TW463254B - Surface protective sheet for use in wafer back grinding and method of use thereof - Google Patents

Surface protective sheet for use in wafer back grinding and method of use thereof Download PDF

Info

Publication number
TW463254B
TW463254B TW088113999A TW88113999A TW463254B TW 463254 B TW463254 B TW 463254B TW 088113999 A TW088113999 A TW 088113999A TW 88113999 A TW88113999 A TW 88113999A TW 463254 B TW463254 B TW 463254B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wafer
pressure
sensitive adhesive
adhesive layer
protection sheet
Prior art date
Application number
TW088113999A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiro Takahashi
Kazuyoshi Ebe
Shinya Takyu
Original Assignee
Lintec Corp
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp, Toshiba Corp filed Critical Lintec Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW463254B publication Critical patent/TW463254B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C11/00—Selection of abrasive materials or additives for abrasive blasts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/241—Polyolefin, e.g.rubber
    • C09J7/243—Ethylene or propylene polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/122—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present only on one side of the carrier, e.g. single-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/006—Presence of polyolefin in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
    • Y10T428/2809—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer including irradiated or wave energy treated component

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

經濟部智慧財產局員工消費合"技£要 A7 B7 五'發明說明（1 ) [發明領域] 本發明係有關一種感壓黏著片，其係用於晶圓背面研 磨時保護電路表面。更特定言之，本發明係有關一種感廢 黏著片，其係用於其中將晶圓背面磨光藉以減低晶圓厚S 及最後促成其分割成個別晶片之晶圓操作程序中。 [發明背景] 近幾年來，已助長ic卡的擴展，且至今需要進一步 降低厚度。因此，過去為約350微米的半導體晶片厚度需 要減小到50至1 00微米或更低者。 電路圖形成後研磨晶圓背部為常用作業。在意欲將晶 圓研磨到，例如，100微米或更低之厚度時，晶圓強度會 減低，結果晶圓易破裂。尤其晶圓變脆，使得在晶圓中 即使略有缺陷，亦可能發生因該缺陷所造成的龜裂且該龜 裂會長得大到穿透晶圓由而極度降低晶片產率。 曰本專利公開公報第5(1993)_33541 1揭示一種製造 :導體aB片之方法’其中’為了遏止因上述龜裂成長所致 1破斷’係從晶圓表面形成具有既定深度之溝稽及隨後 研磨晶圓背面。 ;這種晶片製造方法中，可以利用，、签描作L Λ 為晶圓龜W h Α 了㈣以槽停止發生以作 绝裂成長之起點的缺陷現象。 ®分割成個方法中也會發生晶片破裂情形'就在晶 此連結的壯諸晶片係利用極薄的橋聯處於彼 m η #第6圖' 晶片與背面研磨機的主軸接 一一—_ ; ^加方向和所施加的研磨力大十而言斑不 :,'7 ~~---- ---------------------訂—-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) >Ui776 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46325 4 Α7 _ Β7 五、發明說明（2 ) 接觸到主軸的鄰接晶片有異地接受研磨^這種力道差異會 促使晶片脫位且在薄橋聯上龜裂由是導致晶片破製。 尤其是使用傳統廣被採用的表面保護片時，因為該表 面保護片之感壓黏著劑相當地軟’使得晶片脫位程度變大 且可能發生晶片破裂。 [發明目的] 本發明係經由考慮上述先前技藝而定成的β本發明目 的為提供一種可應用於能夠以高產率製造極薄1C晶片之 方法中之表面保護片。 [發明概述] 本發明一目的，提供一種用於半導體晶片的表面保護 片’其係在包括於備有電路圊的半導體晶圓表面上形成溝 槽使得溝槽的切割深度小於該晶圓的厚度及研磨該晶圓背 面而使得晶圓厚度減小及使晶圓於最後分割成個別晶片之 程序中用於晶圓背面研磨。 上述表面保護片包括基材及疊置於其上之在4 0°C下 具至少1.0X1 05Pa的彈性模數之感壓黏著層。 較好該感壓黏著層係由能量輻射可硬化性感壓黏著劑 所構成。再者，該感壓黏著劑層較好具有至少10公斤/平 方厘朱之剪切剝離強度β 又再者，於本發明中，較好該表面保護片在40公斤/ 平方厘米具有0.1至5.0%之壓縮應變。 使用本發明表面保護片可以高產率製造極薄的1C晶 片0 — — —— — — — — — — — I «——— — —II 1111111( {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張反度適用中國國家標準規格（210 X 297公釐） 2 310776 A7 B7 圍 年日修正/更正/補充 五、發明説明0 ) 本發明另一目的提供一種研磨晶圓背面之方法，其包 括下述諸步驟： 在備有電路的半導體晶圓表面上形成溝槽使得該溝槽 的切割深度小於晶圓厚度， 將上述表面保護護片黏貼到該備有半導體電路的晶圓 表面上，及 研磨晶圓表面使該晶圓厚度減低且使該晶圓最後分割 成個別晶片3 [圖式簡要說明] 第1圖為本發明表面保護片之斷面圖： 第2至5圖顯示出使用本發明表面保護片（感壓黏著片 製造薄1C晶片所用的各程序步驟：及 第6圖顯示出在傳統背面研磨法中發生晶片破裂之機制。 [圖式符號簡單說明] (請先間讀背面之注意事項再塡寫本頁各攔) u. 產 局 1 基材 2 感壓黏著層 3 晶圓 4 溝槽 5 晶片 6 裝置用膠帶 7 龜裂 8 轉韩 9 磨石 10 表面保護片 [發明詳細說明1 至此，本發明將參照附圖加以詳細 說明 參見第〗圖 本發明表面保護片1 ( )係έ 疊置於其上的感 壓ίέ著層 Ί .. 基# 1並無 特別限制 且 ί以使用 各種 屬 含_忐旨獏作為基 及 例 六. 4 6325 4
五、發明說明（4 本發明中’由防水性及耐熱性等觀點來看，較妤使用合成 經濟部智慧时產局員工消費合作社印製 樹脂膜。合成樹脂膜實例包括聚烯烴例如聚乙烯、聚丙烯、 聚丁浠和聚甲基戊稀之膜；及其它聚合物的膜例如聚氣乙 烯、聚偏氣乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二p酸乙 二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚丁__ ^ 00取丁 一烯' 聚胺甲酸酯' 乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、乙烯/(甲基）丙烯酸共聚物：乙 烯/(甲基）丙烯酸酯共聚物、離子鍵聚物、聚笨乙烯和聚 醯胺。 較好使用有一厚度且其揚氏模數在至公斤/ 厘米，尤其是3.0至500公斤/厘米範圍内的基材作為基 材卜 上述基材1的厚度通常在5至300微米，較妤1〇至 200微米的範圍内。該基材1可由單一層任何上述各種膜 或其積層想所構成。 有關臈積層體’該膜可彼此直接積層在一起，例如， 經由乾式積層或透過介質例如黏著劑而積層者。 基材1的上表面’亦即欲加上感壓黏著層2側的表面 可用電暈處理或可設有另一層例如底塗層（primer)以增加 該感壓黏著劑之黏附性。 當後述之感壓黏著層2係由能量輕射可硬化性感壓黏 著劑所構成時，該感壓黏著層2可用能量輻射予以照射。 於此情況中，構成基材1的膜需為透明者。 於本發明表面保護片10中，該感壓黏著層2係疊置 於上述基材1上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 310776 I J ^ ------^------f 1i {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟郜智慧財產局興工消費合泎il.ri'i-N A7 ____B7____ 五、發明說明（5 ) 該感壓黏著層2係由在4〇Χ下具有至少1 〇xi〇5pa， 較好1.0Xl05Pa至1.0Xl〇wPa的彈性模數之感壓性黏著 劑所構成。於半導體晶圓的背面研磨中’該表面保護片1〇 不僅涉及表面保護而且也用於固定晶圓。於背面研磨中， 產生研磨熱且該熱會傳導到該表面保護片導致該感壓 黏著層2所具溫度變成約20至60°c。一般感壓黏著劑易 於被熱所軟化，所以彼等的柔軟度會根據研磨進展而增 加，由此促成晶圓（晶片）移動。然而，在本發明中使用在 40C具有至少1.0 XI 〇5pa的彈性模數之感壓性黏著劑， 使得第6圖所示的行為可被抑制，由此遏止晶片破裂。在 40 C具有超過1.0 X l〇3pa的彈性模數之感壓黏著劑也可 以防止晶片破裂。然而，其使用也易造成難以維持感壓黏 著劑的其它性能。 上述彈性模數意指在晶圓被固持下研磨晶圓面時所測 量的彈性模數》例如，在使用其彈性模數會因用能量輻射 予以照射而改變的感壓性黏著劑（例如能量輻射可硬化性 感壓黏著劑）時，可在將該感壓黏著劑層2黏貼到晶園並 藉能量輻射照射使該感壓黏著劑層2硬化之後進行晶圓背 面研磨。於這種情況中’上述彈性模數意指在固持住晶圓 之下研磨晶圓背面時所測量的彈性模數，亦即，經能量輻 射 照射而硬化的感壓黏著劑層所具彈性模數„ 彈性模數可以用杻力剪切法(彈性模數G1)或張力壓縮 法t彈性棵數E .)予以測量：能量輻射可硬化感壓黏著劑在 能量轄射照射之前的彈性模數是用杻力剪切法測量.而其 .a巧.m:缥鼎 ：...'u： ^ 一· —- ----------------I----訂·1111 — i" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6325 4 A7 ____— · _B7__ 五、發明說明（6 ) 在能量輕射照射之後係由張力壓縮法測量。於線型區内的 彈性模數G1和彈性模數Ει通常都會滿足關係式£1 = 3(}1 β 上述本發明所定義的彈性模數意指用張力壓縮法測得者。 在用扭力剪切法測量時，利用公式Ei = 3Gi予以轉換。 用於本發明中的感壓性黏著劑並沒有限制只要其展現 出上述彈性模數即可。例如，可使用以橡膠、丙烯酸、石夕 鋼和聚乙烯基醚為主的感壓黏著劑。於本發明中，較好使 用能量輻射可硬化性感壓黏著劑β再者，亦可使用能量賴 射可硬化及熱可發泡性感壓黏著劑。 雖然依材料類別而定，但感壓黏著層2的厚度通常約 3至100微米，較佳約1〇至50微米範圍内。 可使用多種感壓黏著劑作為上述感壓黏著劑。於本發 明中，較好使用能量輻射可硬化性感壓黏著劑β例如，較 妤使用曰本專利公報1(1989)-56112號和曰本專利公開公 報7(1995)-135189號中所列舉者作為能量輻射可硬化（光 可硬化，紫外光可硬化或電子束可硬化）感壓黏著劑，但 彼等絕非用來限制可用於本發明中的能量輻射可硬化感壓 黏著劑之範圍。 例如，在日本專利公開公報60(1985)-196,956和 60(1 985)-223,139號中所揭示的在其分子中具有至少兩個 光可聚合碳碳雙鍵而可經由光照射轉化成三次元綱絡構造 之低分子化合物即廣被作為欲摻加到能量輻射可硬化感壓 黏著劑t之能量輻射可聚合化合物。其特定實例包括三羥 甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四 r I- ^-------I ^---------^ . 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公藿） 6 310776 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印戈 A7 ----------B7 五、發明說明（7 ) 丙牌酸醋、二季戊四醇單經基五两稀酸醋、二季戊四醇六 丙烯酸醋、1，4.丁二醇二丙稀酸醋、以-己二醇二丙缔酸 醋、聚乙二醇二丙燁駿醋及市面上可得到之寡聚醋型婦酸 酯。 再者，除了上述丙烯酸酯化合物之外，也可以使用胺 甲s«_s曰丙晞酸酯寡聚物作為能量輻射可聚合化合物。胺甲 酸酯丙烯酸酯寡聚物可經由用以多元醇化合物例如聚酯或 聚醚化合物與聚異氰酸酯化合物例如2,4-甲苯二異氛酸 醋、2,6-f苯二異氰酸酯、13 —二甲苯二異氣酸酯、】，扣 二甲苯二異氟酸醋或二苯基甲二異氣酸酷反應所 得之異氱酸酯終端型胺尹酸酯預聚物與含羥基的丙烯酸酯 或甲基丙烯酸酯，例如，丙烯酸2_羥基乙酯、甲基丙烯 酸2-羥基乙酯、丙烯酸2_羥基丙酯、甲基丙烯酸2，羥基 丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯或聚乙二醇甲基丙烯酸酯等反應 而得。 有關能量輻射可硬化感壓黏著劑中能量輻射可聚合化 合物對丙晞酸感壓黏著劑的摻合比例，較妤每重量份 丙烯酸感壓黏著使用50至200重量份，尤其5〇至15〇重 量份‘且更特別70至120重量份的能量輻射可聚合化合 物。於此情況中，所得感壓黏著片的初黏著強度大而在 用能量輻射照射該感壓黏著層時' 黏著強度即急劇地下 降·因此，晶片與丙烯酸型能量輻射可硬化感壓黏著層之 間剝離’而可取出晶片。 该丙烯酸型能量輻射可碩化感墼黏著層可由異有能量 iTi"?· r;' ^ΤΓΤΪ" " —-——-— 裝--------訂---------線 (請先sg讀背面之注意事項再填窵本頁) W0776 A7 46325 4 B7___ 五、發明說明（8 ) 輻射可聚合基作為側鏈的能量輻射可硬化共聚物所構成。 這種能量輻射可硬化共聚物同時展現出令人滿意的黏附性 及能量輻射硬化性。具有能量輻射可聚合基作為側鏈的能 量輻射可硬化共聚物詳述於例如日本專利公開公報 5(1993)-32,946與8(1996)-27,239號中.這種感壓黏著劑 可免除掉會降低彈性模數的低分子量物質之摻加，由是易 得到高彈性模數。 上述丙烯酸型能量輻射可硬化感壓黏著劑在以能量輻 射與照射前具有令人滿意的黏著強度，而在能量輻射照射 後黏著強度即極度地減低。亦即，以能量輻射照射前，可 經由令人滿意的黏著強度固持住晶片’而在以能量輕射照 射後，可容易地將晶片剝下。 上述感壓黏著劑層2的剪切剝離強度較好至少1〇公 斤/平方厘米，更好10至100公斤/平方厘米的範圍内， 且甚至更佳在10至50公斤/平方厘米的範圍内。針對能 量輻射可硬化感壓黏著劑而言’這種剪切剝離強度亦依有 沒有施以能量輻射照射而變異<»於本發明中，如同上文所 提的彈性模數一般’該剪切剝離強度意指在固持住晶圓之 下研磨晶圓背面時所測量者。該能量輻射可硬化感壓黏著 劑的黏著強度在以能量輻射照射後會極度降低，使得在研 磨步驟中可能發生剝離情形。然而，若剪切方向的應力（剪 切剝離強度）大，則研磨步驟中的剝離現象會受到抑制， 不論1 80°剝離強度為何皆然。所以，該剪切剝離強度在 上述範圍内時，於背面研磨過程中晶圓（晶片）會被牢固地 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 策·-------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用t固囤家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 8 310776 經濟部智慧財產局員工消f合汴让s. t. A7 _____B7______ 五、發明說明（9 ) 保持住，由是可防止晶片破裂。 本發明表面保護片所具壓縮應變（compressive strain) 較好為0.1至5.0%，更佳者0.5至4.5%範圍内。 片材的壓縮應變是根據日本工業標準（JIS)K7208於40 公斤/平方厘米的荷重下測量。 當該片所具屋缩應變落於上述範圍内時，在接觸到錠 子且接受研磨的晶片與未接觸錠子的鄰近晶片之間的高度 差值即變得相當小’由是可防止晶片破裂（龜裂）。 上述發明表面保護片10係在晶圓背面研磨程序中用 以保護晶圍表面及暫時固定該晶圓之工具，其中包括提出 具有已傍妥丰導趙電路的表面和背面之具有預定厚度的晶 圓，從該晶圓表面形成具有小於晶圓厚度的切割深度之溝 槽及研磨該晶圓的背面使得晶圓厚度減低且使晶圓最後分 割成個別晶片。 更特定言之，該表面保護片10係用於包括下列諸步 驟的晶圓背面研磨程序中。 第一步驟··經由沿著分隔眾多線路所用的界道（streets) 將晶圓3表面切割而形成具有預定深度之溝槽4(參看第2 圖）3 第二步驟：黏貼本發明表面保護片1〇由而覆蓋晶圓 3的所有表面（參看第3圖）a 第三步驟：研磨晶圓背部因而移除上 旦達到合意厚度由是完成分割成個別晶片5之步驟 第4圖I。 ------------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝--------訂---------線----------- '107'^ 46325 4 A7 ____B7 _ 五、發明說明（) 其後，當該感壓黏著層2係由能量輻射可硬化感壓黏 著劑所構成時，以能量輻射照射該感壓黏著層2藉以減低 黏著強度。於該晶片的研磨表面貼上感染黏著膠帶（裝置 用膠帶如日本專利公開公報5(1993)-335411中所述者），並 剝該表面保護片10(參看第5圖）。從該感壓黏著膠帶摘取 晶片並將其安置在既定基座。 當感壓黏著層2係由軟質能量輻射可硬化感壓黏著劑 所構成時’在上述第二步驟中以能量輻射從基材側照射該 感壓黏著層2而可控制該感壓黏著層2所具彈性模數到上 述範圍内。於此情況t ’在分割成個別晶片5後即不需再 以能量輻射照射。 上述程序易以高產率製得薄1C晶片。 [發明功效] 從上文顯然可知’本發明表面保護片可以高產率製造 極薄的1C晶片。 實施例 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明將參照下列非用以限制本發明範圍的諸實施例 予以更詳細地闡明。 諸實施例與比較例中，彈性模數、剪切剝離強度、片 材壓縮應變和龜裂發生率係用下述諸方法測量者。 翌·性模數 (υ彈性模數g1(扭力剪切法）
試片：8毫米直徑與3毫米高的圓柱體 測量裝置：DYNAMIL ANALYZER RDA II 本紙張尺度適用中國國家標华（CNS)A4規格（21ΰχ 297公餐） 10 310776 經濟部智慧財產局員工消費合作让郎軚 A： B7 五、發明說明（ii ) (REOMETRIC SCIENTIFIC F.E. LTD.所製）；及 測量頻率：1 Hz 以扭力剪切法測量彈性模數時，將G1值乘以3以轉 換為E1值。 (2)彈性模數E1(張力壓縮法） 試片：50毫米（長度）X4毫米（寬度）X0.5毫米（厚度） 測量裝置：RHEOVIBRON DDV-II-EA(Orientec 公司 所製），及 測量頻率：11Hz。 前切剝離強疳 試片：15毫米（寬度）X J 〇〇毫米（長度），及 測量裝置：INSTRON型號4204(Instron公司所製）。 上述試片利用1公斤滾筒黏貼到鏡面晶圓上使試片與 晶圓彼此黏附的面積為15毫米χΐ5毫米。 用個別扣具固持住試片與晶圓，並以5〇毫米/分的頭 速沿垂直方向（剪切方向）剝離以進行測量。 片材的壓縮應樂 壓縮應變係根據日本王#標準UIS) K?2Q8以下列方 式測量。 將10毫米毫米的片彼此堆疊以裂備5毫米厚的 樣品沿厚度方向將荷重施加到樣品.利肖INSTRON型 號4〇〇4(inStron公司所製⑽5毫口分的測量速率測得壓 縮荷重，變形西複 抑 ' 曲線值言算出在40公斤.平方厘米 壓縮荷重τ的壓縮應變 . ^ 1)0>76 ----------------------訂---------線 {琦先閱讀背面之注幸？事項再填寫本頁} 亀裂發生率（％)= X 100 4 6 3 2 5 4 A7 B7 五、發明說明（12 ) 象裂發生率 ' 將6吋直徑和700微米厚的矽晶圓黏貼到切分片 (dicing sheet)上（Adwill D-628，Lintec 公司所製），並使用 35微米厚的刀片以DAD 2H/6T(Disco公司所製）於使得切 割深度為400微米且晶片尺寸為10毫米見方之條件下形 成溝槽。其後，將實施例和比較例中製成的感壓黏著片黏 貼到晶圓所具有溝槽表面之上》剝掉切分片，利用 DFG840(Disco公司所製）進行研磨直到晶圓厚度變成80 微米為止。實施例4中，該研磨步驟前，先用能量輻射（紫 外射線）照射該感壓黏著片。於實施例1至3和比較例申， 係在研磨步驟完成後用能量輻射（紫外射線）照射該感壓黏 著劑片。於實施例5中，不進行能量輻射（紫外射線）對感 壓黏著劑片的照射。剝掉該感壓黏著劑片，並於經分開的 晶片中，計數有龜裂晶片的數目。用下式計算龜裂發生率： 亀裂晶片數目 總晶片數目 實施例 以60重量份丙烯酸丁酯，1〇重量份甲基丙烯酸甲酯 和30重量份丙烯酸2-羥基乙酯製得之具有重量平均分子 量300,000之丙烯酸系共聚物的25%乙酸乙酯溶液1〇〇重 量份，與7.0重量份的異氰酸甲基丙烯醯氧基乙基酯反應 而得能量輻射可硬化共聚物。將0·5重量份的聚異氰酸酯 化合物（Coronate L，日本聚胺基用酸醋工業股份有限公 司所製）及1.0重量份的光聚合起始劑（Irgaeure 184, ciba . .—政--------訂---------線 (靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規恪（210^297公釐） 12 310776 經濟部智慧財產局目'工消費合作社";-契 Λ7 ___B7____________ 五、發明說明（13 ) 專業化學株式會社所製）與以固趙、含量計為i〇〇重量份的 該能量輻射可硬化共聚物混合，藉而得到能量輻射可硬化 感壓黏著劑。 以該能量輻射可硬化感壓黏著劑塗覆H0微米厚的聚 乙烯膜（揚氏模數X厚度=14.3公斤/厪米）使得乾燥後塗層 厚度為20微米。乾燥係在i〇〇t下進行一分鐘，由是得 到感壓黏著片。 使用此感壓黏著片實施上文所提檢驗。結果列於表1 中 〇 實施例2 重複實施例1的相同程序，但於該能量輻射可硬化共 聚物係經由55重量份丙烯酸丁酯、10重量份的甲基丙烯 酸甲酯、5重量份丙烯酸甲酯和30重量份的丙烯酸2 -羥 基乙酯製得之具有重量平均分子量300,000的丙烯酸系共 聚物之25 %乙酸乙酷溶液100重量份與7.0重量份的異氰 酸甲基丙烯醯氧乙基酯反應而得者。結果列於表〗中。 實施例3 重複實施例1的相同程序，但該能量輻射硬化性共聚 物係經由50重量份丙烯酸丁酯、20重量份曱基丙烯酸甲 酯和30重量份數的丙烯酸2 -羥基乙酯製得具有重量平均 分子量300,000的丙烯酸系共聚物之25%乙酸乙酯溶液 100重量份與7.0重量份的異氦酸甲基丙烯醯氧乙基酯反 應而得者」結果列於表1中： 實施例4 ---------------------訂'--------線 f請先閱讀背*之注意事項再填寫本頁) A7 46325 4 __B7 五、發明說明（i4 ) 90重量份丙烯酸丁酯和10重量份丙烯酸2 -羥基乙酯 製得具有重量平均分子量300,〇〇〇之丙烯酸系共聚物ι〇〇 重量份：120重量份具有重量平均分子量7〇〇〇的胺基甲 酸酯丙烯酸酯募聚物（商品名：SEIKABEAM PU-4，為大 曰精化工業株式會社所製）’作為含有不會與上述丙烯酸 系共聚物反應的不飽和基之成分；10重量份聚異氰酸酯 化合物（Coronate L，由日本聚胺基甲酸酯工業股份有限 公司所製），和0.4重量份光聚合起始劑（irgacure 184，為 Ciba專業化學株式會社所製）混合在一起，由是得到能量 輻射可硬化感壓黏著劑。使用此感廢黏著劑，以實施例1 中的相同方式製備感壓黏著片，但在研磨步琢前進行能量 輻射照射β 使用此感壓黏著片進行上文所提檢驗。結果列於表1 中 〇 管施例5 重複實施例1的相同程序，但使用20重量份聚異氟 酸醋化合物（Coronate L)與1〇〇重量份以固體含量計算的 以80重量份丙烯酸異丁酯、η重量份甲基丙烯酸尹酯和 5重量份丙烯酸2-羥基乙酯製得具有重量平均分子量 5 0 0,〇〇0之丙烯酸系共聚物混合所得丙烯酸型可移除的感 壓黏著劑取代實施例1的能量輻射可硬化感壓黏著劑。結 果列於表1 _。 比較例1 重複實施例1的相同程序，但該能量輻射硬化性共聚 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 政--------訂---------線 經濟部智婪財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 297公釐） 14 310776 A7 五 '發明說明（15 ) 物係由80重量份丙烯酸2-乙基己酯和20重量份丙烯酸2 羥基乙酯製得具有重量平均分子量3 00,000的丙烯酸系共 聚物之25%乙酸乙酯溶液1〇〇重量份，與4.7重量份異氰 酸甲基丙烯醯氧乙基酯反應所得者=結果列於表1中。 比較例2 重複實施例1的相同程序，但該能量輻射可硬化共聚 物係由60重量份丙烯酸丁酯、1〇重量份曱基丙烯酸甲酯 和30重量份丙烯酸2-羥基乙酯製得具有重量平均分子量 300,000的丙烯酸系共聚物之25 %乙酸乙酯溶液100重量 份’與3.0重量份異氰酸甲基丙烯醯氣乙基酯反應而得 者。結果列於表1中。 比較例3 使用未經能量輻射照射過的實施例4感壓黏著片進朽 檢驗3結果列於表1中。
I -------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 經濟部智慧財產局員工肩費合作社_ 感壓黏著劑的 彈性模數 (40°C)(Pa) 貪施例1 1.07 X 105 實施例Θ 1.10X 105 貪施例3 1.48X 105 _實施例4 4.55 X 108 實施例5 | 6.71 X 106 比較例 比較例 2.00 X 10" 比較例 表 剪切制離強度 (公斤/平方厘米） 堯裂發生_ (%) 8.66 X 10^ ΤΤδ xur
.線. ·ί：'Ν

Claims (1)

  1. 8 0^88 AKCD 46325 4 六、申請專利範圍 1· 一種用於半導體晶圓的表面保護片’其係在包括於備 有電路的半導體晶圓表面上形成溝槽使得該溝槽的切 割深度小於晶圓厚度及磨光該晶圓背部使得晶圓厚度 減低且使該晶圓最後分成個別晶片之程序令用於晶圓 背部磨光之中者’該表面保護片包括基材及疊置其上 之在40°c具有至少ι·〇χ i〇5Pa彈性模數之感壓黏著 層。 2_如申請專利範圍第】項之表面保護片，其中該感壓黏 著層係由能量輻射可硬化感壓黏著劑所構成者。 3. 如申請專利範圍第1或2項之表面保護片，其中該感 壓黏著層具有至少10公斤/平方厘米之剪切剝離強度。 4. 如申請專利範圍第1或2項之表面保護片，其具有在 40公斤/平方厘米下為〇丨至5.0%之壓縮應變。 5. 如申請專利範圍第3項之表面保護片，其具有在4〇公 斤/平方厘米下為0.1至5.0%之壓縮應變。 6. —種研磨晶圓背面之方法，其包括下列諸步驟： 在備有電路的半導體晶圓之表面上形成溝槽使得 該溝槽的切割深度小於該晶圓的厚度， 在備有半導體電路的該晶圓表面上黏貼一表面保 護片’其包括基材及疊置其上的在40°C下具有至少1.0 Xl〇5Pa的彈性模數之感壓黏著層，及 研磨該晶圓背面，使得該晶圓厚度降低且使該晶 圖於最後分成個別晶片。 7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該感壓黏著層係 冬紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 310776 -J--------訂----------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員X消費合作杜印製 16 六、夺請專利範圍 由能量輻射可硬化感麈黏著劑所構成，且在將該表面 保護片黏貼到備有半導體電路的該晶圓表面後，以能 量輻射照射該感壓黏著層使得該感壓黏著劑層在4 01 下具有至少1 〇 X 105pa之彈性模數。 8.如f請專利範圍第7項之方法，其令該經能量輕射照 射的感壓黏著層具有至少1 0公斤/平方厘米之剪切剝 離強度。 9'如申請專利範圍第7或8項之方法，其中，以能量輻 射照射後，該表面保護片具有在40公斤/平方厘米了 為0.1至5.0%之壓縮應變。
TW088113999A 1998-08-18 1999-08-17 Surface protective sheet for use in wafer back grinding and method of use thereof TW463254B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23160298A JP3410371B2 (ja) 1998-08-18 1998-08-18 ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW463254B true TW463254B (en) 2001-11-11

Family

ID=16926093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088113999A TW463254B (en) 1998-08-18 1999-08-17 Surface protective sheet for use in wafer back grinding and method of use thereof

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6465330B1 (zh)
EP (1) EP0981156B1 (zh)
JP (1) JP3410371B2 (zh)
KR (1) KR100571352B1 (zh)
CN (1) CN1145202C (zh)
DE (1) DE69918618T2 (zh)
TW (1) TW463254B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7060532B2 (en) 2003-04-03 2006-06-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method of semiconductor device

Families Citing this family (82)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7641966B2 (en) * 1999-06-14 2010-01-05 Nitto Denko Corporation Re-release adhesive and re-release adhesive sheet
JP4409014B2 (ja) * 1999-11-30 2010-02-03 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP4230080B2 (ja) * 2000-02-18 2009-02-25 リンテック株式会社 ウエハ貼着用粘着シート
US6900534B2 (en) * 2000-03-16 2005-05-31 Texas Instruments Incorporated Direct attach chip scale package
JP2001313350A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Sony Corp チップ状電子部品及びその製造方法、並びにその製造に用いる疑似ウエーハ及びその製造方法
US6759121B2 (en) * 2000-07-13 2004-07-06 3M Innovative Properties Company Clear adhesive sheet
JP4707805B2 (ja) * 2000-08-08 2011-06-22 三井化学株式会社 半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウエハ表面の保護方法
JP3906962B2 (ja) * 2000-08-31 2007-04-18 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
US7059942B2 (en) * 2000-09-27 2006-06-13 Strasbaugh Method of backgrinding wafers while leaving backgrinding tape on a chuck
JP3594581B2 (ja) * 2000-12-12 2004-12-02 三井化学株式会社 半導体ウェハ保護方法及び該保護方法に用いる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム
US6730595B2 (en) * 2000-12-12 2004-05-04 Mitsui Chemicals, Inc. Protecting method for semiconductor wafer and surface protecting adhesive film for semiconductor wafer used in said method
DE10121556A1 (de) * 2001-05-03 2002-11-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Rückseitenschleifen von Wafern
JP4689075B2 (ja) * 2001-05-21 2011-05-25 日東電工株式会社 半導体ウエハ加工用保護シート
JP2002343756A (ja) * 2001-05-21 2002-11-29 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ平面加工装置
JP2002348554A (ja) * 2001-05-24 2002-12-04 Lintec Corp ワーク固定用シートおよびワーク加工方法
US6794751B2 (en) * 2001-06-29 2004-09-21 Intel Corporation Multi-purpose planarizing/back-grind/pre-underfill arrangements for bumped wafers and dies
EP1424377A4 (en) * 2001-08-10 2005-03-23 Nitto Denko Corp ADHESIVE SHEET FOR CHIP CUTTING AND ASSOCIATED CHIP CUTTING PROCESS
CN100369235C (zh) * 2001-10-01 2008-02-13 埃克赛尔技术有限公司 加工衬底的方法及系统
JP2003147300A (ja) * 2001-11-12 2003-05-21 Lintec Corp ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよび半導体チップの製造方法
SG120887A1 (en) * 2001-12-03 2006-04-26 Disco Corp Method of processing a semiconductor wafer and substrate for semiconductor wafers used in the same
CN1322554C (zh) * 2002-01-15 2007-06-20 积水化学工业株式会社 Ic片的生产方法
ATE518242T1 (de) 2002-03-12 2011-08-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
US7238421B2 (en) 2002-03-28 2007-07-03 Mitsui Chemicals, Inc. Pressure sensitive adhesive film for protection of semiconductor wafer surface and method of protecting semiconductor wafer with the pressure sensitive adhesive film
JP2003298006A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Seiko Epson Corp 半導体装置および電気光学装置
JP2004047823A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシングテープ貼付装置およびバックグラインド・ダイシングテープ貼付システム
EP1391493A1 (en) * 2002-08-22 2004-02-25 Lintec Corporation Surface protecting film for polycarbonate
EP1568071B1 (de) * 2002-11-29 2019-03-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Wafer mit trennschicht und trägerschicht und dessen herstellungsverfahren
DE10256247A1 (de) * 2002-11-29 2004-06-09 Andreas Jakob Schichtverbund aus einer Trennschicht und einer Schutzschicht zum Schutze und zum Handling eines Wafers beim Dünnen, bei der Rückseitenbeschichtung und beim Vereinzeln
JP4153325B2 (ja) * 2003-02-13 2008-09-24 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの加工方法
TWI240965B (en) * 2003-02-28 2005-10-01 Toshiba Corp Semiconductor wafer dividing method and apparatus
JP2004319045A (ja) * 2003-04-18 2004-11-11 Lintec Corp 光ディスク製造用シートおよび光ディスク
JP2004349649A (ja) * 2003-05-26 2004-12-09 Shinko Electric Ind Co Ltd ウエハーの薄加工方法
US20050023682A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 Morio Nakao High reliability chip scale package
US20050147489A1 (en) * 2003-12-24 2005-07-07 Tian-An Chen Wafer supporting system for semiconductor wafers
JP4439990B2 (ja) * 2004-04-28 2010-03-24 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP4878738B2 (ja) * 2004-04-30 2012-02-15 株式会社ディスコ 半導体デバイスの加工方法
JP4574234B2 (ja) 2004-06-02 2010-11-04 リンテック株式会社 半導体加工用粘着シートおよび半導体チップの製造方法
EP1774587B1 (en) * 2004-07-26 2009-10-07 Nxp B.V. Wafer with improved conductive loops in the dicing lines
JP2007123687A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体ウェーハ裏面の研削方法及び半導体ウェーハ研削装置
DE102005055769A1 (de) * 2005-11-21 2007-05-24 Tesa Ag Verfahren zur temporären Fixierung eines polymeren Schichtmaterials auf rauen Oberflächen
WO2007080936A1 (ja) * 2006-01-13 2007-07-19 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha 硬化性樹脂組成物、表面保護方法、仮固定方法、及び剥離方法
US7935424B2 (en) 2006-04-06 2011-05-03 Lintec Corporation Adhesive sheet
DE102006026467B4 (de) * 2006-06-07 2018-06-28 Texas Instruments Deutschland Gmbh Vorrichtung für das Schleifen eines Wafers
JP5275553B2 (ja) * 2006-06-27 2013-08-28 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 分割チップの製造方法
JP2008031447A (ja) * 2006-06-29 2008-02-14 Dainippon Printing Co Ltd 電磁波遮蔽シート仮積層用保護フィルム及びその製造方法、並びに電磁波遮蔽シート
JP2008060151A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ裏面加工方法、基板裏面加工方法、及び放射線硬化型粘着シート
JP5049620B2 (ja) * 2007-03-20 2012-10-17 リンテック株式会社 粘着シート
SG148884A1 (en) * 2007-06-15 2009-01-29 Micron Technology Inc Method and system for removing tape from substrates
JP5032231B2 (ja) * 2007-07-23 2012-09-26 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
FR2921201B1 (fr) * 2007-09-19 2009-12-18 Commissariat Energie Atomique Procede de collage de puces sur un substrat de contrainte et procede de mise sous contrainte d'un circuit de lecture semi-conducteur
US7829384B2 (en) * 2007-09-25 2010-11-09 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of laser-marking wafers with tape applied to its active surface
US8916416B2 (en) * 2007-09-25 2014-12-23 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of laser-marking laminate layer formed over eWLB with tape applied to opposite surface
US8198176B2 (en) * 2007-10-09 2012-06-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Method for producing semiconductor chip with adhesive film, adhesive film for semiconductor used in the method, and method for producing semiconductor device
JP2009094432A (ja) * 2007-10-12 2009-04-30 Toshiba Corp 積層型半導体パッケージの製造方法
US20090123746A1 (en) * 2007-11-12 2009-05-14 Lintec Corporation Adhesive sheet
JP5448337B2 (ja) * 2007-12-21 2014-03-19 株式会社東京精密 ウェーハ研削装置およびウェーハ研削方法
US20110139347A1 (en) 2008-05-14 2011-06-16 Lg Chem Ltd. Adhesive composition, adhesive sheet, and back grinding method for semiconductor wafer
US7919348B2 (en) * 2008-06-13 2011-04-05 Aptina Imaging Corporation Methods for protecting imaging elements of photoimagers during back side processing
CN105047597B (zh) 2009-06-15 2018-04-03 日东电工株式会社 半导体背面用切割带集成膜
JP2011168751A (ja) 2010-02-22 2011-09-01 Nitto Denko Corp 表面保護フィルム
JP5993845B2 (ja) 2010-06-08 2016-09-14 ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 先ダイシング法を行う微細加工されたウェーハへの接着剤の被覆
JP5580701B2 (ja) * 2010-09-13 2014-08-27 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
TWI461501B (zh) * 2010-12-20 2014-11-21 Henkel IP & Holding GmbH 光可固化切割黏晶膠帶
KR101997293B1 (ko) * 2011-02-01 2019-07-05 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 다이싱 테이프 상에 사전 절단 웨이퍼가 도포된 언더필 필름
KR101960982B1 (ko) * 2011-02-01 2019-07-15 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 사전 절단되어 웨이퍼상에 도포된 언더필 필름
CN104508815B (zh) * 2012-07-31 2018-02-13 索泰克公司 使用激光剥离过程制造半导体结构的方法和相关的半导体结构
JP6026222B2 (ja) * 2012-10-23 2016-11-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6129541B2 (ja) * 2012-12-17 2017-05-17 リンテック株式会社 ダイシングシート
KR101643184B1 (ko) * 2013-08-28 2016-07-27 후지모리 고교 가부시키가이샤 화학 연마용 표면 보호 필름
JP6542502B2 (ja) * 2013-11-15 2019-07-10 三井化学株式会社 拡張性基材フィルム、ダイシングフィルム、半導体用表面保護フィルム、及び半導体装置の製造方法
JP6193813B2 (ja) * 2014-06-10 2017-09-06 信越化学工業株式会社 ウエハ加工用仮接着材料、ウエハ加工体及びこれらを使用する薄型ウエハの製造方法
JP6610510B2 (ja) * 2015-11-26 2019-11-27 信越化学工業株式会社 ウエハ積層体及びその製造方法
JPWO2017149981A1 (ja) * 2016-02-29 2018-12-20 株式会社イーテック 粘着剤組成物及び粘着シート
GB2551732B (en) 2016-06-28 2020-05-27 Disco Corp Method of processing wafer
WO2018043391A1 (ja) * 2016-08-29 2018-03-08 古河電気工業株式会社 マスク一体型表面保護テープ
JP6870974B2 (ja) 2016-12-08 2021-05-12 株式会社ディスコ 被加工物の分割方法
CN106847846A (zh) * 2016-12-23 2017-06-13 江苏正桥影像科技股份有限公司 一种超薄图像传感器晶片的磨制方法
JP6938212B2 (ja) * 2017-05-11 2021-09-22 株式会社ディスコ 加工方法
CN109290875B (zh) * 2017-07-25 2021-06-22 北京通美晶体技术股份有限公司 背面有凹坑的磷化铟晶片、制法和制备其的腐蚀液
JP2018076517A (ja) * 2017-12-01 2018-05-17 三井化学株式会社 ダイシングフィルム、半導体用表面保護フィルム、及び半導体装置の製造方法
JP7311284B2 (ja) * 2019-03-22 2023-07-19 日東電工株式会社 バックグラインドテープ
JP2020186313A (ja) * 2019-05-14 2020-11-19 積水化学工業株式会社 半導体加工用粘着テープ

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5552235A (en) * 1978-10-13 1980-04-16 Toshiba Corp Fastening of semiconductor wafer on substrate
US5714029A (en) 1984-03-12 1998-02-03 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Process for working a semiconductor wafer
JPH0616524B2 (ja) * 1984-03-12 1994-03-02 日東電工株式会社 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPS60223139A (ja) 1984-04-18 1985-11-07 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板
DE3639266A1 (de) 1985-12-27 1987-07-02 Fsk K K Haftfolie
US4859217A (en) 1987-06-30 1989-08-22 Uop Process for separating nitrogen from mixtures thereof with less polar substances
JP2601956B2 (ja) 1991-07-31 1997-04-23 リンテック株式会社 再剥離型粘着性ポリマー
JPH0574934A (ja) * 1991-09-13 1993-03-26 Sony Corp 薄型チツプの形成方法
JPH05335411A (ja) 1992-06-02 1993-12-17 Toshiba Corp ペレットの製造方法
JP3410202B2 (ja) 1993-04-28 2003-05-26 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ウェハ貼着用粘着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2984549B2 (ja) 1994-07-12 1999-11-29 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型感圧粘着剤組成物およびその利用方法
WO1997000534A1 (fr) * 1995-06-15 1997-01-03 Nitto Denko Corporation Procede d'elimination d'un agent photoresistant, et adhesif ou feuille adhesive utilises a cet effet
KR0157508B1 (ko) * 1995-08-01 1998-10-01 백운화 피클향미를 가미한 김치의 제조방법 및 이의 제품
JPH09291258A (ja) * 1996-04-26 1997-11-11 Lintec Corp 粘着剤組成物およびこれを用いた粘着シート
US6312800B1 (en) * 1997-02-10 2001-11-06 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip
JPH1140520A (ja) * 1997-07-23 1999-02-12 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
EP0926732A3 (en) * 1997-12-10 2001-01-03 Nitto Denko Corporation Process for producing semiconductor device and pressure-sensitive adhesive sheet for surface protection
JP3739570B2 (ja) * 1998-06-02 2006-01-25 リンテック株式会社 粘着シートおよびその利用方法
EP2679224A1 (en) * 2007-08-01 2014-01-01 University of Pittsburgh of the Commonwealth System of Higher Education Nitro oleic acid modulation of type II diabetes

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7060532B2 (en) 2003-04-03 2006-06-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method of semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
DE69918618T2 (de) 2005-08-25
KR20000017349A (ko) 2000-03-25
CN1145202C (zh) 2004-04-07
EP0981156A2 (en) 2000-02-23
JP3410371B2 (ja) 2003-05-26
JP2000068237A (ja) 2000-03-03
US6465330B1 (en) 2002-10-15
EP0981156A3 (en) 2002-01-09
CN1247382A (zh) 2000-03-15
DE69918618D1 (de) 2004-08-19
KR100571352B1 (ko) 2006-04-14
EP0981156B1 (en) 2004-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW463254B (en) Surface protective sheet for use in wafer back grinding and method of use thereof
JP3784202B2 (ja) 両面粘着シートおよびその使用方法
JP3383227B2 (ja) 半導体ウエハの裏面研削方法
JP5823591B1 (ja) 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法
TW443964B (en) Semiconductor wafer processing tapes and method of processing a semiconductor wafer
TWI230122B (en) Pressure sensitive adhesive sheet and method of use thereof
KR101447378B1 (ko) 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 테이프 및 반도체 웨이퍼의 제조방법
JP6085076B2 (ja) 粘着シートおよび半導体ウエハの加工方法、半導体チップの製造方法
TWI469204B (zh) A polishing method for a semiconductor wafer, and a resin composition and a protective sheet used therefor
TW201602299A (zh) 背面研磨膠帶用基材、及背面研磨膠帶
JP4841802B2 (ja) 粘着シートおよびその使用方法
JP2000212530A (ja) 粘着シ―トおよびその使用方法
JP2003147300A (ja) ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよび半導体チップの製造方法
TW201114875A (en) Surface protective sheet
JP2002141309A (ja) ダイシングシートおよびその使用方法
US20130224418A1 (en) Self-rolling adhesive film
WO2016148110A1 (ja) 半導体ウェハ加工用粘着テープ
CN106716603B (zh) 半导体晶圆表面保护用粘合带
WO2017072901A1 (ja) 半導体ウエハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウエハの加工方法
JP3945565B2 (ja) 半導体ウエハの加工方法
JP5546518B2 (ja) 脆性ウェハ裏面研削用粘着テープ及びそれを用いた研削方法
WO2010140569A1 (ja) 粘着シート及び半導体ウエハの裏面研削方法
JP2002203822A (ja) 脆性部材の加工方法および両面粘着シート
JP2014192204A (ja) 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ及び半導体ウエハの加工方法
JP4364368B2 (ja) 半導体チップの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent