TWI713692B - 半導體加工板片 - Google Patents

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Abstract

一種半導體加工板片用基材膜，係在具備基材膜、及被層積在該基材膜的至少一面側的黏著劑層之半導體加工板片所使用的半導體加工板片用基材膜，其特徵在於含有氯乙烯系樹脂，而且含有對苯二甲酸酯、己二酸酯、及硬脂酸鋇。又，一種具備該基材膜之半導體加工板片。使用此種半導體加工板片用基材膜以及半導體加工板片時，雖然使用鄰苯二甲酸烷酯的代替物質作為可塑劑，但是能夠顯示充分的擴展性且具有良好的拾取性能，而且能夠抑制該拾取性能的經時低落且能夠抑制從被黏著物剝離時產生殘渣物。

Description

半導體加工板片
本發明係有關於一種在將半導體晶圓等的被加工物進行加工時，在貼附該被加工物之半導體加工板片及該半導體加工板片所使用的基材膜。
例如，矽、砷化鎵等的半導體晶圓及各種組件類(以下，有將該等彙總記載為「被加工物」之情形)，係在大直徑的狀態下製造之後，被切斷分離(切割)成為元件小片(以下，記載為「晶片」)，同時將各個剝離(拾取)且被移送至下一個步驟之裝配步驟。此時，半導體晶圓等的被加工物係在被貼附於具備基材膜及黏著劑層之半導體加工板片的狀態下，施行切割、洗淨、乾燥、擴展、拾取及裝配的各步驟。
在上述的擴展，係為了使晶片的拾取變成容易，將半導體加工板片進行擴展而使晶片間隔分離，且在拾取後使半導體加工板片回復原來的狀態。因而，半導體加工板片、特別是半導體加工板片的基材膜，係被要求能夠擴展及復原之伸縮性(擴展性)。因此作為該基材膜，多半是使用含有可塑劑之聚氯乙烯膜(專利文獻1、2)。
作為被調配在聚氯乙烯之可塑劑，係使用鄰苯二甲酸的烷酯、典型地係使用鄰苯二甲酸二辛酯(DOP)和鄰苯二 甲酸二丁酯(DBP)。含有DOP、DBP等的可塑劑之軟質聚氯乙烯(PVC)膜，因為其兼具優異的機械特性所具有的剛性、及可塑劑所得到的柔軟性，所以被廣泛地使用作為半導體加工板片用的基材。
但是，DOP和DBP之鄰苯二甲酸烷酯，係在歐洲之RoHS(有關於危險物質之限制)指令的管制對象候補物質，又，在REACH(在歐盟用以保護人體健康和環境之歐洲議會及歐洲理事會法規)，可舉出作為SVHC(高關注物質)的認可物質。因此，今後針對鄰苯二甲酸烷酯的使用，被限制的可能性為非常高，而進行代替物質的檢索。
作為鄰苯二甲酸烷酯的代替物，有提案揭示一種黏著板片，其係將使選自琥珀酸、己二酸及對苯二甲酸之至少1種二羧酸、及1,4-丁二醇作為共聚合成分而含有之樹脂使用在基材而成(專利文獻3)。
先前技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]日本特開2001-207140號公報
[專利文獻2]日本特開2010-260893號公報
[專利文獻3]日本特開2011-061189號公報
在進行前述的擴展步驟時，半導體加工板片係被要求良好的擴展性。但是，將作為鄰苯二甲酸烷酯的代替物質 之專利文獻3的共聚合成分使用作為可塑劑而成之基材，其擴展性有不充分之情形，作為半導體加工板片用基材，係無法說是充分者。
又，在氯乙烯系基材的一面設置有黏著劑層之半導體加工板片，在製成板片後至使用為止之期間，基材內部的可塑劑有移行至黏著劑層內部且被吸收在黏著劑層內部之情形。此時，依照可塑劑選擇，例如將板片長期保管時等，由於黏著劑層的黏著性產生變化，而有無法良好地進行晶片的拾取之情形。特別是近年伴隨著半導體裝置的小型化．薄型化，因為被搭載在該半導體裝置之半導體晶片亦朝向薄型化進展，所以晶片的拾取性不良時，依照情況而致使晶片產生裂紋或缺口等的不良。
而且，基材內部的可塑劑有被黏著劑層內部吸收之情形，依照可塑劑的選擇，在將半導體加工板片從半導體剝離時，可塑劑本身有產生以殘渣物的方式殘留在半導體、或與黏著劑成分的混合物的方式殘留在半導體之不良(以下，有將該等彙總而簡稱為「殘渣物」之情形)。
本發明係鑒於如上述的實際情形而進行，其目的係提供一種半導體加工板片用基材膜以及半導體加工板片，雖然使用鄰苯二甲酸烷酯的代替物質作為可塑劑，但是能夠顯示充分的擴展性且具有良好的拾取性能，而且能夠抑制該拾取性能的經時低落且能夠抑制從被黏著物剝離時產生殘渣物。
為了解決上述課題，本發明第1係提供一種半導 體加工板片用基材膜，其係在具備基材膜、及被層積在該基材膜的至少一面側的黏著劑層之半導體加工板片所使用的半導體加工板片用基材膜，其特徵在於含有氯乙烯系樹脂，而且含有對苯二甲酸酯、己二酸酯、及硬脂酸鋇(發明1)。
在上述發明(發明1)，因為將對苯二甲酸酯及己二酸酯併用，所以具有優異的擴展性。又，在上述發明(發明1)，藉由將對苯二甲酸酯、己二酸酯、及硬脂酸鋇併用，半導體加工板片的拾取性能係成為良好者，而且能夠抑制該拾取性能的經時低落且能夠抑制在將被黏著物從半導體加工板片剝離時黏著劑產生殘渣物。
在上述發明(發明1)之半導體加工板片用基材膜，前述對苯二甲酸酯的含量係以比前述己二酸酯的含量更多為佳(發明2)。
在上述發明(發明1、2)，前述己二酸酯係以選自由己二酸二(2-乙基己基)酯、己二酸二異壬酯、己二酸二異癸酯及己二酸二(2-丁氧基乙基)酯所組成群組之1種或2種以上為佳(發明3)。
在上述發明(發明1~3)，前述對苯二甲酸酯係以對苯二甲酸二(2-乙基己基)酯為佳(發明4)。
上述發明(發明1~4)之半導體加工板片用基材膜，其鄰苯二甲酸二(2-乙基己基)酯、鄰苯二甲酸二丁酯、鄰苯二甲酸苄基丁酯及鄰苯二甲酸二異丁酯的含量，係任一者均以0.001質量%以下為佳(發明5)。
在上述發明(發明1~5)，將去離子水20mL添加在 前述基材膜1g且於121℃萃取24小時後之萃取氯離子量，係以1000ppm以下為佳(發明6)。
本發明第2係提供一種半導體加工板片，其係具備基材膜及被層積在前述基材膜的至少一面側的黏著劑層之半導體加工板片，其特徵在於前述基材膜為上述發明(發明1~6)之半導體加工板片用基材膜(發明7)。
在上述發明(發明7)，前述黏著劑層，係以含有與在前述基材膜所含有的前述對苯二甲酸酯同種的對苯二甲酸酯為佳(發明8)。
在上述發明(發明7、8)，前述黏著劑係以能量線非硬化性為佳(發明9)。
在上述發明(發明7~9)，前述黏著劑層，係以由含有丙烯酸系聚合物之黏著劑組成物所形成的黏著劑所構成為佳(發明10)。
在上述發明(發明10)，前述丙烯酸系聚合物，係以含有具有極性基的單體作為構成該聚合物的單體單元為佳(發明11)，前述極性基係以氰基及/或羧基為佳(發明12)。
在上述發明(發明10~12)，前述丙烯酸系聚合物，係以含有(甲基)丙烯酸丁酯作為構成該聚合物的單體單元為佳(發明13)。
依照本發明，能夠提供一種半導體加工板片用基材膜以及半導體加工板片，雖然使用鄰苯二甲酸烷酯的代替物質作為可塑劑，但是能夠顯示充分的擴展性且具有良好的拾取 性能，而且能夠抑制該拾取性能的經時低落且能夠抑制從被黏著物剝離時產生殘渣物。
用以實施發明之形態
以下，針對本發明的一實施形態之半導體加工板片用基材膜(以下，有簡稱為「基材膜」)及半導體加工板片進行說明。
[半導體加工板片用基材膜]
本實施形態之半導體加工板片用基材膜係含有氯乙烯系樹脂，而且，含有對苯二甲酸酯、己二酸酯、及硬脂酸鋇。
1.氯乙烯系樹脂
在本實施形態之半導體加工板片用基材膜，係含有氯乙烯系樹脂。所謂氯乙烯系樹脂，係意味著具有-CH2-CHCl-表示的重複單元之聚合物全部，包含氯乙烯的同元聚合物、乙烯-氯乙烯共聚物等氯乙烯與聚合性單體的共聚物、氯化氯乙烯共聚物等將同元聚合物或共聚物改質而成者、進而氯化聚乙烯等構造上與氯乙烯樹脂類似的氯化聚烯烴。該等氯乙烯系樹脂可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
上述氯乙烯系樹脂之平均聚合度的下限值，係以300以上為佳，以800以上為較佳。又，上述氯乙烯系樹脂之平均聚合度的上限值，係以2500以下為佳，以2000以下為較佳。藉由平均聚合度為上述範圍，具有優異的成形性、加工性 且能夠加工成為均勻的薄層膜。在此，所謂氯乙烯系樹脂的平均聚合度，係依據JIS K6720-2：1999而測定之值。
2.添加劑
如前述，本實施形態之基材膜，係除了氯乙烯系樹脂以外，進一步含有對苯二甲酸酯、己二酸酯、及硬脂酸鋇。
在本實施形態，因為對苯二甲酸酯及己二酸酯的作用係作為可塑劑，所以能夠將以氯乙烯系樹脂作為主成分之基材可塑化，使用此種基材膜之半導體加工板片，係顯示良好的擴展性。特別是在本實施形態，因為將對苯二甲酸酯及己二酸酯併用，相較於將該等單獨使用的情況，具有較優異的擴展性。又，在本實施形態，因為不必使用鄰苯二甲酸烷酯，以不純物的方式含有鄰苯二甲酸之可能性銳減，且不擔心環境負荷及具有毒性。而且，在本實施形態，因為硬脂酸鋇的作用係作為安定劑，所以能夠抑制因基材膜的製造．加工時和長期保管引起氯乙烯系樹脂產生分解，而且能夠抑制本實施形態的基材膜及使用其之半導體加工板片的性能(例如，拾取性能)產生經時劣化。
又，在本實施形態，係如後述的實施例所顯示，藉由將對苯二甲酸酯、己二酸酯、及硬脂酸鋇併用，半導體加工板片的拾取性能係成為良好者，而且能夠抑制該拾取性能的經時低落。關於其理由，就對苯二甲酸酯及己二酸酯的作用而言，認為該等2種成分從基材膜移行至黏著劑層而使半導體加工板片的黏著力降低，而且藉由基材膜含有該等2種成分來賦予充分的柔軟性，使得將被黏著物從半導體加工板片剝離變為 容易，結果，能夠使半導體加工板片的黏著力降低等。
另一方面，硬脂酸鋇的詳細作用係不清楚，但是推測例如藉由將硬脂酸鋇與對苯二甲酸酯及己二酸酯併用，硬脂酸鋇係與對苯二甲酸酯及己二酸酯同樣地從基材膜移行至黏著劑層、或對於對苯二甲酸酯及己二酸酯的上述移行造成影響(此時，不管硬脂酸鋇本身是否移行)。但是在本實施形態之作用，係不被在此所說明的作用限定。
又，在將半導體加工板片從半導體晶圓等的被黏著物剝離時，黏著劑層的成分、被黏著劑層內部吸收之可塑劑、該可塑劑與黏著劑成分的混合物，係有產生以殘渣物的方式殘留在被黏著物的不良之情形。就其原因而言，認為由於可塑劑從基材內部移行黏著劑層致使黏著劑的凝聚力低落且黏著劑產生凝聚破壞，而且可塑劑從基材內部移行至黏著劑層且進一步移行至被黏著物表面等。但是，在本實施形態，因為半導體加工板片的基材膜係含有對苯二甲酸酯、己二酸酯、及硬脂酸鋇，所以能夠抑制將被黏著物從半導體加工板片剝離時產生殘渣物。在本實施形態，抑制產生殘渣物的作用機構係未必清楚明白，但是認為對苯二甲酸酯及己二酸酯係從基材膜移行黏著劑層，另一方面，硬脂酸鋇本身係從基材膜移行至黏著劑層、或對於對苯二甲酸酯及己二酸酯的上述移行造成影響，就其結果而言，有抑制在黏著劑層之黏著劑的凝聚力低落之可能性。但是，抑制產生殘渣物之作用，係不被在此說明的作用限定。
(1)對苯二甲酸酯
對苯二甲酸酯，係由對苯二甲酸與醇的酯所構成，較佳是對苯二甲酸與醇的二酯。作為與對苯二甲酸構成酯之醇，可舉出甲醇、乙醇、丙醇、正丁醇、正戊醇、正己醇、正庚醇、正辛醇、2-乙基己醇、正壬醇、異壬醇、正癸醇、正十二醇、正十四醇等。該等醇可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述醇，係以碳數6~12的醇為佳，以碳數8~10的醇為更佳，以2-乙基己醇為特佳。亦即，在本實施形態特別適合使用的對苯二甲酸酯為對苯二甲酸二(2-乙基己基)酯。
相對於構成基材之氯乙烯系樹脂100質量份，在基材膜之對苯二甲酸酯的含量的下限值，係以5質量份以上為佳，以10質量份以上為較佳，以15質量份以上為特佳。又，相對於氯乙烯系樹脂100質量份，對苯二甲酸酯的含量的上限值係以40質量份以下為佳，38質量份以下為較佳，以30質量份以下為特佳。藉由在基材膜之對苯二甲酸酯的含量為上述範圍，能夠對基材膜賦予適當的柔軟性，例如使半導體加工板片的擴展性成為充分者；另一方面，基材不成為過度柔軟而成為具有優異的操作性者。又，在基材之對苯二甲酸酯的含量為上述範圍時，藉由對苯二甲酸酯從基材移行至黏著劑層，而能夠將黏著劑層的物性控制在較佳範圍，且成為拾取性能更優異者，而且能夠進一步抑制該拾取性能的經時變化且更有效地抑制殘渣物的產生。
又，在基材膜之對苯二甲酸酯的含量，係以比後述的己二酸酯的含量更多為佳。在基材膜之對苯二甲酸酯的含量比己二酸酯的含量更多時，能夠對基材膜賦予適當的柔軟 性，且在擴展步驟和拾取步驟不容易產生不良。
(2)己二酸酯
己二酸酯係由己二酸及醇的酯所構成。在本實施形態，作為己二酸酯，可使用己二酸酯單體，亦可使用己二酸聚酯，亦可將兩者併用。
在本說明書之「己二酸酯單體」係指己二酸與單醇的酯。己二酸酯單體係除了由己二酸1分子與單醇1分子所構成之單酯以外，亦包含由己二酸1分子與單醇2分子所構成之二酯，以二酯為佳。
作為構成己二酸酯單體之單醇，可舉出甲醇、乙醇、丙醇、正丁醇、正戊醇、正己醇、正庚醇、正辛醇、2-乙基己醇、正壬醇、異壬醇、正癸醇、異癸醇、正十二醇、正十四醇等。又，作為上述單醇，可為在分子內具有醚鍵者，例如1-丁氧基乙醇、2-丁氧基乙醇等。該等單醇可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述單醇，碳數的下限值係以4以上為佳，以6以上為較佳。上限值係以16以下為佳，以12以下為較佳。藉由構成己二酸酯單體之單醇的碳數為上述範圍，基材具有優異的成形性、加工性，而且能夠增快己二酸酯單體從基材往黏著劑層的移行速度。
從以上，作為構成己二酸酯單體之單醇，係以2-乙基己醇、異壬醇、異癸醇及2-丁氧基乙醇為佳，以2-乙基己醇及異壬醇為特佳。又，作為己二酸酯單體，係以己二酸二(2-乙基己基)酯、己二酸二異壬酯、己二酸二異癸酯及己二酸二(2- 丁氧基乙基)酯為佳，以己二酸二(2-乙基己基)酯及己二酸二異壬酯為特佳。
在本說明書，「己二酸聚酯」係指己二酸與多元醇的酯。構成己二酸與聚酯之多元醇，係以二價醇為佳，作為二價醇，可舉出乙二醇、丙二醇、二乙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、新戊二醇、1,4-二羥甲基環己烷等。該等多元醇可單獨使用1種、或併用2種以上。
作為上述多元醇，碳數的下限值係以2以上為佳，以3以上為較佳。上限值係以10以下為佳，以8以下為較佳。
上述己二酸聚酯之數量平均分子量的下限值，係以400以上為佳，以600以上為較佳。又，上述己二酸聚酯之數量平均分子量的上限值，係以1500以下為佳，以1200以下為較佳。己二酸聚酯的數量平均分子量為上述範圍時，在使用後述的能量線硬化性黏著劑作為構成黏著劑層之黏著劑時，不會阻礙藉由照射能量線來控制黏著力，而能夠使黏著力充分地降低且使被黏著物更容易地剝離。
在此，己二酸聚酯的數量平均分子量係使用凝膠滲透層析儀裝置(TOSOH公司製、製品名：HLC-8020)且在下述條件下所測定(GPC測定)的標準聚苯乙烯換算值。
<GPC測定條件>
．管柱：將「TSK guard column HXL-L」、「TSK gel G2500HXL」、「TSK gel G2000HXL」、「TSK gel G1000HXL」(任一者均為TOSOH公司製)依次連結而成者
．管柱溫度：40℃
．展開溶劑：四氫呋喃
．流速：1.0mL/min
．檢測器：差示折射計
．標準試料：聚苯乙烯
相對於構成基材之氯乙烯系樹脂100質量份，在基材膜之己二酸酯的含量之下限值係以5質量份以上為佳，以10質量份以上為較佳，以15質量份以上為特佳。又，己二酸酯的含量的上限值，係相對於氯乙烯系樹脂100質量份，以40質量份以下為佳，以38質量份以下為較佳，以30質量份以下為特佳。藉由在基材膜之己二酸酯的含量為上述範圍，能夠對基材膜賦予適當的柔軟性，例如使半導體加工板片的擴展性成為充分者；另一方面，基材不成為過度柔軟而成為具有優異的操作性者。又，在基材之己二酸酯的含量為上述範圍時，藉由己二酸酯從基材移行至黏著劑層而能夠將黏著劑層的物性控制在較佳範圍，且成為拾取性能更優異者，而且能夠進一步抑制該拾取性能的經時變化，且更有效地抑制殘渣物的產生。
相對於構成基材之氯乙烯系樹脂100質量份，在基材膜之對苯二甲酸酯及己二酸酯的合計含量之下限值，係以5質量份以上為佳，以15質量份以上為較佳，以25質量份以上為特佳。又，對苯二甲酸酯及己二酸酯的合計含量，相對於氯乙烯系樹脂100質量份，上限值係以80質量份以下為佳，以76質量份以下為較佳，以60質量份以下為特佳。
(3)硬脂酸鋇
硬脂酸鋇的作用係作為安定劑，能夠抑制因基材膜的製造 ．加工時和長期保管引起氯乙烯系樹脂產生分解。而且，在本實施形態，藉由將硬脂酸鋇與前述的對苯二甲酸酯及己二酸酯併用，半導體加工板片係成為拾取性能良好者，且能夠抑制該拾取性能的經時低落。而且，在本實施形態，藉由將硬脂酸鋇與前述的對苯二甲酸酯及己二酸酯併用，能夠抑制將被黏著物從半導體加工板片剝離時產生黏著劑的殘渣物。
相對於構成基材之氯乙烯系樹脂100質量份，在基材膜之硬脂酸鋇含量之下限值，係以0.1質量份以上為佳，以0.3質量份以上為較佳，以0.5質量份以上為特佳。又，硬脂酸鋇含量的上限值，相對於氯乙烯系樹脂100質量份，係以20質量份以下為佳，以15質量份以下為較佳，以10質量份以下為特佳。藉由在基材膜之硬脂酸鋇含量為上述範圍，能夠有效地抑制在基材膜之氯乙烯系樹脂產生分解，同時拾取性能係成為更優異者，又，能夠抑制該拾取性能的經時變化且更有效地抑制殘渣物的產生。
(4)在基材膜之其它成分
本實施形態之基材膜，係在不損害本實施形態的效果之範圍，亦可併用己二酸酯及對苯二甲酸酯以外的可塑劑，且不是RoHS指令的管制對象候補，而且不是REACH法規的SVHC(高關注物質)之認可物質的可塑劑。作為此種可塑劑，例如可舉出偏苯三甲酸-三-2乙基己酯等的偏苯三甲酸系可塑劑、三異壬基環己烷二碳酸酯等的脂環酯系可塑劑、癸二酸二辛酯等的癸二酸酯系可塑劑、磷酸三甲苯酯等的磷酸酯系可塑劑；環氧化大豆油等的環氧系可塑劑等。含有己二酸酯及對苯二甲酸酯 以外的可塑劑時，其含量係沒有特別限定，例如相對於可塑劑總量，以25質量%以下為佳，以15質量%以下為較佳。
又，本實施形態之基材膜，不是將含有鄰苯二甲酸烷酯系可塑劑之物排除。例如認為在基材膜的製造步驟，鄰苯二甲酸烷酯系可塑劑有產生污染之可能性。但是，因為鄰苯二甲酸烷酯系可塑劑係前述RoHS指令的管制對象候補物質，而且REACH法規的SVHC(高關注物質)之認可物質，所以本實施形態之基材膜，係鄰苯二甲酸烷酯系可塑劑、特別是鄰苯二甲酸二(2-乙基己基)酯、鄰苯二甲酸二丁酯、鄰苯二甲酸苄基丁酯及鄰苯二甲酸二異丁酯的含量，任一者均以0.001質量%以下為佳，以不含有任一化合物為特佳。
本實施形態之基材膜，係在不損害本實施形態的效果之範圍，亦可含有氯乙烯系樹脂以外的樹脂。作為上述氯乙烯系樹脂以外的其它樹脂，例如可舉出乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物等，可單獨使用1種、或併用2種以上。含有氯乙烯系樹脂以外的樹脂時，其含量係沒有特別限定，例如相對於基材膜，以0~20質量%為佳，以0~10質量%為較佳。
又，本實施形態之基材膜，亦可含有熱安定劑、安定化助劑、滑劑、紫外線吸收劑、阻燃劑、抗靜電劑、著色劑等各種添加劑。該等各種添加劑的含量係沒有特別限定，例如相對於氯乙烯系樹脂100質量份，能夠設作0.01~10質量份。
作為熱安定劑，可舉出硬脂酸鈣、硬脂酸鋇、硬脂酸鎂、二鹽基性硬脂酸鉛等的金屬皂；鹼性亞硫酸鉛、二鹽 基性亞磷酸鉛等的鉛糸安定劑；二月桂酸二丁錫、二蘋果酸二丁錫、硫醇二丁錫等的錫系安定劑；鈣系安定劑；鋅系安定劑；鎂系安定劑；鋇系安定劑等，可單獨使用1種、或併用2種以上。
作為滑劑，可舉出脂肪酸系滑劑、脂肪酸醯胺系滑劑、酯系滑劑、聚乙烯蠟、流動石蠟等，可單獨使用1種、或併用2種以上。
作為紫外線吸收劑，可舉出二苯基酮系、苯并三唑系、氰基丙烯酸酯系、柳酸酯系等，可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
作為抗靜電劑，可舉出聚氧伸乙基烷基胺、聚氧伸乙基烷基醯胺、聚氧伸乙基烷基醚、甘油脂肪酸酯、山梨醇酐脂肪酸酯等，可單獨使用1種、或併用2種以上。
作為著色劑，例如可舉出酞花青系著色劑、喹吖酮(quinacridone)系著色劑、漢薩黃(Hansa Yellow)、茜素色澱(alizarin lake)、氧化鈦、鋅華、永久紅(permanent red)、碳黑等，可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
3.基材膜的物性等
基材膜的厚度，係只要貼附於半導體加工板之被加工物(半導體晶圓等)能夠進行所需要的作業時，就沒有特別限定。具體而言，基材的厚度係以25μm以上為佳，以50μm以上為特佳。又，該厚度係以200μm以下為佳，以150μm以下為特佳。
在本實施形態，將去離子水20mL添加在上述基材 膜1g且於121℃萃取24小時之萃取氯離子量，係以1000ppm(μg/mL)以下為佳，以100ppm以下為較佳，以10ppm以下為特佳。在此，在含有氯乙烯系樹脂之基材膜，由於氯乙烯系樹脂的分解等而產生的氯離子，係有從基材移行至黏著劑層，且將被貼附在黏著劑層之半導體晶圓、晶片等所形成的電子電路腐蝕之情形。但是，上述萃取氯離子量為1000ppm以下時，能夠抑制此種電子電路的腐蝕。又，萃取氯離子量的詳細測定方法，係揭示在後述的實施例。
本實施形態之基材膜，其在拉伸試驗之MD方向的25%應力的下限值，係以5MPa以上為佳，以7MPa以上為較佳，以9MPa以上為特佳。又，上述MD方向的25%應力的上限值，係以24MPa以下為佳，以20MPa以下為較佳，以16MPa以下為特佳。在此，在拉伸試驗之MD方向的25%應力，係依據JIS K7161-1：2014所測得的值。
又，本實施形態的基材膜，其在拉伸試驗之斷裂點應力的下限值，係以14MPa以上為佳，以18MPa以上為較佳，以22MPa以上為特佳。又，上述斷裂點應力的上限值，係以48MPa以下為佳，以44MPa以下為較佳，以38MPa以下為特佳。在此，在拉伸試驗之斷裂點應力，係依據JIS K7161-1：2014所測得的值。
本實施形態的基材膜，藉由其在拉伸試驗之MD方向的25%應力和斷裂點應力為上述範圍，基材膜之剛性係成為適當者，例如能夠使半導體加工板片的擴展性成為充分者，另一方面，成為具有優異的操作性，且搬運時具有優異的被黏 著物支撐性者。
4.基材膜的製造方法
本實施形態之基材膜，係只要含有氯乙烯系樹脂，且進一步含有對苯二甲酸酯、己二酸酯、及硬脂酸鋇者，其製造方法就沒有特別限定。例如，能夠將氯乙烯系樹脂、對苯二甲酸酯、己二酸酯、及硬脂酸鋇、以及依照需要之其它添加劑等混合，而且將所得到的混合物進行製膜而得到。
各成分的混合，通常係藉由機械熔融混煉方法，且能夠使用單軸擠製機、雙軸擠製機、享謝爾混合機、班伯里混煉機、各種揑合機、布拉本德混合機(Brabender mixer)、壓延輥等。此時，各成分的添加順序係沒有特別限制。又，熔融混煉之溫度係能夠從140℃~220℃之中適當地選擇。將所得到的混合物加工成為薄膜狀而能夠得到上述基材膜。薄膜加工係藉由擠製成形、輥成形、壓延成形、吹塑成型等通常的成形加工方法而進行即可。
又，製膜的方法，亦可使上述所例示的混合物成為溶液或熔融狀態，藉由輥成形等的塗佈手段來進行塗佈。
上述基材膜，係為了提升與層積在其一面的黏著劑層的密著性之目的，亦能夠依照需要，在一面或兩面藉由氧化法、凹凸化法等而施行表面處理、或底漆處理。作為上述氧化法，例如可舉出電暈放電處理、電漿放電處理、鉻氧化處理(濕式)、火焰處理、熱風處理、臭氧、紫外線照射處理等，又，作為凹凸化法，例如可舉出藉由輥筒之壓紋法、噴砂處理法、熔射處理法等。
又，在上述基材膜之未層積黏著劑層之側的面，亦可使用剝離劑而進行剝離處理。藉此，即便不使用剝離膜而使半導體加板片成為捲取物時，亦能夠良好地進行捲出。
[半導體加工板片]
本實施形態之半導體加工板片，其構成係具備上述實施形態之基材膜、及層積在該基材膜的至少一面之黏著劑層。在黏著劑層之與基材膜為相反側的面，亦可層積剝離膜。該剝離膜，係在半導體加工板片的使用時被剝離除去，在那以前係保護黏著劑層。
1.黏著劑層
本實施形態之半導體加工板片，作為構成黏著劑層之黏著劑，係能夠使用以往被使用在半導體加工板片之黏著劑。
例如，構成上述黏著劑層之黏著劑，可為即便照射能量線亦不硬化之能量線非硬化性黏著劑，亦可為藉由照射能量線而硬化之能量線硬化性黏著劑。黏著劑層係由多層所構成時，可為將對能量線為非硬化性黏著劑及硬化性黏著劑組合而成者。但是，在本實施形態，因為藉由使基材膜含有對苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸鋇之效果，係在使用能量線非硬化性黏著劑之情況，能夠更有效地發揮，所以黏著劑係以使用能量線非硬化性黏著劑為較佳。
在此，在本實施形態所使用的黏著劑層，係以含有與在上述基材膜所含有的對苯二甲酸酯同種之對苯二甲酸酯為佳，以含有與在上述基材膜所含有的對苯二甲酸酯及己二酸酯同種之對苯二甲酸酯及己二酸酯為更佳。黏著劑層含有上 述成分時，黏著劑層在經時的黏著物性係早期穩定，而且上述成分從基材膜移行至黏著劑層係在短期間完成。因此，藉由黏著劑層含有上述成分，拾取性能成為更優異者，而且能夠進一步抑制該拾取性能的經時變化。另一方面，在本實施形態所使用的黏著劑層，可含有硬脂酸鋇，亦可不含有。
在此，在黏著劑層所含有之與在上述基材膜所含有的對苯二甲酸酯同種之對苯二甲酸酯(較佳是同種的對苯二甲酸酯及己二酸酯)，亦可藉由從基材膜移行至黏著劑層而使黏著劑層含有，但是以藉由預先調配在形成黏著劑層之黏著劑組成物而使黏著劑層含有為佳。
以下，稍微詳細地說明能量線非硬化性及硬化性的黏著主劑。
(1)能量線非硬化性黏著主劑
作為能量線非硬化性黏著劑，能夠使用先前習知者，例如能夠使用由含有能量線非硬化性聚合物作為黏著主劑之黏著劑組成物所形成者。在此，能量線非硬化性聚合物可在黏著劑層直接含有，而且亦可至少其一部分與交聯劑進行交聯反應而具有交聯結構。作為能量線非硬化性聚合物，例如可舉出丙烯酸系聚合物、苯氧基樹脂、胺甲酸乙酯樹脂、聚酯樹脂、橡膠系樹脂、丙烯酸胺甲酸乙酯樹脂、聚矽氧樹脂等、尤其是以容易控制黏著力之丙烯酸系聚合物為佳。以下，詳細地說明使用丙烯酸系聚合物之情況。
作為丙烯酸系聚合物，能夠使用先前習知的丙烯酸系聚合物。丙烯酸系聚合物可為由1種類的丙烯酸系單體所 形成的同元聚合物，亦可為由複數種類的丙烯酸系單體所形成的共聚物，亦可以由1種類或複數種類的丙烯酸系單體與丙烯酸系單體以外的單體所形成之共聚物。當作丙烯酸系單體的化合物之具體的種類係沒有特別限定，可舉出(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯、其衍生物(丙烯腈、伊康酸等)作為具體例。又，在本說明書，所謂(甲基)丙烯酸，係意味著丙烯酸及甲基丙烯酸之雙方。其它類似用語亦同樣。又，在本說明書之「聚合物」，亦有包含「共聚物」的概念之情形。
上述丙烯酸系聚合物，係以含有具有極性基的單體(含極性基的單體)作為構成該聚合物的單體單元為佳。此時，此種丙烯酸系聚合物，係以使具有極性基的丙烯酸系單體、不具有極性基的丙烯酸系單體、及依照需要之丙烯酸系單體以外的單體共聚合而成者為佳。亦即，上述含極性基的單體，係以具有極性基的丙烯酸系單體為佳。
不具有極性基的丙烯酸系單體，係以含有(甲基)丙烯酸烷酯單體為佳。作為(甲基)丙烯酸烷酯單體，例如可舉出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕櫚酯、(甲基)丙烯酸硬脂酸酯等。(甲基)丙烯酸烷酯單體之中，烷基的碳數係以1~18者為佳，以碳數為1~8者為特佳。該等可單獨使用1種類，亦可組合2種以上而使用。
不具有極性基的丙烯酸系單體，係除了上述(甲基) 丙烯酸烷酯單體以外，亦可含有例如(甲基)丙烯酸苯酯等具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯等。
上述丙烯酸系聚合物，係不具有極性基的單體之中，以含有(甲基)丙烯酸丁酯作為構成該聚合物的單體單元為特佳。該結果，在本實施形態，上述丙烯酸系聚合物係藉由含有(甲基)丙烯酸丁酯作為單體單元，被黏著物的拾取性係成為良好者，而且能夠抑制殘渣物的產生。推測這是因為上述丙烯酸系聚合物係藉由含有(甲基)丙烯酸丁酯作為單體單元，在基材所含有的對苯二甲酸酯及/或己二酸酯(特別是對苯二甲酸酯)係容易移行至黏著劑層。
又，上述丙烯酸系聚合物，係以含有具有極性基的單體(含極性基的單體)作為構成該聚合物的單體單元為佳。上述丙烯酸系聚合物係藉由含有具有極性基的單體作為單體單元，在本實施形態，被黏著物的拾取性係成為良好者，而且能夠抑制殘渣物的產生。推測這是起因於在黏著劑層係存在源自丙烯酸系聚合物之上述極性基時，在基材所含有的對苯二甲酸酯及/或己二酸酯(特別是對苯二甲酸酯)係容易移行至黏著劑層。
作為上述極性基，可舉出氰基、羧基、羥基、胺基等，具有該等之單體係能夠單獨1種而使用、或併用2種以上而使用。該等之中，係以氰基或羧基為佳。使用氰基及/或羧基做為極性基時，被黏著物的拾取性係成為良好者，而且能夠更有效地發揮抑制殘渣物的產生之本實施形態的效果。
在此，作為具有氰基的單體，係能夠例示丙烯腈 等。又，作為具有羧基的單體，可例示(甲基)丙烯酸、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸等。而且作為具有羥基的單體，可例示(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、丙烯酸4-羥基丁酯等。
具有極性基的丙烯酸系單體，係除了上述具有氰基、羧基或羥基的丙烯酸系單體以外，亦可含有例如(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等的含烷氧基烷基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯醯胺等非交聯性的丙烯醯胺；(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺乙基、(甲基)丙烯酸N,N-二甲胺基丙酯等具有非交聯性3級胺基之(甲基)丙烯酸酯等。
又，上述能量線非硬化性黏著劑係含有交聯劑時，上述丙烯酸系聚合物係以具有與交聯劑反應之反應性官能基為佳。在此，因為反應性官能基，係通常具有極性，所以亦作為前述的極性基之作用。因此具有與交聯劑反應的官能基之含官能基的單體，通常係兼作含極性基的單體。此時，作為含極性基的單體，係以將具有與交聯劑反應的官能基之含官能基的單體、與具有不與交聯劑反應的極性基之單體併用為佳。藉由將含官能基的單體、與具有不與交聯劑反應的極性基之單體併用，因為丙烯酸系聚合物係與交聯劑反應之後，亦殘留有不與交聯劑反應的極性基，所以被黏著物的拾取性係成為良好者，而且能夠更有效地發揮抑制殘渣物的產生之本實施形態的效果。
將極性基導入至丙烯酸系聚合物之方法係沒有特 別限定，作為一個例子，可舉出使用具有極性基的單體而形成丙烯酸系聚合物，來使聚合物骨架含有基於具有極性基的單體之結構單元之方法。例如將氰基導入至丙烯酸系聚合物時，使用丙烯腈等具有氰基的單體而形成丙烯酸系聚合物即可。又，將羧基導入至丙烯酸系聚合物時，係使用丙烯酸等具有羧基之單體而形成丙烯酸系聚合物即可。
丙烯酸系聚合物係具有極性基時，在丙烯酸系聚合物全體的質量所佔有之源自具有極性基的單體的構造部分之質量比率，係以1質量%以上為佳，以3質量%以上為特佳。又，該比率係以30質量%以下為佳，以20質量%以下為特佳。源自具有極性基的單體的構造部分之質量比率為1質量%以上時，被黏著物的拾取性係成為良好者，又，能夠更有效地發揮抑制殘渣物的產生之本實施形態的效果。又，源自具有極性基的單體的構造部分之質量比率為30質量%以下時，控制黏著劑的黏著力係變為容易且在被黏著物的貼附性和拾取性提升。
在本實施形態之能量線非硬化性黏著劑係含有後述的交聯劑之情形，丙烯酸系聚合物係以具有與交聯劑反應之反應性官能基為佳。反應性官能基的種類係沒有特別限定，基於交聯劑的種類等而適當地決定即可。
例如，交聯劑為聚異氰酸酯化合物時，作為丙烯酸系聚合物所具有之反應性官能基，可例示羥基、羧基、胺基等。又，交聯劑為環氧系化合物時，作為丙烯酸系聚合物所具有之反應性官能基，可例示羧基、胺基、醯胺基等，交聯劑為鉗合化合物時，作為丙烯酸系聚合物所具有之反應性官能基， 可例示羥基、羧基、環氧基等。
將反應性官能基導入至丙烯酸系聚合物之方法係沒有特別限定，能夠例示與導入前述的極性基之方法同樣的方法。
丙烯酸系聚合物係具有反應性官能基時，在丙烯酸系聚合物全體的質量所佔有之源自具有反應性官能基的單體的構造部分之質量比率，係以1質量%以上為佳，以2質量%以上為特佳。又，該比率係以30質量%以下為佳，以20質量%以下為特佳。藉由上述比例為上述範圍，能夠能夠使交聯程度成為良好。
作為丙烯酸系單體以外的單體，例如可舉出乙烯、降莰烯等的烯烴、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。
丙烯酸系聚合物，係能夠藉由使用常用的方法將上述各單體共聚合來得到。丙烯酸系聚合物的聚合態樣可為隨機共聚物，亦可為嵌段共聚物。
丙烯酸系聚合物的重量平均分子量(Mw)，係以1萬以上為佳，以10萬以上為特佳。又，丙烯酸系聚合物的重量平均分子量，係以200萬以下為佳，以150萬以下為特佳。藉由使上述重量平均分子量為上述範圍，在發揮良好的黏著性之同時，能夠良好地確保塗佈時的造膜性。又，在本說明書之重量平均分子量，係使用凝膠滲透層析儀裝置(TOSOH股份公司製、製品名「HLC-8020」)且在下述條件下所測定(GPC測定)的標準聚苯乙烯換算值。
<GPC測定條件>
．管柱：將「TSK guard column HXL-L」、「TSK gel G2500HXL」、「TSK gel G2000HXL」、「TSK gel G1000HXL」(任一者均為TOSOH股份公司製)依次連結而成者
．管柱溫度：40℃
．展開溶劑：四氫呋喃
．流速：1.0mL/min
．檢測器：差示折射計
．標準試料：聚苯乙烯
(2)能量線硬化性黏著主劑
本實施形態的黏著劑層，係由能量線硬化性黏著劑所形成時，作為此種能量線硬化性黏著劑，係可為含有能量線硬化性單體及/或寡聚物者；亦可為含有能量線非硬化性聚合物、及能量線硬化性單體及/或寡聚物者；亦可為含有能量線硬化性的聚合物者；亦可為含有能量線硬化性聚合物、及能量線硬化性單體及/或寡聚物者；亦可為含有能量線硬化性聚合物、能量線非硬化性聚合物、以及能量線硬化性單體及/或寡聚物者。尤其，能夠容易地使能量線硬化前的黏著力增大且使其與能量線硬化後的黏著力之差增大，以含有能量線非硬化性聚合物、及能量線硬化性單體及/或寡聚物之能量線硬化性黏著劑為佳。能量線硬化性黏著劑亦可進一步含有交聯劑。又，上述成分之中，能量線硬化性單體及/或寡聚物、以及能量線硬化性聚合物係相當於能量線硬化性成分。
(2-1)能量線非硬化性聚合物
使用在能量線硬化性黏著主劑之能量線非硬化性聚合物 的種類係沒有特別限定，例如能夠使用在前述的能量線非硬化性黏著主劑已說明的聚合物同樣物。
(2-2)能量線硬化性單體及/或寡聚物
能量線硬化性單體及/或寡聚物(以下稱為「能量線硬化性化合物」)，係具有能量線硬化性基且受到能量線的照射時進行聚合之化合物，而且分子量比後述的能量線硬化性聚合物更低者。
能量線硬化性化合物所具有之能量線硬化性基，係例如含有能量線硬化性碳-碳雙鍵之基，具體而言，係能夠例示(甲基)丙烯醯基、乙烯基等。
能量線硬化性化合物可為單官能，亦可為多官能，以多官能為佳。此時，能量線硬化性化合物係以2官能以上為佳，以3官能以上為特佳，以4官能以上為更佳。又，該能量線硬化性化合物係以15官能以下為佳，以12官能以下為特佳，以10官能以下為特佳。能量線硬化性化合物為如上述的多官能時，容易地藉由紫外性硬化來控制黏著力，而且亦不容易產生起因於體積收縮增加之與基材的密著不良。
作為能量線硬化性化合物的具體例，可舉出三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇一羥基五(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、或1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、二環戊二烯二甲氧基二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸異莰酯等含環狀脂肪族骨 架的丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、寡酯(甲基)丙烯酸酯、胺甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物、環氧改性(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、伊康酸寡聚物等的丙烯酸酯系化合物。該等能夠單獨1種而使用、亦能夠組合2種以上而使用。
能量線硬化性化合物的分子量係以100以上為佳，以300以上為特佳。又，能量線硬化性化合物的分子量，係以30000以下為佳，以10000以下為特佳。藉由能量線硬化性化合物的分子量為上述範圍，在確保造膜性之同時，能夠抑制塗佈乾燥時之材料揮發的影響。
相對於能量線非硬化性聚合物及硬化性聚合物的合計100質量份，能量線硬化性化合物的比率，係以30質量份以上為佳，以40質量份以上為特佳，以50質量份以上為更佳。又，該比率係以200質量份以下為佳，以170質量份以下為特佳，以150質量份以下為特佳。藉由上述比例為上述範圍，在硬化前能夠發揮良好的黏著力，而且在硬化後，黏著力能夠充分地降低。
(2-3)能量線硬化性聚合物
能量線硬化性聚合物，係以導入能量線硬化性基而成之聚合物為佳。導入該能量線硬化性基而成之聚合物，可在黏著劑層直接含有，而且亦可至少其一部分與交聯劑進行交聯反應而具有交聯結構。
作為導入能量線硬化性基而成之聚合物，例如可舉出能夠藉由使含有官能基之含官能基的單體作為單體單元 而含有之含官能基的丙烯酸系聚合物、和具有與該官能基反應的取代基及能量線硬化性碳-碳雙鍵之含硬化性基的化合物反應而得到之丙烯酸系聚合物。
含官能基的丙烯酸系聚合物，係以使含有官能基的丙烯酸系單體、與不含有官能基的丙烯酸系單體、及依照需要之丙烯酸系單體以外的單體共聚合而成者為佳。亦即，上述含官能基的單體係以含有官能基的丙烯酸系單體為佳。
作為含有官能基之丙烯酸系單體的官能基(含官能基的單體之官能基)，係選擇能夠與上述含硬化性基的化合物所具有之取代基反應者。作為此種官能基，例如可舉出羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等。
又，含官能基的丙烯酸系聚合物係含有前述之含極性基的單體作為單體單元時，該含極性基的單體，亦可兼作具有能夠與上述含硬化性基的化合物所具有的取代基反應的官能基之含官能基的單體。又，在本實施形態之能量線硬化性黏著劑係含有交聯劑時，含官能基的丙烯酸系聚合物，係以將具有與交聯劑反應的官能基之含官能基的單體作為單體單元而含有為佳，該含官能基的單體，亦可兼作具有能夠與上述含硬化性基的化合物所具有的取代基反應的官能基之含官能基的單體。
不含有官能基的丙烯酸系單體，係以含有(甲基)丙烯酸烷酯單體為佳。作為(甲基)丙烯酸烷酯單體，例如可舉出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸正己 酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕櫚酯、(甲基)丙烯酸硬脂酸酯等。(甲基)丙烯酸烷酯單體之中，烷基的碳數係以1~18為佳，以碳數為1~8為特佳。該等可單獨使用1種類，亦可組合2種以上而使用。
不含有官能基的丙烯酸系單體，係除了上述(甲基)丙烯酸烷酯單體以外，例如亦可含有(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基烷基的(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯酯等具有芳香族環的(甲基)丙烯酸酯、丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺等非交聯性丙烯醯胺、(甲基)丙烯酸N,N-二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲胺基丙酯等具有非交聯性3級胺基的(甲基)丙烯酸酯等。
作為丙烯酸系單體以外的單體，例如可舉出乙烯、降莰烯等的烯烴、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。
在含官能基的丙烯酸系聚合物，其源自含官能基的單體的構造部分在含官能基的丙烯酸系聚合物全體的質量所佔有的質量之比率，係以0.1質量%以上為佳，以1質量%以上為特佳，以3質量%以上為更佳。又，該比率係以50質量%以下為佳，以40質量%以下為特佳，以30質量%以下為更佳。藉此，能夠藉由含硬化性基的化合物的硬化性基之導入量(及與交聯劑的反應量)調整成為所需要的量，且能夠將所得到的黏著劑層之交聯程度控制在較佳範圍。
含官能基的丙烯酸系聚合物，係能夠將上述各單 體藉由常用的方法進行共聚合來得到。含官能基的丙烯酸系聚合物之聚合態樣，可為隨機共聚物，亦可為嵌段共聚物。
含硬化性基的化合物，係具有與含官能基的丙烯酸系聚合物所具有的官能基反應之取代基及能量線硬化性碳-碳雙鍵。作為與含官能基的丙烯酸系聚合物所具有的官能基反應之取代基，例如可舉出異氰酸酯基、環氧基、羧基等，尤其是與羥基反應性較較高的異氰酸酯基為佳。
含硬化性基的化合物，係以在含硬化性基的化合物的每1分子含有1~5個能量線硬化性碳-碳雙鍵為佳，特別是含有1~3個為佳。
作為此種含硬化性基的化合物，例如可舉出2-甲基丙烯醯基氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙基異氰酸酯；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物、與(甲基)丙烯酸羥基乙酯的反應而得到之丙烯醯基一異氰酸酯化合物；藉由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與多元醇化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯的反應而得到之丙烯醯基一異氰酸酯化合物等。含硬化性基的化合物係能夠單獨1種而使用、亦能夠組合2種以上而使用。
導入能量線硬化性基之聚合物，源自含硬化性基的化合物之硬化性基係相對於該聚合物所具有之官能基(與含硬化性基的化合物的取代基反應之官能基)，以含有20莫耳%以上為佳，以含有35莫耳%以上為特佳，以含有50莫耳%以上為更佳。又，以含有120莫耳%以下為佳，以含有100莫耳 %以下為特佳。又，含硬化性基的化合物為一官能時，其上限為100莫耳%，但是含硬化性基的化合物為多官能時，有大於100莫耳%之情形。藉由硬化性基對上述官能基的比率為上述範圍內，藉由能量線的照射而得到的黏著力降低性係成為良好者。
導入能量線硬化性基之聚合物的重量平均分子量(Mw)，係以10萬以上為佳，以30萬以上為較佳。又，該重量平均分子量係以200萬以下為佳，特別是150萬以下為較佳。藉由上述重量平均分子量為上述範圍，在發揮良好的黏著性之同時，能夠良好地確保塗佈時的造膜性。
(2-4)能量線的照射
作為用以使前述的能量線硬化性黏著劑硬化之能量線，可舉出電離放射線、亦即X射線、紫外線、電子射線等。該等之中，以較容易導入照射設備之紫外線為佳。
使用紫外線作為電離放射線時，從操作的容易度而言，使用含有波長200~380nm左右的紫外線之近紫外線即可。就光量而言，按照前述的能量線硬化性化合物及能量線硬化性聚合物所具有之能量線硬化性基的種類和黏著劑層厚度而適當地選擇即可，通常50~500mJ/cm2左右，以100~450mJ/cm2為佳，以200~400mJ/cm2為較佳。又，紫外線照度係通常50~500mW/cm2左右，以100~450mW/cm2為佳，以200~400mW/cm2為較佳。作為紫外線源，係沒有特別限制、例如能夠使用高壓水銀燈、金屬鹵素燈、UV-LED等。
使用電子射線作為電離放射線時，針對其加速電 壓，係按照前述的能量線硬化性化合物及能量線硬化性聚合物所具有之能量線硬化性基的種類和黏著劑層厚度而適當地選定即可，通常加速電壓係以10~1000kV左右為佳。又，照射線量係設定在前述的能量線硬化性化合物及能量線硬化性聚合物適當地硬化之範圍即可，通常在10~1000krad的範圍選定。作為電子射線源，係沒有特別限制、例如能夠使用科克羅夫特-瓦耳頓(Cockroft-Walton)型、范德格拉夫(Van de Graaff)型、共振變壓器型、絕緣芯變壓器型、或直線型、高頻高壓電子加速器(dynamitron)型、高頻型等各種電子射線加速器。
(3)交聯劑
作為交聯劑，能夠使用與前述的丙烯酸系聚合物、導入能量線硬化性基之聚合物所具有的官能基具有反應性之多官能性化合物。作為此種多官能性化合物的例子，可舉出聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、吖環丙烷化合物、肼化合物、醛化合物、
Figure 106103916-A0202-12-0032-4
唑啉化合物、金屬烷氧化物化合物、金屬鉗合物化合物、金屬鹽、銨鹽、反應性酚樹脂等。該等交聯劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
作為聚異氰酸酯化合物，例如可舉出甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、二甲苯基二異氰酸酯等的芳香族聚異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等的脂肪族聚異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯等的脂環式聚異氰酸酯等、及該等的縮二脲體、三聚異氰酸酯體、進而與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷、蓖麻油等含低分子活性氫的化合物之反應物亦即加成物等。尤其是從與官能基 的反應性之觀點而言，係以三羥甲基丙烷改性的芳香族聚異氰酸酯、特別是三羥甲基丙烷改性甲苯二異氰酸酯為佳。
相對於丙烯酸系聚合物或導入能量線硬化性基之聚合物100質量份，交聯劑含量的下限值，係以0.01質量份以上為佳，以0.02質量份以上為特佳。又，相對於丙烯酸系聚合物或導入能量線硬化性基之聚合物100質量份，交聯劑含量的上限值，係以20質量份以下為佳，以10質量份以下為特佳。藉由交聯劑含量為上述範圍，能夠將所得到的黏著劑層的交聯程度控制在較佳範圍。
(4)其它成分
在本實施形態，形成黏著劑層之黏著劑組成物係除了上述成分以外，亦可含有光聚合起始劑、染料、顏料等的著色材料、抗靜電劑、黏著賦予劑、阻燃劑、填料等的各種添加劑。
作為光聚合起始劑，可舉出苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、噻吨酮(thioxanthone)化合物、過氧化物化合物等的光起始劑、胺、苯醌等的光敏化劑等，具體而言，可例示1-羥基環己基苯基酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苄基二苯基硫醚、四甲基秋蘭姆一硫醚、偶氮雙丁腈、聯苄(dibenzyl)、聯乙醯、β-氯蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等。該等光聚合起始劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。使用紫外線作為能量線時，藉由調配光聚合起始劑，而能夠減少照射時間、照射量。
(5)黏著劑層的厚度
在本實施形態之黏著劑層的厚度的下限值，係以1μm以上為佳，以2μm以上為特佳，以3μm以上為更佳。又，在本實施形態之黏著劑層的厚度係以50μm以下為佳，以40μm以下為特佳，以30μm以下為更佳。藉由黏著劑層的厚度為上述範圍，能夠有效地得到、所需要黏著力。又，黏著劑層係由能量線硬化性黏著劑所形成時，黏著劑層的厚度之上限值為上述以下時，上述能量線硬化性黏著劑係容易硬化。
2.剝離膜
剝離膜，係至半導體加工板片被使用為止之期間，保護黏著劑層者且可能不是必要的。剝離膜的構成為任意，可例示薄膜本身對黏著劑層具有剝離性之塑膠膜、及使用剝離劑等將塑膠膜進行剝離處理而成者。作為塑膠膜的具體例，可舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等的聚酯膜、及聚丙烯、聚乙烯等的聚烯烴膜。作為剝離劑，能夠使用聚矽氧系、氟系、橡膠系、長鏈烷基系等，該等之中，以廉價且能夠得到穩定的性能之聚矽氧系為佳。針對剝離膜厚度係沒有特別限制，通常20~250μm左右。
3.半導體加工板片的其它例子
以上，說明具備基材膜及黏著劑層之半導體加工板片，但是本發明不被該等限定。
例如作為其它實施形態，半導體加工板片亦可在基材膜與黏著劑層之間具備用以使基材膜與黏著劑層之間的密著性提升之底漆層等。又，半導體加工板片亦可為在基材膜與黏著劑層之間具備中間層。作為中間層，例如可舉出對半導 體加工板片賦予所需要的彈性和對半導體晶片突起的追隨性之功能者。此種中間層，係例如能夠由含有胺甲酸乙酯丙烯酸酯等之材料所構成。
又，作為其它實施形態，半導體加工板片亦可具備位於最外層之接著劑層。該接著劑層係以藉由加熱等的觸發作用而顯現黏著性為佳。此種接著劑層，係例如能夠使用作為在晶粒接合之接著劑。此時，係以在上述接著劑層、與前述黏著劑層等之間設置有抑制添加劑移行至接著劑層之阻障層等為佳。
又，作為其它實施形態，半導體加工板片亦可具備位於最外層之保護膜形成薄膜。保護膜形成薄膜，係特別是在藉由被稱為倒裝(Face-Down)方式之封裝法製造半導體裝置時，能夠使用作為用以保護半導體晶片的背面之保護膜。
4.主導體加工板片的製造方法
本實施形態之半導體加工板片，係能夠與先前的半導體加工板片同樣地製造。特別是作為由基材及黏著劑層所構成之半導體加工板片的製造方法，係只要能夠將由前述的黏著劑組成物所形成的黏著劑層層積在基材的一面，其詳細方法就沒有特別限定。舉出一個例子時，能夠藉由調製含有構成黏著劑層之黏著劑組成物、及依照需要進一步含有溶劑或分散介質之塗佈液，使用模塗佈器、簾流塗佈器、噴霧塗佈器、狹縫塗佈器、刮刀塗佈器等將該塗佈液塗佈在基材的一面上而形成塗膜，且藉由使該塗膜乾燥來形成黏著劑層。塗佈液係只要能夠進行塗佈，其性狀就沒有特別限定，有將用以形成黏著劑層之成分以 溶質的方式含有之情況，而且亦有以分散質的方式含有之情況。
又，作為半導體加工板片的製造方法之另外一個例子，係將塗佈液塗佈在前述剝離片的剝離面上而形成塗膜，使其乾燥而形成由黏著劑層及剝離片所構成之積層體，將在該積層體的黏著劑層之與剝離片側的面為相反側的面貼附在基材，而得到半導體加工板片與剝離片的積層體。在該積層體之剝離片，係可設作製程材料而剝離，亦可在至貼附在半導體晶片、半導體晶圓等的被黏著物為止之期間保護黏著劑層。
塗佈液係含有交聯劑時，係藉由改變上述的乾燥條件(溫度、時間等)、或另外設置加熱處理，來使塗膜內的能量線非硬化性聚合物或能量線硬化性聚合物與交聯劑進行交聯反應，而在黏著劑層內以需要的存在密度形成交聯結構即可。
5.半導體加工板片的物性
本實施形態之半導體加工板片的厚度係沒有特別限定，以50μm以上為佳，以80μm以上為特佳。又，該厚度係以200μm以下為佳，以160μm以下為特佳。
又，在210mm×297mm大小的半導體加工板片1片中之厚度最大值與最小值之差，係以7μm以下為佳，以5μm以下為更佳，以3μm以下為特佳。上述厚度的最大值與最小值之差，係能夠稱為半導體加工板片的厚度偏差之指標，上述厚度的最大值與最小值之差為較大時，在將被黏著物貼附後，壓力集中在半導體加工板片之較厚的部分，在被黏著物貼 附時和切割時有產生裂紋、或晶片飛散之情形，上述厚度的最大值與最小值之差為7μm以下時，能夠抑制此種壓力集中、及由於此種壓力集中引起被黏著物的裂紋和晶片飛散。
本實施形態之半導體加工板片對鏡面矽晶圓之黏著力，其上限值係以20000mN/25mm以下為佳，以18000mN/25mm以下為特佳，以16000mN/25mm以下為更佳。藉此，能夠容易地將半導體加工板片從被黏著物剝離。另一方面，該黏著力的下限值係以100mN/25mm以上為佳，以150mN/25mm以上為特佳，以200mN/25mm以上為更佳。藉此，針對貼附有半導體加工板片之被黏著物，能夠防止在作業中產生非計畫中的剝離。又，針對各種材料均能夠發揮良好的密著性且能夠應用在廣泛的被黏著物。又，在本說明書之黏著力，係將鏡面矽晶圓設作被黏著物，依據JIS Z0237：2000之180°剝下試驗而測定，黏著劑層係由能量線硬化性黏著劑所形成時為能量線照射前的黏著力。
又，黏著劑層係由能量線硬化性黏著劑所形成時，能量線照射後的黏著力(以下有稱為「照射後黏著力」之情形)，其上限值係以800mN/25mm以下為佳，以600mN/25mm以下為特佳，以500mN/25mm以下為更佳。藉此，能夠將被黏著物容易地從半導體加工板片剝離。另一方面，該照射後黏著力的下限值係沒有特別限定，通常以5mN/25mm以上為佳，以10mN/25mm以上為特佳，以20mN/25mm以上為更佳。又，在本說明書之照射後黏著力，係將鏡面矽晶圓設作被黏著物，依據JIS Z0237：2000之180°剝下試驗而測得的值。
6.半導體加工板片的用途
本實施形態之半導體加工板片，係能夠使用在支撐半導體晶圓、切割時，以及在將經個片化的半導體晶片進行拾取時。
例如，本實施形態之半導體加工板片能夠使用作為切割片。此時，藉由將背面磨削後的半導體晶圓貼附在半導體加工板片，且在半導體加工板片上進行切割，而能夠將該半導體晶圓個片化成為半導體晶片。隨後，能夠將複數個半導體晶片從半導體加工板片各個地拾取。
又，本實施形態之半導體加工板片，係在將半導體晶圓進行背面磨削前進行切割步驟之先切割法、及藉由雷射設置粉碎層之隱形切割(Stealth dicing)法亦能夠使用。在此，先切割法時，係例如在切割後將背面磨削用黏著板片貼附在晶圓表面，將本實施形態之半導體晶圓加工板片剝離即可。另一方面，隱形切割法時，係例如將背面磨削用黏著板片貼附在半導體晶圓表面後，將本實施形態之半導體晶圓加工用板片貼附在半導體晶圓背面，越過半導體晶圓加工用板片而進行隱形切割後，將半導體晶圓加工用板片剝離即可。
本實施形態之半導體加工板片，亦能夠不使用於切割，而只有使用於將切割後的半導體晶片拾取。此時，能夠使複數個半導體晶片從切割片移動至半導體加工板片之後，將半導體晶片從該半導體加工板片拾取。又，從切割片移動至半導體加工板片，可藉由轉印而進行、或藉由拾取而進行。
本實施形態之半導體加工板片，亦能夠使用作為切割．晶粒接合板片。此時，半導體加工板片係以具備前述的 接著劑層為佳，而且，在此種接著劑層與前述黏著劑層等之間，係以設置用以抑制添加劑移行至接著劑層之阻障層等為佳。使用該半導體加工板片時，藉由切割時同時將半導體晶圓及接著劑層切斷，且將經個片化的半導體晶片拾取，而能夠得到附著有接著劑之半導體晶片。又，作為在切割．晶粒接合板片的黏著劑層，雖然亦有作為兼作將半導體晶圓等的被黏著物固定之黏著劑、及附著在半導體晶片而具有晶片接合功能的晶片接合用接著劑之黏接著劑層的功能者，但是在本實施形態之上述黏著劑層，係不具有作為此種黏接著劑層之功能。
又，本實施形態之半導體加工板片，亦能夠使用作為用以在半導體晶圓形成保護膜之保護膜形成用板片。此時，半導體加工板片係在最外層進一步具備保護膜形成薄膜，使用此種半導體加工板片(保護膜形成用板片)，在切割時，藉由同時將半導體晶圓及保護膜形成薄膜切斷，且將經個片化的半導體晶片拾取，而能夠得到在背面具有保護膜之半導體晶片。
7.半導體加工板片的使用方法
作為本實施形態之半導體加工板片的使用方法之一個例子，係在以下說明將半導體加工板片使用作為切割片之方法。
在使用本實施形態之半導體加工板片時，將黏著劑層側的面(亦即，與黏著劑層的基材膜為相反側的面)貼附在半導體晶圓。將剝離膜層積在半導體加工板片之黏著劑層側的面時，係將該剝離膜剝離而使黏著劑層側的面露出且將該面貼附在半導體晶圓的貼附面即可。半導體加工板片的周緣部，係 通常藉由設置在該部分之黏著劑層，而被貼附在被稱為環狀框之用以搬運和固定在裝置之環狀治具。
其次，實施切割步驟而能夠從半導體晶圓得到複數個晶片。而且，黏著劑層係由能量線硬化性黏著劑所形成時，係切割步驟結束後，從半導體加工板片的基材膜側進行能量線照射，來使黏著劑層的黏著性降低。
接著，為了容易將接近配置在半導體加工板片上之複數個晶片拾取，進行將半導體加工板片在平面方向伸長之擴展步驟。該伸長的程度，係考慮被接近配置的晶片應具有的間隔、基材膜的拉伸強度等而適當地設定即可。又，擴展步驟亦可在進行能量線照射之前進行。
擴展步驟之後，係進行黏著劑層上的晶片之拾取。拾取係藉由吸引筒夾(collet)等泛用的手段來進行，但是此時為了容易進行拾取，係以使用插銷、針等從半導體加工板片的基材膜側將對象晶片往上推來進行為佳。
本實施形態之半導體加工板片，因為即便使用鄰苯二甲酸烷酯的代替物質作為在基材膜所含有的可塑劑亦顯示充分的柔軟性，所以具有優異的擴展性，且在擴展步驟能夠容易地使晶片間分離，而且能夠容易地將晶片回收。又，因為基材膜係含有對苯二甲酸酯、己二酸酯、及硬脂酸鋇，所以半導體加工板片的拾取性能係成為良好者，而且能夠抑制該拾取性能的經時低落，且在將被黏著物從半導體加工板片剝離時能夠抑制黏著劑產生殘渣物。又，被拾取後的晶片，係供給至搬運步驟等下一個步驟。
以上說明的實施形態，係為了容易理解本發明而記載，而不是為了限定本發明而記載。因而，在上述實施形態所揭示的各要素，其宗旨亦包含屬於本發明的技術範圍之全部的設計變更和均等物。
[實施例]
以下，藉由實施例等而更具體地說明本發明，但是本發明範圍係不被該等實施例等限定。
(1)氯乙烯樹脂製基材的製造
(基材1)
將聚氯乙烯樹脂(平均聚合度：780，重量平均分子量：4萬，Tg：82℃)100質量份(固體成分換算值；以下相同)、對苯二甲酸二(2-乙基己基)酯15質量份、己二酸二(2-乙基己基)酯14質量份、硬脂酸鋇1質量份使用享謝爾混合機混合後，以輥筒溫度成為180℃之方式設定，且使用輥成形法而得到厚度100μm的氯乙烯樹脂製基材。
(基材2~4)
除了將添加劑的調配如表1所顯示變更以外，係與基材1同樣地進行而得到氯乙烯樹脂製基材。
(2)黏著劑調製
(黏著劑1)
使丙烯酸丁酯85質量份、丙烯腈10質量份、丙烯酸5質量份共聚合而得到丙烯酸系共聚物(重量平均分子量：70萬、玻璃轉移溫度Tg：-44℃)。將此種丙烯酸系共聚物100質量份(固體成分換算值；以下相同)、作為交聯劑之含有三羥甲基丙 烷改性甲苯二異氰酸酯(TDI-TMP)之組成物(TOSOH公司製、CORONATE L)10質量份、及對苯二甲酸二(2-乙基己基)酯10質量份混合且使用乙酸乙酯稀釋，得到固體成分含量為24質量%之黏著劑組成物的塗佈液。
(黏著劑2~6)
除了將在丙烯酸系共聚物之單體比率及在黏著劑組成物之添加劑的調配如表2所顯示變更以外，係與黏著劑1同樣地進行而得到黏著劑組成物的塗佈液。
(3)半導體加工板片的製造
(實施例1)
藉由將在上述(2)所得到的黏著劑組成物(黏著劑1)之塗佈液，使用模塗佈機塗佈在厚度38μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜之一主面被聚矽氧系剝離劑剝離處理而成的剝離膜(IINTEC公司製、SP-PET381031)的剝離處理面上，在100℃使其乾燥2分鐘而形成厚度10μm之黏著劑層，得到由剝離膜及黏著劑層所構成之積層體。其次，將上述積層體的黏著劑層側之面貼附在上述(1)所得到的氯乙烯樹脂製基材(基材1、厚度：100μm)的一面，而在黏著劑層之與基材為相反側的面層積有剝離膜之狀態下，得到由氯乙烯樹脂製基材及黏著劑層所構成之半導體加工板片。
(實施例2~6、比較例1~3)
除了將基材與黏著劑的組合如表3顯示變更以外，係與實施例1同樣地進行而得到半導體加工板片。
[試驗例1]拾取性評價
將剝離膜從上述所得到之實施例及比較例的半導體加工板片除去，將8英吋的矽晶圓(直徑200mm、厚度100μm、貼附面：乾式拋光精加工)於23℃貼合在露出的黏著劑層之貼合面，且將該半導體加工板片固定在環狀框。其次，應用藉由刀片切割之切斷方法，而將矽晶圓個片化成為8mm×8mm大小的晶片。此時，使用切割刀片將半導體加工板片從其表面切入30μm程度。
其次，使用拾取裝置且藉由8mm×8mm大小的筒夾，以往上推速度20mm/秒、往上推量200μm的條件下，嘗試拾取10個晶片。然後，確認不產生龜裂而能夠正常拾取的晶片之個數，且依照下述評價基準而進行評價半導體加工板片的拾取適性。將結果顯示在表3。
◎：全部晶片能夠正常拾取。
○：能夠正常拾取的晶片為6個以上。
△：能夠正常拾取的晶片為1~5個。
×：能夠正常拾取的晶片為0個。
又，通常的拾取評價係在矽晶圓貼附後3日以內進行拾取試驗，針對經時保管後，係貼附矽晶圓後，在23℃、相對濕度50%的環境下放置3週後，進行拾取試驗。
[試驗例2]<擴展性的評價>
除了將晶片尺寸設作0.2mm×30mm，將半導體加工板片從其表面切入40μm以外，係與上述試驗例1(拾取性評價)同樣地進行至切割為止。隨後，使用擴展裝置(JCM公司製、ME-300B型)，對半導體加工板片以速度300mm/分鐘在該板片的主面內 方向進行伸長20mm，依照下述基準而進行評價半導體加工板片的擴展性。將結果顯示在表3。
○：即便將擴展台往上推20mm以上亦不產生破裂。
△：即便將擴展台往上推10mm以上亦不產生破裂。
×：將擴展台往上推10mm以上時產生破裂。
[試驗例3]<殘渣物的評價>
將剝離膜從上述所得到之實施例及比較例的半導體加工板片除去而使黏著層露出。在露出的黏著劑層之貼合面，使用2kg的滾輪而貼附在經鏡面處理的矽晶圓(直徑6英吋、厚度650μm)，來得到由半導體加工板片及矽晶圓所構成之積層體。將所得到的積層體於23℃相對濕度50%的環境下保管20分鐘且作為評價試樣。
針對評價試樣，係使用萬能型拉伸試驗機(ORIENTEC公司製、TENSILON/UTM-4-100)，且依據JIS Z0237：2000，在剝離速度300mm/min、剝離角度180°將半導體加工板片從矽晶圓剝下。目視確認在將半導體加工板片剝離後的部分之矽晶圓表面有無殘渣物。無法確認殘渣物者評定為「○」，能夠確認黏著劑的殘渣物者評定為「×」。將結果顯示在表3。
[試驗例4]<萃取氯離子量的測定>
將上述(1)所得到的基材1~4各採取1g，各自與純水20ml混合而調製試料液。將此種試料液添加至離子濃度測定用TEFLON(註冊商標)製容器且密封，在121℃加熱24小時且萃取氯離子。使用離子層析裝置(Thermo Fisher Scientific公司 製、DIONEX ICS-2100)在下述條件下測定所得到的萃出液之氯離子濃度。將結果顯示在表1及表3。
Figure 106103916-A0202-12-0045-1
Figure 106103916-A0202-12-0045-2
Figure 106103916-A0202-12-0045-3
從表1~表3能夠得知，實施例所製造的半導體加工板片，係具有優異的擴展性且拾取性良好，而且能夠抑制其經時變化。又，實施例所製造的半導體加工板片係能夠抑制殘渣物的產生。
產業上之可利用性
本發明之半導體加工板片，係例如能夠適合使用在半導體晶圓的加工步驟、特別是具有擴展步驟之加工步驟。

Claims (14)

  1. 一種半導體加工板片，係具備基材膜、及被層積在該基材膜的至少一面側的黏著劑層之半導體加工板片，其中前述基材膜，含有氯乙烯系樹脂，而且含有對苯二甲酸酯、己二酸酯、及硬脂酸鋇。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工板片，其中在前述基材膜，前述對苯二甲酸酯的含量係比前述己二酸酯的含量更多。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工板片，其中前述基材膜中的前述對苯二甲酸酯的含量，相對於前述氯乙烯系樹脂100質量份，為5質量份以上且40質量份以下，前述基材膜中的前述己二酸酯的含量，相對於前述氯乙烯系樹脂100質量份，為5質量份以上且40質量份以下，前述基材膜中的前述硬脂酸鋇的含量，相對於前述氯乙烯系樹脂100質量份，為0.1質量份以上且20質量份以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工板片，其中前述己二酸酯係選自由己二酸二(2-乙基己基)酯、己二酸二異壬酯、己二酸二異癸酯及己二酸二(2-丁氧基乙基)酯所組成群組之1種或2種以上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工板片，其中前述對苯二甲酸酯為對苯二甲酸二(2-乙基己基)酯。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工板片，其中前述基材膜中的鄰苯二甲酸烷酯系可塑劑的含量為0.001質量% 以下。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工板片，其中前述基材膜中的鄰苯二甲酸二(2-乙基己基)酯、鄰苯二甲酸二正丁酯、鄰苯二甲酸苄基丁酯及鄰苯二甲酸二異丁酯的含量，係任一者均為0.001質量%以下。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工板片，其中將脫離子水20mL添加在前述基材膜1g且於121℃萃取24小時後之萃取氯離子量為1000ppm以下。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工板片，其中前述黏著劑層，係含有與前述基材膜所含有的前述對苯二甲酸酯同種的對苯二甲酸酯。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工板片，其中構成前述黏著劑層的黏著劑為能量線非硬化性。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之半導體加工板片，其中前述黏著劑層，係由含有丙烯酸系聚合物之黏著劑組成物所形成的黏著劑所構成。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之半導體加工板片，其中前述丙烯酸系聚合物，係含有具有極性基的單體作為構成該聚合物的單體單元。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之半導體加工板片，其中前述極性基為氰基及/或羧基。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之半導體加工板片，其中前述丙烯酸系聚合物，係含有(甲基)丙烯酸丁酯作為構成該聚合物的單體單元。
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