JPS6110242A - シリコンウエハ加工用フイルム - Google Patents
シリコンウエハ加工用フイルムInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコンウェハを研摩加工する際に用いられる
破損防止用フィルムに関する。 〔従来の技術〕 半導体チップ製造に用いられるシリコンウェハは、高純
度の単結晶シリコンより厚さ５００〜１０００μｍＫ薄
（スライスされて製造されているが、近年、チップの小
型化および量産化にともない、さらに薄肉化の傾向にあ
るとともに、その大きさは従来の５インチから６インチ
に移行されつつある。 しかして、シリコンウェハ目体はもともと脆いものであ
り、さらに、その表面に集積回路が組み込まれたもので
は、表面凸凹のためわずかな外力によっても破損し易い
という欠点があり、裏面研摩等の後加工の際の大きな障
害となっている。 従来より、破損防止方法として、パラフィンで、その凸
凹を埋めて加わる外力を分散して保腹する方法がとられ
ているが、パラフィンを塗布したり、さらに研摩後該パ
ラフィンを加熱下で溶剤を用いて洗浄、除去する工程が
必要となり、操作が煩雑になるとともに生産性向上の大
きな障害となっている。まに１パラフインによるウェハ
表面の汚染の問題もあり、パラフィン塗布法に代るウニ
・・破損防止策が強く要望されている。 〔発明が解決しようとする間重点〕 以上の点に鑑み、本発明はシリコンウェハ研摩加工に際
し、その破損を防止するとともに、生産性の向上に寄与
し、しかもウエノ・表面を汚染することのないシリコン
ウェハ加工用フィルムを提供しようとするものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは、ウエノ・表面の凸凹を埋め、外力を分散
せしめる方法として、特定の硬度を有する基材フィルム
を粘着剤を介してウニ・・表面に貼り合せることにより
破１ｊｌ’に防止できることを見い出し、更に検討を行
い１本発明を完成した。 即ち本発明は、ショアＤ型硬度か４０以下である基材フ
ィルムの表面に粘着剤を設けてなることを特徴とするシ
リコンウエノ・加工用フィルムである。 本発明で用いる基材フィルムとしては、熱可塑性、熱硬
化性合成樹脂あるいは天然、合成ゴム等からなるフィル
ムのうち、ショアＤ型硬度が４０以下、好ましくは３０
以下のもので、市販品の中から適亘選択できる。硬度が
４０を越えるとシリコンウエノ・の研１１時の破損Ｙ’
！質的に防止できない。ここでいうショアＤ型硬度とは
、Ａ８ＴＭ Ｄ−２２４０１ＣよるＤ型ショアーを用
いて測定した値である。 基材フィルムの組成として例示するならば、エチレン−
酢酸ビニル共重合体、ポリブタジェン、ポリウレタン、
軟質塩化ビニル樹脂あるいはポリオレフィン、ポリエス
テル、ポリアミド等の熱６Ｊ塑性エラストマー、および
ジエン糸、ニトリル糸、シリコン糸、アクリル系等の合
成ゴム等である。該基材フィルムの厚みは保、Ｉ！ｌＩ
するシリコンウェノ・の形状、表面状態および研摩方法
、条件により適当に決められるか、通常ｌＯμ
破損防止用フィルムに関する。 〔従来の技術〕 半導体チップ製造に用いられるシリコンウェハは、高純
度の単結晶シリコンより厚さ５００〜１０００μｍＫ薄
（スライスされて製造されているが、近年、チップの小
型化および量産化にともない、さらに薄肉化の傾向にあ
るとともに、その大きさは従来の５インチから６インチ
に移行されつつある。 しかして、シリコンウェハ目体はもともと脆いものであ
り、さらに、その表面に集積回路が組み込まれたもので
は、表面凸凹のためわずかな外力によっても破損し易い
という欠点があり、裏面研摩等の後加工の際の大きな障
害となっている。 従来より、破損防止方法として、パラフィンで、その凸
凹を埋めて加わる外力を分散して保腹する方法がとられ
ているが、パラフィンを塗布したり、さらに研摩後該パ
ラフィンを加熱下で溶剤を用いて洗浄、除去する工程が
必要となり、操作が煩雑になるとともに生産性向上の大
きな障害となっている。まに１パラフインによるウェハ
表面の汚染の問題もあり、パラフィン塗布法に代るウニ
・・破損防止策が強く要望されている。 〔発明が解決しようとする間重点〕 以上の点に鑑み、本発明はシリコンウェハ研摩加工に際
し、その破損を防止するとともに、生産性の向上に寄与
し、しかもウエノ・表面を汚染することのないシリコン
ウェハ加工用フィルムを提供しようとするものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは、ウエノ・表面の凸凹を埋め、外力を分散
せしめる方法として、特定の硬度を有する基材フィルム
を粘着剤を介してウニ・・表面に貼り合せることにより
破１ｊｌ’に防止できることを見い出し、更に検討を行
い１本発明を完成した。 即ち本発明は、ショアＤ型硬度か４０以下である基材フ
ィルムの表面に粘着剤を設けてなることを特徴とするシ
リコンウエノ・加工用フィルムである。 本発明で用いる基材フィルムとしては、熱可塑性、熱硬
化性合成樹脂あるいは天然、合成ゴム等からなるフィル
ムのうち、ショアＤ型硬度が４０以下、好ましくは３０
以下のもので、市販品の中から適亘選択できる。硬度が
４０を越えるとシリコンウエノ・の研１１時の破損Ｙ’
！質的に防止できない。ここでいうショアＤ型硬度とは
、Ａ８ＴＭ Ｄ−２２４０１ＣよるＤ型ショアーを用
いて測定した値である。 基材フィルムの組成として例示するならば、エチレン−
酢酸ビニル共重合体、ポリブタジェン、ポリウレタン、
軟質塩化ビニル樹脂あるいはポリオレフィン、ポリエス
テル、ポリアミド等の熱６Ｊ塑性エラストマー、および
ジエン糸、ニトリル糸、シリコン糸、アクリル系等の合
成ゴム等である。該基材フィルムの厚みは保、Ｉ！ｌＩ
するシリコンウェノ・の形状、表面状態および研摩方法
、条件により適当に決められるか、通常ｌＯμ
【１〜２
０００μｍである。 基材フィルム面に設ける粘着剤としては、例えばアクリ
ル系、エステル系、ウレタン糸等の粘着剤あるいは合成
ゴム系粘着剤等であり、市販されている通常の粘着剤が
使用できる。粘着剤の基材フィルムにおける膜厚みとし
ては、シリ；・ンーウエハの表面状態、形状、研摩法等
により適宜状められるが、通常５μｍ〜２００μｍが好
ましい。 粘着剤を基材フィルム面ｉｃ塗布する方法としては、従
来公知の塗布方法、例えばロールコータ−法、クラビア
ロール法、バーコード法、浸漬法、ハケ塗り法、スプレ
ー法等か採用でき、基材フィルムの全面もしくは部分面
に塗布することができる。 〔効 果〕 本発明のフィルムは、柔軟性に冨んでおり、外力を吸収
して分散する性質かあり、これをシリコンウェア表面に
貼り合せて裏面の研摩加工ヲ行うと、シリコンウエノ・
の破損を防止でき、研１１Ｉｉ後（資）単に剥すことが
できるので洗浄等の後処理が不必要であり、ウニ・・表
面の汚染もな（なるという秀れた利点を発揮するもので
ざる。 〔実施例１〕 ＡＳＴＭＤ−２２４０ＶＣ準じて測定したショアＤ型硬
度が３０であるエチレン−にトビ共重合樹脂フィルム（
２００μｍ厚さ）を用いて１片面にコロナ放電処理を施
しに後、アクリル系粘着剤箋アロマテックス〃（三井東
圧化学（株）製）をロールコータ−機により塗布、Ｉ＃
Ｊ燥して、約５０μｍのアクリル系粘着剤を設け１こフ
ィルム馨作成した。 このフィルムを、表面の凸凹差が約５０μｍであるシリ
コンウェノ・（６インチ）表面に貼り合せ、裏面を研摩
機（ディスコ社！Ａ）で（ｒＩｔｊｌＬｋ後、該フィル
ムを剥し純水で洗浄して１００枚の加工済シリコンウエ
ノ・を製造し１こ。この時のウェハ破損数は皆無であり
、作業時間はめ１時間であり１こ・ 〔実施例２〕 ショアーＤ型硬度が２０であるブタジェンゴムシート（
約３００μｍ厚さ）′？：用いて、実施例１と同様にし
て約３０μｍ厚みのアクリル系粘着剤を塗布したフィル
ムを作成し１こ。これ乞、衣面凸凹差約３０μｍのシリ
コンウエノ・表面に貼り合せ、実施例１と同様の方法に
より、１００枚の研摩シリコンウェノ・を製造し１こ。 その結果。 破損不良品は０であり、約１時間で作業を終了した。 〔比較例１〕 冥施例１で用いたと同じシリコンウェハ表面虻約５０℃
のパラフィンを流し込み冷却した後、裏面を研摩し、次
いで５０℃に加熱し、トリクロロエチレンでパラフィン
を洗浄し、更に純水で表面ケ洗浄する。従来の方法によ
り、１００枚ノアＪＩＩエシリコンウェハを製造した。 この時の破損品は０であったが、要した時間は約５時間
であり、実施例ＩＫ比らべ生産速度は約】１５であった
。また、洗浄後のウェハ表面にはパラフィンによる汚染
が認められた。 〔比較例２〕 ショアーＤ型硬度が５０である低密度ポリエチレンフィ
ルム（２００μｍ厚み）を基材フィルムとして用いた以
外、実施例１と同様にしてアクリル系粘着剤塗布フィル
ムを作成し、同様にしてシリコンウェハの研摩加工を行
った。その結果、破損九よる不良品が６枚も発生した０
手 続 補 正 書（自発） １、事件の表示 特願昭５９−１０７５３９２、発明
の名称 シリコンウェハ加工用フィルム６補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区蝮が関３−２−５名 称 （３
１２）三井東圧化学株式会社。 代表者 沢 村 治 夫 ４、代理人２７０−１１ 住 所 千葉県我孫子市策我孫子１−２９−２４明細書
全文 ６、補正の内容 １）願書の「発明の名称」を「ウェハ
加工用フィルムＪと補正す 明 細 書 １、発明の名称 ウェハ加工用フィルム ２、特許請求の範囲 １、 ショアーＤ型硬度が４０以下である基材シートの
表面に粘着剤を設けてなることを特徴とするウェハ加工
用フィルム。 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明はシリコンウェハ等を研摩加工する際に用いる破
損防止用フィルムに関する。 〔従来の技術〕 半導体チップ製造に用いられるウェハには、シリコンや
ガリウムーヒ素等のものがあシ、なかでもシリコンが多
用されている。例えばシリコ／ウェハでは、高純度の単
結晶シリコンを厚さ５（１１１〜１０００μｍ程度に薄
くスライスすることにょシ製造されているが、近年、チ
ップの小型化および量産化にともない、さらに薄肉化の
傾向にある。また、その大きさＫついても従来の５〜４
インチがら５〜８インチに移行しつつある。 シリコンウェハ自体はもともと脆いものであり、さらＫ
その表面に集積回路が組み込まれたものでは、表面凸凹
のためわずかな外力によっても破損し易いという欠点が
あシ、裏面研摩等の後加工の際の大きな障害となってい
る。 従来より破損防止方法として、パラフィン、レジストイ
ング等で、その凸凹を埋めて加わる外力を分散して保睦
する方法がとられている。しかし、この方法では、パラ
フィン等を塗布したり、さらに研摩後該パラフイ／等を
加熱下で溶剤を用いて洗浄、除去する工程が必要となり
、操作が煩雑になる。これに加え、５インチ以上の大口
径ウェハの研摩においてはウェハの破損は依然として防
止できず、生産性向上の大きな障害となっていた。 また、パラフィン等の使用により、これらによるウニ・
・表面の汚染の問題もあり、パラフィン等の塗布法に代
るウェハ破損防止策が強く要望されていた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 以上の点に鑑み、本発明はウェハ研摩加工に際し、その
破損を防止するとともに、生産性の向上に寄与し、しか
もウェハ表面を汚染することのないウェハ加工用フィル
ムを提供しようとするものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは、ウェハ表面の凸凹を埋め、外力を分散せ
しめる方法として、特定の硬度を有する基材フィルムを
粘着剤を介してウェハ表面に貼り合せることＫより破損
を防止できることを見い出し、更に検討を行い、本発明
を完成した。 即ち本発明は、ショアＤ型硬度が４０以下である基材フ
ィルムの表面に粘着剤を設けてなることを特徴とするウ
ェハ加工用フィルムである。 本発明のウェハ加工用フィルムの使用の対象となるウェ
ハはシリコンのみならず、ガリウムーヒ素、ガリウムー
リ／、ゲルマニウム、ガリウムーヒ素−アルミニウム等
のウェハがあげられ、％に大口径のシリコンウェハに好
適に使用される。 本発明で用いる基材フィルムとしては、熱可塑性、熱硬
化性合成樹脂あるいは天然、合成ゴム等からなるフィル
ムのうち、ショアＤ型硬度が４０以下、好ましくは６０
以下のもので、市販品の中から適宜選択できる。硬度が
４０を越えるとウェハの研摩時の破損を実質的に防止で
きない。ここでいうショアＤ型硬度とは、ＡＳＴＭ
Ｄ−２２４０によるＤ型ショアー硬度計を用いて測定し
た値である。 基材フィルムの組成として例示するならば、エチレン−
酢酸ビニル共重合体、ポリブタジエ／、ポリウレタン、
軟質塩化ビニル樹脂、ポリウレタン／、ポリエステル、
ポリアミド等の熱可塑性エラストマー、およびジゴン系
、ニトリル系、シリコン系、アクリル系等の合成ゴム等
である。該基材フィルムの厚みは保腫するウェハの形状
、表面状態および研摩方法、条件により適当に決められ
るが、通常１０μｍ〜２０００μｍである。 基材フィルム面に設ける粘着剤としては、例えばアクリ
ル系、エステル系、ウレタン系等の粘着剤あるいは合成
ゴム系粘着剤等で６Ｄ、市販されている通常の粘着剤が
使用できる。粘着剤の基材フィルムにおける膜厚みとし
ては、シリコンウェハの表面状態、形状、研摩法等によ
り適宜状められるが、通常５μｍ〜２００μｍが好まし
い。 粘着剤を基材フィルム面Ｋｍ布する方法としては、従来
公知の塗布方法、例えばロールコータ−法、グラビアロ
ール法、バーコード法、浸漬法、ハケ塗り法、スプレー
法等が採用でき、基材フィルムの全面もしくは部分面に
塗布することができる。 〔効 果〕 本発明のフィルムは、柔軟性に富んでおり、外力を吸収
して分散する性質があシ、これをウェア表面に貼り合せ
て裏面の研摩加工を行うと、ウェハの破損を防止でき、
研摩後簡単に剥すことができるので洗浄等の後処理が不
必要であり、ウエノ・表面の汚染もなくなるという秀れ
た利点を発揮するものである。 〔実施例〕 以下、実施例により本発明を説明する〇実施例１ ＡＳＴＭ Ｄ−２２４０に準じて測定したショアＤ型
硬度が３０であるエチレン−酢ビ共重合樹脂フィルム（
２００μｍ厚さ）を用いて、片面にコロナ放電処理を施
した後、アクリル系粘着剤”アロマテックス” （三井
東圧化学（株）製）をロールコータ−機により塗布、乾
燥して、約５０μｍのアクリル系粘着剤を設けたフィル
ムを作成した。 このフィルムを、表面の凸凹差が約５０μｍであるシリ
コンウェハ（６インチ）表面に貼り合せ、裏面を研摩機
（ディスコ社製）で研摩した後、該フィルムを剥し純水
で洗浄して１００枚の加工済シリコンウェハを製造した
。この時のウェハ破損数は皆無であり、作業時間は約１
時間であった。 実施例２ ショアーＤ型硬度が２０であるブタジェンゴムシート（
約５００μｍ厚さ）を用いて、実施例１と同様にして約
５０μｍ厚みのアクリル系粘着剤を塗布したフィルムを
作成した。これを、表面凸凹差約３０μｍのシリコ／ウ
ェハ表面に貼シ合せ、実施例１と同様の方法により、１
００枚の研摩シリコンウェハを製造した。その結果、破
損不良品は０であシ、約１時間で゛作業を終了した。 比較例１ 実施例１で用いたと同じシリコンウェハ表面に約５０℃
のパラフィンを流し込み冷却した後、裏面を研摩し、次
いで５０℃に加熱し、トリクロロエチレ／でパラフィン
を洗浄し、更に純水で表面を洗浄する従来の方法によシ
、１００枚の加工シリコ／ウェハを装造した。この時の
破損品＃′ｉ０であったが、要した時間は約５時間であ
り、実施例１に比らべ生産速度は約にであった。また、
洗浄後のウェハ表面にはパラフィンによる汚染が認めら
れた。 比較例２ ショアーＤ型硬度が５０である低密度ポリエチレ／フィ
ルム（２００μｍ厚み）を基材フィルムとして用いた以
外、実施例１と同様にしてアクリル糸粘着剤塗布フィル
ムを作成し、同様にしてシリコンウェハの研摩加工を行
った。その結果、破損による不良品が６枚も発生した。
０００μｍである。 基材フィルム面に設ける粘着剤としては、例えばアクリ
ル系、エステル系、ウレタン糸等の粘着剤あるいは合成
ゴム系粘着剤等であり、市販されている通常の粘着剤が
使用できる。粘着剤の基材フィルムにおける膜厚みとし
ては、シリ；・ンーウエハの表面状態、形状、研摩法等
により適宜状められるが、通常５μｍ〜２００μｍが好
ましい。 粘着剤を基材フィルム面ｉｃ塗布する方法としては、従
来公知の塗布方法、例えばロールコータ−法、クラビア
ロール法、バーコード法、浸漬法、ハケ塗り法、スプレ
ー法等か採用でき、基材フィルムの全面もしくは部分面
に塗布することができる。 〔効 果〕 本発明のフィルムは、柔軟性に冨んでおり、外力を吸収
して分散する性質かあり、これをシリコンウェア表面に
貼り合せて裏面の研摩加工ヲ行うと、シリコンウエノ・
の破損を防止でき、研１１Ｉｉ後（資）単に剥すことが
できるので洗浄等の後処理が不必要であり、ウニ・・表
面の汚染もな（なるという秀れた利点を発揮するもので
ざる。 〔実施例１〕 ＡＳＴＭＤ−２２４０ＶＣ準じて測定したショアＤ型硬
度が３０であるエチレン−にトビ共重合樹脂フィルム（
２００μｍ厚さ）を用いて１片面にコロナ放電処理を施
しに後、アクリル系粘着剤箋アロマテックス〃（三井東
圧化学（株）製）をロールコータ−機により塗布、Ｉ＃
Ｊ燥して、約５０μｍのアクリル系粘着剤を設け１こフ
ィルム馨作成した。 このフィルムを、表面の凸凹差が約５０μｍであるシリ
コンウェノ・（６インチ）表面に貼り合せ、裏面を研摩
機（ディスコ社！Ａ）で（ｒＩｔｊｌＬｋ後、該フィル
ムを剥し純水で洗浄して１００枚の加工済シリコンウエ
ノ・を製造し１こ。この時のウェハ破損数は皆無であり
、作業時間はめ１時間であり１こ・ 〔実施例２〕 ショアーＤ型硬度が２０であるブタジェンゴムシート（
約３００μｍ厚さ）′？：用いて、実施例１と同様にし
て約３０μｍ厚みのアクリル系粘着剤を塗布したフィル
ムを作成し１こ。これ乞、衣面凸凹差約３０μｍのシリ
コンウエノ・表面に貼り合せ、実施例１と同様の方法に
より、１００枚の研摩シリコンウェノ・を製造し１こ。 その結果。 破損不良品は０であり、約１時間で作業を終了した。 〔比較例１〕 冥施例１で用いたと同じシリコンウェハ表面虻約５０℃
のパラフィンを流し込み冷却した後、裏面を研摩し、次
いで５０℃に加熱し、トリクロロエチレンでパラフィン
を洗浄し、更に純水で表面ケ洗浄する。従来の方法によ
り、１００枚ノアＪＩＩエシリコンウェハを製造した。 この時の破損品は０であったが、要した時間は約５時間
であり、実施例ＩＫ比らべ生産速度は約】１５であった
。また、洗浄後のウェハ表面にはパラフィンによる汚染
が認められた。 〔比較例２〕 ショアーＤ型硬度が５０である低密度ポリエチレンフィ
ルム（２００μｍ厚み）を基材フィルムとして用いた以
外、実施例１と同様にしてアクリル系粘着剤塗布フィル
ムを作成し、同様にしてシリコンウェハの研摩加工を行
った。その結果、破損九よる不良品が６枚も発生した０
手 続 補 正 書（自発） １、事件の表示 特願昭５９−１０７５３９２、発明
の名称 シリコンウェハ加工用フィルム６補正をする
者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区蝮が関３−２−５名 称 （３
１２）三井東圧化学株式会社。 代表者 沢 村 治 夫 ４、代理人２７０−１１ 住 所 千葉県我孫子市策我孫子１−２９−２４明細書
全文 ６、補正の内容 １）願書の「発明の名称」を「ウェハ
加工用フィルムＪと補正す 明 細 書 １、発明の名称 ウェハ加工用フィルム ２、特許請求の範囲 １、 ショアーＤ型硬度が４０以下である基材シートの
表面に粘着剤を設けてなることを特徴とするウェハ加工
用フィルム。 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明はシリコンウェハ等を研摩加工する際に用いる破
損防止用フィルムに関する。 〔従来の技術〕 半導体チップ製造に用いられるウェハには、シリコンや
ガリウムーヒ素等のものがあシ、なかでもシリコンが多
用されている。例えばシリコ／ウェハでは、高純度の単
結晶シリコンを厚さ５（１１１〜１０００μｍ程度に薄
くスライスすることにょシ製造されているが、近年、チ
ップの小型化および量産化にともない、さらに薄肉化の
傾向にある。また、その大きさＫついても従来の５〜４
インチがら５〜８インチに移行しつつある。 シリコンウェハ自体はもともと脆いものであり、さらＫ
その表面に集積回路が組み込まれたものでは、表面凸凹
のためわずかな外力によっても破損し易いという欠点が
あシ、裏面研摩等の後加工の際の大きな障害となってい
る。 従来より破損防止方法として、パラフィン、レジストイ
ング等で、その凸凹を埋めて加わる外力を分散して保睦
する方法がとられている。しかし、この方法では、パラ
フィン等を塗布したり、さらに研摩後該パラフイ／等を
加熱下で溶剤を用いて洗浄、除去する工程が必要となり
、操作が煩雑になる。これに加え、５インチ以上の大口
径ウェハの研摩においてはウェハの破損は依然として防
止できず、生産性向上の大きな障害となっていた。 また、パラフィン等の使用により、これらによるウニ・
・表面の汚染の問題もあり、パラフィン等の塗布法に代
るウェハ破損防止策が強く要望されていた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 以上の点に鑑み、本発明はウェハ研摩加工に際し、その
破損を防止するとともに、生産性の向上に寄与し、しか
もウェハ表面を汚染することのないウェハ加工用フィル
ムを提供しようとするものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは、ウェハ表面の凸凹を埋め、外力を分散せ
しめる方法として、特定の硬度を有する基材フィルムを
粘着剤を介してウェハ表面に貼り合せることＫより破損
を防止できることを見い出し、更に検討を行い、本発明
を完成した。 即ち本発明は、ショアＤ型硬度が４０以下である基材フ
ィルムの表面に粘着剤を設けてなることを特徴とするウ
ェハ加工用フィルムである。 本発明のウェハ加工用フィルムの使用の対象となるウェ
ハはシリコンのみならず、ガリウムーヒ素、ガリウムー
リ／、ゲルマニウム、ガリウムーヒ素−アルミニウム等
のウェハがあげられ、％に大口径のシリコンウェハに好
適に使用される。 本発明で用いる基材フィルムとしては、熱可塑性、熱硬
化性合成樹脂あるいは天然、合成ゴム等からなるフィル
ムのうち、ショアＤ型硬度が４０以下、好ましくは６０
以下のもので、市販品の中から適宜選択できる。硬度が
４０を越えるとウェハの研摩時の破損を実質的に防止で
きない。ここでいうショアＤ型硬度とは、ＡＳＴＭ
Ｄ−２２４０によるＤ型ショアー硬度計を用いて測定し
た値である。 基材フィルムの組成として例示するならば、エチレン−
酢酸ビニル共重合体、ポリブタジエ／、ポリウレタン、
軟質塩化ビニル樹脂、ポリウレタン／、ポリエステル、
ポリアミド等の熱可塑性エラストマー、およびジゴン系
、ニトリル系、シリコン系、アクリル系等の合成ゴム等
である。該基材フィルムの厚みは保腫するウェハの形状
、表面状態および研摩方法、条件により適当に決められ
るが、通常１０μｍ〜２０００μｍである。 基材フィルム面に設ける粘着剤としては、例えばアクリ
ル系、エステル系、ウレタン系等の粘着剤あるいは合成
ゴム系粘着剤等で６Ｄ、市販されている通常の粘着剤が
使用できる。粘着剤の基材フィルムにおける膜厚みとし
ては、シリコンウェハの表面状態、形状、研摩法等によ
り適宜状められるが、通常５μｍ〜２００μｍが好まし
い。 粘着剤を基材フィルム面Ｋｍ布する方法としては、従来
公知の塗布方法、例えばロールコータ−法、グラビアロ
ール法、バーコード法、浸漬法、ハケ塗り法、スプレー
法等が採用でき、基材フィルムの全面もしくは部分面に
塗布することができる。 〔効 果〕 本発明のフィルムは、柔軟性に富んでおり、外力を吸収
して分散する性質があシ、これをウェア表面に貼り合せ
て裏面の研摩加工を行うと、ウェハの破損を防止でき、
研摩後簡単に剥すことができるので洗浄等の後処理が不
必要であり、ウエノ・表面の汚染もなくなるという秀れ
た利点を発揮するものである。 〔実施例〕 以下、実施例により本発明を説明する〇実施例１ ＡＳＴＭ Ｄ−２２４０に準じて測定したショアＤ型
硬度が３０であるエチレン−酢ビ共重合樹脂フィルム（
２００μｍ厚さ）を用いて、片面にコロナ放電処理を施
した後、アクリル系粘着剤”アロマテックス” （三井
東圧化学（株）製）をロールコータ−機により塗布、乾
燥して、約５０μｍのアクリル系粘着剤を設けたフィル
ムを作成した。 このフィルムを、表面の凸凹差が約５０μｍであるシリ
コンウェハ（６インチ）表面に貼り合せ、裏面を研摩機
（ディスコ社製）で研摩した後、該フィルムを剥し純水
で洗浄して１００枚の加工済シリコンウェハを製造した
。この時のウェハ破損数は皆無であり、作業時間は約１
時間であった。 実施例２ ショアーＤ型硬度が２０であるブタジェンゴムシート（
約５００μｍ厚さ）を用いて、実施例１と同様にして約
５０μｍ厚みのアクリル系粘着剤を塗布したフィルムを
作成した。これを、表面凸凹差約３０μｍのシリコ／ウ
ェハ表面に貼シ合せ、実施例１と同様の方法により、１
００枚の研摩シリコンウェハを製造した。その結果、破
損不良品は０であシ、約１時間で゛作業を終了した。 比較例１ 実施例１で用いたと同じシリコンウェハ表面に約５０℃
のパラフィンを流し込み冷却した後、裏面を研摩し、次
いで５０℃に加熱し、トリクロロエチレ／でパラフィン
を洗浄し、更に純水で表面を洗浄する従来の方法によシ
、１００枚の加工シリコ／ウェハを装造した。この時の
破損品＃′ｉ０であったが、要した時間は約５時間であ
り、実施例１に比らべ生産速度は約にであった。また、
洗浄後のウェハ表面にはパラフィンによる汚染が認めら
れた。 比較例２ ショアーＤ型硬度が５０である低密度ポリエチレ／フィ
ルム（２００μｍ厚み）を基材フィルムとして用いた以
外、実施例１と同様にしてアクリル糸粘着剤塗布フィル
ムを作成し、同様にしてシリコンウェハの研摩加工を行
った。その結果、破損による不良品が６枚も発生した。
Claims (1)
- １、ショアーＤ型硬度が４０以下である基材シートの表
面に粘着剤を設けてなることを特徴とするシリコンウェ
ハ加工用フィルム。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59107539A JPH0618190B2 (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | ウエハ加工用フイルム |
| DE8585902642T DE3581514D1 (de) | 1984-05-29 | 1985-05-23 | Film zur behandlung von halbleiterwaffeln. |
| EP19850902642 EP0185767B1 (en) | 1984-05-29 | 1985-05-23 | Film for machining wafers |
| US06/823,492 US4853286A (en) | 1984-05-29 | 1985-05-23 | Wafer processing film |
| KR1019860700046A KR900001236B1 (ko) | 1984-05-29 | 1985-05-23 | 웨이퍼 가공용필름 |
| PCT/JP1985/000284 WO1985005734A1 (en) | 1984-05-29 | 1985-05-23 | Film for machining wafers |
| US07/357,351 US4928438A (en) | 1984-05-29 | 1989-05-26 | Wafer processing film |
| SG53191A SG53191G (en) | 1984-05-29 | 1991-07-09 | Film for machining wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59107539A JPH0618190B2 (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | ウエハ加工用フイルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6110242A true JPS6110242A (ja) | 1986-01-17 |
| JPH0618190B2 JPH0618190B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=14461752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59107539A Expired - Lifetime JPH0618190B2 (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | ウエハ加工用フイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618190B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62299034A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-26 | Matsushita Electronics Corp | 半導体ウエハ−の研削方法 |
| JPS6394630A (ja) * | 1986-10-08 | 1988-04-25 | Rohm Co Ltd | 半導体ウエハの裏面加工方法 |
| JPH04223811A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-08-13 | Goeltenbodt Praezisionswerkzeug & Mas Fab Gmbh & Co | 加工機械の設定を変更するための方法及び装置 |
| US5489474A (en) * | 1992-09-04 | 1996-02-06 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Degradable adhesive film and degradable resin composition |
| JP2009260230A (ja) | 2008-03-21 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7976952B2 (en) | 2005-02-23 | 2011-07-12 | Nitto Denko Corporation | Multilayer sheet, production method thereof and pressure-sensitive adhesive sheet using the multilayer sheet |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009028068A1 (ja) | 2007-08-30 | 2009-03-05 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | 粘着シート及び電子部品の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS5737836A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5745929A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-16 | Nec Corp | Grinding method for semiconductor wafer |
-
1984
- 1984-05-29 JP JP59107539A patent/JPH0618190B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US7976952B2 (en) | 2005-02-23 | 2011-07-12 | Nitto Denko Corporation | Multilayer sheet, production method thereof and pressure-sensitive adhesive sheet using the multilayer sheet |
| JP2009260230A (ja) | 2008-03-21 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0618190B2 (ja) | 1994-03-09 |
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