CN108701598B - 半导体加工片用基材膜以及半导体加工片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体加工片用基材膜，其为用于具备基材膜、以及层叠于基材膜的至少一面侧的粘着剂层的半导体加工片的半导体加工片用基材膜，其特征在于，含有氯乙烯类树脂，并进一步含有对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡。本发明还提供一种具备该基材膜的半导体加工片。根据所述半导体加工片用基材膜以及半导体加工片，即使将邻苯二甲酸烷基酯的代替物质用作增塑剂，也能够显示充分的扩展性且具有良好的拾取性能，进一步能够抑制该拾取性能的经时性降低，并且能够在从被粘物上剥离时抑制残渣物的产生。

Description

半导体加工片用基材膜以及半导体加工片
技术领域
本发明涉及在加工半导体晶圆等被加工物时，该被加工物所贴附的半导体加工片及用于该半导体加工片的基材膜。
背景技术
例如，硅、砷化镓等的半导体晶圆及各种组件类(以下，有时将它们统一记载为“被加工物”)在大直径的状态下进行制造后，被切断分离(切割)成为元件小片(以下，记载为“芯片”)，同时分别被剥离(拾取)，并被移送至作为下一个工序的装配工序。此时，半导体晶圆等被加工物以粘贴于具备基材膜及粘着剂层的半导体加工片的状态，实施切割、洗净、干燥、扩展、拾取及装配的各工序。
上述的扩展中，为了使芯片的拾取变得容易，将半导体加工片进行扩展而使芯片间隔分离，并在拾取后使半导体加工片回复原来的状态。因此，对半导体加工片、特别是对半导体加工片的基材膜要求可扩展及复原的伸缩性(扩展性)。因此，作为该基材膜，多使用含有增塑剂的聚氯乙烯膜(专利文献1、2)。
作为掺合于聚氯乙烯中的增塑剂，使用邻苯二甲酸的烷基酯，典型地使用邻苯二甲酸二辛酯(DOP)或邻苯二甲酸二丁酯(DBP)。由于含有DOP、DBP等增塑剂的软质聚氯乙烯(PVC)膜兼具其优异的机械特性所具有的刚性、及基于增塑剂的柔软性，因此被广泛地用作半导体加工片用的基材。
但是，DOP和DBP这样的邻苯二甲酸烷基酯为欧洲的RoHS(关于危险物质的限制)指令的管制对象候补物质，而且在REACH(欧盟的为了保护人体健康或环境的欧洲议会及欧洲理事会法规)中将其作为SVHC(高度关注物质)的认可物质而进行列举。因此，今后对邻苯二甲酸烷基酯的使用进行限制的可能性非常高，正在进行着代替物质的检索。
作为邻苯二甲酸烷基酯的代替物，提案有将含有选自琥珀酸、己二酸及对苯二甲酸中的至少1种的二元羧酸与1,4-丁二醇作为共聚成分的树脂用于基材的粘着片(专利文献3)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-207140号公报
专利文献2：日本特开2010-260893号公报
专利文献3：日本特开2011-061189号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
在进行上述的扩展工序时，对半导体加工片要求良好的扩展性。但是，将作为邻苯二甲酸烷基酯的代替物质的专利文献3的共聚成分用作增塑剂的基材，有时其扩展性不充分，作为半导体加工片用的基材并不充分。
此外，在氯乙烯类基材的一个面上设置有粘着剂层的半导体加工片中，在制成片后至使用为止的期间，存在基材内部的增塑剂转移至粘着剂层内部并被吸入至粘着剂层内部的情况。这样的情况下，根据增塑剂的选择，例如长期保管片时等，由于粘着剂层的粘着性发生变化，有时无法良好地进行芯片的拾取。特别是近年来伴随着半导体装置的小型化及薄型化，被搭载于该半导体装置的半导体芯片的薄型化也在不断发展，因此若芯片的拾取性不良，则根据情况不同会发生芯片产生裂纹或缺口等的不良情况。
进一步，基材内部的增塑剂有时被吸入至粘着剂层内部，根据增塑剂的选择，在将半导体加工片从半导体上剥离时，存在发生增塑剂本身作为残渣物而残留于半导体、或作为与粘着剂成分的混合物而残留于半导体的不良情况(以下，有时将它们简单地统称为“残渣物”)的情况。
本发明是鉴于如上所述的实际情况而进行的，其目的在于提供即使使用邻苯二甲酸烷基酯的代替物质作为增塑剂，也能够显示充分的扩展性且具有良好的拾取性能，进一步能够抑制该拾取性能的经时性降低、并且能够在从被粘物上剥离时抑制残渣物的产生的半导体加工片用基材膜以及半导体加工片。
解决技术问题的技术手段
为了解决上述技术问题，第一，本发明提供一种半导体加工片用基材膜，其为用于具备基材膜、以及层叠于所述基材膜的至少一面侧的粘着剂层的半导体加工片的半导体加工片用基材膜，其特征在于，含有氯乙烯类树脂，进一步含有对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡(发明1)。
在上述发明(发明1)中，由于同时使用对苯二甲酸酯及己二酸酯，因此扩展性优异。此外，在上述发明(发明1)中，通过同时使用对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡，从而使半导体加工片的拾取性能变得良好，而且能够抑制该拾取性能的经时性降低，进而能够在将被粘物从半导体加工片上剥离时抑制粘着剂的残渣物的产生。
在上述发明(发明1)涉及的半导体加工片用基材膜中，优选所述对苯二甲酸酯的含量比所述己二酸酯的含量多(发明2)。
在上述发明(发明1、2)中，优选所述己二酸酯为选自由己二酸二(2-乙基己基)酯、己二酸二异壬酯、己二酸二异癸酯及己二酸二(2-丁氧基乙基)酯组成的组中的1种或2种以上(发明3)。
在上述发明(发明1～3)中，优选所述对苯二甲酸酯为对苯二甲酸二(2-乙基己基)酯(发明4)。
对于上述发明(发明1～4)涉及的半导体加工片用基材膜，优选邻苯二甲酸二(2-乙基己基)酯、邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸丁苄酯及邻苯二甲酸二异丁酯的含量均为0.001质量％以下(发明5)。
在上述发明(发明1～5)中，优选向所述基材膜1g中添加去离子水20mL并于121℃萃取24小时后的萃取氯离子量为1000ppm以下(发明6)。
第二，本发明提供一种半导体加工片，其为具备基材膜、以及层叠于所述基材膜的至少一面侧的粘着剂层的半导体加工片，其特征在于，所述基材膜为上述发明(发明1～6)涉及的半导体加工片用基材膜(发明7)。
在上述发明(发明7)中，优选所述粘着剂层含有与所述基材膜所含有的所述对苯二甲酸酯同种的对苯二甲酸酯(发明8)。
在上述发明(发明7、8)中，优选所述粘着剂为能量射线非固化性(发明9)。
在上述发明(发明7～9)中，优选所述粘着剂层由含有丙烯酸类聚合物的粘着剂组合物形成的粘着剂构成(发明10)。
在上述发明(发明10)中，优选所述丙烯酸类聚合物含有具有极性基团的单体作为构成该聚合物的单体单元(发明11)，优选所述极性基团为氰基和/或羧基(发明12)。
在上述发明(发明10～12)中，优选所述丙烯酸类聚合物含有(甲基)丙烯酸丁酯作为构成该聚合物的单体单元(发明13)。
发明效果
根据本发明，能够提供即使使用邻苯二甲酸烷基酯的代替物质作为增塑剂，也能够显示充分的扩展性且具有良好的拾取性能，进一步能够抑制该拾取性能的经时性降低、并且能够在从被粘着物上剥离时抑制残渣物的产生的半导体加工片用基材膜以及半导体加工片。
具体实施方式
以下，对本发明的一个实施方式涉及的半导体加工片用基材膜(以下，有时简称为“基材膜”)及半导体加工片进行说明。
[半导体加工片用基材膜]
本实施方式涉及的半导体加工片用基材膜含有氯乙烯类树脂，进一步含有对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡。
1.氯乙烯类树脂
本实施方式涉及的半导体加工片用基材膜含有氯乙烯类树脂。氯乙烯类树脂是指具有-CH2-CHCl-表示的重复单元的所有聚合物，包含氯乙烯的均聚物、乙烯-氯乙烯共聚物等的氯乙烯与聚合性单体的共聚物、氯化氯乙烯共聚物等的将均聚物或共聚物改性而成的聚合物，进一步包含氯化聚乙烯等结构上与氯乙烯树脂类似的氯化聚烯烃。这些氯乙烯类树脂可单独使用1种，或者也可同时使用2种以上。
上述氯乙烯类树脂的平均聚合度的下限值优选为300以上，更优选为800以上。此外，上述氯乙烯类树脂的平均聚合度的上限值优选为2500以下，更优选为2000以下。通过使平均聚合度在上述范围内，可加工为成形性、加工性优异且均匀的薄层膜。此处，氯乙烯类树脂的平均聚合度是指按照JIS K6720-2:1999而测定的值。
2.添加剂
如上所述，除了氯乙烯类树脂以外，本实施方式涉及的基材膜进一步含有对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡。
在本实施方式中，由于对苯二甲酸酯及己二酸酯作为增塑剂而发挥作用，因此能够将以氯乙烯类树脂为主成分的基材塑化，使用了该基材膜的半导体加工片显示良好的扩展性。特别是在本实施方式中，由于同时使用对苯二甲酸酯及己二酸酯，因此与将它们单独使用的情况相比，扩展性更优异。此外，在本实施方式中，不必使用邻苯二甲酸烷基酯，作为杂质而含有邻苯二甲酸的可能性锐减，且不用担心环境负荷及有毒性。进一步，在本实施方式中，由于硬脂酸钡作为稳定剂而发挥作用，因此能够抑制由基材膜的制造及加工时或长期保管引起的氯乙烯类树脂的分解，能够抑制本实施方式的基材膜及使用了该基材膜的半导体加工片的性能(例如，拾取性能)的经时性劣化。
此外，在本实施方式中，如后述的实施例所示，通过同时使用对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡，半导体加工片的拾取性能变得良好，而且能够抑制该拾取性能的经时性降低。关于其理由，就对苯二甲酸酯及己二酸酯的作用而言，认为这两种成分从基材膜转移至粘着剂层并使半导体加工片的粘着力降低，而且通过使基材膜含有这两种成分从而赋予充分的柔软性，变得易于将被粘物从半导体加工片上剥离，其结果使得半导体加工片的粘着力降低等。
另一方面，硬脂酸钡的作用的详情尚不清楚，但是推测例如通过将硬脂酸钡与对苯二甲酸酯及己二酸酯同时使用，从而使硬脂酸钡与对苯二甲酸酯及己二酸酯同样地从基材膜转移至粘着剂层、或影响对苯二甲酸酯及己二酸酯的上述转移(此时，不管硬脂酸钡本身是否转移)。然而，本实施方式所带来的作用并不限定于此处所说明的作用。
此外，在将半导体加工片从半导体晶圆等被粘物上剥离时，存在发生粘着剂层的成分、被吸入至粘着剂层内部的增塑剂、该增塑剂与粘着剂成分的混合物作为残渣物而残留于被粘物的不良情况。认为其原因在于，通过增塑剂从基材内部至粘着剂层的转移从而使粘着剂的凝聚力降低，粘着剂发生凝聚破坏，或者增塑剂从基材内部转移至粘着剂层并进一步转移至被粘物表面等。然而，在本实施方式中，由于半导体加工片的基材膜含有对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡，因此能够在将被粘物从半导体加工片上剥离时抑制残渣物的产生。虽然在本实施方式中，抑制残渣物的产生的作用机制未必明确，但是可以考虑到下述可能性：对苯二甲酸酯及己二酸酯从基材膜转移至粘着剂层，另一方面，硬脂酸钡本身从基材膜转移至粘着剂层，或者影响对苯二甲酸酯及己二酸酯的上述转移，其结果抑制了粘着剂层中粘着剂的凝聚力降低。然而，抑制残渣物的产生的作用并不限定于此处所说明的作用。
(1)对苯二甲酸酯
对苯二甲酸酯由对苯二甲酸与醇的酯构成，优选为对苯二甲酸与醇的二酯。作为与对苯二甲酸构成酯的醇，可列举出甲醇、乙醇、丙醇、正丁醇、正戊醇、正己醇、正庚醇、正辛醇、2-乙基己醇、正壬醇、异壬醇、正癸醇、正十二醇、正十四醇等。这些醇可单独使用1种，或者也可同时使用2种以上。
作为上述醇，优选碳原子数为6～12的醇，进一步优选碳原子数为8～10的醇，特别优选2-乙基己醇。即，在本实施方式中特别优选使用的对苯二甲酸酯为对苯二甲酸二(2-乙基己基)酯。
相对于构成基材的氯乙烯类树脂100质量份，基材膜中的对苯二甲酸酯的含量的下限值优选为5质量份以上，更优选为10质量份以上，特别优选为15质量份以上。此外，相对于氯乙烯类树脂100质量份，对苯二甲酸酯的含量的上限值优选为40质量份以下，更优选为38质量份以下，特别优选为30质量份以下。通过使基材膜中的对苯二甲酸酯的含量在上述范围内，能够对基材膜赋予适当的柔软性，例如能够使半导体加工片的扩展性充分，另一方面，基材不会变得过度柔软且操作性优异。此外，若基材中的对苯二甲酸酯的含量在上述范围内，则通过对苯二甲酸酯从基材至粘着剂层的转移，能够将粘着剂层的物性控制在优选的范围内，拾取性能变得更优异，此外，可进一步抑制该拾取性能的经时变化，进而可有效地抑制残渣物的产生。
此外，优选基材膜中的对苯二甲酸酯的含量比后述的己二酸酯的含量多。若基材膜中的对苯二甲酸酯的含量比己二酸酯的含量多，则能够对基材膜赋予适当的柔软性，在扩展工序或拾取工序中不易产生不良情况。
(2)己二酸酯
己二酸酯由己二酸与醇的酯构成。在本实施方式中，作为己二酸酯，可使用己二酸酯单体，也可使用己二酸聚酯，也可同时使用两者。
本说明书中的“己二酸酯单体”是指己二酸与一元醇的酯。除了由1分子己二酸与1分子一元醇构成的单酯以外，己二酸酯单体中也包含由1分子己二酸与2分子一元醇构成的双酯，优选为双酯。
作为构成己二酸酯单体的一元醇，可列举出甲醇、乙醇、丙醇、正丁醇、正戊醇、正己醇、正庚醇、正辛醇、2-乙基己醇、正壬醇、异壬醇、正癸醇、异癸醇、正十二醇、正十四醇等。此外，作为上述一元醇，可为在分子内具有醚键的一元醇，例如1-丁氧基乙醇、2-丁氧基乙醇等。这些一元醇可单独使用1种，或者也可同时使用2种以上。
作为上述一元醇，碳原子数的下限值优选为4以上，更优选为6以上。上限值优选为16以下，更优选为12以下。通过使构成己二酸酯单体的一元醇的碳原子数在上述范围内，从而使基材的成形性、加工性优异，而且能够加快己二酸酯单体从基材向粘着剂层的转移速度。
根据以上，作为构成己二酸酯单体的一元醇优选2-乙基己醇、异壬醇、异癸醇及2-丁氧基乙醇，特别优选2-乙基己醇及异壬醇。此外，作为己二酸酯单体，优选己二酸二(2-乙基己基)酯、己二酸二异壬酯、己二酸二异癸酯及己二酸二(2-丁氧基乙基)酯，特别优选己二酸二(2-乙基己基)酯及己二酸二异壬酯。
在本说明书中，“己二酸聚酯”是指己二酸与多元醇的酯。与己二酸构成聚酯的多元醇优选为二元醇，作为二元醇，可列举出乙二醇、丙二醇、二乙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、新戊二醇、1,4-二羟甲基环己烷等。这些多元醇可单独使用1种，或者也可同时使用2种以上。
作为上述多元醇，碳原子数的下限值优选为2以上，更优选为3以上。上限值优选为10以下，更优选为8以下。
上述己二酸聚酯的数均分子量的下限值优选为400以上，更优选为600以上。此外，上述己二酸聚酯的数均分子量的上限值优选为1500以下，更优选为1200以下。若己二酸聚酯的数均分子量在上述范围内，则将后述的能量射线固化性粘着剂用作构成粘着剂层的粘着剂时，不会阻碍基于能量射线的照射的粘着力的控制，能够使粘着力充分地降低，能够使被粘物更容易地剥离。
此处，己二酸聚酯的数均分子量是使用凝胶渗透色谱装置(TOSOH CORPORATION制造，产品名称：HLC-8020)，以下述条件测定(GPC测定)的标准聚苯乙烯换算值。
<GPC测定条件>
·色谱柱：将“TSK guard column HXL-L”、“TSK gel G2500HXL”、“TSK gelG2000HXL”、“TSK gel G1000HXL”(均为TOSOH CORPORATION制造)依次连接而成的色谱柱
·色谱柱温度：40℃
·展开溶剂：四氢呋喃
·流速：1.0mL/分钟
·检测器：差示折光计
·标准样品：聚苯乙烯
相对于构成基材的氯乙烯类树脂100质量份，基材膜中的己二酸酯的含量的下限值优选为5质量份以上，更优选为10质量份以上，特别优选为15质量份以上。此外，相对于氯乙烯类树脂100质量份，己二酸酯的含量的上限值优选为40质量份以下，更优选为38质量份以下，特别优选为30质量份以下。通过使基材膜中的己二酸酯的含量在上述范围内，能够对基材膜赋予适当的柔软性，例如能够使半导体加工片的扩展性充分，另一方面，基材不会变得过度柔软且操作性优异。此外，若基材中的己二酸酯的含量在上述范围内，则通过己二酸酯从基材至粘着剂层的转移，能够将粘着剂层的物性控制在优选的范围内，拾取性能变得更优异，此外，可抑制该拾取性能的经时变化，进而可有效地抑制残渣物的产生。
相对于构成基材的氯乙烯类树脂100质量份，基材膜中的对苯二甲酸酯及己二酸酯的合计含量的下限值优选为5质量份以上，更优选为15质量份以上，特别优选为25质量份以上。此外，相对于氯乙烯类树脂100质量份，对苯二甲酸酯及己二酸酯的合计含量的上限值优选为80质量份以下，更优选为76质量份以下，特别优选为60质量份以下。
(3)硬脂酸钡
硬脂酸钡作为稳定剂而发挥作用，能够抑制由基材膜的制造及加工时或长期保管引起的氯乙烯类树脂的分解。进一步，在本实施方式中，通过将硬脂酸钡与上述的对苯二甲酸酯及己二酸酯同时使用，半导体加工片的拾取性能变得良好，且能够抑制该拾取性能的经时性降低。进一步，在本实施方式中，通过将硬脂酸钡与上述的对苯二甲酸酯及己二酸酯同时使用，可抑制将被粘物从半导体加工片上剥离时的粘着剂的残渣物的产生。
相对于构成基材的氯乙烯类树脂100质量份，基材膜中的硬脂酸钡含量的下限值优选为0.1质量份以上，更优选为0.3质量份以上，特别优选为0.5质量份以上。此外，相对于氯乙烯类树脂100质量份，硬脂酸钡含量的上限值优选为20质量份以下，更优选为15质量份以下，特别优选为10质量份以下。通过使基材膜中的硬脂酸钡的含量在上述范围内，能够有效地抑制基材膜中的氯乙烯类树脂的分解，同时拾取性能变得更优异，此外，能够抑制该拾取性能的经时变化，进而能够有效地抑制残渣物的产生。
(4)基材膜中的其它成分
在不损害本实施方式的效果的范围内，本实施方式涉及的基材膜也可同时使用除己二酸酯及对苯二甲酸酯以外的增塑剂，其不是RoHS指令的管制对象候补，也不是REACH法规的SVHC(高度关注物质)的认可物质。作为这样的增塑剂，例如可列举出偏苯三酸-三-2乙基己酯等偏苯三酸类增塑剂、二异壬基环己烷二碳酸酯等脂环族酯类增塑剂、癸二酸二辛酯等癸二酸酯类增塑剂、磷酸三甲酚酯等磷酸酯类增塑剂；环氧化大豆油等环氧类增塑剂等。含有除己二酸酯及对苯二甲酸酯以外的增塑剂时，其含量没有特别限定，例如相对于增塑剂总量，优选为25质量％以下，更优选为15质量％以下。
另外，本实施方式涉及的基材膜并不排除含有邻苯二甲酸烷基酯类增塑剂的情况。例如，在基材膜的制造工序中，可考虑到产生邻苯二甲酸烷基酯类增塑剂的污染的可能性。但是，由于邻苯二甲酸烷基酯类增塑剂为上述的RoHS指令的管制对象候补物质，而且为REACH法规的SVHC(高度关注物质)的认可物质，因此对于本实施方式涉及的基材膜而言，优选邻苯二甲酸烷基酯类增塑剂，特别是邻苯二甲酸二(2-乙基己基)酯、邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸丁苄酯及邻苯二甲酸二异丁酯的含量均为0.001质量％以下，特别优选不含有任一化合物。
在不损害本实施方式的效果的范围内，本实施方式涉及的基材膜也可含有除氯乙烯类树脂以外的树脂。作为除上述氯乙烯类树脂以外的其它树脂，例如可列举出乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物等，可单独使用1种，或者也可同时使用2种以上。含有除氯乙烯类树脂以外的树脂时，其含量没有特别限定，例如相对于基材膜，优选为0～20质量％，更优选为0～10质量％。
此外，本实施方式涉及的基材膜也可含有热稳定剂、稳定化助剂、润滑剂、紫外线吸收剂、阻燃剂、抗静电剂、着色剂等各种添加剂。这些各种添加剂的含量没有特别限定，例如相对于氯乙烯类树脂100质量份，能够设为0.01～10质量份。
作为热稳定剂，可列举出硬脂酸钙、硬脂酸钡、硬脂酸镁、二盐基性硬脂酸铅等金属皂；盐基性亚硫酸铅、二盐基性亚磷酸铅等铅类稳定剂；二月桂酸二丁锡、二苹果酸二丁锡、硫醇二丁锡等锡类稳定剂；钙类稳定剂；锌类稳定剂；镁类稳定剂；钡类稳定剂等，可单独使用1种，或者也可同时使用2种以上。
作为润滑剂，可列举出脂肪酸类润滑剂、脂肪酸酰胺类润滑剂、酯类润滑剂、聚乙烯蜡、液体石蜡等，可单独使用1种，或者也可同时使用2种以上。
作为紫外线吸收剂，可列举出二苯基酮类、苯并三唑类、氰基丙烯酸酯类、水杨酸酯类等，可单独使用1种，或者也可同时使用2种以上。
作为抗静电剂，可列举出聚氧乙烯烷基胺、聚氧乙烯烷基酰胺、聚聚氧乙烯烷基醚、甘油脂肪酸酯、失水山梨糖醇脂肪酸酯等，可单独使用1种，或者也可同时使用2种以上。
作为着色剂，例如可列举出酞花青类着色剂、喹吖酮类着色剂、汉萨黄、茜素色淀、氧化钛、氧化锌、永久红、碳黑等，可单独使用1种，或者也可同时使用2种以上。
3.基材膜的物性等
只要能够对半导体加工片所贴附的被加工物(半导体晶圆等)进行所需的作业，则对基材膜的厚度没有特别限定。具体而言，基材的厚度优选为25μm以上，特别优选为50μm以上。此外，该厚度优选为200μm以下，特别优选为150μm以下。
在本实施方式中，向上述基材膜1g中添加去离子水20mL并于121℃萃取24小时后的萃取氯离子量优选为1000ppm(μg/mL)以下，更优选为100ppm以下，特别优选为10ppm以下。此处，在含有氯乙烯类树脂的基材膜中，因氯乙烯类树脂的分解等而产生的氯离子有时从基材转移至粘着剂层，并腐蚀在贴附于粘着剂层上的半导体晶圆或芯片等上形成的电子电路。但是，若上述萃取氯离子量为1000ppm以下，则能够抑制这样的电子电路的腐蚀。另外，将萃取氯离子量的详细测定方法示于后述的实施例中。
本实施方式涉及的基材膜在拉伸试验中的、MD方向的25％应力的下限值优选为5MPa以上，更优选为7MPa以上，特别优选为9MPa以上。此外，上述MD方向的25％应力的上限值优选为24MPa以下，更优选为20MPa以下，特别优选为16MPa以下。此处，拉伸试验中的MD方向的25％应力为按照JIS K7161-1:2014而测定的值。
此外，本实施方式的基材膜在拉伸试验中的断裂点应力的下限值优选为14MPa以上，更优选为18MPa以上，特别优选为22MPa以上。此外，上述断裂点应力的上限值优选为48MPa以下，更优选为44MPa以下，特别优选为38MPa以下。此处，拉伸试验中的断裂点应力为按照JIS K7161-1:2014而测定的值。
通过使本实施方式的基材膜在拉伸试验中的MD方向的25％应力和断裂点应力在上述范围内，从而使基材膜的刚性变得适当，例如能够使半导体加工片的扩展性变得充分，另一方面，操作性变得优异，搬运时的被粘物支撑性变得优异。
4.基材膜的制造方法
本实施方式涉及的基材膜只要含有氯乙烯类树脂，且进一步含有对苯二甲酸酯、己二酸酯、及硬脂酸钡即可，其制造方法没有特别限定。例如，能够通过混合氯乙烯类树脂、对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡，并进一步混合根据所需的其它添加剂等，并将所得到的混合物进行制膜而得到。
各成分的混合通常利用机械熔融混炼方法，可使用单轴挤出机、双轴挤出机、亨舍尔混合机、班伯里密炼机、各种捏合机、布拉本德混合机(Brabender mixer)、压辊(calender roll)等。此时，各成分的添加顺序没有特别限制。此外，熔融混炼的温度能够从140℃～220℃中适当地选择。将所得到的混合物加工成膜状能够得到上述基材膜。膜加工利用挤出成型、辊成型、压延成型、吹塑成型(inflation molding)等通常的成型加工法进行即可。
此外，制膜的方法也可以为：将上述所例示的混合物制成溶液或熔融状态，并利用辊成形等涂布方法来进行涂布。
为了提高与层叠于其一个面上的粘着剂层的密着性，上述基材膜能够根据所需在一面或两面上实施基于氧化法或凹凸化法等的表面处理、或底漆处理。作为上述氧化法，例如可列举出电晕放电处理、等离子体放电处理、铬氧化处理(湿式)、火焰处理、热风处理、臭氧、紫外线照射处理等，此外，作为凹凸化法，例如可列举出利用辊的压纹法、喷砂法、热喷涂处理法等。
此外，也可使用剥离剂对上述基材膜的未层叠粘着剂层的一侧的面进行剥离处理。由此，即便在不使用剥离膜而将半导体加工片制成卷取物的情况下，也能够良好地进行放卷。
[半导体加工片]
本实施方式涉及的半导体加工片的构成具备上述实施方式涉及的基材膜、及层叠于该基材膜的至少一面上的粘着剂层。可在粘着剂层的与基材膜相反侧的面上层叠剥离膜。该剥离膜可在使用半导体加工片时剥离去除，在此之前用于保护粘着剂层。
1.粘着剂层
本实施方式涉及的半导体加工片能够将以往用于半导体加工片的粘着剂用作构成粘着剂层的粘着剂。
例如，构成上述粘着剂层的粘着剂可以为即便照射能量射线也不固化的能量射线非固化性的粘着剂，也可以为通过能量射线的照射而固化的能量射线固化性的粘着剂。当粘着剂层由多层构成时，可为将对能量射线为非固化性的粘着剂及为固化性的粘着剂组合而成的粘着剂。但是，在本实施方式中，由于在使用能量射线非固化性的粘着剂时，可更有效地发挥基于使基材膜含有对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡的效果，因此更优选使用能量射线非固化性的粘着剂作为粘着剂。
此处，本实施方式中使用的粘着剂层优选含有与上述基材膜所含有的对苯二甲酸酯同种的对苯二甲酸酯，进一步优选含有与上述基材膜所含有的对苯二甲酸酯及己二酸酯同种的对苯二甲酸酯及己二酸酯。若粘着剂层含有上述成分，则粘着剂层的经时的粘着物性在早期稳定，而且在短期间内完成上述成分从基材膜至粘着剂层的转移。因此，通过使粘着剂层含有上述成分，拾取性能变得更优异，而且能够进一步抑制该拾取性能的经时变化。另一方面，本实施方式中使用的粘着剂层可以含有硬脂酸钡，也可以不含有硬脂酸钡。
此处，粘着剂层所含有的、与上述基材膜所含有的对苯二甲酸酯同种的对苯二甲酸酯(优选为同种的对苯二甲酸酯及己二酸酯)也可通过从基材膜转移至粘着剂层从而使其被粘着剂层包含，但是优选通过预先掺合于形成粘着剂层的粘着剂组合物从而使其被粘着剂层包含。
以下，对能量射线非固化性及固化性的粘着主剂稍微详细地进行说明。
(1)能量射线非固化性粘着主剂
作为能量射线非固化性粘着剂，能够使用以往公知的能量射线非固化性粘着剂，例如能够使用由含有能量射线非固化性的聚合物作为粘着主剂的粘着剂组合物形成的能量射线非固化性粘着剂。此处，能量射线非固化性的聚合物可直接被包含于粘着剂层中，或者也可为至少其一部分与交联剂进行交联反应而具有交联结构。作为能量射线非固化性的聚合物，例如可列举出丙烯酸类聚合物、苯氧基树脂、聚氨酯树脂、聚酯树脂、橡胶类树脂、丙烯酸聚氨酯树脂、有机硅树脂等，其中，优选容易控制粘着力的丙烯酸类聚合物。以下，对使用丙烯酸类聚合物的情况进行详细的说明。
作为丙烯酸类聚合物，能够使用以往公知的丙烯酸类的聚合物。丙烯酸类聚合物可为由一种丙烯酸类单体形成的均聚物，也可为由多种丙烯酸类单体形成的共聚物，也可为由一种或多种丙烯酸类单体与除丙烯酸类单体以外的单体形成的共聚物。作为丙烯酸类单体的化合物的具体种类没有特别限定，作为具体例可列举出(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯、其衍生物(丙烯腈、衣康酸等)。此外，在本说明书中，(甲基)丙烯酸是指丙烯酸及甲基丙烯酸这两者。其它类似用语也相同。此外，本说明书中的“聚合物”有时也包含“共聚物”的概念。
上述丙烯酸类聚合物优选含有具有极性基团的单体(含极性基团单体)作为构成该聚合物的单体单元。在该情况下，优选该丙烯酸类聚合物为使具有极性基团的丙烯酸类单体、不具有极性基团的丙烯酸类单体、及根据所需的除丙烯酸类单体以外的单体共聚而成的丙烯酸类聚合物。即，优选上述含极性基团单体为具有极性基团的丙烯酸类单体。
优选不具有极性基团的丙烯酸类单体含有(甲基)丙烯酸烷基酯单体。作为(甲基)丙烯酸烷基酯单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕榈酯、(甲基)丙烯酸十八酯等。(甲基)丙烯酸烷基酯单体中，优选烷基的碳原子数为1～18、特别优选碳原子数为1～8的(甲基)丙烯酸烷基酯单体。它们可单独使用，也可组合使用2种以上。
除了上述(甲基)丙烯酸烷基酯单体以外，不具有极性基团的丙烯酸类单体也可含有例如(甲基)丙烯酸苯酯等具有芳香族环的(甲基)丙烯酸酯等。
在不具有极性基团的单体中，上述丙烯酸类聚合物特别优选含有(甲基)丙烯酸丁酯作为构成该聚合物的单体单元。其结果，在本实施方式中，通过使上述丙烯酸类聚合物含有(甲基)丙烯酸丁酯作为单体单元，从而使被粘物的拾取性变得良好，而且可抑制残渣物的产生。推测这是由于通过使上述丙烯酸类聚合物含有(甲基)丙烯酸丁酯作为单体单元，基材所含有的对苯二甲酸酯和/或己二酸酯(特别是对苯二甲酸酯)变得容易转移至粘着剂层。
此外，优选上述丙烯酸类聚合物含有具有极性基团的单体(含极性基团单体)作为构成该聚合物的单体单元。通过使上述丙烯酸类聚合物含有具有极性基团的单体作为单体单元，在本实施方式中，被粘物的拾取性变得良好，而且可抑制残渣物的产生。推测这是由于来自丙烯酸类聚合物的上述极性基团存在于粘着剂层中时，基材所含有的对苯二甲酸酯和/或己二酸酯(特别是对苯二甲酸酯)变得容易转移至粘着剂层。
作为上述极性基团，可列举出氰基、羧基、羟基、氨基等，具有这些基团的单体能够单独使用1种或同时使用2种以上。其中，优选氰基或羧基。若使用氰基和/或羧基作为极性基团，则被粘物的拾取性变得良好，而且能够更有效地发挥抑制残渣物的产生的本实施方式的效果。
此处，作为具有氰基的单体，可例示出丙烯腈等。此外，作为具有羧基的单体，可例示出(甲基)丙烯酸、衣康酸、马来酸、富马酸等。进一步，作为具有羟基的单体，可例示出(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、丙烯酸4-羟基丁酯等。
除了上述具有氰基、羧基或羟基的丙烯酸类单体以外，具有极性基团的丙烯酸类单体也可含有例如(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基烷基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酰胺等非交联性的丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸N,N-二甲氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲氨基丙酯等具有非交联性的叔氨基的(甲基)丙烯酸酯等。
另外，当上述能量射线非固化性粘着剂含有交联剂时，上述丙烯酸类聚合物优选具有与交联剂反应的反应性官能团。此处，由于反应性官能团通常具有极性，因此也作为上述的极性基团而发挥作用。因此，具有与交联剂反应的官能团的含官能团单体通常兼作为含极性基团单体。此时，作为含极性基团单体，优选同时使用具有与交联剂反应的官能团的含官能团单体、及具有不与交联剂反应的极性基团的单体。通过同时使用含官能团单体、及具有不与交联剂反应的极性基团的单体，丙烯酸类聚合物在与交联剂反应之后，仍残留有不与交联剂反应的极性基团，因此被粘物的拾取性变得良好，而且能够更有效地发挥抑制残渣物的产生的本实施方式的效果。
将极性基团导入丙烯酸类聚合物的方法没有特别限定，作为一个例子，可列举出使用具有极性基团的单体形成丙烯酸类聚合物，并使聚合物骨架含有基于具有极性基团的单体的结构单元的方法。例如，将氰基导入丙烯酸类聚合物时，使用丙烯腈等具有氰基的单体形成丙烯酸类聚合物即可。此外，将羧基导入丙烯酸类聚合物时，使用丙烯酸等具有羧基的单体形成丙烯酸类聚合物即可。
丙烯酸类聚合物具有极性基团时，来自具有极性基团的单体的结构部分的质量占丙烯酸类聚合物整体质量的比例优选为1质量％以上，特别优选为3质量％以上。此外，该比例优选为30质量％以下，特别优选为20质量％以下。若来自具有极性基团的单体的结构部分的质量的比例为1质量％以上，则被粘物的拾取性变得良好，此外能够更有效地发挥抑制残渣物的产生的本实施方式的效果。此外，若来自具有极性基团的单体的结构部分的质量的比例为30质量％以下，则易于控制粘着剂的粘着力，且对被粘物的贴附性和拾取性得到提升。
当本实施方式中的能量射线非固化性粘着剂含有后述的交联剂时，丙烯酸类聚合物优选具有与交联剂反应的反应性官能团。反应性官能团的种类没有特别限定，基于交联剂的种类等适当决定即可。
例如，交联剂为聚异氰酸酯化合物时，作为丙烯酸类聚合物所具有的反应性官能团，可例示出羟基、羧基、氨基等。此外，交联剂为环氧类化合物时，作为丙烯酸类聚合物所具有的反应性官能团，可例示出羧基、氨基、酰胺基等，交联剂为螯合化合物时，作为丙烯酸类聚合物所具有的反应性官能团，可例示出羟基、羧基、环氧基等。
将反应性官能团导入丙烯酸类聚合物的方法没有特别限定，能够例示出与上述的导入极性基团的方法同样的方法。
丙烯酸类聚合物具有反应性官能团时，来自具有反应性官能团的单体的结构部分的质量占丙烯酸类聚合物整体质量的比例优选为1质量％以上，特别优选为2质量％以上。此外，该比例优选为30质量％以下，特别优选为20质量％以下。通过使上述比例在上述范围内，能够使交联程度良好。
作为除丙烯酸类单体以外的单体，例如可列举出乙烯、降冰片烯等烯烃、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。
丙烯酸类聚合物能够通过使用常用的方法将上述各单体共聚而得到。丙烯酸类聚合物的聚合方式可以为无规共聚物，也可以为嵌段共聚物。
丙烯酸类聚合物的重均分子量(Mw)优选为1万以上，特别优选为10万以上。此外，丙烯酸类聚合物的重均分子量优选为200万以下，特别优选为150万以下。通过使上述重均分子量在上述范围内，能够在发挥良好的粘着性的同时，良好地确保涂布时的造膜性。另外，本说明书中的重均分子量是使用凝胶渗透色谱装置(TOSOH CORPORATION制造，产品名称“HLC-8020”)，以下述条件测定(GPC测定)的标准聚苯乙烯换算值。
<GPC测定条件>
·色谱柱：将“TSK guard column HXL-L”、“TSK gel G2500HXL”、“TSK gelG2000HXL”、“TSK gel G1000HXL”(均为TOSOH CORPORATION制造)依次连接而成的色谱柱
·色谱柱温度：40℃
·展开溶剂：四氢呋喃
·流速：1.0mL/分钟
·检测器：差示折光计
·标准样品：聚苯乙烯
(2)能量射线固化性粘着主剂
当本实施方式的粘着剂层由能量射线固化性粘着剂形成时，作为该能量射线固化性粘着剂，可以含有能量射线固化性的单体和/或低聚物；也可以含有能量射线非固化性的聚合物、及能量射线固化性的单体和/或低聚物；也可以含有能量射线固化性的聚合物；也可以含有能量射线固化性的聚合物、及能量射线固化性的单体和/或低聚物；也可以含有能量射线固化性的聚合物、能量射线非固化性的聚合物、以及能量射线固化性的单体和/或低聚物。其中，优选能够容易地增大能量射线固化前的粘着力且增大其与能量射线固化后的粘着力的差的、含有能量射线非固化性的聚合物以及能量射线固化性的单体和/或低聚物的能量射线固化性粘着剂。能量射线固化性粘着剂也可进一步含有交联剂。另外，上述成分中，能量射线固化性的单体和/或低聚物、以及能量射线固化性的聚合物相当于能量射线固化性成分。
(2-1)能量射线非固化性的聚合物
用于能量射线固化性粘着主剂的能量射线非固化性的聚合物的种类没有特别限定，例如能够使用与上述的能量射线非固化性粘着主剂中所说明的聚合物相同的物质。
(2-2)能量射线固化性的单体和/或低聚物
能量射线固化性的单体和/或低聚物(以下称为“能量射线固化性化合物”)为具有能量射线固化性基团、受到能量射线的照射就进行聚合的化合物，分子量比后述的能量射线固化性的聚合物低。
能量射线固化性化合物所具有的能量射线固化性基团例如为含有能量射线固化性的碳-碳双键的基团，具体而言，能够例示出(甲基)丙烯酰基、乙烯基等。
能量射线固化性化合物可为单官能，也可为多官能，但优选为多官能。该情况下，能量射线固化性化合物优选为双官能以上，特别优选为三官能以上，进一步优选为四官能以上。此外，该能量射线固化性化合物优选为十五官能以下，特别优选为十二官能以下，进一步优选为十官能以下。若能量射线固化性化合物为如上所述的多官能，则容易控制基于紫外性固化的粘着力，也不易产生由基于固化的体积收缩增大导致的与基材的密着不良。
作为能量射线固化性化合物的具体例，可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、或1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、二环戊二烯二甲氧基二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯等含环状脂肪族骨架的丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、低聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物、环氧改性(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、衣康酸低聚物等丙烯酸酯类化合物。它们能够单独使用1种，也能够组合使用2种以上。
能量射线固化性化合物的分子量优选为100以上，特别优选为300以上。此外，能量射线固化性化合物的分子量优选为30000以下，特别优选为10000以下。通过使能量射线固化性化合物的分子量在上述范围内，能够在确保造膜性的同时抑制涂布干燥时的材料挥发的影响。
相对于能量射线非固化性的聚合物及固化性的聚合物的合计100质量份，能量射线固化性化合物的比例优选为30质量份以上，特别优选为40质量份以上，进一步优选为50质量份以上。此外，该比例优选为200质量份以下，特别优选为170质量份以下，进一步优选为150质量份以下。通过使上述比例在上述范围内，可在固化前发挥良好的粘着力，并在固化后充分地降低粘着力。
(2-3)能量射线固化性的聚合物
优选能量射线固化性的聚合物为导入有能量射线固化性基团的聚合物。该导入有能量射线固化性基团的聚合物可直接被包含于粘着剂层中，或者也可为至少其一部分与交联剂进行交联反应而具有交联结构。
作为导入有能量射线固化性基团的聚合物，例如可列举出使下述化合物反应而得到的丙烯酸类聚合物，即将含有官能团的含官能团单体作为单体单元而含有的含官能团的丙烯酸类聚合物、及具有与该官能团反应的取代基及能量射线固化性碳-碳双键的含固化性基团的化合物。
含官能团的丙烯酸类聚合物优选为含有官能团的丙烯酸类单体、不含有官能团的丙烯酸类单体、及根据所需的除丙烯酸类单体以外的单体共聚而成的聚合物。即，上述含官能团单体优选为含有官能团的丙烯酸类单体。
作为含有官能团的丙烯酸类单体的官能团(含官能团单体的官能团)，可选择能够与上述含固化性基团的化合物所具有的取代基反应的官能团。作为该官能团，例如可列举出羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等。
另外，当含官能团的丙烯酸类聚合物含有上述的含极性基团单体作为单体单元时，该含极性基团单体也可兼作为具有能够与上述含固化性基团的化合物所具有的取代基反应的官能团的含官能团单体。
此外，当本实施方式的能量射线固化性粘着剂含有交联剂时，含官能团的丙烯酸类聚合物优选将具有与交联剂反应的官能团的含官能团单体作为单体单元而含有，该含官能团单体也可兼作为具有能够与上述含固化性基团的化合物所具有的取代基反应的官能团的含官能团单体。
不含有官能团的丙烯酸类单体优选含有(甲基)丙烯酸烷基酯单体。作为(甲基)丙烯酸烷基酯单体，例如可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕榈酯、(甲基)丙烯酸十八酯等。(甲基)丙烯酸烷基酯单体中，优选烷基的碳原子数为1～18、特别优选碳原子数为1～8的(甲基)丙烯酸烷基酯单体。它们可单独使用，也可组合使用2种以上。
除了上述(甲基)丙烯酸烷基酯单体以外，不含有官能团的丙烯酸类单体例如也可含有(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基烷基的(甲基)丙烯酸酯，(甲基)丙烯酸苯酯等具有芳香族环的(甲基)丙烯酸酯，丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺等非交联性的丙烯酰胺，(甲基)丙烯酸N,N-二甲氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲氨基丙酯等具有非交联性的叔氨基的(甲基)丙烯酸酯等。
作为除丙烯酸类单体以外的单体，例如可列举出乙烯、降冰片烯等烯烃、乙酸乙烯酯、苯乙烯等。
含官能团的丙烯酸类聚合物中的、来自含官能团单体的结构部分的质量占含官能团的丙烯酸类聚合物整体质量的比例优选为0.1质量％以上，特别优选为1质量％以上，进一步优选为3质量％以上。此外，该比例优选为50质量％以下，特别优选为40质量％以下，进一步优选为30质量％以下。由此，能够将基于含固化性基团的化合物的固化性基团的导入量(及与交联剂的反应量)调整为所需的量，将所得到的粘着剂层的交联程度控制在优选的范围内。
含官能团的丙烯酸类聚合物能够通过使用常用的方法将上述各单体共聚而得到。含官能团的丙烯酸类聚合物的聚合方式可以为无规共聚物，也可以为嵌段共聚物。
含固化性基团的化合物具有与含官能团的丙烯酸类聚合物所具有的官能团反应的取代基及能量射线固化性碳-碳双键。作为与含官能团的丙烯酸类聚合物所具有的官能团反应的取代基，例如可列举出异氰酸酯基、环氧基、羧基等，其中，优选与羟基的反应性高的异氰酸酯基。
含固化性基团的化合物优选在每1分子的含固化性基团的化合物中含有1～5个、特别优选含有1～3个能量射线固化性碳-碳双键。
作为这样的含固化性基团的化合物，例如可列举出2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、1,1-(双丙烯酰氧甲基)乙基异氰酸酯；通过二异氰酸酯化合物或聚异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；通过二异氰酸酯化合物或聚异氰酸酯化合物与多元醇化合物、及(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物等。含固化性基团的化合物能够单独使用1种，也能够组合使用2种以上。
对于导入有能量射线固化性基团的聚合物而言，相对于该聚合物所具有的官能团(与含固化性基团的化合物的取代基反应的官能团)，优选含有20摩尔％以上、特别优选含有35摩尔％以上、进一步优选含有50摩尔％以上的来自含固化性基团的化合物的固化性基团。此外，优选含有120摩尔％以下，特别优选含有100摩尔％以下。另外，当含固化性基团的化合物为一官能时，上限为100摩尔％，但当含固化性基团的化合物为多官能时，有时大于100摩尔％。通过使相对于上述官能团的固化性基团的比例在上述范围内，从而使基于能量射线照射的粘着力的降低性变得更加良好。
导入有能量射线固化性基团的聚合物的重均分子量(Mw)优选为10万以上，更优选为30万以上。此外，该重均分子量优选为200万以下，特别是更优选为150万以下。通过使上述重均分子量在上述范围内，能够在发挥良好的粘着性的同时，良好地确保涂布时的造膜性。
(2-4)能量射线的照射
作为用于使上述的能量射线固化性粘着剂固化的能量射线，可列举出电离放射线，即X射线、紫外线、电子束等。其中，优选照射设备的导入较为容易的紫外线。
将紫外线用作电离放射线时，从操作的难易度出发，使用含有波长为200～380nm左右的紫外线的近紫外线即可。作为光量，根据上述的能量射线固化性化合物及能量射线固化性的聚合物所具有的能量射线固化性基团的种类或粘着剂层的厚度适当选择即可，通常为50～500mJ/cm2左右，优选为100～450mJ/cm2，更优选为200～400mJ/cm2。此外，紫外线照度通常为50～500mW/cm2左右，优选为100～450mW/cm2，更优选为200～400mW/cm2。作为紫外线源没有特别限制，例如能够使用高压汞灯、金属卤素灯、UV-LED等。
将电子束用作电离放射线时，关于其加速电压，根据上述的能量射线固化性化合物及能量射线固化性的聚合物所具有的能量射线固化性基团的种类或粘着剂层的厚度适当选定即可，通常优选加速电压为10～1000kV左右。此外，照射线量设定在上述的能量射线固化性化合物及能量射线固化性的聚合物适当地固化的范围即可，通常在10～1000krad的范围内进行选定。作为电子束源，没有特别限制，例如能够使用科克罗夫特-瓦耳顿(Cockroft-Walton)型、凡得格拉夫(Van de Graaff)型、共振变压器型、绝缘芯变压器型、或直线型、并激式高频高压加速器(dynamitron)型、高频型等各种电子束加速器。
(3)交联剂
作为交联剂，能够使用具有与上述的丙烯酸类聚合物、或导入有能量射线固化性基团的聚合物所具有的官能团的反应性的多官能性化合物。作为这样的多官能性化合物的例子，可列举出聚异氰酸酯化合物、环氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、肼化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金属醇盐化合物、金属螯合化合物、金属盐、铵盐、反应性酚树脂等。这些交联剂可单独使用1种，或者也可同时使用2种以上。
作为聚异氰酸酯化合物，例如可列举出甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯等芳香族聚异氰酸酯，六亚甲基二异氰酸酯等脂肪族聚异氰酸酯，异佛尔酮二异氰酸酯、氢化二苯基甲烷二异氰酸酯等脂环式聚异氰酸酯等，及它们的缩二脲体、异氰脲酸酯体，进一步可列举出作为与乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷、蓖麻油等低分子含活性氢化合物的反应物的加合体等。其中，从与官能团的反应性的角度出发，优选三羟甲基丙烷改性的芳香族聚异氰酸酯、特别优选三羟甲基丙烷改性甲苯二异氰酸酯。
相对于丙烯酸类聚合物或导入有能量射线固化性基团的聚合物100质量份，交联剂含量的下限值优选为0.01质量份以上，特别优选为0.02质量份以上。此外，相对于丙烯酸类聚合物或导入有能量射线固化性基团的聚合物100质量份，交联剂含量的上限值优选为20质量份以下，特别优选为10质量份以下。通过使交联剂的含量在上述范围内，能够将所得到的粘着剂层的交联程度控制在优选的范围内。
(4)其它成分
除了上述成分以外，本实施方式中的形成粘着剂层的粘着剂组合物也可含有光聚合引发剂、染料或颜料等着色材料、抗静电剂、增粘剂、阻燃剂、填料等各种添加剂。
作为光聚合引发剂，可列举出苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、酰基膦氧化物化合物、二茂钛化合物、噻吨酮化合物、过氧化物化合物等光引发剂，胺或醌等光敏剂等，具体而言，可例示出1-羟基环己基苯基酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄基(dibenzyl)、二乙酰(diacetyl)、β-氯蒽醌、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等。这些光聚合引发剂可单独使用1种，或者也可同时使用2种以上。将紫外线用作能量射线时，通过掺合光聚合引发剂，能够减少照射时间、照射量。
(5)粘着剂层的厚度
本实施方式中的粘着剂层的厚度的下限值优选为1μm以上，特别优选为2μm以上，进一步优选为3μm以上。此外，本实施方式中的粘着剂层的厚度优选为50μm以下，特别优选为40μm以下，进一步优选为30μm以下。通过使粘着剂层的厚度在上述范围内，能够有效地得到所需的粘着力。此外，当粘着剂层由能量射线固化性粘着剂形成时，若粘着剂层的厚度的上限值为上述以下，则上述能量射线固化性粘着剂容易固化。
2.剥离膜
剥离膜在至半导体加工片被使用为止的期间保护粘着剂层，其未必为必要的。剥离膜的构成为任意，可例示出膜本身对粘着剂层具有剥离性的塑料膜、以及使用剥离剂等对塑料膜进行剥离处理而成的剥离膜。作为塑料膜的具体例，可列举出聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯膜，及聚丙烯或聚乙烯等聚烯烃膜。作为剥离剂，能够使用有机硅类、氟类、橡胶类、长链烷基类等，其中，优选廉价且能够得到稳定的性能的有机硅类。对剥离膜的厚度没有特别限制，但通常为20～250μm左右。
3.半导体加工片的其它例子
以上，对具备基材膜及粘着剂层的半导体加工片进行了说明，但是本发明并不限定于此。
例如，作为其它实施方式，半导体加工片也可在基材膜与粘着剂层之间具备用于提升基材膜与粘着剂层之间的密着性的底漆层等。此外，半导体加工片也可在基材膜与粘着剂层之间具备中间层。作为中间层，例如可列举出具有对半导体加工片赋予所需的弹性或对半导体芯片的突起的追随性的功能的中间层。该中间层例如由含有氨基甲酸酯丙烯酸酯等的材料构成。
此外，作为其它实施方式，半导体加工片也可具备位于最外层的接着剂层。优选该接着剂层通过加热等触发而显现粘着性。该接着剂层例如能够用作芯片焊接(diebonding)中的接着剂。该情况下，优选在上述接着剂层与上述的粘着剂层等之间设置用于抑制添加剂向接着剂层的转移的阻挡层等。
此外，作为其它实施方式，半导体加工片也可具备位于最外层的保护膜形成膜。特别是当利用被称为倒装(Face-Down)方式的封装法制造半导体装置时，保护膜形成膜能够用作用于保护半导体芯片的背面的保护膜。
4.半导体加工片的制造方法
本实施方式涉及的半导体加工片能够以与以往的半导体加工片相同的方式进行制造。特别是作为由基材及粘着剂层构成的半导体加工片的制造方法，只要能够将由上述的粘着剂组合物形成的粘着剂层层叠于基材的一个面上即可，详细方法没有特别限定。若列举出一个例子，能够通过下述方式形成粘着剂层：制备含有构成粘着剂层的粘着剂组合物、及根据所需而进一步含有溶剂或分散介质的涂布液，使用模具涂布机(die coater)、淋涂机(curtain coater)、喷涂机(spray coater)、狭缝式涂布机(slit coater)、刮刀涂布机等，将该涂布液涂布于基材的一个面上而形成涂膜，使该涂膜干燥。涂布液只要能够进行涂布，则对其性状没有特别限定，有时将用于形成粘着剂层的成分作为溶质而含有，有时也作为分散质而含有。
此外，作为半导体加工片的制造方法的另外的一个例子，也可以将涂布液涂布在上述剥离片的剥离面上而形成涂膜，使其干燥从而形成由粘着剂层及剥离片构成的层叠体，将该层叠体的粘着剂层的与剥离片侧的面相反侧的面贴附在基材上，从而得到半导体加工片与剥离片的层叠体。该层叠体中的剥离片可作为工序材料而进行剥离，也可在至贴附于半导体芯片、半导体晶圆等被粘着物为止的期间保护粘着剂层。
当涂布液含有交联剂时，通过改变上述的干燥条件(温度、时间等)、或通过另外设置加热处理，使涂膜内的能量射线非固化性的聚合物或能量射线固化性的聚合物与交联剂进行交联反应，并以所需的存在密度在粘着剂层内形成交联结构即可。
5.半导体加工片的物性
本实施方式涉及的半导体加工片的厚度没有特别限定，但优选为50μm以上，特别优选为80μm以上。此外，该厚度优选为200μm以下，特别优选为160μm以下。
此外，1片210mm×297mm大小的半导体加工片中的厚度最大值与最小值的差优选为7μm以下，进一步优选为5μm以下，特别优选为3μm以下。上述厚度的最大值与最小值的差能够称为半导体加工片的厚度偏差的指标，若上述厚度的最大值与最小值的差大，则粘贴了被粘物时，压力集中在半导体加工片的厚的部分，在被粘物贴附时或切割时存在产生裂纹或芯片飞散的情况，但若上述厚度的最大值与最小值的差为7μm以下，则能够抑制该压力集中或由压力集中引起的被粘物的裂纹或芯片飞散。
本实施方式涉及的半导体加工片对镜面硅晶圆(silicon mirror wafer)的粘着力的上限值优选为20000mN/25mm以下，特别优选为18000mN/25mm以下，进一步优选为16000mN/25mm以下。由此，能够容易地将半导体加工片从被粘物上剥离。另一方面，该粘着力的下限值优选为100mN/25mm以上，特别优选为150mN/25mm以上，进一步优选为200mN/25mm以上。由此，在针对贴附有半导体加工片的被粘物的作业中，能够抑制非意图性的剥离的产生。此外，对各种材料均能够发挥良好的密着性，能够适用于广泛的被粘物。另外，本说明书中的粘着力为将镜面硅晶圆作为被粘物，按照JIS Z0237:2000的180°剥离试验而测定的粘着力，粘着剂层由能量射线固化性粘着剂形成时，为能量射线照射前的粘着力。
此外，当粘着剂层由能量射线固化性粘着剂形成时，能量射线照射后的粘着力(以下有时称为“照射后粘着力”)的上限值优选为800mN/25mm以下，特别优选为600mN/25mm以下，进一步优选为500mN/25mm以下。由此，能够将半导体加工片容易地从被粘物上剥离。另一方面，该照射后粘着力的下限值没有特别限定，但通常优选为5mN/25mm以上，特别优选为10mN/25mm以上，进一步优选为20mN/25mm以上。另外，本说明书中的照射后粘着力为将镜面硅晶圆作为被粘物，按照JIS Z0237:2000的180°剥离试验而测定的值。
6.半导体加工片的用途
本实施方式涉及的半导体加工片能够在支撑、切割半导体晶圆时，进一步在拾取被切片的半导体芯片时使用。
例如，本实施方式涉及的半导体加工片能够用作切割片。该情况下，通过将背面研磨后的半导体晶圆贴附在半导体加工片上，并在半导体加工片上进行切割，从而能够将该半导体晶圆切片为半导体芯片。然后，能够从半导体加工片上分别拾取多个半导体芯片。
此外，本实施方式涉及的半导体加工片也能够用于在进行半导体晶圆的背面研磨之前进行切割工序的先切割法、及利用激光设置粉碎层的隐形切割(Stealth dicing)法中。此处，在用于先切割法时，例如在切割后将背面研磨用粘着片贴附于晶圆表面，并将本实施方式涉及的半导体晶圆加工片剥离即可。另一方面，在用于隐形切割法时，例如将背面研磨用粘着片贴附于半导体晶圆的表面后，将本实施方式涉及的半导体晶圆加工用片贴附于半导体晶圆的背面，隔着半导体晶圆加工用片进行隐形切割后，将半导体晶圆加工用片剥离即可。
本实施方式涉及的半导体加工片也能够不用于切割，而只用于拾取切割后的半导体芯片。该情况下，能够在使多个半导体芯片从切割片移动至半导体加工片后，从该半导体加工片拾取半导体芯片。另外，从切割片至半导体加工片的移动可通过转印进行，或通过拾取进行。
本实施方式涉及的半导体加工片也能够用作切割-芯片焊接片(dicing-diebongding sheet)。该情况下，半导体加工片优选具备上述的接着剂层，进一步优选在该接着剂层与上述粘着剂层等之间设置用于抑制添加剂向接着剂层的转移的阻挡层等。根据该半导体加工片，在进行切割时，同时将半导体晶圆及接着剂层切断，并拾取被切片的半导体芯片，从而能够得到附着有接着剂的半导体芯片。另外，作为切割-芯片焊接片中的粘着剂层，虽然作为兼用用于固定半导体晶圆等被粘物的粘着剂、及附着于半导体芯片并具有晶粒接着功能的晶粒接着用接着剂的粘接着剂层而发挥功能，但本实施方式中的上述粘着剂层不具有作为这样的粘接着剂层的功能。
此外，本实施方式涉及的半导体加工片也能够用作用于在半导体晶圆上形成保护膜的保护膜形成用片。该情况下，半导体加工片在最外层进一步具备保护膜形成膜，根据该半导体加工片(保护膜形成用片)，在进行切割时，同时将半导体晶圆及保护膜形成膜切断，并拾取被切片的半导体芯片，从而能够得到在背面具有保护膜的半导体芯片。
7.半导体加工片的使用方法
作为本实施方式涉及的半导体加工片的使用方法的一个例子，以下，对将半导体加工片用作切割片的方法进行说明。
在使用本实施方式涉及的半导体加工片时，将粘着剂层侧的面(即，粘着剂层的与基材膜相反侧的面)贴附在半导体晶圆上。将剥离膜层叠于半导体加工片的粘着剂层侧的面上时，将该剥离膜剥离从而使粘着剂层侧的面露出、并将该面贴附于半导体晶圆的粘贴面上即可。半导体加工片的周边部通常经由设置在该部分的粘着剂层而贴附于被称为环状框架的用于搬运或用于向装置的固定的环状的夹具上。
接着，实施切割工序，由半导体晶圆得到多个芯片。进一步，当粘着剂层由能量射线固化性粘着剂形成时，切割工序结束后，从半导体加工片的基材膜侧进行能量射线照射，使粘着剂层的粘着性降低。
然后，为了使接近配置在半导体加工片上的多个芯片的拾取变得容易，进行将半导体加工片沿平面方向伸长的扩展工序。考虑被接近配置的芯片应具有的间隔、基材膜的拉伸强度等而适当设定该伸长的程度即可。另外，扩展工序也可在进行能量射线照射之前进行。
扩展工序之后，进行粘着剂层上的芯片的拾取。拾取利用吸附筒夹(suctioncollet)等常用手段进行，但是此时为了使拾取变得容易，优选进行使用别针(pin)、针(needle)等将对象芯片从半导体加工片的基材膜侧上推的操作。
由于本实施方式涉及的半导体加工片，即使使用邻苯二甲酸烷基酯的代替物质作为基材膜所含有的增塑剂也显示充分的柔软性，因此扩展性优异，在扩展工序中易于使芯片间分离，能够容易地将芯片回收。此外，由于基材膜含有对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡，因此半导体加工片的拾取性能变得良好，而且能够抑制该拾取性能的经时性降低，进一步在将被粘物从半导体加工片上剥离时能够抑制粘着剂的残渣物的产生。另外，被拾取的芯片被提供至搬运工序等下一个工序。
以上所说明的实施方式是为了容易理解本发明而记载的，而不是为了限定本发明而记载。因此，上述实施方式中所公开的各要素为还包含属于本发明的技术范围的全部的设计变更或均等物的宗旨。
实施例
以下，利用实施例等对本发明进行更具体的说明，但是本发明范围并不受这些实施例等的限定。
(1)氯乙烯树脂制基材的制造
(基材1)
使用亨舍尔混合机将聚氯乙烯树脂(平均聚合度：780，重均分子量：4万，Tg：82℃)100质量份(固体成分换算值；以下相同)、对苯二甲酸二(2-乙基己基)酯15质量份、己二酸二(2-乙基己基)酯14质量份、硬脂酸钡1质量份混合后，以辊温度成为180℃的方式进行设定，使用辊成型法得到了厚度为100μm的氯乙烯树脂制基材。
(基材2～4)
除了将添加剂的掺合变更为如表1所示以外，以与基材1相同的方式得到了氯乙烯树脂制基材。
(2)粘着剂的制备
(粘着剂1)
使丙烯酸丁酯85质量份、丙烯腈10质量份、丙烯酸5质量份共聚，得到了丙烯酸类共聚物(重均分子量：70万，玻璃化转变温度Tg：-44℃)。将该丙烯酸类共聚物100质量份(固体成分换算值；以下相同)、作为交联剂的含有三羟甲基丙烷改性甲苯二异氰酸酯(TDI-TMP)的组合物(TOSOH CORPORATION制造，CORONATE L)10质量份、及对苯二甲酸二(2-乙基己基)酯10质量份混合并用乙酸乙酯稀释，得到了固体成分含量为24质量％的粘着剂组合物的涂布液。
(粘着剂2～6)
除了将丙烯酸类共聚物中的单体的比例及粘着剂组合物中的添加剂的掺合变更为如表2所示以外，以与粘着剂1相同的方式得到了粘着剂组合物的涂布液。
(3)半导体加工片的制造
(实施例1)
使用模具涂布机将上述(2)中得到的粘着剂组合物(粘着剂1)的涂布液涂布于利用有机硅类剥离剂对厚度为38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的一个主面进行剥离处理而成的剥离膜(LINTEC CORPORATION制造，SP-PET381031)的剥离处理面上，并于100℃使其干燥2分钟，由此形成厚度为10μm的粘着剂层，得到了由剥离膜及粘着剂层构成的层叠体。接着，将上述层叠体的粘着剂层侧的面贴附于上述(1)中得到的氯乙烯树脂制基材(基材1，厚度：100μm)的一个面上，以在粘着剂层的与基材相反侧的面上层叠有剥离膜的状态，得到了由氯乙烯树脂制基材及粘着剂层构成的半导体加工片。
(实施例2～6、比较例1～3)
除了将基材与粘着剂的组合变更为如表3所示以外，以与实施例1相同的方式得到了半导体加工片。
[试验例1]拾取性评价
将剥离膜从在上述得到的实施例及比较例的半导体加工片上去除，将8英寸的硅晶圆(直径200mm、厚度100μm、贴附面：干式抛光精加工)于23℃层压在露出的粘着剂层的粘贴面上，并将该半导体加工片固定于环状框架上。接着，应用利用刀片切割的切断方法，将硅晶圆切片为8mm×8mm大小的芯片。此时，使用切割刀片从半导体加工片的表面出发仅向其中切入了30μm。
接着，使用拾取装置并利用8mm×8mm大小的筒夹，以上推速度为20mm/秒、上推量为200μm的条件，尝试了10个芯片的拾取。然后，确认不产生龟裂且能够正常拾取的芯片的个数，并按照下述评价标准评价了半导体加工片的拾取适性。将结果示于表3中。
◎：所有的芯片均能够正常拾取。
○：能够正常拾取的芯片为6个以上。
△：能够正常拾取的芯片为1～5个。
×：能够正常拾取的芯片为0个。
另外，通常的拾取评价在硅晶圆贴附后3天以内进行拾取试验，关于经时保管后的情况，在贴附硅晶圆后，于23℃、相对湿度50％的环境下放置3周后，进行了拾取试验。
[试验例2]<扩展性的评价>
除了将芯片尺寸设为0.2mm×30mm、并将半导体加工片从其表面出发切入了40μm以外，以与上述试验例1(拾取性评价)相同的方式进行至切割为止。然后，使用扩展装置(JMC Co.Ltd.制造，ME-300B型)，以300mm/分钟的速度将半导体加工片沿该片的主面内方向伸长20mm，按照下述标准评价了半导体加工片的扩展性。将结果示于表3中。
○：即便将扩展台往上推20mm以上也不产生破裂。
△：即便将扩展台往上推10mm以上也不产生破裂。
×：将扩展台往上推10mm以上时产生破裂。
[试验例3]<残渣物的评价>
将剥离膜从在上述得到的实施例及比较例的半导体加工片上去除，使粘着剂层露出。使用2kg的辊将经镜面处理的硅晶圆(直径6英寸、厚度650μm)贴附在露出的粘着剂层的粘贴面上，得到了由半导体加工片及硅晶圆构成的层叠体。将所得到的层叠体于23℃、相对湿度50％的环境下保管20分钟并作为了评价样品。
针对评价样品，使用万能型拉伸试验机(Orientec Co.,Ltd.制造，TENSILON/UTM-4-100)，按照JIS Z0237:2000，以300mm/分钟的剥离速度、180°的剥离角度将半导体加工片从硅晶圆上剥下。目视确认了在将半导体加工片剥离后的部分的硅晶圆表面有无残渣物。将未确认到残渣物的情况评定为“○”，将确认到粘着剂的残渣物的情况评定为“×”。将结果示于表3中。
[试验例4]<萃取氯离子量的测定>
各取1g的上述(1)中得到的基材1～4，各自与纯水20m1混合从而制备了样品液。将该样品液加入离子浓度测定用TEFLON(注册商标)制容器中并密封，于121℃加热24小时，萃取了氯离子。使用离子色谱装置(Thermo Fisher Scientific Inc.制造，DIONEX ICS-2100)在下述条件下测定了所得到的萃取液的氯离子浓度。将结果示于表1及表3中。
[表1]
Figure BDA0001773772250000341
[表2]
Figure BDA0001773772250000342
[表3]
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5 实施例6 比较例1 比较例2 比较例3
基材 1 1 1 1 1 1 2 3 4
粘着剂 1 2 3 4 5 6 1 1 1
拾取性 ◎ ◎ ◎ △ △ △ ○ ○ ◎
保管经时后拾取性 ◎ ◎ ○ △ △ △ × × ◎
扩展性 ○ ○ ○ ○ ○ ○ × × ○
残渣物 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ×
萃取氯离子[ppm] 2 2 2 2 2 2 2 2 2
根据表1～表3可知，实施例中制作的半导体加工片的扩展性优异，拾取性良好，其经时变化受到了抑制。此外，实施例中制造的半导体加工片的残渣物的产生受到了抑制。
工业实用性
本发明涉及的半导体加工片例如可适用于半导体晶圆的加工工序、特别是具有扩展工序的加工工序中。

Claims (14)

1.一种半导体加工片，其为具备基材膜、以及层叠于所述基材膜的至少一面侧的粘着剂层的半导体加工片，其特征在于，
所述基材膜含有氯乙烯类树脂，且进一步含有对苯二甲酸酯、己二酸酯及硬脂酸钡。
2.根据权利要求1所述的半导体加工片，其特征在于，所述基材膜中，所述对苯二甲酸酯的含量比所述己二酸酯的含量多。
3.根据权利要求1所述的半导体加工片，其特征在于，
相对于所述氯乙烯类树脂100质量份，所述基材膜中的所述对苯二甲酸酯的含量为5质量份以上且40质量份以下，
相对于所述氯乙烯类树脂100质量份，所述基材膜中的所述己二酸酯的含量为5质量份以上且40质量份以下，
相对于所述氯乙烯类树脂100质量份，所述基材膜中的所述硬脂酸钡的含量为0.1质量份以上且20质量份以下。
4.根据权利要求1所述的半导体加工片，其特征在于，所述己二酸酯为选自由己二酸二(2-乙基己基)酯、己二酸二异壬酯、己二酸二异癸酯及己二酸二(2-丁氧基乙基)酯组成的组中的1种或2种以上。
5.根据权利要求1所述的半导体加工片，其特征在于，所述对苯二甲酸酯为对苯二甲酸二(2-乙基己基)酯。
6.根据权利要求1所述的半导体加工片，其特征在于，所述基材膜中的邻苯二甲酸烷基酯类增塑剂的含量为0.001质量％以下。
7.根据权利要求1所述的半导体加工片，其特征在于，所述基材膜中的邻苯二甲酸二(2-乙基己基)酯、邻苯二甲酸二正丁酯、邻苯二甲酸丁苄酯及邻苯二甲酸二异丁酯的含量均为0.001质量％以下。
8.根据权利要求1所述的半导体加工片，其特征在于，向所述基材膜1g中添加去离子水20mL并于121℃萃取24小时后的萃取氯离子量为1000ppm以下。
9.根据权利要求1所述的半导体加工片，其特征在于，所述粘着剂层含有与所述基材膜所含有的所述对苯二甲酸酯同种的对苯二甲酸酯。
10.根据权利要求1所述的半导体加工片，其特征在于，构成所述粘着剂层的粘着剂为能量射线非固化性。
11.根据权利要求1所述的半导体加工片，其特征在于，所述粘着剂层由含有丙烯酸类聚合物的粘着剂组合物形成的粘着剂构成。
12.根据权利要求11所述的半导体加工片，其特征在于，所述丙烯酸类聚合物含有具有极性基团的单体作为构成该聚合物的单体单元。
13.根据权利要求12所述的半导体加工片，其特征在于，所述极性基团为氰基和/或羧基。
14.根据权利要求11所述的半导体加工片，其特征在于，所述丙烯酸类聚合物含有(甲基)丙烯酸丁酯作为构成该聚合物的单体单元。
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