きさが異なる。この力の相違により、チ
ップが位置ずれし、上記の薄いブリッジにクラックが発
生し、チップの破損に至る（図６参照）。
【０００６】特に、従来から汎用されている表面保護シ
ートでは、比較的軟らかい粘着剤が使用されていたた
め、チップの位置ずれが大きく、チップが破損しやす
い。
【０００７】
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に鑑み
てなされたものであって、極薄のＩＣチップを歩留りよ
く製造することが可能なプロセスに適用される表面保護
シートを提供することを目的としている。
【０００８】
【発明の概要】本発明に係るウエハ裏面研削時の表面保
護シートは、半導体回路が形成されたウエハ表面からそ
のウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、その
後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚
みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分
割を行なうウエハ裏面研削において用いられる半導体ウ
エハの表面保護シートであって、基材と、その上に形成
された粘着剤層とからなり、該粘着剤層の４０℃におけ
る弾性率が１．０×１０5Ｐａ以上であることを特徴と
している。
【０００９】上記粘着剤層が、エネルギー線硬化型粘着
剤からなることが好ましい。また、該粘着剤層の剪断剥
離力は、１０kg／cm2以上であることが好ましい。さら
に本発明においては、シートの圧縮ひずみが、４０kg／
cm2において、０．１〜５．０％であることが特に好ま
しい。
【００１０】このような本発明に係る表面保護シートに
よれば、極薄のＩＣチップを歩留りよく製造できる。本
発明に係るウエハ裏面研削方法は、半導体回路が形成さ
れたウエハ表面からそのウエハ厚さよりも浅い切込み深
さの溝を形成し、該回路形成面に、上記表面保護シート
を貼付し、その後上記半導体ウエハの裏面研削をするこ
とでウエハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々
のチップへの分割を行なうことを特徴としている。
【００１１】
【発明の具体的説明】以下、図面を参照しながら、本発
明についてさらに具体的に説明する。図１に示すよう
に、本発明に係る表面保護シート１０は、基材１と、こ
の上に形成された粘着剤層２とからなる。
【００１２】基材１としては、特に限定されず、種々の
薄層品が用いられ、たとえば紙、金属箔、合成樹脂フィ
ルム等が用いられる。これらの中でも、本発明において
は、耐水性、耐熱性等の点から、合成樹脂フィルムが好
ましく用いられる。このような合成樹脂フィルムとして
は、具体的には、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレ
ンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリメチルペンテン
フィルム等のポリオレフィンフィルム；ポリ塩化ビニル
フィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリエチレン
テレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフ
ィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリブ
タジエンフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン／
酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン／（メタ）アク
リル酸共重合体フィルム、エチレン／（メタ）アクリル
酸エステル共重合体フィルム、アイオノマーフィルム、
ポリスチレンフィルム、ポリアミドフィルムを例示する
ことができる。
【００１３】特に基材１としては、そのヤング率と厚み
との積が、１．０〜１０００kg／cm、特に３．０〜５０
０kg／cmの範囲にあるものが好ましく用いられる。上記
のような基材１の厚さは、通常５〜３００μｍであり、
好ましくは１０〜２００μｍである。なお、基材１は、
上記した各種フィルムの単層品であってもよく積層品で
あってもよい。
【００１４】積層フィルムの場合、フィルム同士は、ド
ライラミネート等により直接積層されていてもよく、ま
た、接着剤等を介して積層してもよい。また基材１の上
面、すなわち粘着剤層２が設けられる側の面には粘着剤
との密着性を向上するために、コロナ処理を施したりプ
ライマー等の他の層を設けてもよい。
【００１５】なお、後述する粘着剤層２を、エネルギー
線硬化型粘着剤で形成する場合には、粘着剤層２にエネ
ルギー線を照射することがあるが、この場合には、基材
１を構成するフィルムは透明である必要がある。
【００１６】本発明に係る表面保護シート１０は、上記
基材１上に粘着剤層２が形成されてなる。粘着剤層２
は、４０℃における弾性率が１．０×１０5Ｐａ以上、
好ましくは１．０×１０5Ｐａ〜１．０×１０10Ｐａの
粘着剤からなる。半導体ウエハの裏面研磨時には、表面
保護シート１０で、表面を保護するとともにウエハを固
定している。裏面研磨の際には、研磨熱が発生し、表面
保護シート１０も熱が伝わり、粘着剤層２は２０〜６０
℃程度になる。一般に粘着剤は加熱により軟化し易いた
め、研磨の進行にともない粘着剤が軟らかくなり、ウエ
ハ（チップ）が動きやすくなる。しかし、本発明におい
ては、４０℃における弾性率が１．０×１０5Ｐａ以上
の粘着剤を使用しているため、図６に示すような挙動を
抑制できるようになり、チップの破損を防止できる。
【００１７】なお、上記の弾性率は、ウエハを保持し裏
面を研磨している条件での弾性率を意味する。たとえ
ば、エネルギー線硬化型粘着剤のようにエネルギー線照
射により弾性率が変化しうる粘着剤を用いる場合には、
粘着剤層２にウエハを貼付し、粘着剤層をエネルギー線
硬化させた後にウエハの裏面研磨を行なうことがある。
この場合には、上記の弾性率は、ウエハを保持し裏面研
磨を行なう条件での弾性率、すなわちエネルギー線硬化
後の粘着剤層の弾性率を意味する。
【００１８】また、弾性率には、その測定法によりＧ’
（捻り剪断法）とＥ’（引張圧縮法）とがある。エネル
ギー線照射前のエネルギー線硬化型粘着剤の弾性率は捻
り剪断法により測定され、エネルギー線照射後のエネル
ギー線硬化型粘着剤の弾性率は引張圧縮法により測定さ
れる。Ｇ’とＥ’とは線型領域では一般に、Ｅ’＝３
Ｇ’の関係が成立する。本発明で規定される上記の弾性
率は引張圧縮法によるものを意味し、捻り剪断法により
測定される場合には、Ｅ’＝３Ｇ’の式により換算され
た値を示す。
【００１９】本発明で用いられる粘着剤としては、上記
弾性率を有する限り、何ら限定されるものではないが、
たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニ
ルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー
線硬化型や加熱発泡型の粘着剤も用いることができる。
【００２０】粘着剤層２の厚さは、その材質にもよる
が、通常は３〜１００μｍ程度であり、好ましくは１０
〜５０μｍ程度である。上記のような粘着剤としては、
種々の粘着剤が用いられる。エネルギー線硬化（光硬
化、紫外線硬化、電子線硬化）型粘着剤としては、たと
えば、特公平１−５６１１２号公報、特開平７−１３５
１８９号公報等に記載のものが好ましく使用されるがこ
れらに限定されることはない。しかしながら、本発明に
おいては、特にエネルギー線硬化型粘着剤を用いること
が好ましい。
【００２１】エネルギー線硬化型粘着剤に用いられるエ
ネルギー線重合性化合物としては、たとえば特開昭６０
−１９６，９５６号公報および特開昭６０−２２３，１
３９号公報に開示されているような光照射によって三次
元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を
少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いら
れ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレ
ート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリ
トールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモ
ノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリト
ールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリ
コールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジア
クリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、
市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。
【００２２】さらにエネルギー線重合性化合物として、
上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタン
アクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレ
タンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型また
はポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソ
シアネート化合物たとえば２，４−トリレンジイソシア
ネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−
キシリレンジイソシアネート、１，４−キシリレンジイ
ソシアネート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアネ
ートなどを反応させて得られる末端イソシアネートウレ
タンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレ
ートあるいはメタクリレートたとえば２−ヒドロキシエ
チルアクリレートまたは２−ヒドロキシエチルメタクリ
レート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒ
ドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコ
ールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレ
ートなどを反応させて得られる。
【００２３】エネルギー線硬化型粘着剤中のアクリル系
粘着剤とエネルギー線重合性化合物との配合比は、アク
リル系粘着剤１００重量部に対してエネルギー線重合性
化合物は５０〜２００重量部、好ましくは５０〜１５０
重量部、特に好ましくは７０〜１２０重量部の範囲の量
で用いられることが望ましい。この場合には、得られる
粘着シートは初期の接着力が大きく、しかもエネルギー
線照射後には粘着力は大きく低下する。したがって、チ
ップ体とアクリル系エネルギー線硬化型粘着剤層との界
面での剥離が容易になり、チップ体をピックアップでき
る。
【００２４】また、アクリル系エネルギー線硬化型粘着
剤層は、側鎖にエネルギー線重合性基を有するエネルギ
ー線硬化型共重合体から形成されていてもよい。このよ
うなエネルギー線硬化型共重合体は、粘着性とエネルギ
ー線硬化性とを兼ね備える性質を有する。側鎖にエネル
ギー線重合性基を有するエネルギー線硬化型共重合体
は、たとえば、特開平５−３２９４６号公報、特開平８
−２７２３９号公報等にその詳細が記載されている。こ
のような粘着剤は弾性率を低減させるような低分子量の
物質の配合を抑制できるので、高弾性率を得やすくな
る。
【００２５】上記のようなアクリル系エネルギー線硬化
型粘着剤は、エネルギー線照射前には被着体に対して充
分な接着力を有し、エネルギー線照射後には接着力が著
しく減少する。すなわち、エネルギー線照射前には、チ
ップ体を充分な接着力で保持するが、エネルギー線照射
後には、チップ体を容易に剥離することができる。
【００２６】また、前記粘着剤層２の剪断剥離力は、好
ましくは１０kg／cm2以上、さらに好ましくは１０〜１
００kg／cm2、特に好ましくは１０〜５０kg／cm2の範囲
にある。なお、この剪断剥離力も、エネルギー線硬化型
粘着剤においてはエネルギー線照射の有無によって変動
するが、本発明においては、上記弾性率と同様に、ウエ
ハを保持し裏面研磨を行なう条件での値を意味する。エ
ネルギー線硬化型粘着剤において、エネルギー線照射後
であれば、接着力が激減するため、研磨工程中に剥離し
やすくなる。ところが、剪断方向の応力（剪断剥離力）
が強ければ、１８０°剥離力に関係なく研磨工程中で剥
離しにくくなる。このため、剪断剥離力が上記の範囲に
あると、裏面研磨においてウエハ（チップ）をしっかり
保持して、チップの破損を防止できる。
【００２７】また、本発明の表面保護シートの圧縮ひず
みは、好ましくは０．１〜５．０％、さらに好ましくは
０．５〜４．５％の範囲にある。ここで、シートの圧縮
ひずみは、ＪＩＳ Ｋ ７２０８に準じて、荷重４０kg
／cm2で測定される値である。
【００２８】シートの圧縮ひずみが上記の範囲にある
と、スピンドルが当たり現に研削されているチップと、
その隣のスピンドルが当たっていないチップとの高低差
が比較的小さくなり、チップの破損（クラック）を防止
できる。
【００２９】このような、本発明に係る表面保護シート
１０は、半導体回路が形成されたウエハ表面からそのウ
エハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、その後上
記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの厚みを
薄くするとともに、最終的には個々のチップへの分割を
行なうウエハ裏面研削方法において、ウエハ表面の保護
およびウエハの一時的な固定手段として用いられる。
【００３０】より具体的には、以下のような工程からな
るウエハ裏面研削方法に用いられる。 第１工程：複数の回路を区画するためのストリートに沿
って所定の深さの溝４をウエハ３表面から削成する（図
２参照）。
【００３１】第２工程：前記ウエハ３の表面全体を覆う
状態に本発明の表面保護シート１０を接着する（図３参
照）。 第３工程：前記溝４の底部を除去し、所定の厚さになる
までウエハの裏面を研削して個々のチップ５に分割する
（図４参照）。
【００３２】その後、粘着剤層２をエネルギー線硬化型
粘着剤から形成した場合には、エネルギー線照射して接
着力を低減させ、チップの研磨面に別の粘着テープ（特
開平５−３３５４１１号公報におけるマウンティング用
テープ）を貼付し、表面保護シート１０を剥離する（図
５参照）。その後、別の粘着テープよりチップをピック
アップし所定の基体上にマウントする。
【００３３】なお、粘着剤層２を、軟質のエネルギー線
硬化型粘着剤で形成した場合には、この前記第２工程に
おいて、基材側からエネルギー線を照射し、粘着剤層の
弾性率を上述した範囲に制御することができる。この場
合には、チップ５に分割した後に、さらにエネルギー線
を照射する必要はない。
【００３４】このようなプロセスによれば、薄型ＩＣチ
ップを歩留りよく、容易に製造することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明に係る
表面保護シートによれば、極薄のＩＣチップを歩留りよ
く製造できる。
【００３６】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００３７】なお、以下の実施例および比較例において
は、弾性率、剪断剥離力、シートの圧縮ひずみおよびク
ラック発生率は、次のようにして測定した。 〔弾性率〕 Ｇ’（捻り剪断法） 試験片：８mmφ×３mmの円柱 測定器：DYNAMIC ANALYZER RDA II （REOMETRIC 社製） 測定周波数：１Ｈｚ なお、捻り剪断法により測定した場合には、Ｇ’値を三
倍してＥ’値に換算した。 Ｅ’（引張圧縮法） 試験片：５０mm（長さ）×４mm（幅）×０．５mm（厚
み） 測定器：RHEOVIBRON DDV-II-EA（オリエンテック社製） 測定周波数：１１Ｈｚ 〔剪断剥離力〕 試験片：１５mm（幅）×１００mm（長さ） 測定器：インストロン（インストロン社製） 上記試験片を鏡面ウエハに１kgロールを用いて貼付し
た。その際ウエハとの接着面積が１５mm×１５mmとなる
ようにした。
【００３８】ウエハと試験片をチャックにて各々固定
し、ヘッドスピード５０mm／分で垂直方向（剪断方向）
に剥離し測定を行なった。 〔シートの圧縮ひずみ〕ＪＩＳ Ｋ ７２０８に準じ、
以下のようにして測定した。
【００３９】１０mm×１０mmのシートを積層して厚み５
mmの試料を作製して、インストロン（インストロン社
製）において、試験速度５mm／分で厚み方向に荷重をか
け圧縮荷重−変形曲線を測定した。その曲線から、圧縮
荷重が４０kg／cm2における圧縮ひずみを計算した。 〔クラック発生率〕直径６インチ、厚み７００μｍのシ
リコンウエハをダイシングシート（AdwillD-628、リン
テック社製）に貼付し、ディスコ社製 DAD 2H/6T を用
い、３５μｍ厚のブレードで、切込み量４００μｍ、チ
ップサイズ１０mm□の条件で溝を形成した。次いで、実
施例および比較例で製造した粘着シートを、溝を形成し
た面に貼付し、ダイシングシートを剥離し、ディスコ社
製DFG-840 を用いて、厚さ８０μｍになるまで研磨を行
なった。実施例４では研磨工程前にエネルギー線（紫外
線）照射を行ない、実施例１〜３および比較例では、研
磨工程終了後にエネルギー線（紫外線）照射を行ない、
また実施例５ではエネルギー線（紫外線）照射を行なわ
ずに、粘着シートを剥離した。この時分割されたチップ
においてクラックが発生したチップ数をカウントし、下
記式からクラック発生率を算出する。
【００４０】
【数１】
【００４１】
【実施例１】エネルギー線硬化型共重合体としてブチル
アクリレート６０重量部、メチルメタクリレート１０重
量部、2-ヒドロキシエチルアクリレート３０重量部から
なる重量平均分子量３０００００のアクリル系共重合体
の２５％酢酸エチル溶液１００重量部とメタクリロイル
オキシエチルイソシアナート７．０重量部とを反応さ
せ、該エネルギー線硬化型共重合体固形分１００重量部
に対して、０．５重量部の多価イソシアナート化合物
（コロネートＬ）と、光重合開始剤として１．０重量部
のイルガキュア１８４を混合してエネルギー線硬化型粘
着剤を得た。
【００４２】このエネルギー線硬化型粘着剤を、乾燥後
の塗布厚が２０μｍとなるように１１０μｍ厚のポリエ
チレンフィルム（ヤング率×厚さ＝１４．３kg／cm）に
塗布した後、１００℃で１分間乾燥し、粘着シートを得
た。
【００４３】この粘着シートを用いて上記の試験を行な
った。結果を表１に示す。
【００４４】
【実施例２】エネルギー線硬化型共重合体としてブチル
アクリレート５５重量部、メチルメタクリレート１０重
量部、メチルアクリレート５重量部、2-ヒドロキシエチ
ルアクリレート３０重量部からなる重量平均分子量３０
００００のアクリル系共重合体の２５％酢酸エチル溶液
１００重量部とメタクリロイルオキシエチルイソシアナ
ート７．０重量部とを反応させたものを用いた以外は実
施例１と同様の操作を行なった。結果を表１に示す。
【００４５】
【実施例３】エネルギー線硬化型共重合体としてブチル
アクリレート５０重量部、メチルメタクリレート２０重
量部、2-ヒドロキシエチルアクリレート３０重量部から
なる重量平均分子量３０００００のアクリル系共重合体
の２５％酢酸エチル溶液１００重量部とメタクリロイル
オキシエチルイソシアナート７．０重量部とを反応させ
たものを用いた以外は実施例１と同様の操作を行なっ
た。結果を表１に示す。
【００４６】
【実施例４】ブチルアクリレート９０重量部、2-ヒドロ
キシエチルアクリレート１０重量部からなる重量平均分
子量３０００００のアクリル系共重合体１００重量部
と、該アクリル系共重合体と反応しない不飽和基含有化
合物として重量平均分子量７０００のウレタンアクリレ
ート系オリゴマー（商品名セイカビームＰＵ−４；大日
精化工業社製）１２０重量部と、多価イソシアナート化
合物（コロネートＬ）１０重量部と、光重合開始剤とし
て４．０重量部のイルガキュア１８４を混合してエネル
ギー線硬化型粘着剤を得た。この粘着剤を用いて、研磨
工程前にエネルギー線照射した他は、実施例１と同様に
して粘着シートを得た。
【００４７】この粘着シートを用いて上記の試験を行な
った。結果を表１に示す。
【００４８】
【実施例５】実施例１のエネルギー線硬化型粘着剤に代
えて、イソブチルアクリレート８０重量部、メチルメタ
クリレート１５重量部、2-ヒドロキシエチルアクリレー
ト５重量部からなる重量平均分子量５０００００のアク
リル系共重合体の固型分１００重量部に対し、多価イソ
シアナート化合物（コロネートＬ）２０重量部を混合し
て得たアクリル系再剥離型粘着剤を用いた以外は実施例
１と同様の操作を行なった。結果を表１に示す。
【００４９】
【比較例１】エネルギー線硬化型共重合体として2-エチ
ルヘキシルアクリレート８０重量部、2-ヒドロキシエチ
ルアクリレート２０重量部からなる重量平均分子量３０
００００のアクリル系共重合体の２５％酢酸エチル溶液
１００重量部とメタクリロイルオキシエチルイソシアナ
ート４．７重量部とを反応させたものを用いた以外は実
施例１と同様の操作を行なった。結果を表１に示す。
【００５０】
【比較例２】エネルギー線硬化型共重合体としてブチル
アクリレート６０重量部、メチルメタクリレート１０重
量部、2-ヒドロキシエチルアクリレート３０重量部から
なる重量平均分子量３０００００のアクリル系共重合体
の２５％酢酸エチル溶液１００重量部とメタクリロイル
オキシエチルイソシアナート３．０重量部とを反応させ
たものを用いた以外は実施例１と同様の操作を行なっ
た。結果を表１に示す。
【００５１】
【比較例３】実施例４の粘着シートを用い、エネルギー
線照射をせずに試験を行なった。結果を表１に示す。
【００５２】
【表１】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る表面保護シートの断面図を示す。
【図２】本発明に係る粘着シートを用いた薄型ＩＣチッ
プの製造工程を示す。
【図３】本発明に係る粘着シートを用いた薄型ＩＣチッ
プの製造工程を示す。
【図４】本発明に係る粘着シートを用いた薄型ＩＣチッ
プの製造工程を示す。
【図５】本発明に係る粘着シートを用いた薄型ＩＣチッ
プの製造工程を示す。
【図６】従来の裏面研削方法におけるチップ破損のメカ
ニズムを示す。
【符号の説明】
１…基材 ２…粘着剤層 ３…ウエハ ４…溝 ５…チップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田 久 真 也 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝多摩川工場内 Ｆターム(参考） 4J004 AA05 AA08 AA10 AA11 AA17 AB01 AB06 AC03 CA02 CA03 CA04 CA05 CA06 CA08 CB02 CC02 CC03 FA04 FA05 4J040 FA141 FA271 FA291 GA02 JA09 JB07 JB09 LA06 NA20 PA32

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体回路が形成されたウエハ表面から
    そのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、そ
    の後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハの
    厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへの
    分割を行なうウエハ裏面研削において用いられる半導体
    ウエハの表面保護シートであって、 基材と、その上に形成された粘着剤層とからなり、該粘
    着剤層の４０℃における弾性率が１．０×１０5Ｐａ以
    上であることを特徴とする表面保護シート。
  2. 【請求項２】 前記粘着剤層が、エネルギー線硬化型粘
    着剤からなることを特徴とする請求項１に記載の表面保
    護シート。
  3. 【請求項３】 前記粘着剤層の剪断剥離力が、１０kg／
    cm2以上であることを特徴とする請求項１または２に記
    載の表面保護シート。
  4. 【請求項４】 シートの圧縮ひずみが、４０kg／cm2に
    おいて、０．１〜５．０％であることを特徴とする請求
    項１〜３の何れかに記載の表面保護シート。
  5. 【請求項５】 半導体回路が形成されたウエハ表面から
    そのウエハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し、 該回路形成面に、基材と、その上に形成された粘着剤層
    とからなり、該粘着剤層の４０℃における弾性率が１．
    ０×１０5Ｐａ以上の表面保護シートを貼付し、 その後上記半導体ウエハの裏面研削をすることでウエハ
    の厚みを薄くするとともに、最終的には個々のチップへ
    の分割を行なうことを特徴とするウエハ裏面研削方法。
  6. 【請求項６】 前記粘着剤層が、エネルギー線硬化型粘
    着剤からなり、表面保護シートを回路形成面に貼付後、
    エネルギー線照射を行い、粘着剤層の４０℃における弾
    性率が１．０×１０5Ｐａ以上とすることを特徴とする
    請求項５に記載のウエハ裏面研削方法。
  7. 【請求項７】 エネルギー線照射後の粘着剤層の剪断剥
    離力が、１０kg／cm 2以上であることを特徴とする請求
    項６に記載のウエハ裏面研削方法。
  8. 【請求項８】 エネルギー線照射後の表面保護シートの
    圧縮ひずみが、４０kg／cm2において、０．１〜５．０
    ％であることを特徴とする請求項６または７に記載のウ
    エハ裏面研削方法。
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