JPH03178054A - スタンパーの残留ホトレジスト除去方法 - Google Patents
スタンパーの残留ホトレジスト除去方法Info
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- JPH03178054A JPH03178054A JP31536789A JP31536789A JPH03178054A JP H03178054 A JPH03178054 A JP H03178054A JP 31536789 A JP31536789 A JP 31536789A JP 31536789 A JP31536789 A JP 31536789A JP H03178054 A JPH03178054 A JP H03178054A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光ディスクの製造原盤となるスタンパーの製
造過程において、スタンパー面上に付着して残留したホ
トレジストの除去方法に関するものである。
造過程において、スタンパー面上に付着して残留したホ
トレジストの除去方法に関するものである。
[発明のw1要1
本発明のスタンパーの残留ホトレジスト除去方法は、残
留ホトレジストが付着したスタンパー面上に、残留ホト
レジストと親和性の高い樹脂を塗布して硬化させ、この
樹脂をスタンパーから剥すことによって、容易に残留ホ
トレジストを除去できるようにしたものである。
留ホトレジストが付着したスタンパー面上に、残留ホト
レジストと親和性の高い樹脂を塗布して硬化させ、この
樹脂をスタンパーから剥すことによって、容易に残留ホ
トレジストを除去できるようにしたものである。
[従来の技術]
まず、光ディスクの製造工程について第2図によって簡
単に説明する。
単に説明する。
最初に第2図(a)に示すように研磨されたガラス原盤
G上にホトレジストPRが塗布され、これがカッティン
グマシンにかけられ、データで変調された記録レーザ光
りによって、同図(b)に示すように感光部分PLが形
成される。感光部分PLは現像処理によって凹型のビッ
トとされ、同図(c)のような成形原盤G、が作成され
る。
G上にホトレジストPRが塗布され、これがカッティン
グマシンにかけられ、データで変調された記録レーザ光
りによって、同図(b)に示すように感光部分PLが形
成される。感光部分PLは現像処理によって凹型のビッ
トとされ、同図(c)のような成形原盤G、が作成され
る。
次に成形原盤G、上に、無電解メツキ等によってニッケ
ル等の金属層Kが形成され、この金属層Kが成形原盤G
、から剥離されてスタンパー8Tとされる(同図(d)
〜(e))。
ル等の金属層Kが形成され、この金属層Kが成形原盤G
、から剥離されてスタンパー8Tとされる(同図(d)
〜(e))。
形成されたスタンパー37は、最内周部及び最外周部が
切落された後(センターホール及び外形の処理)プレス
機に取り付けられ、このプレス処理によって同図(f)
に示すように、ピットが成形された樹脂によるディスク
Dが形成される。そしてディスクDのピット面には、反
射のための金属膜Rや樹脂による保護層Hが形成され、
さらにセンターホールや外形の処理等がなされて光ディ
スクDが完成する(同図(g))。
切落された後(センターホール及び外形の処理)プレス
機に取り付けられ、このプレス処理によって同図(f)
に示すように、ピットが成形された樹脂によるディスク
Dが形成される。そしてディスクDのピット面には、反
射のための金属膜Rや樹脂による保護層Hが形成され、
さらにセンターホールや外形の処理等がなされて光ディ
スクDが完成する(同図(g))。
ところで、上記第2図(d)〜(e)に示した、金属層
Kを成形原盤G、から剥離してスタンパー3Tを形成す
る際には、成形原盤G、上に塗布されていたホトレジス
トPRが金属層に側にランダムに付着してくる。すなわ
ち剥離されたスタンパ−37のビット面上には部分的、
又は全面的に残留ホトレジストPR*が付着しているこ
とになる。このため、スタンパ−3Tによって光ディス
クを製造するプレス工程(同図(f))に供される前に
、残留ホトレジストPR,を除去する作業が必要になる
。
Kを成形原盤G、から剥離してスタンパー3Tを形成す
る際には、成形原盤G、上に塗布されていたホトレジス
トPRが金属層に側にランダムに付着してくる。すなわ
ち剥離されたスタンパ−37のビット面上には部分的、
又は全面的に残留ホトレジストPR*が付着しているこ
とになる。このため、スタンパ−3Tによって光ディス
クを製造するプレス工程(同図(f))に供される前に
、残留ホトレジストPR,を除去する作業が必要になる
。
この残留ホトレジストPRRを除去するための従来の方
法としては、例えば第3図に示すような洗浄機Wをする
ものが知られている。すなわちカバー〇でmわれた空間
内で、スタンパ−8□を。
法としては、例えば第3図に示すような洗浄機Wをする
ものが知られている。すなわちカバー〇でmわれた空間
内で、スタンパ−8□を。
搭載したターンテーブルT、を回転させるとともに、ノ
ズルNからアセトン等の有機溶剤を噴射し、残留ホトレ
ジストP RRを溶解して排気口!1から流し出す方法
がとられていた。
ズルNからアセトン等の有機溶剤を噴射し、残留ホトレ
ジストP RRを溶解して排気口!1から流し出す方法
がとられていた。
なお、以上のように洗浄されたスタンパー3□には、保
管中等の表面の保護等のために保護膜が塗布される。
管中等の表面の保護等のために保護膜が塗布される。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、従来の残留ホトレジストPR。
を除去方法では、単に上記のような専用の洗浄機Wが必
要であるだけでなく、有害性の強いアセトン等を多量に
使用するため、十分な排気設備まで含めた大型で高価な
設備が必要になるという欠点がある。
要であるだけでなく、有害性の強いアセトン等を多量に
使用するため、十分な排気設備まで含めた大型で高価な
設備が必要になるという欠点がある。
また、有機溶剤を多量に使用するために有機溶剤の補充
作業やその廃棄物の処理、スタンパー37から除去され
た残留ホトレジストPR,成分が洗浄機Wの内部に残留
してしまうため常に洗浄機内部の清掃作業′が必要にな
るなど、使用上、管理上の負担が大きいという問題もあ
り、光デイスク製造工程の合理化の妨げとなっていた。
作業やその廃棄物の処理、スタンパー37から除去され
た残留ホトレジストPR,成分が洗浄機Wの内部に残留
してしまうため常に洗浄機内部の清掃作業′が必要にな
るなど、使用上、管理上の負担が大きいという問題もあ
り、光デイスク製造工程の合理化の妨げとなっていた。
[問題点を解決するための手段J
本発明はこのような問題点にかんがみてなされたもので
あり、残留ホトレジストが付着したスタンパー面上に残
留ホトレジストと親和性の高い樹脂を塗布して硬化させ
、この樹脂をスタンパ−から剥すことによって残留ホト
レジストを同時に除去するようにした方法を提供するも
のである。
あり、残留ホトレジストが付着したスタンパー面上に残
留ホトレジストと親和性の高い樹脂を塗布して硬化させ
、この樹脂をスタンパ−から剥すことによって残留ホト
レジストを同時に除去するようにした方法を提供するも
のである。
[作用J
スタンパ−上に付着した残留ホトレジスト成分は、塗布
された樹脂との密着性が高いため、その樹脂をスタンパ
−から剥すことによって樹脂と一緒にスタンパ−上から
剥離される。
された樹脂との密着性が高いため、その樹脂をスタンパ
−から剥すことによって樹脂と一緒にスタンパ−上から
剥離される。
[実施例]
本発明の一実施例を第1図に従って説明する。
第1図(a)において、lは成形原盤から剥されて作成
されたスタンパー2はスタンパー上に付着した残留ホト
レジストを示す。なお、このホトレジストはポジ型であ
って、ノボラック樹脂に感光剤が添加されて生成された
ものとする。
されたスタンパー2はスタンパー上に付着した残留ホト
レジストを示す。なお、このホトレジストはポジ型であ
って、ノボラック樹脂に感光剤が添加されて生成された
ものとする。
このようなスタンパ−1に対し、同図(b)に示すよう
に、アクリル酸エステルを含む紫外光硬化型樹脂3を塗
布する。
に、アクリル酸エステルを含む紫外光硬化型樹脂3を塗
布する。
そして、同図(c)に示すように紫外光硬化型樹脂3に
対して、紫外線照射装置4によって紫外線UVを照射し
て、紫外光硬化型樹脂3を光化学反応によって硬化させ
る。
対して、紫外線照射装置4によって紫外線UVを照射し
て、紫外光硬化型樹脂3を光化学反応によって硬化させ
る。
最後に、硬化した樹脂3を、例えば接着テープTPを利
用したテープビール等の方法により、同図(d)に示す
ように、スタンパ−1から剥離していくと、残留ホトレ
ジスト2も樹脂3とともにスタンパー1上から除去され
ていくことになる。
用したテープビール等の方法により、同図(d)に示す
ように、スタンパ−1から剥離していくと、残留ホトレ
ジスト2も樹脂3とともにスタンパー1上から除去され
ていくことになる。
この実施例のスタンパーの残留ホトレジスト除去方法を
採用することにより、ホトレジスト除去のために専用の
大型設備を必要とせずに、非常に簡単にクリーンなスタ
ンパ−が得られることになる。
採用することにより、ホトレジスト除去のために専用の
大型設備を必要とせずに、非常に簡単にクリーンなスタ
ンパ−が得られることになる。
また、塗布され硬化した樹脂3はスタンパ−1の保存中
、運搬中等の保護膜としても機能するため、上記第1図
(d)の作業はスタンパ−1の使用直前に行なうように
することにより、従来のように、洗浄後に保護膜を塗布
する作業を省略でき、工程は著しく合理化される。
、運搬中等の保護膜としても機能するため、上記第1図
(d)の作業はスタンパ−1の使用直前に行なうように
することにより、従来のように、洗浄後に保護膜を塗布
する作業を省略でき、工程は著しく合理化される。
なお、この実施例では、塗布する樹脂としてアクリル酸
エステルを含む紫外光硬化型樹脂をあげて説明したが、
ノボラック樹脂をベースとするポジ型のホトレジストな
使用する場合には、例えばシリテクト(商品名)等の有
機溶剤型のアクリル酸樹脂を使用してもよい。いづれに
しても、使用されたホトレジストと親和性が高い樹脂で
あれば利用可能である。
エステルを含む紫外光硬化型樹脂をあげて説明したが、
ノボラック樹脂をベースとするポジ型のホトレジストな
使用する場合には、例えばシリテクト(商品名)等の有
機溶剤型のアクリル酸樹脂を使用してもよい。いづれに
しても、使用されたホトレジストと親和性が高い樹脂で
あれば利用可能である。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明のスタンパ−の残留ホトレ
ジスト除去方法によれば、従来の除去方法のように設備
上、管理上、使用上の負担を生ずることなく、非常に容
易にホトレジストの除去を達成し、クリーンなスタンパ
−を得ることができるという効果がある。また、塗布さ
れ、硬化した樹脂はスタンパ−の保護膜として機能する
ため、ホトレジスト除去作業とは別に保護膜を生成する
作業は必要なくなるという効果もある。
ジスト除去方法によれば、従来の除去方法のように設備
上、管理上、使用上の負担を生ずることなく、非常に容
易にホトレジストの除去を達成し、クリーンなスタンパ
−を得ることができるという効果がある。また、塗布さ
れ、硬化した樹脂はスタンパ−の保護膜として機能する
ため、ホトレジスト除去作業とは別に保護膜を生成する
作業は必要なくなるという効果もある。
そして、これらの効果によって生産工程の著しい合理化
も達成される。
も達成される。
第1図(a)〜(d)は本発明の一実施例の説明図、第
2図(a)〜(g)は光ディスクの製造工程の説明図、
第3図は従来のホトレジスト除去作業に使用された洗浄
機の説明図である。 lはスタンパ−12は残留ホトレジスト、3は紫外光硬
化型樹脂を示す。
2図(a)〜(g)は光ディスクの製造工程の説明図、
第3図は従来のホトレジスト除去作業に使用された洗浄
機の説明図である。 lはスタンパ−12は残留ホトレジスト、3は紫外光硬
化型樹脂を示す。
Claims (1)
- 残留ホトレジストが付着したスタンパー面上に、前記残
留ホトレジストと親和性の高い樹脂を塗布し、該樹脂を
硬化させた後、該樹脂を前記スタンパー面から剥すこと
によって残留ホトレジストを除去するようにしたことを
特徴とするスタンパーの残留ホトレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31536789A JPH03178054A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | スタンパーの残留ホトレジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31536789A JPH03178054A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | スタンパーの残留ホトレジスト除去方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03178054A true JPH03178054A (ja) | 1991-08-02 |
Family
ID=18064561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31536789A Pending JPH03178054A (ja) | 1989-12-06 | 1989-12-06 | スタンパーの残留ホトレジスト除去方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03178054A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0926732A2 (en) * | 1997-12-10 | 1999-06-30 | Nitto Denko Corporation | Process for producing semiconductor device and pressure-sensitive adhesive sheet for surface protection |
US6086701A (en) * | 1997-03-06 | 2000-07-11 | Nitto Denko Corporation | Process for the production of stamper |
-
1989
- 1989-12-06 JP JP31536789A patent/JPH03178054A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6086701A (en) * | 1997-03-06 | 2000-07-11 | Nitto Denko Corporation | Process for the production of stamper |
EP0926732A2 (en) * | 1997-12-10 | 1999-06-30 | Nitto Denko Corporation | Process for producing semiconductor device and pressure-sensitive adhesive sheet for surface protection |
EP0926732A3 (en) * | 1997-12-10 | 2001-01-03 | Nitto Denko Corporation | Process for producing semiconductor device and pressure-sensitive adhesive sheet for surface protection |
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