CN105047597B - 半导体背面用切割带集成膜 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜的贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa。

Description

半导体背面用切割带集成膜
本申请是申请日为2010年6月12日、申请号为201010204850.5、发明名称为“半导体背面用切割带集成膜”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及半导体背面用切割带集成膜，其包括倒装芯片型半导体背面用膜。将倒装芯片型半导体背面用膜用于保护芯片形工件(例如半导体芯片)的背面和增强强度等的目的。此外，本发明涉及使用半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法和倒装芯片安装的半导体器件。
背景技术
近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中通过倒装芯片接合将芯片形工件例如半导体芯片安装(倒装芯片接合)于基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片接合中，将半导体芯片以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等中，可以存在半导体芯片(芯片形工件)的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见，例如，专利文献1至10)。
专利文献1：JP-A-2008-166451
专利文献2：JP-A-2008-006386
专利文献3：JP-A-2007-261035
专利文献4：JP-A-2007-250970
专利文献5：JP-A-2007-158026
专利文献6：JP-A-2004-221169
专利文献7：JP-A-2004-214288
专利文献8：JP-A-2004-142430
专利文献9：JP-A-2004-072108
专利文献10：JP-A-2004-063551
发明内容
然而，将用于保护半导体芯片背面的背面保护膜粘贴至通过在切割步骤中切割半导体晶片获得的半导体芯片的背面导致增加粘贴步骤，以致步骤的数量增加，成本等增加。此外，由于薄型化，在切割步骤后的半导体芯片的拾取步骤中，在一些情况下可能损害半导体芯片。因此，期望在拾取步骤前增强半导体晶片或半导体芯片。
考虑到前述问题，本发明的目的在于提供从半导体晶片的切割步骤至半导体元件的倒装芯片接合步骤均能够利用的半导体背面用切割带集成膜。
此外，本发明的另一目的在于提供半导体背面用切割带集成膜，其能够在半导体晶片的切割步骤中显示出优良的保持力并能够在半导体元件的倒装芯片连接步骤后显示出优良的标识性和优良的外观性。
为了解决前述的相关技术问题，本发明人进行了广泛深入的研究。结果，已发现，当将倒装芯片型半导体背面用膜层压至具有基材和压敏粘合剂层的切割带的压敏粘合剂层上从而以集成形式形成切割带和倒装芯片型半导体背面用膜，并且倒装芯片型半导体背面用膜是由以特定比例含有热塑性树脂组分的树脂组合物形成时，从半导体晶片的切割步骤至半导体元件的倒装芯片连接步骤均能够利用其中以集成形式形成切割带和倒装芯片型半导体背面用膜的层压体(半导体背面用切割带集成膜)，在半导体晶片的切割步骤中能够显示出优良的保持力，在半导体元件的倒装芯片连接步骤后能够显示出优良的标识性和优良的外观性，使得完成本发明。
即，本发明提供半导体背面用切割带集成膜，其包括：
切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层；和
倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，
其中所述倒装芯片型半导体背面用膜具有贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa。
如上所述，本发明的半导体背面用切割带集成膜是以其中倒装芯片型半导体背面用膜与具有基材和压敏粘合剂层的切割带集成的形式形成，倒装芯片型半导体背面用膜的贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa。因此，在切割工件(半导体晶片)时，通过将半导体背面用切割带集成膜粘贴至工件(半导体晶片)上，在保持所述工件时将其有效地切割。此外，在切割工件以形成芯片形工件(半导体元件)后，能够将芯片形工件与倒装芯片型半导体背面用膜一起容易地从具有优良的拾取性的切割带的压敏粘合剂层剥离，能够容易地获得背面受到保护的芯片形工件。此外，能够有效地提高芯片形工件背面的标识性和外观性等。
特别地，如前所述，在本发明的半导体背面用切割带集成膜中，以集成形式形成切割带和倒装芯片型半导体背面用膜，因此，也能够提供本发明的半导体背面用切割带集成膜以用于切割半导体晶片来制备半导体元件的切割步骤或者随后的拾取步骤。结果，仅粘贴半导体背面用膜的步骤(半导体背面用膜的粘贴步骤)不是必需的。此外，在随后的切割步骤或拾取步骤中，将半导体背面用膜粘贴至半导体晶片的背面或者通过切割形成的半导体元件的背面，因此，能够有效地保护半导体晶片或者半导体元件，能够抑制或者防止在切割步骤或随后的步骤(例如，拾取步骤)中半导体元件的损坏。
在一实施方案中，倒装芯片型半导体背面用膜包含添加至其的着色剂。在一实施方案中，在倒装芯片接合时能够适当地使用本发明的半导体背面用切割带集成膜。此外，由于倒装芯片型半导体背面用膜以优良的紧密粘合性粘贴至半导体元件背面，因此其具有优良的外观性。此外，可以赋予半导体元件的背面以优良的标识性。
本发明还提供使用上述半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法，该方法包括：
将工件粘贴至半导体背面用切割带集成膜的倒装芯片型半导体背面用膜上，
切割所述工件以形成芯片形工件，
将所述芯片形工件与倒装芯片型背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离，和
将所述芯片形工件倒装芯片连接至被粘物上。
本发明进一步提供倒装芯片安装的半导体器件，其通过上述方法制造。
根据本发明的半导体背面用切割带集成膜，不仅切割带和倒装芯片型半导体背面用膜以集成形式形成，而且倒装芯片型半导体背面用膜的贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa。因此，从半导体晶片的切割步骤至半导体元件的倒装芯片接合步骤均能够利用本发明的半导体背面用切割带集成膜。具体地，本发明的半导体背面用切割带集成膜在半导体晶片的切割步骤中能够显示出优良的保持力，并且在切割步骤后的拾取步骤中，通过切割的半导体元件能够与倒装芯片型半导体背面用膜一起从具有优良拾取性的切割带的压敏粘合剂层剥离。此外，在半导体元件的倒装芯片接合步骤期间和之后能够显示出标识性和外观性。此外，在倒装芯片接合步骤等中，由于半导体元件的背面用倒装芯片型半导体背面用膜保护，因此能够有效抑制或防止半导体元件的破坏(breakage)、碎裂(chipping)和翘曲(warp)等。此外，在拾取步骤后和直至倒装芯片接合步骤，即使当将其背面用倒装芯片型半导体背面用膜保护的半导体元件放置在支承体上时，所述半导体元件也不粘贴至支承体。自然，在半导体元件的切割步骤至倒装芯片接合步骤的步骤之外的步骤中，本发明的半导体背面用切割带集成膜能够有效地显示出其功能。
附图说明
图1为示出本发明的半导体背面用切割带集成膜的一个实施方案的横截面示意图。
图2A-2D为示出使用本发明的半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法的一个实施方案的横截面示意图。
附图标记说明
1：半导体背面用切割带集成膜
2：倒装芯片型半导体背面用膜
3：切割带
31：基材
32：压敏粘合剂层
4：半导体晶片(工件)
5：半导体元件(半导体芯片)
51：在半导体芯片5的电路面形成的凸块(bump)
6：被粘物
61：粘合至被粘物6的连接垫(connecting pad)的连结用导电性材料
具体实施方式
半导体背面用切割带集成膜
参考图1描述本发明的实施方案，但本发明不限于该实施方案。图1为示出本发明半导体背面用切割带集成膜的实施方案的横截面示意图。在图1中，1为半导体背面用切割带集成膜(下文中有时也称作"切割带集成的半导体背面保护膜"、“具有切割带的半导体背面用膜”或“具有切割带的半导体背面保护膜”)；2为倒装芯片型半导体背面用膜(下文中有时也称作"半导体背面用膜"或“半导体背面保护膜”)；3为切割带；31为基材；32为压敏粘合剂层。
此外，在本说明书的附图中，没有给出不需要描述的部分，为了容易描述，存在通过放大、缩小等示出的部分。
如图1所示，半导体背面用切割带集成膜1具有包括以下的构造：具有在基材31上形成的压敏粘合剂层32的切割带3，和设置在压敏粘合剂层32上的半导体背面用膜2。半导体背面用膜2具有贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa。在直至将半导体背面用膜2的表面(要粘贴至半导体晶片背面的表面)粘贴至半导体晶片背面的期间内，将其用隔离体等保护。
此外，半导体背面用切割带集成膜1可以具有其中在切割带3的压敏粘合剂层32的整个表面上形成半导体背面用膜2的构造，或者可以具有其中部分地形成半导体背面用膜2的构造。例如，如图1所示，半导体背面用切割带集成膜1可以具有其中仅在切割带3的压敏粘合剂层32的一部分上形成半导体背面用膜2的构造，要将半导体晶片粘贴至该半导体背面用膜2。
倒装芯片型半导体背面用膜
半导体背面用膜2具有膜形状。如前所述，由于半导体背面用膜2具有贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa，在将粘贴至半导体背面用膜2上的半导体晶片切成芯片形状的切断-加工步骤(切割步骤)中，半导体背面用膜2具有支承紧密粘合至该半导体背面用膜2的半导体晶片的功能，并能够显示出粘合性以使切断件不会飞散。此外，在切割步骤后的拾取步骤中，经过切割的半导体元件能够与半导体背面用膜2一起从切割带3容易地剥离。此外，在拾取步骤后(经过切割的半导体元件与半导体背面用膜2一起从切割带3剥离后)，半导体背面用膜2能够具有保护半导体元件(半导体芯片)背面的功能并且还显示出优良的标识性和优良的外观性。
如上所述，由于半导体背面用膜2具有优良的标识性，可以借助半导体背面用膜2通过利用打印方法或激光标识法进行标识，以将各种信息例如文字信息和图形信息赋予半导体元件或使用半导体元件的半导体器件的非电路侧上的面。特别地，当将半导体背面用膜2着色时，通过控制着色的颜色，可以观察具有优良可见度的通过标识而赋予的信息(例如，文字信息和图形信息)。此外，当将半导体背面用膜2着色时，可以将切割带3和半导体背面用膜2彼此容易地区分，并且能够提高加工性等。
特别地，由于半导体背面用膜2对于半导体晶片或半导体芯片具有优良的紧密粘合性，因此没有观察到浮起等。此外，由于半导体背面用膜2能够显示出优良的外观性，因此能够获得具有优良的增值外观性的半导体器件。例如，作为半导体器件，可以通过使用不同的颜色将其产品分类。
重要的是半导体背面用膜2具有粘合性(紧密粘合性)以致在半导体晶片的切断-加工时切断片不会飞散。
如上所述，半导体背面用膜2不用于将半导体芯片模片接合至被粘物例如基板，而用于保护将要安装倒装芯片(或已经安装倒装芯片)的半导体芯片的背面(非电路面)，并且该半导体背面用膜2因此具有优化的功能和组成。在这点上，模片接合膜为用于将半导体芯片强烈地粘合至被粘物例如基板上的用途的粘合剂层。此外，在使用模片接合膜的半导体器件中，由于其最终使用包封树脂包封，因此模片接合膜在功能和组成上与目的在于保护各半导体晶片和半导体芯片的背面的本发明的半导体背面用膜2不同。因此，不优选将本发明的半导体背面用膜2用作模片接合膜。
如前所述，在本发明中，重要的是半导体背面用膜2的贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa。尽管半导体背面用膜2的贮能弹性模量(在60℃下)的上限可以为不大于15MPa，但优选不大于12MPa，更优选不大于10MPa。此外，半导体背面用膜2的贮能弹性模量(在60℃下)的上限可以为不大于8MPa，特别优选不大于5MPa。尤其是，半导体背面用膜2的贮能弹性模量(在60℃下)的上限适合为不大于3MPa。另一方面，尽管半导体背面用膜2的贮能弹性模量(在60℃下)的下限可以为0.9MPa以上，其优选1MPa以上，特别优选1.2MPa以上。因此，半导体背面用膜2的贮能弹性模量(在60℃下)可以为例如，0.9MPa至12MPa，还可以为0.9MPa至10MPa。当半导体背面用膜2的贮能弹性模量(在60℃下)超过15MPa时，降低对晶片的紧密粘合性，并且降低在切割步骤中的半导体晶片的保持力。另一方面，当半导体背面用膜2的贮能弹性模量(在60℃下)小于0.9MPa时，弹性模量过低以致在拾取步骤中，降低在半导体背面用膜2和切割带3的压敏粘合剂层32之间的界面处的剥离性并且降低拾取性。
半导体背面用膜2的在60℃下的贮能弹性模量(拉伸贮能弹性模量E')通过以下方式测定：制备不层压至切割带上的半导体背面用膜2，并使用由Rheometrics Co.,Ltd.制造的动态粘弹性测量设备"Solid Analyzer RS A2"，在预定温度(60℃)下，在氮气气氛下，在样品宽度10mm、样品长度22.5mm、样品厚度0.2mm、频率1Hz和升温速率10℃/min的条件下，以拉伸模式测量贮能弹性模量，并将该弹性模量作为获得的拉伸贮能弹性模量E'的值。
在本发明中，半导体背面用膜2优选由含有热塑性树脂和热固性树脂的树脂组合物组成。半导体背面用膜2可以由不含热固性树脂的热塑性树脂组合物组成或可以由不含热塑性树脂的热固性树脂组合物组成。
热塑性树脂的实例包括天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂如6-尼龙和6,6-尼龙、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、饱和聚酯树脂如PET(聚对苯二甲酸乙二酯)和PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯)、聚酰胺-酰亚胺树脂和氟碳树脂。这些热塑性树脂可以单独使用或以其两种以上的组合使用。在这些热塑性树脂中，特别优选包含少量离子性杂质、具有高耐热性和能够确保半导体元件可靠性的丙烯酸类树脂。
丙烯酸类树脂没有特别限定，其实例包括包含一种或两种以上丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯作为组分的聚合物，其中所述烷基为具有30个以下碳原子，特别是4至18个碳原子的直链或支化烷基。即，此处所用的“丙烯酸类树脂”具有包括甲基丙烯酸类树脂的宽泛含义。所述烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。
此外，形成丙烯酸类树脂的其它单体(除其中烷基为具有30个以下碳原子的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的单体)没有特别限定，其实例包括含羧基单体如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸；酸酐单体如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基单体如(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟月桂酯和(4-羟甲基环己基)-甲基丙烯酸酯；含磺酸单体如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰氨基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰氨基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸基团单体如2-羟乙基丙烯酰磷酸酯(2-hydroethylacryloyl phosphate)。
除了环氧树脂和酚醛树脂之外，热固性树脂的实例包括，氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂和热固性聚酰亚胺树脂。这些热固性树脂可以单独使用或以其两种以上的组合使用。作为热固性树脂，包含少量腐蚀半导体元件的离子性杂质的环氧树脂是合适的。此外，酚醛树脂适合用作环氧树脂的固化剂。
环氧树脂没有特别限定，例如，可使用双官能环氧树脂或多官能环氧树脂如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、可溶可熔酚醛(phenol novolak)型环氧树脂、邻甲酚可溶酚醛(o-cresol novolak)型环氧树脂、三羟基苯甲烷型环氧树脂和四羟苯基乙烷(tetraphenylolethane)型环氧树脂，或环氧树脂如乙内酰脲型环氧树脂、三缩水甘油基异氰脲酸酯型环氧树脂或缩水甘油基胺型环氧树脂。
作为环氧树脂，在以上示例的那些中，双酚A型环氧树脂、酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯甲烷型环氧树脂和四羟苯基乙烷型环氧树脂是优选的。这是因为这些环氧树脂与作为固化剂的酚醛树脂具有高反应性，且耐热性等优良。
此外，上述酚醛树脂起到环氧树脂的固化剂的作用，其实例包括可溶可熔型酚醛树脂如可溶可熔酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚可溶酚醛树脂、叔丁基可溶可熔酚醛树脂和壬基可溶可熔酚醛树脂；甲阶型酚醛树脂；和聚氧苯乙烯(polyoxystyrenes)如聚对氧苯乙烯。酚醛树脂可单独或以其两种以上的组合使用。在这些酚醛树脂中，可溶可熔酚醛树脂和苯酚芳烷基树脂是特别优选的。这是因为可改进半导体器件的连接可靠性。
环氧树脂与酚醛树脂的混合比优选使得例如酚醛树脂中的羟基变为0.5至2.0当量，基于每当量环氧树脂组分中的环氧基团。其更优选0.8至1.2当量。即，当混合比变为在该范围之外时，固化反应不能充分进行，环氧树脂固化产物的特性趋于劣化。
环氧树脂和酚醛树脂的热固化促进催化剂没有特别限定，可适当选自已知的热固化促进催化剂并使用。热固化促进催化剂可单独或以两种以上的组合使用。作为热固化促进催化剂，例如，可使用胺类固化促进催化剂、磷类固化促进催化剂、咪唑类固化促进催化剂、硼类固化促进催化剂或磷-硼类固化促进催化剂。
在本发明中，特别优选半导体背面用膜2由含有环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂的树脂组合物(DBF用树脂组合物)形成。由于这些树脂离子性杂质少并且耐热性高，能够确保半导体元件的可靠性。在这种情况下，尽管没有特别限定这些树脂的共混比，例如，环氧树脂和酚醛树脂的混合量可以在基于100重量份丙烯酸类树脂组分为10重量份至300重量份(优选15质量份至280质量份，更优选20重量份至250重量份)的范围内选择。
重要的是半导体背面用膜2具有对于半导体晶片背面(非电路面)的粘合性(紧密粘合性)。具有该紧密粘合性等的半导体背面用膜可以由例如含有环氧树脂的树脂组合物形成。为了交联半导体背面用膜2的目的，可以将能够与聚合物的分子链端官能团等反应的多官能化合物作为交联剂添加至其。据此，可以设法提高在高温下的粘合特性(紧密粘合特性)并且改进耐热性。
交联剂没有特别限定，可以使用已知的交联剂。具体地，作为交联剂，不仅可提及异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂和过氧化物类交联剂，还提及脲类交联剂、金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、噁唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂和胺类交联剂等。作为交联剂，异氰酸酯类交联剂或环氧类交联剂是适合的。交联剂可以单独使用或以两种以上的组合使用。
异氰酸酯类交联剂的实例包括低级脂肪族多异氰酸酯例如1,2-亚乙基二异氰酸酯、1,4-亚丁基二异氰酸酯和1,6-六亚甲基二异氰酸酯；脂环族多异氰酸酯例如亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯和氢化苯二甲撑二异氰酸酯；和芳香族多异氰酸酯例如2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、4,4'-二苯甲烷二异氰酸酯和苯二甲撑二异氰酸酯。另外，也使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加合物[商品名“COLONATE L”，由Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.制造]、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加合物[商品名“COLONATE HL”，由NipponPolyurethane Industry Co.,Ltd.制造]等。此外，环氧类交联剂的实例包括N,N,N',N'-四缩水甘油基-间-苯二甲胺、二缩水甘油基苯胺、1,3-双(N,N-缩水甘油基氨甲基)环己烷、1,6-己二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、山梨糖醇多缩水甘油醚、甘油多缩水甘油醚、季戊四醇多缩水甘油醚、聚甘油多缩水甘油醚、脱水山梨糖醇多缩水甘油醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基-三(2-羟乙基)异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚和双酚-S-二缩水甘油醚，以及在分子中具有两个以上的环氧基团的环氧类树脂。
交联剂的量没有特别限定，可依赖于交联程度适当选择。具体地，优选交联剂的量为例如0.05至7重量份，基于100重量份聚合物组分(特别地，在分子链末端具有官能团的聚合物)。当交联剂的量基于100重量份聚合物组分大于7重量份时，紧密粘合性降低并且因此不利的，而当其低于0.05重量份时，内聚力不充分并且因此不利的。
在本发明中，代替使用交联剂或与交联剂一起使用，也可以通过用电子束或紫外光照射来进行交联处理。
在本发明中，优选将半导体背面用膜2着色。如上所述，在将半导体背面用膜2着色的情况(半导体背面用膜2既不是无色的也不是透明的情况)下，通过着色显示的颜色没有特别限定，但例如优选暗色如黑色、蓝色或红色，黑色是特别优选的。
在本发明中，暗色主要指具有60以下(0至60)，优选50以下(0至50)，更优选40以下(0至40)的在L*a*b*颜色空间中定义的L*的暗色。
此外，黑色主要是指具有35以下(0至35)，优选30以下(0至30)，更优选25以下(0至25)的在L*a*b*颜色空间中定义的L*的黑色系颜色。在这点上，在黑色中，在L*a*b*颜色空间中定义的各a*和b*可根据L*的值适当选择。例如，a*和b*均在优选-10至10，更优选-5至5，特别优选-3至3(特别地0或约0)的范围内。
在本发明中，在L*a*b*颜色空间中定义的L*、a*和b*可通过用色差计(商品名“CR-200”，由Minolta Ltd制造；色差计)测量来确定。L*a*b*颜色空间为在1976年由CommissionInternationale de l’Eclairage(CIE)建议的颜色空间，是指称为CIE1976(L*a*b*)颜色空间的颜色空间。此外，在日本工业标准(Japanese Industrial Standards)JIS Z8729中定义了L*a*b*颜色空间。
在半导体背面用膜2着色时，根据目标颜色，可使用着色剂(着色试剂)。作为该着色剂，可适当使用各种暗色着色剂如黑色着色剂、蓝色着色剂和红色着色剂，黑色着色剂是特别适合的。着色剂可为任意颜料和染料。着色剂可单独使用或以两种以上的组合使用。在这点上，作为染料，可以使用任何形式的染料如酸性染料、反应性染料、直接染料、分散染料和阳离子染料。此外，同样关于颜料，其形式不特别限制，可在已知颜料中适当选择和使用。
黑色着色剂不特别限制，例如，可适当选自无机黑色颜料和黑色染料。此外，黑色着色剂可为其中将青色着色剂(蓝-绿着色剂)、品红色着色剂(红-紫着色剂)和黄色着色剂(黄着色剂)混合的着色剂混合物。黑色着色剂可单独使用或两种以上的组合使用。当然，黑色着色剂可与除黑色之外其它颜色的着色剂组合使用。
黑色着色剂的具体实例包括炭黑(如炉黑、槽黑、乙炔黑、热裂炭黑或灯黑)、石墨、氧化铜、二氧化锰、偶氮型颜料(例如，偶氮甲碱偶氮黑)、苯胺黑、苝黑、钛黑、花青黑、活性炭、铁素体(如非磁性铁素体或磁性铁素体)、磁铁矿、氧化铬、氧化铁、二硫化钼、铬配合物、复合氧化物型黑色颜料和蒽醌型有机黑色颜料。
作为除黑色着色剂以外的着色剂，例如可以提及青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂，青色着色剂的实例包括青色染料如C.I.溶剂蓝25、36、60、70、93、95；C.I.酸性蓝6和45；青色颜料如C.I.颜料蓝1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、22、25、56、60、63、65、66；C.I.瓮蓝4、60；和C.I.颜料绿7。
此外，在品红色着色剂中，品红色染料的实例包括C.I.溶剂红1、3、8、23、24、25、27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122；C.I.分散红9；C.I.溶剂紫8、13、14、21、27；C.I.分散紫1；C.I.碱性红1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、32、34、35、36、37、38、39、40；C.I.碱性紫1、3、7、10、14、15、21、25、26、27和28。
在品红色着色剂中，品红色颜料的实例包括C.I.颜料红1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245；C.I.颜料紫3、9、19、23、31、32、33、36、38、43、50；C.I.瓮红1、2、10、13、15、23、29和35。
此外，黄色着色剂的实例包括黄色染料如C.I.溶剂黄19、44、77、79、81、82、93、98、103、104、112和162；黄色颜料如C.I.颜料橙31、43；C.I.颜料黄1、2、3、4、5、6、7、10、11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195；C.I.瓮黄1、3和20。
各种着色剂如青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂可分别单独使用或两种以上的组合使用。在此点上，在使用各种着色剂如青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂的两种以上的情况下，这些着色剂的混合比(或共混比)没有特别限定，可根据各着色剂的种类和目标颜色等适当选择。
此外，在黑色着色剂为通过混合青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂形成的着色剂混合物的情况下，这些着色剂可单独使用或两种以上的组合使用。青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂在混合墨组合物中的混合比(或共混比)没有特别限定，只要能够显示黑色系颜色(例如，具有在上述范围内的在L*a*b*颜色空间中定义的L*、a*和b*的黑色系颜色)即可，可根据各着色剂的类型等适当选择。青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂在混合墨组合物中的含量例如可在以下范围内适当选择：相对于着色剂总量，青色着色剂/品红色着色剂/黄色着色剂＝10重量％-50重量％/10重量％-50重量％/10重量％-50重量％(优选20重量％-40重量％/20重量％-40重量％/20重量％-40重量％)。
作为黑色着色剂，可使用以下：黑色染料如C.I.溶剂黑3、7、22、27、29、34、43、70，C.I.直接黑17、19、22、32、38、51、71，C.I.酸性黑1、2、24、26、31、48、52、107、109、110、119、154，和C.I.分散黑1、3、10、24；和黑色颜料如C.I.颜料黑1、7；等。
作为此类黑色着色剂，例如，商品名“Oil Black BY”、商品名“Oil Black BS”、商品名“Oil Black HBB”、商品名“Oil Black803”、商品名“Oil Black 860”、商品名“OilBlack 5970”、商品名“Oil Black 5906”和商品名“Oil Black 5905”(由Orient ChemicalIndustries Co.,Ltd.制造)等是商购可得的。
如果需要，在半导体背面用膜2中，可以适当共混其它添加剂。除了填料、阻燃剂、硅烷偶联剂和离子捕集剂之外，其它添加剂的实例还包括增量剂、防老剂、抗氧化剂和表面活性剂。
填料可为任意无机填料和有机填料，但无机填料是合适的。通过共混填料如无机填料，能够实现赋予半导体背面用膜2以导电性、改进半导体背面用膜2的导热性和控制半导体背面用膜2的弹性模量等。在这点上，半导体背面用膜2可为导电性的或非导电性的。无机填料的实例包括由以下组成的各种无机粉末：二氧化硅，粘土，石膏，碳酸钙，硫酸钡，氧化铝，氧化铍，陶瓷如碳化硅和氮化硅，金属或合金如铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯，和焊料及碳等。填料可以单独使用或以两种以上的组合使用。特别地，填料适合为二氧化硅，特别适合为熔凝二氧化硅。无机填料的平均粒径优选在0.1μm至80μm的范围内。无机填料的平均粒径可通过激光衍射型粒径分布测量设备来测量。
填料(特别地，无机填料)的共混量优选为不大于80重量份(例如，0重量份至80重量份)，特别优选为0重量份至70重量份，基于100重量份树脂组分。
阻燃剂的实例包括三氧化锑、五氧化锑和溴化环氧树脂。阻燃剂可以单独使用或以两种以上的组合使用。硅烷偶联剂的实例包括β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和γ-环氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶联剂可以单独使用或以两种以上的组合使用。离子捕集剂的实例包括水滑石和氢氧化铋。离子捕集剂可以单独使用或以两种以上的组合使用。
例如，半导体背面用膜2可通过利用以下常规方法形成，在所述常规方法中，将热固性树脂组分例如环氧树脂、热塑性树脂组分例如丙烯酸类树脂和着色材料(着色剂)以及任选地溶剂和其它添加剂等混合以制备树脂组合物，然后将其成形为膜状层。具体地，例如，作为半导体背面用膜2的膜状层能够通过以下方法形成，所述方法为：将树脂组合物涂布于切割带3的压敏粘合剂层32上的方法；将树脂组合物涂布于适当的隔离体(例如，剥离纸)上以形成树脂层，然后将其转移(转换)至切割带3的压敏粘合剂层32上的方法；或类似方法。
在半导体背面用膜2由包含热固性树脂组分例如环氧树脂的树脂组合物形成的情况下，在半导体背面用膜2中，热固性树脂在将其施涂于半导体晶片前的阶段为未固化或部分固化的状态。在该情况下，在将它施涂至半导体晶片之后(具体地，通常，在倒装芯片接合步骤中将包封材料固化时)，半导体背面用膜2中的热固性树脂组分完全或几乎完全固化。
如上所述，由于即使半导体背面用膜2包含热固性树脂组分，该膜也处于热固性树脂组分未固化或部分固化的状态，因此半导体背面用膜2的凝胶分数没有特别限定，但能够例如在不大于50重量％(0重量％-50重量％)的范围内适当选择，它优选不大于30重量％(0重量％-30重量％)，特别优选不大于10重量％(0重量％-10重量％)。
半导体背面用膜2的凝胶分数能够以下述测量方法测量。即，从半导体背面用膜2中取样约0.1g样品，并精确称重(样品重量)，将样品包裹在网型片(mesh-type sheet)中后，将它在室温下在约50ml甲苯中浸渍1周。此后，从甲苯中取出溶剂不溶性物质(网型片中的内容物)，并在130℃下干燥约2小时，将干燥后的溶剂不溶性物质称重(浸渍并干燥后的重量)，然后根据下述表达式(a)计算凝胶分数(重量％)。
凝胶分数(重量％)＝[(浸渍并干燥后的重量)/(样品重量)]×100 (a)
半导体背面用膜2的凝胶分数能够通过树脂组分的种类和含量以及交联剂的种类和含量，以及除此之外的加热温度和加热时间等来控制。
半导体背面用膜2是膜状材料，当着色时，其着色方式没有特别限定。半导体背面用膜2可以为，例如，由含有热塑性树脂组分和/或热固性树脂组分和着色剂等的树脂组合物形成的膜状材料。半导体背面用膜2也可以是具有其中将含有热塑性树脂组分和/或热固性树脂组分等的树脂组合物形成的树脂层和着色剂层层压的构造的膜状材料。
在半导体背面用膜2是树脂层和着色剂层的层压体的情况下，优选半导体背面用膜2具有(树脂层)/(着色剂层)/(树脂层)的层压形式。在这种情况下，位于着色剂层两侧上的两树脂层可以是相同组成的树脂层或者可以是彼此具有不同的组成的树脂层。
在本发明中，在半导体背面用膜2是由含有热固性树脂组分如环氧树脂的树脂组合物形成的膜状材料的情况下，能够有效地显示出对于半导体晶片的紧密粘合性。
考虑到在工件(半导体晶片)的切割步骤中使用切割水的事实，存在半导体背面用膜2在吸湿时具有常规状态的水含量以上的情况。当在如此高水含量的状态下进行倒装芯片接合时，存在水蒸气残留在半导体背面用膜2和工件或其加工过的材料(例如，芯片形工件)之间的粘合(紧密地粘合)界面处的情况，由此导致浮起。因此，当构造倒装芯片型半导体背面用膜包括由具有高透湿性的芯材料制成的层作为中间层时，水蒸气扩散，由此能够避免该问题。从这样的观点，半导体背面用膜2可以具有其中在芯材料的一面或者两面上形成由用于形成半导体背面用膜2的树脂组合物制成的层的多层结构。芯材料的实例包括膜(例如，聚酰亚胺膜、聚酯膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜和聚碳酸酯膜)、用玻璃纤维或塑料制无纺纤维增强的树脂基材、硅基材和玻璃基材。
半导体背面用膜2的厚度(在层压膜的情况下总厚度)没有特别限定，但是其可以例如在约5μm至500μm的范围内适当地选择。此外，半导体背面用膜2的厚度优选约5μm至150μm，更优选约5μm至100μm。半导体背面用膜2可以为单层或层压体的任意方式。
如前所述，半导体背面用膜2具有贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa和对于半导体晶片具有优良紧密粘合性(粘合性)。半导体背面用膜2对于半导体晶片的粘合力优选为1N/10mm-宽度以上(例如，1N/10mm-宽度至10N/10mm-宽度)，更优选为2N/10mm-宽度以上(例如，2N/10mm-宽度至10N/10mm-宽度)，特别优选为4N/10mm-宽度以上(例如，4N/10mm-宽度至10N/10mm-宽度)。当半导体背面用膜2对于半导体晶片的粘合力小于1N/10mm-宽度时，降低切割性。
半导体背面用膜2相对于半导体晶片的粘合力为例如以下述方式测量的值。即，将压敏粘合带(商品名：BT315，由Nitto Denko Corporation制造)粘贴至半导体背面用膜2的一个面上，从而增强背面。其后，通过热层压法，通过使2Kg的辊在50℃下往复一次，将厚度为0.6mm的半导体晶片粘贴至长度为150mm和宽度为10mm的背面增强的半导体背面用膜2的表面上。其后，将层压体在热盘(50℃)上静置2分钟，然后将其在常温(约23℃)下静置20分钟。静置后，在温度23℃下，在剥离角为180°和拉伸速率为300mm/min的条件下，通过使用剥离试验机(商品名：AUTOGRAPH AGS-J，由Shimadzu Corporation制造)，将背面增强的半导体背面用膜2剥离。粘合力为此时通过在半导体背面用膜2和半导体晶片之间的界面处剥离而测量的值(N/l0mm-宽度)。
本发明的半导体背面用膜2在23℃下的弹性模量(拉伸贮能弹性模量)优选1GPa以上，更优选2GPa以上，特别优选3GPa以上。当半导体背面用膜2的拉伸贮能弹性模量为1GPa以上时，在当将半导体元件与半导体背面用膜2一起从切割带的压敏层剥离，然后将半导体背面用膜2放置在支承体(例如，载体带)上以进行运输等时，能够有效抑制或者防止半导体背面用膜2粘贴至支承体(例如，在载体带中的顶带或底带)。在半导体背面用膜2由含有热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，如前所述，由于热固性树脂通常处于未固化或部分固化的状态，半导体背面用膜2的在23℃下的拉伸贮能弹性模量通常为处于热固性树脂未固化或部分固化的状态的值。
此处，尽管半导体背面用膜2可以为单层或者可以为通过层压多层获得的层压膜，在层压膜的情况下，作为整个层压膜拉伸贮能弹性模量可以为1GPa以上。此外，前述处于未固化状态的半导体背面用膜2的拉伸贮能弹性模量(在23℃下)能够通过适当地设立树脂组分(热塑性树脂和/或热固性树脂)的种类和含量或填料如二氧化硅填料的种类和含量来控制。
半导体背面用膜2的在23℃下的弹性模量(拉伸贮能弹性模量)通过以下方式测定：制备不层压至切割带上的半导体背面用膜2，并使用由Rheometrics Co.,Ltd.制造的动态粘弹性测量设备"Solid Analyzer RS A2"，在预定温度(23℃)下，在氮气气氛下，在样品宽度10mm、样品长度22.5mm、样品厚度0.2mm、频率1Hz和升温速率10℃/min的条件下，以拉伸模式测量弹性模量，并将该弹性模量作为获得的拉伸贮能弹性模量的值。
半导体背面用膜2在可见光区域(波长：400nm-800nm)的透光率(可见光透过率)没有特别限定，但例如，优选在不大于20％(0％-20％)的范围内、更优选在不大于10％(0％-10％)的范围内，特别优选不大于5％(0％-5％)的范围内。当半导体背面用膜2在可见光区域中的透光率为不大于20％时，可见光透过半导体背面用膜2并到达半导体芯片，从而能够减少对半导体芯片的不利影响。
半导体背面用膜2的可见光透过率(％)能够通过构成半导体背面用膜2的树脂组分的种类和含量、着色剂(例如，颜料和染料)的种类和含量，填料的种类和含量等来控制。
可见光透过率(％)能够例如以下述方式计算。即，制备厚度(平均厚度)为20μm的半导体背面用膜2，而不将其层压至切割带上。接着，将半导体背面用膜2使用"ABSORPTIONSPECTRO PHOTOMETER"(Shimadzu Corporation的商品名)利用可见光照射。可见光具有400nm-800nm的波长。通过该照射透过半导体背面用膜2的可见光的光强度能够根据以下表达式计算。
可见光透过率(％)＝[(透过半导体背面用膜2后的可见光的光强度)/(可见光的初始光强度)]×100
透光率(％)的前述计算方法还能够应用于厚度不是20μm的半导体背面用膜的透光率(％)的计算。具体地，按照朗伯-比尔定律(Lambert-Beer law)，在厚度为20μm的情况下吸光度A20能够如下计算。
A20＝α×L20×C (1)
(在该式中，L20为光程长度，α为吸收系数(absorbance index)，C为样品浓度。)
此外，在厚度为X(μm)的情况下的吸光度AX能够如下计算。
AX＝α×LX×C (2)
另外，在厚度为20μm的情况下的吸光度A20能够如下计算。
A20＝-log10T20 (3)
(在该式中，T20为在厚度为20μm的情况下的透光率。)
从上述式(1)-(3)，吸光度Ax可以由下式表示。
Ax＝A20×(LX/L20)＝-[log10(T20)]×(Lx/L20)
因此，在厚度为Xμm的情况下的透光率TX(％)能够如下计算。
Tx＝10-Ax
其中AX＝-[log10(T20)]×(LX/L20)。
此外，在透光率(％)的前述计算方法中将半导体背面用膜的厚度调整为20μm的事实并不特别限定本发明的半导体背面用膜2的厚度。"20μm"的值是为了在测量时方便起见而采用的厚度。
此外，半导体背面用膜2优选具有低的吸湿度。具体地，吸湿度优选不大于1重量％，更优选不大于0.8重量％。通过将吸湿度调整至不大于1重量％，能够提高激光标识性。此外，例如，在再流步骤(reflow step)中能够抑制或防止空隙的产生。吸湿度能够例如通过改变有机填料的添加量来调整。吸湿度为由当将膜在85℃和85％RH的环境下静置168小时时的重量变化计算的值(参见下述表达式)。此外，在半导体背面用膜2由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，吸湿度为由当将膜在热固化后在85℃和85％RH的环境下静置168小时时的重量变化计算的值。
吸湿度(重量％)＝[{(使半导体背面用有色膜静置后的重量)-(使半导体背面用有色膜静置前的重量)}/(使半导体背面用有色膜静置前的重量)]×100
此外，半导体背面用膜2优选具有小比例的挥发性物质。具体地，在温度250℃下加热1小时后的重量减少的比例(重量减少率)优选不大于1重量％，更优选不大于0.8重量％。通过将重量减少率调整至不大于1重量％，能够提高激光标识性。此外，例如，在再流步骤中能够抑制或防止包封时裂纹的产生。例如，重量减少率能够通过添加在无铅焊料再流时能够减少裂纹产生的无机材料来调整。重量减少率为由当将膜在250℃的条件下加热1小时时的重量变化计算的值(参见下述表达式)。此外，在半导体背面用膜2由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，重量减少率为由当将膜在热固化后在250℃的条件下静置1小时时的重量变化计算的值。
重量减少率(重量％)＝[{(使半导体背面用有色膜静置前的重量)-(使半导体背面用有色膜静置后的重量)}/(使半导体背面用有色膜静置前的重量)]×100
半导体背面用膜2(特别地，晶片粘合层22)优选通过隔离体(剥离衬垫)(在图中未示出)保护。隔离体具有作为保护半导体背面用膜2(特别地，晶片粘合层22)直至其实际使用的保护材料的功能。此外，隔离体能够进一步用作在将半导体背面用膜2转移至在切割带3的基材31上的压敏粘合剂层32时的支承基材。当将工件粘贴至半导体背面用切割带集成膜1的半导体背面用膜2上时，剥离隔离体。作为隔离体，能够使用聚乙烯或聚丙烯、其表面用脱模剂例如氟类脱模剂和长链烷基丙烯酸酯类脱模剂涂布的塑料膜(例如，聚对苯二甲酸乙二酯)或纸。隔离体可通过常规已知的方法形成。此外，隔离体的厚度等没有特别限定。
切割带
切割带3由基材31和形成于基材31上的压敏粘合剂层32组成。因而，切割带3充分具有层压基材31和压敏粘合剂层32的构造。基材31(支承基材)能够用作压敏粘合剂层32等的支承材料。作为基材31，例如，可使用合适的薄材料，例如纸类基材如纸；纤维类基材如织物、无纺布、毡和网；金属类基材如金属箔和金属板；塑料基材如塑料膜和片；橡胶类基材如橡胶片；发泡体(foamed body)如发泡片；及其层压体[特别地，塑料类材料与其它基材的层压体，塑料膜(或片)彼此的层压体等]。在本发明中，作为基材，可适当使用塑料基材如塑料膜和片。该塑料材料的原料实例包括烯属树脂如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作为单体组分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物，和乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规，交替)共聚物；聚酯如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)；丙烯酸类树脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；酰胺类树脂如聚酰胺(尼龙)和全芳族聚酰胺(whole aromatic polyamides)(芳族聚酰胺)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素类树脂；硅酮树脂；和氟化树脂。此外，作为基材的材料，也可以使用聚合物如上述各树脂的交联体。这些原料可以单独使用或以两种以上的组合使用。
在将塑料基材31用作基材的情况下，变形性如伸长度(elongation degree)可通过拉伸处理等控制。
基材31的厚度没有特别限定，可依赖于强度、屈挠性及预期的用途等适当选择。例如，厚度通常为1000μm以下(例如1至1000μm)，优选1至500μm，进一步优选3至300μm，特别地约5至250μm，但不限于此。在这点上，基材31可具有单层形式和层压层形式的任何形式。
可在基材31的表面上实施常规使用的表面处理，例如化学或物理处理如铬酸盐处理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高压电击或电离辐射处理，或用底漆剂(undercoatingagent)的涂布处理，以改进与邻接层的紧密粘合性、保持性等。
此外，在不损害本发明的优点等的范围内，基材31可包含各种添加剂(着色剂、填料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、阻燃剂等)。
压敏粘合剂层32由压敏粘合剂形成，并具有压敏粘合性。该压敏粘合剂没有特别限定，可在已知压敏粘合剂中适当选择。具体地，作为压敏粘合剂，具有上述特性的压敏粘合剂可在例如以下的已知压敏粘合剂中适当选择并使用：丙烯酸类压敏粘合剂、橡胶类压敏粘合剂、乙烯基烷基醚类压敏粘合剂、硅酮类压敏粘合剂、聚酯类压敏粘合剂、聚酰胺类压敏粘合剂、聚氨酯类压敏粘合剂、氟类压敏粘合剂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物类压敏粘合剂，和其中将具有约200℃以下熔点的热熔融性树脂混入这些压敏粘合剂中的蠕变特性改进的压敏粘合剂(例如，参见JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17981、JP-A-56-13040等，将其每一个引入此处以作参考)。此外，作为压敏粘合剂，也可使用照射固化型压敏粘合剂(或能量射线固化型压敏粘合剂)或热膨胀性压敏粘合剂。压敏粘合剂可单独或以两种以上的组合使用。
在本发明中，作为压敏粘合剂，可适当使用丙烯酸类压敏粘合剂和橡胶类压敏粘合剂，特别地，丙烯酸类压敏粘合剂是适合的。作为丙烯酸类压敏粘合剂，可提及其中将使用一种或多种烷基(甲基)丙烯酸酯((甲基)丙烯酸烷基酯)作为单体组分的丙烯酸类聚合物(均聚物或共聚物)用作基础聚合物的丙烯酸类压敏粘合剂。
在上述丙烯酸类压敏粘合剂中的(甲基)丙烯酸烷基酯的实例包括(甲基)丙烯酸烷基酯，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸十九烷酯和(甲基)丙烯酸二十烷酯。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，具有含4至18个碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯是适合的。此外，(甲基)丙烯酸烷基酯的烷基可为线性或支化的。
为了改善内聚力、耐热性及交联性等目的，上述丙烯酸类聚合物可包含与上述(甲基)丙烯酸烷基酯可聚合的其它单体组分(可共聚合单体组分)对应的单元。此类可共聚合单体组分的实例包括含羧基单体如(甲基)丙烯酸(丙烯酸或甲基丙烯酸)、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸；含酸酐基团单体如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基单体如(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯、(甲基)丙烯酸羟丁酯、(甲基)丙烯酸羟己酯、(甲基)丙烯酸羟辛酯、(甲基)丙烯酸羟癸酯、(甲基)丙烯酸羟月桂酯和甲基丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯；含磺酸基团单体如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基团单体如2-羟乙基丙烯酰磷酸酯；(N-取代的)酰胺类单体如(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺和N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸氨基烷基酯类单体如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲氨基乙酯和(甲基)丙烯酸叔丁氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯类单体如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯和(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；氰基丙烯酸酯类单体如丙烯腈和甲基丙烯腈；含环氧基丙烯酸类单体如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；苯乙烯类单体如苯乙烯和α-甲基苯乙烯；乙烯基酯类单体例如乙酸乙烯酯和丙酸乙烯酯；烯烃类单体如异戊二烯、丁二烯和异丁烯；乙烯基醚类单体例如乙烯基醚；含氮单体如N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺和N-乙烯基己内酰胺；马来酰亚胺类单体如N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺和N-苯基马来酰亚胺；衣康酰亚胺类单体如N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺和N-月桂基衣康酰亚胺；琥珀酰亚胺类单体如N-(甲基)丙烯酰氧亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧六亚甲基琥珀酰亚胺和N-(甲基)丙烯酰基-8-氧八亚甲基琥珀酰亚胺；二醇类丙烯酸酯单体如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯(methoxyethylene glycol(meth)acrylate)和甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯(methoxypolypropylene glycol(meth)acrylate)；具有杂环、卤原子或硅原子等的丙烯酸酯类单体，如(甲基)丙烯酸四氢糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯(fluorine(meth)acrylate)和含硅酮(甲基)丙烯酸酯(silicone(meth)acrylate)；多官能单体如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯和二(甲基)丙烯酸己酯；等。这些可共聚合单体组分可单独或以两种以上的组合使用。
在将照射固化型压敏粘合剂(或能量射线固化型压敏粘合剂)用作压敏粘合剂的情况下，照射固化型压敏粘合剂(组合物)的实例包括其中在聚合物侧链或主链中具有自由基反应性碳-碳双键的聚合物用作基础聚合物的内部照射固化型压敏粘合剂，及其中将UV固化型单体组分或低聚物组分共混入压敏粘合剂中的照射固化型压敏粘合剂等。此外，在将热膨胀性压敏粘合剂用作压敏粘合剂的情况下，提及包含压敏粘合剂和发泡剂(特别地，热膨胀性微球)等的热膨胀性压敏粘合剂作为热膨胀性压敏粘合剂。
在本发明中，在不损害本发明优点的范围内，压敏粘合剂层32可包含各种添加剂(例如，增粘剂、着色剂、增稠剂、增量剂、填料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联剂等)。
交联剂没有特别限定，可使用已知的交联剂。具体地，作为交联剂，不仅可提及异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂和过氧化物类交联剂，还提及脲类交联剂、金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、噁唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂和胺类交联剂等，异氰酸酯类交联剂和环氧类交联剂是适合的。交联剂可以单独使用或以两种以上的组合使用。此外，交联剂的量没有特别限定。
异氰酸酯类交联剂的实例包括低级脂肪族多异氰酸酯例如1,2-亚乙基二异氰酸酯、1,4-亚丁基二异氰酸酯和1,6-六亚甲基二异氰酸酯；脂环族多异氰酸酯例如亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯和氢化苯二甲撑二异氰酸酯；芳香族多异氰酸酯例如2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、4,4'-二苯甲烷二异氰酸酯和苯二甲撑二异氰酸酯。另外，也使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加合物[商品名“COLONATE L”，由Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.制造]、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加合物[商品名“COLONATE HL”，由NipponPolyurethane Industry Co.,Ltd.制造]等。此外，环氧类交联剂的实例包括N,N,N',N'-四缩水甘油基-间-苯二甲胺、二缩水甘油基苯胺、1,3-双(N,N-缩水甘油基氨甲基)环己烷、1,6-己二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、山梨糖醇多缩水甘油醚、甘油多缩水甘油醚、季戊四醇多缩水甘油醚、聚甘油多缩水甘油醚、脱水山梨糖醇多缩水甘油醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基-三(2-羟乙基)异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚和双酚-S-二缩水甘油醚，以及在分子中具有两个以上的环氧基团的环氧类树脂。
在本发明中，代替使用交联剂或与交联剂一起使用，也可以通过用电子束或紫外光照射来进行交联处理。
压敏粘合剂层32例如可通过利用包括混合压敏粘合剂和任选的溶剂及其它添加剂，然后将该混合物成形为片状层的通常使用的方法形成。具体地，压敏粘合剂层32例如可通过以下方法形成，所述方法为：包括将包含压敏粘合剂和任选的溶剂及其它添加剂的混合物施涂至基材31上的方法，包括施涂上述混合物至适当隔离体(如剥离纸)上以形成压敏粘合剂层32，然后将其转移(转换)至基材31上的方法，或类似方法。
压敏粘合剂层32的厚度没有特别限定，例如，为约5至300μm，优选5至80μm，更优选15至50μm。当压敏粘合剂层32的厚度在上述范围内时，能够有效地显示适当的压敏粘合力。压敏粘合剂层32可为单层或多层。
根据本发明，可使半导体背面用切割带集成膜1具有抗静电功能。由于该构造，能够防止电路由于以下原因导致的短路：由于在其紧密粘合(粘合)时和剥离时静电能的产生或由于工件(如半导体晶片)通过静电能的带电。赋予抗静电功能可通过适当的方式如以下方法进行：添加抗静电剂或导电性物质至基材31、压敏粘合剂层32和半导体背面用膜2的方法，或在基材31上设置由电荷转移配合物(complex)组成的导电层或金属膜等的方法。作为这些方法，优选难以产生具有改变半导体晶片品质风险的杂质离子的方法。为了赋予导电性和改进热传导性等的目的而共混的导电性物质(导电性填料)的实例包括银、铝、金、铜、镍或导电性合金等的球形、针形、薄片形金属粉末；金属氧化物如氧化铝；无定形炭黑和石墨。然而，从不具有漏电性的观点，半导体背面用膜2优选非导电性的。
此外，半导体背面用切割带集成膜1可以以卷绕成卷形物(roll)的形式形成或可以以将片材(膜)层压的形式形成。例如，在膜具有卷绕成卷形物的形式的情况下，根据需要，以通过隔离体保护半导体背面用膜2的状态将膜卷绕成卷形物，由此可制备膜作为处于卷绕成卷形物状态或形式的半导体背面用切割带集成膜1。在这点上，处于卷绕成卷形物状态或形式的半导体背面用切割带集成膜1可由基材31、在基材31的一个表面上形成的压敏粘合剂层32、在压敏粘合剂层32上形成的半导体背面用膜2，和在基材31的另一表面上形成的可剥离处理层(后表面处理层)构成。
半导体背面用切割带集成膜1的厚度(半导体背面用膜2的厚度和由基材31和压敏粘合剂层32组成的切割带3的厚度的总厚度)可在例如11μm-300μm的范围内选择，其优选11μm-200μm，更优选15μm-200μm，进一步优选15μm-100μm(特别优选20μm-80μm)。
在半导体背面用切割带集成膜1中，半导体背面用膜2的厚度与切割带3中的压敏粘合剂层32的厚度的比没有特别限定，但例如，可在以{(半导体背面用膜2的厚度)/(在切割带3中的压敏粘合剂层32的厚度)}的比例计为150/5至3/100的范围内适当选择。半导体背面用膜2的厚度与在切割带3中的压敏粘合剂层32的厚度的比例优选100/5至3/50，更优选60/5至3/40。当半导体背面用膜2的厚度与在切割带3中的压敏粘合剂层32的厚度的比例在前述范围内时，能够显示适当的压敏粘合力，并能够显示优良的切割性和拾取性。
在半导体背面用切割带集成膜1中，半导体背面用膜2的厚度与切割带3的厚度的比没有特别限定，但例如，可在以{(半导体背面用膜2的厚度)/(切割带3的厚度)}的比例计为150/50至3/500的范围内适当选择。半导体背面用膜2的厚度与切割带3的厚度的比例优选100/50至3/300，更优选60/50至3/150。通过将半导体背面用膜2的厚度与切割带3的厚度的比例调整至不大于3/500，可以抑制拾取性的降低。另一方面，通过将半导体背面用膜2的厚度与切割带3的厚度的比例调整至150/50以上，可以抑制切割时横向残余物(lateralresidue)的产生或其量的增加。
如上所述，在半导体背面用切割带集成膜1中，通过调整半导体背面用膜2的厚度与切割带3中压敏粘合剂层32的厚度的比例或半导体背面用膜2的厚度与切割带3的厚度的比例，在切割步骤时的切割性和在拾取步骤时的拾取性够得到提高。此外，从工件例如半导体晶片的切割步骤至半导体元件例如半导体芯片的倒装芯片连接步骤，均能够有效地利用半导体背面用切割带集成膜1。
半导体背面用切割带集成膜的生产方法
当使用半导体背面用切割带集成膜1作为实例描述本发明的半导体背面用切割带集成膜的生产方法。首先，基材31可通过常规已知的成膜方法形成。成膜方法的实例包括压延成膜法、在有机溶剂中的流延法、在严格密闭体系中的膨胀挤出法、T-模挤出法、共挤出法和干法层压法。
接着，压敏粘合剂层32通过以下形成：将压敏粘合剂组合物施涂至基材31上，接着干燥(根据需要，在加热下交联)。施涂方法的实例包括辊涂、丝网涂布(screen coating)和凹版涂布(gravure coating)。在这点上，压敏粘合剂组合物的施涂可直接在基材31上进行，以在基材31上形成压敏粘合剂层32，或可将压敏粘合剂组合物施涂至表面已进行剥离处理的剥离纸等上以形成压敏粘合剂层32，然后将其转移至基材31上，从而在基材31上形成压敏粘合剂层32。因而，切割带3通过在基材31上形成压敏粘合剂层32来制备。
另一方面，涂布层可通过以下形成：将用于形成倒装芯片型半导体背面用膜2的形成材料涂布在剥离纸上以在干燥后具有规定厚度，并在规定条件下进一步将其干燥(在需要热固化的情况等情况下，如果需要进行加热处理以实现干燥)。将该涂布层转移至压敏粘合剂层32上，从而在压敏粘合剂层32上形成倒装芯片型半导体背面用膜2。在这点上，倒装芯片型半导体背面用膜2也能够通过以下在压敏粘合剂层32上形成：直接在压敏粘合剂层32上涂布用于形成倒装芯片型半导体背面用膜2的形成材料，然后在规定条件下将其干燥(在需要热固化的情况等情况下，如果需要进行加热处理以实现干燥)。因此，能够获得根据本发明的半导体背面用切割带集成膜1。在半导体背面用膜2形成时进行热固化的情况下，重要的是进行热固化至其处于部分固化状态的程度。然而，优选不进行热固化。
半导体背面用切割带集成膜1能够在包括倒装芯片接合步骤的半导体器件生产时适当使用。即，在倒装芯片安装的半导体器件生产时使用半导体背面用切割带集成膜1，因此以将半导体背面用膜2粘贴至半导体芯片背面的条件或形式生产倒装芯片安装的半导体器件。因此，将根据本发明的半导体背面用切割带集成膜1用于倒装芯片安装的半导体器件(处于通过倒装芯片接合法将半导体芯片固定于被粘物如基板的状态或形式的半导体器件)。
半导体晶片
工件没有特别限定，只要其为已知或通常使用的半导体晶片，并可在由各种材料制成的半导体晶片中适当地选择和使用。在本发明中，作为半导体晶片，可适当地使用硅晶片。
半导体器件的生产方法
用于生产本发明半导体器件的方法没有特别限定，只要其为用于使用上述半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法即可。例如，可提及包括以下步骤的生产方法等：
将工件粘贴至半导体背面用切割带集成膜的倒装芯片型半导体背面用膜上的步骤(安装步骤)；
切割工件以形成半导体元件的步骤(切割步骤)；
将半导体元件与倒装芯片型半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离的步骤(拾取步骤)；和
通过倒装芯片接合将半导体元件固定至被粘物的步骤(倒装芯片接合步骤)。
更具体地，作为用于生产半导体器件的方法，例如，半导体器件可以如下在适当剥离任选地设置于半导体背面用膜上的隔离体后使用本发明的半导体背面用切割带集成膜生产。下文中，参考图2A至2D，使用半导体背面用切割带集成膜1作为实例描述该方法。
图2A-2D为示出使用本发明的半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法的一个实施方案的横截面示意图。在图2A至2D中，如上所述，4为工件(半导体晶片)，5为半导体元件(半导体芯片)，51为在半导体芯片5的电路面形成的凸块，6为被粘物，61为粘合至被粘物6的连接垫的连结用导电性材料，1、2、3、31和32分别为半导体背面用切割带集成膜、倒装芯片型半导体背面用膜、切割带、基材和压敏粘合剂层。
(安装步骤)
首先，如图2A所示，将半导体晶片(工件)4粘贴(特别是压接)至半导体背面用切割带集成膜1中的倒装芯片型半导体背面用膜2的晶片粘合层22上，以通过紧密粘合(粘合)和保持来固定半导体晶片(安装步骤)。通常在用加压手段如加压辊加压的同时进行本步骤。
(切割步骤)
接着，如图2B所示，切割半导体晶片4。从而，将半导体晶片4切断成规定尺寸并个体化(成形为小片)，以生产半导体元件(半导体芯片)5。例如，所述切割根据常规方法从半导体晶片4的电路面侧进行。此外，本步骤可采取例如形成达到半导体背面用切割带集成膜1的切口(slit)的称作完全切断的切断方法。用于本步骤的切割设备没有特别限定，可使用常规已知的设备。此外，由于半导体晶片4通过具有优良的紧密粘合性的半导体背面用切割带集成膜1紧密粘合(粘合)并固定，因此可抑制芯片破裂和芯片飞散，以及还可抑制半导体晶片4破损，所述半导体背面用切割带集成膜1具有贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa的半导体背面用膜2。在这点上，当倒装芯片型半导体背面用膜2由包含环氧树脂的树脂组合物形成时，即使当将其通过切割切断时，也抑制或防止在切断面处产生粘合剂从半导体背面用膜2挤出。结果，可抑制或防止切断面自身的再粘贴(粘连(blocking))，从而可更加方便地进行以下要描述的拾取。
在半导体背面用切割带集成膜1扩展(expanding)的情况下，扩展可使用常规已知的扩展设备进行。所述扩展设备具有能够推动半导体背面用切割带集成膜向下通过切割环的环形外环，和直径小于外环并支撑半导体背面用切割带集成膜1的内环。由于该扩展步骤，可以防止相邻的半导体芯片在以下要描述的拾取步骤中通过彼此接触而损坏。
(拾取步骤)
如图2C所示进行半导体芯片5的拾取，以将半导体芯片5与半导体背面用膜2一起从切割带3剥离，从而收集紧密粘合(粘合)并固定至半导体背面用切割带集成膜1的半导体芯片5。拾取方法没有特别限定，可采用常规已知的各种方法。例如，可提及包括用针状物从半导体背面用切割带集成膜1的基材31侧向上推动各半导体芯片5，并用拾取设备拾取推起的半导体芯片5的方法。在这点上，拾取的半导体芯片5的背面(也称为无电路面、无电极形成面等)用倒装芯片型半导体背面用膜2保护。
在本发明中，由于半导体背面用膜2的贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa，半导体芯片5能够与半导体背面用膜2一起容易地从切割带3剥离，能够以优良的拾取性进行半导体芯片5的拾取。
(倒装芯片接合步骤)
拾取的半导体芯片5通过倒装芯片接合法(倒装芯片安装法)固定于被粘物如基材。具体地，以半导体芯片5的电路面(也称为正面、电路图案形成面、电极形成面等)与被粘物6相对的形式，根据常规方式将半导体芯片5固定于被粘物6上。例如，使在半导体芯片5的电路面处形成的凸块51与粘贴至被粘物6的连接垫的导电性材料61(如焊料)接触，并在加压下熔融导电性材料，由此能够确保半导体芯片5和被粘物6之间的电连接，并能够将半导体芯片5固定于被粘物6上。在这点上，在将半导体芯片5固定至被粘物6时，重要的是将半导体芯片5和被粘物6的相对面以及间隙预先洗涤，然后将包封材料(如包封树脂)填充入该间隙中。
作为被粘物6，可使用各种基板如引线框和电路板(如布线电路板)。基板的材料没有特别限定，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的实例包括环氧基板、双马来酰亚胺三嗪基板和聚酰亚胺基板。
在倒装芯片接合中，凸块的材料和导电性材料没有特别限定，其实例包括焊料(合金)如锡-铅类金属材料、锡-银类金属材料、锡-银-铜类金属材料、锡-锌类金属材料和锡-锌-铋类金属材料，以及金类金属材料和铜类金属材料。
此外，在本步骤中，将导电性材料熔融以连接半导体芯片5的电路面处的凸块和在被粘物6表面上的导电性材料。导电性材料熔融时的温度通常为约260℃(例如，250℃至300℃)。通过形成具有环氧树脂等的半导体背面用膜2，可使本发明的半导体背面用切割带集成膜1具有能够承受在倒装芯片接合步骤中的高温的耐热性。
此外，在倒装芯片接合中在洗涤半导体芯片5和被粘物6之间的相对面(电极形成面)以及间隙时使用的洗涤液没有特别限定，该液体可为有机洗涤液或可为水性洗涤液。在本发明的半导体背面用切割带集成膜1中的半导体背面用膜2具有对洗涤液的耐溶剂性，并且对这些洗涤液基本不具有溶解性。因此，如上所述，可采用各种洗涤液作为该洗涤液，并可通过任何常规方法而无需任何特别的洗涤液实现该洗涤。
在本发明中，在包封半导体芯片5和被粘物6之间的间隙时使用的包封材料没有特别限定，只要该材料为具有绝缘性的树脂(绝缘树脂)即可，可在已知包封材料如包封树脂中适当选择和使用。包封树脂优选具有弹性的绝缘树脂。包封树脂的实例包括含环氧树脂的树脂组合物。作为环氧树脂，可提及以上示例的环氧树脂。此外，由包含环氧树脂的树脂组合物组成的包封树脂可包含除了环氧树脂之外的热固性树脂(如酚醛树脂)或除了环氧树脂之外的热塑性树脂。此外，可利用酚醛树脂作为环氧树脂用固化剂，作为该酚醛树脂，可提及以上示例的酚醛树脂。
在用包封树脂的包封步骤中，包封树脂通常通过加热来固化以实现包封。在很多情况下，包封树脂的固化通常在175℃下进行60秒至90秒。然而，在本发明中，不限于此，例如，固化可在165至185℃的温度下进行几分钟。在这点上，在由含热塑性树脂组分和热固性树脂组分的树脂组合物形成的半导体背面用膜2的情况下，在固化该包封树脂时热固性树脂组分可完全或几乎完全固化。
半导体芯片5和被粘物6之间间隙的距离通常为约30μm-300μm。
由此形成的半导体器件能够适合用作电子部件或其材料。
在本发明的使用半导体背面用切割带集成膜1制造的半导体器件(倒装芯片安装的半导体器件)中，将半导体背面用膜2粘贴至半导体元片背面，因此，可以优良的可见度实施各种标识。特别地，即使当标识方法是激光标识法时，标识能够以优良的对比度实施，并可以观察通过具有良好可见度的激光标识实施的各种信息(例如文字信息和图形信息)。在激光标识时，可利用已知激光标识设备。此外，作为激光器，可以利用各种激光器如气体激光器、固态激光器和液体激光器。具体地，作为气体激光器，可利用任何已知的气体激光器而没有特别限制，但二氧化碳激光器(CO2激光器)和准分子激光器(ArF激光器、KrF激光器、XeCl激光器、XeF激光器等)是适合的。作为固态激光器，可利用任何已知的固态激光器而没有特别限定，但YAG激光器(如Nd:YAG激光器)和YVO4激光器是适合的。
由于使用本发明的半导体背面用切割带集成膜生产的半导体器件为通过倒装芯片安装法安装的半导体器件，所以该器件与通过模片接合安装法安装的半导体器件相比具有薄型化和小型化的形状。因此，可适当采用倒装芯片安装的半导体器件作为各种电子器件和电子部件或其材料和构件。具体地，作为利用本发明的倒装芯片安装的半导体器件的电子器件，可提及所谓的“移动电话”和“PHS”，小型计算机[所谓的“PDA”(手持终端)，所谓的“笔记本尺寸的个人计算机”，所谓的“Net Book(商标)”和所谓的“可穿戴计算机”等]，具有“移动电话”和计算机集成形式的小型电子器件，所谓的“Digital Camera(商标)”，所谓的“数码摄像机”，小型电视机，小尺寸游戏机，小型数字音频播放机，所谓的“电子记事本”，所谓的“电子词典”，用于所谓的“电子书”的电子器件终端，移动电子器件(可携带电子器件)如小尺寸数字型手表等。不必说，也可提及除了移动器件之外的电子器件(固定型电子器件等)，例如所谓的“桌面个人计算机”、薄型电视机、用于记录和复制的电子器件(硬盘录像机(hard disk recorders)、DVD播放机等)、投影仪和微型机等。另外，电子部件或用于电子器件和电子部件的材料和构件没有特别限制，其实例包括用于所谓“CPU”的部件和用于各种记忆器件(所谓的“存储器”、硬盘等)的构件。
实施例
以下将详细地示例性描述本发明的优选实施例。然而，在这些实施例中描述的材料和混合量等不意欲将本发明的范围仅限于此，除非另外说明，它们仅为说明性实例。此外，除非另外说明，在各实施例中的份为重量标准。
(实施例1)
<半导体背面用有色膜的制备>
基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(商品名：PARACRON W-197CM，由Negami Chemical Industrial Co.,Ltd.制造)，将12份环氧树脂(商品名：EPIKOTE 1004，由JER Co.,Ltd.制造)、13份酚醛树脂(商品名：MIREX XLC-4L，由Mitsui Chemicals,Inc.制造)、246份球形二氧化硅(商品名：SO-25R，由AdmatechsCompany Limited制造)、5份染料1(商品名：OIL GREEN 502，由Orient ChemicalIndustries Co.,Ltd.制造)和5份染料2(商品名：OIL BLACK BS，由Orient ChemicalIndustries Co.,Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制备固体浓度为23.6重量％的树脂组合物溶液。
将该树脂组合物溶液涂布至作为剥离衬垫(隔离体)已经进行硅酮剥离处理的由厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，以制备具有平均厚度为20μm的半导体背面用有色膜A。
<半导体背面用切割带集成膜的制备>
将前述半导体背面用有色膜A通过使用手动辊粘贴至切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65μm，压敏粘合剂层的平均厚度：10μm)的压敏粘合剂层上，从而制备半导体背面用切割带集成膜。
在根据该实施例1的半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用有色膜的厚度(平均厚度)为20μm。此外，在切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造)中，基材的平均厚度为65μm；压敏粘合剂层的平均厚度为10μm；总厚度为75μm。因此，半导体背面用有色膜的厚度与压敏粘合剂层的厚度的比例(平均厚度比)为20/10；半导体背面用有色膜的厚度与切割带的厚度的比例(平均厚度比)为20/75。
(实施例2)
<半导体背面用有色膜的制备>
基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(商品名：PARACRON W-197CM，由Negami Chemical Industrial Co.,Ltd.制造)，将12份环氧树脂(商品名：EPIKOTE 1004，由JER Co.,Ltd.制造)、13份酚醛树脂(商品名：MIREX XLC-4L，由Mitsui Chemicals,Inc.制造)、246份球形二氧化硅(商品名：SO-25R，由AdmatechsCompany Limited制造)、10份染料1(商品名：OIL GREEN 502，由Orient ChemicalIndustries Co.,Ltd.制造)和10份染料2(商品名：OIL BLACK BS，由Orient ChemicalIndustries Co.,Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制备固体浓度为23.6重量％的树脂组合物溶液。
将该树脂组合物溶液涂布至作为剥离衬垫(隔离体)已经进行硅酮剥离处理的由厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，以制备具有平均厚度为20μm的半导体背面用有色膜B。
<半导体背面用切割带集成膜的制备>
将前述半导体背面用有色膜B通过使用手动辊粘贴至切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65μm，压敏粘合剂层的平均厚度：10μm)的压敏粘合剂层上，从而制备半导体背面用切割带集成膜。
在根据该实施例2的半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用有色膜的厚度(平均厚度)为20μm。此外，在切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造)中，基材的平均厚度为65μm；压敏粘合剂层的平均厚度为10μm；总厚度为75μm。因此，半导体背面用有色膜的厚度与压敏粘合剂层的厚度的比例(平均厚度比)为20/10；半导体背面用有色膜的厚度与切割带的厚度的比例(平均厚度比)为20/75。
(实施例3)
<半导体背面用有色膜的制备>
基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(商品名：PARACRON W-197CM，由Negami Chemical Industrial Co.,Ltd.制造)，将32份环氧树脂(商品名：EPIKOTE 1004，由JER Co.,Ltd.制造)、35份酚醛树脂(商品名：MIREX XLC-4L，由Mitsui Chemicals,Inc.制造)、90份球形二氧化硅(商品名：SO-25R，由AdmatechsCompany Limited制造)、3份染料1(商品名：OIL GREEN 502，由Orient ChemicalIndustries Co.,Ltd.制造)和3份染料2(商品名：OIL BLACK BS，由Orient ChemicalIndustries Co.,Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制备固体浓度为23.6重量％的树脂组合物溶液。
将该树脂组合物溶液涂布至由已经进行硅酮脱模处理的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的作为剥离衬垫(隔离体)的经剥离处理的膜上，然后在130℃下干燥2分钟，以制备具有平均厚度为20μm的半导体背面用有色膜C。
<半导体背面用切割带集成膜的制备>
将前述半导体背面用有色膜C通过使用手动辊粘贴至切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65μm，压敏粘合剂层的平均厚度：10μm)的压敏粘合剂层上，从而制备半导体背面用切割带集成膜。
在根据该实施例3的半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用有色膜的厚度(平均厚度)为20μm。此外，在切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造)中，基材的平均厚度为65μm；压敏粘合剂层的平均厚度为10μm；总厚度为75μm。因此，半导体背面用有色膜的厚度与压敏粘合剂层的厚度的比例(平均厚度比)为20/10；半导体背面用有色膜的厚度与切割带的厚度的比例(平均厚度比)为20/75。
(实施例4)
<半导体背面用有色膜的制备>
基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(商品名：PARACRON W-197CM，由Negami Chemical Industrial Co.,Ltd.制造)，将113份环氧树脂(商品名：EPIKOTE 1004，由JER Co.,Ltd.制造)、121份酚醛树脂(商品名：MIREXXLC-4L，由Mitsui Chemicals,Inc.制造)、223份球形二氧化硅(商品名：SO-25R，由Admatechs Company Limited制造)、5份染料1(商品名：OIL GREEN 502，由OrientChemical Industries Co.,Ltd.制造)和5份染料2(商品名：OIL BLACK BS，由OrientChemical Industries Co.,Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制备固体浓度为23.6重量％的树脂组合物溶液。
将该树脂组合物溶液涂布至作为剥离衬垫(隔离体)已经进行硅酮剥离处理的由厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，从而制备具有平均厚度为20μm的半导体背面用有色膜D。
<半导体背面用切割带集成膜的制备>
将前述半导体背面用有色膜D通过使用手动辊粘贴至切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65μm，压敏粘合剂层的平均厚度：10μm)的压敏粘合剂层上，从而制备半导体背面用切割带集成膜。
在根据该实施例4的半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用有色膜的厚度(平均厚度)为20μm。此外，在切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造)中，基材的平均厚度为65μm；压敏粘合剂层的平均厚度为10μm；总厚度为75μm。因此，半导体背面用有色膜的厚度与压敏粘合剂层的厚度的比例(平均厚度比)为20/10；半导体背面用有色膜的厚度与切割带的厚度的比例(平均厚度比)为20/75。
(比较例1)
<半导体背面用有色膜的制备>
基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(商品名：PARACRON W-197CM，由Negami Chemical Industrial Co.,Ltd.制造)，将113份环氧树脂(商品名：EPIKOTE 1004，由JER Co.,Ltd.制造)、121份酚醛树脂(商品名：MIREXXLC-4L，由Mitsui Chemicals,Inc.制造)、3,006份球形二氧化硅(商品名：SO-25R，由Admatechs Company Limited制造)、5份染料1(商品名：OIL GREEN 502，由OrientChemical Industries Co.,Ltd.制造)和5份染料2(商品名：OIL BLACK BS，由OrientChemical Industries Co.,Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制备固体浓度为23.6重量％的树脂组合物溶液。
将该树脂组合物溶液涂布至作为剥离衬垫(隔离体)已经进行硅酮剥离处理的由厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，以制备具有平均厚度为20μm的半导体背面用有色膜E。
<半导体背面用切割带集成膜的制备>
将前述半导体背面用有色膜E通过使用手动辊粘贴至切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65μm，压敏粘合剂层的平均厚度：10μm)的压敏粘合剂层上，从而制备半导体背面用切割带集成膜。
在根据该比较例1的半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用有色膜的厚度(平均厚度)为20μm。此外，在切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造)中，基材的平均厚度为65μm；压敏粘合剂层平均厚度为10μm；总厚度为75μm。因此，半导体背面用有色膜的厚度与压敏粘合剂层的厚度的比例(平均厚度比)为20/10；半导体背面用有色膜的厚度与切割带的厚度的比例(平均厚度比)为20/75。
(比较例2)
<半导体背面用有色膜的制备>
基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(商品名：PARACRON W-197CM，由Negami Chemical Industrial Co.,Ltd.制造)，将273份环氧树脂(商品名：EPIKOTE 828，由JER Co.,Ltd.制造)、293份酚醛树脂(商品名：MIREX XLC-4L，由Mitsui Chemicals,Inc.制造)、246份球形二氧化硅(商品名：SO-25R，由AdmatechsCompany Limited制造)、5份染料1(商品名：OIL GREEN 502，由Orient ChemicalIndustries Co.,Ltd.制造)和5份染料2(商品名：OIL BLACK BS，由Orient ChemicalIndustries Co.,Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制备固体浓度为23.6重量％的树脂组合物溶液。
将该树脂组合物溶液涂布至作为剥离衬垫(隔离体)已经进行硅酮剥离处理的由厚度为50μm的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的可剥离处理膜上，然后在130℃下干燥2分钟，以制备具有平均厚度为20μm的半导体背面用有色膜F。
<半导体背面用切割带集成膜的制备>
将前述半导体背面用有色膜F通过使用手动辊粘贴至切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度：65μm，压敏粘合剂层的平均厚度：10μm)的压敏粘合剂层上，从而制备半导体背面用切割带集成膜。
在根据该比较例2的半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用有色膜的厚度(平均厚度)为20μm。此外，在切割带(商品名：V-8-T，由Nitto Denko Corporation制造)中，基材的平均厚度为65μm；压敏粘合剂层的平均厚度为10μm；总厚度为75μm。因此，半导体背面用有色膜的厚度与压敏粘合剂层的厚度的比例(平均厚度比)为20/10；半导体背面用有色膜的厚度与切割带的厚度的比例(平均厚度比)为20/75。
<半导体背面用有色膜物理性质的测量>
关于在实施例1-4和比较例1-2中制备的半导体背面用切割带集成膜中的各半导体背面用有色膜，分别以以下方式测量可见光透过率(％)、吸湿度(重量％)和重量减少率(重量％)。测量结果示于下表1中。
<可见光透过率的测量方法>
在实施例1-4和比较例1-2中制备的各半导体背面用有色膜A-F(平均厚度：20μm)使用“ABSORPTION SPECTRO PHOTOMETER”(商品名，由Shimadzu Corporation制造)利用可见光照射。将可见光的波长调整为400nm-800nm。测量并根据以下表达式计算通过该照射而透过半导体背面用有色膜2的可见光的光强度。
可见光透过率(％)＝[(透过半导体背面用有色膜后的可见光的光强度)/(可见光的初始光强度)]×100
<吸湿度的测量方法>
使在实施例1-4和比较例1-2中制备的各半导体背面用有色膜A-F在温度85℃和湿度85％RH下的恒温恒湿室中静置168小时。测量静置前后的重量，根据以下表达式计算吸湿度(重量％)。
吸湿度(重量％)＝[{(使半导体背面用有色膜静置后的重量)-(使半导体背面用有色膜静置前的重量)}/(使半导体背面用有色膜静置前的重量)]×100
<重量减少率的测量方法>
使在实施例1-4和比较例1-2中制备的各半导体背面用有色膜A-F在温度250℃的干燥机中静置1小时。测量静置前后的重量，根据以下表达式计算重量减少率(重量％)。
重量减少率(重量％)＝[{(使半导体背面用有色膜静置前的重量)-(使半导体背面用有色膜静置后的重量)}/(使半导体背面用有色膜静置前的重量)]×100
(评价)
关于在实施例1-4和比较例1-2中制备的各半导体背面用切割带集成膜，通过以下评价或测量方法来评价或测量半导体背面用有色膜对于半导体晶片的粘合力、切割性、拾取性、倒装芯片接合性、半导体晶片背面的标识性能和半导体晶片背面的外观性。评价或测量结果示于表2中。
<半导体背面用有色膜的贮能弹性模量的测量方法>
半导体背面用有色膜的贮能弹性模量(拉伸贮能弹性模量)通过以下方式测定：制备未层压至切割带上的半导体背面用有色膜，并使用由Rheometrics Co.,Ltd.制造的动态粘弹性测量设备"Solid Analyzer RS A2"，在规定温度(60℃)下，在氮气气氛下，在样品宽度10mm、样品长度22.5mm、样品厚度0.2mm、频率1Hz和升温速率10℃/min的条件下，以拉伸模式测量贮能弹性模量，并将该弹性模量作为获得的拉伸贮能弹性模量E'的值。
<半导体背面用有色膜对于半导体晶片的粘合力的测量方法>
将半导体背面用有色膜对于半导体晶片的剥离力如下测定。即，将硅晶片作为半导体晶片放置在热盘上，并将其背面用压敏带(商品名：BT315，由Nitto DenkoCorporation制造)增强的具有长度150mm和宽度10mm的半导体背面用有色膜，在规定温度(50℃)下通过使2kg的辊在50℃下往复一次粘贴于所述硅晶片上。其后，将层压体在热盘(50℃)上静置2分钟，然后将其在常温(约23℃)下静置20分钟。静置后，在温度23℃下，在剥离角为180°和拉伸速率为300mm/min的条件下，通过使用剥离试验机(商品名：AUTOGRAPHAGS-J，由Shimadzu Corporation制造)将背面增强的半导体背面用有色膜剥离(在半导体背面用有色膜和半导体晶片之间的界面处剥离)。测量剥离时载荷的最大载荷(从其中除去测量开始时峰顶的载荷的最大值)，将该最大载荷作为半导体背面用有色膜和半导体晶片之间的粘合力(半导体用有色膜对于半导体晶片的粘合力)时，确定半导体背面用有色膜的粘合力(N/10mm-宽度)。
<切割性和拾取性的评价方法>
通过使用在实施例1-4和比较例1-2中的各半导体背面用切割带集成膜，通过实际切割半导体晶片评价切割性，然后评价剥离性，从而评价半导体背面用切割带集成膜的切割性能和拾取性。
将半导体晶片(直径：8英寸，厚度：0.6mm；硅镜面晶片)进行背面抛光处理，并使用具有0.2mm厚度的镜面晶片作为工件。从半导体背面用切割带集成膜剥离隔离体后，将镜面晶片(工件)在60℃下通过辊压接合粘贴至半导体背面用有色膜上，并进一步进行切割。此处，所述切割作为完全切断进行，以成为10mm见方的芯片尺寸。在这点上，半导体晶片磨削条件、粘贴条件和切割条件如下。
(半导体晶片磨削条件)
磨削设备：商品名“DFG-8560”，由DISCO Corporation制造
半导体晶片：8英寸直径(将背面从0.6mm厚度磨削至0.2mm厚度)
(粘贴条件)
粘贴设备：商品名“MA-3000II”，由Nitto Seiki Co.,Ltd.制造
粘贴速度：10mm/min
粘贴压力：0.15Mpa
粘贴时的阶段温度：60℃
(切割条件)
切割设备：商品名“DFD-6361”，由DISCO Corporation制造
切割环：“2-8-1”(由DISCO Corporation制造)
切割速度：30mm/sec
切割刀：
Zl；“203O-SE 27HCDD”，由DISCO Corporation制造
Z2；“203O-SE 27HCBB”，由DISCO Corporation制造
切割刀旋转速度：
Zl；40,000r/min
Z2；45,000r/min
切割方法：阶梯切割(step cutting)
晶片芯片尺寸：10.0mm见方
在切割中，确认镜面晶片(工件)是否牢固保持在半导体背面用切割带集成膜上而未剥离以进行令人满意的切割。将良好进行切割的情况评级为“良好”，将未良好进行切割的情况评级为“差”，由此评价切割性。
接下来，通过用针状物从半导体背面用切割带集成膜的切割带侧向上推动半导体芯片，将通过切割获得的半导体芯片与倒装芯片型半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离，由此拾取处于背面用半导体背面用膜保护的状态的半导体芯片。测定此时的芯片(总计400片)的拾取率(％)，以评价拾取性。因此，当拾取率越接近于100％时，拾取性越好。
此处，拾取条件如下。
(半导体晶片的拾取条件)
拾取设备：商品名“SPA-300”，由Shinkawa Co.,Ltd.制造
拾取针状物的数量：9个针状物
针状物的向上推动速度：20mm/s
针状物的向上推动距离：500μm
拾取时间：1秒
切割带扩展量：3mm
<倒装芯片接合性的评价方法>
关于通过使用根据各实施例和比较例的半导体背面用切割带集成膜的上述<切割性/拾取性的评价方法>获得的根据各实施例和比较例的半导体芯片，以半导体芯片的表面(电路面)与具有对应于电路面的布线的电路板表面相对的形式，使在半导体芯片的电路面处形成的凸块与粘贴至电路板连接垫的导电性材料(焊料)接触，使导电性材料通过升高温度至260℃在加压下熔融，然后冷却至室温，由此将半导体芯片固定至电路板上，从而制造半导体器件。根据以下评价标准评价此时的倒装芯片接合性。
(倒装芯片接合性的评价标准)
良好：通过倒装芯片接合法能够实现安装而没有任何问题；
差：通过倒装芯片接合法不能实现安装。
<晶片背面标识性能的评价方法>
在通过上述<倒装芯片接合性的评价方法>获得的半导体器件中的半导体芯片的背面(即，半导体背面用有色膜的表面)上使用YAG激光器实施激光标识。关于通过激光标识获得的信息(条形码信息)，根据以下评价标准评价使用根据各实施例和比较例的半导体背面用切割带集成膜获得的半导体器件的激光标识性。
(激光标识性的评价标准)
良好：判断通过激光标识获得的信息为满意可见的人员数量为在随机选择的10个成人中的8个人以上。
差：判断通过激光标识获得的信息为满意可见的人员数量为在随机选择的10个成人中的7个人以下。
<晶片背面外观性的评价方法>
关于通过使用根据各实施例和比较例的半导体背面用切割带集成膜的上述<切割性/拾取性的评价方法>获得的根据各实施例和比较例的半导体芯片，根据以下评价标准目视评价半导体芯片背面的外观性。
(外观性的评价标准)
良好：在半导体芯片中的晶片(硅晶片)背面和半导体背面用膜之间没有观察到剥离(浮起)；
差：在半导体芯片中的晶片(硅晶片)背面和半导体背面用膜之间观察到剥离(浮起)。
从表2中可以看出，根据实施例1-4的半导体背面用切割带集成膜以优良的水平具有作为切割带的功能和作为半导体背面用有色膜的功能。
在本发明的半导体背面用切割带集成膜中，不仅切割带和半导体背面用膜以集成的方式形成，而且半导体背面用膜的贮能弹性模量(在60℃下)为0.9MPa至15MPa。因此，从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用本发明的半导体背面用切割带集成膜。即，在通过倒装芯片接合法制造半导体器件时，本发明的半导体背面用切割带集成膜可适当用作提供作为切割带和半导体背面用膜两种功能的半导体背面用切割带集成膜。
虽然已详细地并参照其具体实施方案描述本发明，但对于本领域技术人员，其中可进行各种变化和改进而不背离其范围将显而易见。
本申请基于2009年6月15日提交的日本专利申请2009-142231和2010年4月28日提交的日本专利申请2010-103964，在此将其全部内容引入以作参考。

Claims (4)

1.一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：
切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层；和
倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，
其中所述倒装芯片型半导体背面用膜的在60℃下的贮能弹性模量为0.9MPa至15MPa，
所述倒装芯片型半导体背面用膜在温度为85℃和湿度为85％RH的环境下静置168小时后的吸湿度为不大于1％，和
其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包含添加至其的着色剂。
2.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜，其在倒装芯片接合时使用。
3.一种生产半导体器件的方法，其使用半导体背面用切割带集成膜，所述半导体背面用切割带集成膜包括：切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜的在60℃下的贮能弹性模量为0.9MPa至15MPa，和所述倒装芯片型半导体背面用膜在温度为85℃和湿度为85％RH的环境下静置168小时后的吸湿度为不大于1％，
所述方法包括：
将半导体晶片的非电路面粘贴至所述半导体背面用切割带集成膜的所述倒装芯片型半导体背面用膜上，
切割所述半导体晶片以形成半导体元件，
将所述半导体元件与粘贴至所述半导体元件的非电路面的所述倒装芯片型背面用膜一起从所述切割带的所述压敏粘合剂层剥离，和
以所述半导体元件的电路面与被粘物相对并且所述倒装芯片型背面用膜粘贴至所述半导体元件的非电路面的方式将所述半导体元件倒装芯片连接至所述被粘物上。
4.一种倒装芯片安装的半导体器件，其通过根据权利要求3所述的方法制造。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5744434B2 (ja) * 2010-07-29 2015-07-08 日東電工株式会社 加熱剥離シート一体型半導体裏面用フィルム、半導体素子の回収方法、及び半導体装置の製造方法
JP2013149737A (ja) * 2012-01-18 2013-08-01 Nitto Denko Corp フリップチップ型半導体装置の製造方法
US9136173B2 (en) * 2012-11-07 2015-09-15 Semiconductor Components Industries, Llc Singulation method for semiconductor die having a layer of material along one major surface
US9484260B2 (en) 2012-11-07 2016-11-01 Semiconductor Components Industries, Llc Heated carrier substrate semiconductor die singulation method
US9530718B2 (en) * 2012-12-26 2016-12-27 Intel Corporation DBF film as a thermal interface material
JP6435088B2 (ja) 2013-04-09 2018-12-05 日東電工株式会社 半導体装置の製造に用いられる接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
CN106469780B (zh) * 2015-08-18 2018-02-13 江苏诚睿达光电有限公司 一种基于串联滚压的有机硅树脂光转换体贴合封装led的工艺方法
JP2017092335A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 日東電工株式会社 半導体パッケージの製造方法
JP2017088782A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 日東電工株式会社 積層体および合同体・組み合わせの回収方法・半導体装置の製造方法
US10373869B2 (en) 2017-05-24 2019-08-06 Semiconductor Components Industries, Llc Method of separating a back layer on a substrate using exposure to reduced temperature and related apparatus

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1497703A (zh) * 2002-10-15 2004-05-19 日东电工株式会社 切割/冲模-结合膜，固定碎片机件和半导体设备的方法
CN1541257A (zh) * 2001-08-10 2004-10-27 �ն��繤��ʽ���� 切割用胶粘薄膜及切割方法
CN1799126A (zh) * 2003-06-06 2006-07-05 日立化成工业株式会社 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3410371B2 (ja) 1998-08-18 2003-05-26 リンテック株式会社 ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法
JP2000223446A (ja) * 1998-11-27 2000-08-11 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3544362B2 (ja) * 2001-03-21 2004-07-21 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
US20030064579A1 (en) * 2001-09-27 2003-04-03 Masafumi Miyakawa Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and protecting method for semiconductor wafer using said adhesive film
JP2004063551A (ja) 2002-07-25 2004-02-26 Hitachi Chem Co Ltd 半導体素子表面保護用フィルム及び半導体素子ユニット
DE10235482B3 (de) 2002-08-02 2004-01-22 Süss Microtec Lithography Gmbh Vorrichtung zum Fixieren dünner und flexibler Substrate
JP4341343B2 (ja) 2002-10-04 2009-10-07 日立化成工業株式会社 表面保護フィルム及びその製造方法
JP4364508B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-18 リンテック株式会社 チップ裏面用保護膜形成用シートおよび保護膜付きチップの製造方法
JP2004221169A (ja) 2003-01-10 2004-08-05 Hitachi Chem Co Ltd 半導体素子保護材、及び半導体装置
JP4283596B2 (ja) 2003-05-29 2009-06-24 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
US20060128065A1 (en) 2003-06-06 2006-06-15 Teiichi Inada Adhesive sheet, dicing tape intergrated type adhesive sheet, and semiconductor device producing method
JP4770126B2 (ja) * 2003-06-06 2011-09-14 日立化成工業株式会社 接着シート
JP4443962B2 (ja) * 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2005327789A (ja) 2004-05-12 2005-11-24 Sharp Corp ダイシング・ダイボンド兼用粘接着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP4776189B2 (ja) 2004-08-03 2011-09-21 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP4642436B2 (ja) * 2004-11-12 2011-03-02 リンテック株式会社 マーキング方法および保護膜形成兼ダイシング用シート
JP4865312B2 (ja) 2005-12-05 2012-02-01 古河電気工業株式会社 チップ用保護膜形成用シート
JP4954569B2 (ja) * 2006-02-16 2012-06-20 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP2007270125A (ja) * 2006-03-08 2007-10-18 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート、一体型シート、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
JP2007250970A (ja) 2006-03-17 2007-09-27 Hitachi Chem Co Ltd 半導体素子裏面保護用フィルム及びそれを用いた半導体装置とその製造法
JP4846406B2 (ja) 2006-03-28 2011-12-28 リンテック株式会社 チップ用保護膜形成用シート
JP4769975B2 (ja) * 2006-03-29 2011-09-07 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体装置の製造方法
JP2008006386A (ja) 2006-06-29 2008-01-17 Furukawa Electric Co Ltd:The チップ用保護膜形成用シートによる保護膜形成方法。
US20100099240A1 (en) * 2006-07-19 2010-04-22 Kouji Watanabe Dicing/die-bonding tape and method for manufacturing semiconductor chip
KR100773634B1 (ko) * 2006-10-26 2007-11-05 제일모직주식회사 아크릴 바인더 수지조성물를 포함하는 광경화형 점착조성물및 이를 이용한 점착테이프
JP2008166451A (ja) 2006-12-27 2008-07-17 Furukawa Electric Co Ltd:The チップ保護用フィルム
JP4994429B2 (ja) 2008-08-04 2012-08-08 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4728380B2 (ja) * 2008-11-26 2011-07-20 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1541257A (zh) * 2001-08-10 2004-10-27 �ն��繤��ʽ���� 切割用胶粘薄膜及切割方法
CN1497703A (zh) * 2002-10-15 2004-05-19 日东电工株式会社 切割/冲模-结合膜，固定碎片机件和半导体设备的方法
CN1799126A (zh) * 2003-06-06 2006-07-05 日立化成工业株式会社 粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法

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Publication number Publication date
US8415201B2 (en) 2013-04-09
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JP2011249739A (ja) 2011-12-08
TW201109415A (en) 2011-03-16
JP5576188B2 (ja) 2014-08-20
CN101924056A (zh) 2010-12-22
US20100314781A1 (en) 2010-12-16
TWI444452B (zh) 2014-07-11
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