JPH09186121A

JPH09186121A - 半導体ウエハの裏面研削方法

Info

Publication number: JPH09186121A
Application number: JP34207495A
Authority: JP
Inventors: Kentaro Hirai; 健太郎平井; Yasuhisa Fujii; 藤井　　靖久; Makoto Kataoka; 片岡　　真; Hideki Fukumoto; 英樹福本
Original assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Current assignee: Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date: 1995-12-28
Filing date: 1995-12-28
Publication date: 1997-07-15

Abstract

(57)【要約】【課題】紫外線硬化型の粘着剤層を有する粘着フィル
ムを半導体ウエハの表面に貼付して該ウエハの裏面を研
削する方法を提供する。【解決手段】（ａ）分子内に重合性炭素−炭素二重結
合および架橋点となり得る官能基を有するポリマーであ
り、該重合性炭素−炭素二重結合の量がポリマー１ｇ当
たり２×１０²⁰〜２×１０²¹個であるアクリル系ポリマ
ー１００重量部、（ｂ）架橋性官能基を１分子中に２個
以上有する熱架橋剤０．１〜１０重量部、（ｃ）分子内
結合開裂型の光重合開始剤０．１〜３重量部を含む粘着
剤層を有する粘着フィルムを半導体ウエハの表面に貼付
して該ウエハの裏面を研削し、次いで、３００〜３００
０ｍＪ／ｃｍ²の光量の紫外線を照射した後に該粘着フ
ィルムを剥離することを特徴とする半導体ウエハの裏面
研削方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの裏
面研削方法に関する。詳しくは、シリコンウエハ等の半
導体ウエハの集積回路が組み込まれた側の面（以下、ウ
エハ表面という）に特定の粘着剤層を有する粘着フィル
ムを貼付して、該半導体ウエハの他の面（以下、ウエハ
裏面という）を研削し、研削終了後に特定の光量の紫外
線を照射した後に該粘着フィルムを剥離する半導体ウエ
ハの裏面研削方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、半導体集積回路は、高純度シリコ
ン単結晶等をスライスしてウエハとした後、イオン注
入、エッチング等によりその表面に集積回路を形成し、
更にウエハの裏面をグライディング、ポリッシング、ラ
ッピング等により研削し、ウエハの厚さを１００〜６０
０μｍ程度まで薄くしてから、ダイシングしてチップ化
する方法で製造されている。これらの工程の中で、半導
体ウエハ裏面の研削時に半導体ウエハの破損を防止した
り、研削加工を容易にするため、粘着フィルムをその粘
着剤層を介してウエハ表面に貼付して保護する方法が用
いられている。

【０００３】粘着フィルムをウエハ表面に貼着してウエ
ハ裏面を研削する場合、該粘着フィルムに求められる性
能の一つに、半導体ウエハ表面に対する粘着特性が挙げ
られる。具体的には、ウエハ裏面研削時には剥離しない
程度の高い粘着力を有し、また剥離時には作業性がよく
且つ半導体ウエハを破損しない程度の低い粘着力が必要
とされている。しかし、近年、大容量化、高集積化、半
導体チップの量産化、小型軽量化等が図られるに伴い、
半導体ウエハの口径は、４インチ、６インチ、８イン
チ、あるいはそれ以上と大口径化し、また半導体ウエハ
の厚みはさらに薄く成る傾向があり、半導体ウエハ裏面
研削時の表面保護と、剥離の際の作業性、非破損性のバ
ランスを保つことが難しくなってきている。

【０００４】これらの問題を解決する方法として、例え
ば、特開昭６０−１８９９３８号公報には、半導体ウエ
ハの裏面を研磨するにあたり、このウエハの表面に感圧
性接着フィルムを貼り付け、上記の研磨後この接着フィ
ルムを剥離する半導体ウエハの保護方法において、上記
の感圧性接着フィルムが光透過性の支持体とこの支持体
上に設けられた光照射により硬化し三次元網状化する性
質を有する感圧性接着剤層とからなり、研磨後この接着
フィルムを剥離する前にこの接着フィルムに光照射する
ことを特徴とする半導体ウエハの保護方法が開示されて
いる。しかし、該発明に開示されている光照射により硬
化し三次元網状化する性質を有する感圧性接着剤層（粘
着剤層）を有する接着フィルムを用いて、半導体ウエハ
の裏面を研磨した場合、実際には、フィルムの剥離後
に、粘着剤層に起因する汚染がウエハ表面に残存するこ
とがあった。

【０００５】この様な、粘着剤層から半導体ウエハ表面
への汚染の問題を解決した、光硬化型粘着剤層を有する
ウエハ裏面研削用テープとして、特開平６−１７７０９
４号公報には、一層または二層以上の光透過性のフィル
ムからなり、少なくともその内の一層がショアーＤ型硬
度が４０以下である基材フィルムに、フッ素含有モノマ
ーが３．０〜１５．０重量％であるモノマー混合物１０
０重量部を重合してなるアクリル酸エステル共重合体に
光重合性炭素−炭素二重結合を付加したアクリル系粘着
剤に、（メタ）アクリロイル基を４個以上有する化合物
及び光重合性炭素−炭素二重結合を有する光重合開始剤
からなる光硬化型粘着剤を塗布してなることを特徴とす
るウエハ裏面研削用テープが開示されている。

【０００６】特開平６−１７７０９７号公報には、一層
または二層以上の光透過性のフィルムからなり、少なく
ともその内の一層がショアーＤ型硬度が４０以下である
基材フィルムに、光重合性炭素−炭素二重結合を有する
光重合開始剤を用いた光硬化型粘着剤を塗布してなるこ
とを特徴とするウエハ裏面研削用テープが開示されてい
る。また、特開平６−１７７０９８号公報には、光透過
性の一層または二層以上のフィルムからなり、少なくと
もその内の一層がショアーＤ型硬度が４０以下であるエ
チレンー酢酸ビニル共重合体および／またはブタジエン
ゴムである基材フィルムに光硬化型粘着剤を塗布してな
ることを特徴とするウエハ裏面研削用テープが開示され
ている。

【０００７】また、特開平７−１９３０３１号公報に
は、放射線透過性基材フィルムの片面に放射線硬化型粘
着剤層が設けられた半導体ウエハ裏面研削用フィルムの
製造方法であって、該基材フィルムの片面に液温が１０
℃以下に制御された粘着剤を塗布し、次いで乾燥するこ
とを特徴とする放射線硬化型粘着剤層を有する半導体ウ
エハ裏面研削用フィルムの製造方法が開示されている。
さらにまた、特開平７−１９３０３２号公報には、光透
過性の基材フィルムの片面に紫外線硬化型粘着剤を塗
布、乾燥する半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方
法であって、該紫外線硬化型粘着剤が、分子中に光重合
性炭素−炭素二重結合が導入されたアクリル酸エステル
系共重合体１００重量部、分子内に光重合性炭素−炭素
二重結合を２個以上有する低分子量化合物０．１〜２０
重量部および光開始剤５〜１５重量部を含むことを特徴
とする半導体ウエハ裏面研削用フィルムの製造方法が開
示されている。

【０００８】しかし、これら上記の発明に開示されてい
る光または放射線硬化型の粘着剤層を持つ粘着フィルム
を用いて、半導体ウエハの裏面を研削した場合において
も、該ウエハの種類によっては、回路のアルミ電極上、
回路の凹部、スクライブライン、および、凸部の周辺に
粘着剤が残存することがあり、製品不良、収率の低下等
の原因になることがあった。この様な粘着剤層に起因す
る汚染は、溶剤等による洗浄で除去できる場合もある
が、ほとんどの場合、完全に除去できないのが現状であ
る。

【０００９】近年、半導体ウエハの大口径化、薄層化に
伴い、ウエハ裏面の研削時や粘着フィルムの剥離時にウ
エハを破損しない半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム
として、光、電子線等の放射線の照射により粘着剤層が
硬化し、粘着力が劇的に低下する粘着フィルムが用いら
れる様になってきている。とりわけ放射線として紫外線
を用いた紫外線硬化型の粘着フィルムが用いられてきて
いるが、ＩＣの高性能化に伴い、半導体ウエハ表面に形
成された回路に対する低汚染性の要求がきびしくなって
きており、また、表面状態も多様化し、ハイバンプ品と
称する表面凹凸が３０〜５０μｍ程度もあるウエハもで
てきており、汚染のより少ない紫外線硬化型の半導体ウ
エハ裏面研削用粘着フィルムを用いた半導体ウエハの裏
面研削方法が望まれている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】以上の点に鑑み、本発
明の目的は、半導体ウエハの裏面研削時には強い粘着力
でウエハを保護し、剥離の際には紫外線照射により粘着
剤層が硬化して粘着力が低下する紫外線硬化型の粘着剤
層を有し、尚かつ剥離後、粘着剤層からの半導体ウエハ
表面に付着する汚染物が皆無である、半導体ウエハの大
口径化、薄層化、ＩＣの高性能化および回路表面の多様
化に対応できる半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを
用いた半導体ウエハの裏面研削方法を提供することであ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するに
あたり本発明者らが鋭意検討を行った結果、これまで開
示されてきた放射線（光、紫外線を含む）硬化型の半導
体ウエハ裏面研削用粘着フィルムが、半導体ウエハ表面
の回路等を汚染するのは、粘着剤層がラジカル重合によ
り重合する粘着剤層であるため、集積回路が形成された
複雑な凹凸があるウエハ表面と粘着剤層の間に酸素が入
り込んだ場合には、酸素の重合禁止効果により硬化反応
が十分に進まず、半導体ウエハ裏面研削後の剥離時に、
凝集力の低い粘着剤層の未硬化部がウエハ表面を汚染し
たり、もしくは、半導体ウエハ裏面研削中に、研削時の
応力や衝撃等により硬化前の凝集力の低い粘着剤層が凝
集破壊され、その破壊された粘着剤層の一部がウエハ表
面に残り汚染が生じると推定した。

【００１２】そこで本発明者らは、半導体ウエハの裏面
研削方法において、該方法に使用する紫外線硬化型の半
導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムの粘着剤層の、紫外
線硬化前における凝集力に着目して鋭意検討したとこ
ろ、半導体ウエハの裏面を研削する際に、これまで開示
されてきた粘着剤層組成の中でも、特に限られた構成の
粘着剤層を有する該粘着フィルムを使用して、該ウエハ
の裏面を研削し、剥離時に特定光量の紫外線を照射して
から該粘着フィルムを剥離することにより、大口径化、
薄層化していく半導体ウエハを破損することがなく、さ
らに、ウエハ表面を汚染せず、高性能ＩＣの形成された
ウエハや、表面凹凸の大きいウエハ等に対しても対応で
きることを見出し、本発明を完成させた。

【００１３】即ち、本発明は、半導体ウエハの表面に粘
着フィルムを貼着して該ウエハの裏面を研削し、研削終
了後に該粘着フィルムを剥離する半導体ウエハの裏面研
削方法であって、該粘着フィルムが、紫外線透過性の基
材フィルムと該基材フィルムの片面に設けられた粘着剤
層からなり、該粘着剤層が、（ａ）分子内に重合性炭素
−炭素二重結合および架橋点となり得る官能基を有する
ポリマーであり、該重合性炭素−炭素二重結合の量がポ
リマー１ｇ当たり２×１０²⁰〜２×１０²¹個であるアク
リル系ポリマー１００重量部、（ｂ）架橋性官能基を１
分子中に２個以上有する熱架橋剤０．１〜１０重量部、
（ｃ）分子内結合開裂型の光重合開始剤０．１〜３重量
部を含み、且つ、該ウエハの裏面研削終了後、基材フィ
ルム側から３００〜３０００ｍＪ／ｃｍ²の光量の紫外
線を照射した後、該粘着フィルムを剥離することを特徴
とする半導体ウエハの裏面研削方法である。

【００１４】本発明の半導体ウエハの裏面研削方法の特
徴は、半導体ウエハの裏面を研削する際には強い粘着力
でウエハ表面に粘着し、剥離する際には基材フィルム側
から紫外線を照射することにより粘着力が低下する、特
定の粘着剤層を有する半導体ウエハ裏面研削用粘着フィ
ルムを半導体ウエハの表面に貼付して半導体ウエハの裏
面を研削する点にある。

【００１５】そのため、研削応力、剥離応力等による半
導体ウエハの破損を防止することができ、さらに、粘着
フィルムを剥離した後は、ウエハ表面に粘着剤層に起因
する汚染物が殆ど付着することがなく、ウエハ表面の汚
染防止にも優れた効果を発揮する。従って、本発明によ
れば、半導体ウエハの大口径化、薄層化、ＩＣの高性能
化および回路表面の多様化に対応できる半導体ウエハの
裏面研削方法が提供される。

【００１６】

【発明の実施の形態】先ず、本発明の粘着フィルムの製
造方法について説明する。本発明の粘着フィルムは、通
常、基材フィルムに粘着剤層を構成する成分を含有した
粘着剤溶液またはエマルジョン液（以下、粘着剤とい
う）を塗布、乾燥して粘着剤層を形成することにより製
造される。この場合、環境に起因する汚染等から粘着剤
層を保護するために粘着剤層の表面に剥離フィルムを貼
着することが好ましい。また、剥離フィルムの片表面に
粘着剤を塗布、乾燥して粘着剤層を形成した後、粘着剤
層の表面に基材フィルムを貼付して粘着剤層を基材フィ
ルム側に転着する方法によっても製造される。この場合
は、粘着剤層を乾燥する際等において粘着剤層表面が汚
染されない利点がある。

【００１７】基材フィルムまたは剥離フィルムのいずれ
の片表面に粘着剤を塗布するかは、基材フィルム及び剥
離フィルムの耐熱性、表面張力、半導体ウエハ表面への
汚染性等を考慮して決める。例えば、剥離フィルムの耐
熱性が基材フィルムのそれより優れている場合は、剥離
フィルムの表面に粘着剤層を設けた後、基材フィルムへ
転写する。耐熱性が同等または基材フィルムの方が優れ
ている場合は、基材フィルムの表面に粘着剤層を設け、
その表面に剥離フィルムを貼付する。しかし、粘着フィ
ルムは、剥離フィルムを剥離したときに露出する粘着剤
層の表面を介して半導体ウエハ表面に貼付されることを
考慮し、粘着剤層による半導体ウエハ表面の汚染防止を
図るためには、耐熱性の良好な剥離フィルムを使用し、
その表面に粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形
成する方法が好ましい。

【００１８】基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面
に粘着剤を塗布する方法としては、従来公知の塗布方
法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコータ
ー法、グラビアロールコーター法、バーコーター法、コ
ンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。

【００１９】本発明の粘着フィルムに用いる基材フィル
ムとして、合成樹脂、天然ゴム、合成ゴム等から製造さ
れたフィルムが挙げられる。具体的に例示するならば、
エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メタクリル
酸共重合体、ポリブタジエン、軟質塩化ビニル樹脂、ポ
リオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、アイオノマ
ー等の樹脂、およびそれらの共重合体エラストマー、お
よびジエン系、ニトリル系、シリコーン系、アクリル系
等の合成ゴム等のフィルムが挙げられる。基材フィルム
は単層体であっても、また、積層体であってもよい。

【００２０】基材フィルムの厚みは、半導体ウエハ裏面
を研削する際のウエハの破損防止、ウエハ表面への貼付
作業性および剥離作業性等に影響する。かかる観点か
ら、基材フィルムの厚みは、通常、１０〜２０００μｍ
である。好ましくは１００〜３００μｍである。基材フ
ィルムの厚み精度は、粘着フィルムの厚み精度に影響を
与え、ひいては裏面研削後の半導体ウエハの厚み精度に
影響を与える。従って、基材フィルムは上記範囲の厚み
において±５μｍ以内の精度で作成されたものが好まし
い。さらに好ましくは±３μｍ以内である。

【００２１】裏面を研削する際の半導体ウエハの破損防
止を考慮すると、基材フィルムの硬度は、ＡＳＴＭ−Ｄ
−２２４０に規定されるショアーＤ型硬度が４０以下で
ある樹脂をフィルム状に成形加工した弾性フィルム、例
えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、ポリブ
タジエンフィルム等が好ましく用いられる。この場合、
基材フィルムの粘着剤層が設けられる面の反対側の面
に、これより硬いフィルム、具体的には、ショアーＤ型
硬度が４０を超える樹脂をフィルム状に成形加工したフ
ィルムを積層することが好ましい。そのことにより、粘
着フィルムの剛性が増し、貼付作業性及び剥離作業性が
改善される。

【００２２】また、半導体ウエハの裏面を研削した後に
施される酸によるエッチング処理の際にも引続き、半導
体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを貼付して半導体ウエ
ハの表面を保護する場合には、耐酸性に優れた基材フィ
ルムを使用することが好ましい。耐酸性フィルムを基材
フィルムの粘着剤層と反対側に積層してもよい。耐酸性
のフィルムしては、例えばポリプロピレンフィルム等が
挙げられる。さらに、本発明の基材フィルムは３００〜
４００ｎｍの光を、通常、５％以上透過させるものが好
ましい。基材フィルムと粘着剤層との接着力を向上させ
るため、基材フィルムの粘着剤層を設ける面にはコロナ
放電処理または化学処理等を施すことが好ましい。ま
た、基材フィルムと粘着剤層の間に下塗り剤を用いても
よい。

【００２３】本発明に用いる粘着フィルムの粘着剤表面
に配設する剥離フィルムとして、ポリプロピレン、ポリ
エチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムが挙げら
れる。必要に応じてその表面にシリコーン処理等が施さ
れたものが好ましい。剥離フィルムの厚みは、通常１０
〜２０００μｍである。好ましくは３０〜１００μｍで
ある。

【００２４】本発明に用いる粘着フィルムに設ける粘着
剤層には、その基本成分である重合性炭素−炭素二重結
合および架橋点となり得る官能基を有するポリマー、凝
集力を上げるための熱架橋剤、及び、分子内結合開裂型
の光重合開始剤を含有する粘着剤を塗工、乾燥させたも
のが用いられる。さらに、必要に応じて分子内に重合性
炭素−炭素二重結合を２個以上有するモノマーおよび／
またはオリゴマーを含有してもよい。重合性炭素−炭素
二重結合および架橋点となり得る官能基を有するポリマ
ーと該熱架橋剤の反応を十分に促進させるために、粘着
剤層を形成後、粘着フィルムを４０〜８０℃において５
〜３００時間程度加熱しても良い。

【００２５】重合性炭素−炭素二重結合および架橋点と
なり得る官能基を有するポリマーとしては、紫外線によ
り重合し得る炭素−炭素二重結合をポリマー１グラムあ
たり２×１０²⁰〜２×１０²¹個の範囲内に有し、さらに
架橋剤により架橋反応しうる架橋点となり得る官能基を
有するものであれば、その製法の如何に係わらず用いる
ことができる。

【００２６】この重合性炭素−炭素二重結合および架橋
点となり得る官能基を有するポリマーを構成する単量体
単位としては、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）ア
クリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）
アクリル酸２−エチルヘキシル等の（メタ）アクリル酸
エステルが１種類以上組み合わされ、必要に応じてスチ
レン、アクリロニトリル、酢酸ビニル等重合性炭素−炭
素２重結合を有するモノマーも組み合わされる。

【００２７】さらに、上記アクリル系ポリマーは、紫外
線重合性炭素−炭素二重結合を分子内に特定量以上有し
ていることを特徴としているが、ポリマー中に紫外線重
合性炭素−炭素二重結合を導入する方法としては、既知
の様々な方法が挙げられる。例えば、（メタ）アクリル
酸等のカルボキシル基を有するモノマーを共重合させ、
重合後ポリマー中のカルボキシル基と付加反応しうるエ
ポキシ基を有する（メタ）アクリル酸グリシジル等のモ
ノマーを反応させる方法、または、その逆に、（メタ）
アクリル酸グリシジル等を共重合させ、重合後ポリマー
中のエポキシ基と（メタ）アクリル酸等のカルボキシル
基を付加反応させる方法等、付加反応性の官能基を有す
るモノマーを共重合させたポリマーにポリマー中の官能
基と付加反応しうる官能基を有するモノマーを重合性炭
素−炭素二重結合を残したまま付加反応させる方法、等
が挙げられる。

【００２８】これらの官能基の組み合わせは、カルボキ
シル基とエポキシ基、カルボキシル基とアジリジル基、
水酸基とイソシアネート基等容易に付加反応が起こる組
み合わせが望ましい。また付加反応に限らずカルボキシ
ル基と水酸基との縮合反応等、重合性炭素−炭素二重結
合が容易に導入できる反応であれば如何なる反応を用い
てもよい。

【００２９】この様に、予め、官能基を有するポリマー
を重合して得られたポリマーと、官能基を有するモノマ
ーとの高分子反応によりアクリル系ポリマーを合成する
場合、官能基を有するモノマーとしては、沸点が２５０
℃以下のものが好ましい。沸点が２５０℃以下の場合、
未反応のモノマーが、粘着剤塗工時の乾燥中（通常、１
００〜１５０℃の熱風中で、２０秒〜５分間程度乾燥す
る）に蒸発し、ウエハ表面を汚染しない。この様なモノ
マーとしては、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル
酸グリシジル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシルエ
チル、イソシアネートエチル（メタ）アクリレート等が
挙げられる。

【００３０】また、上記の様に、高分子反応により、ア
クリル系ポリマーを合成する方法の他に、分子内に重合
性炭素−炭素二重結合を２個以上有する多官能モノマー
を前述のモノマーと共重合させ、重合反応を制御するこ
とにより、多官能モノマーの重合性炭素ー炭素二重結合
の一部を残したまま、該多官能モノマーをポリマー中に
共重合させる方法も挙げられる。この様な多官能モノマ
ーとしては、（メタ）アクリル酸ビニル、（メタ）アク
リル酸アリル、ジビニルベンゼン等が挙げられる。

【００３１】該ポリマーへの重合性炭素−炭素二重結合
の導入量は、該アクリル系ポリマー１グラムあたり、通
常、２×１０²⁰〜２×１０²¹個の範囲内であることが好
ましい。より好ましくは２．５×１０²⁰〜２×１０²¹個
の範囲内である。該二重結合の導入量が多い程、紫外線
照射後の粘着力が低下する傾向にあり、好ましい傾向に
あるが、上記範囲を超える量を導入することは、ポリマ
ー合成技術上、困難となってくる。また導入量が少ない
と、紫外線照射後の粘着力の低下が不十分となる。

【００３２】該アクリル系ポリマーは、炭素−炭素二重
結合の他に、熱架橋剤と反応して架橋点となりうる官能
基を有する。この架橋点となりうる官能基としては、カ
ルボキシル基、水酸基、アミノ基、モノアルキルアミノ
基等が挙げられる。該官能基をポリマー中に導入するに
は、該官能基を有するモノマーを単量体単位としてポリ
マー中に共重合すればよい。架橋点となり得る官能基を
有するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸、イタコ
ン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン
酸、イタコン酸モノアルキルエステル、メサコン酸モノ
アルキルエステル、シトラコン酸モノアルキルエステ
ル、フマル酸モノアルキルエステル、マレイン酸モノア
ルキルエステル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエ
チル、アクリルアミド、メタクリルアミド、ターシャル
−ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート、等が挙げ
られる。

【００３３】また、前述の重合性炭素−炭素二重結合を
高分子反応により導入する際に生じる官能基を用いても
よい。例えば、エポキシ基とカルボキシル基の付加反応
の際に生じる水酸基等が挙げられる。架橋点となりうる
官能基の導入量は、通常、該アクリル系ポリマー１グラ
ムあたり２×１０¹⁹〜２×１０²¹個程度である。導入量
が少なくなると、半導体ウエハ表面を汚染する傾向があ
り、多くなると該アクリル系ポリマーの合成が難しくな
る。

【００３４】アクリル系ポリマーの分子量は、重量平均
分子量で１０万以上のものが好ましい。分子量の上限
は、例えば、乳化重合により得られた一部ポリマーに見
られる様に、有機溶剤に溶解しなくなり、分子量の測定
が不可能となる高分子量域まで特に制限はない。また、
アクリル系ポリマーそれ自体が少なくとも２０℃以上で
粘着性を示すことが好ましく、従って、該ポリマーはガ
ラス転移点（Ｔｇ）が、通常、１０℃以下であることが
好ましい。より好ましくは、５℃以下である。

【００３５】本発明に用いる粘着フィルムの粘着剤層に
は、上記アクリル系ポリマーの他に架橋性官能基を１分
子中に２個以上有する熱架橋剤を必須成分として用い
る。該熱架橋剤は、紫外線照射前の粘着剤層の凝集力、
粘着力特性等を調整するために用いられる。

【００３６】熱架橋剤としては、テトラメチレンジイソ
シアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメ
チロールプロパンのトルエンジイソシアネート３付加
物、ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物、
ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロー
ルポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリ
グリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエ
ーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ネオペ
ンチルグリコールジグリシジルエーテル、レソルシンジ
グリシジルエーテル等のエポキシ系化合物、トリメチロ
ールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネー
ト、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニル
プロピオネート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，
４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，
Ｎ’−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジン
カルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビ
ス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロー
ルプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロ
ピオネート等のアジリジン系化合物、及びヘキサメトキ
シメチロールメラミン等のメラミン系化合物等が挙げら
れる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を併
用してもよい。

【００３７】熱架橋剤の添加量は、粘着剤層の紫外線照
射前の凝集力および粘着力特性を考慮すると、アクリル
系ポリマー等の分子内に重合性炭素−炭素二重結合およ
び架橋点となり得る官能基を有する粘着剤ポリマー１０
０重量部に対して０．１〜１０重量部が好ましい。

【００３８】また、本発明に用いる粘着フィルムの粘着
剤層には必要に応じて、分子内に重合性炭素−炭素二重
結合を２個以上有するモノマーおよびオリゴマーから選
ばれた少なくとも１種を含有してもよい。本発明に用い
る粘着フィルムの粘着剤層は、アクリル系ポリマー中に
既に十分な量の重合性炭素−炭素二重結合を有している
ため、ほんの僅かな量の分子内に重合性炭素−炭素二重
結合を２個以上有するモノマーおよび／またはオリゴマ
ーを添加するだけで硬化反応速度が著しく増大し、また
硬化後の粘着力は著しく低下する。しかし、該モノマー
および／またはオリゴマーは粘着剤層の凝集力を低下さ
せ、ひいては、ウエハ表面への汚染の原因となるため、
限られた範囲内、即ちアクリル系ポリマー等の分子内に
重合性炭素−炭素二重結合および架橋点となり得る官能
基を有する粘着剤ポリマー１００重量部に対して最大量
で０．５重量部の範囲内で添加することが好ましい。

【００３９】分子内に重合性炭素−炭素二重結合を２個
以上有するオリゴマーおよび／またはモノマーとして
は、通常、分子量が５０００以下のものが挙げられ、具
体的に例示すると、ウレタン（メタ）アクリレート系オ
リゴマー、エポキシ（メタ）アクリレート系オリゴマ
ー、ポリエステル（メタ）アクリレート系オリゴマー、
ビス（アクリロキシエチル）ヒドロキシエチルイソシア
ヌレート、ビス（メタクリロキシエチル）ヒドロキシエ
チルイソシアヌレート、トリス（アクリロキシエチル）
イソシアヌレート、トリス（メタクリロキシエチル）イ
ソシアヌレート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレ
ート、ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、ジエ
チレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘ
キサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチル
グリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプ
ロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトー
ルトリ（メタ）アクレート、ペンタエリスリトールテト
ラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノ
ヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサ（メタ）アクリレート、トリス（メタ
クリロキシエチル）イソシアヌレートの各種変性体、ト
リス（アクリロキシエチル）イソシアヌレートの各種変
性体、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレートの各種
変性体、ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレートの各
種変性体、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリ
レートの各種変性体、ジペンタエリスリトールヘキサ
（メタ）アクリレートの各種変性体、等が挙げられる。
これらは、単独で使用してもよいし、二種以上を併用し
てもよい。ここで、（メタ）アクリル酸、（メタ）アク
リレートなる記載は、アクリル酸及びメタクリル酸、並
びに、アクリレート及びメタクリレートを意味する。

【００４０】本発明に用いる粘着フィルムの粘着剤層
は、分子内結合開裂型の光重合開始剤を必須成分として
含有する。詳細な理由は明らかではないが、本発明に用
いる粘着フィルムの粘着剤層は、重合性炭素−炭素二重
結合を２個以上有するオリゴマーおよび／またはモノマ
ー（添加量が０の場合もある）のみならず、特定量の重
合性炭素−炭素二重結合及び架橋点となり得る官能基を
分子内に有するポリマー自体が、紫外線照射により架橋
反応を行い硬化すると推定される。

【００４１】紫外線硬化により、剥離粘着力を低下させ
るためには、架橋反応速度が速い程有効であるという本
発明者らのこれまでの鋭意検討結果を考慮した上で推定
すると、分子内結合開裂型の光重合開始剤は、分子間水
素引抜き型の光重合開始剤等他のタイプの光重合開始剤
に比べ、反応速度を速くする効果がある。そのため、
（該オリゴマーや該モノマーの重合性炭素−炭素二重結
合よりも）架橋反応が遅いと考えられるポリマーに導入
された重合性炭素−炭素二重結合の架橋反応を促進さ
せ、ひいては、本発明の半導体ウエハの裏面研削方法に
必須条件である、紫外線硬化後の剥離粘着力の十分な低
下を生じさせていると推定される。

【００４２】分子内結合開裂型の光重合開始剤として
は、ベンゾイン（日本曹達（株）製、ニッソキュアーＢ
Ｏ、等）、ベンゾインメチルエーテル（日本曹達（株）
製、ニッソキュアーＭＢＯ、等）、ベンゾインエチルエ
ーテル（日本曹達（株）製、ニッソキュアーＥＢＯ、
等）、ベンゾインイソプロピルエーテル（日本曹達
（株）製、ニッソキュアーＩＢＰＯ、等）、ベンゾイン
イソブチルエーテル、ベンジルジメチルケタール（日本
チバガイギー（株）、イルガキュア−６５１、等）、１
−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（日本チバ
ガイギー（株）、イルガキュア−１８４、等）、２−メ
チル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モノ
ホリノプロパン−１（日本チバガイギー（株）、イルガ
キュア−９０７、等）、ジエトキシアセトフェノン、４
−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル（２−ヒドロ
キシ−２−プロピル）ケトン（メルクジャパン（株）、
ダロキュア−２９５９、等）、等が挙げられる。これら
の分子内結合開裂型の光重合開始剤は単独で使用しても
よいし、二種以上を併用してもよい。添加量は半導体ウ
エハ表面への汚染を考慮すると、粘着剤ポリマー１００
重量部に対して０．１〜３重量部が好ましい。

【００４３】本発明に用いる粘着フィルムの粘着剤層に
は、必要に応じて分子間水素引抜き型の光重合開始剤を
併用してもよい。分子間水素引抜き型の光重合開始剤と
しては、ベンゾフェノン（日本化薬（株）製、カヤキュ
アーＢＰ，等）、ヒドロキシベンゾフェノン等のベンゾ
フェノン系、チオキサンソン（日本曹達（株）製、ニッ
ソキュアーＴＸ、等）、２−メチルチオキサンソン（日
本曹達（株）製、ニッソキュアーＭＴＸ、等）、２，４
−ジエチルチオキサンソン（日本化薬（株）製、カヤキ
ュアーＤＥＴＸ、等）のチオキサンソン系、ベンジル、
アンスラキノン、２−エチルアンスラキノン、２−ｔｅ
ｒｔ−ブチルアンスラキノン等が挙げられる。これらの
分子間水素引抜き型の光重合開始剤は単独で使用しても
よいし、二種以上を併用してもよい。添加量は、上記、
分子内結合開裂型の光重合開始剤１００重量部に対し
て、最大量で２０重量部の範囲で添加することが好まし
い。

【００４４】また、本発明に用いる粘着フィルムの粘着
剤層には、上記、分子内結合開裂型および分子間水素引
抜き型の光重合開始剤の他に、必要に応じて反応を促進
するために光開始助剤を加えてもよい。光開始助剤とし
ては、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミ
ン、２−ジメチルアミノエチル安息香酸、４−ジメチル
アミノ安息香酸エチル（日本化薬（株）製、カヤキュア
ーＥＰＡ、等）、等が挙げられる。これらの光開始助剤
は単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよ
い。

【００４５】本発明に用いる粘着フィルムの粘着剤層
に、分子内結合開裂型の光重合開始剤の他に、分子間水
素引抜き型の光重合開始剤および／または光開始助剤を
併用する場合、これらの分子内結合開裂型の光重合開始
剤、分子間水素引抜き型の光重合開始剤、光開始助剤の
添加量の合計は、粘着剤ポリマー１００重量部に対して
０．１〜３重量部が好ましい。

【００４６】その他、該粘着テープの保存性をよくする
ための、フェノチアジン、ハイドロキノン等の重合禁止
剤、等各種添加剤を半導体ウエハを汚染しない程度で必
要に応じて添加してもよい。

【００４７】本発明に用いる粘着フィルムの粘着剤層の
厚みは、半導体ウエハの表面状態、形状、裏面の研削方
法等により適宣決められるが、半導体ウエハの裏面を研
削している時の粘着力、研削が完了した後の剥離性等を
勘案すると、通常２〜１００μｍ程度である。好ましく
は５〜７０μｍである。

【００４８】上記のようにして得られる粘着フィルム
は、半導体ウエハ表面に粘着フィルムを貼着する工程か
ら半導体ウエハ裏面の研削工程を経て粘着フィルムを剥
離する工程の直前に到るまでの間、ウエハ表面にしっか
りと貼着してウエハ表面を保護するに充分な粘着力を有
する粘着フィルムである。ここで、ウエハ表面を保護す
るに充分な粘着力とは、ウエハ裏面の研削中に剥離した
り、ウエハ表面と粘着剤層との間に冷却水の侵入が生じ
ない程度の粘着力のことであり、具体的には、ＪＩＳ
Ｚ０２３７に規定される方法に準拠して、被着体とし
てＳＵＳ３０４−ＢＡ板を用い、剥離速度３００ｍｍ／
ｍｉｎ．、剥離角度１８０度の条件下で測定した粘着力
が、通常、３００〜２０００ｇ／２５ｍｍの範囲内であ
る。より好ましくは４００〜２０００ｇ／２５ｍｍの範
囲内である。

【００４９】また、本発明に用いる粘着フィルムは、剥
離時に基材フィルム側から紫外線を照射することによ
り、粘着力が低下することを特徴としているが、紫外線
照射後の粘着力としては、剥離時の応力によりウエハを
破損しない程度に調整することが好ましく、具体的に
は、ＪＩＳＺ０２３７に規定される方法に準拠し
て、被着体としてＳＵＳ３０４−ＢＡ板を用い、剥離速
度３００ｍｍ／ｍｉｎ．、剥離角度１８０度の条件下で
測定した粘着力が、５０ｇ／２５ｍｍ以下に低下するこ
とが好ましい。

【００５０】次いで、本発明の半導体ウエハの裏面研削
方法について説明する。まず、粘着フィルムの粘着剤層
から剥離フィルムを剥離して粘着剤層表面を露出させ、
その粘着剤層を介して集積回路が形成された側の半導体
ウエハの表面に粘着フィルムを貼着する。ついで、粘着
フィルムの基材フィルム側を介して研削機のチャックテ
ーブル等に半導体ウエハを固定し、半導体ウエハの裏面
を研削する。裏面研削終了後、基材フィルム側から特定
量の紫外線を照射してから、該粘着フィルムを剥離す
る。半導体ウエハの裏面を研削した後、基材フィルム側
から特定量の紫外線を照射してから、該粘着フィルムを
剥離する前に、酸によるエッチング処理を行ってもよ
い。

【００５１】本発明の半導体ウエハの裏面研削方法は、
特定の紫外線硬化型粘着剤層を有する粘着フィルムを使
用するため、該粘着フィルム剥離時の紫外線の照射量を
３００ｍＪ／ｃｍ²以上〔（株）オーク製作所製、ディ
ジタル指示型紫外線照度計ＵＶ−Ｍ０２（受光器：ＵＶ
−３５）、を用いて測定した紫外線照度（ｍＷ／ｃ
ｍ ²）に時間（秒）をかけた値〕にする必要がある。該
紫外線の照射量が少ないと、該粘着フィルム剥離時の粘
着力の低下が不十分となり、剥離時のウエハ破損の原因
となる。照射量の上限は特に制限はないが、照射時に発
生する熱によるウエハ表面への影響、基材フィルムの融
点または軟化点、作業性（時間）、等を考慮すると３０
００ｍＪ／ｃｍ²程度が好ましい。

【００５２】上記の照射量を得るためには、通常、１０
〜２０００ｍＷ／ｃｍ²の照度〔（株）オーク製作所
製、ディジタル指示型紫外線照度計ＵＶ−Ｍ０２（受光
器：ＵＶ−３５）、を用いて測定した値〕の紫外線を、
照射量が上記の範囲内に入るように、通常、０．５〜６
０秒の時間内で照射することが好ましい。紫外線の発生
源としては既知の様々装置を使用できるが、代表的なも
のを具体的に例示すると、低圧水銀ランプ、高圧水銀ラ
ンプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、パル
スキセノンランプ、無電極放電ランプ等が挙げられる。

【００５３】本発明が適用できる半導体ウエハとして、
シリコンウエハのみならず、ゲルマニウム、ガリウム−
ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニウム
等の半導体ウエハが挙げられる。

【００５４】

【実施例】以下、実施例を示して本発明を更に詳細に説
明する。以下に示す実施例及び比較例の中で、半導体ウ
エハ裏面研削用粘着フィルムの製造（粘着剤塗布液の調
製以降）、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを用い
た半導体ウエハの裏面研削及び汚染の評価等は、全て米
国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下
のクリーン度に維持された環境において実施した。本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。尚、実施
例におけるアクリル系ポリマーの分析は、次の（１）〜
（３）の方法で行った。また実施例における半導体ウエ
ハの裏面研削用粘着フィルムの各特性は、次の（４）〜
（７）の方法で行った。

【００５５】（１）アクリル系ポリマー中の重合性炭素
−炭素二重結合の導入量アクリル系ポリマー合成時における重合性炭素−炭素二
重結合導入時の、未反応モノマーのガスクロマトグラフ
ィー（ＨＥＷＬＥＴＴＰＡＣＫＡＲＤ製、５８９０）
による定量結果、および、該未反応モノマーを取り除い
たアクリル系ポリマーの赤外分光分析（島津製作所製、
ＦＴ−ＩＲ４２００使用）による分析結果（８００〜８
２０ｃｍ^-1、１４００〜１４２０ｃｍ^-1のピークより計
算。標準試料：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレ
ート）より該ポリマー１ｇあたりの重合性炭素−炭素二
重結合の量を求める。（炭素−炭素二重結合の量は、該
未反応モノマーのガスクロマトグラフィーでの定量結果
より計算した値と、赤外分光分析による分析結果の中
で、少ない方の値を用いる。）

【００５６】（２）アクリル系ポリマー中の架橋点とな
り得る官能基の量アクリル系ポリマー合成時の組成および、上記、導入反
応時に新たに生じた官能基の量より計算する。

【００５７】（３）アクリル系ポリマーの重量平均分子
量ゲルパーミェーションクロマトグラフィー〔ＧＰＣ（島
津製作所製、ＬＣ−９Ａ）〕により（溶剤：ＴＨＦ）ポ
リスチレン換算の重量平均分子量を求める。

【００５８】（４）紫外線照射条件照射機：（株）オーク製作所製、型式；ＯＨＤ−３２０
Ｍ、ランプの種類：高圧水銀ランプ、照射条件：距離１
０ｃｍ、照度：３４ｍＷ／ｃｍ²〔（株）オーク製作所
製、ディジタル指示型紫外線照度計ＵＶ−Ｍ０２（受光
器：ＵＶ−３５）、を用いて測定する。

【００５９】（５）裏面研削時の半導体シリコンウエハ
の破損数（枚数）集積回路が形成された半導体シリコンウエハ（径：８イ
ンチ、厚み：６００μｍ）の表面に、それぞれの実施例
および比較例で得られた粘着フィルムを貼付し、研削機
〔（株）ディスコ製：バックグラインダーＤＦＧ−８２
ＩＦ／８〕を用いて，水をかけて冷却しながら半導体シ
リコンウエハの裏面を該ウエハの厚みが１８０μｍにな
るまで研削する。研削終了後、基材フィルム側から所定
の条件の紫外線を照射し、照射後、該フィルムを剥離す
る。各実施例および比較例毎に半導体シリコンウエハを
５０枚使用し、研削を５０回行い、裏面研削中に破損し
たウエハの枚数（研削中の粘着フィルムの剥離が原
因）、粘着フィルムと半導体ウエハの間に水の侵入があ
ったウエハの枚数、剥離時に破損したウエハの枚数を計
数する。

【００６０】（６）顕微鏡による半導体ウエハへの汚染
性の観察（％）前項（５）における半導体ウエハ裏面研削中、及び、粘
着フィルムの剥離時に破損しなかったウエハに対して、
ウエハ表面の集積回路を光学顕微鏡（（株）ニコン製：
ＯＰＴＩＰＨＯＴ２）を用いて５０〜１０００倍の範囲
でウエハ表面全体及び回路の微細部分まで観察し、汚染
されているチップの割合を評価する。

【００６１】（７）粘着力（ｇ／２５ｍｍ）特性＜紫外線照射前＞：基本的な操作はＪＩＳＺ０２３
７に記載される方法に準拠し、下記条件下で実施する。
２３℃において、実施例及び比較例で得られた粘着フィ
ルムをその粘着剤層を介して、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板
（縦：２０ｃｍ、横：５ｃｍ）の表面に貼付し、３０分
間放置する。放置後、試料の一端を挟持し、剥離角度：
１８０度、剥離速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ３
０４−ＢＡ板の表面から試料を剥離し、剥離する際の応
力を測定してｇ／２５ｍｍに換算する。＜紫外線照射後＞：２３℃において、実施例及び比較例
で得られた粘着フィルムをその粘着剤層を介して、ＳＵ
Ｓ３０４−ＢＡ板（縦：２０ｃｍ、横：５ｃｍ）の表面
に貼付し、３０分間放置する。放置後、基材フィルム側
から所定の条件の紫外線を照射し、照射後、試料の一端
を挟持し、剥離角度：１８０度、剥離速度：３００ｍｍ
／ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から試料を剥
離し、剥離する際の応力を測定してｇ／２５ｍｍに換算
する。

【００６２】実施例１アクリル酸エチル３０重量部、アクリル酸２−エチルヘ
キシル４０重量部、アクリル酸メチル１０重量部、メタ
クリル酸グリシジル２０重量部のモノマー混合物を、ベ
ンゾイルパーオキサイド系重合開始剤（日本油脂（株）
製、ナイパーＢＭＴ−Ｋ４０）０．８重量部（開始剤と
して０．３２重量部）を用いて、トルエン６５重量部、
酢酸エチル５０重量部中で８０℃で１０時間反応させ
た。反応終了後、冷却し、これにキシレン１００重量
部、アクリル酸１０重量部とテトラデシルジメチルベン
ジルアンモニウムクロライド（日本油脂（株）製、カチ
オンＭ ₂−１００）０．３重量部加え、空気を吹き込み
ながら８５℃で５０時間反応させ、アクリル系ポリマー
の溶液を得た。このアクリル系ポリマー及び溶液を上記
の方法で分析したところ、得られたアクリル系ポリマー
は、分子内に重合性炭素−炭素二重結合を、該ポリマー
１グラムあたり約６．０×１０²⁰個有していることがわ
かった。また、架橋点となりうる官能基の量は、少なく
とも該ポリマー１グラムあたり約６．０×１０²⁰個有し
ていることがわかった。該ポリマーの重量平均分子量は
３０万であった。

【００６３】この溶液にアクリル系ポリマー１００重量
部に対して、分子内結合開裂型光重合開始剤としてベン
ジルジメチルケタール（日本チバガイギー（株）、イル
ガキュアー６５１）を２重量部添加し、さらに、熱架橋
剤としてイソシアナート系架橋剤（三井東圧化学（株）
製、オレスターＰ４９−６０−ＳＸ）を１．７重量部
（熱架橋剤として１重量部）添加し、粘着剤溶液を得
た。この粘着剤溶液をロールコーターによりポリプロピ
レン樹脂製剥離フィルムに直接塗布し、１２０℃で１分
間乾燥させ、厚さ１５μｍの粘着剤層を設け、次いで、
得られた粘着剤層表面に、コロナ放電処理を施した厚さ
１２０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合樹脂製基材フ
ィルム（酢酸ビニル分：１２重量％、ショアーＤ型硬
度：４０）の該処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層
を転写させることにより半導体ウエハ裏面研削用粘着フ
ィルムを作製した。

【００６４】得られた粘着フィルムから剥離フィルムを
剥離して、粘着剤層を介して集積回路が形成された半導
体シリコンウエハ（径：８インチ、厚み：６００μｍ、
表面凹凸：最大約５μｍ）の表面（回路側）に貼付し、
研削機〔（株）ディスコ製：バックグラインダーＤＦＧ
−８２ＩＦ／８〕を用いて，水をかけて冷却しながら半
導体シリコンウエハの裏面を該ウエハの厚みが１８０μ
ｍになるまで研削した。研削終了後、基材フィルム側か
ら前記第（４）項に記載の条件の紫外線を１５秒間照射
し（光量：５１０ｍＪ／ｃｍ²）、照射後、該フィルム
を剥離した。半導体シリコンウエハを５０枚使用し、同
様の研削を５０回行った。裏面研削中に破損したウエ
ハ、粘着フィルムと半導体ウエハの間に水の侵入があっ
たウエハ、剥離時に破損したウエハは皆無であった。ま
た、汚染されたチップも皆無であった。得られた粘着フ
ィルムの特性、およびウエハの裏面研削結果を〔表１〕
に示す。

【００６５】実施例２アクリル酸エチル３５重量部、アクリル酸２−エチルヘ
キシル４５重量部、アクリル酸メチル１０重量部、メタ
クリル酸グリシジル１０重量部のモノマー混合物を、ベ
ンゾイルパーオキサイド系重合開始剤（日本油脂（株）
製、ナイパーＢＭＴ−Ｋ４０）０．８重量部（開始剤と
して０．３２重量部）を用いて、トルエン６５重量部、
酢酸エチル５０重量部中で８０℃で１０時間反応させ
た。反応終了後、冷却し、これにキシレン８０重量部、
アクリル酸５重量部とテトラデシルジメチルベンジルア
ンモニウムクロライド（日本油脂（株）製、カチオンＭ
₂−１００）０．３重量部加え、空気を吹き込みながら
８５℃で５０時間反応させ、アクリル系ポリマーの溶液
を得た。このアクリル系ポリマー及び溶液を上記の方法
で分析したところ、得られたアクリル系ポリマーは、分
子内に重合性炭素−炭素二重結合を、該ポリマー１グラ
ムあたり約３．０×１０²⁰個有していることがわかっ
た。また、架橋点となりうる官能基の量は、少なくとも
該ポリマー１グラムあたり約３．０×１０²⁰個有してい
ることがわかった。該ポリマーの重量平均分子量は２５
万であった。

【００６６】この溶液にアクリル系ポリマー１００重量
部に対して、分子内結合開裂型光重合開始剤としてベン
ジルジメチルケタール（日本チバガイギー（株）、イル
ガキュアー６５１）を２重量部添加し、さらに、熱架橋
剤としてイソシアナート系架橋剤（三井東圧化学（株）
製、オレスターＰ４９−６０−ＳＸ）を１．７重量部
（熱架橋剤として１重量部）添加し、粘着剤溶液を得
た。この粘着剤溶液をロールコーターによりポリプロピ
レン樹脂製剥離フィルムに直接塗布し、１２０℃で１分
間乾燥させ、厚さ１５μｍの粘着剤層を設け、次いで、
得られた粘着剤層表面に、コロナ放電処理を施した厚さ
１２０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合樹脂製基材フ
ィルム（酢酸ビニル分：１２重量％、ショアーＤ型硬
度：４０）の該処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層
を転写させることにより半導体ウエハ裏面研削用粘着フ
ィルムを作製した。

【００６７】得られた粘着フィルムを用いて、実施例１
と同様の半導体ウエハの裏面を、実施例１と同様に研削
し、実施例１と同様の方法で該フィルムを剥離した。半
導体シリコンウエハを５０枚使用し、同様の研削を５０
回行った。裏面研削中に破損したウエハ、粘着フィルム
と半導体ウエハの間に水の侵入があったウエハ、剥離時
に破損したウエハは皆無であった。また、汚染されたチ
ップも皆無であった。得られた粘着フィルムの特性及び
ウエハの裏面研削結果を〔表１〕に示す。

【００６８】実施例３アクリル酸エチル１７．５重量部、アクリル酸２−エチ
ルヘキシル５０重量部、アクリル酸メチル９重量部、ア
クリル酸１３．５重量部のモノマー混合物を、ベンゾイ
ルパーオキサイド系重合開始剤（日本油脂（株）製、ナ
イパーＢＭＴ−Ｋ４０）０．７２重量部（開始剤として
０．２８８重量部）を用いて、トルエン６０重量部、酢
酸エチル５０重量部中で８０℃で１０時間反応させた。
反応終了後、冷却し、これにキシレン１１０重量部、メ
タクリル酸グリシジル２５重量部とテトラデシルジメチ
ルベンジルアンモニウムクロライド（日本油脂（株）
製、カチオンＭ₂−１００）０．３重量部加え、空気を
吹き込みながら８５℃で５０時間反応させた。反応終了
後、次に、イソシアネートエチルメタクリレート４重量
部および酢酸エチル８０重量部を加え、さらに空気を吹
き込みながら８０℃で１０時間反応させ、アクリル系ポ
リマーの溶液を得た。このアクリル系ポリマー及び溶液
を上記の方法で分析したところ、得られたアクリル系ポ
リマーは、分子内に重合性炭素−炭素二重結合を、該ポ
リマー１グラムあたり約９．５×１０²⁰個有しているこ
とがわかった。また、架橋点となりうる官能基の量は、
少なくとも該ポリマー１グラムあたり約８．３×１０²⁰
個有していることがわかった。該ポリマーの重量平均分
子量は３５万であった。

【００６９】この溶液にアクリル系ポリマー１００重量
部に対して、分子内結合開裂型光重合開始剤としてベン
ジルジメチルケタール（日本チバガイギー（株）、イル
ガキュアー６５１）を２重量部添加し、さらに、熱架橋
剤としてイソシアナート系架橋剤（三井東圧化学（株）
製、オレスターＰ４９−６０−ＳＸ）を１．７重量部
（熱架橋剤として１重量部）添加し、粘着剤溶液を得
た。この粘着剤溶液をロールコーターによりポリプロピ
レン樹脂製剥離フィルムに直接塗布し、１２０℃で１分
間乾燥させ、厚さ１５μｍの粘着剤層を設け、次いで、
得られた粘着剤層表面に、コロナ放電処理を施した厚さ
１２０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合樹脂製基材フ
ィルム（酢酸ビニル分：１２重量％、ショアーＤ型硬
度：４０）の該処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層
を転写させることにより半導体ウエハ裏面研削用粘着フ
ィルムを作製した。

【００７０】得られた粘着フィルムを用いて、実施例１
と同様の半導体ウエハの裏面を、実施例１と同様に研削
し、実施例１と同様の方法で該フィルムを剥離した。半
導体シリコンウエハを５０枚使用し、同様の研削を５０
回行った。裏面研削中に破損したウエハ、粘着フィルム
と半導体ウエハの間に水の侵入があったウエハ、剥離時
に破損したウエハは皆無であった。また、汚染されたチ
ップも皆無であった。得られた粘着フィルムの特性及び
ウエハの裏面研削結果を〔表１〕に示す。

【００７１】実施例４実施例１で得られたアクリル系ポリマーの溶液に、アク
リル系ポリマー１００重量部に対して、分子内結合開裂
型光重合開始剤としてベンジルジメチルケタール（日本
チバガイギー（株）、イルガキュアー６５１）を２重量
部、分子内に重合性炭素−炭素二重結合を２つ以上有す
るモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリ
レートとジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ
アクリレート混合物（東亜合成化学工業（株）製、アロ
ニックスＭ−４００）を０．３重量部、さらに、熱架橋
剤としてイソシアナート系架橋剤（三井東圧化学（株）
製、オレスターＰ４９−６０−ＳＸ）を１．７重量部
（熱架橋剤として１重量部）添加し、粘着剤溶液を得
た。この粘着剤溶液をロールコーターによりポリプロピ
レン樹脂製剥離フィルムに直接塗布し、１２０℃で１分
間乾燥させ、厚さ１５μｍの粘着剤層を設け、次いで、
得られた粘着剤層表面に、コロナ放電処理を施した厚さ
１２０μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合樹脂製基材フ
ィルム（酢酸ビニル分：１２重量％、ショアーＤ型硬
度：４０）の該処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層
を転写させることにより半導体ウエハ裏面研削用粘着フ
ィルムを作製した。

【００７２】得られた粘着フィルムを用いて、実施例１
と同様の半導体ウエハの裏面を、実施例１と同様に研削
し、実施例１と同様の方法で該フィルムを剥離した。半
導体シリコンウエハを５０枚使用し、同様の研削を５０
回行った。裏面研削中に破損したウエハ、粘着フィルム
と半導体ウエハの間に水の侵入があったウエハ、剥離時
に破損したウエハは皆無であった。また、汚染されたチ
ップも皆無であった。得られた粘着フィルムの特性及び
ウエハの裏面研削結果を〔表１〕に示す。

【００７３】実施例５実施例１の分子内結合開裂型光重合開始剤の添加量を
２．５重量部、実施例１の熱架橋剤の添加量を０．５重
量部（熱架橋剤として０．３重量部）、粘着フィルムの
粘着剤層の厚さを１０μｍとした以外は、全て実施例１
と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを
作製した。得られた粘着フィルムを用いて、実施例１と
同様の半導体ウエハの裏面を、実施例１と同様に研削
し、紫外線の照射時間を１０秒間（光量：３４０ｍＪ／
ｃｍ ²）とした以外は実施例１と同様の方法で該フィル
ムを剥離した。半導体シリコンウエハを５０枚使用し、
同様の研削を５０回行った。裏面研削中に破損したウエ
ハ、粘着フィルムと半導体ウエハの間に水の侵入があっ
たウエハ、剥離時に破損したウエハは皆無であった。ま
た、汚染されたチップも皆無であった。得られた、粘着
フィルムの特性及びウエハの裏面研削結果を〔表１〕に
示す。

【００７４】実施例６分子内結合開裂型光重合開始剤として１−ヒドロキシシ
クロヘキシルフェニルケトン（日本チバガイギー
（株）、イルガキュア−１８４）を用い、その添加量を
１重量部とし、粘着フィルムの粘着剤層の厚さを２０μ
ｍ、基材フィルムの厚みを１５０μｍ（材質は同じ）と
した以外は全て実施例３と同様の方法で半導体ウエハ裏
面研削用粘着フィルムを作製した。得られた粘着フィル
ムを用いて、集積回路が形成された半導体シリコンウエ
ハ（径：８インチ、厚み：６００μｍ、表面凹凸：最大
約１０μｍ）の裏面を、実施例１と同様に研削し、実施
例１と同様の方法で該フィルムを剥離した。半導体シリ
コンウエハを５０枚使用し、同様の研削を５０回行っ
た。裏面研削中に破損したウエハ、粘着フィルムと半導
体ウエハの間に水の侵入があったウエハ、剥離時に破損
したウエハは皆無であった。また、汚染されたチップも
皆無であった。得られた粘着フィルムの特性及びウエハ
の裏面研削結果を〔表１〕に示す。

【００７５】実施例７実施例３で得られたアクリル系ポリマーの溶液に、アク
リル系ポリマー１００重量部に対して、分子内結合開裂
型光重合開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフ
ェニルケトン（日本チバガイギー（株）、イルガキュア
−１８４）を０．３重量部、分子内に重合性炭素−炭素
二重結合を２つ以上有するオリゴマーとしてカプロラク
トン変性ジペンタエリスリトーヘキサアクリレート〔日
本化薬（株）製、カヤラッドＤＰＣＡ−１２０（平均分
子量：１９４７）〕を０．３重量部、さらに、熱架橋剤
としてソルビトールポリグリシジルエーテル（ナガセ化
成工業（株）製、デナコールＥＸ−６１４）を８重量部
添加し、粘着剤溶液を得た。この粘着剤溶液をロールコ
ーターによりポリプロピレン樹脂製剥離フィルムに直接
塗布し、１２０℃で１分３０秒間乾燥させ、厚さ４０μ
ｍの粘着剤層を設け、次いで、得られた粘着剤層表面
に、コロナ放電処理を施した厚さ２００μｍのエチレン
−酢酸ビニル共重合樹脂製基材フィルム（酢酸ビニル
分：１９重量％、ショアーＤ型硬度：３５）の該処理面
を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させることによ
り半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを作製した。得
られた粘着フィルムを６０℃で４８時間加熱し、室温ま
で冷却した。

【００７６】この加熱後の粘着フィルムを用いて、集積
回路が形成された半導体シリコンウエハ（径：８イン
チ、厚み：６００μｍ、表面凹凸：最大約４０μｍ）の
裏面を、実施例１と同様に研削し、紫外線の照射時間を
３０秒間（光量：１０２０ｍＪ／ｃｍ²）とした以外は
実施例１と同様の方法で該フィルムを剥離した。半導体
シリコンウエハを５０枚使用し、同様の研削を５０回行
った。裏面研削中に破損したウエハ、粘着フィルムと半
導体ウエハの間に水の侵入があったウエハ、剥離時に破
損したウエハは皆無であった。また、汚染されたチップ
も皆無であった。得られた粘着フィルムの特性及びウエ
ハの裏面研削結果を〔表１〕に示す。

【００７７】実施例８実施例３で得られたアクリル系ポリマーの溶液に、アク
リル系ポリマー１００重量部に対して、分子内結合開裂
型光重合開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフ
ェニルケトン（日本チバガイギー（株）、イルガキュア
−１８４）を１重量部、分子間水素引抜き型の光重合開
始剤として２−ｔｅｒｔ−ブチルアンスラキノン（東京
化成工業（株）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノ
ン）を０．２重量部、光開始助剤として４−ジメチルア
ミノ安息香酸エチル（日本化薬（株）製、カヤキュアー
ＥＰＡ）を０．１重量部、熱架橋剤としてイソシアナー
ト系架橋剤（三井東圧化学（株）製、オレスターＰ４９
−６０−ＳＸ）を１．７重量部（熱架橋剤として１重量
部）添加し、粘着剤溶液を得た。この粘着剤溶液をロー
ルコーターによりポリプロピレン樹脂製剥離フィルムに
直接塗布し、１２０℃で１分間乾燥させ、厚さ２０μｍ
の粘着剤層を設け、次いで、得られた粘着剤層表面に、
コロナ放電処理を施した厚さ１５０μｍのエチレン−酢
酸ビニル共重合樹脂製基材フィルム（酢酸ビニル分：１
２重量％、ショアーＤ型硬度：４０）の該処理面を貼り
合わせ押圧して、粘着剤層を転写させることにより半導
体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを作製した。

【００７８】得られた粘着フィルムを用いて、集積回路
が形成された半導体シリコンウエハ（径：８インチ、厚
み：６００μｍ、表面凹凸：最大約１０μｍ）の裏面
を、実施例１と同様に研削し、実施例１と同様の方法で
該フィルムを剥離した。半導体シリコンウエハを５０枚
使用し、同様の研削を５０回行った。裏面研削中に破損
したウエハ、粘着フィルムと半導体ウエハの間に水の侵
入があったウエハ、剥離時に破損したウエハは皆無であ
った。また、汚染されたチップも皆無であった。得られ
た粘着フィルムの特性及びウエハの裏面研削結果を〔表
１〕に示す。

【００７９】

【表１】

【００８０】比較例１アクリル酸エチル４０重量部、アクリル酸２−エチルヘ
キシル４５重量部、アクリル酸メチル１０重量部、メタ
クリル酸グリシジル５重量部のモノマー混合物を、ベン
ゾイルパーオキサイド系重合開始剤（日本油脂（株）
製、ナイパーＢＭＴ−Ｋ４０）０．８重量部（開始剤と
して０．３２重量部）を用いて、トルエン６５重量部、
酢酸エチル５０重量部中で８０℃で１０時間反応させ
た。反応終了後、冷却し、これにキシレン３０重量部、
アクリル酸２．５重量部とテトラデシルジメチルベンジ
ルアンモニウムクロライド（日本油脂（株）製、カチオ
ンＭ₂−１００）１．５重量部加え、空気を吹き込みな
がら８０℃で１５時間反応させ、アクリル系ポリマーの
溶液を得た。このアクリル系ポリマー及び溶液を上記の
方法で分析したところ、得られたアクリル系ポリマー
は、分子内に重合性炭素−炭素二重結合を、該ポリマー
１グラムあたり約１．４×１０²⁰個有していることがわ
かった。また、架橋点となりうる官能基の量は、少なく
とも該ポリマー１グラムあたり約１．４×１０²⁰個有し
ていることがわかった。該ポリマーの重量平均分子量は
２５万であった。

【００８１】この溶液にアクリル系ポリマー１００重量
部に対して、分子内結合開裂型光重合開始剤としてベン
ジルジメチルケタール（日本チバガイギー（株）、イル
ガキュアー６５１）を２重量部添加し、、分子内に重合
性炭素−炭素二重結合を２つ以上有するモノマーとして
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとジペンタ
エリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレートの混
合物（東亜合成化学工業（株）製、アロニックスＭ−４
００）を０．３重量部、さらに、熱架橋剤としてイソシ
アナート系架橋剤（三井東圧化学（株）製、オレスター
Ｐ４９−６０−ＳＸ）を１．７重量部（熱架橋剤として
１重量部）添加し、粘着剤溶液を得た。この粘着剤溶液
をロールコーターによりポリプロピレン樹脂製剥離フィ
ルムに直接塗布し、１２０℃で１分間乾燥させ、厚さ１
５μｍの粘着剤層を設け、次いで、得られた粘着剤層表
面に、コロナ放電処理を施した厚さ１２０μｍのエチレ
ン−酢酸ビニル共重合樹脂製基材フィルム（酢酸ビニル
分：１２重量％、ショアーＤ型硬度：４０）の該処理面
を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させることによ
り半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを作製した。

【００８２】得られた粘着フィルムを用いて、実施例１
と同様の半導体ウエハの裏面を、実施例１と同様に研削
し、実施例１と同様の方法で該フィルムを剥離した。半
導体シリコンウエハを５０枚使用し、同様の研削を５０
回行った。裏面研削中に破損したウエハ、粘着フィルム
と半導体ウエハの間に水の侵入があったウエハは皆無で
あったが、剥離時に１枚のウエハが破損した。また、汚
染されたチップは皆無であった。得られた粘着フィルム
の特性及びウエハの裏面研削結果を〔表２〕に示す。

【００８３】比較例２実施例１で得られた粘着フィルムを用いて、実施例１と
同様の半導体ウエハの裏面を、実施例１と同様に研削
し、上記条件の紫外線照射距離を２０ｃｍ（照度：１３
ｍＷ／ｃｍ²）とし、紫外線の照射時間を１５秒間（光
量：１９５ｍＪ／ｃｍ²）とした以外は実施例１と同様
の方法で該フィルムを剥離した。半導体シリコンウエハ
を５０枚使用し、同様の研削を５０回行った。裏面研削
中に破損したウエハ、粘着フィルムと半導体ウエハの間
に水の侵入があったウエハは皆無であったが、剥離時に
１枚のウエハが破損した。また、汚染されたチップは皆
無であった。ウエハの裏面研削結果を〔表２〕に示す。

【００８４】比較例３実施例１の熱架橋剤の添加量を０重量部とした以外は、
全て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘
着フィルムを作製した。得られた粘着フィルムを用い
て、実施例１と同様の半導体ウエハの裏面を、実施例１
と同様に研削し、実施例１と同様の方法で該フィルムを
剥離した。半導体シリコンウエハを５０枚使用し、同様
の研削を５０回行った。裏面研削中に破損したウエハ、
粘着フィルムと半導体ウエハの間に水の侵入があったウ
エハは皆無であったが、剥離時に１枚のウエハが破損し
た。また、３０％のチップに粘着剤層に起因する汚染が
確認された。得られた粘着フィルムの特性及びウエハの
裏面研削結果を〔表２〕に示す。

【００８５】比較例４実施例７の熱架橋剤の添加量を１５重量部とした以外
は、全て実施例７と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削
用粘着フィルムを作製した（粘着フィルムの加熱も同様
に行った）。得られた粘着フィルムを用いて、実施例７
と同様の半導体ウエハの裏面を、実施例７と同様に研削
し、実施例７と同様の方法で該フィルムを剥離した。半
導体シリコンウエハを５０枚使用し、同様の研削を５０
回行った。裏面研削中に１枚のウエハが破損した。ま
た、剥離時に破損したウエハは皆無であった。破損した
ウエハ以外に、３枚のウエハについて粘着フィルムと半
導体ウエハの間に水の侵入が確認された。また、水侵入
の確認されたウエハの周辺のチップに、シリコン研削屑
に伴う汚染が確認された。得られた粘着フィルムの特性
及びウエハの裏面研削結果を〔表２〕に示す。

【００８６】比較例５実施例４の分子内に重合性炭素−炭素二重結合を２つ以
上有するモノマーの添加量を１重量部とした以外は、全
て実施例４と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着
フィルムを作製した。得られた粘着フィルムを用いて、
実施例４と同様の半導体ウエハの裏面を、実施例４と同
様に研削し、実施例４と同様の方法で該フィルムを剥離
した。半導体シリコンウエハを５０枚使用し、同様の研
削を５０回行った。裏面研削中に破損したウエハ、粘着
フィルムと半導体ウエハの間に水の侵入があったウエ
ハ、剥離時に破損したウエハは皆無であった。しかし、
０．２％のチップに粘着剤層に起因する汚染が確認され
た。得られた粘着フィルムの特性及びウエハの裏面研削
結果を〔表２〕に示す。

【００８７】比較例６実施例１の分子内結合開裂型光重合開始剤の添加量を５
重量部とした以外は、全て実施例１と同様の方法で半導
体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを作製した。得られた
粘着フィルムを用いて、実施例１と同様の半導体ウエハ
の裏面を、実施例１と同様に研削し、実施例１と同様の
方法で該フィルムを剥離した。半導体シリコンウエハを
５０枚使用し、同様の研削を５０回行った。裏面研削中
に破損したウエハ、粘着フィルムと半導体ウエハの間に
水の侵入があったウエハ、剥離時に破損したウエハは皆
無であった。しかし、０．２％のチップに粘着剤層に起
因する汚染が確認された。得られた粘着フィルムの特性
及びウエハの裏面研削結果を〔表２〕に示す。

【００８８】比較例７実施例１の分子内結合開裂型光重合開始剤の添加量を０
重量部とした以外は、全て実施例１と同様の方法で半導
体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを作製した。得られた
粘着フィルムを用いて、実施例１と同様の半導体ウエハ
の裏面を、実施例１と同様に研削し、実施例１と同様の
方法で該フィルムを剥離した。半導体シリコンウエハを
５０枚使用し、同様の研削を５０回行った。裏面研削中
に破損したウエハ、粘着フィルムと半導体ウエハの間に
水の侵入があったウエハは皆無であった。しかし、剥離
時に全てのウエハが破損した。得られた粘着フィルムの
特性及びウエハの裏面研削結果を〔表２〕に示す。

【００８９】比較例８実施例１の分子内結合開裂型光重合開始剤の添加量を０
重量部とし、代わりに分子間水素引抜き型の光重合開始
剤として、ベンゾフェノン（日本化薬（株）製、カヤキ
ュアーＢＰ）を２重量部用いた以外は、全て実施例１と
同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを作
製した。得られた粘着フィルムを用いて、実施例１と同
様の半導体ウエハの裏面を、実施例１と同様に研削し、
実施例１と同様の方法で該フィルムを剥離した。半導体
シリコンウエハを５０枚使用し、同様の研削を５０回行
った。裏面研削中に破損したウエハ、粘着フィルムと半
導体ウエハの間に水の侵入があったウエハは皆無であっ
た。しかし、剥離時に３枚のウエハが破損した。また、
汚染されたチップは皆無であった。得られた粘着フィル
ムの特性及びウエハの裏面研削結果を〔表２〕に示す。

【００９０】比較例９実施例１の分子内結合開裂型光重合開始剤の添加量を０
重量部とし、代わりに分子間水素引抜き型の光重合開始
剤として、ベンゾフェノン（日本化薬（株）製、カヤキ
ュアーＢＰ）を２重量部用い、さらに光開始助剤として
４−ジメチルアミノ安息香酸エチル（日本化薬（株）
製、カヤキュアーＥＰＡ）を１重量部用いた以外は、全
て実施例１と同様の方法で半導体ウエハ裏面研削用粘着
フィルムを作製した。得られた粘着フィルムを用いて、
実施例１と同様の半導体ウエハの裏面を、実施例１と同
様に研削し、実施例１と同様の方法で該フィルムを剥離
した。半導体シリコンウエハを５０枚使用し、同様の研
削を５０回行った。裏面研削中に破損したウエハ、粘着
フィルムと半導体ウエハの間に水の侵入があったウエハ
は皆無であった。しかし、剥離時に２枚のウエハが破損
した。また、汚染されたチップは皆無であった。得られ
た粘着フィルムの特性及びウエハの裏面研削結果を〔表
２〕に示す。

【００９１】

【表２】

【００９２】

【発明の効果】本発明の半導体ウエハの裏面研削方法
は、紫外線透過性の基材フィルムと、該基材フィルムの
片面に設けられた特定の紫外線硬化型の粘着剤層からな
る、紫外線照射により粘着力が低下する半導体ウエハ裏
面研削用粘着フィルムを半導体ウエハの表面に貼付し
て、半導体ウエハの裏面を研削し、該粘着フィルムに特
定量の光量の紫外線を基材フィルム側から照射してから
剥離することを特徴とするものである。従って、本発明
によれば、半導体ウエハの裏面を研削する際には、強い
粘着力でウエハ表面に粘着してウエハの破損等を防止
し、且つ、剥離する際には剥離を容易にして剥離応力に
よる半導体ウエハの破損を防止することができる。さら
に、粘着フィルムを剥離した後には、半導体ウエハ表面
に粘着剤層に起因する汚染物が殆ど付着することがな
く、表面の汚染防止にも優れた効果を発揮するという、
半導体ウエハの大口径化、薄層化、ＩＣの高性能化およ
び回路表面の多様化に対応できる半導体ウエハの裏面研
削方法が提供される。

【手続補正書】

【提出日】平成８年８月６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２８】この様なポリマー中の官能基と、該官能基
と付加反応しうるモノマーの官能基の組み合わせは、カ
ルボキシル基とエポキシ基、カルボキシル基とアジリジ
ニル基、水酸基とイソシアネート基等容易に付加反応が
起こる組み合わせが望ましい。また付加反応に限らずカ
ルボキシル基と水酸基との縮合反応等、重合性炭素−炭
素二重結合が容易に導入できる反応であれば如何なる反
応を用いてもよい。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００５８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００５８】（４）紫外線照射条件照射機：（株）オーク製作所製、型式；ＯＨＤ−３２０
Ｍ、ランプの種類：高圧水銀ランプ、照射条件：距離１
０ｃｍ、照度：３４ｍＷ／ｃｍ^２〔（株）オーク製作所
製、ディジタル指示型紫外線照度計ＵＶ−Ｍ０２（受光
器：ＵＶ−３５）を用いて測定した値〕

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者福本英樹愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地三井東圧化学株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体ウエハの表面に粘着フィルムを貼
着して該ウエハの裏面を研削し、研削終了後に該粘着フ
ィルムを剥離する半導体ウエハの裏面研削方法であっ
て、該粘着フィルムが、紫外線透過性の基材フィルムと
該基材フィルムの片面に設けられた粘着剤層からなり、
該粘着剤層が、（ａ）分子内に重合性炭素−炭素二重結
合および架橋点となり得る官能基を有するポリマーであ
り、該重合性炭素−炭素二重結合の量がポリマー１ｇ当
たり２×１０²⁰〜２×１０²¹個であるアクリル系ポリマ
ー１００重量部、（ｂ）架橋性官能基を１分子中に２個
以上有する熱架橋剤０．１〜１０重量部、（ｃ）分子内
結合開裂型の光重合開始剤０．１〜３重量部を含み、且
つ、該ウエハの裏面研削終了後、基材フィルム側から３
００〜３０００ｍＪ／ｃｍ²の光量の紫外線を照射した
後、該粘着フィルムを剥離することを特徴とする半導体
ウエハの裏面研削方法。
【請求項２】架橋点となり得る官能基の数が、ポリマ
ー１ｇ当たり２×１０¹⁹〜２×１０²¹個であることを特
徴とする請求項１記載の半導体ウエハの裏面研削方法。
【請求項３】前記粘着剤層が、（ｄ）分子内に重合性
炭素−炭素二重結合を２個以上有するモノマーおよびオ
リゴマーから選ばれた少なくとも１種を最大量で０．５
重量部含むことを特徴とする請求項１記載の半導体ウエ
ハの裏面研削方法。
【請求項４】半導体ウエハが、その表面に最大３〜５
０μｍの凹凸を有することを特徴とする請求項１〜３の
いずれかに記載の半導体ウエハの裏面研削方法。