JP2002338911A - 半導体ウエハ加工用保護シート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基材フィルム上に放射線硬化型粘着層が積層
されている半導体ウエハ加工用粘着シートであって、放
射線硬化処理後においても基材フィルムと粘着層の間の
良好な接着力を有するものを提供すること。 【解決手段】 基材フィルム上に放射線硬化型粘着層が
積層されている半導体ウエハ加工用粘着シートにおい
て、前記基材フィルムの放射線硬化型粘着層と接着する
面の平均粗さＲａ（μｍ）が、０．０１＜Ｒａであるこ
とを特徴とする半導体ウエハ加工用保護シート。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ加工用
保護シートに関する。詳しくは、各種半導体を製造する
工程におけるウエハの研削工程においてウエハを保護す
るために用いる保護シートや、ウエハ、半導体パッケー
ジ等の半導体部品等を個々の大きさに切断（ダイシン
グ）する際にこれらを固定するために用いる保持シート
として用いられる半導体ウエハ加工用保護シートに関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】ウエハ製造工程において、パターンを形
成したウエハは通常所定の厚さまでウエハを削るバック
グラインド工程を行なうのが一般的である。その際、ウ
エハを保護する目的等でウエハ表面にはウエハ保護シー
トとして粘着シートを貼り合わせ、研削するのが一般的
な方法となっている。またウエハ等を個々のチップに切
断する際にはウエハ表面にはウエハ保持シートとして粘
着シートを貼りあわせダイシングする方法が一般的であ
る。

【０００３】また、最近の８インチや１２インチといっ
たウエハの大型化、ＩＣカード用途などでのウエハの薄
型化が進んでいる。これらを加工する際に使用する前記
保護シートとしては、半導体ウエハを加工後に簡単に剥
離することができることから、紫外線照射等によって粘
着層の粘着力を低下させることができる放射性硬化型粘
着層を設けた保護シートが用いられることが多い。この
放射線硬化型の保護シートは紫外線等の放射線を照射す
ることによって粘着層が硬化、収縮し、被着体である半
導体ウエハとの粘着力を低下させるものである。

【０００４】しかし、放射線硬化型の保護シートは、放
射線照射によって被着体と粘着層の間の粘着力を低下さ
せるだけでなく、粘着層と基材フィルムの接着力も低下
させてしまい、保護シートを剥離する際に、基材フィル
ムと粘着層の間で剥離が生じてしまう場合があった。こ
の問題を防止するためにさまざまな方法がとられてい
る。たとえば、基材フィルムに下塗り材なるものを塗布
して基材フィルムと粘着層との接着力を上げる方法があ
るが、この方法では下塗り材の成分が粘着層に拡散して
しまい粘着剤の特性が変化してしまうという悪影響があ
る。また基材フィルムにコロナ処理を施して、基材フィ
ルムと粘着剤との接着性をあげる処理を行っている場合
も多いが、基材フィルムの種類によってはあまり効果的
でない基材フィルムもある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、基材フィル
ム上に放射線硬化型粘着層が積層されている半導体ウエ
ハ加工用粘着シートであって、放射線硬化処理後におい
ても基材フィルムと粘着層の間の良好な接着力を有する
ものを提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すく、鋭意検討した結果、以下に示す半導体ウエ
ハ加工用粘着シートにより、上記目的を達成できること
を見出し、本発明を完成するに至った。

【０００７】すなわち、本発明は、基材フィルム上に放
射線硬化型粘着層が積層されている半導体ウエハ加工用
粘着シートにおいて、前記基材フィルムの放射線硬化型
粘着層と接着する面の平均粗さＲａ（μｍ）が、０．０
１＜Ｒａであることを特徴とする半導体ウエハ加工用保
護シート、に関する。

【０００８】前記半導体ウエハ加工用保護シートは、平
均粗さＲａ（μｍ）が、０．０１＜Ｒａ≦３であること
が好ましい。

【０００９】前記半導体ウエハ加工用保護シートは、粘
着層と接着する面が粗面化された基材フィルムを用いた
場合には、放射線照射後の基材フィルムと粘着層の間の
接着力が、粗面化されていない基材フィルムを用いた場
合に比べて飛躍的に向上することを見出し、かかる知見
によりなされたものである。そのため、本発明の保護シ
ートを用いて半導体ウエハに加工を施した後に、当該保
護シートに放射線照射処理をして粘着層を硬化させた場
合にも、基材フィルムと粘着層の接着力は低下せず、保
護シートを剥離する際に粘着層と基材フィルムの間で剥
離が生じるような不良は起こらなくなる。

【００１０】基材フィルムの粗面化の程度は、少なくと
も平均粗さＲａ（μｍ）が、０．０１＜Ｒａである。平
均粗さＲａは、０．１５以上であるのが好ましい。一
方、平均粗さＲａが大きくなりすぎても、基材フィルム
と粘着層の接着力は十分ではないため、平均粗さＲａ
（μｍ）は３以下、特に２以下、さらには１以下である
のが好ましい。平均粗さＲａ（μｍ）の特に好ましい範
囲は、０．１５≦Ｒａ≦２、さらには０．１５≦Ｒａ≦
１である。本発明でいう平均粗さＲａとは、テンコール
製のＰ−１０により基材フィルム表面の粗さを測定して
算出される平均粗さのことである。

【００１１】前記半導体ウエハ加工用保護シートにおい
て、放射線硬化型粘着層が、炭素−炭素二重結合を分子
中に有する放射線硬化性ポリマーをベースポリマーとし
て含有する放射線硬化型粘着剤により形成されたもので
あることが好ましい。

【００１２】放射線硬化性粘着剤のベースポリマーとし
て、分子中に炭素−炭素二重結合を有するものは、別途
低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がな
く、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動する
ことがないため、安定した層構造の粘着層を形成するこ
とができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体ウエハ加工
用保護シートを図１を参照しつつ詳細に説明する。図１
に示すように、本発明の半導体ウエハ加工用保護シート
は、基材フィルム１上に、放射線硬化型粘着層２が設け
られている。基材フィルム１の前記粘着層２と接着する
面が粗面化面ａである。また、必要に応じて粘着層２上
にはセパレータ３を有する。図１では、基材フィルムの
片面に粘着層を有するが、基材フィルムの両面に粘着層
を形成することもできる。半導体ウエハ加工用保護シー
トはシートを巻いてテープ状とすることもできる。

【００１４】基材フィルム１の材料は、特に制限される
ものではないが、Ｘ線、紫外線、電子線等の放射線を少
なくとも一部透過するものを用いるのが好ましい。例え
ば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度
ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチ
レン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合
ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリ
メチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）
アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エ
ステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン
共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタ
ン、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル、
ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ塩化ビ
ニル、ポリ塩化ビニリデン、フッ素樹脂、セルロース系
樹脂、及びこれらの架橋体などのポリマーがあげられ
る。また、前記ポリマーは単体で用いてもよく、必要に
応じて数種をブレンドしてもよく、また多層構造として
用いてもよい。

【００１５】基材フィルム１の厚みは、通常１０〜３０
０μｍ、好ましくは３０〜２００μｍ程度である。基材
フィルム１は、従来より公知の製膜方法により製膜でき
る。例えば、湿式キャスティング法、インフレーション
押出し法、Ｔダイ押出し法などが利用できる。基材フィ
ルム１は、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸ま
たは二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。

【００１６】また、基材フィルム１の前記表面ａは、前
述の通り、平均粗さＲａ（μｍ）が、０．０１＜Ｒａと
なるように粗面化されている。基材フィルムの粗面化方
法は特に制限されず、たとえば、エンボス加工法、サン
ドプラスト法、エッチング法、放電加工法、梨地処理法
またはマット処理法などの各種方法により行うことがで
きる。また、基材フィルムの粗面化は、基材フィルムの
製膜時、製膜後のいずれのときに施されていてもよい。

【００１７】放射線硬化型粘着層２の形成には放射線硬
化型粘着剤が使用される。放射線硬化型粘着剤として
は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有
し、かつ粘着性を示すものである。たとえば、放射線硬
化型粘着剤としては、一般的な粘着剤に、放射線硬化性
のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放
射線硬化性粘着剤を例示できる。

【００１８】一般的な粘着剤としては、一般的に使用さ
れている感圧性粘着剤を使用でき、たとえば、アクリル
系粘着剤、ゴム系粘着剤等の適宜な粘着剤を用いること
ができる。なかでも、半導体ウエハヘの粘着性などの点
から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアク
リル系粘着剤が好ましい。

【００１９】前記アクリル系ポリマーとしては、例え
ば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メ
チルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イ
ソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエス
テル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペン
チルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステ
ル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチル
ヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエス
テル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシ
ルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、
テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタ
デシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基
の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分
岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル
酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエ
ステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種
以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなど
があげられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとは
アクリル酸エステルおよび／またはメタクリル酸エステ
ルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味であ
る。

【００２０】前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱
性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）
アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステ
ルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含
んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例え
ば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メ
タ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリ
レート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン
酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン
酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）
アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸
２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒド
ロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキ
シル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、
（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）
アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキ
シメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート
などのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン
酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−
２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミ
ドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリ
レート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホ
ン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシ
エチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モ
ノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげ
られる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は
２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使
用量は、全モノマー成分の５０重量％以下が好ましい。

【００２１】さらに、前記アクリル系ポリマーは、架橋
させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共
重合用モノマー成分として含むことができる。このよう
な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオール
ジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコール
ジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコー
ルジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ
（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メ
タ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メ
タ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）
アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）
アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエ
ステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリ
レートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも
１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマ
ーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の
３０重量％以下が好ましい。

【００２２】前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー
又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより
得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸
濁重合等の何れの方式で行うこともできる。アクリル系
ポリマーは半導体ウエハ等の汚染防止等の点から、低分
子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、
アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０
万以上、さらに好ましくは４０万〜３００万程度であ
る。

【００２３】アクリル系ポリマー等のベースポリマーに
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、たとえ
ば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレー
ト、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレー
ト、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、
ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペ
ンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリ
レート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリ
レート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレー
トなどがあげられる。また放射線硬化性のオリゴマー成
分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポ
リカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴ
マーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度
の範囲のものが適当である。

【００２４】放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー
成分の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー
等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜
５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度であ
る。

【００２５】また、放射線硬化型粘着剤としては、上記
説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベース
ポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖ま
たは主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在
型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線
硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を
含有する必要がなく、または多くは含まないため、経時
的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することな
く、安定した層構造の粘着層を形成することができるた
め好ましい。

【００２６】前記炭素−炭素二重結合を有するベースポ
リマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有
するものを特に制限なく使用できる。このようなベース
ポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とす
るものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格とし
ては、前記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。

【００２７】前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二
重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用で
きるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入する
のが分子設計が容易である。たとえば、予め、アクリル
系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、
この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結
合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化
性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげ
られる。

【００２８】これら官能基の組合せの例としては、カル
ボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、
ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられる。
これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さか
ら、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好
適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上
記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生
成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリ
マーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記
の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒド
ロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有
する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合
を有するイソシアネート化合物としては、たとえば、メ
タクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキ
シエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α
−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。
また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロ
キシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエー
テル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレ
ングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物な
どを共重合したものが用いられる。

【００２９】ベースポリマー中の炭素−炭素二重結合の
量は、粘着剤の保存性を考慮すると、ＪＩＳ Ｋ−００
７０によるヨウ素価で３０以下、さらにはヨウ素価０．
５〜２０とするのが好ましい。

【００３０】前記内在型の放射線硬化性粘着剤は、前記
炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアク
リル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特
性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成
分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬
化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００
重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは
０〜１０重量部の範囲である。

【００３１】前記放射線硬化型粘着剤には、粘着層を紫
外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有さ
せる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒド
ロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロ
ピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルア
セトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフ
ェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
などのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノ
ン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノ
ン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−
１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリ
ノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；べンゾ
インエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテ
ル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテ
ル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール
系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳
香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，
１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）
オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノ
ン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メ
トキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；
チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチ
ルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、
イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキ
サンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−
ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系
化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシル
ホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどがあげら
れる。

【００３２】光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成す
るアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部
に対して、反応性を考慮すると０．１重量部以上、さら
には０．５重量部以上とするのが好ましい。また、多く
なると粘着剤の保存性が低下する傾向があるため、１５
重量部以下、さらには５重量部以下とするのが好まし
い。

【００３３】また、前記放射線硬化型粘着剤には、ベー
スポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量
を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもでき
る。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシア
ネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メ
ラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させ
る方法があげられる。外部架橋剤を使用する場合、その
使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスによ
り、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決
定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量
部に対して、０．１〜５重量部程度配合するのが好まし
い。さらに、形成する放射線硬化型粘着剤には、必要に
より、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与
剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。

【００３４】本発明の半導体ウエハ加工用保護シートの
作製は、たとえば、基材フィルム１の表面ａに、放射線
硬化型粘着剤を塗布して粘着層２を形成する方法により
行なうことができる。また、別途、粘着層２をセパレー
タ３に形成した後、これを基材フィルム１に貼り合せる
方法等を採用することができる。

【００３５】粘着層２の厚さは適宜選定してよいが、一
般には１〜３００μｍ程度以下、好ましくは３〜２００
μｍ、さらに好ましくは５〜１００μｍである。

【００３６】粘着層２の粘着力は、半導体ウエハの加工
時に、半導体ウエハを保持または固定するため、当該粘
着層２を放射線照射する前のウエハに対する粘着力は
（２３℃、１８０゜ピール値、剥離速度３００ｍｍ／ｍ
ｉｎ）、０．７〜１０Ｎ／２０ｍｍ、さらには１〜７Ｎ
／２０ｍｍであるのが好ましい。また、半導体ウエハを
加工後には、容易に剥離できることから放射線照射後に
硬化した当該粘着層２のウエハに対する粘着力は（２３
℃、１８０゜ピール値、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉ
ｎ）、０．０１〜０．７Ｎ／２０ｍｍ、さらには０．０
１〜０．５Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。

【００３７】セパレータ３は、必要に応じて設けられ
る。セパレータ３の構成材料としては、紙、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の
合成樹脂フィルム等があげられる。セパレータ３の表面
には、接着層２からの剥離性を高めるため、必要に応じ
てシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の
離型処理が施されていても良い。セパレータ３の厚み
は、通常１０〜２００μｍ、好ましくは２５〜１００μ
ｍ程度である。

【００３８】

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をより詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例により限定される
ものではない。

【００３９】実施例１ （基材フィルム）基材フィルムとして、厚み５０μｍ、
Ｒａ＝０．２μｍに粗面化処理されたポリエチレンテレ
フタレートフィルムを使用した。

【００４０】（第一粘着層の作成）アクリル酸エチル
０．５９モル、アクリル酸ブチル０．５９モルおよびア
クリル酸２−ヒドロキシエチル０．２６モルからなる混
合モノマーをトルエン溶液中で共重合させて、数平均分
子量３０００００のアクリル系共重合ポリマーを得た。
この共重合ポリマーに対し、０．２１モルの２−メタク
リロイルオキシエチルイソシアネートを付加反応させ、
ポリマー分子内側鎖に炭素−炭素二重結合を導入した。
このポリマー１００重量部（固形分）に対して、さらに
ポリイソシアネート系架橋剤（商品名「コロネート
Ｌ」、日本ポリウレタン製）１重量部、アセトフェノン
系光重合開始剤３部を混合して放射線硬化型粘着剤を調
製した。

【００４１】（半導体ウエハ加工用保護シートの作成）
前記粘着剤を離型処理されたフィルム（セパレータ）上
に塗布することで厚さ５μｍの粘着層を形成した。次い
で、前記基材フィルムの粗面化処理面に当該粘着層を貼
り合せ、目的の半導体ウエハ加工用保護シートを得た。

【００４２】比較例１ 実施例１において、基材フィルムとして、厚み５０μｍ
の粗面化処理されていないポリエチレンテレフタレート
フィルム（Ｒａ＝０．０１μｍ）を使用したこと以外は
実施１と同様にして半導体ウエハ加工用保護シートを得
た。

【００４３】実施例２ 実施例１において、基材フィルムとして、厚み５０μ
ｍ、Ｒａ＝２μｍに粗面化処理されたポリエチレンテレ
フタレートフィルムを使用したこと以外は実施１と同様
にして半導体ウエハ加工用保護シートを得た。

【００４４】（評価試験）実施例及び比較例で得られた
半導体ウエハ加工用保護シートの粘着層側からセパレー
タをしたまま紫外線照射し、次いでセパレーターを剥離
した後、保護シートの粘着面を別の強粘着テープ（ＢＴ
−３１５，日東電工製）に貼合せた。その後、Ｔ字剥離
（２３℃，剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）によって両者
を引き剥がした。保護シートの粘着層と基材フィルムと
の接着力（Ｎ／２０ｍｍ）は万能引張試験機により測定
した。結果を表１に示す。粘着層と基材フィルムの間で
層間剥離しなかったもの（強粘着テープと粘着層の間で
剥離したもの）を○、層間剥離したものについては、接
着力の測定値を示す。

【００４５】

【表１】 表１から、粗面化されている基材フィルムを用いた実施
例は、粗面化されている基材フィルムを用いた比較例よ
りも接着力が向上していることが認められる。特に、所
定範囲内の表面粗さＲａに調整した実施例１が優れた接
着力を有していることが認められる。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体ウエハ加工用保護シートの断面図であ
る。

【符号の説明】

１：基材フィルム ２：粘着層 ３：セパレータ ａ：粗面化面ａ

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６２２ Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｍ Ｆターム(参考） 4J004 AA05 AA10 AB01 AB06 CA02 CA04 CA05 CA06 CB03 CC02 CD08 EA06 FA04 FA05 4J040 DF041 DF051 EB132 EF222 FA152 FA272 FA282 FA292 GA01 GA05 GA07 GA11 GA19 GA20 GA22 GA25 HB18 HB41 HC22 KA13 LA06 MA09 MA10 MA11 NA20 PA32

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材フィルム上に放射線硬化型粘着層が
   積層されている半導体ウエハ加工用粘着シートにおい
   て、前記基材フィルムの放射線硬化型粘着層と接着する
   面の平均粗さＲａ（μｍ）が、０．０１＜Ｒａであるこ
   とを特徴とする半導体ウエハ加工用保護シート。
2. 【請求項２】 前記平均粗さＲａ（μｍ）が、０．０１
   ＜Ｒａ≦３であることを特徴とする請求項１記載の半導
   体ウエハ加工用保護シート。
3. 【請求項３】 放射線硬化型粘着層が、炭素−炭素二重
   結合を分子中に有する放射線硬化性ポリマーをベースポ
   リマーとして含有する放射線硬化型粘着剤により形成さ
   れたものであることを特徴とする半導体ウエハ加工用保
   護シート。