JP3511346B2 - 半導体ウエハの裏面研削方法及び該方法に用いる粘着フィルム - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン、ガリウ
ム−砒素等の半導体ウエハの集積回路が組み込まれた側
の面（以下、ウエハ表面という）に粘着フィルムを貼付
して該ウエハの他の面（以下、ウエハ裏面という）を研
削加工する半導体ウエハの裏面研削方法、及びそれに用
いる半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムに関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、半導体集積回路は高純度単結晶シ
リコン等をスライスしてウエハとした後、エッチング等
により集積回路が書き込まれ、さらにウエハの裏面を研
削機を用いて、ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度
まで研削し、ダイシングしてチップ化する方法で製造さ
れている。これらの工程の中で、半導体ウエハ裏面研削
時における該ウエハの破損を防止したり、研削加工を容
易にするため、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムを
粘着剤層を介してウエハ表面に貼付し保護する方法が用
いられている。

【０００３】半導体ウエハを保護するためには、研削加
工をする際には粘着フィルムが剥離しない適度の強い粘
着力が必要である。また、研削加工後剥離する際には、
剥離作業性が良く、且つウエハを破損しない程度の低い
粘着力が求められる。近年、半導体チップの量産化、製
造の効率化および小型軽量化に伴う、半導体ウエハの大
口径化、裏面研削後のウエハ厚みの薄肉化の傾向があ
る。さらに、酸性水溶液、アルカリ性水溶液等のエッチ
ング液を使用する裏面エッチング工程が加わってきた。
そのため、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムに求め
られる特性として、半導体ウエハの裏面を研削する際に
は強い粘着性と優れた耐水性等、半導体ウエハの裏面を
酸性水溶液、アルカリ性水溶液等のエッチング液を用い
た、エッチングの際には優れた耐薬品性、剥離する際に
は優れた剥離作業性、非破損性等があり、これらの各種
特性のバランスを保つことが難しい状況にある。

【０００４】上記の問題の一つの解決方法として、例え
ば、特開昭６０−１８９９３８号公報には、半導体ウエ
ハの裏面を研磨するにあたり、このウエハの表面に感圧
性接着フィルムを貼り付け上記の研磨後この接着フィル
ムを剥離する半導体ウエハの保護方法において、上記の
感圧性接着フィルムが光透過性の支持体とこの支持体上
に設けられた光照射により硬化し３次元網状化する性質
を有する感圧性接着剤層とからなり、研磨後この接着フ
ィルムを剥離する前にこの接着フィルムに光照射するこ
とを特徴とする半導体ウエハの保護方法が開示されてい
る。

【０００５】しかし、上記の感圧性接着フィルムは、半
導体製造工程で使用した場合、紫外線照射前であっても
粘着力が低下することがあり、また、裏面研削後、紫外
線照射後における粘着力の低下不足等が生じることがあ
る。そのため、半導体ウエハの裏面を研削する際に、ウ
エハ表面と接着フィルムの間に水、研削屑等が侵入し、
それに起因してウエハに割れが生じたり、ウエハ表面を
汚染することがある。また、研削後、酸性水溶液、アル
カリ性水溶液等のエッチング液によりウエハ裏面をエッ
チングする際に、ウエハ表面と接着フィルムの間に酸が
侵入して集積回路を破損することがある。さらに、紫外
線を照射した後、感圧性接着フィルムを剥離する際、剥
離性不良によりウエハに割れが発生するという問題があ
った。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記問題に鑑み、本発
明の目的は、粘着力の経時的変化が極めて少なく、且つ
半導体ウエハを裏面研削した後に紫外線を照射した場
合、粘着力が充分に低下する粘着フィルムを用いた半導
体ウエハの裏面研削方法、及びその方法に使用する粘着
フィルムを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】通常、紫外線硬化型粘着
剤層を有する半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムは、
製造直後に遮光包装されて輸送、貯蔵、保管等され、半
導体ウエハ製造工場に搬入された後、開封される。通
常、工場内は蛍光灯、水銀灯等で照明されているため、
開封後は照明器具から放射される紫外線に暴露されるこ
ととなる。本発明者らは、上記問題の解決手法を鋭意検
討した結果、半導体ウエハの裏面研削用粘着フィルムの
粘着特性が変化する原因は、半導体製造工程室内に設置
される照明用の蛍光灯、水銀灯等が発する紫外線に暴露
されていることにあると推定した。

【０００８】そこで、本発明者らは、基材フィルムにフ
タロシアニン系色素を含有させて、波長域３２０〜３８
０ｎｍにおける光線透過率を特定の範囲に制御すること
により、半導体製造工程の環境紫外線、すなわち、照明
用の蛍光灯、水銀灯等が発する照度０．３ｍＷ／ｃｍ²
程度以下の紫外線（以下、弱い紫外線という）の粘着剤
層への暴露量を減少させ、半導体ウエハの裏面研削後に
照射される強い紫外線の暴露下では良好に粘着力が低下
することを見出し、本発明に到った。

【０００９】すなわち、本発明は、基材フィルムの片表
面に紫外線照射により硬化する性質を有する粘着剤層が
形成された粘着フィルムを、その粘着剤層を介して半導
体ウエハの表面に貼付して該半導体ウエハの裏面を研削
し、研削終了後に該粘着フィルム側から紫外線を照射
し、次いで、該粘着フィルムを剥離する半導体ウエハの
裏面研削方法であって、該基材フィルムが、フタロシア
ニン系色素を含有し、波長域３２０〜３８０ｎｍの全域
における光線透過率が６０％以下、該波長域の少なくと
も一部における光線透過率が２０％以上であり、且つ、
厚みが３０〜５００μｍであることを特徴とする半導体
ウエハの裏面研削方法、及び、該方法に用いる粘着フィ
ルムである。

【００１０】本発明の特徴は、基材フィルムの片表面に
紫外線照射により硬化する性質を持つ粘着剤層が形成さ
れた紫外線硬化型粘着フィルムであって、基材フィルム
が、波長域３２０〜３８０ｎｍの全域における光線透過
率が６０％以下、該波長域の少なくとも一部における光
線透過率が２０％以上となる程度にフタロシアニン系色
素を含有していることにある。

【００１１】フタロシアニン系色素を含有した基材フィ
ルムを用いることにより、蛍光灯等の弱い紫外線の存在
下、すなわち、波長３２０〜３８０ｎｍの紫外線の照度
が０．３ｍＷ／ｃｍ²以下程度の環境では、粘着剤層へ
の紫外線の到達量を減らすことができ、粘着特性の環境
紫外線に対する安定性が向上する。

【００１２】また、半導体ウエハの裏面研削工程におい
て、公知の紫外線硬化型粘着フィルム（例えば、特公昭
５８−５０１６４公報等）に対し通常照射されている紫
外線照射光強度と同程度の照度３〜３０００ｍＷ／ｃｍ
²、強度３０〜３０００ｍＪ／ｃｍ²〔（株）オーク製作
所製、ディジタル指示型紫外線照度計ＵＶ−Ｍ０２、受
光器：ＵＶ−３５を用いて測定した紫外線照度（ｍＷ／
ｃｍ²）に照射時間（秒）をかけた値〕の範囲内の紫外
線（以下、強い紫外線）を照射することにより、十分に
粘着力を低下させることが可能となる。

【００１３】従って、本発明の方法によれば、粘着フィ
ルムが半導体ウエハ裏面研削工程時に開封されて取扱、
放置、保管等されたり、不測の工程トラブル等により粘
着フィルムが貼付機にセットされたまま作業が一時中断
した場合、半導体ウエハに粘着フィルムが貼付された状
態で作業が一時中断した場合、等があっても粘着力特性
が経時的に変化することがなく、半導体ウエハの裏面を
研削する際にウエハ表面と粘着フィルムの間に水、研削
屑等が浸入してウエハが割れたり汚染することがない。
また、酸性水溶液、アルカリ性水溶液等のエッチング液
により裏面をエッチングする際には酸性水溶液、アルカ
リ性水溶液等のエッチング液の浸入により集積回路が破
損することがない。さらに、裏面研削終了後、剥離に先
立って紫外線を照射した際には、粘着力が充分に低下す
るので剥離性不良によって半導体ウエハが割れることが
ない。

【００１４】基材フィルムにフタロシアニン系色素を含
有させた場合、照明灯に起因する環境紫外線の如き弱い
紫外線が粘着剤層に到達する量が減少するのに対し、半
導体ウエハ裏面研削工程で研削後に照射される、照度３
〜３０００ｍＷ／ｃｍ²、強度３０〜３０００ｍＪ／ｃ
ｍ²程度の強い紫外線を照射した場合、粘着力が十分に
低下する理由は不明であるが、上記強度の紫外線を照射
した場合、フタロシアニン系色素の光熱変換作用により
粘着フィルムの温度が上昇し、粘着剤の硬化反応が促進
されるものと推定され、これが粘着剤層への紫外線到達
量の減少分を補って、紫外線硬化反応が十分起こってい
るものと推定される。

【００１５】

【発明の実施形態】以下、本発明について詳細に説明す
る。先ず、本発明で用いる粘着フィルムの製造方法につ
いて説明する。本発明の粘着フィルムは、通常、基材フ
ィルムに粘着剤層を構成する成分を含有した粘着剤溶
液、エマルジョン液等（以下、これらを総称して粘着剤
という）を塗布、乾燥して粘着剤層を形成することによ
り製造される。この場合、環境に起因する汚染等から粘
着剤層を保護するために粘着剤層の表面に剥離フィルム
を貼着することが望ましい。また、剥離フィルムの片表
面に粘着剤層を形成し、基材フィルムを貼付して粘着剤
層を基材フィルム側に転着する方法によっても製造され
る。この場合は、粘着剤層を乾燥する際等において粘着
剤層表面が汚染されない利点がある。

【００１６】基材フィルムまたは剥離フィルムのいずれ
の片表面に粘着剤を塗布するかは、基材フィルムおよび
剥離フィルムの耐熱性、表面張力、半導体ウエハ表面へ
の汚染性等を考慮して決定する。例えば、剥離フィルム
の耐熱性が基材フィルムのそれより優れている場合は、
剥離フィルムの表面に粘着剤層を設けた後、基材フィル
ムに転写する。耐熱性が、同等または基材のほうが優れ
ている場合は、基材フィルムの表面に粘着剤層を設け、
その表面に剥離フィルムを貼付する。

【００１７】しかし、粘着フィルムは、剥離フィルムを
剥離したときに露出する粘着剤層の表面を介して半導体
ウエハ表面に貼付されることを考慮し、粘着剤層による
半導体ウエハ表面の汚染防止を図るためには、耐熱性の
良好な剥離フィルムを使用し、その表面に粘着剤塗布液
を塗布、乾燥して粘着剤層を形成する方法が好ましい。

【００１８】基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面
に粘着剤を塗布する方法としては、従来公知の塗布方
法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコータ
ー法、グラビアロールコーター法、コンマコーター法、
バーコーター法、ダイコーター法等が採用できる。

【００１９】本発明において用いる基材フィルムは、原
料樹脂ペレットに、フタロシアニン系色素を混合、また
は原料樹脂ペレットに、フタロシアニン系色素を含有し
た樹脂ペレットを混合し、押し出し機等によりフィルム
状に形成して作製される。用いる樹脂として、合成樹
脂、天然ゴム、合成ゴム等が挙げられる。具体的に例示
するならば、エチレンー酢酸ビニル共重合体、エチレン
ーメタクリル酸共重合体、ポリブタジエン、軟質塩化ビ
ニル樹脂、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミ
ド、アイオノマー等の樹脂、およびそれらの共重合体エ
ラストマー、およびジエン系、ニトリル系、シリコーン
系、アクリル系等の合成ゴムが挙げられる。

【００２０】また、ウエハ裏面研削時における半導体ウ
エハの破損防止を考慮すると、用いる原料樹脂としてＡ
ＳＴＭ−Ｄ−２２４０に規定されるショアーＤ型硬度が
４０以下であるものが好ましい。このような樹脂とし
て、例えばエチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリブタジ
エン等が挙げられる。

【００２１】本発明に用いるフタロシアニン系色素を基
材フィルムに含有させる効果は、詳細は不明ながら、次
のように推定される。すなわち、該色素は、可視域から
紫外線域の広い波長範囲において光を吸収し、吸収した
光エネルギーを熱エネルギーに変換する性質を有してい
る。このため、この色素を半導体ウエハ裏面研削用紫外
線硬化型粘着フィルムの基材フィルム中に含有させるこ
とで、上記に示した蛍光灯等の弱い紫外線の存在する環
境下では、粘着剤層への紫外線の到達量を減らすことが
でき、紫外線硬化型粘着剤の粘着特性の安定性が向上す
る。

【００２２】また、紫外線照射により粘着力を低下させ
る目的で上記に示す高強度の紫外線を照射した場合、該
フタロシアニン系色素の紫外線吸収により、該粘着剤層
への紫外線到達量は減少するものの、該フタロシアニン
系色素の光エネルギーを熱エネルギーに変換する作用に
より、該粘着フィルムの温度が上昇し、粘着剤の硬化反
応が促進され、紫外線の到達量が減少しているにも関わ
らず、十分な硬化反応が進み、粘着力が低下し剥離性が
良好になるものと推測される。

【００２３】本発明に用いるフタロシアニン系色素は、
下記の一般式（１）〔化３〕

【００２４】

【化３】 （式中、Ａ₁〜Ａ₈は、各々独立に水素原子、ハロゲン原
子、置換又は未置換のアルキル基、或いは置換又は未置
換のアルコキシ基を表す。Ｂ₁〜Ｂ₈は、各々独立に水素
原子、ハロゲン原子、置換又は未置換のアルキル基、或
いは置換又は未置換のアリール基、置換又は未置換のア
ルコキシ基、置換又は未置換のアリールオキシ基、置換
又は未置換のアルキルチオ基、あるいは置換又は未置換
のアリールチオ基を表す。Ｍは２価の金属原子、２価又
は４価の置換金属原子、またはオキシ金属を表す。）で
表される化合物である。

【００２５】上記一般式（１）中、Ａ₁〜Ａ₈及びＢ₁〜
Ｂ₈で表される置換または未置換のアルキル基の例とし
ては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−
プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ
−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−
ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１、２−ジメチル−
プロピル基、ｎ−ヘキシル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル
基、１、３−ジメチル−ブチル基、１−ｉｓｏ−プロピ
ルプロピル基、１、２−ジメチル−ブチル基、ｎ−へプ
チル基、１、４−ジメチルペンチル基、２−メチル１−
ｉｓｏ−プロピルプロピル基、１−エチル−３−メチル
ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３
−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチル基、２−メチル
−１−ｉｓｏ−プロピル基、１−ｔ−ブチル−２−メチ
ルプロピル基、ｎ−ノニル基等の炭素数１〜２０の直鎖
または、分岐のアルキル基、メトキシメチル基、メトキ
シエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、
ブトキシエチル基等のアルコキシアルキル基、２、２、
２トリクロロエチル基、トリフルオロメチル基、クロロ
メチル基等のハロゲン化アルキル基等が挙げられる。

【００２６】また、置換または、未置換のアルコキシ基
の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピル
オキシ基、ｉｓｏ−プロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキ
シ基、ｉｓｏ−ブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ
基、ｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｉｓ
ｏ−ペンチルオキシ基、ｎｅｏ−ペンチルオキシ基、
１、２−ジメチル−プロピルオキシ基、ｎ−ヘキシルオ
キシ基、１、３−ジメチルブチルオキシ基等の炭素数１
〜２０の直鎖または、分岐のアルコキシ基、メトキシメ
トキシ基、メトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ
基、ブトキシエトキシ基等のアルコキシアルコキシ基、
ジメトキシメトキシ基、ジエトキシメトキシ基、ジメト
キシエトキシ基、ジエトキシエトキシ基、メトキシエト
キシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基等のアル
コキシアルコキシアルコキシ基、等が挙げられる。置換
または未置換のアリール基の例としては、フェニル基、
クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、ブロモフェニ
ル基、フッ素化フェニル基、ヨウ素化フェニル基等のハ
ロゲン化フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル
基、エチルフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシ
フェニル基、ピリジル基等が挙げられる。

【００２７】Ｍで表される２価の金属の例としては、Ｃ
ｕ（II）、Ｚｎ（II）、Ｃｏ（II）、Ｎｉ（II）、Ｒｕ
（II）、Ｒｈ（II）、Ｐｄ（II）、Ｐｔ（II）、Ｍｎ
（II）、Ｍｇ（II）、Ｔｉ（II）、Ｂｅ（II）、Ｃａ
（II）、Ｃｄ（II）、Ｂａ（II）、Ｈｇ（II）、Ｐｂ
（II）、Ｓｎ（II）等が挙げられる。

【００２８】１置換の３価金属の例としては、Ａｌ−Ｃ
ｌ、Ａｌ−Ｂｒ、Ａｌ−Ｆ、Ａｌ−Ｉ、Ｇａ−Ｃｌ、Ｇ
ａ−Ｂｒ、Ｇａ−Ｆ、Ｇａ−Ｉ、Ｉｎ−Ｃｌ、Ｉｎ−Ｂ
ｒ、Ｉｎ−Ｆ、Ｉｎ−Ｉ、等が挙げられる。

【００２９】２置換の４価金属の例としては、ＣｒＣｌ
₂、ＳｉＣｌ₂、ＳｉＢｒ₂、ＳｉＦ₂、ＳｉＩ₂、ＺｒＣ
ｌ₂、ＧｅＣｌ₂、ＧｅＢｒ₂、ＧｅＩ₂、ＧｅＦ₂、Ｓｎ
Ｃｌ₂、ＳｎＢｒ₂、ＳｎＦ₂、Ｓｉ（ＯＨ）₂、Ｇｅ（Ｏ
Ｈ）₂、Ｚｒ（ＯＨ）₂、Ｍｎ（ＯＨ）₂、Ｓｎ（Ｏ
Ｈ）₂、ＴｉＣｌ₂、ＴｉＢｒ₂、ＴｉＦ₂、ＣｒＲ₂、Ｓ
ｉＲ ₂、ＳｎＲ₂、ＴｉＲ₂、ＧｅＲ₂（Ｒはアルキル基、
フェニル基、ナフチル基、およびその誘導体を表
す。）、Ｓｉ（ＯＲ’）₂、Ｓｎ（ＯＲ’）₂、Ｇｅ（Ｏ
Ｒ’）₂、Ｔｉ（ＯＲ’）₂、Ｃｒ（ＯＲ’）₂（Ｒ’は
アルキル基、フェニル基、ナフチル基、トリアルキルシ
リル基、ジアルキルアルコキシシリル基、およびその誘
導体を表す。）、Ｓｎ（ＳＲ’’）₂、Ｇｅ（Ｓ
Ｒ’’）₂（Ｒ’’は、アルキル基、フェニル基、ナフ
チル基、およびその誘導体を表す。）等が挙げられる。
オキシ金属の例としてはＶＯ、ＭｎＯ、ＴｉＯ等が挙げ
られる。

【００３０】上記フタロシアニン系色素の中で、光、熱
安定性を考慮すれば、Ｍで表される金属として、Ｃｕ
（II）、Ｎｉ（II）、Ｃｏ（II）、また、Ａ₁〜Ａ₈、Ｂ
₁〜Ｂ₈のその大部分が水素原子であることが好ましい。
さらに色素の入手し易さ等を考慮すると、Ｍで表される
金属がＣｕ（II）であり、且つ、Ａ₁〜Ａ₈、Ｂ₁〜Ｂ₈の
全てが水素原子である化合物が特に好ましい。この化合
物は、銅フタロシアニン（ピグメントブルー１５、カラ
ーインデックス：７４１６０）と称され市販されてい
る。

【００３１】基材フィルムに含まれるフタロシアニン系
色素の含有量が増加するに従い、紫外線硬化型粘着剤層
への紫外線到達量は減少し、弱い紫外線が照射されるこ
とによる粘着剤の粘着特性の変化が少なくなる傾向にあ
る。しかし、同時に半導体裏面研削後における強い紫外
線の照射時において粘着力が低下しなくなる傾向があ
る。かかる点を考慮すると、基材フィルムに含まれるフ
タロシアニン系色素の含有量は、基材フィルムの光線透
過率が波長域３２０〜３８０ｎｍの全域において６０％
以下であり、且つ、波長域が３２０ｎｍ〜３８０ｎｍの
少なくとも一部において２０％以上になるように含ませ
ることが重要である。好ましくは、基材フィルムの光線
透過率が波長域３２０〜３８０ｎｍにおいて５０％以下
であり、且つ、波長域が３２０〜３８０ｎｍの少なくと
も一部において３５％以上となるように含ませることで
ある。

【００３２】基材フィルムの光線透過率を上記範囲とす
るために用いるフタロシアニン系色素の添加量は、基材
フィルム用の樹脂の種類、基材フィルムの厚み、フタロ
シアニン系色素の種類等により異なる。例えば、基材フ
ィルム用の樹脂がエチレン−酢酸ビニル共重合体、厚み
が１２０μｍ、フタロシアニン系色素が銅フタロシアニ
ンである場合は、基材フィルム中に０．０５〜０．３重
量％含む程度に添加することを目途とすればよい。上記
添加量は、基材フィルムの厚みを厚くするときにはフタ
ロシアニン系色素の添加量を適宜減らし、基材フィルム
の厚みを薄くするときにはフタロシアニン系色素の添加
量を適宜増加すればよい。

【００３３】基材フィルムを作製する方法として、Ｔダ
イ押出法、インフレーション法、カレンダー法等が挙げ
られる。

【００３４】基材フィルムの厚みは、半導体ウエハの裏
面を研削する際の半導体ウエハの破損防止、粘着剤塗布
液の塗布性、半導体ウエハ表面への貼付作業性、剥離作
業性等に影響する。かかる観点から基材フィルムの厚み
は、３０〜５００μｍであることが好ましい。さらに好
ましくは５０〜３００μｍである。基材フィルムの厚み
精度は、粘着フィルム全体の厚み精度に影響を与え、そ
の結果、研削後の半導体ウエハの厚み精度に影響を与え
ることになる。従って、基材フィルムは、上記範囲の任
意の厚みにおいてその精度が±５μｍ以内に制御されて
いることが好ましい。さらに好ましくは±３μｍ以内で
ある。

【００３５】基材フィルムは単層体であっても積層体で
あってもよい。粘着剤層が設けられる面の反対側の面
に、これより硬いフィルム、具体的にはショアＤ硬度が
４０を超える樹脂により形成されたフィルムを積層する
ことが好ましい。これにより、半導体ウエハ裏面研削用
粘着フィルムの剛性が増し、貼付作業性および剥離作業
性が改善される。

【００３６】また、半導体ウエハの裏面研削後に施され
る酸性水溶液、アルカリ性水溶液等のエッチング液によ
るエッチング処理の際にも引き続き、半導体ウエハ裏面
研削用粘着フィルムを用いて半導体ウエハの表面を保護
する場合には、耐薬品性の優れた基材フィルムを用いる
ことが好ましい。耐薬品性フィルムを粘着剤層と反対側
に積層してもよい。耐薬品性のフィルムとしては、ポリ
プロピレンフィルム等が挙げられる。

【００３７】さらに、基材フィルムと粘着剤層との接着
力を上げるため、基材フィルムの粘着剤を設ける面に
は、コロナ放電処理または化学処理等を施すことが好ま
しい。また、基材フィルムと粘着剤層との間に下塗り剤
を用いても良い。

【００３８】本発明の粘着フィルムに用いられる粘着剤
層としては、紫外線照射により粘着力が低下するもので
あり、且つ、研削する半導体ウエハの形状、口径、表面
保護膜の種類、ウエハ表面の凹凸、裏面研削の量等の条
件に合わせて設計されたものであれば、いずれでも用い
ることができ、粘着剤ポリマー、光重合開始剤、熱架橋
剤、分子中に重合性炭素−炭素２重結合を２つ以上有す
るモノマーおよび／またはオリゴマー等を含有する塗工
液（溶液またはエマルジョン液）を基材フィルムまた
は、剥離フィルムに塗工することにより形成される。

【００３９】粘着剤ポリマーとしては、天然ゴム、ＳＢ
Ｒ等のゴム系、アクリル酸アルキルエステル、メタクリ
ル酸アルキルエステル等のアクリル系等が挙げられる。
この中で、半導体ウエハ裏面研削用紫外線硬化型粘着フ
ィルムに用いる粘着剤は、アクリル系粘着剤が好まし
い。

【００４０】粘着剤ポリマーにアクリル系粘着剤を用い
る場合、粘着剤ポリマーを構成する単量体単位として
は、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル
酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メ
タクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、メ
タクリル酸２−エチルヘキシル等のアクリル酸エステ
ル、メタクリル酸エステル、および、アクリル酸、メタ
クリル酸、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリ
ル酸２−ヒドロキシエチル等の官能基を有するアクリル
系モノマー、メタクリル系モノマーが、１種類以上組み
合わされ、必要に応じて、アクリル酸グリシジル、メタ
クリル酸グリシジル、イソシアネートエチルアクリレー
ト、イソシアネートエチルメタクリレート、２−（１−
アジリジニル）エチルアクリレート、２−（１−アジリ
ジニル）エチルメタクリレート等の自己架橋性の官能基
を有するモノマー、ジビニルベンゼン、アクリル酸ビニ
ル、メタクリル酸ビニル、アクリル酸アリル、メタクリ
ル酸アリル等の多官能性モノマー、スチレン、アクリロ
ニトリル、酢酸ビニル、アクリルアマイド等重合性炭素
−炭素２重結合を有するモノマーも組み合わされる。

【００４１】また、粘着剤ポリマーに重合性炭素−炭素
２重結合が導入されたものを用いれば、紫外線照射の
際、粘着力の低下が大きく特に好ましく、この分子内に
重合性炭素−炭素２重結合を持つ粘着剤ポリマーを合成
する場合、既知の様々な方法が挙げられる。あらかじめ
ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、ポ
リマー内の官能基と付加反応する官能基を有する重合性
炭素−炭素２重結合を持つモノマーを重合性炭素−炭素
２重結合を残したまま、付加反応させる方法がポリマー
中の重合性炭素−炭素２重結合の量をコントロールする
点で好ましい。

【００４２】例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカ
ルボン酸基を有するモノマーを共重合させ、重合後ポリ
マー中のカルボン酸基と付加反応し得るエポキシ基を有
するアクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジルを
付加させる方法や、あるいは、その逆にアクリル酸グリ
シジル、メタクリル酸グリシジルを共重合させ、重合後
ポリマー中のエポキシ基とアクリル酸、メタクリル酸等
を付加反応させる方法等である。これらの官能基の組み
合わせは、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基と
アジリジル基、水酸基とイソシアネート基等容易に付加
反応が起こる組み合わせが望ましい。また、付加反応に
限らずカルボン酸基と水酸基の縮合反応等、重合性炭素
−炭素２重結合が容易に導入できる反応であればいかな
る反応を用いても良い。また、ポリマーの持つ２重結合
量としては、主成分のモノマーに対し、１〜３０重量％
の官能基を有するモノマーを共重合させ、その官能基の
数と同等もしくは少ない範囲で重合性炭素−炭素２重結
合を有するモノマーを付加させることが望ましい。

【００４３】このように予め、官能基を有するポリマー
を重合して得られたポリマーと官能基を有するモノマー
との高分子反応により粘着剤ポリマーを合成する場合、
官能基を有するモノマーとしては、沸点が２５０℃以下
のものが好ましい。沸点が２５０℃以下の場合、未反応
モノマーが粘着剤塗工時の乾燥中（通常、１００℃から
１５０℃の熱風中で２０秒〜５分程度乾燥する）に蒸発
し、ウエハ表面を汚染しない。このようなモノマーとし
ては、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸グリシジ
ル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキ
シエチル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、イソシ
アネ−トエチルアクリレート、イソシアネートエチルメ
タクリレート等が挙げられる。

【００４４】粘着剤ポリマーが有する官能基と架橋反応
させ、粘着力および凝集力の調整をするために、架橋性
官能基を１分子中に２個以上有する架橋剤を用いてもよ
い。この架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジル
エーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、
ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリ
セロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグ
リシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジ
ルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等のエポ
キシ系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキ
サメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパン
のトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネ
ート等のイソシアネート系化合物、テトラメチロールメ
タン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメ
チロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネ
ート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４、４’−ビス
（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキ
サメチレン−１、６−ビス（１−アジリジンカルボキシ
アミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２、４−ビス（１−ア
ジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン
−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート
等のアジリジリン系化合物、及びヘキサメトキシメチロ
ールメラミン等のメラミン系化合物が挙げられる。これ
らは、単独で使用しても良いし、また、２種類以上を混
合して使用しても良い。

【００４５】上記熱架橋剤の含有量は、被着体となる半
導体ウエハの形状、口径、表面保護膜の種類、ウエハ表
面の凹凸、裏面研削の量等によって適宜設定されるが、
通常、ＪＩＳ−Ｚ０２３７に規定される方法に準拠し
て、被着体としてＳＵＳ−３０４ＢＡ板を用い、剥離速
度３００ｍｍ／ｍｉｎ．、剥離角度１８０度の条件下で
測定した強い紫外線照射前の粘着力が２００〜２０００
ｇ／２５ｍｍの範囲となるように設計される。さらに好
ましくは３００〜２０００ｇ／２５ｍｍの範囲である。

【００４６】架橋性官能基を１分子中に２個以上有する
熱架橋剤の含有量は、粘着剤ポリマ１００重量部に対し
０．１〜２０重量部である。好ましくは０．５〜１０重
量部である。

【００４７】半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムの粘
着剤層が 半導体製造工程等の室内に設置される照明用
の蛍光灯、水銀灯等が発する弱い紫外線に暴露されたと
きに経時的に変質して、半導体ウエハの表面に対する粘
着力が低下すれば、半導体ウエハの裏面を研削する際
に、粘着フィルムとウエハ表面の間に水、研削屑等が侵
入し、ウエハの割れ、ウエハ表面の汚染等の原因とな
る。また、酸性水溶液、アルカリ性水溶液等のエッチン
グ液を用いてウエハの裏面をエッチングする際には、粘
着フィルムとウエハ表面の間にエッチング液が侵入し、
集積回路が腐蝕、破損することがある。

【００４８】また、粘着剤層が半導体製造工程等の室内
に設置される照明用の蛍光灯、水銀灯等が発する弱い紫
外線に暴露されたときに経時的に変質して、半導体ウエ
ハの裏面を研削した後に粘着剤を硬化させるために強い
紫外線を照射した時にその粘着力が充分に低下しない場
合は、粘着フィルムをウエハ表面から剥離する際に剥離
応力が大きくて、ウエハに割れが発生することがある。
従って、半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルムの粘着特
性は、照明用の蛍光灯、水銀灯等が発する弱い紫外線に
暴露された場合であっても、経時的変化を起こさないこ
とが重要である。

【００４９】紫外線硬化後の粘着力を低下させる目的
で、分子内に重合性炭素−炭素２重結合を２個以上有す
るモノマーおよび／またはオリゴマーを用いてもよい。
このモノマーおよび／またはオリゴマーとして、通常分
子量が５０００以下のものが挙げられ、具体的に例示す
ると、ウレタンアクリレート系オリゴマー、ウレタンメ
タクレート系オリゴマー、エポキシアクリレート系オリ
ゴマー、エポキシメタクリレート系オリゴマー、ビス
（アクリロキシエチル）ヒドロキシエチルイソシアヌレ
ート、ビス（メタクリロキシエチル）ヒドロキシエチル
イソシアヌレート、トリス（アクリロキシエチル）イソ
シアヌレート、トリス（メタクリロキシエチル）イソシ
アヌレート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレー
ト、ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレート、ジエチ
レングリコールジ（メタ）アクリレート、１、６−ヘキ
サンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグ
リコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロ
パントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール
トリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテト
ラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノ
ヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサ（メタ）アクリレート、トリス（メタ
クリロキシエチル）イソシアヌレートの各種変性体、ビ
スフェノールＡジ（メタ）アクリレートの各種変性体、
ビスフェノールＦジ（メタ）アクリレートの各種変性
体、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート
の各種変性体、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）
アクリレートの各種変性体等が用いられる。これらは、
１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用しても良
い。ここで、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリレー
トなる記載は、アクリル酸及びメタクリル酸、並びに、
アクリレート、メタクリレートを意味する。

【００５０】分子内に重合性炭素−炭素２重結合を２個
以上有するモノマーまたはオリゴマーの含有量は、粘着
剤ポリマー１００重量部に対し、通常１〜１００重量部
である。

【００５１】分子内に重合性炭素−炭素２重結合を２個
以上有するモノマーおよび／またはオリゴマーは、半導
体ウエハ表面を汚染する原因となる可能性があるため、
その含有量は極力低減させることが好ましい。このよう
な観点から、上述したように粘着剤の主成分であるアク
リル系、メタクリル系ポリマー等に重合性炭素−炭素２
重結合を導入しておくことが好ましく、この場合、紫外
線硬化型粘着剤中に含有する分子内に重合性炭素−炭素
２重結合を２個以上有するモノマーおよび／またはオリ
ゴマーの量を減らすことができる。その場合、粘着剤ポ
リマー１００重量部に対し１〜２０重量部程度である。
また、粘着剤ポリマーの主鎖または側鎖に重合性炭素−
炭素２重結合が導入さている場合には、上記モノマーお
よび／またはオリゴマーの含有量を０にすることもでき
る。

【００５２】さらに、紫外線照射により粘着剤層が硬化
した後の粘着力は、半導体裏面研削後のウエハ厚み、ウ
エハの口径、ウエハ表面の凹凸、表面保護膜の種類等を
勘案し、適宜決定されるが、通常、ＳＵＳ−３０４ＢＡ
板被着体に対して１００ｇ／２５ｍｍ以下になる様に設
定することが好ましい。更に好ましくは５０ｇ／２５ｍ
ｍ以下である。したがって、分子内に重合性炭素−炭素
２重結合を２個以上有するモノマーおよび／またはオリ
ゴマーは、前記設定条件をみたすように含有させること
が好ましい。

【００５３】紫外線硬化型粘着剤を構成する光重合開始
剤は、紫外線吸収によりラジカルを発生させる性質を有
し、粘着剤層の紫外線硬化反応を開始させる目的で使用
される。具体的に例示すれば、ベンゾイン〔日本曹達
（株）製、ニッソキュアーＢＯ等〕、ベンゾインメチル
エーテル〔日本曹達（株）製、ニッソキュアーＭＢＯ
等〕、ベンゾインエチルエーテル〔日本曹達（株）製、
ニッソキュアーＥＢＯ等〕、ベンゾインイソプロピルエ
ーテル〔日本曹達（株）製、ニッソキュアーＩＢＰＯ
等〕、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジルジメチ
ルケタール〔日本チバガイギー（株）、イルガキュア−
６５１、等〕等のベンゾイン系、１−ヒドロキシシクロ
ヘキシルフェニルケトン〔日本チバガイギー（株）、イ
ルガキュア−１８４、等〕、２−メチル−１〔４−（メ
チルチオ）フェニル〕−２−モノホリノプロパン−１
〔日本チバガイギー（株）、イルガキュア−９０７、
等〕、ジエトキシアセトフェノン、４−（２−ヒドロキ
シエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２プロピル）
ケトン〔メルクジャパン（株）、ダロキュアー２９５
９、等〕、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル
プロパン−１−オン、等のアセトフェノン系、ベンゾフ
ェノン〔日本化薬（株）製、カヤキュアーＢＰ〕、ヒド
ロキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系、チオキサ
ンソン〔日本曹達（株）製、ニッソキュア−ＴＸ、
等〕、２−メチルチオキサンソン〔日本曹達（株）製、
ニッソキュア−ＭＴＸ、等〕、２、４−ジエチルチオキ
サンソン〔日本化薬（株）製、カヤキュア−ＤＥＴＸ、
等〕、クロロチオキサントン、ジメチルチオキサント
ン、ドデシルチオキサントン、ジエチルチオキサント
ン、等のチオキサンソン系、ベンジル、アンスラキノ
ン、２−エチルアンスラキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチル
アンスラキノン、等が挙げられる。

【００５４】これらは１種を単独で使用しても良いし、
２種以上を併用しても良い。含有量はそれ自体が半導体
ウエハ表面を汚染する原因となるため、できるだけ少な
い方が好ましいが、硬化速度を考慮すると光重合開始効
果によっても異なるが、粘着剤ポリマー１００重量部に
対して、０．１〜１５重量部が好ましい。さらに好まし
くは１〜１５重量部である。

【００５５】また、本発明に用いる紫外線硬化型粘着剤
は、上記の光重合開始剤の他に、反応の促進、酸素によ
る重合阻害の軽減、等を目的として、必要に応じて光開
始助剤が含有しても良い。光開始助剤としては、トリエ
タノールアミン、メチルジエタノールアミン、２−ジメ
チルアミノエチル安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香
酸エチル〔日本化薬（株）製、カヤキュア−ＥＰＡ、
等〕、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル
等が挙げられる。これらの光開始助剤は、単独で使用し
ても良いし、二種以上を併用しても良い。光開始助剤の
含有量は、通常、上記光開始剤との総和が、上記光重合
開始剤の含有量の範囲内に成るようにすることが好まし
い。

【００５６】そのほか、紫外線硬化型半導体ウエハ裏面
研削用粘着フィルムの保存性をよくするために、フェノ
チアジン、ハイドロキノン等の重合禁止剤等各種を半導
体ウエハ表面を汚染しない程度に含有してもよい。

【００５７】本発明に用いる粘着フィルムの粘着剤層厚
みは、被着体となる半導体ウエハの形状、口径、表面保
護膜の種類、ウエハ表面の凹凸、裏面研削の量等によっ
て適宜設定されるが、半導体ウエハ裏面を研削している
ときの粘着力、研削が完了した後の剥離性等を勘案する
と、通常２〜１００μｍ程度である。好ましくは、５〜
７０μｍである。

【００５８】本発明に用いる粘着フィルムの剥離フィル
ムとしては、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレ
ート等の合成樹脂フィルムが挙げられる。必要に応じて
その表面（粘着剤層側）にシリコーン処理等の易剥離処
理が施されたものが好ましい。剥離フィルムの厚みは、
通常３０〜１００μｍである。

【００５９】次に、本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘
着フィルムを用いて、半導体ウエハの裏面を研削する方
法について説明する。本発明の半導体ウエハ裏面研削用
粘着フィルムには、通常、粘着剤層を保護するために剥
離フィルムが貼付されているので、先ずその剥離フィル
ムを剥離して粘着剤層を露出させる。粘着剤層を介し
て、集積回路が形成された側の半導体ウエハ表面に粘着
フィルムを貼着する。次に、粘着フィルムの基材フィル
ム側を介して研削機のチャックテ−ブル等の固定具に半
導体ウエハを固定し、半導体ウエハの裏面を研削する。
裏面の研削が終了した後、粘着剤層を硬化させるために
基材フィルム側から特定量の強い紫外線を照射する。最
後に、半導体ウエハの表面から粘着フィルムを剥離す
る。

【００６０】粘着フィルムを剥離した後、必要に応じ
て、半導体ウエハ表面を水洗、プラズマ洗浄等により洗
浄処理する。また、半導体ウエハの裏面を研削した後、
必要に応じて、粘着フィルムを剥離する前に（強い紫外
線照射前）、ケミカルエッチング処理を行うこともでき
る。

【００６１】半導体ウエハの表面に粘着フィルムを貼着
する操作は、人手により行っても良いし、また、自動貼
着機等を用いて行ってもよい。ウエハの裏面研削が終了
した後、強い紫外線照射により粘着剤層を硬化させる工
程において、酸素により粘着剤層の硬化反応が妨害され
る恐れがあることを考慮すれば、窒素雰囲気下において
粘着フィルムの貼着操作を行うことが好ましい。窒素雰
囲気下で貼着操作ができる自動貼着機として、例えば、
帝国精機（株）製、形式：ＳＴＬシリーズ等が挙げられ
る。

【００６２】本発明の方法が適用できる半導体ウエハの
裏面研削方法には特に限定はなく、公知の研削方法が適
用できる。例えば、スルーフィード方式、インフィード
方式等が挙げられる。いずれの方法においても、研削す
る際には半導体ウエハ、砥石等に水をかけて冷却しなが
ら行うことが好ましい。

【００６３】本発明の裏面研削方法が適用できる半導体
ウエハの厚みには特に限定はない。公知の方法が適用さ
れている厚みのものに適用できる。例えば、集積回路が
形成された５００〜１０００μｍ程度の厚みのものを研
削して、１００〜６００μｍ程度の厚みまで薄くするこ
とができる。

【００６４】ウエハ裏面の研削が終了した後、ケミカル
エッチングを行う場合は、粘着フィルムを貼着した状態
で半導体ウエハをエッチング液に浸漬する等の方法によ
り行われる。エッチング液として、弗化水素酸、硝酸、
硫酸、酢酸等の単独もしくは混合液からなる酸性水溶液
が挙げられる。又、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナト
リウム水溶液等のアルカリ性水溶液等を用いることもあ
る。ケミカルエッチングを施すことにより、半導体ウエ
ハの裏面に生じた歪の除去や、酸化膜等の除去、半導体
ウエハのさらなる薄層化等が図られる。また、半導体ウ
エハの裏面に電極を形成する場合には、その前処理にも
なる。

【００６５】ウエハ裏面の研削及びケミカルエッチング
が終了した後、粘着フィルムの基材フィルム側から強い
紫外線を照射して粘着剤層を硬化させ、粘着力を低下さ
せる。しかる後、ウエハ表面から粘着フィルムを剥離す
る。この一連の操作は、人手により行ってもよいが、自
動剥離機を用いて行うことが好ましい。強い紫外線照射
により粘着剤を硬化させる工程において、酸素により粘
着剤層の硬化反応が妨害される恐れがあることを考慮す
れば、該紫外線照射を窒素雰囲気下で行うことが好まし
い。この様に紫外線照射時に窒素パージを行うことので
きる自動剥離機としては、帝国精機（株）製、形式：Ｓ
ＴＰシリーズ等が挙げられる。

【００６６】強い紫外線を照射する条件は、特開昭６０
−１８９９３８号公報、特公平５８−５０１６４号公報
等に開示されている条件と同程度でよい。具体的には、
高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドラン
プ、キセノンランプ等を光源として用い、粘着フィルム
の特性等に応じて、照度が３〜３０００ｍＷ／ｃｍ
²〔（株）オーク製作所製、ディジタル指示型紫外線照
度計ＵＶ−Ｍ０２（受光器：ＵＶ−３５）を用いて測定
した紫外線照度〕程度の照度の紫外線を、強度が３０〜
３０００ｍＪ／ｃｍ²〔上記で求めた照度に照射時間
（秒）をかけた値〕程度に成るように適宜照射する。紫
外線照射機器として、例えば、高圧水銀ランプ〔（株）
オーク製作所、形式：ＯＨＤ−３２０Ｍ〕等が挙げられ
る。

【００６７】紫外線照射光の照度および強度が上記下限
値より低い場合、粘着力の低下が不十分となる傾向があ
り、粘着テープを剥離する際に半導体ウエハが破損する
原因となる可能性がある。紫外線照射光強度の上限は、
紫外線を発する光源の熱による半導体ウエハ表面への影
響、基材フィルムの融点または軟化点、作業性、作業者
の安全性等を考慮すると、３０００ｍＪ／ｃｍ²程度が
好ましい。紫外線照射後、半導体ウエハの表面から粘着
フィルムを剥離する。

【００６８】粘着フィルムを剥離した後、必要に応じ
て、半導体ウエハの表面を洗浄することが好ましい。洗
浄方法としては、水洗浄、溶剤洗浄等の湿式洗浄、プラ
ズマ洗浄等の乾式洗浄等が挙げられる。湿式洗浄の場
合、超音波洗浄を併用してもよい。これらの洗浄方法
は、ウエハ表面の汚染状況により適宜選択すればよい。

【００６９】本発明が適用できる半導体ウエハとして、
シリコンウエハ、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリ
ウム−ヒ素−アルミニウム等のウエハが挙げられる。

【００７０】半導体ウエハ表面の汚染防止の観点より、
基材フィルム、剥離フィルム、粘着剤等すべての原料資
材の製造環境および粘着剤の塗布および乾燥環境は、米
国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１、０００以下
のクリーン度に維持されていることが好ましい。

【００７１】

【実施例】以下、実施例を示して本発明についてさらに
詳細に説明する。尚、実施例に示した各種特性値は下記
の方法で得たものである。 （１）基材フィルムの光線透過率（％） 自記分光光度計（日立製作所製、形式：Ｕ−３５００
形）を用いる。測定時、リファレンス側には試料として
何も設置せず、サンプル側に実施例、比較例で作成した
基材フィルム（厚み：１２０μｍ）を設置し、波長域３
２０〜３８０ｎｍにおける光線透過率を測定する。

【００７２】（２）粘着フィルムの粘着力（ｇ／２５ｍ
ｍ） ＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳ Ｇ−４３０５規定、
縦：２００ｍｍ、横：５０ｍｍ）の表面に貼着された試
料について、２３℃の雰囲気下においてＪＩＳ−Ｚ０２
３７に規定される方法に準拠して、試料の５０ｍｍの辺
の端を挟持し、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ．、剥離角
度１８０度の条件下で剥離し、その際の応力を測定し、
２５ｍｍ幅に換算して粘着力とする。粘着力は、上記操
作を２回行い、その平均値で示す。

【００７３】＜試料の調製−１＞ （ｉ）ＳＵＳ板貼着−蛍光灯照射 ２３℃において、粘着フィルムをその粘着剤層を介して
ＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳ Ｇ−４３０５規定、
縦：２００ｍｍ、横：５０ｍｍ）の表面に貼着して、そ
の基材フィルム側表面に蛍光灯〔（株）東芝製、東芝蛍
光ランプ、ネオラインラピッドマスター、ＦＬＲ４０Ｓ
Ｗ／Ｍ／３６〕を用いて、照度０．１ｍＷ／ｃｍ²［紫
外線の照度は、ディジタル指示型紫外線照度計ＵＶ−Ｍ
０２〔受光器：ＵＶ−３５、（株）オ−ク製作所製〕を
用い測定］の紫外線を１時間、２４時間、４８時間、９
６時間それぞれ照射する。その後、各試料について上記
方法により粘着力を測定する。この試験結果を「高圧水
銀灯ＵＶ照射前」として〔表１〕に示す。 （ii）ＳＵＳ板貼着−蛍光灯照射−高圧水銀灯照射 ２３℃において、（ｉ）項と同様にして、照度０．１ｍ
Ｗ／ｃｍ²の紫外線を１時間、２４時間、４８時間、９
６時間それぞれ照射した試料に対し、さらに、高圧水銀
灯〔（株）オーク製作所、形式：ＯＨＤ−３２０Ｍ〕を
用いて、紫外線（照度：１０ｍＷ／ｃｍ²、強度：４０
０ｍＪ／ｃｍ²）を照射する。各試料について上記方法
により粘着力を測定する。尚、紫外線の照度は、ディジ
タル指示型紫外線照度計ＵＶ−Ｍ０２〔受光器：ＵＶ−
３５、（株）オ−ク製作所製〕を用い測定する。この試
験結果を「高圧水銀灯ＵＶ照射後」として〔表１〕に示
す。

【００７４】＜試料の調製−２＞ （iii）ＳＵＳ板貼着前−蛍光灯照射 ２３℃において、平板状の粘着フィルム（幅：３０ｃ
ｍ、長さ：２００ｃｍ）の基材フィルム側表面に、
（ｉ）項と同様にして、蛍光灯を用いて照度０．１ｍＷ
／ｃｍ²の紫外線を３時間、３日間、１０日間それぞれ
照射する。次いで、試料をＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩ
Ｓ Ｇ−４３０５規定、縦：２００ｍｍ、横：５０ｍ
ｍ）の表面に貼着して、暗所に１時間放置する。その
後、上記方法により粘着力を測定する。この試験結果を
「高圧水銀灯ＵＶ照射前」として〔表２〕に示す。 （iv）ＳＵＳ板貼着前−蛍光灯照射−高圧水銀灯照射 ２３℃において、平板状の粘着フィルムに対し、（ii
i）項と同様にして、照度０．１ｍＷ／ｃｍ²の紫外線を
３時間、３日間、１０日間それぞれ照射した。その試料
をＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳ Ｇ−４３０５規定、
縦：２００ｍｍ、横：５０ｍｍ）の表面に貼着して、暗
所に１時間放置する。さらに、貼付された試料に対し、
（ii）項と同様にして、高圧水銀灯を用いて紫外線（照
度：１０ｍＷ／ｃｍ²、強度：４００ｍＪ／ｃｍ²）を照
射する。各試料について上記方法により粘着力を測定す
る。この試験結果を「高圧水銀灯ＵＶ照射後」として
〔表２〕に示す。

【００７５】（３）裏面研削時の破損枚数（枚） 集積回路が形成された側の半導体シリコンウエハ（径：
６インチ、厚み：６２５μｍ）の表面に粘着フィルムを
貼付し、それを粘着フィルムを介して研削機（ディスコ
製、形式：バックグラインダーＤＦＧ−８２ＩＦ／８）
にセットし、水をかけ冷却しながら半導体ウエハの裏面
を厚さ１５０μｍになるように研削する。半導体シリコ
ンウエハ２０枚について研削し、その際に破損したウエ
ハの枚数を計数する。

【００７６】＜試料の調製＞ （ｉ）ウエハ表面貼着−蛍光灯照射 ２３℃において、粘着フィルムをその粘着剤層を介して
半導体シリコンウエハ（径：６インチ、厚み：６２５μ
ｍ）の集積回路が形成された面に貼着して、粘着フィル
ムの基材フィルム表面に蛍光灯〔（株）東芝製、東芝蛍
光ランプ、ネオラインラピッドマスター、ＦＬＲ４０Ｓ
Ｗ／Ｍ／３６〕を用いて、照度０．１ｍＷ／ｃｍ²の紫
外線を１時間、２４時間、４８時間、９６時間それぞれ
照射する。試料が貼付された各ウエハについて上記方法
により裏面研磨を実施する。この試験結果を〔表３〕に
示す。 （ii）ウエハ表面貼着前−蛍光灯照射 平板状の粘着フィルム（幅：３０ｃｍ、長さ：４００ｃ
ｍ）の基材フィルム側表面に、（２）−（iii）項と同
様にして、蛍光灯を用いて照度０．１ｍＷ／ｃｍ²の紫
外線を３時間、３日間、１０日間それぞれ照射し、それ
らの試料を半導体シリコンウエハ（径：６インチ、厚
み：６２５μｍ）の表面に貼着して、上記方法により半
導体ウエハの裏面を研削する。この試験結果を〔表４〕
に示す。

【００７７】（４）剥離時の破損枚数（枚） （３）−（ｉ）項、及び、（３）−（ii）項で調製した
試料について裏面研削試験を実施した後、半導体シリコ
ンウエハの表面に貼付された粘着フィルムに対し（２）
−（ii）項と同様にして、高圧水銀ランプを用いて、紫
外線（照度：１０ｍＷ／ｃｍ²、強度：４００ｍＪ／ｃ
ｍ²）を照射する。次いで、粘着フィルムを表面保護テ
ープ剥がし機［タカトリ（株）製、ＭＯＤＥＬ：ＡＴＲ
Ｍ−２０００Ｂ；使用剥がしテープハイランド印フィラ
メントテープＮｏ．８９７〔住友スリーエム（株）
製〕］で剥離する。この際に破損した半導体ウエハの枚
数を計数する。試験は半導体シリコンウエハ２０枚につ
いて実施した。前者の試験結果を〔表３〕、後者の試験
結果を〔表４〕にそれぞれ示す。

【００７８】調製例１ ＜粘着剤の調製＞：窒素置換したフラスコ中にトルエン
６５重量部及び酢酸エチル５０重量部を添加し、撹拌
下、８０℃において、アクリル酸エチル４８重量部、ア
クリル酸２−エチルヘキシル２７重量部、アクリル酸メ
チル２０重量部、メタクリル酸グリシジル５重量部及び
ベンゾイルパーオキサイド０．２重量部の混合物を滴下
し、１０時間重合反応を行った。反応終了後、冷却し、
これにキシレン２５重量部、アクリル酸２．５重量部及
びテトラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライ
ド１．５重量部を加え空気を吹き込みながら８０℃で１
０時間反応させ、アクリル系の粘着剤ポリマーの主剤溶
液を得た。得られた溶液中の粘着剤ポリマー固形分１０
０重量部当たり、２、２−ジメトキシ−２−フェニルア
セトフェノン（チバガイギー製、商品名：イルガキュア
−６５１）を７重量部、イソシアナート系架橋剤〔三井
東圧化学（株）製、商品名：オレスターＰ４９−７５
Ｓ〕を１重量部（固形分として）、及び、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレートを１１．７重量部添加
し、アクリル系粘着剤を製造した。

【００７９】実施例１ エチレン−酢酸ビニル共重合体ペレット（ショアーＤ硬
度３８）１００重量部、及び、銅フタロシアニン（ピグ
メントブルー１５、カラーインデックス：７４１６０）
を含むエチレン−酢酸ビニル共重合体ペレット〔大日精
化（株）製、商品名：ＰＥ−Ｍ８Ｙ３４７４Ｘブル−、
銅フタロシアニン３０重量部及びエチレン−酢酸ビニル
共重合体１００重量部を含有〕０．５重量部を混合し、
それをＴダイ押出機を用いて製膜し、厚み１２０μｍの
フィルムを作成し、これを基材フィルムとした。得られ
た基材フィルムの光線透過率を上記方法により測定し
た。得られた光線透過率スペクトル（Ａ）を〔図１〕に
示す。調製例１で得られた粘着剤を約５℃に維持しなが
らロールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥
離フィルム）に塗布し、１００℃において２分間乾燥さ
せ、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。次いで、得ら
れた粘着剤表面にコロナ放電処理を施した厚さ１２０μ
ｍの基材フィルムの該処理面を張り合わせ、押圧して粘
着剤層を転写させることにより半導体ウエハ裏面研削用
粘着フィルムを製造した。直ちに紫外線に暴露されない
よう保護し、２３℃の環境で保管した。得られた粘着フ
ィルムについて上記方法により粘着力を測定した。ま
た、得られた粘着フィルムを半導体ウエハの表面（集積
回路側）に貼付して、半導体ウエハの裏面研削試験を実
施し、さらに、剥離試験を実施した。得られた結果を
〔表１〕乃至〔表４〕に示す。

【００８０】実施例２〜３、比較例１〜２ 銅フタロシアニン（ピグメントブルー１５、カラーイン
デックス：７４１６０）を含むエチレン−酢酸ビニル共
重合体ペレット〔大日精化（株）製、商品名：ＰＥ−Ｍ
８Ｙ３４７４Ｘブル−、銅フタロシアニン３０重量部及
びエチレン−酢酸ビニル共重合体１００重量部を含有〕
を０．３重量部（実施例２）、１重量部（実施例３）、
０．０７重量部（比較例１）、または、１．５重量部
（比較例２）に替えた以外、実施例１と同様にして半導
体ウエハ裏面研削用粘着フィルムをそれぞれ製造した。
得られた基材フィルムの光線透過率を実施例１と同様に
して測定し、光線透過率スペクトル（実施例２−Ｂ）、
（実施例３−Ｃ）（比較例１−Ｄ）、（比較例２−Ｅ）
を〔図１〕に示す。また、得られた半導体ウエハ裏面研
削用粘着フィルムについて実施例１と同様の試験を上記
方法により実施した。得られた結果を〔表１〕乃至〔表
４〕に示す。

【００８１】

【表１】

【００８２】

【表２】

【００８３】

【表３】

【００８４】

【表４】

【００８５】

【発明の効果】本発明の半導体ウエハ裏面研削用粘着フ
ィルムは、フタロシアニン系色素を含有した基材フィル
ムを用いている。そのため、蛍光灯等の弱い紫外線の存
在下、すなわち、波長３２０〜３８０ｎｍの紫外線の照
度が０．３ｍＷ／ｃｍ²以下程度の環境では、粘着剤層
への紫外線の到達量を減らすことができ、粘着特性の環
境紫外線に対する安定性が優れている。一方、半導体ウ
エハの裏面研削工程で通常照射されている照度３〜３０
００ｍＷ／ｃｍ²程度、強度３０〜３０００ｍＪ／ｃｍ²
程度の紫外線を照射することにより、十分に粘着力を低
下させることが可能である。従って、本発明の方法によ
れば、粘着フィルムが半導体ウエハ裏面研削工程に開封
されて取扱い、放置、保管等されたり、不測の工程トラ
ブル等により粘着フィルムが貼付機にセットされたまま
作業が一時中断した場合、半導体ウエハに粘着フィルム
が貼着された状態で作業が中断した場合等であっても粘
着力が経時的に低下することがなく、半導体ウエハの裏
面を研削する際にウエハ表面と粘着フィルムの間に水、
研削屑等が浸入してウエハが割れたり汚染することがな
い。また、酸性水溶液、アルカリ性水溶液等のエッチン
グ液により裏面をエッチングする際にはエッチング液の
浸入により集積回路が破損することがない。さらに、裏
面研削終了後、剥離に先立って強い紫外線を照射した際
には、粘着力が充分に低下するので剥離性不良によって
半導体ウエハが割れることがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】は、基材フィルムの光線透過率スペクトル（波
長域３００〜４００ｎｍ）である。

【符号の説明】

Ａ：実施例１で得られた基材フィルム。 Ｂ：実施例２で得られた基材フィルム。 Ｃ：実施例３で得られた基材フィルム。 Ｄ：比較例１で得られた基材フィルム。 Ｅ：比較例２で得られた基材フィルム。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−193031（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−190955（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−36826（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−9442（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/304 B24D 11/00 C09J 7/02 C09J 11/06

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材フィルムの片表面に紫外線照射によ
   り硬化する性質を有する粘着剤層が形成された粘着フィ
   ルムを、その粘着剤層を介して半導体ウエハの表面に貼
   付して該半導体ウエハの裏面を研削し、研削終了後に該
   粘着フィルム側から紫外線を照射し、次いで、該粘着フ
   ィルムを剥離する半導体ウエハの裏面研削方法であっ
   て、該基材フィルムが、フタロシアニン系色素を含有
   し、波長域３２０〜３８０ｎｍの全域における光線透過
   率が６０％以下、該波長域の少なくとも一部における光
   線透過率が２０％以上であり、且つ、厚みが３０〜５０
   ０μｍであることを特徴とする半導体ウエハの裏面研削
   方法。
2. 【請求項２】 フタロシアニン系色素が、一般式（１）
   〔化１〕 【化１】 （式中、Ａ₁〜Ａ₈は、各々独立に水素原子、ハロゲン原
   子、置換又は未置換のアルキル基、或いは置換又は未置
   換のアルコキシ基を表す。Ｂ₁〜Ｂ₈は、各々独立に水素
   原子、ハロゲン原子、置換又は未置換のアルキル基、或
   いは置換又は未置換のアリール基、置換又は未置換のア
   ルコキシ基、置換又は未置換のアリールオキシ基、置換
   又は未置換のアルキルチオ基、あるいは置換又は未置換
   のアリールチオ基を表す。Ｍは２価の金属原子、２価又
   は４価の置換金属原子、またはオキシ金属を表す。）で
   表される化合物であることを特徴とする請求項１記載の
   半導体ウエハの裏面研削方法。
3. 【請求項３】 前記一般式（１）におけるＭがＣｕ（I
   I）であり、Ａ₁〜Ａ₈及びＢ₁〜Ｂ₈の全てが水素原子で
   あることを特徴とする請求項２記載の半導体ウエハの裏
   面研削方法。
4. 【請求項４】 基材フィルムが、波長域３２０〜３８０
   ｎｍの全域における光線透過率が５０％以下、該波長域
   の少なくとも一部における光線透過率が３５％以上であ
   ることを特徴とする請求項１〜３に記載の半導体ウエハ
   の裏面研削方法。
5. 【請求項５】 基材フィルムの片表面に紫外線照射によ
   り硬化する性質を有する粘着剤層が形成された半導体ウ
   エハ裏面研削用粘着フィルムであって、該基材フィルム
   が、フタロシアニン系色素を含有し、波長域３２０〜３
   ８０ｎｍの全域における光線透過率が６０％以下、該波
   長域の少なくとも一部における光線透過率が２０％以上
   であり、且つ、厚みが３０〜５００μｍであることを特
   徴とする半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム。
6. 【請求項６】 フタロシアニン系色素が、一般式（１）
   〔化２〕 【化２】 （式中、Ａ₁〜Ａ₈は、各々独立に水素原子、ハロゲン原
   子、置換又は未置換のアルキル基、或いは置換又は未置
   換のアルコキシ基を表す。Ｂ₁〜Ｂ₈は、各々独立に水素
   原子、ハロゲン原子、置換又は未置換のアルキル基、或
   いは置換又は未置換のアリール基、置換又は未置換のア
   ルコキシ基、置換又は未置換のアリールオキシ基、置換
   又は未置換のアルキルチオ基、あるいは置換又は未置換
   のアリールチオ基を表す。Ｍは２価の金属原子、２価又
   は４価の置換金属原子、またはオキシ金属を表す。）で
   表される化合物であることを特徴とする請求項５記載の
   半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム。
7. 【請求項７】 前記一般式（１）におけるＭがＣｕ（I
   I）であり、Ａ₁〜Ａ₈及びＢ₁〜Ｂ₈の全てが水素原子で
   あることを特徴とする請求項６記載の半導体ウエハの裏
   面研削用粘着フィルム。
8. 【請求項８】 基材フィルムが、波長域３２０〜３８０
   ｎｍの全域における光線透過率が５０％以下、該波長域
   の少なくとも一部における光線透過率が３５％以上であ
   ることを特徴とする請求項５〜７に記載の半導体ウエハ
   裏面研削用粘着フィルム。